JP2020109850A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高光束の赤色発光が可能な発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】成形体に、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する発光素子を配置することと、６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有し、下記式（Ｉ）で表される組成を有する蛍光体の含有率が５０重量％以上７５重量％以下である蛍光体含有樹脂組成物を硬化させて発光素子上に蛍光部材を形成することと、を含み、ＣＩＥ１９３１における色度座標のｘ値が０．６４０以上である光を発する発光装置の製造方法を提供する。ＣａｓＳｒｔＥｕｕＳｉｖＡｌｗＮｘ（Ｉ）（式（Ｉ）中、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗおよびｘは、０．２５≦ｓ≦０．５、０．４≦ｔ≦０．７５、０．０１≦ｕ≦０．０４、０．８≦ｓ＋ｔ＋ｕ≦１．１、０．８≦ｖ≦１．２、０．８≦ｗ≦１．２、１．８≦ｖ＋ｗ≦２．２、２．５≦ｘ≦３．２を満たす。）【選択図】図３

Description

本開示は、発光装置の製造方法に関する。

近年、省エネルギー性に優れた発光素子として、発光ダイオード（Light Emitting Diode：以下「ＬＥＤ」ともいう。）が広く利用されている。例えば、赤色の単色光を発光するＬＥＤは車載分野においてストップランプ等に用いられている。一方で、単色光を発光するＬＥＤに代えて、例えば特許文献１には、紫外線から青色光を発する発光素子と、この発光素子からの光を吸収して波長変換を行う蛍光体とを備え、赤色に発光する発光装置が開示されている。

国際公開第２０１４／１２５７１４号

しかしながら、発光素子と蛍光体とを組み合わせた赤色発光の発光装置においては、光束の更なる向上が求められている。

本開示に係る一実施形態は、高光束の赤色発光が可能な発光装置を提供することを目的とする。

本開示に係る第一態様は、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有する発光素子と、６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有し、下記式（Ｉ）で表される組成を有する蛍光体を含む蛍光部材と、を備え、ＣＩＥ１９３１における色度座標のｘ値が０．６４０以上である光を発する発光装置である。
Ｃａ_ｓＳｒ_ｔＥｕ_ｕＳｉ_ｖＡｌ_ｗＮ_ｘ （Ｉ）
式（Ｉ）中、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗおよびｘは、０．２５≦ｓ≦０．５、０．４≦ｔ≦０．７５、０．０１≦ｕ≦０．０４、０．８≦ｓ＋ｔ＋ｕ≦１．１、０．８≦ｖ≦１．２、０．８≦ｗ≦１．２、１．８≦ｖ＋ｗ≦２．２、２．５≦ｘ≦３．２を満たす。

本開示に係る第二態様は、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有する発光素子と、６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有し、上記式（Ｉ）で表される組成を有する蛍光体を含む蛍光部材と、を備え、ＣＩＥ１９３１の色度図において色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．５００，０．２８０）、（０．５４０，０．３４０）、（０．６２５，０．３７５）、（０．７３５，０．２６２）及び（０．６００，０．２００）の各点をこの順に直線で連結して囲まれる色度範囲に含まれる光を発する発光装置である。

本開示に係る一実施形態によれば、高光束の赤色発光が可能な発光装置を提供することができる。

本実施形態に係る発光装置の一例を示す概略断面図である。 本実施形態に係る蛍光体の波長に対する反射率を示す反射スペクトルの例である。 本実施形態に係る発光装置の波長に対する相対発光強度を示す発光スペクトルの例である。 比較例１に係る発光装置の断面の一部を示す拡大画像である。 実施例１に係る発光装置の断面の一部を示す拡大画像である。 実施例２に係る発光装置の断面の一部を示す拡大画像である。 実施例３に係る発光装置の断面の一部を示す拡大画像である。 実施例４に係る発光装置の断面の一部を示す拡大画像である。

以下、本開示に係る発光装置を、実施の形態に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明を以下のものに限定しない。なお、色名と色度座標との関係、光の波長範囲と単色光の色名との関係等は、ＪＩＳ Ｚ８１１０に従う。また組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。

［発光装置］
本実施形態に係る発光装置は、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有する発光素子と、６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有し、下記式（Ｉ）で表される組成を有する蛍光体を含む蛍光部材と、を備え、ＣＩＥ１９３１における色度座標のｘ値が０．６４０以上である光を発する。
Ｃａ_ｓＳｒ_ｔＥｕ_ｕＳｉ_ｖＡｌ_ｗＮ_ｘ （Ｉ）
式（Ｉ）中、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗおよびｘは、０．２５≦ｓ≦０．５、０．４≦ｔ≦０．７５、０．０１≦ｕ≦０．０４、０．８≦ｓ＋ｔ＋ｕ≦１．１、０．８≦ｖ≦１．２、０．８≦ｗ≦１．２、１．８≦ｖ＋ｗ≦２．２、２．５≦ｘ≦３．２を満たす。

特定の波長範囲に発光ピーク波長を有する特定組成の蛍光体を、発光装置の発光色が特定の色度座標のｘ値を有するように含む蛍光部材を備えることで、高光束な赤色発光の発光装置を構成することができる。また発光装置は、色純度の高い赤色光を発することができる。

発光装置は高光束の赤色光を発することができる。発光装置が発する光は、ＣＩＥ１９３１における色度座標のｘ値が０．６４０以上であり、０．６６０以上又は０．６７０以上とすることができる。ｘ値の上限は、例えば０．７２０以下である。また色度座標のｙ値は例えば、０．３００以上０．３４０以下又は０．３１０以上０．３３０以下とすることができる。

