JP2010020154A - 発光表示装置およびその駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子が複数積層された構成で、画素回路が増加することなく、冗長性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素が少なくとも２つのサブピクセルＰ１、Ｐ２を有すると共に、各サブピクセルは少なくとも３種類の発光色が異なる発光素子を積層して構成された発光表示装置において、画素の発光素子に発光のための電圧を印加する駆動手段を有し、駆動手段は、各画素における発光を、少なくとも２つ以上の発光期間に分割し、各画素内における同一のサブピクセルにおいては発光期間毎に発光させる発光色を異ならせると共に、各発光期間において画素内のサブピクセル間での発光色の組み合わせを同じとするように、画素の発光素子に電圧を印加する。
【選択図】図１

Description

本発明は発光表示装置およびその駆動方法に係わる。そして、本発明は、特に複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素が少なくとも２つのサブピクセルを有すると共に、各サブピクセルは少なくとも３種類の発光色が異なる発光素子を積層して構成された発光表示装置およびその駆動方法に関する。

発光素子を複数積層した構成の多色発光素子が提案されている（特許文献１）。この特許文献１に開示された多色発光素子においては、積層された各発光素子が個別に駆動できるように透明導電層で分けられている。例えば３層の発光層を積層する場合、第１の発光層が第１の電極と第２の電極に挟まれ、第２の発光層が第２の電極と第３の電極に挟まれ、第３の発光層が第３の電極と第４の電極で挟まれる構成となる。また、３層の発光層を個別に駆動するための３個の電源が接続されており、上下の発光層間で第２の電極と第３の電極が共通となっているため、電源が直列に接続される構成となっている。
米国特許第５７０７７４５号明細書

ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイが知られている。素子の発光輝度が画素回路により電流で制御され、画素回路は、電流を制御するためのＴＦＴと画素選択用のスイッチングＴＦＴで構成されている。

有機ＥＬディスプレイは、アノード電極とカソード電極がショートした場合、その部分の有機ＥＬ素子が発光しなくなるため非点灯欠陥が発生する。ショートが発生する原因としては、異物の付着や有機発光層のピンホールなどがある。一般的に電極間に形成される有機発光層の厚さは数１０ｎｍから１００ｎｍ程度と非常に薄く、サブミクロン以下の異物により非点灯画素が多数発生しやすい。ディスプレイの面内にサブミクロン以下の異物が付着しないようにするのは容易ではないため、非点灯画素の対策が有機ＥＬディスプレイの大きな課題となっている。

さらに、現在使用されている有機ＥＬ材料は発光寿命が短く、有機ＥＬディスプレイに所定のパターンを表示し続けると、特定の有機ＥＬ素子に電流が流れ続け、その有機ＥＬ素子が劣化する。従って、周辺の素子よりも輝度が低下するため、焼き付きといった表示不良が発生する。

これらの表示不良を抑える方法として、素子を複数配置して冗長性を持たせる方法が考えられる。例えば、特許文献１のように３層の発光層を積層する場合には、３個の発光素子と３個の画素回路を２セット配置する構成である。１画素で６個の発光素子を６個の画素回路で駆動させる構成となる。しかし、精細度が高い場合には画素回路を配置できない問題が発生する。

本発明は、前述のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、有機発光層が積層された構成で、画素回路が増加することなく、冗長性の高いＥＬ表示装置を提供することにある。

本発明の発光表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素が少なくとも２つのサブピクセルを有すると共に、各サブピクセルは少なくとも３種類の発光色が異なる発光素子を積層して構成された発光表示装置において、
前記画素の発光素子に発光のための電圧を印加する駆動手段を有し、
該駆動手段は、各画素における発光を、少なくとも２つ以上の発光期間に分割し、各画素内における同一のサブピクセルにおいては発光期間毎に発光させる発光色を異ならせると共に、各発光期間において画素内のサブピクセル間での発光色の組み合わせを同じとするように、前記画素の発光素子に電圧を印加することを特徴とする。

本発明の発光表示装置の駆動方法は、複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素が少なくとも２つのサブピクセルを有すると共に、各サブピクセルは少なくとも３種類の発光色が異なる発光素子を積層して構成された発光表示装置の駆動方法において、
各画素における発光を、少なくとも２つ以上の発光期間に分割し、各画素内における同一のサブピクセルにおいては発光期間毎に発光させる発光色を異ならせると共に、各発光期間において画素内のサブピクセル間での発光色の組み合わせを同じとするように、前記画素の発光素子に電圧を印加することを特徴とする。

本発明では、同一発光期間内でのサブピクセル間での発光色の組み合わせを変えずに、発光期間毎に各サブピクセルで発光させる発光色を切り替えるようにしている。つまり、画素内の同色の発光素子で発光を分担しているため、各発光素子の寿命向上を図れる。また、同色の発光素子のうち一つが焼きつきを起したり、或いは不良を起しても残る同色の発光素子が表示が可能であるため、冗長性を向上させることができる。

以下、本発明に係る表示装置の実施の形態について図面を参照して説明する。

なお、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。また以下に説明する実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。以下に説明する実施形態では有機ＥＬ表示装置を取り上げて説明しているが、かかる用途に限定されるものではない。

（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の１画素（ピクセル）領域における断面構造を模式的に示した図である。図１に示す断面構造を有する画素２がマトリクス状に複数配置され、図２で示される有機ＥＬ表示装置の表示領域１が構成される。図３は画素２の等価回路を示す図である。本実施形態では、１つの画素の発光色はＲＧＢであって３種類である。

以下、図１を用いて、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法について説明する。

図１において、１画素領域には２個の副画素（以下サブピクセルと呼称する）Ｐ１，Ｐ２が並列して配置されている。図１において、１０はＴＦＴを含む画素駆動回路が形成された絶縁性基板、１１ａ，１１ｂは第１の電極、１２は第１有機発光層、１３ａ，１３ｂは第２の電極、１４は第２有機発光層、１５ａ，１５ｂは第３の電極、１６は第３有機発光層、２１は第４の電極である。また、１８ａ，１８ｂ，１９ａ，１９ｂ，２０はコンタクトホールを示している。第２の電極１３ａ，１３ｂ及び第３の電極１５ａ，１５ｂは有機層間に設けられた電極となり、第１の電極１１ａ，１１ｂ及び第４の電極２１は複数の有機層を挟む電極となる。第１有機発光層１２は第１の発光層、第２有機発光層１４は第２の発光層、第３有機発光層１６は第３の発光層となる。第１の発光層、第２の発光層、第３の発光層は、順方向に電圧をかけたときに電流が流れ発光する層であって且つ電流の流れる方向が同方向であるように配置されている。

サブピクセルＰ１，Ｐ２の各々は、発光色の異なる３種類の有機発光層（有機層となる）１２，１４，１６と夫々を挟持する電極１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂ，２１とを積層した構成となっている。夫々の有機発光層とそれを狭持する上下に配置された一対の電極の３層構成で１つの発光素子を構成しており、この構成では３つの発光素子が積層された構成となっている。また、３種類の発光色は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）であり、色の積層順は特に限定されない。各有機発光層は３層構成となっており、電子輸送層／発光層／正孔輸送層で構成されている。しかし、有機発光層は、単層型（発光層）、２層型（発光層／正孔注入層）、４層型（電子注入層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層）、５層型（電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層）を使用してもよい。また、この積層構成では、電極１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂは、積層された上下の発光素子で共有されている。各サブピクセルは、トップエミッション型であり、第２の電極１３ａ、１３ｂ、第３の電極１５ａ、１５ｂ、第４の電極２１は透光性を有している。

なお、公知な技術であるために詳しい説明は省略するが、ＴＦＴ等のスイッチング素子が形成された絶縁性基板１０上には、樹脂からなる平坦化膜が形成され、その平坦化膜上の各画素領域に対応してパターニングされた第１の電極１１ａ，１１ｂが形成されている。第１の電極１１ａ，１１ｂは、光反射性の部材であることが好ましく、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の反射率の高い材料からなることが好ましい。

