JP2019179798A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019179798A
JP2019179798A JP2018067211A JP2018067211A JP2019179798A JP 2019179798 A JP2019179798 A JP 2019179798A JP 2018067211 A JP2018067211 A JP 2018067211A JP 2018067211 A JP2018067211 A JP 2018067211A JP 2019179798 A JP2019179798 A JP 2019179798A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
groove
light emitting
sealing member
emitting device
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018067211A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7082280B2 (ja
Inventor
良男 市原
Yoshio Ichihara
良男 市原
允宏 磯野
Masahiro Isono
允宏 磯野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2018067211A priority Critical patent/JP7082280B2/ja
Priority to US16/369,715 priority patent/US10763407B2/en
Publication of JP2019179798A publication Critical patent/JP2019179798A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7082280B2 publication Critical patent/JP7082280B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】簡単な構造によって、外光の反射による間接グレアや表示コントラストの低下を抑制し得る発光装置を提供する。【解決手段】発光装置は、上面と上面に位置する開口を備えた凹部１１とを有するパッケージ１０と、凹部の底面に配置された発光素子２１、２２、２３と、凹部内に充填された透光性の封止部材３０とを備え、パッケージ１０は、上面において開口を囲む溝１２を有し、溝内の表面は凹凸を有し、封止部材は溝内の表面の少なくとも一部を被覆し、溝内を被覆する封止部材は表面に凹凸を有する。【選択図】図２

Description

本願は発光装置に関する。
発光装置が画素としてマトリクス状に配置された大型の表示装置や発光装置が複数配置された信号機等は、屋外で使用される場合がある。このような表示装置では、外光等が発光装置の発光面に入射すると、発光領域の周囲において外光が反射することによって、間接グレアが発生したり、表示コントラストが低下したりするという課題が生じる。例えば、パッケージの凹部に発光素子が配置された発光装置において、凹部に充填する封止部材が凹部の外側にも配置されると、凹部の外側に配置された封止部材で外光の反射が生じ、表示コントラストが低下し得る。
このような課題を解決するため、例えば、特許文献１は、パッケージの凹部の周囲にはみ出した封止部材を覆うように、暗色系の層を配置することを開示している。
特開２０１１−１９９２１９号公報
本願の限定的ではないある例示的な一実施形態は、簡単な構造によって、外光の反射による間接グレアや表示コントラストの低下を抑制し得る発光装置を提供する。
本開示の発光装置は、上面と前記上面に位置する開口を備えた凹部とを有するパッケージと、前記凹部の底面に配置された発光素子と、前記凹部内に充填された透光性の封止部材とを備え、前記パッケージは、前記上面において前記開口を囲む溝を有し、前記溝内の表面は凹凸を有し、前記封止部材は前記溝内の表面の少なくとも一部を被覆し、前記溝内を被覆する前記封止部材は表面に凹凸を有する。
本開示の発光装置によれば、外光の反射による間接グレアや表示コントラストの低下を抑制し得る。
図１は、発光装置の一実施形態を示す斜視図である。 図２は、封止部材を取り除いた発光装置の平面図である。 図３は、図２におけるＡ−Ａ線における発光装置の断面図である。 図４は、溝の拡大断面図である。 図５は、溝の表面の凹凸を模式的に示す斜視図である。
以下、図面を参照しながら本開示の発光装置の実施形態を説明する。以下に説明する発光装置は、実施形態の一例であって、以下に説明する発光装置において種々の改変が可能である。図面が示す構成要素の寸法、形状等は、わかり易さのために誇張されている場合があり、実際の発光装置および製造装置における寸法、形状、および、構成要素間の大小関係を反映していない場合がある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略することがある。
以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。以下の説明では、特定の方向または位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」およびそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向または位置をわかり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向または位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品、製造装置等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。
