TWI407613B - 有機電致發光裝置及顯示元件 - Google Patents

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TWI407613B TW098111520A TW98111520A TWI407613B TW I407613 B TWI407613 B TW I407613B TW 098111520 A TW098111520 A TW 098111520A TW 98111520 A TW98111520 A TW 98111520A TW I407613 B TWI407613 B TW I407613B
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Description

有機電致發光裝置及顯示元件
本發明係關於一種有機電致發光裝置及顯示元件。更特定言之，本發明係關於一種具有長發光壽命之有機電致發光裝置以及一種裝備有該等裝置之顯示元件。
近來流行平板型顯示元件，此係因為其重量輕且效率高。其中值得注意的是具備有機電致發光裝置(所謂有機EL裝置)之顯示元件。
有機電致發光裝置係在諸如玻璃板之透明基板上形成。裝置適當包括一陽極及一陰極及一固持於此等電極之間的有機層。接近基板之陽極係由透明ITO(氧化銦錫)形成。有機層係由彼此疊置之一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子傳輸層及一發光層構成。陰極係在頂部形成。可改變此結構以使得額外電子傳輸層置於發光層上。如上所提及而建構之有機電致發光裝置的工作方式使得發光層使自陰極注入之電子與自陽極注入之電洞之間發生再結合，且再結合經由陽極及基板發光。
存在結構上不同於上述有機電致發光裝置之另一種有機電致發光裝置。其係由順序向上排列之基板、陰極、有機層及陽極構成。頂部電極(陽極或陰極)可由透明材料形成以便使光自與基板相對之頂部電極發出。對於由基板及排列於其上之薄膜電晶體(TFT)構成之主動式矩陣型顯示元件而言，頂部發射型裝置為合乎需要的，此係因為其大的開放區域比。
為了使有機電致發光顯示元件具有實際用途，有機電致發光裝置應該具有用於有效發光之大開放區域以及可靠長壽命。
存在若干不利於壽命之因素。其中值得注意的是通常由Alq3 (8-羥基喹啉鋁)製成之電子傳輸層的劣化。在Science,1999，第283卷，第1900-1902頁中，Z. D. Popovic等人報導有機電致發光裝置由於電洞注入至Alq3 及由其產生之自由基而劣化，並且亦提出劣化模型。
基於劣化模型，Z. D. Popovic等人試圖藉由用低分子量化合物(諸如紅螢烯)摻雜電洞傳輸層而抑制電洞向Alq3 的注入。此嘗試成功達成發射壽命之極大改進。結果證明該模型假定摻雜層捕集過量電洞，藉此防止Alq3 形成自由基。參見Thin Solid Films,2000，第363卷，第6-8頁。
此外，在Applied Physics Letters,2002，第80卷，第2180-2182頁中報導了經摻雜紅螢烯在層疊的層(例如，在金屬層與有機層之間或在有機層與有機層之間)之間的界面處不產生作用，但經紅螢烯摻雜之層改變其本體性質且捕集電洞，藉此延長壽命。
涉及紅螢烯之技術不限於捕集如上所提及之電荷。其亦係針對發射白光之有機電致發光裝置，此係因為呈單質形式之紅螢烯發射黃光，且因此紅螢烯層及發射藍色光之發光層的組合將產生白光。參見JP-A-2002-93583；JP-A-2004-47469；JP-A-2004-134396；JP-T-2007-503092；Science,1999，第283卷，第1900-1902頁；Thin Solid Films,2000，第363卷，第6-8頁；Applied Physics Letters,2002，第80卷，第2180-2182頁；Applied Physics Letters,2003，第83卷，第5359-5361頁；Applied Physics Letters,2006，第89卷，第133509頁；及Applied Physics Letters,2006，第89卷，第243521頁。具有紅螢烯之有機電致發光裝置將產生白光，其純度視來自經紅螢烯摻雜層之光與來自發射藍色光之其相鄰發光層之光之間的比率而定，此係因為兩層同時發光。
建構近年來用於工業用途之有機電致發光裝置，以使得固持於電極之間的有機層包括各自起不同作用之若干子層。因此，用紅螢烯摻雜以形成捕集層不利地影響發光層之功能。換言之，為了電洞捕集用紅螢烯簡單摻雜以保護發光層或其相鄰層而抵抗劣化會不利地影響發光功能，此係因為紅螢烯發射與來自發光層本身之光組合的光。除非用紅螢烯摻雜意欲產生白光，否則由相鄰紅螢烯層發射之光產生不良色彩混合。因此，所得EL裝置不發射具有發光層固有地產生之色彩的光。
鑒於上述完成本發明。需要提供一種發射具有適當色彩純度而無色彩混合之光且具有顯著延長之壽命的有機電致發光裝置，且提供一種具備該等有機電致發光裝置之顯示元件。
因為本發明之發明者的深入研究，所以本發明之發明者發現以上所提及之問題可藉由在電子傳輸層與發光層之間插入特定厚度之由具有特定純度之并四苯化合物所形成之層來解決。此發現產生本發明。
本發明係針對一種有機電致發光裝置，其包括：一陽極、一陰極及一固持於該等電極之間的有機層，該有機層包括一發光層、一含有并四苯化合物之并四苯化合物層，及一電子傳輸層，該發光層係由發光客體材料及具有蒽骨架之芳族烴化合物構成，且該并四苯化合物層含有不小於80wt%之由以下式(1)所表示之并四苯化合物且具有0.5nm至10nm之厚度且與該電子傳輸層的面對該發光層之彼側面接觸。
