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Die
Erfindung betrifft eine steuerbare Halbleiterdiode nach dem Oberbegriff
des Anspruchs 1 sowie ein elektronisches Bauteil und schließlich Spannungszwischenkreisumrichter,
die derartige Halbleiterdioden aufweisen.
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Umrichter
werden zum Umformen eines Wechselstroms oder einer Wechselspannung
einer bestimmten Amplitude, Frequenz und Phasenzahl in einen Wechselstrom
oder eine Wechselspannung anderer Amplitude, anderer Frequenz und/oder
anderer Phasenzahl eingesetzt. Zwischenkreisumrichter sind spezielle
Umrichter, die eine Eingangswechselspannung oder einen Eingangswechselstrom
einer bestimmten Amplitude und Frequenz zunächst in einem Gleichrichter
gleichrichten, dann in einem Zwischenkreis die gleichgerichtete Spannung
oder den gleichgerichteten Strom glätten und schließlich in
einem nachgeschalteten Wechselrichter in eine Ausgangswechselspannung
oder einen Ausgangswechselstrom einer bestimmten Amplitude und Frequenz
umformen.
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Bei
einem Spannungszwischenkreisumrichter (oder: Gleichspannungszwischenkreisumrichter)
arbeitet der Wechselrichter mit einer eingeprägten Spannung und der Zwischenkreis
umfasst im Allgemeinen eine parallel geschaltete Kapazität. Bei einem
Stromzwischenkreisumrichter arbeitet der Wechselrichter mit einem eingeprägten Strom,
und der Zwischenkreis umfasst im Allgemeinen eine in Reihe geschaltete
Induktivität.
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Derartige
Umrichter weisen in der Regel steuerbare Halbleiterschaltelemente
auf. Spannungszwischenkreisumrichter benötigen Halbleiterschalter, die
in beiden Richtungen stromführend
sein können
und in einer Richtung eine Spannung aufnehmen oder sperren können. Dies
können
zwar grundsätzlich
unipolare MOSFETs bewerkstelligen. Jedoch sind bei höheren Be triebsspannungen,
aufgrund ihrer niedrigeren Durchlassspannung und höheren Sperrfähigkeit
gegenüber
MOSFETs, bipolare Leistungsbauelemente, insbesondere Bipolartransistoren,
IGBTs, GTOs oder auch IGCTs, in Gebrauch.
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Die
genannten bipolaren Leistungshalbleiterbauelemente leiten den Strom
nur in einer Richtung. Den bipolaren Halbleiterschaltelementen werden
Freilaufdioden antiparallel, d. h. parallel in zur Durchlassrichtung des
Halbleiterschaltelements entgegengesetzter Richtung, geschaltet,
die den Strom in der anderen Richtung leiten können. Als Freilaufdioden werden
bislang PIN-Dioden und – bei
kleineren Spannungen – Schottky-Dioden auf Si-Basis
und für
größere Spannungen
auch Schottky-Dioden
auf SiC-Basis eingesetzt.
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Das
Reverse-Recovery-Verhalten der Freilaufdiode begrenzt jedoch die
zulässige
Einschaltgeschwindigkeit des Halbleiterschalters. Bevor die Diode
Spannung aufnehmen kann, muss die Speicherladung ausgeräumt werden.
Dies verursacht Verlustleistung sowohl in der Diode als auch in
dem Halbleiterschalter. Bei sogenannten ”höhersperrenden” Elementen
(mit einer Sperrspannung ab 1700 V) bestimmen die Einschaltverluste
maßgeblich
die Gesamt-Schaltverluste und damit die mögliche Schaltfrequenz und den
Ausgangsstrom des Umrichters.
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Bei
der Dimensionierung der Freilaufdioden muss daher ein Kompromiss
zwischen niedriger Durchlassspannung (verbunden mit einer hohen
Speicherladung) und niedrigen Schaltverlusten (kleine Speicherladung,
verbunden mit hohen Durchlassspannung) gefunden werden.
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Um
niedrige Speicherladungen mit niedriger Durchlassspannung zu verbinden,
wird die Verwendung steuerbarer Dioden vorgeschlagen.
