JPH059270A - 樹脂組成物およびその製造方法 - Google Patents
樹脂組成物およびその製造方法Info
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- JPH059270A JPH059270A JP15174591A JP15174591A JPH059270A JP H059270 A JPH059270 A JP H059270A JP 15174591 A JP15174591 A JP 15174591A JP 15174591 A JP15174591 A JP 15174591A JP H059270 A JPH059270 A JP H059270A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂、
硬化促進剤および無機充填材を主成分とする樹脂組成物
において、無機充填材の３０〜１００重量％が中空充填
材からなる半導体封止用樹脂組成物。 【効果】 本樹脂組成物は低誘電率化されており、本樹
脂組成物を用いて封止した半導体バッケージは、高周波
領域で使用しても、信号ロスが少なく応答性のよいパッ
ケージを得ることができる。更に、樹脂組成物の比重が
小さいため、本樹脂組成物を用いるとパッケージ自体の
軽量化を計れる。
硬化促進剤および無機充填材を主成分とする樹脂組成物
において、無機充填材の３０〜１００重量％が中空充填
材からなる半導体封止用樹脂組成物。 【効果】 本樹脂組成物は低誘電率化されており、本樹
脂組成物を用いて封止した半導体バッケージは、高周波
領域で使用しても、信号ロスが少なく応答性のよいパッ
ケージを得ることができる。更に、樹脂組成物の比重が
小さいため、本樹脂組成物を用いるとパッケージ自体の
軽量化を計れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電特性に優れた半導
体封止用樹脂組成物に関するものである。
体封止用樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波用途のダイオード、トラン
ジスタ、ＩＣ等の半導体素子の封止には、低誘電特性の
必要上、従来の半導体封止用の樹脂組成物は用いられ
ず、内部に空洞状態をつくることが可能な、セラミック
封止が行われてきた。セラミック封止は内部が空洞なた
め、誘電率が空気と同じになり高周波領域でも十分な誘
電特性が得られるが、コストが高いという欠点がある。
一方、樹脂組成物はコストが安いという長所を有する
が、このものを用いて封止された半導体は、高周波領域
での誘電特性を劣化させるという欠点があった。
ジスタ、ＩＣ等の半導体素子の封止には、低誘電特性の
必要上、従来の半導体封止用の樹脂組成物は用いられ
ず、内部に空洞状態をつくることが可能な、セラミック
封止が行われてきた。セラミック封止は内部が空洞なた
め、誘電率が空気と同じになり高周波領域でも十分な誘
電特性が得られるが、コストが高いという欠点がある。
一方、樹脂組成物はコストが安いという長所を有する
が、このものを用いて封止された半導体は、高周波領域
での誘電特性を劣化させるという欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の半導
体封止用樹脂組成物の誘電特性が、高周波領域の用途に
は不適だという問題点を解決すべく、種々の検討の結果
なされたもので、低誘電率化と軽量化の両方を満たした
樹脂組成物を提供することを目的とするものである。
体封止用樹脂組成物の誘電特性が、高周波領域の用途に
は不適だという問題点を解決すべく、種々の検討の結果
なされたもので、低誘電率化と軽量化の両方を満たした
樹脂組成物を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明はエポキシ
樹脂、フェノールノボラック樹脂、硬化促進剤および無
機充填材を主成分とする樹脂組成物において、無機充填
材の３０〜１００重量％が中空充填材からなる半導体封
止用樹脂組成物およびその製造方法である。
樹脂、フェノールノボラック樹脂、硬化促進剤および無
機充填材を主成分とする樹脂組成物において、無機充填
材の３０〜１００重量％が中空充填材からなる半導体封
止用樹脂組成物およびその製造方法である。
【０００５】本発明に用いるエポキシ樹脂は、クレゾー
ルノボラック型エポキシ、三官能エポキシ、ビスフェノ
ール型エポキシ、臭素化エポキシ等が挙げられるが、特
に限定するものではない。これらは単独または併用して
もよい。本発明に用いる硬化剤にはエポキシ樹脂と反応
する硬化剤全般をいい、例えばフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、トリス（ヒドロキシア
ルキルフェニル）メタン型フェノール樹脂、パラキシレ
ン変性フェノール樹脂等がある。
ルノボラック型エポキシ、三官能エポキシ、ビスフェノ
ール型エポキシ、臭素化エポキシ等が挙げられるが、特
に限定するものではない。これらは単独または併用して
もよい。本発明に用いる硬化剤にはエポキシ樹脂と反応
する硬化剤全般をいい、例えばフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、トリス（ヒドロキシア
ルキルフェニル）メタン型フェノール樹脂、パラキシレ
ン変性フェノール樹脂等がある。
【０００６】エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の配
