CN111384121A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示装置。公开了一种显示装置，该显示装置即使在高分辨率时也能够保证电容器的电容。该显示装置包括：基板，其包括第一子像素和第二子像素；第一电极，其位于基板上的第一子像素和第二子像素中的每一个中；第一电容器，其在第一电极上位于第一电极的边缘中；发光层，其位于第一电极和第一电容器上；以及第二电极，其位于发光层上。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种被配置为显示图像的显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，对显示图像的显示装置的各种类型的需求正在增加。例如，已经使用了诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PD)和有机发光显示器(OLED)之类的各种显示装置。
近来，已经开发出包括上述显示装置的头戴式显示(HMD)装置。作为眼镜或头盔的一部分佩戴的头戴式显示(HMD)装置是在用户眼睛前方的短距离内形成焦点的虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的眼镜式监视器装置。
该头戴式显示(HMD)装置需要高分辨率，从而使每英寸像素(PPI)增加。随着PPI增加，在头戴式显示(HMD)装置的电容器中的电容的增加方面存在限制。
发明内容
鉴于上述问题提出了本公开，并且本公开的目的是提供即使在高分辨率时也能够确保电容器的电容的显示装置。
根据本公开的一个方面，上述和其它目的可以通过提供一种显示装置来实现，该显示装置包括：基板，该基板包括第一子像素和第二子像素；第一电极，该第一电极在基板上的第一子像素和第二子像素中的每一个中构图；第一电容器，该第一电容器在第一电极上位于第一电极的边缘中；发光层，该发光层位于第一电极和第一电容器上；以及第二电极，该第二电极位于发光层上。
根据本公开，电容器形成在第一电极上，并且电容器的第一电容器电极由垂直排列的碳纳米管形成。由于在垂直方向上具有预定高度的第一电容器电极沿着第一电极的边缘形成，所以可以增加第一电容器电极的面积。因此，可以在高分辨率下充分保证电容器的电容。
此外，根据本公开，第一电容器电极垂直地形成，从而可以增加面积，而与其它布线或电极之间的布置关系无关。也就是说，本公开有助于根据分辨率增加电容器的电容。
此外，根据本公开，第二电容器电极由具有高反射率的金属材料形成，使得从有机发光层发射的光中的朝向相邻子像素行进的一些光可以被反射到前方。因此，根据本公开，可以在不使用黑底的情况下防止颜色在相邻子像素中混合。
此外，根据本公开，可以通过垂直排列的碳纳米管的第一电容器电极在子像素之间形成凹槽部分(沟槽)。因此，凹槽部分(沟槽)形成为能够使经由有机发光层的漏电流对相邻子像素的影响最小化。
除了如上所述的本公开的效果之外，本领域技术人员根据本公开的描述将清楚地理解本公开的附加优点和特征。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其它目的、特征和其它优点，在附图中：
图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的立体图；
图2是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的框图；
图3是示出根据本公开的一个实施方式的子像素的截面图；
图4是示出子像素的一个示例的电路图；
图5是示出具有图4所示的子像素的显示装置的第一实施方式的截面图；
图6是示出图5中“A”区域的一个示例的展开图；
图7是示出形成图5所示的第一电容器电极的工序的立体图；
图8是示出图5所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的平面图；
图9是示出具有图4所示的子像素的显示装置的第二实施方式的截面图；
图10是示出图9所示的第一电容器电极的一个示例的立体图；
图11是示出图9所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的一个示例的平面图；
图12是示出图9所示的第一电容器电极的另一示例的立体图；
图13是示出图9所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的另一示例的平面图；
图14是示出图9的变型实施方式的截面图；
图15是示出图14所示的第一电容器电极的一个示例的立体图；
图16是示出图14所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的一个示例的平面图；
图17是示出子像素的另一示例的电路图；
图18是示出具有图17所示的子像素的显示装置的第三实施方式的截面图；
图19是示出图18中的“B”区域的一个示例的展开图；
图20是示出图18所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的平面图；
图21是示出具有图17所示的子像素的显示装置的第四实施方式的截面图；
图22是示出图21所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的一个示例的平面图；
图23是示出图21所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的另一示例的平面图；
图24是示出图21的变型实施方式的截面图；
图25是示出图24所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的一个示例的平面图；
图26是示出具有图17所示的子像素的显示装置的第五实施方式的截面图；
图27是示出图26中的“C”区域的一个示例的展开图；
图28是示出图26所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的平面图；以及
图29A至图29C示出了根据本公开的另一实施方式的涉及头戴式显示(HMD)装置的显示装置。
具体实施方式
通过参照附图描述的以下实施方式，将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以以不同的形式实施，而不应被解释为限于在此阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使本公开将是彻底的和完整的，并且向本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外，本公开仅由权利要求的范围限定。
在附图中公开的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例，因此，本公开不限于示出的细节。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。在以下描述中，当确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊了本公开的要点时，将省略该详细描述。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅～”，否则可以添加另一部件。除非另有指示，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
尽管没有明确的描述，但是在解释元件时，元件应被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在～上面”、“在～上方”、“在～下方”和“挨着～”时，除非使用“仅”或“直接”，否则可以在两个其它部分之间设置一个或更多个部分。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在～之后”、“～随后”、“接着～”和“在～之前”时，除非使用“仅”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。
应当理解，尽管可在本文中使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
术语“X轴方向”、“Y轴方向”和“Z轴方向”不应仅基于各个方向彼此垂直的几何关系来解释，而是可以指在本公开的组件能够功能性地操作的范围内具有较宽的方向性的方向。
应当理解，术语“至少一个”包括与任何一项相关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”可以包括选自第一元件、第二元件和第三元件中的两个或更多个元件的所有组合以及第一元件、第二元件和第三元件中的每个元件。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合，并且可以如本领域技术人员能够充分理解的那样以各种方式彼此相互操作并且在技术上被驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依存的关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的优选实施方式。
图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的立体图。图2是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的框图。
参照图1和图2，根据本公开的一个实施方式的显示装置包括显示面板110、扫描驱动器120、数据驱动器130、定时控制器160和主机系统170。
显示面板110包括第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是塑料膜或玻璃基板，但是不限于这些材料。第一基板111可以由诸如硅晶圆之类的半导体材料形成。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板或封装膜(保护膜)。
显示面板110包括具有被制备成显示图像的子像素(SP)的显示区域。显示面板110可以包括数据线(D1-Dm，“m”是2以上的整数)和扫描线(S1-Sn，“n”是2以上的整数)。数据线(D1-Dm)可以与扫描线(S1-Sn)相交。在本文中，子像素(SP)可以形成在由彼此交叉的选通线和数据线限定的各个交叉区域处。
显示面板110的每个子像素(SP)可以连接到数据线(D1-Dm)中的任一条和扫描线(S1-Sn)中的任一条。显示面板110的每个子像素(SP)可以包括：驱动晶体管，其用于根据提供给栅极的数据电压来控制漏-源电流；扫描晶体管，其由扫描线的扫描信号导通，以将数据线的数据电压提供给驱动晶体管的栅极；有机发光二极管，其根据驱动晶体管的漏-源电流发射光；以及电容器，其用于存储驱动晶体管的栅极的电压。因此，每个子像素(SP)可以根据提供给有机发光二极管的电流发射光。
扫描驱动器120从定时控制器160接收扫描控制信号(GCS)。扫描驱动器120根据扫描控制信号(GCS)向扫描线(S1-Sn)提供扫描信号。
扫描驱动器120可以通过面板中选通驱动器(GIP)方法设置在显示面板110的显示区域的一个边缘侧或两个边缘侧处的非显示区域中。在另一种方式中，扫描驱动器120可以被制造在驱动芯片中，并且被安装在柔性膜上，其中驱动芯片的扫描驱动器120可以通过带载自动接合(TAB)方法附接到显示面板110的显示区域的一个边缘侧或两个边缘侧处的非显示区域。
数据驱动器130从定时控制器160接收数字视频数据(DATA)和数据控制信号(DCS)。数据驱动器130根据数据控制信号(DCS)将数字视频数据(DATA)转换为模拟正/负数据电压，并且将模拟正/负数据电压提供给数据线。也就是说，通过扫描驱动器120的扫描信号来选择要被提供数据电压的像素，并且数据电压被提供给所选择的像素。
如图1所示，数据驱动器130可以包括多个源极驱动IC 131。多个源极驱动IC 131中的每一个可以通过薄膜上芯片(COF)或塑料上芯片(COP)方法安装在柔性膜140上。通过使用各向异性导电膜将柔性膜140附接到显示面板110的非显示区域中制备的焊盘上，使得多个源极驱动IC 131可以与焊盘连接。
电路板150可以附接到柔性膜140。由驱动芯片形成的多个电路可以安装在电路板150上。例如，定时控制器160可以安装在电路板150上。电路板150可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
定时控制器160从主机系统170接收数字视频数据(DATA)和定时信号。定时信号可以包括垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号、点时钟等。垂直同步信号是用于定义1个帧时段的信号。水平同步信号是用于定义向显示面板(DIS)的1条水平线的像素提供数据电压所需的1个水平时段的信号。数据使能信号是用于定义输入有效数据的时段的信号。点时钟是在每个预设的短时间段内重复的信号。
为了控制扫描驱动器120和数据驱动器130中的每一个的操作定时，定时控制器160基于定时信号生成用于控制数据驱动器130的操作定时的数据控制信号(DCS)和用于控制扫描驱动器120的操作定时的扫描控制信号(GCS)。定时控制器160将扫描控制信号(GCS)输出到扫描驱动器120，并且将数字视频数据(DATA)和数据控制信号(DCS)输出到数据驱动器130。
主机系统170可以体现在导航系统、机顶盒、DVD播放器、蓝光播放器、个人计算机(PC)、家庭影院系统、广播接收器、电话系统等中。主机系统170包括具有定标器的片上系统(SoC)，该定标器使得能够将输入图像的数字视频数据(DATA)转换为适合在显示面板(DIS)上显示的格式。主机系统170将数字视频数据(DATA)和定时信号发送到定时控制器160。
根据本公开的一个实施方式的显示面板110的特征在于，电容器(C)设置在第一电极220上，如图3所示。
更具体地，设置在显示面板110中的每个子像素(SP)包括第一电极220、有机发光层230和第二电极240。在每个子像素(SP)中，有机发光层230可以通过第一电极220和第二电极240之间的电位差发光。
同时，在每个子像素(SP)中设置电容器(C)。在根据本公开的一个实施方式的子像素(SP)的情况下，电容器(C)可以设置在第一电极220上。
电容器(C)可以设置在第一电极220的至少一侧的边缘区域中。电容器(C)可以包括第一电容器电极312、第二电容器电极314和电容器介电膜316。
第一电容器电极312可以被配置为具有预定的垂直高度，并且可以与第一电极220电连接。电容器介电膜316设置在第一电容器电极312和第二电容器电极314之间，并且被配置为在其中存储电荷。第二电容器电极314设置在电容器介电膜316上，并且可以接地或与驱动晶体管的栅极电连接。
在下文中，将参照图4至图28详细描述包括上述电容器的显示面板的各种实施方式。
第一实施方式
图4是示出根据本公开的第一实施方式的显示装置的子像素的电路图。
参照图4，每个子像素(SP)可以具有包括三个晶体管(T1、T2、T3)和一个电容器(C1)的3T(晶体管)1C(电容器)结构。
在每个子像素(SP)中，第一晶体管(T1)连接在有机发光二极管(OLED)的第一电极与用于提供驱动电压(EVDD)的驱动电压线之间，或者连接在有机发光二极管(OLED)的第一电极和与驱动电压线连接的连接线之间。在这种情况下，驱动电压(EVDD)被施加到第一晶体管(T1)的第二节点(N2)。
第一晶体管(T1)对应于用于驱动有机发光二极管(OLED)的驱动晶体管。第一晶体管(T1)由第一节点(N1)的电压控制，并且第一晶体管(T1)向有机发光二极管(OLED)提供电流。因此，驱动了有机发光二极管(OLED)。
在每个子像素(SP)中，第二晶体管(T2)由从扫描线(S1-Sn)提供的扫描信号(SCAN(n))控制，并且第二晶体管(T2)连接在第一晶体管(T1)的第一节点(N1)与数据线(DL)之间。
第二晶体管(T2)对应于开关晶体管。第二晶体管(T2)由扫描信号(SCAN(n))控制，并且第二晶体管(T2)将从数据线(DL)提供的数据电压(Data)提供给第一晶体管(T1)的第一节点(N1)。因此，可以控制第一晶体管(T1)的导通/截止状态。
在每个子像素(SP)中，第一电容器(C1)连接在第一晶体管(T1)的第一节点(N1)与第一晶体管(T1)的第三节点(N3)之间。
第一电容器(C1)在一帧内保持第一晶体管(T1)的第一节点(N1)与第一晶体管(T1)的第三节点(N3)之间的电位差。第一电容器(C1)对应于存储电容器。
在每个子像素(SP)中，第三晶体管(T3)由从扫描线(S1-Sn)提供的扫描信号(SCAN(n))控制，并且第三晶体管(T3)连接在第一晶体管(T1)的第三节点(N3)与用于提供参考电压(Vref)的参考电压线之间。
第三晶体管(T3)对应于开关晶体管。第三晶体管(T3)由扫描信号(SCAN(n))控制，并且第三晶体管(T3)将从参考电压线提供的参考电压(Vref)施加到第三节点(N3)。因此，可以调节第一晶体管(T1)的第三节点(N3)中的电压。
图5是示出具有图4所示的子像素的显示装置的第一实施方式的截面图。图6是示出图5中“A”区域的一个示例的展开图。图7是示出形成图5所示的第一电容器电极的工序的立体图。图8是示出图5所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的平面图。
参照图5至图8，根据本公开的第一实施方式的显示装置100包括设置在第一基板111上的平坦化膜210、第一电极220、有机发光层230、第二电极240、封装膜250、滤色器层260、第一电容器(C1)和堤225。
