DE10326739B3 - Halbleiterbauelement mit Schottky-Metallkontakt - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 7
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 PtSi and TaSi Chemical class 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
- H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0814—Diodes only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/866—Zener diodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, insbesondere eine Schottky-Diode, bei der in der Driftzone (4) Kompensationsgebiete (8) so gestaltet sind, dass ein zu frühzeitiges Einsetzen der Bipolarinjektion vermieden wird. Zur Einstellung des Einsetzens der Ladungsträgerüberschwemmung im Vorwärtsbetrieb und damit der Überstromfestigkeit ist noch eine Zener-Diode (10, 14) vorgesehen.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 bzw. 6.
- Schottky-Dioden einerseits und pin-Dioden andererseits unterscheiden sich grundsätzlich voneinander hinsichtlich ihres Durchlassverhaltens und ihres Schaltverhaltens. So zeichnen sich Schottky-Dioden durch einen unipolaren Stromtransport bei einer niedrigen Schwellspannung in der Größenordnung von etwa 0,4 V aus und ermöglichen ein sehr schnelles Schalten. Bei großen Stromdichten und insbesondere auch hohen Temperaturen nimmt ihr Widerstandswert jedoch stark zu. Demgegenüber nutzen pin-Dioden infolge ihrer Bipolarität die Injektion von Minoritätsladungsträgern und auch Majoritätsladungsträgern in ihre Basiszone ab einer bestimmten Schwellspannung von etwa 0,7 V zur Verminderung des Basiswiderstandes im Vorwärtsbetrieb aus. Es tritt hier durch die Injektion der Minoritätsladungsträger und der Majoritätsladungsträger eine Plasmaüberschwemmung im Durchlassfall der pin-Diode auf. Diese den Basiswiderstand herabsetzende Plasmaüberschwemmung wirkt sich beim Abschalten der pin-Diode aber negativ auf die entstehenden Schaltverluste aus, da die insgesamt eingebrachten Ladungsträger vollständig ausgeräumt werden müssen und dieses Ausräumen bei bereits anliegender negativer Spannung geschehen muss.
- Schottky-Dioden sind also hinsichtlich ihres Schaltverhaltens vorteilhaft, weisen aber bei großen Stromdichten Nachteile auf. Begrenzt wird der Einsatz von Schottky-Dioden im Bereich höherer Sperrspannungen zudem durch den großen Anteil des Sperrstromes an den Gesamtverlusten. Bei Schottky-Dioden wird nämlich der Sperrstrom grundsätzlich durch die Höhe des am Metall-Halbleiter-Übergang anstehenden elektrischen Feldes bestimmt. Weiterhin gilt für Unipolar-Bauelemente ein mehr als quadratischer Zusammenhang zwischen deren Durchlasswiderstand und deren Sperrfähigkeit. Auch dieser Zusammenhang setzt dem Design von Schottky-Dioden relativ enge Grenzen.
- Mit zunehmender Sperrspannung wächst die zur Aufnahme der Raumladungszone benötigte Weite der Basiszone, wobei deren Dotierung zusätzlich abgesenkt werden muss, damit die vor einem Durchbruch zulässige maximale elektrische Feldstärke an der Oberfläche nicht überschritten wird. Der durch eine erhöhte Sperrfähigkeit bedingte Anstieg des Widerstandes bzw. der Ohmigkeit kann wiederum nur durch eine größere Chipfläche der Schottky-Diode kompensiert werden, was im Sperrfall zu größeren Sperrströmen führt.
- Aus den oben angeführten Gründen sind derzeit Schottky-Dioden aus Silizium nur bis zu einer maximalen Sperrspannung von etwa 200 V erhältlich. Schottky-Dioden aus Verbindungshalbleitern, insbesondere Galliumarsenid(GaAs), sind für Sperrspannungen bis etwa 250 V vorhanden. Beide Arten von Schottky-Dioden führen aber bei maximaler Belastung sehr hohe Sperrströme.
