TWI552332B - 有機發光裝置、以及包含其之影像顯示系統 - Google Patents
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Description
本發明係關於有機發光裝置，更特別關於具有高出光效率的有機發光裝置。
近年來，隨著電子產品發展技術的進步及其日益廣泛的應用，像是行動電話、PDA及筆記型電腦的問市，使得與傳統顯示器相比具有較小體積及電力消耗特性的平面顯示器之需求與日俱增，成為目前最重要的電子應用產品之一。在平面顯示器當中，由於有機發光件具有自發光、高亮度、廣視角、高反應速度及製程容易等特性，使得有機發光件無疑的將成為下一世代平面顯示器的最佳選擇。
有機發光件為使用有機層作為主動發光的二極體，近年來已漸漸使用於平面面板顯示器(flat panel display)上。開發出具有高發光效率的有機發光元件是目前平面顯示技術的主要趨勢之一。
而以目前製作全彩OLED的製程技術而言，不外乎以下列三種製程方式(a)RGB畫素並置法(RGB side by side Method)、(b)色轉換法(CCM Method)以及(c)白光OLED加彩色濾光片法(white OLED+Color Filter Method)。
其中白光OLED加彩色濾光片法係利用紅色、藍色、綠色光的混合成白光在加上彩色濾光片來達到顯示器全彩化的效果，所以該畫素結構需具有紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層，以同時產生三色光。然而，利用三色發光層法所形成的全彩化有機發光元件，其紅色、藍色及綠色有機發光二極體材料層係藉由個別之遮罩沉積而成，如此之製程方式不但步驟複雜外，對於遮罩之對位要求亦需十分之精準，且易引起遮蔽效應造成畫素的大小不均。此外，由於紅色、藍色及綠色有機發光二極體材料之老化速率(aging rate)各不相同，因此該主動式全彩化有機發光元件在使用一段時間後，極易有色彩劣化(color deterioration)的現象發生。
因此，發展出具有高發光效率及較低製程複雜度的全彩化有機發光裝置，以改善上述缺點，是目前發光裝置製程技術上亟需研究之重點。
本發明一實施例提供一種有機發光裝置，包含：一基板；以及，一有機發光畫素陣列配置於該基板上，其中該有機發光畫素陣列包含複數個畫素，該每一畫素包含一第一次畫素，及一第二次畫素。其中，該第一次畫素，及該第二次畫素分別包含：一第一電極，配置於該基板上；一有機發光單元配置於該第一電極上，其中該有機發光單元包含一第一光色發光層及一第二光色發光層；一第二電極配置於該有機發光單元；以及一光學路徑調整層配置於該第一電極與該有機發光單元之間或該第二電極與該有機發光單元之間。其中該第一次畫素的該光學路徑調整層
與該第二次畫素的光學路徑調整層的厚度實質上相同。
本發明另一實施例提供一種影像顯示系統，包含一電子裝置，其中該電子裝置包含：一顯示裝置及一輸入單元。其中，而該顯示裝置包含申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置。該輸入單元係與該顯示裝置耦接，其中該輸入單元係傳輸一訊號至該顯示裝置以產生影像。
1‧‧‧第一次畫素
2‧‧‧第二次畫素
10‧‧‧有機發光裝置
12‧‧‧基板
14‧‧‧第一電極
15‧‧‧第一光色發光層
16‧‧‧第二電極
17‧‧‧第二光色發光層
18‧‧‧有機發光單元
20‧‧‧光學路徑調整層
25‧‧‧封裝基板
30‧‧‧藍光發光層
40‧‧‧紅光發光層
50‧‧‧綠光發光層
52‧‧‧透明導電層
54‧‧‧電洞注入層
56‧‧‧電子傳輸層
58‧‧‧電荷產生層
60‧‧‧電洞注入層
62‧‧‧電子傳輸層
64‧‧‧透明導電層
66‧‧‧電洞注入層
100‧‧‧顯示裝置
150‧‧‧輸入單元
200‧‧‧電子裝置
D1、D2、D3‧‧‧光學路徑長度
B‧‧‧藍光次畫素
BF‧‧‧藍光濾光片
G‧‧‧綠光次畫素
GF‧‧‧綠光濾光片
P‧‧‧畫素
R‧‧‧紅光次畫素
RF‧‧‧紅光濾光片
在不同的特徵中所對應之數字和符號，除非另有註記，一般而言視為對應部份。所繪示的特徵清楚地標明了具體實施方式的相關態樣，且其並不一定依比例繪製。