本開示の発光装置は、上面と上面に位置する開口を備えた凹部とを有するパッケージと、凹部の底面に配置された発光素子と、凹部内に充填された透光性の封止部材と、を備える。パッケージは、上面において開口を囲む溝を有する。溝内の表面は凹凸を有し、封止部材は溝内の表面の少なくとも一部を被覆し、溝内を被覆する前記封止部材は表面に凹凸を有する。
図１は、本開示の発光装置１０１の斜視図であり、図２は、発光装置から封止部材を取り除き、発光素子を露出させた平面図である。また、図３は、図２におけるＡ−Ａ断面を示している。
発光装置１０１は、パッケージ１０と、発光素子２１、２２、２３と、封止部材３０とを備える。以下、各構成要素を詳細に説明する。
パッケージ１０は、発光素子２１、２２、２３を収納する筐体として機能する。パッケージ１０は、上面１０ａおよび下面１０ｂと、上面１０ａに位置する開口１１ａを備えた凹部１１とを有する。本実施形態では、上面１０ａは、角が丸められた略矩形形状を有し、パッケージ１０は、上面１０ａの矩形の４つの辺に対応する４つの側部１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆを有する。また、パッケージは、上面１０ａにおいて開口１１ａを囲む溝１２を有する。
開口１１ａの平面視形状は、略円形、角が丸められた略矩形形状等が挙げられ、溝１２は、開口１１ａに沿って、パッケージの上面１０ａに設けられている。溝１２は開口１１ａを囲む溝であってもよいし、開口１１ａに沿って部分的に設けられた溝でもよい。なかでも、溝１２の平面視形状は、開口１１ａの外縁に沿って開口１１ａを囲む枠状とすることが好ましい。
溝１２の深さは、パッケージ１０の大きさにもよるが、例えば５０〜１５０μｍ程度が挙げられる。平面視における溝の幅は、例えば１００〜３００μｍ程度が挙げられる。平面視において、溝１２と開口１１ａとの距離は近いほど好ましく、溝１２は開口１１ａに接して設けられることがより好ましい。つまり、平面視において、溝１２と開口１１ａとは境界を共有することが好ましい。
パッケージ１０は、本実施形態では、基体１３およびリード端子１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆを含む。基体１３は、パッケージ１０の主要部分であり、上述した上面１０ａ、下面１０ｂ、開口１１ａを備えた凹部１１を構成している。
凹部１１は、底面１１ｂを有しており、底面１１ｂに発光素子２１、２２、２３が配置される。凹部１１は、開口１１ａおよび底面１１ｂをそれぞれ上面および下面とする略逆円錐台形状を有し、内側面１１ｃ〜１１ｆを有する。内側面１１ｃ〜１１ｆは、発光素子２１、２２、２３から出射する光を反射及び／又は遮光する面として機能する。
基体１３は、樹脂などの絶縁性材料によって形成される。また、発光素子２１、２２、２３からの光および外光が透過しにくい材料によって形成されていることが好ましい。特に基体の外表面は太陽光等の外光に対して光反射率の低い部材を用いることが好ましく、黒色または濃い色であることが好ましい。また、基体１３は、パッケージ１０として構造を維持する主要部分であるため、所定の強度を有することが好ましい。基体１３は、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等によって形成される。より具体的には、基体１３は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジンや、ＰＰＡなどによって形成される。また、基体１３は、凹部１１の内側面１１ｃ〜１１ｆにおいて、発光素子からの光を反射する材料によって形成されていてもよい。つまり、内側面１１ｃ〜１１ｆに、基体の外表面を構成する材料よりも、発光素子の光に対して反射率が高い別の部材を用いてもよい。これによって、発光装置１０１の光取り出し効率を向上させることが可能である。
リード端子１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆは、発光素子２１、２２、２３をパッケージ１０の外部の配線などと電気的に接続するための端子として機能する。リード端子１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆはそれぞれ一部が基体１３の凹部１１の底面１１ｂで露出している。また、リード端子１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆの他の一部は、側部１０ｅ、１０ｆおよび下面１０ｂにおいて露出しており、リード端子１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆの残りの部分は基体１３内に埋設されている。
リード端子１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆの形状に特に制限はなく、少なくとも上述したように、各リード端子の一部が凹部１１の底面１１ｂに露出し、他の一部が、パッケージ１０の下面１０ｂに露出、または、図３に示すように、側面から露出した各リード端子の他の一部はパッケージの外面に沿って折り曲げられて下面側に配置していればよい。この構造によって、凹部１１内に配置される発光素子２１、２２、２３がパッケージ１０の外部と電気的に接続可能となる。
