JP4550026B2 - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、特に、第１基板及び第２基板をフリットで封止させて、酸素及び水分などの流入を遮断し、工程を単純化しながら光漏れを効率よく防止できるようにした有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。

有機電界発光表示装置は互いに対向する２つの電極間に有機発光層を位置させ、これら２つの電極に電圧を印加することによって、各電極から有機発光層に注入された正孔及び電子が結合して発生した励起分子が基底状態に戻りながら放出するエネルギーを光として発光させるフラット表示装置の一種である。

このような有機電界発光表示装置は、発光効率や、輝度及び視野角が優れ、且つ、応答速度が速く、軽量化及び薄膜化を図れることから、次世代のディスプレイとして注目されている。

図１は、一般の有機電界発光表示装置の断面図である。図１では、互いに光を放出する方向を異ならせる２つの画素領域が備えられた両面発光型有機電界発光表示装置を示す。

図１を参照すれば、一般の有機電界発光表示装置は、互いに対向されるように位置する第１基板１０及び第２基板２０を含み、第１及び第２基板１０、２０は封止材３０により互いに接着されて、その内部が封止される。

第１基板１０は少なくとも一つの有機発光ダイオード（図示せず）を含む複数の画素が備えられる第１及び第２画素領域１１、１２と、第１及び第２走査駆動部１３、１４などの駆動回路が形成された非画素領域を含む基板である。ここで、第１画素領域１１は第１基板１０の上部方向に光を放出する前面発光画素領域であり、第２画素領域１２は第１基板１０の下部方向に光を放出する背面発光画素領域である。そして、第１走査駆動部１３は第１画素領域１１に走査信号を供給し、第２走査駆動部１４は第２画素領域１２に走査信号を供給する。このような第１及び第２画素領域１１、１２を備えることで、有機電界発光表示装置は両面発光することになる。

第２基板２０は第１基板１０の第１及び第２画素領域１１、１２が形成された面に対向されるように接着される。このような第２基板２０は、第１基板１０の少なくとも一領域、特に、第１及び第２画素領域１１、１２を封止するように第１基板１０に接着される。この時、背面発光する第２画素領域１２と対応される第２基板２０の外側面には、外光の透過及び光漏れを防止するための遮光膜２２が備えられる。ここで、遮光膜２２としては、黒いテープなどが用いられることができる。あるいは、遮光膜２２が備えられない場合、第２基板２０のうち第２画素領域１２と対応される部分は不透明処理される。

封止材３０は、エポキシ樹脂を含んで構成され、第１基板１０及び第２基板２０の縁に沿って塗布されて紫外線照射などにより溶融された後に硬化されることで、第１基板１０及び第２基板２０を接着させる。このような封止材３０は、第１基板１０及び第２基板２０の間の封止された空間に位置する第１及び第２画素領域１１、１２などに酸素及び水分などが侵入するのを防止するためのものである。

ところが、封止材３０が塗布されても、微細な隙間に酸素及び水分などが侵入するのを完全に遮断することはできない。これを防止するために、従来は吸収材（図示せず）などを第２基板２０にコーティングして焼成させた後に用いた。しかしながら、吸収材が焼成される際に発生するアウトガスにより封止材３０と基板１０、２０との間の接着力が低下して、むしろ第１及び第２画素領域１１、１２が酸素及び水分に露出し易くなるという問題点が発生した。

また、吸収材を備えることなく、ガラス基板にフリット（ｆｒｉｔ）を塗布して第１基板１０の第１及び第２画素領域１１、１２を含む少なくとも一領域を封止する構造が、米国特許公開公報第２００４０２０７３１４号に開示されている。それによれば、溶融されたフリットを硬化させて、２つの基板の間を完全に封止させるので、吸収材を用いる必要がなく、さらに効果的に第１及び第２画素領域１１、１２を保護することができる。

