CN115394822A - 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

电致发光显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115394822A
CN115394822A CN202211121500.1A CN202211121500A CN115394822A CN 115394822 A CN115394822 A CN 115394822A CN 202211121500 A CN202211121500 A CN 202211121500A CN 115394822 A CN115394822 A CN 115394822A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub
pixel
electrode
layer
standing wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211121500.1A
Other languages
English (en)
Inventor
胡月
王欣欣
施槐庭
廖金龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202211121500.1A priority Critical patent/CN115394822A/zh
Publication of CN115394822A publication Critical patent/CN115394822A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种电致发光显示面板及其制作方法、显示装置。电致发光显示面板包括的多个像素单元分别包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素,每个子像素分别包括第一电极和发光层,第一子像素发出的第一颜色光形成第一驻波,第二子像素发出的第二颜色光形成第二驻波,第三子像素发出的第三颜色光形成第三驻波,第一颜色光的波长大于另外两种颜色光的波长,以第一电极面向发光层的一侧平面为参考面,第一子像素的发光层位于第一驻波的第一个反节点上,第二子像素的发光层位于第二驻波的第二个反节点上,第三子像素的发光层位于第三驻波的第二个反节点上。该电致发光显示面板中的打印工艺窗口可以被大幅增加,从而使显示装置的性能得到提升。

Description

电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
本专利申请是下列发明专利申请的分案申请:
申请号:201710888893.1
申请日:2017年09月27日
发明名称:电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种电致发光显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
为体现有机发光二极管(OLED)较高的材料利用率以及低制造成本的特点,不同子像素可以通过溶液制程工艺方式进行制作。溶液制程工艺方式因具有成分可调性好,生产成本低等优点已成为研究热点。
发明内容
本公开的至少一实施例提供一种电致发光显示面板及其制作方法、显示装置,该电致发光显示面板中的第一子像素的打印工艺窗口可以被大幅增加,从而使显示装置的性能得到提升。
本公开的至少一实施例提供一种电致发光显示面板,包括:多个像素单元,每个像素单元包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素,每个子像素分别包括依次层叠的第一电极、发光层以及第二电极,并且,第一子像素发出第一颜色光,第一颜色光在第一子像素内形成第一驻波,第二子像素发出第二颜色光,第二颜色光在第二子像素内形成第二驻波,第三子像素发出第三颜色光,第三颜色光在第三子像素内形成第三驻波,第一颜色光的波长大于第二颜色光以及第三颜色光的波长,以第一电极面向发光层的一侧平面为参考面,第一子像素的发光层位于第一驻波的第一个反节点上,第二子像素的发光层位于第二驻波的第二个反节点上,第三子像素的发光层位于第三驻波的第二个反节点上。
例如,第一子像素中的第一电极与第二电极之间的距离为第一驻波周期的N1倍,第二子像素中的第一电极与第二电极之间的距离为第二驻波周期的N2倍,第三子像素中的第一电极与第二电极之间的距离为第三驻波周期的N3倍,N1<N2且N1<N3,其中,N1,N2以及N3均为正整数。
例如,第一电极为透明电极层或者半透半反电极层,第二电极为反射电极层。
例如,每个子像素还包括位于第一电极与发光层之间的依次层叠的空穴注入层以及空穴传输层。
例如,第一子像素为红色子像素,红色子像素中的空穴注入层的厚度为30-70nm,红色子像素中的空穴传输层的厚度为15-30nm。
例如,第二子像素为绿色子像素,第三子像素为蓝色子像素。
例如,绿色子像素中的空穴注入层的厚度为15-110nm,绿色子像素中的空穴传输层的厚度为20-135nm。