合比は、硬化剤水酸基数１に対し、エポキシ樹脂のエポ
キシ基数を０．５〜２の範囲内になるように配合を調整
する必要がある。０．５未満または２を越えるものは耐
湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪くなる。
好ましくは、硬化剤の水酸基数１に対し、エポキシ樹脂
のエポキシ基数が１．１〜１．３の範囲とする配合が好
適である。１．１未満または１．３を越えるものは、吸
水性が上がり半田浸漬時の熱衝撃が増加し、半田ストレ
ス性が悪くなる傾向がある。
合比は、硬化剤水酸基数１に対し、エポキシ樹脂のエポ
キシ基数を０．５〜２の範囲内になるように配合を調整
する必要がある。０．５未満または２を越えるものは耐
湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪くなる。
好ましくは、硬化剤の水酸基数１に対し、エポキシ樹脂
のエポキシ基数が１．１〜１．３の範囲とする配合が好
適である。１．１未満または１．３を越えるものは、吸
水性が上がり半田浸漬時の熱衝撃が増加し、半田ストレ
ス性が悪くなる傾向がある。
【０００７】本発明に用いる硬化促進剤はエポキシ基と
フェノール性水酸基との反応を促進するものであればよ
く、一般に封止用材料に使用されているものを広く使用
することができ、例えばジアザビシクロウンデセン（Ｄ
ＢＵ）、トリフェニルホスフィン、ジメチルベンジルア
ミンや２−メチルイミダゾール等が単独もしくは２種類
以上混合して用いられる。
フェノール性水酸基との反応を促進するものであればよ
く、一般に封止用材料に使用されているものを広く使用
することができ、例えばジアザビシクロウンデセン（Ｄ
ＢＵ）、トリフェニルホスフィン、ジメチルベンジルア
ミンや２−メチルイミダゾール等が単独もしくは２種類
以上混合して用いられる。
【０００８】本発明に用いる無機充填材としては、溶融
シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝
集シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、２次凝集シリカ粉末
または多孔シリカ粉末を粉砕したシリカ粉末、アルミナ
等が挙げられ、特に溶融シリカ粉末が好ましい。本発明
の封止用樹脂組成物はエポキシ樹脂、フェノールノボラ
ック樹脂硬化剤、硬化促進剤および無機充填材を主成分
とするが、これ以外に必要に応じてシランカップリング
剤、三酸化アンチモン、ヘキサブロムベンゼン等の難燃
剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、天然ワッ
クス、合成ワックス等の種々の添加剤を適宜配合して差
し支えない。
シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝
集シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、２次凝集シリカ粉末
または多孔シリカ粉末を粉砕したシリカ粉末、アルミナ
等が挙げられ、特に溶融シリカ粉末が好ましい。本発明
の封止用樹脂組成物はエポキシ樹脂、フェノールノボラ
ック樹脂硬化剤、硬化促進剤および無機充填材を主成分
とするが、これ以外に必要に応じてシランカップリング
剤、三酸化アンチモン、ヘキサブロムベンゼン等の難燃
剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、天然ワッ
クス、合成ワックス等の種々の添加剤を適宜配合して差
し支えない。
【０００９】無機充填材の３０〜１００重量％用いる中
空充填材は、内部に中空構造を有するもので、ガラス、
セラミックス等の材質のものがある。これらのものは中
空構造であり、その見かけ比重はガラスが０．４〜０．
７、セラミックスが０．４〜０．５程度で、溶融シリカ
の１／３〜１／５となり、軽量である。また粒度は３０
μｍ以下が好ましい。中空充填材としては、例えば住友
３Ｍの「ガラス・バブルス」や、昭和電工の「フライア
ッシュ」等が挙げられる。
空充填材は、内部に中空構造を有するもので、ガラス、
セラミックス等の材質のものがある。これらのものは中
空構造であり、その見かけ比重はガラスが０．４〜０．
７、セラミックスが０．４〜０．５程度で、溶融シリカ
の１／３〜１／５となり、軽量である。また粒度は３０
μｍ以下が好ましい。中空充填材としては、例えば住友
３Ｍの「ガラス・バブルス」や、昭和電工の「フライア
ッシュ」等が挙げられる。
【００１０】無機充填材の該中空充填材の量は、誘電率
を下げるには３０重量％以上が望ましい。３０重量％未
満だと、樹脂成形物内部に中空構造をあまり導入できな
いため、低誘電率化の効果を得られないので好ましくな
い。もし軽量化だけが必要ならば、目的の比重によって
使用量を設定すればよい。中空充填材の表面をメルカプ
トシラン、ウレイドシラン等のシランカップリング剤で
処理することにより、他の成分との接着力を大幅に改善
できる。
を下げるには３０重量％以上が望ましい。３０重量％未
満だと、樹脂成形物内部に中空構造をあまり導入できな
いため、低誘電率化の効果を得られないので好ましくな
い。もし軽量化だけが必要ならば、目的の比重によって
使用量を設定すればよい。中空充填材の表面をメルカプ
トシラン、ウレイドシラン等のシランカップリング剤で
処理することにより、他の成分との接着力を大幅に改善
できる。
