CN113659101B - 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置，解决了现有的显示装置容易出现电学串扰和光学串扰，使显示产品出现混色和色域低的问题。包括：提供一个驱动层；在驱动层上形成阳极层；对阳极层进行光刻形成凹槽，凹槽将阳极层分成多个子阳极层；在凹槽处形成像素限定层；在像素限定层上进行光刻形成隔断槽，隔断槽贯穿阳极层且位于驱动层内部，隔断槽围绕在子阳极层的四周；在子阳极层和像素限定层上形成发光层和阴极层；在阴极层的上表面和隔断槽的底部形成阴极图案层；在隔断槽内璧形成阴极金属膜层，阴极金属膜层越过发光层和阴极层包裹在阴极图案层上；在阳极层上的阴极图案层和阴极金属膜层上依次形成光学取出层和封装层。

Description

一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

随着科技的迅猛发展，显示装置成为了人们生活和学习中必不可少的一部分，硅基显示通常采用WOLED(Organic Electroluminescence Display，有机发光半导体)器件结构，而WOLED器件结构中的HIL和CGL等膜层的导电率高，极易造成器件的电学串扰，点屏时由于载流子的横向传输造成相邻像素的点亮，因此经常出现混色现象；OLED(OrganicElectroluminescence Display，有机发光半导体)结构内也存在HIL等高导电率膜层，高导电率膜层的载流子横向传输，也会造成显示产品出现混色。此外在微显示中，由于像素密度高，像素间距小，也极易造成器件的光学串扰，进而造成显示器件色域低的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置，解决了现有的显示装置容易出现电学串扰和光学串扰，使显示产品出现混色和色域低的问题。

本发明一实施例提供的一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置包括：提供一个驱动层；在所述驱动层的上表面形成阳极层；对所述阳极层的上表面进行光刻形成凹槽，所述凹槽将所述阳极层分成多个子阳极层；在所述凹槽处形成像素限定层；在所述像素限定层的上表面进行光刻形成隔断槽，所述隔断槽贯穿所述阳极层，所述隔断槽的底部位于所述驱动层内部，所述隔断槽围绕在所述子阳极层的四周；在所述子阳极层和所述像素限定层上依次形成发光层8和阴极层；在所述阴极层的上表面和所述隔断槽的底部形成阴极图案层；在所述隔断槽的侧壁形成阴极金属膜层，所述阴极金属膜层越过所述像素限定层上的所述发光层8和所述阴极层包裹在所述阴极图案层上；在所述阳极层上的阴极图案层和所述阴极金属膜层上依次形成光学取出层、封装层、彩膜层和平坦化层。

在一种实施方式中，所述在所述子阳极层和所述像素限定层上依次形成发光层8和阴极层的步骤包括：在所述子阳极层和所述像素限定层上形成发光层8；在所述发光层8上形成阴极层，所述阴极层覆盖在所述隔断槽的侧壁上。

在一种实施方式中，所述在所述阴极层的上表面和所述隔断槽的底部形成阴极图案层的步骤包括：在所述阳极层的上表面和所述隔断槽的底部进行线源型蒸镀形成所述阴极图案层。

在一种实施方式中，所述阴极图案层的厚度为10nm～50nm。

在一种实施方式中，所述阴极图案层的材料为2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁.二唑、2-(4-联苯基)-5-苯基-1，3，4-噁.二唑、1，3-双(N-咔唑基)苯、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、N，N′-二苯基-N，N′-二(2-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺、4-(1-萘基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑、2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、2-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、4，4′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯基、双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝、9-[1，1′-联苯基]-3-基-9H-咔唑、三[2-苯基苯基吡啶合-C2，N]铱(III)中的至少两种。

