CN109309112B - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决现有技术中对不同亚像素中的发光功能膜层厚度要求不同的需求；该阵列基板包括设置于衬底基板上的像素定义层，在像素定义层中形成有阵列排布的多个亚像素开口，像素定义层在相邻亚像素开口之间的部分形成为挡墙，像素定义层包括：沿背离衬底基板方向上依次设置的主体定义层和疏液修饰层；在挡墙位置处，疏液修饰层未完全覆盖主体定义层背离衬底基板一侧的表面、且疏液修饰层的边缘到主体定义层的边缘的距离根据亚像素开口内形成的发光功能膜层的厚度不同而不同。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。

现有技术中，在OLED显示面板在制作中，一般要求不同颜色亚像素中的OLED器件的部分功能膜层的厚度不同；例如，在红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素中，要求OLED器件的空穴注入层、空穴传输层等膜层的厚度不同，然而现有技术中，采用整面涂布的方式，是无法满足不同亚像素的OLED器件中的部分发光功能膜层的厚度不同的需求。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，能够解决现有技术中对不同亚像素中的发光功能膜层厚度要求不同的需求。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种阵列基板，包括设置于衬底基板上的像素定义层，在所述像素定义层中形成有阵列排布的多个亚像素开口，所述像素定义层在相邻亚像素开口之间的部分形成为挡墙，所述像素定义层包括：沿背离所述衬底基板方向上依次设置的主体定义层和疏液修饰层；在所述挡墙位置处，所述疏液修饰层未完全覆盖所述主体定义层背离所述衬底基板一侧的表面、且所述疏液修饰层的边缘到所述主体定义层的边缘的距离根据所述亚像素开口内形成的发光功能膜层的厚度不同而不同。

可选的，所述阵列基板包括：红色亚像素开口、绿色亚像素开口、蓝色亚像素开口；所述疏液修饰层在所述红色亚像素开口、所述绿色亚像素开口、所述蓝色亚像素开口的位置处形成的镂空区域的面积分别为：第一镂空面积、第二镂空面积、第三镂空面积；其中，所述第一镂空面积大于所述第二镂空面积；所述第二镂空面积大于所述第三镂空面积。

可选的，所述亚像素开口呈矩形，沿所述亚像素开口的宽度方向上，所述疏液修饰层在所述红色亚像素开口、所述绿色亚像素开口、所述蓝色亚像素开口两侧的边缘之间的距离分别为：第一距离、第二距离、第三距离；其中，所述第一距离大于所述第二距离，所述第二距离大于所述第三距离。

可选的，所述主体定义层为亲液层。

可选的，所述疏液修饰层主要采用氟化甲基丙烯酸、氟化丙烷、氟化芳香烃、氟化聚酰亚胺中的一种或多种材料形成。

本发明实施例另一方面还提供一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成第一膜层；在所述第一膜层上形成具有疏液性的第二膜层；其中，所述第二膜层在每一预形成挡墙的位置处，与所述第一膜层均具有交叠区域，且至少在部分预形成挡墙的位置处，所述第二膜层与所述第一膜层未完全交叠，且在所述预形成挡墙的位置处，所述第二膜层与所述第一膜层未交叠的区域大小，根据待形成的亚像素开口内的功能膜层的厚度而定；在依次设置的所述第一膜层和所述第二膜层上，形成多个亚像素开口，以形成主要由挡墙构成的像素定义层。

可选的，所述在所述第一膜层上形成第二膜层包括：采用喷墨打印工艺在所述第一膜层上形成第二膜层。

可选的，所述阵列基板的制作方法还包括：在所述像素定义层上，采用旋涂或者狭缝涂布工艺形成有机发光二极管中的一个或者多个发光功能膜层。

本发明实施例另一方面还提供一种显示面板，包括前述的阵列基板。

本发明实施例另一方面还提供一种显示装置，包括前述的显示面板。

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，该阵列基板包括设置于衬底基板上的像素定义层，在像素定义层中形成有阵列排布的多个亚像素开口，像素定义层在相邻亚像素开口之间的部分形成为挡墙，像素定义层包括：沿背离衬底基板方向上依次设置的主体定义层和疏液修饰层；在挡墙位置处，疏液修饰层未完全覆盖主体定义层背离衬底基板一侧的表面、且疏液修饰层的边缘到主体定义层的边缘的距离根据亚像素开口内形成的发光功能膜层的厚度不同而不同。