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Unabhängig von
und ohne Bezug zu Spannungszwischenkreisumrichtern sind verschiedene
Arten MOS-gesteuerter Dioden (MCD) aus Schröder, Dierk: ”Elektrische
Antriebe 3 – Leistungs elektronische
Bauelemente”,
Springer-Verlag, Berlin, 1996, Seiten 373 bis 377 bekannt. In allen
dort beschriebenen MCD wird mittels eines MOS-Steuerkopfes, d. h.
einer über
dem Halbleitermaterial isoliert angebrachten Gateelektrode, zwischen
zwei Zuständen
des Bauelements umgeschaltet. Diese Zustände können folgendermaßen charakterisiert
werden:
- Zustand 1: geringer Durchlasswiderstand, hohe Speicherladung,
Sperrvermögen
- Zustand 2: hoher Durchlasswiderstand, geringe oder keine Speicherladung,
kein oder nur geringes Sperrvermögen
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Im
Zustand 1 verhalten sich alle beschriebenen MCD wie eine PIN-Diode
mit hochdotiertem p-Gebiet, d. h. im Durchlassfall ist das Bauelement
gut leitend. Ferner ist es sperrfähig, allerdings muss beim Übergang von
Durchlass- in Sperrrichtung eine hohe Speicherladung ausgeräumt werden.
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Im
Zustand 2 verhalten sich die beschriebenen Dioden je nach Ausführungsform
wie ein eingeschalteter MOSFET oder wie eine Schottky-Diode, d.
h. schlechtere Leitfähigkeit
im Durchlassfall als im Zustand 1, kein oder – aufgrund des Schottky-Kontakts – nur geringes
Sperrvermögen,
allerdings auch keine oder nur geringe Speicherladung, die bei Änderung
der Stromrichtung ausgeräumt
werden muss.
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Alle
beschriebenen MCD sind so aufgebaut, dass durch das anlegen einer
Gatespannung ein p- bzw. n-dotiertes Halbleitergebiet durch einen
n- bzw. p-leitenden Kanal überbrückt wird.
Das Umschalten der MCD bewirkt somit ein Aufbauen oder Abbauen des
leitenden Kanals. Im Zustand 2 wird dadurch der pn-Übergang von einem alternativen
Stromweg ”umgangen”. Der pn-Übergang ist daher im Zustand
2 nicht sperrfähig.
Der Zustand 2 der MCD ist somit charakterisiert durch kein oder – beim Verhalten
wie eine Schottky-Diode – durch nur
geringes Sperrvermögen.
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Da
Zustand 1 den geringeren Durchlasswiderstand aufweist, sollte im
Durchlassfall dieser Zustand eingestellt sein. Im Sperrfall kann
die MCD nur im Zustand 1 sein, da Zustand 2 kein oder nur geringes
Sperrvermögen
aufweist und daher keine oder nur geringe Spannung aufnehmen kann.
Allerdings sollte die MCD bei Änderung
der Stromrichtung, d. h. beim Übergang
vom Durchlassfall zum Sperrfall, im Zustand 2 sein, da dieser Zustand
im Gegensatz zu Zustand 1 keine oder nur geringe Speicherladung
aufweist. Bei Änderung
der Stromrichtung, d. h. beim Übergang
vom Durchlass- in den Sperrfall, sollte daher – um ein optimales Verhalten der
MCD zu erreichen – die
MCD zunächst
im Zustand 1 sein, dann in Zustand 2 umgeschaltet werden, nun die Änderung
der Stromrichtung erfolgen, und anschließend die Umschaltung in Zustand
1 erfolgen, um die Sperrung zu realisieren.
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Auch
Q. Huang: ”MOS-Controlled
Diode – A
New Class of Fast Switching Diode”, VPEC, 1994 VPEC Seminar
Proc. 12th Annual Power Electronics Seminar, Blacksburg, USA, Sep
11–13,
1994, S. 97–105
schlägt vor,
einen MOSFET als Diode zu verwenden. Im Leitend-Zustand wird dabei das Gate ausgeschaltet,
die Inversdiode führt
zu bipolarer Leitung, die n-Zone wird mit Elektronen-Loch-Plasma überschwemmt
und die Durchlassspannung ist gering. Rechtzeitig vor dem Reverse
Recovery wird das Gate eingeschaltet. Dadurch wird die Inversdiode überbrückt, und
die Injektion von Löchern
wird unterbrochen.
