JP5449742B2

JP5449742B2 - 有機ｅｌ素子

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Publication number: JP5449742B2
Application number: JP2008273983A
Authority: JP
Inventors: 祐行藤井
Original assignee: エルジーディスプレイカンパニーリミテッド
Priority date: 2008-10-24
Filing date: 2008-10-24
Publication date: 2014-03-19
Anticipated expiration: 2028-10-24
Also published as: JP2010102983A

Description

本発明は、有機ＥＬ素子に関する。

特許文献１，２に示すように、一対の電極層で挟まれる発光層を含む有機機能層を支持基板の主面に設け、光の取り出し効率を高めるための有機キャッピング層をさらにその上に重ねて設けた有機ＥＬ素子が提案されている。特許文献１，２は、有機キャッピング層をα−ＮＰＤ、ＴＰＤ又はｍ−ＭＴＤＡＴＡで構成すること、有機キャッピング層の有機材料のガラス転移点Ｔｇを有機機能層を構成する各層の有機材料よりも低くし、有機キャッピング層の有機材料を蒸着した後に有機機能層を流動化させずに有機キャッピング層を流動化させることに言及している。

特開２００８−１０８６２８号公報特開２００８−１５９４３８号公報

一般的に、分子性物質の融点Ｔｍは、分子形状の対称性が低くなると小さくなる。これは、分子形状の対称性が低くなると、固体を構成する分子間の隙間が多くなり、固体を構成する分子間に働く分子間力が弱くなるからである。

このため、有機キャッピング層の有機材料の融点Ｔｍ又はガラス転移点Ｔｇを小さくしようとすると、分子形状の対称性が低くなる分子性物質すなわちモル質量が大きい分子性物質からなる有機材料を選択することになる。実際、特許文献１，２が言及しているα−ＮＰＤ、ＴＰＤ及びｍ−ＭＴＤＡＴＡのモル質量は、それぞれ、５８９ｇ／ｍｏｌ、５１７ｇ／ｍｏｌ及び６２２ｇ／ｍｏｌであり、特許文献１，２の有機ＥＬ素子では、モル質量がかなり大きい分子性物質からなる有機材料で有機キャッピング層を構成している。

しかし、モル質量が大きい分子性物質からなる有機材料で有機キャッピング層を構成する場合、有機材料を蒸着するときの回り込み性が低下するため、蒸着すべき箇所に有機材料が回り込むことができず、有機キャッピング層にピンホール等の欠陥が生じやすくなる。

本発明は、この問題を解決するためになされたもので、有機キャッピング層のステップカバレッジを良好にすることができる有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。

請求項１に記載の有機ＥＬ素子は、支持基板と、前記支持基板上に形成され、電荷輸送材料を含有し、正孔と電子とを結合させて発光する有機機能層と、前記支持基板上であって、前記有機機能層と空隙を介して併設される絶縁層と、前記有機機能層上から前記空隙を介して前記絶縁層上にまで連続して形成され、モル質量が前記電荷輸送材料のモル質量よりも小さい分子性物質を含む有機キャッピング層と、を備える。

請求項２に記載の有機ＥＬ装置は、請求項１に記載の有機ＥＬ素子において、前記分子性物質のモル質量が４２９ｇ／ｍｏｌ以下である。

請求項３に記載の有機ＥＬ装置は、請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ素子において、前記分子性物質がナフタレン、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オリゴフェニル誘導体、リチウム錯体及び亜鉛錯体、並びにナフタレンにさらに別の環がオルト縮合又はペリ縮合したナフタレン誘導体からなる群より選択される。

請求項４に記載の有機ＥＬ装置は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子において、前記有機キャッピング層が前記分子性物質を２５重量％以上含む。

請求項５に記載の有機ＥＬ装置は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の有機ＥＬ素子において、前記有機キャッピング層の融点が１７５℃以下である。

請求項６に記載の有機ＥＬ装置は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の有機ＥＬ素子において、前記有機キャッピング層が混合物である。

請求項７に記載の有機ＥＬ素子は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の有機ＥＬ素子において、前記有機キャッピング層の吸収ピーク波長が３２１ｎｍ以下である。

請求項８に記載の有機ＥＬ装置は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の有機ＥＬ素子において、前記有機キャッピング層のエネルギーギャップが３．３ｅＶ以上である。

請求項９の発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の有機ＥＬ素子において、前記有機キャッピング層が電子輸送性材料からなる。

請求項１０に記載の有機ＥＬ素子は、支持基板と、前記支持基板上に形成される第１電極層と、前記第１電極層上に形成され、電荷輸送材料を含有し、正孔と電子とを結合させて発光する有機機能層と、前記有機機能層を被覆する第２電極層と、モル質量が前記有機機能層を構成する電荷輸送材料のモル質量よりも小さい分子性物質を含む有機キャッピング層と、を備え、平面視して前記有機機能層と前記第２電極層とが重なる領域に凹部が形成され、前記有機キャッピング層が前記凹部を充填する。

本発明によれば、有機キャッピング層のステップカバレッジを良好にすることができる有機ＥＬ素子を提供することができる。

＜１有機ＥＬ素子１０２の構造＞
（１．１）有機ＥＬ素子１０２の概略；
図１及び図２は、本発明の実施形態の有機ＥＬ素子１０２の模式図である。図１は、有機ＥＬ素子１０２の平面図、図２は、有機ＥＬ素子１０２の断面図となっている。図１及び図２に示す有機ＥＬ素子１０２は、画像を表示する画像表示装置に用いられる。

図１及び図２に示すように、有機ＥＬ素子１０２は、支持基板１０４の上面に複数の層を備える積層体１０６を設け、積層体１０６が設けられていない周辺部において支持基板１０４の上面と封止基板１０８の下面とをシール体１１０で接合し、支持基板１０４の上面と封止基板１０８の下面との間隙に積層体１０６を収容した構造を有する。

（１．２）支持基板１０４及び封止基板１０８；
有機ＥＬ素子１０２は、光が封止基板１０８を透過して上方に向けて出射される上面発光型である。したがって、封止基板１０８は、少なくとも有機ＥＬ素子１０２が発光する光の波長において透明であるべきであるが、支持基板１０４は、不透明であってもよい。支持基板１０４及び封止基板１０８は、例えば、ガラス・樹脂等の材料で構成される。