在一种实施方式中，所述在所述隔断槽的侧壁形成阴极金属膜层的步骤包括：在所述隔断槽内进行点源型蒸镀形成阴极金属膜层。

在一种实施方式中，所述阴极金属膜层的厚度大于150nm。

在一种实施方式中，所述阴极金属膜层的材料为镁和银中的至少一种。

一种显示面板，包括：驱动层；阳极层，设置在所述驱动层的上表面，所述阳极层包括多个子阳极层；多个像素限定层，设置在相邻的所述子阳极层之间；隔断槽，设置在所述阳极和所述像素限定层之间，所述隔断槽的底部位于所述驱动层内部，所述隔断槽围绕在所述子阳极层的四周；所述阳极层和所述像素限定层的上表面依次层叠设置有发光层8和阴极层；在所述阴极层的上表面和所述隔断槽的底部设置有阴极图案层；阴极金属膜层，设置在所述所述隔断槽的侧壁上，且所述阴极金属膜层越过所述像素限定层上的所述发光层8和所述阴极层包裹在所述阴极图案层上；在所述阳极层上的所述阴极图案层和所述阴极金属膜层上依次层叠设置光学取出层、封装层、彩膜层和平坦化层。

在一种实施方式中，所述隔断槽的侧壁设置有所述阴极层。

在一种实施方式中，所述显示面板为有机发光半导体显示面板。

一种显示装置，包括上述任意一项所述的显示面板

本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置，所述显示面板的制备方法通过在像素限定层的上表面光刻形成隔断槽，将隔断槽贯穿所述阳极层且围绕在所述子阳极层的四周，从而达到了将像素发光层和阴极层全部隔断的技术效果，阻断了载流子在像素间的横向传输，从而解决了像素间电学串扰的技术问题，避免了混色现象的产生；并且通过在隔断槽内制备较厚的阴极金属膜层，达到了阻挡像素间光学串扰的技术问题，解决了显示器件色域低的问题。

附图说明

图1所示为现有技术中的一种移动产品制作工艺的流程图。

图2所示为现有技术中的一种硅基微显示产品制作工艺的流程图。

图3所示为现有技术中的一种硅基微显示产品SME图。

图4所示为现有技术中的一种tandem woled产品SME图。

图5所示为现有技术中的一种屏幕点蓝光光谱图。

图6所示为现有技术中的一种屏幕点红光光谱图。

图7所示为本发明一实施例提供的一种显示面板制作方法的流程示意图。

图8所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的结构示意图。

图9a～图9e所示为本发明一实施例提供的一种显示面板制作过程的结构示意图。

图10所示为本发明一实施例提供的一种蒸镀角对显示结构材料沉积的影响示意图。

图11所示为本发明一实施例提供的一种阴极图案层阻挡阴极金属膜层成膜实现结果图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

传统的移动产品的制作通常采用FMM(Fine Metal Mask，精细金属掩膜版)进行蒸镀，具体过程如图1所示。相比于移动产品，硅基微显示产品的分辨率较高，但高分辨率的产品无法使用精细金属掩膜版进行蒸镀，因此硅基OLED(Organic ElectroluminescenceDisplay，有机发光半导体)微显示产品需要用WOLED(White-OrganicElectroluminescence Display，白色有机发光半导体)器件结合彩膜的方式实现显示，其发光层8制作流程如图2所示。而WOLED器件在制备过程中均采用开放掩膜版，因此在PDL膜层上方也会存在发光材料(如下图3所示)，而这些发光材料会形成光波导，造成器件的光学串色，再加上硅基微显示像素间距小(例如像素间距在0.8μm，如图3所示)，器件光学串扰也会更加严重，由于发光材料会形成光波导，因此在背板侧进行光学隔断无法解决发光膜层光波导串色的问题。此外，为了获得更高效率白光OLED器件，WOLED器件也在从单WOLED向着双WOLED器件(如下图4所示)发展，器件膜厚也从100nm增厚至500nm，光波导造成的光学串色也在逐渐加强。

在微显示中，像素密度高(大于3000PPI)，像素间距小，而发光膜层中存在载流子高迁移率膜层，极易造成器件的电学串扰。此外，由于像素间距小，也极易造成器件的光学串扰，进而造成显示器件色域低的问题。点屏时，在点亮B时，R、G也有光色露出；点R时，B、G光有微弱点亮，如下图5、图6所示。为解决上述问题，本发明提出一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置，解决了像素间电学串扰的技术问题，避免了混色现象的产生，并且能够达到了阻挡像素间光学串扰的技术问题，解决显示器件色域低的问题。具体实施方式如下述实施例所述。

