CN106935578A - 一种发光二极管的封装结构 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 42
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 27
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 241000826860 Trapezium Species 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003752 improving hair Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明公开一种发光二极管的封装结构,包括基座、第一电极、第二电极、第一发光二极管晶粒、第二发光二极管晶粒、反射杯和挡块;所述第一电极和第二电极分别安装在基座上;所述第一发光二极管晶粒和第二发光二极管晶粒分别安装在第一电极和第二电极上;所述反射杯设置在基座上,所述两反射杯构成半封闭空间;所述挡块上端面及两侧面将半封闭空间划分成第一空腔、第二空腔和第三空腔。本发明中第一空腔和第二空腔采用环脂族类环氧树脂,并用双酚A类环氧树脂覆盖环脂族类环氧树脂,具有结构简单、提高发光率和节约成本的特点;通过在环脂族类环氧树脂和双酚A类环氧树脂内添加同一种荧光粉,可提高光的纯度,进而提高晶粒的利用率,节约成本。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域,涉及到一种发光二极管的封装结构。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有重量轻、体积小、污染低、易与集成电路匹配、驱动简单、工作电压低及寿命长等优点,其作为一种新型的发光源,已经被越来越多地应用到各领域当中,如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等。
现有的发光二极管封装结构通常包括基板、位于基板上的电极、承载于基板上并与电极电性连接的发光二极管晶粒以及覆盖发光二极管芯片于基板上的封装体。目前发光二极管在制作的过程中存在出光率低、光的纯度低、结构复杂和成本高的问题,为了提高发光二极管的出光率、光的纯度,同时降低发光二极管的成本问题,现设计一种发光二极管的封装结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光二极管的封装结构,解决了发光二极管的出光率低、光纯度低及成本高的问题
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种发光二极管的封装结构,包括基座、第一电极、第二电极、第一发光二极管晶粒、第二发光二极管晶粒、反射杯和挡块;
所述基座包括上承载面、下承载面以及侧面;
所述第一电极和第二电极分别安装在基座上;
所述第一发光二极管晶粒和第二发光二极管晶粒分别安装在第一电极和第二电极上;
所述反射杯设置在基座的上承载面上,所述两反射杯构成半封闭空间;
所述挡块位于基座上,所述挡块上端面所处的水平线及挡板两侧面将半封闭空间划分成第一空腔、第二空腔和第三空腔;
所述第一空腔和第一空腔内均填充有环脂族类环氧树脂,所述第三空腔内填充有双酚A类环氧树脂,且环脂族类环氧树脂和双酚A类环氧树脂内分别掺杂有荧光粉。
进一步地,所述第一电极和第二电极为U型结构,所述U型结构的两内侧直边分别与基座的上承载面和下承载面连接,所述U型结构的底边与基座的侧面连接。
进一步地,所述第一电极和第二电极分别为第一发光二极管晶粒和第二发光二极管晶粒提供电连接。
进一步地,所述反射杯的内壁设置为倾斜结构,使得半封闭空间沿靠近基板的方向逐渐减小。
进一步地,所述反射杯局部覆盖基座的上承载面和上承载面上的第一电极或第二电极。
进一步地,所述挡块的底面宽度与第一电极与第二电极间的距离相等,所述挡块的尺寸沿远离基座的上承载面以及下承载面的方向减小。
进一步地,所述挡块的截面为非直角梯形结构。
本发明的有益效果:
本发明中发光二极管通过将第一发光二极管晶粒和第二发光二极管晶粒分别设置在第一空腔和第二空腔内,且第三空腔位于第一空腔和第二空腔上,第一空腔和第二空腔采用耐高温且抗短波长光的环脂族类环氧树脂覆盖第一发光二极管晶粒和第二发光二极管晶粒,并用成本较低的双酚A类环氧树脂覆盖环脂族类环氧树脂,避免第一发光二极管晶粒和第二发光二极管晶粒发射的波直接照射发生变性,具有提高发光率和节约成本的特点;同时,通过在环脂族类环氧树脂和双酚A类环氧树脂内添加有荧光粉,可提高光的纯度,进而提高晶粒的利用率,具有结构简单、成本低的特点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一种发光二极管的封装结构示意图;
图2为本发明中半封闭空间分布示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1所示,本发明为一种发光二极管的封装结构,包括基座10、第一电极20、第二电极30、第一发光二极管晶粒40、第二发光二极管晶粒50、反射杯60和挡块70;
基座10为绝缘座,其材质为碳化硅材料制成,该基座10水平放置,基座10上下表面均为光滑面,基座10包括上承载面、下承载面以及侧面;
第一电极20和第二电极30分别安装在基座10上,第一电极20和第二电极30为U型结构,U型结构的两内侧直边分别与基座10的上承载面和下承载面连接,U型结构的底边与基座10的侧面连接,第一电极20和第二电极30的结构设计,使得电通过基座10的上承载面依次传输至侧面和下承载面上,其中第一电极20和第二电极30间不相互接触,避免短路。
第一发光二极管晶粒40和第二发光二极管晶粒50分别安装在第一电极20和第二电极30上,第一电极20和第二电极30分别为第一发光二极管晶粒40和第二发光二极管晶粒50提供电连接。
挡块70位于基座10上承载面的中心位置,且挡块70的底面宽度与第一电极20与第二电极30间的距离相等,挡块70的尺寸沿远离上承载面以及下承载面的方向逐渐减小,进而挡块70具有倾斜的侧面,挡块70的截面为非直角梯形结构。