第1、2、3A、4、5A、6A、7A、及8圖係為剖面結構示意圖，用以說明根據本發明實施例所述之有機發光裝置的畫素及次畫素結構。
第3B、5B、6B、及7B圖係分別為第3A、5A、6A、及7A圖所述裝置的次畫素駐波示意圖。
第9圖係為剖面結構示意圖，用以說明根據本發明實施例所述之有機發光裝置的畫素及次畫素結構，該畫素結構包含一透明封裝基板配置於第二電極之上。
第10圖係為剖面結構示意圖，用以說明根據本發明實施例所述之有機發光裝置的畫素及次畫素結構，該畫素結構包含一濾光片配置於透明封裝基板及第二電極間。
第11圖係為剖面結構示意圖，用以說明根據本發明實施例所
述之有機發光裝置的畫素及次畫素結構，該畫素結構包含一濾光片配置於基板及第一電極間。
第12圖係繪示出根據本發明一實施例所述之影像顯示系統的方塊示意圖。
以下以各實施例詳細說明並伴隨著圖式說明之範例，做為本發明之參考依據。且在圖式中，實施例之形狀或是厚度可擴大，並以簡化或是方便標示。再者，圖式中各元件之部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述之元件，為所屬技術領域中具有通常知識者所知的形式，此外，特定之實施例僅為揭示本發明使用之特定方式，其並非用以限定本發明。
本發明一實施例揭露一有機發光裝置10，請參照第1圖，包含一基板12；以及一有機發光畫素陣列(未圖示)，其中有機發光畫素陣列包含複數個畫素P，每一畫素P至少包含一第一次畫素1，及一第二次畫素2(根據本發明實施例，畫素P亦可包含三個次畫素或三個以上次畫素)。其中第一次畫素1，及第二次畫素2可分別包含：一第一電極14，配置於基板12上；一有機發光單元18配置於第一電極14上，其中有機發光單元18包含一第一光色發光層15及一第二光色發光層17；一第二電極16配置於有機發光單元18上；以及，一光學路徑調整層20配置於第二電極16與有機發光單元18之間。值得注意的是，在第一次畫素1中，第一光色發光層15所發出之一第一光色在第一次畫素1內會形成一第一駐波(未圖示)，且第一次畫素1的第一光色發光層15位於第一駐波之反節
點位置上。此外，在第二次畫素2中，第二光色發光層17所發出之一第二光色在第二次畫素2內形成一第二駐波，且第二次畫素2的第二光色發光層17位於第二駐波之反節點位置上。再者，第一光色及第二光色係不相同，且第一光色發光層15及第二光色發光層17亦不相同。舉例來說，第一光色可為藍光、及第二光色係為紅光，且第一光色發光層15係為藍色發光層，而第二光色發光層17係為紅色發光層。
此外，根據本發明實施例，第一次畫素1及第二次畫素2之所有膜層(包含第一電極14、一有機發光單元18、第二電極16、以及光學路徑調整層20)係經相同的製程及以相同的材料同時形成，因此第一次畫素1及第二次畫素2之所有膜層的材質及厚度皆相同或實質上相同。再者，根據本發明一發明目的，在第一次畫素1的第一光色發光層15位於第一駐波之反節點位置上以及第二次畫素2的第二光色發光層17位於第二駐波之反節點位置上的前提下，第一次畫素1的光學路徑調整層20係與第二次畫素1的光學路徑調整層20具有相同組成及相同的厚度或實質上相同的厚度。在此“實質上相同”一詞係指，第一次畫素的光學路徑調整層的厚度與第二次畫素的光學路徑調整層的厚度之差值在兩者(第一次畫素的光學路徑調整層的厚度與第二次畫素的光學路徑調整層的厚度)總和的±5%範圍內(即可以下述公式表示：(T1-T2)/(T1+T2)x100%≦±5%，其中T1：第一次畫素的光學路徑調整層的厚度；T2第二次畫素的光學路徑調整層的厚度)，而造成該厚度差的原因為：第一次畫素及第二次畫素的光學路徑調整層，在製程時雖然係以相同的材料並在相同的步驟(即製程參數相同)
中形成，以令其材質及厚度相同。但是，在實際製程時會因製程上的偏差使得第一次畫素1及第二次畫素2的光學路徑調整層之實際厚度可能會略有差異。因此，第一次畫素1與第二次畫素2共用相同材料厚度，達到減少製程數目的優點，且同時利用微共振腔效應，增加發光層的發光效率。
