JP2008041917A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】封止樹脂とハウジングの凹部の開口部内縁との剥離を抑制して、高信頼性・長寿命の発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置は、一対の電極を有する発光素子と、発光素子を収納する凹部を備えたハウジングと、凹部の底部に露出した第1リード電極及び第2リード電極と、半導体素子の一対の電極と、第1リード電極及び第2リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、凹部に充填された透光性の封止材料と、封止材料に含有された粒状添加物と、を備えた発光装置であって、凹部の内壁面は、発光素子から凹部の開口部内縁に照射される光を遮光する遮光部を備えており、封止材料中の粒状添加物の添加量は、遮光部より下側の第1領域では、光の散乱を高める量に調整されており、かつ、遮光部より上側の第2領域では、光の散乱を抑制する量に調整されていることを特徴とする。
【選択図】図1A

Description

本発明は発光装置に関し、特に、耐熱性及び耐久性に優れた発光装置に関する。
発光ダイオードなどの発光素子を用いた発光装置には、発光素子を保護するハウジングを備えた発光装置が知られている。ハウジングには発光面側に凹部が形成されており、この中に発光素子を実装した後に、凹部内に透光性の封止材料を充填して発光素子を外部環境から保護することがある。
ハウジングは、発光素子を電気的及び機械的に保護するのに適した電気絶縁樹脂から形成されており、例えばポリフタルアミドやポリアミド等のナイロン系樹脂、液晶ポリマー、又はエポキシ系樹脂などが好適である。
封止材料は、透光性であり、そしてハウジングとの接着性が良好な材料が選択され、一般的にはエポキシ樹脂が用いられている。エポキシ樹脂は、長期間にわたり光や熱を与えることにより劣化して黄色く変色すること(黄変)が知られているが、発光強度がそれほど高くなく、発する熱量も少ない従来の発光素子を用いた発光装置であれば、特に問題はなかった。
しかしながら、最近の発光素子の高出力化に伴い、封止樹脂として使用されたエポキシ樹脂の黄変が顕著になり、これに伴いエポキシ樹脂の光透過率が低下する、すなわち発光装置の光の取出し効率が低下する。特に、発光素子の発光波長が短波長になると、劣化による黄変の進行と、光透過率の低下が著しい。また、発光装置が長寿命になってきたが、エポキシ樹脂は発光装置の他の部品に比べて耐久性が低いという問題があった。
そこで、エポキシ樹脂に代えて、透光性で且つ光や熱による劣化が起こりにくいシリコーン樹脂を封止部材として使用することが提案されている(例えば特許文献1参照)。シリコーン樹脂は、ベースポリマーの主鎖に結合エネルギーの高いシロキサン結合を有しており、耐熱性、耐侯性に優れた樹脂の1つである。また、光の透過率が高いこともあって、高出力の発光装置用の封止材料として期待されている。
しかしながら、シリコーン樹脂は、透光性、耐久性に優れている反面、ハウジングとの接着性に劣る問題がある。つまり、封止材料にシリコーン樹脂を使用すると、ハウジングと封止材料との間の機械的又は温度的な応力によって、凹部の開口部内縁から始まり凹部の内部に伝搬する剥離が起こる危険性が増加する。最悪の場合には、ハウジングから、封止樹脂が完全に分離する可能性がある。
これを解決するために、ハウジングの凹部に壁部を設け、この壁部と凹部の内壁との間に環状の溝部(トレンチ部)を設けることが知られている(例えば特許文献1)。封止材料は、ハウジングの凹部だけでなく、このトレンチ部にも充填されてアンカー用リングとして機能する。このハウジングにおいて、壁部は、凹部の底面から見たときに、壁部の頂部がハウジングの発光面よりも低い位置になるように形成されている。
特表2006―516816号公報
ハウジングの凹部の開口部内縁と封止材料との間の剥離は、単に封止材料全体が分離する起点となる以外に、発光装置内への水分や不純物などの侵入の原因となる。剥離部分から侵入した水分や不純物などが凹部の内面に付着すると、ハウジングの反射率が悪化して発光装置の光取出し効率が低下し、またや不純物などが発光素子まで到達すれば、発光装置の故障の原因となる。特許文献1は、封止部材とハウジングの界面が完全に剥離して、封止樹脂がハウジングから分離することは抑制できるかもしれないが、ハウジングの凹部の開口部内縁の剥離は抑制できない。
特に、封止樹脂にシリコーン樹脂を用いた場合には、シリコーン樹脂の膨張係数が、ハウジングの膨張係数よりも大きいために、剥離箇所から不純物が侵入する問題はより深刻になる。発光装置の使用中に発光装置の温度が上昇すると、シリコーン樹脂がハウジングよりも膨張し、ハウジングの凹部の開口部から外方に向かって膨らむ。このとき、封止樹脂とハウジングの凹部の開口部内縁との間が剥離していると、発光装置の温度上昇により封止樹脂がハウジングからはみ出し、温度降下により封止樹脂が元通りにハウジング内に収まる、ということが繰り返される。このときに、封止樹脂とハウジングの凹部の開口部内縁との界面の密着性が失われ、そこからや不純物などの侵入が起こりやすい。
本発明は、封止樹脂とハウジングの凹部の開口部内縁との剥離を抑制することにより、発光装置内への不純物などの侵入を抑制できる高信頼性・長寿命の発光装置を提供することを目的とする。
本発明は、封止樹脂とハウジングの凹部の開口部内縁との剥離が、開口部内縁の材料劣化によって著しく促進され、この劣化が、発光素子からの発光により進行することを見いだした。そこで、本発明は、ハウジングの凹部の開口部内縁に照射される発光を低減することにより開口部内縁の材料劣化を抑制し、それによって、封止樹脂と開口部内縁との剥離を抑制するものである。
従来の発光装置であっても、封止樹脂に添加された蛍光体粒子や樹脂の粘度調整用のフィラー等が、発光素子からの直接光を散乱させて、蛍光体粒子発光素子からハウジングの凹部の内壁面に到達する直接光を減少させていた。また、蛍光体粒子は、直接光を吸収して放射方向に光を発するため、内壁面への直接光照射を低減する効果が高い。しかしながら、凹部の開口部内縁と封止樹脂との間の剥離を抑制するには、粒状添加物による散乱では不十分である。
そこで、本発明は、凹部内壁面のうち開口部内縁に達する直接光の遮光を強化し、それ以外の内壁面への直接光は従来通りの減光効果を有する発光装置を提供する。
すなわち、本発明の第1の発光装置は、一対の電極を有する発光素子と、前記発光素子を収納する凹部を備えたハウジングと、前記凹部の底部に露出した第1リード電極及び第2リード電極と、前記半導体素子の一対の電極と、前記第1リード電極及び前記第2リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、前記凹部に充填された透光性の封止材料と、前記封止材料に含有された粒状添加物と、を備えた発光装置であって、前記凹部の内壁面は、前記発光素子から前記凹部の開口部内縁に照射される光を遮光する遮光部を備えており、前記封止材料中の前記粒状添加物の添加量は、前記遮光部より下側の第1領域では、光の散乱を高める量に調整されており、かつ、前記遮光部より上側の第2領域では、光の散乱を抑制する量に調整されていることを特徴とする。
本発明の第1の発光装置では、遮光部は、開口部内縁が発光素子の発光に直接照射されることがないように配置されている。よって、発光素子からの直接光は、遮光部に遮蔽されて開口部内縁に到達せず、開口部内縁の材料劣化を極めて効果的に抑制できる。