このようなフリットは、光を吸収して遮断する黒色を帯びるので、光漏れを防止するブラックマトリックス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ、ＢＭ）としての役割を果たすこともできる。光漏れとは、非画素領域における外光による光の反射によりぼやけて見える現象をいい、光漏れが生じる場合は画質が低下するという問題がある。しかしながら、従来フリットは封止される領域の最外郭の縁、すなわち、素子が形成されない部分にのみ塗布されるため、ブラックマトリックスとしての役割を効率よく果たせなかった。すなわち、第１画素領域１１の外周辺に発生する光漏れを効果的に遮断できず、第２画素領域１２の光が第２基板２０方向に放出されるのを防止するためには、第２画素領域１２と重なる別途の遮光膜２２を備えるか、第２基板２０を不透明処理しなければならなかった。それにより、光漏れが効率よく防止できず、製造工程が煩雑になるほか、工程時間が長くなるという問題点が生じた。

そのため、第１基板１０及び第２基板２０をフリットで封止して２つの基板の間に酸素及び水分が流入するのを遮断し、工程を単純化しながら光漏れも効率よく防止するようにする方策を模索する必要が生じた。
米国特許出願公開第２００４／０２０７３１４号明細書

したがって、本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、第１基板及び第２基板をフリットで封止させて、酸素及び水分などの流入を遮断し、工程を単純化しながら光漏れを効率よく防止できるようにした有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の第１側面は、光を放出する方向を異ならせる少なくとも２つの画素領域が備えられた両面発光型有機電界発光表示装置において、複数の有機発光ダイオードが備えられた第１及び第２画素領域と、前記第１及び第２画素領域周辺の非画素領域と、を含む第１基板と、前記第１及び第２画素領域及び前記非画素領域の一部と重なるように前記第１基板の上部に配置された第２基板と、前記第１及び第２画素領域のいずれかの画素領域及び前記非画素領域の少なくとも一部と重なるように前記第１及び第２基板との間に備えられたフリットと、を含み、前記非画素領域と対応する部分のフリットは、前記第１または第２画素領域と重なる部分のフリットよりも厚く形成され、前記非画素領域と対応する部分のフリットにより前記第１及び第２基板が互いに接着された有機電界発光表示装置を提供する。

好ましく、前記第１画素領域は前記第２基板方向に光を放出し、前記第２画素領域は前記第２基板の反対方向に光を放出する。前記フリットと重なる画素領域は前記第２画素領域である。前記フリットは前記第２画素領域の全面と重なるように形成される。前記フリットは、ガラス材料と、レーザまたは赤外線を吸収するための吸収材と、熱膨張係数を減少させるためのフィラーとを含む。前記第１基板及び第２基板は透明基板である。

本発明の第２側面は、前面に光を放出する第１画素領域と、背面に光を放出する第２画素領域が備えられた両面発光型有機電界発光表示装置において、複数の有機発光ダイオードが備えられた第１及び第２画素領域と、前記第１及び第２画素領域周辺の非画素領域を含む第１基板と、前記第１及び第２画素領域及び前記非画素領域の一部と重なるように前記第１基板の上部に配置され、中央部の厚みが縁の厚みよりも小さくエッチングされた第２基板と、前記第１画素領域を除いた前記第２画素領域及び前記非画素領域の一部と重なるように前記第１及び第２基板との間に備えられたフリットと、を含み、前記非画素領域と対応する部分のフリットにより前記第１及び第２基板が互いに接着された有機電界発光表示装置を提供する。

好ましく、前記第２画素領域と対応するフリットの厚みは、前記非画素領域と重なるフリットの厚みと同一に設定される。前記フリットは前記第２画素領域の全面と重なるように形成される。

本発明の第３側面は、光を放出する方向を異ならせる第１及び第２画素領域、ならびに前記第１及び第２画素領域周辺の非画素領域と、を含む第１基板と、前記第１基板の上部に配置された第２基板と、を含む両面発光型有機電界発光表示装置の製造方法において、前記第１及び第２基板のうちの少なくとも一つの基板に前記第１及び第２画素領域のいずれかの画素領域及び前記非画素領域の一部と対応するようにフリットペーストを塗布し焼成してフリットを形成する段階と、前記第２基板が前記第１及び第２画素領域及び前記非画素領域の一部と重なるように前記第１基板と前記第２基板を貼り合わせる段階と、前記非画素領域と対応する部分のフリットにレーザまたは赤外線を照射して、前記第１及び第２基板を接着させる段階とを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。