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Nach
dem Ausräumen
der gespeicherten Ladungsträger
ist die Durchlassspannung hoch, die Speicherladung aber wie gewünscht sehr
klein. Allerdings kann das Element in diesem Zustand keine Spannung aufnehmen.
Bevor die Diode Spannung aufnehmen soll, muss das Gate daher wieder
ausgeschaltet werden. Das Ausschalten muss mit extrem hoher zeitlicher
Genauigkeit erfolgen, daher ist dieses Konzept nicht praxisgerecht.
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D.
Drücke,
D. Silber ”Power
Diodes wich Active Control of Emitter Efficiency”, Proceedings of the 13th International
Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs IPSD'01, S. 1–4 schlagen als zu den erläuterten
MCDs alternative eine Parallelstruktur aus einer Diode mit hohem
anodenseitigen Emitterwirkungsgrad und einer mit niedrigem anodenseitigen
Emitterwirkungsgrad vor.
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Die
Diode mit niedrigem Wirkungsgrad ist zuschaltbar. Ist diese Diode
abgeschaltet, fließt
der Strom über
die Diode mit hohem Wirkungsgrad, die Durchlassspannung ist gering.
Wird die Diode mit niedrigem Wirkungsgrad eingeschaltet, so sorgt
deren geringe Diffusionsspannung am pn-Übergang dafür, dass der Strom über die
Diode mit niedrigem Wirkungsgrad fließt, die Speicherladung wird
reduziert. Dieses Konzept hat den Vorteil, dass die Diode in beiden
Zuständen
sperrfähig
ist.
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Da
diese Diode allerdings auch in beiden Zuständen als PIN-Diode arbeitet, ist
der einstellbare Unterschied zwischen niedriger und hoher Durchlassspannung
nicht sehr groß.
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Eine
gattungsgemäße steuerbare
Halbleiterdiode ist aus der
DE
43 33 618 C2 bekannt. Diese gattungsgemäße steuerbare Halbleiterdiode
besteht aus einer Schottky-Diode mit einer dazu parallelen pn-Diode, wobei
diese pn-Diode über
ein MOS-Gate der
steuerbaren Halbleiterdiode zuschaltbar ist, Diese steuerbare Halbleiterdiode
hat den Nachteil, dass im Sperrzustand relativ hohe Sperrströme auftreten.
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Daher
liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Halbleiterdiode
der gattungsgemäßen Art
bereitzustellen, die insbesondere unter den praktischen Einsatzbedingungen
eines Spannungszwischenkreisumrichters zuverlässig funktioniert und ein hinreichend
großes
Verhältnis
zwischen den Durchlassspannungen im Zustand 1 und 2 erreicht. Des
weiteren soll ein elektronisches Bauteil mit entsprechenden Eigenschaften
und ein in diesem Sinne verbesserter Spannungszwischenkreisumrichter
bereitgestellt werden.
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Diese
Aufgabe wird in ihrem ersten Aspekt durch eine steuerbare Halbleiterdiode
mit den Merkmalen des Anspruchs 1, in ihrem zweiten Aspekt durch
ein elektronisches Bauteil mit den Merkmalen des Anspruchs 13 und
in ihrem dritten Aspekt durch einen Spannungszwischenkreisumrichter
mit den Merkmalen des Anspruchs 16 gelöst. Zweckmäßige Fortbildungen des Erfindungsgedankens
sind Gegenstand der jeweiligen abhängigen Ansprüche.
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Erfindungsgemäß wird die
steuerbare Diode durch eine Halbleiteranordnung realisiert, bei
der der pn-Übergang
einer Leistungsdiode durch eine Reihenschaltung aus Schottky-Diode
und MOSFET überbrückt wird.
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Die
Halbleiteranordnung unterscheidet sich von einem konventionellen
vertikalen MOSFET dadurch, dass auf der Oberseite (beim MOSFET-Source,
hier Anode) das n+-Gebiet nicht direkt kontaktiert, sondern über einen
Schottky-Übergang
angeschlossen ist.
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Im
Leitendzustand ist das MOS-Gate ausgeschaltet. Die pn–n+-Diode
ist aktiv, die n–-Driftzone ist mit Löchern und
Elektronen überflutet.