そして遮光部より下側の第1領域に充填されている封止材料中の粒状添加物の添加量を、光を散乱するのに十分な量以上にすることにより、発光素子からの直接光を散乱させて、発光素子からハウジングの凹部の内壁面に到達する直接光を減少させることができる。また、遮光部より上側の第2領域に充填されている封止材料中の粒状添加物の添加量を、光の散乱に実質的に影響を及ぼさない量以下にすることにより、第2領域の封止材料中の粒状添加物によって散乱された散乱光が、開口部内縁に到達するのを抑制して、開口部内縁の材料劣化を可能な限り抑制することができる。
なお、本明細書において、「遮光」とは、発光素子から開口部内縁に照射される光を完全に遮断できる完全遮光の他に、光を部分的に遮光する部分遮光を含むものである。
本発明の第2の発光装置は、一対の電極を有する発光素子と、前記発光素子を収納する凹部を備えたハウジングと、前記凹部の底部に露出した第1リード電極及び第2リード電極と、前記半導体素子の一対の電極と、前記第1リード電極及び前記第2リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、前記凹部に充填された透光性の封止材料と、前記封止材料に含有された粒状添加物と、を備えた発光装置であって、前記凹部の内壁面は、前記発光素子から前記凹部の開口部内縁に照射される光を遮光する遮光部を備えており、前記封止材料の前記凹部の底部側は、前記粒状添加物を含有する第1封止層であり、前記第1封止層の厚さが前記封止材料の厚さの10%〜80%で、且つ前記第1封止層の上面が前記遮光部の上端よりも下側にあることを特徴とする。
第2の発光装置では、第1の発光装置と同様に、発光素子からの直接光が遮光部に遮蔽されて開口部内縁に到達せず、開口部内縁の材料劣化を極めて効果的に抑制できる。
さらに、封止材料の凹部の底部側に粒状添加物を含有する第1封止層を配置することにより、発光素子からの直接光を散乱させて、蛍光体粒子や発光素子からハウジングの凹部の内壁面に到達する直接光を減少させることができる。そして、第1封止層の厚さが封止材料の厚さの10%〜80%とすることにより、粒状添加物を含む第1封止層が発光素子を完全に覆った状態で、且つ発光素子の近傍に集中して存在させることができるので、発光素子からの直接光の散乱効果を向上させることができる。また、第1封止層の上面が遮光部の上端よりも下側にあることにより、発光素子からの直接光が粒状添加物によって散乱されても、開口部内縁に到達することがなく、これにより開口部内縁の材料劣化を可能な限り抑制することができる。
なお、ここで「第1封止層の厚さ」は、封止材料を充填した凹部の中央部分を巨視的に観察したときに、粒状添加物の濃度が急激に変化する部分を第1封止層の境界として、その厚さを規定するものである。巨視的な観察方法としては、金属顕微鏡による暗視野像の観察などが挙げられる。
本発明の第3の発光装置は、一対の電極を有する発光素子と、前記発光素子を収納する凹部を備えたハウジングと、前記凹部の底部に露出した第1リード電極及び第2リード電極と、前記半導体素子の一対の電極と、前記第1リード電極及び前記第2リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、前記凹部に充填された透光性の封止材料と、前記封止材料に含有された粒状添加物と、を備えた発光装置であって、前記凹部の内壁面は、前記発光素子から前記凹部の開口部内縁に照射される光を遮光する遮光部を備えており、前記封止材料中における粒径2.0μm以上の前記粒状添加物の最大密度が、前記遮光部より下側の第1領域に比べて、前記遮光部より上側の第2領域で低く、前記第2領域の前記粒状添加物の前記最大密度が、前記第1領域の前記粒状添加物の前記最大密度の80%以下であることを特徴とする。
第3の発光装置では、第1〜第3の発光装置と同様に、発光素子からの直接光が遮光部に遮蔽されて開口部内縁に到達せず、開口部内縁の材料劣化を極めて効果的に抑制できる。
そして、封止材料中における粒径2.0μm以上の粒状添加物の最大密度は、第2領域の方が第1領域よりも低く、第2領域の前記粒状添加物の最大密度が、第1領域の粒状添加物の最大密度の80%以下に設定している。これにより、第1領域においては粒状添加物による散乱を高めて、発光素子からハウジングの凹部の内壁面に到達する直接光を減少させることができると共に、第2領域においては散乱を抑えて開口部内縁に散乱光が照射されるのを抑制して、開口部内縁の材料劣化を可能な限り抑制することができる。
なお、ここで「密度」とは、発光装置を切断したときの封止樹脂の切断面において、所定面積(例えば30μm×30μmの矩形領域)内に存在する粒子の個数を、当該所定面積で除算したものであり、単位は「粒子数/μm」である。
また、「最大密度」とは、該当する領域内において最も高い密度である。粒状添加物は、その粒度及び密度、そして封止材料の粘度などの関係によっては、封止材料の硬化前に下方に沈降することがある。その場合には、粒状添加物の密度に分布が生じて、粒状添加物が堆積した部分が最大密度になる。
本発明によれば、封止樹脂と開口部内縁との剥離を抑制できるので、発光装置内への不純物などの侵入を抑え、信頼性が高く長寿命の発光装置を提供することができる。
[実施の形態1]
図1A〜図1Cに示した本実施の形態の発光装置10は、開口部38が円形状で、断面が逆台形状の凹部14を備えたハウジング12と、凹部14の底部18に露出した複数のリード電極32とを備えている。リード電極32の上には、発光素子28と、発光素子28を電気的に保護するための保護素子30とがダイボンドされ、さらに導電ワイヤ34によってリード電極32と導通されている。発光素子28は、凹部14の底部18に露出したリード電極32に、導電ワイヤ34によりワイヤボンディングされて電気的に接続している。リード電極32は、ハウジング12を貫通して外部電極320と接続されているので、外部電極320に電圧をかけることにより発光素子28に給電することができる。
凹部14の内壁面16と開口部内縁20との間には、凹部の開口方向から見て環状に連続した段差が存在しており、この段差が遮光部22となっている。本明細書で「開口部内縁20」とは、開口部38近傍の凹部14の内壁面16を意味しており、詳しくは、開口部38の角部40から、凹部14の底部18方向に向かって、凹部14の深さの約30%程度までの範囲の内壁面16を指している。なお、凹部14の深さは、発光面12aから凹部14の底部18までの距離であり、図1Cでは、第1領域Rの厚さと、第2領域Rの厚さとの合計に相当する。
遮光部22は、その頂部がハウジング12の発光面12aよりも低い位置になるように形成されている。この遮光部22は、開口部38の角部40直下の開口部内縁20が、発光素子28の発光に直接照射されることがないように配置されている。すなわち、遮光部22は、発光素子28の発光面の両端部と開口部38の角部40とをそれぞれ結んだ線L〜Lの間を確実に遮るように形成されている。このような遮光状態を、本明細書では「完全遮光」と称する。これにより、発光素子28からの発光は、遮光部22に遮蔽されて、開口部内縁20に直接到達することはない。発光素子26からの直接光が開口部内縁20に照射されて、開口部内縁20と封止材料26との接着性が低下する、という問題は、この遮光部22によって解決することができる。
図示されている遮光部22は、開口部内縁20の完全遮光をするのに適した高さに形成されている。ここで、遮光部22の高さは、凹部14の底部18から、遮光部22の頂部までの距離とし、第1領域Rの厚さと一致するものである。