リード端子１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆの材料には、熱伝導率の比較的大きな材料を用いることが好ましい。このような材料で各リード端子を形成することにより、発光素子２１、２２、２３で発生する熱を効率的にパッケージ１０の外部へ逃すことができる。例えば、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度以上の熱伝導率を有しているものが好ましい。さらに、比較的大きい機械的強度を有するものが好ましい。例えばアルミニウム、鉄、ニッケル、銅、これらを含む合金などの金属板を、打ち抜き等のプレス加工またはエッチング加工等により所望の形状に加工したものを用いることができる。さらに、リード端子１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆは、表面が金属膜で被膜されていることが好ましく、金属膜としては、例えば、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｕ、Ａｕ合金などが好適に利用できる。また、金属膜の下地層として、Ｎｉを含む層を有することが好ましく、下地層としては、Ｎｉ／Ｐｄ、又はＮｉ／Ａｕ、又はＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどを含む層が挙げられる。金属膜の形成方法としては、例えばめっき処理が挙げられる。リード端子がこのような金属膜を有することにより、光反射性及び／又は後述する金属ワイヤ等との接合性を高めることができる。リード端子の厚みは、例えば１１０〜２５０μｍである。また、リード端子は、上記加工等により部分的にその厚みが異なっていてもよい。
発光素子２１、２２、２３は、半導体レーザー、発光ダイオード等の半導体発光素子である。発光素子２１、２２、２３の発光波長は任意に選択し得る。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ＺｎＳｅや窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いた発光素子を用いることができる。また、赤色の発光素子としては、ＧａＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ系の半導体などを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。さらには、半導体発光素子とともに、受光素子などを搭載することができる。また、半導体発光素子の周囲に半導体発光素子の発光を波長変換する蛍光体を配置して、任意の発光を得ることができる。例えば、青色発光の半導体発光素子と黄色発光の蛍光体を組み合わせて、白色を得ることができる。発光装置１０１が、例えばカラー表示に用いられる場合には、発光素子２１、２２、２３は、それぞれ、赤色、青色、緑色の光を出射してもよい。発光素子の数および発光色の組み合わせは一例であって、この例に限られない。
本実施形態では、発光素子２１、２２、２３は、凹部１１の底面１１ｂに露出したリード端子１４Ｆ上に配置される。発光素子２１および２２の正負一対の電極は、凹部１１の底面１１ｂに露出したリード端子１４Ａ、１４Ｄと金属ワイヤ１５によって電気的に接続されている。発光素子２３の正負一方の電極は発光素子２３の裏面側に配置されており半田、導電性ペースト等によって凹部１１の底面１１ｂに露出したリード端子１４Ｆと電気的に接続されている。また、発光素子２３の正負他方の電極は、凹部１１の底面１１ｂに露出したリード端子１４Ｃと金属ワイヤ１５によって電気的に接続されている。
封止部材３０は、凹部１１内に配置された、発光素子２１、２２、２３、金属ワイヤ１５等を水分、外力、塵芥から保護する。封止部材３０は、凹部１１内に充填されており、上述した発光素子２１、２２、２３および金属ワイヤ１５を凹部１１内で被覆する。また、以下において詳細に説明するように、封止部材３０の一部は、パッケージ１０の上面１０ａに設けられた溝１２内の表面の少なくとも一部を被覆している。
封止部材３０は、発光素子２１、２２、２３から出射する光を透過させる透光性を有することが好ましい。具体的には、封止部材３０は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の材料によって形成されていることが好ましい。封止部材３０は、充填剤として、光反射性物質、蛍光物質等の粒子を含んでいてもよい。例えば、封止部材３０は、光反射性物質の粒子を含んでいてもよい。封止部材３０に含めることのできる粒子は、球形状を有していてもよいし、破砕形状を有していてもよい。また封止部材３０は、透光性が損なわれない程度に、光吸収性物質を含んでいてもよい。封止部材３０に適量の光吸収性物質を含有させることで、凹部内に露出するリード端子の表面などでの正反射光の光取り出し面からの出射を抑制することができる。これによって、発光装置からの出射光の配光特性を改善することができる。
封止部材３０に含まれる充填剤の粒子が球形状を有する場合、球形の粒子は、封止部材３０の未硬化の材料中で沈降しやすい。このため、封止部材３０の表面に粒子の形状に対応した凸部が形成されにくく、発光素子２１、２２、２３からの光は、封止部材３０の表面近傍で散乱されずに外部へ出射しやすい。このため、封止部材３０からの光の取り出し効率を向上させることができる。しかし、封止部材３０の表面が平滑であることによって、外光を封止部材３０の表面で反射し、いわゆる「ギラツキ」が発生し易い。
一方、封止部材３０に含まれる充填剤の粒子が破砕形状を有する場合、同程度の大きさの球形形状の粒子より大きな表面積を有するため、封止部材３０の未硬化の材料中での沈降が抑制される。その結果、粒子を封止部材３０の表面近傍に配置することが可能となり、封止部材３０の表面に粒子の形状を反映した凹凸が形成されやすくなる。これにより、封止部材３０は、表面において外光の反射を散乱させ、外光の照り返しによるコントラストの低下を低減できる。つまり、外光の反射によるコントラストの低下を抑制するためには、封止部材３０は、破砕形状の粒子を含むことが好ましい。
