CN101090144A - 高功率发光元件封装的工艺及其结构 - Google Patents

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Abstract

本发明关于一种高功率发光元件封装工艺及其结构，其中该高功率发光元件封装工艺，包括步骤：(a)形成多个导线架，每一导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；(b)电镀每一导线架的外表面；(c)在每一导线架的散热元件的表面涂布导电胶；(d)在该导电胶上分别设置至少一发光芯片；(e)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体，且在该胶封体上一体形成反射凹杯，至少一发光芯片暴露在该反射凹杯的底部；(f)打线连接该至少一发光芯片的顶部电极于至少所述引脚之一上；(g)点硅胶在该反射凹杯内，并一体形成聚光凸面；(h)分开所述导线架。借此，形成多个高功率发光元件的封装。

Description

高功率发光元件封装的工艺及其结构
技术领域
本发明涉及一种高功率发光元件封装的工艺及其结构，特别是指一种高功率LED封装的工艺及其结构。
背景技术
如图1所示，公知的一种发光芯片封装的结构的示意图。将发光芯片10a安置于第一金属基材11a上。将发光芯片10a的表面电极以焊线13a电性连接于第二金属基材12a上。第一金属基材11a以接触式电性连接于发光芯片10a的底面电极。以透明胶体14a封装第一金属基材11a的一部分以及第二金属基材12a的一部分，用以保护发光芯片10a以及焊线13a。第一金属基材11a及第二金属基材12a分别为发光芯片10a的两个延伸电极，第一金属基材11a及第二金属基材12a的底面作为后续的焊接面，用以表面贴装于外部的基板。
然而，所述的发光芯片的封装以表面贴装方式固定于外部的基板上，因此光线仅可以在垂直于基板的方向射出。
再者，所述的发光芯片的封装并没有提供散热的功能。由于材料特性以及封装技术的限制，发光元件(如：LED)在亮度及使用寿命上目前还无法达到一般照明灯源的规格，其中一个十分重要的原因是发光元件发光时所产生的热量，因此若散热设计不佳，高温将会导致发光元件本身亮度降低、寿命降低、波长飘移等等的问题。
因此，由上可知，所述的发光芯片的封装，在实际使用上，显然存在有待加以改善的问题。
发明内容
本发明的主要目的，在于提供一种高功率发光元件封装的工艺及其结构，其中该高功率发光元件封装结构具有散热的功能及调整光线射出的方向。
为了达到上述目的，本发明提供一种高功率发光元件封装的工艺及其结构，其中该高功率发光元件封装的工艺包括下列步骤：(a)在金属料带上形成多个导线架，所述导线架彼此之间通过系带连接，每一导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；(b)电镀每一导线架的外表面；(c)在每一导线架的散热元件的表面涂布导电胶；(d)在该导电胶上分别设置至少一发光芯片，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的该表面；(e)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且在该胶封体上一体形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该至少一发光芯片暴露在该反射凹杯的底部；(f)在至少这些引脚之一上打线连接该至少一发光芯片的顶部电极；(g)在打线连接处点银胶；(h)在每一反射凹杯内点硅胶，并一体形成聚光凸面；以及(i)切断所述系带，使每一导线架彼此分开；由此，形成多个高功率发光元件的封装。
在较佳实施例中，其中(e)步骤中进一步包括步骤：在每一反射面上镀上一层反射层。
再者，在其它较佳实施例中，所述的(h)步骤中所提及的方法，在每一反射凹杯内点硅胶后，另外在每一反射凹杯的顶部压一透镜。
再者，在其它较佳实施例中，所述的(h)步骤中所提及的方法，也可以在每一反射凹杯内点硅胶即可。
