CN111415957A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

显示装置及其制造方法。一种显示装置，该显示装置包括：基板，其包括包含多个子像素的显示区域和在显示区域外部的焊盘区域；设置在多个子像素中的每一个中的显示元件；形成在焊盘区域中以向显示元件施加低电位电压的低电位电极；设置在焊盘区域中的低电位电极上的光吸收层；以及形成在显示区域和焊盘区域中的封装层。

Description

显示装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种显示装置，更具体地涉及一种可以通过切割焊盘区域来使边框的面积最小化的显示装置及其制造方法。

背景技术

近来，随着面向信息的社会的到来，用于处理和显示大量信息的显示领域已经迅速发展。近来已经开发出具有诸如重量轻、外形薄、和功耗低之类的优异性能的平板显示装置(诸如液晶显示装置(LCD)、有机发光显示装置、等离子显示面板(PDP)和电泳显示装置)来取代传统的阴极射线管。

近来，为了通过最小化非显示区域来减小显示装置的整体重量和尺寸并使显示装置的外观美观，已经积极进行了使显示装置的边框的宽度最小化的研究。有许多方法可以最小化边框，但是最高效的方法是减小在显示装置的边缘的焊盘区域的面积。

焊盘区域不是显示实际图像的区域，而是显示装置的边框所位于的区域。因此，减小焊盘区域将边框的面积减小了所减小的面积，所以减小焊盘区域的面积是减小边框的面积的最佳方法。

然而，由于有机发光显示装置的工艺容差或误差导致减小焊盘区域的面积存在限制，因此减小边框的面积存在限制。

发明内容

因此，本发明涉及一种基本消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的显示装置及其制造方法。

本发明的一个优点是提供一种显示装置及其制造方法，其能够通过在形成组件之后去除一部分焊盘区域来减小焊盘区域的面积以最小化边框区域。

本发明的附加特征和优点将在下面的描述中阐明，并且部分地从该描述中将变得显而易见，或者可以通过实践本发明而获知。通过在书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构，将实现并获得本发明的这些和其它优点。

为了实现这些优点以及其它优点，并且根据本发明的目的，如在本文中实施和广泛描述的，一种显示装置包括：基板，该基板包括包含多个子像素的显示区域和位于显示区域外部的焊盘区域；设置在多个子像素中的每一个中的显示元件；在焊盘区域中形成以向显示元件施加低电位电压的低电位电极；设置在焊盘区域中的低电位电极上的光吸收层；形成在显示区域和焊盘区域中的封装层。

在另一方面，一种制造显示装置的方法包括：提供基板，该基板包括包含多个子像素的显示区域和位于显示区域外部的焊盘区域：在基板上形成显示区域中的薄膜晶体管并形成焊盘区域中的低电位电极；在显示区域中形成发光元件并在焊盘区域中形成光吸收层，光吸收层的至少一部分与低电位电极交叠；在显示区域和焊盘区域中形成封装层；沿着穿过低电位电极和光吸收层的切割线切割焊盘区域。

应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入且构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的电路图；

图2是示意性地例示根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的结构的图；

图3是例示根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的结构的截面图；

图4是示意性例示根据本发明的实施方式的制造有机发光显示装置的方法的流程图；以及

图5A至图5G是例示根据本发明的实施方式的制造有机发光显示装置的方法的截面图。

具体实施方式

现在将详细参考可以在附图中例示的示例实施方式。在整个附图中，将尽可能使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。本公开的优点和特征及其实现方法将通过参照附图描述的以下示例实施方式而变得清楚。然而，本公开可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文阐述的示例实施方式。相反，提供这些示例实施方式是为了使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员完全传达本公开的范围。

用于描述本公开的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例。因此，本公开不限于所例示的细节。除非另有说明，否则相似的参考标号始终指代相似的元件。在以下描述中，当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊本公开的要点时，可以省略这种已知功能或配置的详细描述。在使用本说明书中描述的术语“包括”、“具有”和“包含”的情况中，除非使用诸如“仅”之类的更限制性的术语，否则可以添加另一部件。除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。

在解释元件时，元件被解释为包括误差或容差范围，即使在没有这种误差或容差范围的明确描述的情况下。在描述位置关系时，当两个部件之间的位置关系被描述为例如“在…上”、“在…上方”、“在…下方”以及“挨着”时，除非使用诸如“刚好”或“直接”之类的更限制性的术语，否则可以在两个部件之间设置一个或更多个其它部件。在描述时间关系时，当时间次序被描述为例如“在…之后”、“随后”、“下一个”或“在…之前”时，除非使用诸如“刚好”、“立即”或“直接”之类的更限制性的术语，否则可以包括不连续的情况。应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，这些元件不应受这些术语的限制，因为它们不用于定义具体次序。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，类似地，第二元件可以被称为第一元件。

在描述本公开的元件时，可以使用诸如“第一”和“第二”之类的术语。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件，并且对应元件的本质、顺序、或数量不应受到这些术语的限制。此外，当元件或层被描述为“连接”、“联接”或“粘附”到另一元件或层时，除非另有规定，否则该元件或层不仅可以直接连接或粘附到另一元件或层，而且还可以间接地连接或粘附至另一元件或层并且其中一个或更多个中间元件或层“设置”在元件或层之间。术语“至少一个”应当被理解为包括相关联的所列项中的一个或更多个的任何和所有的组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。