また、凹部１１内に破砕形状の粒子を含む封止部材３０を配置し、封止部材３０の表面に暗色系の層を配置してもよい。これにより、暗色系の層の表面に、破砕形状の粒子の形状を反映した凹凸を形成し、さらに外光の照り返しを抑制でき、コントラストの低下を低減できる。
封止部材３０における充填剤の濃度は、２０体積％より大きいことが好ましい。これにより、封止部材３０の表面近傍に充填剤を滞留させ、粒子の形状に沿った凹凸を封止部材３０の表面に形成することができる。一方、充填剤の濃度を大きくすると封止部材３０から光が取り出されにくくなり、光度の低下や配光の偏りが生じ得る。このため、充填剤の濃度は６０体積％以下が好ましく、さらに好ましくは４０％体積以下である、３０％体積以下であることがさらに好ましい。充填剤の粒子の大きさは、例えば０．５〜１０μｍ程度であってよい。
充填剤の材料には、公知の材料を用いることができる。例えば、光反射性物質としては、酸化ケイ素（シリカ）、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、酸化アルミニウムなどが挙げられる。蛍光物質としては、発光素子の出射光の波長、得ようとする光の色などを考慮して選択することができる。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ）などが挙げられる。蛍光体は、複数の種類の蛍光体を組み合わせて用いてもよい。例えば、発光色の異なる蛍光体を所望の色調に適した組み合わせや配合比で用いて、演色性や色再現性を調整することもできる。また、光吸収性物質としては、例えばカーボンブラックやグラファイトなどの黒色顔料を用いることもできる。このような充填剤を封止部材中に分散させることで、発光装置の色むら改善、表示コントラストの低下抑制等が実現できる。
次に、発光装置１０１における溝１２の構造を詳細に説明する。図４は、パッケージ１０の上面１０ａに設けられた溝１２の断面を拡大して示す。溝１２は、表面１２ａに凹凸を有しており、封止部材３０は溝１２内の表面１２ａの少なくとも一部を被覆している。より具体的には、封止部材３０は、溝１２内の表面１２ａが有する凹凸の、少なくとも凹部の一部を被覆している。
図５は、溝１２の表面１２ａに設けられた凹凸１６を模式的に示す斜視図である。凹凸１６の凸部１６ｃと凸部１６ｃとの間に形成される凹部１６ｄに封止部材３０が位置している。図５に示すように、好ましくは、封止部材３０は、凸部１６ｃ上には配置されていない。つまり、溝１２内に配置される封止部材３０は、表面の凹凸１６に起因して凹部１６ｄに選択的に配置された凹凸を有している。つまり、封止部材３０は、溝１２の表面１２ａの一部である、凹部１６ｄを被覆しており、凸部１６ｃの一部（少なくとも凸部１６ｃの頂部）は封止部材３０から露出している。
発光装置１０１の製造において、封止部材３０を構成する未硬化の樹脂材料をパッケージ１０の凹部１１内に配置する場合、封止部材３０の材料が、凹部１１の開口１１ａから溢れると、上面１０ａに未硬化の樹脂材料が配置されてしまう。この樹脂材料が硬化することによって、上面１０ａの開口１１ａの周囲に封止部材３０が配置され、外光が反射しやすい領域が形成されてしまう。特に、開口１１ａの周囲に封止部材３０が厚く配置されると、封止部材３０の表面が平坦面となりやすく、外光が反射しやすくなる。
これに対し、本実施形態の発光装置１０１は開口１１ａの周囲に、凹凸１６が設けられた表面１２ａを有する溝１２が形成されている。このため、開口１１ａから溢れた樹脂材料は、溝１２に流れ伝わる。溝１２の表面１２ａには凹凸１６が形成されており、凸部１６ｃと凸部ｃの間の凹部１６ｄは狭い流路を形成しており、流体が凹部１６ｄを伝って広がりやすい。よって、溝１２内に溢れた封止部材３０の材料は、凸部１６ｃは被覆せずに、凹部１６ｄを伝って凹凸１６内に広がる。樹脂材料が硬化することによって形成される開口１１ａの周囲に位置する封止部材３０は、溝１２の表面１２ａの凹凸１６に起因した凹凸１６を有しており、外光を拡散して反射しやすい。その結果、凹部１１の外側に封止部材３０が配置されても、外光の照り返しによるコントラストの低下を低減することができる。また、このような凹凸１６を表面に有する溝１２は、パッケージ１０を形成する際に、インサート成形などによって、パッケージ１０の基体１３の成形と同時に一体的に形成できる。したがって、比較的簡単構造および簡単な製造方法によって上述した効果を奏し得る発光装置を得ることが可能である。
開口１１ａの周囲に封止部材３０を構成する未硬化の樹脂材料が厚く配置されると、硬化によって表面が滑らかになり、外光を反射しやすくなる。このため、開口１１ａの周囲に溢れた封止部材３０の材料は、溝１２内をできるだけ薄く広がる方が、溝の表面の凹凸を反映し、外光を散乱させやすい。このため、溝１２は溢れた封止部材３０の材料を薄く広げる構造を有していることが好ましい。具体的には、溝１２は、断面視、つまり、溝１２の伸びる方向を横切る断面において、底面部分１２Ａと、底面部分１２Ａを挟む側面部分１２Ｂ、１２Ｃを有する。底面部分１２ＡはＵ字形状を有しており、平な部分を有していないことが好ましい。底面部分１２Ａが平らではなく、断面視において曲線で構成されることによって、封止部材３０の材料が底面部分で厚く溜まることがなく、広がりやすくなる。
また、凹部１１の開口１１ａから溢れた封止部材３０の材料が溝１２へ広がりやすいように、溝１２は構成されていることが好ましい。具体的には、開口１１ａとの接続点における側面部分１２Ｃの鉛直方向（例えば本実施形態においては凹部の底面に垂直な方向）とのなす角度αは８０°以下であることが好ましい。溝１２の側面部分１２Ｃが開口１１ａにおいて傾斜を有していることによって、凹部１１の開口１１ａを超えて溢れた封止部材３０の材料は、開口１１ａの外側近傍に滞留せず溝１２内へ導かれやすい。
