KR101146980B1

KR101146980B1 - 유기 발광 소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR101146980B1
Application number: KR1020090013126A
Authority: KR
Inventors: 김원종; 이창호; 이종혁; 송영우; 김용탁; 최진백; 이준구; 조세진; 고희주; 오일수; 이혜림; 황규환
Original assignee: 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date: 2009-02-17
Filing date: 2009-02-17
Publication date: 2012-05-22
Also published as: TWI503051B; TW201038125A; US20100207149A1; JP2010192441A; KR20100093954A; US8383431B2; CN101807671A; JP5261414B2; CN101807671B

Abstract

본 발명은 충분한 두께의 애노드를 구비해 소비전력을 낮추면서도 효율을 떨어뜨리지 않기 위한 것으로, 기판과, 상기 기판 상에 구비되고 금속으로 형성된 반사막과, 상기 반사막 상에 투명한 AZO로 형성된 제1전극과, 상기 제1전극 상에 구비되고 발광층을 포함하는 유기막과, 상기 유기막 상에 구비되고 반투과반사막을 포함하는 제2전극을 포함하는 유기 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

유기 발광 소자 및 그 제조방법{Organic light emitting diode and manufacturing method thereof}

본 발명은 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 발광 효율이 좋은 전면 발광형 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

유기 발광 소자는 기판 상에 애노드가 되는 제1전극, 유기 발광층, 캐소드가 되는 제2전극을 순차 적층하여 형성한다.

이 때, 유기 발광층으로부터의 빛이 제2전극을 투과해 화상을 구현하도록 하는 전면발광형 구조에 있어서, 제1전극은 반사막 상에 일함수가 높은 금속산화물을 형성하여 구성하고, 제2전극은 반투과 반사형 전극을 사용하여 구성한다. 그리고 이러한 전면발광형 유기 발광 소자는 상기 반사막과 제2전극의 사이에서 광학적 공진 효과를 이용하여 제2전극 방향으로 출사되는 광 효율을 더욱 극대화하고 있다.

그런데, 이 때, 애노드가 되는 제1전극의 두께를 두껍게 할 경우, 암점의 발생을 줄일 수 있고, 소비전력을 낮출 수 있다.

또한, 전면 발광형 유기 발광 소자에 있어 전술한 바와 같이, 유기 발광층으로부터의 빛이 애노드 하부의 반사막과 캐소드인 반투과반사막 사이에서 공진을 하 는 원리를 이용하기 때문에 빛은 애노드를 투과하게 된다. 따라서, 애노드의 흡수상수 k값이 크게 되면, 효율은 현저히 떨어질 수 밖에 없다.

그런데 기존에 애노드로 사용되던 ITO의 경우 흡수상수 k값이 높고, 반사막과의 에칭 레이트(rate) 차이가 커 두껍게 사용하기 어려웠다.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로, 충분한 두께의 애노드를 구비해 소비전력을 낮추면서도 효율을 떨어뜨리지 않는 유기 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하는 데에 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 구비되고 금속으로 형성된 반사막; 상기 반사막 상에 투명한 AZO로 형성된 제1전극; 상기 제1전극 상에 구비되고 발광층을 포함하는 유기막; 및 상기 유기막 상에 구비되고 반투과반사막을 포함하는 제2전극;을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

상기 기판에 포함되고 상기 반사막과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.

상기 반사막 하부에 AZO로 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 콘택되는 콘택막을 더 포함할 수 있다.

상기 유기막은 상기 발광층과 상기 제1전극 사이에 개재된 제1층을 더 포함하고, 상기 제1층의 두께는 40nm 내지 120nm일 수 있다.

상기 제1전극의 두께는 30nm 내지 140nm일 수 있다.

상기 AZO는 흡수상수 값이 1x10^-3 내지 2x10^-2일 수 있다.

본 발명은 또한 전술한 목적을 달성하기 위하여, 기판 상에 금속으로 반사막을 형성하는 단계; 상기 반사막 상에 투명한 AZO로 제1전극을 형성하는 단계; 상기 제1전극 상에 발광층을 포함하는 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 유기막 상에 반투과반사막을 포함하는 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.