（１．３）シール体１１０；
図１に示すように、シール体１１０の平面形状は環状となっている。シール体１１０は、積層体１０６が設けられている領域を途切れなく囲む。これにより、積層体１０６が支持基板１０４、封止基板１０８及びシール体１１０によって封止され、大気中の水分等から積層体１０６が保護される。シール体１１０は、例えば、光硬化性又は熱硬化性のアクリル樹脂・エポキシ樹脂・あるいは低融点の合金・低融点ガラス等の材料で構成される。図２において、積層体１０６と封止基板１０８との間には空隙が設けられており、キセノン、クリプトン、アルゴン又はネオン等の第１８族元素、或いは酸素を除去した窒素又はフルオロカーボン・ハロゲン化炭素等の不活性なガスを充填することが好ましい。

また、この空隙に、シール体１１０と同一または異なる組成からなるアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の硬化性樹脂、或いはハイドロフルオロエーテル・フロリナート等の不活性液体を充填することが好ましい。この場合、支持基板１０４又は封止基板１０８が撓んでも積層体１０６が局所的に圧迫されることが無くなり、積層体１０６の損傷を防止できる。更に、積層体１０６の表面、或いは封止基板１０８の表面における光の屈折率の差によって生じる光の反射又は光の干渉を抑えて、光の取り出し効率を高めることができる。

＜２積層体１０６＞
（２．１）積層体１０６の概略；
図３は、支持基板１０４及び積層体１０６を拡大した模式図である。図３は、支持基板１０４及び積層体１０６の断面図となっている。なお、図３に示す積層体１０６の積層構造は一例に過ぎず、必要に応じて変形される。特に、後述する有機キャッピング層１２８と支持基板１０４との間の積層構造は、有機電界発光装置１０２の仕様に応じて変形される。

図３に示すように、積層体１０６は、駆動信号を伝達する回路層１１２と、回路層１１２を保護する絶縁保護膜１１４と、回路層１１２及び絶縁保護膜１１４による凹凸を緩和する平坦化層１１６と、正孔を供給する陽極層１１８と、正孔を輸送する正孔輸送層１２０と、正孔と電子とを結合させて光を発する発光層１２２と、電子を輸送する電子輸送層１２４と、電子を供給する陰極層１２６と、界面における光の反射を抑制し下の層を保護する有機キャッピング層１２８と、下の層を保護する無機パッシベーション層１３０と、陽極層１１８と陰極層１２６とを絶縁する絶縁層１３２と、陰極層１２６と回路層１１２とを導通させる陰極コンタクト層１３４と、陰極層１２６を分割する隔壁１３６とを備える。

（２．２）回路層１１２、絶縁保護膜１１４及び平坦化層１１６；
回路層１１２、絶縁保護膜１１４及び平坦化層１１６は、支持基板１０４の上面にこの順序で下側から上側へ向かって重ねて設けられる。ただし、各画素にひとつある陰極コンタクトホール位置１８１においては、回路層１１２を露出させる開口１１４０が絶縁保護膜１１４に形成され、上面及び下面を貫通する陰極コンタクトホール１１６０が平坦化層１１６に形成される。このため、陰極コンタクトホール位置１８１においては、陰極コンタクトホール１１６０の底に回路層１１２が露出する。陰極コンタクトホール１１６０の断面形状はテーパ状となっており、陰極コンタクトホール１１６０の径は上側から下側へ向かって小さくなる。これにより、陰極コンタクトホール１１６０の内壁は、斜め上方を向く。このことは、陰極コンタクトホール１１６０の内壁への陰極コンタクト層１３４の被着を容易にする。

回路層１１２は、薄膜トランジスタ又はキャパシタ等の回路素子を備える。

絶縁保護膜１１４は、例えば、ＳｉＮ_x（窒化ケイ素）、ＳｉＯ_x（酸化ケイ素）又はＳｉＯ_xＮ_y（酸化窒化ケイ素）等の絶縁材料で構成し、平坦化層１１６は、例えば、ノボラック樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂等の絶縁材料で構成する。平坦化層１１６の厚みは、例えば０．５μｍ以上１０μｍ以下に設定されている。

（２．３）陽極層１１８及び陰極コンタクト層１３４；
第１電極層としての陽極層１１８は、平坦化層１１６の上面に設けられる。陰極コンタクト層１３４は、陰極コンタクトホール１１６０の底に露出している回路層１１２から陰極コンタクトホール１１６０の内壁を経て平坦化層１１６の上面の陰極コンタクトホール１１６０を囲む領域までの範囲に延在する。陽極層１１８と陰極コンタクト層１３４との間には間隙がある。このため、陽極層１１８と陰極コンタクト層１３４とは絶縁される。

陽極層１１８及び陰極コンタクト層１３４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）又はＲｈ（ロジウム）等の金属を主成分とする合金等の導電材料で構成される。陽極層１１８の可視光に対する光反射率は、例えば３０％以上１００％以下となるように設定されている。

（２．４）絶縁層１３２；
絶縁層１３２は、前述した支持基板１０４、回路層１１２、絶縁保護膜１１４、平坦化層１１６、陽極層１１８及び陰極コンタクト層１３４からなる構造体の上面に設けられる。画素として機能する発光領域１８２においては、開口１３２０が絶縁層１３２に形成され、各画素にある陰極コンタクト位置１８３においては、開口１３２２が絶縁層１３２に形成される。開口１３２０，１３２２の断面形状はテーパ状となっており、開口１３２０，１３２２の径は、上側から下側へ向かって小さくなる。これにより、開口１３２０，１３２２の内壁は、斜め上方を向く。このことは、開口１３２０から開口１３２２にかけて陰極層１２６又有機キャッピング層１２８等を容易に段切れすることなく連続して成膜することができる。絶縁層１３２は、陽極層１１８と陰極コンタクト層１３４及び陰極層１２６とを絶縁する。

（２．５）正孔輸送層１２０、発光層１２２及び電子輸送層１２４（有機機能層１３８）；
正孔輸送層１２０、発光層１２２及び電子輸送層１２４は、陽極層１１８の上面にこの順序で下側から上側へ向かって重ねて設けられる。陽極層１１８から供給された正孔は、正孔輸送材料によって構成された正孔輸送層１２０によって発光層１２２へ輸送され、陰極層１２６から供給された電子は、電子輸送材料によって構成された電子輸送層１２４によって発光層１２２へ輸送される。これにより、発光層１２２において正孔と電子とが再結合し、光を発する。

