JP2010192441A - 有機発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】十分な厚さのアノードを備えて消費電力を低減しつつも効率を落とさないためのものであって、基板と、該基板上に備えられて金属で形成された反射膜と、該反射膜上に透明なＡＺＯで形成された第１電極と、該第１電極上に備えられて発光層を備える有機膜と、該有機膜上に備えられて半透過反射膜を備える第２電極とを備える有機発光素子及びその製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は有機発光素子及びその製造方法に係り、より詳細には、高発光効率の良い前面発光型有機発光素子及びその製造方法に関する。

有機発光素子は、基板上にアノードになる第１電極、有機発光層、カソードになる第２電極を順次積層して形成する。

この時、有機発光層からの光が第２電極を透過して画像を具現させる前面発光型構造において、第１電極は、反射膜上に仕事関数が高い金属酸化物を形成して構成し、第２電極は、半透過反射型電極を使用して構成する。そして、これらの前面発光型有機発光素子は、前記反射膜と第２電極との間で光学的共振効果を利用して、第２電極方向に出射される光効率をさらに極大化している。

ところが、この時、アノードになる第１電極の厚さを厚くする場合、暗点の発生を低減させることができ、消費電力を低めることができる。

また、前面発光型有機発光素子において前述したように、有機発光層からの光がアノード下部の反射膜とカソードである半透過反射膜との間で共振する原理を利用するため、光はアノードを透過する。したがって、アノードの吸収定数ｋ値が大きくなれば、効率は顕著に落ちざるをえない。

ところが、既存でアノードとして使われたＩＴＯの場合、吸収定数ｋ値が高く、反射膜とのエッチングレート差が大きくて、厚く使用し難かった。関連分野の先行技術文献としては、特許文献１がある。

特開２００６−２１５２７９号公報

本発明は前記のような問題を解決するためのものであって、十分な厚さのアノードを備えて、消費電力を低めつつも効率を落とさない有機発光素子及びその製造方法を提供するところに目的がある。

前記のような目的を達成するために本発明は、基板と、前記基板上に備えられ、かつ金属で形成された反射膜と、前記反射膜上に透明なＡＺＯで形成された第１電極と、前記第１電極上に備えられ、かつ発光層を備える有機膜と、前記有機膜上に備えられ、かつ半透過反射膜を備える第２電極と、を備える有機発光素子を提供する。

前記基板に備えられ、かつ前記反射膜と電気的に連結された薄膜トランジスタをさらに備える。

前記反射膜の下部にＡＺＯで形成され、前記薄膜トランジスタとコンタクトされるコンタクト膜をさらに備える。

前記有機膜は、前記発光層と前記第１電極との間に介された第１層をさらに備え、前記第１層の厚さは、４０ｎｍないし１２０ｎｍである。

前記第１電極の厚さは、３０ｎｍないし１４０ｎｍである。

前記ＡＺＯは、吸収定数値が１×１０^−３ないし２×１０^−２である。

本発明はまた、前記のような目的を達成するために、基板上に金属で反射膜を形成する工程と、前記反射膜上に透明なＡＺＯで第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に発光層を備える有機膜を形成する工程と、前記有機膜上に半透過反射膜を備える第２電極を形成する工程と、を含む有機発光素子の製造方法を提供する。