상기 제1전극을 형성하는 단계는, 상기 반사막 상에 알루미늄옥사이드를 증착하는 단계; 및 상기 반사막 상에 징크옥사이드를 증착하는 단계;를 포함할 수 있다.

상기 알루미늄옥사이드를 증착하는 단계와 상기 징크옥사이드를 증착하는 단계는 동시에 이루어질 수 있다.

상기 제1전극을 형성하는 단계는, 상기 알루미늄옥사이드와 징크옥사이드의 중량 비율을 1:99 내지 10:90로 증착하는 단계일 수 있다.

상기 알루미늄옥사이드와 징크옥사이드의 증착은 100℃ 내지 450℃에서 이루어질 수 있다.

상기 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 반사막은 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있다.

상기 반사막의 형성 전에 AZO로 상기 박막 트랜지스터와 콘택되는 콘택막을 더 형성하고, 상기 반사막은 상기 콘택막 상에 형성될 수 있다.

상기 유기막은 상기 발광층과 상기 제1전극 사이에 개재된 제1층을 더 포함하고, 상기 제1층의 두께는 40nm 내지 120nm로 증착될 수 있다.

상기 제1전극의 두께는 30nm 내지 140nm로 형성될 수 있다.

상기 제1전극 및 반사막은 동시에 패터닝될 수 있다.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 전면 발광 구조에서 반사막 상에 형성되는 제1전극의 두께를 충분히 두껍게 가져가도 광효율이 저하되지 않게 된다.

그리고, 이처럼 제1전극이 충분히 두껍기 때문에 소비전력도 저감시킬 수 있고, 유기 발광 소자의 전체적인 효율을 높일 수 있다.

또, 반사막과 반투과반사막인 제2전극 사이의 공진 두께를 유기막의 제1층으로 조절할 필요없이, 제1전극의 두께로서 조절할 수 있다.

충분히 두꺼운 제1전극과 반사막을 동시에 패터닝할 수 있어 생산 효율을 향상시킬 수 있다.

이어서, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 개략도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 소자는 기판(1) 상에 형성된 반사막(2)과, 상기 반사막(2) 상에 형성된 제1전극(3), 상기 제1전극 상에 형성된 유기막(4), 상기 유기막 상에 구비된 제2전극(5)을 포함한다.

상기 기판(1)은 글래스재로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플라스틱재, 금속재 등도 적용 가능하다. 이 기판(1) 상에는 도면에 도시하지 않았지만, 표면의 평탄화와 기판으로부터의 불순물 확산을 방지할 수 있도록 별도의 절연막이 더 형성될 수 있다. 이 기판(1)은 투명한 기판이 사용될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 불투명한 기판을 사용할 수도 있음은 물론이다.

상기 반사막(2)은 금속과 같이 광반사율이 높은 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 그 두께도 광반사가 충분히 이뤄질 수 있도록 한다.

이러한 반사막(2)은 Al, Ag, Cr 또는 Mo 등으로 형성할 수 있으며, 대략 1,000Å의 두께로 형성한다.

상기 반사막(2) 상에 형성되는 제1전극(3)은 투명한 AZO로 형성된다. 이 제1전극(3)은 유기 발광 소자의 애노드로서 기능을 하는 것이다.

상기 AZO는 알루미늄옥사이드(예컨대 Al₂O₃)와 징크옥사이드(ZnO)를 일정 비율로 혼합하여 증착시켜 형성하는 것으로, 투명하게 형성하는 것이 바람직하다.

알루미늄옥사이드와 징크옥사이드는 1:99 내지 10:90으로 증착시키는 것이 바람직한 데, 더욱 바람직하게는 2:98의 비율로 증착한다. 알루미늄옥사이드의 비율이 1보다 낮고, 10보다 클 경우 저항값이 높아지는 문제가 발생될 수 있다.