此外，其中该高功率发光元件封装的结构，包括：导线架，该导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；电镀层，形成在该导线架的外表面上；导电胶层，涂布在该散热元件的表面；至少一发光芯片，设置于该导电胶层上，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的该表面；胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且在该胶封体上一体形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该至少一发光芯片暴露在该反射凹杯的底部；焊线，在这些引脚的之一上电性连接该至少一发光芯片的顶部电极；银胶层，形成在该焊线与至少一发光芯片的顶部电极的连接处及该焊线与所述引脚之一的连接处；及硅胶层，形成在该反射凹杯内，以覆盖该至少一发光芯片及该焊线，并一体形成聚光凸面；由此，形成高功率发光元件的封装。
其中，该导线架具有散热及调整光线射出方向的功能的结构，分别由散热元件及延伸于该散热元件的一侧的引脚所提供。
在较佳实施例中，所述的高功率发光元件封装的结构，进一步包括反射层，形成在该反射面上。
再者，在其它较佳实施例中，所述的高功率发光元件封装的结构，进一步在每一反射凹杯的顶部设置透镜，并与该硅胶层连接。
再者，在其它较佳实施例中，所述的高功率发光元件封装的结构，其中该硅胶层直接形成在该反射凹杯内。
为了达到上述目的，本发明提供另一种高功率发光元件封装的工艺及其结构，其中该高功率发光元件封装的工艺包括下列步骤：(a)在金属料带上形成多个导线架，所述导线架彼此之间通过系带连接，每一导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；(b)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且该胶封体上形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该反射凹杯的底部暴露该散热元件的一些表面及每一引脚的一些表面；(c)电镀每一导线架未被该胶封体封住的表面；(d)在该反射凹杯的底部涂布导电胶；(e)在该导电胶上设置至少一发光芯片，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的表面；(f)在至少这些引脚之一上打线连接该至少一发光芯片的顶部电极；(g)在打线连接处点银胶；(h)在每一反射凹杯内点硅胶，并一体形成聚光凸面；以及(i)切断所述系带，使每一导线架彼此分开；由此，形成多个高功率发光元件的封装。
在较佳实施例中，其中(b)步骤中进一步包括步骤：在每一反射面上镀上一层反射层。
再者，在其它较佳实施例中，所述的(h)步骤中所提及的方法，在每一反射凹杯内点硅胶后，另外在每一反射凹杯的顶部压一透镜。
再者，在其它较佳实施例中，所述的(h)步骤中所提及的方法，也可以在每一反射凹杯内点硅胶即可。
此外，其中该高功率发光元件封装的结构，包括：导线架，该导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且该胶封体上形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该反射凹杯的底部暴露该散热元件的一些表面及每一引脚的一些表面；电镀层，形成在该导线架未被该胶封体封住的表面；导电胶层，涂布在该反射凹杯的底部；至少一发光芯片，设置于该导电胶层上，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的表面；焊线，在所述引脚之一上电性连接该至少一发光芯片的顶部电极；银胶层，形成在该焊线与至少一发光芯片的顶部电极的连接处及该焊线与所述引脚之一的连接处；及硅胶层，形成在该反射凹杯内，以覆盖该至少一发光芯片及该焊线，并一体形成聚光凸面；由此，形成高功率发光元件的封装。
其中，该导线架具有散热及调整光线射出方向的功能的结构，分别由散热元件及延伸于该散热元件的一侧的引脚所提供。
在较佳实施例中，所述的高功率发光元件封装的结构，进一步包括反射层，形成在该反射面上。
再者，在其它较佳实施例中，所述的高功率发光元件封装的结构，进一步在每一反射凹杯的顶部设置透镜，并与该硅胶层连接。
再者，在其它较佳实施例中，所述的高功率发光元件封装的结构，其中该硅胶层直接形成在该反射凹杯内。
本发明的另一种高功率发光元件封装的工艺包括下列步骤：
(a)在金属料带上形成多个导线架，所述导线架彼此之间通过系带连接，每一导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