综上所述，本发明中设置疏液修饰层未完全覆盖主体定义层的上表面，在保证每一挡墙的上表面均具有部分位于疏液修饰层的疏液区，以便后续制作的发光功能膜层能够在疏液区断开(以形成位于不同开口的发光功能膜层)的同时，部分挡墙的上表面除了包括疏液区以外，还包括部分位于主体定义层中的区域(也即调节区)，从而通过设置调节区位置以及相对于疏液区的占比大小，进而可以达到控制亚像素开口内形成的发光功能膜层的厚度不同的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作方法流程示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作过程中的示意图之一；

图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作过程中的示意图之一；

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制作过程中的示意图之一。

附图标记：

01-阵列基板；10-衬底基板；20-像素定义层；21-主体定义层；22-疏液修饰层；23-亚像素开口；200-挡墙；201-第一膜层；202-第二膜层；30-发光功能膜层；A1-疏液区；A2-调节区。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明实施例中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

首先，对于自发光显示装置中自发光单元(例如，有机发光二极光)中的发光功能膜层的制作，一般均需要通过先制作像素定义层(Pixel Define Layer，PDL)对发光功能膜层的位置进行界定(像素定义层中相邻的挡墙之间的区域构成亚像素的开口区)，然后在制作发光功能膜层。

其中，像素定义层中形成有阵列排布的多个亚像素开口，且在相邻亚像素开口之间的部分形成为挡墙(Bank)，并且在挡墙的上表面(也即挡墙背离衬底基板一侧的表面)一般由疏液材料构成，这样一来，在挡墙的上表面采用旋涂(Spin Coating)或者狭缝涂布(Slit Coating)等方式整层涂布发光功能层(此时为液态)时，在挡墙的上表面疏水作用下，功能层在各挡墙的上表面位置处分开，以形成位于各开口区的发光功能膜层；由于每一挡墙上表面均由疏液材料构成，从而使得形成的位于各亚像素开口内的发光功能膜层的厚度基本一致，进而无法满足显示装置中对不同颜色的亚像素中，不同的发光功能膜层的厚度不同的需求；本发明实施例中均是以发光功能膜层为有机发光二极管中的发光功能膜层为例对本发明做进一步的说明，但本发明并不限制于此。

基于此，本发明的实施例中提供一种阵列基板，如图1所示，该阵列基板01包括设置于衬底基板10上的像素定义层20，该像素定义层20包括沿背离衬底基板10的方向上依次设置的主体定义层21和疏液修饰层22。

其中，如图1和图2所示，在挡墙200位置处，疏液修饰层22未完全覆盖主体定义层21的上表面(也即背离衬底基板一侧的表面)、且疏液修饰层22的边缘到主体定义层21的边缘的距离根据亚像素开口23内形成的发光功能膜层30的厚度不同而不同。

具体的，如上所述，参考图1所示，可以理解的是，对于每一挡墙200的在背离衬底基板10一侧的上表面包括：位于疏液修饰层22中的疏液区A1，且至少部分挡墙200的上表面还包括：位于主体定义层21中的调节区A2。当然，一般的，挡墙200的上表面中的疏液区A1只有一个，调节区A2可能是一个，也可以是两个，例如可以位于疏液区A1的两侧，本发明对此均不作具体限定，调节区A2和疏液区A1的相对大小是根据亚像素开口23内形成的发光功能膜层30的厚度而设置的。

综上所述，本发明中设置疏液修饰层未完全覆盖主体定义层的上表面，在保证每一挡墙的上表面均具有部分位于疏液修饰层的疏液区，以便后续制作的发光功能膜层能够在疏液区断开(以形成位于不同开口的发光功能膜层)的同时，部分挡墙的上表面除了包括疏液区以外，还包括部分位于主体定义层中的区域(也即调节区)，从而通过设置调节区位置以及相对于疏液区的占比大小，进而可以达到控制亚像素开口内形成的发光功能膜层的厚度不同的目的。