仍請參照第1圖，為達上述目的，第一次畫素1的光學路徑調整層20係與第二電極16接觸，而第二次畫素2的光學路徑調整層20同樣與第二電極16接觸。在此實施例中，第一次畫素1的第一光色發光層15(例如為藍色發光層)至第二電極16對第一光色(例如為藍光)的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D1(在第1圖中，D1係指第一光色由第二電極16至第一光色發光層15之光學路徑長度的最短距離)可介於194至351nm之間；而第二次畫素2的第二光色發光層17(例如為紅色發光層)至第二電極16之對第二光色(例如為紅光)的最短光學路徑長度D2(在第1圖中，D2係指第二光色由第二電極16至第二光色發光層17之光學路徑長度的最短距離)係介於327至505nm之間。上述之光學路徑長度(optical path length)的定義如下：光學路徑長度等於發光層至對應電極(在此實施例為第二電極)之間的實際厚度乘以對應各層材料的折射率：n D=n1*d1+n2*d2…..nm*dm),(D=d1+d2+…..+dm)
n D：光學路徑長度，D：實際總厚度，n：平均折射率，n i：第i層材料的折射率，di：第i層材料的厚度，i=1,2,…m。
根據本發明另一實施例，第一次畫素1及第二次畫素2的光學路徑調整層20亦可配置於第一電極14與有機發光單元18
之間，請參照第2圖。換言之光學路徑調整層20係直接形成於第一電極14之上並與其接觸。此外，第一次畫素1的第一光色發光層15(例如為藍色發光層)至第一電極14對第一光色(例如為藍光)的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D1(在第2圖中，D1係指第一光色由第一電極14至第一光色發光層15之光學路徑長度的最短距離)同樣可介於194至351nm之間；而第二次畫素2的第二光色發光層17(例如為紅色發光層)至第一電極14之對第二光色(例如為紅光)的最短光學路徑長度D2(在第2圖中，D2係指第二光色由第一電極14至第二光色發光層17之光學路徑長度的最短距離)同樣可介於327至505nm之間。
根據本發明某些實施例，基板12可為石英、玻璃、矽、金屬、塑膠、陶瓷材料、或是一具有主動單元的基板，例如為一薄膜電晶體基板。有機發光裝置10可為一上發光(top-emission)有機發光裝置、或為一下發光(bottom-emission)有機發光裝置、或為一穿透式(transparent)有機發光裝置。若有機發光裝置10為一上發光有機發光裝置，第一電極14係為一反射電極、而第二電極16則係為透明電極或半反半穿透電極。另一方面，若有機發光裝置10為一下發光有機發光裝置，第一電極14係為一透明電極或半反半穿透電極、而第二電極16則係為一反射電極。反射電極的材質可例如為鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、鈀(Pd)、或以上述元素作為主成分與其他金屬構築的合金。透明電極的材質可例如為銦錫氧化物(indium tin oxide、ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide、IZO)、或是其它金屬氧化物所形成的透明導電層。半反半穿透電極可為
單層或多層半透明金屬層(例如鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、鎂(Mg)、或其合金所形成的半透明膜層、或是金屬與透明導電層所形成的半透明複合電極。
有機發光單元18可至少包含兩層發光層(例如第一光色發光層15及第二光色發光層17)。此外，根據本發明其他實施例，有機發光單元18可包含三層或以上的發光層。再者，除了發光層外，有機發光單元18更可以包含其他習用之膜層(例如：電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產生層(charge generation layer)、或是載子阻擋層)。有機發光單元18之各膜層可分別為小分子有機發光材料或高分子有機發光材料，若為小分子有機發光二極體材料，可利用真空蒸鍍方式形成有機發光二極體材料層；若為高分子有機發光二極體材料，則可使用旋轉塗佈、噴墨或網版印刷等方式形成有機發光二極體材料層。此外，有機發光單元18之每一發光層可包含一有機發光材料及一摻雜物(dopant)，熟悉本技術者可視所使用之有機發光材料及所需之元件特性而改變所搭配的摻雜物之摻雜量。摻雜物可為能量傳移(energy transfer)型摻雜材料或是載體捕集(carrier trapping)型摻雜材料。有機發光材料可為螢光(fluorescence)發光材料。而在本發明之某些較佳實施例中，有機發光材料亦可為磷光(phosphorescence)發光材料。熟悉本技術者可視所使用之有機發光材料及所需之元件特性而改變有機發光單元，因此，有機發光單元之膜層組成、材質、及厚度非關本發明之特徵，非為限制本發明範圍之依據。