次に、図１の有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。

半導体プロセスを用いて第１の電極１１ａ，１１ｂまで形成された絶縁性基板１０上に第１有機発光層１２の各層（電子輸送層／発光層／正孔輸送層）を、塗布法や蒸着法などの公知の手法を用いて表示領域１の全域に順次成膜する。この際、従来のようなメタルマスクを用いた各画素の塗り分けは行わない。

有機発光層を構成する各有機材料層の材料は、層構成により適宜選択され、有機発光材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。正孔注入材料又は正孔輸送材料に有機発光材料をドーピングする、または電子注入材料又は電子輸送材料に有機発光材料をドーピングする等により発色の選択の幅を広げるように構成しても良い。さらに、各有機材料層は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。有機発光材料は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体を使用できる。しかし、これらの材料に限定されるものではない。なお、有機発光層の膜厚は０．０５μｍ〜０．３μｍ程度が良く、好ましくは０．０５〜０．１５μｍ程度である。また、正孔注入及び輸送材料としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等が使用できるが、これらの材料に限定されるものではない。電子注入及び輸送材料の例としては、アルミに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ３、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用できるが、これらの材料に限定されるものではない。

第１有機発光層１２を成膜した後、第１有機発光層１２にコンタクトホール１８ａ、１８ｂを形成する。形成方法としては、レーザー加工が好ましく、ＹＡＧレーザー（ＳＨＧ、ＴＨＧ含む）、エキシマレーザーなど一般に薄膜加工に使用する公知の手法を用いることができる。これらのレーザー光を数μｍに絞って走査したり、面状光源にしてコンタクトホール部分を透過するマスクを介したりして、有機発光層１２上に所定のパターンで照射することにより所望の位置にコンタクトホールを形成することが可能である。コンタクトホールの径としては、２μｍ〜１５μｍが好ましい。

次に、第２の電極１３ａ，１３ｂをパターニング形成する。このとき、コンタクトホール１８ａ、１８ｂを介して、第２の電極１３ｂ，１３ｃと、ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ（図３に図示）のドレイン領域とがそれぞれ接続される。電極材料としては、透過率の高い材料が好ましく、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明導電膜や、ポリアセチレンなどの有機導電膜からなることが好ましい。さらに、Ａｇ、Ａｌなどの金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成した半透過膜でも良い。パターニング方法としては、表示領域１の全領域に電極材料を成膜した後に前述のレーザー加工で行うこともできるが、メタルマスクを用いて選択的に形成するようにしても良い。また、電極材料が形成された基板を絶縁性基板１０と対向させてレーザーアブレーションにより選択的に転写形成しても良い。

次に、上述と同様の方法で、第２有機発光層１４、コンタクトホール１９ａ，１９ｂ、第３の電極１５ａ，１５ｂ、第３有機発光層１６、コンタクトホール２０、第４の電極２１を順次形成する。

コンタクトホール１９ａ，１９ｂを介して、第１の電極１１ａ，１１ｂと、第３の電極１５ａ，１５ｂとがそれぞれ接続され、同じ電圧が供給される。また、コンタクトホール２０を介して、第４の電極２１とＴＦＴ１０２ｃ（図３に図示）のドレイン領域とが接続される。

第３の電極１５ａ，１５ｂと第４の電極２１の材料としては、第２の電極１３ａ，１３ｂと同様に透過率の高い材料が好ましい。さらに保護膜２２として、窒化酸化シリコンを成膜して有機ＥＬ表示装置を得た。

このようにして形成された有機ＥＬ表示装置の各画素の回路を図３に示す。各画素回路は、スイッチング用ＴＦＴ１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃと、駆動用ＴＦＴ（駆動用トランジスタ）１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃと、コンデンサ１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃとで構成されている。駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃはそれぞれ第１の駆動トランジスタ、第２の駆動トランジスタ、第３の駆動トランジスタを構成する。

ここで、スイッチング用ＴＦＴ１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃのゲート電極は、ゲート信号線１０５に接続されている。また、スイッチング用ＴＦＴ１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃのソース領域はそれぞれソース信号線１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃに、ドレイン領域はそれぞれ駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃのゲート電極に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃのソース領域は電源供給線１０７に、ドレイン領域は発光素子の一端の電極に接続されている。図１においては、駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂのドレイン領域は第３の電極１５ａ、１５ｂにそれぞれ接続され、駆動用ＴＦＴ１０２ｃのドレイン領域は第４の電極２１に接続されている。

また、コンデンサ１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃは一方の電極がそれぞれ、駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃのゲート電極に接続され、他方の電極がＧＮＤに接続されるように形成されている。

図３に示す、スイッチング用ＴＦＴ１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃと、駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃと、コンデンサ１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃと、第１の電極１１ａ及び１１ｂは駆動手段を構成する。なお、図３の第１の電極１１ａ及び１１ｂは発光素子の電極となるとともに、それぞれ電源配線を構成している。

上記のように、駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃと発光素子が直列に接続される。そして、発光素子に流れる電流を、ソース信号線１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃから供給されるデータ信号に応じて駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃで制御することにより、発光素子が発光制御される。

次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の駆動方法について図４を参照して説明する。図４は有機ＥＬ表示装置の駆動波形の一例を示す図である。

時間ｔ１において、ゲート信号線１０５の電位をＶｇに設定すると、スイッチングＴＦＴ１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃがＯＮ状態となる。それにより、ソース信号線１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃの電位Ｖｓｉｇ１がスイッチングＴＦＴ１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃを介してコンデンサ１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ及び駆動ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃのゲート容量に充電される。

時間ｔ２において、ゲート信号線１０５の電位が０Ｖに設定され、スイッチングＴＦＴ１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃがＯＦＦ状態となり、コンデンサ１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃに充電された電圧が保持される。この保持電圧に対応する信号電流が時間ｔ３からｔ４において駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）を流れる。

時間ｔ３において、第１のサブピクセルＰ１の第１の電極１１ａの電位が２Ｖｃに設定される（電源電圧２Ｖｃを第１の電極１１ａに供給する）。また、電源供給線１０７の電位がＶｃに設定される。このとき第２のサブピクセルＰ２の第１の電極１１ｂは０Ｖのままなので、有機発光層及び駆動ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、有機発光層１２、１４，１６に第１の電極１１ｂと第２の電極１３ａと第３の電極１５ｂから電子が注入される。また有機発光層１２、１４，１６に第２の電極１３ｂと第３の電極１５ａ，第４の電極２１からホールが注入される。従って、第２サブピクセルの第１の発光層及び第３の発光層、第１サブピクセルの第２の発光層が発光し、この発光光が保護層２２側から射出される。なお、第２サブピクセルの第２の発光層、第１サブピクセルの第１の発光層及び第３の発光層には逆方向電圧が印加されるため発光しない。有機発光層に流れる電流は駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃで制御され、コンデンサ１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃに充電された電圧に応じて、駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃのソースドレイン間に電流Ｉ１が流れる。この状態は、時間ｔ４まで維持され、この期間が第１の発光期間となる。

時間ｔ４において、第１のサブピクセルＰ１の第１の電極１１ａの電位及び電源供給線１０７が０Ｖに設定される。すると、有機発光層及び駆動ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃのソースドレイン間に電位差が無くなるので、有機発光層１２，１４，１６は発光しなくなる。続いて、信号Ｖｓｉｇ２がソース信号線１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃに設定される。

時間ｔ５において、ゲート信号線１０５の電位をＶｇに設定すると、スイッチングＴＦＴ１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃがＯＮ状態となる。それにより、ソース信号線１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃの電位Ｖｓｉｇ２がスイッチングＴＦＴ１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃを介してコンデンサ１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ及び駆動ＴＦＴのゲート容量に充電される。

時間ｔ６において、ゲート信号線１０５の電位が０Ｖに設定され、スイッチングＴＦＴ１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃがＯＦＦ状態となり、コンデンサ１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃに充電された電圧が保持される。この保持電圧に対応する信号電流が時間ｔ７からｔ８において駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）を流れる。