在实施方式的描述中，当结构被描述为位于另一结构“上或上方”或“下方或下”时，此描述应当被解释为包括结构彼此接触的情况以及第三结构设置在其间的情况。附图中所示的每个元件的尺寸和厚度仅为了描述的方便而给出，并且本公开的实施方式不限于此，除非另有说明。本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合，并且可以如本领域技术人员能够充分理解的那样彼此不同地相互操作和在技术上被驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。

本发明提供了一种可以使边框最小化的显示装置。具体地，在本发明中，可以通过减小显示装置的焊盘区域的面积来使边框最小化。在本发明中，可以通过在显示装置的制造之后简单地切割并去除焊盘区域的一部分的最直观和最直接的方法而不是改变焊盘区域的结构或工艺来减小焊盘区域。

具体地，在本发明中，由于仅留下在驱动显示装置时没有问题的焊盘区域，并且可以切割和去除其它焊盘区域，因此可以最小化焊盘区域的面积并且显示装置的边框的面积可以大大减少。因此，可以实现窄边框。

本发明的焊盘区域的切割可以通过各种方法来进行。在这方面，可以通过诸如切割轮之类的机械切割装置和使用激光的光学切割装置来切割焊盘区域。此外，可以通过使用机械切割装置和光学切割装置两者来切割焊盘区域。

具体地，在本发明中，当通过光学切割装置切割焊盘区域时，为了防止显示装置内部的层被光照射损坏，设置光吸收层以吸收要照射的光，从而防止光被照射到下层。

图1是根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的电路图。

根据本发明的实施方式的有机发光显示装置可以包括显示区域和焊盘区域，并且显示区域可以包括多个子像素SPX。每个子像素SPX可以在有机发光显示装置中显示单色。例如，每个子像素SPX可以显示红色、绿色、蓝色和白色中的相应一个。在这种情况下，红色、绿色、蓝色和白色子像素SPX可以限定(或形成)一个像素。多个子像素SPX可以以矩阵形式布置在有机发光显示装置的基板上，并且多条布线可以设置在显示区域中的多个子像素SPX之间。

此外，各种布线可以布置在焊盘区域中，以电连接到设置在显示区域中的布线并且将信号施加到有机发光显示装置的发光元件。

如图1所示，根据本发明的有机发光显示装置的每个子像素SPX可以包括开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2、存储电容器Cst和感测薄膜晶体管T3、辅助薄膜晶体管T4和发光元件E。由于根据本发明的有机发光显示装置的子像素SPX可以包括四个薄膜晶体管和一个电容器，它可以被称为4T1C结构。然而，根据本发明的有机发光显示装置的子像素SPX的结构不限于此，并且子像素SPX可以包括各种结构，诸如包括两个薄膜晶体管和一个电容器的2T1C结构、包括三个薄膜晶体管和一个电容器的3T1C结构、包括四个薄膜晶体管和两个电容器的4T2C结构、包括五个薄膜晶体管和两个电容器的5T2C结构、包括六个薄膜晶体管和两个电容器的6T2C结构以及包括七个薄膜晶体管和两个电容器的7T2C结构。

子像素SPX中的四个薄膜晶体管中的每个可以包括半导体层、栅极、源极和漏极，并且可以是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。在图1中，出于说明的目的，通过示例的方式示出了N型薄膜晶体管。

开关薄膜晶体管T1可以包括连接至数据线的漏极、连接至第一节点N1的源极以及连接至选通线的栅极。开关薄膜晶体管T1可以基于从选通驱动部施加到选通线的栅极电压Vg而导通，并且可以利用从数据驱动部施加到数据线的数据电压Vdata对第一节点N1充电。

驱动薄膜晶体管T2可以包括连接至高电位线(即，Vdd线)的漏极、连接至发光元件E的阳极的源极、以及连接至第一节点N1的栅极。驱动薄膜晶体管T2可以在第一节点N1的电压高于阈值电压(Vth)时导通，并且可以在第一节点N1的电压低于阈值电压(Vth)时截止。驱动薄膜晶体管T2可以将从Vdd线接收的驱动电流发送到发光元件E。

存储电容器Cst可以包括连接到第一节点N1的电极和连接到驱动薄膜晶体管T2的源极的电极。在发光元件E发光时的发光时段期间，存储电容器Cst保持驱动薄膜晶体管T2的栅极和源极之间的电位差，由此将恒定的驱动电流发送到向E发射的光。

感测薄膜晶体管T3可以包括连接至驱动薄膜晶体管T2的源极的漏极、连接至参考线的源极以及连接至感测选通线的栅极。感测薄膜晶体管T3可以是用于感测驱动薄膜晶体管T2的阈值电压的薄膜晶体管。

辅助薄膜晶体管T4可以包括电连接到发光元件E的阴极的漏极、电连接到参考线的源极和电连接到辅助选通线的栅极。辅助薄膜晶体管T4可以在发光时段中导通，并且将低电位电压(即，Vss电压)发送至参考线。

图2是示意性地例示根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的实际结构的图。

如图2所示，本实施方式的显示装置100可以包括显示区域AA和形成在显示区域AA的外侧上的焊盘区域NA1和NA2。

尽管在附图中未示出，但是由多条选通线和多条数据线限定的多个子像素SPX可以形成在显示区域AA中以实现实际图像。每个子像素SPX可以包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、感测薄膜晶体管和辅助薄膜晶体管。此外，可以在每个子像素SPX中形成图像实现部，以通过从外部通过薄膜晶体管输入的图像信号显示实际图像。