此处需要说明的是，第一，上述衬底基板10并不必然是指，单纯的基板，其上一般还制作有呈矩阵排列的电子器件、信号线等；上述发光功能膜层30可以是有机发光二极管的阴极和阳极之间的多个膜层中的一个或者多个，例如，可以是空穴传输层、空穴注入层等

第二，可以理解的是，对于上述位于挡墙200的上表面中的疏液区A1、调节区A2而言，本发明中需要保证每一挡墙200的上表面中均具有疏液区A1；当然，该疏液区A1可以整个挡墙200的上表面，也可以挡墙200的上表面中的部分，但只要部分挡墙200的上表面中既包括上述疏液区A1，又包括上述调节区A2，则都应属于本发明的保护范围。

第三，上述疏液修饰层22的边缘是指，构成疏液修饰层22的所有边界，必然包括位于亚像素开口周围的边界；基于此，可以理解的是，上述在挡墙200位置处，疏液修饰层22的边缘是指，疏液修饰层22在挡墙200位置处靠近与该挡墙相邻的亚像素开口一侧的边缘；同理，如主体定义层21的边缘，此处不再赘述。当然，还可以理解的是，上述疏液修饰层22的边缘到主体定义层21的边缘的距离必然是指，在同一挡墙位置处，且靠近与该挡墙相邻的亚像素开口同一侧位置处，疏液修饰层22的边缘和主体定义层21的边缘之间的距离。

另外，考虑到，对于阵列基板而言，亚像素的排布本身具有一定的规律性(例如，沿栅线方向上一般红、绿、蓝亚像素依次排布，沿列方向上一般为同一颜色的亚像素)，因此，对于疏液修饰层22而言，其在对应个亚像素开口位置处的镂空区域的面积也相应的具有一定的规律。

具体的，对于包括红色亚像素开口R、绿色亚像素开口G、蓝色亚像素开口B的阵列基板而言，我们实际所希望最终形成在红色亚像素开口R中的发光功能膜层的厚度大于绿色亚像素开口G中的发光功能膜层的厚度，绿色亚像素开口G中的发光功能膜层的厚度大于蓝色亚像素开口B中的发光功能膜层的厚度。

基于此，本发明优选的，疏液修饰层22在红色亚像素开口R的位置处形成的镂空区域的面积大于绿色亚像素开口G的位置处形成的镂空区域的面积，且绿色亚像素开口G的位置处形成的镂空区域的面积大于蓝色亚像素开口B的位置处形成的镂空区域的面积；也就是说，红色亚像素开口R、绿色亚像素开口G、蓝色亚像素开口B的位置处形成的镂空区域的面积分别为：第一镂空面积S1、第二镂空面积S2、第三镂空面积S3；且第一镂空面积S1＞第二镂空面积S2＞第三镂空面积S3，也即，S1＞S2＞S3，以满足实际中各亚像素开口中对发光功能膜层厚度的需求。

在此基础上，考虑到，一般亚像素开口均呈矩形，疏液修饰层22在沿亚像素开口长边对后续形成的发光功能膜层的厚度起主要作用，因此，进一步优选的，如图2所示，在沿亚像素开口的宽度方向上，疏液修饰层22在红色亚像素开口R两侧的边缘之间的距离大于绿色亚像素开口G两侧的边缘之间的距离，绿色亚像素开口G两侧的边缘之间的距离大于蓝色亚像素开口B两侧的边缘之间的距离；也可以说，红色亚像素开口R、绿色亚像素开口G、蓝色亚像素开口B两侧的边缘之间的距离分别为：第一距离D1、第二距离D2、第三距离D3，第一距离D1＞第二距离D2＞第三距离D3，也即D1＞D2＞D3。

当然，在沿亚像素开口的长度方向上，疏液修饰层22在不同亚像素开口两侧的边缘之间的距离(也即短边位置处的距离)，可以根据实际的需求设置，可以相同，也可以不同，本发明对此不做具体限定；示意的，可以设置疏液修饰层22沿亚像素开口的长度方向上，在不同亚像素开口两侧的边缘之间的距离相同。