- Bei derzeit auf dem Markt erhältlichen Schottky-Dioden werden daher zunehmend verschiedenartige Abschirmstrukturen zur Reduktion der maximalen Oberflächenfeldstärke und damit des Sperrstromes an der Metall-Halbleiter-Grenzfläche ausgenutzt. Solche Abschirmstrukturen können beispielsweise durch kleine p-leitende Inseln in einem n-leitenden Halbleitergebiet oder durch kontaktierte Trench-Anordnungen ausgeführt sein.
- Es gibt auch bereits Schottky-Dioden, die als Halbleitermaterial anstelle von Silizium oder Galliumarsenid Siliziumcarbid (SiC) verwenden. Solche Schottky-Dioden auf der Basis von SiC sind bei hoher Sperrfähigkeit verlustarm und zeichnen sich durch eine gute Leitfähigkeit aus. Aufgrund der gegen über Silizium als Halbleitermaterial etwa 10-fach vergrößerten maximal zulässigen Feldstärke können SiC-Schottky-Dioden realisiert werden, deren Basisweiten eben um diesen Faktor 10 dünner sind. Mit anderen Worten, SiC erlaubt damit eine erhebliche Reduktion der Weite der Driftzone bei gleichzeitig hoher Leitfähigkeit dieser Driftzone. Jedoch sind auch Schottky-Dioden auf der Basis von SiC wie alle unipolaren Bauelemente in ihrer Überstromtragfähigkeit begrenzt.
- Unerlässlich für die Erhöhung der Überstromtragfähigkeit von Schottky-Dioden ist daher eine Reduktion des Basiswiderstandes bei hohen Stromdichten. Eine solche Reduktion des Basiswiderstandes kann in zweckmäßiger Weise durch Einbringen von Minoritätsladungsträgern über zusätzlich kontaktierte Gebiete, beispielsweise p-dotierte Gebiete in einer n-dotierten Driftzone, geschehen.
- Auch der bereits oben beschriebene und mit zunehmender Sperrspannung ansteigende Flächenbedarf von Schottky-Dioden lässt sich durch den Einsatz von so genannten Kompensationsgebieten absenken. Das wechselseitige Einbringen von entgegengesetzt dotierten Gebieten ermöglicht über die Ausnutzung der lateralen Kompensation weit höher dotierte Basiszonen und damit niedrigere Durchlasswiderstände.
- In der
US 4,641,174 sind Pinch-Strukturen beschrieben, bei denen Schottky-Kontakte auf einer n–-leitenden epitaktischen Schicht gebildet sind und die Anoden-Metallisierung der Schottky-Kontakte an höher dotierte, n+-leitende Oberflächengebiete auf der epitaktischen Schicht angrenzt. - Weiterhin ist aus
US 4,982,260 ein Trench-Leistungsgleichrichter mit einer "Merged Diode", Schottky-Kontakten und erhabenen, p-leitenden Inseln auf einer n–leitenden Halbleiterschicht bekannt. Auch dieUS 5,101,244 beschreibt eine "Merged Diode" mit einerseits pn-Übergang oder mit anderer seits einer Kombination aus pn-Übergang und Schottky-Kontakt. Aus derUS 5,241,195 ist ebenfalls eine "Merged Diode" mit hier pin-Struktur, Schottky-Kontakten und p-leitenden Gebieten an Seitenwand und Boden eines Trenches bekannt. - Aus der
US 5,262,668 ist eine Schottky-Anordnung bekannt, bei der Bereiche unterschiedlicher Barrierenhöhe vorgesehen sind. - In der
DE 102 59 373 A1 ist eine Schottkydiode beschrieben, bei der in eine Schottky-Kontaktfläche p-dotierte Gebiete eingelagert sind. Wenigstens eines dieser Gebiete weist eine größere Mindesterstreckung auf, um einen Zündstrom auszulösen. - Aus der
DE 197 40 195 A1 ein Halbleiterbauelement mit Metall-Halbleiterübergang mit niedrigem Sperrstrom bekannt. Dieses Halbleiterbauelement ist in1 dargestellt. - Im Einzelnen zeigt