本实施例提供一种显示面板的制备方法，如图7、图8以及图9a～图9e所示，所述显示面板的制备方法包括：

步骤01:提供一个驱动层2，该驱动层2的作用为驱动像素的半导体控制器件，可以为在玻璃、金属或塑料基板上通过沉积薄膜形成的，所述驱动层2可包括依次层叠设置的基底1、缓冲层、有源层、源漏电极、栅绝缘层和栅电极等。

步骤02:在所述驱动层2的上表面形成阳极层3。可以采用蒸镀的方式在驱动层2的上表面蒸镀阳极材料以形成阳极层3。作为底发射显示器件还要求阳极层3透明，可选地，阳极层3为金、透明导电聚合物(如聚苯胶)和氧化铟锡(ITO)导电玻璃等材料。

步骤03:对所述阳极层3的上表面进行光刻形成凹槽，所述凹槽将所述阳极层3分成多个子阳极层3，每一个子阳极层3对应一个像素。

步骤04:在所述凹槽处形成像素限定层4，可选地，可以通过蒸镀工艺在所述凹槽处形成像素限定层4。像素限定层4的高度大于阳极层3，优选地，像素限定层4的上表面与后续制备的阴极的上表面在同一水平面上，或者像素限定层4的上表面的水平高度高于后续制备的阴极的上表面的水平高度。像素限定层4可以避免各个像素发光材料在制备时外溢造成串色现象。

步骤05:在所述像素限定层4的上表面进行光刻形成隔断槽5，所述隔断槽5贯穿所述阳极层3，所述隔断槽5的底部位于所述驱动层2内部，所述隔断槽5围绕在所述子阳极层3的四周。本专利通过隔断槽5的设计(如下图9a、图9b所示)，将各个像素对应的阳极层3、发光层8以及及阴极层6全部隔断开，这样即可实现像素间0电学串扰。

步骤06:在所述子阳极层3和所述像素限定层4上依次形成发光层8和阴极层6。可选地，可以通过蒸镀的方式在子阳极层3上表面蒸镀发光层8，同时在所述像素限定层4上表面蒸镀发光层8，然后通过蒸镀的方式在发光层8的上表面蒸镀阴极层6。其中在蒸镀阴极层6的过程中需要蒸镀机具有较大的蒸镀角，这样可以使得阴极在隔断槽5侧壁成膜，为后续阴极搭接做好准备，如下图9所示。可选地，可以采用点源型蒸镀方式蒸镀发光层8。

步骤07:在所述阴极层6的上表面和所述隔断槽5的底部形成阴极图案层7，所述阴极图案层7可以防止后续制备的阴极金属膜层9在阴极上成膜而影响发光效果。可选地，在所述阳极层3的上表面和所述隔断槽5的底部进行线源型蒸镀形成所述阴极图案层7。在发光层8蒸镀完成后，可以使用较小的蒸镀角蒸镀阴极图案层7，可选地，在所述阳极层3的上表面和所述隔断槽5的底部进行线源型蒸镀形成所述阴极图案层7。可选地，可以通过降低TS高度将蒸镀角调节变小。由于蒸镀角较小，阴极图案层7会在断槽侧壁成膜极薄，如下图9c所示。

可选地，所述阴极图案层7的厚度可以为10nm～50nm，优选地，阴极图案层7的厚度定膜厚为15nm，阴极图案层7材料具有阻止后续在蒸镀阴极金属膜层9时会在阴极图案层7表面成膜的现象产生，阻止成膜实验结果，如下图11所示。阴极图案层7的厚度是可以根据实际的情况进行调节的，本发明对阴极图案层7的具体厚度不作限定。

可选地，所述阴极图案层7的材料为2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁.二唑、2-(4-联苯基)-5-苯基-1，3，4-噁.二唑、1，3-双(N-咔唑基)苯、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、N，N′-二苯基-N，N′-二(2-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺、4-(1-萘基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑、2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、2-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、4，4′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯基、双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝、9-[1，1′-联苯基]-3-基-9H-咔唑、三[2-苯基苯基吡啶合-C2，N]铱(III)中的至少两种，阴极图案层7的材料是可以根据实际的需求进行选择的，本发明对阴极图案层7的具体材料不作限定。