在第一基板111上，存在用于发射红(R)色光的第一子像素(SP1)、用于发射绿(G)色光的第二子像素(SP2)和用于发射蓝(B)色光的第三子像素(SP3)，但不限于这种结构。此外，可以在第一基板111上另外设置用于发射白(W)色光的第四子像素。此外，可以以各种方式改变子像素(SP1、SP2、SP3、SP4)的布置顺序。
第一基板111可以由玻璃或塑料形成，但不限于这些材料。第一基板111可以由诸如硅晶圆之类的半导体材料形成。第一基板111可以由透明材料或不透明材料形成。
根据本公开的第一实施方式的显示装置100可以形成为发射光向上行进的顶部发光类型，但不限于这种类型。如果显示装置100以顶部发光类型形成，则第一基板111可以由不透明材料和透明材料形成。如果显示装置111形成为发射光向下行进的底部发光类型，则第一基板111可以由透明材料形成。
在下文中，为了便于解释，假设显示装置100形成为顶部发光类型，并且第一基板111由诸如硅晶圆之类的不透明材料形成，但不是必须如此。
如果第一基板111由诸如硅晶圆之类的半导体材料形成，则可以在第一基板111中设置图6所示的驱动晶体管(T1)。
更具体地，第一基板111包括P型基板(PS)、N型掺杂区(N)、栅极(GE)、源极(SE)、漏极(DE)、多个金属层(M1、M2、M3、M4)和多个绝缘层(I1、I2、I3、I4、I5、I6)。
在P型基板(PS)上，存在掺杂有N型半导体材料的N型区(N)。并且，栅极绝缘层(I1)可以形成在具有N型区(N)的P型基板(PS)上。栅极绝缘层(I1)可以由无机膜形成，例如，可以形成为氧化硅膜或氮化硅膜的单层结构或者包括氧化硅膜和氮化硅膜的多层结构。
栅极(GE)可以设置在栅极绝缘层(I1)上。栅极(GE)可以形成为从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中选择的任何一种材料的单层结构，或者可以形成为从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中选择的材料的多层结构，但不限于这些材料。
可以在栅极(GE)上设置绝缘中间层(I2)。绝缘中间层(I2)可由无机膜形成，例如，可以形成为氧化硅膜或氮化硅膜的单层结构或者包括氧化硅膜和氮化硅膜的多层结构。
可以在绝缘中间层(I2)上设置源极(SE)、漏极(DE)和M1金属层(M1)。源极(SE)可以经由贯穿栅极绝缘层(I1)和绝缘中间层(I2)的第三接触孔(CH3)与N型区(N)中的一个连接。漏极(DE)可以经由贯穿栅极绝缘层(I1)和绝缘中间层(I2)的第四接触孔(CH4)与N型区(N)中的另一个连接。
源极(SE)和漏极(DE)中的每一个可以形成为从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中选择的任何一种材料的单层结构，或者形成为从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中选择的材料的多层结构，但不限于这些材料。
此外，M1金属层(M1)设置在与源极(SE)和漏极(DE)相同的层中，并且M1金属层(M1)可以经由贯穿栅极绝缘层(I1)和绝缘中间层(I2)的第五接触孔(CH5)与栅极(GE)连接。
第一绝缘层(I3)可以设置在源极(SE)、漏极(DE)和M1金属层(M1)上。
可以在第一绝缘层(I3)上设置M2金属层(M2)、M3金属层(M3)和M4金属层(M4)。M2金属层(M2)可以设置有多个金属图案。M2金属图案(M2)中的一个可以经由贯穿第一绝缘层(I3)的接触孔与源极(SE)或漏极(DE)连接。M2金属图案(M2)中的另一个可以经由贯穿第一绝缘层(I3)的接触孔与电连接到栅极(GE)的M1金属图案(M1)连接。
M2金属层(M2)和M3金属层(M3)可以通过使用第二绝缘层(I4)彼此绝缘。M3金属层(M3)可以设置有多个金属图案。M3金属图案(M3)中的一个可以经由贯穿第二绝缘层(I4)的接触孔与电连接到源极(SE)或漏极(DE)的M2金属图案(M2)连接。M3金属图案(M3)的另一个可以经由贯穿第二绝缘层(I4)的接触孔与电连接到栅极(GE)的M2金属图案(M2)连接。
M3金属层(M3)和M4金属层(M4)可以通过使用第三绝缘层(I5)彼此绝缘。M4金属层(M4)可以设置有多个金属图案。M4金属图案(M4)中的一个可以经由贯穿第三绝缘层(I5)的接触孔与电连接到源极(SE)或漏极(DE)的M3金属图案(M3)连接。M4金属图案(M4)中的另一个可以经由贯穿第三绝缘层(I5)的接触孔与电连接到栅极(GE)的M3金属图案(M3)连接。
可以在M4金属层(M4)上设置第四绝缘层(I6)。第一绝缘层(I3)、第二绝缘层(I4)、第三绝缘层(I5)和第四绝缘层(I6)中的每一个可以由无机膜形成，例如，可以形成为氧化硅膜或氮化硅膜的单层结构或者包括氧化硅膜和氮化硅膜的多层结构。
第一端子212和第二端子214可以设置在第一基板111上。第一端子212可以经由贯穿第四绝缘层(I6)的第六接触孔(CH6)与电连接到源极(SE)或漏极(DE)的M4金属图案(M4)连接。结果，第一端子212可以与源极(SE)或漏极(DE)电连接。
第二端子214可以经由贯穿第四绝缘层(I6)的第七接触孔(CH7)与电连接到栅极(GE)的M4金属图案(M4)连接。结果，第二端子214可以与栅极(GE)电连接。
在图6中，M2金属层(M2)、M3金属层(M3)和M4金属层(M4)设置在第一绝缘层(I3)上，但不限于这种结构。根据产品的种类，可以从第一基板111完全或部分地去除M2金属层(M2)、M3金属层(M3)和M4金属层(M4)。
平坦化膜210设置在第一基板111、第一端子212和第二端子214上，从而使其中的阶梯差平坦化。平坦化膜210可以由例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机材料形成。
第一电极220可以在平坦化膜210上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电极220，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电极220，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电极220。
第一电极220与设置在第一基板111中的驱动晶体管(DT)的源极(SE)或漏极(DE)连接。具体而言，第一电极220可以经由贯穿平坦化膜210的第一接触孔(CH1)与第一端子212连接。由于第一端子212与驱动晶体管(DT)的源极(SE)或漏极(DE)电连接，因此第一电极220可以经由第一端子212与驱动晶体管(DT)的源极(SE)或漏极(DE)电连接。
第一电极220可以由具有高反射率的金属材料形成，更具体地，由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和氧化铟锡的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。第一电极220可以是阳极。
第一电容器(C1)在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电容器(C1)，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电容器(C1)，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电容器(C1)。
第一电容器(C1)包括第一电容器电极312、第二电容器电极314和电容器介电膜316。
第一电容器电极312在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电容器电极312，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电容器电极312，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电容器电极312。
第一电容器电极312在被设置在第一电极220上的同时与第一电极220电连接。如图5所示，第一电容器电极312可以直接设置在第一电极220上。因此，第一电容器电极312可以与第一电极220直接接触。
第一电容器电极312可以由碳纳米管形成。具体而言，为了形成第一电容器电极312，如图7所示，可以在第一电极220上对诸如镍(Ni)或铁(Fe)之类的催化材料313进行构图。在这种情况下，催化材料313可以在第一电极220的边缘构图。并且，通过使用诸如甲烷气体或乙烯气体的气体在约600℃-700℃的温度下执行化学气相沉积(CVD)工艺。因此，如图7所示，沿着第一电极220的边缘形成具有第一高度(H1)的垂直排列的碳纳米管(VACNT)，其中催化材料313在第一电极220的边缘构图。在这种情况下，垂直排列的碳纳米管(VACNT)具有导电性，使得垂直排列的碳纳米管(VACNT)可以用作第一电容器(C1)的第一电容器电极312。
因此，可以沿着第一电极220的边缘形成具有第一高度(H1)的第一电容器电极312。在这种情况下，第一电容器电极312的第一高度(H1)约为3.5μm或大于3.5μm，相对较高。由于第一电容器电极312具有相对较高的第一高度(H1)，所以它可以用作阻挡层。
此外，第一电容器电极312按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图并且沿着第一电极220的边缘形成，使得两个第一电容器电极312可以在两个子像素之间彼此间隔开。由于两个第一电容器电极312具有相对较高的第一高度(H1)，因此可以在两个第一电容器电极312之间形成深度与第一高度(H1)对应的凹槽部分(沟槽)。
此外，可以沿着第一电极220的所有边缘形成第一电容器电极312。例如，第一电极220可以形成为矩形形状。在这种情况下，第一电极220可以包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、以及设置成将第一侧和第二侧彼此连接的第三侧和第四侧。第一电容器电极312可以形成在第一电极220的第一侧、第二侧、第三侧和第四侧的所有边缘中。
电容器介电膜316设置在第一电容器电极312上。电容器介电膜316设置在第一电容器电极312和第二电容器电极314之间，使得电荷存储在其中。
电容器介电膜316可以被设置成覆盖第一电容器电极312。在这种情况下，电容器介电膜316可以覆盖设置在相邻子像素中的第一电容器电极312。一个电容器介电膜316可以覆盖设置在第一子像素(SP1)中的第一电容器电极312以及设置在第二子像素(SP2)中的第二电容器电极312。结果，电容器介电膜316可以覆盖第一电极220的端部，从而可以防止电流集中在第一电极220的两端。
电容器介电膜316可以由例如氧化硅膜或氮化硅膜的无机膜形成。
第二电容器电极314可以在电容器介电膜316上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第二电容器电极314，在第二子像素(SP2)中设置另一个第二电容器电极314，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第二电容器电极314。
第二电容器电极314与设置在第一基板111中的驱动晶体管(DT)的栅极(GE)连接。具体而言，第二电容器电极314可以经由贯穿电容器介电膜316和平坦化膜210的第二接触孔(CH2)与第二端子214连接。由于第二端子214与驱动晶体管(DT)的栅极(GE)电连接，因此第二电容器电极314可以经由第二端子214与驱动晶体管(DT)的栅极(GE)电连接。
第二电容器电极314中的一个经由第二接触孔(CH2)中的一个与第二端子214中的一个连接。也就是说，第二电容器电极314按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图，并且针对每个子像素(SP1、SP2、SP3)形成一个第二接触孔(CH2)。如图8所示，设置在每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的第二电容器电极314可以从一侧突出，使得设置在每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的第二电容器电极314可以经由第二接触孔(CH2)与第二端子214连接。
例如，第一子像素(SP1)、第二子像素(SP2)和第三子像素(SP3)可以在第一方向(X轴方向)上彼此相邻地设置。第四子像素(SP4)可以被设置为沿第二方向(Y轴方向)与第一子像素(SP1)相邻。第四子像素(SP4)、第五子像素(SP5)和第六子像素(SP6)可以在第一方向(X轴方向)上彼此相邻地设置。
在第一子像素(SP1)和第四子像素(SP4)之间，存在彼此间隔开的两个第二接触孔(CH2)，如图8所示。设置在第一子像素(SP1)中的第二电容器电极314可以从面向第四子像素(SP4)的一侧突出，并且可以位于一个第二接触孔(CH2)的上方。因此，设置在第一子像素(SP1)中的第二电容器电极314可以经由突出区域中的一个第二接触孔(CH2)与一个第二端子214连接。此外，设置在第四子像素(SP4)中的第二电容器电极314可以从面向第一子像素(SP1)的一侧突出，并且可以位于另一个第二接触孔(CH2)的上方。因此，设置在第四子像素(SP4)中的第二电容器电极314可以经由突出区域中的另一个第二接触孔(CH2)与另一个第二端子214连接。
此外，第二电容器电极314按照电容器介电膜316插置于其间的方式与第一电容器电极312的至少一个表面面对。具体而言，第一电容器电极312包括与第一电极220接触的下表面312a、与下表面312a相对的上表面312b以及设置为将下表面312a和上表面312b彼此连接的第一侧表面312c和第二侧表面312d。第二电容器电极314可以与第一电容器电极312的第一侧表面312c和第二侧表面312d面对。因此，在第一电容器(C1)的情况下，电荷可以同时存储在第一电容器电极312的第一侧表面312c与第二电容器电极314之间，以及第一电容器电极312的第二侧表面312d与第二电容器电极314之间。此外，如图5所示，第二电容器电极314可以面对第一电容器电极312的上表面312b。
第二电容器电极314可以由例如铝(Al)、银(Ag)等的具有高反射率的金属材料形成。在根据本公开的第一实施方式的显示装置100的情况下，第二电容器电极314由具有高反射率的金属材料形成，使得从有机发光层230发射的光当中的朝向相邻子像素行进的一些光可以被反射到前方。因此，根据本公开的第一实施方式的显示装置100能够在不使用黑底的情况下防止颜色在相邻子像素(SP1、SP2、SP3)中混合。
堤225被设置在第一电容器(C1)上并且被配置为覆盖第一电容器(C1)。堤225限定每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的发光区域(EA)。也就是说，每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的未设置堤225而使第一电极220暴露的暴露区域成为发光区域(EA)，并且每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的设置有堤225的其余区域成为非发光区域(NEA)。堤225可由具有相对小厚度的无机绝缘膜形成，但不限于这种结构。堤225可以由有机绝缘膜形成。
有机发光层230设置在第一电极220和堤225上。有机发光层230可以是用于发射白色光的白色发光层，但不限于这种类型。
有机发光层230可以由配置成发射红色光的红色发光层、配置成发射绿色光的绿色发光层或配置成发射蓝色光的蓝色发光层形成。在这种情况下，有机发光层230可以在与第一电极220对应的区域中构图。
如果有机发光层230是白色发光层，则有机发光层230可以是针对子像素(SP1、SP2、SP3)共同形成的公共层。
为了发射白色光，有机发光层230可以包括用于发射不同颜色光的多个叠层。每个叠层可以包括空穴传输层、至少一个发光层和电子传输层。
此外，可以在各个叠层之间设置电荷产生层。电荷产生层可以包括：n型电荷产生层，其与下部叠层相邻定位；以及p型电荷产生层，其设置在n型电荷产生层上并且与上部叠层相邻定位。n型电荷产生层将电子注入到下部叠层中，而p型电荷产生层将空穴注入到上部叠层中。n型电荷产生层可以由掺杂有碱金属(诸如Li、Na、K或Cs等)的有机层或掺杂有碱土金属(诸如Mg、Sr、Ba或Ra等)的有机层形成。p型电荷产生层可以由掺杂有掺杂剂的具有空穴传输能力的有机材料形成。
有机发光层230可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果通过沉积工艺形成有机发光层230，则可以使用蒸发方法。如果通过蒸发方法形成膜，则膜具有较差的阶梯覆盖率。因此，由于有机发光层230具有较差的阶梯覆盖率，所以有机发光层230的厚度在具有由第一电容器(C1)引起的阶梯差的区域中不是恒定的。
第一电容器(C1)上的有机发光层的厚度可以小于第一电极220上的有机发光层的厚度。更具体地，有机发光层230可以设置在第一电容器(C1)的上表面和侧表面上。由于第一电容器电极312具有第一高度(H1)，所以第一电容器(C1)在第一电极上可以具有大于第一高度(H1)的高度。因此，当有机发光层230设置在第一电极220和第一电容器(C1)上时，由于第一电极220和第一电容器(C1)之间的阶梯差，导致有机发光层230的厚度不是恒定的。有机发光层230在第一电容器(C1)的上表面和侧表面上的厚度可以相对较小。特别地，有机发光层230在第一电容器(C1)的侧表面上的厚度可以相对较小。由于第一电容器(C1)的高度增加，因此有机发光层230可以不连续地设置在第一电容器(C1)的侧表面中。