時間ｔ７において、第２のサブピクセルＰ２の第１の電極１１ｂの電位が２Ｖｃに設定される（電源電圧２Ｖｃを第１の電極１１ｂに供給する）。また、電源供給線１０７の電位がＶｃに設定される。このとき、第１のサブピクセルＰ１の第１の電極１１ａの電位が０Ｖなので、有機発光層及び駆動ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、有機発光層１２，１４，１６に第１の電極１１ａ、第２の電極１３ｂ、第３の電極１５ａから電子が注入される。また有機発光層１２，１４，１６に、第２の電極１３ａ、第３の電極１５ｂ、第４の電極２１からホールが注入される。よって、電子とホールの再結合により励起された有機分子が基底状態に緩和するときに発光が得られる。従って、第２サブピクセルの第２の発光層と第１サブピクセルの第１の発光層及び第３の発光層が発光し、この発光光が保護層２２側から射出される。なお、第２サブピクセルの第１の発光層及び第３の発光層と、第１サブピクセルの第２の発光層には逆方向電圧が印加されるため発光しない。有機発光層に流れる電流は駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃで制御され、コンデンサ１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃに充電された電圧に応じて、駆動用ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃのソースドレイン間に電流Ｉ２が流れる。この状態は、時間ｔ８まで維持され、この期間が第２の発光期間となる。

時間ｔ８において、第２のサブピクセルＰ２の第１の電極１１ｂの電位及び電源供給線１０７が０Ｖに設定される。すると、有機発光層及び駆動ＴＦＴのソースドレイン間に電位差が無くなるので、有機発光層１２、１４，１６は発光しなくなる。

上述の動作を繰り返すことで、有機発光層１２、１４，１６を時分割で発光させることができる。具体的には、人間が識別できない程度、例えば６０Ｈｚ程度あるいはそれ以上高い周期で駆動することにより、各サブピクセルで３層の有機発光層を発光させることができ、任意の混合色の光を表現することができる。

このような有機ＥＬ表示装置においては、１画素が２つのサブピクセルで構成され、合計６個の発光素子が１画素内に形成される。これらの発光素子は３個の画素回路で駆動され、各色に２個の発光素子を独立で駆動できるので、画素回路を増やすことなく冗長性を向上させることができる。

例えば、第１のサブピクセルで画像を表示し、第２のサブピクセルでは黒表示を行うように駆動信号を入力する。時分割駆動により、２つのサブピクセルの画像が合成されて表示される。非点灯画素が発生した場合には、非点灯画素に対応する画素の第２のサブピクセルに駆動信号を入力し表示を行うと、欠陥画素の無い合成画像が得られる。従って、非点灯画素が発生した場合には、予備の発光素子を発光させることで、欠陥の少ないＥＬ表示装置が得られる。

また、劣化した発光素子を切り替えて予備の発光素子を発光させることによって、焼き付き寿命の長いＥＬ表示装置が得られる。

さらに、サブピクセル間での発光色の切り替えを表示モードに応じて切り替えても良い。例えば、第１のサブピクセルに文字情報を入力し、第２のサブピクセルに写真などの画像情報を入力する。時分割駆動により、２つのサブピクセルの画像が合成されて表示される。デジタルカメラやデジタルビデオカメラ等の表示装置においては、特定の文字情報が長時間表示されることが多く、焼き付き不良が発生しやすい。一方、画像情報については、同じ画像が長時間表示されることは少なく、文字情報よりも焼きつきにくい。従って、文字情報の焼きつきが第１のサブピクセルに発生することになるので、第２のサブピクセルでは文字情報の焼きつきの無い画像を表示することができ、結果として焼きつき寿命の長いＥＬ表示装置が得られる。

さらに、１サブピクセルを１画素とした場合には、精細度の高いＥＬ表示装置が得られる。

（第２の実施形態）
図５は本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の１画素（ピクセル）領域における断面構造を模式的に示した図であり、図６に示される平面図のＡ−Ａ’に対応している。図５に示す断面構造を有する画素がマトリクス状に複数配置され、図２で示される有機ＥＬ表示装置の表示領域１が構成される。図７は本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域端を示す図である。図８は画素２の等価回路を示す図である。

図５において、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型である。３０は必要に応じてＴＦＴを含む画素回路が形成された絶縁性基板を示している。３１ａ，３１ｂは第１の電極、３２は第１有機発光層、３３ａ，３３ｂは第２の電極、３４は第２有機発光層、３５ａ，３５ｂは第３の電極、３６は第３有機発光層、４１は第４の電極、３８ａ，３８ｂ，３９はコンタクトホールを示している。本実施形態の各有機発光層は３層構成となっており、第１の発光層３２と第３の発光層３６については、正孔輸送層／発光層／電子輸送層で構成され、第２の発光層３４については、電子輸送層／発光層／正孔輸送層で構成されている。

また、本実施形態では、コンタクトホール３９は第１のサブピクセルＰ１と第２のサブピクセルＰ２との間に配置され、コンタクトホール３８ａ，３８ｂはコンタクトホール３９の両側に配置されている。第１有機発光層３２は第１の発光層、第２有機発光層３４は第２の発光層、第３有機発光層３６は第３の発光層となる。第１の発光層、第２の発光層、第３の発光層は、順方向に電圧をかけたときに電流が流れ発光する層である。そして第１及び第３の発光層は電流の流れる方向が同方向で、第２の発光層は第１及び第３の発光層とは電流の流れる方向が逆方向であるように配置されている。

また、有機発光層及び電極の材料、成膜法は上述した実施形態１と同様であるため、詳しい説明は省略する。

上述の有機ＥＬ表示装置は、１画素が第１のサブピクセルＰ１と第２のサブピクセルＰ２とで構成されている。絶縁性基板３０上には、その画素領域に第１の電極３１ａ，３１ｂが形成されている。また、図７に示すように、第１の電極３１ａ，３１ｂ及び第３の電極３５ａ，３５ｂの各々は表示領域内の一方向（図７の上下方向）に配列された画素間で共通の電極となっている。さらに、表示領域外で第１の電極３１ａと第３の電極３５ｂとがコンタクトホール１０９ａを介して接続されると共に、電源供給線１０８ａに接続されている。同様に、第１の電極３１ｂと第３の電極３５ａとがコンタクトホール１０９ａを介して接続されると共に、電源供給線１０８ｂに接続されている。なお、第１の電極３１ａと第３の電極３５ｂとの接続箇所、及び第１の電極３１ｂと第３の電極３５ａとの接続箇所は、表示領域内であっても良いが、表示領域外に配置した方が好ましく、表示領域内にコンタクトホールが無い分、開口率を高くすることができる。なお、第１の電源配線又は第２の電源配線となる電源供給線１０８ａは、第１のサブピクセルＰ１の第１の電極３１ａ、第２のサブピクセルＰ２の第３の電極３５ｂと接続される。また、第２の電源配線又は第１の電源配線となる電源供給線１０８ｂは、第１のサブピクセルＰ１の第３の電極３５ａ、第２のサブピクセルＰ２の第１の電極３１ｂと接続される。よって、サブピクセル間では同層とならないように第１及び第２の電源配線に電極が接続される。

画素内では、レーザー加工により、コンタクトホール３８ａ、３８ｂ、３９が形成されている。コンタクトホール３８ａを介して第１のサブピクセルＰ１の第２の電極３３ａと駆動ＴＦＴ１３２ａのドレイン領域とが接続され、コンタクトホール３８ｂを介して第２のサブピクセルＰ２の第２の電極３３ｂと駆動ＴＦＴ１３２ｂのドレイン領域とが接続されている。さらに、コンタクトホール３９を介して第４の電極４１と駆動ＴＦＴ１３２ｃのドレイン領域とが接続されている。

このようにして形成された有機ＥＬ表示装置の各画素の回路を図８に示す。各画素回路は、スイッチング用ＴＦＴ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃと、駆動用ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃと、コンデンサ１３３ａ，１３３ｂ，１３３ｃとで構成されている。ここで、スイッチング用ＴＦＴ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃのゲート電極は、ゲート信号線１３５に接続されている。また、スイッチング用ＴＦＴ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃのソース領域はそれぞれソース信号線１３６ａ，１３６ｂ，１３６ｃに、ドレイン領域はそれぞれ駆動用ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃのゲート電極に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃのソース領域は電源供給線１３７に、ドレイン領域は発光素子の一端の電極に接続されている。図５においては、駆動用ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂのドレイン領域は第２の電極３３ａ、３３ｂにそれぞれ接続され、駆動用ＴＦＴ１３２ｃのドレイン領域は第４の電極４１に接続されている。