步骤08:在所述隔断槽5的侧壁形成阴极金属膜层9，所述阴极金属膜层9越过所述像素限定层4上的所述发光层8和所述阴极层6包裹在所述阴极图案层7上，换言之，在像素限定层4的两侧均设置有隔断槽5，在两个隔断槽5的底部蒸镀完阴极图案层7后，在隔断槽5的内壁上蒸镀阴极金属膜层9，随着阴极金属膜层9的逐渐加厚，侧壁上的阴极金属膜层9连在一起，在继续蒸镀的过程中，阴极金属膜层9越过像素限定层4，以及像素限定层4上的发光层8、阴极层6和阴极图案层7，继续蒸镀，像素限定层4两侧的隔断槽5内的阴极金属膜层9逐渐连接，将像素限定层4、发光层8、阴极层6和阴极图案层7包裹，且控制蒸镀过程使阴极金属膜层9不蒸镀在阳极以及阳极表面的膜层上。优选地，采用较大的蒸镀角蒸镀阴极金属膜层9，使得阴极金属膜层9在隔断槽5侧壁成膜，且在蒸镀过程中，逐渐累积阴极金属膜层9的膜厚，使得阴极金属膜层9在像素限定层4上越过阴极图案层7成膜搭接，如图9d所示。可选地，在所述隔断槽5内进行点源型蒸镀形成阴极金属膜层9。由于阴极金属膜层9的存在可以阻挡像素间侧向光的串扰，进而提高显示面板的色域。

可选地，所述阴极金属膜层9的厚度大于150nm，阴极金属膜层9的厚度可以根据实际的需求进行调整，本发明对阴极金属膜层9的厚度的不作限定。

可选地，所述阴极金属膜层9的材料为镁和银中的至少一种，阴极金属膜层9的材料层的厚度可以根据实际的需求进行调整，本发明对阴极金属膜层9的材料不作限定。

步骤09:在所述阳极层3上的阴极图案层7和所述阴极金属膜层9上依次形成光学取出层10、封装层11、彩膜层12和平坦化层13。采用蒸镀的方式在阴极图案层7上进行光学取出蒸镀形成光学取出层10，所述光学取出层10的作用为减少光的折射现象，提高显示效果；然后对膜层进行TFE封装，封装层11包裹在阳极层3、像素限定层4、阴极层6、阴极图案层7、阴极金属膜层9和光学取出层10外，封装层11的作用为保护阳极层3、像素限定层4、阴极层6、阴极图案层7、阴极金属膜层9和光学取出层10，防止外界水汽和氧气进入影响发光效果；之后在封装层11的上表面制备彩膜层12和平坦化层13，彩膜层12中可包括红色彩膜、绿色彩膜和蓝色彩膜，一个彩膜对应一个像素，从而使WOLED能够发出彩色的光，至此完成Panel制备，如图9e所示。

本发明实施例提供的显示面板的制备方法通过在像素限定层4的上表面光刻形成隔断槽5，将隔断槽5贯穿所述阳极层3且围绕在所述子阳极层3的四周，从而达到了将像素发光层8和阴极层6全部隔断的技术效果，阻断了载流子在像素间的横向传输，从而解决了像素间电学串扰的技术问题，避免了混色现象的产生；并且通过在隔断槽5内制备较厚的阴极金属膜层9，达到了阻挡像素间光学串扰的技术问题，解决了显示器件色域低的问题。

本发明一实施例中，可以通过调节蒸镀角来控制膜层在隔断槽5内的膜层厚度，具体过程如下所述：当隔断槽5的深度(D)和隔断槽5的宽度(d)设计与蒸镀设备(蒸镀设备的高度T_S和宽度D)一致，即L/d＝D/Ts时，如下图10所示，点源蒸镀蒸镀膜厚在靠近凹槽底部成膜最薄。可以通过控制TS和Offset来调整蒸镀腔室蒸镀角，此外，线源由于TS小，蒸镀角相对于点源更小。由于蒸镀角的影响，隔断槽5设计可以减少蒸镀材料在凹槽底部沉积，膜层厚度在凹槽侧壁成膜厚度逐渐减薄。由于点源蒸镀工艺的限制，凹槽合理设计可以在一定程度上管控膜层在凹槽内的成膜。