発光装置は、ＣＩＥ１９３１の色度図において色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．５００，０．２８０）である第一点、（０．５４０，０．３４０）である第二点、（０．６２５，０．３７５）である第三点、（０．７３５，０．２６２）である第四点及び（０．６００，０．２００）である第五点の各点をこの順に直線で連結し、さらに第五点と第一点を直線で連結して囲まれる色度範囲に含まれる光を発する発光装置であってもよい。特定の波長範囲に発光ピーク波長を有する特定組成の蛍光体を、発光装置の発光色が特定の色度座標を有するように含む蛍光部材を備えることで、高光束な赤色発光の発光装置を構成することができる。発光装置において、第五点の色度座標は（０．６５０，０．２２０）であってもよい。

本実施形態に係る発光装置は、波長に対する発光強度を示す発光スペクトルが、少なくとも実質的に単一ピーク形状であり（以下、「主発光ピーク」ともいう）、最大発光強度（発光装置の発光ピーク強度）の発光ピーク波長が６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下、６４０ｎｍ以上６６０ｎｍ以下、又は６４５ｎｍ以上６５５ｎｍ以下の範囲にあり、主発光ピークの半値幅が例えば、１００ｎｍ以下又は９５ｎｍ以下である。また主発光ピークの半値幅は例えば７５ｎｍ以上又は８０ｎｍ以上である。ここで主発光ピークは主として蛍光体の発光に由来するピークであり、発光素子自体の発光によるピーク部分は含まない。

発光装置の発光スペクトルは、最大発光強度（発光装置の発光ピーク強度）に対する発光素子の発光ピーク波長における発光強度の強度比率が例えば、２％以下であり、１．９％以下又は１．８％以下とすることができる。強度比率は例えば、０．２％以上であり、０．２５％以上又は０．３％以上である。強度比率が上記上限値以下であると色純度がより向上する傾向があり、上記下限値以上であると発光効率が向上してより高光束を達成できる傾向がある。

本実施形態に係る発光装置１００を図１に基づいて詳細に説明する。発光装置１００は、表面実装型発光装置の一例である。発光装置１００は、可視光の短波長側（例えば、３８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲）の光を発し、発光ピーク波長が４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内にある窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子１０と、発光素子１０を載置する成形体４０とを有する。成形体４０は、第１のリード２０および第２のリード３０と、樹脂部４２とが一体的に成形されてなるものである。成形体４０は底面と側面を持つ凹部を形成しており、凹部の底面に発光素子１０が載置されている。発光素子１０は一対の正負の電極を有しており、その一対の正負の電極はそれぞれ第１のリード２０および第２のリード３０とワイヤ６０を介して電気的に接続されている。発光素子１０は蛍光部材５０により被覆されている。蛍光部材５０は例えば、発光素子１０からの光を波長変換する蛍光体７０と樹脂とを含有してなる。

図１では、蛍光体７０は蛍光部材５０中において発光素子１０側に偏在している。すなわち図１では、蛍光部材５０が蛍光体７０を含み、発光素子１０に近接する第一層（「堆積層」ともいう）と、第一層上に形成され、蛍光体７０を実質的に含まない第二層（「樹脂層」ともいう）とを含んで構成されている。このように発光素子１０に接近して蛍光体７０が配置されることにより、発光素子１０からの光を効率よく波長変換することができ、発光効率の優れた発光装置とすることができる。なお、蛍光部材５０における蛍光体７０と発光素子１０との配置は、それらを接近して配置させる形態に限定されることなく、蛍光体７０への発光素子１０からの熱の影響を考慮して、蛍光部材５０中で発光素子１０と蛍光体７０との間隔を空けて配置することもできる。また、蛍光体７０を蛍光部材５０の全体にほぼ均一の割合で混合することによって、色ムラがより抑制された光を得るようにすることもできる。

発光装置１００では、蛍光部材５０が式（Ｉ）で表される組成を有する蛍光体とは異なる組成を有する蛍光体を含む場合に比べて、発光素子の直上における蛍光体７０を含む第一層の厚みが薄く形成できる。これにより発光装置１００の光束がより大きくなる傾向がある。第一層の厚みは例えば１８０μｍ以下、好ましくは１７０μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、更に好ましくは１４０μｍ以下であり、下限値は例えば３０μｍ以上である。また、発光素子の直上における蛍光部材の厚みに対する第一層の厚みの比率（第一層の厚み／蛍光部材の厚み）は、例えば７５％以下、好ましくは７０％以下、より好ましくは６０％以下であり、また下限値は例えば３０％以上である。なお、発光素子の直上における第一層及び第二層の厚みは、発光装置の断面観察において、蛍光体の存在が確認できる部分の厚みを第一層の厚みとし、蛍光体の存在が確認できない部分の厚みを第二層の厚みとし、第一層と第二層の厚みの和を蛍光部材の厚みとする。

また発光装置１００は、発光素子の直上における蛍光部材の厚みに対する第一層の厚みの比率（第一層の厚み／蛍光部材の厚み）が、例えば８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上となるように蛍光部材５０が構成されていてもよい。すなわち、蛍光部材５０における樹脂の含有量が、蛍光体７０の含有量に比べて少なくなるように構成されていてもよい。

蛍光部材５０は、例えば蛍光体７０と樹脂とを含む材料を、成形体４０の凹部に配置して発光素子１０を被覆することで形成することができる。一般に蛍光体７０と樹脂との間には比重差があるため、成形体４０の底面方向に重力がかかる状態とすることで蛍光体７０を底面方向に沈降させて蛍光部材５０中に蛍光体７０の堆積層を形成することができる。また遠心力等の加速度を底面方向に加えることで、蛍光体７０を沈降させることもできる。蛍光部材５０を構成する樹脂は、熱硬化性樹脂であってもよく、蛍光体７０を沈降させた後に熱処理して硬化させることで、蛍光体７０が偏在した状態の蛍光部材５０を形成することができる。

発光素子
発光素子１０の発光ピーク波長は、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内にあり、４００ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の範囲内にあることが好ましい。