例如,蓝色子像素中的空穴注入层的厚度为15-110nm,蓝色子像素中的空穴传输层的厚度为15-115nm。
例如,每个子像素还包括位于第二电极与发光层之间的依次层叠的电子注入层以及电子传输层。
例如,每个子像素中的电子注入层的厚度相等,且每个子像素中的电子传输层的厚度相等。
例如,电致发光显示面板为有机发光二极管显示面板。
本公开的至少一实施例提供一种电致发光显示面板的制作方法,包括:在衬底基板上形成多个像素单元,形成每个像素单元包括形成第一子像素、第二子像素以及第三子像素,形成每个子像素包括沿垂直于衬底基板的方向依次形成第一电极、发光层以及第二电极,其中,第一子像素发出第一颜色光,第一颜色光在第一子像素内形成第一驻波,第二子像素发出第二颜色光,第二颜色光在第二子像素内形成第二驻波,第三子像素发出第三颜色光,第三颜色光在第三子像素内形成第三驻波,第一颜色光的波长大于第二颜色光以及第三颜色光的波长,以第一电极面向发光层的一侧平面为参考面,第一子像素的发光层位于第一驻波的第一个反节点上,第二子像素的发光层位于第二驻波的第二个反节点上,第三子像素的发光层位于第三驻波的第二个反节点上。
例如,形成每个子像素包括:采用溶液制程方式形成发光层。
例如,形成每个子像素还包括:采用溶液制程方式形成位于第一电极与发光层之间的空穴传输层和空穴注入层的至少之一。
本公开的至少一实施例提供一种显示装置,包括上述实施例中任一项所述的电致发光显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种有机发光二极管显示器中一个像素单元中各子像素的部分膜层厚度示意图;
图2A为本公开一实施例提供的电致发光显示面板包括的一个像素单元的局部结构示意图;
图2B为图2A示出的各子像素中的驻波示意图;
图2C为图2B中示出的各子像素中的膜层厚度示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种有机发光二极管显示器中一个像素单元中各子像素的部分膜层厚度示意图,并且,各子像素中膜层的排布顺序也与图1示出的表格中膜层的顺序相同,即,依次为金属(Metal)电极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及透明电极(ITO)。如图1所示,像素单元中的红色(R)子像素的金属电极与透明电极之间的距离为360nm,绿色(G)子像素的金属电极与透明电极之间的距离为306nm,蓝色(B)子像素的金属电极与透明电极之间的距离为264nm。
以红色子像素为例进行描述,红色子像素中的发光层发出的红光在金属电极与透明电极(起到半透半反作用)之间会形成红色驻波,该红色驻波的反节点的周期为(λ/2*n),其中,λ为红光的波长,n为金属电极与透明电极之间的介质的有效折射率,n=(n1*d1+n2*d2+…)/(d1+d2+…),一般取n为1.8。
如图1所示,红色子像素中的电子注入层厚度为1nm,电子传输层厚度为20nm,发光层的厚度为64nm,空穴传输层的厚度为175nm,空穴注入层的厚度为100nm,因此,金属电极与透明电极之间的距离D0=360nm。图1中的有机发光二极管显示器中取红光的波长为610nm,则其驻波的反节点的周期约为170nm,因此,D0约为红色驻波的驻波反节点的周期的两倍。同时,由红色子像素中各膜层的厚度可知,以透明电极面向发光层的一侧表面为参考面,红色子像素中的发光层位于红色驻波的第二个驻波反节点上,此时,发光层发出的红光产生了建设性干涉以增强红光的出光强度。
由于发光层发出的光会被有机膜层吸收,所以并非器件的厚度越厚或者越薄越好,即并非子像素中金属电极与透明电极之间的距离越大越好或者越小越好。这里金属电极与透明电极之间的距离为红色驻波的驻波反节点的周期的两倍,此时红色子像素的厚度较佳,从而可以确保该光色的出光效率较佳。
同理,图1中的绿色子像素的金属电极与透明电极之间的距离约为绿色驻波的驻波反节点的周期的两倍,蓝色子像素的金属电极与透明电极之间的距离约为蓝色驻波的驻波反节点的周期的两倍,此时绿色子像素以及蓝色子像素的厚度较佳,从而可以确保两种光色的出光效率较佳。以透明电极面向发光层的一侧表面为参考面,绿色子像素中的发光层也位于绿色驻波的第二个驻波反节点上,蓝色子像素中的发光层也位于蓝色驻波的第二个驻波反节点上。因此,绿色子像素中的发光层发出的绿光产生了建设性干涉以增强绿光的出光强度,并且蓝色子像素中的发光层发出的蓝光产生了建设性干涉以增强蓝光的出光强度。
在研究中,本申请的发明人发现:采用溶液制程方式制备有机发光二极管器件时,由于采用溶液打印子像素的过程中,子像素可容纳的溶液体积有限,即,溶液受限于在溶剂中的溶解度、挡墙高度以及疏水特性等因素,因此,无法像蒸镀子像素一样自由的调整各功能层的厚度,导致子像素的打印工艺窗口大幅受到限制。当有机发光二极管器件中像素单元的各子像素的发光层均设置在各自驻波的最佳的第二个驻波反节点上时,会导致红色子像素的打印工艺窗口大幅受到限制,即,红色子像素中容纳的溶液体积受到较大的限制。但是,如果将各子像素的发光层均设置在各自驻波的第一个驻波反节点上,又会因器件整体膜厚制作过薄而导致器件漏电,从而影响显示装置的良率。