또한 상기 알루미늄옥사이드와 징크옥사이드는 별도의 도가니에서 동시에 증 착시켜 AZO막을 성막하는 데, 이 때의 증착온도는 100 내지 450 ℃의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 증착온도가 100℃보다 낮을 경우에는 AZO막 품질이 저하되고특히 투과도가 낮아지며 흡수상수 k값도 높아진다. 증착온도가 450℃ 보다 높을 경우에는 기판 변형의 문제가 발생될 수 있다.

이렇게 형성된 AZO막은 흡수상수값이 1x10^-3 내지 2x10^-2이 되도록 하는 것이바람직하다. 이렇게 흡수상수 k값을 낮출 경우 소비전력을 더욱 낮출 수 있고, 전면 발광의 광효율도 높일 수 있다.

도 2는 일반적인 ITO의 경우(I)와, 본 발명의 AZO의 경우(Ⅱ)(Ⅲ)의 흡수상수 k값을 비교한 것이다.

도 2에서 Ⅱ의 경우는 알루미늄옥사이드와 징크옥사이드를 2:98의 무게비로 200 ℃에서 증착한 경우를 나타내며, Ⅲ의 경우는 알루미늄옥사이드와 징크옥사이드를 2:98의 무게비로 400℃에서 증착한 경우를 나타낸다. Ⅱ의 경우, 가시광 영역인 450~650nm의 영역에서 0.016~0.012까지 낮은 흡수상수값을 갖고, Ⅲ의 경우는 0.002~0.006의 매우 낮은 흡수상수값을 가짐을 알 수 있다. 두 경우 모두 가시광 영역에서 0.022~0.04의 흡수상수값을 갖는 ITO(I)보다 현격히 낮은 흡수상수값을 나타냄을 알 수 있다.

흡수상수의 경우, 그 값이 10배 낮아질 때 소비전력이 10% 정도 낮아지는 결과를 얻을 수 있으므로, 증착온도 200℃로 증착한 경우보다 증착온도 400℃로 증착한 경우가 더 바람직하다. 흡수상수값을 1x10^-3보다 낮게 하는 것은 제조 상 어려움 이 있다.

한편, 상기와 같은 AZO는 그 두께를 기존의 애노드로 사용되던 ITO에 비해 훨씬 빠른 시간에 에칭되기 때문에 반사막(2)과 함께 패터닝하기 용이하다. 즉, ITO의 경우 두께 200Å로 형성할 경우 반사막(2)으로 사용되는 Ag와 함께 패터닝하는 에칭 조건을 확보하기 어려웠다. 그러나 상기 AZO는 1000Å 이상의 두께에서도 에칭 레이트(rate)가 빠르기 때문에 Ag를 이용한 반사막(2)과 함께 패터닝하기가 용이한 장점이 있다. 따라서, 제1전극(3)을 충분히 두꺼운 두께, 즉, 30~140nm 으로 확보할 수 있어 소비전력을 줄일 수 있고, 또 반사막(2)과 제2전극(5)의 사이의 거리(t1)인 공진 두께를 맞추기에도 충분하게 된다. 기존에는 상기 공진두께를 맞추기 위해 유기막에 별도의 보조층을 더 형성하기도 하였는데, 본 발명은 이러한 불편함이 없게 된다.

상기 유기막(4)은 발광층(42)을 포함한다.

상기 발광층(42)과 제1전극(3)의 사이에는 공통 기능층으로서 제1층(41)이 개재된다.

제1층(41)은 정공 주입층과 정공 수송층이 모두 또는 선택적으로 적층되어 구비될 수 있다.

상기 정공 주입층은 정공 주입 물질을 진공열 증착, 또는 스핀 코팅하여 정공 주입층을 선택적으로 형성한다.

상기 정공 주입 물질로는 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 스타버스트(Starburst)형 아민류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB 등을 사용할 수 있 다.

상기 정공 주입층 상부에 형성되는 정공 수송층은 정공 수송층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있지만, 균일한 막질을 얻기 쉽고, 또한 핀 홀이 발생하기 어렵다는 등의 점에서 진공증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 진공증착법에 의해 정공수송층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.

상기 정공 수송층 물질은 특별히 제한되지는 않으며, N,N'-비스(3-메틸페닐)- N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD)등이 사용된다.