発光素子１０の発光スペクトルの半値幅は例えば、３０ｎｍ以下とすることができる。発光素子１０として、例えば、窒化物系半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、ここでＸおよびＹは、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１を満たす）を用いた半導体発光素子を用いることが好ましい。励起光源として半導体発光素子を用いることによって、高効率で入力に対する出力のリニアリティが高く、機械的衝撃にも強い安定した発光装置を得ることができる。

蛍光部材
蛍光部材５０は、少なくとも蛍光体７０を含み、必要に応じてその他の蛍光体、樹脂、光拡散材等を含むことができる。蛍光体７０は、ＣａおよびＳｒを含むアルカリ土類金属と、Ａｌと、Ｅｕとを組成に含むシリコンナイトライドを含み、６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲に蛍光のピーク波長を有する窒化物蛍光体の少なくとも１種を含む。シリコンナイトライドの組成はＳｒの含有率がＣａの含有率以上であることが好ましい。

蛍光体７０は、実質的に下記式（Ｉ）で表される組成を有する。
Ｃａ_ｓＳｒ_ｔＥｕ_ｕＳｉ_ｖＡｌ_ｗＮ_ｘ （Ｉ）
式(Ｉ)中、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗおよびｘは、０．２５≦ｓ≦０．５、０．４≦ｔ≦０．７５、０．０１≦ｕ≦０．０４、０．８≦ｓ＋ｔ＋ｕ≦１．１、０．８≦ｖ≦１．２、０．８≦ｗ≦１．２、１．８≦ｖ＋ｗ≦２．２、２．５≦ｘ≦３．２を満たす。

ｓは例えば、ｗに対して０．３以上０．４５以下、又は０．３３以上０．４２以下とすることができる。ｔは例えば、ｗに対して０．４５以上０．６以下、又は０．４６以上０．５７以下とすることができる。ｕは例えば、ｗに対して０．０１以上０．０２５以下、又は０．０１２以上０．０２２以下とすることができる。ｓ＋ｔ＋ｕは例えば、ｗに対して０．８５以上１以下、又は０．８７以上０．９５以下とすることができる。ｖは例えば、ｗに対して１以上１．１以下、又は１．０１以上１．０７以下とすることができる。

蛍光体７０の組成は、その他の成分としてＢａ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｂ、Ｃｅ、ＭｎおよびＴｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素を発光特性、特に発光強度と発光色相に影響を与えない程度に含んでいてもよい。

蛍光体７０は、組成にフッ素原子を含んでいてもよい。フッ素原子は、例えば蛍光体７０の製造方法に由来して含有され得る。蛍光体７０がフッ素原子を含む場合、その含有量は例えば、アルミニウムに対して６モル％以下であり、１×１０^−３モル％以上６モル％以下が好ましく、３×１０^−３モル％以上４モル％以下がより好ましく、５×１０^−３モル％以上１．５モル％以下が更に好ましい。フッ素原子の含有量が前記範囲内であると発光効率が向上する傾向がある。

蛍光体７０は、酸素成分を含んでいてもよい。酸素成分は例えば、蛍光体７０の組成に含まれていてもよいし、アルカリ土類金属、アルミニウム、ケイ素等の酸化物、酸窒化物等の不純物として含まれていてもよい。蛍光体７０が酸素成分を含む場合、その含有量は例えば、アルミニウムに対する酸素原子として５モル％以上５０モル％以下であり、６モル％以上４０モル％以下であることが好ましく、７モル％以上３０モル％以下であることがより好ましく、７モル％以上１５モル％以下が更に好ましく、７モル％以上１２モル％以下が更に好ましい。酸素原子の含有量が前記範囲内であると発光効率が向上する傾向がある。

蛍光体７０の組成は、蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）、イオンクロマトグラフィー（ＩＣ）、誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ−ＡＥＳ）等を用いて常法により測定することができる。

蛍光体７０の発光ピーク波長は６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下であるが、好ましくは６４０ｎｍ以上６６０ｎｍ以下、又は６４５ｎｍ以上６５５ｎｍ以下である。蛍光体７０の比重は、例えば３．３ｇ／ｃｍ^３以上、３．６ｇ／ｃｍ^３以上又は３．７ｇ／ｃｍ^３以上であり、また例えば４．３ｇ／ｃｍ^３以下、４．１ｇ／ｃｍ^３以下又は３．９ｇ・ｃｍ^３以下である。蛍光体の比重が前記下限値以上であると、蛍光部材中で蛍光体を沈降させる場合の生産性が向上し、蛍光体の堆積層をより緻密に構成することができる。これにより蛍光体の堆積層における散乱損失を抑制することができる。

蛍光体７０の反射率は例えば、波長４５０ｎｍにおいて１０％以下であり、８％以下が好ましく、７％以下がより好ましい。反射率が前記上限値以下であると、発光素子の発光を効率よく吸収することができ、所望の発光特性を得るのに要する蛍光体量を低減することができる。反射率の下限値は例えば、３％以上である。なお、蛍光体７０の反射率は、固体試料について分光光度計を用いて測定される。反射率の基準としてはリン酸水素カルシウム（ＣａＨＰＯ_４）を用いる。すなわち、蛍光体７０の反射率は、リン酸水素カルシウムを基準試料とした相対反射率として求められる。

蛍光体７０の体積平均粒径は例えば、５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上又は１５μｍ以上とすることができ、４０μｍ以下、３０μｍ以下又は２５μｍ以下とすることができる。体積平均粒径が前記下限値以上であると蛍光体からの発光強度が向上する傾向があり、前記上限値以下であると発光装置を製造する際の作業性が向上する傾向がある。体積平均粒径は、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＭＡＲＶＥＲＮ（マルバーン）社製、ＭＡＳＴＥＲ ＳＩＺＥＲ（マスターサイザー）３０００）を用いて、求められる数値であり、小径側からの体積累積頻度が５０％に達する平均粒径（Ｄｍ：メジアン径）である。