好ましく、前記フリットを形成する段階において、前記非画素領域の一部と対応する部分のフリットは、前記第１または第２画素領域と対応する部分のフリットよりも厚く形成する。前記フリットのうち前記非画素領域と重なるフリットの少なくとも一領域にレーザまたは赤外線を照射する。前記レーザ及び赤外線の波長は、８００ｎｍ〜１２００ｎｍに設定する。前記レーザまたは赤外線を照射する段階において、前記第１及び第２画素領域と重なる領域はマスキングされる。前記レーザまたは前記赤外線を吸収する吸収材を含むフリットペーストを塗布する。前記フリットは前記レーザまたは赤外線を吸収して溶融されることによって、前記第１及び第２基板に接着される。前記第１及び第２画素領域のうち前記第２基板方向に光を放出する画素領域の全面と対応するように前記フリットを形成する。前記フリットペーストの焼成温度は、３００℃〜５００℃に設定される。

前述したように、本発明による有機電界発光表示装置及びその製造方法によれば、フリットで第１及び第２基板を接着させることで、画素領域が含まれた内部空間に酸素及び水分などが流入するのを効率よく遮断できるという効果を奏する。また、前面発光する第１画素領域と、背面発光する第２画素領域とを備えた両面発光有機電界発光表示装置において、黒色を帯びるフリットを第２画素領域及び非画素領域と重なるように形成することによって、光漏れを効率よく防止し、画質を改善させることができる。この場合、第１及び第２基板を封止する段階において、第２画素領域のブラックマトリックスを同時に形成できるので、工程が単純化し、且つ、工程時間を減少させることができる。

以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できる好適な実施形態が添付された図２乃至図６ｄを参照して、詳細に説明すれば、以下の通りである。

図２は、本発明の実施形態による有機電界発光表示装置を示す平面図である。そして、図３は図２に示した画素の要部断面図である。図２及び図３では、各画素内に少なくとも一つの薄膜トランジスタ及び有機発光ダイオードが備えられ、両面発光する能動型有機電界発光表示装置を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。

図２及び図３を参照すれば、本発明の実施形態による有機電界発光表示装置は、第１基板１００と、第１基板１００の少なくとも一領域と重なるように第１基板１００の上部に配置された第２基板２００を含み、第１基板１００と第２基板２００との間の少なくとも一領域にはフリット３００が塗布され、塗布されたフリット３００の少なくとも一部により第１及び第２基板１００、２００が貼り合わされる。

第１基板１００には、複数の画素１１０が備えられた第１及び第２画素領域１０５、１０６と、第１画素領域１０５に駆動信号を供給するための第１走査駆動部１２０及び第１データ駆動部１３０と、第２画素領域１０６に駆動信号を供給するための第２走査駆動部１２１及び第２データ駆動部１３１と、第１及び第２走査駆動部１２０、１２１と第１及び第２データ駆動部１３０、１３１に制御信号を供給するためのパッド部１０２が形成される。

第１及び第２画素領域１０５、１０６は行方向に配列された走査線（Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１'〜Ｓｎ'）と、列方向に配列されたデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ、Ｄ１’〜Ｄｍ’）と、走査線（Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１’〜Ｓｎ’）及びデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ、Ｄ１’〜Ｄｍ’）が交差する地点に位置する複数の画素１１０が形成された領域を意味する。それぞれの画素１１０は、走査線（Ｓ１〜Ｓｎ、Ｓ１’〜Ｓｎ’）に供給される走査信号及びデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ、Ｄ１’〜Ｄｍ’）に供給されるデータ信号に対応して所定輝度の光を生成する。それにより、第１及び第２画素領域１０５、１０６では所定の映像が表示される。この時、第１画素領域１０５は第２基板２００方向に光を放出する前面発光画素領域であり、第２画素領域１０６は第２基板２００の反対方向に光を放出する背面発光画素領域である。すなわち、本実施形態による有機電界発光表示装置は、前面及び背面に発光する両面発光型有機電界発光表示装置に適用するためのものであり、映像は前面及び背面で表示される。そのために、第１基板１００及び第２基板２００は透明な材質で形成される。

