CN102867820B - 发光二极管封装结构 - Google Patents
发光二极管封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102867820B CN102867820B CN201110191110.7A CN201110191110A CN102867820B CN 102867820 B CN102867820 B CN 102867820B CN 201110191110 A CN201110191110 A CN 201110191110A CN 102867820 B CN102867820 B CN 102867820B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- barricade
- electrode
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种发光二极管封装结构,其包括基座、第一发光二极管以及第二发光二极管。基座上开设形成一容置杯,该置杯的底面凸起形成至少一挡墙,该挡墙将容置杯分割为第一区域和第二区域。一发光二极管和第二发光二极管分别设置在第一区域和第二区域中,并由挡墙相互隔开。本发明的发光二极管封装结构通过挡墙将第一发光二极管以及第二发光二极管相互隔开,防止第一发光二极管和第二发光二极管发出来的光线相互干扰,能够实现较好的照明效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管是一种节能、环保、长寿命的固体光源,因此近十几年来对发光二极管技术的研究一直非常活跃,发光二极管也有渐渐取代日光灯、白炽灯等传统光源的趋势。在现有技术中,若要实现特定的照明要求,一般需将多个发光二极管封装体进行混合搭配,通过各个发光二极管封装体之间的距离及排布的设置来实现特定的照明需要,这样的结构虽然具有一定灵活性,但也存在集成度差,成本高的问题。另外,在应用当中,也多会使用多芯片型发光二极管封装构造,其具体结构是将多个性能指标不同的发光二极管芯片集成封装,来实现多波段或者高演色性的照明要求,但是各个发光二极管芯片所发出的光线会出现彼此干扰,难以控制其整体出光效果。无法满足实际应用的需求。
发明内容
有鉴于此,本发明旨在提供一种可减少各发光二极管光线干扰,实现特定照明要求的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构,其包括基座、第一发光二极管以及第二发光二极管。基座上开设形成一容置杯,该置杯的底面凸起形成至少一挡墙,该挡墙将容置杯分割为第一区域和第二区域。一发光二极管和第二发光二极管分别设置在第一区域和第二区域中,并由挡墙相互隔开。
上述的发光二极管封装结构通过挡墙将第一发光二极管以及第二发光二极管相互隔开,可减少第一发光二极管以及第二发光二极管发出的光线的相互干扰,另外还可根据实际的照明需要设定挡墙的高度、角度或者形状,实现发光二极管封装结构整体出光效果的控制。
附图说明
图1为本发明实施方式中发光二极管封装结构俯视图。
图2为图1中的发光二极管封装结构沿I-I方向的剖面示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 | 100 |
基座 | 10 |
第一发光二极管 | 20 |
第二发光二极管 | 30 |
第一荧光粉 | 40 |
第二荧光粉 | 50 |
封装层 | 60 |
顶面 | 11 |
底面 | 12 |
容置杯 | 13 |
挡墙 | 14 |
第一电极 | 15 |
第二电极 | 16 |
侧表面 | 141、142 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1以及图2,本发明一较佳实施方式提供的一种发光二极管封装结构100包括基座10、设置在该基座10中的第一发光二极管20和第二发光二极管30。
所述基座10包括顶面11以及底面12,基座10从顶面11沿底面12方向开设形成一容置杯13,该容置杯13的内表面为倾斜面,该倾斜面自顶面11向底面12方向延伸并沿容置杯13的径向向内倾斜,使整个容置杯13上宽下窄,呈一漏斗状。优选地,容置杯13内表面还涂敷有反光材料。容置杯13的底面上凸起形成有一挡墙14,该挡墙14将容置杯13成两个区域。挡墙14的截面为一梯形,其上表面宽度小于下表面的宽度,两个侧表面141、142为倾斜面,该倾斜面涂敷有反光材料,用于反射第一发光二极管20和第二发光二极管30发出的光,提高出光效率。基座10还包括有第一电极15以及第二电极16,该第一电极15和第二电极16分别位于挡墙14的两侧,彼此分离,其中该第一电极15和第二电极16的一端分别形成在容置杯13的底面并伸至挡墙14,另一端分别从基座10的端面延伸到基座10的底面12上,用于与外部电路连接。
所述第一发光二极管20位于容置杯13的底面、容置杯13的内表面以及挡墙14的侧表面141构成的第一区域中,并设置在第一电极15上。该第一发光二极管20发出的光线经过容置杯13的内表面和挡墙14的侧表面141的反射,射出至发光二极管封装结构100外。该第一发光二极管20一端通过导线与第一电极15电连接,另一端通过导线越过挡墙14与第二电极16电连接。该第一区域中还填充有第一荧光粉40,该第一荧光粉40包覆第一发光二极管20,该第一荧光粉40可选自钇铝石榴石、铽钇铝石榴石及硅酸盐中的一种或几种的组合。第一发光二极管20发出第一种波长的光线,并激发第一荧光粉40产生第一种颜色的光。
所述第二发光二极管30位于容置杯13的底面、容置杯13的内表面以及挡墙14的侧表面142构成的第二区域中,并设置在第二电极16上。该第二发光二极管30发出的光线经过容置杯13的内表面和挡墙14的侧表面142的反射,射出至发光二极管封装结构100外。该第二发光二极管30一端通过导线与第二电极16电连接,另一端通过导线越过挡墙14与第一电极15电连接。该第二区域中还填充有第二荧光粉50,该第二荧光粉50包覆第二发光二极管30,第二荧光粉50可选自钇铝石榴石、铽钇铝石榴石及硅酸盐中的一种或几种的组合。第二发光二极管30发出第二种波长的光线,并激发第二荧光粉50产生第二种颜色的光。