根據本發明之一實施例的有機電致發光裝置與不具有并四苯化合物層之裝置相比具有長得多的壽命。其亦僅發出由發光層產生之光，而不受并四苯化合物層影響。
根據本發明之一實施例之顯示元件基本上由基板及排列於其上之複數個有機電致發光裝置構成。
根據本發明之一實施例之顯示元件產生具有可再現色彩之光，此係歸因於意欲用於高亮度及高色彩純度的有機電致發光裝置。
根據本發明之一實施例之有機電致發光裝置具有長壽命且產生具有優良色彩純度之光。
根據本發明之一實施例之顯示元件具有長壽命且產生具有優良色彩純度及色彩再現性之光，此係因為其具備根據本發明之一實施例之有機電致發光裝置。
以下所述為根據本發明之一實施例之有機電致發光裝置及顯示元件。
有機電致發光裝置11包括一陽極13及一陰極15及一固持於該等電極之間的有機層14。有機層14包括發光層14c、并四苯化合物層14d及電子傳輸層14e。發光層14c係由發光客體材料及具有蒽骨架之芳族烴化合物構成。并四苯化合物層14d含有不小於80wt%之由以下式(1)表示之并四苯化合物且具有0.5nm至10nm之厚度且與電子傳輸層14e的面對發光層14c之彼側面接觸。
在式(1)中，R1 至R8 獨立地表示氫原子；鹵原子；羥基；氰基；硝基；羰基、羰基酯基、烷基、烯基及烷氧基中之任一者，該等基團可經具有不多於20個碳原子之基團取代；及矽烷基、芳基及雜環基中之任一者，該等基團可經具有不多於30個碳原子之基團取代。
[有機電致發光裝置之實施例] <有機電致發光裝置>
圖1為展示根據本發明之一實施例的有機電致發光裝置之結構的剖視圖。
圖1中所示之有機電致發光裝置11包括順序地彼此疊置之基板12、陽極13、有機層14及陰極15。有機層14包括順序地彼此疊置於陽極13上之電洞注入層14a、電洞傳輸層14b、發光層14c、并四苯化合物層14d及電子傳輸層14e。
根據本發明之實施例之有機層14包括發光層14c及與電子傳輸層14e的面對發光層14c之彼側面接觸之并四苯化合物層14d。
假定具有如上所提及之層疊結構之有機電致發光裝置11為自基板12之相反側面發光之頂部發射型。以下為每一層之詳細說明，以基板12起始。
<基板>
基板12為支撐，其一個表面上排列有機電致發光裝置11。其可由諸如石英、玻璃、金屬箔及塑膠薄膜或薄片之任何已知材料形成。其中較佳為石英及玻璃。塑膠材料包括由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)代表之甲基丙烯酸系樹脂、聚酯(諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)及聚萘二甲酸丁二酯(PBN))及聚碳酸酯樹脂。塑膠材料應較佳具有層疊結構或表面處理以應付透水性或透氣性。
<陽極>
陽極13可由具有足夠大以實現有效電洞注入之相對於真空能階之功函數的任何材料形成。該材料之實例包括鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、其合金及氧化物，及該等合金之氧化物，諸如氧化錫(SnO2 )及銻(Sb)之合金、ITO(氧化銦錫)、InZnO(氧化銦鋅)、氧化鋅(ZnO)及鋁(Al)之合金、其氧化物及其混合物。
陽極13亦可具有層疊結構，其包括極能夠反射光之第一層，及置放於第一層上之具有大功函數之透射光的第二層。
第一層可由主要由鋁構成之合金形成。第二組份可為一或多種具有小於鋁之功函數之元素。該等元素較佳應為鑭系元素。儘管其功函數小，但鑭系元素使陽極穩定且改良陽極之電洞注入能力。第二組份之其他實例包括矽(Si)及銅(Cu)。
若構成第一層之鋁合金中之第二組份為使鋁穩定之Nd、Ni、Ti或其類似物，則其總含量較佳應不多於約10wt%。對於鋁合金層而言此條件為必要的，以具有適當反射率且保持穩定以在有機電致發光裝置之製造過程期間因優良加工精確性及化學穩定性而獲得精確的製造。因此，第一層使得陽極13改良電導率及與基板12之黏附。
第二層可由鋁合金氧化物、氧化鉬、氧化鋯、氧化鉻及氧化鉭中之至少一者形成。舉例而言，第二層可由鋁合金氧化層(包括天然氧化膜)及作為第二組份之鑭系元素構成。在此情況下，第二層具有優良透射率，此係因為鑭系元素氧化物具有高度透射率。因此，第一層之表面具有高反射率。此外，第二層可為ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)之透明導電層。該導電層使得陽極13改良電子注入特徵。
可將額外導電層插入陽極13與基板12之間以改良其之間的黏附力。舉例而言，其為ITO或IZO之透明導電薄膜。
在將有機電致發光裝置11施用於主動式矩陣型之顯示元件之情況下，使陽極13針對每一像素被圖案化，且連接至形成於基板12上之每一驅動薄膜電晶體。在此情況下，陽極13具備具有開口之絕緣薄膜(未圖示)，經由該開口陽極13曝露於每一像素中。
<電洞注入層及電洞傳輸層>
電洞注入層14a與電洞傳輸層14b意欲用於有效將電洞注入至發光層14c。其可由以下各物形成：聯苯胺、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、聯伸三苯、氮雜聯伸三苯、四氰基對醌二甲烷、三唑、咪唑、噁二唑(oxidiazole)、聚芳基烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪及其衍生物；聚矽烷化合物、乙烯基咔唑化合物、噻吩化合物、苯胺化合物，及呈單體、寡聚物及聚合物形式之類似雜環共軛化合物。