ここで、第１及び第２画素領域１０５、１０６に含まれた各画素１１０は、図３に示すように、自発光素子である有機発光ダイオード１１８と、有機発光ダイオード１１８に接続される少なくとも一つの薄膜トランジスタを含む。ただし、画素１１０の構造は能動型有機電界発光表示装置や受動型有機電界発光表示装置において、その構造が多様に変形実施され得る。

薄膜トランジスタは第１基板１００上に形成されたバッファ層１１１と、バッファ層１１１上に形成されチャンネル領域１１２ａとソース及びドレイン領域１１２ｂを含む半導体層１１２と、半導体層１１２上に形成されたゲート絶縁膜１１３と、ゲート絶縁膜１１３上に形成されたゲート電極１１４と、ゲート電極１１４上に形成された層間絶縁膜１１５と、層間絶縁膜１１５上に形成されソース及びドレイン領域１１２ｂと接続されるソース及びドレイン電極１１６とを含む。

このような薄膜トランジスタ上には、ドレイン電極の少なくとも一領域を露出させるビアホール１１７ａを有する平坦化膜１１７が形成される。

そして、平坦化膜１１７上には、ビアホール１１７ａを介して薄膜トランジスタと接続される有機発光ダイオード１１８が形成される。有機発光ダイオード１１８は第１電極１１８ａ及び第２電極１１８ｃと、これらの間に位置する有機発光層１１８ｂを含む。第１電極１１８ａは平坦化膜１１７上に形成され、ビアホール１１７ａを介して薄膜トランジスタのドレイン電極と接続される。このような第１電極１１８ａは前面発光する画素の場合、すなわち、第１画素領域１０５に含まれた画素の場合、光効率を向上させるための反射膜をさらに備えることができる。第１電極１１８ａ上には第１電極１１８ａの少なくとも一部を露出させる開口部を有する画素定義膜１１９が形成され、画素定義膜１１９の開口部に有機発光層１１８ｂが形成される。そして、有機発光層１１８ｂ上には第２電極１１８ｃが形成される。ここで、背面発光する画素１１０の場合、すなわち、第２画素領域１０６に含まれた画素の場合、光効率を向上させるために第２電極１１８ｃは反射膜を含んで構成されることができる。このような第２電極１１８ｃ上には図示しない保護膜などがさらに形成されることもできる。このような有機発光ダイオード１１８は、薄膜トランジスタから供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。

第１及び第２画素領域１０５、１０６周辺の非画素領域には、第１及び第２走査駆動部１２０、１２１と、第１及び第２データ駆動部１３０、１３１と、パッド部１０２が形成される。第１及び第２走査駆動部１２０、１２１は、パッド部１０２から供給される制御信号に対応して走査信号を生成し、これをそれぞれ第１画素領域１０５の走査線（Ｓ１〜Ｓｎ）と第２画素領域１０６の走査線（Ｓ１’〜Ｓｎ’）に供給する。第１及び第２データ駆動部１３０、１３１は、パッド部１０２から供給されるデータ及び制御信号に対応してデータ信号を生成し、これをそれぞれ第１画素領域１０５のデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）と第２画素領域１０６のデータ線（Ｄ１’〜Ｄｍ’）に供給する。パッド部１０２は外部から供給される制御信号を第１及び第２走査駆動部１２０、１２１と第１及び第２データ駆動部１３０、１３１に供給する。