在显示装置100是有机发光显示装置的情况下，图像实现部可以包括有机发光层。在显示装置100是液晶显示装置的情况下，图像实现部可以包括液晶层。在显示装置100是电泳显示装置的情况下，图像实现部可以包括电泳。这样，本发明的显示装置100不限于特定类型的显示装置，而是可以应用于各种显示装置。

显示装置100的焊盘区域NA1和NA2可以包括形成在基板的相对于显示区域AA的上端侧的第一焊盘区域NA1和形成在基板的相对于显示区域AA的左侧和右侧以及下端侧的第二焊盘区域NA2。

多个柔性印刷电路(FPC)182可以附接到第一焊盘区域NA1。数据驱动部184可以安装在每个FPC 182上，以输入来自定时控制器(未示出)的数据。数据驱动部184可以根据从定时控制器(未示出)输入的数据控制信号，使用参考伽马电压将从定时控制器输入的像素数据转换为模拟数据电压。可以通过连接到对应的子像素SPX的数据线将数据电压提供给显示区域AA。

尽管在图中未示出，但是可以在第一焊盘区域NA1中形成多个焊盘，使得当FPC182附接到显示装置100时，FPC 182的电路线电连接到焊盘。

从安装在FPC 182上的数据驱动部184输出的驱动信号可以通过形成在FPC 182上的电路线和形成在显示装置100的第一焊盘区域NA上的焊盘输入，并被发送到显示区域AA。

此外，可以在显示装置100的第一焊盘区域NA1中形成将焊盘电连接到显示区域AA的各种信号线148，以将从数据驱动部184输出的驱动信号发送到显示区域AA。信号线148可以包括用于施加高电位电压的Vdd线、用于施加数据电压的Vdata线和用于施加参考电压的Vref线，但不限于此。

在第二焊盘区域NA2中，可以设置低电位电极142。低电位电极142可以将低电位电压Vss(即，阴极电压或公共电压)施加到显示区域AA的每个子像素SPX中的发光元件E的阴极。

在这种情况下，在附图中示出了低电位电极142在显示区域AA周围的第二焊盘区域NA2的一部分中以预定宽度形成。然而，低电位电极142可以形成在整个第二焊盘区域NA2上。

显示区域AA的子像素SPX中的发光元件E的阳极和有机发光层可以仅形成在子像素SPX内，因此可以将不同的信号施加到子像素SPX，因此可以针对子像素SPX显示不同的颜色，并且因此可以将在这些子像素SPX上显示的颜色进行组合以显示图像。然而，阴极可以不针对每个子像素SPX形成，而是可以整体地在整个显示区域AA上形成，因此可以将相同的低电位电压Vss施加到显示区域AA中的所有子像素SPX。

低电位电极142可以电连接到显示区域AA的阴极，使得从外部电压源提供的低电位电压Vss可以通过低电位电极142输入到显示区域AA中的阴极。因此，低电位电极142可以形成在整个第二焊盘区域NA2上，使得低电位电极142可以连接到阴极的整个外部区域，以将低电位电压Vss施加到显示区域AA中。

接触电极可以形成在第二焊盘区域NA中并且电连接至低电位电极142以将通过焊盘输入的低电位电压Vss提供给低电位电极142。

尽管在图中未示出，但是选通驱动部可以设置在基板的左侧和右侧的第二焊盘区域NA2中，并且可以根据来自外部的选通控制信号将选通信号输出到显示区域AA的选通线。

选通驱动部可以以IC芯片(称为玻璃上芯片)的形式附接到第二焊盘区域NA2。另选地，选通驱动部可以以面板中栅极(GIP)电路的形式直接形成在第二焊盘区域NA2中。GIP电路部可以包括包含多个级部分的移位寄存器，并且级部分可以包括用于输出选通信号的上拉晶体管和下拉晶体管，以及用于提供各种信号以驱动上拉晶体管和下拉晶体管的GIP线。因此，级部分可以将选通信号输出到显示区域AA中的相应选通线。

选通控制信号可以通过附接到第一焊盘区域NA1的上端侧的FPC 182输入到选通驱动部。

有机发光显示装置100的上述结构可以是在去除第二焊盘区域NA2的一部分之前的结构。本发明的有机发光显示装置100可以通过从具有上述结构的有机发光显示装置100中切割并分离第二焊盘区域NA2的一部分而完成。

换句话说，在制造具有以上结构的有机发光显示装置100之后，第二焊盘区域NA2的左侧、右侧和下侧的一部分可以沿着形成在第二焊盘区域NA2中的切割线C被切割并被去除。通过沿着切割线C切割第二焊盘区域NA2的一部分，最终制造的有机发光显示装置100可以包括具有沿着切割线C的切割表面(即，侧端面)的焊盘区域NA2。

附接到FPC 182的焊盘和信号线148可以形成在第一焊盘区域NA1中，而仅被施加有低电位电压Vss的低电位电极142可以形成在第二焊盘区域NA2中。因此，当第一焊盘区域NA1被切除时，焊盘和信号线148可以被去除并且信号可以不被提供给显示区域AA。因此，第一焊盘区域NA1的一部分可以不被切除并且不被去除。