また、コンデンサ１３３ａ，１３３ｂ，１３３ｃは一方の電極がそれぞれ、駆動用ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃのゲート電極に接続され、他方の電極がＧＮＤに接続されるように形成されている。

上記のように、駆動用ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃと発光素子が接続される。そして、発光素子に流れる電流を、ソース信号線１３６ａ，１３６ｂ，１３６ｃから供給されるデータ信号に応じて駆動用ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃで制御することにより、発光素子が発光制御される。

次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の駆動方法について図９を参照して説明する。

時間ｔ１において、ゲート信号線１３５の電位をＶｇに設定すると、スイッチングＴＦＴ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃがＯＮ状態となる。それにより、ソース信号線１３６ａ，１３６ｂ，１３６ｃの電位Ｖｓｉｇ１がスイッチングＴＦＴ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃを介してコンデンサ１３３ａ，１３３ｂ，１３３ｃ及び駆動ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃのゲート容量に充電される。

時間ｔ２において、ゲート信号線１３５の電位が０Ｖに設定され、スイッチングＴＦＴ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃがＯＦＦ状態となり、コンデンサ１３３ａ，１３３ｂ，１３３ｃに充電された電圧が保持される。

時間ｔ３において、電源供給線１０８ａ及び電源供給線１３７をＶｃに設定し（電源電圧Ｖｃを供給する）、電源供給線１０８ｂをＧＮＤに維持すると、第１のサブピクセルＰ１の第１の電極３１ａの電位がＶｃ、第３の電極３５ａの電位がＧＮＤに設定される。一方、第２のサブピクセルＰ２の第１の電極３１ｂの電位がＧＮＤ、第３の電極３５ｂの電位がＶｃに設定される。

このとき、有機発光層及び駆動ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、第１のサブピクセルＰ１の第３の電極３５ａ、第２のサブピクセルＰ２の第１の電極３１ｂから電子が注入される。また、第１のサブピクセルＰ１の第２の電極３３ａ及び第４の電極４１からホールが注入される。同様に、第２のサブピクセルＰ２の第２の電極３３ｂからホールが注入される。従って、第１のサブピクセルの第２の発光層及び第３の発光層、第２のサブピクセルの第１の発光層が発光し、この発光光が保護層２２側から射出される。なお、第１のサブピクセルの第１の発光層、第２のサブピクセルの第２の発光層及び第３の発光層には逆方向電圧が印加されるため発光しない。有機発光層に流れる電流は駆動用ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃで制御され、コンデンサ１３３ａ，１３３ｂ，１３３ｃに充電された電圧に応じて、駆動用ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃのソースドレイン間に電流Ｉ１が流れる。この状態は、時間ｔ４まで維持され、この期間が第１の発光期間となる。

時間ｔ４において、電源供給線１０８ａ及び電源供給線１３７をＧＮＤにすると、第１のサブピクセルＰ１の第１の電極３１ａの電位が０Ｖ、第２のサブピクセルＰ２の第３の電極３５ｂの電位が０Ｖに設定される。

続いて、信号Ｖｓｉｇ２がソース信号線１３６ａ，１３６ｂ，１３６ｃに設定される。

時間ｔ５において、ゲート信号線１３５の電位をＶｇに設定すると、スイッチングＴＦＴ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃがＯＮ状態となる。それにより、ソース信号線１３６ａ，１３６ｂ，１３６ｃの電位Ｖｓｉｇ２がスイッチングＴＦＴ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃを介してコンデンサ１３３ａ，１３３ｂ，１３３ｃ及び駆動ＴＦＴのゲート容量に充電される。

時間ｔ６において、ゲート信号線１３５の電位が０Ｖに設定され、スイッチングＴＦＴ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃがＯＦＦ状態となり、コンデンサ１３３ａ，１３３ｂ，１３３ｃに充電された電圧が保持される。

時間ｔ７において、電源配線１０８ｂ及び電源供給線１３７の電位がＶｃとなり（電源電圧Ｖｃを供給する）、第２のサブピクセルＰ２の第１の電極３１ｂの電位がＶｃに設定される。なお、電源配線１０８ａ、１０８ｂには、電源電圧Ｖｃが図９に示すように交互に印加される。

このとき、電源供給線１３７の電位がＶｃで、電源配線１０８ａの電位が０Ｖなので、有機発光層及び駆動ＴＦＴ１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、有機発光層３２，３４，３６に第１の電極３１ａ、第３の電極３５ｂから電子が注入されるとともに、第２の電極３３ａ、第２の電極３３ｂ、第４の電極２１からホールが注入される。そして、電子とホールの再結合により励起された有機分子が基底状態に緩和するときに発光が得られる。従って、第１のサブピクセルの第１の発光層と第２のサブピクセルの第２の発光層及び第３の発光層が発光し、この発光光が保護層２２側から射出される。なお、第１のサブピクセルの第２の発光層及び第３の発光層と、第２のサブピクセルの第１の発光層には逆方向電圧が印加されるため発光しない。有機発光層に流れる電流は駆動用ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃで制御され、コンデンサ１３３ａ，１３３ｂ，１３３ｃに充電された電圧に応じて、駆動用ＴＦＴ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃのソースドレイン間に電流Ｉ２が流れる。この状態は、時間ｔ８まで維持され、この期間が第２の発光期間となる。

時間ｔ８において、電源供給線１０８ｂ及び電源供給線１３７の電位が０Ｖに設定される。

上述の動作を繰り返すことで、有機発光層３２、３４，３６を時分割で発光させることができる。具体的には、人間が識別できない程度、例えば６０Ｈｚ程度あるいはそれ以上高い周期で駆動することにより、各サブピクセルで３層の有機発光層を発光させることができ、任意の混合色の光を表現することができる。

このような有機ＥＬ表示装置においても、第１実施形態と同様の効果がある。１画素が２つのサブピクセルで構成され、合計６個の発光素子が１画素内に形成される。これらの発光素子は３個の画素回路で駆動され、各色に２個の発光素子を独立で駆動できるので、画素回路を増やすことなく冗長性を向上させることができる。非点灯画素が発生した場合には、予備の発光素子を発光させることで、欠陥の少ないＥＬ表示装置が得られる。また、劣化した発光素子を切り替えて予備の発光素子を発光させることによって、焼き付き寿命の長いＥＬ表示装置が得られる。さらに、１サブピクセルを１画素とした場合には、精細度の高いＥＬ表示装置が得られる。

（第３の実施形態）
図１０に本発明の第３の実施形態に係るに係る有機ＥＬ表示装置の１画素（ピクセル）領域における断面構造を概略的に示した図を示す。図１１に本実施形態の等価回路図を示す。

図１０に示すように、１画素は第１のサブピクセルＰ１と第２のサブピクセルＰ２とで構成されている。

図１０において、２０１，２１２は第１の電極、２０３，２１４は第１有機発光層、２０４，２１５は第２の電極、２０６，２１７は第２有機発光層、２０７，２１８は第３の電極、２０９，２２０は第３有機発光層、２１０，２２１は第４の電極である。また、２０２，２１３は第１の電極２０１，２１２にそれぞれ接続された端子、２０５，２１６は第２の電極２０４，２１５にそれぞれ接続された端子である。さらに、２０８，２０９は第３の電極２０７，２１８にそれぞれ接続された端子、２１１，２２２は第４の電極２１０，２２１にそれぞれ接続された端子である。

第１有機発光層２０３，２１４は青色（Ｂ）の光を発光し、第２有機発光層２０６，２１７は緑色（Ｇ）の光を発光し、第３有機発光層２０９，２２０は赤色（Ｒ）の光を発光する。

第１の電極２０１、第１有機発光層２０３、第２の電極２０４で、第１のサブピクセルＰ１の青色の発光素子Ｂ１が構成される。第２の電極２０４、第２有機発光層２０６、第３の電極２０７で、第１のサブピクセルＰ１の緑色の発光素子Ｇ１が構成される。第３の電極２０７、第３有機発光層２０９、第４の電極２１０で、第１のサブピクセルＰ１の赤色の発光素子Ｒ１が構成される。

