JPH05235211A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH05235211A JPH05235211A JP3388092A JP3388092A JPH05235211A JP H05235211 A JPH05235211 A JP H05235211A JP 3388092 A JP3388092 A JP 3388092A JP 3388092 A JP3388092 A JP 3388092A JP H05235211 A JPH05235211 A JP H05235211A
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- JP
- Japan
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- resin
- whiskers
- semiconductor device
- sealing resin
- semiconductor
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- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体封止樹脂の無機充填剤として、熱伝導
率が 0.03cal／cm・sec・℃以上のウイスカーと外周面
が連続面のみで形成されている平均粒径が50μｍ以下の
無機粉末とを配合比が体積比で９：１〜５：５の範囲内
となるように配合する。 【効果】 極めて放熱性の高い樹脂封止型半導体装置を
実現することができる。
率が 0.03cal／cm・sec・℃以上のウイスカーと外周面
が連続面のみで形成されている平均粒径が50μｍ以下の
無機粉末とを配合比が体積比で９：１〜５：５の範囲内
となるように配合する。 【効果】 極めて放熱性の高い樹脂封止型半導体装置を
実現することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体封止樹脂によっ
て半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置に
関する。
て半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のパッケージは、半導体素子
を外部の環境から保護することを主な目的としている
が、このようなパッケージの方法としては、現在エポキ
シ樹脂、シリコーン樹脂等を用いた樹脂封止がその主流
となっている。係る樹脂封止に供される半導体封止樹脂
の組成は、樹脂成分と無機充填剤とからなっており、樹
脂成分の主剤としては、上述したようにエポキシ樹脂や
シリコーン樹脂が一般的である。一方無機充填剤として
は、通常、シリカ、酸化アンチモン、カーボン等が用い
られている。
を外部の環境から保護することを主な目的としている
が、このようなパッケージの方法としては、現在エポキ
シ樹脂、シリコーン樹脂等を用いた樹脂封止がその主流
となっている。係る樹脂封止に供される半導体封止樹脂
の組成は、樹脂成分と無機充填剤とからなっており、樹
脂成分の主剤としては、上述したようにエポキシ樹脂や
シリコーン樹脂が一般的である。一方無機充填剤として
は、通常、シリカ、酸化アンチモン、カーボン等が用い
られている。
【０００３】ところで、近年の半導体素子の高集積化、
高密度化に伴ない、前記半導体素子の稼働時の発熱量が
増大する傾向にあり、前述したような半導体封止樹脂に
よって封止されてなる樹脂封止型半導体装置に対して、
一層の放熱性の向上が要求されている。このような要求
に鑑みて、特開昭６１−２２１２２０号、特開平１−１
０８２５３号等には、窒化ケイ素、窒化ホウ素、アルミ
ナ等からなる高い熱伝導率を有するウイスカーを半導体
封止樹脂中に添加する技術が開示されている。しかしな
がらこのような半導体封止樹脂においても、ウイスカー
の添加量は高々結晶性シリカ粉末等の無機充填剤と同体
積程度であるため、得られる樹脂封止型半導体装置にお
ける放熱性の向上は少なく、より放熱性の優れた樹脂封
止型半導体装置が望まれていた。
高密度化に伴ない、前記半導体素子の稼働時の発熱量が
増大する傾向にあり、前述したような半導体封止樹脂に
よって封止されてなる樹脂封止型半導体装置に対して、
一層の放熱性の向上が要求されている。このような要求
に鑑みて、特開昭６１−２２１２２０号、特開平１−１
０８２５３号等には、窒化ケイ素、窒化ホウ素、アルミ
ナ等からなる高い熱伝導率を有するウイスカーを半導体
封止樹脂中に添加する技術が開示されている。しかしな
がらこのような半導体封止樹脂においても、ウイスカー
の添加量は高々結晶性シリカ粉末等の無機充填剤と同体
積程度であるため、得られる樹脂封止型半導体装置にお
ける放熱性の向上は少なく、より放熱性の優れた樹脂封
止型半導体装置が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、樹脂
封止型半導体装置の放熱性向上の観点から、半導体封止
樹脂中に高い熱伝導率を有するウイスカーを添加するこ
とが試みられているが、この場合にも、今後の半導体素
子の高集積化、高密度化に充分に対応できる程度の高い