在本公开的第一实施方式中，可以由设置在各相邻子像素(SP)中的第一电容器(C1)形成凹槽部分(沟槽)。因此，与没有凹槽部分的情况相比，在相邻子像素(SP)之间的经由有机发光层230的电流泄漏路径的长度相对增加。此外，在本公开的第一实施方式的情况下，第一电容器(C1)上的有机发光层的厚度相对小于第一电极220上的有机发光层的厚度，从而可以增加有机发光层230的电阻。此外，在本公开的第一实施方式的情况下，由于第一电容器(C1)的高度增加，所以有机发光层230可以不连续地设置在第一电容器(C1)的侧表面中。在这种情况下，在相邻子像素(SP)之间，电流不会在有机发光层230中流动。因此，可以使经由有机发光层230的漏电流对相邻子像素(SP)的影响最小化。
第二电极240设置在有机发光层230上。第二电极240可以是针对子像素(SP1、SP2、SP3)共同形成的公共层。
第二电极240可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明金属材料(TCO、透明导电材料)或诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金之类的半透射金属材料(半透射导电材料)形成。第二电极240可以是阴极。
封装膜250设置在第二电极240上并且被配置为覆盖第二电极240。封装膜250防止氧或湿气渗入第二电极240中。为此，封装膜250可以包括至少一个无机膜。
具体而言，封装膜250可以包括第一无机膜。根据本公开的一个实施方式，封装膜250可以进一步包括有机膜和第二无机膜中的至少一个。
设置第一无机膜以覆盖第二电极240。有机膜设置在第一无机膜上。优选地，有机膜的厚度足以防止颗粒通过第一无机膜渗入有机发光层230和第二电极240中。设置第二无机膜以覆盖有机膜。
第一无机膜和第二无机膜中的每一个可以形成为氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛或其合金的单层结构，或者可以形成为从氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛及其合金中选择的材料的多层结构。第一无机膜和第二无机膜可以通过化学气相沉积(CVD)法或原子层沉积(ALD)法沉积，但不限于这些方法。
有机膜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。有机膜可以通过气相沉积法、印刷法或狭缝涂布法获得，但不限于这些方法。有机膜可以通过喷墨法获得。
滤色器层260设置在封装膜250上。滤色器层260包括针对各个子像素(SP1、SP2、SP3)设置的第一滤色器(CF1)、第二滤色器(CF2)和第三滤色器(CF3)。第一滤色器(CF1)可以是用于使红色光透射的红色滤色器，第二滤色器(CF2)可以是用于使绿色光透射的绿色滤色器，并且第三滤色器(CF3)可以是用于使蓝色光透射的蓝色滤色器。
根据本公开的第一实施方式的显示装置100的特征在于，第一电容器(C1)设置在第一电极220上。在这种情况下，与垂直排列的碳纳米管(VACNT)对应的第一电容器(C1)可以形成第一电容器电极312。在垂直方向上具有第一高度(H1)的第一电容器电极312沿着第一电极220的边缘形成，从而可以增加第一电容器电极312的总面积。因此，即使在高分辨率的情况下，根据本公开的第一实施方式的第一电容器(C1)也可以具有60fF或大于60fF的电容。
例如，假设当第一电容器电极312具有180nm的宽度、3.5μm的高度和1.0μm的长度时，电容器的电容为6.25fF。第一电极220中的一个可以在第一方向(X轴方向)上形成为1.2μm，并且在第二方向(Y轴方向)上形成为4.5μm。第一电容器电极312中的一个的宽度可以是180nm，并且第一电容器电极312中的一个的高度可以是3.5μm。在这种情况下，第一电容器电极312中的一个沿着第一电极220的边缘形成，由此长度变为11.4μm。因此，一个电容器的电容变为71.25fF。
此外，在水平形成的现有技术电容器电极的情况下，由于其它布线或电极之间的布置关系，导致其面积的增加受到限制。此外，根据本公开的第一实施方式的第一电容器电极312垂直形成，从而可以增加形成面积，而与其它布线或电极之间的布置关系无关。也就是说，根据本公开的第一实施方式的显示装置100有助于根据分辨率来提升第一电容器(C1)的电容。
第二实施方式
图9是示出具有图4所示的子像素的显示装置的第二实施方式的截面图。图10是示出图9所示的第一电容器电极的一个示例的立体图。图11是示出图9所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的一个示例的平面图。图12是示出图9所示的第一电容器电极的另一示例的立体图。图13是示出图9所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的另一示例的平面图。图14是示出图9的变型实施方式的截面图。图15是示出图14所示的第一电容器电极的一个示例的立体图。图16是示出图14所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的一个示例的平面图。
参照图9至图16，根据本公开的第二实施方式的显示装置100包括设置在第一基板111上的平坦化膜210、第一电极220、有机发光层230、第二电极240、封装膜250、滤色器层260、第一电容器(C1)和堤225。
根据本公开的第二实施方式的显示装置100中所包括的第一基板111、平坦化膜210、第一电极220、有机发光层230、第二电极240、封装膜250、滤色器层260和堤225在结构上与图5至图8所示的根据本公开的第一实施方式的显示装置100中的对应部分相同，从而将省略对根据本公开的第二实施方式的显示装置100中所包括的第一基板111、平坦化膜210、第一电极220、有机发光层230、第二电极240、封装膜250、滤色器层260和堤225的详细描述。
在根据本公开的第二实施方式的显示装置100的情况下，第一电容器(C1)在被设置在第一电极220上的同时设置在第一电极220的边缘区域的一些部分中。在这点上，根据本公开的第二实施方式的显示装置100与根据本公开的第一实施方式的显示装置100不同。在下文中，将主要描述根据本公开的第二实施方式的显示装置100与根据本公开的第一实施方式的显示装置100之间的结构差异。
第一电容器(C1)在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电容器(C1)，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电容器(C1)，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电容器(C1)。
第一电容器(C1)包括第一电容器电极312、第二电容器电极314和电容器介电膜316。
第一电容器电极312在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电容器电极312，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电容器电极312，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电容器电极312。
第一电容器电极312在被设置在第一电极220上的同时与第一电极220电连接。如图9所示，第一电容器电极312可以直接设置在第一电极220上。因此，第一电容器电极312可以与第一电极220直接接触。
第一电容器电极312可以由碳纳米管形成。具体而言，为了形成第一电容器电极312，可以在第一电极220上对诸如镍(Ni)或铁(Fe)之类的催化材料进行构图。在这种情况下，催化材料313可以在第一电极220的边缘构图。并且，通过使用诸如甲烷气体或乙烯气体的气体在约600℃-700℃的温度下执行化学气相沉积(CVD)工艺。因此，在用催化材料构图的第一电极220的边缘的一些区域中形成具有第一高度(H1)的垂直排列的碳纳米管(VACNT)。在这种情况下，垂直排列的碳纳米管(VACNT)具有导电性，使得垂直排列的碳纳米管(VACNT)可以用作第一电容器(C1)的第一电容器电极312。
因此，可以沿着第一电极220的边缘的一些部分形成具有第一高度(H1)的第一电容器电极312。在这种情况下，第一电容器电极312的第一高度(H1)约为3.5μm或大于3.5μm，相对较高。由于第一电容器电极312具有相对较高的第一高度(H1)，所以它可以用作阻挡层。
此外，根据本公开的第二实施方式的第一电容器电极312可以形成在第一电极220的边缘的一些部分中。
第一电容器电极312可以被配置为在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)的所有边缘中具有第一高度。此外，第一电容器电极312可以被配置为在设置为与第一子像素(SP1)相邻的第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)的所有边缘中具有第一高度。
在第一子像素(SP1)中设置的第一电极220的第一侧(S1)与第二子像素(SP2)中设置的第一电极220的第二侧(S2)间隔开的情况下，第一子像素(SP1)中设置的第一电极220的第一侧(S1)面对第二子像素(SP2)中设置的第一电极220的第二侧(S2)。此外，在第一子像素(SP1)中设置的第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面面对在第二子像素(SP2)中设置的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面。在这种情况下，在两个第一电容器电极312之间可能形成寄生电容，从而可能无法正常驱动第一电容器(C1)。随着子像素(SP1、SP2、SP3)之间的间隔变小，设置在相邻子像素中的第一电容器电极312之间的寄生电容会增大。
在根据本公开的第二实施方式的显示装置100中，仅在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的边缘区域中的一些部分中形成第一电容器电极312，从而可以最小化或防止设置在相邻子像素中的第一电容器电极312之间的寄生电容。
为了最小化或防止寄生电容，设置在相邻两个子像素中的每一个中的第一电容器电极312可以仅设置在两个子像素中的每一个中所设置的第一电极220的两个相对侧中的任何一个边缘区域中。例如，设置在第一子像素(SP1)中的第一电极220可以面对设置在第二子像素(SP2)中的第一电极220的第二侧(S2)。第一电容器电极312可以设置在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)和第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)中的任何一个边缘区域中。
根据本公开的一个实施方式，如图10和图11所示，第一电容器电极312可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的彼此不相对的两侧的边缘区域中。
例如，第一电极220可以形成为矩形形状。在这种情况下，第一电极220可以包括第一侧(S1)、与第一侧(S1)相对的第二侧(S2)以及设置成将第一侧(S1)和第二侧(S2)彼此连接的第三侧(S3)和第四侧(S4)。第一电容器电极312可以仅形成在多个子像素(SP1、SP2、SP3)中的每一个中的彼此不相对的第二侧(S2)和第四侧(S4)中。
第一电容器电极312设置在第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中，然而，第一电容器电极312未设置在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域中。因此，设置在第二子像素(SP2)中的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面面对设置在第一子像素(SP1)中的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面。由于相面对的两个第一电容器电极312之间的间隔较大，所以可以防止两个第一电容器电极312之间的寄生电容。
此外，在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第四侧(S4)与第四子像素(SP4)中设置的第一电极220的第三侧(S3)间隔开的情况下，第一子像素(SP1)中设置的第一电极220的第四侧(S4)面对第四子像素(SP4)中设置的第一电极220的第三侧(S3)。第一电容器电极312被设置在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域中，然而，第一电容器电极312未设置在第四子像素(SP4)中所设置的第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域中。因此，设置在第一子像素(SP1)中的第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面面对设置在第四子像素(SP4)中的第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面。由于相面对的两个第一电容器电极312之间的间隔较大，所以可以防止两个第一电容器电极312之间的寄生电容。
此外，如图10和图11所示，如果第一电容器电极312形成在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的彼此不相对的两侧的边缘区域中，则第一电容器(C1)可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的彼此不相对的两侧的边缘区域中。
根据本公开的另一实施方式，如图12和图13所示，第一电容器电极312形成在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的三侧的边缘区域中。
例如，第一电容器电极312可以仅设置在多个子像素(SP1、SP2、SP3)中的每一个中的第一侧(S1)、第二侧(S2)和第三侧(S3)的边缘区域中，或者可以仅设置在多个子像素(SP1、SP2、SP3)中的每一个中的第一侧(S1)、第二侧(S2)和第四侧(S4)的边缘区域中。
在这种情况下，设置在相邻子像素中的第一电容器电极312可以设置成彼此不相面对。例如，第一电容器电极312可以设置在第一子像素(SP1)中的第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)和第三侧(S3)的边缘区域中。具体而言，设置在第一子像素(SP1)中的第一电容器电极312可以沿着第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域设置。设置在第一子像素(SP1)中的第一电容器电极312可以从第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域延伸到第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域。此外，设置在第一子像素(SP1)中的第一电容器电极312可以从第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域延伸到第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域。在这种情况下，设置在第一电极220的第一侧(S1)和第二侧(S2)中的每一侧中的第一电容器电极312可以仅设置在一些部分中，而不延伸到第四侧(S4)的边缘区域。设置在第一子像素(SP1)中的第一电容器电极312可以被设置为不面对设置在第二子像素(SP2)中的第一电容器电极312。
在第二子像素(SP2)中，第一电容器电极312可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)和第四侧(S4)的边缘区域中。具体而言，设置在第二子像素(SP2)中的第一电容器电极312可以沿着第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域设置。设置在第二子像素(SP2)中的第一电容器电极312可以从第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域延伸到第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域。此外，设置在第二子像素(SP2)中的第一电容器电极312可以从第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域延伸到第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域。在这种情况下，设置在第一电极220的第一侧(S1)和第二侧(S2)中的每一侧中的第一电容器电极312可以仅设置在一些部分中，而不延伸到第三侧(S3)的边缘区域。第二子像素(SP2)中所设置的第一电容器电极312可以被设置为不面对第一子像素(SP1)中所设置的第一电容器电极312。
因此，在第一子像素(SP1)中所设置的第一电容器电极312和第二子像素(SP2)中所设置的第一电容器电极312之间不会形成寄生电容。
图9至图11所示的第一电容器电极312形成在第一电极220上的彼此不相对的两侧的边缘区域中。
在本公开的另一实施方式中，如图14至图16所示，第一电容器电极312可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的两个相对侧(S2、S4)的边缘区域中。