(b)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且该胶封体上形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该散热元件的一些表面及每一引脚的一些表面暴露在该反射凹杯的底部；
(c)电镀每一导线架未被该胶封体封住的表面；
(d)在该反射凹杯的底部涂布导电胶；
(e)在该导电胶上设置至少一发光芯片，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的表面；
(f)在所述引脚之一上打线连接该至少一发光芯片的顶部电极；
(g)在打线连接处点银胶；
(h)在每一反射凹杯内点硅胶；
(i)在每一反射凹杯的顶部压一透镜；以及
(j)切断所述系带，使每一导线架彼此分开；
由此，形成多个高功率发光元件的封装。
根据所述的高功率发光元件封装的工艺，在(b)步骤中进一步包括下列步骤：在每一反射面上镀上一层反射层。
本发明的另一种高功率发光元件封装的工艺包括下列步骤：
(a)金属料带上形成多个导线架，所述导线架彼此之间通过系带连接，每一导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
(b)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且该胶封体上形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该散热元件的一些表面及每一引脚的一些表面暴露在该反射凹杯的底部；
(c)电镀每一导线架未被该胶封体封住的表面；
(d)在该反射凹杯的底部涂布导电胶；
(e)在该导电胶上设置至少一发光芯片，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的表面；
(f)在所述引脚之一上打线连接该至少一发光芯片的顶部电极；
(g)在打线连接处点银胶；
(h)在每一反射凹杯内点硅胶；及
(i)切断所述系带，使每一导线架彼此分开；
由此，形成多个高功率发光元件的封装。
根据所述的高功率发光元件封装的工艺，在(b)步骤中进一步包括下列步骤：在每一反射面上镀上一层反射层。
根据所述的高功率发光元件封装的工艺，在(h)步骤中，在每一反射凹杯内点上硅胶后，在硅胶的顶面一体形成聚光凸面。
本发明的另一种高功率发光元件封装的结构包括：
导线架，该导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且该胶封体上形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该散热元件的一些表面及每一引脚的一些表面暴露在该反射凹杯的底部；
电镀层，形成在该导线架未被该胶封体封住的表面上；
导电胶层，涂布在该反射凹杯的底部；
至少一发光芯片，设置于该导电胶层上，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的表面；
焊线，在所述引脚之一上电性连接该至少一发光芯片的顶部电极；
银胶层，形成在该焊线与该至少一发光芯片的顶部电极的连接处及在该焊线与所述引脚之一的连接处；
硅胶层，形成在该反射凹杯内，以覆盖该至少一发光芯片及该焊线；及
透镜，设置在每一反射凹杯的顶部并与该硅胶层连接；
由此，形成高功率发光元件的封装。
根据所述的高功率发光元件封装的结构，进一步包括反射层，形成在该反射面上。
本发明的另一种高功率发光元件封装的结构包括：
导线架，该导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且该胶封体上形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该散热元件的一些表面及每一引脚的一些表面暴露在该反射凹杯的底部；
电镀层，形成在该导线架未被该胶封体封住的表面；
导电胶层，涂布在该反射凹杯的底部；
至少一发光芯片，设置于该导电胶层上，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的表面；
焊线，在所述引脚之一上电性连接该至少一发光芯片的顶部电极；
银胶层，形成在该焊线与该至少一发光芯片的顶部电极的连接处及在该焊线与所述引脚之一的连接处；及