根據本發明某些實施例，光學路徑調整層20之材質可例如為電洞注入或傳輸材料、電子注入或傳輸材料、透明導電層、或其組合。舉例來說，光學路徑調整層20可為透明導電層、電洞注入材料、電子傳輸材料、或其組合。光學路徑調整層20形成的目的在於調整各次畫素內的有機發光單元18之對應的發光層位置，使得發光層能位於次畫素內駐波的反節點上。根據電磁學理論，當將發光層設置於駐波反節點附近的位置時，可強化微共振腔效應(microcavity effect)，以增強發光強度。舉例來說，可藉由調整藍光次畫素的光學路徑調整層、綠光次畫素的光學路徑調整層、以及紅光次畫素的光學路徑調整層，分別使得藍光次畫素內的藍光發光層、綠光次畫素內的綠光發光層、以及紅光次畫素內的紅光發光層同時位於其各自對應駐波的反節點上。根據本發明一發明目的，即在維持藍光次畫素之藍光發光層及紅光次畫素之紅光發光層位於反節點附近位置的前提下，統一藍光次畫素及紅光次畫素的光學路徑調整層(使其具有相同厚度)，因此可減少一道光學路徑調整層的製程步驟(藍光次畫素及紅光次畫素的光學路徑調整層已在同一步驟完成)，達到降低製程複雜度的目的。
根據本發明某些實施例，畫素可更包含一第三次畫素。請參照第3A圖，係為本發明一實施例所述的上發光有機發光裝置10，其具有藍光次畫素B、綠光次畫素G、以及紅光次畫素R。
仍請參照第3A圖，每一次畫素B、G、以及R各自包含一第一電極14(係為一反射電極)、一光學路徑調整層20形成於第一電極14上、一有機發光單元18形成於光學路徑調整層20上、一第二電極(半反半穿透電極)16形成於有機發光單元18上。其
中，有機發光單元18依序包含藍光發光層30、電子傳輸層56、電荷產生層58、電洞注入層60、紅光發光層40、綠光發光層50、以及電子傳輸層62；而光學路徑調整層20包含透明導電層52、以及電洞注入層54。
值得注意的是次畫素B與R所有膜層(包含光學路徑調整層20)之組成及厚度皆相同(由相同步驟經相同製程所得)。此外，次畫素B與R、以及畫素G，除了光學路徑調整層20厚度不同外，其他的膜層之組成及厚度皆相同(由相同步驟經相同製程所得)。
詳細的說，在此實施例中，次畫素B、G、與R其光學路徑調整層20之電洞注入層54厚度係固定的，主要係藉由調整光學路徑調整層20內的透明導電層52的厚度，使得藍光次畫素B的藍光發光層30、紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50分別位各自畫素駐波內的反節點上。在此實施例中，係利用共振分程式及反節點方程式計算出藍光次畫素B的藍光色發光層30至第一電極14的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D1(針對藍光波長)、綠光次畫素G的綠光色發光層50至第一電極14的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D3(針對綠光波長)、以及紅光次畫素R的紅光色發光層40至第一電極14的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D2(針對紅光波長)，以使得次畫素B與次畫素R係具有相同厚度(或實質上相同)的光學路徑調整層20(即次畫素B與次畫素R的透明導電層52厚度相同)。如此一來，可減少一道光學路徑調整層的製程步驟。