本公开的实施例提供一种电致发光显示面板及其制作方法、显示装置。该电致发光显示面板包括:多个像素单元,每个像素单元包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素,每个子像素分别包括依次层叠的第一电极、发光层以及第二电极,并且,第一子像素发出第一颜色光,第一颜色光在第一子像素内形成第一驻波,第二子像素发出第二颜色光,第二颜色光在第二子像素内形成第二驻波,第三子像素发出第三颜色光,第三颜色光在第三子像素内形成第三驻波,第一颜色光的波长大于第二颜色光以及第三颜色光的波长,以第一电极面向发光层的一侧平面为参考面,第一子像素的发光层位于第一驻波的第一个反节点上,第二子像素的发光层位于第二驻波的第二个反节点上,第三子像素的发光层位于第三驻波的第二个反节点上。该电致发光显示面板中的第一子像素的打印工艺窗口可以被大幅增加,从而使显示装置的性能得到提升。
下面结合附图对本公开实施例提供的电致发光显示面板及其制作方法、显示装置进行描述。
实施例一
本实施例提供一种电致发光显示面板,图2A为本公开一实施例提供的电致发光显示面板包括的一个像素单元的局部结构示意图,图2B为图2A示出的各子像素中的驻波示意图,图2C为图2B中示出的各子像素中的膜层厚度示意图。如图2A和图2B所示,电致发光显示面板包括多个像素单元123,例如多个阵列排布的像素单元(图2A仅示出一个像素单元123),每个像素单元123包括第一子像素100、第二子像素200以及第三子像素300,每个子像素100,200,300分别包括依次层叠的第一电极110,210,310、发光层120,220,320以及第二电极130,230,330。第一子像素100发出第一颜色光101,第一颜色光101在第一子像素100内形成第一驻波102,第二子像素200发出第二颜色光201,第二颜色光201在第二子像素200内形成第二驻波202,第三子像素300发出第三颜色光301,第三颜色光301在第三子像素300内形成第三驻波302,第一颜色光101的波长大于第二颜色光201以及第三颜色光301的波长,以第一电极110,210,310面向发光层120,220,320的一侧平面为参考面(第一电极位于发光层的出光侧),第一子像素100的发光层120位于第一驻波102的第一个反节点1021上,第二子像素200的发光层220位于第二驻波202的第二个反节点2022上,第三子像素300的发光层320位于第三驻波302的第二个反节点3022上。一方面,各子像素的发光层均位于各自驻波的反节点上,此时,每个发光层发出的一种颜色的光产生了建设性干涉以增强该颜色光的出光强度;另一方面,由于第一子像素的发光层位于第一驻波的第一个反节点上,因此,该电致发光显示面板在采用溶液制程方式制备时可大幅增加第一子像素所需的墨水工艺窗口,从而使显示装置的性能得到了提升。
由于发光层具有一定厚度,因此,本实施例中的各子像素的发光层均位于各自驻波的反节点包括各子像素的驻波的反节点正好位于各发光层中或者位于各发光层外但非常接近发光层。
例如,如图2A所示,显示面板还包括衬底基板1001,像素单元123设置在衬底基板1001上,像素单元123中的各子像素沿平行于衬底基板1001的平面依次设置。例如,衬底基板设置有阵列排布的子像素。
例如,如图2A所示,每个子像素100,200,300还包括位于第一电极110,210,310与发光层120,220,320之间的空穴注入层150,250,350及空穴传输层140,240,340。
例如,如图2A所示,每个子像素100,200,300还包括位于第二电极130,230,330与发光层120,220,320之间的电子注入层170,270,370以及电子传输层160,260,360。
例如,如图2A-2C所示,每个子像素100,200,300中的电子注入层170,270,370的厚度相等,且每个子像素中的电子传输层160,260,360的厚度相等,因此,各像素单元中的电子注入层以及电子传输层均可以制作为整面膜层。
例如,如图2A所示,第一子像素100为红色子像素,红色子像素中的空穴注入层150的厚度为30-70nm,红色子像素中的空穴传输层140的厚度为15-30nm。
例如,如图2A-2C所示,第一子像素100中的空穴注入层150的厚度为60nm,空穴传输层140的厚度为20nm,发光层120的厚度为64nm,电子传输层160的厚度为20nm,电子注入层170的厚度为1nm,因此,第一子像素100中第一电极110与第二电极130之间的距离为165nm。
例如,如图2A所示,第二子像素200为绿色子像素,第三子像素300为蓝色子像素。
例如,如图2A和2B所示,绿色子像素中的空穴注入层250的厚度为15-110nm,绿色子像素中的空穴传输层240的厚度为20-135nm。
例如,如图2A-2C所示,第二子像素200中的空穴注入层250的厚度为100nm,空穴传输层240的厚度为125nm,发光层220的厚度为60nm,电子传输层260的厚度为20nm,电子注入层270的厚度为1nm,因此,第一子像素200中第一电极210与第二电极230之间的距离为306nm。