然而，由于低电位电极142形成在整个第二焊盘区域NA2上，即使当低电位电极142的一部分可以被去除时，第二焊盘区域NA2也可以向发光元件E提供低电位电压Vss。因此，第二焊盘区域NA2的一部分可以被切割并被去除。

具体地，形成在第二焊盘区域NA2中的低电位电极142可以用于向显示区域AA的阴极施加低电位电压，并且进一步地，可以在沿着显示区域AA的外围的长区域中延伸，使得低电位电极142和阴极可以利用长区域来进行接触。因此，即使去除了第二焊盘区域NA2的一部分，也不会发生诸如由于低电位电极142与阴极之间的接触区域减小而引起的信号延迟或者由于电阻增大而引起的热量产生之类的问题。

如上所述，可以通过切割第二焊盘区域NA2来减小有机发光显示装置100的边框区域。具体地，由于第二焊盘区域NA2可以被最大程度地切割，而仅被留下仅足以向阴极施加低电位电压Vss，因此可以尽可能地减小有机发光显示装置100的边框区域。

图3是沿着图2的线I-I’截取的截面图，其示出了根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的结构。参照图3更详细地描述根据本实施方式的有机发光显示装置100。在图3中，通过示例的方式描述了有机发光显示装置，但是本发明不限于有机发光显示装置，而是可以应用于液晶显示装置、无机发光显示装置(例如，量子点发光二极管显示装置)、或电泳显示装置。此外，图3所示的有机发光显示装置100的结构是去除第二焊盘区域NA2之前的结构。

如图3所示，根据本发明的显示装置100可以包括显示区域AA和设置在显示区域AA外部的第二焊盘区域NA2。

光阻挡层111可以形成在显示区域AA的第一基板110上。缓冲层122可以完全形成在其上具有光阻挡层111的第一基板110上(即，完全在显示区域AA和第二焊盘区域NA2上)。可以在缓冲层122上设置驱动薄膜晶体管。尽管图中未示出，但是还可以在显示区域AA中形成诸如开关薄膜晶体管、感测薄膜晶体管和辅助薄膜晶体管之类的薄膜晶体管。

第一基板110可以由诸如玻璃之类的硬质透明材料或诸如聚酰亚胺之类的透明柔性塑料材料制成，但不限于此。

光阻挡层111可以由诸如Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al之类的金属或其合金形成，但不限于此。光阻挡层111可以阻挡输入到驱动薄膜晶体管的光，由此防止在驱动薄膜晶体管中通过光电效应而产生截止电流。

缓冲层122可以配置有由无机层制成的单层或由无机层和有机层制成的多层。无机层可以使用无机材料，例如但不限于SiOx或SiNx，有机层可以使用有机材料，例如但不限于光亚克力。

驱动薄膜晶体管可以设置在显示区域AA中形成的多个子像素的每一个中。驱动薄膜晶体管可以包括：形成在缓冲层122上的半导体层112；完全形成在具有半导体层的第一基板110上方的栅极绝缘层124；形成在栅极绝缘层124上的栅极114；完全形成在第一基板110上方以覆盖栅极114的层间绝缘层126；以及通过形成在层间绝缘层126中的相应接触孔而形成为与半导体层112接触的源极116和漏极117。

半导体层112可以由晶体硅或诸如铟镓锌氧化物(IGZO)之类的氧化物半导体形成。氧化物半导体层可以形成为包括在其中央区域的沟道层和在其两侧的掺杂层，并且源极116和漏极117可以接触掺杂层。另选地，半导体层112可以由非晶硅或有机半导体材料制成。

栅极114可以使用诸如Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al和Al合金之类的金属的至少一种由单层或多层形成。栅极绝缘层124可以形成为由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料制成的单层或具有SiOx和SiNx的两层结构的无机层。在附图中，栅极绝缘层124形成在整个第一基板110上方，但是可以仅形成在栅极114下方。此外，层间绝缘层126可以使用诸如SiOx和SiNx之类的无机材料中的至少一种形成为单层或多层，但不限于此。

源极116和漏极117可以由Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al或Al合金形成，但不限于此。

尽管在附图和以上描述中将驱动薄膜晶体管描述为具有特定结构，但是本发明的驱动薄膜晶体管不限于所描述的结构，而是可以将所有已知的薄膜晶体管结构应用于驱动薄膜晶体管。

钝化层128可以完全形成在其上具有驱动薄膜晶体管的第一基板110上。钝化层128可以形成为由无机材料制成的单层和由无机材料和有机材料制成的多层。尽管未在图中示出，但是可以在钝化层128上形成由有机材料制成的平坦化层。

有机发光元件E可以形成在钝化层128上，并通过形成在钝化层128中的接触孔电连接到薄膜晶体管的漏极117。

有机发光元件E可以包括通过接触孔连接到薄膜晶体管的漏极117的第一电极132、形成在第一电极132上的有机发光层134和形成在有机发光层134上的第二电极136。

第一电极132可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)之类的透明金属氧化物制成。

第二电极136可以形成为由诸如Ca、Ba、Mg、Al、Ag及其合金之类的金属中的至少一种制成的单层或多层。在这种情况下，第二电极136可以用作反射膜，以沿着向下方向(即，至第一基板110的方向)反射从有机发光层134发出的光。

