CN103000782B - 发光二极管封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片。所述电极形成于所述基板表面，包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极。还包括一个形成于所述基板表面的挡墙结构，挡墙结构将第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片分隔于其两侧。第一电极位于第一发光二极管芯片一侧，第三电极至少有一第一连接部位于第一发光二极管芯片一侧，第一发光二极管芯片通过金属导线连接第一电极和第三电极上的第一连接部。第二电极位于第二发光二极管芯片一侧，第四电极至少有一第二连接部位于第二发光二极管芯片一侧，第二发光二极管芯片通过金属导线连接第二电极和第四电极上的第二连接部。
Description
技术领域
本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管是一种节能、环保、长寿命的固体光源，因此近十几年来对发光二极管技术的研究一直非常活跃，发光二极管也有渐渐取代日光灯、白炽灯等传统光源的趋势。在现有技术中，若要实现特定的照明要求，一般需将多个发光二极管封装体进行混合搭配，通过各个发光二极管封装体之间的距离及排布的设置来实现特定的照明需要，这样的结构虽然具有一定灵活性，但也存在集成度差，成本高的问题。因此，在实际应用当中，多会使用多芯片型发光二极管封装构造，其具体结构是将多个性能指标不同的发光二极管芯片集成封装，来实现多波段或者高演色性的照明要求，但是各个发光二极管芯片所发出的光线会出现彼此干扰，难以控制其整体出光效果。无法满足实际应用的需求。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可减少各发光二极管芯片光线相互干扰的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和挡墙结构。该挡墙结构将基板表面分为分割为第一区域和第二区域两个部分。所述电极形成于所述基板表面，包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极。所述第一发光二极管芯片、第一电极和第三电极的第一连接部位于挡墙结构的第一区域，所述第一发光二极管芯片通过金属导线连接第一电极和第三电极上的第一连接部；第二发光二极管芯片、第二电极和第四电极的第二连接部位于挡墙结构的第二区域，所述第二发光二极管芯片通过金属导线连接第二电极和第四电极上的第二连接部，所述第三电极和第四电极彼此间隔，所述挡墙结构覆盖部分第三电极和部分第四电极，所述基板表面还形成有反射杯，所述反射杯环绕所述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和挡墙结构，所述挡墙结构的高度小于反射杯的厚度。
上述的发光二极管封装结构通过挡墙结构将第一发光二极管芯片以及第二发光二极管芯片相互隔开，可减少第一发光二极管芯片以及第二发光二极管芯片发出的光线的相互干扰。另外，上述发光二极管封装结构中，由于该挡墙结构将基板表面分为分割为第一区域和第二区域两个部分，所述第一发光二极管芯片、第一电极和第三电极的第一连接部位于挡墙结构的第一区域，第二发光二极管芯片、第二电极和第四电极的第二连接部位于挡墙结构的第二区域，使得连接发光二极管芯片和电极的金属导线不用跨过所述挡墙结构，可有效的减少发光二极管封装结构的厚度。
附图说明
图1是本发明第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。
图2是图1所示发光二极管封装结构的俯视图。
图3是图1所示发光二极管封装结构的仰视图。
图4是本发明第二实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 10，20
基板 11
上表面 111
下表面 112
电极 12
第一电极 121
第二电极 122
第三电极 123
第四电极 124
第一连接部 125
第二连接部 126
发光二极管芯片 13
第一发光二极管芯片 131
第二发光二极管芯片 132
金属导线 133
挡墙结构 14
第一区域 141
第二区域 142
反射杯 15
封装体 16
稳压装置 17
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
如图1至图3所示，本发明的第一实施例的发光二极管封装结构10包括基板11、电极12、发光二极管芯片13、挡墙结构14、反射杯15、封装体16和稳压装置17。
所述基板11包括上表面111以及与该上表面111相对的下表面112。所述基板11用于支撑所述电极12、发光二极管芯片13、挡墙结构14、反射杯15和封装体16。
所述电极12的数量为四个，分别包括第一电极121、第二电极122、第三电极123及第四电极124。所述第一电极121、第二电极122、第三电极123和第四电极124之间相互电绝缘，且分别自所述基板11的上表面111延伸至下表面112。第一电极121和第二电极122分别位于基板11相对较长方向的两端，第三电极123和第四电极124位于第一电极121和第二电极122之间。
所述发光二极管芯片13数量为两个，分别为第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132。所述第一发光二极管芯片131位于所述第一电极121上，并通过金属导线133分别于第一电极121和第三电极123电连接；所述第二发光二极管芯片132位于所述第二电极122上，并通过金属导线133分别于第二电极122和第四电极124电连接。由于第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132分别连接不同的电极12，可以通过不同的电路供电，相互之间没有影响，因此第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132可以选择发出不同波长、不同颜色的光线的芯片，同时电流和亮度也可以分别进行控制。
所述挡墙结构14设置于所述基板11上，并位于所述两发光二极管芯片13之间，覆盖部分所述第三电极123和第四电极124，横跨整个基板11的上表面111，将该基板11的上表面111分为第一区域141和第二区域142。所述第一发光二极管芯片131及第一电极121位于第一区域141内，所述第三电极123至少有一第一连接部125位于第一区域141内，所述第一发光二极管芯片131通过金属导线133连接第一电极121和第三电极123上的第一连接部125；所述第二发光二极管芯片132及第二电极122位于所述第二区域142内，所述第四电极124至少有一第二连接部126位于第二区域142内，所述第二发光二极管芯片132通过金属导线133连接所述第二电极122和第四电极124上的第二连接部126，从而使得所述金属导线133无需跨过所述挡墙结构14。所述挡墙结构14的表面为反射面。所述第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132由于被挡墙结构14隔离，因此可以减少所述第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132彼此发出的光线的互相干扰。