例如，第一电容器电极312可以仅形成在多个子像素(SP1、SP2、SP3)中的每一个中的彼此相对的第一侧(S1)和第二侧(S2)的边缘区域中，或者可以仅形成在多个子像素(SP1、SP2、SP3)中的每一个中的彼此相对的第三侧(S3)和第四侧(S4)的边缘区域中。
在这种情况下，设置在相邻子像素中的第一电容器电极312可以设置成彼此不相面对。更具体地，第一电容器电极312可以仅设置在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第三侧(S3)和第四侧(S4)的边缘区域中。第一电容器电极312可以仅设置在与第一子像素(SP1)相邻的第二子像素(SP2)和第四子像素(SP4)中的每一个中所设置的第一电极220的第一侧(S1)和第二侧(S2)的边缘区域中。
第一电容器电极312被设置在第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中，然而，第一电容器电极312不形成在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域中。第一子像素(SP1)中所设置的第一电容器电极312不会面对第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312。因此，在第一子像素(SP1)中设置的第一电容器电极312与第二子像素(SP2)中设置的第一电容器电极312之间不会形成寄生电容。
此外，第一电容器电极312被设置在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域中，然而，第一电容器电极312不形成在第四子像素(SP4)中所设置的第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域中。第一子像素(SP1)中设置的第一电容器电极312不会面对第四子像素(SP4)中所设置的第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312。因此，在第一子像素(SP1)中设置的第一电容器电极312与第四子像素(SP4)中设置的第一电容器电极312之间不会形成寄生电容。
此外，如图14和图16所示，如果第一电容器电极312形成在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的两个相对侧的边缘区域中，则第一电容器(C1)可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的两个相对侧的边缘区域中。
如上所述，在第一电极220的第一侧、第二侧、第三侧和第四侧的一些边缘区域中所形成的第一电容器电极312与第一电极220接触，使得它们可以通过第一电极220彼此电连接而不直接连接。
电容器介电膜316设置在第一电容器电极312上。电容器介电膜316设置在第一电容器电极312和第二电容器电极314之间，使得电荷存储在其中。
电容器介电膜316可以设置成覆盖第一电容器电极312。在这种情况下，电容器介电膜316可以覆盖相邻子像素中所设置的第一电极220的端部。例如，如图9所示，在电容器介电膜316的一端，电容器介电膜316可以覆盖设置在第一子像素(SP1)中的第一电容器电极312。此外，在电容器介电膜316的另一端，电容器介电膜316可以覆盖设置在第二子像素(SP2)中的第一电极220的一端。结果，电容器介电膜316可以覆盖第一电极200的端部，从而可以防止电流集中在第一电极220的两端。
电容器介电膜316可以由例如氧化硅膜或氮化硅膜的无机膜形成。
第二电容器电极314可以在电容器介电膜316上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第二电容器电极314，在第二子像素(SP2)中设置另一个第二电容器电极314，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第二电容器电极314。
第二电容器电极314与设置在第一基板111中的驱动晶体管(DT)的栅极(GE)连接。具体而言，第二电容器电极314可以经由贯穿电容器介电膜316和平坦化膜210的第二接触孔(CH2)与第二端子214连接。由于第二端子214与驱动晶体管(DT)的栅极(GE)电连接，所以第二电容器电极314可以经由第二端子214与驱动晶体管(DT)的栅极(GE)电连接。
第二电容器电极314中的一个经由第二接触孔(CH2)中的一个与第二端子214中的一个连接。也就是说，第二电容器电极314按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图，并且每个子像素(SP1、SP2、SP3)形成一个第二接触孔(CH2)。如图8所示，每个子像素(SP1、SP2、SP3)中所设置的第二电容器电极314可以从一侧突出，使得设置在每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的第二电容器电极314可以经由第二接触孔(CH2)与第二端子214连接。
例如，第一子像素(SP1)、第二子像素(SP2)和第三子像素(SP3)可以在第一方向(X轴方向)上彼此相邻地设置。第四子像素(SP4)可以在第二方向(Y轴方向)上与第一子像素(SP1)相邻设置。第四子像素(SP4)、第五子像素(SP5)和第六子像素(SP6)可以在第一方向(X轴方向)上彼此相邻地设置。
如图11、图13和图15所示，第二接触孔(CH2)可以设置在每个子像素的一侧。如图11和图16所示，设置在第一子像素(SP1)中的第二电容器电极314可以在一个第二接触孔(CH2)上从与第四子像素(SP4)面对的第四侧(S4)突出。因此，第一子像素(SP1)中设置的第二电容器电极314可以通过突出区域中的一个第二接触孔(CH2)与一个第二端子214连接。
另一方面，如图13所示，第一子像素(SP1)中设置的第二电容器电极314可以在一个第二接触孔(CH2)上从第三侧(S3)突出。因此，第一子像素(SP1)中设置的第二电容器电极314可以通过突出区域中的一个第二接触孔(CH2)与一个第二端子214连接。
此外，如图11、图13和图15所示，设置在每个子像素中的第二电容器电极314可以通过一个第二接触孔(CH2)与一个第二端子214连接，但不限于这种结构。
如图11和图13所示，如果设置在每个子像素中的第一电容器电极312形成为一个连接图案，则设置在每个子像素中的第二电容器电极314可以形成为一个连接图案。在这种情况下，设置在每个子像素中的第二电容器电极314可以通过一个第二接触孔(CH2)与一个第二端子214连接。
如图16所示，如果设置在每个子像素中的第一电容器电极312由彼此断开的两个图案形成，则设置在每个子像素中的第二电容器电极314可以形成为一个连接图案，或者可以由彼此断开的两个图案形成。例如，在第一子像素(SP1)中，第一电容器电极312可以形成在第一电极220的第三侧(S3)和第四侧(S4)中的每一侧中。第二电容器电极314可以形成在第一电容器电极312的两个断开的图案上，并且也可以如图16所示的形成在第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中，使得断开的图案可以彼此连接。结果，第二电容器电极314可以形成为一个连接图案。在这种情况下，第二电容器电极314可以通过一个第二接触孔(CH2)与一个第二端子214连接。
在另一示例中，第二电容器电极314可以仅形成在第一电容器电极312的两个图案上。在这种情况下，第二电容器电极314可以由两个断开的图案形成。两个断开的图案中的每一个可以通过另外两个第二接触孔(CH2)与另外两个第二端子214连接。
如上所述，第二电容器电极314按照电容器介电膜316插置于其间的方式与第一电容器电极312的至少一个表面相对。具体而言，第一电容器电极312包括与第一电极220接触的下表面312a、与下表面312a相对的上表面312b以及设置为将下表面312a和上表面312b彼此连接的第一侧表面312c和第二侧表面312d。第二电容器电极314可以面对第一电容器电极312的第一侧表面312c和第二侧表面312d。因此，在第一电容器(C1)的情况下，电荷可以同时存储在第一电容器电极312的第一侧表面312c与第二电容器电极314之间，以及第一电容器电极312的第二侧表面312d与第二电容器电极314之间。此外，如图9所示，第二电容器电极314可以面对第一电容器电极312的上表面312b。
第二电容器电极314可以由例如铝(Al)、银(Ag)等的具有高反射率的金属材料形成。在根据本公开的第二实施方式的显示装置100的情况下，第二电容器电极314由具有高反射率的金属材料形成，使得从有机发光层230发射的光中的朝向相邻子像素行进的一些光可以被反射到前方。因此，根据本公开的第二实施方式的显示装置100能够在不使用黑底的情况下防止颜色在相邻子像素(SP1、SP2、SP3)中混合。
根据本公开的第二实施方式的显示装置100的特征在于，第一电容器(C1)设置在第一电极220上。在这种情况下，与垂直排列的碳纳米管(VACNT)对应的第一电容器(C1)可以形成第一电容器电极312。在垂直方向上具有第一高度(H1)的第一电容器电极312沿着第一电极220的边缘形成，从而可以增加第一电容器电极312的总面积。因此，即使在高分辨率的情况下，根据本公开的第二实施方式的第一电容器(C1)也可以保证高电容。
例如，假设当第一电容器电极312具有180nm的宽度、3.5μm的高度和1.0nm的长度时，第一电容器电极312的电容为6.25fF。第一电极220中的一个可以在第一方向(X轴方向)上形成为1.2μm，并且在第二方向(Y轴方向)上形成为4.5μm。第一电容器电极312中的一个可以形成为具有180nm的宽度和3.5μm的高度。在这种情况下，第一电容器电极312中的一个沿着第一电极220的边缘区域的一些部分形成，从而其长度可以是5.7μm。因此，一个电容器的电容可以是35.63fF。
此外，在水平形成的现有技术电容器电极的情况下，由于其它布线或电极之间的布置关系，导致其尺寸的增加受到限制。此外，根据本公开的第二实施方式的第一电容器电极312垂直形成，使得可以增加形成面积，而与其它布线或电极之间的布置关系无关。也就是说，根据本公开的第二实施方式的显示装置100有助于根据分辨率来提升第一电容器(C1)的电容。
此外，在根据本公开的第二实施方式的显示装置100中，以这样的方式设置第一电容器(C1)，即，设置在相邻子像素中的第一电容器(C1)之间的间隔(更具体为，第一电容器电极312之间的间隔)大于预定值。因此，可以最小化或防止根据本公开的第二实施方式的显示装置100的相邻子像素中所设置的第一电容器(C1)之间的寄生电容。
此外，设置有第一电容器(C1)的区域变成非发光区域(NEA)。在根据本公开的第二实施方式的显示装置100中，第一电容器(C1)仅形成在第一电极220的侧面的边缘区域的一些部分中，而不是形成在第一电极220的所有侧面的边缘区域中，从而可以使非发光区域(NEA)的尺寸的增加最小化。与根据本公开的第一实施方式的显示装置100相比，根据本公开的第二实施方式的显示装置100可以具有相对较小尺寸的非发光区域(NEA)。也就是说，与根据本公开的第一实施方式的显示装置100相比，根据本公开的第二实施方式的显示装置100可以具有相对较大尺寸的发光区域(EA)。
第三实施方式
图17是示出子像素的另一示例的电路图。
参照图17，每个子像素(SP)可以具有包括两个晶体管(T1、T2)和两个电容器(C1、C2)的2T(晶体管)2C(电容器)结构。
在每个子像素(SP)中，第一晶体管(T1)连接在有机发光二极管(OLED)的第一电极与用于提供驱动电压(EVDD)的驱动电压线之间，或者连接在有机发光二极管(OLED)的第一电极和与驱动电压线连接的连接线之间。在这种情况下，驱动电压(EVDD)被施加到第一晶体管(T1)的第二节点(N2)。
第一晶体管(T1)与用于驱动有机发光二极管(OLED)的驱动晶体管对应。第一晶体管(T1)由第一节点(N1)的电压控制，并且第一晶体管(T1)向有机发光二极管(OLED)提供电流。因此，驱动了有机发光二极管(OLED)。
在每个子像素(SP)中，第二晶体管(T2)由从扫描线(S1-Sn)提供的扫描信号(SCAN(n))控制，并且第二晶体管(T2)连接在第一晶体管(T1)的第一节点(N1)和数据线(DL)之间。
第二晶体管(T2)对应于开关晶体管。第二晶体管(T2)由扫描信号(SCAN(n))控制，并且第二晶体管(T2)将从数据线(DL)提供的数据电压(Data)提供给第一晶体管(T1)的第一节点(N1)。因此，可以控制第一晶体管(T1)的导通/截止状态。
在每个子像素(SP)中，第二电容器(C2)连接在第一晶体管(T1)的第一节点(N1)和第一晶体管(T1)的第三节点(N3)之间。
第二电容器(C2)在一帧内保持第一晶体管(T1)的第一节点(N1)与第一晶体管(T1)的第三节点(N3)之间的电位差。第二电容器(C2)对应于存储电容器。
在每个子像素(SP)中，第一电容器(C1)的一端与第一晶体管(T1)的第三节点(N3)连接，并且第一电容器(C1)的另一端接地。
图18是示出具有图17所示的子像素的显示装置的第三实施方式的截面图。图19是示出图18中的“B”区域的一个示例的展开图。图20是示出图18所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的平面图。
参照图18至图20，根据本公开的第三实施方式的显示装置100包括设置在第一基板111上的平坦化膜210、第一电极220、有机发光层230、第二电极240、封装膜250、滤色器层260、第一电容器(C1)、第二电容器(C2)和堤225。
在第一基板111上，存在用于发射红(R)色光的第一子像素(SP1)、用于发射绿(G)色光的第二子像素(SP2)和用于发射蓝(B)色光的第三子像素(SP3)，但不限于这种结构。此外，可以在第一基板111上另外提供用于发射白(W)色光的第四子像素。此外，可以以各种方式改变子像素(SP1、SP2、SP3，SP4)的排列顺序。
第一基板111可以由玻璃或塑料形成，但不限于这些材料。第一基板111可以由诸如硅晶圆之类的半导体材料形成。第一基板111可以由透明材料或不透明材料形成。
根据本公开的第三实施方式的显示装置100可以形成为发射光向上行进的顶部发光类型，但不限于这种类型。如果显示装置100以顶部发光类型形成，则第一基板111可由不透明材料以及透明材料形成。如果显示装置100形成为发射光向下行进的底部发光类型，则第一基板111可以由透明材料形成。
在下文中，为了便于解释，假设显示装置100形成为顶部发光类型，并且第一基板111由诸如硅晶圆之类的不透明材料形成，但不是必须如此。
如果第一基板111由诸如硅晶圆之类的半导体材料形成，则可以在第一基板111上设置图19所示的驱动晶体管(DT)。
更具体地，第一基板111包括P型基板(PS)、N型掺杂区(N)、栅极(GE)、源极(SE)、漏极(DE)、第二电容器(C2)、多个金属层(M1、M2、M3、M4)和多个绝缘层(I1、I2、I3、I4、I5、I6、I7)。
在P型基板(PS)上，存在掺杂有N型半导体材料的N型区(N)。并且，栅极绝缘层(I1)可以形成在具有N型区(N)的P型基板(PS)上。栅极绝缘层(I1)可以由无机膜形成，例如，可以形成为氧化硅膜或氮化硅膜的单层结构，或者包括氧化硅膜和氮化硅膜的多层结构。
栅极(GE)可以设置在栅极绝缘层(I1)上。栅极(GE)可以形成为从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中选择的材料的单层结构或多层结构，但不限于这些材料。
可以在栅极(GE)上设置绝缘中间层(I2)。绝缘中间层(I2)可由无机膜形成，例如，可以形成为氧化硅膜或氮化硅膜的单层结构，或者包括氧化硅膜和氮化硅膜的多层结构。
可以在绝缘中间层(I2)上设置源极(SE)、漏极(DE)和M1金属层(M1)。源极(SE)可以经由贯穿栅极绝缘层(I1)和绝缘中间层(I2)的第三接触孔(CH3)与N型区(N)中的一个连接。漏极(DE)可以经由贯穿栅极绝缘层(I1)和绝缘中间层(I2)的第四接触孔(CH4)与N型区(N)中的另一个连接。
源极(SE)和漏极(DE)中的每一个可以形成为从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中选择的任何一种材料的单层结构，或者形成为从钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中选择的材料的多层结构，但不限于这些材料。
此外，M1金属层(M1)形成在与源极(SE)和漏极(DE)相同的层中，并且M1金属层(M1)可以经由贯穿绝缘中间层(I2)的第五接触孔(CH5)与栅极(GE)连接。
第一绝缘层(I3)可以设置在源极(SE)、漏极(DE)和M1金属层(M1)上。
可以在第一绝缘层(I3)上设置M2金属层(M2)、M3金属层(M3)、第二电容器(C2)和M4金属层(M4)。M2金属层(M2)可以设置有多个金属图案。M2金属图案(M2)中的一个可以经由贯穿第一绝缘层(I3)的接触孔与源极(SE)或漏极(DE)连接。M2金属图案(M2)中的另一个可以经由贯穿第一绝缘层(I3)的接触孔与电连接到栅极(GE)的M1金属图案(M1)连接。
M2金属层(M2)和M3金属层(M3)可以通过使用第二绝缘层(I4)彼此绝缘。M3金属层(M3)可以设置有多个金属图案。M3金属图案(M3)中的一个可以经由贯穿第二绝缘层(I4)的接触孔与电连接到源极(SE)或漏极(DE)的M2金属图案(M2)连接。M3金属图案(M3)的另一个可以经由贯穿第二绝缘层(I4)的接触孔与电连接到栅极(GE)的M2金属图案(M2)连接。
M3金属层(M3)和CTM金属层(CTM)可以通过使用第五绝缘层(I7)彼此绝缘。CTM金属层(CTM)可以面对与栅极(GE)电连接的M3金属图案(M3)。在这种情况下，CTM金属层(CTM)、与栅极(GE)电连接的M3金属图案(M3)以及第五绝缘层(I7)构成第二电容器(C2)。