在此實施例中，最短光學路徑長度D1的範圍係介於229至343nm之間(例如286nm)、最短光學路徑長度D2的範圍係介於328至484nm之間(例如406nm)、而最短光學路徑長度D3的範圍係介於280至410nm之間(例345nm)。請參照第3B圖，此時，以第一電極14為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30、紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第二反節點上；以及，以第二電極16(半反半穿透電極)為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30位於其駐波的第二反節點上，而紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第一反節點上。
根據本發明某些實施例，有機發光裝置10可為一上發光有機發光裝置，亦可固定光學路徑調整層20之透明導電層52，改藉由調整電洞注入層54來改變光學路徑調整層20的厚度，請參照第4圖。
第4圖所述之實施例與第3A圖所述實施例的差別在於，第4圖所述之實施例改以調整電洞注入層54來改變光學路徑調整層20的厚度。在此實施例中，最短光學路徑長度D1、最短光學路徑長度D2、及最短光學路徑長度D3的範圍係與第3A圖所述實施例相同。此時，以第一電極14(反射電極)為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30、紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第二反節點上；以及，以第二電極16(半反半穿透電極)為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30位於其駐波的第二反節點上，而紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第一反節點
上(與第3A圖所示實施例相同)。
根據本發明另一實施例，有機發光裝置10可為一上發光有機發光裝置，光學路徑調整層20可為一電子傳輸層，請參照第5A圖。在第5A圖所述之實施例中，光學路徑調整層20係位於第二電極16與有機發光單元18之間。因此，有機發光單元18由第一電極14至第二電極的方向，依序包含：透明導電層64、電洞注入層66、紅光發光層40、綠光發光層50、電子傳輸層56、電荷產生層58、電洞注入層60、以及藍光發光層30。在此實施例中，係藉由調整光學路徑調整層20(由電子傳輸層構成)的厚度，使得藍光次畫素B的藍光發光層30、紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50分別位各自畫素駐波內的反節點上。
在此實施例中，係利用共振分程式及反節點方程式計算出藍光次畫素B的藍光色發光層30至第二電極16的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D1(針對藍光波長)、綠光次畫素G的綠光色發光層50至第二電極16的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D3(針對綠光波長)、以及紅光次畫素R的紅光色發光層40至第二電極16的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D2(針對紅光波長)，以使得次畫素B與次畫素R係具有相同厚度(或實質上相同)的光學路徑調整層20。如此一來，可減少一道光學路徑調整層的製程步驟。
在此實施例中，最短光學路徑長度D1的範圍係介於202至316nm之間(例如259nm)、最短光學路徑長度D2的範圍係介於344至500nm之間(例如422nm)、而最短光學路徑長度D3的範圍係介
於233至363nm之間(例298nm)。此時，請參照第5B圖，以第一電極14(反射電極)為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30位於其駐波的第二反節點上，而紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第一反節點上；以及，以第二電極16(半反半穿透電極)為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30、紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第二反節點上。
根據本發明另一實施例，有機發光裝置10可為一下發光有機發光裝置，請參照第6A圖。第一電極14係為一半反半穿透電極，而第二電極16係為一反射電極。