第１の電極２１２、第１有機発光層２１４、第２の電極２１５で、第２のサブピクセルＰ２の青色の発光素子Ｂ２が構成される。第２の電極２１５、第２有機発光層２１７、第３の電極２１８で、第２のサブピクセルＰ２の緑色の発光素子Ｇ２が構成される。第３の電極２１８、第３有機発光層２２０、第４の電極２２１で、第２のサブピクセルＰ２の赤色の発光素子Ｒ２が構成される。

図１０において、第１の電極２０１，２１２は金属等により形成され反射電極となる。第２の電極２０４，２１５、第３の電極２０７，２１８、第４の電極２１０，２２１は透光性を有する。各有機発光層からの光は上方に向かう。下方向に発光した光は反射電極となる第１の電極２０１，２１２によって反射し、上方向に向かう。

図１１に図１０に示した画素と画素回路との回路接続関係を概略図で示した。第１のサブピクセルＰ１の端子２１１，２０５と、第２のサブピクセルＰ２の端子２１９、２１３はそれぞれ電源配線３０４に接続される。第２のサブピクセルＰ２の端子２２２はスイッチ（ＳＷ３、第３のスイッチとなる）３０９を介して電源配線３０４に接続される。端子２２２はスイッチ（ＳＷ２、第２のスイッチとなる）３０８を介して端子２０２に接続される。スイッチ３０８とスイッチ３０９はＯＮ／ＯＦＦ（導通状態／非導通状態）の関係が逆極性となっている。スイッチ３０８がＯＮ（図中Ｂ方向）のとき、スイッチ３０９はＯＦＦ（図中Ｂ方向）、スイッチ３０８がＯＦＦ（図中Ａ方向）のとき、スイッチ３０９はＯＮ（図中Ａ方向）と動作する。

端子２０８はＴＦＴ３０５（第１の駆動トランジスタとなる）のドレインと、端子２０２はＴＦＴ３０６（第２の駆動トランジスタとなる）のドレインとそれぞれ接続されている。ＴＦＴ３０５，３０６のソースは電源配線１３７に接続されている。電源配線１３７は接地されている（電位がＧＮＤとされている）。

端子２１６はＴＦＴ３０７（第３の駆動トランジスタとなる）のドレインと接続されている。ＴＦＴ３０７のソースは接地された電源配線１３７に接続されている。

電源配線３０４はスイッチ（ＳＷ１、第１のスイッチとなる）３０３に接続される。スイッチ３０３が図中Ａ方向のときに、電源配線３０４はＶＣＣ電源に接続されて、電位がＶＣＣに設定され、一方、スイッチ３０３が図中Ｂ方向のときに、電源配線３０４は−ＶＣＣ電源に接続され、電位が−ＶＣＣに設定される。

スイッチ（ＳＷ１）３０３、スイッチ（ＳＷ２）３０８、スイッチ（ＳＷ３）３０９の選択およびＯＮ／ＯＦＦ関係は次の通りとなる。スイッチ３０３が電源配線３０４を電位ＶＣＣに設定する（図中Ａ方向）とき（ＶＣＣ選択）、スイッチ３０８はＯＦＦ（図中Ａ方向）、スイッチ３０９はＯＮ（図中Ａ方向）となる。一方、スイッチ３０３が電源配線３０４を電位−ＶＣＣに設定する（図中Ｂ方向）とき（−ＶＣＣ選択）、スイッチ３０８はＯＮ（図中Ｂ方向）、スイッチ３０９はＯＦＦ（図中Ｂ方向）となる。

図１２と図１３は、スイッチ３０３がＶＣＣ選択、スイッチ３０８がＯＦＦ、スイッチ３０９がＯＮのときの、発光素子の発光状態を示す断面図及び発光素子の接続を簡略的に示した等価回路図である。図に示されるように発光素子が発光している期間が第１の発光期間となる。

図１２に示すように、発光素子Ｒ１、発光素子Ｂ１、発光素子Ｇ２がそれぞれ選択され、独立に定電流が流れて発光する。この発光は第２の実施形態での時間ｔ３から時間ｔ４までの発光期間内に行われる。

第２の実施形態の動作と同様に、発光の前に、コンデンサ１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃには信号電圧が保持されている。従って、発光期間において、コンデンサ１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃに保持された信号電圧に対応して、ＴＦＴ３０５〜ＴＦＴ３０７を流れる電流が決められる。時間ｔ３の前の信号電圧を保持する動作は第２の実施形態で説明したので、ここでは省略する。

図１３に示すように、電流ＩＲ１が、ＶＣＣ電源から電源配線３０４、スイッチ３０９を介して発光素子Ｒ１に流れ、そして、ＴＦＴ３０５を介して接地された電源配線１３７に流れ込む。同様に、電流ＩＢ１が、ＶＣＣ電源から電源配線３０４を介して発光素子Ｂ１に流れ、そして、ＴＦＴ３０６を介して接地された電源配線１３７に流れ込む。また電流ＩＧ２が、ＶＣＣ電源から電源配線３０４を介して発光素子Ｇ２に流れ、そして、ＴＦＴ３０７を介して接地された電源配線１３７に流れ込む。こうして、発光素子Ｒ１、Ｂ１、Ｇ２がそれぞれ発光する。

発光素子に流れる電流ＩＥＬはＴＦＴに流れる電流ＩＤＳと同じであるため、
ＩＥＬ＝ＩＤＳ＝β／２・（ＶＧＳ−Ｖｔｈ）^２
と表せられる。ここで、βは電流増倍係数、Ｖｔｈはスレッシュホルド電圧を示す。

ＶＧＳの電圧を可変にすることで所望の電流を発光素子に流すことが可能となる。

発光素子Ｇ１、Ｒ２、Ｂ２はそれぞれカソード電位が最高電位に引き上げられているために逆バイアスがかかり電流が流れない。よってそれぞれの発光素子は発光しない。

図１４と図１５は、スイッチ３０３が−ＶＣＣ選択、スイッチ３０８がＯＮ、スイッチ３０９がＯＦＦのときの、発光素子の発光状態を示す断面図及び発光素子の接続を簡略的に示した等価回路図である。図に示されるように発光素子が発光している期間が第２の発光期間となる。

図１４に示すように、発光素子Ｇ１、発光素子Ｒ２、発光素子Ｂ２がそれぞれ選択され、独立に定電流が流れて発光する。この発光は第２の実施形態での時間ｔ７から時間ｔ８までの発光期間内に行われる。

第２の実施形態の動作と同様に、発光の前に、コンデンサ１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃには信号電圧が保持されている。従って、発光期間において、コンデンサ１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃに保持された信号電圧に対応して、ＴＦＴ３０５〜ＴＦＴ３０７を流れる電流が決められる。時間ｔ７の前の信号電圧を保持する動作は第２の実施形態で説明したので、ここでは省略する。

図１５に示すように、電流ＩＧ１が、接地された電源配線１３７からＴＦＴ３０５を介して発光素子Ｇ１に流れ、そして、電位−ＶＣＣに設定された電源配線１３７に流れ込む。同様に、電流ＩＲ２が、接地された電源配線１３７からＴＦＴ３０６、スイッチ３０８を介して発光素子Ｒ２に流れ、そして、電位−ＶＣＣに設定された電源配線１３７に流れ込む。また電流ＩＢ２が、接地された電源配線１３７からＴＦＴ３０７を介して発光素子Ｂ２に流れ、そして、電位−ＶＣＣに設定された電源配線１３７に流れ込む。こうして、発光素子Ｇ１、Ｒ２、Ｂ２がそれぞれ発光する。

発光素子Ｒ１、Ｂ１、Ｇ２はそれぞれアノードが最低電位に引き下げられているために逆バイアスがかかり電流が流れない。よってそれぞれの発光素子は発光しない。

本実施形態では、駆動ＴＦＴ３０５，３０６，３０７にＮＭＯＳトランジスタを用いたがこれをＰＭＯＳトランジスタにした場合も同様に動作することは言うまでもない。

またスイッチ（ＳＷ２）３０８をショート、スイッチ（ＳＷ３）３０９をオープンにしても同様の回路動作となることは言うまでもない。

このような有機ＥＬ表示装置においても、第１実施形態と同様の効果がある。１画素が２つのサブピクセルで構成され、合計６個の発光素子が１画素内に形成される。これらの発光素子は３個の画素回路で駆動され、各色に２個の発光素子を独立で駆動できるので、画素回路を増やすことなく冗長性を向上させることができる。非点灯画素が発生した場合には、予備の発光素子を発光させることで、欠陥の少ないＥＬ表示装置が得られる。また、劣化した発光素子を切り替えて予備の発光素子を発光させることによって、焼き付き寿命の長いＥＬ表示装置が得られる。さらに、１サブピクセルを１画素とした場合には、精細度の高いＥＬ表示装置が得られる。