CTM金属层(CTM)和M4金属层(M4)可以通过使用第三绝缘层(I5)彼此绝缘。M4金属层(M4)可以经由贯穿第三绝缘层(I5)的接触孔与CTM金属层(CTM)连接。此外，M4金属层(M4)可以经由贯穿第三绝缘层(I5)和第五绝缘层(I7)的接触孔与电连接到源极(SE)或漏极(DE)的M3金属图案(M3)连接。
可以在M4金属层(M4)上设置第四绝缘层(I6)。第一绝缘层(I3)、第二绝缘层(I4)、第三绝缘层(I5)和第四绝缘层(I6)中的每一个可以由无机膜形成，例如，可以形成为氧化硅膜或氮化硅膜的单层结构，或者包括氧化硅膜和氮化硅膜的多层结构。
第一端子212和第三端子216可以设置在第一基板111上。第一端子212可以经由贯穿第四绝缘层(I6)的第六接触孔(CH6)与电连接到源极(SE)或漏极(DE)的M4金属图案(M4)连接。结果，第一端子212可以与源极(SE)或漏极(DE)电连接。此外，第三端子216可以接地。
在图19中，M2金属层(M2)、M3金属层(M3)和M4金属层(M4)设置在第一绝缘层(I3)上，但不限于这种结构。根据产品的种类，可以从第一基板111完全或部分地去除M2金属层(M2)、M3金属层(M3)和M4金属层(M4)。
平坦化膜210设置在第一基板111、第一端子212和第二端子214上，从而使其中的阶梯差平坦化。平坦化膜210可以由例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机膜形成。
第一电极220可以在平坦化膜210上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电极220，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电极220，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电极220。
第一电极220与设置在第一基板111中的驱动晶体管(DT)的源极(SE)或漏极(DE)连接。具体而言，第一电极220可以经由贯穿平坦化膜210的第一接触孔(CH1)与第一端子212连接。由于第一端子212与驱动晶体管(DT)的源极(SE)或漏极(DE)电连接，因此第一电极220可以经由第一端子212与驱动晶体管(DT)的源极(SE)或漏极(DE)电连接。
第一电极220可以由具有高反射率的金属材料形成，更具体地，由铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和氧化铟锡的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)形成。在本文中，Ag合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。第一电极220可以是阳极。
第一电容器(C1)在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电容器(C1)，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电容器(C1)，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电容器(C1)。
第一电容器(C1)包括第一电容器电极312、第二电容器电极314和电容器介电膜316。
第一电容器电极312在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电容器电极312，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电容器电极312，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电容器电极312。
第一电容器电极312在被设置在第一电极220上时与第一电极220电连接。如图17所示，第一电容器电极312可以直接设置在第一电极220上。因此，第一电容器电极312可以与第一电极220直接接触。
第一电容器电极312可以由碳纳米管形成。具体而言，为了形成第一电容器电极312，可以在第一电极220上对诸如镍(Ni)或铁(Fe)之类的催化材料313进行构图。在这种情况下，催化材料313可以在第一电极220的边缘构图。并且，通过使用诸如甲烷气体或乙烯气体的气体在约600℃-700℃的温度下执行化学气相沉积(CVD)工艺。因此，沿着第一电极220的边缘形成具有第一高度(H1)的垂直排列的碳纳米管(VACNT)，其中催化材料313在第一电极220的边缘构图。在这种情况下，垂直排列的碳纳米管(VACNT)具有导电性，使得垂直排列的碳纳米管(VACNT)可以用作第一电容器(C1)的第一电容器电极312。
因此，可以沿着第一电极220的边缘形成具有第一高度(H1)的第一电容器电极312。在这种情况下，第一电容器电极312的第一高度(H1)约为3.5μm或大于3.5μm，相对较高。由于第一电容器电极312具有相对高的第一高度(H1)，所以它可以用作阻挡层。
此外，第一电容器电极312按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图并且沿着第一电极220的边缘形成，使得两个第一电容器电极312可以在两个子像素之间彼此间隔开。由于两个第一电容器电极312具有相对较高的第一高度(H1)，因此可以在两个第一电容器电极312之间形成深度与第一高度(H1)对应的凹槽部分(沟槽)。
此外，可以沿着第一电极220的所有边缘形成第一电容器电极312。例如，第一电极220可以形成为矩形形状。在这种情况下，第一电极220可以包括第一侧、与第一侧相对的第二侧以及设置成将第一侧和第二侧彼此连接的第三侧和第四侧。第一电容器电极312可以形成在第一电极220的第一侧、第二侧、第三侧和第四侧的所有边缘中。
电容器介电膜316设置在第一电容器电极312上。电容器介电膜316设置在第一电容器电极312和第二电容器电极314之间，使得电荷存储在其中。
电容器介电膜316可以设置成覆盖第一电容器电极312。在这种情况下，电容器介电膜316可以覆盖设置在相邻子像素中的第一电容器电极312。一个电容器介电膜316可以覆盖设置在第一子像素(SP1)中的第一电容器电极312以及设置在第二子像素(SP2)中的第一电容器电极312。结果，电容器介电膜316可以覆盖第一电极220的端部，从而可以防止电流集中在第一电极220的两端。
电容器介电膜316可以由例如氧化硅膜或氮化硅膜的无机膜形成。
第二电容器电极314设置在电容器介电膜316上。第二电容器电极314可以连接地设置在子像素(SP1、SP2、SP3)中。也就是说，第二电容器电极314不是按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图，而是在形成于每个子像素(SP1、SP2、SP3)的边缘中并且形成于相邻子像素(SP1、SP2、SP3)之间的区域中的同时，针对子像素(SP1、SP2、SP3)设置为一个图案。
与本公开的第一实施方式不同，根据本公开的第三实施方式的第二电容器电极314可以接地。具体而言，第二电容器电极314可以经由贯穿电容器介电膜316和平坦化膜210的第二接触孔(CH2)与第三端子216连接。第三端子216可以接地，使得第二电容器电极314可以通过第三端子216接地。
根据本公开的第三实施方式的第二电容器电极314形成为一种图案，并且可以通过第八接触孔(CH8)中的至少一个与第三端子216连接。
例如，第一子像素(SP1)、第二子像素(SP2)和第三子像素(SP3)可以在第一方向(X轴方向)上彼此相邻地设置。第四子像素(SP4)可以设置为在第二方向(Y轴方向)上与第一子像素(SP1)相邻。第四子像素(SP4)、第五子像素(SP5)和第六子像素(SP6)可以在第一方向(X轴方向)上彼此相邻地设置。
第二电容器电极314可以形成在第一子像素(SP1)、第二子像素(SP2)、第三子像素(SP3)、第四子像素(SP4)、第五子像素(SP5)和第六子像素(SP6)中的每一个的边缘中，并且形成在相邻子像素(SP1、SP2、SP3、SP4、SP5、SP6)之间的区域中。
此外，可以在相邻子像素(SP1、SP2、SP3、SP4、SP5、SP6)之间的区域中形成至少一个第八接触孔(CH8)，例如，两个第八接触孔(CH8)。第二电容器电极314可以经由第八接触孔(CH8)中的一个与第三端子216中的一个连接。此外，第二电容器电极314可以经由第八接触孔(CH8)中的另一个与第二端子214中的另一个连接。
此外，第二电容器电极314按照电容器介电膜316插置于其间的方式面对第一电容器电极312的至少一个表面。具体而言，第一电容器电极312包括与第一电极220接触的下表面312a、与下表面312a相对的上表面312b以及设置为将下表面312a和上表面312b彼此连接的第一侧表面312c和第二侧表面312d。第二电容器电极314可以面对第一电容器电极312的第一侧表面312c和第二侧表面312d。因此，在第一电容器(C1)的情况下，电荷可以同时存储在第一电容器电极312的第一侧表面312c与第二电容器电极314之间，以及第一电容器电极312的第二侧表面312d与第二电容器电极314之间。此外，如图18所示，第二电容器电极314可以面对第一电容器电极312的上表面312b。
第二电容器电极314可以由例如铝(Al)、银(Ag)等的具有高反射率的金属材料形成。在根据本公开的第三实施方式的显示装置100的情况下，第二电容器电极314由具有高反射率的金属材料形成，使得从有机发光层230发射的光当中的朝向相邻子像素行进的一些光可以被反射到前方。因此，根据本公开的第三实施方式的显示装置100能够在不使用黑底的情况下防止颜色在相邻子像素(SP1、SP2、SP3)中混合。
堤225设置在第一电容器(C1)上并且被配置为覆盖第一电容器(C1)。堤225限定每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的发光区域(EA)。也就是说，每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的未设置堤225而使第一电极220暴露的暴露区域成为发光区域(EA)，并且每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的设置有堤225的其余区域成为非发光区域(NEA)。堤225可由具有相对较小厚度的无机绝缘膜形成，但不限于这种结构。堤225可以由有机绝缘膜形成。
有机发光层230设置在第一电极220和堤225上。有机发光层230可以是用于发射白色光的白色发光层，但不限于这种结构。
有机发光层230可以由配置成发射红色光的红色发光层、配置成发射绿色光的绿色发光层或配置成发射蓝色光的蓝色发光层形成。在这种情况下，有机发光层230可以在与第一电极220对应的区域中构图。
如果有机发光层230是白色发光层，则有机发光层230可以是针对子像素(SP1、SP2、SP3)共同形成的公共层。
为了发射白色光，有机发光层230可以包括用于发射不同颜色光的多个叠层。每个叠层可以包括空穴传输层、至少一个发光层和电子传输层。
此外，可以在各个叠层之间形成电荷产生层。电荷产生层可以包括：n型电荷产生层，其与下部叠层相邻定位；以及p型电荷产生层，其设置在n型电荷产生层上并且与上部叠层相邻定位。n型电荷产生层将电子注入到下部叠层中，而p型电荷产生层将空穴注入到上部叠层中。n型电荷产生层可以由掺杂有碱金属(例如Li、Na、K或Cs)的有机层或掺杂有碱土金属(例如Mg、Sr、Ba或Ra)的有机层形成。p型电荷产生层可以由掺杂有掺杂剂的具有空穴传输能力的有机材料形成。
有机发光层230可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。如果通过沉积工艺形成有机发光层230，则可以使用蒸发方法。如果通过蒸发方法形成膜，则膜具有较差的阶梯覆盖率。因此，由于有机发光层230具有较差的阶梯覆盖率，所以有机发光层230的厚度在具有由第一电容器(C1)引起的阶梯差的区域中不是恒定的。
在有机发光层230的情况下，有机发光层在第一电容器(C1)上的厚度相对小于有机发光层在第一电极220上的厚度。更具体地，有机发光层230可以设置在第一电容器(C1)的上表面和侧表面上。由于第一电容器电极312具有第一高度(H1)，所以第一电容器(C1)可以在第一电极220上具有大于第一高度(H1)的高度。因此，当有机发光层230设置在第一电极220和第一电容器(C1)上时，由于第一电极220和第一电容器(C1)之间的阶梯差，导致有机发光层230的厚度不是恒定的。有机发光层230可以较薄地设置在第一电容器(C1)的上表面和侧表面上。特别地，有机发光层230可以更薄地设置在第一电容器(C1)的侧表面上。由于第一电容器(C1)的高度增加，所以有机发光层230可以不连续地设置在第一电容器(C1)的侧表面上。
在本公开的第三实施方式中，通过设置每个相邻子像素(SP)中的第一电容器(C1)形成凹槽形状的沟槽。因此，与没有凹槽形状的沟槽的情况相比，在本公开的第三实施方式中，相邻子像素(SP)之间的经由有机发光层230的电流泄漏路径的长度相对增加。此外，在本公开的第三实施方式的情况下，有机发光层在第一电容器(C1)上的厚度相对小于有机发光层在第一电极220上的厚度，从而可以增加有机发光层230的电阻。此外，在本公开的第三实施方式的情况下，如果第一电容器(C1)的高度增加，则有机发光层230可以不连续地设置在第一电容器(C1)的侧表面处。在这种情况下，电流可以不在相邻子像素(SP)之间的有机发光层230中流动。因此，可以使经由有机发光层230的漏电流对相邻子像素(SP)的影响最小化。
第二电极240设置在有机发光层230上。第二电极240可以是针对子像素(SP1、SP2、SP3)共同形成的公共层。
第二电极240可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明金属材料(TCO、透明导电材料)或诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金的半透射金属材料(半透射导电材料)形成。第二电极240可以是阴极。
封装膜250设置在第二电极240上并且被配置为覆盖第二电极240。封装膜250防止氧或湿气渗入第二电极240中。为此，封装膜250可以包括至少一个无机膜。
具体而言，封装膜250可以包括第一无机膜。根据本公开的一个实施方式，封装膜250可以进一步包括有机膜和第二无机膜中的至少一个。
设置第一无机膜以覆盖第二电极240。有机膜设置在第一无机膜上。优选地，有机膜的厚度足以防止颗粒通过第一无机膜渗入有机发光层230和第二电极240中。设置第二无机膜以覆盖有机膜。
第一无机膜和第二无机膜中的每一个可以形成为氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛的单层结构，或者可以形成为从氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝和氧化钛中选择的材料的多层结构。第一无机膜和第二无机膜可以通过化学气相沉积(CVD)法或原子层沉积(ALD)法沉积，但不限于这些方法。
有机膜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。有机膜可以通过气相沉积法、印刷法或狭缝涂布法获得，但不限于这些方法。有机膜可以通过喷墨法获得。
滤色器层260设置在封装膜250上。滤色器层260包括针对各个子像素(SP1、SP2、SP3)设置的第一滤色器(CF1)、第二滤色器(CF2)和第三滤色器(CF3)。第一滤色器(CF1)可以是用于使红色光透射的红色滤色器，第二滤色器(CF2)可以是用于使绿色光透射的绿色滤色器，并且第三滤色器(CF3)可以是用于使蓝色光透射的蓝色滤色器。
根据本公开的第三实施方式的显示装置100的特征在于，第一电容器(C1)设置在第一电极220上。在这种情况下，与垂直排列的碳纳米管(VACNT)对应的第一电容器(C1)可以形成第一电容器电极312。在垂直方向上具有第一高度(H1)的第一电容器电极312沿着第一电极220的边缘形成，从而可以增加第一电容器电极312的总面积。因此，即使在高分辨率的情况下，根据本公开的第三实施方式的第一电容器(C1)也可以具有60fF或大于60fF的电容。
此外，在水平形成的现有技术电容器电极的情况下，由于其它布线或电极之间的布置关系，其尺寸的增加受到限制。此外，根据本公开的第三实施方式的第一电容器电极312垂直形成，使得可以增加形成面积，而与其它布线或电极之间的布置关系无关。也就是说，根据本公开的第三实施方式的显示装置100有助于根据分辨率来提升第一电容器(C1)的电容。
第四实施方式
图21是示出具有图17所示的子像素的显示装置的第四实施方式的截面图。图22是示出图21所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的一个示例的平面图。图23是示出图21所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的另一示例的平面图。图24是示出图21的变型实施方式的截面图。图25是示出图24所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的一个示例的平面图。
参照图21至图25，根据本公开的第四实施方式的显示装置100包括设置在第一基板111上的平坦化膜210、第一电极220、有机发光层230、第二电极240、封装膜250、滤色器层260、第一电容器(C1)、第二电容器(C2)和堤225。