例如,如图2A和2B所示,蓝色子像素中的空穴注入层350的厚度为15-110nm,蓝色子像素中的空穴传输层340的厚度为15-115nm。
例如,如图2A-2C所示,第三子像素300中的空穴注入层350的厚度为100nm,空穴传输层340的厚度为105nm,发光层320的厚度为38nm,电子传输层360的厚度为20nm,电子注入层370的厚度为1nm,因此,第一子像素300中第一电极310与第二电极330之间的距离为264nm。
例如,如图2A和2B所示,第一电极110,210,310为透明电极层或者半透半反电极层,第二电极130,230,330为反射电极层,因此,每个发光层发出的一种颜色的光在第一电极与第二电极之间形成驻波,且形成的驻波的周期为(λ/2*n),其中,λ为发光层发出的光的波长,n为金属电极与透明电极之间的介质的有效折射率,n=(n1*d1+n2*d2+…)/(d1+d2+…),一般取n=1.8。
例如,第一电极可以包括半透明金属层,例如,铝、铜、钼、钛、铂、镍、铬、银、金、钨等或其合金所形成的半透明膜层。例如,第一电极还可以包括金属与透明电极层(例如,氧化铟锡、氧化铟锆、氧化铝锆、氧化锆等)所形成的半透明复合电极。
例如,第一电极可以包括透明材料,例如,氧化铟锡、氧化铟锆、氧化铝锆、氧化锆等。
例如,第二电极可以包括金属材料,例如,铝、铜、钼、钛、铂、镍、铬、银、金、钨或其合金所形成的不透明金属层。
例如,各子像素的第一电极的厚度均相同,各子像素的第二电极的厚度均相同。例如,各子像素的第一电极的厚度为50-135nm。
例如,第一子像素100中的第一电极110与第二电极130之间的距离为第一驻波周期的N1倍,第二子像素200中的第一电极210与第二电极230之间的距离为第二驻波周期的N2倍,第三子像素300中的第一电极310与第二电极330之间的距离为第三驻波周期的N3倍,N1<N2且N1<N3,N1、N2以及N3均为正整数。也就是,各子像素中的第一电极与第二电极之间的距离均为各子像素中形成的驻波周期的整数倍,这里的驻波周期指驻波反节点的周期。另外,N1、N2以及N3均近似为正整数,即指N1、N2以及N3的值满足一定误差范围,例如,N1、N2以及N3与最接近其正整数的差值不超过0.15。
例如,如图2A-2C所示,本实施例取红色子像素的发光层发出的红光的波长为610nm,则红色子像素中的第一驻波的反节点的周期为610nm/(2*1.8)≈170nm。而如图2B和图2C所示的第一子像素100中第一电极110与第二电极130之间的距离为165nm,因此,第一子像素100中的第一电极110与第二电极130之间的距离约为第一驻波周期的1倍。另外,根据各膜层的厚度以及第一驻波的反节点的周期可知,以第一子像素100的第一电极110面向发光层120的表面为参考面,第一子像素100的发光层120位于第一驻波102的第一个反节点1021上(第一子像素100中的第一驻波102仅包括一个反节点),由此,第一子像素中的发光层发出的光产生了建设性干涉以增强该颜色光的出光强度。
例如,如图2A-2C所示,本实施例取绿色子像素的发光层发出的绿光的波长为540nm,则绿色子像素中的第二驻波的反节点的周期为540nm/(2*1.8)=150nm。而如图2B和图2C所示的第二子像素200中第一电极210与第二电极230之间的距离为306nm,因此,第二子像素200中的第一电极210与第二电极230之间的距离约为第二驻波周期的2倍。另外,根据各膜层的厚度以及第二驻波的反节点的周期可知,以第二子像素200的第一电极210面向发光层220的表面为参考面,第二子像素200的发光层220位于第二驻波202的第二个反节点2022上(第二子像素200中的第二驻波202包括两个反节点,第二驻波202的第一个反节点2021位于空穴注入层250内),由此,第二子像素中的发光层发出的光产生了建设性干涉以增强该颜色光的出光强度。
例如,如图2A-2C所示,本实施例取蓝色子像素发出的蓝光的波长为470nm,则蓝色子像素中的第三驻波的反节点的周期为470nm/(2*1.8)=130nm。而如图2B和图2C所示的第三子像素300中第一电极310与第二电极330之间的距离为264nm,因此,第三子像素300中的第一电极310与第二电极330之间的距离约为第三驻波周期的2倍。另外,根据各膜层的厚度以及第三驻波的反节点的周期可知,以第三子像素300的第一电极310面向发光层320的表面为参考面,第三子像素300的发光层320位于第三驻波302的第二个反节点3022上(第三子像素300中的第三驻波302包括两个反节点,第三驻波302的第一个反节点3021位于空穴注入层350内),由此,第三子像素中的发光层发出的光产生了建设性干涉以增强该颜色光的出光强度。
需要说明的是,上述示例中各子像素中各膜层的厚度以及各子像素发出的光的波长的数值仅是示意性的,实际工艺中,各膜层的厚度以及各子像素发出的光的波长可根据实际需求而设定,本实施例对此不做限定。