正孔輸送層１２０、発光層１２２及び電子輸送層１２４からなり電子及び正孔を輸送及び再結合させる機能を有する有機機能層１３８は、開口１３２０上に形成される。理想的な状態においては、有機機能層１３８の両端は開口１３２０の内壁の上にある。これにより、陰極層１２６を設ける面の段差が小さくなり、陰極層１２６並びにその上面に重ねて設けられる領域において、有機キャッピング層１２８及び無機パッシベーション層１３０が段切れすることなく連続して成膜される。

正孔輸送層１２０は、例えば、α−ＮＰＤ（４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル）等の芳香族ジアミン化合物、又はポリエチレンジオキシチオフェン等の正孔輸送性の材料で構成される。

電子輸送層１２４は、例えば、Ａｌｑ_3、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、テトラヒドロイミダゾール誘導体、イミダゾロン誘導体、スチルベン誘導体又はピラゾリン誘導体等の電子輸送性の材料で構成される。

発光層１２２は、例えば、Ａｌｑ₃（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体）等の発光性の材料で構成される。発光効率を高めるために、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｃ２，Ｎ）（２，４−ペンタンジオナト−Ｏ，Ｏ）イリジウム、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｃ２，Ｎ）イリジウム等の有機金属化合物又クマリン等の色素をドーパント材料として、正孔輸送性又は電子輸送性を有するホスト材料にドープして発光層１２２を構成してもよい。

発光層１２２を構成するドーパント材料の濃度は、例えば、０．５質量％以上２０質量％以下とする。正孔輸送性を有するホスト材料の例としては、α−ＮＰＤ、ＴＰＤ又はｍ−ＭＴＤＡＴＡ等がある。電子輸送性を有するホスト材料の例としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム、１，４−フェニレンビス（トリフェニルシラン）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、１，３，５−トリ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゼン、ＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等がある。なお、発光層１２２の各層を構成する材料は、発する光の色に応じて、適当な材料が選択される。赤色の光を発するドーパント材料の例としては、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｃ２，Ｎ）イリジウム又はＤＣＪＴＢ等がある。緑色の光を発するドーパント材料の例としては、トリス［ピリジニル−ｋＮ−フェニル−ｋＣ］イリジウム又はビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）等がある。青色の光を発するドーパント材料の例としては、ジスチリルアリーレン誘導体、ペリレン誘導体又はアゾメチン亜鉛錯体等がある。

なお、有機機能層の電荷輸送材料とは、正孔輸送性材料、電子輸送性材料又はホスト材料のことであリ、ドーパント材料とは異なる。

なお、有機機能層１３８は、少なくとも発光層１２２を備える必要はあるが、必ずしも正孔輸送層１２０、発光層１２２及び電子輸送層１２４からなる３層構造である必要はない。例えば、発光層のみからなる１層構造又は正孔輸送層と発光層とからなる若しくは発光層と電子輸送層とからなる２層構造であってもよい。また、陽極層１１８と正孔輸送層１２２との間にさらに正孔注入層を挿入してもよいし、電子輸送層１２４と陰極１２６との間にさらに電子注入層を挿入してもよい。必要があれば、さらに別の層を挿入することも許される。ここで、正孔注入層として、例えば、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、パラジウム又は白金等のＶＩＩＩ族金属元素、銅又は銀等のＩＢ族金属元素、或いはレニウム等のＶＩＩ族金属元素からなる高導電性遷移金属の薄膜、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン誘導体、フッ化炭素のオリゴマー、ポリマー（ＣＦｘ）、４，４′，４″−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）又は２−ＴＮＡＴＡ等のスターバースト型芳香族アミン等を用いることができる。また、電子注入層として、例えば、フッ化リチウム又はフッ化セシウム等のアルカリ金属元素を含むイオン結合性物質を用いることができる。

表１は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を構成する材料の融点Ｔｍ及びガラス転移点Ｔｇの一例を示している。

（２．６）隔壁１３６；
隔壁１３６は、絶縁層１３２の上面に設けられる。隔壁１３６の断面形状はテーパ状となっており、隔壁１３６の径は、下側から上側へ向かって大きくなる。これにより、隔壁１３６の側面及び根元付近への陰極層１２６の被着が妨げられ、陰極層１２６が分割される。陰極層１２６を画素列ごとに分割する場合は、隔壁１３６の平面形状は縞状となり、陰極層１２６を画素ごとに分割する場合は、隔壁１３６の平面形状は格子状になる。陰極層１２６をどのように分割すべきかは、駆動の仕方によって異なる。陰極層１２６を共通電極とし、陽極層１１８に供給する駆動電流を制御するコモンカソード型駆動回路によって駆動する場合等において、隔壁１３６を設けないようにしてもよい。隔壁１３６を設けない場合において、蒸着マスクを用いて発光層を形成するには、蒸着マスクと発光層との間に空隙を設けることによって機械的接触を避ける目的で、突起部を設けることが好ましい。隔壁１３６は、例えば、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂又はアクリル樹脂等の有機絶縁材料、或いはＳｉＮ_x（窒化ケイ素）、ＳｉＯ_x（酸化ケイ素）又はＳｉＯ_xＮ_y（酸化窒化ケイ素）等の無機絶縁材料からなる。突起部は、例えば、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂又はアクリル樹脂等の有機絶縁材料、或いはＳｉＮ_x（窒化ケイ素）、ＳｉＯ_x（酸化ケイ素）又はＳｉＯ_xＮ_y（酸化窒化ケイ素）等の無機絶縁材料からなる。

（２．７）陰極層１２６、有機キャッピング層１２８及び無機パッシベーション層１３０；
第２電極層としての陰極層１２６、有機キャッピング層１２８及び無機パッシベーション層１３０は、上述した支持基板１０４、回路層１１２、絶縁保護膜１１４、平坦化層１１６、陽極層１１８、陰極コンタクト層１３４、絶縁層１３２、隔壁１３６及び有機機能層１３８からなる構造体の上面にこの順序で下側から上側に重ねて設けられる。ただし、隔壁１３６の側面及びその根元付近以外には陰極層１２６、有機キャッピング層１２８及び無機パッシベーション層１３０が重ねて設けられる。