根据本公开的第四实施方式的显示装置100中所包括的第一基板111、平坦化膜210、第一电极220、有机发光层230、第二电极240、封装膜250、滤色器层260、第二电容器(C2)和堤225在结构上与图18至图20所示的显示装置100中的对应部分相同，从而将省略对根据本公开的第四实施方式的显示装置100中所包括的第一基板111、平坦化膜210、第一电极220、有机发光层230、第二电极240、封装膜250、滤色器层260、第二电容器(C2)和堤225的详细描述。
在根据本公开的第四实施方式的显示装置100的情况下，第一电容器(C1)在被设置在第一电极220上的同时设置在第一电极220的边缘区域的一些部分中。在这点上，根据本公开的第四实施方式的显示装置100与根据本公开的第三实施方式的显示装置100不同。在下文中，将主要描述根据本公开的第四实施方式的显示装置100与根据本公开的第三实施方式的显示装置100之间的结构差异。
第一电容器(C1)在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电容器(C1)，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电容器(C1)，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电容器(C1)。
第一电容器(C1)包括第一电容器电极312、第二电容器电极314和电容器介电膜316。
第一电容器电极312在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电容器电极312，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电容器电极312，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电容器电极312。
第一电容器电极312在被设置在第一电极220上的同时与第一电极220电连接。如图21所示，第一电容器电极312可以直接设置在第一电极220上。因此，第一电容器电极312可以与第一电极220直接接触。
第一电容器电极312可以由碳纳米管形成。具体而言，为了形成第一电容器电极312，可以在第一电极220上对诸如镍(Ni)或铁(Fe)之类的催化材料进行构图。在这种情况下，催化材料可以在第一电极220的边缘构图。并且，通过使用诸如甲烷气体或乙烯气体的气体在约600℃-700℃的温度下执行化学气相沉积(CVD)工艺。因此，沿着第一电极220的边缘形成具有第一高度(H1)的垂直排列的碳纳米管(VACNT)，其中催化材料在第一电极220的边缘构图。在这种情况下，垂直排列的碳纳米管(VACNT)具有导电性，使得垂直排列的碳纳米管(VACNT)可以用作第一电容器(C1)的第一电容器电极312。
因此，可以沿着第一电极220的边缘的一些部分形成具有第一高度(H1)的第一电容器电极312。在这种情况下，第一电容器电极312的第一高度(H1)约为3.5μm或大于3.5μm，相对较高。由于第一电容器电极312具有相对较高的第一高度(H1)，所以它可以用作阻挡层。
此外，根据本公开的第四实施方式的第一电容器电极312可以形成在第一电极220的一些侧面的边缘区域中。
第一电容器电极312可以被配置为在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)的所有边缘中具有第一高度。此外，第一电容器电极312可以被配置为在与第一子像素(SP1)相邻设置的第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)的所有边缘中具有第一高度。
在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)与第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)间隔开的情况下，第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)面对第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)。此外，第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面面对第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面。在这种情况下，由于两个第一电容器电极312之间的较小间隔，导致可能在两个第一电容器电极312之间形成寄生电容，从而可能无法正常驱动第一电容器(C1)。随着子像素(SP1、SP2、SP3)之间的间隔变小，设置在相邻子像素中的第一电容器电极312之间的寄生电容会增大。
在根据本公开的第四实施方式的显示装置100中，第一电容器电极312仅形成在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的边缘区域的一些部分中，从而可以最小化或防止设置在相邻子像素中的第一电容器电极312之间的寄生电容。
为了最小化或防止寄生电容，设置在相邻两个子像素中的每一个中的第一电容器电极312可以仅设置在两个子像素中的每一个中所设置的第一电极220的两个相对侧的任何一个边缘区域中。例如，第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220可以面对第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)。第一电容器电极312可以设置在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)和第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)中的任何一个边缘区域中。
根据本公开的一个实施方式，如图22所示，第一电容器电极312可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的彼此不相对的两侧的边缘区域中。
例如，第一电极220可以形成为矩形形状。在这种情况下，第一电极220可以包括第一侧(S1)、与第一侧(S1)相对的第二侧(S2)以及设置成将第一侧(S1)和第二侧(S2)彼此连接的第三侧(S3)和第四侧(S4)。第一电容器电极312可以仅形成在多个子像素(SP1、SP2、SP3)中的每一个中的彼此不相对的第二侧(S2)和第四侧(S4)中。
第一电容器电极312被设置在第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中，然而，第一电容器电极312不设置在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域中。因此，设置在第二子像素(SP2)中的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面面对设置在第一子像素(SP1)中的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面。由于相面对的两个第一电容器电极312之间的间隔较大，所以可以防止两个第一电容器电极312之间的寄生电容。
此外，在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第四侧(S4)与第四子像素(SP4)中所设置的第一电极220的第三侧(S3)间隔开的情况下，第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第四侧(S4)面对第四子像素(SP4)中所设置的第一电极220的第三侧(S3)。第一电容器电极312被设置在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域中，然而，第一电容器电极312不设置在第四子像素(SP4)中所设置的第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域中。因此，设置在第一子像素(SP1)中的第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面面对设置在第四子像素(SP4)中的第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312的一个表面。由于相面对的两个第一电容器电极312之间的间隔较大，所以可以防止两个第一电容器电极312之间的寄生电容。
此外，如图22所示，如果第一电容器电极312形成在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的彼此不相对的两侧的边缘区域中，则第一电容器(C1)可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的彼此不相对的两侧的边缘区域中。
根据本公开的另一实施方式，如图23所示，第一电容器电极312形成在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的三侧的边缘区域中。
例如，第一电容器电极312可以仅设置在多个子像素(SP1、SP2、SP3)中的每一个中的第一侧(S1)、第二侧(S2)和第三侧(S3)的边缘区域中，或者可以仅设置在多个子像素(SP1、SP2、SP3)中的每一个中的第一侧(S1)、第二侧(S2)和第四侧(S4)的边缘区域中。
在这种情况下，设置在相邻子像素中的第一电容器电极312可以设置成彼此不相面对。例如，第一电容器电极312可以设置在第一子像素(SP1)中的第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)和第三侧(S3)的边缘区域中。具体而言，设置在第一子像素(SP1)中的第一电容器电极312可以沿着第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域设置。设置在第一子像素(SP1)中的第一电容器电极312可以从第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域延伸到第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域。此外，设置在第一子像素(SP1)中的第一电容器电极312可以从第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域延伸到第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域。在这种情况下，设置在第一电极220的第一侧(S1)和第二侧(S2)中的每一侧中的第一电容器电极312可以仅设置在一些部分中，而不会延伸到第四侧(S4)的边缘区域。第一子像素(SP1)中所设置的第一电容器电极312可以设置为不面对第二子像素(SP2)中所设置的第一电容器电极312。
在第二子像素(SP2)中，第一电容器电极312可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)和第四侧(S4)的边缘区域中。具体而言，设置在第二子像素(SP2)中的第一电容器电极312可以沿着第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域设置。设置在第二子像素(SP2)中的第一电容器电极312可以从第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域延伸到第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域。此外，设置在第二子像素(SP2)中的第一电容器电极312可以从第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域延伸到第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域。在这种情况下，设置在第一电极220的第一侧(S1)和第二侧(S2)中的每一侧中的第一电容器电极312可以仅设置在一些部分中，而不延伸到第三侧(S3)的边缘区域。第二子像素(SP2)中所设置的第一电容器电极312可以设置为不面对第一子像素(SP1)中设置的第一电容器电极312。
因此，在第一子像素(SP1)中所设置的第一电容器电极312和第二子像素(SP2)中所设置的第一电容器电极312之间不形成寄生电容。
图21至图22所示的第一电容器电极312形成在第一电极220上的彼此不相对的两侧的边缘区域中。
在本公开的另一实施方式中，如图24和图25所示，第一电容器电极312可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的两个相对侧的边缘区域中。
例如，第一电容器电极312可以仅形成在多个子像素(SP1、SP2、SP3)中的每一个中的彼此相对的第一侧(S1)和第二侧(S2)的边缘区域中，或者可以仅形成在多个子像素(SP1、SP2、SP3)的每一个中的彼此相对的第三侧(S3)和第四侧(S4)的边缘区域中。
在这种情况下，设置在相邻子像素中的第一电容器电极312可以被设置成彼此不面对。更具体地，第一电容器电极312可以仅设置在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第三侧(S3)和第四侧(S4)的边缘区域中。第一电容器电极312可以仅设置在与第一子像素(SP1)相邻的第二子像素(SP2)和第四子像素(SP4)中的每一个中所设置的第一电极220的第一侧(S1)和第二侧(S2)的边缘区域中。
第一电容器电极312被设置在第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中，然而，第一电容器电极312不形成在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域中。第一子像素(SP1)中所设置的第一电容器电极312不面对第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312。因此，在第一子像素(SP1)中所设置的第一电容器电极312和第二子像素(SP2)中所设置的第一电容器电极312之间不形成寄生电容。
此外，第一电容器电极312被设置在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域中，然而，第一电容器电极312不形成在第四子像素(SP4)中所设置的第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域中。第一子像素(SP1)中所设置的第一电容器电极312不面对第四子像素(SP4)中所设置的第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域中所设置的第一电容器电极312。因此，在第一子像素(SP1)中所设置的第一电容器电极312和第四子像素(SP4)中所设置的第一电容器电极312之间不形成寄生电容。
此外，如图24和图25所示，如果第一电容器电极312形成在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的两个相对侧的边缘区域中，则第一电容器(C1)可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的两个相对侧的边缘区域中。
如上所述，在第一电极220的第一侧、第二侧、第三侧和第四侧的一些边缘区域中形成的第一电容器电极312与第一电极220接触，使得它们可以通过第一电极220彼此电连接而不直接连接。
电容器介电膜316设置在第一电容器电极312上。电容器介电膜316设置在第一电容器电极312和第二电容器电极314之间，使得电荷存储在其中。
电容器介电膜316可以设置成覆盖第一电容器电极312。在这种情况下，电容器介电膜316可以覆盖设置在相邻子像素中的第一电极220的端部。例如，如图21所示，在电容器介电膜316的一端，电容器介电膜316可以覆盖设置在第一子像素(SP1)中的第一电容器电极312。此外，在电容器介电膜316的另一端，电容器介电膜316可以覆盖设置在第二子像素(SP2)中的第一电极220的一端。结果，电容器介电膜316可以覆盖第一电极200的端部，从而可以防止电流集中在第一电极220的两端。
电容器介电膜316可以由例如氧化硅膜或氮化硅膜的无机膜形成。
第二电容器电极314设置在电容器介电膜316上。第二电容器电极314可以连接地设置在子像素(SP1、SP2、SP3)中。也就是说，第二电容器电极314不是按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图，而是在被设置在每个子像素(SP1、SP2、SP3)的边缘中并且设置在相邻子像素(SP1、SP2、SP3)之间的区域中的同时针对子像素(SP1、SP2、SP3)设置为一个图案。
根据本公开的第四实施方式的第二电容器电极314可以接地。具体而言，第二电容器电极314可以经由贯穿电容器介电膜316和平坦化膜210的第八接触孔(CH8)与第三端子216连接。第三端子216可以接地，使得第二电容器电极314可以通过第三端子216接地。
根据本公开的第四实施方式的第二电容器电极314设置为一个图案，并且可以通过至少一个第八接触孔(CH8)与第三端子216连接。
例如，第一子像素(SP1)、第二子像素(SP2)和第三子像素(SP3)可以在第一方向(X轴方向)上彼此相邻地设置。第四子像素(SP4)可以设置为在第二方向(Y轴方向)上与第一子像素(SP1)相邻。第四子像素(SP4)、第五子像素(SP5)和第六子像素(SP6)可以在第一方向(X轴方向)上彼此相邻地设置。
如图21、图22和图23所示，第二电容器电极314可以形成在第一子像素(SP1)、第二子像素(SP2)、第三子像素(SP3)、第四子像素(SP4)、第五子像素(SP5)和第六子像素(SP6)中的每一个的边缘中，并且形成在相邻子像素(SP1、SP2、SP3、SP4、SP5、SP6)之间的区域中。