また、断面視において、側面部分１２Ｂ、１２Ｃの上部は、溝１２内に向かって凸の曲線形状を有していることが好ましい。さらに、断面視において、側面部分１２Ｂ、１２Ｃの内、凹部１１により近接する側面部分１２Ｃは、凹部１１の開口１１ａと曲線でつながっていることが好ましい。さらに溝１２の側面部分１２Ｂと開口１１ａとが接する角度を鋭角とすることが好ましい。この形状によって、溝１２に流入した封止部材３０の材料の流れの勢いを抑制することができ、開口１１ａを超えて多量に封止部材３０を構成する未硬化の樹脂材料が溝１２の底面部分１２Ａに溜まってしまうのを抑制することができる。
溝１２の表面１２ａの表面粗さは、例えば、０．４μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。この表面粗さは、算術平均高さＳａで表される。この範囲の表面粗さを有することによって、封止部材３０の材料が凹部１６ｄを伝いやすいサイズとなり、封止部材３０が凹部１６ｄから溢れて凸部１６ｃを被覆することを抑制できる。これにより、硬化した封止部材３０は外光を散乱させ、外光の照り返しに起因するコントラストの低下を低減できる。
好ましくは、上面１０ａの溝１２以外の領域も凹凸を有していることが好ましい。これにより、溝１２の外側の上面１０ａでも外光を散乱させ、外光の照り返しによるコントラストの低下を低減できる。例えば、上面１０ａの凹凸の表面粗さは、溝１２の表面の表面粗さと同じであってもよい。このような形状を有するパッケージ１０は、例えば、溝１２を有する上面１０ａに対応する面が０．４μｍ以上１．０μｍ以下の表面粗さを有する金型を用いたインサート成形によって好適に形成することが可能である。
このように本実施形態によれば、パッケージ上面において、表面に凹凸が設けられた溝が、凹部を囲んでいることによって、開口から溢れた封止部材３０の材料が厚く形成され、外光を反射する封止部材３０が開口の周囲に配置されるのを抑制することができる。よって、外光の反射による間接グレアや表示コントラストの低下を抑制し得る発光装置をえることが可能となる。
なお上記実施形態において、溝１２は開口１１ａの周囲を連続して覆っていたが、溝１２は１または複数個所において、分断されていてもよい。この場合分断される部分は短いほうが好ましい。
また、上記実施形態では、上面１０ａに１つの溝１２が設けられていたが、複数の溝１２は複数設けられていてもよい。
本開示の発光装置は種々の用途の発光装置に好適に使用され得る。特に、屋外で使用される大型の表示装置や信号機等に好適に使用される。
１０ パッケージ
１０ａ 上面
１０ｂ 下面
１０ｃ〜１０ｆ 側部
１１ 凹部
１１ａ 開口
１１ｂ 底面
１１ｃ〜１１ｆ 内側面
１２ 溝
１２Ａ 底面部分
１２Ｂ、１２Ｃ 側面部分
１２ａ 表面
１３ 基体
１４Ａ〜１４Ｆ リード端子
１５ 金属ワイヤ
１６ 凹凸
１６ｃ 凸部
１６ｄ 凹部
２１〜２３ 発光素子
３０ 封止部材
１０１ 発光装置

Claims (9)

  1. 上面と前記上面に位置する開口を備えた凹部とを有するパッケージと、
    前記凹部の底面に配置された発光素子と、
    前記凹部内に充填された透光性の封止部材と、
    を備え、
    前記パッケージは、前記上面において前記開口を囲む溝を有し、
    前記溝内の表面は凹凸を有し、
    前記封止部材は前記溝内の表面の少なくとも一部を被覆し、前記溝内を被覆する前記封止部材は表面に凹凸を有する、発光装置。
  2. 前記溝内を被覆する前記封止部材は、前記溝内の表面の凹凸に起因する凹凸を表面に有する請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記溝内の表面の一部は前記封止部材から露出する請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記パッケージは、前記上面に凹凸を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 前記溝の側面部分の上部は、断面視において、前記溝内に向かって凸の曲線形状を有している、請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記溝の底面部分は断面視でＵ字形状を有する請求項１から３のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記溝の側面は前記凹部の側面と連続しており、
    断面視において、前記溝の側面部分が、前記開口との接続点において鉛直方向となす角度は、８０°以下である、請求項１から６のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記溝内の表面粗さと前記上面の表面粗さは略等しい、請求項１から７のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 前記溝内の表面および前記上面の表面粗さは、０．４μｍ以上１．０μｍ以下である、請求項１から８のいずれか一項に記載の発光装置。
JP2018067211A 2018-03-30 2018-03-30 発光装置 Active JP7082280B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018067211A JP7082280B2 (ja) 2018-03-30 2018-03-30 発光装置