第２基板２００は、第１基板１００の第１及び第２画素領域１０５、１０６を含む少なくとも一領域と重なるように第１基板１００の上部に配置される。ここで、第１基板１００に形成された画素１１０は有機発光ダイオード１１８の有機発光層１１８ａなどを含むので、酸素及び水分が侵入した際に劣化し得る。そのため、第２基板２００は画素１１０が形成された第１及び第２画素領域１０５、１０６に酸素及び水分が侵入するのを防止するために、第１及び第２画素領域１０５、１０６を封止するように接着される。そして、図２においては、第２基板２００が第１及び第２走査駆動部１２０、１２１も含めて封止するように構成したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、第２基板２００は第１及び第２画素領域１０５、１０６を含めて第１基板１００の少なくとも一部と重なるように第１基板１００の上部に配置された後、フリット３００により第１基板１００と貼り合わされる。従来は、このような第２基板２００の一領域、特に、背面発光する第２画素領域１０６と対応する領域が部分的に不透明処理されるか、第２画素領域１０６と重なるように第２基板２００の外側面に遮光膜などのブラックマトリックスを備えていたが、本発明において第２基板２００は不透明処理されたり、別途の遮光膜を備えたりすることなく、透明な材質で形成されることができる。その代わりに、本発明では第２画素領域１０６の全面と重なるように第２基板２００の内側面に黒色を帯びるフリット３００を塗布してフリット３００が接着材としての役割はもちろん、ブラックマトリックスとしての役割をも果たせるようにする。ここで、フリット３００は遷移金属を含む材質であって、光が透過できない黒色を帯びるため、光漏れを防止するブラックマトリックスとしての役割を果たせる。

フリット３００は、第１及び第２基板１００、２００を完全に接着させるために第１及び第２基板１００、２００が貼り合わされる非画素領域の縁に必ず塗布されなければならないもので、本発明では第２画素領域１０６の全面と非画素領域の少なくとも一領域と重なるように位置される。それにより、第２画素領域１０６と重なるフリット３００が、第２画素領域１０６で生成された光が第２画素領域１０６の前面に放出できないように遮断するブラックマトリックスとしての役割を果たすようになるので、別途のブラックマトリックスを形成する必要がなくなる。それにより、工程が単純化しながら、光漏れも効率よく防止できる。ただし、第１画素領域１０５は前面に光を放出しなければならないので、フリット３００は第１画素領域１０５とは重ならないように形成される。そして、この場合にも第１画素領域１０５を除いた第１画素領域１０５の隣接部、例えば、第１走査駆動部１２０上にもフリット３００を形成することで、第１画素領域１０５の外周辺に光漏れが生じるのを効果的に遮断する。すなわち、本発明においてフリット３００は第１画素領域１０５を除いた第１基板１００の少なくとも一領域と重なるように形成されて光漏れを効率よく防止する。

このようなフリット３００は、本来、添加剤が含まれたパウダー状のガラス原料を意味するが、ガラス技術分野では、通常、フリットが溶融されて形成されたガラスをも同時に意味する場合があるので、本明細書では両者を意味するものとして使うことにする。ここで、フリット３００はレーザまたは赤外線により非画素領域と重なる縁が溶融された後、硬化されながら第１及び第２基板１００、２００に接着されて第１及び第２基板１００、２００を完全に封止することで、２つの基板の間に酸素及び水分が流入するのを遮断する。ただし、第１及び第２画素領域１０５、１０６と第１及び第２走査駆動部１２０、１２１のように素子が形成された領域を除いた非画素領域と対応するフリット３００のみ第１及び第２基板１００、２００に接着される。ここで、フリット３００を塗布して封止する方法についての詳細な説明は、後述する。

図４は、図２に示した有機電界発光表示装置のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。

図４を参照すれば、第１基板１００に形成された第１画素領域１０５は第２基板２００の方向に光を放出し、第２画素領域１０６は第２基板２００の反対方向に光を放出する。このような第１及び第２画素領域１０５、１０６は、第２基板２００及びフリット３００により完全に封止される。ここで、フリット３００は黒色を帯びる材質であって、第１及び第２基板１００、２００が貼り合わされた非画素領域の縁だけでなく、第１画素領域１０５を除いた第１及び第２基板１００、２００の間の領域に重なるように位置し、光漏れを効率よく遮断する。ただし、非画素領域の少なくとも一領域と対応するフリット３００、すなわち、第１及び第２基板１００、２００が接着される部分のフリット３００は、第２画素領域１０６と重なる部分のフリット３００よりも厚く形成される。