陰極層１２６は、発光領域１８２において有機機能層１３８の上面に接触する。これにより、有機機能層１３８を挟んで陽極層１１８と陰極層１２６とが対向する発光体が形成される。また、陰極層１２６は、陰極コンタクト位置１８３において陰極コンタクト層１３４の上面に接触する。これにより、回路層１１２から陰極コンタクト層１３４を経て陰極層１２６へ駆動電流が供給される。

陰極層１２６は、例えば、酸化亜鉛含有酸化インジウム又はＩＴＯ（酸化スズドープ酸化インジウム）等の透明導電材料で構成される。又は、Ｍｇ（マグネシウム）等のアルカリ土類金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属又は希土類金属を含む合金等の仕事関数が小さい半透明導電材料で構成される。無機パッシベーション層１３０は、例えば、ＳｉＮ_x（窒化ケイ素）、ＳｉＯ_x（酸化ケイ素）又はＳｉＯ_xＮ_y（酸化窒化ケイ素）等の無機材料で構成される。なお、無機パッシベーション層１３０の厚みは、例えば０．５μｍ以上１０μｍ以下に設定されている。

半透明導電材料で陰極層１２６を構成する場合、陰極層１２６の膜厚は、光を透過しやすくするために薄くすることが望ましく、例えば、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下に設定されている。有機キャッピング層１２８の層厚は、概ね、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されている。

（２．８）有機キャッピング層１２８を構成する有機材料；
（ａ）モル質量；
有機キャッピング層１２８を構成する有機材料は、モル質量が有機機能層１３８を構成する電荷輸送材料のモル質量よりも小さい分子性物質を含む材料から構成されている。ここで、有機機能層１３８を構成する電荷輸送材料とは、分子性物質であって、正孔輸送層１２０を構成する正孔輸送材料、発光層１２２を構成する正孔輸送性を有するホスト材料または電子輸送性を有するホスト材料、電子輸送層１２４を構成する電子輸送材料を意味する。蒸着源から陽極層１１８に向けて気化した有機材料は、陽極層１１８上に形成される隔壁等の構造物によって遮られ、所望の領域にまで到達しないことがある。有機キャッピング層１２８として、モル質量が有機機能層１３８を構成する電荷輸送材料のモル質量よりも小さい分子性物質を用いることによって、隔壁によって遮られた領域まで有機材料の回り込む量を多くすることができる。有機キャッピング層１２８としては、特に、モル質量が４２９ｇ／ｍｏｌ以下の分子性物質を含む有機材料を好適に用いることができる。モル質量を小さくすることにより、回り込み性が向上するのは、モル質量が小さくなると気相における自由工程が長くなるからである。

有機キャッピング層１２８の有機材料が２種類以上の物質の混合物である場合、有機キャッピング層１２８の有機材料が含む物質の全てが、モル質量が小さい分子性物質である必要はない。これは、有機キャッピング層１２８の有機材料が、モル質量が小さい分子性物質を２５重量％以上、望ましくは３４重量％以上含んでいれば、実用上十分な回り込み性が得られるからである。

（ｂ）モル質量と回り込み性との関係；
図４及び図５は、それぞれ、モル質量が小さい分子性物質を含まない有機材料で有機キャッピング層９２８を構成した場合及びモル質量が小さい分子性物質を含む有機材料で有機キャッピング層１２８を構成した場合の支持基板１０４及び積層体９０６，１０６を示す模式図である。図４及び図５は、図３に相当する断面図であるが、図３に示すように有機機能層１３８の両端が開口１３２０の内壁の上にある理想的な状態ではなく、有機機能層１３８の一端が開口１３２０の内壁の上にない非理想的な状態を示している。このような非理想的な状態は、有機機能層１３８を蒸着するときに使用する蒸着マスクの位置ずれ、膨張、収縮又は変形により起こる。また、図６及び図７は、それぞれ、図４及び図５の矢印１８４が指す箇所付近の拡大図である。

図４〜図７に示すように、非理想的な状態においては、有機キャッピング層９２８の有機材料を蒸着すべき面に下方に向けて深く食い込む空隙（矢印１８４が指す箇所を参照）ができ、有機キャッピング層９２８の有機材料が回り込みにくくなる。この原因としては、有機機能層１３８と絶縁層１３２との間に空隙が存在する場合、該空隙が存在することによってできた溝内にまで有機材料が被着しにくくなったり、有機材料が隔壁１３６によって遮られ、所望する箇所に有機材料が被着しにくくなったりすることによる。このとき、モル質量が小さい、分子性物質を含まない有機材料で有機キャッピング層９２８を構成すると、図４及び図６に示すように、有機材料が空隙に十分に回り込まず、有機キャッピング層９２８及びその上面に重ねて設けられる無機パッシベーション層１３０に欠陥が生じる。一方、モル質量が小さい分子性物質を含む有機材料で有機キャッピング層１２８を構成すると、図５に示すように、有機材料が空隙の内部に十分に回り込み、有機キャッピング層１２８及びその上面に重ねて設けられる無機パッシベーション層１３０に欠陥は生じない。このように、モル質量が小さく回り込み性が十分な分子性物質を含む有機材料で有機キャッピング層１２８を構成すれば、無機パッシベーション層１３０の欠陥が抑制される。このように、有機キャッピング層のステップカバレッジを良好にすることができる有機ＥＬ素子を提供することができる。

なお、有機キャッピング層９２８を構成する有機材料が回り込みにくい箇所は、パーティクル等の異物が付着している周囲にも生じる。仮に、異物が、陽極層１１８上であって、平面視して発光領域１８２と重なる領域に存在する場合には、異物の周囲に蒸着材料が被着しにくい。そして、異物の周囲に蒸着材料が被着しにくい一方、異物の直上には蒸着材料が異物の周囲よりも厚く被着するため、両箇所の成膜状況の違いにより、平面視して異物の周囲には、凹部が形成される。かかる凹部にも有機キャッピング層９２８を構成する有機材料が回り込みにくい。