しかしながら、開口部内縁20は、完全に遮光されなくても、部分的に遮光(本発明では「部分遮光」と称する)されているだけでも、開口部内縁20と封止樹脂26との剥離を十分に抑制する効果がある。本発明の発光装置10の構成であれば、遮光部22の高さが、完全遮光に必要な遮光部22の高さ(第1領域Rの厚さに相当)の80%以上にされていれば、剥離の抑制に有効である。これは、開口部内縁22のうち、開口部38の角部40付近が封止樹脂26から僅かに剥離したとしても、それ以外の開口部内縁の領域の剥離が抑えられていれば、発光装置内への不純物などの侵入は抑制できるので、信頼性が高く長寿命の発光装置を得るという本発明の目的は達成できるからである。遮光部22の高さが、第1領域Rの厚さに対して80%未満であると、直接光に露光される開口内縁部20の領域が広くなりすぎて、封止樹脂26と開口部内縁20との剥離が顕著になり、不純物の侵入等が起こる可能性が高まるので好ましくない。
凹部14の内部には、透光性の封止材料が遮光部22を越えて充填されている。つまり、透光性の封止材料26は、遮光部22の最頂部よりも高い位置にあるハウジング12の発光面12aと略同一平面まで充填されている。この封止樹脂26は、発光素子28を外部環境から保護する機能がある。また、ハウジング12の凹部14内は、遮光部22の頂部よりも低い位置にある第1領域Rと、遮光部22の頂部よりも高い位置にある第2領域Rに区分される。
封止材料26には、封止材料の物性を調節するために種々の粒状添加物が添加されている。本発明で使用される粒状添加物には、例えば、発光素子28からの発光を吸収して異なる波長に変換するための蛍光体粒子や、発光素子28からの光を拡散するための粉末状拡散材や、粘度や熱膨張係数などの物性を調節するための粒子状酸化物などが含まれる。これらの材料は、1種類のみで、又は複数種類を同時に使用することができる。
粒状添加物に使用される材料は光を散乱する性質を有している。そのため、粒状添加物が第1領域Rに多量に含まれると、粒状添加物が発光素子28からの直接光を散乱する。その結果、凹部14の内壁面16に照射される直接光が低減される。これにより、内壁面16が直接光を吸収して材料劣化するのを抑制できるという効果がある。その反面、粒状添加物が第2領域Rに大量に含まれても、開口内縁部20は遮光部22によって直接光から遮光されているので、散乱による材料劣化抑制の効果は得られない。逆に、散乱した光が遮光部22を越えて開口部内縁20に到達すれば、遮光部22によって完全遮光した領域に散乱光が照射されることになる。散乱光の強度は、直接照射される光の強度に比べれば弱いが、散乱される光が多くなれば、散乱光による開口部内縁20の劣化が無視できなくなる。
この問題に対して、本発明の第1の発光装置10では、遮光部22より下側の第1領域Rに充填されている封止材料26中の粒状添加物の添加量を、光を散乱するのに十分な量以上にすることにより、発光素子26からの直接光を散乱させて、発光素子26からハウジング12の凹部14の内壁面16に到達する直接光を減少させることができ、そして、遮光部22より上側の第2領域Rに充填されている封止材料26中の粒状添加物の添加量を、光の散乱に実質的に影響を及ぼさない量以下にすることにより、第2領域Rの封止材料26によって散乱された散乱光が、開口部内縁20に到達するのを抑制している。
本発明の第2の発光装置10では、封止材料26に、凹部14の底部18側にあり粒状添加物を含有する第1封止層261があり、封止材料26の厚さT+Tに対する第1封止層261の厚さTの割合T/(T+T)が、10%〜80%としている。この割合が10%未満であると、発光素子28の上面が第1封止層261から露出して、第1封止層261による発光素子光の十分な散乱効果が得られない。また、この割合が80%より大きいと、発光素子28の近傍にある粒状添加物の密度が低くなって、やはり散乱効果が低くなる。すなわち、第2の発光装置は、粒状添加物を含む第1封止層が発光素子28を完全に覆った状態で、且つ発光素子28の近傍に集中して存在させることができるので、発光素子28からの直接光の散乱効果を向上させることができるといえる。また、第1封止層261の上面が遮光部22の上端よりも下側にあることにより、発光素子28からの直接光が粒状添加物によって散乱されても、開口部内縁に到達することがない。
そして、第3の発光装置10では、封止材料26中における粒径2.0μm以上の粒状添加物の最大密度は、第2領域Rの方が第1領域Rよりも低く、第2領域Rの粒状添加物の最大密度が、第1領域Rの粒状添加物の最大密度の80%以下に設定されている。これにより、第1領域Rにおいては粒状添加物による散乱を高めて、発光素子からハウジング12の凹部14の内壁面16に到達する直接光を減少させることができると共に、第2領域Rにおいては散乱を抑えて開口部内縁20に散乱光が照射されるのを抑制している。
本明細書において、「粒径」とは平均粒径を指しており、空気透過法により比表面積を測定し、一次粒子の粒径の平均値を求めたものであり、フィッシャー・サブ・シーブ・サイザー(F.S.S.S,)を用いて測定した値である。
特に、多量に含有されて散乱に影響を与える可能性の高い蛍光体粒子について規定し、散乱に対する影響の大きい粒径2.0μm以上の蛍光体粒子が、最大密度で比較したときに、第1領域Rに比べて第2領域Rで低く、第2領域Rの粒状添加物の最大密度が、第1領域Rの蛍光体粒子の最大密度の50%以下であるのが好ましい。この割合が50%を越えると、散乱光の影響が無視できなくなるので好ましくない。
なお、本発明に適した別の発光装置10は、第2領域Rに充填された封止材料26中に含有される粒状添加物の密度によって規定することもできる。このときの粒状添加物の密度には、散乱への影響を反映する観点から、単位体積当たりに含有される粒子重量又は粒子個数で規定することができる。また、製造後に適切な密度を有しているか確認するのに適しているという観点から、発光素子を切断したときの封止樹脂の切断面における、単位面積当たりに存在する粒子の個数で規定することもできる。
また、粒状添加物のうちでも、特に、多量に含有されて散乱に影響を与える可能性の高い蛍光体粒子に着目して、その密度を制御することも好ましい。
図1Cに示すように、本実施の形態の発光装置10では、封止材料26を、第1封止層261と第2封止層262とを順次積層した積層構造としている。第1封止層261は、粒状添加物を含有した透光性の封止材料から形成されており、凹部14の底部18側(発光素子28の近傍)に配置される。第2封止層262は、粒状添加物を含有しない、又は所定の量以下の粒状添加物を含む封止材料から形成されており、第1封止層261の上側(すなわち発光面12a側)に配置される。
このような積層タイプの封止材料26は、第1封止層261を充填し、続いて第2封止層262を充填することにより形成するので、第1封止層261と第2封止層262とは、明確な境界線によって区分される。そのため、第1封止層261に高密度で粒状添加物を含有させても、第2封止層262に粒状添加物が滲み出すことがなく、第2封止層262の粒状添加物密度を正確に調節することができる。
また、上記積層タイプとは別の封止材料26として、一度の樹脂充填によって形成するものがある。すなわち、粒状添加物を混合した液状の封止材料を凹部14にポッティングして静置し、封止材料が硬化するまでの間に、粒状添加物が凹部14の開口38部から底部18方向に沈降して、第1封止層261と第2封止層262とを構成する。
一度の樹脂充填によって形成された封止材料は、上述のように二回の充填によって形成する場合に比べると、工程数が少なく、製造容易であるという利点がある。その反面、第1封止層261と第2封止層262との境界位置を正確に設定できないという欠点がある。この問題は、第1封止層261の厚さを規定するときに、特に問題になる。そこで、本発明では、第1封止層の境界を、以下のように規定する。