硅胶层，形成在该反射凹杯内，以覆盖该至少一发光芯片及该焊线；
由此，形成高功率发光元件的封装。
根据所述的高功率发光元件封装的结构，进一步包括反射层，形成在该反射面上。
根据所述的高功率发光元件封装的结构，该硅胶层的顶面进一步一体形成聚光凸面。
在本发明的高功率发光元件封装的工艺及其结构中导线架具有散热元件及多个自该散热元件的一侧向外延伸的引脚，该散热元件改善了高效率发光芯片封装的散热问题。所述引脚固定于外部基板上时，可以弯折调整，用以调整光线的发射方向。
附图说明
图1是公知的一种发光芯片封装的结构的示意图；
图2是本发明的较佳实施例的第一制造流程图；
图3是本发明的第一较佳实施例的剖面图；
图4是本发明的第二较佳实施例的剖面图；
图5是本发明的第三较佳实施例的剖面图；
图6是本发明的较佳实施例的第二制造流程图；
图7是本发明的第四较佳实施例的剖面图；
图8是本发明的第五较佳实施例的剖面图；及
图9是本发明的第六较佳实施例的剖面图。
其中，附图标记说明如下：
〔公知〕
10a  发光芯片        13a  焊线
11a  第一金属基材    14a  透明胶体
12a  第二金属基材
〔本发明〕
1   导线架      511  反射面
11  散热元件    6    反射层
12  引脚        7    焊线
2    电镀层      8    银胶层
3    导电胶层    9    硅胶层
4    发光芯片    91   聚光凸
5    胶封体      10   透镜
51   反射凹杯
1’  导线架      5’  导电胶层
11’ 散热元件    6’  发光芯片
12’ 引脚        7’  焊线
2’  胶封体      8’  银胶层
21’ 反射凹杯    9’  硅胶层
211’反射面      91’ 聚光凸面
3’  电镀层      10’ 透镜
4’  反射层
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达到预定目的所采取的技术手段及功效，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，相信本发明的目的、特征与特点，当可由此得到深入且具体的了解，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
请参阅图2，本发明的较佳实施例的第一制造流程图，以及图3至图5，本发明的第一至第三较佳实施例的剖面图。本发明的一种高功率发光元件封装的工艺及其结构，其中该高功率发光元件封装的工艺包括下列步骤：形成多个导线架，所述导线架彼此连接(S100)；电镀每一导线架的外表面(S102)；涂布导电胶在每一导线架(S104)；设置至少一发光芯片于每一导线架(S106)；形成胶封体在每一导线架上，且每一胶封体上一体形成反射凹杯(S108)；打线连接每一该至少一发光芯片于每一导线架(S110)；点银胶于打线连接处(S112)；点硅胶在每一反射凹杯内(S114)；压一透镜在每一反射凹杯的顶部(S116)；及分开所述彼此连接的导线架(S118)。详细叙述如下：
首先，在导电性及导热性极佳的金属料带上形成多个导线架，所述导线架彼此之间通过系带连接。如图3至图5所示，其中每一导线架1包括散热元件11及多个引脚12，每一引脚12由该散热元件11的一侧向外延伸(S100)。
然后，在每一导线架1的外表面上电镀一层金属，以形成电镀层2(S102)。
另外，涂布导电胶(助焊剂)在每一导线架1的散热元件11的顶表面，以形成导电胶层3(S104)。
然后，将发光芯片4设置于每一导电胶层3上，使该发光芯片4的底部电极电性连接于该散热元件11的顶表面上(S106)。
再来，以射出成型的方式在每一导线架1上形成胶封体5，该胶封体5封住该散热元件11的一部分及每一引脚12的一部分，且该胶封体5上形成反射凹杯51，该反射凹杯51的内壁周缘形成反射面511，该发光芯片4暴露在该反射凹杯51的底部(S108)。
然后，以焊线7连接该发光芯片4的顶部电极于所述引脚12之一上(S110)。
之后，在焊线7与发光芯片4的顶部电极的连接处，以及在焊线7与所述引脚12之一的连接处点上银胶，以形成银胶层8，用以固定焊线7(S112)。
然后，在每一反射凹杯51内点上硅胶，以形成硅胶层9(如图3所示)，用以覆盖发光芯片4及该焊线7(S114)。