放熱性を有する樹脂封止型半導体装置を得ることはでき
なかった。本発明は、このような従来の樹脂封止型半導
体装置を改良して、一段と高い放熱性を有する樹脂封止
型半導体装置を提供することを目的としている。
封止型半導体装置の放熱性向上の観点から、半導体封止
樹脂中に高い熱伝導率を有するウイスカーを添加するこ
とが試みられているが、この場合にも、今後の半導体素
子の高集積化、高密度化に充分に対応できる程度の高い
放熱性を有する樹脂封止型半導体装置を得ることはでき
なかった。本発明は、このような従来の樹脂封止型半導
体装置を改良して、一段と高い放熱性を有する樹脂封止
型半導体装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】ま本発明は、樹
脂、硬化剤及び無機充填剤を必須成分とする半導体封止
樹脂によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半
導体装置において、無機充填剤として熱伝導率が 0.03c
al／cm・sec ・℃以上のウイスカー及び外周面が連続面
のみで形成されている平均粒径が50μｍ以下の無機粉末
が配合され、前記ウイスカーと無機粉末との配合比が体
積比で９：１〜５：５の範囲内である樹脂封止型半導体
装置である。すなわち本発明の樹脂封止型半導体装置
は、半導体封止樹脂の無機充填剤として上述したような
ウイスカーと無機粉末を上記の配合比で配合したことを
特徴としている。
脂、硬化剤及び無機充填剤を必須成分とする半導体封止
樹脂によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半
導体装置において、無機充填剤として熱伝導率が 0.03c
al／cm・sec ・℃以上のウイスカー及び外周面が連続面
のみで形成されている平均粒径が50μｍ以下の無機粉末
が配合され、前記ウイスカーと無機粉末との配合比が体
積比で９：１〜５：５の範囲内である樹脂封止型半導体
装置である。すなわち本発明の樹脂封止型半導体装置
は、半導体封止樹脂の無機充填剤として上述したような
ウイスカーと無機粉末を上記の配合比で配合したことを
特徴としている。
【０００６】本発明では、樹脂封止型半導体装置の放熱
性を一段と高めるため、 0.03cal／cm・sec ・℃以上の
高い熱伝導率を有するウイスカーが半導体封止樹脂中に
配合される無機充填剤の第１の成分として用いられる。
しかしながら、無機充填剤としてウイスカーが単独で用
いられると半導体封止樹脂の流動性が低下し、成形が極
めて困難になってしまう。本発明者らは、このような問
題を解決すべく無機充填剤の第２の成分について種々検
討を重ねた結果、外周面が連続面のみで形成されている
無機粉末が好適であることを見出した。すなわち、以前
より無機充填剤として汎用されていた結晶性シリカ粉末
等を前記ウイスカーと併用する場合、半導体封止樹脂の
流動性を充分に高めるためにはウイスカーよりも大量に
結晶性シリカ粉末を配合することが必要となる。このた
め、前述したように樹脂封止型半導体装置の放熱性を大
幅に高めることができなかった。これに対し、外周面が
連続面のみで形成されている無機粉末によれば、少量の
配合により半導体封止樹脂の流動性を高めることがで
き、極めて高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置を
実現することが可能となる。さらに、上述したようなウ
イスカーと無機粉末を併用することにより、半導体封止
樹脂の成形時に網目状の組織（セミラティス）が形成さ
れ、高強度、低熱膨張を有する半導体封止樹脂を成形で
きるという知見を得た。
性を一段と高めるため、 0.03cal／cm・sec ・℃以上の
高い熱伝導率を有するウイスカーが半導体封止樹脂中に
配合される無機充填剤の第１の成分として用いられる。
しかしながら、無機充填剤としてウイスカーが単独で用
いられると半導体封止樹脂の流動性が低下し、成形が極
めて困難になってしまう。本発明者らは、このような問
題を解決すべく無機充填剤の第２の成分について種々検
討を重ねた結果、外周面が連続面のみで形成されている
無機粉末が好適であることを見出した。すなわち、以前
より無機充填剤として汎用されていた結晶性シリカ粉末
等を前記ウイスカーと併用する場合、半導体封止樹脂の
流動性を充分に高めるためにはウイスカーよりも大量に
結晶性シリカ粉末を配合することが必要となる。このた
め、前述したように樹脂封止型半導体装置の放熱性を大
幅に高めることができなかった。これに対し、外周面が
連続面のみで形成されている無機粉末によれば、少量の
配合により半導体封止樹脂の流動性を高めることがで
き、極めて高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置を
実現することが可能となる。さらに、上述したようなウ
イスカーと無機粉末を併用することにより、半導体封止
樹脂の成形時に網目状の組織（セミラティス）が形成さ
れ、高強度、低熱膨張を有する半導体封止樹脂を成形で
きるという知見を得た。
【０００７】本発明で用いられるウイスカーとしては、
熱伝導率が 0.03cal／cm・sec ・℃以上のものであれば
特に限定されず、具体的には、窒化ケイ素、窒化アルミ