（ｃ）融点Ｔｍ及びガラス転移点Ｔｇ；
有機キャッピング層１２８は、有機機能層１３８よりも低い温度で融解又は流動化することが望ましい。すなわち、有機キャッピング層１２８の有機材料の融点Ｔｍ及びガラス転移点Ｔｇは、有機機能層１３８を構成する各層の有機材料の融点Ｔｍ及びガラス転移点Ｔｇより温度が低いことが望ましい。これにより、有機キャッピング層１２８を融解又は流動化させても有機機能層１３８が融解及び流動化しないので、有機機能層１３８を熱で損傷することなく有機キャッピング層１２８を融解又は流動化させ異物の包理を行うことができる。さらには、層同士の間に加わる層間応力の緩和を行うことができる。なお、融点Ｔｍが１７５℃以下の有機材料で有機キャッピング層１２８を構成することが望まれる。このように構成することにより、有機機能層１３８を構成する各層の有機材料の融点Ｔｍより低い温度で有機キャッピング層１２８を融解又は流動化させ異物の包理を行うことができる。さらには、層同士の間に加わる層間応力の緩和を行うことができる。

表１に例示する正孔注入層の材料ＨＩ−Ａ、正孔輸送層の材料ＨＴ−Ａ、赤発光層ホストの材料ＲＨ−Ｂ及び電子輸送層の材料ＥＴ−Ａを採用する場合、有機機能層１３８を構成する各層のガラス転移温度Ｔｇはいずれも１４０℃以上になる。したがって、融点Ｔｍ又はガラス転移点Ｔｇが１４０℃未満の有機材料で有機キャッピング層１２８を構成し、有機キャッピング層１２８を１４０℃未満で融解又は流動化させる。例えば、融点が１３９℃のブチルＰＢＤで有機キャッピング層１２８を構成し、有機キャッピング層１２８を１３９℃以上１４０℃未満で融解させる。ブチルＰＢＤと他の物質との混合物で有機キャッピング層１２８を構成してもよい。凝固点降下により融点Ｔｍが低下するからである。又は、融点Ｔｍが２７９℃、ガラス転移点Ｔｇが８５℃のＣＢＰ又は融点Ｔｍが２９６℃、ガラス転移点Ｔｇが１２８℃のテトラメチルＣＢＰで有機キャッピング層１２８を構成し、有機キャッピング層１２８を８５℃又は１２８℃以上１４０℃未満で流動化させる。ＣＢＰ又はテトラメチルＣＢＰ等のカルバゾール誘導体と他の物質との混合物で有機キャッピング層１２８を構成してもよい。

また、表１に例示する正孔注入層の材料ＨＩ−Ａ、正孔輸送層の材料ＨＴ−Ａ、赤発光層ホストの材料ＲＨ−Ａ及び電子輸送層の材料ＥＴ−Ａを採用する場合、有機機能層１３８を構成する各層のガラス転移温度Ｔｇはいずれも１１４℃以上になる。したがって、融点Ｔｍ又はガラス転移点Ｔｇが１１４℃未満の有機材料で有機キャッピング層１２８を構成し、有機キャッピング層１２８を１１４℃未満で融解又は流動化させる。例えば、融点Ｔｍが２７９℃、ガラス転移点Ｔｇが８５℃のＣＢＰで有機キャッピング層１２８を構成し、有機キャッピング層１２８を８５℃以上１１４℃未満で流動化させる。ＣＢＰ等のカルバゾール誘導体と他の物質との混合物で有機キャッピング層１２８を構成してもよい。

（ｄ）光吸収ピーク波長及びエネルギーギャップ；
有機キャッピング層１２８は、吸収ピーク波長が３２１ｎｍ以下又はエネルギーギャップが３．３ｅＶ以上の物質からなる有機材料で構成することが望ましい。これにより、有機キャッピング層１２８による長波長紫外線の吸収が抑制されるので、有機キャッピング層１２８が黄色〜褐色に着色することによる有機キャッピング層１２８の光透過率の低下及び有機キャッピング層１２８の緻密さが失われることによる有機キャッピング層１２８の封止性能の低下並びに有機キャッピング層１２８からのアウトガスによる有機ＥＬ素子１０２の劣化が抑制される。

有機キャッピング層１２８による長波長紫外線の吸収の抑制は、有機機能層１３８を熱で損傷することを防ぐために温度の上昇を抑制しやすいプラズマＣＶＤ（化学気相蒸着）法で無機パッシベーション層１３０を形成する場合に特に意義を有する。すなわち、ＣＶＤ法で用いるプラズマは、波長が可視光に近い長波長紫外線、例えば、波長が３２５ｎｍ以上４００ｎｍ以下の長波長紫外線を多く含むので、有機キャッピング層１２８による長波長紫外線の吸収を抑制すれば、無機パッシベーション層１３０をプラズマＣＶＤ法で形成するときに有機キャッピング層１２８が吸収する紫外線は、ＣＶＤ法で用いるプラズマにわずかしか含まれない波長が可視光から遠い短波長紫外線、例えば、波長が２５０ｎｍ以上３２４ｎｍ以下の短波長紫外線のみとなる。短波長紫外線の強度は、長波長紫外線の強度と比較して、通常は０．１倍未満である。従って、有機キャッピング層１２８を吸収ピーク波長が３２１ｎｍ以下の物質からなる有機材料で構成することにより、プラズマＣＶＤの工程において、有機キャッピング層１２８が強度の大きい長波長紫外線を吸収することによって引き起こされる劣化は、光吸収が弱いために軽微になる。また、プラズマＣＶＤの工程において、有機キャッピング層１２８が短波長紫外線を吸収することによって引き起こされる劣化は、短波長紫外線の強度が小さいので軽微になる。

（ｅ）導電型；
有機キャッピング層１２８は、電子輸送層と同様の電子輸送性の物質からなる有機材料で構成することが望ましい。これにより、有機キャッピング層１２８の有機材料が電子輸送層１２４へ拡散しても電子輸送層１２４の電子移動度を低下させたり正孔の陰極への漏洩を助長したりすることがないので、有機ＥＬ素子１０２の発光効率の低下及び駆動電圧の上昇が抑制される。このような電子輸送性の物質は、共役電子系を有する分子からなる物質に多く存在する。

なお、有機機能層１３８が電子輸送層を備えない層構造を採用したとしても、発光層の陰極層寄りの部分は電子輸送性を有していなければならない。このため、有機機能層１３８が電子輸送層を備えない層構造を採用したとしても、電子輸送性の物質からなる有機材料で有機キャッピング層１２８を構成すれば、有機キャッピング層の有機材料が電子輸送性を有する部分へ拡散しても、有機ＥＬ素子１０２の発光効率の低下及び駆動電圧の上昇が抑制される。

