CN102800782B - 发光二极管光源装置 - Google Patents
发光二极管光源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102800782B CN102800782B CN201110136565.9A CN201110136565A CN102800782B CN 102800782 B CN102800782 B CN 102800782B CN 201110136565 A CN201110136565 A CN 201110136565A CN 102800782 B CN102800782 B CN 102800782B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- source device
- light source
- emitting diode
- pedestal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Abstract
一种发光二极管光源装置,其包括底板、设置在底板上的发光二极管芯片以及与所述底板滑动连接的基座。该基座上设有荧光粉层,该荧光粉层设置在遮挡所述发光二极管芯片出光方向上且厚度呈非均匀分布;所述底板与所述基座可相对滑动以使所述发光二极管芯片对应荧光粉层的不同厚度的部分,从而改变发光二极管光源装置的出光色温。
Description
技术领域
本发明涉及一种照明装置,尤其是一种发光二极管光源装置。
背景技术
发光二极管是一种节能、环保、长寿命的固体光源,因此近十几年来对发光二极管技术的研究一直非常活跃,发光二极管也有渐渐取代日光灯、白炽灯等传统光源的趋势。在现有技术中,发光二极管光源装置一般是将发光二极管芯片设置在电路板上,然后利用掺杂荧光粉的封装胶体封装该发光二极管,所述发光二极管芯片发出的光激发荧光粉射出到光源外部。但是,由于封装后的发光二极管芯片与荧光粉层的相对位置是固定不变的,所以发光二极管光源发出的光的色温也是固定不变的,无法进行调整,不能够满足实际需要。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种可调节色温的发光二极管光源装置。
一种发光二极管光源装置,其包括底板、设置在底板上的发光二极管芯片以及与所述底板滑动连接的基座。该基座上设有荧光粉层,该荧光粉层设置在遮挡所述发光二极管芯片出光方向上且厚度呈非均匀分布;所述底板与所述基座可相对滑动以使所述发光二极管芯片对应荧光粉层的不同厚度的部分,从而改变发光二极管光源装置的出光色温,所述基座的两个侧面分别向两侧延伸形成有凸出部,所述底板对应所述凸出部形成有导轨,所述基座的凸出部活动卡合在所述导轨内。
上述的发光二极管光源装置设置一厚度非均匀分布的荧光粉层,通过改变发光二极管芯片与荧光粉层的相对位置,使所述发光二极管芯片对应荧光粉层的不同厚度的部分,进而改变荧光粉层内的荧光粉被激发的效率,实现对发光二极管光源的出光色温的调整。
附图说明
图1为本发明第一实施方式的发光二极管光源装置的剖面结构示意图。
图2为图1中发光二极管光源装置的左侧面结构示意图。
图3为图1中发光二极管光源装置中底板及发光二极管芯片移动到一侧的结构示意图。
图4为图1中发光二极管光源装置中底板及发光二极管芯片移动到另一侧的结构示意图。
图5为本发明第二实施方式的发光二极管光源装置的剖面结构示意图。
主要元件符号说明
发光二极管光源装置 10,20
基座 100,100a
底板 200,200a
发光二极管芯片 300
荧光粉层 400
封装层 500
顶面 110
底面 120
端面 130
侧面 140
凸出部 141
容置槽 150
第一电极 160
第二电极 170
绝缘层 210
第三电极 220,220a
第四电极 230,230a
焊线 310
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明作进一步的详细说明。
实施方式一
请参阅图1以及图2,本发明一较佳实施方式提供的一种发光二极管光源装置10包括基座100、设置在所述基座100上的底板200、设置在所述底板200上的发光二极管芯片300以及一遮盖所述发光二极管芯片300的荧光粉层400。
所述基座100包括顶面110、底面120、两个相对的端面130以及两个相对的侧面140。基座100从顶面110沿底面120方向贯通整个基座100开设形成一容置槽150。该容置槽150用于提供发光二极管芯片300以及荧光粉层400的容置空间并设定发光二极管光源装置10的光场。容置槽150的内表面为倾斜面,该倾斜面自顶面110向底面120方向延伸并沿容置槽150的径向向内倾斜,使整个容置槽150上宽下窄,呈一漏斗状。优选地,容置槽150的内表面还涂敷有反光材料。
该基座100的底面120还设置有相互间隔的第一电极160以及第二电极170,该第一电极160以及第二电极170分别形成在容置槽150的两侧,第一电极160以及第二电极170的一端分别延伸到容置槽150的底部,另一端分别从端面130延伸到基座100外,用于与外部电路连接。基座100的两个侧面140还分别向两侧延伸形成有凸出部141。