本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括依次层叠设置的驱动层2、阳极层3、多个像素限定层4、隔断槽5、发光层8、阴极层6、阴极图案层7、阴极金属膜层9、光学取出层10、封装层11、彩膜层12和平坦化层13(可参考图9e)。其中，驱动层2的作用为驱动像素的半导体控制器件，所述驱动层2可包括依次层叠设置的基底1、缓冲层、有源层、源漏电极、栅绝缘层和栅电极等；阳极层3设置在所述驱动层2的上表面，所述阳极层3包括多个子阳极层3，每一个子阳极层3对应一个像素；多个像素限定层4设置在相邻的所述子阳极层3之间，像素限定层4的高度大于阳极层3，优选地，像素限定层4的上表面与后续制备的阴极的上表面在同一水平面上，或者像素限定层4的上表面的水平高度高于后续制备的阴极的上表面的水平高度，像素限定层4可以避免各个像素发光材料在制备时外溢造成串色现象；隔断槽5设置在所述阳极和所述像素限定层4之间，所述隔断槽5的底部位于所述驱动层2内部，所述隔断槽5围绕在所述子阳极层3的四周；所述阳极层3和所述像素限定层4的上表面依次层叠设置有发光层8和阴极层6；在所述阴极层6的上表面和所述隔断槽5的底部设置有阴极图案层7，所述阴极图案层7可以防止后续制备的阴极金属膜层9在阴极上成膜而影响发光效果；阴极金属膜层9设置在所述所述隔断槽5内，且所述阴极金属膜层9越过所述像素限定层4上的所述发光层8和所述阴极层6包裹在所述阴极图案层7上，阴极金属膜层9的存在可以阻挡像素间侧向光的串扰，进而提高显示面板的色域；在所述阳极层3上的所述阴极图案层7和所述阴极金属膜层9上依次层叠设置光学取出层10、封装层11、彩膜层12和平坦化层13。

一实施例中，所述隔断槽5的侧壁设置有所述阴极层6，阴极在隔断槽5侧壁成膜，为后续阴极搭接做好准备。

一实施例中，可选地，所述阴极图案层7的厚度可以为10nm～50nm，优选地，阴极图案层7的厚度定膜厚为15nm，阴极图案层7材料具有阻止后续在蒸镀阴极金属膜层9时会在阴极图案层7表面成膜的现象产生，阻止成膜实验结果，如下图11所示。阴极图案层7的厚度是可以根据实际的情况进行调节的，本发明对阴极图案层7的具体厚度不作限定。可选地，所述阴极图案层7的材料为2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁.二唑、2-(4-联苯基)-5-苯基-1，3，4-噁.二唑、1，3-双(N-咔唑基)苯、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、N，N′-二苯基-N，N′-二(2-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺、4-(1-萘基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑、2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、2-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、4，4′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯基、双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝、9-[1，1′-联苯基]-3-基-9H-咔唑、三[2-苯基苯基吡啶合-C2，N]铱(III)中的至少两种，阴极图案层7的材料是可以根据实际的需求进行选择的，本发明对阴极图案层7的具体材料不作限定。

一实施例中，可选地，所述阴极金属膜层9的厚度大于150nm，阴极金属膜层9的厚度可以根据实际的需求进行调整，本发明对阴极金属膜层9的厚度的不作限定。可选地，所述阴极金属膜层9的材料为镁和银中的至少一种，阴极金属膜层9的材料层的厚度可以根据实际的需求进行调整，本发明对阴极金属膜层9的材料不作限定。

一实施例，所述显示面板为OLED(Organic Electroluminescence Display，有机发光半导体)显示面板。

本实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中所述的显示面板，该显示面板通过在像素限定层4的上表面光刻形成隔断槽5，将隔断槽5贯穿所述阳极层3且围绕在所述子阳极层3的四周，从而达到了将像素发光层8和阴极层6全部隔断的技术效果，阻断了载流子在像素间的横向传输，从而解决了像素间电学串扰的技术问题，避免了混色现象的产生；并且通过在隔断槽5内制备较厚的阴极金属膜层9，达到了阻挡像素间光学串扰的技术问题，解决了显示器件色域低的问题。

可以理解，所述显示装置包括台式电脑、笔记本电脑、平板电脑、手机等等电子设备，本发明对显示装置的具体类型不作限定。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