另选地，第一电极132可以形成为由诸如Ca、Ba、Mg、Al、Ag及其合金之类的金属中的至少一种制成的单层或多层，并且第二电极136可以由诸如ITO或IZO之类的透明金属氧化物形成。

在根据本发明的有机发光显示装置是其中从有机发光层134发出的光沿向下方向(即，沿朝向第一基板110的方向)输出的底部发光型显示装置的情况下，第一电极132可以由透明金属氧化物制成，第二电极136可以由反射光的金属或金属化合物制成。在有机发光显示装置是其中从有机发光层134发出的光沿向上方向输出的顶部发光型显示装置的情况下，第一电极132可以由用作反射膜的金属或金属化合物制成，第二电极136由透明金属氧化物制成。

有机发光层134可以是形成在R子像素中以发出红光的R有机发光层，在G子像素中以发出绿光的G有机发光层，或者在B子像素中以发出蓝光的B有机发光层。另选地，有机发光层134可以是白色有机发光层，其完全形成在显示装置上以发出白光。在有机发光层134是白色有机发光层的情况下，可以在R、G和B子像素的白色有机发光层上分别形成R、G、B滤色器层以将从白色有机发光层发出的白光转换为红光、绿光和蓝光。可以通过混合分别发出红光、绿光和蓝光的多种有机材料来形成白色有机发光层，或者可以通过层叠分别发出红光、绿光和蓝光的多个有机发光层来形成白色有机发光层。

另选地，有机发光层可以被由除有机发光材料之外的无机发光材料(例如，量子点等)形成的无机发光层代替。

除了发光材料层之外，有机发光层134还可以包括用于将电子和空穴分别注入发光材料层中的电子注入层和空穴注入层，以及用于分别将注入的电子和空穴传输到发光材料层的电子传输层和空穴传输层。

堤层130可以在钝化层128上形成在子像素的边界区域中。堤层130可以用作分隔壁，使得子像素被堤层130划分以防止从相邻子像素输出的不同颜色的光彼此混合。

在图中，堤层130的一部分可以形成在第一电极132上。然而，堤层130可以仅形成在钝化层128上，并且第一电极132可以形成为在堤层130的侧表面上延伸。在第一电极132在堤层130的侧表面上延伸的情况下，第一电极132可以甚至形成在堤层130与钝化层128之间的边界的角部区域处，因而信号也可以被施加到角部区域中的有机发光层134，并且在角部区域中可以发生发光，因此即使在这样的区域中也可以实现图像。因此，可以最小化其中不显示子像素中的图像的非显示区域。

封装层152可以形成在发光元件E和堤层130上。封装层152可以由SiNx、SiOx等制成的无机层的单层构成。另选地，封装层152可以由无机层和由光亚克力、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯等制成的有机层的双层构成。另选地，封装层152可以由例如无机层、有机层和无机层的多层构成。

第二基板150可以通过透明粘合剂(未示出)附接到封装层152。作为粘合剂，可以使用任何材料，只要它具有良好的粘合性、耐热性和耐水性即可。在本发明中，可以使用诸如环氧化合物、丙烯酸酯化合物、丙烯酸橡胶等的热固性树脂。另选地，可以使用光固化性树脂作为粘合剂，并且在这种情况下，可以通过向粘合剂施加诸如紫外线之类的光来固化粘合剂。

第二基板150可以是用于封装有机发光显示装置的封装盖。第二基板150可以使用诸如聚苯乙烯(PS)膜、聚乙烯(PE)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、聚酰亚胺(PI)膜等的保护膜。

低电位电极142可以形成在第二焊盘区域NA2中的第一基板110的栅极绝缘层124上。低电位电极142可以使用诸如Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al或Al合金之类的至少一种金属被配置为具有单层结构或多层结构，但不限于此。

低电位电极142可以由与驱动薄膜晶体管的栅极114相同的金属同时形成，但是可以通过另一工艺由另一金属形成。尽管未在图中示出，但是低电位电极142可以通过形成在第一焊盘区域NA1的上端的焊盘电连接到外部，从而可以从外部向低电位电极142施加低电位电压。

连接电极144可以形成在第二焊盘区域NA2的钝化层128上，并且可以通过形成在层间绝缘层126和钝化层128中的接触孔126a连接到低电位电极142。此外，可以将连接电极144连接到显示区域AA的发光元件E的第二电极136，使得可以将施加到低电位电极142的低电位电压Vss传送到第二电极136。

连接电极144可以由透明金属氧化物或不透明金属制成。当显示装置100是底部发光型有机发光显示装置时，连接电极144可以由诸如ITO或IZO之类的透明金属氧化物制成，并且可以以与发光元件E的第一电极132相同的工艺形成。此外，当显示装置100是顶部发光型有机发光显示装置时，连接电极144可以由金属形成，并且可以以与发光元件E的第一电极132相同的工艺形成。

在附图中，可以设置单独的连接电极144以将供应有低电位电压Vss的低电位电极142连接到发光元件E的第二电极136。另选地，在没有单独的连接电极144的配置的情况下，发光元件E的第二电极136可以延伸到第二焊盘区域NA2的接触孔126a中，使得发光元件E的第二电极136可以直接电连接到低电位电极142。