所述底板200活动连接在基座100上,其包括一绝缘层210以及相互间隔形成在该绝缘层210表面上的第三电极220以及第四电极230。底板200与基座100的两个侧面140相对应的两端分别向上延伸形成设有滑槽的导轨240,该导轨240活动卡合在基座100的凸出部141上,使底板200可相对基座100沿垂直基座100的端面130方向上滑动,并且在底板200滑动的过程中,基座100的第一电极160与底板200的第三电极220保持电接触,基座100的第二电极170与底板200的第四电极230保持电接触。
可以理解的是,所述底板200与基座100的连接方式并不限定于本实施方式中提供的连接方式,还可以是基座100的底面设置凹槽,底板200向上设置凸起部以活动容置于基座100中。
所述发光二极管芯片300设置在底板200上,并容置在容置槽150中。发光二极管芯片300通过焊线310分别与底板200上的第三电极220以及第四电极230连接。所述发光二极管芯片300上还包覆有一层封装层500,该封装层500为一透明封胶树脂,用于保护发光二极管芯片300免受灰尘、水气等影响。该封装层500包覆部分第三电极220、部分第四电极230、发光二极管芯片300以及焊线310。当底板200移动时,发光二极管芯片300可随着底板200在容置槽150的底面上沿水平方向移动。
可以理解的是,所述发光二极管芯片300还可以采用覆晶封装的方式设置在底板200上。
所述荧光粉层400设置在容置槽150上,封闭容置槽150的顶部开口,遮挡在发光二极管芯片300的出光光路上。荧光粉层400是由参杂有荧光粉的封胶树脂制成,该荧光粉可选自钇铝石榴石、铽钇铝石榴石及硅酸盐中的一种或几种的组合。荧光粉层400的厚度在水平方向上不同,厚度呈非均匀分布。在本实施方式中,荧光粉层400是厚度从中间朝外缘递减的凸透镜结构。
可以理解的是,荧光粉层400的结构并不限定于本实施方式中凸透镜结构,也可以是厚度从一侧到另一侧逐渐递减的结构。
请参阅图3以及图4,在初始阶段,所述发光二极管芯片300位于容置槽150底面的中心,由于发光二极管芯片300的正向发光强度较强,同时配合荧光粉层400中间较厚的部分,从而可以激发更多的荧光粉,荧光粉的激发效率较高,可使发光二极管光源装置10产生第一种色温的光。当需要调解发光二极管光源装置10的出光色温时,滑动所述底板200,使所述发光二极管芯片300位于容置槽150底面的边缘,从而发光二极管芯片300的正向光照射荧光粉层400边缘较薄的部分,荧光粉层400中的荧光粉的激发效率变低,可使发光二极管光源装置10产生第二种色温的光。因此,通过滑动底板200可改变发光二极管芯片300与荧光粉层400的相对位置,使发光二极管芯片300对应荧光粉层400的不同厚度的部分,进而使所述发光二极管光源装置10产生不同色温的光。
实施方式二
请参阅图5,本发明第二实施方式提供的发光二极管光源装置20与第一实施方式提供的发光二极管光源装置10的区别在于:基座100a的底面上没有形成电极,底板200a上的第三电极220a以及第四电极230a的一端分别延伸到底板200a外,用于与外部电路连接。所述基座100a活动设置在底板200a上,其可相对底板200a可滑动,从而调节荧光粉层400与底板200a上的发光二极管芯片300的相对位置。
相较于现有技术,本发明的发光二极管光源装置设置一厚度非均匀分布的荧光粉层,通过改变发光二极管芯片与荧光粉层的相对位置,使所述发光二极管芯片对应荧光粉层的不同厚度的部分,进而改变荧光粉层内的荧光粉被激发的效率,实现对发光二极管光源的出光色温的调整。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种发光二极管光源装置,其包括底板及设置在底板上的发光二极管芯片,其特征在于:该发光二极管光源装置还包括与所述底板滑动连接的基座,该基座上设有荧光粉层,该荧光粉层设置在遮挡所述发光二极管芯片出光方向上且厚度呈非均匀分布;该底板与所述基座可相对滑动以使所述发光二极管芯片对应荧光粉层的不同厚度的部分,从而改变发光二极管光源装置的出光色温,所述基座的两个侧面分别向两侧延伸形成有凸出部,所述底板对应所述凸出部形成有导轨,所述基座的凸出部活动卡合在所述导轨内。
2.如权利要求1所述的发光二极管光源装置,其特征在于:所述基座上形成一容置槽以收容所述发光二极管芯片,所述荧光粉层设置在容置槽中并置于所述发光二极管芯片上方。
3.如权利要求2所述的发光二极管光源装置,其特征在于:所述基座包括顶面及底面,所述容置槽由顶面沿底面方向贯通整个基座开设形成。
4.如权利要求3所述的发光二极管光源装置,其特征在于:所述容置槽的内表面为倾斜面,该倾斜面自基座顶面向基座底面方向延伸并向发光二极管芯片方向倾斜,容置槽的内表面还涂敷有反光材料。
5.如权利要求1所述的发光二极管光源装置,其特征在于:所述基座底面上设置有相互间隔的第一电极及第二电极,所述底板上形成有第三电极及第四电极,所述发光二极管芯片分别与所述第三电极及第四电极电连接,所述第一电极与第三电极电接触,第二电极与第四电极电接触。
6.如权利要求5所述的发光二极管光源装置,其特征在于:所述基座的第一电极及第二电极的一端分别延伸到基座两侧外,用于与外部电路连接。