ニウム、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、ス
ピネル、炭化チタン、炭化タングステン、ダイヤモンド
等からなるウイスカーが挙げられる。また、２種類以上
の化合物の共晶体からなるウイスカーや基材となる化合
物の結晶上に他の化合物を結晶成長させてなるウイスカ
ーも、熱伝導率が 0.03cal／cm・sec ・℃以上であれば
許容される。さらにこのようなウイスカーは、長さが50
〜 100μｍ、太さが50μｍ以下、これらのアスペクト比
（長さ／太さ）２〜50であることが好ましい。この理由
は、ウイスカーの長さが長すぎアスペクト比が大きくな
ると、半導体封止樹脂の流動性が低下して成形が困難と
なり、逆にウイスカーの長さが短いかあるいは太さが太
すぎアスペクト比が小さくなると、樹脂封止型半導体装
置の放熱性の向上が不充分となるおそれがあるからであ
る。
熱伝導率が 0.03cal／cm・sec ・℃以上のものであれば
特に限定されず、具体的には、窒化ケイ素、窒化アルミ
ニウム、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、ス
ピネル、炭化チタン、炭化タングステン、ダイヤモンド
等からなるウイスカーが挙げられる。また、２種類以上
の化合物の共晶体からなるウイスカーや基材となる化合
物の結晶上に他の化合物を結晶成長させてなるウイスカ
ーも、熱伝導率が 0.03cal／cm・sec ・℃以上であれば
許容される。さらにこのようなウイスカーは、長さが50
〜 100μｍ、太さが50μｍ以下、これらのアスペクト比
（長さ／太さ）２〜50であることが好ましい。この理由
は、ウイスカーの長さが長すぎアスペクト比が大きくな
ると、半導体封止樹脂の流動性が低下して成形が困難と
なり、逆にウイスカーの長さが短いかあるいは太さが太
すぎアスペクト比が小さくなると、樹脂封止型半導体装
置の放熱性の向上が不充分となるおそれがあるからであ
る。
【０００８】本発明で用いられる無機粉末としては、球
状、楕円球状等外周面が連続面のみで形成されている平
均粒径が50μｍ以下のものであれば特に限定されず、具
体的には、球状シリカ粉末、球状アルミナ粉末、球状シ
リカ粉末を焼成したもの、破砕状シリカ粉末の角を丸め
たもの等が挙げられる。さらに本発明において、このよ
うな無機粉末は平均粒径が１〜50μｍ、最大粒径が 100
μｍ以下であることが好ましい。この理由は、無機粉末
の粒径がこの範囲を外れると、得られる半導体封止樹脂
の流動性が低下し、成形性が損われるおそれがあるから
である。
状、楕円球状等外周面が連続面のみで形成されている平
均粒径が50μｍ以下のものであれば特に限定されず、具
体的には、球状シリカ粉末、球状アルミナ粉末、球状シ
リカ粉末を焼成したもの、破砕状シリカ粉末の角を丸め
たもの等が挙げられる。さらに本発明において、このよ
うな無機粉末は平均粒径が１〜50μｍ、最大粒径が 100
μｍ以下であることが好ましい。この理由は、無機粉末
の粒径がこの範囲を外れると、得られる半導体封止樹脂
の流動性が低下し、成形性が損われるおそれがあるから
である。
【０００９】本発明において、ウイスカーと無機粉末と
の配合比を９：１〜５：５に限定したのは、ウイスカー
の配合量がこの範囲を外れて多いと、半導体封止樹脂の
流動性が低下して成形が困難となり、無機粉末の配合量
がこの範囲を外れて多いと、極めて高い放熱性を有する
樹脂封止型半導体装置が得られなくなるからである。ま
た本発明で用いることのできる樹脂としては、半導体封
止樹脂として通常利用されるものであれば特に限定され
ず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
マレイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリキノリン樹
脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂やポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹
脂、テフロン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
の配合比を９：１〜５：５に限定したのは、ウイスカー
の配合量がこの範囲を外れて多いと、半導体封止樹脂の
流動性が低下して成形が困難となり、無機粉末の配合量
がこの範囲を外れて多いと、極めて高い放熱性を有する
樹脂封止型半導体装置が得られなくなるからである。ま
た本発明で用いることのできる樹脂としては、半導体封
止樹脂として通常利用されるものであれば特に限定され
ず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
マレイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリキノリン樹
脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂やポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹
脂、テフロン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００１０】さらに本発明で用いることのできる硬化剤
としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボ
ラック樹脂、ビスフェノールＡのノボラック樹脂、ナフ
トールのノボラック樹脂等のフェノールノボラック樹
脂、２，２´−ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェノール
類との縮合重合化合物等のフェノールアラルキル樹脂、
ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン、無水
フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水トリメリッ
ト酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸等の酸無水物や芳香族アミン等が挙げられ
る。本発明では、これらの硬化剤を１種又は２種以上用
いることができる。
としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボ
ラック樹脂、ビスフェノールＡのノボラック樹脂、ナフ
トールのノボラック樹脂等のフェノールノボラック樹
脂、２，２´−ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェノール
類との縮合重合化合物等のフェノールアラルキル樹脂、
ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン、無水
フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水トリメリッ
ト酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸等の酸無水物や芳香族アミン等が挙げられ
る。本発明では、これらの硬化剤を１種又は２種以上用
いることができる。
【００１１】本発明においては、上述したような各成分
を含有する半導体封止樹脂に、さらに必要に応じてイミ
ダゾール又はその誘導体、第３アミン誘導体、ホスフィ
ン又はその誘導体等の硬化促進剤、天然ワックス、合成
ワックス、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、又はエステ
ル、パラフィン等の離型剤、ブロムトルエン、ヘキサブ
ロモベンゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボン
ブラック等の着色剤、シリコーンオイル、ブタジエンゴ
ム等の可撓性付与剤、シランカップリング剤等を各種添
加剤として適宜配合してもよい。
を含有する半導体封止樹脂に、さらに必要に応じてイミ
ダゾール又はその誘導体、第３アミン誘導体、ホスフィ
ン又はその誘導体等の硬化促進剤、天然ワックス、合成
ワックス、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、又はエステ
ル、パラフィン等の離型剤、ブロムトルエン、ヘキサブ
ロモベンゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボン
ブラック等の着色剤、シリコーンオイル、ブタジエンゴ
ム等の可撓性付与剤、シランカップリング剤等を各種添
加剤として適宜配合してもよい。
【００１２】本発明の樹脂封止型半導体装置は、このよ
うな半導体封止樹脂を用い、半導体素子を封止すること
により得ることができる。この場合、前記半導体素子と
しては特に限定されず、集積回路（ＩＣ）、大規模集積
回路（ＬＳＩ）、トランジスタ、サイリスタ、ダイオー
ド等が挙げられ、トランスファー成形、射出成形、圧縮
成形、注型等の方法により、半導体素子の封止を行なう
ことができる。
うな半導体封止樹脂を用い、半導体素子を封止すること
により得ることができる。この場合、前記半導体素子と
しては特に限定されず、集積回路（ＩＣ）、大規模集積
回路（ＬＳＩ）、トランジスタ、サイリスタ、ダイオー
ド等が挙げられ、トランスファー成形、射出成形、圧縮
成形、注型等の方法により、半導体素子の封止を行なう
ことができる。
【００１３】
【実施例】エポキシ当量 196，軟化点76℃のｏ−クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂（住友化学社製、 195Ｘ
Ｌ−74）、エポキシ当量 270，軟化点80℃のブロム化エ
ポキシ樹脂難燃剤（日本化薬社製、ＢＲＥＮ−Ｓ）、フ
ェノール当量 106，軟化点97℃のフェノールノボラック
樹脂硬化剤（昭和高分子社製、ＢＲＧ−５５６）、トリ
フェニルホスフィン硬化促進剤、窒化ケイ素（熱伝導率
0.04cal／cm・sec・℃）からなる平均長さ30μｍ，平
均径３μｍのウイスカー、平均粒径10μｍの球状シリカ
粉末Ａ、平均粒径10μｍの球状アルミナ粉末、平均粒径
10μｍの破砕状窒化ケイ素粉末、平均粒径 0.3μｍの球
状シリカ粉末Ｂ、平均粒径60μｍ，最大粒径 110μｍの
球状シリカ粉末Ｃ、エポキシポリエーテル変性シリコー
ンオイル（トーレ・シリコーン製、ＳＦ−８４２１）、
熱硬化型シリコーンゴム（東芝シリコーン製、ＴＳＥ−