US16/369,715 US10763407B2 (en) 2018-03-30 2019-03-29 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018067211A JP7082280B2 (ja) 2018-03-30 2018-03-30 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019179798A true JP2019179798A (ja) 2019-10-17
JP7082280B2 JP7082280B2 (ja) 2022-06-08

Family

ID=68055515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018067211A Active JP7082280B2 (ja) 2018-03-30 2018-03-30 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10763407B2 (ja)
JP (1) JP7082280B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102664521B1 (ko) * 2022-07-29 2024-05-09 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자 패키지 및 디스플레이 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006516816A (ja) * 2003-01-30 2006-07-06 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 電磁放射の放出及び受動又はそのいずれか一方を行う半導体コンポーネント及びそのようなコンポーネントのためのハウジング基体
JP2008041917A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2009111352A (ja) * 2007-09-11 2009-05-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd 発光装置
JP2010206039A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Nichia Corp 発光装置
JP2011176247A (ja) * 2010-02-26 2011-09-08 Nichia Corp 発光装置
US20110241028A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Hyung Hwa Park Light emitting device and light unit having the same
JP2011199219A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Nichia Corp 発光装置
JP2017216369A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0832120A (ja) 1994-07-19 1996-02-02 Rohm Co Ltd 面発光表示器
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JP4899252B2 (ja) 2001-04-27 2012-03-21 パナソニック株式会社 発光表示装置の製造方法
JP3707688B2 (ja) * 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
JP2005197369A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
JP2005223216A (ja) 2004-02-06 2005-08-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光光源、照明装置及び表示装置
US7939842B2 (en) * 2005-01-27 2011-05-10 Cree, Inc. Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
MY152857A (en) * 2005-09-01 2014-11-28 Dominant Opto Tech Sdn Bhd Surface mount optoelectronic component with lens
JP2007324150A (ja) 2006-05-30 2007-12-13 Nec Schott Components Corp Ｌｅｄ用セラミックパッケージ
US20080029775A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Lustrous Technology Ltd. Light emitting diode package with positioning groove
JP4958523B2 (ja) 2006-11-21 2012-06-20 シャープ株式会社 発光装置
DE102007021904A1 (de) 2007-02-28 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper
KR101526567B1 (ko) * 2008-05-07 2015-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP2010016068A (ja) 2008-07-01 2010-01-21 Ccs Inc 発光装置及びその製造方法
DE102009031008A1 (de) * 2009-06-29 2010-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