可以在第二焊盘区域NA2的钝化层128上形成光吸收层138。光吸收层138可以由对特定波长的光具有良好吸收率的材料形成。例如，光吸收层138可以由诸如ITO或IZO之类的金属氧化物形成。在这种情况下，光吸收层138可以与发光元件E的第一电极132同时形成(在底部发光型有机发光显示装置的情况下)，或者可以与发光元件E的第二电极136同时形成(在顶部发光型有机发光显示装置的情况下)。

可以将光吸收层138形成为与低电位电极142交叠。在这种情况下，可以将光吸收层138形成为完全覆盖低电位电极142，或者可以与低电位电极142的一部分交叠。

如上所述制造的有机发光显示装置100可以通过沿着切割线C切割第二焊盘区域NA2并去除切割部分而最终完成。在这种情况下，切割线C可以沿着低电位电极142和光吸收层138形成，使得低电位电极142和光吸收层138的一部分可以通过切割从第二焊盘区域NA2分离并去除。

如稍后详细描述的，可以通过各种切割装置来切割有机发光显示装置100的第二焊盘区域NA2。例如，切割装置可以使用但不限于切割轮或激光。具体地，可以通过两种不同类型的切割装置来切割有机发光显示装置100，因为构成有机发光显示装置100的组件的材料可以彼此不同。

例如，在有机发光显示装置100的上部可以配置有由无机材料和/或有机材料制成的封装层152、由光固化性树脂和/或热固性树脂制成的粘合剂、和由诸如PS、PE、PEN或PI之类的聚合物制成的第二基板150的同时，有机发光显示装置100的下部可以配置有由玻璃制成的第一基板110和由金属制成的低电位电极142。

因此，在可以使用诸如紫外线激光器之类的相对弱功率的激光器作为切割装置来切割由相对弱的材料制成的第二焊盘区域NA2的上部的同时，可以使用作为机械切割工具的切割轮或相对强功率的CO₂激光器切割相对强材料的下部。

可以设置光吸收层138以防止在通过两种切割装置切割第二焊盘区域NA2时发生缺陷，这将在下面详细描述。

图4是示意性例示根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的制造方法的流程图，并且图5A至图5G是例示制造有机发光显示装置的方法的截面图。根据本发明的有机发光显示装置100可以包括其中多个子像素SPX按照矩阵布置的显示区域AA以及两个焊盘区域NA1和NA2。为了便于说明，在附图中，仅示出了位于显示区域AA和与之相邻的第二焊盘区域NA2的外围的子像素SPX。

如图4和图5A所示，提供包括显示区域AA和第二焊盘区域NA2的第一基板110，然后可以在第一基板110上的显示区域AA中形成光阻挡层111。第一基板110可以由诸如玻璃之类的刚性透明材料制成，或者可以由诸如聚酰亚胺之类的柔性塑料材料制成。

可以通过以溅射方法沉积Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al或其合金，然后蚀刻沉积的材料来形成光阻挡层111。例如，当使用MoTi时，光阻挡层111可以形成为具有约

到

的厚度。

随后，可以通过利用CVD(化学气相沉积)方法在整个第一基板110上沉积诸如SiOx、SiNx之类的无机材料或依次层叠无机材料和有机材料来形成缓冲层122。

此后，晶体硅或诸如IGZO之类的氧化物半导体可以通过CVD方法进行沉积，并被蚀刻以形成显示区域AA中的半导体层112，然后可以通过完全在第一衬底110上沉积诸如SiOx或SiNx之类的无机材料来形成栅极绝缘层124。

随后，在显示区域AA中的半导体层112上方的栅极绝缘层124上形成栅极114，并且可以在第二焊盘区域NA2中形成低电位电极142。在这种情况下，栅极114和低电位电极142可以通过溅射法沉积并蚀刻Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al或其合金来同时形成。另选地，栅极114和低电位电极142可以通过不同的工艺由不同的金属形成。

然后，如图4和图5B所示，可以通过在整个第一基板110上沉积无机材料、或者无机材料和有机材料来形成层间绝缘层126。然后，可以通过溅射方法沉积并蚀刻显示区域AA中的Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al或其合金来形成与半导体层112接触的源极116和漏极117。因此，可以形成薄膜晶体管(S101)。

随后，如图4和图5C所示，可以通过在整个第一基板110上沉积并蚀刻有机材料，或者有机材料、无机材料和有机材料来形成钝化层128。通过沉积并蚀刻诸如ITO或IZO之类的金属氧化物，连接至薄膜晶体管的漏极117的第一电极132可以形成在显示区域AA中，并且连接电极144和光吸收层138可以形成在第二焊盘区域NA2中(S102)。第一电极132、连接电极144和光吸收层138可以形成为具有约

到

的厚度。

这样，第一电极132、连接电极144和光吸收层138可以以相同的工艺同时形成。另选地，可以以不同的工艺分离地形成第一电极132、连接电极144和光吸收层138。此外，连接电极144和光吸收层138可以一体地形成。

当第二焊盘区域NA2的钝化层128被蚀刻时，其下方的层间绝缘层126也可以被蚀刻，使得暴露低电位电极142的一部分的接触孔126a可以形成在层间绝缘层126和钝化层128中，并且连接电极144可以延伸到接触孔126a中以电连接到低电位电极142。

当第一电极132由金属形成时，与第一电极132同时由金属形成的连接电极144可以形成在第二焊盘区域NA2中，在这种情况下，光吸收层138可以不与第一电极132和连接电极144同时形成。