ここで、フリット３００は、ガラス材料と、レーザを吸収するための吸収材と、熱膨張係数を減少させるためのフィラーとを含んで構成され、フリットペースト状態で第２基板２００に塗布された後に硬化され、第１及び第２基板１００、２００の間でレーザまたは赤外線により溶融された後、再び硬化されながら第１基板１００と第２基板２００を接着させる。この時、レーザまたは赤外線が第１及び第２画素領域１０５、１０６と第１及び第２走査駆動部１２０、１２１上に位置するフリット３００にも照射される場合、第１及び第２画素領域１０５、１０６と第１及び第２走査駆動部１２０、１２１の内部回路が損傷し得る。したがって、マスクなどを用いてレーザまたは赤外線は、素子が形成されない領域にのみ照射されるようにする。すなわち、素子が形成されないフリット３００の縁に沿ってレーザまたは赤外線を照射して、レーザまたは赤外線を吸収した非画素領域の縁に位置するフリット３００が溶融された後、再び硬化されながら第１及び第２基板１００、２００を接着して封止し、第２画素領域１０６と第１及び第２走査駆動部１２０、１２１のように素子が形成された領域上に塗布されたフリット３００は、第１基板１００に形成された第２画素領域１０６と第１及び第２走査駆動部１２０、１２１と接着されないため、接着材としては作用せず、光漏れを防止するブラックマトリックスとしての役割のみを果たす。

一方、図４においては、第２基板２００をフラット型のベア基板として示したが、第２基板２００は図５に示すように、中央部の厚みが縁部分の厚みよりも小さくなるようにエッチングされたエッジ基板に設定されることができる。この場合、フリット３００は塗布される領域全体において同じ厚みに形成されることができる。例えば、非画素領域の少なくとも一領域と対応するフリット３００は、第２画素領域１０６と重なる部分のフリット３００と同じ厚みに形成されることができる。

以下では、図６ａ乃至図６ｄを参照して、図４に示した有機電界発光表示装置の製造工程を詳細に説明する。便宜上、図６ａ乃至図６ｄでは、個別の有機電界発光表示装置を製造する製造工程を示すが、実際は複数の表示装置セルが元板単位に製作されることができる。

図６ａ乃至図６ｄを参照すれば、まず、後述する第１画素領域１０５を除いた第２画素領域１０６の全面及び非画素領域と対応するように第２基板２００の内側面にフリット３００を塗布する。この時、非画素領域の少なくとも一領域と対応する領域、すなわち、素子が形成されない縁部分のフリット３００は第２画素領域１０６と重なるフリット３００よりも厚く塗布される。このようなフリット３００は、レーザまたは赤外線を吸収する吸収材を含むフリットペースト状態で第２基板２００に塗布された後に焼成されてペーストに含まれた水分や有機バインダが除去されてから硬化される。ここで、フリットペーストはガラス粉末に酸化物粉末及び有機物を添加してゲル状にしたものであって、フリット３００を焼成する温度は、３００℃〜５００℃の範囲にすることが好ましい。そして、フリット３００の厚みは、１０μｍ〜２０μｍが好ましいが、これはフリット３００の厚みが２０μｍ以上である場合はレーザシーリング時に多くのエネルギーを必要とし、そのためには、レーザのパワーを上げるか、スキャンスピードを下げなければならないが、それにより熱損傷が発生することができ、１０μｍ以下の厚みではフリット３００の塗布状態の不良が頻繁に起こり得るためである（図６ａ）。

その後、第１及び第２画素領域１０５、１０６と第１及び第２走査駆動部１２０、１２１などが形成された第１基板１００を備え、第１及び第２画素領域１０５、１０６が封止されるように第１基板１００及び第２基板２００を貼り合わせる。この時、フリット３００は第１及び第２基板１００、２００の間に位置する（図６ｂ）。