一般的に、封止材料26に混入した粒状添加物は、ポッティング後に、下方に向かって等しく沈降するが、内壁面16に隣接した領域では、壁面16と封止樹脂26との摩擦によって、粒状添加物の沈降が妨げられる傾向が見られる。その結果、壁面近傍では、沈降しきれなかった粒状添加物が分布することがある。しかしながら、内壁面近傍に分布する粒状添加物の密度は低く、散乱に与える影響も低いと考えることができる。そこで、本発明では、主に、適切に沈降した粒状添加物について討論するものとし、上記摩擦の影響が最も少ないと考えられる、内壁面16から最も離れた部分、すなわち凹部14の中央付近における第1封止層261の境界位置を、本発明における「第1封止層の境界」と規定する。また、凹部14の中央付近に発光素子28が配置されていると、発光素子28に沿って第1封止層26が部分的に盛り上がることがある。このような場合には、「第1封止層の厚さ」は、凹部14の底面から、第1封止層261の盛り上がった頂部の位置までの厚さと見なすこととする。
本実施の形態では、開口部内縁20と遮光部22との間に、溝部24が形成されている。この溝部24は、開口部内縁20から遮光部22までの間の表面積が増加するので、封止材料26とハウジング12の凹部14内面との接触面を増やすことができる。これにより、封止部材26がハウジング12の凹部14内に係止しやすくなり、封止部材26の脱落を防止する効果もある。
遮光部22は、図1Cに示されるような矩形の断面形状や、山形の断面形状など、さまざまな断面形状にすることができる。
いずれの形状の遮光部22であっても、封止材料26との接触面積を増加させることができるので、封止部材26が剥離しにくく信頼性の高い発光装置を得ることができる。
本実施の形態のリード電極32のいくつかには、貫通孔33が厚さ方向に形成されている(例えば、図1Bに示されるハウジング12の凹部の底面にて露出されたリード電極のうち、右側、左側、及び下側のリード電極32)。貫通孔33からは、ハウジング12の底部18が露出している。リード電極32に貫通孔33を形成することは、凹部14に封止樹脂26を充填したときに、封止樹脂26がリード電極32と接触する面積が減り、ハウジング材料と接触する面積が増加することになる。封止材料26とハウジング材料との接着性は、封止樹脂26とリード電極32との接着性よりも高いので、ハウジング12と封止樹脂26との固定力を増加させることができる。
このようなハウジング材料―封止樹脂26間の接着部分が、例えば発光素子28の周囲に位置するように設計すると、発光素子28がリード電極32から剥離するのを抑制することができる。図1Bでは、発光素子28が固定されているリード電極32は、三方(右側、左側、及び上側)が、リード電極間の隙間部(ハウジング材料が露出している)であり、下側には貫通孔33が形成されている。このようにハウジング材料を露出させることにより、発光素子28がリード電極から剥離しにくくなる。
また、上述したハウジング材料―封止樹脂26間の接着部分は、発光素子28の周囲だけでなく、導電ワイヤ32のボンディングする位置の周辺にも配置させることもできる。このように、貫通孔33を、導電ワイヤ32のボンディングする位置の近傍に形成すると、導電ワイヤ32がリード電極32から剥離しにくくすることができる。
(第1変形例)
図2A及び図2Bは、本実施の形態の第1の変形例であり、リード電極32の形状と、発光素子28及び保護素子30の実装形態が異なっている。リード電極32の1つを長く形成することにより、発光素子28と保護素子30とを同一のリード電極32に実装することにより、発光素子28をハウジング12の凹部14の中央に実装することができ、これにより発光装置10の発光パターンを等方的にすることができる。
なお、このように発光素子28と保護素子30とを実装するリード電極32を変更する場合には、各素子の電極の極性及びリード電極の極性を考慮しなくてはならない。すなわち、素子の電極極性及びリード電極の極性を考慮すれば、発光素子28と保護素子30とは、様々な実装形態に変更可能である。
(第2変形例)
図3A及び3Bは、本実施の形態の第2変形例であり、遮光部22の外周に溝部24を設ける代わりに、遮光部22の上側に、複数の凸部36(この例では4つ)を、間隔をあけて形成している。また、各凸部36には、円周方向の中央付近に浅い溝(遮光部22よりも突出している)が形成されている。このような凸部は、溝部24と同様に表面積を増加させることができるので、封止材料26とハウジング12の凹部14内面との接触面を増やすことができる。これにより、封止部材26がハウジング12の凹部14内に係止しやすくなり、封止部材26の脱落を防止する効果がある。
さらに、封止材料26を充填するときには、凹部14内にポッティングされた封止材料26が、凸部36と凸部36との間を通って凸部36の外周側にも伝うので、空気の封入が起こりにくい。これにより、封止材料36中に泡が封入されて不良品となる発光装置10の発生を抑えることができる。
この第2変形例では、凹部14底部18のリードフレーム間にグリッド44(格子状の突出部)が形成されており、発光素子28や保護素子30をダイボンドするときの接着剤が、導電ワイヤ34をワイヤボンディングする位置まで広がることを防止している。このようなグリッド44は、ハウジング12と一体に形成されるのが好ましい。
また、グリッド44は、リード電極32の表面を横断するように形成することもできる。グリッド44とリード電極32の表面との接着力が弱くなるような材料が選択されたとき、グリッド44はリード電極32から容易に剥がれてしまう。そこで、グリッド44の脱落を防止するために、グリッド44の一部を、ハウジング12の凹部14の底部18や内壁面16と接続することができる。また、グリッド44とリード電極32との接触面積を増加させて、接着力を高めることもできる。以下に、グリッド44の脱落防止用の形態を例示する。これらの例示は、1つだけで、又は複数を組み合わせて適用することができる。
(1)グリッド44を形成する位置に合わせて、リードフレーム32に貫通孔33を形成する。この貫通孔33を介して、グリッド44とハウジング12の底部18とを接続する。これにより、グリッド44が底部18に強固に固定され、それに伴ってリード電極32も底部18に固定される。
(2)グリッド44を凹部14の内壁面16まで延長して、グリッド44の端部と内壁面16とを接続させる。グリッド44の長さを長くすると、グリッド44が浮き上がりやすくなるので、グリッド44の両端を接続する内壁面16の2箇所の間隔が最大となる位置(例えば、上面円形の凹部14では、その直径に相当する位置)を避けて、グリッド44を形成することが好ましい。
(3)グリッド44を形成する位置に合わせて、リード電極32に溝を形成しておく。溝によってグリッド44とリード電極32との接触面積が増加し、グリッド44が脱落しにくくなる。
以下に、本発明の発光装置10の各構成部材について詳述する。
(封止材料26)
ハウジングの凹部内には、透光性の封止材料が充填されており、発光素子、保護素子や導電ワイヤを外的環境から保護している。
封止部材26に適した透光性の封止材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、及びそれらの樹脂材料を複数混合した混合樹脂等の樹脂材料や、ガラス等の無機材料が挙げられる。特に、シリコーン樹脂は、透光性や耐熱性にすぐれているので、封止材料として利用するのに適している。シリコーン樹脂とハウジング12との接着力を向上させるため、本発明の発光装置10のように、遮光部22を備え且つ第2領域Rの粒状添加物密度を制限することにより、シリコーン樹脂と開口部内縁20との剥離を抑えることができる。すなわち、本発明の発光装置10は、封止部材26にシリコーン樹脂を使用することにより、従来よりも光の取出し効率が良く、比較的寿命の長い発光装置10を得ることができる。