蛍光部材における蛍光体７０の含有量は例えば、樹脂に対して４０重量％以上８０重量％以下であり、４０重量％以上７５重量％以下が好ましく、５０重量％以上７５重量％以下がより好ましく、５５重量％以上７２重量％以下が更に好ましい。含有量が前記下限値以上であると、色純度のより高い発光が得られる傾向がある。また含有量が前記上限値以下であると、蛍光体による光の散乱損失が減少し、より高光束を達成できる傾向がある。

蛍光体７０は、例えば、Ｅｕ源と、ＣａおよびＳｒを含むアルカリ土類金属源と、Ａｌ源と、Ｓｉ源とを含む原料混合物を熱処理することを含む製造方法で製造される。原料混合物はアルカリ土類金属フッ化物を更に含むことが好ましい。アルカリ土類金属フッ化物を含む原料混合物を用いることで、より高い発光効率を有する蛍光体を製造することができる。

Ｅｕ源としては、ユウロピウム化合物、ユウロピウム金属単体、ユウロピウム合金等が挙げられる。ユウロピウム化合物としては、ユウロピウムを含む酸化物、水酸化物、窒化物、酸窒化物、フッ化物、塩化物等を挙げることができる。ユウロピウム化合物として具体的には、酸化ユウロピウム（Ｅｕ_２Ｏ_３）、窒化ユウロピウム（ＥｕＮ）、フッ化ユウロピウム（ＥｕＦ_３）等を挙げることができる。窒化ユウロピウム（ＥｕＮ）は、目的とする蛍光体組成の元素のみで構成されているため、不純物の混入をより効果的に抑制できる。また、酸化ユウロピウム（Ｅｕ_２Ｏ_３）、フッ化ユウロピウム（ＥｕＦ_３）はフラックスとして作用することがあり、好ましく用いられる。ユウロピウム化合物は１種単独でも、２種以上を組合せて用いてもよい。

Ｅｕ源は、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等の希土類元素を含んでいてもよい。

アルカリ土類金属源としては、アルカリ土類金属化合物、アルカリ土類金属単体、アルカリ土類金属を含む合金等が挙げられる。アルカリ土類金属化合物としては、アルカリ土類金属を含む水素化物、酸化物、水酸化物、窒化物、酸窒化物、塩化物、アミド化合物、イミド化合物等を挙げることができ、水素化物、窒化物等が好ましい。またアルカリ土類金属源は、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）等を含んでいてもよい。

Ａｌ源としては、アルミニウム化合物、アルミニウム金属単体、アルミニウム合金等を挙げることができる。アルミニウム化合物としては、アルミニウムを含む酸化物、水酸化物、窒化物、酸窒化物、フッ化物、塩化物等を挙げることができる。アルミニウム化合物として具体的には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）_３）等を挙げることができ、これらからなる群から選択される少なくとも１種を用いることが好ましく、窒化アルミニウムがより好ましい。窒化アルミニウムは目的とする蛍光体組成の元素のみで構成されているため、不純物の混入をより効果的に抑制できる。窒化アルミニウムは、例えば、酸素や水素を含むアルミニウム化合物と比較して、それらの元素の影響を少なくすることができ、金属単体と比較して窒化反応が不要である。アルミニウム化合物は１種単独でも、２種以上を組合せて用いてもよい。

Ａｌ源は、ガリウム、インジウム、バナジウム、クロム、コバルト等の第III族元素を含んでいてもよい。

Ｓｉ源としては、ケイ素化合物、ケイ素単体等を挙げることができる。ケイ素化合物としては、ケイ素を含む酸化物、水酸化物、窒化物、酸窒化物、フッ化物、塩化物等を挙げることができる。ケイ素化合物として具体的には、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ酸塩等を挙げることができ、これらからなる群から選択される少なくとも１種を用いることが好ましく、窒化ケイ素がより好ましい。窒化ケイ素は目的とする蛍光体組成の元素のみで構成されているため、不純物の混入をより効果的に抑制できる。窒化ケイ素は、例えば、酸素や水素を含むケイ素化合物と比較して、それらの元素の影響を少なくすることができ、金属単体と比較して窒化反応が不要である。ケイ素化合物は１種単独でも、２種以上を組合せて用いてもよい。

Ｓｉ源は、ゲルマニウム、スズ、チタン、ジルコニウム、ハフニウム等の第ＩＶ族元素を含んでいてもよい。

原料混合物は、アルカリ土類金属フッ化物の少なくとも１種を含んでいてもよい。アルカリ土類金属フッ化物に含まれるアルカリ土類金属は、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）およびバリウム（Ｂａ）からなる群から選択される少なくとも１種であり、少なくともＳｒとＭｇ、ＣａおよびＢａからなる群から選択される少なくとも１種とを含むことが好ましく、ＳｒおよびＣａの少なくとも一方を含むことがより好ましい。原料混合物がアルカリ土類金属フッ化物を含む場合、その含有量は例えば、Ａｌに対してフッ素原子が２モル％以上２５モル％以下となる量であり、３モル％以上１８モル％以下が好ましく、４モル％以上１３モル％以下がより好ましい。前記モル含有比を前記下限値以上とすることにより、フラックスとしての効果を十分に得ることができる。ある程度の量のフラックスを含むと、フラックスの効果が飽和してしまいそれ以上の量を含んでも効果が見込めないので、前記上限値以下とすることにより、フラックスを必要以上含ませることなくフラックスの効果を得ることができる。

原料混合物は、アルカリ金属土類フッ化物に加えて、それ以外のハロゲン化物等のフラックスを更に含んでいてもよい。ハロゲン化物としては、希土類、アルカリ金属等の塩化物、フッ化物等が挙げられる。原料混合物がフラックスを含む場合、その含有量はアルカリ金属土類フッ化物に対して、例えば２０質量％以下であり、１０質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。