1 eine Schottky-Diode1 mit einem Schottky-Metallkontakt2 aus Molybdänsilizid (MoSi), Platinsilizid (PtSi) oder Tantalsilizid (TaSi) auf einem aus Silizium bestehenden Halbleiterkörper3 aus einer Driftzone4 und einem Halbleitersubstrat5 . Das Halbleitersubstrat5 und die Driftzone4 sind vorzugsweise n-leitend, wobei das Halbleitersubstrat5 höher dotiert ist als die Driftzone4 . In die Driftzone4 sind nun p-leitende Kompensationsgebiete8 eingelagert, die die gesamte Driftzone4 durchsetzen und bis zum Substrat5 reichen. Die zwischen den Kompensationsgebieten8 verbleibende Driftzone4 bildet n-dotierte Zwischenzonen9 . Die p-Dotierung der Gebiete8 ist so gewählt, dass sie die n-Dotierung der Driftzone3 ausgleicht. Das heißt, die Anzahl der Fremdatome in den Kompensationsgebieten8 ist im Wesentlichen gleich der Anzahl der Fremdatome in den die Kompensationsgebiete umgebenden Zwischenzonen9 . Strichlinien11 deuten in1 die Ausdehnung der Raumladungszone in den Kompensationsgebieten8 und den Zwischenzonen9 bei einer kleinen Sperrspannung an der Schottky-Diode1 zwischen dem Schottky-Metallkontakt und einer nicht gezeigten zweiten Elektrode an. - Bei der in
1 dargestellten bestehenden Schottky-Diode tritt im Vorwärtsbetrieb eine frühzeitige Injektion von Minoritätsladungsträgern bereits bei niedrigen Stromdichten und einem Spannungsabfall von etwa 1 V über der Schottky-Diode auf. Dies ist darauf zurückzuführen, dass die Kompensationsgebiete ab einem vertikalen Spannungsabfall über dem Bauelement von etwa 0,7 V, der zu der oberseitigen Schottky-Schwellspannung von etwa 0,3 V addiert ist, zu injizieren beginnen. - Die Erfinder haben nun erkannt, dass eine bipolare Injektion bei Schottky-Dioden zwar zu einer Erhöhung der Überstromfestigkeit notwendig ist, jedoch nicht zu frühzeitig einsetzen darf, um die Vorteile der Schottky-Diode bezüglich ihres verlustarmen Schaltverhaltens auf einen nicht zu engen Stromdichtebereich zu begrenzen.
- Aus der
DE 198 40 032 C1 ist noch ein Halbleiterbauelement bekannt, bei dem in einem Halbleiterkörper alternierend angeordnete Halbleitergebiete abwechselnd unterschiedlichen Leitungstyps vorgesehen sind, die sich im Halbleiterkörper von wenigstens einer ersten Zone bis in die Nähe einer zweiten Zone erstrecken und eine variable Dotierung haben. Diese Dotierung ist dabei so gewählt, dass das elektrische Feld einen von beiden Zonen aus ansteigenden Verlauf hat. Bei diesem Halbleiterbauelement erstrecken sich die alternierend angeordneten Gebiete mit gleicher Ausdehnung in den Halbleiterkörper. Die alternierend angeordneten Halbleitergebiete erreichen jedoch nicht das Halbleitersubstrat, wodurch hohe Feldstärken am Substratübergang vermieden werden. - Schließlich ist noch aus der
US 6,313,482 ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art bekannt. Dieses Halbleiterbauelement hat einen Metall-Halbleiterübergang zwischen einem Schottky-Metallkontakt und einen einen ersten Leitungstyp aufweisenden Halbleiterkörper, der aus einem hochdotiertenn Halbleitersubstrat und einer schwächer als das Halbleitersubstrat dotierten Driftzone mit eingelagerten Kompensationsgebieten des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps besteht. Die Kompensationsgebiete sind hier vollständig in die Driftzone eingelagert. - Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein hochsperrendes Halbleiterbauelement mit einem Metall-Halbleiterübergang anzugeben, bei dem zwar eine bipolare Injektion zur Erhöhung der Überstromfestigkeit stattfindet, diese jedoch nicht zu frühzeitig einsetzt, um so die Vorteile der Schottky-Diode bezüglich ihres verlustarmen Schaltverhaltens für einen erweiterten Stromdichtebereich zu bewahren.