(粒状添加物)
本発明のような発光装置10に使用される主な粒状添加物としては、粉末状の蛍光体粒子、粉末状の拡散材、粒状の酸化物がある。
蛍光体粒子としては、以下の蛍光物質などが使用される。
蛍光物質は、発光素子からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体・サイアロン系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体は、MSi:Eu、CaAlSiN:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。また、MSi:EuのほかMSi10:Eu、M1.8Si0.2:Eu、M0.9Si0.110:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などもある。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、MSi:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活されるサイアロン系蛍光体は、Mp/2Si12−p−qAlp+q16−p:Ce、M−Al−Si−O−N(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。qは0〜2.5、pは1.5〜3である。)などがある。
Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、M(POX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、MX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl:R、SrAl1425:R、CaAl:R、BaMgAl1627:R、BaMgAl1612:R、BaMgAl1017:R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類硫化物蛍光体には、LaS:Eu、YS:Eu、GdS:Euなどがある。
Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、YAl12:Ce、(Y0.8Gd0.2Al12:Ce、Y(Al0.8Ga0.212:Ce、(Y,Gd)(Al,Ga)12の組成式で表されるYAG系蛍光体などがある。また、Yの一部若しくは全部をTb、Lu等で置換したTbAl12:Ce、LuAl12:Ceなどもある。
その他の蛍光体には、ZnS:Eu、ZnGeO:Mn、MGa:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
上述の蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
これらの蛍光体は、発光素子の励起光により、黄色、赤色、緑色、青色に発光スペクトルを有する蛍光体を使用することができるほか、これらの中間色である黄色、青緑色、橙色などに発光スペクトルを有する蛍光体も使用することができる。これらの蛍光体を種々組み合わせて使用することにより、種々の発光色を有する表面実装型発光装置を製造することができる。
例えば、青色に発光するGaN系化合物半導体を用いて、YAl12:Ce若しくは(Y0.8Gd0.2Al12:Ceの蛍光物質に照射し、波長変換を行う。発光素子からの光と、蛍光体からの光との混合色により白色に発光する発光装置を提供することができる。
例えば、緑色から黄色に発光するCaSi:Eu又はSrSi:Euと、蛍光体である青色に発光する(Sr,Ca)(POCl:Eu、赤色に発光するCaSi:Eu又はCaAlSiN:Euと、からなる蛍光体を使用することによって、演色性の良好な白色に発光する発光装置を提供することができる。これは、色の三源色である赤・青・緑を使用しているため、第1の蛍光体及び第2の蛍光体の配合比を変えることのみで、所望の白色光を実現することができる。
特に、白色系の光を発する発光装置10では、青色発光の発光素子28に、アルミニウムを構成元素として含み、セリウムなどの希土類元素で付活されたアルミニウム酸化物系蛍光体(YAG:Ce)など青色光を吸収して黄色に発光する蛍光体が組み合わせて使用できる。以下、アルミニウム酸化物系蛍光体の一種であるイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体の形成方法を説明する。まず、Y、Gd、Ceの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させる。これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウムと混合して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウムを混合して坩堝に詰め、空気中1400℃の温度で3時間焼成して焼成品を得た。焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通して形成させた。このようにして、Gd0.6Ce0.032.4Al512で表される蛍光体を形成させる。
拡散材としては、シリカ、アルミナ、二酸化チタンなどが好適に利用でき、発光素子28からの光を拡散して、発光装置10の発光パターンをより均一にすることができる。
本形態における粒状酸化物としては、シリカ、アルミナ、ガラスが適している。これらの酸化物は、封止材料26の線膨張係数を低減して封止材料26に働く熱応力を低減する効果や、封止材料26の機械的強度を向上する効果がある。そのため、封止材料26の耐クラックが向上し、発光装置の寿命が長くなる。
(ハウジング12)
ハウジング12に適した材料としては、例えば、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、ポリフタルアミド樹脂のような高融点結晶を含有する半結晶性ポリマー樹脂は、表面エネルギーが大きく、ハウジング12の凹部14に充填する封止樹脂との密着性が良好であるので、好適である。これにより、封止樹脂を充填し硬化する工程において、樹脂の冷却過程の間にハウジングと封止樹脂との界面が剥離しにくくなる。
また、ハウジング12の凹部14内壁面16は、発光素子28からの光を反射する反射板としても機能するので、凹部14の底部18に対する内壁面16の角度を調節して、発光装置10の発光効率を向上させるのが好ましい。このとき、発光素子28が半導体発光素子である半導体発光装置10を製造するならば、ハウジング12の成形材料中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合して、内壁面16の反射率を高めて、反射効果を高めることもできる。
(発光素子28)
発光素子28としては、半導体発光素子が好適に使用される。例えば、白色系の光を発する発光装置10を製造する場合には、窒化物半導体を使用した青色発光の発光素子28を使用することができる。上述のように、このような発光素子28を黄色発光する蛍光体と組み合わせることにより、白色光を発する発光装置10を得ることができる。
サファイア等の絶縁性基板を用いた窒化物半導体発光素子28は、導電ワイヤ34を用いたワイヤボンディングによって、リード電極32と導通されている。
(保護素子30)