以下所列舉為用於電洞注入層14a及電洞傳輸層14b之特定材料。α-萘基苯基苯二胺、卟啉、金屬四苯基卟啉、金屬萘酞菁、六氰基氮雜聯伸三苯、7,7,8,8-四氰基對醌二甲烷(TCNQ)、7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟對醌二甲烷(F4-TCNQ)、四氰基-4,4,4-參(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺、N,N,N',N'-肆(對甲苯基)對苯二胺、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二胺基聯苯、N-苯基咔唑、4-二-對甲苯基胺基芪、聚(對伸苯基伸乙烯)、聚(噻吩伸乙烯)及聚(2,2'-噻吩基吡咯)。其並非限制性的。
<發光層>
發光層14c為當將電壓施加於陽極13及陰極15時發生自陽極13注入之電洞及自陰極15注入之電子的再結合之區域。
在本發明之實施例中，發光層14c係由作為主體之蒽化合物及作為其中所摻雜之客體的藍色或綠色螢光染料構成。其發射帶藍色或帶綠色光。然而，上述實施例並非限制性的。
在本實施例中構成發光層14c之主體材料較佳應為由以下式(3)表示之蒽衍生物，其係選自具有蒽骨架之芳族烴化合物。
在式(3)中，R1 至R6 獨立地表示氫原子；鹵原子；羥基；氰基；硝基；羰基、羰基酯基、烷基、烯基及烷氧基中之任一者，該等基團可經具有不多於20個碳原子之基團取代；及矽烷基、芳基、胺基及雜環基中之任一者，該等基團可經具有不多於30個碳原子之基團取代。
由式(3)中之R1 至R6 表示之芳基包括(例如)苯基、1-萘 基、2-萘基、茀基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、1-基、6-基、2-、3-、2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基及對第三丁基苯基。
由R1 至R6 表示之雜環基團包括含有O、N及S作為雜原子之5員或6員芳族雜環基團及具有2至20個碳原子之稠合多環芳族雜環基團。此等雜環基團包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、吡啶基、喹啉基、喹喔啉基、咪唑并吡啶基及苯并噻唑基。以下列舉其典型實例。
1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異吲哚基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喏啉基、5-喹喏啉基、6-喹喏啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-啡啶基、2-啡啶基、3-啡啶基、4-啡啶基、6-啡啶基、7-啡啶基、8-啡啶基、9-啡啶基、10-啡啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基及9-吖啶基。
由R1 至R6 表示之胺基包括烷基胺基、芳基胺基及芳烷基胺基。其較佳應具有具1至6個碳原子之脂族基及/或具1至4個環之芳基。該等基團之典型實例包括二甲胺基、二乙胺基、二丁胺基、二苯胺基、二甲苯胺基、雙聯苯基胺基及二萘胺基。
順便提及，以上所提及之取代基可為藉由由兩個或兩個以上取代基稠合所形成之環，或其可具有其自身之取代基。
以下表1至表3展示以上所列舉的經取代之化合物之典型實例。
用於發光層14c之客體材料為選自低分子量螢光染料、螢光聚合物及金屬錯合物之能夠有效發光之有機材料。
藍色客體材料為在約400nm至490nm之波長範圍內具有峰值之有機化合物。該化合物之實例包括萘衍生物、蒽衍生物、并四苯衍生物、苯乙烯胺衍生物及雙(吖嗪基)亞甲基硼複合物。此等實例中之較佳者為胺基萘衍生物、胺基蒽衍生物、胺基衍生物、胺基芘衍生物、苯乙烯胺衍生物及雙(吖嗪基)亞甲基硼複合物。
綠色客體材料為在約490nm至580nm之波長範圍內具有峰值之有機化合物。該化合物之實例包括萘衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、并四苯衍生物、衍生物、苝衍生物、香豆素衍生物、喹吖啶酮衍生物、茚并[1,2,3-cd]苝衍生物及雙(吖嗪基)亞甲基硼複合物。此等實例中之較佳者為胺基蒽衍生物、衍生物、香豆素衍生物、喹吖啶酮衍生物、茚并[1,2,3-cd]苝衍生物及雙(吖嗪基)亞甲基硼複合物。
<并四苯化合物層>
并四苯化合物層14d捕集電洞以阻止其自發光層14c進入電子傳輸層14e，且其亦促進已由并四苯化合物層14d阻斷之電洞與電子在發光層14c中之有效再結合。因此，其延長電致發光裝置之壽命。
并四苯化合物層14d含有不小於80wt%之由以上式(1)表示之并四苯化合物。
在式(1)中，由R1 至R8 表示之芳基包括(例如)苯基、1-萘基、2-萘基、茀基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、1-基、6-基、2-基、3-基、2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基及對第三丁基苯基。
由R1 至R8 表示之雜環基團包括含有O、N及S作為雜原子之5員或6員芳族雜環基團及具有2至20個碳原子之稠合多環芳族雜環基團。此等雜環基團包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、吡啶基、喹啉基、喹喔啉基、咪唑并吡啶基及苯并噻唑基。以下列舉其典型實例。
1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異吲哚基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喏啉基、5-喹喏啉基、6-喹喏啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-啡啶基、2-啡啶基、3-啡啶基、4-啡啶基、6-啡啶基、7-啡啶基、8-啡啶基、10-啡啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基及9-吖啶基。