然后，如图4和图5D所示，可以在第一基板110上沉积并图案化有机材料(诸如聚酰亚胺)，以在子像素SPX之间以及显示区域AA与焊盘区域NA1和NA2之间形成堤层130。然后，可以在显示区域AA的堤层130之间的第一电极132上形成有机发光层134，然后可以在有机发光层134上形成第二电极136(S103)。

可以通过使用金属掩模在各个子像素SPX中热沉积R、G和B有机发光材料来形成有机发光层134。另选地，可以通过将溶液状态的R、G、B有机发光材料直接滴到各个子像素SPX上来形成有机发光层134。

可以通过溅射方法在整个第一基板110上沉积并蚀刻Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al或其合金来形成第二电极136。在这种情况下，第二电极136可以延伸至第二焊盘区域NA2并电连接至连接电极144。

另选地，可以通过沉积和蚀刻诸如ITO或IZO之类的透明金属氧化物来形成第二电极136。在这种情况下，光吸收层138可以与第二电极136同时形成。

此后，如图4和图5E所示，可以将封装层152层压在整个第一基板110上，然后可以使用粘合剂粘合第二基板150(S104和S105)。

封装层152可以由无机层，或者无机层和有机层，或者无机层、有机层和无机层组成。无机层可以由SiNx、SiOx等制成，并且有机层可以由光亚克力、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯等制成。

然后，如图4和图5F所示，可以将第一切割装置192和第二切割装置194分别设置在第二焊盘区域NA2的第一基板110上方和第二基板150下方。然后，如图5G所示，可以驱动第一切割装置192和第二切割装置194以将切割焊盘区域C-PAD与显示装置分离(S106)。因此，可以最终完成有机发光显示装置100。

第一基板110和第二基板150的切割可以沿着切割线C进行，并且切割线C可以穿过低电位电极142和光吸收层138。因此，可以通过第一切割装置192和第二切割装置194沿着切割线C切割第一基板110、第二基板150、缓冲层122、栅极绝缘层124，、层间绝缘层126、低电位电极142、光吸收层138和封装层152。

尽管在图中未示出，但是可以通过第一切割装置192和第二切割装置194将物理能和光能直接施加至有机发光显示装置100的所有层，以将切割焊盘区域C-PAD切掉。另选地，可以通过第一切割装置192和第二切割装置194将物理能和光能仅传送到有机发光显示装置100的上部和下部的一部分，以仅切割这些部分并且沿着切割线C形成裂纹，然后，可以对切割线C或其附近区域施加压力，以将裂纹传播到整个有机发光显示装置100，从而最终切割出切割焊盘区域C-PAD。

第一切割装置192可以切割第一基板110、低电位电极142等，并且第二切割装置194可以切割第二基板150、封装层152等。换句话说，由于第一切割装置192可以切割相对硬的玻璃和金属，因此优选使用切割轮作为机械切割工具。然而，第一切割装置192不限于机械切割装置，并且可以使用相对较高功率的CO₂激光器。由于第二切割装置194可以切割相对不硬的绝缘层，因此可以优选使用诸如紫外线激光器之类的激光装置。

第一切割装置192和第二切割装置194可以被设置为分别面对第一基板110和第二基板150，并且可以被同时驱动以去除第二焊盘区域NA2。另选地，第一切割装置192和第二切割装置194可以被依次地驱动和切割。

当通过第二切割装置194的紫外线激光器切割第二基板150和封装层152时，紫外线不仅可以照射到第二基板150和封装层152上，而且可以照射到钝化层128、层间绝缘层126和低电位电极142。通常，形成保护层128和层间绝缘层126的无机材料和/或有机材料可以对于紫外波段的光仅具有约20％至30％的吸收率，因此大部分照射光可以照原样通过钝化层128和层间绝缘层126。

然而，当紫外线照射到由诸如Cr、Mo、Ta、Cu、Ti或Al之类的金属制成的低电位电极142时，低电位电极142可能被熔化并且由于这种熔化而被损坏。照射紫外线的区域可以是第二焊盘区域NA2的露出的切割表面，其是有机发光显示装置100的侧端面。低电位电极142的损坏可能导致通过完成的有机发光显示装置100的侧端面暴露于外部的缺陷。

因此，由于侧端面的缺陷，有机发光显示装置100的接合力可能降低，使得在有机发光显示装置100的每一层中可能出现抬起现象，或者在有机发光显示装置100的侧端面处可能产生裂纹，因此由于裂纹的传播而导致有机发光显示装置100的损坏。

光吸收层138可以吸收所照射的紫外线。诸如ITO或IZO之类的金属氧化物的紫外线吸收率可以为90％或更多。因此，从紫外线激光器194发出并照射到第二焊盘区域NA2的紫外线可以被光吸收层138吸收并且可以不到达低电位电极142。因此，在紫外线激光器194的照射时，可以防止低电位电极142被损坏，因而可以防止层的抬起、裂纹的产生、异物的渗透等。

光吸收层138不限于ITO或IZO的金属氧化物，并且可以是任何材料，只要其吸收紫外线即可。例如，由于MoTi合金可以吸收紫外波段中的约90％或更多的光，因此MoTi合金可以代替ITO或IZO用作光吸收层138。

在将MoTi合金用作光吸收层138的情况下，第一电极132或第二电极136可以由MoTi合金形成，使得光吸收层138可以与第一电极132或第二电极136同时形成。