保護素子30は、発光素子と並列接続して、発光素子を電気的に保護する素子であり、ツェナーダイオードなどが使用される。発光ダイオードのような発光素子10は、静電耐圧が低く、特に逆方向にサージ等の高電圧が印可されると静電破壊してしまう。この保護素子30を組み込むことにより、発光素子28に逆方向電流が印可された場合に、電流が保護素子30に流れるので、発光素子28が破壊させるのを回避できる。
保護素子30とリード電極32とは、裏面側(負極)を銀ペースト等の導電性ペーストで固定しながら、また表面側(正極)を導電ワイヤ34によるワイヤボンディングにより、それぞれ導通されている。
(リード電極32/外部電極320)
リード電極31及び外部電極320は、すべて同一の導電性材料から形成されており、加工性や強度の観点からすると、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅及び銅、金、銀をメッキしたアルミニウム、鉄、銅等から形成するのが好ましい。
(導電ワイヤ34)
ワイヤボンディング用の導電ワイヤ34としては、例えば、金線、銅線、白金線、アルミニウム線等の金属及びそれらの合金から成る金属製のワイヤを用いることができる。導電ワイヤ34は、一端を素子(発光素子28や保護素子30)の電極に接合され、他端をリード電極32に接合されるが、特に他端の接合では、同じリード電極32に位置をずらして複数回接合するのが好ましい。例えば、図1Aの発光装置10では、リード電極32に接合された導電ワイヤ34の他端は、リード電極32上に2回ボンディングされている。このような複数回のボンディングを行うと、導電ワイヤ32とリード電極32との剥離が起こりにくくなり、導電ワイヤ32リード電極32との間の電気的接続不良による発光装置10の不灯が発生しにくくなる。
本発明は、発光素子28からの直接光を遮光部22により遮光し、また遮光部22を越えて到達する散乱光を抑制することにより、開口部内縁20の劣化を抑制し、従来に比べて開口部内縁20と封止樹脂26との剥離を効果的に抑制する。これにより、寿命が長く信頼性の高い発光装置10を得ることができる。また、本発明により、従来では寿命短縮の原因となっていたシリコーン樹脂を、封止樹脂26として好適に使用することが可能になった。
[実施の形態2]
実施の形態2は、図4及び図5に示すように、ハウジング12の凹部14の一部に切欠き部42を設けて、リード電極32の露出面積を広くした発光装置10である。切欠き部42から露出したリード電極32の上には、保護素子30がダイボンドされている。本実施の形態の発光装置10は、切欠き部42と保護素子30の実装位置を除いて、実施の形態1と同様である。
本実施の形態のように切欠き部42を設けると、遮光部22が部分的に除去されることになる。よって、発光素子10からの直接光が、切欠き部42を通ってハウジング12の凹部14の開口部内縁20に照射されることになる。
しかしながら、切欠き部42を設けることにより、小型化された発光装置において保護素子30の実装が容易になる。また、発光装置の小型化により、凹部底面の中央における半導体素子の実装スペースが制限されても、発光素子以外の半導体素子や、その保護素子に接続するワイヤを切欠き部42内に配置することにより、発光素子28を凹部14の中央に配置することが可能になる。そして、切欠き部42の大きさは、そこに配置される半導体素子の大きさに対応させて必要最小限の大きさとされる。したがって、そこに充填される封止樹脂26の量も比較的少ないので、これにより封止材料26と凹部14の開口部内縁20との間に生じる膨張量の差が減少し、封止材料26と開口部内縁20との間の剥離が生じにくい。さらに、内部に充填する封止材料26の量を減らすことができるので、発光素子28や導電ワイヤ34に働く熱ストレスが小さくなり、発光装置10の信頼性が高まる効果も期待できる。
このように、ハウジング12の凹部14に切欠き部42を設けることは、発光素子28から開口部内縁20に直接光が照射されるという欠点と同時に、発光素子28の実装位置の改善、開口部内縁20における封止樹脂26の剥離を抑制する効果や、発光装置10の信頼性向上などの有利な効果を奏する。よって、切欠き部42を設ける場合には、これらの欠点と利点とのバランスを取ることが望ましい。
特にバランスのよい切欠き部42の割合は、遮光部22の外周に沿った長さに基づいて定めるのが適切である。切欠き部42は、保護素子30を実装しやすいように、ほぼ平行に遮光部22を切除して形成され、このような切欠き部42を通過した直接光に露光される開口部内縁20の割合は、遮光部22の外周に依存するからである。
遮光部22の外周に沿って測定したとき、切欠き部42の長さをC、残存している遮光部22の長さをDとすると、切欠き部42を形成しなかった場合の遮光部22の長さ(C+D)に対する切欠き部42の割合C/(C+D)が、50%以下の範囲になるように、切欠き部42を形成するのが好ましい。切欠き部42の割合が50%より多くなると、直接光を遮光できないことによる剥離の問題が顕著になるので好ましくない。
切欠き部42には遮光部22が形成されていないので、封止材料26を充填するときには、凹部14内にポッティングされた封止材料26が切欠き部42から溝部24に流れ込むので、空気の封入が起こりにくい。これにより、封止材料36中に泡が封入されて発光装置10が不良になる、という問題を抑えることができる。
(第1変形例)
図6、図7A及び図7Bは、本実施の形態の第1の変形例であり、切欠き部42が2つ形成され、遮光部22が2つに分離している点で異なっている。切欠き部42を備えた発光装置10では、切欠き部42方向の光だけが広角に広がりやすく、発光パターンの外形が、部分的に飛び出した形状になる。この変形例は、切欠き部42を対向して形成することにより、切欠き部42が1つの形態に比べて、発光パターンを改善することができる。
これらの例では、切欠き部42の長さC=C+C、残存している遮光部22の長さD=D+Dとして、切欠き部42の割合C/(C+D)を算出することができる。
また、図7A及び図7Bの発光装置10では、凹部14底部18のリードフレーム間にグリッド44が形成されており、発光素子28や保護素子をダイボンドするときの接着剤が、導電ワイヤ34に接触するのを防止している。さらに、切欠き部42の内側に、凹部14の深さ方向に延びたリッジ46を形成しており、肉薄になっている切欠き部42を補強して、ハウジング12全体の強度を高めている。グリッド44やリッジ46は、ハウジング12と一体に形成されるのが好ましい。
(第2変形例)
図8は、本実施の形態の第2の変形例であり、切欠き部42が4つ形成され、遮光部22が4つに分離している。この変形例は、4つの切欠き部42を均等に配置することにより、切欠き部42が1つ又は2つの形態に比べて、発光パターンをより改善することができる。
この変形例では、切欠き部42の長さC=C+C+C+C、残存している遮光部22の長さD=D+D+D+Dとして、切欠き部42の割合C/(C+D)を算出することができる。
また、凹部14底部18のリードフレーム間にグリッド44が形成されており、発光素子28や保護素子をダイボンドするときの接着剤が、導電ワイヤ34に接触するのを防止している。グリッド44は、ハウジング12と一体に形成されるのが好ましい。
[実施の形態3]
図9A〜図9Dに示す実施の形態3の発光装置10は、実施の形態1及び2で説明した上面発光型発光装置とは異なり、薄型の液晶のバックライトに適した側面発光型発光装置である。そのため、ハウジング12、リード電極32の形状が異なっており、また保護素子30を実装しない形態をとっているが、それらを除いて、実施の形態1及び2と同様である。