在第6A圖所述之實施例中，光學路徑調整層20為一電子傳輸層，且光學路徑調整層20位於第二電極16與有機發光單元18之間。在此實施例中，係藉由調整光學路徑調整層20(由電子傳輸層構成)的厚度，使得藍光次畫素B的藍光發光層30、紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50分別位各自畫素駐波內的反節點上。
在此實施例中，係利用共振分程式及反節點方程式計算出藍光次畫素B的藍光色發光層30至第二電極16的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D1(針對藍光波長)、綠光次畫素G的綠光色發光層50至第二電極16的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D3(針對綠光波長)、以及紅光次畫素R的紅光色發光層40至第二電極16的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D2(針對紅光波長)，以使得次畫素B與次畫素R係具有相同厚度(或實質上相同)的光學路徑調整層20。如此一
來，可減少一道光學路徑調整層的製程步驟。
在此實施例中，最短光學路徑長度D1的範圍係介於194至308nm之間(例如251nm)、最短光學路徑長度D2的範圍係介於327至483nm之間(例如405nm)、而最短光學路徑長度D3的範圍係介於279至409nm之間(例344nm)。此時，請參照第6B圖，以第一電極14(半反半穿透電極)為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30位於其駐波的第二反節點上，而紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第一反節點上；以及，以第二電極16(反射電極)為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30、紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第二反節點上。
根據本發明另一實施例，有機發光裝置10可為一下發光有機發光裝置，且光學路徑調整層20係設置於第一電極14與有機發光單元18之間，請參照第7A圖。
在第7A圖所述之實施例中，每一次畫素B、G、以及R各自包含一第一電極14(係為一半反半穿透電極)、一光學路徑調整層20形成於第一電極14上、一有機發光單元18形成於光學路徑調整層20上、一第二電極16(反射電極)形成於有機發光單元18上。其中，有機發光單元18依序包含藍光發光層30、電子傳輸層56、電荷產生層58、電洞注入層60、綠光發光層50、紅光發光層40、以及電子傳輸層62；而光學路徑調整層20包含透明導電層52、以及電洞注入層54。
在此實施例中，次畫素B、G、與R其光學路徑調整層20之電洞注入層54厚度係固定的，主要係藉由調整光學路徑調整
層20內的透明導電層52的厚度，使得藍光次畫素B的藍光發光層30、紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50分別位各自畫素駐波內的反節點上。在此實施例中，係利用共振分程式及反節點方程式計算出藍光次畫素B的藍光色發光層30至第一電極14的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D1(針對藍光波長)、綠光次畫素G的綠光色發光層50至第一電極14的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D3(針對綠光波長)、以及紅光次畫素R的紅光色發光層40至第一電極14的最短光學路徑長度(minimum optical path length)D2(針對紅光波長)，以使得次畫素B與次畫素R係具有相同厚度(或實質上相同)的光學路徑調整層20(即次畫素B與次畫素R的透明導電層52厚度相同)。如此一來，可減少一道光學路徑調整層的製程步驟。