前記第１電極を形成する工程は、前記反射膜上に酸化アルミニウムを蒸着する工程と、前記反射膜上に酸化亜鉛を蒸着する工程と、を含む。

前記酸化アルミニウムを蒸着する工程と前記酸化亜鉛を蒸着する工程とは同時に行われる。

前記第１電極を形成する工程は、前記酸化アルミニウムと酸化亜鉛との重量比率を、１：９９ないし１０：９０で蒸着する工程である。

前記酸化アルミニウムと酸化亜鉛との蒸着は１００℃ないし４５０℃で行われる。

前記基板上に薄膜トランジスタを形成する工程をさらに含み、前記反射膜は、前記薄膜トランジスタに電気的に連結されるように形成する。

前記反射膜の形成前に、ＡＺＯで前記薄膜トランジスタとコンタクトされるコンタクト膜をさらに形成し、前記反射膜は前記コンタクト膜上に形成する。

前記有機膜は、前記発光層と前記第１電極との間に介された第１層をさらに備え、前記第１層の厚さは、４０ｎｍないし１２０ｎｍで蒸着される。

前記第１電極の厚さは、３０ｎｍないし１４０ｎｍで形成される。

前記第１電極及び反射膜は、同時にパターニングされる。

前記のような本発明によれば、前面発光構造で反射膜上に形成される第１電極の厚さを十分に厚くして光効率が低下しない。

そして、このように第１電極が十分に厚いため、消費電力も低減させることができ、有機発光素子の全体的な効率を高めることができる。

また、反射膜と半透過反射膜である第２電極との間の共振厚さを有機膜の第１層にて調節する必要がなく、第１電極の厚さでもって調節できる。

十分に厚い第１電極と反射膜とを同時にパターニングすることができて、生産効率を向上させることができる。

本発明の望ましい一実施形態による有機発光素子の概略的な構造を示した断面図である。 本発明の第１電極と既存のＩＴＯとの波長−吸収定数の関係を示したグラフである。 本発明の望ましい他の一実施形態による有機発光素子の概略的な構造を示した断面図である。

以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。

図１は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光素子を図示した概略図である。

図１を参照すれば、本発明の望ましい一実施形態による有機発光素子は、基板１上に形成された反射膜２、前記反射膜２上に形成された第１電極３、前記第１電極３上に形成された有機膜４、前記有機膜４上に備えられた第２電極５を備える。

前記基板１はガラス材で形成できるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、プラスチック材、金属材なども適用できる。この基板１上には図面に図示していないが、表面の平坦化及び基板からの不純物拡散防止のために、別途の絶縁膜がさらに形成されうる。この基板１は透明な基板が使われうるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、不透明な基板を使用してもよいということはいうまでもない。

前記反射膜２は、金属のように光反射率が高い物質で形成することが望ましい。そして、その厚さも光反射が十分に行われるものが望ましい。

これらの反射膜２は、Ａｌ、Ａｇ、ＣｒまたはＭｏなどで形成でき、ほぼ１，０００Åの厚さに形成する。

前記反射膜２上に形成される第１電極３は、透明なＡＺＯで形成される。この第１電極３は、有機発光素子のアノードとして機能するものである。

前記ＡＺＯは、酸化アルミニウム（例えば、Ａｌ_２Ｏ_３）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）とを一定割合で混合して蒸着させて形成するものであって、透明に形成することが望ましい。

酸化アルミニウムと酸化亜鉛とは重量比率を１：９９ないし１０：９０で蒸着させることが望ましいが、さらに望ましくは、２：９８の割合（重量比）で蒸着する。酸化アルミニウムの重量比率が１より低くて１０より大きい場合、抵抗値が高くなるという問題が発生しうる。

また前記酸化アルミニウムと酸化亜鉛とは、別途の坩堝で同時に蒸着させてＡＺＯ膜を成膜するが、この時の蒸着温度は１００ないし４５０℃の範囲で行うことが望ましい。蒸着温度が１００℃より低い場合には、ＡＺＯ膜品質が低下し、特に透過度が低くなって吸収定数ｋ値も高くなる。蒸着温度が４５０℃より高い場合には、基板変形の問題が発生しうる。

このように形成されたＡＺＯ膜は、吸収定数値を１×１０^−３ないし２×１０^−２にすることが望ましい。このように吸収定数ｋ値を上記範囲内に低める場合、消費電力をさらに低めることができ、前面発光の光効率も高めることができる。

図２は、一般的なＩＴＯの場合（Ｉ）と、本発明のＡＺＯの場合（ＩＩ）（ＩＩＩ）との吸収定数ｋ値を比較したものである。

図２でＡＺＯ（ＩＩ）の場合は、酸化アルミニウムと酸化亜鉛とを２：９８の重量比で２００℃で蒸着した場合を示し、ＡＺＯ（ＩＩＩ）の場合は、酸化アルミニウムと酸化亜鉛とを２：９８の重量比で４００℃で蒸着した場合を示す。ＡＺＯ（ＩＩ）の場合、可視光領域である４５０〜６５０ｎｍの領域で０．０１６〜０．０１２まで低い吸収定数値を持ち、ＡＺＯ（ＩＩＩ）の場合は０．００２〜０．００６の非常に低い吸収定数値を持つことが分かる。二つの場合とも可視光領域で、０．０２２〜０．０４の吸収定数値を持つＩＴＯ（Ｉ）より顕著に低い吸収定数値を表すことが分かる。