再者，将透镜10压固在每一反射凹杯51的顶部开口处，该透镜10具有聚光作用，用以加强发光亮度(S116)。
之后，切断所述系带，使每一导线架1彼此分开，由此，形成多个高功率发光元件的封装(S118)。
所述的高功率发光元件封装的工艺，其中(S108)步骤中进一步包括：镀上一层反射层4在每一反射面511上(S109)。
再者，在(S114)步骤中，在每一反射凹杯51内点上硅胶后，并直接在该硅胶的顶面一体形成聚光凸面91(如图4所示)，该聚光凸面91具有聚光作用，用以加强发光亮度。
再者，在(S114)步骤中，在每一反射凹杯51内点上硅胶后，即形成硅胶层9(如图5所示)，该硅胶层9本身具有透镜的透光功能。
根据上述的工艺，用以制造本发明的第一较佳实施例的高效率发光芯片封装的结构，如图3所示，包括导线架1、电镀层2、导电胶层3、发光芯片4、胶封体5、反射层6、焊线7、银胶层8、硅胶层9及透镜10。
该导线架1包括散热元件11及多个引脚12，每一引脚12由该散热元件1的一侧向外延伸。
该电镀层2形成在该导线架1的外表面上。
该导电胶层3涂布在每一导线架1的散热元件11的顶表面，用以固定发光芯片4。
该发光芯片4设置于该导电胶层3上，使该发光芯片4的底部电极电性连接于该散热元件11的顶表面。
该胶封体5封住该散热元件11的一部分及每一引脚12的一部分，且该胶封体5上形成反射凹杯51，该反射凹杯51的内壁周缘形成反射面511，该发光芯片4暴露在该反射凹杯51的底部。
该反射层6形成在该反射面511上。
该焊线7电性连接该发光芯片4的顶部电极于所述引脚12之一上。
该银胶层8形成在该焊线7与发光芯片4的顶部电极的连接处及该焊线7与所述引脚12之一的连接处。
该硅胶层9形成在该反射凹杯51内，以覆盖该发光芯片4及该焊线7。
该透镜10设置在每一反射凹杯51的顶部并与该硅胶层9的顶面连接。
再者，在第二较佳实施例中，如图4所示，当将硅胶点在反射凹杯51内时，可以一体形成聚光凸面91在硅胶层9的顶面。当光线经过该聚光凸面91，光线会被聚集，用以加强发光亮度。
再者，在第三较佳实施例中，如图5所示，当将硅胶点在反射凹杯51内时，即形成硅胶层9。该硅胶层9本身具有透镜的透光功能。
请参阅图6，本发明的较佳实施例的第二制造流程图，以及图7至图9，本发明的第四至第六较佳实施例的剖面图。本发明的一种高功率发光元件封装的工艺及其结构，其中该高功率发光元件封装的工艺包括下列步骤：形成多个导线架，所述导线架彼此连接(S200)；形成胶封体在每一导线架上，且每一胶封体上一体形成反射凹杯(S202)；电镀每一导线架(S204)；涂布导电胶在每一反射凹杯的底部(S206)；设置至少一发光芯片于每一反射凹杯内(S208)；打线连接每一至少一发光芯片于每一导线架(S210)；点银胶于打线连接处(S212)；点硅胶在每一反射凹杯内(S214)；压一透镜在每一反射凹杯的顶部(S216)；及分开所述彼此连接的导线架(S218)。详细叙述如下：
首先，在导电性及导热性极佳的金属料带上形成多个导线架，所述导线架彼此之间通过系带连接。如图7至图9所示，其中每一导线架1’包括散热元件11’及多个引脚12’，每一引脚12’由该散热元件11’的一侧向外延伸(S200)。
然后，以射出成型的方式在每一导线架1’上形成胶封体2’，该胶封体2’封住该散热元件11’的一部分及每一引脚12’的一部分，且该胶封体2’上形成反射凹杯21’，该反射凹杯21’的内壁周缘形成反射面211’，该散热元件11’的一些表面及每一引脚12’的一些表面暴露在该反射凹杯21’的底部(S202)。
另外，在每一导线架1’未被该胶封体2’封住的表面上电镀一层金属，以形成电镀层3’(S204)。
然后，涂布导电胶在该反射凹杯21’的底部，以形成导电胶层5’(S206)。
再者，将一发光芯片6’设置于该导电胶层5’上，使该发光芯片6’的底部电极电性连接于该散热元件11’的表面上(S208)。
然后，以焊线7’连接该发光芯片6’的顶部电极于所述引脚12’的一上(S210)。
之后，在焊线7’与发光芯片6’的顶部电极的连接处，以及在焊线7’与所述引脚12’之一的连接处点上银胶，以形成银胶层8’，用以固定焊线7’(S212)。
然后，在每一反射凹杯21’内点上硅胶，以形成硅胶层9’(如图7所示)，用以覆盖发光芯片6’及该焊线7’(S214)。
再者，将透镜10’压固在每一反射凹杯21’的顶部开口处，该透镜10’具有聚光作用，用以加强发光亮度(S216)。