在此實施例中，最短光學路徑長度D1的範圍係介於237至351nm之間(例如294nm)、最短光學路徑長度D2的範圍係介於349至505nm之間(例如427nm)、而最短光學路徑長度D3的範圍係介於270至400nm之間(例335nm)。此時，請參照第7B圖，以第一電極14(半反半穿透電極)為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30、紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第二反節點上；以及，以第二電極16(反射電極)為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30位於其駐波的第二反節點上，而紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第一反節點上。
根據本發明其他實施例，對於下發光有機發光置，亦可固定光學路徑調整層20之透明導電層52，改藉由調整電洞注
入層54來改變光學路徑調整層20的厚度，請參照第8圖。
第8圖所述之實施例與第7A圖所述實施例的差別在於，第8圖所述之實施例改以調整電洞注入層54來改變光學路徑調整層20的厚度。在此實施例中，最短光學路徑長度D1、最短光學路徑長度D2、及最短光學路徑長度D3的範圍係與第7A圖所述實施例相同。此時，以第一電極14(半反半穿透電極)為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30、紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第二反節點上；以及，以第二電極16(反射電極)為基準面，藍光次畫素B的藍光發光層30位於其駐波的第二反節點上，而紅光次畫素R的紅光發光層40、以及綠光次畫素G的綠光發光層50皆位於各自駐波的第一反節點上(與第7A圖所示實施例相同)。
根據本發明其他實施例，上發光有機發光裝置10可更包含一透明封裝基板25配置於第二電極16之上，請參照第9圖。上述有機發光裝置10可為一灰階顯示型照明裝置，或是影像顯示系統。此外，根據本發明某些實施例，藍光濾光片BF、綠光濾光片GF、以及紅光濾光片RF可進一步配置於透明封裝基板25之上表面，並分別對應藍光次畫素B、綠光次畫素G、以及紅光次畫素R,使得有機發光裝置10具有全彩顯示的功能，請參照第10圖。另外，若有機發光裝置10為一下發光有機發光裝置10，則在第一電極14與基板12之間可配置藍光濾光片BF、綠光濾光片GF、以及紅光濾光片RF(分別對應藍光次畫素B、綠光次畫素G、以及紅光次畫素R)，使得有機發光裝置10具有全彩顯示的功能，請參照第11圖。
第12圖係繪示出根據本發明另一實施例之影像顯示
系統方塊示意圖，其可實施於顯示裝置100或電子裝置200，例如筆記型電腦、手機、數位相機、個人數位助理、桌上型電腦、電視機、車用顯示器、或攜帶型播放器。根據本發明之有機發光裝置10可設置於顯示裝置100，而顯示裝置100可為全彩有機發光顯示器。在其他實施例中，顯示裝置100可設置於電子裝置200中。如第12圖所示，電子裝置200包括：顯示裝置100及輸入單元150。輸入單元150係耦接至平面顯示器裝置100，用以提供輸入信號(例如，影像信號)至顯示裝置100以產生影像。
前述已揭露了本發明數個具體實施方式的特徵，使此領域中具有通常技藝者得更加瞭解本發明細節的描述。此領域中具有通常技藝者應能完全明白且能使用所揭露之技術特徵，做為設計或改良其他製程和結構的基礎，以實現和達成在此所介紹實施態樣之相同的目的和優點。此領域中具有通常技藝者應也能瞭解這些對應的說明，並沒有偏離本發明所揭露之精神和範圍，且可在不偏離本發明所揭露之精神和範圍下進行各種改變、替換及修改。
10‧‧‧有機發光裝置
12‧‧‧基板
14‧‧‧第一電極
16‧‧‧第二電極
18‧‧‧有機發光單元
20‧‧‧光學路徑調整層
30‧‧‧藍光發光層
40‧‧‧紅光發光層
50‧‧‧綠光發光層
52‧‧‧透明導電層
54‧‧‧電洞注入層
56‧‧‧電子傳輸層
58‧‧‧電荷產生層
60‧‧‧電洞注入層
62‧‧‧電子傳輸層
D1、D2、D3‧‧‧光學路徑長度
B‧‧‧藍光次畫素
G‧‧‧綠光次畫素
R‧‧‧紅光次畫素
Claims (10)