이어서 상기 제1층(41) 상에 발광층(42)을 형성하고, 이 발광층(42) 상에 또 다른 공통 기능층으로서 제2층(43)을 형성한다.

제2층(43)은 전자 주입층과 전자 수송층이 모두 또는 선택적으로 적층되어 구비될 수 있다.

상기 전자 주입층은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 등의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께는 1 내지 100Å인 것이 바람직하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 전자수송층은 진공 증착 방법, 또는 스핀 코팅 방법으로 형성될 수 있는 데, 전자수송층 재료로서는 특별히 제한되지는 않으며 Alq3를 이용할 수 있다. 상기 전자수송층의 두께는 50 내지 600Å 일 수 있는 데, 이는 다른 층의 재료에 따라 가변 가능하다.

비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 유기 발광층(42)과 제2층(43)의 사이 또는 제2층(43)의 전자 주입층과 전자 수송층 사이에는 정공 저지용 물질을 사용하여 정공 저지층(HBL)을 선택적으로 개재시킬 수 있다. 이때 사용되는 정공 저지층 형성용 물질은 특별히 제한되지는 않으나, 전자 수송 능력을 가지면서 발광 화합물보다 높은 이온화 퍼텐셜을 가져야 하며 대표적으로 Balq, BCP, TPBI 등이 사용될 수 있다.

한편, 본 발명에 있어, 상기 발광층(42)은 호스트 물질과 도판트 물질의 혼합층으로 구비되거나, 각기 별도 층을 이루어 구비될 수 있다.

호스트 물질로는 트리스(8-히드록시-퀴놀리나토)알루미늄 (Alq3), 9,10-디(나프티-2-일)안트라센 (AND), 3-Tert-부틸-9,10-디(나프티-2-일)안트라센 (TBADN), 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디메틸페닐 (DPVBi), 4,4'-비스Bis(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디메틸페닐 (p-DMDPVBi), Tert(9,9-디아릴플루오렌)s (TDAF), 2-(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 (BSDF), 2,7-비스(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 (TSDF), 비스(9,9-디아릴플루오렌)s (BDAF), 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디-(tert-부틸)페닐 (p-TDPVBi), 1,3-비스(카바졸-9-일)벤젠 (mCP), 1,3,5-트리스(카바졸-9-일)벤젠 (tCP), 4,4',4"-트리스(카바졸-9-일)트리페닐아민 (TcTa), 4,4'-비스(카바졸-9-일)비페닐 (CBP), 4,4'-비스Bis(9-카바졸일)-2,2'-디메틸-비페닐 (CBDP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-디메틸-플루오렌 (DMFL-CBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-비 스bis(9-페닐-9H-카바졸)플루오렌 (FL-4CBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-디-톨일-플루오렌 (DPFL-CBP), 9,9-비스(9-페닐-9H-카바졸)플루오렌 (FL-2CBP) 등이 사용될 수 있다.

도판트 물질로는 DPAVBi (4,4'-비스[4-(디-p-톨일아미노)스티릴]비페닐), ADN (9,10-디(나프-2-틸)안트라센), TBADN (3-터트-부틸-9,10-디(나프-2-틸)안트라센) 등이 사용될 수 있다.

DPAVBi

ADN

TBADN

상기와 같이 유기막(4)을 형성한 후에는 유기막(4) 상에 제2전극(5)을 형성한다.

상기 제2전극(5)은 일함수가 낮은 금속으로 형성하는 데, 두께를 얇게 형성하여 반투과 반사가 가능하도록 형성한다. Mg:Ag 박막으로 100~300Å의 두께로 형성할 수 있다. 이 밖에도 Al, Au, Cr 등 일함수가 낮은 금속 등이 적용 가능하다.

상기와 같이 제2전극(5)을 형성한 후에는 제2전극(5) 상에 별도의 캐핑층(6)을 더 형성할 수 있다. 상기 캐핑층(6)은 광투과가 가능하도록 투명한 유기물 또는 무기물로 형성될 수 있다.