这样一来，能够保证后续形成的红色亚像素R中功能膜层30是从上述疏液修饰层22中距离D1的两个边缘处断开的，绿色亚像素G中发光功能膜层30是从上述疏液修饰层22中距离D2的两个边缘处断开的，蓝色亚像素B中发光功能膜层30是从上述疏液修饰层22中距离D3的两个边缘处断开的，且D1＞D2＞D3，从而能够满足各亚像素开口中对发光功能膜层厚度的需求。

此外，以下对形成上述主体定义层21和疏液修饰层22的材料做进一步的说明。

首先，如前述，疏液修饰层22一般采用疏液材料形成；具体的，该疏液材料可以是氟化甲基丙烯酸、氟化丙烷、氟化芳香烃、氟化聚酰亚胺中的一种或多种材料。

对于主体定义层21而言，其可以是亲液层，也可以是疏液层，本发明对此不作具体限定，实际中可以根据需要选择设置即可。

具体的，对于主体定义层21为亲液层时，其可以采用聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺等亲液材料；对于主体定义层21为疏液层时，其可以采用氟化聚甲基丙烯酸甲酯、氟化聚酰亚胺等疏液材料。

当然，实际考虑到后续形成的功能膜层的均匀性，优选的，可以设置主体定义层21为亲液层。

需要说明的是，对于整个像素定义层20而言，挡墙200的上表面的疏液区A1要高于(或者凸出于)调节区A2，在主体定义层21为亲液层时，在疏液区A1的疏液作用下，后续涂布的膜层能够该疏液区A1断开，以便形成位于不同亚像素中的发光功能膜层30；在主体定义层21为疏液层时，挡墙200的上表面中的疏液区A1和调节区A2均具有疏液功能，后续形成的疏液修饰层22会增强疏液效果，也即疏液区A1的疏液作用强于调节区A2的疏液作用，此时在疏液区A1和调节区A2疏液效果的差异下，后续涂布的膜层同样能够该疏液区A1断开，以便形成位于不同亚像素中的发光功能膜层30。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法，如图3所示，该制作方法包括：

步骤S101、参考图4，在衬底基板10上形成第一膜层201。

具体的，可以通过旋涂或者狭缝涂布的方式，采用疏液材料，也可以采用亲液材料形成第一膜层201；当然，一般优选的，可以采用亲液材料。

步骤S102、参考图5中(a)及(b)，在第一膜层201上形成具有疏液性的第二膜层202。

其中，第二膜层202在每一预形成挡墙200的位置处，与第一膜层202均具有交叠区域(该交叠区域为疏液区A1)，且至少在部分预形成挡墙200的位置处，第二膜层202与第一膜层201未完全交叠(该未交叠区域为调节区A2)，且在预形成挡墙的位置处，第二膜层202与第一膜层201未交叠的区域大小(也即调节区A2的大小)，根据待形成的亚像素开口内的功能膜层30的厚度而定(参考图2)。

也即，第二膜层202在每一预形成挡墙200的位置处均具有疏液区A1，且在部分预形成挡墙200的位置具有疏液区A1的同时，还裸露出第一膜层201(该区域可以称为调节区A2)。

具体的，参考图5中(a)，可以通过喷墨打印的工艺，采用疏液材料，在第一膜层201上形成上述第二膜层202(参考图5中(b))。

此处需要说明的是，对于预形成挡墙200之间的位置(也即预形成亚像素的开口区的位置)，可以形成第二膜层，也可以不形成第二膜层，本发明对此不作具体限定，实际中可以根据实际的工艺条件、以及制作需求选择设置；当然，可以理解的是，对于预形成挡墙200之间的位置是提前预设的，或者说是可以通过人为设置的，也即为预形成挡墙200之间的位置为已知位置。

步骤S103、参考图6中(a)及(b)，在依次设置的第一膜层201和第二膜层202上，形成对应多个亚像素的开口，以形成主要由挡墙200构成的像素定义层20。

具体的，可以通过曝光、显影等工艺(参考图6中(a)，空心箭头代表曝光工艺中的光线，图中并未示出曝光工艺中的掩膜版等)，在第一膜层201和第二膜层202上对应多个亚像素的开口，并通过固化形成上述像素定义层20。