（第４の実施形態）
図１６に本発明の第４の実施形態に係るに係る有機ＥＬ表示装置の１画素（ピクセル）領域における断面構造を概略的に示した図を示す。図１７に本実施形態の等価回路図を示す。本実施形態では、１つの画素の発光色はＲＢＢＧであって３種類である。

図１６に示すように、１画素は第１のサブピクセルＰ１と第２のサブピクセルＰ２とで構成されている。

図１６において、６０１，６１５は第１の電極、６０３，６１７は第１有機発光層、６０４，６１８は第２の電極、６０６，６２０は第２有機発光層、６０７，６２１は第３の電極、６０９，６２３は第３有機発光層、６１０，６２４は第４の電極である。また、６１２，６２６は第４有機発光層（第４の発光層となる）、６１３，６２７は第５の電極である。

また、６０２，６１６は第１の電極６０１，６１５にそれぞれ接続された端子、６０５，６１９は第２の電極６０４，６１７にそれぞれ接続された端子である。さらに、６０８，６２２は第３の電極６０７，６２１にそれぞれ接続された端子、６１１，６２５は第４の電極６１０，６２４にそれぞれ接続された端子、６１４，６２８は第５の電極６１３，６２７にそれぞれ接続された端子である。

第１有機発光層６０３，６１７は緑色（Ｇ）の光を発光し、第２有機発光層６０６，６２０は青色（Ｂ）の光を発光し、第３有機発光層６０９，６２３は青（Ｂ）の光を発光し、第４有機発光層６１２，６２６は赤（Ｒ）の光を発光する。

第１の電極６０１、第１有機発光層６０３、第２の電極６０４で、第１のサブピクセルＰ１の緑色の発光素子Ｇ１が構成される。第２の電極６０４、第２有機発光層６０６、第３の電極６０７で、第１のサブピクセルＰ１の青色の発光素子Ｂ１２が構成される。第３の電極６０７、第３有機発光層６０９、第４の電極６１０で、第１のサブピクセルＰ１の青色の発光素子Ｂ１１が構成される。第４の電極６１０、第４有機発光層６１２、第５の電極６１３で、第１のサブピクセルＰ１の赤色の発光素子Ｒ１が構成される。

第１の電極６１５、第１有機発光層６１７、第２の電極６１８で、第２のサブピクセルＰ２の緑色の発光素子Ｇ２が構成される。第２の電極６１８、第２有機発光層６２０、第３の電極６２１で、第２のサブピクセルＰ２の青色の発光素子Ｂ２２が構成される。第３の電極６２１、第３有機発光層６２３、第４の電極６２４で、第２のサブピクセルＰ２の青色の発光素子Ｂ２１が構成される。第４の電極６２４、第４有機発光層６２６、第５の電極６２７で、第２のサブピクセルＰ２の赤色の発光素子Ｒ２が構成される。

図１６において、第１の電極６０１，６１５は金属等により形成され反射電極となる。第２の電極６０４，６１８、第３の電極６０７，６２１、第４の電極６１０，６２４、第５の電極６１３，６２７は透光性を有する。各有機発光層からの光は上方に向かう。下方向に発光した光は反射電極となる第１の電極６０１，６１５によって反射し、上方向に向かう。

図１７に図１６に示した画素と画素回路との回路接続関係を概略図で示した。第１のサブピクセルＰ１の端子６１４，６０８，６０２と、第２のサブピクセルＰ２の端子６２５，６１９はそれぞれ電源配線３０４に接続される。第２のサブピクセルＰ２の端子６２８はスイッチ（ＳＷ３、第３のスイッチとなる）７０５を介して電源配線３０４に接続される。端子６２８はスイッチ（ＳＷ２、第２のスイッチとなる）７０６を介して端子６１６に接続される。スイッチ７０６とスイッチ７０５はＯＮ／ＯＦＦ（導通状態／非導通状態）の関係が逆極性となっている。スイッチ７０６がＯＮ（図中Ｂ方向）のとき、スイッチ７０５はＯＦＦ（図中Ｂ方向）、スイッチ７０６がＯＦＦ（図中Ａ方向）のとき、スイッチ７０５はＯＮ（図中Ａ方向）と動作する。

端子６１１はＴＦＴ（第１の駆動トランジスタとなる）７０１のドレインと、端子６０５はＴＦＴ７０２（第２の駆動トランジスタとなる）のドレインとそれぞれ接続されている。ＴＦＴ７０１，７０２のソースは電源配線１３７に接続されている。電源配線１３７は接地されている（電位がＧＮＤとされている）。

端子６２２はＴＦＴ７０３（第３の駆動トランジスタとなる）のドレインと接続されている。ＴＦＴ７０３のソースは接地された電源配線１３７に接続されている。端子６１６はＴＦＴ７０４（第４の駆動トランジスタとなる）のドレインと接続されている。ＴＦＴ７０４のソースは接地された電源配線１３７に接続されている。

電源配線３０４はスイッチ（ＳＷ１、第１のスイッチとなる）３０３に接続される。スイッチ３０３が図中Ａ方向のときに、電源配線３０４はＶＣＣ電源に接続されて、電位がＶＣＣに設定され、一方、スイッチ３０３が図中Ｂ方向のときに、電源配線３０４は−ＶＣＣ電源に接続され、電位が−ＶＣＣに設定される。

スイッチ（ＳＷ１）３０３、スイッチ（ＳＷ２）７０６、スイッチ（ＳＷ３）７０５の選択およびＯＮ／ＯＦＦ関係は次の通りとなる。スイッチ３０３が電源配線３０４を電位ＶＣＣに設定する（図中Ａ方向）とき（ＶＣＣ選択）、スイッチ７０６はＯＦＦ（図中Ａ方向）、スイッチ７０５はＯＮ（図中Ａ方向）となる。一方、スイッチ３０３が電源配線３０４を電位−ＶＣＣに設定する（図中Ｂ方向）とき（−ＶＣＣ選択）、スイッチ７０６はＯＮ（図中Ｂ方向）、スイッチ７０５はＯＦＦ（図中Ｂ方向）となる。

図１８と図１９は、スイッチ３０３がＶＣＣ選択、スイッチ７０６がＯＦＦ、スイッチ７０５がＯＮのときの、発光素子の発光状態を示す断面図及び発光素子の接続を簡略的に示した等価回路図である。

図１８に示すように、発光素子Ｒ１、発光素子Ｂ１２、発光素子Ｂ２１、発光素子Ｇ２がそれぞれ選択され、独立に定電流が流れて発光する。この発光は第２の実施形態での時間ｔ３から時間ｔ４までの発光期間内に行われる。

第２の実施形態の動作と同様に、発光の前に、コンデンサ１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄには信号電圧が保持されている。従って、発光期間において、コンデンサ１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄに保持された信号電圧に対応して、ＴＦＴ７０１〜ＴＦＴ７０４を流れる電流が決められる。時間ｔ３の前の信号電圧を保持する動作は第２の実施形態で説明したので、ここでは省略する。

図１９に示すように、電流ＩＲ１が、ＶＣＣ電源から電源配線３０４を介して発光素子Ｒ１に流れ、そして、ＴＦＴ７０１を介して接地された電源配線１３７に流れ込む。同様に、電流ＩＢ１２が、ＶＣＣ電源から電源配線３０４を介して発光素子Ｂ１２に流れ、そして、ＴＦＴ７０２を介して接地された電源配線１３７に流れ込む。また電流ＩＢ２１が、ＶＣＣ電源から電源配線３０４を介して発光素子Ｂ２１に流れ、そして、ＴＦＴ７０３を介して接地された電源配線１３７に流れ込む。同様に、電流ＩＧ２が、ＶＣＣ電源から電源配線３０４を介して発光素子Ｇ２に流れ、そして、ＴＦＴ７０４を介して接地された電源配線１３７に流れ込む。こうして、発光素子Ｒ１、Ｂ１２、Ｂ２１、Ｇ２がそれぞれ発光する。