- Diese Aufgabe wird bei einem Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die im Patentanspruch 1 bzw. 6 angegebenen Merkmale gelöst.
- Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
- Der Einsatzpunkt einer bipolaren Injektion kann in vorteilhafter Weise durch unterschiedliche Kontaktmetalle des Schottky-Metallkontaktes zu der Driftzone bzw. zu den Kompensationsgebieten variiert werden. Mit anderen Worten, für die Kompensationsgebiete, die vorzugsweise p-dotiert sind, und die Driftzone, die dann n-dotiert ist, werden unterschiedliche Metalle, wie beispielsweise PtSi und TaSi, verwendet.
- Die Kompensationsgebiete haben beispielsweise die Gestalt von Säulen und sind so in die Driftzone eingelagert, dass die die Kompensationsgebiete umgebenden Bereiche der Driftzone, oben auch Zwischenzonen genannt, ebenfalls säulenartig sind. Es liegen dann n-dotierte Säulen (Driftzone) und p-dotierte Säulen (Kompensationsgebiete) vor.
- Unter dem Gesichtspunkt einer möglichst breiten Anwendung des Halbleiterbauelementes sollte der Einsatz der bipolaren Injektion nicht unterhalb der doppelten Nennstromdichte beginnen, so dass das durch die Unipolarität bedingte günstige Schaltverhalten der Schottky-Diode über einen möglichst weiten Bereich genutzt werden kann. Sind daher Spannungsabfälle von etwa 3 V oder mehr notwendig, so ist dies mit einer Variation der Arbeitsfunktion durch unterschiedliche Kontaktmetalle allein nicht mehr realisierbar.
- Es ist daher vorteilhaft, den Einsatz einer bipolaren Injektion durch einen zusätzlichen, an der Oberseite der Kompensationsgebiete integrierten Zener-Übergang zu größeren Stromdichten hin zu verschieben. Mit anderen Worten, bei einer beispielsweise n-leitenden Driftzone werden in säulenförmige, p-dotierte Kompensationsgebiete, so genannte "p-Säulen", an deren Oberseite n+-dotierte Zonen integriert, um einen Zener-Übergang zu schaffen. Dieser Zener-Übergang wirkt im Vorwärtsfall wie eine zusätzliche Barriere, so dass auch Einsatzspannungen von 2 V und mehr eingestellt werden können. Im Sperrfall können jedoch die Kompensationsgebiete immer noch ohne weiteres entladen werden, da die Zener-Diode in diesem Fall in Flußrichtung gepolt ist.