有機キャッピング層１２８を電子輸送性の物質からなる有機材料で構成することは、陰極層１２６の光透過性を向上するために陰極層１２６を非常に薄く、例えば、陰極層１２６の層厚を１５ｎｍ以上２０ｎｍ以下にした場合に特に意義を有する。陰極層１２６を薄くすると、有機キャッピング層の有機材料が電子輸送層１２４へ拡散しやすくなるからである。

（ｆ）分子形状の対称性と融点Ｔｍとの関係；
固体状態において分子間に強い分子間力が働く分子性物質は、結晶が壊れにくいため、高い融点Ｔｍを有する場合が多い。また、固体状態において分子の配列に隙間が少なくパッキングがよい分子性物質は、固体状態において分子間に強い分子間力が働くことが多い。さらに、分子形状の対称性が高い分子性物質は、固体状態における分子の配列に隙間が少なくパッキングがよい場合が多い。したがって、分子形状の対称性が高い分子性物質は、高い融点Ｔｍを有する場合が多い。

例えば、モル質量が等しくメチル基の位置だけが異なるメタキシレン、オルトキシレン及びパラキシレンの融点Ｔｍは、それぞれ、−４８℃，−２５℃及び＋１３℃であり、分子形状の対称性が高くなるほど融点Ｔｍが高くなる。また、メタキシレン、オルトキシレン及びパラキシレンの沸点は、それぞれ、１３９℃，１４４℃及び１３８℃とほぼ同じであり、分子形状の対称性が高くなるほど融点Ｔｍが高くなるのは、固体状態における分子の配列の寄与が大きいことがわかる。

また、ベンゼン環数が２の縮合環化合物であるモル質量１２８．１８ｇ／ｍｏｌのナフタレンの融点Ｔｍは８０℃、沸点は２１８℃である。ベンゼン環数が２の非縮合環化合物であるモル質量が１５４．２１ｇ／ｍｏｌのビフェニルの融点Ｔｍは６９℃、沸点は２５４℃である。ベンゼン環数が３の縮合環化合物であるモル質量が１７８．２３ｇ／ｍｏｌのアントラセンの融点Ｔｍは２１８℃、沸点は３４２℃である。ベンゼン環数が３の非縮合環化合物であるモル質量が２３０．３１ｇ／ｍｏｌのｐ−テルフェニルの融点Ｔｍは２１１℃、沸点は３８９℃である。これらの物質においては、モル質量が大きくなるほど沸点が高くなる傾向があるが、ベンゼン環数が２のナフタレンとビフェニルとを対比すると、又は、ベンゼン環数が３のアントラセンとｐ−テルフェニルとを対比すると、モル質量が大きく分子形状の対称性が低いビフェニルやｐ−テルフェニルの方が融点Ｔｍは低い。このことから、分子形状の対称性が融点Ｔｍに強く影響することがわかる。

本願発明では、このことを利用して、モル質量が小さく融点Ｔｍ又はガラス転移点Ｔｇが低い物質を見い出し、有機キャッピング層１２８を当該物質を含む有機材料で構成している。

（ｇ）有機キャッピング層１２８の有機材料に含まれる分子性物質の望ましい例；
有機キャッピング層１２８の有機材料に含まれるモル質量が４２９ｇ／ｍｏｌ以下、融点Ｔｍが１７５℃以下で電子輸送性の分子性物質の望ましい例を説明する。

当該分子性物質の第１の例は、オキサジアゾール誘導体である。望ましいオキサジアゾール誘導体には、化学式（１）に示す融点Ｔｍが１６８℃、モル質量が２９８．３ｇ／ｍｏｌの２−（４−ビフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、化学式（２）に示す融点Ｔｍが１５０℃、モル質量が３６４．４ｇ／ｍｏｌの２，５−ビス（４′−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、化学式（３）に示す融点Ｔｍが１３９℃、モル質量が２２２．２ｇ／ｍｏｌ、吸収ピーク波長２８２ｎｍの２，５−ジフェニル−１，３，４−オキサジアゾール、化学式（４）に示す融点Ｔｍが１３９℃、モル質量が３５４．４ｇ／ｍｏｌ、吸収ピーク波長３０５ｎｍの２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ブチルＰＢＤ）等がある。

当該分子性物質の第２の例は、オキサゾール誘導体である。望ましいオキサゾール誘導体には、化学式（５）に示す融点Ｔｍが１０１℃、モル質量が２２２．２ｇ／ｍｏｌ、吸収ピーク波長３２１ｎｍの５−フェニル−２−（４−ピリジル）オキサゾール、化学式（６）に示す融点Ｔｍが７３℃、モル質量が２２１．２５ｇ／ｍｏｌ、吸収ピーク波長３０３ｎｍの２，５−ジフェニルオキサゾール等がある。

当該分子性物質の第３の例は、融点Ｔｍが８０℃、モル質量が１２８．２ｇ／ｍｏｌのナフタレンである。ナフタレンにさらに別の環がオルト縮合又はペリ縮合したナフタレン誘導体も採用しうる。オルト縮合又はペリ縮合する環は、炭素環であってもよいし複素環であってもよい。ナフタレン誘導体には、化学式（７）に示す融点Ｔｍが１００℃、モル質量が１７８．２ｇ／ｍｏｌのフェナンスレン等がある。

当該分子性物質の第４の例は、オリゴフェニル誘導体である。望ましいオリゴフェニル誘導体には、融点Ｔｍが６９℃、モル質量が１５４．２ｇ／ｍｏｌのビフェニル等がある。

当該分子性物質の第５の例は、リチウム錯体である。望ましいリチウム錯体には、化学式（８）に示すモル質量が１５１．１ｇ／ｍｏｌ、吸収ピーク波長２６１ｎｍの（８−ヒドロキシキノリナト）リチウム等がある。

当該分子性物質の第６の例は、亜鉛錯体である。望ましい亜鉛錯体には、化学式（９）に示す融点Ｔｍが１２７℃、モル質量が２６３．６ｇ／ｍｏｌのビス（２，４−ペンタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）等がある。

有機キャッピング層１２８の有機材料は、前述した物質から選択した１種類の分子性物質からなる有機材料であってもよいし、前述した物質から選択した２種類以上の分子性物質からなる有機材料であってもよい。また、前述した分子性物質以外の物質を含んでいてもよい。