反射杯60设置在基座10的上承载面上,且局部覆盖上承载面和上承载面上的第一电极20或第二电极30,两反射杯60构成半封闭空间80,反射杯60的内壁设置为倾斜结构,使得该半封闭空间80沿靠近基板10的方向逐渐减小;
如图2所示,挡块70上端面所处的水平线及挡板70两侧面将半封闭空间80划分成第一空腔810、第二空腔820和第三空腔830,其中第一电极20的上端面和第一发光二极管晶粒40均位于第一空腔810内,第二电极30的上端面和第二发光二极管晶粒50均位于第二空腔820内,第一空腔810与第二空腔820间互不相通,第三空腔830位于第一空腔810、第二空腔820上。
所述第一空腔810和第一空腔810内均填充有环脂族类环氧树脂,第三空腔830内填充有双酚A类环氧树脂,其中环脂族类环氧树脂和双酚A类环氧树脂内分别掺杂有荧光粉,用于提高亮度。
本实施例中第一发光二极管晶粒40和第二发光二极管晶粒50的波长均分布在455纳米至457.5纳米之间,第一发光二极管晶粒40和第二发光二极管晶粒50发出的光经第一空腔810、第二空腔820和第三空腔830内荧光粉,提高该发光二极管发出发出高演色性的白光。
本发明中发光二极管通过将第一发光二极管晶粒和第二发光二极管晶粒分别设置在第一空腔和第二空腔内,且第三空腔位于第一空腔和第二空腔上,第一空腔和第二空腔采用耐高温且抗短波长光的环脂族类环氧树脂覆盖第一发光二极管晶粒和第二发光二极管晶粒,并用成本较低的双酚A类环氧树脂覆盖环脂族类环氧树脂,避免第一发光二极管晶粒和第二发光二极管晶粒发射的波直接照射发生变性,具有提高发光率和节约成本的特点;同时,通过在环脂族类环氧树脂和双酚A类环氧树脂内添加有荧光粉,可提高光的纯度,进而提高晶粒的利用率,具有结构简单、成本低的特点。
以上内容仅仅是对本发明的构思所作的举例和说明,所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围,均应属于本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种发光二极管的封装结构,其特征在于:包括基座(10)、第一电极(20)、第二电极(30)、第一发光二极管晶粒(40)、第二发光二极管晶粒(50)、反射杯(60)和挡块(70);
所述基座(10)包括上承载面、下承载面以及侧面;
所述第一电极(20)和第二电极(30)分别安装在基座(10)上;
所述第一发光二极管晶粒(40)和第二发光二极管晶粒(50)分别安装在第一电极(20)和第二电极(30)上;
所述反射杯(60)设置在基座(10)的上承载面上,所述两反射杯60构成半封闭空间(80);
所述挡块(70)位于基座(10)上,所述挡块(70)上端面所处的水平线及挡板(70)两侧面将半封闭空间(80)划分成第一空腔(810)、第二空腔(820)和第三空腔(830);
所述第一空腔(810)和第一空腔(810)内均填充有环脂族类环氧树脂,所述第三空腔(830)内填充有双酚A类环氧树脂,且环脂族类环氧树脂和双酚A类环氧树脂内分别掺杂有荧光粉。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构,其特征在于:所述第一电极(20)和第二电极(30)为U型结构,所述U型结构的两内侧直边分别与基座(10)的上承载面和下承载面连接,所述U型结构的底边与基座(10)的侧面连接。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构,其特征在于:所述第一电极(20)和第二电极(30)分别为第一发光二极管晶粒(40)和第二发光二极管晶粒(50)提供电连接。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构,其特征在于:所述反射杯(60)的内壁设置为倾斜结构,使得半封闭空间(80)沿靠近基板(10)的方向逐渐减小。
5.根据权利要求4所述的一种发光二极管的封装结构,其特征在于:所述反射杯(60)局部覆盖基座(10)的上承载面和上承载面上的第一电极(20)或第二电极(30)。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构,其特征在于:所述挡块(70)的底面宽度与第一电极(20)与第二电极(30)间的距离相等,所述挡块(70)的尺寸沿远离基座(10)的上承载面以及下承载面的方向减小。
7.根据权利要求6所述的一种发光二极管的封装结构,其特征在于:所述挡块(70)的截面为非直角梯形结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710317834.9A CN106935578A (zh) | 2017-05-08 | 2017-05-08 | 一种发光二极管的封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710317834.9A CN106935578A (zh) | 2017-05-08 | 2017-05-08 | 一种发光二极管的封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106935578A true CN106935578A (zh) | 2017-07-07 |
Family
ID=59430378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710317834.9A Pending CN106935578A (zh) | 2017-05-08 | 2017-05-08 | 一种发光二极管的封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106935578A (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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