原料混合物は、原料混合物を構成する各成分を所望の配合比になるように秤量した後、ボールミルなどを用いる混合方法、ヘンシェルミキサー、Ｖ型ブレンダ―などの混合機を用いる混合方法、乳鉢と乳棒を用いる混合方法などにより各成分を混合することで得ることができる。混合は、乾式混合で行うこともできるし、溶媒等を加えて湿式混合で行うこともできる。

得られた原料混合物を熱処理することで、高い発光強度を有する蛍光体７０を得ることができる。原料混合物の熱処理温度は、例えば１２００℃以上であり、１５００℃以上が好ましく、１９００℃以上がより好ましい。また熱処理温度は、例えば２２００℃以下であり、２１００℃以下が好ましく、２０５０℃以下がより好ましい。前記下限値以上の温度で熱処理することで、Ｅｕが結晶中に入り込み易く、所望の蛍光体７０が効率よく形成される。また熱処理温度が前記上限値以下であると形成される蛍光体７０の分解が抑制される傾向がある。原料混合物の熱処理は、単一の熱処理温度で行ってもよく、２以上の熱処理温度を含む多段階で行ってもよい。

原料混合物の熱処理における雰囲気は、窒素ガスを含む雰囲気が好ましく、実質的に窒素ガス雰囲気であることがより好ましい。窒素ガスを含む雰囲気とすることにより、原料に含まれ得るケイ素を窒化させることもできる。また、窒化物である原料や蛍光体７０の分解を抑制することができる。

原料混合物の熱処理における圧力は、生成する蛍光体７０の分解を抑制する観点から、圧力は高い方が好ましく、例えば、常圧から２００ＭＰａとすることができる。生成する蛍光体７０の分解を抑制する観点から、圧力は高い方が好ましく、０．１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下が好ましく、０．６ＭＰａ以上１．２ＭＰａ以下が工業的な設備の制約も少なく、より好ましい。

原料混合物の熱処理においては所定温度での保持時間を設けてもよい。保持時間は、例えば０．５時間以上４８時間以下であり、１時間以上３０時間以下が好ましく、２時間以上２０時間以下であることがより好ましい。保持時間を前記下限値以上とすることにより均一な粒子成長をより促進することができる。また、保持時間を前記上限値以下とすることにより蛍光体７０の分解をより抑制することができる。

原料混合物の熱処理は、例えばガス加圧電気炉を用いて行うことができる。原料混合物の熱処理は、例えば原料混合物を、黒鉛等の炭素材質又は窒化ホウ素（ＢＮ）材質のルツボ、ボート等に充填して用いて行うことができる。

原料混合物の熱処理後には、熱処理で得られる蛍光体に解砕、粉砕、分級操作等の処理を組合せて行う整粒工程を含んでいてもよい。整粒工程により所望の粒径の粉末を得ることができる。具体的には、蛍光体を粗粉砕した後に、ボールミル、ジェットミル、振動ミルなどの一般的な粉砕機を用いて所定の粒径に粉砕することができる。ただし、過剰な粉砕を行うと蛍光体粒子表面に欠陥が生じて、発光強度の低下を引き起こすこともある。粉砕で生じた粒径の異なるものが存在する場合には、分級を行い、粒径を整えることもできる。

蛍光部材は、式（Ｉ）で表される蛍光体以外のその他の蛍光体を必要に応じて含んでいてもよい。その他の蛍光体としては、（Ｓｒ，Ｃａ）ＬｉＡｌ_３Ｎ_４：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｓ：Ｅｕ、Ｋ_２（Ｓｉ，Ｔｉ，Ｇｅ）Ｆ_６：Ｍｎ、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ等を挙げることができる。

蛍光部材５０は、蛍光体７０に加えて少なくとも１種の樹脂を含むことができる。樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを挙げることができる。

蛍光部材５０は、蛍光体７０に加えてその他の成分を必要に応じて含んでいてもよい。その他の成分としては、シリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム等のフィラー、光安定化剤、着色剤等を挙げることができる。蛍光部材５０が例えば、その他の成分として、フィラーを含む場合、その含有量は樹脂に対して、０．０１重量％以上２０重量％以下とすることができる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

（蛍光体）
発光装置の製造に先立ち、蛍光体として下表に示す赤色発光の蛍光体１から５をそれぞれ準備し、以下に示す評価方法で評価した。

＜発光特性＞
後述する方法により得られた蛍光体１から５について以下の発光特性を測定した。量子効率測定装置（大塚電子株式会社製、ＱＥ−２０００）を用いて、波長４５０ｎｍの励起光を各蛍光体に照射し、室温（２５℃±５℃）における発光スペクトルを測定した。各蛍光体について、発光強度が最大となる波長を発光ピーク波長（ｎｍ）として求めた。結果を表１に示す。

＜反射率＞
後述する方法により得られた蛍光体１から５について、反射率および反射スペクトルを分光蛍光光度計Ｆ−４５００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定した。波長４５０ｎｍにおけるＣａＨＰＯ_４を基準とした反射率（％）を表１に示す。また蛍光体１、２および４の反射スペクトルを、波長に対する、ＣａＨＰＯ_４を基準とした反射率（％）として図２に示す。

＜体積平均粒径＞
後述する方法により得られた蛍光体１から５について、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＭＡＲＶＥＲＮ（マルバーン）社製、ＭＡＳＴＥＲ ＳＩＺＥＲ（マスターサイザー）３０００）を用いて、小径側からの体積累積頻度が５０％に達する体積平均粒径（Ｄｍ：メジアン径）を測定した。結果を表１に示す。

＜組成分析＞
後述する方法により得られた蛍光体１から５について、ＩＣＰ−ＡＥＳ装置（Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ製）、イオンクロマトグラフィーシステム（ＤＩＯＮＥＸ日本製）、及び酸素・窒素分析装置（ＨＯＲＩＢＡ製）を用いて組成を分析し、Ａｌを０．９又は１とした各構成元素のモル比を表２に示す。
なお、蛍光体１から３についてはフッ素原子が検出されなかったが、蛍光体４および５についてはフッ素原子がアルミニウムに対して６モル％以下の含有量で検出された。