以上结合具体实施例描述了本申请的基本原理，但是，需要指出的是，在本申请中提及的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本申请的各个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用，而非限制，上述细节并不限制本申请为必须采用上述具体的细节来实现。

本申请中涉及的器件、装置、设备、系统的方框图仅作为例示性的例子并且不意图要求或暗示必须按照方框图示出的方式进行连接、布置、配置。如本领域技术人员将认识到的，可以按任意方式连接、布置、配置这些器件、装置、设备、系统。

还需要指出的是，在本申请的装置、设备和方法中，各部件或各步骤是可以分解和/或重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本申请的等效方案。

提供所公开的方面的以上描述以使本领域的任何技术人员能够做出或者使用本申请。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员而言是非常显而易见的，并且在此定义的一般原理可以应用于其他方面而不脱离本申请的范围。因此，本申请不意图被限制到在此示出的方面，而是按照与在此公开的原理和新颖的特征一致的最宽范围。

本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、顶、底……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

另外，在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一个驱动层；

在所述驱动层的上表面形成阳极层；

对所述阳极层的上表面进行光刻形成凹槽，所述凹槽将所述阳极层分成多个子阳极层；

在所述凹槽处形成像素限定层；

在所述像素限定层的上表面进行光刻形成隔断槽，所述隔断槽贯穿所述阳极层，所述隔断槽的底部位于所述驱动层内部，所述隔断槽围绕在所述子阳极层的四周, 所述隔断槽将像素发光层和阴极层全部隔断；

在所述子阳极层和所述像素限定层上依次形成发光层和阴极层；

在所述阳极层的上表面和所述隔断槽的底部进行线源型蒸镀形成阴极图案层，通过降低蒸镀设备的高度将蒸镀角调节变小，使用较小的蒸镀角在所述阴极层的上表面和所述隔断槽的底部形成阴极图案层；所述阴极图案层的厚度为10nm～50nm，所述阴极图案层的材料为2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁.二唑、2-(4-联苯基)-5-苯基-1，3，4-噁.二唑、1，3-双(N-咔唑基)苯、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑、N，N′-二苯基-N，N′-二(2-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺、4-(1-萘基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑、2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑、2-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽、4，4′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯基、双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚合)铝、9-[1，1′-联苯基]-3-基-9H-咔唑中的至少两种；

在所述隔断槽的侧壁形成阴极金属膜层，所述阴极金属膜层越过所述像素限定层上的所述发光层和所述阴极层包裹在所述阴极图案层上；

在所述阳极层上的阴极图案层和所述阴极金属膜层上依次形成光学取出层、封装层、彩膜层和平坦化层。

2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述子阳极层和所述像素限定层上依次形成发光层和阴极层的步骤包括：

在所述子阳极层和所述像素限定层上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极层，所述阴极层覆盖在所述隔断槽的侧壁上。

3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述隔断槽的侧壁形成阴极金属膜层的步骤包括：在所述隔断槽内进行点源型蒸镀形成阴极金属膜层。

4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述阴极金属膜层的厚度大于150nm。

5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述阴极金属膜层的材料为镁和银中的至少一种。

6.一种显示面板，采用上述权利要求1-5中任意一项所述的显示面板的制备方法制备而成，其特征在于，包括：

驱动层；

阳极层，设置在所述驱动层的上表面，所述阳极层包括多个子阳极层；

多个像素限定层，设置在相邻的所述子阳极层之间；

隔断槽，设置在所述阳极和所述像素限定层之间，所述隔断槽的底部位于所述驱动层内部，所述隔断槽围绕在所述子阳极层的四周；

所述阳极层和所述像素限定层的上表面依次层叠设置有发光层和阴极层；

在所述阴极层的上表面和所述隔断槽的底部设置有阴极图案层；

阴极金属膜层，设置在所述隔断槽的侧壁上，且所述阴极金属膜层越过所述像素限定层上的所述发光层和所述阴极层包裹在所述阴极图案层上；

在所述阳极层上的所述阴极图案层和所述阴极金属膜层上依次层叠设置光学取出层、封装层、彩膜层和平坦化层。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述隔断槽的侧壁设置有所述阴极层。

8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为有机发光半导体显示面板。

9.一种显示装置，其特征在于，包括上述权利要求6～8中任意一项所述的显示面板。