- 一種有機發光裝置，包含：一基板；以及一有機發光畫素陣列，其中該有機發光畫素陣列包含複數個畫素，該每一畫素包含一第一次畫素，一第二次畫素，及一第三次畫素，其中該第一次畫素，該第二次畫素、及該第三次畫素分別包含：一第一電極，配置於該基板上；一有機發光單元配置於該第一電極上，其中該有機發光單元包含一第一光色發光層，一第二光色發光層，及一第三光色發光層，且該第一光色發光層發出一第一光色，該第二光色發光層發出一第二光色，該第三光色發光層發出一第三光色；一第二電極配置於該有機發光單元上；以及一光學路徑調整層配置於該第一電極與該第二電極之間，其中該第一次畫素的該光學路徑調整層與該第二次畫素的該光學路徑調整層的厚度實質上相同，該第三次畫素的該光學路徑調整層與該第一次畫素的該光學路徑調整層的厚度不同，其中在該第一次畫素中，該第一光色在該第一次畫素內形成一第一駐波，且該第一次畫素的該第一光色發光層位於該第一駐波之反節點上；在該第二次畫素中，該第二光色在該第二次畫素內形成一第二駐波，且該第二次畫素的該第 二光色發光層位於該第二駐波之反節點上；以及，在該第三次畫素中，該第三光色在該第三次畫素內形成一第三駐波，且該第三次畫素的該第三光色發光層位於該第三駐波之反節點上。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一次畫素的該光學路徑調整層係與該第一電極或該第二電極接觸，且該第一次畫素的該第一光色發光層至與該光學路徑調整層接觸的電極之該第一光色的最短光學路徑長度係介於194至351nm之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第二次畫素的該光學路徑調整層係與該第一電極或該第二電極接觸，且該第二次畫素的該第二光色發光層至與該光學路徑調整層接觸的電極之該第二光色的最短光學路徑長度係介於327至505nm之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該有機發光裝置係為一上發光有機發光裝置，其中該第一電極係為反射電極，且該第二電極係為透明電極或半反半穿透電極。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機發光裝置，其中該光學路徑調整層係位於該第一電極與該有機發光單元之間，並與該第一電極接觸，且以該第一電極為基準面，該第一次畫素的該第一光色發光層位於該第一駐波的第二反節點上，該第二次畫素的該第二光色發光層位於該第二駐波的第二反節 點上。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機發光裝置，其中該光學路徑調整層係位於該第二電極與該有機發光單元之間，並與該第二電極接觸，且以該第一電極為基準面，該第一次畫素的該第一光色發光層位於該第一駐波的第二反節點上，且該第二次畫素的該第二光色發光層位於該第二駐波的第一反節點上。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該有機發光裝置係為一下發光有機發光裝置，其中該第一電極係為透明電極或半反半穿透電極，且該第二電極係為反射電極。
- 如申請專利範圍第7項所述之有機發光裝置，其中該光學路徑調整層係位於該第二電極與該有機發光單元之間，並與該第二電極接觸，且以該第一電極為基準面，其中該第一次畫素的該第一光色發光層位於該第一駐波的第二反節點上，且該第二次畫素的該第二光色發光層位於該第二駐波的第一反節點上。
- 如申請專利範圍第7項所述之有機發光裝置，其中該光學路徑調整層係位於該第一電極與該有機發光單元之間，並與該第一電極接觸，且以該第一電極為基準面，其中該第一次畫素的該第一光色發光層位於該第一駐波的第二反節點上，且該第二次畫素的該第二光色發光層位於該第二駐波的第二反節點上。
- 一種影像顯示系統，包含：一電子裝置，其中該電子裝置包含：一顯示裝置，其中該顯示裝置包含申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置；以及一輸入單元，與該顯示裝置耦接，其中該輸入單元係傳輸一訊號至該顯示裝置以產生影像。
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