（蛍光体１）
上記式（Ｉ）で示される組成Ｃａ_ｓＳｒ_ｔＥｕ_ｕＳｉ_ｖＡｌ_ｗＮ_ｘにおいて、ｓ＝０．９９２５、ｔ＝０、ｕ＝０．００７５、ｖ＝１．１、ｗ＝０．９を設計値とし、Ｃａ_３Ｎ_２、ＳｒＮ_ｎ（ｎ＝２／３相当）、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４およびＥｕ_２Ｏ_３を原料として用い、これらの原料を設計値になるようになるように、不活性雰囲気のグローブボックス内で計量、混合して原料混合物を得た。この際、ｘはそれぞれの陽イオンの設計値をもとにするとｘ＝３となるように設定し、原料に含まれる酸素の影響は考慮から除外した。原料混合物をルツボに充填し、Ｎ_２ガス雰囲気下、ガス圧０．９２ＭＰａ（ゲージ圧）、１９５０℃で３時間、熱処理した。この蛍光体を蛍光体１とした。
得られた蛍光体１は、各構成元素のモル比が表２に示される化合物であることを確認した。また、蛍光体１の体積平均粒径は１７．０μｍ、発光ピーク波長は６５２ｎｍであり、４５０ｎｍにおける反射率は１６．１％であった。

（蛍光体２）
上記式（Ｉ）で示される組成Ｃａ_ｓＳｒ_ｔＥｕ_ｕＳｉ_ｖＡｌ_ｗＮ_ｘにおいて、ｓ＝０．４、ｔ＝０．６、ｕ＝０．０１５、ｖ＝１、ｗ＝１を設計値とした。すなわち、Ｅｕのモル比およびＳｒのモル比を大きくして、本蛍光体の発光ピーク波長を蛍光体１の発光ピーク波長に近づける設定値とした。それ以外は、蛍光体１の場合と同様にして原料混合物を得た。温度を２０００℃、熱処理の時間を１時間としたこと以外は蛍光体１の場合と同様に熱処理して蛍光体２を製造した。
得られた蛍光体２は、各構成元素のモル比が表２に示される化合物であることを確認した。また、蛍光体２の体積平均粒径は１８．６μｍ、発光ピーク波長は６４９ｎｍであり、４５０ｎｍにおける反射率は６．８％であった。また、蛍光体１の発光強度を１００％とした蛍光体２の相対発光強度は９５．６％であった。

（蛍光体３）
上記式（Ｉ）で示される組成Ｃａ_ｓＳｒ_ｔＥｕ_ｕＳｉ_ｖＡｌ_ｗＮ_ｘにおいて、ｓ＝０．３５、ｔ＝０．６５、ｕ＝０．０２、ｖ＝１、ｗ＝１を設計値とした。すなわち、蛍光体２よりもＥｕのモル比およびＳｒのモル比を大きくして、本蛍光体の発光ピーク波長を蛍光体１の発光ピーク波長に近づける設定値とした。それ以外は、蛍光体１の場合と同様にして原料混合物を得た。原料混合物を蛍光体２の場合と同様に熱処理して蛍光体３を製造した。
蛍光体３の体積平均粒径は１８．２μｍ、発光ピーク波長は６５１ｎｍであり、４５０ｎｍにおける反射率は５．７％であった。また、蛍光体１の発光強度を１００％とした蛍光体３の相対発光強度は９３．０％であった。

（蛍光体４）
原料混合物の組成を蛍光体２と同じ設計値とし、Ｃａ源であるＣａ_３Ｎ_２の７重量％分をＣａＦ_２に変更し、Ｅｕ源のＥｕ_２Ｏ_３をＥｕＮに変更したこと以外は、蛍光体２の場合と同様にして原料混合物を得た。原料混合物を蛍光体２の場合と同様に熱処理して蛍光体４を製造した。
蛍光体４の体積平均粒径は１７．１μｍ、発光ピーク波長は６４９ｎｍであり、４５０ｎｍにおける反射率は６．８％であった。また、蛍光体１の発光強度を１００％とした蛍光体４の相対発光強度は１０４．２％であった。

（蛍光体５）
原料混合物の組成を蛍光体３と同じ設計値とし、Ｃａ源であるＣａ_３Ｎ_２の８重量％分をＣａＦ_２に変更し、Ｅｕ源のＥｕ_２Ｏ_３をＥｕＮに変更したこと以外は、蛍光体３の場合と同様にして原料混合物を得た。原料混合物を蛍光体２の場合と同様に熱処理して蛍光体５を製造した。
蛍光体５の体積平均粒径は１７．３μｍ、発光ピーク波長は６５１ｎｍであり、４５０ｎｍにおける反射率は６．１％であった。また、蛍光体１の発光強度を１００％とした蛍光体５の相対発光強度は１０２．７％であった。

蛍光体１と比較し、蛍光体２から５は体積平均粒径および発光波長は、ほぼ同等であるが、波長が４５０ｎｍの反射率が大幅に低くなっており、波長が４５０ｎｍ付近の光の吸収が高まっていると考えられる。図２に示される反射スペクトルをみると、短波長側での反射率が、蛍光体１に比べて蛍光体２および４は低くなっていることが分かる。また蛍光体２から５は、蛍光体１と比較して比重が大きくなっている。