相比于图1示出的电致发光显示面板,本实施例的第一子像素中的空穴传输层与空穴注入层的厚度变薄了,因此,本实施例可以通过调节电致发光显示面板中的第一子像素,即红色子像素中的空穴传输层与空穴注入层的厚度,使第一子像素的发光层位于第一驻波的第一个反节点上,且第一电极与第二电极之间的距离约为第一驻波的周期的1倍,从而使第一子像素的打印窗口大幅增加以提升显示面板的性能。
例如,本实施例提供的电致发光显示面板为有机发光二极管显示面板。例如,电致发光显示面板可以为正置型电致发光显示面板也可以为倒置型电致发光显示面板。
实施例二
本公开的一实施例提供一种电致发光显示面板的制作方法,包括:在衬底基板上形成多个像素单元,形成每个像素单元包括形成第一子像素、第二子像素以及第三子像素,形成每个子像素包括沿垂直于衬底基板的方向依次形成第一电极、发光层以及第二电极。
例如,可以在衬底基板上形成第二电极,在第二电极远离衬底基板的一侧形成发光层,在发光层远离衬底基板的一侧形成第一电极,且第一电极位于发光层的出光侧。
例如,每个子像素包括的第一电极为透明电极层或者半透半反电极层,第二电极为反射电极层。因此,每个发光层发出的一种颜色的光在第一电极与第二电极之间形成驻波,即,发光层发出的光分别向第一电极与第二电极传播,并分别被第一电极(反射部分光并透射部分光)和第二电极反射,分别被两个电极反射的光在第一电极与第二电极之间形成驻波,且形成的驻波的周期为(λ/2*n),其中,λ为发光层发出的光的波长,n为金属电极与透明电极之间的介质的有效折射率,n=(n1*d1+n2*d2+…)/(d1+d2+…),一般取n=1.8。
例如,本实施例提供的电致发光显示面板的制作方法采用溶液制程方式形成发光层。例如,可以采用喷墨印刷的方式形成发光层。
例如,在形成发光层之前,本实施例提供的电致发光显示面板的制作方法还包括:在第二电极远离衬底基板的一侧依次形成叠层的电子注入层和电子传输层。本实施例中的电子注入层和电子传输层均可以为整层膜层,即,各像素单元的电子注入层和电子传输层的厚度均相等。
例如,在形成第一电极之前,本实施例提供的电致发光显示面板的制作方法还包括:在发光层远离衬底基板的一侧依次形成叠层的空穴传输层和空穴注入层。
例如,可以采用溶液制程方式形成位于第一电极与发光层之间的空穴传输层和空穴注入层的至少之一。
例如,可以采用溶液制程方式依次形成每个子像素的发光层、空穴传输层与空穴注入层。
采用本实施例提供的电致发光显示面板的制作方法制作的电致发光显示面板中的第一子像素发出第一颜色光,第一颜色光在第一子像素内形成第一驻波,第二子像素发出第二颜色光,第二颜色光在第二子像素内形成第二驻波,第三子像素发出第三颜色光,第三颜色光在第三子像素内形成第三驻波,第一颜色光的波长大于第二颜色光以及第三颜色光的波长,以第一电极面向发光层的一侧平面为参考面,第一子像素的发光层位于第一驻波的第一个反节点上,第二子像素的发光层位于第二驻波的第二个反节点上,第三子像素的发光层位于第三驻波的第二个反节点上。一方面,各子像素的发光层均位于各自驻波的反节点上,此时,每个发光层发出的一种颜色的光产生了建设性干涉以增强该颜色光的出光强度;另一方面,由于第一子像素的发光层位于第一驻波的第一个反节点上,因此,该电致发光显示面板在采用溶液制程方式制备时可大幅增加第一子像素所需的墨水工艺窗口,从而使显示装置的性能得到了提升。
例如,第一子像素为红色子像素,红色子像素中的空穴注入层的厚度为30-70nm,红色子像素中的空穴传输层的厚度为15-30nm。
例如,第二子像素为绿色子像素,第三子像素为蓝色子像素。
例如,绿色子像素中的空穴注入层的厚度为15-110nm,绿色子像素中的空穴传输层的厚度为20-135nm。
例如,蓝色子像素中的空穴注入层的厚度为15-110nm,蓝色子像素中的空穴传输层的厚度为15-115nm。
例如,第一子像素中的第一电极与第二电极之间的距离为第一驻波周期的N1倍,第二子像素中的第一电极与第二电极之间的距离为第二驻波周期的N2倍,第三子像素中的第一电极与第二电极之间的距离为第三驻波周期的N3倍,N1<N2且N1<N3,N1、N2以及N3均为正整数。也就是,各子像素中的第一电极与第二电极之间的距离均为各子像素中形成的驻波周期的整数倍,这里的驻波周期指驻波反节点的周期。
例如,第一子像素中的第一电极与第二电极之间的距离约为第一驻波周期的1倍,第二子像素中的第一电极与第二电极之间的距离约为第二驻波周期的2倍,第三子像素中的第一电极与第二电极之间的距离约为第三驻波周期的2倍。
本实施例提供的电致发光显示面板制作方法可以通过在制作过程中调节电致发光显示面板中的第一子像素(红色子像素)中的空穴传输层与空穴注入层的厚度,使第一子像素的发光层位于第一驻波的第一个反节点上,且第一电极与第二电极之间的距离约为第一驻波的周期的1倍,从而使第一子像素的打印窗口大幅增加以提升显示面板的性能。
实施例三
本实施例提供一种显示装置,本实施例提供的显示装置包括实施例一提供的任一种显示面板,该显示装置中的第一子像素的打印工艺窗口可以被大幅增加,从而使显示装置的性能得到提升。