次いで、素子が形成されない部分、すなわち、非画素領域の縁部分に位置するフリット３００にレーザまたは赤外線を照射する。すると、レーザまたは赤外線を照射された部分のフリット３００は、レーザまたは赤外線を吸収して溶融される。この時、照射されるレーザまたは赤外線の波長は、８００ｎｍ〜１２００ｎｍ（より好ましくは、８１０ｎｍ）が、ビームサイズは直径１.０ｎｍ〜３.０ｎｍが、出力電力は２５Ｗ〜４５Ｗになることが好ましく、レーザまたは赤外線が照射されない残りの部分はマスキングされることが好ましい。すなわち、第１及び第２画素領域１０５、１０６と、第１及び第２走査駆動部１２０、１２１と、第１及び第２画素領域１０５、１０６と第１及び第２走査駆動部１２０、１２１の間に位置する配線（図示せず）にはレーザまたは赤外線が照射されないようにマスキングされるが、これは配線及び素子がレーザまたは赤外線により変形するのを防止するためである。マスクの材料は、銅、アルミニウムの２重膜を用いることができる（図６c）。

その後、２つの基板が貼り合わされる面の縁に位置し、レーザまたは赤外線により溶融されたフリット３００は再び硬化されながら第１基板１００と第２基板２００を接着させる（図６ｄ）。

一方、前述した製造工程では、フリット３００を第２基板２００に塗布して第１及び第２基板２００を接着させたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、フリット３００は第１及び第２画素領域１０５、１０６などが形成された第１基板１００にまず塗布されることもでき、第１及び第２基板１００、２００のいずれにも塗布されて第１及び第２基板１００、２００を接着させることもできる。さらに、第２基板２００が図５に示したようにエッジ基板に設定される場合、塗布されるフリット３００の厚みがいずれも同一になるように第２基板２００にフリット３００を塗布することができる。

前述した有機電界発光表示装置及びその製造方法において、フリット３００で第１及び第２基板１００、２００を接着させることで、第１及び第２画素領域１０５、１０６が含まれた内部空間に酸素及び水分などが流入するのを効率よく遮断できる。また、前面発光する第１画素領域１０５と、背面発光する第２画素領域１０６とを備えた両面発光有機電界発光表示装置において、黒色を帯びるフリット３００を第１画素領域１０５を除いた第２画素領域１０６及び非画素領域と重なるように形成することによって、光漏れを効率よく防止し、画質を改善させることができる。この場合、第１及び第２基板１００、２００を封止する段階において、第２画素領域１０６のブラックマトリックスを同時に形成できるので、別途の工程を通じて第２基板２００を部分的に不透明処理したり、遮光膜を形成したりする必要がなくなり、工程が単純化し、且つ、工程時間を減少させることができる。そして、第１及び第２画素領域１０５、１０６と第１及び第２走査駆動部１２０、１２１などの素子が形成された部分と重なる領域はマスキングしてレーザまたは赤外線が照射されないようにし、フリット３００の縁部分にのみレーザまたは赤外線を照射することで、素子の変形も防止できる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

一般の有機電界発光表示装置の断面図である。 本発明の実施形態による有機電界発光表示装置を示す平面図である。 図２に示した画素の要部断面図である。 図２に示した有機電界発光表示装置のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。 図２に示した有機電界発光表示装置のＡ-Ａ’線に沿う断面図である。 図４に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。 図４に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。 図４に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。 図４に示した有機電界発光表示装置の製造工程を示す断面図である。

符号の説明

１０、１００ 第１基板
１１、１２、１０５、１０６ 画素領域
１３、１４、１２０、１２１ 走査駆動部
２０、２００ 第２基板
２２ 遮光膜
３０ 封止材
３００ フリット

Claims (16)