之后，切断所述系带，使每一导线架1’彼此分开，由此，形成多个高功率发光元件的封装(S218)。
所述的高功率发光元件封装的工艺，其中(S202)步骤中进一步包括：镀上一层反射层4’在每一反射面211’上(S203)。
再者，在(S214)步骤中，在每一反射凹杯21’内点上硅胶后，并直接在该硅胶的顶面一体形成聚光凸面91’(如图8所示)，该聚光凸面91’具有聚光作用，用以加强发光亮度。
再者，在(S214)步骤中，在每一反射凹杯21’内点上硅胶后，即形成硅胶层9’(如图9所示)，该硅胶层9’本身具有透镜的透光功能。
根据上述的工艺，用以制造本发明的第四较佳实施例的高效率发光芯片封装的结构，如图7所示，包括导线架1’、胶封体2’、电镀层3’、反射层4’、导电胶层5’、发光芯片6’、焊线7’、银胶层8’、硅胶层9’及透镜10’。
该导线架1’包括散热元件11’及多个引脚12’，每一引脚12’由该散热元件1’的一侧向外延伸。
该胶封体2’封住该散热元件11’的一部分及每一引脚12’的一部分，且该胶封体2’上形成反射凹杯21’，该反射凹杯21’的内壁周缘形成反射面211’，该散热元件11’的一些表面及每一引脚12’的一些表面暴露在该反射凹杯21’的底部。
该电镀层3’形成在该导线架1’未被该胶封体2’封住的表面上。
该反射层4’形成在该反射面211’上。
该导电胶层5’涂布在该反射凹杯21’的底部，用以固定发光芯片6’。
该发光芯片6’设置于该导电胶层5’上，使该发光芯片6’的底部电极电性连接于该散热元件11’的表面。
该焊线7’电性连接该发光芯片6’的顶部电极于所述引脚12’之一上。
该银胶层8’形成在该焊线7’与发光芯片6’的顶部电极的连接处及该焊线7’与所述引脚12’之一的连接处。
该硅胶层9’形成在该反射凹杯21’内，以覆盖该发光芯片6’及该焊线7’。
该透镜10’设置在每一反射凹杯21’的顶部并与该硅胶层9’的顶面连接。
再者，在第五较佳实施例中，如图8所示，当将硅胶点在反射凹杯21’内时，可以一体形成聚光凸面91’在硅胶层9’的顶面。当光线经过该聚光凸面91’，光线会被聚集，用以加强发光亮度。
再者，在第六较佳实施例中，如图9所示，当将硅胶点在反射凹杯21’内时，即形成硅胶层9’。该硅胶层9’具有透镜的透光功能。
因此，通过本发明的高功率发光元件封装的工艺及其结构，具有如下述的特点：
该导线架具有散热元件及多个自该散热元件的一侧向外延伸的引脚，该散热元件改善高效率发光芯片封装的散热问题。
所述引脚固定于外部基板上时，可以弯折调整，用以调整光线的发射方向。
以上所述，仅为本发明的具体实施例的详细说明与附图，并非用以限制本发明及本发明的特征，凡所属技术领域的普通技术人员，依据本发明的精神所做的等效修饰或变化，皆应包含于本发明的权利要求中。

Claims (20)

1、一种高功率发光元件封装的工艺，其特征在于包括下列步骤：
(a)在金属料带上形成多个导线架，所述导线架彼此之间通过系带连接，每一导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
(b)电镀每一导线架的外表面；
(c)在每一导线架的散热元件的表面涂布导电胶；
(d)在该导电胶上分别设置至少一发光芯片，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的该表面；
(e)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且在该胶封体上一体形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该至少一发光芯片暴露在该反射凹杯的底部；
(f)在所述引脚的一上打线连接该至少一发光芯片的顶部电极；
(g)在打线连接处点银胶；
(h)在每一反射凹杯内点硅胶；
(i)在每一反射凹杯的顶部压一透镜；以及
(j)切断所述系带，使每一导线架彼此分开；
由此，形成多个高功率发光元件的封装。
2、如权利要求1所述的高功率发光元件封装的工艺，其特征在于，在(e)步骤中进一步包括下列步骤：在每一反射面上镀上一层反射层。
3、一种高功率发光元件封装的结构，其特征在于包括：
导线架，该导线架包括一散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
电镀层，形成在该导线架的外表面上；
导电胶层，涂布在该散热元件的表面；