例如,该显示装置可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置等显示器件以及包括该显示装置的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件,本实施例不限于此。
有以下几点需要说明:
(1)除非另作定义,本公开实施例以及附图中,同一标号代表同一含义。
(2)本公开实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(3)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域被放大。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种包括采用打印工艺制备的发光层的电致发光显示面板,包括:
多个像素单元,每个所述像素单元包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素,每个所述子像素分别包括依次层叠的第一电极、所述发光层以及第二电极,
其中,所述第一子像素发出第一颜色光,所述第一颜色光在所述第一子像素内形成第一驻波,所述第二子像素发出第二颜色光,所述第二颜色光在所述第二子像素内形成第二驻波,所述第三子像素发出第三颜色光,所述第三颜色光在所述第三子像素内形成第三驻波,所述第一颜色光的波长大于所述第二颜色光以及所述第三颜色光的波长,以所述第一电极面向所述发光层的一侧平面为参考面,所述第一子像素的发光层位于所述第一驻波的第一个反节点上,所述第二子像素的发光层位于所述第二驻波的第二个反节点上,所述第三子像素的发光层位于所述第三驻波的第二个反节点上;
其中,每个所述子像素还包括位于所述第一电极与所述发光层之间的依次层叠的空穴注入层和空穴传输层,以及位于所述第二电极与所述发光层之间的依次层叠的电子注入层和电子传输层,
其中,每个所述子像素中的电子注入层的厚度相等,每个所述子像素中的电子传输层的厚度相等,并且每个所述子像素中的空穴注入层和空穴传输层的厚度之和不相等。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示面板,其中,所述第一子像素中的所述第一电极与所述第二电极之间的距离为第一驻波周期的N1倍,所述第二子像素中的所述第一电极与所述第二电极之间的距离为第二驻波周期的N2倍,所述第三子像素中的所述第一电极与所述第二电极之间的距离为第三驻波周期的N3倍,N1<N2且N1<N3,其中,N1,N2以及N3均为正整数。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示面板,其中,所述第一电极为透明电极层或者半透半反电极层,所述第二电极为反射电极层。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示面板,其中,所述电致发光显示面板从第一电极侧出光。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示面板,其中,所述第一子像素中的所述第一电极与所述第二电极之间的距离为d1,所述第二子像素中的所述第一电极与所述第二电极之间的距离为d2,所述第三子像素中的所述第一电极与所述第二电极之间的距离为d3,
d1<d2且d1<d3。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示面板,其中,所述第一子像素为红色子像素,所述第二子像素为绿色子像素,所述第三子像素为蓝色子像素。
7.根据权利要求6所述的电致发光显示面板,其中,
所述红色子像素中的空穴注入层的厚度为30-70nm,所述红色子像素中的空穴传输层的厚度为15-30nm,
所述绿色子像素中的空穴注入层的厚度为15-110nm,所述绿色子像素中的空穴传输层的厚度为20-135nm,
所述蓝色子像素中的空穴注入层的厚度为15-110nm,所述蓝色子像素中的空穴传输层的厚度为15-115nm。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示面板,其中,所述第一子像素的发光层的厚度大于第二子像素的发光层的厚度,第二子像素的发光层的厚度大于第三子像素的发光层的厚度。
9.根据权利要求1所述的电致发光显示面板,其中,所述第一子像素的空穴传输层和空穴注入层的厚度之和小于所述第二子像素的空穴传输层和空穴注入层的厚度之和,并且所述第一子像素的空穴传输层和空穴注入层的厚度之和小于所述第三子像素的空穴传输层和空穴注入层的厚度之和。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的电致发光显示面板,其中,所述电致发光显示面板为有机发光二极管显示面板。
11.一种电致发光显示面板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成多个像素单元,形成每个所述像素单元包括形成第一子像素、第二子像素以及第三子像素,形成每个所述子像素包括沿垂直于所述衬底基板的方向依次形成第一电极、发光层以及第二电极,