扁平形状のハウジング12は、発光面12aに開口した凹部14を備え、その凹部14の底部18には、部分的にリード電極32が露出している。リード電極32の上には、発光素子28がダイボンドされ、さらに導電ワイヤ34によってリード電極32と導通されている。リード電極32の表面には、発光素子28にダイボンド位置の両側に、2本のグリッド44が平行に形成されており、発光素子28やダイボンドするときの接着剤が、導電ワイヤ34をワイヤボンディングする位置まで広がることを防止している。
リード電極32は、ハウジング12を貫通して外部電極320まで伸びているので、外部電極320に電圧をかけることにより発光素子28に給電することができる。なお、この例では外部電極320はハウジング32の側壁から突出しているが、必要に応じて外部電極320を折り曲げてハウジング32に沿わせるようにすることができる。
凹部14の内壁面16と開口部内縁20との間には、遮光部22が形成されており、開口部38の開口部内縁20が、発光素子28の発光に直接照射されることがないように配置されている。遮光部22は、その頂部がハウジング12の発光面12aよりも低い位置になるように形成されている。本実施の形態では凹部14の開口部の形状が多角形(この図では6角形)になっているので、遮光部22は、その多角形の各辺に沿って直線状に形成されている。
凹部14の内部には、透光性の封止材料が遮光部22を越えて充填されている。つまり、透光性の封止材料26は、遮光部22の最頂部よりも高い位置にあるハウジング12の発光面12aと略同一平面まで充填されている。この封止樹脂26は、発光素子28を外部環境から保護する機能がある。また、ハウジング12の凹部14内は、遮光部22よりも低い位置にある第1領域Rと、遮光部22の頂部よりも高い位置にある第2領域Rに区分される。
本実施の形態のようにハウジング12の寸法が小さくされる場合には、遮光部22の背面にある溝部24への樹脂流れが悪くなり、封止樹脂26内に空気が封入されることがある。これを防止するには、遮光部22の一部を除去しておくのが効果的である。遮光部22を除去する位置は任意に設定できるが、例えば図9A及び9Cでは、発光素子26からの距離の離れた4つの隅部の遮光部22を除去してある。発光素子26からの距離が離れていると、直接光が到達するまでに散乱されて強度が小さくなりやすいので、開口部内縁20の材料劣化が起こりにくいので好ましい。
図9Cは、図9AのC−C線に沿った断面図であるが、このC−C線は、遮光部22を除去された2つの隅部を通っている。図9Cに示すように、遮光部22が除去された隅部の凹部内壁面には段差が形成されている。この段差の上面は、粗面化されているのが好ましく、ハウジング12と封止樹脂26との接着力を向上させることができる。段差上面を粗面化するには、例えばハウジング12の形成に用いる金型で、段差上面に相当する成形面を放電加工により粗面にする方法が採用できる。
(試料の調整)
図1Aに示したハウジング12の凹部14に、蛍光体粒子を含有する封止樹脂26をポッティングして、蛍光体粒子の沈降の状態を観察した。
凹部14の寸法は、底部18の直径が1.7mm、遮光部22の頂部の内径が1.8mm、外径が2.1mm、頂部の幅が0.3mm、開口部内縁20の直径が2.4mm、ハウジング12の発光面12aからの深さが0.8mmである。
封止樹脂26には、シリコーン樹脂(比重:1.4、ヤング率:0.3〜4MPa、線膨張係数:200〜400(10−6/℃)、粘度:1000〜20000(mPa・s))を使用した。蛍光体粒子は、平均粒径5.0±0.7μmの(Y0.98Gd0.022.85Ce0.15Al512(比重4.6)を使用した。
まず、ハウジング12の底部18に発光素子28と保護素子30とをダイボンド及びワイヤボンドにより実装した。その後に、ハウジング12の凹部14に、蛍光体粒子を19重量%の割合で混合したシリコーン樹脂を、充填した。その状態で静置して、シリコーン樹脂をおよそ17時間かけて硬化させた。
(試料の観察)
得られた試料を、凹部14の中央を通る面で切断して、切断面を金属顕微鏡(OLYMPUS社製、MODEL BX60)により観察した。観察時の条件は、倍率5倍で、フィルターを用いて明視野とした。本実施例の断面写真を図11に示す。
(観察結果)
図10では、蛍光体粒子は黄色い粒状物質として確認することができる。図10から、以下のことが確認できる。
多くの蛍光体粒子が凹部14の底面に沈降して、凹部14の底面18、発光素子28及び保護素子30の上面に、高密度な蛍光体粒子層が形成されている(図中の破線で示す)。この蛍光体粒子層が、本発明の第1の発光装置10における第1封止層261に相当する。フィルター等の使用や光の照射方法を変更すると、さらに第1封止層261の界面を視認しやすくなる。
また、蛍光体粒子層の厚さはほぼ均一であるが、発光素子28及び保護素子30が実装されている部分では、第1封止層261が部分的に盛り上がっている。このように部分的に盛り上がった形態では、本発明で規定した「第1封止層261の厚さ」は、底部18から、最も盛り上がった第1封止樹脂層261の頂部(この例では、図中右側の保護素子30の上に形成された第1封止樹脂層261)までの距離となる。本発明の第1封止層261の厚さは、封止樹脂26の厚さの30%程度であると見積もることができる。
遮光部22の外側に形成された溝部24の内側にも、蛍光体粒子が堆積していることが確認される。しかしながら、溝部24には発光素子28からの直接光が到達しないので、溝部24内の蛍光体粒子が、本発明において問題となる光の散乱には影響を与えない。
なお、後述の実施例2と比較すると、本実施例の試料は、凹部14の内壁面16に蛍光体粒子がほとんど付着していない。本実施例のハウジング12では、凹部14の内壁面16が底面18に対してほぼ垂直であるため、蛍光体粒子を含む封止樹脂28が円滑に底面18方向に充填され、蛍光体粒子が底面18側に沈降したためであると考えられる。
このように、封止樹脂26を1段階で形成した場合に、本発明の発光装置に適した粒状添加物の分布状態を実現できることが明らかになった。
(試料の調製及び観察)
図9Aに示したハウジング12の凹部14に、蛍光体粒子を含有する封止樹脂26をポッティングして、蛍光体粒子の沈降の状態を観察した。
凹部14は、発光面12a方向から観察して細長い形状をしており、凹部の開口部の幅は、発光面12の中央から両端に向かって小さくなっており、中央付近で最大幅になっている。つまり、発光面12a方向から観察して、開口部の両端から、それぞれ、開口部の長手方向の幅1/3ほどの位置まで、発光面が大きくなるように、凹部14の内壁面16の一方が他方に向かって傾斜しており、両端が最も狭幅になっている。
凹部14の底部18の寸法は、長さが2.5mm、最大幅が0.65mm、最小幅が0.4mmであり、ハウジング12の発光面12aから底面18までの深さが0.6mmである。また、凹部14の内壁面16は、底部18から開口部38に向かって凹部の内径が徐々に広がるように、全体が僅かに傾斜している。また、凹部の内壁面に形成された遮光部22は、幅が0.1mm、高さが0.08mmである。
本実施例では、発光素子28と保護素子30とを実装せずに試料を調製した。シリコーン樹脂及び蛍光体粉末は、実施例1と同じものを使用した。ハウジングの凹部14に、蛍光体粒子を19重量%の割合で混合したシリコーン樹脂を充填し、その状態で静置して、シリコーン樹脂をおよそ17時間かけて硬化させた。
得られた試料は、図9AのD−D断面で切断して、実施例1と同様に観察した。本実施例の断面写真を図11に示す。
図11では、蛍光体粒子は黄色い粒状物質として確認することができる。図11から、以下のことが確認できる。