発光素子に流れる電流ＩＥＬはＴＦＴに流れる電流ＩＤＳと同じであるため、
ＩＥＬ＝ＩＤＳ＝β／２・（ＶＧＳ−Ｖｔｈ）^２
と表せられる。ここで、βは電流増倍係数、Ｖｔｈはスレッシュホルド電圧を示す。

ＶＧＳの電圧を可変にすることで所望の電流を発光素子に流すことが可能となる。

発光素子Ｂ１１、Ｇ１、Ｒ２、Ｂ２２発光素子はそれぞれカソード電位が最高電位に引き上げられているために逆バイアスがかかり電流が流れない。よってそれぞれの発光素子は発光しない。

図２０と図２１は、スイッチ３０３が−ＶＣＣ選択、スイッチ７０６がＯＮ、スイッチ７０５がＯＦＦのときの、発光素子の発光状態を示す断面図及び発光素子の接続を簡略的に示した等価回路図である。

図２０に示すように、発光素子Ｂ１１、発光素子Ｇ１、発光素子Ｒ２、発光素子Ｂ２２がそれぞれ選択され、独立に定電流が流れて発光する。この発光は第２の実施形態での時間ｔ３から時間ｔ４までの発光期間内に行われる。

第２の実施形態の動作と同様に、発光の前に、コンデンサ１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄには信号電圧が保持されている。従って、発光期間において、コンデンサ１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄに保持された信号電圧に対応して、ＴＦＴ７０１〜ＴＦＴ７０４を流れる電流が決められる。時間ｔ３の前の信号電圧を保持する動作は第２の実施形態で説明したので、ここでは省略する。

図２１に示すように、電流ＩＢ１１が、接地された電源配線１３７からＴＦＴ７０１を介して発光素子Ｂ１１に流れ、そして、電位−ＶＣＣに設定された電源配線１３７に流れ込む。同様に、電流ＩＧ１が、接地された電源配線１３７からＴＦＴ７０２を介して発光素子Ｇ１に流れ、そして、電位−ＶＣＣに設定された電源配線１３７に流れ込む。また、電流ＩＢ２２が、接地された電源配線１３７からＴＦＴ７０３を介して発光素子Ｂ２２に流れ、そして、電位−ＶＣＣに設定された電源配線１３７に流れ込む。同様に、電流ＩＩＲ２が、接地された電源配線１３７からスイッチ７０６を介して発光素子Ｒ２に流れ、そして、電位−ＶＣＣに設定された電源配線１３７に流れ込む。こうして、発光素子Ｂ１１、Ｇ１、Ｂ２２、Ｒ２がそれぞれ発光する。

発光素子Ｒ１、Ｂ１２、Ｂ２１、Ｇ２発光素子はそれぞれアノードが最低電位に引き下げられているために逆バイアスがかかり電流が流れない。よってそれぞれの発光素子は発光しない。

本第４実施形態ではＲＢＢＧの画素配列について説明したが、この組み合わせに限ったことではない。

また駆動ＴＦＴ７０１〜７０４にＮＭＯＳトランジスタを用いたがこれをＰＭＯＳトランジスタにした場合も同様に動作することは言うまでもない。

このような有機ＥＬ表示装置においても、第１実施形態と同様の効果がある。１画素が２つのサブピクセルで構成され、合計８個の発光素子が１画素内に形成される。これらの発光素子は４個の画素回路で駆動され、各色に２個の発光素子を独立で駆動できるので、画素回路を増やすことなく冗長性を向上させることができる。非点灯画素が発生した場合には、予備の発光素子を発光させることで、欠陥の少ないＥＬ表示装置が得られる。また、劣化した発光素子を切り替えて予備の発光素子を発光させることによって、焼き付き寿命の長いＥＬ表示装置が得られる。さらに、１サブピクセルを１画素とした場合には、精細度の高いＥＬ表示装置が得られる。

以上説明した各実施形態では、同一発光期間内でのサブピクセル間での発光色の組み合わせを変えずに、発光期間毎に各サブピクセルで発光させる発光色を切り替えるようにしている。つまり、画素内の同色の発光素子で発光を分担しているため、各発光素子の寿命向上を図れる。また、同色の発光素子のうち一つが焼きつきを起こしたり、或いは不良を起しても残る同色の発光素子が表示が可能であるため、冗長性を向上させることができる。

また、１サブピクセルでＲＧＢ３色を発光可能な積層構成の場合は、１サブピクセルを１画素とすることができるので、精細度の高いＥＬ表示装置を得ることが可能である。

更に、発光色の切り替えを画素回路の動作及び共通電極の電源変調により行うように構成すれば、画素内の発光素子の総数より少ない画素回路の総数で発光制御が可能となる。

また、各実施形態において、画素内のサブピクセル間で表示情報を変えることができる。例えば、画素内の少なくとも一つのサブピクセルで文字情報に対応した情報を表示し、他のサブピクセルで画像情報に対応した情報を表示することができる。

また、各実施形態において、発光素子の積層構造は逆であってもよい。例えば第１の実施形態において、絶縁性基板上に、第４の電極、第３有機発光層、第３の電極、第２有機発光層、第２の電極、第１有機発光層の順に積層することができる。

さらに、各実施形態では画素回路を、駆動ＴＦＴ（駆動トランジスタ）、スイッチング用ＴＦＴはＮ型トランジスタとして示しているが、Ｐ型トランジスタを用いて画素回路を構成してもよい。

本発明はＥＬ表示装置、特に有機ＥＬ表示装置に用いられる。具体的には、携帯電話の表示部、平面テレビ、カメラのビューファインダ等に用いられる。

本発明の実施形態１の有機ＥＬ表示装置の１画素を示す概略断面図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置を示す概略斜視図である。 本発明の実施形態１の有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す図である。 図３図示の等価回路の動作を説明する駆動波形図である。 本発明の実施形態２の有機ＥＬ表示装置の１画素を示す概略断面図である。 本発明の実施形態２の有機ＥＬ表示装置の１画素を示す概略平面図である。 本発明の実施形態２の有機ＥＬ表示装置の表示領域端を示す概略平面図である。 本発明の実施形態２の有機ＥＬ表示装置の等価回路を示す図である。 図８図示の等価回路の動作を説明する駆動波形図である。 本実施形態ＲＧＢ発光素子の断面図である。 本実施形態画素回路の等価回路図である。 本実施形態のＲＧＢ発光部位を示す図である。 本実施形態電源電圧ＶＣＣ時の等価回路図である。 本実施形態のＲＧＢ発光部位を示す図である。 本実施形態電源電圧−ＶＣＣ時の等価回路図である。 本実施形態ＲＢＢＧ発光素子の断面図である。 本実施形態画素回路の等価回路図である。 本実施形態のＲＢＢＧ発光部位を示す図である。 本実施形態電源電圧ＶＣＣ時の等価回路図である。 本実施形態のＲＢＢＧ発光部位を示す図である。 本実施形態電源電圧−ＶＣＣ時の等価回路図である。