- Neben einem wirksamen Überstromschutz durch bipolare Überschwemmung muss ein durch Ladungsträger überschwemmtes Bauelement, also insbesondere auch eine Schottky-Diode, abschaltfähig sein. Werden überschwemmte Kompensationsstrukturen abgeschaltet, so kann sich die Sperrspannung erst dann aufbauen, wenn sich eine Raumladungszone in der Driftzone und damit vorzugsweise um die Säulenstrukturen, die durch die Kompensationsgebiete und die Zwischenzonen gebildet sind, ausgebildet hat. Durch die vertikal angeordneten Säulenstrukturen wird das Ladungsträgerplasma relativ homogen zu allen Seiten ausgeräumt, so dass die Säulenstrukturen erst relativ spät "sichtbar" werden, was dann geschieht, wenn der Sperrerholstrom bereits relativ hohe Werte erreicht hat. Hat sich die Raumladungszone um die Säulenstrukturen ausgebildet und das Bauelement Spannung aufgenommen, so sind die Zwischenräume zumeist recht rasch von freien Ladungsträgern befreit, und es kommt im weiteren Verlauf des Sperrerholstromes zu einem mehr oder minder starken Abrissverhalten, welches das Bauelement nicht gefährdet, aber Störimpulse auf dessen Zuleitungen wesentlich erhöht. Aus diesem Grund ist es vorteilhaft, die aufgestaute Ladungsträgermenge durch einen zusätzlichen Rekombinationsanteil über eine Absenkung der Ladungsträger-Lebensdauer frühzeitig rekombinieren zu lassen. Um dies zu erreichen, ist es zweckmäßig, die Ladungsträger-Lebensdauer zu reduzieren, was durch Bestrahlung mit Elektronen oder durch Einbringen von Schwermetallionen in den an das Halbleitersubstrat angrenzenden Bereich der Driftzone geschehen kann. Die Höhe der Rückstromspitze wird durch dieses Einbringen von Elektronen oder Schwermetallionen wesentlich vermindert.
- Die beim erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement verwendeten Säulenstrukturen können über Mehrfach-Epitaxieschritte hergestellt werden, um einerseits die einzelnen Säulenimplantationen miteinander zu verbinden, andererseits aber eine zu starke laterale Ausdiffusion und damit Verminderung der Strom tragenden Driftzone zu verhindern. Es ist aber auch möglich, die laterale Ausdiffusion der eingebrachten Säulendotierung durch vertikale, die Säulen umschließende Trench-Strukturen zu verhindern. Dies ermöglicht es, die Kompensationssäulen in einem Schritt zu implantieren und anschließend auf die gewünschte Tiefe zu diffundieren, was eine einfache Herstellung ermöglicht.
- Die Schottky-Grenzfläche zwischen dem Schottky-Metallkontakt und dem Halbleiterkörper, ein möglicher Randabschluss und eine mögliche Randpassivierung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes werden in üblicher Weise gebildet.
- Wesentlich an dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement ist die Optimierung der Kompensationsgebiete im Hinblick auf die Vermeidung eines zu frühzeitigen Einsetzens der Bipolarinjektion, um so einen niedrigen Driftzonenwiderstand bei gleichzeitig hoher Sperrspannung zu erreichen. Außerdem sind gegebenenfalls verschiedenartige Zusatzstrukturen, wie insbesondere eine oberflächennahe Zener-Diode vorgesehen, wodurch das Einsetzen der Ladungsträgerüberschwemmung im Vorwärtsbetrieb und damit die Überstromfestigkeit gezielt einstellbar gestaltet werden können.
- Ein Nachteil einer eingebauten Zener-Diode besteht darin, dass ein parasitärer npn-Bipolartransistor aus einer beispielsweise n-leitenden Driftzone, einem p-dotierten Kompensationsgebiet und einem n+-dotierten Gebiet der Zener-Diode gebildet wird. Ein solcher parasitärer Bipolartransistor senkt das Sperrvermögen des Halbleiterbauelementes und vermindert auch deutlich dessen Avalanchevermögen.
- Um dies zu vermeiden, wird auf den Zener-Übergang verzichtet und statt dessen in vorteilhafter Weise in die Zuleitung zu den Kompensationsgebieten die benötigte Spannungsschwelle von wenigen Volt durch ein zusätzliches Bauelement, auch "Schwellenbauelement" genannt, eingebaut. Dadurch wird sichergestellt, dass keine Elektronen in die vorzugsweise p-dotierten Kompensationsgebiete injiziert werden können.
- Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine schematische Schnittdarstellung einer bestehenden Schottky-Diode, -
2 eine schematische Schnittdarstellung eines ersten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes, -
3 einen schematische Schnittdarstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes mit unterschiedlichen Anschlussmetallen, -
4 eine schematische Schnittdarstellung eines dritten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes mit einem integrierten Zener-Übergang, -
5 eine schematische Schnittdarstellung eines vierten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes mit zusätzlicher Ladungsträger-Lebensdauer-Absenkung zur Begrenzung der Rückstromspitze und -
6 eine schematische Darstellung – teilweise in einem Schnitt – eines fünften Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes mit einem Schwellenbauelement. - In den Figuren werden einander entsprechende Bauteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
- Es sei betont, dass anstelle der angegebenen Leitungstypen jeweils auch die entgegengesetzten Leitungstypen verwendet werden können. Das heißt, der n-Leitungstyp kann durch den p-Leitungstyp ersetzt werden, wenn anstelle des p-Leitungstyps der n-Leitungstyp verwendet wird.
- Als Halbleitermaterial für den Halbleiterkörper kann Silizium, Germanium, Verbindungshalbleiter, wie beispielsweise AIIBVI, AIIBV, AIVBIV, insbesondere ein Mischsystem aus Germanium und Silizium oder Siliziumcarbid verwendet werden.
-
1 zeigt in einer Schnittdarstellung ein bestehendes Halbleiterbauelement in der Form einer Schottky-Diode. Auf einem n+-leitenden Siliziumsubstrat5 befindet sich eine n-leitende und vorzugsweise epitaktisch auf das Substrat5 aufgebrachte Siliziumschicht, die eine Driftzone4 bildet. In diese n-leitende Driftzone4 sind p-leitende Kompensationsgebiete8 eingebracht, deren Dotierung im Wesentlichen der Dotierung der umgebenden Driftzone4 entspricht, so dass insgesamt Ladungskompensation herrscht. Auf dem so durch das Substrat5 und die Zone4 gebildeten Halbleiterkörper3 ist ein Schottky-Metallkontakt2 in einem durch eine Isolierschicht7 aus Siliziumdioxid gebildeten Fenster eingebracht, der die Driftzone4 und die Kompensationsgebiete8 kontaktiert. Das n+-leitende Siliziumsubstrat5 ist auf seiner Unterseite mit einer nicht dargestellten Gegenelektrode zu dem Schottky-Metallkontakt2 versehen. - Geeignete Materialien für den Schottky-Metallkontakt
2 sind beispielsweise PtSi oder TaSi. - Wie ein Vergleich der
2 mit der1 zeigt, unterscheidet sich das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement1 von dem bestehenden Bauelement durch die Gestaltung der Kompensationsgebiete8 : diese reichen bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement nur bis deutlich über die Mitte der Driftzone4 hinaus, erreichen aber keinesfalls das hochdotierte Substrat5 . - Damit ist sichergestellt, dass hohe Feldstärken am Übergang zum Substrat
5 vermieden werden. Auch setzt beim Vorwärtsbetrieb eine bipolare Injektion nicht zu frühzeitig ein, so dass die Vorteile der Schottky-Diode zwischen dem Schottky-Metallkontakt2 und der Driftzone4 bezüglich eines verlustarmen Schaltverhaltens bewahrt werden. - In
3 ist in einer Schnittdarstellung ein zweites Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes ebenfalls in der Form einer Schottky-Diode gezeigt. Bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel werden zwei unterschiedliche Kontaktmetalle, also beispielsweise Platinsilizid und Tantalsilizid einerseits für die Driftzone4 und andererseits für die Kompensationsgebiete8 vorgesehen, so dass Schottky-Metallkontakte2a mit beispielsweise Platinsilizid für die Kompensationsgebiete8 und ein Schottky-Metallkontakt2b mit Tantalsilizid für die Driftzone4 vorliegen. Selbstverständlich können auch mehr als zwei verschiedene Kontaktmetalle gewählt werden, so dass der Einsatzpunkt der bipolaren Injektion in nahezu beliebiger Weise variierbar ist. - Wie bereits eingangs erwähnt wurde, sollte der Einsatz der bipolaren Injektion nicht unterhalb der doppelten Nennstromdichte des Halbleiterbauelementes beginnen, um das auf der Unipolarität beruhende vorteilhafte Schaltverhalten über einem möglichst breiten Bereich nutzen zu können. Daher ist es vorteilhaft, den Einsatzpunkt der bipolaren Injektion durch einen zusätzlichen, an der Oberseite der Kompensationsgebiete integrierten Zener-Übergang zu größeren Stromdichten hin zu verschieben.
