JP2008513983A - オプトエレクトロニクスデバイス用ケーシング、オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (19)
- チップ実装面を備えた支持体(7)と光エレメント(2)とを有している、オプトエレクトロニクスデバイス用ケーシングであって、支持体と光エレメントとの間の分離レベル(15)はチップ実装面(3)のレベル内に配置されているケーシング。
- 少なくとも光エレメント(2)の部分は、予め定めることができる波長領域の電磁放射を反射するのに適している
請求項1記載のケーシング。 - 光エレメント(2)が少なくとも部分的に、次の光エレメント:CPC.CEC,CHC,TIRの少なくとも1つの形式に従って形成されている
請求項1または2記載のケーシング。 - 光エレメント(2)が反射性材料を含んでいる
請求項1から3までのいずれか1項記載のケーシング。 - 光エレメント(2)が、光エレメント(2)の内壁(14)と注型成形材(8)との間の固着を仲立ちするのに適している材料を含んでいる
請求項1から4までのいずれか1項記載のケーシング。 - 光エレメント(2)がルミネセンス変換材料(9)を含んでいる
請求項1から5までのいずれか1項記載のケーシング。 - ルミネセンス変換材料(9)が光エレメント(2)の内壁(14)に少なくとも部分的に層になって被着されている
請求項1から5までのいずれか1項記載のケーシング。 - 光エレメント(2)が次の材料:アルミニウム、酸化アルミニウム、LCP、PEEK、PPA、酸化シリコン、窒化シリコンの少なくとも1つを含んでいる
請求項1から7までのいずれか1項記載のケーシング。 - 光エレメント(2)が少なくともプレスばめを用いて支持体(7)と機械的に連結されている
請求項1から8までのいずれか1項記載のケーシング。 - 請求項1から9までのいずれか1項記載のケーシングと薄膜様式の少なくとも1つの発光ダイオードチップ(1)とを有しているオプトエレクトロニクスデバイス。
- 光エレメント(2)が、発光ダイオードチップ(1)において生成された電磁放射の大部分が入射する入射孔を有しておりかつ該入射孔は、最大で発光ダイオードチップの放射出力結合面の2倍の大きさの面積を有している
請求項10記載のオプトエレクトロニクスデバイス。 - 次の工程:
a)半導体チップ(1)を支持体(7)に固定する、
b)半導体チップ(1)を電気的にコンタクト形成する、
c)オプトエレクトロニクスデバイス(2)を支持体(7)に固定する
によりオプトエレクトロニクスデバイスを製造するための方法。 - 工程b)において半導体チップ(1)をワイアボンディングに基づいてコンタクト形成する
請求項12記載の方法。 - 光エレメント(2)を工程c)において少なくともプレスばめを用いて支持体(7)と機械的に連結する
請求項12または13記載の方法。 - 工程c)の前に、光エレメント(2)の内壁(14)に反射性の被膜を被着する
請求項12から14までのいずれか1項記載のケーシング。 - 反射性の被膜をプラズマインパルス化学蒸着法(PICVD)を用いて被着する
請求項15記載の方法。 - 工程c)の前に、光エレメント(2)の内壁(14)に、ルミネセンス変換材料(9)を有している層を被着する
請求項12から16までのいずれか1項記載のケーシング。 - 工程c)の前に、光エレメント(2)の内壁(14)に、固着仲介物を有している層(10)を被着する
請求項12から17までのいずれか1項記載のケーシング。 - 固着仲介物を火炎熱分解を用いて光エレメントの内壁(14)に被着する
請求項18記載の方法。
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