1. 光を放出する方向を異ならせる少なくとも２つの画素領域が備えられた両面発光型有機電界発光表示装置において、
   複数の有機発光ダイオードが備えられた第１画素領域及び第２画素領域と、これら第１画素領域及び第２画素領域周辺の非画素領域と、を含む第１基板と、
   前記第１画素領域、第２画素領域及び前記非画素領域の一部と重なるように前記第１基板の上部に配置された第２基板と、
   前記第２画素領域の背面の全面及び前記非画素領域の少なくとも一部と重なるように、前記第１基板及び第２基板との間に備えられて黒色を帯びるフリットと、を含み、
   前記フリットは前記第２基板の内側に接触して設けられるとともに、前記非画素領域と対応する部分のフリットは、前記第２画素領域と重なる部分のフリットよりも厚く形成され、前記非画素領域と対応する部分のフリットにより前記第１基板及び第２基板が互いに接着されたことを特徴とする有機電界発光表示装置。
2. 前記第１画素領域は前記第２基板方向に光を放出し、前記第２画素領域は前記第２基板の反対方向に光を放出することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
3. 前記第１画素領域及び第２画素領域上に形成されたフリットを除いた前記非画素領域の縁に位置にするフリットの一部が前記第１基板及び第２基板に接着されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
4. 前記フリットは、ガラス材料と、レーザまたは赤外線を吸収するための吸収材と、熱膨張係数を減少させるためのフィラーと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
5. 前記第１基板及び第２基板は透明基板であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
6. 前面に光を放出する第１画素領域と、背面に光を放出する第２画素領域と、が備えられた両面発光型有機電界発光表示装置において、
   複数の有機発光ダイオードが備えられた第１画素領域及び第２画素領域と、これら第１画素領域及び第２画素領域周辺の非画素領域と、を含む第１基板と、
   前記第１画素領域、第２画素領域及び前記非画素領域の一部と重なるように前記第１基板の上部に配置され、中央部の厚みが縁の厚みよりも小さくエッチングされた第２基板と、
   前記第２画素領域の背面の全面及び前記非画素領域の少なくとも一部と重なるように前記第１基板及び第２基板との間に備えられて黒色を帯びるフリットと、を含み、
   前記フリットは前記第２基板の内側に接触して設けられるとともに、前記非画素領域と対応する部分のフリットにより前記第１基板及び第２基板が互いに接着されたことを特徴とする有機電界発光表示装置。
7. 前記第２画素領域と対応するフリットの厚みは、前記非画素領域と重なるフリットの厚みと同一に設定されたことを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示装置。
8. 前記フリットは前記第２画素領域の全面と重なるように形成されたことを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示装置。
9. 光を放出する方向を異ならせる第１画素領域及び第２画素領域、ならびに前記第１画素領域及び第２画素領域周辺の非画素領域を含む第１基板と、前記第１基板の上部に配置された第２基板と、
   を含む両面発光型有機電界発光表示装置の製造方法において、
   前記第２基板の内側に、前記第２画素領域の背面の全面及び前記非画素領域の少なくとも一部と重なるようにフリットペーストを塗布して焼成することで、黒色を帯びるフリットを形成する段階と、
   前記第２基板が前記第１画素領域、第２画素領域及び前記非画素領域の一部と重なるように、前記第１基板と前記第２基板を貼り合わせる段階と、
   前記非画素領域と対応する部分のフリットにレーザまたは赤外線を照射して、前記第１基板及び第２基板を接着させる段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
10. 前記フリットを形成する段階において、前記非画素領域の一部と対応する部分のフリットは、前記第１または第２画素領域と対応する部分のフリットよりも厚く形成することを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
11. 前記フリットのうち前記非画素領域と重なるフリットの少なくとも一領域にレーザまたは赤外線を照射することを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
12. 前記レーザ及び赤外線の波長は、８００ｎｍ〜１２００ｎｍに設定することを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
13. 前記レーザまたは赤外線を照射する段階において、前記第１画素領域及び第２画素領域と重なる領域はマスキングされることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
14. 前記レーザまたは前記赤外線を吸収する吸収材を含むフリットペーストを塗布することを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
15. 前記フリットは前記レーザまたは赤外線を吸収して溶融されることによって、前記第１基板及び第２基板に接着されることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
16. 前記フリットペーストの焼成温度は、３００℃〜５００℃に設定されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。

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