所述反射杯15设置于所述基板11的上表面环绕所述发光二极管芯片13和挡墙结构14于其中，所述挡墙结构14的延伸方向的两端分别与该反射杯15相连接，所述反射杯15的内表面为反射面，所述发光二极管芯片13发出的部分光线经过所述反射杯15和所述挡墙结构14反射出所述发光二极管封装结构10。
所述封装体16填充在所述反射杯15中，包覆所述发光二极管芯片13和挡墙结构14于其内部。所述封装体16的材料为透明封胶树脂。该封装体16内掺杂有荧光粉颗粒。可以理解的，所述封装体16位于所述第一区域141和第二区域142部分可分别掺杂不同的荧光粉颗粒，以产生多种出光效果的变化。该荧光粉颗粒可选自钇铝石榴石、铽钇铝石榴石及硅酸盐中的一种或几种的组合。
所述稳压装置17分别连接在所述第一电极121和第三电极123之间以及所述第二电极122和第四电极124之间，所述挡墙结构14设置为S型，将所述稳压装置17包覆在所述挡墙结构14内，能够避免发光二极管芯片13发出的光线被该稳压装置17所吸收。该稳压装置17为稳压二极管，分别以覆晶的方式设于所述第一电极121和第三电极123之间以及所述第二电极122和第四电极124之间，并与所述发光二极管芯片13形成反向并联连接。因此若有异常的反向电流或静电产生时，过高的反向电流可经由该稳压装置17进行放电，从而保护所述发光二极管芯片13不被击穿。可以理解的，所述稳压装置17还可以由磊晶掺杂、扩散掺杂或者离子布植(Ion-Implantation)的方式形成，该稳压装置17位于所述第一电极121和第三电极123及所述第二电极122和第四电极124之间。
图4为本发明第二实施例的发光二极管封装结构20，与第一实施例的发光二极管封装结构10区别在于：所述第三电极123和第四电极124之间电连接。将所述第一电极121和第二电极122分别作为输入和输出电极，可使得所述第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132之间形成串联连接，将所述第一电极121和第二电极122作为输入电极，将所述第三电极123和第四电极124作为公共输出电极，可使得所述第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132之间形成并联连接。
本发明实施方式提供的发光二极管封装结构10、20通过挡墙结构14将第一发光二极管芯片131以及第二发光二极管芯片132相互隔开，可减少第一发光二极管芯片131以及第二发光二极管芯片132发出的光线的相互干扰。另外，上述发光二极管封装结构10、20中，由于该挡墙结构14将基板11表面分为分割为第一区域141和第二区域142两个部分，所述第一发光二极管芯片131、第一电极121和第三电极123的第一连接部125位于挡墙结构14的第一区域141，第二发光二极管芯片132、第二电极122和第四电极124的第二连接部126位于挡墙结构14的第二区域142，使得连接发光二极管芯片13和电极12的金属导线133不用跨过所述挡墙结构14，可有效的减少发光二极管封装结构10、20的厚度。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管封装结构还包括一个形成于所述基板表面的挡墙结构，该挡墙结构将基板表面分为分割为第一区域和第二区域两个部分，所述电极形成于所述基板表面，所述电极包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述第一发光二极管芯片、第一电极和第三电极的第一连接部位于第一区域，所述第一发光二极管芯片通过金属导线连接第一电极和第三电极上的第一连接部；第二发光二极管芯片、第二电极和第四电极的第二连接部位于第二区域，所述第二发光二极管芯片通过金属导线连接第二电极和第四电极上的第二连接部，所述第三电极和第四电极彼此间隔，所述挡墙结构设置为S型而覆盖部分第一电极、部分第二电极、部分第三电极和部分第四电极，所述基板表面还形成有反射杯，所述反射杯环绕所述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和挡墙结构，所述挡墙结构的高度小于反射杯的厚度。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第三电极和第四电极之间电连接，将所述第一电极和第二电极分别作为输入和输出电极，从而使得所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片之间形成串联连接。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第三电极和第四电极之间电连接，将所述第一电极和第二电极作为输入电极，将所述第三电极和第四电极作为公共输出电极，使得所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片之间形成并联连接。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极和第二电极分别位于所述基板相对较长方向的两端，所述第三电极和第四电极位于所述第一电极和第二电极之间。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板包括上表面以及与所述上表面相对的下表面，所述第一电极、第二电极、第三电极及第四电极分别自所述基板的上表面延伸至所述下表面。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述挡墙结构的两端分别与该反射杯相连接，所述反射杯的内表面为反射面。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述挡墙结构朝向第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的表面为反射面，所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发出的部分光线经过所述反射杯和所述挡墙结构反射出所述发光二极管封装结构。
8.如权利要求1至7项任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管封装结构还包括至少一个稳压装置，该稳压装置与所述第一发光二极管芯片或者第二发光二极管反向并联。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述稳压装置为稳压二极管且数量为二，所述稳压装置以覆晶的方式分别设于所述第一电极和第三电极及所述第二电极和第四电极之间。
10.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述稳压装置由磊晶掺杂、扩散掺杂或者离子布植的方式形成，该稳压装置分别位于所述第一电极和第三电极及所述第二电极和第四电极之间。
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