至少一发光芯片，设置于该导电胶层上，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的该表面；
胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且在该胶封体上一体形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该至少一发光芯片暴露在该反射凹杯的底部；
焊线，在所述引脚之一上电性连接该至少一发光芯片的顶部电极；
银胶层，形成在该焊线与该至少一发光芯片的顶部电极的连接处及在该焊线与所述引脚之一的连接处；
硅胶层，形成在该反射凹杯内，以覆盖该至少一发光芯片及该焊线；以及
透镜，设置在每一反射凹杯的顶部并与该硅胶层连接；
由此，形成高功率发光元件的封装。
4、如权利要求3所述的高功率发光元件封装的结构，其特征在于，进一步包括反射层，形成在该反射面上。
5、一种高功率发光元件封装的工艺，其特征在于包括下列步骤：
(a)金属料带上形成多个导线架，所述导线架彼此之间通过系带连接，每一导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
(b)电镀每一导线架的外表面；
(c)涂布导电胶在每一导线架的散热元件的表面；
(d)分别设置至少一发光芯片于该导电胶上，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的该表面；
(e)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且在该胶封体上一体形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该至少一发光芯片暴露在该反射凹杯的底部；
(f)在所述引脚之一上打线连接该至少发光芯片的顶部电极；
(g)在打线连接处点银胶；
(h)在每一反射凹杯内点硅胶；以及
(i)切断所述系带，使每一导线架彼此分开；
由此，形成多个高功率发光元件的封装。
6、如权利要求5所述的高功率发光元件封装的工艺，其特征在于，在(e)步骤中，进一步包括下列步骤：在每一反射面上镀上一层反射层。
7、如权利要求5所述的高功率发光元件封装的工艺，其特征在于，在(h)步骤中，在每一反射凹杯内点上硅胶后，在硅胶的顶面一体形成聚光凸面。
8、一种高功率发光元件封装的结构，其特征在于包括：
导线架，该导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
电镀层，形成在该导线架的外表面上；
导电胶层，涂布在该散热元件的表面；
至少一发光芯片，设置于该导电胶层上，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的该表面；
胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且在该胶封体上一体形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该至少一发光芯片暴露在该反射凹杯的底部；
焊线，在所述引脚之一上电性连接该至少一发光芯片的顶部电极；
银胶层，形成在该焊线与该至少一发光芯片的顶部电极的连接处及在该焊线与所述引脚之一的连接处；及
硅胶层，形成在该反射凹杯内，以覆盖该至少一发光芯片及该焊线；
由此，形成高功率发光元件的封装。
9、如权利要求8项所述的高功率发光元件封装的结构，其特征在于，进一步包括反射层，形成在该反射面上。
10、如权利要求8项所述的高功率发光元件封装的结构，其特征在于，该硅胶层的顶面进一步一体形成聚光凸面。
11、一种高功率发光元件封装的工艺，其特征在于包括下列步骤：
(a)在金属料带上形成多个导线架，所述导线架彼此之间通过系带连接，每一导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
(b)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且该胶封体上形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该散热元件的一些表面及每一引脚的一些表面暴露在该反射凹杯的底部；
(c)电镀每一导线架未被该胶封体封住的表面；
(d)在该反射凹杯的底部涂布导电胶；