(1)多くの蛍光体粒子が凹部14の底面に沈降して、底面に高密度な蛍光体粒子層が形成されている。この蛍光体粒子層が、本発明の第1の発光装置10における第1封止層261に相当する。
(2)凹部14の内壁面16にも蛍光体粒子が付着している。これは、蛍光体粒子が沈降している間に内壁面16と接触すると、内壁面16との摩擦によって沈降速度が遅くなったため、封止樹脂26の硬化が完了するまでに沈降しきらなかったものであると考えられる。その結果、内壁面16近傍の蛍光体粒子層が、凹部の底面から内壁面に沿って這い上がったような状態が観察される。
(3)遮光部22の外側に形成された溝部24の内側にも、蛍光体粒子が堆積している。
図11の写真から、凹部14の中央付近に存在する蛍光体粒子は、上記(1)の第1封止層261のみであった。また、第1封止層261の界面は、視認によって明確に規定できることもわかった。
上記(2)の内壁面近傍の蛍光体粒子の密度は、それほど高くないので、光の散乱に対して十分な効果を与えるとは考えにくい。
上記(3)の溝部24に堆積した蛍光体粒子は、溝部24に直接光が到達しないので、本発明において問題となる光の散乱には影響を与えない。
このように、封止樹脂26を1段階で形成した場合に、本発明の発光装置に適した粒状添加物の分布状態を実現できることが明らかになった。
本発明の発光装置は、自動車用前照灯や車内光源のように、高出力かつ高信頼性が必要な発光装置に利用可能である。
実施の形態1に係る発光装置の概略斜視図である。 実施の形態1に係る発光装置の概略上面図である。 実施の形態1に係る発光装置を、図1BのY−Y線に沿って切断した概略断面図である。 実施の形態1の第1変形例に係る発光装置の概略上面図である。 実施の形態1の第1変形例に係る発光装置を、図2AのY−Y線に沿って切断した概略断面図である。 実施の形態1の第2変形例に係る発光装置の概略斜視図である。 実施の形態1の第2変形例に係る発光装置の概略上面図である。 実施の形態2に係る発光装置の概略上面図である。 実施の形態2に係る発光装置の概略上面図である。 実施の形態2の第1変形例に係る発光装置の概略上面図である。 実施の形態2の第1変形例に係る発光装置の概略斜視図である。 実施の形態2の第1変形例に係る発光装置の概略上面図である。 実施の形態2の第2変形例に係る発光装置の概略上面図である。 実施の形態3に係る発光装置の概略上面図である。 実施の形態3に係る発光装置を、図9AのB−B線に沿って切断した概略断面図である。 実施の形態3に係る発光装置を、図9AのC−C線に沿って切断した概略断面図である。 実施の形態3に係る発光装置を、図9AのD−D線に沿って切断した概略断面図である。 実施例1に係る試料の断面写真である。 実施例2に係る試料の断面写真である。
符号の説明
10 発光装置、 12 ハウジング、 12a 発光面、 14 凹部、 16 凹部の内壁面、 18 凹部の底部、 20 開口部内縁、 22 遮光部、 24 溝部、 26 透光性の封止材料、 261 第1封止層、 262 第2封止層、 28 発光素子、 30 保護素子、 32 リード電極、 320 外部電極、 34 導電ワイヤ、 36 凸部、 38 開口部、 40 開口部の角部、 42 切欠き部、
第1領域、 R 第2領域、 T 第1封止層の厚さ、 T 第2封止層の厚さ。

Claims (7)

  1. 一対の電極を有する発光素子と、
    前記発光素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
    前記凹部の底部に露出した第1リード電極及び第2リード電極と、
    前記半導体素子の一対の電極と、前記第1リード電極及び前記第2リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、
    前記凹部に充填された透光性の封止材料と、
    前記封止材料に含有された粒状添加物と、を備えた発光装置であって、
    前記凹部の内壁面は、前記発光素子から前記凹部の開口部内縁に照射される光を遮光する遮光部を備えており、
    前記封止材料中の前記粒状添加物の添加量は、前記遮光部より下側の第1領域では、光の散乱を高める量に調整されており、かつ、前記遮光部より上側の第2領域では、光の散乱を抑制する量に調整されていることを特徴とする発光装置。
  2. 一対の電極を有する発光素子と、
    前記発光素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
    前記凹部の底部に露出した第1リード電極及び第2リード電極と、
    前記半導体素子の一対の電極と、前記第1リード電極及び前記第2リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、
    前記凹部に充填された透光性の封止材料と、
    前記封止材料に含有された粒状添加物と、を備えた発光装置であって、
    前記凹部の内壁面は、前記発光素子から前記凹部の開口部内縁に照射される光を遮光する遮光部を備えており、
    前記封止材料の前記凹部の底部側は、前記粒状添加物を含有する第1封止層であり、
    前記第1封止層の厚さが前記封止材料の厚さの10%〜80%で、且つ前記第1封止層の上面が前記遮光部の上端よりも下側にあることを特徴とする発光装置。
  3. 一対の電極を有する発光素子と、
    前記発光素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
    前記凹部の底部に露出した第1リード電極及び第2リード電極と、
    前記半導体素子の一対の電極と、前記第1リード電極及び前記第2リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、
    前記凹部に充填された透光性の封止材料と、
    前記封止材料に含有された粒状添加物と、を備えた発光装置であって、
    前記凹部の内壁面は、前記発光素子から前記凹部の開口部内縁に照射される光を遮光する遮光部を備えており、
    前記封止材料中における粒径2.0μm以上の前記粒状添加物の最大密度が、前記遮光部より下側の第1領域に比べて、前記遮光部より上側の第2領域で低く、
    前記第2領域の前記粒状添加物の前記最大密度が、前記第1領域の前記粒状添加物の前記最大密度の80%以下であることを特徴とする発光装置。
  4. 前記粒状添加物が、前記発光素子の発光を反射する吸収して異なる波長に変換する蛍光体粒子を含み、
    粒径2.0μm以上の前記蛍光体粒子の最大密度が、前記第1領域に比べて前記第2領域で低く、
    前記第2領域の前記蛍光体粒子の前記最大密度が、前記第1領域の前記蛍光体粒子の前記最大密度の50%以下であることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記封止樹脂が、シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
  6. 前記遮光部が部分的に切り欠かれた切欠き部を備えており、前記切欠き部に対応する前記凹部の底部に、前記発光素子を電気的に保護するための保護素子が固定されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光装置。
  7. 前記切欠き部を設けなかった場合の前記遮光部の長さに対して、前記切欠き部の長さの割合が50%以下になるように、切欠き部が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
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