吸収定数の場合、その値が１０倍低くなる時に消費電力が１０％ほど低くなる結果を得ることができるので、蒸着温度２００℃で蒸着した場合より蒸着温度４００℃で蒸着した場合がさらに望ましい。吸収定数値を１×１０^−３より低くすることは、製造上困難である。

一方、前記のようなＡＺＯは、既存のアノードとして使われたＩＴＯに比べてはるかに短時間にエッチングされるため、反射膜２と共にパターニングしやすい。すなわち、ＩＴＯの場合、厚さ２００Åに形成する場合、反射膜２として使われるＡｇと共にパターニングするエッチング条件を確保し難かった。しかし、前記ＡＺＯは、１０００Å以上の厚さでもエッチングレートが速いため、Ａｇを利用した反射膜２と共にパターニングしやすい長所がある。したがって、第１電極３を十分に厚い厚さ、すなわち、３０〜１４０ｎｍに確保することができて消費電力を低減させることができ、また反射膜２と第２電極５との間の距離ｔ１である共振厚さを合わせるにも十分になる。既存には前記共振厚さを合せるために有機膜に別途の補助層をさらに形成することもあったが、本発明はこのような不便さがない。

前記有機膜４は、発光層４２を備える。

前記発光層４２と第１電極３との間には、共通機能層として第１層４１が介在される。

第１層４１は、正孔注入層と正孔輸送層とがいずれもまたは選択的に積層されて備えられうる。

前記正孔注入層は、正孔注入物質を真空熱蒸着、またはスピンコーティングして正孔注入層を選択的に形成する。

前記正孔注入物質としては、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物（下式に示す）またはスターバースト型アミン類であるＴＣＴＡ（下式に示す）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（下式に示す）、ｍ−ＭＴＤＡＰＢなどを使用できる。

前記正孔注入層の上部に形成される正孔輸送層は、正孔輸送層物質を真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法などの方法により形成できるが、均一な膜質を得やすく、またピンホールが発生し難いというなどの点で、真空蒸着法により形成することが望ましい。真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択される。

前記正孔輸送層物質は、特別に制限されず、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）（下式に示す）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）（下式に示す）などが使われる。

次いで前記第１層４１上に発光層４２を形成し、この発光層４２上にさらに他の共通機能層として第２層４３を形成する。

第２層４３は、電子注入層と電子輸送層とがいずれもまたは選択的に積層されて備えられうる。

前記電子注入層は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、Ｌｉｑ（下式に示す）などの物質を利用できる。前記電子注入層の厚さは１ないし１００Åであることが望ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。前記電子注入層は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法などの方法により形成できるが、均一な膜質を得やすく、またピンホールが発生し難いというなどの点で、真空蒸着法により形成することが望ましい。

前記電子輸送層は、真空蒸着方法、またはスピンコーティング方法で形成できるが、電子輸送層の材料としては特別に制限されず、トリス（８−ヒドロキシ−キノリノラート）アルミニウム（Ａｌｑ３）を利用できる。前記電子輸送層の厚さは５０ないし６００Åでありうるが、これは他の層の材料によって可変できる。

たとえ図面で図示していないにしても、前記有機発光層４２と第２層４３との間、または第２層４３の電子注入層と電子輸送層との間には、正孔阻止用物質を使用して正孔阻止層（Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ：ＨＢＬ）を選択的に介在させることができる。この時に使われる正孔阻止層形成用の物質は特別に制限されないが、電子輸送能力を持ちつつ、発光化合物より高いイオン化ポテンシャルを持つべきであり、代表的にＢａｌｑ（下式に示す）、ＢＣＰ（下式に示す）、ＴＰＢＩ（下式に示す）などが使われうる。

一方、本発明において、前記発光層４２は、ホスト物質とドーパント物質との混合層で備えられるか、それぞれ別途層をなして備えられうる。

ホスト物質としては、Ａｌｑ３、９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＡＮＤ）、３−Ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４’−ジメチルフェニル（ＤＰＶＢｉ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４’−ジメチルフェニル（ｐ−ＤＭＤＰＶＢｉ）、Ｔｅｒｔ（９，９−ジアリールフルオレン）ｓ（ＴＤＡＦ）、２−（９，９’−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレン（ＢＳＤＦ）、２，７−ビス（９，９’−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレン（ＴＳＤＦ）、ビス（９，９−ジアリールフルオレン）ｓ（ＢＤＡＦ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）−４，４’−ジ−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル（ｐ−ＴＤＰＶＢｉ）、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンジン（ｍＣＰ）、１，３，５−トリス（カルバゾール−９−イル）ベンジン（ｔＣＰ）、４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴｃＴａ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−２，２’−ジメチル−ビフェニル（ＣＢＤＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチル−フルオレン（ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）フルオレン（ＦＬ−４ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジ−トリル−フルオレン（ＤＰＦＬ−ＣＢＰ）、９，９−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）フルオレン（ＦＬ−２ＣＢＰ）などが使われうる。