(e)在该导电胶上设置至少一发光芯片，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的表面；
(f)在所述引脚之一上打线连接该至少一发光芯片的顶部电极；
(g)在打线连接处点银胶；
(h)在每一反射凹杯内点硅胶；
(i)在每一反射凹杯的顶部压一透镜；以及
(j)切断所述系带，使每一导线架彼此分开；
由此，形成多个高功率发光元件的封装。
12、如权利要求11所述的高功率发光元件封装的工艺，其特征在于，在(b)步骤中进一步包括下列步骤：在每一反射面上镀上一层反射层。
13、一种高功率发光元件封装的工艺，其特征在于包括下列步骤：
(a)金属料带上形成多个导线架，所述导线架彼此之间通过系带连接，每一导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
(b)以射出成型的方式在每一导线架上形成胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且该胶封体上形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该散热元件的一些表面及每一引脚的一些表面暴露在该反射凹杯的底部；
(c)电镀每一导线架未被该胶封体封住的表面；
(d)在该反射凹杯的底部涂布导电胶；
(e)在该导电胶上设置至少一发光芯片，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的表面；
(f)在所述引脚之一上打线连接该至少一发光芯片的顶部电极；
(g)在打线连接处点银胶；
(h)在每一反射凹杯内点硅胶；及
(i)切断所述系带，使每一导线架彼此分开；
由此，形成多个高功率发光元件的封装。
14、如权利要求13所述的高功率发光元件封装的工艺，其特征在于，在(b)步骤中进一步包括下列步骤：在每一反射面上镀上一层反射层。
15、如权利要求13所述的高功率发光元件封装的工艺，其特征在于，在(h)步骤中，在每一反射凹杯内点上硅胶后，在硅胶的顶面一体形成聚光凸面。
16、一种高功率发光元件封装的结构，其特征在于包括：
导线架，该导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且该胶封体上形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该散热元件的一些表面及每一引脚的一些表面暴露在该反射凹杯的底部；
电镀层，形成在该导线架未被该胶封体封住的表面上；
导电胶层，涂布在该反射凹杯的底部；
至少一发光芯片，设置于该导电胶层上，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的表面；
焊线，在所述引脚之一上电性连接该至少一发光芯片的顶部电极；
银胶层，形成在该焊线与该至少一发光芯片的顶部电极的连接处及在该焊线与所述引脚之一的连接处；
硅胶层，形成在该反射凹杯内，以覆盖该至少一发光芯片及该焊线；及
透镜，设置在每一反射凹杯的顶部并与该硅胶层连接；
由此，形成高功率发光元件的封装。
17、如权利要求16所述的高功率发光元件封装的结构，其特征在于，进一步包括反射层，形成在该反射面上。
18、一种高功率发光元件封装的结构，其特征在于包括：
导线架，该导线架包括散热元件及多个引脚，每一引脚由该散热元件的一侧向外延伸；
胶封体，该胶封体封住该散热元件的一部分及每一引脚的一部分，且该胶封体上形成反射凹杯，该反射凹杯的内壁周缘形成反射面，该散热元件的一些表面及每一引脚的一些表面暴露在该反射凹杯的底部；
电镀层，形成在该导线架未被该胶封体封住的表面；
导电胶层，涂布在该反射凹杯的底部；
至少一发光芯片，设置于该导电胶层上，使该至少一发光芯片的底部电极电性连接于该散热元件的表面；
焊线，在所述引脚之一上电性连接该至少一发光芯片的顶部电极；
银胶层，形成在该焊线与该至少一发光芯片的顶部电极的连接处及在该焊线与所述引脚之一的连接处；及
硅胶层，形成在该反射凹杯内，以覆盖该至少一发光芯片及该焊线；
由此，形成高功率发光元件的封装。
19、如权利要求18所述的高功率发光元件封装的结构，其特征在于，进一步包括反射层，形成在该反射面上。
20、如权利要求18所述的高功率发光元件封装的结构，其特征在于，该硅胶层的顶面进一步一体形成聚光凸面。
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