組成分析から、設計値にほぼ対応する組成の蛍光体が得られており、蛍光体２から５は、上述の式（Ｉ）を満たしていることが分かる。

（比較例１、実施例１から４）
発光装置の作製
発光波長４５４ｎｍの青色発光ＬＥＤ（発光素子）に、表３に示す蛍光体を組み合わせて、以下の様にして発光装置を作製した。
発光装置が発する光の色度座標がｘ＝０．６７５、ｙ＝０．３１５付近となるように、蛍光体をシリコーン樹脂に添加し、混合分散した後、更に脱泡することにより蛍光体含有樹脂組成物を得た。次にこの蛍光体含有樹脂組成物を発光素子の上に注入、充填した。次いで加熱することで樹脂組成物を硬化させた。このような工程により発光装置をそれぞれ作製した。

比較例１、実施例１および３に係る発光装置の、波長に対する相対発光強度を示す発光スペクトルを図３に示す。図３は各発光装置における最大発光強度を基準（１００％）とした相対発光強度を用いた発光スペクトルである。比較例１および実施例１から４に係る発光装置について、成形体４０の底面に直交する断面の一部を拡大した画像を、それぞれ図４から８に示す。図４から８では、成形体４０の底面上に配置された発光素子１０と、発光素子１０を被覆する蛍光体の堆積層５４と、堆積層５４上に配置される樹脂層５２とが示され、発光素子１０の直上における蛍光体の堆積層５４の厚みが両矢印線で示されている。

各発光装置について、蛍光部材中の樹脂に対する蛍光体の重量比率（％）、色度座標、比較例１の発光装置の光束を基準（１００．０％）とした場合の光束比（％）、発光スペクトルの最大発光強度を１００％とした場合の４５４ｎｍ（発光素子の発光ピーク波長）における発光強度の強度比率（％）および発光装置の主発光ピークの半値幅を表３に示す。ここで比較例１は、蛍光体１を使って表３に示す色度座標を得るための最小限の重量の蛍光体を含む発光装置である。また比較例１および実施例１から４に係る発光装置の光束は、積分球を使用した全光束測定装置を用いて測定した。また図４から図８における蛍光体の堆積層５４及び樹脂層５２の厚みを発光素子の直上においてそれぞれ測定し、樹脂層５２と堆積層５４の厚みの和（蛍光部材厚み）に対する堆積層５４の厚み比率（％）を算出した。結果を表４に示す。なお、堆積層５４の厚みは、成形体４０の底面と直交する直線における発光素子１０の上面との交点から、蛍光部材５０中の蛍光体７０の堆積層５４及び樹脂層５２の界面との交点までの距離として計測し、樹脂層５２の厚みは前記直線における堆積層５４及び樹脂層５２の界面との交点から、蛍光部材の表面との交点までの距離として計測した。また厚みの計測は任意に選択した成形体４０の底面と直交する１つの直線上において行った。

表３に示されるように実施例１から４の発光装置においては、比較例１の発光装置と比べて、蛍光体の重量比率が６０重量％から７０重量％と比較例１の１１０重量％より少なくなっており、蛍光体の重量をより少なくしても色度座標が同等の赤色発光が得られている。これは例えば、蛍光体２から５では蛍光体による青色光の吸収が大きくなっているためと考えられ、このことは例えば表１に示されるように蛍光体２から５では４５０ｎｍにおける反射率が蛍光体１よりも低くなっていることと関連している。また、いずれの発光装置でも、ＣＩＥ１９３１における色度座標のｘ値が０．６４０以上となっており、実用に耐え得る色純度の赤色発光である。また発光装置の発光色は、色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．５００，０．２８０）、（０．５４０，０．３４０）、（０．６２５，０．３７５）、（０．７３５，０．２６２）及び（０．６００，０．２００）である各点をこの順に直線で連結して囲まれる色度範囲内に含まれている。

発光素子の発光ピーク波長４５４ｎｍにおける発光強度は、発光スペクトルの最大発光強度を１００％とした場合に、０．２％以上２．０％以下の強度比率であり、発光素子に由来する青色発光の比率は少ない。また発光の強度比率が０．２％以上であると、蛍光体量が適度に抑えられて、光の散乱損失が減少することにより発光効率がより向上する。本実施形態では、蛍光体の重量比率を所定範囲に制御し、発光素子に由来する発光強度を所定の範囲に制御することで発光効率が高い赤色発光装置とすることができる。実施例１から４の発光装置の主発光ピークの半値幅は、８８ｎｍから９１ｎｍであり、赤色発光ＬＥＤの一般的な発光スペクトルの半値幅より大きく、蛍光体１から５の発光スペクトルの半値幅と略同じである。

実施例１および２に対して実施例３および４では、蛍光体の製造時にＣａＦ_２を添加した蛍光体を用いた。実施例３および４では、実施例１および２に比べて更に６％から１０％向上している。実施例３および４では蛍光体の製造時に、ＣａＦ_２を添加したことにより、例えば、得られる蛍光体の結晶状態が改善されることで光束比が大きくなったと考えられる。

表４に示されるように実施例１から４の発光装置では、比較例１の発光装置と比べて発光素子の直上における蛍光体の堆積層の厚みが薄くなっている。このことは実施例１から４の発光装置の方が比較例１の発光装置よりも光束が高いことと関連していると考えられる。これは例えば以下のように考えることができる。実施例１から４に用いられた蛍光体２から５は、比較例１の蛍光体１よりも比重が大きいため、蛍光部材の形成工程において蛍光体粒子が沈降しやすくなる。これにより蛍光体の堆積層がより緻密になり、厚みを比較的薄く形成し易くなる。蛍光体の堆積層の厚みが薄いと蛍光部材中における光の散乱損失が抑制され、発光装置の光束が高くなると考えることができる。

本開示に係る発光装置は、青色発光ダイオードを光源とする発光特性に極めて優れた赤色発光装置であり、車載ストップランプや、照明用光源、ディスプレイ、バックライト光源、警告灯等に好適に利用できる。

１０：発光素子、４０：成形体、５０：蛍光部材、７０：蛍光体、１００：発光装置

Claims (13)