Rechtzeitig vor dem Reverse Recovery wird der MOSFET eingeschaltet. Der
pn-Übergang
wird überbrückt, die
Diode geht von bipolarer zu unipolarer Leitung über. Rein unipolare Leitung
oder schwach bipolare Leitung lässt
sich durch die Größe des anodenseitigen
p+-Gebiets einstellen.
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Anders
als vorbekannten Anordnungen, ist die Halbleiteranordnung durch
die Schottky-Diode auch im Zustand mit eingeschaltetem MOSFET noch
sperrfähig.
Sobald der in der Schaltung gegenüberliegende Transistor eingeschaltet
wird und der Strom durch die Diode durch Null geht, sperrt die Schottky-Diode.
Die Spannung an der Schottky-Diode reduziert die wirksame Gate-Spannung
des MOSFET. Durch eine zunehmende Spannung an der Schottky-Diode
sperrt dadurch der MOSFET. Die Schottky-Diode braucht daher nur
einen kleinen Teil der gesamten Sperrspannung der Leistungshalbleiteranordnung
aufzunehmen.
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Die
Tabelle zeigt einen Vergleich der verschiedenen Konzepte:
| | Unterschied
zwischen niedriger Durchlassspannung und hoher Durchlassspannung | Sperrvermögen im Zustand
kleiner Speicherladung |
| MCD/Anordnung
nach Q. Huang | Gut:
bipolarer
Leitung im Zustand niedrigen Durchlasses, unipolare Leitung im Zustand
hohen Durchlasses | Sehr
schlecht:
kein Sperrvermögen
im Zustand kleiner Speicherladung |
| Anordnung
nach Drücke/Silber | Mittel:
in
beiden Fällen
bipolare Leitung, Unterschied zwischen niedriger und hoher Durchlassspannung nicht
sehr groß | Gut:
volles
Sperrvermögen
im Zustand kleiner Speicherladung |
| Erfindungsgemäße Anordnung | Gut:
Bipolarer
Leitung im Zustand niedrigen Durchlasses, unipolare Leitung im Zustand
hohen Durchlasses | Gut:
volles
Sperrvermögen
im Zustand kleiner Speicherladung |
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Im
Rahmen der Erfindung ist bevorzugt die Ausführung als Freilaufdiode einer
Leistungshalbleiteranordnung, insbesondere eines Spannungszwischenkreisumrichters.
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Weiter
bevorzugt sind Ausführungen
der Erfindung mit Mitteln der aktuellen Halbleitertechnologie, zweckmäßig ist
demgemäß eine weitere
Ausgestaltung, wonach der Schottky-Diodenabschnitt einen Hauptabschnitt
einer ersten Elektrode auf einem ersten Gebiet eines ersten vorgegebenen
Leitungstyps innerhalb eines zweiten Gebietes mit einem zweiten
vorgegebenen, dem ersten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyp
in einem Halbleitersubstrat des ersten Leitungstyps aufweist. Hierbei
ist insbesondere die erste Elektrode eine Anode der Halbleiterdiode
und der erste Leitungstyp ist der n-Leitungstyp und der zweite Leitungstyp
der p-Leitungstyp, wo bei das zweite Gebiet insbesondere höher dotiert
ist als das erste Gebiet.
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Des
weiteren ist bevorzugt eine Ausführung,
bei der der MOSFET-Abschnitt eine über dem Halbleitersubstrat
des ersten Leitungstyps, von diesem getrennt durch eine Isolationsschicht,
in lateraler Überlappung mit
zwei voneinander beabstandeten zweiten Gebieten des zweiten Leitungstyps
mit hierin jeweils eingeschlossenen dritten Gebieten des ersten
Leitungstyps angeordnete Gateelektrode aufweist. Hierbei sind die dritten
Gebiete insbesondere jeweils höher
dotiert als das erste Gebiet.
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Eine
weitere bevorzugte Ausführung
sieht vor, dass an der gesamten Oberfläche einer zweiten Elektrode
(Kathode) ein zusammenhängendes
viertes Gebiet des ersten Leitungstyps in dem Halbleitersubstrat des
ersten Leitungstyps ausgebildet ist, wobei das vierte Gebiet höher dotiert
ist als das Halbleitersubstrat.