由以上式(1)表示之并四苯化合物較佳應為由如下所示式(2)表示之化合物。
在式(2)中，R1 至R4 獨立表示氫原子、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之萘基、雜環基團、經苯基取代之雜環基團及具有不多於13個碳原子之稠合多環芳族雜環基團中之任一者。
需要以上式(2)中之R1 至R4 應獨立地為氫原子、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基及經取代或未經取代之萘基中之任一者。
根據本發明之一實施例，由以上所提及之并四苯化合物形成之并四苯化合物層14d延長有機電致發光裝置之壽命。
由式(2)表示之并四苯化合物之典型實例列於以下表4至表6中。然而，其並非限制性的。
根據本發明之一實施例，并四苯化合物層14d較佳應含有不小於80wt%，更佳不小於90wt%之量的由以上式(1)表示之并四苯化合物。在量小於80wt%之情況下，并四苯化合物不產生延長有機電致發光裝置之壽命的作用。
根據本發明之一實施例，并四苯化合物層14d較佳應具有0.5nm至10nm，更佳1nm至5nm之厚度。在厚度超過10nm之情況下，其不提供令人滿意之色彩純度，此係因為并四苯化合物發射與由發光層發射之光混合之光。在厚度小於0.5nm之情況下，其不產生延長有機電致發光裝置之壽命的作用。
并四苯化合物層14d為可接受的，只要其含有不小於80wt%之量的由以上式(1)表示之并四苯化合物便可。儘管其可含有選自蒽化合物、芘化合物及并五苯化合物之額外組份，但其較佳應僅由由以上式(1)所表示之并四苯化合物構成。其可如在其他有機層中由氣相沈積形成。
<電子傳輸層>
電子傳輸層14e意欲用於將自陰極15注入之電子傳輸至發光層14c。其可由諸如喹啉、苝、啡啉、雙苯乙烯基、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑、芴酮及其衍生物及金屬錯合物的材料形成。其典型實例包括參(8-羥基喹啉)鋁(縮寫為Alq3 )、蒽、萘、菲、芘、苝、丁二烯、香豆素、吖啶、芪、1,10-菲啉及其衍生物及金屬錯合物。
<有機層>
根據本發明之實施例，有機層14包括在陽極13上彼此疊置之電洞注入層14a、電洞傳輸層14b、發光層14c、并四苯化合物層14d及電子傳輸層14e。
順便提及，有機層14不限於以上所提及之層狀結構。只要其包括至少發光層14c、并四苯化合物層14d及電子傳輸層14e，其便為可接受的，其中將并四苯化合物層14d插入發光層14c與電子傳輸層14e之間。其可根據需要採用另一層結構。舉例而言，發光層14c可為能夠傳輸電洞、電子或兩者之層。
另一層結構可使得發光層14c及并四苯化合物層14d之間固持不會不利於本發明之作用的額外主體材料層。該額外層包括發射藍色光或較短波長光之輔助發光層。其應由主體材料及發光摻雜劑構成。該等化合物之實例包括萘衍生物、蒽衍生物、并四苯衍生物、苯乙烯胺衍生物及雙(吖嗪基)亞甲基硼複合物。此等實例中之較佳者為胺基萘衍生物、胺基蒽衍生物、胺基衍生物、胺基芘、苯乙烯胺衍生物及雙(吖嗪基)亞甲基硼複合物。輔助發光層允許由再結合產生之能量快速移動至發光層14c，藉此有助於發光。
同時，發光層係由熱轉移方法或蔽蔭遮罩方法形成。由第一方法形成之發光層與由第二方法所形成之發光層相比發光效率及亮度壽命較差。熱轉移方法之缺點為當電洞傳輸層14b自真空轉移至用於熱轉移製程之惰性氣體中時，電洞傳輸層14b之表面捕集雜質以破壞載流子平衡。此問題在經設計以致使光自電洞傳輸層14b之界面發出的綠色光之有機電致發光裝置中為嚴重的。
為處理此問題，本發明之一實施例之有機電致發光裝置較佳應經設計以使得并四苯化合物層14d位於電洞傳輸層14b的面對發光層14c之彼側面上，且將輔助發光層插入發光層14c與并四苯化合物層14d之間。此結構使再結合位置自電洞傳輸層14b移動至輔助發光層，且在熱轉移時保護電洞傳輸層14b免遭污染，此有助於高效的發光及延長的壽命。
此外，對於構成有機層14之個別層(諸如電洞注入層14a、電洞傳輸層14b、發光層14c、并四苯化合物層14d及電子傳輸層14e)而言，層疊結構係可能的。
<陰極>
陰極15係形成於如上所提及地建構之有機層14上。其包括順序排列於有機層14上之第一層15a及第二層15b。
第一層15a由具有小功函數且光學透射率優良之材料形成。該材料之實例包括氧化鋰(Li2 O)、碳酸銫(Cs2 CO3 )及其混合物。第一層15a亦可由呈單質、混合物或合金形式之諸如鈣(Ca)及鋇(Ba)之鹼土金屬、諸如鋰及銫之鹼金屬、諸如銦(In)及鎂(Mg)之具有小功函數之彼等金屬及其氧化物、錯合氧化物及氟化物形成。其有助於穩定性。
第二層15b為具有優良光學透射率之MgAg的薄膜。其可另外含有有機發光材料，諸如鋁喹啉錯合物、苯乙烯胺衍生物及酞菁衍生物。在此情況下，陰極15可另外具有MgAg之透明第三層。
在將有機電致發光裝置11用於主動式矩陣型之顯示元件之情況下，於基板12上形成呈連續薄膜形式之陰極15，以使得該陰極藉由有機層14及以上所提及之絕緣薄膜(未圖示)與陽極13絕緣。其充當像素之共同電極。
以上所提及之陰極15之層結構並非限制性的；可根據待產生之裝置的結構使用任何層結構。儘管其包括第一層15a(其為促進電子注入至有機層14之無機層)及第二層15b(其為充當電極之無機層)，但其可採用單層結構，其中第一無機層亦充當第二無機層。該單層結構可由ITO之透明電極塗佈。