ドーパント物質としては、４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）（下式に示す）、９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）（下式に示す）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）（下式に示す）などが使われうる。

前記のように有機膜４を形成した後には、有機膜４上に第２電極５を形成する。

前記第２電極５は仕事関数が低い金属で形成するが、厚さを薄く形成して半透過反射が可能に形成する。Ｍｇ：Ａｇ薄膜で１００〜３００Åの厚さに形成できる。これ以外にもＡｌ、Ａｕ、Ｃｒなど仕事関数の低い金属などが適用できる。

前記のように第２電極５を形成した後には、第２電極５上に別途のキャッピング層６をさらに形成できる。前記キャッピング層６は、透光可能に透明な有機物または無機物で形成できる。

本発明において、前述した光学的共振は、反射膜２と第２電極５との相互対向面間の距離ｔ１を、発光層４２の発光波長に合せて設定することによって光取出効率を高める。

従来の有機発光素子では、前述したように、第１電極３の厚さｔ３を十分に厚く製作できなかったため、前記共振距離ｔ１を合せるためには、第１層の厚さｔ２を厚くするしかなかった。実際に従来の有機発光素子では、前記第１層３の厚さｔ３を１０００Å以上に形成した。

ところが、本発明は前述したように、第１電極３としてＡＺＯを使用していて、その厚さｔ３を３０〜１４０ｎｍに十分に厚く形成できて、有機膜４のうち第１層４１の厚さｔ２を薄く形成できる。本発明の望ましい一実施形態によれば、前記第１層４１の厚さｔ２を４０ないし１２０ｎｍに形成できる。厚いＡＺＯ電極の使用による有機層の厚さが薄くなるにつれて駆動電圧が低くなり、これによる消費電力が、有機層の厚さが薄くなるほど低減する傾向を示す。

図３は、本発明の望ましい他の一実施形態を示したものであって、アクティブマトリックスタイプ（型）の前面発光型有機発光素子を示したものである。

基板１上にはバッファ層１１が形成されており、このバッファ層１１上に薄膜トランジスタ１２を備える画素回路が形成されている。図３には、前記画素回路の構成として薄膜トランジスタ１２のみを図示したが、画素回路は、薄膜トランジスタとキャパシタとをさらに備えることができる。

前記バッファ層１１上に備えられた薄膜トランジスタ１２の構成は、次の通りである。まず、前記バッファ層１１上には半導体物質で活性層１２１が形成される。そして、活性層１２１を覆うようにゲート絶縁膜１２２がさらに形成され、ゲート絶縁膜１２２上にはゲート電極１２３が形成される。ゲート電極１２３を覆うようにゲート絶縁膜１２２上に層間絶縁膜１２４が形成され、この層間絶縁膜１２４上に活性層１２１とコンタクトされたソース電極１２５及びドレイン電極１２６が形成される。

これらの薄膜トランジスタ１２を覆うように平坦化膜１３が形成され、平坦化膜１３上に、薄膜トランジスタ１２のドレイン電極１２６とコンタクトされるコンタクト膜３１が形成される。このコンタクト膜３１は、第１電極３であるＡＺＯと同じ物質で形成されることが望ましく、５０〜１５０Åの厚さに形成できる。コンタクト膜３１の厚さがあまりにも厚くなれば、ドレイン電極１２６と反射膜２との間のコンタクト抵抗を高め過ぎ、コンタクト膜３１があまりにも薄くてもオーミックコンタクトをなすことができない。

前記のようなコンタクト膜３１上に反射膜２が形成され、反射膜２上に第１電極３が形成される。

図３から分かるように、コンタクト膜３１、反射膜２及び第１電極３はＡＺＯ膜、Ａｇ膜、ＡＺＯ膜を順に積層した後、一括パターニングすることによって同時に形成することが望ましい。この時、前述したように、前記コンタクト膜３１及び第１電極３はＡＺＯで備えられるため、エッチング速度が速くて反射膜２と同時にエッチングするのに十分である。