7.如权利要求5所述的发光二极管光源装置,其特征在于:所述底板上的第三电极及第四电极的一端分别延伸到底板外,用于与外部电路连接。
8.如权利要求1所述的发光二极管光源装置,其特征在于:所述荧光粉层是厚度从中间朝外缘递减的凸透镜结构。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110136565.9A CN102800782B (zh) | 2011-05-25 | 2011-05-25 | 发光二极管光源装置 |
TW100119047A TWI416769B (zh) | 2011-05-25 | 2011-05-31 | 發光二極體光源裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110136565.9A CN102800782B (zh) | 2011-05-25 | 2011-05-25 | 发光二极管光源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102800782A CN102800782A (zh) | 2012-11-28 |
CN102800782B true CN102800782B (zh) | 2015-03-11 |
Family
ID=47199828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110136565.9A Active CN102800782B (zh) | 2011-05-25 | 2011-05-25 | 发光二极管光源装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102800782B (zh) |
TW (1) | TWI416769B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103258937A (zh) * | 2013-04-27 | 2013-08-21 | 杭州杭科光电股份有限公司 | 一种透明贴片式led光源 |
TWI548126B (zh) * | 2014-04-11 | 2016-09-01 | 隆達電子股份有限公司 | 固態發光裝置 |
CN103972221A (zh) * | 2014-06-03 | 2014-08-06 | 宁波升谱光电半导体有限公司 | Led光源封装结构及led光源封装方法 |
CN111240093A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-06-05 | 深圳创维-Rgb电子有限公司 | 一种光源模组、灯条及电视机 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101828072A (zh) * | 2007-10-17 | 2010-09-08 | 吉可多公司 | 具有发光二极管和可移动的光调整构件的照明装置 |
CN101842907A (zh) * | 2007-10-01 | 2010-09-22 | 英特曼帝克司公司 | 色彩可调谐的发光装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI323042B (en) * | 2006-02-10 | 2010-04-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Light-emitting diode package structure |
TW200837978A (en) * | 2007-03-02 | 2008-09-16 | Yu-Nung Shen | Light-emitting diode chip package and packaging method thereof |
US7915627B2 (en) * | 2007-10-17 | 2011-03-29 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
KR101429704B1 (ko) * | 2008-01-31 | 2014-08-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 파장변환 부재, 이를 포함하는 광원 어셈블리 및 액정 표시장치 |
TWM357706U (en) * | 2008-09-15 | 2009-05-21 | Kismart Corp | Light emitted diode and its lens |
-
2011
- 2011-05-25 CN CN201110136565.9A patent/CN102800782B/zh active Active
- 2011-05-31 TW TW100119047A patent/TWI416769B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101842907A (zh) * | 2007-10-01 | 2010-09-22 | 英特曼帝克司公司 | 色彩可调谐的发光装置 |