其中,所述第一子像素发出第一颜色光,所述第一颜色光在所述第一子像素内形成第一驻波,所述第二子像素发出第二颜色光,所述第二颜色光在所述第二子像素内形成第二驻波,所述第三子像素发出第三颜色光,所述第三颜色光在所述第三子像素内形成第三驻波,所述第一颜色光的波长大于所述第二颜色光以及所述第三颜色光的波长,以所述第一电极面向所述发光层的一侧平面为参考面,所述第一子像素的发光层位于所述第一驻波的第一个反节点上,所述第二子像素的发光层位于所述第二驻波的第二个反节点上,所述第三子像素的发光层位于所述第三驻波的第二个反节点上,
其中,形成每个所述子像素还包括:形成位于所述第一电极与所述发光层之间的依次层叠的空穴注入层和空穴传输层,以及形成位于所述第二电极与所述发光层之间的依次层叠的电子注入层和电子传输层,并且使得每个所述子像素中的电子注入层的厚度相等,每个所述子像素中的电子传输层的厚度相等,每个所述子像素中的空穴注入层和空穴传输层的厚度之和不相等,
其中,形成每个所述子像素还包括:采用打印工艺制备所述发光层。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其中,形成每个所述子像素还包括:
采用打印工艺形成位于所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输层和空穴注入层的至少之一。
13.一种显示装置,包括权利要求1-10中任一项所述的电致发光显示面板。
CN202211121500.1A 2017-09-27 2017-09-27 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置 Pending CN115394822A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211121500.1A CN115394822A (zh) 2017-09-27 2017-09-27 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710888893.1A CN109560107A (zh) 2017-09-27 2017-09-27 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN202211121500.1A CN115394822A (zh) 2017-09-27 2017-09-27 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710888893.1A Division CN109560107A (zh) 2017-09-27 2017-09-27 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115394822A true CN115394822A (zh) 2022-11-25

Family

ID=65863548

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211121500.1A Pending CN115394822A (zh) 2017-09-27 2017-09-27 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN201710888893.1A Pending CN109560107A (zh) 2017-09-27 2017-09-27 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710888893.1A Pending CN109560107A (zh) 2017-09-27 2017-09-27 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11631827B2 (zh)
EP (1) EP3690946A4 (zh)
CN (2) CN115394822A (zh)
WO (1) WO2019062229A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110071159B (zh) * 2019-04-30 2021-07-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素电极结构及像素电极结构制作方法
CN113314586A (zh) * 2021-06-29 2021-08-27 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006253015A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスカラー発光装置
FR2957718B1 (fr) 2010-03-16 2012-04-20 Commissariat Energie Atomique Diode electroluminescente hybride a rendement eleve