1. 成形体に、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する発光素子を配置することと、
   ６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有し、下記式（Ｉ）で表される組成を有する蛍光体及び樹脂を含み、前記蛍光体の含有率が５０重量％以上７５重量％以下である蛍光体含有樹脂組成物を前記発光素子の上に配置することと、
   前記蛍光体含有樹脂組成物を硬化させて前記発光素子上に蛍光部材を形成することと、を含み、
   前記蛍光体は、波長４５０ｎｍの光に対する反射率が１０％以下で、比重が３．３ｇ／ｃｍ^３以上４．３ｇ／ｃｍ^３以下であり、
   ＣＩＥ１９３１における色度座標のｘ値が０．６４０以上である光を発する発光装置の製造方法。
   Ｃａ_ｓＳｒ_ｔＥｕ_ｕＳｉ_ｖＡｌ_ｗＮ_ｘ （Ｉ）
   （式（Ｉ）中、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗおよびｘは、０．２５≦ｓ≦０．５、０．４≦ｔ≦０．７５、０．０１≦ｕ≦０．０４、０．８≦ｓ＋ｔ＋ｕ≦１．１、０．８≦ｖ≦１．２、０．８≦ｗ≦１．２、１．８≦ｖ＋ｗ≦２．２、２．５≦ｘ≦３．２を満たす。）
2. 成形体に、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する発光素子を配置することと、
   ６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有し、下記式（Ｉ）で表される組成を有する蛍光体及び樹脂を含み、前記蛍光体の含有率が５０重量％以上７５重量％以下である蛍光体含有樹脂組成物を前記発光素子の上に配置することと、
   前記蛍光体含有樹脂組成物を硬化させて前記発光素子上に蛍光部材を形成することと、を含み、
   前記蛍光体は、波長４５０ｎｍの光に対する反射率が１０％以下で、比重が３．３ｇ／ｃｍ^３以上４．３ｇ／ｃｍ^３以下であり、
   ＣＩＥ１９３１の色度図において色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．５００，０．２８０）、（０．５４０，０．３４０）、（０．６２５，０．３７５）、（０．７３５，０．２６２）及び（０．６００，０．２００）である各点をこの順に直線で連結して囲まれる色度範囲内に含まれる光を発する発光装置の製造方法。
   Ｃａ_ｓＳｒ_ｔＥｕ_ｕＳｉ_ｖＡｌ_ｗＮ_ｘ （Ｉ）
   （式（Ｉ）中、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗおよびｘは、０．２５≦ｓ≦０．５、０．４≦ｔ≦０．７５、０．０１≦ｕ≦０．０４、０．８≦ｓ＋ｔ＋ｕ≦１．１、０．８≦ｖ≦１．２、０．８≦ｗ≦１．２、１．８≦ｖ＋ｗ≦２．２、２．５≦ｘ≦３．２を満たす。）
3. 成形体に、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有する発光素子を配置することと、
   ６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲内に発光ピーク波長を有し、下記式（Ｉ）で表される組成を有する蛍光体及び樹脂を含み、前記蛍光体の含有率が５０重量％以上７５重量％以下である蛍光体含有樹脂組成物を前記発光素子の上に配置することと、
   前記蛍光体含有樹脂組成物を硬化させて前記発光素子上に蛍光部材を形成することと、を含み、
   前記蛍光体は、波長４５０ｎｍの光に対する反射率が１０％以下で、比重が３．３ｇ／ｃｍ^３以上４．３ｇ／ｃｍ^３以下であり、
   ＣＩＥ１９３１の色度図において色度座標（ｘ，ｙ）が、（０．５００，０．２８０）、（０．５４０，０．３４０）、（０．６２５，０．３７５）、（０．７３５，０．２６２）及び（０．６５０，０．２２０）である各点をこの順に直線で連結して囲まれる色度範囲内に含まれる光を発する発光装置の製造方法。
   Ｃａ_ｓＳｒ_ｔＥｕ_ｕＳｉ_ｖＡｌ_ｗＮ_ｘ （Ｉ）
   （式（Ｉ）中、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗおよびｘは、０．２５≦ｓ≦０．５、０．４≦ｔ≦０．７５、０．０１≦ｕ≦０．０４、０．８≦ｓ＋ｔ＋ｕ≦１．１、０．８≦ｖ≦１．２、０．８≦ｗ≦１．２、１．８≦ｖ＋ｗ≦２．２、２．５≦ｘ≦３．２を満たす。）
4. 前記蛍光部材は、前記樹脂に対する前記蛍光体の含有率が５５重量％以上７２重量％以下である請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
5. 前記発光装置は、前記発光素子の発光ピーク波長における発光強度が、最大発光強度に対して０．２％以上２％以下である発光スペクトルを有する請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
6. 前記蛍光体は、前記式（Ｉ）において、ｔがｗに対して０．４５以上０．６以下である請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記蛍光体は、体積平均粒径が、５μｍ以上５０μｍ以下である請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記蛍光部材は、前記発光素子の直上において前記蛍光体を含む層の厚みが１８０μｍ以下である請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記蛍光部材は、前記発光素子に近接する第一層と、前記第一層上に形成され、前記蛍光体を含まない第二層とを含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
10. 前記発光素子の直上において、前記蛍光部材の総厚みに対する前記第一層の厚みの比率が７５％以下である請求項９に記載の発光装置の製造方法。
11. 前記蛍光体含有樹脂組成物に、前記成形体の方向に重力及び加速度の少なくとも一方がかかる状態とすることで前記蛍光体含有樹脂組成物中の前記蛍光体を沈降させて前記蛍光体の堆積層を形成することをさらに含む請求項１から１０のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
12. 前記発光装置は、発光スペクトルにおいて、前記蛍光体に由来する発光ピークの半値幅が、９５ｎｍ以下である請求項１から１１のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
13. 前記蛍光体は、組成にフッ素原子を含み、その含有量がアルミニウムに対して１×１０^−３モル％以上６モル％以下である請求項１から１２のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。