综上所述，本发明中设置疏液修饰层未完全覆盖主体定义层的上表面，在保证每一挡墙的上表面均具有部分位于疏液修饰层的疏液区，以便后续制作的发光功能膜层能够在疏液区断开(以形成位于不同开口的发光功能膜层)的同时，部分挡墙的上表面除了包括疏液区以外，还包括部分位于主体定义层中的区域(也即调节区)，从而通过设置调节区位置以及相对于疏液区的占比大小，进而可以达到控制亚像素开口内形成的发光功能膜层的厚度不同的目的。

在此基础上，上述阵列基板的制作方法还可以包括：

参考图2，在像素定义层20上，采用旋涂或者狭缝涂布工艺形成有机发光二极管中的一个或者多个发光功能膜层30。

此处的一个或者多个功能膜层30是指，位于阵列基板上所有的有机发光二极管中的一个或者多个发光功能膜层30；可以理解的是，一般通过一次工艺会形成阵列基板上所有的有机发光二极管的一个功能膜层30。

当然，对于该制作方法中其他的相关内容，可以对应的参考前述阵列基板实施例中的对应部分，此处不再赘述；对于前述阵列基板实施例中的其他设置结构，可以参考上述制作方法对应制备，调整相应的制作步骤，此处不再一一赘述。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括前述的阵列基板，具有与前述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述的显示面板，同样包括前述的阵列基板，具有与前述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。

需要说明的是，在本发明实施例中，显示装置具体至少可以包括有机发光二极管显示面板，例如该显示面板可以应用至显示器、电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件中。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括设置于衬底基板上的像素定义层，在所述像素定义层中形成有阵列排布的多个亚像素开口，所述像素定义层在相邻亚像素开口之间的部分形成为挡墙，其特征在于，

所述像素定义层包括：沿背离所述衬底基板方向上依次设置的主体定义层和疏液修饰层；

在所述挡墙位置处，所述疏液修饰层未完全覆盖所述主体定义层背离所述衬底基板一侧的表面、且所述疏液修饰层的边缘到所述主体定义层的边缘的距离根据所述亚像素开口内形成的发光功能膜层的厚度不同而不同。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板包括：红色亚像素开口、绿色亚像素开口、蓝色亚像素开口；

所述疏液修饰层在所述红色亚像素开口、所述绿色亚像素开口、所述蓝色亚像素开口的位置处形成的镂空区域的面积分别为：第一镂空面积、第二镂空面积、第三镂空面积；

其中，所述第一镂空面积大于所述第二镂空面积；所述第二镂空面积大于所述第三镂空面积。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述亚像素开口呈矩形，沿所述亚像素开口的宽度方向上，所述疏液修饰层在所述红色亚像素开口、所述绿色亚像素开口、所述蓝色亚像素开口两侧的边缘之间的距离分别为：第一距离、第二距离、第三距离；

其中，所述第一距离大于所述第二距离，所述第二距离大于所述第三距离。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主体定义层为亲液层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述疏液修饰层主要采用氟化甲基丙烯酸、氟化丙烷、氟化芳香烃、氟化聚酰亚胺中的一种或多种材料形成。

6.一种阵列基板的制作方法，该方法用于制作如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第一膜层；

在所述第一膜层的背离所述衬底基板的表面上形成具有疏液性的第二膜层；其中，所述第二膜层在每一预形成挡墙的位置处，与所述第一膜层均具有交叠区域，且所述交叠区域在所述衬底基板上的正投影的面积位于对应所述预形成挡墙在所述衬底基板上的正投影内；

在依次设置的所述第一膜层和所述第二膜层上，形成阵列排布的多个亚像素开口，以形成主要由挡墙构成的像素定义层；所述像素定义层包括由所述第一膜层构成的主体定义层、以及由所述第二膜层构成的疏水修饰层；

在所述挡墙位置处，所述疏液修饰层未完全覆盖所述主体定义层背离所述衬底基板一侧的表面、且所述疏液修饰层的边缘到所述主体定义层的边缘的距离根据所述亚像素开口内形成的发光功能膜层的厚度不同而不同。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述在所述第一膜层上形成第二膜层包括：

采用喷墨打印工艺在所述第一膜层上形成第二膜层。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法还包括：

在所述像素定义层上，采用旋涂或者狭缝涂布工艺形成有机发光二极管中的一个或者多个发光功能膜层。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。

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