CN101828072A (zh) * | 2007-10-17 | 2010-09-08 | 吉可多公司 | 具有发光二极管和可移动的光调整构件的照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201248932A (en) | 2012-12-01 |
TWI416769B (zh) | 2013-11-21 |
CN102800782A (zh) | 2012-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9897789B2 (en) | Light emitting device package and lighting device having the same | |
US9960322B2 (en) | Solid state lighting devices incorporating notch filtering materials | |
CN103883899B (zh) | 照明装置 | |
CN107210344A (zh) | 发光装置及包括该发光装置的车辆用照明灯 | |
US9841161B2 (en) | Lens for light emitter, light source module, lighting device, and lighting system | |
EP2538461A2 (en) | Light-emitting module and lighting apparatus | |
KR20150007885A (ko) | 형광체 및 이를 구비한 발광 소자 | |
US9593812B2 (en) | High CRI solid state lighting devices with enhanced vividness | |
CN104948949B (zh) | 发光模块 | |
KR102300558B1 (ko) | 광원 모듈 | |
CN107148684A (zh) | 发光装置 | |
CN102800782B (zh) | 发光二极管光源装置 | |
CN102797985A (zh) | 发光二极管光源装置 | |
US8476662B2 (en) | Light emitting device, method for manufacturing the same, and backlight unit | |
US20130009175A1 (en) | Vertical stacked light emitting structure | |
KR101666844B1 (ko) | 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈 | |
US8476651B2 (en) | Vertical stacked light emitting structure | |
CN104075155A (zh) | 灯以及照明装置 | |
CN102748595B (zh) | 发光二极管光源装置 | |
CN203500923U (zh) | 发光模块 | |
KR101724699B1 (ko) | 발광 장치 및 조명 시스템 | |
KR102430999B1 (ko) | 광원 모듈 | |
US20130169144A1 (en) | Led package structure capable of adjusting the spatial color uniformity and the light distribution curve | |
CN203398109U (zh) | 发光装置以及照明装置 | |
CN102903829B (zh) | 发光二极管光源装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170411 Address after: The new lux Plaza No. 3 Guangdong Tong Fu town town Zhongshan City 2 North Road, building 2 floor to 3 Patentee after: Zhongshan Chengyuan Photoelectric Technology Co., Ltd. Address before: 518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Street tabulaeformis Industrial Zone tenth east two Ring Road No. two Co-patentee before: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Patentee before: Zhanjing Technology (Shenzhen) Co., Ltd. |
|
TR01 | Transfer of patent right |