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Eine
hierzu alternative Ausgestaltung sieht vor, dass an der gesamten
Oberfläche
der zweiten Elektrode (Kathode) eine, insbesondere reguläre, Anordnung
aus einer ersten Mehrzahl von vierten Gebieten des ersten Leitungstyps
und einer zweiten Mehrzahl von fünften
Gebieten des zweiten Leitungstyps in dem Halbleitersubstrat des
ersten Leitungstyps ausgebildet ist, wobei die vierten und fünften Gebiete
höher dotiert
sind als das Halbleitersubstrat, derart, dass beim Übergang
von unipolarer zu bipolarer Leitung der Abfluss der Löcher aus
dem Elektroden-Grenzbereich erleichtert wird.
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Weiter
bevorzugt ist, dass mindestens die dritten Gebiete, vorzugsweise
auch die zweiten Gebiete und/oder das erste Gebiet, Wannenform aufweisen.
Im übrigen
kann die Gateelektrode der MOSFET-Struktur wahlweise eine planare
oder eine Trench-Konfiguration
aufweisen. Diese Ausführungen
erlangen speziell Bedeutung im Zusammenhang mit dem ebenfalls vorgeschlagenen
elektronischen Bauteil gemäß Anspruch
13. Eine bevorzugte Ausführung
dieses Bauteils sieht des weiteren vor, dass mindestens ein Chip,
der eine Mehrzahl von steuerbaren Halbleiterdioden nach einem der
Ansprüche
3 bis 12 als Zellen umfasst, und mindestens ein Chip, der eine Mehrzahl
von abschaltbaren Leistungshalbleitern als Zellen umfasst, integriert
sind.
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Vorteile
und Zweckmäßigkeiten
der Erfindung ergeben sich im übrigen
aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
anhand der Figuren. Von diesen zeigen:
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1 eine
schematische Querschnittsdarstellung einer steuerbaren Halbleiterdiode
in integriertem Aufbau gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung, in planarer MOSFET-Konfiguration,
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2 eine
Querschnittsdarstellung einer Modifikation der ersten Ausführungsform
im Hinblick auf die Ausbildung der Grenzschicht zur Kathode und
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3 eine
schematische Querschnittsdarstellung einer steuerbaren Halbleiterdiode
in integriertem Aufbau gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung, in Trench-Konfiguration.
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1 zeigt
in einer schematischen Darstellung ein Halbleiterbauelement (steuerbare
Diode) 1 in einem n–-dotierten Halbleitersubstrat 2,
wobei auf einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates 2 zwei miteinander
verbundene erste Betriebselektroden (Anoden) 3 und 4 und
auf der gegenüberliegenden
Hauptfläche
des Halbleitersubstrates eine zweite Betriebselektrode (Kathode) 5 vorgesehen
sind. Die Anoden 3, 4 haben jeweils einen Neben-Elektrodenabschnitt 3A, 4A,
und zwischen den beiden Hauptabschnitten der Anoden 3, 4 ist über dem
Halbleitersubstrat 2 (von diesem durch eine nicht dargestellte
Isolierschicht separiert) eine Gateelektrode 6 vorgesehen.
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Während unter
einem zentralen Abschnitt der Gateelektrode 6 das Halbleitersubstrat 2 mit
seiner ursprünglichen
Dotierung bis zur ersten Hauptoberfläche reicht, ist unter den peripheren
Bereichen der Gateelektrode 6 sowie unterhalb der Neben abschnitte 3A, 4A der
Anoden 3, 4 in diese Hauptoberfläche erreichendes
wannenartiges Gebiet 8 bzw. 7 vom p+-Leitungstyp
vorgesehen. Diese Wannen-Gebiete 7, 8 (nachfolgend auch
als zweite Gebiete bezeichnet) kontaktieren die Neben-Anoden 3A, 4A direkt.
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In
die p+-dotierten Gebiete 7, 8 ist
jeweils, wiederum wannenartig, ein n+-dotiertes
weiteres Halbleitergebiet 9, 10 (nachfolgend auch
als dritte Gebiete bezeichnet) eingebettet, und in dieses wiederum
jeweils ein niedriger dotiertes wannenartiges Gebiet des gleichen
Leitungstyps (n–) 11 bzw. 12.
Die letztgenannten Gebiete 11, 12 (nachfolgend
auch als erste Gebiete bezeichnet) kontaktieren direkt die Hauptabschnitte
der Anoden 3, 4, unter Bildung eines Schottky-Kontaktes.