-
4 zeigt hierfür eine Schnittdarstellung eines dritten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes in der Form einer Schottky-Diode, bei der in die Kompensationsgebiete8 ein Zener-Übergang mit einem hochdotierten n+-leitenden Bereich10 integriert ist. Der durch den Bereich10 und einen hochdotierten p+-leitenden Bereich8a des Gebiet8 geschaffene Zener-Übergang wirkt im Vorwärtsfall wie eine zusätzliche Barriere, so dass auch Einsatzspannungen des Halbleiterbauelementes auf 2 V und mehr eingestellt werden können. Im Sperrfall ist es jedoch noch möglich, die Kompensationsgebiete8 ohne weiteres zu entladen. - Bereits eingangs wurde darauf verwiesen, dass das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement nicht nur einen wirksamen Überstromschutz durch bipolare Überschwemmung aufweisen sollte, sondern auch bei Überschwemmung abschaltfähig bleiben muss. Um dies zu erreichen und eine aufgestaute Ladungsträgermenge rasch abzuführen, ist es vorteilhaft, zur Ladungsträger-Lebensdauer-Absenkung Rekombinationszentren einzubauen und hierzu den Halbleiterkörper beispielsweise mit Elektronen zu bestrahlen oder in diesen Schwermetallionen einzubringen. Die Höhe von Rückstromspitzen kann dadurch wesentlich vermindert werden.
- In
5 ist hierzu ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt, das sich vom Ausführungsbeispiel der4 dadurch unterscheidet, dass speziell in einem Bereich11 der Driftzone Rekombinationszentren vorhanden sind. Diese Rekombinationszentren können sich aber auch zusätzlich in weiteren Bereichen der Driftzone befinden. - Bei den Ausführungsbeispielen mit Zener-Dioden, also den Ausführungsbeispielen der
4 und5 , arbeitet das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement im Normalbetrieb bei Durchlassspannungen von unterhalb etwa 1 bis 2 V als eine reine Schottky-Diode. Bei höheren Durchlassspannungen, die beispielsweise größer als 4 V sind, bricht die eingebaute Zener-Diode durch, und es fließt ein Strom in die Kompensationsgebiete8 . Damit gelangen Löcher in den gesamten Strom tragenden Bereich des Halbleiterbauelementes und verhindern so ein weiteres Ansteigen der Durchlassspannung. - Bei den Ausführungsbeispielen mit Zener-Diode entsteht ein parasitärer npn-Transistor, der aus der n-leitenden Driftzone
4 , dem p-leitenden Kompensationsgebiet8 und dem n+-Bereich10 der Zener-Diode besteht. Dieser parasitäre Bipolartransistor senkt das Sperrvermögen des Halbleiterbauelementes und vermindert insbesondere auch dessen Avalancheverhalten. - Daher ist in einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung, das in
6 schematisch gezeigt ist, vorgesehen, die in der Zuleitung zu den Kompensationsgebieten8 benötigte Spannungsquelle von wenigen Volt durch ein zusätzliches Bauelement, ein so genanntes "Schwellenbauelement"14 zu realisieren, bei dem es sich beispielsweise um eine Zener-Diode oder einen MOS-Transistor mit einem Kurzschluss zwischen Drain und Gate handeln kann. Durch dieses Schwellenbauelement14 wird sichergestellt, dass keine Elektronen in die p-leitenden Kompensationsgebiete8 injiziert werden können. - Das Schwellenbauelement
14 sollte in Flussrichtung die Durchlasscharakteristik einer Diode aufweisen und ein Sperrvermögen von wenigen Volt haben. Diese Forderung wird von den bereits genannten Bauelementen voll erfüllt. Da das Schwellenbauelement nur einer maximalen Spannung von wenigen Volt ausgesetzt ist, kann es deutlich bessere Durchlasseigenschaften als die mit den Kompensationsgebieten versehene Schottky-Diode und damit eine deutlich kleinere Fläche haben. - Das Schwellenbauelement
14 kann monolithisch mit dem Halbleiterbauelement1 integriert sein, was beispielsweise in der Form einer Polysilizium-Diode geschehen kann. Es kann aber auch als zusätzliches Bauelement in der Form "Chip-auf-Chip" auf dem Halbleiterbauelement1 oder zusammen mit diesem in einem Gehäuse vorgesehen sein. -
6 zeigt noch zusätzlich eine Kathodenmetallisierung12 mit einem Kathodenanschluss13 sowie einen Anodenanschluss15 , der mit den auf der Driftzone4 angebrachten Metallkon takten2 direkt und mit den Metallkontakten2 der Kompensationsgebiete8 über das Schwellenbauelement14 verbunden ist.