このように第１電極３まで形成した後には、絶縁物質で画素定義膜１４を形成する。画素定義膜１４は平坦化膜１３上に形成されるものであって、前記第１電極３の縁部を覆う。

次いで、前記第１電極３上に第１層４１、発光層４２及び第２層４３を順次積層して有機膜４を形成する。この時、第１層４１及び第２層４３は全体画素にわたって共通の層で形成でき、発光層４２は画素別にパターニングされるように形成できる。

そして、有機膜４上には、第２電極５を前述した半透過反射膜で形成し、第２電極５は全体画素を覆うように形成する。

第２電極５上にはキャッピング層６をさらに形成できる。

本発明は図面に図示された実施形態を参考までに説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。

本発明は、有機発光素子関連の技術分野に好適に用いられる。

１ 基板、
２ 反射膜、
３ 第１電極、
４ 有機膜、
４１ 第１層、
４２ 発光層、
４３ 第２層、
５ 第２電極、
６ キャッピング層、
１１ バッファ層、
１２ 薄膜トランジスタ、
１２１ 活性層、
１２２ ゲート絶縁膜、
１２３ ゲート電極、
１２４ 層間絶縁膜、
１２５ ソース電極、
１２６ ドレイン電極、
１３ 平坦化膜、
１４ 画素定義膜、
３１ コンタクト膜。

Claims (16)

1. 基板と、
   前記基板上に備えられ、かつ金属で形成された反射膜と、
   前記反射膜上に透明なＡＺＯで形成された第１電極と、
   前記第１電極上に備えられ、かつ発光層を備える有機膜と、
   前記有機膜上に備えられ、かつ半透過反射膜を備える第２電極と、を備える有機発光素子。
2. 前記基板に備えられ、かつ前記反射膜と電気的に連結された薄膜トランジスタをさらに備える請求項１に記載の有機発光素子。
3. 前記反射膜の下部にＡＺＯで形成され、前記薄膜トランジスタとコンタクトされるコンタクト膜をさらに備える請求項１または２に記載の有機発光素子。
4. 前記有機膜は、前記発光層と前記第１電極との間に介された第１層をさらに備え、前記第１層の厚さは、４０ｎｍないし１２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光素子。
5. 前記第１電極の厚さは、３０ｎｍないし１４０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光素子。
6. 前記第１電極を構成するＡＺＯは、吸収定数値が１×１０^−３ないし２×１０^−２であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光素子。
7. 基板上に金属で反射膜を形成する工程と、
   前記反射膜上に透明なＡＺＯで第１電極を形成する工程と、
   前記第１電極上に発光層を備える有機膜を形成する工程と、
   前記有機膜上に半透過反射膜を備える第２電極を形成する工程と、を含む有機発光素子の製造方法。
8. 前記第１電極を形成する工程は、
   前記反射膜上に酸化アルミニウムを蒸着する工程と、
   前記反射膜上に酸化亜鉛を蒸着する工程と、を含む請求項７に記載の有機発光素子の製造方法。
9. 前記酸化アルミニウムを蒸着する工程と前記酸化亜鉛を蒸着する工程とは、同時に行われることを特徴とする請求項８に記載の有機発光素子の製造方法。
10. 前記第１電極を形成する工程は、
    前記酸化アルミニウムと酸化亜鉛との重量比率を、１：９９ないし１０：９０で蒸着する工程であることを特徴とする請求項８または９のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法。
11. 前記酸化アルミニウムと酸化亜鉛との蒸着は、１００℃ないし４５０℃で行われることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法。
12. 前記基板上に薄膜トランジスタを形成する工程をさらに含み、
    前記反射膜は、前記薄膜トランジスタに電気的に連結されるように形成することを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法。
13. 前記反射膜の形成前に、ＡＺＯで前記薄膜トランジスタとコンタクトされるコンタクト膜をさらに形成し、前記反射膜は前記コンタクト膜上に形成することを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子。
14. 前記有機膜は、前記発光層と前記第１電極との間に介された第１層をさらに備え、前記第１層の厚さは、４０ｎｍないし１２０ｎｍで蒸着されることを特徴とする請求項７〜１３のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法。
15. 前記第１電極の厚さは、３０ｎｍないし１４０ｎｍで形成されたことを特徴とする請求項７〜１４のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法。
16. 前記第１電極及び反射膜は、同時にパターニングされることを特徴とする請求項７〜１５のいずれか１項に記載の有機発光素子の製造方法。