３０５１）、ＭＢＳ樹脂（日本合成ゴム製、ＪＳＲ−Ｍ
ＢＳ）、カルナバワックス、三酸化アンチモン、カーボ
ンブラック、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ランをそれぞれ表１に示した各重量部配合して、常温で
ヘンシェルミキサーにより混合した後、さらに加熱ロー
ルにより溶融混練し各組成物を調製した。なお、これら
の組成物に配合された無機充填剤において、窒化ケイ素
の比重は3.18、球状アルミナの比重は3.98、球状シリカ
の比重は2.20であり、実施例１、２におけるウイスカー
と球状シリカ粉末又は球状アルミナ粉末との配合比は、
体積比でともに約８：２に換算される。次いで、得られ
た組成物を冷却、粉砕しタブレットとして、さらにこの
タブレットを予熱した後にあらかじめ加熱したトランス
ファー成形用の金型に流し込み、硬化させて本発明に係
る半導体封止樹脂を成形した。
ールノボラック型エポキシ樹脂（住友化学社製、 195Ｘ
Ｌ−74）、エポキシ当量 270，軟化点80℃のブロム化エ
ポキシ樹脂難燃剤（日本化薬社製、ＢＲＥＮ−Ｓ）、フ
ェノール当量 106，軟化点97℃のフェノールノボラック
樹脂硬化剤（昭和高分子社製、ＢＲＧ−５５６）、トリ
フェニルホスフィン硬化促進剤、窒化ケイ素（熱伝導率
0.04cal／cm・sec・℃）からなる平均長さ30μｍ，平
均径３μｍのウイスカー、平均粒径10μｍの球状シリカ
粉末Ａ、平均粒径10μｍの球状アルミナ粉末、平均粒径
10μｍの破砕状窒化ケイ素粉末、平均粒径 0.3μｍの球
状シリカ粉末Ｂ、平均粒径60μｍ，最大粒径 110μｍの
球状シリカ粉末Ｃ、エポキシポリエーテル変性シリコー
ンオイル（トーレ・シリコーン製、ＳＦ−８４２１）、
熱硬化型シリコーンゴム（東芝シリコーン製、ＴＳＥ−
３０５１）、ＭＢＳ樹脂（日本合成ゴム製、ＪＳＲ−Ｍ
ＢＳ）、カルナバワックス、三酸化アンチモン、カーボ
ンブラック、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ランをそれぞれ表１に示した各重量部配合して、常温で
ヘンシェルミキサーにより混合した後、さらに加熱ロー
ルにより溶融混練し各組成物を調製した。なお、これら
の組成物に配合された無機充填剤において、窒化ケイ素
の比重は3.18、球状アルミナの比重は3.98、球状シリカ
の比重は2.20であり、実施例１、２におけるウイスカー
と球状シリカ粉末又は球状アルミナ粉末との配合比は、
体積比でともに約８：２に換算される。次いで、得られ
た組成物を冷却、粉砕しタブレットとして、さらにこの
タブレットを予熱した後にあらかじめ加熱したトランス
ファー成形用の金型に流し込み、硬化させて本発明に係
る半導体封止樹脂を成形した。
【００１４】
【表１】
【００１５】このようにして得られた半導体封止樹脂に
ついて、それぞれ熱伝導率、機械的強度、熱膨張率を測
定した結果を表２に示す。なお、ここで機械的強度とし
ては曲げ強度を測定した。また表２中には、半導体封止
樹脂の成形時に調製された各組成物の温度 175℃、圧力
10kg／cm2 における粘度を併せて示した。
ついて、それぞれ熱伝導率、機械的強度、熱膨張率を測
定した結果を表２に示す。なお、ここで機械的強度とし
ては曲げ強度を測定した。また表２中には、半導体封止
樹脂の成形時に調製された各組成物の温度 175℃、圧力
10kg／cm2 における粘度を併せて示した。
【００１６】
【表２】
【００１７】表２から明らかなように、本実施例に係る
半導体封止樹脂は、熱伝導率が極めて大きく、また機械
的強度、熱膨張率に関しても高強度、低熱膨張が満足さ
れている。これに対し、比較例２〜４の半導体封止樹脂
は熱伝導率が小さく、かつ他の特性も劣っていることが
確認された。また比較例１，５では、組成物の粘度が大
きく流動性が低いため、半導体封止樹脂を成形すること
ができなかった。
半導体封止樹脂は、熱伝導率が極めて大きく、また機械
的強度、熱膨張率に関しても高強度、低熱膨張が満足さ
れている。これに対し、比較例２〜４の半導体封止樹脂
は熱伝導率が小さく、かつ他の特性も劣っていることが
確認された。また比較例１，５では、組成物の粘度が大
きく流動性が低いため、半導体封止樹脂を成形すること
ができなかった。
【００１８】さらに、上記実施例１について、ウイスカ
ーと球状シリカ粉末との配合比を適宜代えて組成物を調
製し、成形時における各組成物の粘度を測定した。なお
このとき、ウイスカーと球状シリカ粉末の合計の配合比
が組成物中において実施例１と重量比で等量となるよう
に、各成分を配合した。結果を図１に示す。図１から明
らかなように、ウイスカーと球状シリカ粉末との配合比
が体積比で９：１を越えてウイスカーの配合量が多くな
ると、組成物の粘度が著しく増大した。逆にウイスカー
の配合量が少ない場合は、組成物の粘度は小さく成形性
は良好であったが、ウイスカーの配合量が体積換算でシ
リカ粉末の配合量よりも少なくなると成形された半導体
封止樹脂の熱伝導率が低下し、極めて高い放熱性を有す
る樹脂封止型半導体装置が得られないことが確認され
た。
ーと球状シリカ粉末との配合比を適宜代えて組成物を調
製し、成形時における各組成物の粘度を測定した。なお
このとき、ウイスカーと球状シリカ粉末の合計の配合比