（ｈ）結晶化しやすさ；
有機キャッピング層１２８の有機材料は、結晶化しにくい有機材料であることが望ましい。有機キャッピング層１２８の内に大きな結晶が生じると、かかる結晶中を物質が通過しやすくなるので、有機キャッピング層１２８の封止性能が低下する傾向が見られるからである。有機キャッピング層１２８の封止性能が低下すると、ＣＶＤ法で用いられるプラズマに含まれる化学的反応性の高いラジカル種又は原料ガスが、陰極層１２６、電子輸送層１２４、発光層１２２、正孔輸送層１２０又は陽極層１１８の少なくとも一部に侵入し、これらの層の機能を損なう可能性がある。また、有機ＥＬ素子１０２の使用時に、有機ＥＬ素子１０２を構成する部材からのアウトガス、水分又は酸素等が、陰極層１２６から陽極層１１８の少なくとも一部に侵入し、これらの層の機能を損なう可能性がある。また、有機キャッピング層１２８の中に大きな結晶が生じると、結晶で光が散乱し、有機キャッピング層１２８の光の透過性が低下する傾向が見られるからである。したがって、有機キャッピング層１２８の有機材料は、結晶が小さい微結晶となりやすい有機材料であることが望ましく、結晶がない非晶質となりやすい有機材料であることが望ましい。

図８は、各種有機材料の結晶化しやすさを説明する図である。図８は、一のガラス基板の上で有機材料の粉末を融点Ｔｍまで加熱して融解させた後に一のガラス基板と他のガラス基板との空隙に融液を挟んで薄膜状態としたものを徐々に室温まで冷却し凝固させることにより得られた膜を２４時間又は２４０時間後に顕微鏡で観察したときの像を示している。図８において、試料１の有機材料はＣＢＰのみからなり、試料２の有機材料は５０重量％のブチルＰＢＤ及び５０重量％のＣＢＰからなり、試料３の有機材料はブチルＰＢＤのみからなり、試料４の有機材料は５０重量％のブチルＰＢＤ及び５０重量％のテトラメチルＣＢＰからなり、試料５の有機材料はテトラメチルＣＢＰのみからなる。ＣＢＰ及びテトラメチルＣＢＰは、それぞれ、化学式（１０）及び（１１）であらわされる。ＣＢＰ及びテトラメチルＣＢＰのガラス転移点Ｔｇは、それぞれ、８５℃及び１２８℃である。ＣＢＰ及びテトラメチルＣＢＰの融点Ｔｍは、それぞれ、２７９℃及び２９６℃である。ＣＢＰ及びテトラメチルＣＢＰは、いずれも電子輸送性の物質である。ＣＢＰ及びテトラメチルＣＢＰのモル質量は、それぞれ４８６ｇ／ｍｏｌ及び５４２ｇ／ｍｏｌである。

有機材料がＣＢＰのみからなる試料１では、凝固させた直後には透明な膜が得られたが、図８に示すように７２時間後には有機材料が結晶化し、膜の一部が白濁した。

有機材料がブチルＰＢＤ及びＣＢＰからなる試料２では、ブチルＰＢＤの融点Ｔｍを超える１５０℃まで材料を加熱し、ブチルＰＢＤの融液にＣＢＰを溶解させている。試料２では、図８に示すように２４０時間後にも有機材料は非晶質のままであり、膜は透明であった。

有機材料がブチルＰＢＤのみからなる試料３では、凝固させた直後には透明な膜が得られたが、図８に示すように７２時間後には有機材料に微結晶が生じ、膜の一部が白濁した。

有機材料がブチルＰＢＤ及びテトラメチルＣＢＰからなる試料４では、ブチルＰＢＤの融点Ｔｍを超える１５０℃まで有機材料を加熱し、ブチルＰＢＤの融液にテトラメチルＣＢＰを溶解させている。試料４では、図８に示すように２４０時間後にも有機材料は非晶質のままであり、膜は透明であった。

有機材料がテトラメチルＣＢＰのみからなる試料５では、図８に示すように７２時間後には有機材料の一部が結晶化し、膜の一部が白濁した。

有機材料が２種類の物質の混合物である試料２，４で特に良好な結果が得られたのは、一方の物質が他方の物質の不純物となり、結晶化が妨げられるからである。結晶化を妨げる不純物として物質を働かせるためには、その含有量が２５重量％以上であることが望ましく、３４重量％以上であることがさらに望ましい。有機材料が２種類の物質の混合物である場合は、２種類の物質の含有質量比を１：１付近とすることが特に望ましい。

なお、これらの有機材料で有機キャッピング層１２８を構成した場合は、有機機能層１３８の上に有機キャッピング層１２８が設けられるので、ガラス基板の上の場合よりも結晶化しにくいが、相対的な結晶化しやすさはここで説明したのと同様である。

＜３有機ＥＬ素子１０２の製造＞
図９は、有機ＥＬ素子１０２の製造の流れを示すフローチャートである。なお、以下で説明する各層の形成は、公知のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法・ＣＶＤ法・スピンコート法・インクジェット法等の成膜技術及びフォトリソグラフィ法等のパターニング技術を材料に応じて適宜採用して行う。

図９に示すように、有機ＥＬ素子１０２の製造にあたっては、まず、有機機能層１３８を挟んで陽極層１１８と陰極層１２６とが対向する積層構造体を支持基板１０４の上に作製する。

当該積層構造体の作製にあたっては、まず、回路層１１２、絶縁保護膜１１４及び平坦化層１１６を順次形成する（ステップＳ１０１〜Ｓ１０３）。続いて、陽極層１１８及び陰極コンタクト層１３４を形成する（ステップＳ１０４）。陽極層１１８及び陰極コンタクト層１３４を別々に形成してもよい。さらに続いて、絶縁層１３２及び隔壁１３６を順次形成する（ステップＳ１０５，Ｓ１０６）。最後に、有機機能層１３８及び陰極層１２６を順次形成する（ステップＳ１０７，１０８）。