此外，可以在相邻子像素(SP1、SP2、SP3、SP4、SP5、SP6)之间的区域中形成至少一个第八接触孔(CH8)，例如，两个第八接触孔(CH8)。第二电容器电极314可以经由第八接触孔(CH8)中的一个与第三端子216中的一个连接。此外，第二电容器电极314可以经由第八接触孔(CH8)中的另一个与第二端子214中的另一个连接。
此外，第二电容器电极314按照电容器介电膜316插置于其间的方式面对第一电容器电极312的至少一个表面。具体而言，第一电容器电极312包括与第一电极220接触的下表面312a、与下表面312a相对的上表面312b以及设置为将下表面312a和上表面312b彼此连接的第一侧表面312c和第二侧表面312d。第二电容器电极314可以面对第一电容器电极312的第一侧表面312c和第二侧表面312d。因此，在第一电容器(C1)的情况下，电荷可以同时存储在第一电容器电极312的第一侧表面312c和第二电容器电极314之间，以及第一电容器电极312的第二侧表面312d和第二电容器电极314之间。此外，如图20所示，第二电容器电极314可以面对第一电容器电极312的上表面312b。
第二电容器电极314可以由例如铝(Al)、银(Ag)等的具有高反射率的金属材料形成。在根据本公开的第四实施方式的显示装置100的情况下，第二电容器电极314由具有高反射率的金属材料形成，使得从有机发光层230发射的光当中的朝向相邻子像素行进的一些光可以被反射到前方。因此，根据本公开的第四实施方式的显示装置100能够在不使用黑底的情况下防止颜色在相邻子像素(SP1、SP2、SP3)中混合。
根据本公开的第四实施方式的显示装置100的特征在于，第一电容器(C1)设置在第一电极220上。在这种情况下，与垂直排列的碳纳米管(VACNT)对应的第一电容器(C1)可以形成第一电容器电极312。在垂直方向上具有第一高度(H1)的第一电容器电极312沿着第一电极220的边缘形成，从而可以增加第一电容器电极312的总面积。因此，即使在高分辨率的情况下，根据本公开的第四实施方式的第一电容器(C1)也可以具有大电容。
例如，假设当第一电容器电极312具有180nm的宽度，3.5μm的高度和1.0μm的长度时，电容器的电容为6.25fF。第一电极220中的一个可以在第一方向(X轴方向)上形成为1.2μm，并且在第二方向(Y轴方向)上形成为4.5μm。第一电容器电极312中的一个的宽度可以是180nm，并且第一电容器电极312中的一个的高度可以是3.5μm。在这种情况下，第一电容器电极312中的一个沿着第一电极220的边缘的一些部分形成，由此长度变为5.7μm。因此，一个电容器的电容变为35.63fF。
此外，在水平形成的现有技术电容器电极的情况下，由于其它布线或电极之间的布置关系，其面积的增加受到限制。此外，根据本公开的第四实施方式的第一电容器电极312垂直形成，从而可以增加形成面积，而与其它布线或电极之间的布置关系无关。也就是说，根据本公开的第四实施方式的显示装置100有助于根据分辨率来提升第一电容器(C1)的电容。
此外，在根据本公开的第四实施方式的显示装置100中，以这样的方式设置第一电容器(C1)，即，设置在相邻子像素中的第一电容器(C1)之间的间隔(更具体为，第一电容器电极312之间的间隔)大于预定值。因此，可以最小化或防止根据本公开的第四实施方式的显示装置100的相邻子像素中所设置的第一电容器(C1)之间的寄生电容。
此外，设置有第一电容器(C1)的区域变成非发光区域(NEA)。在根据本公开的第四实施方式的显示装置100中，第一电容器(C1)仅形成在第一电极220的侧面的边缘区域的一些部分中，而不是形成在第一电极220的所有侧面中的边缘区域中，从而可以使非发光区域(NEA)的尺寸的增加最小化。与根据本公开的第三实施方式的显示装置100相比，根据本公开的第四实施方式的显示装置100可以具有相对小的尺寸的非发光区域(NEA)。也就是说，与根据本公开的第三实施方式的显示装置100相比，根据本公开的第四实施方式的显示装置100可以具有相对大的尺寸的发光区域(EA)。
第五实施方式
图26是示出具有图17所示的子像素的显示装置的第五实施方式的截面图。图27是示出图26中的“C”区域的一个示例的展开图。图28是示出图26所示的第一电极、第一电容器电极和第二电容器电极的平面图。
参照图26至图28，根据本公开的第五实施方式的显示装置100包括设置在第一基板111上的平坦化膜210、第一电极220、有机发光层230、第二电极240、封装膜250、滤色器层260、第一电容器(C1)、第二电容器(C2)和堤225。
根据本公开的第五实施方式的显示装置100中所包括的平坦化膜210、第一电极220、有机发光层230、第二电极240、封装膜250、滤色器层260和堤225在结构上与图18至图20所示的显示装置100中的相应部分相同，从而将省略对根据本公开的第五实施方式的显示装置100中所包括的平坦化膜210、第一电极220、有机发光层230、第二电极240、封装膜250、滤色器层260和堤225的详细描述。
在根据本公开的第五实施方式的显示装置100的情况下，第一电容器(C1)和第二电容器(C2)可以全部设置在第一电极220的边缘区域中。在这点上，根据本公开的第五实施方式的显示装置100与根据本公开的第三实施方式的显示装置100不同。在下文中，将主要描述根据本公开的第五实施方式的显示装置100与根据本公开的第三实施方式的显示装置100之间的结构差异。
在第一基板111上，存在用于发射红(R)色光的第一子像素(SP1)、用于发射绿(G)色光的第二子像素(SP2)和用于发射蓝(B)色光的第三子像素(SP3)，但不限于这种结构。此外，可以在第一基板111上另外设置用于发射白(W)色光的第四子像素。此外，可以以各种方式改变子像素(SP1、SP2、SP3、SP4)的布置顺序。
第一基板111可以由玻璃或塑料形成，但不限于这些材料。第一基板111可以由诸如硅晶圆之类的半导体材料形成。第一基板111可以由透明材料或不透明材料形成。
根据本公开的第五实施方式的显示装置100可以形成为发射光向上行进的顶部发光类型，但不限于这种类型。如果显示装置100以顶部发光类型形成，则第一基板111可以由不透明材料和透明材料形成。如果显示装置111形成为发射光向下行进的底部发光类型，则第一基板111可以由透明材料形成。
在下文中，为了便于解释，假设显示装置100形成为顶部发光类型，并且第一基板111由诸如硅晶圆之类的不透明材料形成，但不是必须如此。
如果第一基板111由诸如硅晶圆之类的半导体材料形成，则可以在第一基板111中设置图27所示的驱动晶体管(T1)。图27所示的驱动晶体管与图6所示的驱动晶体管相同，从而将省略对图27所示的驱动晶体管的详细描述。
在第一基板111上，存在第一端子212、第二端子214和第三端子216。第一端子212可以经由贯穿第四绝缘层(I6)的第六接触孔(CH6)与电连接到源极(SE)或漏极(DE)的M4金属图案(M4)连接。结果，第一端子212可以与源极(SE)或漏极(DE)电连接。
第二端子214可以经由贯穿第四绝缘层(I6)的第七接触孔(CH7)与电连接到栅极(GE)的M4金属图案(M4)连接。结果，第二端子214可以与栅极(GE)电连接。此外，第三端子216可以接地。
第一电容器(C1)在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电容器(C1)，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电容器(C1)，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电容器(C1)。第一电容器(C1)包括第一电容器电极312-1、第二电容器电极314-1和电容器介电膜316-1。
第一电容器电极312-1在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电容器电极312-1，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电容器电极312-1，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电容器电极312-1。
第一电容器电极312-1在被设置在第一电极220上的同时与第一电极220电连接。如图26所示，第一电容器电极312-1可以直接设置在第一电极220上。因此，第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1可以与第一电极220直接接触。
第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1可以由碳纳米管形成。具体而言，为了形成第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1，可以在第一电极220上对诸如镍(Ni)或铁(Fe)之类的催化材料进行构图。在这种情况下，催化材料可以在第一电极220的一侧的边缘构图。并且，通过使用诸如甲烷气体或乙烯气体的气体在约600℃-700℃的温度下执行化学气相沉积(CVD)工艺。因此，沿着第一电极220的一侧的边缘形成具有第一高度(H1)的垂直排列的碳纳米管(VACNT)，其中催化材料在第一电极220的边缘构图。在这种情况下，垂直排列的碳纳米管(VACNT)具有导电性，使得垂直排列的碳纳米管(VACNT)可以用作第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1。
因此，可以沿着第一电极220的边缘形成第一电容器(C1)的具有第一高度(H1)的第一电容器电极312-1。在这种情况下，第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1的第一高度(H1)为约3.5μm或大于3.5μm，相对较高。由于第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1具有相对高的第一高度(H1)，所以它可以用作阻挡层。
此外，根据本公开的第五实施方式的第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1可以形成在第一电极220的一侧的边缘区域中。具体而言，如图26至图28所示，第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的一侧的边缘区域中。
此外，如图26至图28所示，如果第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的一侧的边缘区域中，则第一电容器(C1)可以设置在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的一侧的边缘区域中。
第一电容器(C1)的电容器介电膜316-1设置在第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1上。第一电容器(C1)的电容器介电膜316-1设置在第一电容器电极312-1和第二电容器电极314-1之间，使得电荷存储在其中。
第一电容器(C1)的电容器介电膜316-1可以设置为覆盖第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1。在这种情况下，第一电容器(C1)的电容器介电膜316-1可以覆盖设置在相邻子像素中的第一电极220的端部。第一电容器(C1)的电容器介电膜316-1可以由例如氧化硅膜或氮化硅膜的无机膜形成。
第一电容器(C1)的第二电容器电极314-1可以在第一电容器(C1)的电容器介电膜316-1上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第二电容器电极314-1，在第二子像素(SP2)中设置另一个第二电容器电极314-1，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第二电容器电极314-1。
第一电容器(C1)的第二电容器电极314-1与设置在第一基板111中的驱动晶体管(DT)的栅极(GE)连接。具体而言，第一电容器(C1)的第二电容器电极314-1可以经由贯穿电容器介电膜316-1和平坦化膜210的第二接触孔(CH2)与第二端子214连接。由于第二端子214与驱动晶体管(T1)的栅极(GE)电连接，所以第二电容器电极314-1可以经由第二端子214与驱动晶体管(T1)的栅极(GE)电连接。
第一电容器(C1)的第二电容器电极314-1中的一个经由一个第二接触孔(CH2)与一个第二端子214连接。也就是说，第一电容器(C1)的第二电容器电极314-1按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图，并且针对每个子像素(SP1、SP2、SP3)形成一个第二接触孔(CH2)。设置在每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的第一电容器(C1)的第二电容器电极314-1可以如图28所示的从一侧突出，使得设置在每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的第一电容器(C1)的第二电容器电极314-1可以经由第二接触孔(CH2)与第二端子214连接。
第一电容器(C1)的第二电容器电极314-1可以由例如铝(Al)、银(Ag)等的具有高反射率的金属材料形成。在根据本公开的第五实施方式的显示装置100的情况下，第一电容器(C1)的第二电容器电极314-1由具有高反射率的金属材料形成，使得从有机发光层230发射的光中的朝向相邻子像素行进的一些光可以被反射到前方。因此，根据本公开的第五实施方式的显示装置100能够在不使用黑底的情况下防止颜色在相邻子像素(SP1、SP2、SP3)中混合。
第二电容器(C2)在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第二电容器(C2)，在第二子像素(SP2)中设置另一个第二电容器(C2)，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第二电容器(C2)。
第二电容器(C2)包括第一电容器电极312-2、第二电容器电极314-2和电容器介电膜316-2。
第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2在第一电极220上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第一电容器电极312-2，在第二子像素(SP2)中设置另一个第一电容器电极312-2，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第一电容器电极312-2。
第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2在被设置在第一电极220上的同时与第一电极220电连接。如图26所示，第一电容器电极312-2可以直接设置在第一电极220上。因此，第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2可以与第一电极220直接接触。
第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2可以由碳纳米管形成。具体而言，为了形成第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2，可以在第一电极220上对诸如镍(Ni)或铁(Fe)之类的催化材料进行构图。在这种情况下，催化材料可以在第一电极220的一侧的边缘区域中构图。在本文中，一侧的边缘区域可以是与要设置第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1的区域面对的一侧的边缘区域。并且，通过使用诸如甲烷气体或乙烯气体的气体在约600℃-700℃的温度下执行化学气相沉积(CVD)工艺。因此，沿着第一电极220的边缘形成具有第一高度(H1)的垂直对准的碳纳米管(VACNT)，其中催化材料在第一电极220的一侧的边缘构图。在这种情况下，垂直排列的碳纳米管(VACNT)具有导电性，使得垂直排列的碳纳米管(VACNT)可以用作第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2。
因此，可以沿着第一电极220的一侧的边缘区域形成第二电容器(C2)的具有第一高度(H1)的第一电容器电极312-2。在这种情况下，第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2的第一高度(H1)约为3.5μm或大于3.5μm，相对较高。由于第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2具有相对高的第一高度(H1)，所以它可以用作阻挡层。
此外，根据本公开的第五实施方式的第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2可以形成在第一电极220的一侧的边缘区域中。具体而言，如图26和图28所示，第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2可以形成在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的与第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1面对的一侧的边缘区域中。第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2可以设置成面对第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1，并且与第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1间隔开。