通常向如上所提及地建構之有機電致發光裝置供應直流電流。然而，直流電流可由交流電流或脈衝電流替換。安培數及電壓並非受特定限制的，只要其足夠小而不破壞裝置即可。鑒於裝置之功率消耗及壽命，需要藉由最小可能的電能之有效發光。
在有機電致發光裝置11具有腔室結構之情況下，陰極15由半透明半反射材料形成，以便在光自陰極15發出之前在陽極13之反射面與陰極15之反射面之間發生多重干涉。多重干涉及所得頂部發射放大了射出光之強度。陽極13之反射面與陰極15之反射面之間的光程係藉由射出光之波長來測定，且由此測定個別層之厚度。腔室結構使頂部發射型之有機電致發光裝置能夠進行有效發光且發射具有受控光譜之光。
如上所提及地建構之有機電致發光裝置較佳應由保護膜或鈍化膜(未圖示)覆蓋以免由於大氣中之水分及氧氣而劣化。保護膜可由氮化矽(通常Si3 N4 )、氧化矽(通常SiO2 )、氧化氮化矽(SiNx Oy ，x>y)或氮氧化矽(SiOx Ny ，x>y)形成。其亦可由諸如類鑽石碳(DLC)及奈米碳管(CN)之碳形成。此等薄膜較佳應建構為多個層中之單一層。在此等實例中，緊密氮化物合乎需要，此係因為其阻擋水分、氧氣、及其他不利於有機電致發光裝置11之雜質的顯著能力。
儘管以上所提及之實施例係關於頂部發射型之有機電致發光裝置，但其不意欲限制本發明。本發明包含經建構以使得包括發光層及電子傳輸層之有機層插入於陽極與陰極之間的類型之有機電致發光裝置。該裝置包括彼此疊置之基板、陰極、有機層及陽極。底部發射型之有機電致發光裝置(所謂透射型)亦可能。在此情況下，為陰極(或陽極)之接近基板之下部電極係由透明材料形成，且為陽極(或陰極)之與基板相對之上部電極係由反射材料形成。
此外，根據本發明之一實施例之有機電致發光裝置包括任一包括一對電極(陽極及陰極)及一固持於其之間的有機層之有機電致發光裝置。因此，本發明不侷限於僅包括一對電極及一有機層之有機電致發光裝置。其涵蓋具有不危害其效應之諸如無機化合物層及無機組份之額外組份之彼等有機電致發光裝置。
已確定，與藉由不具備并四苯化合物層14d之有機電致發光裝置相比，藉由如上所提及地建構之有機電致發光裝置更容易達成(如隨後實例所示)延長之壽命。
此外，有機電致發光裝置發射構成發光層14c之材料所固有之純光，而不與自接近發光層14c之并四苯化合物層14d(其發射黃色或紅色光)發射之光混合。此係因為并四苯化合物層14d捕集穿透發光層14c之電洞且阻止其進入電子傳輸層14e，以便保護構成電子傳輸層14e之材料(諸如Alq3 )免於劣化。此外，在構成發光層14c之主體材料中捕集之電洞有效激發電子。結果為發光層14c以有助於延長壽命之穩定方式發射光。在客體材料為發射藍色或綠色光之有機材料之情況下，上述結構產生對延長壽命之顯著作用。
自上述顯而易見，如上所提及地建構之有機電致發光裝置11具有長壽命，同時維持色彩純度。
[顯示元件之實施例] <顯示元件>
以下所述為由根據本發明之一實施例之有機電致發光裝置建構的顯示元件(所謂有機EL顯示元件)之一實施例。圖2為展示顯示元件之電路的示意圖。此實施例之顯示元件20為由根據本發明之一實施例之有機電致發光裝置11建構的主動式矩陣型顯示元件。
如圖2所示，顯示元件20係於基板12上形成且分為兩個區域：由虛線圍繞之顯示區域12a；及周邊區域12b。在顯示區域12a中存在水平及垂直排列之掃描線21及信號線23。在其每一交叉處有一個像素，且所有像素構成一陣列。在周邊區域12b中排列掃描線驅動電路25及信號線驅動電路27，前者驅動掃描線21且後者回應於亮度資訊向信號線23供應視訊信號(或輸入信號)。
掃描線21及信號線23之交叉處之像素具有由用於切換之薄膜電晶體Tr1、用於驅動之薄膜電晶體Tr2、儲存電容Cs，及有機電致發光裝置11構成之電路。掃描驅動電路25的運作方式使得自信號線23經由用於切換之薄膜電晶體Tr1饋入之視訊信號被保持於儲存電容Cs中。將與因此保持之信號的量成比例之電流經由用於驅動之薄膜電晶體Tr2供應至有機電致發光裝置11，以便使有機電致發光裝置11發射光。順便提及，將用於驅動之薄膜電晶體Tr2及儲存電容Cs連接至共同供電線(Vcc)29。
以上所提及之像素電路僅為本發明所應用於之實施例的實例。其可由額外電容元件及電晶體修改。亦可回應於電路之變化而修改周邊區域12b。
在根據本發明之實施例的顯示元件20中，每一像素係由紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之三個子像素構成，且每一子像素為以上關於圖1所說明之有機電致發光裝置11。複數個像素(各為三個子像素的組)排列於基板12上，以便使顯示元件能夠以良好色彩再現性進行全色彩顯示。
根據本發明之一實施例之顯示元件較佳應經建構以使得有機電致發光裝置至少部分為發藍色光裝置。發藍色光裝置具有長壽命及高色彩純度，且因此其有助於在長時期中以良好色彩再現性進行全色彩顯示。
此外，根據本發明之一實施例之顯示元件較佳應經建構以使得有機電致發光裝置至少部分為發綠色光裝置。發綠色光裝置具有長壽命及高色彩純度，且因此其有助於在長時期中以良好色彩再現性進行全色彩顯示。
由如上所提及之有機電致發光裝置11建構之顯示元件20較佳應具備保護有機電致發光裝置11以免由於大氣中之水分及氧氣而劣化之密封薄膜。
圖3為展示適用於根據本發明之一實施例之顯示元件的經密封顯示模組之示意圖。
根據本發明之一實施例之顯示元件可呈展示於圖3中之經密封模組形式。此顯示模組具有密封部分31，其圍繞含有排列於顯示區域12a中之像素之顯示區域12a。密封部分31為使顯示區域12a與為透明玻璃板之密封基板32結合之黏著劑。密封基板32可具備濾色器、保護膜、屏蔽膜等。
其中形成顯示區域12a之顯示模組之基板12可具備用於顯示區域12a(像素陣列)與外部電路之間的信號之輸入及輸出之可撓性印刷電路板33。