第二切割装置194可以使用其它波段的激光器。在这种情况下，光吸收层138可以由对这样的波段的光具有良好吸收率的材料形成，由此防止激光束通过光吸收层138被发送到低电位电极142。

根据本发明最终制造的最后的有机发光显示装置100可以具有其中图5G的切割焊盘区域C-PAD分离的结构。因此，在根据本发明制造的有机发光显示装置100中，光吸收层138可以形成在第二焊盘区域NA2的钝化层128上，并且光吸收层138可以通过有机发光显示装置100的切割表面(即，侧端面)暴露于外部。此外，低电位电极142也可以通过有机发光显示装置100的侧端面暴露于外部。

在本发明中，可以在有机发光显示装置100的侧端面(即，第二焊盘区域NA2的侧端面，其中光吸收层138和低电位电极142通过切割暴露于外部)上形成分离的封装层，以封装暴露的光吸收层138和低电位电极142，使得可以防止诸如空气、湿气等的异物的渗透。

对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因此，本发明旨在覆盖本发明的修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月19日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2018-0164956的优先权权益，其全部内容通过引用结合于此用于所有目的，如同在本文中完全阐述一样。

Claims (20)

1.一种显示装置，该显示装置包括：

包括显示区域和焊盘区域的基板，所述显示区域包括多个子像素，所述焊盘区域在所述显示区域的外部；

显示元件，该显示元件被设置在所述多个子像素中的每一个中；

低电位电极，该低电位电极形成在所述焊盘区域中以向所述显示元件施加低电位电压；

光吸收层，该光吸收层被设置在所述焊盘区域中的所述低电位电极上；以及

封装层，该封装层形成在所述显示区域和所述焊盘区域中。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光吸收层形成在所述基板的左侧、右侧和下端侧。

3.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：

半导体层，该半导体层被设置在所述基板上；

栅极绝缘层，该栅极绝缘层形成在所述半导体层上并且完全形成在所述基板上方；

栅极，该栅极在所述多个子像素中的每一个中形成在所述栅极绝缘层上；

层间绝缘层，该层间绝缘层完全形成在具有所述栅极的所述基板上方；

源极和漏极，该源极和该漏极在所述多个子像素中的每一个中形成在所述层间绝缘层上；以及

钝化层，该钝化层完全形成在具有所述源极和所述漏极的所述基板上方。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述低电位电极被设置在所述栅极绝缘层上。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述显示元件包括：

第一电极，该第一电极被设置在所述钝化层上；

图像实现部，该图像实现部被设置在所述第一电极上；以及

第二电极，该第二电极被设置在所述图像实现部上。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述光吸收层被设置在所述钝化层上以覆盖所述低电位电极的至少一部分。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述光吸收层与所述第一电极或所述第二电极同时形成。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述光吸收层由ITO或IZO制成。

9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述光吸收层由MoTi制成。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光吸收层和所述低电位电极通过所述焊盘区域的侧端面暴露于外部。

11.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：

分离的封装层，所述分离的封装层形成在所述焊盘区域的侧端面上以覆盖通过所述侧端面暴露的所述光吸收层和所述低电位电极。

12.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述图像实现部包括有机发光层、液晶层或电泳层。

13.一种制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：

提供包括显示区域和焊盘区域的基板，所述显示区域包括多个子像素，所述焊盘区域在所述显示区域的外部；

在所述基板上将薄膜晶体管形成在所述显示区域中并将低电位电极形成在所述焊盘区域中；

在所述显示区域中形成发光元件并在所述焊盘区域中形成光吸收层，所述光吸收层的至少一部分与所述低电位电极交叠；以及

沿着穿过所述低电位电极和所述光吸收层的切割线切割所述焊盘区域。

14.根据权利要求13所述的方法，该方法还包括以下步骤：在切割所述焊盘区域之前，

在所述显示区域和所述焊盘区域中形成封装层。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述薄膜晶体管和所述低电位电极的步骤包括以下步骤：

在所述基板上形成半导体层；

在所述半导体层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上分别在所述显示区域和所述焊盘区域中形成栅极和所述低电位电极；

在所述显示区域和所述焊盘区域中形成层间绝缘层；以及

在所述层间绝缘层上形成源极和漏极。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述发光元件和所述光吸收层的步骤包括以下步骤：

在所述显示区域和所述焊盘区域中形成钝化层；

在所述钝化层上分别在所述显示区域和所述焊盘区域中形成由ITO或IZO制成的第一电极和光吸收层；

在所述第一电极上形成有机发光层；以及

在所述有机发光层上形成由金属制成的第二电极。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述发光元件和所述光吸收层的步骤包括以下步骤：

在所述显示区域和所述焊盘区域上形成钝化层；

在所述钝化层上在所述显示区域中形成由金属制成的第一电极；

在所述第一电极上形成有机发光层；以及

分别在所述显示区域的所述有机发光层和所述焊盘区域的所述钝化层上形成由ITO或IZO制成的第二电极和光吸收层。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，切割所述焊盘区域的步骤包括驱动分别设置在所述焊盘区域下方和上方的第一切割装置和第二切割装置。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一切割装置包括切割轮，并且所述第二切割装置包括激光器。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，从所述激光器照射的激光束被所述光吸收层吸收。

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