所述基座10的容置杯13中还填充有一封装层60,该封装层60包覆第一发光二极管20、第二发光二极管30、挡墙14、第一荧光粉40以及第二荧光粉50,用于保护第一发光二极管和第二发光二极管30免受灰尘、水气等影响。在本实施方式中,该封装层60为一透明封胶树脂。
可以理解的是,所述容置杯13的底面并不限定于本实施方式中的一条挡墙,还可以形成多条挡墙,该多条挡墙可以是平行的或者相互交错,从而可以将容置杯13分割成多个区域,多个发光二极管分别设置在各个区域中,由挡墙相互隔开。另外,所述挡墙14并不限定于本发明所述的构造,还可以根据实际的照明需要设定挡墙14的高度、角度或者形状,实现发光二极管封装结构100整体出光效果的控制。
在使用时,第一发光二极管20发出的光线经过容置杯13的内表面以及挡墙14的侧表面141反射至发光二极管封装结构100外,而第二发光二极管30经过容置杯13的内表面以及挡墙14的侧表面142反射至发光二极管封装结构100外,第一发光二极管20和第二发光二极管30由于挡墙14隔离,因此可以减少第一发光二极管20和第二发光二极管30彼此发出的光线的互相干扰,从而能够实现较好的照明效果。另外,由于在容置杯13的由挡墙14分割的两个区域中分别填充有不同的荧光粉,可以实现发光二极管封装结构100的多波段或者高显色性发光。再者,由于挡墙14位于第一电极15和第二电极16之间,增加了与封装层60之间的接触面积,从而可以增加发光二极管封装结构100的气密性。
相较于现有技术,本发明的发光二极管封装结构通过挡墙将第一发光二极管以及第二发光二极管相互隔开,可减少第一发光二极管以及第二发光二极管发出的光线的相互干扰,另外还可根据实际的照明需要设定挡墙的高度、角度或者形状,实现发光二极管封装结构整体出光效果的控制。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种发光二极管封装结构,其包括基座、第一发光二极管以及第二发光二极管,该基座上开设形成一容置杯,其特征在于:所述容置杯的底面凸起形成至少一挡墙,该挡墙将容置杯分割为第一区域和第二区域,第一发光二极管和第二发光二极管分别设置在第一区域和第二区域中,并由挡墙相互隔开,所述第一区域填充有第一荧光粉,所述第二区域中填充有第二荧光粉,所述容置杯中还填充有一封装层,该封装层覆盖于挡墙、第一荧光粉及第二荧光粉上,该封装层的底面与第一荧光粉及第二荧光粉的顶面、该挡墙的顶面齐平。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述容置杯的内表面为倾斜面,该倾斜面自基座顶面向基座底面方向延伸并沿容置杯的径向向内倾斜,容置杯的内表面还涂敷有反光材料。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:挡墙的截面为一梯形,其上表面宽度小于下表面的宽度,两个侧表面为倾斜面,该倾斜面涂敷有反光材料。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述基座还包括有第一电极及第二电极,该第一电极和第二电极分别位于挡墙的两侧,彼此分离,其中该第一电极和第二电极的一端分别形成在容置杯的底面,另一端延伸到基座的底面,用于与外部电路连接。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一发光二极管设置在第一电极上,并通过导线分别与第一电极与第二电极电连接,所述第二发光二极管设置在第二电极上,并通过导线分别与第一电极与第二电极电连接。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该第一区域中还填充有第一荧光粉,该第一荧光粉包覆第一发光二极管。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该第二区域中还填充有第二荧光粉,该第二荧光粉包覆第二发光二极管。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述容置杯中还填充有一封装层,该封装层包覆第一发光二极管、第二发光二极管、挡墙、第一荧光粉及第二荧光粉。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110191110.7A CN102867820B (zh) | 2011-07-08 | 2011-07-08 | 发光二极管封装结构 |
TW100125380A TW201304202A (zh) | 2011-07-08 | 2011-07-19 | 發光二極體封裝結構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110191110.7A CN102867820B (zh) | 2011-07-08 | 2011-07-08 | 发光二极管封装结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102867820A CN102867820A (zh) | 2013-01-09 |
CN102867820B true CN102867820B (zh) | 2016-01-06 |
Family
ID=47446571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110191110.7A Expired - Fee Related CN102867820B (zh) | 2011-07-08 | 2011-07-08 | 发光二极管封装结构 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102867820B (zh) |