根據本發明之實施例之顯示元件20係由如上所提及之有效發光且具有長壽命的有機電致發光裝置建構。因此，若其係由各自發射紅色、綠色及藍色光之三種有機電致發光裝置建構，則其能夠以良好色彩再現性及高可靠性進行全色彩顯示。
可將以上所提及之根據本發明之一實施例之顯示元件應用於具有用於在內部產生或自外部接收之影像信號之顯示元件之各種電子機器及設備，諸如數位相機、筆記型個人電腦、攜帶型終端設備如行動電話及攝影機。
實例
為了說明用於生產根據本發明之一實施例之有機電致發光裝置的程序，以下參照圖1描述實例及比較實例。其由裝置之評估結果總結。
<實例1至4>
按以下方式產生有機電致發光裝置11，該裝置具有含有發射藍色光之客體材料之發光層14c。
首先，將作為30×30mm尺寸之玻璃板的基板12塗佈充當反射層之Ag合金薄膜(厚度190nm)及充當透明電極之ITO薄膜(厚度12.5nm)。此兩薄膜構成陽極13。其上具有陽極13之基板12充當用於頂部發射型有機電致發光裝置之單元。
在陽極13上藉由真空沈積以0.2至0.4nm/秒之速率自由以下式(101)表示之m-MTDATA形成作為有機層14之一組份的電洞注入層14a(厚度12nm)。m-MTDATA表示4,4',4"-參(苯基-間-甲苯胺基)三苯胺。
其次，於電洞注入層14a上藉由真空沈積以0.2至0.4nm/秒之速率自由以下式(102)表示之α-NPD形成電洞傳輸層14b(厚度120nm)。α-NPD表示N,N'-雙(1-萘基)-N,N'二苯基[1,1'-聯苯基]-4,4'-二元胺。
於電洞傳輸層14b上藉由真空沈積自作為主體材料之由結構式A-20(展示於圖2中)表示之9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)形成發光層14c(厚度30nm)。用作為藍色摻雜劑之BD-052(由Idemitsu Kosan Co.,Ltd.製造)摻雜主體材料(ADN)。摻雜劑之量為以厚度比計5%。
在發光層14c上藉由真空沈積自由以下結構式(103)表示之紅螢烯形成并四苯化合物層14d。實例1至4中之并四苯化合物層14d之厚度分別為1nm、3nm、5nm及10nm。
在并四苯化合物層14d上藉由真空沈積自Alq3(8-羥基喹啉鋁)形成電子傳輸層14e，以使得并四苯化合物層14d及電子傳輸層14e具有28nm之總厚度。因此，實例1至4中之電子傳輸層14e之厚度分別為27nm、25nm、23nm及18nm。
因此，形成包括彼此疊置之電洞注入層14a、電洞傳輸層14b、發光層14c、并四苯化合物層14d及電子傳輸層14e之有機層14。接著，於有機層14上藉由真空沈積(以0.01nm/秒之速率)自LiF形成陰極15之第一層15a(厚度約0.5nm)。於第一層15a上藉由真空沈積自MgAg形成陰極15之第二層15b(厚度11nm)。
以此方式，獲得實例1至4中之每一者的有機電致發光裝置11。
<比較實例1>
有機電致發光裝置11係藉由重複除省略并四苯化合物層14d且將於發光層14c上直接形成之電子傳輸層14e之厚度變為28nm外與實例1中相同之程序來製備。
<比較實例2>
有機電致發光裝置11係藉由重複除省略電子傳輸層14e且將其上直接形成陰極15之并四苯化合物層14d之厚度變為28nm外與實例1中相同之程序來製備。在此有機電致發光裝置11中，并四苯化合物層14d充當電子傳輸層14e。
<比較實例3>
有機電致發光裝置11係藉由重複除并四苯化合物層14d及電子傳輸層14e之厚度分別變為15nm及13nm外與實例1相同之程序來製備。
<評估之結果>
檢查以上所提及之實例1至4及比較實例1至3中所製備之有機電致發光裝置在10mA/cm2 之電流密度下之驅動電壓(V)及色彩座標(x，y)。亦檢查在以100mA/cm2 之恆定電流密度驅動之情況下其亮度半衰期。結果展示於表7中。順便提及，色彩座標為CIE色度系統之色彩座標。
由表7注意到在相同驅動電壓下與不具有并四苯化合物層14d之比較實例1中之有機電致發光裝置相比實例1至4中之有機電致發光裝置具有長得多的壽命。具有由紅螢烯替換之電子傳輸層14e之比較實例2中之樣品的色彩純度及壽命次於實例1至4中之彼等樣品，此係因為來自紅螢烯之光混合而增加色彩座標之y值。此外，與不具有并四苯化合物層14d之比較實例1中之樣品相比，具有不大於10nm厚度之并四苯化合物層14d之彼等樣品具有較長壽命。具有不小於15nm厚度之并四苯化合物層14d的比較實例2及3中之彼等樣品壽命次於實例1至4及比較實例1中之樣品。
由上述得到之結果為具有不大於10nm厚度之插入電子傳輸層14e與發光層14c之間的并四苯化合物層14d之根據本發明之一實施例之有機電致發光裝置11由於用於再結合之優良電荷平衡故享有持久的亮度。當并四苯化合物層14d具有1nm或3nm之厚度時，此效應為突出的。
<實例5及6>
製備發光層中之客體材料為發綠色光化合物的有機電致發光裝置11。
首先，將為尺寸為30×30mm之玻璃板的基板12用充當反射層之Ag合金之薄膜(厚度190nm)及充當透明電極之ITO薄膜(厚度12.5nm)塗佈。此等兩個薄膜構成陽極13。其上具有陽極13之基板12充當頂部發射型有機電致發光裝置之單元。
於陽極13上藉由真空沈積以0.2至0.4nm/秒之速率自由以上式(101)表示之m-MTDATA形成作為有機層14之一組份的電洞注入層14a(厚度8nm)。
其次，於電洞注入層14a上藉由真空沈積以0.2至0.4nm/秒之速率自由以上式(102)表示之α-NPD形成電洞傳輸層14b(厚度20nm)。
於電洞傳輸層14b上藉由真空沈積自作為主體材料之由以下結構式(A)表示之9-(1-萘基)-10-(1-聯苯基)蒽(ANB)形成發光層14c(厚度30nm)。將主體材料(ANB)用由以下結構式(B)表示之綠色摻雜劑摻雜。摻雜劑之量為以厚度比計9%。