US9478719B2 (en) * 2010-11-08 2016-10-25 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
JP6730017B2 (ja) * 2014-11-10 2020-07-29 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ、及びこれを含む照明システム
JP6361560B2 (ja) * 2015-04-09 2018-07-25 豊田合成株式会社 発光装置
KR102335216B1 (ko) * 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006516816A (ja) * 2003-01-30 2006-07-06 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 電磁放射の放出及び受動又はそのいずれか一方を行う半導体コンポーネント及びそのようなコンポーネントのためのハウジング基体
JP2008041917A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2009111352A (ja) * 2007-09-11 2009-05-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd 発光装置
JP2010206039A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Nichia Corp 発光装置
JP2011176247A (ja) * 2010-02-26 2011-09-08 Nichia Corp 発光装置
JP2011199219A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Nichia Corp 発光装置
US20110241028A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Hyung Hwa Park Light emitting device and light unit having the same
JP2017216369A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10763407B2 (en) 2020-09-01
US20190305196A1 (en) 2019-10-03
JP7082280B2 (ja) 2022-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100772433B1 (ko) 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지
JP5326705B2 (ja) 発光装置
TWI780180B (zh) 發光裝置、整合式發光裝置及發光模組
US8835951B2 (en) Light emitting device
US9966521B2 (en) Light emitting device
US8785957B2 (en) Light-emitting device
JP6387954B2 (ja) 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法
TW202301711A (zh) 光源
CN107450228B (zh) 发光装置
KR102607320B1 (ko) 발광 장치
US11830967B2 (en) Light emitting module and liquid crystal display device
JP2015173287A (ja) 発光装置
JP5595962B2 (ja) 発光装置
JP6222325B2 (ja) 発光装置
US10964859B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2018019091A (ja) 発光装置の製造方法
JP2024083405A (ja) 発光装置
US20150076541A1 (en) Light-emitting device
JP5678462B2 (ja) 発光装置
JP7082280B2 (ja) 発光装置
WO2021261567A1 (ja) 発光装置
KR100877775B1 (ko) 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지
JP6024685B2 (ja) 発光装置
US11996502B2 (en) Method of manufacturing light-emitting device including step of curing sealing member while applying centrifugal force
TWI850109B (zh) 光源

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210304

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220426

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220509

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7082280

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150