Claims (9)
- Halbleiterbauelement mit einem Metall-Halbleiter-Übergang zwischen einem Schottky-Metallkontakt (
2 ,2a ,2b ) und einem einen ersten Leitungstyp aufweisenden Halbleiterkörper (3 ), der aus einem hochdotierten Halbleitersubstrat (5 ) und einer schwächer als das Halbleitersubstrat (5 ) dotierten Driftzone (4 ) mit vollständig in die Driftzone (4 ) eingelagerten Kompensationsgebieten (8 ) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps besteht, dadurch gekennzeichnet, dass der Schottky-Metallkontakt (2 ) an die Driftzone (4 ) und die Kompensationsgebiete (8 ) angrenzt. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens zwei verschiedene Metalle (
2a ,2b ) für die Kontaktierung der Driftzone (4 ) und der Kompensationsgebiete (8 ) durch den Metallkontakt (2 ) vorgesehen sind. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass für die verschiedenen Metalle Platinsilizid und Tantalsilizid und Molybdänsilizid vorgesehen sind.
- Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein Schwellenbauelement (
14 ) in der Form einer Zener-Diode oder eines MOS-Transistors mit einem Kurzschluss zwischen Drain und Gate mit einem Kontakt der Kompensationsgebiete verbunden ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Schwellenbauelement (
14 ) in den Halbleiterkörper (3 ) integriert ist. - Halbleiterbauelement mit einem Metall-Halbleiter-Übergang zwischen einem Schottky-Metallkontakt (
2 ,2a ,2b ) und einem einen ersten Leitungstyp aufweisenden Halbleiterkörper (3 ), der aus einem hochdotierten Halbleitersubstrat (5 ) und einer schwächer als das Halbleitersubstrat (5 ) dotierten Driftzone (4 ) mit vollständig in die Driftzone (4 ) eingelagerten Kompensationsgebieten (8 ) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps besteht, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Schottky-Metallkontakt (2 ) und den Kompensationsgebieten (8 ) ein Zener-Übergang (10 ) vorgesehen ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Zener-Übergang durch einen hochdotierten Bereich (
10 ) des einen Leitungstyps in der Oberflächenzone der Kompensationsgebiete (8 ) gebildet ist. - Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass in der Driftzone (
4 ) ein Bereich (11 ) mit Zentren zur Absenkung der Ladungsträger-Lebensdauer vorgesehen ist. - Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Zentren durch Elektronenbestrahlung oder eingebrachte Schwermetallionen erzeugt sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003126739 DE10326739B3 (de) | 2003-06-13 | 2003-06-13 | Halbleiterbauelement mit Schottky-Metallkontakt |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE10326739B3 true DE10326739B3 (de) | 2005-03-24 |
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ID=34201343
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10326739B3 (de) |
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