於發光層14c上藉由真空沈積自由以下結構式(105)表示之化合物形成并四苯化合物層14d。實例5及6中之并四苯化合物層14d之厚度分別為1nm及5nm。
於并四苯化合物層14d上藉由真空沈積自Alq3 (8-羥基喹啉鋁)形成電子傳輸層14e，以使得并四苯化合物層14d及電子傳輸層14e具有40nm之總厚度。因此，實例5及6中之電子傳輸層14e之厚度分別為39nm及35nm。
因此，形成包括彼此疊置之電洞注入層14a、電洞傳輸層14b、發光層14c、并四苯化合物層14d及電子傳輸層14e之有機層14。接著，於有機層14上藉由真空沈積(以0.01nm/秒之速率)自LiF形成陰極15之第一層15a(厚度約0.5nm)。於第一層15a上藉由真空沈積自MgAg形成陰極15之第二層15b(厚度11nm)。
以此方式獲得實例5及6中之每一者的有機電致發光裝置11。
<實例7及8>
有機電致發光裝置11係藉由重複除將用於并四苯化合物層14d之化合物(105)由由以下式(106)表示之化合物替換外與實例5及6相同之程序來製備。
因此獲得根據實例5至8之有機電致發光裝置11。
<實例9及10>
有機電致發光裝置11係藉由重複除將用於并四苯化合物層14d之化合物(105)由由以下式(107)表示之化合物替換外與實例5及6相同之程序來製備。
<比較實例4>
有機電致發光裝置11係藉由重複除省略并四苯化合物層14d且將於發光層14c上直接形成之電子傳輸層14e之厚度變為40nm外與實例5中相同之程序來製備。
<評估之結果>
以與實例1至4及比較實例1至3相同之方式檢查以上所提及之實例5至10及比較實例4中所製備之有機電致發光裝置在10mA/cm2 之電流密度下之驅動電壓(V)及色彩座標(x，y)。亦檢查其在以100mA/cm2 之恆定電流密度驅動之情況下的亮度半衰期。結果展示於表8中。
由表8注意到，在相同驅動電壓下，與不具有并四苯化合物層14d之比較實例4中之有機電致發光裝置相比，實例5至10中之綠色光有機電致發光裝置具有長得多的壽命。
由上述可得到結論，具有插入於電子傳輸層14e與發光層14c之間的并四苯化合物層14d之根據本發明之實施例之有機電致發光裝置11由於用於再結合之優良電荷平衡故享有持久的亮度。
<實例11至14及比較實例5>
此等實例顯示如圖4A至圖4C中示意性展示之藉由雷射轉移產生有機電致發光裝置之方法。
在實例11至14及比較實例5中，以與實例5及6相同之方式製備頂部發射型有機電致發光裝置之單元。於裝置之基板12上形成陽極13。藉由圖案化形成絕緣薄膜20以使得其覆蓋陽極13之周邊，而使像素區域仍開放。如圖4A所示，於陽極13上藉由真空沈積順序形成電洞注入層14a及電洞傳輸層14b。
按以下方式製備用於轉移之基板30r。藉由普通濺鍍，以鉻之吸光層33(厚度200nm)塗佈玻璃基板31。藉由真空沈積用作為主體材料之由以上結構式(A)表示之9-(1-萘基)-10-(1-聯苯基)蒽(ANB)之發光層14c(厚度30nm)塗佈吸光層33。用由以上結構式(B)表示之綠色摻雜劑摻雜ANB。摻雜劑之量為以厚度比計9%。
因此獲得之用於轉移之基板30r係位於裝置之基板12上，使得電洞傳輸層14b及發光層14c如圖4B所示彼此面對，且其在真空中緊密膠合於一起。在用於轉移之基板30r與電洞傳輸層14b之間存在小間隙(約2μm，視絕緣層20之厚度而變化)。如圖4C所示將用於轉移之基板30r的相反側面用具有800nm之波長的雷射光束(hr)輻射，以便雷射光束之能量由吸光層33吸收。吸收的能量(或熱)係用以將發光層14c自用於轉移之基板30r轉移至電洞傳輸層14b上。
雷射光束hr具有300×10μm之光斑尺寸及2.6e-3 mJ/μm2 之能量密度。沿垂直於雷射光束hr之光斑之長側的方向掃描雷射光束hr。
藉由真空沈積用輔助發光層(厚度30nm)塗佈因此形成之發光層14c，該輔助發光層含有作為主體材料之由表2中之結構式A-20所表示之9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)。用作為藍色摻雜劑之BD-052(由Idemitsu Kosan Co.,Ltd.製備)摻雜(ADN)。摻雜劑之量為以厚度比計5%。未展示輔助發光層。
藉由真空沈積用以上所提及之化合物(105)之并四苯化合物層14d塗佈因此形成之輔助發光層。實例11至14中之并四苯化合物層14d之厚度分別為1nm、3nm、5nm及10nm。
接著，藉由真空沈積自Alq3 (8-羥基喹啉鋁)形成電子傳輸層14e(厚度39nm)。確定電子傳輸層14e之厚度，使得并四苯化合物層14d及電子傳輸層14e之總厚度為40nm。因此，實例11至14中之電子傳輸層14e之厚度分別為39nm、37nm、35nm及30nm。在比較實例5中，省略并四苯化合物層14d且藉由真空沈積形成電子傳輸層14e(厚度40nm)。
因此，獲得包括順序彼此相疊之電洞注入層14a、電洞傳輸層14b、發光層14c、并四苯化合物層14d、輔助發光層(未圖示)及電子傳輸層14e之有機層14。隨後，藉由真空沈積以0.01nm/秒之速率自LiF形成陰極之第一層15a(厚度約0.5nm)。最終，於第一層15a上藉由真空沈積自MgAg形成陰極15之第二層15b(厚度11nm)。因此獲得有機電致發光裝置11。
<評估之結果>
檢查以上所提及之實例11至14及比較實例5中所製備之有機電致發光裝置在10mA/cm2 之電流密度下被驅動時的色彩座標(x，y)，在10mA/cm2 之電流密度下被驅動時的發光效率(cd/A)，及在以100mA/cm2 之恆定電流密度驅動之情況下的亮度半衰期。結果展示於表9中。