JP2012199231A (ja) * 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
TW201417260A (zh) * 2012-10-22 2014-05-01 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構
CN103187434A (zh) * 2013-04-01 2013-07-03 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及制备有机电致发光器件的方法
TWI552332B (zh) 2013-05-30 2016-10-01 群創光電股份有限公司 有機發光裝置、以及包含其之影像顯示系統
KR102299838B1 (ko) * 2014-10-31 2021-09-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
CN104638147B (zh) 2015-03-04 2017-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种像素界定层及oled器件
CN106449714B (zh) 2016-11-09 2019-12-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板以及制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210343966A1 (en) 2021-11-04
US11631827B2 (en) 2023-04-18
EP3690946A1 (en) 2020-08-05
EP3690946A4 (en) 2021-05-26
CN109560107A (zh) 2019-04-02
WO2019062229A1 (zh) 2019-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016082341A1 (zh) 有机电致发光器件、其制备方法以及显示装置
WO2020020224A1 (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN107170786B (zh) 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法
JP7370806B2 (ja) 発光デバイス、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置および移動体
KR20210127800A (ko) 표시 장치 및 전자 기기
CN112331806A (zh) 显示基板
US20200144335A1 (en) Oled display substrate and method for manufacturing the same, display device
US11251409B2 (en) Display substrate and display device
CN110660929B (zh) 显示装置
CN112259695A (zh) 显示面板与显示装置
US20140346480A1 (en) Light emitting element, display apparatus, and lighting apparatus
WO2018188354A1 (zh) 光源面板和显示装置
US9899455B2 (en) Organic light emitting diode display
CN108598279B (zh) Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN110783392A (zh) 发光器件及其制造方法、显示装置
CN102376897A (zh) 显示装置
CN115394822A (zh) 电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
KR102462280B1 (ko) 양방향 투명 표시장치
CN109638037B (zh) 一种全彩化显示模块及其制作方法
CN110890476B (zh) 显示面板、显示装置
KR102604263B1 (ko) 표시장치
CN111477762A (zh) 显示面板及其制备方法、电致发光显示装置
KR102329991B1 (ko) 유기 발광 장치 및 이의 전극
US10096796B2 (en) Transparent display device including light-passing sealing member
JP2012256503A (ja) 発光装置および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination