CN113937130A - 有机电致发光器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种包括红色、绿色、蓝色发光层和两层覆盖层的有机电致发光器件。该有机电致发光器件可以优化红光、绿光以及蓝光的光提取效率，从而提高图像质量并且降低随视角而定的颜色变化程度。

Description

有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件，并且更具体地，涉及一种包括红色、绿色、蓝色发光层和两层覆盖层的有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光器件包括有红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)子像素构成的多个像素。每个子像素具有有机电致发光器件(OLED)和位于子像素中的像素电路。OLED包括两个电极(阳极和阴极)和位于这两个电极之间的有机发光层。像素电路包括至少两个薄膜晶体管和至少一个电容器。

通常，有机发光层由位于红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的每一个中的红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层构成。

在顶发光的有机电致发光装置结构中，由于金属阴极层与底部的金属反射层会形成谐振腔(也称微腔)，因此存在相长干涉和相消干涉。随着可视角的改变，金属阴极层与底部的金属反射层的距离(即微腔的腔长)随之发生改变，这样会导致在不同可视角下观察的亮度和颜色出现很大差异，严重影响产品性能。

在这样的发光元件中，在发光层中所发出的光入射到其他膜的情况下，如果以某角度以上入射，则在发光层与其他膜的界面处会发生全反射。因此，只能利用发出的光的一部分。近年来，为了提高光的取出效率和改善色偏，提出在折射率低的半透明电极的外侧设置有折射率高的“覆盖层”的发光元件。红、绿、蓝三色光对于各自对应的覆盖层材料的要求不尽相同，因此需要针对不同发光颜色的具有非常微小尺寸的子像素区域单独沉积各自对应的覆盖层材料，并且需要复杂的图案化技术，见图1(a)。

发明内容

因此，为了克服现有技术的问题，本申请提供一种包括红色、绿色、蓝色发光层和两层覆盖层的有机电致发光器件，其优点在于：光提取效率明显提高，改善器件视偏和出射光的角度依赖性，图案化技术要求降低，工艺要求和成本也大幅度降低，从而可以实现制造容易并且具有高分辨率的效果。

本发明的目的在于提供一种在蓝光、绿光和红光的光提取效率和改善色偏方面具有均衡提升效果且成本低廉的OLED器件。

本发明的目的是通过提供一种具有以下结构的有机电致发光器件而实现的，其包括：

基板，包括多个子像素区域，所述多个子像素区域包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域；

多个第一电极，在所述基板上被布置为与所述多个子像素区域中的每一个相对应；

红色、绿色及蓝色发光层，形成在所述各自对应的第一电极上；

第二电极，覆盖所述红色、绿色及蓝色发光层；

第一覆盖层，覆盖所述第二电极；

第二覆盖层，覆盖所述红色子像素区域和/或绿色子像素区域内的第一覆盖层；

其中，在蓝色子像素区域内的第一覆盖层的折射率(n1@450nm)为1.8到2.4，优选1.8到2.3，最优选1.9到2.3；并且

在红色子像素区域内的第二覆盖层的折射率(n2@620nm)为1.9到2.7，优选1.9到2.6，最优选2.0到2.6；

在绿色子像素区域内，第二覆盖层的折射率(n2@525nm)为2.0到2.7，优选2.0到2.6，最优选2.1到2.6。

根据本发明的有机电致发光器件，优化了红光、绿光和蓝光的光提取效率，从而提高了图像质量；同时也降低了随视角而变的颜色变化程度。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将变得明显，在附图中：

图1示出沉积覆盖层时需要的图案化技术的掩模板(mask)；(a)为现有技术中的图案化技术的掩模板；(b)为本发明中，沉积第一覆盖层时需要的图案化技术的掩模板；(c)为本发明的有机电致发光器件1中沉积第二覆盖层时需要的图案化技术的掩模板；(d)为本发明的有机电致发光器件2中沉积第二覆盖层时需要的图案化技术的掩模板；(e)为本发明中，有机电致发光器件3中沉积第二覆盖层时需要的图案化技术的掩模板

图2示出根据第一示例性实施例的有机电致发光器件的示意性剖面图，其中在绿色子像素区域内的第二覆盖层401与在红色子像素区域内的第二覆盖层402的材料不同。

图3示出根据第二示例性实施例的有机电致发光器件的示意性剖面图，其中在绿色和红色子像素区域内的第二覆盖层403使用相同的材料。

图4示出根据第三示例性实施例的有机电致发光器件的示意性剖面图，其中仅在红色子像素区域内具有第二覆盖层404。

图5示出有机电致发光器件(OLED)200的剖面结构示意图。

具体实施方式

定义

在整篇说明书中，除非明确地进行相反的描述，否则“包括”任何部件将被理解为暗含包含其他元件，而不是排除任何其它元件。此外，应理解，在整篇说明书中，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称为在另一元件“上”或“上方”时，其可以“直接在”另一元件“上”，或者也可以存在中间元件。另外，“在......上”或“在......上方”是指位于目标部分的上面，而不一定是指按照重力方向位于上方。

子像素区域是指一个子像素所在的区域。

像素区域是指一个像素所在的区域。

像素是指由红蓝绿(RGB)三原色组成，每个像素上的每种颜色叫一个“子像素”。

在本文中，对于材料的折射率表示方法为，在圆括号首先列出以n1代表的第一覆盖层或以n2代表的第二覆盖层，然后是入射光的波长；因此，折射率的表示方法为例如(n1@450nm)，意指对于450nm波长的光线而言，第一覆盖层材料相对于真空的折射率。

在本文中，所使用的“覆盖层”而没有前缀词“第一”或“第二”，则代表包括各自的子像素区域内的全部覆盖层。例如在红色子像素区域内，则包括第一和第二覆盖层。相应地，所使用的“覆盖层的折射率”而没有前缀词“第一”或“第二”，则指的是全部覆盖层的综合折射率。

在本文中，所使用的“蓝色子像素区域内的折射率”是指对于450nm波长的蓝光而言，第一覆盖层材料相对于真空的折射率，以n1@450nm表示；“绿色子像素区域内的折射率”是指对于525nm波长的绿光而言，第一和/或第二覆盖层材料相对于真空的折射率；“红色子像素区域内的折射率”是指对于620nm波长的红光而言，第一和/或第二覆盖层材料相对于真空的折射率。

本发明提供一种有机电致发光器件，所述显示器包括：基板，包括多个子像素区域，所述多个子像素区域包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域；多个第一电极，在所述基板上被布置为与所述多个子像素区域中的每一个相对应；红色、绿色及蓝色发光层，形成在所述各自对应的第一电极上；第二电极，覆盖所述红色、绿色及蓝色发光层；第一覆盖层，覆盖所述第二电极；第二覆盖层，覆盖所述红色子像素区域和/或绿色子像素区域内的第一覆盖层。

其中，在蓝色子像素区域内的第一覆盖层的折射率(n1@450nm)为1.8到2.4，优选1.8到2.3，最优选1.9到2.3；并且

在红色子像素区域内的第二覆盖层的折射率(n2@620nm)为1.9到2.7，优选1.9到2.6，最优选2.0到2.6；

在绿色子像素区域内，第二覆盖层的折射率(n2@525nm)为2.0到2.7，优选2.0到2.6，最优选2.1到2.6。

其中，第一电极可以为阳电极，即空穴注入电极，而第二电极可以为阴电极，即电子注入电极；或者第一电极可以为阴电极，即电子注入电极，而第二电极可以为阳电极，即空穴注入电极。当第一电极为阳电极时，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)和电子阻挡层(EBL)中的至少一个可以被布置在第一电极与发光层之间。此外，空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个可以被布置在发光层与第二电极之间。

覆盖层

覆盖层为在可见光下的折射率≥1.8的有机材料。所述覆盖层包含第一覆盖层和/或第二覆盖层。

第一覆盖层

在红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域内，使用相同的有机材料作为第一覆盖层。

第一覆盖层的有机材料是以单胺、双胺、咔唑、咔唑并环、均苯、氮杂苯、氧杂蒽酮、二苯并呋喃、螺芴、芴或氧杂螺芴为母核，以芳基、杂芳基或胺基中的一种或多种的组合为支链的有机化合物；优选第一覆盖层的有机材料是以联苯二胺、三苯胺、吡啶、咔唑、咔唑并环、1，3，5-三苯基苯、螺芴、氧杂蒽酮或氧杂螺芴为母核，以苯基、萘基、联苯基、苯并噁唑基、二苯并呋喃基、胺基或苯并噻唑基为支链的有机化合物，其中所述作为支链的基团可为未取代的或被选自苯基或咔唑基的基团取代。

最优选第一覆盖层的有机材料选自下列CP1-1至CP1-16所示结构的化合物：

上述有机材料CP1-1至CP1-16是可市售或按照专利公开号CN109761967A、CN109928962A等公开记载的方法制备，如CP1-2可购自武汉尚赛光电科技有限公司，CP1-6可参照CN109761967A中记载的实施例1制备得到，CP1-8可参照CN109928962A中记载的实施例2制备得到。

在蓝色子像素区域、绿色子像素区域和红色子像素区域内，使用相同材料作为第一覆盖层时，在蓝色子像素区域的折射率最大，绿色子像素区域的折射率次之，在红色子像素区域的折射率最小；即，n1@450nm＞n1@525nm＞n1@620nm。

所述第一覆盖层在蓝色子像素区域内的折射率(n1@450nm)为1.8到2.4，优选1.8到2.3，最优选1.9到2.3；在绿色子像素区域内的折射率(n1@525nm)为1.8到2.3，优选1.8到2.2，最优选1.9到2.2范围内。

第一覆盖层在蓝色子像素区域内的折射率(n1@450nm)与在绿色子像素内的折射率(n1@525nm)之差值大于0且小于等于0.2，优选大于0且小于等于0.15。

所述第一覆盖层在红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域内的膜厚相同，为20-120nm，优选30-100nm，最优选30-85nm。

第二覆盖层

第二覆盖层可以同时覆盖红色子像素区域、绿色子像素区域内的第一覆盖层，也可以仅仅覆盖红色子像素区域内的第一覆盖层。

当所述第二覆盖层同时覆盖红色子像素区域、绿色子像素区域内的第一覆盖层时，用于红色子像素区域、绿色子像素区域内的第二覆盖层有机材料，可以相同，也可以不相同。

第二覆盖层的有机材料是以单胺、双胺、咔唑、咔唑并环、均苯或氮杂苯、为母核，以芳基、杂芳基或胺基中的一种或多种组合为支链的有机化合物；优选第二覆盖层的有机材料是以联苯二胺、三嗪、1，3-二苯基苯、三联苯二胺、吡啶、三苯胺、咔唑或咔唑并环为母核，以苯基、氧杂蒽酮基、二苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、N-苯基咔唑基或胺基为支链的有机化合物，其中所述作为支链的基团可为未取代的或被苯基取代的基团；特别是，第二覆盖层的有机材料的特征在于支链基团中至少一个含有选自氧杂蒽酮基、二苯并呋喃基、苯并噁唑基或苯并噻唑基的基团。

最优选第二覆盖层的有机材料选自下列CP2-1至CP2-11所示结构的化合物：

上述有机材料CP2-1至CP2-11是可市售或按照专利公开号CN109206420A、CN109824659A等公开记载的方法制备，如CP2-2可参照CN109206420A中记载的实施例3制备得到，CP2-8可参照CN109824659A中记载的实施例1制备得到。

在红色子像素区域内的第二覆盖层的折射率(n2@620nm)为1.9到2.7，优选1.9到2.6，最优选2.0到2.6。在绿色子像素区域内，第二覆盖层的折射率(n2@525nm)为2.0到2.7，优选2.0到2.6，最优选2.1到2.6。

当所述第二覆盖层覆盖绿色子像素区域内和红色子像素区域内的第一覆盖层时，第一和第二覆盖层的材料应当这样选择，使得n1@450nm-n2@620nm≤0.2且n1@450nm-n2@525nm≤0.2，优选n1@450nm-n2@620nm≤0.1且n1@450nm-n2@525nm≤0.1，更优选n1@450nm-n2@620nm≤0且n1@450nm-n2@525nm≤0，最优选n1@450nm-n2@620nm＜0且n1@450nm-n2@525nm＜0；换言之，第一覆盖层在蓝色子像素区域内的折射率(n1@525nm)与第二覆盖层在绿色和红色子像素区域内的折射率(n2@525nm和n2@620nm)之差值均小于或等于0.2，优选小于或等于0.1，更优选小于或等于0，最优选第一覆盖层的有机材料在蓝光下的折射率小于第二覆盖层的有机材料在红光和/或绿光下的折射率，例如，-0.25≤n1@450nm-n2@525nm≤-0.05；-0.2≤n1@450nm-n2@620nm≤-0.04。

当所述第二覆盖层覆盖绿色子像素区域内和红色子像素区域内时，第二覆盖层的材料应当这样选择，使得第二覆盖层在绿色子像素区域内的折射率(n2@525nm)与在红色子像素区域内的折射率(n2@620nm)之差值小于或等于0.1，优选小于或等于0，更优选第二覆盖层在绿色子像素区域内的折射率(n2@525nm)小于在红色子像素区域内的折射率(n2@620nm)；也可以表达为n2@525nm-n2@620nm≤0.1，优选n2@525nm-n2@620nm≤0，更优选n2@525nm-n2@620nm＜0，例如-0.2≤n2@525nm-n2@620nm≤-0.05。

当所述第二覆盖层仅仅覆盖红色子像素区域内的第一覆盖层时，第二覆盖层的材料应当这样选择，使得n1@450nm-n2@620nm≤0.2，优选n1@450nm-n2@620nm≤0.1，更优选n1@450nm-n2@620nm≤0，最优选n1@450nm-n2@620nm＜0；具体地，第一覆盖层在蓝色子像素区域内的折射率(n1@525nm)与第二覆盖层在红色子像素区域内的折射率(n2@620nm)之差值小于或等于0.2，优选小于或等于0.1，更优选小于或等于0，最优选第一覆盖层的有机材料在蓝光下的折射率小于第二覆盖层的有机材料在绿光下的折射率，例如-0.2≤n1@450nm-n2@620nm≤-0.04。

所述第二覆盖层在绿色子像素区域内的膜厚为10-100nm，优选10-90nm，最优选10-80nm；

所述第二覆盖层在红色子像素区域内的膜厚为10-100nm，优选10-90nm，最优选10-80nm；

所述第二覆盖层在红色子像素区域、绿色子像素区域内的厚度可以相同，也可以不同；优选为第二覆盖层在绿色子像素区域内的厚度小于第二覆盖层在红色子像素区域内的厚度。

空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)

空穴注入层(HIL)的材料通常是优选具有高功函数的材料，使得空穴容易地注入发光层中。本发明的空穴注入层的厚度可以是5-100nm、优选是5-50nm且更优选是5-20nm。

空穴传输层(HTL)的材料优选为具有高的空穴迁移率的材料，这能使空穴从阳电极或空穴注入层转移到发光层。本发明的空穴传输层的厚度可以是5-200nm、优选是10-150nm。

电子阻挡层(EBL)可设置在空穴注入层/空穴传输层之上。本发明的电子阻挡层的厚度可为1-200nm、优选为10-100nm。

作为在空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层材料，可以从已知的用于OLED装置的相关材料中选择任意的材料进行使用。

上述材料的实例可为酞菁衍生物、三唑衍生物、三芳基甲烷衍生物、三芳基胺衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、腙衍生物、芪衍生物、吡啶啉衍生物、聚硅烷衍生物、咪唑衍生物、苯二胺衍生物、氨基取代奎尔酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、苯乙烯基胺衍生物等苯乙烯化合物、芴衍生物、螺芴衍生物、硅氮烷衍生物、苯胺类共聚物、卟啉化合物、咔唑衍生物、多芳基烷衍生物、聚亚苯基乙烯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚-N-乙烯基咔唑衍生物、噻吩低聚物等导电性高分子低聚体、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺化合物、三胺类、四胺类、联苯胺类、丙炔二胺衍生物、对苯二胺衍生物、间苯二胺衍生物、1，1’-双(4-二芳基氨基苯基)环已烷、4，4’-二(二芳基胺类)联苯类、双[4-(二芳基氨基)苯基]甲烷类、4，4”-二(二芳基氨基)三联苯类、4，4”-二(二芳基氨基)四联苯类、4，4’-二(二芳基氨基)二苯基醚类，4，4’-二(二芳基氨基)二苯基硫烷类，双[4-(二芳基氨基)苯基]二甲基甲烷类、双[4-(二芳基氨基)苯基]-二(三氟甲基)甲烷类或者2，2-二苯基乙烯化合物等。

空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)中的至少一个还可以包括用于改善传导性的电荷产生材料。所述电荷产生材料可以为p-掺杂剂。P-掺杂剂的非限定性化合物如：醌衍生物，如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2，3，5，6-四氟-四氰基-1，4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)；或六氮杂三亚苯衍生物，如2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯(HAT-CN)；或环丙烷衍生物，如4，4′，4″-((1E，1′E，1″E)-环丙烷-1，2，3-三亚甲基三(氰基甲酰亚基))三(2，3，5，6-四氟苄基)；或金属氧化物，如氧化钨和氧化钼，但不限于此。

电子阻挡层(EBL)中要求材料的三线态(T1)能级高于发光层202中主体材料的T1能级，能够起到阻挡发光层材料能量损失的作用；电子阻挡层(EBL)材料的HOMO能级介于空穴传输层(HTL)材料的HOMO能级和发光层202主体材料的HOMO能级之间，利于空穴从正电极注入到发光层中，同时要求电子阻挡层(EBL)材料具有高的空穴迁移率，利于空穴传输，降低装置应用功率；电子阻挡层(EBL)材料的LUMO能级高于发光层202主体材料的LUMO能级，起到电子阻挡的作用，也就是要求电子阻挡层(EBL)材料具有宽的禁带宽度(Eg)。符合以上条件的电子阻挡层(EBL)材料可以为三芳基胺衍生物、芴衍生物、螺芴衍生物、二苯并呋喃衍生物、咔唑衍生物等。其中优选三芳基胺衍生物，如，N4，N4-双([1，1′-联苯]-4-基)-N4′-苯基N4′-[1，1′：4′，1″-三联苯]-4-基-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺；螺芴衍生物，如N-([1，1′-二苯基]-4-基)-N-(9，9-二甲基-9H-呋喃-2-基)-9，9′-螺二芴-2-胺；二苯并呋喃衍生物，如N，N-二([1，1′-联苯]-4-基)-3′-(二苯并[b，d]呋喃-4-基)-[1，1′-联苯基]-4-胺，但不限于此。

发光层

发光层可设置在空穴传输区域之上。本发明的发光层的厚度可以为5-60nm，优选为10-50nm，更优选为20-45nm。

为了得到高效率OLED装置，其发光层可采用相同的一种掺杂材料，或采用多种掺杂材料，掺杂材料可为单纯的荧光材料、延迟荧光(TADF)材料或磷光材料，或由不同的荧光材料、TADF材料、磷光搭配组合而成。发光层可为单一的发光层材料，也可以为横向或纵向叠加在一起的复合发光层材料。

作为构成上述OLED发光体的发光层物质的主体材料不但需要具备双极性的电荷传输特性，同时需要具备恰当的能阶，可将因电子和空穴复合产生的激发能有效的传递到客体发光材料，即掺杂材料。主体材料的实例选自，但不限于，二苯乙烯基亚芳基衍生物、均二苯乙烯衍生物、咔唑衍生物、三芳基胺衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、三嗪衍生物、氧杂蒽酮衍生物、三亚苯衍生物、氮杂苯衍生物、六苯并苯衍生物或者双(2-甲基-8-喹啉)(对-苯基苯酚)铝(BAlq)等。

作为能够产生蓝色荧光、蓝色磷光、绿色荧光、绿色磷光及蓝绿色荧光的客体材料，不但需要具备极高的荧光量子发光效率，同时还需要具备恰当的能阶，可有效吸收主体材料的激发能而发光，这样的材料，没有特别限定。其选自，但不限于，二苯乙烯胺类衍生物、芘衍生物、蒽衍生物、三嗪衍生物、氧杂蒽酮衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、屈衍生物、二氮杂菲衍生物、二苯乙烯基苯衍生物或者四苯基丁二烯衍生物等。其中可以使用4，4’-双[2-(9-乙基咔唑-2-基)-乙烯基]联苯(BCzVBi)、苝等，还可列举出四联苯系化合物、双苯基系化合物、苯咪唑系化合物、苯并噁唑系化合物、苯并噁二唑系化合物、苯乙烯基苯化合物、联苯乙烯吡嗪系化合物、丁二烯系化合物，萘二甲酰亚胺化合物、紫苏烯系化合物、醛连氮系化合物、环戊二烯系化合物、吡咯并吡咯甲酰系化合物、苯乙烯基胺系化合物、香豆素系化合物、芳香族二甲苯茶碱系化合物、将8-喹啉酚系物质作为配体的金属配位化合物或者聚苯系化合物等单独一种或两种以上的组合。可列举出的具体实例为芳香族二甲苯茶碱系化合物，如：4，4’-双(2，2-二-1-丁基苯基乙烯基)双苯基(简称：DTBPBBi)或者4，4’-双(2，2-二苯基乙烯基)双苯基(简称：DPVBi)等和它们的衍生物。

相对于荧光主体材料，荧光客体材料的含有量(掺入量)优选为0.01重量％以上20重量％以下，更优选0.1重量％以上10重量％以下。

上述OLED装置所包括的发光层340，不仅可使用上述荧光发光材料，还可以使用磷光材料。对比荧光材料，磷光材料在发光过程中可以同时利用单线态和三线态激子，理论上内部量子效率可以达到100％，从而可以大大提高发光装置的发光效率。

作为蓝色磷光掺杂材料，只要是具有蓝色磷光发光功能的物质即可，没有特别限定。例如可以举出铱、钛、铂、铼、钯等的金属配合物。其中，优选上述金属配合物的配位体中至少一个具有苯基吡啶骨架、二吡啶骨架、卟啉骨架等的配合物。更具体地说，可以举出双[4，6-二氟苯基吡啶-N，C2’]-甲基吡啶铱、三[2-(2，4-二氟苯基)吡啶-N，C2’]铱、二[2-(3，5-三氟甲基)吡啶-N，C2’]-甲基吡啶铱或者双[4，6-二氟苯基吡啶-N，C2’]乙酰丙酮铱。

作为绿色磷光掺杂材料，只要是具有绿色磷光发光功能的物质即可，没有特别限定。例如可以举出铱、钉、铂、铼、钯等的金属配合物，还可以举出上述金属配合物的配位体中至少一个具有苯基吡啶骨架、二吡啶骨架、卟啉骨架等的配合物作为绿色磷光掺杂剂，更具体地说，可以举出面式(face)-三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)、双[2-苯基吡啶-N，C2’]-乙酰丙酮铱或者面式-三[5-氟-2-(5-三氟甲基-2-吡啶)苯基-C，N]铱等。

作为红色磷光掺杂材料，可以例举出八乙基卟啉铂(II)(PtOEP)、三(2-苯基异喹啉)铱(Ir(piq)3)、双(2-(2’-苯并噻吩基)-吡啶-N，C3’)铱(乙酰丙酮化物)(Btp2Ir(acac))等。

相对于磷光主体材料计，磷光掺杂材料的含有量(掺杂量)优选为0.01重量％以上30重量％以下，更优选为0.1重量％以上20重量％以下。使用绿色磷光掺杂材料时，相对于磷光主体材料计，优选为0.1重量％以上20重量％以下。

另外，作为磷光主体材料，只要是其三重态能量大于磷光掺杂剂的三重态能量的材料即可，没有特别限定。例如可以举出咔唑衍生物、二氮杂菲衍生物、三嗪衍生物、三唑衍生物、羟基喹啉类金属配合物。具体地说，可以举出4，4’，4”-三(9-咔唑基)三苯胺、4，4’-双(9-咔唑基)-2，2’-二甲基联苯、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲(BCP)、3-苯基-4-(1’-萘基)-5-苯基咔唑、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)或者双-(2-甲基-8-羟基喹啉-4-(苯基苯酚)铝等。

除了上述发光层所使用的荧光或磷光主客体材料，发光层材料还可以采用非主客体掺杂体系材料，如激基复合物能量传递以及界面发光等；发光层材料还可以采用具有热活化延迟荧光(TADF)功能的主客体材料，以及TADF功能材料和上述的荧光、磷光材料相互组合搭配的形式。

空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)

空穴阻挡层(HBL)为阻挡从阳极注入的空穴穿过发光层而进入阴极，由此延长器件的寿命并提高器件的效能的层。本发明的空穴阻挡层可设置在发光层至上。本发明的空穴阻挡层的厚度可为2-200nm、优选为5-150nm且更优选为10-100nm。

电子传输层(ETL)可设置在发光层或(若存在的话)空穴阻挡层之上。电子传输层材料是一种容易接收阴极的电子并将接收的电子转移至发光层的材料。优选具有高的电子迁移率的材料。本发明的电子传输层的厚度可以为10-80nm、优选为20-60nm且更优选为25-45nm。

组成上述OLED装置的空穴阻挡层、电子传输层的材料，可以在具备电子传输特性的用于OLED的材料中选择任意材料进行使用。这样的材料可以举出如1，3-双[5’-(对叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2’-基]苯、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑等噁二唑衍生物、3-(4’叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4”-联苯)-1，2，4-三唑等三唑衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、喹噁啉衍生物、二苯醌衍生物、硝基取代茐酮衍生物、噻喃二氧化物衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘基苝等杂环四酸酐、碳化二亚胺、茐衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、硅杂环戌二烯衍生物、二氮杂菲衍生物或者咪唑并吡啶衍生物等。

另外，还可以举出双(10-苯并[h]羟基喹啉)铍、5-羟基黄铜的铍盐、5-羟基黄铜的铝盐等有机金属配合物或者8-羟基喹啉或其衍生物的金属配合物，如三(8-羟基喹啉)铝(Alq)、三(5，7-二氯-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对-苯基苯酚)铝(BAlq)、三(5，7-二溴-8-羟基喹啉)铝。三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝等植物激素(一般而言为8-羟基喹啉)等羟基喹啉类金属配合物等的含有螯合剂的金属螯合剂化合物。另外，还可以举出这些金属配合物的中心金属被替换成铍、铟、镁、铜、钙、锡、锌或铝的金属配合物等的实例。优选使用非金属、金属酞菁或者是它们的末端被置换为烷基、磺基等的物质。还可以使用2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲(BCP)、3-苯基-4-(1’-萘)-5-苯基-1，2，4-三唑(TAZ)。

空穴阻挡层(HBL)中要求材料的三线态(T1)能级高于发光层202中主体材料的T1能级，能够起到阻挡发光层材料能量损失的作用；空穴阻挡层(HBL)材料的HOMO能级低于发光层202主体材料的HOMO能级，起到空穴阻挡的作用，同时要求空穴阻挡层(HBL)材料具有高的电子迁移率，利于电子传输，降低装置应用功率；符合以上条件的空穴阻挡层(HBL)材料可以为三嗪衍生物、氮杂苯衍生物等。其中优选三嗪衍生物；但不限于此。

电子注入层(EIL)

电子注入层(EIL)可设置在电子传输层之上。电子注入层材料通常是优选具有低功函数的材料，使得电子容易地注入有机功能材料层中。本发明的电子注入层的厚度可以为0.1-5nm、优选为0.5-3nm且更优选为0.8-1.5nm。

电子注入层(EIL)可以由以下物质中的一种或多种形成：碱金属；碱土金属；碱金属和碱土金属的卤化物；碱金属和碱土金属的氧化物、碱金属和碱土金属的碳酸盐；碱金属和碱土金属的草酸盐或碱金属和碱土金属的氟铝酸盐。可以例举出如Li、Ca、Sr、LiF、CsF、BaO、Li₂CO₃、CaCO₃、Li₂C₂O₄、Cs₂C₂O₄、CsAlF₄。在一些实施方案中，电子注入层(EIL)可以包括至少一种金属，如Yb、Sc、V、Y、In、Ce、Sm、Eu或Tb中的一种或多种。

现在将参考附图，结合具体实施方式阐述本发明的优点。

图2示出根据第一示例性实施例的有机电致发光器件1的示意性剖面图。

参考图2，第一示例性实施例的有机电致发光器件1包括基板100、多个有机电致发光器件(OLED)200、第一覆盖层300、第二覆盖层400及封装层500。

基板100可以由玻璃、石英、陶瓷、聚合物膜、金属板等制成。基板100在其上具有多个像素区域。每个像素区域可以被划分为红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域。针对每个子像素区域布置像素电路(未示出)和有机电致发光器件(OLED)200。

像素电路包括至少两个薄膜晶体管(开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管)和至少一个电容器。开关薄膜晶体管为用于选择子像素以发光的开关器件，驱动薄膜晶体管则向对应的子像素施加驱动电源，使得被选择的子像素发光。

图2示出包括三个子像素区域的像素区域中的一个(为方便起见，像素电路将被省略)。具有相同配置的像素沿列方向和行方向彼此平行地被布置在基板100上，并且从多个像素发出的光组合，来实现图像。

有机电致发光器件(OLED)200包括第一电极201、发光层202、以及第二电极203。第一电极201针对每个子像素区域单独形成，并且电连接至对应子像素区域的驱动薄膜晶体管。第二电极203被形成在整个基板100上方。

具有晶格结构的像素限定膜110可以被布置在第一电极201之间。像素限定膜110形成用于暴露第一电极201中的每个的开口部并且划分子像素区域。像素限定膜110可以由例如聚酰亚胺的有机膜制成。

发光层202包括红色发光层202R、绿色发光层202G和蓝色发光层202B，红色发光层202R形成在红色子像素区域的第一电极201上，绿色发光层202G形成在绿色子像素区域的第一电极201上，蓝色发光层202B形成在蓝色子像素区域的第一电极201上。

第一电极201可以为阳电极，即空穴注入电极，而第二电极203可以为阴电极，即电子注入电极，或者第一电极201可以为阴电极，即电子注入电极，而第二电极203可以为阳电极，即空穴注入电极。当第一电极201为阳电极时，空穴注入层20210(HIL)、空穴传输层20220(HTL)和电子阻挡层20230(EBL)中的至少一个可以被布置在第一电极201与发光层202之间。此外，空穴阻挡层20240(HBL)、电子传输层20250(ETL)和电子注入层20260(EIL)中的至少一个可以被布置在发光层202与第二电极203之间，如图5所示。

用作阳电极的第一电极201可以包括至少一种金属，例如具有4.2eV或更高功函数的银(Ag)、镍(Ni)、钼(Mo)、金(Au)、铂(Pt)、钨(W)和铜(Cu)，可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟(In₂O₃)或氧化锡(SnO₂)形成；也可以由金属和氧化物组合而成，例如ITO/Ag/ITO、IGO/Al/IGO或AZO/Ag/AZO形成。第一电极201的厚度取决于使用的材料，其厚度范围通常为5nm至1μm，优选10nm至1μm，更优选10nm至500nm，特别优选10nm至300nm，最优选10nm至250nm。

用作阴电极的第二电极203可以包括至少一种金属，例如具有小于第一电极201的功函数(即4.2eV或更小的功函数)的锂(Li)、镁(Mg)、钙(Ca)、锌(Zn)和铝(Al)。第二电极203的厚度取决于所使用的材料，通常为5-40nm，优选为5-30nm且更优选为5-20nm。

从第一电极201注入的空穴和从第二电极203注入的电子在发光层202中彼此结合，以生成激子，并且当来自激子的能量释放时发出各色光。

第一电极201可以由反射膜形成，并且第二电极203可以由半透膜或透明导电膜形成。在这种情况下，从发光层202发出的光被第一电极201反射，并且被第二电极203、第一覆盖层300、第二覆盖层400和封装层500透射，以向外部发光。

封装层500可以通过密封剂(未示出)被一体地粘合至基板100。封装层500密封有机电致发光器件200，使其免受包含湿气或氧气的外部环境的影响，从而抑制有机电致发光器件200由于湿气或氧气而劣化。封装层500可以由玻璃、聚合物膜等制成。当基板100和封装层500均由聚合物膜制成时，有机电致发光器件1可以是可弯曲的。

封装层500还可以通过沉积覆盖至基板100、第一覆盖层300、第二覆盖层400上。封装层500可以由无机物、有机物交替沉积形成。此时封装层500和第一覆盖层300、第二覆盖层400之间可以覆盖一层保护层，以防止高能等离子体、二次电子或强紫外破坏第一覆盖层300、第二覆盖层400，保护层可以由LiF、MgF₂等制成。当基板100由聚合物膜制成时，有机电致发光器件1可以是可弯曲的。

另外，在封装层500的外表面上，可以布置光学膜(未示出)，以便减少外部光的光反射。

第一覆盖层300形成在第二电极203上，并且被布置在红、绿、蓝光朝向封装层500透射的路径中。第一覆盖层300为在蓝色子像素区域内的折射率(n1@450nm)为1.8到2.4的有机材料，折射率优选在1.8到2.3范围内，最优选在1.9到2.3范围内。所述有机材料选自上文所列的具体化合物CP1-1至CP1-16。

第二覆盖层401形成在绿色子像素区域内的第一覆盖层300上，并且被布置在绿光朝向封装层500透射的路径中。在绿色子像素区域内，第二覆盖层401的有机材料的折射率(n2@525nm)大于第一覆盖层300的折射率(n1@525nm)，折射率之差值在0.1-0.8范围内，优选在0.1-0.5范围内，更优选在0.1-0.35范围内。

第二覆盖层402形成在红色子像素区域内的第一覆盖层300上，并且被布置在红光朝向封装层500透射的路径中。在红色子像素区域内，第二覆盖层402的有机材料的折射率(n2@620nm)大于第一覆盖层300的折射率(n1@620nm)，折射率之差值在0.1-0.8范围内，优选在0.1-0.5范围内，更优选在0.1-0.4范围内。

第二覆盖层401与402由不同的有机材料组成，该有机材料选自上文所列的具体化合物CP2-1至CP2-11。

由于第一覆盖层300的折射率大于有机电致发光器件(OLED)200内材料的折射率；在绿色子像素区域内，第二覆盖层401的折射率大于第一覆盖层300折射率；在红色子像素区域内，第二覆盖层402的折射率大于第一覆盖层300的折射率；这种折射率的差异，使得有机电致发光器件(OLED)200内产生的光在边界表面处减少了由于全反射而失去的光量，增加了透射的光量，并且提高了光提取效率，改善器件视偏和出射光的角度依赖性。

需指明，图2中绿色子像素区域内的第二覆盖层401与在红色子像素区域内的第二覆盖成402使用不同的材料。

图3示出根据第二示例性实施例的有机电致发光器件2的示意性剖面图。

参照图3，除了在红色子像素区域和绿色子像素区域内的第二覆盖层403使用相同材料外，根据第二示例性实施例的有机电致发光器件2具有与上述第一示例性实施例的有机电致发光器件1相同的配置。关于与第一示例性实施例相同的部件，将使用相同的附图标记。下文将描述第二示例性实施例与第一示例性实施例之间的不同配置。

第二覆盖层403同时形成在绿色子像素区域及红色子像素区域内的第一覆盖层300上，并且被布置在绿光、红光朝向封装层500透射的路径中。在绿色和红色子像素区域内，第二覆盖层403的折射率(n2@525nm、n2@620nm)大于在同一区域内的第一覆盖层300的折射率(n1@525nm、n1@620nm)，折射率之差值在0.1-0.8范围内，优选在0.1-0.5范围内，更优选在0.1-0.4范围内。第二覆盖层403的材料选自上文所列的具体化合物CP2-1至CP2-11。

在绿色子像素区域和红色子像素区域内，第二覆盖层403与第一覆盖层300的厚度可以相同或不同；第二覆盖层403在绿色子像素区域内与在红色子像素区域内的厚度相同。

由于第一覆盖层300的折射率大于有机电致发光器件(OLED)200内材料的折射率；在绿色和红色子像素区域内，第二覆盖层403的折射率均大于第一覆盖层300的折射率；这种折射率的差异，使得有机电致发光器件(OLED)200内产生的光在边界表面处减少了由于全反射而失去的光量，增加了透射的光量，并且提高了光提取效率，改善器件视偏和出射光的角度依赖性。

相对于第一示例性实施例的有机电致发光器件1，第二示例性实施例的有机电致发光器件2在蒸镀第二覆盖层403时所需要的图案化技术更简单(图1)，因为在有机电致发光器件1(图2)中，蒸镀所使用的掩膜板需要针对401、402分别开更精细的孔，开的孔越小，孔的数量越多，则成本越高，而有机电致发光器件2(图3)中，只需要针对403开相对更大、更少的孔，因此工艺成本更低。

图4示出根据第三示例性实施例的有机电致发光器件3的示意性剖面图。

参照图4，除了仅在红色子像素区域内具有第二覆盖层404以外，根据第三示例性实施例的有机电致发光器件3具有与上述第一示例性实施例的有机电致发光器件1相同的配置。关于与第一示例性实施例相同的部件，将使用相同的附图标记。下文将描述第三示例性实施例与第一示例性实施例之间的不同配置。

第二覆盖层404形成在红色子像素区域内的第一覆盖层300上，并且被布置在红光朝向封装层500透射的路径中。在红色子像素区域内，第二覆盖层404的折射率(n2@620nm)大于第一覆盖层300的折射率(n1@620nm)，折射率之差值在0.1-0.8范围内，优选在0.1-0.5范围内，更优选在0.1-0.4范围内。第二覆盖层404选自选自上文所列的具体化合物CP2-1至CP2-11。

由于第一覆盖层300的折射率大于有机电致发光器件(OLED)200内材料的折射率；在红色子像素区域内，第二覆盖层404的折射率大于第一覆盖层300的折射率；这种折射率的差异，使得有机电致发光器件(OLED)200内产生的光在边界表面处减少了由于全反射而失去的光量，增加了透射的光量，并且提高了光提取效率，改善器件视偏和出射光的角度依赖性。

相对于第一示例性实施例的有机电致发光器件1，第三示例性实施例的有机电致发光器件3在蒸镀第二覆盖层404时所需要的图案化技术更简单(图1)，因为在有机电致发光器件1(图2)中，蒸镀所使用的掩膜板需要针对401、402分别开更精细的孔，开的孔越小，孔的数量越多，则成本越高，而有机电致发光器件3(图4)中，只需要针对404开大小相同，但是数量只有一半的孔，因此工艺成本更低。

在根据第一示例性实施例、第二示例性实施例和第三示例性实施例的有机电致发光器件1、2和3中，第一覆盖层300、第二覆盖层400(包括401、402)、403和404可以由沉积方法、激光热转印成像方法等形成。

沉积方法利用具有多个开口的沉积掩膜，其中多个开口对应于具有特定颜色的子像素区域。激光热转印成像方法在基底膜上制备包括光热转换层和转印层的供体膜，然后通过将激光照射到供体膜，使光热转换层的一部分和转印层的与光热转换层接触的一部分膨胀，从而将转印层转印在第二电极上。

上述示例性实施例提供了一种有机电致发光器件，其能够提高红色、绿色和蓝色子像素中的每一个的光提取效率，并且能够降低随有机电致发光器件(OLED)中的视角而变的颜色变化程度。

该有机电致发光器件可以优化红光、绿光以及蓝光的光提取效率，从而提高图像质量并且降低随视角而定的颜色变化程度。

在下文中将通过实施例对本申请的示例性实施方案进行更详细说明。然而，本申请的范围不限于如下公开的实施方案。

实施例

本发明的覆盖层材料：CP1-2购自武汉尚赛光电科技有限公司，CP1-8可参照CN109928962A中记载的实施例2制备，CP2-2可参照CN109206420A中记载的实施例3制备，CP2-8可参照CN109824659A中记载的实施例1制备。

测定方法

(综合)折射率测定方法、电流效率、CIE、可察觉色差(JNCD)的测定：

使用IVL(电流-电压-亮度)测试系统(苏州弗士达科学仪器有限公司)，对于下述实施例和比较实施例中的OLED装置进行电流效率(cd/A)、CIEx、CIEy及可察觉色差的测定。使用椭偏仪测试系统(美国J.A.Woollam Co.型号：ALPHA-SE)，对于由以下装置实施例和装置比较中所述的覆盖层(CPL)材料而制成的单膜装置(测试为大气环境)进行折射率的测定。数据如下表1所示：

表1

应用实施例

装置实施例1

透明基板层100/阳极层201(即第一电极，ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))/空穴注入层20210(HT-1∶P-1＝97∶3质量比，厚度10nm)/空穴传输层20220(HT-1，厚度120nm)/电子阻挡层20230(EB-1，厚度10nm)/蓝色发光层202B(BH-1∶BD-1＝97∶3质量比，厚度20nm)/电子传输层20250(ET-1∶Liq＝1∶1质量比，厚度30nm)/电子注入层20260(LiF，厚度1nm)/阴极层203(即第二电极，Mg∶Ag＝1∶9质量比，厚度16nm)/第一覆盖层300(CP1-2，厚度70nm)。

具体制备过程如下：

如图1所示，透明基板层100为PI膜(聚酰亚胺薄膜)，对ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm)阳极层201(即第一电极)进行洗涤，即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥，再进行紫外线-臭氧洗涤以清除阳极层表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的阳极层201上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的HT-1和P-1作为空穴注入层20210，HT-1和P-1的质量比为97∶3。接着蒸镀120nm厚度的HT-1作为空穴传输层20220。随后蒸镀10nm厚度的EB-1作为电子阻挡层20230。上述电子阻挡材料蒸镀结束后，制作OLED发光装置的蓝色发光层202B，其结构包括OLED蓝色发光层202B所使用BH-1作为主体材料，BD-1作为掺杂材料，掺杂材料掺杂比例为3％重量比，发光层膜厚为20nm。在上述发光层202B之后，继续真空蒸镀ET-1和Liq，ET-1和Liq质量比为1∶1，膜厚为30nm，此层为电子传输层20250。在电子传输层20250上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的LiF层，此层为电子注入层20260。在电子注入层20260上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为16nm的Mg∶Ag电极层，Mg、Ag质量比为1∶9，此层为阴极层203(即第二电极)使用。在阴极层203上，真空蒸镀70nm的CP1-2，作为第一覆盖层300。

装置实施例2

透明基板层100/阳极层201(即第一电极，ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))/空穴注入层20210(HT-1∶P-1＝97∶3质量比，厚度10nm)/空穴传输层20220(HT-1，厚度120nm)/电子阻挡层20230(EB-2，厚度30nm)/绿色发光层202G(GH-1∶GH-2∶GD-1＝47∶47∶6质量比，厚度30nm)/电子传输层20250(ET-1∶Liq＝1∶1质量比，厚度30nm)/电子注入层20260(LiF，厚度1nm)/阴极层203(即第二电极)Mg∶Ag＝1∶9质量比，厚度16nm)/第一覆盖层300(CP1-2，厚度70nm)/第二覆盖层401(CP2-8，厚度30nm)。

装置实施例3

透明基板层100/阳极层201(即第一电极，ITO(15nm)/Ag(150nm)/1TO(15nm))/空穴注入层20210(HT-1∶P-1＝97∶3质量比，厚度10nm)/空穴传输层20220(HT-1，厚度120nm)/电子阻挡层20230(EB-3，厚度80nm)/红色发光层202R(RH-1∶RD-1＝97∶3质量比，厚度30nm)/电子传输层20250(ET-1∶Liq＝1∶1质量比，厚度30nm)/电子注入层20260(LiF，厚度1nm)/阴极层203(即第二电极，Mg∶Ag＝1∶9质量比，厚度16nm)/第一覆盖层300(CP1-2，厚度70nm)/第二覆盖层402(CP2-2，厚度50nm)。

装置实施例4：

装置实施例4的制备方法与装置实施例2相同，不同之处在于：使用CP2-2替换CP2-8。

装置实施例5：

装置实施例5的制备方法与装置实施例2相同，不同之处在于：删除CP2-8。

装置比较例1：

装置比较例1的制备方式和装置实施例1相同。

装置比较例2：

装置比较例2的制备方式和装置实施例2相同，不同之处在于：删除CP2-8。

装置比较例3：

装置比较例3的制备方式和装置实施例3相同，不同之处在于：删除CP2-2。

装置比较例4：

装置比较例4的制备方式和装置实施例2相同，不同之处在于：使用CP1-8替换CP2-8。

装置比较例5：

装置比较例5的制备方式和装置实施例3相同，不同之处在于：使用CP1-8替换CP2-2。

本发明的有机电致发光器件

有机电致发光器件1包括在蓝色子像素区域内的装置实施例1，绿色子像素区域内的装置实施例2，及红色子像素区域内的装置实施例3。

有机电致发光器件2与1的不同之处在于，在绿色子像素区域内，使用装置实施例4。

有机电致发光器件3与1的不同之处在于，在绿色子像素区域内，使用装置实施例5。

有机电致发光器件比较例

有机电致发光器件比较例1包括在蓝色子像素区域内的装置比较例1，绿色子像素区域内的装置比较例2，及红色子像素区域内的装置比较例3；即在蓝色、绿色和红色子像素区域内仅包括第一覆盖层。

有机电致发光器件比较例2包括在蓝色子像素区域内的装置比较例1，绿色子像素区域内的装置比较例4，及红色子像素区域内的装置比较例5；即在蓝色子像素区域内仅包括第一覆盖层，绿色和红色子像素区域内包括两层覆盖层，这两层覆盖层的材料均选自上文所述的第一覆盖层的有机材料。

上述实施过程所涉及的有机材料结构式如下所示：

按照上述步骤完成电致发光装置的制备后，测量装置的电流效率CIE、和可察觉色差，其结果如表2中所示。

表2

注：Index＝电流效率/CIEy，且仅应用于蓝光器件；蓝光装置效率的好坏一般不参考电流效率，而是参考Index(业内标准)；

可察觉的色差，单位：JNCD；1JNCD＝0.004；

应理解，可察觉色差(@30°、@45°、@60°)越小，色度变化量越小，表明有机电致发光装置的出射光波长的角度依赖性被抑制的越好。

由表2的结果可以看出：对于本发明的有机电致发光器件1、2和3，在同一器件中，与蓝色子像素区域内的覆盖层折射率比较，在绿色和/或红色子像素区域内的覆盖层折射率(包括第一和第二覆盖层)相当或更大。对于本发明的有机电致发光器件比较1、2中，与在蓝色子像素区域内的覆盖层折射率比较，在绿色和/或红色子像素区域内的覆盖层折射率(包括第一和第二覆盖层)更小。