【００１２】従来の半導体封止用樹脂組成物を製造する
場合、全成分を常温で均一に混合した後、押出し型混練
機や二軸熱ロールにより溶融分散し、これを粉砕して目
的物を得る。しかし中空充填材を用いる本発明において
は、押出し型混練機や二軸熱ロール等を用いた場合、せ
ん断力により中空構造が破壊され、中空充填材を用いる
初期の目的を達成できない。本発明においては中空充填
材以外の残余の各成分を常温で十分に混合した後、従来
と同様の押出し型混練機や二軸熱ロール等の加熱溶融装
置を用いて、５０〜８０℃の条件で混練し、冷却粉砕し
て、該粉砕物に中空充填材を添加混合し、この混合物を
ボールミル等の粉砕機を用いて微粉砕し、半導体封止用
樹脂組成物を得る。
場合、全成分を常温で均一に混合した後、押出し型混練
機や二軸熱ロールにより溶融分散し、これを粉砕して目
的物を得る。しかし中空充填材を用いる本発明において
は、押出し型混練機や二軸熱ロール等を用いた場合、せ
ん断力により中空構造が破壊され、中空充填材を用いる
初期の目的を達成できない。本発明においては中空充填
材以外の残余の各成分を常温で十分に混合した後、従来
と同様の押出し型混練機や二軸熱ロール等の加熱溶融装
置を用いて、５０〜８０℃の条件で混練し、冷却粉砕し
て、該粉砕物に中空充填材を添加混合し、この混合物を
ボールミル等の粉砕機を用いて微粉砕し、半導体封止用
樹脂組成物を得る。
【００１３】
【実施例】以下本発明を実施例で具体的に説明する。配
合量の部は重量部を表す。 実施例１ クレゾールノボラックエポキシ樹脂 ６４０部 （エポキシ当量２００、軟化点６２℃） 臭素化エポキシ樹脂 ４０部 （エポキシ当量２７０、軟化点７０℃） フェノールノボラック樹脂 ３４０部 （水酸基当量１０４、軟化点１１０℃） 中空充填材（住友３Ｍ・Ｓ６０／１００００） ８８０部 微粉砕溶融シリカ（エロジール２００） １０部 ＤＢＵ １１部 カーボンブラック ６部 カルナバワックス １０部 の配合割合で、予めメルカプトシランで処理した中空充
填材以外の全ての材料を常温で十分に混合し、次に５０
〜７０℃の二軸熱ロールを用い混練後冷却し粉砕して、
該中空充填材を加え、ボールミルで微粉砕し、半導体封
止用樹脂組成物を得た。得られた材料をトランスファー
成形機を用いて、１７５℃で成形し、評価用のテストピ
ースを得た。その評価結果を表１に示す。
合量の部は重量部を表す。 実施例１ クレゾールノボラックエポキシ樹脂 ６４０部 （エポキシ当量２００、軟化点６２℃） 臭素化エポキシ樹脂 ４０部 （エポキシ当量２７０、軟化点７０℃） フェノールノボラック樹脂 ３４０部 （水酸基当量１０４、軟化点１１０℃） 中空充填材（住友３Ｍ・Ｓ６０／１００００） ８８０部 微粉砕溶融シリカ（エロジール２００） １０部 ＤＢＵ １１部 カーボンブラック ６部 カルナバワックス １０部 の配合割合で、予めメルカプトシランで処理した中空充
填材以外の全ての材料を常温で十分に混合し、次に５０
〜７０℃の二軸熱ロールを用い混練後冷却し粉砕して、
該中空充填材を加え、ボールミルで微粉砕し、半導体封
止用樹脂組成物を得た。得られた材料をトランスファー
成形機を用いて、１７５℃で成形し、評価用のテストピ
ースを得た。その評価結果を表１に示す。
【００１４】実施例２、３
表１に示す配合割合で、実施例１と同様にして半導体封
止用樹脂組成物を得た。その評価結果を表１に示す。 比較例１ 表１に示す配合割合で、全ての材料を常温で十分に混合
し、次に５０〜７０℃の二軸熱ロールを用い混練後冷却
し粉砕し、半導体封止用樹脂組成物を得た。実施例１と
同様にしてテストピースを作成した。その評価結果を表
１に示す。
止用樹脂組成物を得た。その評価結果を表１に示す。 比較例１ 表１に示す配合割合で、全ての材料を常温で十分に混合
し、次に５０〜７０℃の二軸熱ロールを用い混練後冷却
し粉砕し、半導体封止用樹脂組成物を得た。実施例１と
同様にしてテストピースを作成した。その評価結果を表
１に示す。
【００１５】評価方法
誘電率、誘電正接
直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円盤を成形し、１ＭＨｚで
誘電率および誘電正接を測定。 比重 直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円盤を成形し、このテスト
ピースの比重を測定。
誘電率および誘電正接を測定。 比重 直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円盤を成形し、このテスト
ピースの比重を測定。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明の半導体封止用樹脂組成物は低誘
電率化されており、本樹脂組成物を用いて封止した半導
体バッケージは、高周波領域で使用しても、信号ロスが
少なく応答性のよいパッケージを得ることができる。更
に、樹脂組成物の比重が小さいため、本樹脂組成物を用
いるとパッケージ自体の軽量化を計れる。
電率化されており、本樹脂組成物を用いて封止した半導
体バッケージは、高周波領域で使用しても、信号ロスが
少なく応答性のよいパッケージを得ることができる。更
に、樹脂組成物の比重が小さいため、本樹脂組成物を用
いるとパッケージ自体の軽量化を計れる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０１Ｌ 23/29
23/31
Claims (2)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹
脂、硬化促進剤および無機充填材を主成分とする樹脂組
成物において、無機充填材の３０〜１００重量％が中空
充填材からなることを特徴とする半導体封止用樹脂組成
物。 - 【請求項２】 中空充填材以外の残余の成分を溶融混合
後、微粉砕したものに該中空充填材を混合することを特
徴とする請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15174591A JPH059270A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 樹脂組成物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15174591A JPH059270A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 樹脂組成物およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH059270A true JPH059270A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=15525356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15174591A Pending JPH059270A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 樹脂組成物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH059270A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0714125A3 (en) * | 1994-11-24 | 1996-07-17 | Dow Corning Toray Silicone | Semiconductor component and method for its production |
| EP1142952A1 (en) * | 2000-04-06 | 2001-10-10 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device using the same |
| JP2002201358A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品の封止材料、電子部品の封止方法、半導体パッケージ、および半導体パッケージの作製方法 |
| JP2006057015A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Kyocera Chemical Corp | 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
| JP2007211252A (ja) * | 2007-04-23 | 2007-08-23 | Nitto Denko Corp | フライアッシュ粉体を用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| US7271206B2 (en) * | 2003-12-23 | 2007-09-18 | Industrial Technology Research Institute | Organic-inorganic hybrid compositions with sufficient flexibility, high dielectric constant and high thermal stability, and cured compositions thereof |
| EP1627694A4 (en) * | 2003-05-08 | 2009-01-07 | Nitto Denko Corp | SOOT POWDER, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, RESIN COMPOSITION FOR SEALING A SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
| WO2011111727A1 (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | 中部電力株式会社 | 絶縁性高分子材料組成物 |
| JP2013089895A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Kyocera Chemical Corp | フィルムコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2019026715A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 住友ベークライト株式会社 | 一括封止用エポキシ樹脂組成物、電子装置およびその製造方法 |
| US11292872B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-04-05 | Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | Epoxy resin composition |