TW (1) | TW201304202A (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104425677B (zh) * | 2013-08-27 | 2017-08-29 | 浙江亮尔丽光电科技有限公司 | 发光二极管 |
CN106935578A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-07-07 | 合肥市华达半导体有限公司 | 一种发光二极管的封装结构 |
CN107479252B (zh) * | 2017-08-31 | 2020-11-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Led灯珠及背光光源、背光模组 |
CN108565324B (zh) * | 2018-01-05 | 2019-11-08 | 苏州芯脉智能电子科技有限公司 | 一种led灯的制作方法及led灯 |
CN111834510A (zh) * | 2019-04-17 | 2020-10-27 | 深圳市明格科技有限公司 | 发光二极管封装支架 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102074638A (zh) * | 2009-11-25 | 2011-05-25 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装及其制作方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060056203A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. | LED luminance enhancing construction |
KR20090044306A (ko) * | 2007-10-31 | 2009-05-07 | 서울반도체 주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
TWI378573B (en) * | 2007-10-31 | 2012-12-01 | Young Lighting Technology Corp | Light emitting diode package |
TWI389357B (zh) * | 2009-08-04 | 2013-03-11 | Advanced Optoelectronic Tech | 具有防水功能的表面黏著型發光二極體元件、具有防水功能的發光二極體模組以及其製作方法 |
-
2011
- 2011-07-08 CN CN201110191110.7A patent/CN102867820B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-19 TW TW100125380A patent/TW201304202A/zh unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102074638A (zh) * | 2009-11-25 | 2011-05-25 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201304202A (zh) | 2013-01-16 |
CN102867820A (zh) | 2013-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102738367B (zh) | 发光设备 | |
CN102867820B (zh) | 发光二极管封装结构 | |
US9347650B2 (en) | Light emitting apparatus using medium layer between wavelength conversion layer and transparent layer | |
CN102130257B (zh) | 发光器件、发光器件封装以及照明系统 | |
CN107148684A (zh) | 发光装置 | |
TW201330322A (zh) | 具有接觸電極之發光二極體晶片 | |
CN103000782B (zh) | 发光二极管封装结构 | |
US20130009175A1 (en) | Vertical stacked light emitting structure | |
CN102797985A (zh) | 发光二极管光源装置 | |
CN102800782B (zh) | 发光二极管光源装置 | |
CN102916108B (zh) | 发光二极管封装结构 | |
US8476651B2 (en) | Vertical stacked light emitting structure | |
CN203721758U (zh) | 高密封性的led支架 | |
CN100391015C (zh) | 芯片型led | |
CN105023986B (zh) | Led发光器件 | |
CN103579448A (zh) | 发光二极管封装结构 | |
US20170025590A1 (en) | Light emitting diode | |
CN103591480B (zh) | 发光二极管照明装置 | |
CN202585414U (zh) | 发光二极管装置 | |
CN104425479A (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
CN106206900A (zh) | 一种高亮正装led芯片 | |
CN210668407U (zh) | 一种高压led芯片 | |
CN205488190U (zh) | 一种凹嵌式发光单元 | |
CN110649006A (zh) | 一种高功率密度cob器件 | |
CN104425675A (zh) | 发光二极管封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160106 |