が組成物中において実施例１と重量比で等量となるよう
に、各成分を配合した。結果を図１に示す。図１から明
らかなように、ウイスカーと球状シリカ粉末との配合比
が体積比で９：１を越えてウイスカーの配合量が多くな
ると、組成物の粘度が著しく増大した。逆にウイスカー
の配合量が少ない場合は、組成物の粘度は小さく成形性
は良好であったが、ウイスカーの配合量が体積換算でシ
リカ粉末の配合量よりも少なくなると成形された半導体
封止樹脂の熱伝導率が低下し、極めて高い放熱性を有す
る樹脂封止型半導体装置が得られないことが確認され
た。
【００１９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、極
めて高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置を提供す
ることができる。
めて高い放熱性を有する樹脂封止型半導体装置を提供す
ることができる。
【図１】 本発明に係る半導体封止樹脂成形時における
組成物の粘度の配合比依存性を示す特性図。
組成物の粘度の配合比依存性を示す特性図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 63/00
Claims (1)
- 【請求項１】 樹脂、硬化剤及び無機充填剤を必須成分
とする半導体封止樹脂によって半導体素子が封止されて
なる樹脂封止型半導体装置において、無機充填剤として
熱伝導率が 0.03cal／cm・sec ・℃以上のウイスカー及
び外周面が連続面のみで形成されている平均粒径が50μ
ｍ以下の無機粉末が配合され、前記ウイスカーと無機粉
末との配合比が体積比で９：１〜５：５の範囲内である
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3388092A JPH05235211A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3388092A JPH05235211A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235211A true JPH05235211A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12398837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3388092A Pending JPH05235211A (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235211A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002094529A1 (fr) * | 2001-05-24 | 2002-11-28 | Toray Industries, Inc. | Comprime, procede de production de ce comprime, et article moule obtenu a partir de ce comprime |
| US6822865B2 (en) | 2002-06-18 | 2004-11-23 | Robert Bosch Gmbh | Cooling device for semiconductor modules |
| JP2019172936A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | Jnc株式会社 | 放熱部材用組成物、放熱部材、電子機器 |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP3388092A patent/JPH05235211A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002094529A1 (fr) * | 2001-05-24 | 2002-11-28 | Toray Industries, Inc. | Comprime, procede de production de ce comprime, et article moule obtenu a partir de ce comprime |
| US7514144B2 (en) | 2001-05-24 | 2009-04-07 | Toray Industries, Inc. | Tablet, process for producing the same, and molded article obtained therefrom |
| US6822865B2 (en) | 2002-06-18 | 2004-11-23 | Robert Bosch Gmbh | Cooling device for semiconductor modules |
| JP2019172936A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | Jnc株式会社 | 放熱部材用組成物、放熱部材、電子機器 |
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