此外，如图26和图28所示，如果第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2可以形成在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的与第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1面对的一侧的边缘区域中，则第二电容器(C2)可以形成在第一电极220的第一侧(S1)、第二侧(S2)、第三侧(S3)和第四侧(S4)当中的与第一电容器(C1)面对的一侧的边缘区域中。
例如，第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1形成在第一侧(S1)的边缘区域中，并且第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2可以形成在与第一侧(S1)面对的第二侧(S2)的边缘区域中。
此外，设置在相邻子像素中的第一电容器电极312-1和312-2可以设置成彼此不面对。更具体地，在第一子像素(SP1)的情况下，第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1设置在第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域中，并且第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2设置在第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域中。
在与第一子像素(SP1)相邻设置的第二子像素(SP2)和第四子像素(SP4)中的每一个中，第一电容器(C1)的第一电容器电极312-1设置在第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域中，并且第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2设置在第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中。
第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2被设置在第二子像素(SP2)中所设置的第一电极220的第二侧(S2)的边缘区域中，然而，第一电容器电极312-1和312-2不形成在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第一侧(S1)的边缘区域中。因此，在第一子像素(SP1)的第一电容器电极312-1和312-2与第二子像素(SP2)的第一电容器电极312-1和312-2之间不形成寄生电容。
此外，第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2被设置在第一子像素(SP1)中所设置的第一电极220的第四侧(S4)的边缘区域中，然而，第一电容器电极312-1和312-2不形成在第四子像素(SP4)中所设置的第一电极220的第三侧(S3)的边缘区域中。因此，在第一子像素(SP1)中所设置的第一电容器电极312与第四子像素(SP4)中所设置的第一电容器电极312之间不形成寄生电容。
第二电容器(C2)的电容器介电膜316-2被设置在第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2上。第二电容器(C2)的电容器介电膜316-2被设置在第一电容器电极312-2和第二电容器电极314-2之间，使得电荷存储在其中。
第二电容器(C2)的电容器介电膜316-2可以形成为覆盖第二电容器(C2)的第一电容器电极312-2。在这种情况下，第二电容器(C2)的电容器介电膜316-2可以覆盖设置在相邻子像素中的第一电极220的端部。第二电容器(C2)的电容器介电膜316-2可以由例如氧化硅膜或氮化硅膜的无机膜形成。
第二电容器(C2)的第二电容器电极314-2在第二电容器(C2)的电容器介电膜316-2上按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图。在第一子像素(SP1)中设置一个第二电容器电极314-2，在第二子像素(SP2)中设置另一个第二电容器电极314-2，并且在第三子像素(SP3)中设置又一个第二电容器电极314-2。
第二电容器(C2)的第二电容器电极314-2可以接地。具体而言，第二电容器(C2)的第二电容器电极314-2可以经由贯穿电容器介电膜316-2和平坦化膜210的第八接触孔(CH8)与第三端子216连接。第三端子216可以接地，使得第二电容器(C2)的第二电容器电极314-2可以通过第三端子216接地。
第二电容器(C2)的第二电容器电极314-2中的一个经由一个第八接触孔(CH8)与一个第三端子216连接。也就是说，第二电容器电极314-2按每个子像素(SP1、SP2、SP3)构图，并且针对每个子像素(SP1、SP2、SP3)形成一个第八接触孔(CH8)。设置在每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的第二电容器(C2)的第二电容器电极314-2可以如图28所示的从一侧突出，使得设置在每个子像素(SP1、SP2、SP3)中的第二电容器(C2)的第二电容器电极314-2可以经由第八接触孔(CH8)与第三端子216连接。
第二电容器(C2)的第二电容器电极314-2可以由例如铝(Al)、银(Ag)等的具有高反射率的金属材料形成。在根据本公开的第五实施方式的显示装置100的情况下，第二电容器(C2)的第二电容器电极314-2由具有高反射率的金属材料形成，使得从有机发光层230发射的光中的朝向相邻子像素行进的一些光可以被反射到前方。因此，根据本公开的第五实施方式的显示装置100能够在不使用黑底的情况下防止颜色在相邻子像素(SP1、SP2、SP3)中混合。
图29A至图29C示出了根据本公开的另一实施方式的涉及头戴式显示(HMD)装置的显示装置。图29A是示意性立体图，图29B是虚拟现实(VR)结构的示意性平面图，并且图29C是增强现实(AR)结构的截面图。
如图29A所示，根据本公开的头戴式显示(HMD)装置包括容纳壳体10和头戴式带30。
显示装置、透镜阵列和目镜可以容纳在容纳壳体10的内部。
头戴式带30固定到容纳壳体10。在附图中，头戴式带30被配置成围绕用户头部的上表面和两个侧表面，但不限于这种结构。例如，头戴式带被设置为将头戴式显示(HMD)装置固定到用户的头部，其可以由眼镜框形状或头盔形状的结构代替。
如图29B所示，根据本公开的虚拟现实(VR)结构的头戴式显示(HMD)装置包括左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b。
左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b被容纳在上述容纳壳体10中。
可以在左眼显示装置12和右眼显示装置11上显示相同的图像。在这种情况下，用户可以观看二维(2D)图像。如果在左眼显示装置12上显示左眼的图像，并且在右眼显示装置11上显示右眼的图像，则用户可以观看三维(3D)图像。左眼显示装置12和右眼显示装置11中的每一个可以由图1至图28中所示的上述显示装置形成。在这种情况下，与图1至图28中用于显示图像的表面相对应的上部(例如，滤色器层260)面对透镜阵列13。
透镜阵列13可以在与左眼目镜20a和左眼显示装置12中的每一个间隔开的同时设置在左眼目镜20a和左眼显示装置12之间。也就是说，透镜阵列13可以位于左眼目镜20a的前方和左眼显示装置12的后方。此外，透镜阵列13可以在与右眼目镜20b和右眼显示装置11中的每一个间隔开的同时设置在右眼目镜20b和右眼显示装置11之间。也就是说，透镜阵列13可以位于右眼目镜20b的前方和右眼显示装置11的后方。
透镜阵列13可以是微透镜阵列。透镜阵列13可以由针孔阵列代替。由于存在透镜阵列13，在左眼显示装置12或右眼显示装置11上所显示的图像可以被用户扩展并感知。
用户的左眼(LE)可以位于左眼目镜20a处，并且用户的右眼(RE)可以位于右眼目镜20b处。
如图29C所示，根据本公开的增强现实(AR)结构的头戴式显示(HMD)装置包括左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部分14和透射窗15。为了便于解释，图29C仅示出了左眼结构。右眼结构在结构上与左眼结构相同。
左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部分14和透射窗15容纳在上述容纳壳体10中。
左眼显示装置12可以设置在透射反射部分14的一侧(例如，透射反射部分14的上侧)而不覆盖透射窗15。因此，在通过透射窗15看到的环境背景没有被左眼显示装置12覆盖的情况下，可以向透射反射部分14提供图像。
左眼显示装置12可以由图1至图28中所示的显示装置形成。在这种情况下，与图1至图28中的用于显示图像的表面相对应的上部(例如，滤色器层260)面对透射反射部分14。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a和透射反射部分14之间。
用户的左眼位于左眼目镜20a处。
透射反射部分14设置在透镜阵列13和透射窗15之间。透射反射部分14可以包括部分地透射一些光并且还反射其余光的反射表面14a。反射表面14a被配置为将显示在左眼显示装置12上的图像朝向透镜阵列13引导。因此，用户可以通过透射窗15观看显示在左眼显示装置12上的图像以及环境背景。也就是说，用户可以观看通过与环境真实背景重叠的虚拟图像所获得的一个图像，从而实现增强现实(AR)。
透射窗15设置在透射反射部分14的前方。
对于本领域技术人员来说显而易见的是，上述本公开不限于上述实施方式和附图，并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开进行各种替换、修改和变型。因此，本公开的范围由所附权利要求限定，并且从权利要求的含义、范围和等效概念得出的所有变型或修改都旨在落入本公开的范围内。

Claims (28)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，该基板包括第一子像素和与所述第一子像素相邻设置的第二子像素；
第一电极，该第一电极位于所述基板上的所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中；
第一电容器，该第一电容器在所述第一电极上位于所述第一电极的边缘中；
发光层，该发光层位于所述第一电极上；以及
第二电极，该第二电极位于所述发光层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电容器包括：
第一电容器电极，该第一电容器电极在所述第一电极上具有第一高度；
电容器介电膜，该电容器介电膜位于所述第一电容器电极上；以及
第二电容器电极，该第二电容器电极位于所述电容器介电膜上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一电容器电极与所述第一电极电连接。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一电容器电极与所述第一电极直接接触。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一电容器电极由碳纳米管形成。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一电容器电极沿着所述第一电极的边缘形成。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述电容器介电膜覆盖所述第一电容器电极。
8.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述第一电容器电极包括与所述第一电极接触的下表面、与所述下表面相对的上表面以及被配置为将所述下表面和所述上表面彼此连接的第一侧表面和第二侧表面，并且
所述第二电容器电极面对所述第一电容器电极的所述第一侧表面和所述第二侧表面。
9.根据权利要求8所述的显示装置，
其中，所述第二电容器电极还面对所述第一电容器电极的所述上表面。
10.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二电容器电极由反射性金属材料形成。
11.根据权利要求2所述的显示装置，该显示装置还包括驱动晶体管，该驱动晶体管被设置在所述基板和所述第一电极之间并且被配置为包括栅极、源极和漏极，
其中，所述第二电容器电极与所述驱动晶体管的所述栅极电连接。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二电容器电极经由贯穿所述电容器介电膜的接触孔与所述栅极电连接。
13.根据权利要求2所述的显示装置，该显示装置还包括在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中位于所述基板和所述第一电极之间的第二电容器。
14.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一电容器的所述第二电容器电极接地。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，设置在所述第一子像素中的所述第一电容器的所述第二电容器电极与设置在所述第二子像素中的所述第一电容器的所述第二电容器电极连接。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，设置在所述第一子像素中的所述第一电容器的所述第二电容器电极和设置在所述第二子像素中的所述第一电容器的所述第二电容器电极经由贯穿所述电容器介电膜的一个接触孔接地。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光层是白色发光层。
18.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括位于所述第二电极上的滤色器层。
19.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括设置在所述第一电容器上并且被配置为覆盖所述第一电容器的堤。
20.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一电极包括第一侧、与所述第一侧相对的第二侧以及被配置为将所述第一侧和所述第二侧彼此连接的第三侧和第四侧，
所述第一电容器形成在所述第一侧、所述第二侧、所述第三侧和所述第四侧中的至少一侧的边缘区域中，并且
其中，设置在所述第一子像素中的第一电极的第一侧与设置在所述第二子像素中的第一电极的第二侧面对。
21.根据权利要求20所述的显示装置，
其中，设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的所述第一电容器电极被设置在所述第一电极的多侧的边缘区域中的部分中，使得所述第一子像素和所述第二子像素中所设置的所述第一电容器电极彼此不面对。
22.根据权利要求20所述的显示装置，
其中，所述第一电容器被设置在从所述第一子像素中所设置的所述第一电极的第一侧和所述第二子像素中所设置的所述第一电极的第二侧中选择的任一侧的边缘区域中。
23.根据权利要求20所述的显示装置，
其中，设置在所述第一子像素和所述第二子像素的每一个中的所述第一电容器在所述第一电极上从所述第一侧的边缘区域形成到所述第三侧的边缘区域。
24.根据权利要求20所述的显示装置，
其中，设置在所述第一子像素中的所述第一电容器在所述第一电极上形成在所述第一侧和所述第二侧的边缘区域中，并且
设置在所述第二子像素中的所述第一电容器在所述第一电极上形成在所述第三侧和所述第四侧的边缘区域中。
25.根据权利要求20所述的显示装置，
其中，所述第一电容器在所述第一电极上被设置在相对两侧的边缘区域中，并且
设置在一侧的边缘区域中的所述第一电容器与设置在另一侧的边缘区域中的所述第一电容器间隔开。
26.根据权利要求25所述的显示装置，
其中，所述第一电容器包括位于所述第一电极上的第一电容器电极、位于所述第一电容器电极上的电容器介电膜以及位于所述电容器介电膜上的第二电容器电极，
设置在一侧的边缘区域中的所述第一电容器的所述第二电容器电极与驱动晶体管的栅极连接；
设置在另一侧的边缘区域中的所述第一电容器的所述第二电容器电极接地。
27.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一电容器包括与所述第一电极接触的下表面、与所述下表面相对的上表面、被配置成将所述下表面与所述上表面彼此连接并且被设置成朝向发光区域的第一侧表面以及与所述第一侧表面相对的第二侧表面，并且
设置在所述第一子像素中的所述第一电容器的第二侧表面不面对设置在所述第二子像素中的所述第一电容器的第二侧表面。
28.一种头戴式显示装置，该头戴式显示装置包括：
根据权利要求1至27中的任一项所述的显示装置；
透镜阵列，该透镜阵列包括多个透镜，所述多个透镜被设置在基板的前方并且被配置为对显示在第一子像素和第二子像素上的图像进行扩展；以及
容纳壳体，该容纳壳体用于在其中容纳所述基板和所述透镜阵列。
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