由表9注意到，在相同驅動電壓下，與不具有并四苯化合物層之比較實例5中之有機電致發光裝置相比，實例11至14中之發綠色光有機電致發光裝置具有長得多的壽命。
由上述得出結論，具有插入於電子傳輸層與發光層之間的并四苯化合物層14d之根據本發明之實施例之有機電致發光裝置由於用於再結合之優良電荷平衡故享有持久的亮度。
本申請案含有與於2008年5月16日在日本專利局(Japan Patent Office)申請之日本優先專利申請案JP 2008-129592中所揭示內容相關之標的物，該案之全部內容以引用的方式併入本文中。
熟習此項技術者應瞭解，視設計要求及其他因素而定可進行各種修改、組合、子組合及變更，只要該等修改、組合、子組合及變更在附加之申請專利範圍或其均等物之範疇內。
11．．．有機電致發光裝置
12．．．基板
12a．．．顯示區域
12b．．．周邊區域
13．．．陽極
14．．．固持於電極之間的有機層
14a．．．電洞注入層
14b．．．電洞傳輸層
14c．．．發光層
14d．．．并四苯化合物層
14e．．．電子傳輸層
15．．．陰極
15a．．．陰極之第一層
15b．．．陰極之第二層
20．．．顯示元件/絕緣薄膜
21．．．掃描線
23．．．信號線
25．．．掃描線驅動電路
27．．．信號線驅動電路
29．．．供電線
30r．．．基板
31．．．密封部分/玻璃基板
32．．．密封基板
33．．．可撓性印刷電路板/吸光層
圖1為展示根據本發明之一實施例的有機電致發光裝置之結構的剖視圖；
圖2為展示根據本發明之一實施例之顯示元件的電路之示意圖；
圖3為展示適用於根據本發明之一實施例之顯示元件的經密封顯示模組之示意圖；且
圖4A至圖4C為展示用於藉由雷射轉移技術產生根據本發明之一實施例之有機電致發光裝置之方法的示意圖。
11．．．有機電致發光裝置
12．．．基板
13．．．陽極
14．．．固持於電極之間的有機層
14a．．．電洞注入層
14b．．．電洞傳輸層
14c．．．發光層
14d．．．并四苯化合物層
14e．．．電子傳輸層
15．．．陰極
15a．．．陰極之第一層
15b．．．陰極之第二層

Claims (12)

  1. 一種有機電致發光裝置，其包含：一陽極；一陰極；及一固持於該等電極之間的有機層，該有機層包括：一發光層，一含有并四苯化合物之并四苯化合物層，及一電子傳輸層；該發光層係由發光客體材料及具有蒽骨架之芳族烴化合物構成，且該并四苯化合物層含有不小於80wt%之由以下式(1)表示之并四苯化合物且具有0.5nm至10nm之厚度且以其一側面與該電子傳輸層的一側面接觸，該電子傳輸層的該一側面係面對該發光層 其中，R1 至R8 獨立地表示氫原子；鹵原子；羥基；氰基；硝基；羰基、羰基酯基、烷基、烯基及烷氧基中之任一者，該等基團可經具有不多於20個碳原子之基團取代；及矽烷基、芳基及雜環基中之任一者，該等基團可經具有不多於30個碳原子之基團取代。
  2. 如請求項1之有機電致發光裝置，其中該并四苯化合物層包含不小於80wt%之由以下式(2)表示之并四苯化合物 其中，R1 至R4 獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之萘基、雜環基團、經苯基取代之雜環基團及具有不多於13個碳原子之稠合多環芳族雜環基團中之任一者。
  3. 如請求項2之有機電致發光裝置，其中用於該并四苯化合物層之該式(2)中之R1 至R4 獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基及經取代或未經取代之萘基中之任一者。
  4. 如請求項1之有機電致發光裝置，其中該并四苯化合物層具有1nm至5nm之厚度。
  5. 如請求項1之有機電致發光裝置，其具有一形成於該發光層與該并四苯化合物層之間之輔助發光層。
  6. 如請求項1之有機電致發光裝置，該發光客體材料為發射藍色或綠色光之有機材料。
  7. 如請求項1之有機電致發光裝置，其中該發光層所產生之光在固持於該陽極與該陰極之間的任何層之間經受多重干涉，且接著自該陽極或該陰極發射。
  8. 如請求項1之有機電致發光裝置，其中該發光層所產生之光在固持於該陽極與該陰極之間的任何層之間經受多重干涉，且接著自該陰極發射。
  9. 一種顯示元件，其包含： 一基板；及一排列於該基板上之有機電致發光裝置陣列，其中該等有機電致發光裝置中之至少一部分為包括以下各物之有機電致發光裝置：一陽極，一陰極，及一固持於該等電極之間的有機層，該有機層包括：一發光層，一含有并四苯化合物之并四苯化合物層，及一電子傳輸層；該發光層係由發光客體材料及具有蒽骨架之芳族烴化合物構成，且該并四苯化合物層含有不小於80wt%之由以下式(1)表示之并四苯化合物且具有0.5nm至10nm之厚度且以其一側面與該電子傳輸層的一側面接觸，該電子傳輸層的該一側面係面對該發光層 其中，R1 至R8 獨立地表示氫原子；鹵原子；羥基；氰基；硝基；羰基、羰基酯基、烷基、烯基及烷氧基中之任一者，該等基團可經具有不多於20個碳原子之基團取代；及矽烷基、芳基、及雜環基中之任一者，該等基團可經具有不多於30個碳原子之基團取代。
  10. 如請求項9之顯示元件，其中該等有機電致發光裝置中之至少一部分為發藍色光之有機電致發光裝置。
  11. 如請求項9之顯示元件，其中該等有機電致發光裝置中之至少一部分為發綠色光之有機電致發光裝置。
  12. 如請求項9之顯示元件，其中該基板具有排列於該基板上之發藍色、綠色及紅色光之有機電致發光裝置，且發藍色光之該等有機電致發光裝置及/或發綠色光之該等有機電致發光裝置構成該等有機電致發光裝置中之至少一部分。
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