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Benachbart
zur Gateelektrode 5 ist in der zweiten Hauptoberfläche des
Halbleitersubstrates eine zusammenhängende Dotierungsschicht 13 vom
gleichen Leitungstyp wie das Halbleitersubstrat, aber mit höherer Dotierung
(n+) ausgebildet, die nachfolgend auch als
viertes Gebiet bezeichnet wird.
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Die
beschriebene Wannenanordnung bildet funktionsmäßig eine Parallelschaltung
von zwei Schottky-Diodenabschnitten zum pn-Übergang
einer primären
Diodenstruktur. Durch die Anordnung der Gateelektrode 5 in Überlappung
zum n–-dotierten
Halbleitersubstrat 2 einerseits und den p+-dotierten
Gebieten 7, 8 (mit dazwischenliegender Isolierschicht)
wird zudem – in
Reihe zu dem Schottky-Diodenabschnitt ein MOSFET Abschnitt ausgebildet.
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2 zeigt
eine gegenüber
der Diodenkonfiguration nach 1 geringfügig modifizierte
Konfiguration eines Halbleiterbauelementes 1'. Die einzige Abweichung gegenüber dem
in 1 gezeigten und oben beschriebenen Aufbau besteht
darin, dass benachbart zur zweiten Arbeitselektrode (Kathode) 5 in
der zweiten Hauptoberfläche
des Halbleitersubstrates 2 nicht eine zusammenhängende n+-dotierte Schicht 13 gebildet ist, sondern
alternierend unmittelbar aneinander angrenzende n+-Gebiete 13' und p+-Gebiete 14' vorgesehen sind. Diese Konfiguration
erleichtert den Abschluss der Löcher
beim Übergang
von bipolarer zu unipolarer Leitung.
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3 schließlich zeigt
eine Abwandlung der Anordnung nach 1, bei der
von einer planaren Gateelektroden-Konfiguration auf eine Trench-Konfiguration übergegangen
ist.
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Das
hier gezeigte Halbleiterbauelement 1'' hat
drei miteinander verbundenen erste Betriebselektroden (Anoden) 3, 3A, 3B auf
der ersten Hauptoberfläche
des Halbleitersubstrates 1, wobei die erste Anode 3 wieder (wie
bei der Konfiguration nach 1) einen
Schottky-Kontakt zum angrenzenden (ersten) Dotierungsgebiet im Halbleitersubstrat
bildet, das in Analogie zu 1 mit der
Bezugsziffer 11 bezeichnet ist.
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Die
weiteren Anoden 3A, 3B kontaktieren p+-dotierte
Gebiete, welche (ebenfalls in Anlehnung an 1) mit den
Bezugsziffern 7 und 8 bezeichnet sind. Das zur
zweiten Betriebselektrode (Kathode) 5 benachbarte Halbleitergebiet
ist wie bei der Ausführung
nach 1 eine n+-dotierte Schicht
mit der Bezugsziffer 13.
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Zwei
miteinander verbundenen Gateelektroden 6A, 6B sind
als Trench-Strukturen vertikal zwischen den ersten Betriebselektroden 3A und 3 bzw. 3 und 3B in
die erste Hauptoberfläche
in vertikaler Erstreckung eingefügt,
jeweils umgeben von einer Oxidschicht, die (zur Unterscheidung von
sämtlichen
Komponenten der oben beschriebenen Anordnungen) mit 15A bzw. 15B bezeichnet
ist. Die Isolator-umhüllten
Gateelektroden 6A, 6B sind mithin zwischen den
p+-dotierten Gebieten 7 bzw. 8 und
einer Schichtstruktur aus dem n–-dotierten Gebiet 11 unterhalb
des Anodenabschnittes 3, einem unterhalb dessen angeordneten
n+-dotierten Gebiet 9 und einem
weiteren p+-dotierten Gebiet 16 angeordnet.
Sie realisieren eine MOSFET-Struktur, die funktionsmäßig in Reihe
zur zentralen Schottky-Diodenstruktur geschaltet ist.
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Funktionsseitig
bestehen zwischen den Ausführungen
nach 1 und 3 keine wesentlichen Unterschiede,
so dass die konkrete Ausführung
in Abhängigkeit
von den technologischen Randbedingungen festzulegen ist.