본 발명에 있어, 전술한 광학적 공진은 반사막(2)과 제2전극(5)의 상호 대향면 사이의 거리(t1)를 발광층(42)의 발광 파장에 맞추어 설정함으로써 광취출효율을 높인다.

종래의 유기발광소자에서는 전술한 바와 같이 제1전극(3)의 두께(t3)를 충분히 두껍게 제작할 수 없었기 때문에 상기 공진 거리(t1)를 맞추기 위해서는 제1층(t2)의 두께를 두껍게 가져갈 수 밖에 없었다. 실제 종래의 유기 발광 소자에서는 상기 제1층(3)의 두께(t3)를 1000Å이상으로 형성하였다.

그런데, 본 발명은 전술한 바와 같이 제1전극(3)으로서 AZO를 사용하고 있어 그 두께(t3)를 30~140nm로 충분히 두껍게 형성할 수 있어 유기막(4) 중 제1층(41)의 두께(t2)를 얇게 형성할 수 있게 된다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 제1층(41)의 두께(t2)를 40 내지 120 nm로 형성할 수 있다. 두꺼운 AZO 전극 사용에 따른 유기층의 두께가 감소함에 따라 구동전압이 감소하고, 이에 따르 는 소비전력이 유기층의 두께가 감소할수록 감소하는 경향을 보이게 된다.

도 3은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예를 도시한 것으로, 액티브 매트릭스형 전면 발광 유기 발광 소자를 나타낸 것이다.

기판(1) 상에는 버퍼층(11)이 형성되어 있고, 이 버퍼층(11) 상에 박막 트랜지스터(12)를 포함하는 화소 회로가 형성되어 있다. 도 3에는 상기 화소 회로의 구성으로서 박막 트랜지스터(12)만을 도시하였지만, 화소 회로는 박막 트랜지스터와 커패시터를 더 포함할 수 있다.

상기 버퍼층(11) 상에 구비된 박막 트랜지스터(12)의 구성은 다음과 같다. 먼저, 상기 버퍼층(11) 상에는 반도체 물질로 활성층(121)이 형성된다. 그리고, 활성층(121)을 덮도록 게이트 절연막(122)이 더 형성되고, 게이트 절연막(122) 상에는 게이트 전극(123)이 형성된다. 게이트 전극(123)을 덮도록 게이트 절연막(122) 상에 층간 절연막(124)이 형성되고, 이 층간 절연막(124) 상에 활성층(121)과 콘택된 소스전극(125) 및 드레인 전극(126)이 형성된다.

이러한 박막 트랜지스터(12)를 덮도록 평탄화막(13)이 형성되고, 평탄화막(13) 상에 박막 트랜지스터(12)의 드레인 전극(126)과 콘택되는 콘택막(31)이 형성된다. 이 콘택막(31)은 제1전극(3)인 AZO와 동일한 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 50~150Å의 두께로 형성될 수 있다. 콘택막(31)의 두께가 너무 두껍게 되면 드레인 전극(126)과 반사막(2) 간의 콘택 저항을 너무 높이게 되고, 콘택막(31)이 너무 얇아도 오믹 콘택을 이룰 수 없다.

상기와 같은 콘택막(31) 상에 반사막(2)이 형성되고, 반사막(2) 상에 제1전 극(3)이 형성된다.

도 3에서 볼 수 있듯이, 콘택막(31), 반사막(2) 및 제1전극(3)은 AZO막, Ag막, AZO막을 순차로 적층한 후, 일괄 패터닝함으로써 동시에 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 전술한 바와 같이 상기 콘택막(31) 및 제1전극(3)은 AZO로 구비되기 때문에 에칭 속도가 빨라, 반사막(2)과 동시에 에칭하기에 충분하다.

이렇게 제1전극(3)까지 형성한 후에는 절연물질로 화소정의막(14)을 형성한다. 화소정의막(14)은 평탄화막(13) 상에 형성되는 것으로, 상기 제1전극(3)의 가장자리를 덮도록 한다.