将本发明的有机电致发光器件1、2和3与显示器比较例1、2相比，对于包括绿色发光层202G的装置，本发明装置实施例2、4中的覆盖层折射率比装置比较例2、4中的更高，并且在电流效率和可察觉色差方面，本发明的装置实施例明显更优于装置比较例；尤其是，本发明的装置实施例的电流效率至少提高9.7％。对于包括红色发光层202R的装置，本发明装置实施例3中覆盖层折射率比装置比较例3、5中的更高，并且本发明的装置实施例的电流效率和可察觉色差也均优于比较例；尤其是在电流效率方面，本发明的装置实施例相对于比较例3、5分别提高9.9％、9.5％。

以包括蓝色、绿色和红色子像素区域的有机电致发光器件来看，与显示器比较例1相比，本发明的有机电致发光器件1——第二覆盖层为本发明的不同化合物——中的绿光的电流效率提高9.7％且红光的电流效率提高9.9％；本发明的有机电致发光器件2——第二覆盖层为本发明的相同化合物——中的绿光的电流效率提高11.0％且红光的电流效率提高9.9％。

类似地，与显示器比较例2相比，本发明的有机电致发光器件1中的绿光的电流效率提高8.3％且红光的电流效率提高9.5％；本发明的有机电致发光器件2中的绿光的电流效率提高9.7％且红光的电流效率提高9.5％。

上述结果表明，根据本发明制备的二层覆盖层以及包含其的本发明显示器，在绿光和红光的电流效率方面，均得以明显改善，并且电流效率的提升程度相当，因而显示器对于绿光和红光的光提取效率也相应地提升。

同时，与显示器比较例1和2相比，包括使用根据本发明制备的覆盖层的有机电致发光器件在蓝光、绿光、红光的可察觉的色差较小，因而角度依赖性较小。

在本文中已公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但仅仅以通用和描述性意义使用并解释这些术语，而不是为了限制的目的。在某些例子中，截至本申请提交为止，对于本领域普通技术人员来说明显的是，结合特定实施例所描述的特征、特性和/或元件可单独使用，或者与结合其它实施例所描述的特征、特性和/或元件一起使用，除非另有相反明确指示。因此，本领域技术人员应理解，在不脱离所述权利要求所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上作出各种改变。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括：

基板，包括多个子像素区域，所述多个子像素区域包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域；

多个第一电极，在所述基板上被布置为与所述多个子像素区域中的每一个相对应；

红色、绿色及蓝色发光层，形成在所述各自对应的第一电极上；

第二电极，覆盖所述红色、绿色及蓝色发光层；

第一覆盖层，覆盖所述第二电极；

第二覆盖层，覆盖所述红色子像素区域和/或绿色子像素区域内的第一覆盖层；

其中，在蓝色子像素区域内的第一覆盖层的折射率(n1@450nm)为1.8到2.4，优选1.8到2.3，最优选1.9到2.3；

在红色子像素区域内的第二覆盖层的折射率(n2@620nm)为1.9到2.7，优选1.9到2.6，最优选2.0到2.6；并且

在绿色子像素区域内，第二覆盖层的折射率(n2@525nm)为2.0到2.7，优选2.0到2.6，最优选2.1到2.6。

2.根据权利要求1的有机电致发光器件，其中第一覆盖层的有机材料为以联苯二胺、三苯胺、吡啶、咔唑、咔唑并环、1，3，5-三苯基苯、螺芴、氧杂蒽酮或氧杂螺芴为母核，以苯基、萘基、联苯基、苯并噁唑基、二苯并呋喃基、胺基或苯并噻唑基为支链的有机化合物，其中所述作为支链的基团可为未取代的或被选自苯基或咔唑基的基团取代；

优选第一覆盖层的有机材料选自下列CP1-1至CP1-16所示结构的化合物：

第二覆盖层的有机材料为以联苯二胺、三嗪、1，3-二苯基苯、三联苯二胺、吡啶、三苯胺、咔唑或咔唑并环为母核，以苯基、氧杂蒽酮基、二苯并呋喃基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、N-苯基咔唑基或胺基为支链的有机化合物，其中所述作为支链的基团可为未取代的或被苯基取代的基团；特别是，第二覆盖层的有机材料的特征在于支链基团中至少一个含有选自氧杂蒽酮基、二苯并呋喃基、苯并噁唑基或苯并噻唑基的基团；

最优选第二覆盖层的有机材料选自下列CP2-1至CP2-11所示结构的化合物：

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，所述第一覆盖层在绿色子像素内的折射率(n1@525nm)为1.8到2.3，优选1.8到2.2，最优选1.9到2.2。

4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，在红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域内，第一覆盖层的有机材料相同，优选第一覆盖层在蓝色子像素区域内的折射率(n1@450nm)与在绿色子像素内的折射率(n1@525nm)之差值大于0且小于等于0.2，优选大于0且小于等于0.15。

5.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，用于红色子像素区域、绿色子像素区域内的第二覆盖层的有机材料，可以相同，也可以不相同。

6.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，当所述第二覆盖层覆盖绿色子像素区域内和红色子像素区域内的第一覆盖层时，n1@450nm-n2@620nm≤0.2且n1@450nm-n2@525nm≤0.2，优选n1@450nm-n2@620nm≤0.1且n1@450nm-n2@525nm≤0.1，更优选n1@450nm-n2@620nm≤0且n1@450nm-n2@525nm≤0，最优选n1@450nm-n2@620nm＜0且n1@450nm-n2@525nm＜0。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，第二覆盖层在绿色子像素区域内的折射率(n2@525nm)与在红色子像素区域内的折射率(n2@620nm)之差值小于或等于0.1，优选小于或等于0，更优选第二覆盖层在绿色子像素区域内的折射率(n2@525nm)小于在红色子像素区域内的折射率(n2@620nm)。

8.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，当所述第二覆盖层仅仅覆盖红色子像素区域内的第一覆盖层时，n1@450nm-n2@620nm≤0.2，优选n1@450nm-n2@620nm≤0.1，更优选n1@450nm-n2@620nm≤0，最优选n1@450nm-n2@620nm＜0。

9.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其中：

所述第一覆盖层在红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域内的膜厚相同，为20-120nm，优选30-100nm，最优选30-85nm；

所述第二覆盖层在绿色子像素区域内的膜厚为10-100nm，优选10-90nm，最优选10-80nm；所述第二覆盖层在红色子像素区域内的膜厚为10-100nm，优选10-90nm，最优选10-80nm。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，所述第二覆盖层在绿色子像素区域内的厚度小于第二覆盖层在红色子像素区域内的厚度。

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