このようにして作製した積層構造体の上面に有機キャッピング層１２８の有機材料を蒸着する（ステップＳ１０９）。有機キャッピング層１２８の有機材料の融点Ｔｍが低い場合、有機材料を蒸着源から飛散させるときに有機材料を融解させることは容易である。また、有機キャッピング層１２８の有機材料の融点Ｔｍが低い場合、有機材料の飛散が固体からの昇華ではなく液体からの蒸発により行われるので、有機材料を収容するルツボの内部の温度が均一になって有機材料の突沸が抑制される。有機材料の突沸が抑制されることには、蒸着膜の膜厚にバラツキが生じることや蒸着膜にピンホールが生じることが抑制されるという利点がある。さらに、有機キャッピング層１２８の有機材料の融点Ｔｍが低い場合、有機材料の飛散が液体からの蒸発により行われるので、有機材料を収容するルツボの内部の材料の分布が均一になって、長時間連続で蒸着を行っても蒸着レートが不安定にならない。蒸着レートが安定していることには、蒸着膜の膜厚が設計からずれたり膜厚にバラツキが生じることが抑制されるという利点がある。

続いて、このようにして得られた蒸着膜を流動化又は融解させる（ステップＳ１１０）。蒸着膜を流動化又は融解させるときには、有機機能層１３８を構成する各層を流動化及び融解させないようにする。すなわち、仕掛品を、有機キャッピング層１２８の有機材料の融点Ｔｍ又はガラス転移点Ｔｇ以上の温度であって、有機機能層１３８を構成する各層の有機材料の融点Ｔｍ及びガラス転移点Ｔｇより低い温度に加熱する。これにより、有機機能層１３８を熱で損傷することなく、異物の包理や層間応力の緩和を行うことができる。このことは、有機機能層１３８の周辺にある積層構造の乱れを緩和し、発光体の内部に残留する酸素で発光体を構成する物質が酸化されて発光体を劣化することに役立つ。

さらに続いて、蒸着膜を再び固化して有機キャッピング層１２８を完成する（ステップＳ１１１）。

次に、無機パッシベーション層１３０を形成する（ステップＳ１１２）。無機パッシベーション層１３０は、有機機能層１３８を熱で損傷することを防ぐために、温度の上昇を抑制しやすいプラズマＣＶＤ法または触媒化学気相成長（ｃａｔ−ＣＶＤ法）で形成することが望ましい。なお、プラズマＣＶＤ法またはｃａｔ−ＣＶＤ法で無機パッシベーション層１３０を形成してもある程度の温度の上昇は起こるが、有機キャッピング層１２８の有機材料の融点Ｔｍ又はガラス転移点Ｔｇが有機機能層１３８を構成する各層の有機材料の融点Ｔｍ及びガラス転移点Ｔｇより低ければ、有機キャッピング層１２８が流動化又は融解するときに熱を吸収するので、熱による有機機能層１３８の損傷は回避される。

最後に、シール体１１０及び封止基板１０８で封止を行って有機ＥＬ素子１０２を完成する（ステップＳ１１３）。シール体１１０を、低融点の合金・低融点ガラス等の材料で形成する場合、有機機能層１３８の温度が高くなり、熱によって有機機能層１３８が損傷する場合がある。有機キャッピング層１２８の有機材料の融点Ｔｍ又はガラス転移点Ｔｇが有機機能層１３８を構成する各層の有機材料の融点Ｔｍ及びガラス転移点Ｔｇより低ければ、有機キャッピング層１２８が流動化又は融解するときに熱を吸収するので、熱による有機機能層１３８の損傷は回避される。

なお、蒸着膜の流動化又は融解（ステップＳ１１１）を無機パッシベーション層１３０の形成（ステップＳ１１２）のときに行うようにしてもよい。あるいは、蒸着膜の流動化又は融解（ステップＳ１１１）をシール体１１０の形成（ステップＳ１１３）のときに行うようにしてもよい。

この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。例えば、有機ＥＬ素子１０２は、光が支持基板１０４を透過して下方に向けて出射される下面発光型であってもよい。

有機ＥＬ素子の平面図である。有機ＥＬ素子の断面図である。有機機能層が理想的な状態の支持基板及び積層体の断面図である。有機機能層が非理想的な状態の支持基板及び積層体の断面図である。有機機能層が非理想的な状態の支持基板及び積層体の断面図である。図４の矢印が指す箇所付近の拡大図である。図５の矢印が指す箇所付近の拡大図である。各種有機材料の結晶化しやすさを説明する図である。有機ＥＬ素子の製造の流れを示すフローチャートである。

符号の説明

１０２有機ＥＬ素子
１０４支持基板
１０６積層体
１１０シール体
１０８封止基板
１２０陽極層
１２２発光層
１２６陰極層
１２８有機キャッピング層
１３０無機パッシベーション層
１３６有機機能層

Claims

支持基板と、
前記支持基板上に形成され、電荷輸送性材料を含有し、正孔と電子とを結合させて発光する有機機能層と、
前記支持基板上であって、前記有機機能層と空隙を介して併設された絶縁層と、
前記有機機能層上から前記空隙を介して前記絶縁層上まで連続して形成され、モル質量が前記電荷輸送性材料のモル質量よりも小さい分子性物質を２５重量％以上含む有機材料からなる有機キャッピング層と、を備え、
前記分子性物質は４２９ｇ／ｍｏｌ以下のモル質量と１７５℃以下の融点を有する電子輸送性物質からなり、かつオキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オリゴフェニル誘導体、リチウム錯体及び亜鉛錯体からなる群より選択されたものであることを特徴とする有機ＥＬ素子。
前記有機キャッピング層の吸収ピーク波長が３２１ｎｍ以下である請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
前記有機キャッピング層のエネルギーギャップが３．３ｅＶ以上である請求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子。
支持基板と、
前記支持基板上に形成された第１電極層と、
前記第１電極層上に形成され、電荷輸送性材料を含有し、正孔と電子とを結合させて発光する有機機能層と、
前記有機機能層を被覆する第２電極層と、
モル質量が前記有機機能層を構成する電荷輸送性材料のモル質量よりも小さい分子性物質を２５重量％以上含む有機材料からなる有機キャッピング層と、を備え、
前記分子性物質は４２９ｇ／ｍｏｌ以下のモル質量と１７５℃以下の融点を有する電子輸送性物質からなり、かつオキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オリゴフェニル誘導体、リチウム錯体及び亜鉛錯体からなる群より選択されたものであり、
平面視して前記有機機能層と前記第２電極層とが重なる領域に凹部が形成され、前記有機キャッピング層が前記凹部を充填していることを特徴とする有機ＥＬ素子。