| US11603466B2 (en) | 2017-01-10 | 2023-03-14 | Sumitomo Seika Chemicals Co.. Ltd. | Epoxy resin composition |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP15174591A patent/JPH059270A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5907190A (en) * | 1994-11-24 | 1999-05-25 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Semiconductor device having a cured silicone coating with non uniformly dispersed filler |
| US5989942A (en) * | 1994-11-24 | 1999-11-23 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| EP0714125A3 (en) * | 1994-11-24 | 1996-07-17 | Dow Corning Toray Silicone | Semiconductor component and method for its production |
| EP1142952A1 (en) * | 2000-04-06 | 2001-10-10 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device using the same |
| JP2002201358A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品の封止材料、電子部品の封止方法、半導体パッケージ、および半導体パッケージの作製方法 |
| EP1627694A4 (en) * | 2003-05-08 | 2009-01-07 | Nitto Denko Corp | SOOT POWDER, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, RESIN COMPOSITION FOR SEALING A SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
| US7271206B2 (en) * | 2003-12-23 | 2007-09-18 | Industrial Technology Research Institute | Organic-inorganic hybrid compositions with sufficient flexibility, high dielectric constant and high thermal stability, and cured compositions thereof |
| JP2006057015A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Kyocera Chemical Corp | 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
| JP2007211252A (ja) * | 2007-04-23 | 2007-08-23 | Nitto Denko Corp | フライアッシュ粉体を用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| WO2011111727A1 (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | 中部電力株式会社 | 絶縁性高分子材料組成物 |
| JP2011184645A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Chubu Electric Power Co Inc | 絶縁性高分子材料組成物 |
| JP2013089895A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Kyocera Chemical Corp | フィルムコンデンサ及びその製造方法 |
| US11292872B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-04-05 | Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | Epoxy resin composition |
| US11603466B2 (en) | 2017-01-10 | 2023-03-14 | Sumitomo Seika Chemicals Co.. Ltd. | Epoxy resin composition |
| JP2019026715A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | 住友ベークライト株式会社 | 一括封止用エポキシ樹脂組成物、電子装置およびその製造方法 |
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