다음으로, 상기 제1전극(3) 상으로 제1층(41), 발광층(42) 및 제2층(43)을 순차 적층하여 유기막(4)을 형성한다. 이 때, 제1층(41) 및 제2층(43)은 전체 화소에 걸쳐 공통되는 층으로 형성할 수 있고, 발광층(42)은 화소별로 패터닝되게 형성할 수 있다.

그리고, 유기막(4) 상으로는 제2전극(5)을 전술한 반투과 반사막으로 형성하며, 제2전극(5)은 전체 화소들을 덮도록 형성한다.

제2전극(5) 상으로는 캐핑층(6)을 더 형성할 수 있다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

도 1 은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적 구조를 도시한 단면도이고,

도 2 는 본 발명의 제1전극과 기존의 ITO의 파장-흡수상수의 관계를 도시한 그래프이고,

도 3은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적 구조를 도시한 단면도이다.

Claims

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기판 상에 금속으로 반사막을 형성하는 단계;

상기 반사막 상에 투명한 AZO로 제1전극을 형성하는 단계;

상기 제1전극 상에 발광층을 포함하는 유기막을 형성하는 단계; 및

상기 유기막 상에 반투과반사막을 포함하는 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하고,

상기 제1전극을 형성하는 단계는

상기 반사막 상에 알루미늄옥사이드를 증착하는 단계; 및

상기 반사막 상에 징크옥사이드를 증착하는 단계;를 포함하며,

상기 알루미늄옥사이드를 증착하는 단계와 상기 징크옥사이드를 증착하는 단계는 동시에 이루어지고, 상기 알루미늄옥사이드와 상기 징크옥사이드는 각각 별도의 도가니에서 증착되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
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제7항에 있어서,

상기 제1전극을 형성하는 단계는

상기 알루미늄옥사이드와 징크옥사이드의 중량 비율을 1:99 내지 10:90로 증착하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
제7항에 있어서,

상기 알루미늄옥사이드와 징크옥사이드의 증착은 100℃ 내지 450℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
제7항에 있어서,

상기 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하고,

상기 반사막은 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
제12항에 있어서,

상기 반사막의 형성 전에 AZO로 상기 박막 트랜지스터와 콘택되는 콘택막을 더 형성하고, 상기 반사막은 상기 콘택막 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
제7항에 있어서,

상기 유기막은 상기 발광층과 상기 제1전극 사이에 개재된 제1층을 더 포함하고, 상기 제1층의 두께는 40nm 내지 120nm로 증착되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
제7항에 있어서,

상기 제1전극의 두께는 30nm 내지 140nm로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
제7항에 있어서,

상기 제1전극 및 반사막은 동시에 패터닝되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
알루미늄옥사이드와 징크옥사이드를 동시 증착하여 AZO로 콘택막을 형성하는 단계;

상기 콘택막 상에 금속으로 반사막을 형성하는 단계;

알루미늄옥사이드와 징크옥사이드를 각각의 중량 비율을 1:99 내지 10:90로 하여, 상기 반사막 상에 동시 증착하여, 상기 반사막 상에 투명한 AZO로 제1전극을 형성하는 단계;

상기 제1전극 상에 발광층을 포함하는 유기막을 형성하는 단계; 및

상기 유기막 상에 반투과반사막을 포함하는 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법.
알루미늄옥사이드와 징크옥사이드를 동시 증착하여 AZO로 콘택막을 형성하는 단계;

상기 콘택막 상에 금속으로 반사막을 형성하는 단계;

알루미늄옥사이드와 징크옥사이드를 100℃ 내지 450℃에서, 상기 반사막 상에 동시 증착하여, 상기 반사막 상에 투명한 AZO로 제1전극을 형성하는 단계;

상기 제1전극 상에 발광층을 포함하는 유기막을 형성하는 단계; 및

상기 유기막 상에 반투과반사막을 포함하는 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법.
삭제
제17항 또는 제18항에 있어서,

상기 콘택막을 형성하는 단계는 상기 알루미늄옥사이드와 징크옥사이드의 중량 비율을 1:99 내지 10:90로 증착하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.
제17항 또는 제18항에 있어서,

상기 콘택막을 형성하는 단계는 100℃ 내지 450℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조방법.