符号の説明

１ 表示領域
２ 画素
１０ 絶縁性基板
１１ａ、１１ｂ 第１の電極
１２ 第１有機発光層
１３ａ、１３ｂ 第２の電極
１４ 第２有機発光層
１５ａ、１５ｂ 第３の電極
１６ 第３有機発光層
１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ、２０ コンタクトホール
２１ 第４の電極
２２ 保護膜
３０ 絶縁性基板
３１ 第１の電極
３２ 第１有機発光層
３３ａ、３３ｂ 第２の電極
３４ 第２有機発光層
３５ａ、３５ｂ 第３の電極
３６ 第３有機発光層
３８ａ、３８ｂ、３９ コンタクトホール
４１ 第４の電極
４２ 保護膜
１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ スイッチング用ＴＦＴ
１０２ａ，１０２ｂ、１０１ｃ 駆動用ＴＦＴ
１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ コンデンサ
１０５ ゲート信号線
１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ ソース信号線
１０７ 電源供給線
１０８ａ、１０８ｂ 電源供給線
１０９ａ、１０９ｂ コンタクトホール
１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ スイッチング用ＴＦＴ
１３２ａ，１３２ｂ、１３２ｃ 駆動用ＴＦＴ
１３４ａ、１３４ｂ、１３４ｃ コンデンサ
１３５ ゲート信号線
１３６ａ、１３６ｂ、１３６ｃ ソース信号線
１３７ 電源供給線
Ｐ１ 第１のサブピクセル
Ｐ２ 第２のサブピクセル
２０３、２１４、６０９、６０６、６２３、６２０ Ｂ発光素子
２０６、２１７、６０３、６１７ Ｇ発光素子
２０９、２２０、６１２、６２６ Ｒ発光素子
３０３ ＶＣＣ／−ＶＣＣ電源選択型ＳＷ
・ ３０７、７０１、７０２、７０３、７０４ Ｎ型ＴＦＴ
３０８、３０９、７０５、７０６ スイッチ

Claims (14)

1. 複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素が少なくとも２つのサブピクセルを有すると共に、各サブピクセルは少なくとも３種類の発光色が異なる発光素子を積層して構成された発光表示装置において、
   前記画素の発光素子に発光のための電圧を印加する駆動手段を有し、
   該駆動手段は、各画素における発光を、少なくとも２つ以上の発光期間に分割し、各画素内における同一のサブピクセルにおいては発光期間毎に発光させる発光色を異ならせると共に、各発光期間において画素内のサブピクセル間での発光色の組み合わせを同じとするように、前記画素の発光素子に電圧を印加することを特徴とする発光表示装置。
2. 前記少なくとも３種類の発光色はＲＧＢであることを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
3. 前記少なくとも３種類の発光色はＲＢＢＧであることを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
4. 前記画素内のサブピクセル間で表示情報を変えることを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
5. 前記画素内の少なくとも一つのサブピクセルで文字情報に対応した情報を表示し、他のサブピクセルで画像情報に対応した情報を表示することを特徴とする請求項４に記載の発光表示装置。
6. 前記サブピクセルの夫々の発光素子は、発光層を含む有機層とそれを狭持する一対の電極とから構成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
7. 前記サブピクセルは、発光層をそれぞれ含む複数の有機層と、前記有機層間に設けられた電極、及び複数の有機層を挟む電極とを有し、
   各サブピクセルは、前記有機層間に設けられた電極及び複数の有機層を挟む電極のうちの少なくとも二つの電極を、サブピクセルごとに設けられた電源配線に接続し、
   前記発光期間ごとに前記電源配線に供給される電源電圧を切り替え、且つ画素内のサブピクセル間で前記電源電圧が異なるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
8. 前記サブピクセルは、発光層をそれぞれ含む複数の有機層と、前記有機層間に設けられた電極、及び複数の有機層を挟む電極とを有し、
   前記有機層間に設けられた電極及び複数の有機層を挟む電極のうちの１つ電極を、サブピクセル間で同層とならないように第１の電源配線に接続し、
   前記有機層間に設けられた電極及び複数の有機層を挟む電極のうちの他の電極を、サブピクセル間で同層とならないように第２の電源配線に接続し、
   前記発光期間ごとに前記第１及び第２の電源配線に供給される電源電圧を交互に切り替えるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
9. 前記サブピクセルは、発光層をそれぞれ含む複数の有機層と、前記有機層間に設けられた電極、及び複数の有機層を挟む電極とを有し、
   前記画素は、前記有機層間に設けられた電極及び複数の有機層を挟む電極において前記サブピクセル間で共通の電極を有し、前記共通の電極に供給される電源電圧を切り替えることにより発光期間毎に発光する発光素子を異ならせることを特徴とする請求項１に記載の発光表示装置。
10. 複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素が第１及び第２のサブピクセルを有すると共に、各サブピクセルは第１の電極、第１の発光層、第２の電極、第２の発光層、第３の電極、第３の発光層、第４の電極の順の積層構造を有し、
    前記第１の発光層、前記第２の発光層、前記第３の発光層は、順方向に電圧をかけたときに電流が流れ発光する層であって且つ前記電流の流れる方向が同方向であり、
    各画素における発光は、第１の発光期間と第２の発光期間に分割して行われる発光表示装置であって、
    前記第１のサブピクセルの第２の電極に信号電流を流す第１の駆動トランジスタと、
    前記第２のサブピクセルの第２の電極に信号電流を流す第２の駆動トランジスタと、
    前記第１及び第２のサブピクセルの各第４の電極に信号電流を流す第３の駆動トランジスタと、
    前記第１のサブピクセルの第１の電極及び第３の電極に共通に接続された第１の電源配線と、
    前記第２のサブピクセルの第１の電極及び第３の電極に共通に接続された第２の電源配線と、
    を有し、
    前記第１の発光期間において、
    前記第１乃至第３の駆動トランジスタによりそれぞれ信号電流を流すべく第１の電圧が加えられ、
    前記第１の電源配線には、前記第１のサブピクセルで、第２の発光層が順方向にバイアスされるような第２の電圧が印加され、
    前記第２の電源配線には、前記第２のサブピクセルで、第１の発光層が順方向にバイアスされ、第３の発光層が順方向にバイアスされるような第３の電圧が印加され、
    前記第２の発光期間において、
    前記第１乃至第３の駆動トランジスタによりそれぞれ信号電流を流すべく前記第１の電圧が加えられ、
    前記第１の電源配線には、前記第１のサブピクセルで、第１の発光層が順方向にバイアスされ、第３の発光層が順方向にバイアスされるような前記第３の電圧が印加され、
    前記第２の電源配線には、前記第２のサブピクセルで、第２の発光層が順方向にバイアスされるような前記第２の電圧が印加されることを特徴とする発光表示装置。
11. 複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素が第１及び第２のサブピクセルを有すると共に、各サブピクセルは第１の電極、第１の発光層、第２の電極、第２の発光層、第３の電極、第３の発光層、第４の電極の順の積層構造を有し、
    前記第１の発光層、前記第２の発光層、前記第３の発光層は、順方向に電圧をかけたときに電流が流れ発光する層であって、前記第１及び第３の発光層は前記電流の流れる方向が同方向で、前記第２の発光層は前記第１及び第３の発光層とは前記電流の流れる方向が逆方向であり、
    各画素における発光は、第１の発光期間と第２の発光期間に分割して行われる発光表示装置であって、
    前記第１のサブピクセルの第２の電極に信号電流を流す第１の駆動トランジスタと、
    前記第２のサブピクセルの第２の電極に信号電流を流す第２の駆動トランジスタと、
    前記第１及び第２のサブピクセルの各第４の電極に信号電流を流す第３の駆動トランジスタと、
    前記第１のサブピクセルの第１の電極と前記第２のサブピクセルの第３の電極とに共通に接続された第１の電源配線と、
    前記第１のサブピクセルの第３の電極と前記第２のサブピクセルの第１の電極に共通に接続された第２の電源配線と、
    を有し、
    前記第１の発光期間において、
    前記第１乃至第３の駆動トランジスタによりそれぞれ信号電流を流すべく第１の電圧が加えられ、
    前記第１の電源配線には、前記第１のサブピクセルの第１の発光層と、前記第２のサブピクセルの第２及び第３の発光層とがバイアスされないような第２の電圧が印加され、
    前記第２の電源配線には、前記第１のサブピクセルの第２及び第３の発光層が順方向にバイアスされ、前記第２のサブピクセルの第１の発光層が順方向にバイアスされるような第３の電圧が印加され、
    第２の発光期間において、
    前記第１乃至第３の駆動トランジスタによりそれぞれ信号電流を流すべく前記第１の電圧が加えられ、
    前記第１の電源配線には、前記第１のサブピクセルの第１の発光層と、前記第２のサブピクセルの第２及び第３の発光層とが順方向にバイアスされるような第３の電圧が印加され、
    前記第２の電源配線には、前記第１のサブピクセルの第２及び第３の発光層と、前記第２のサブピクセルの第１の発光層とがバイアスされないような第２の電圧が印加されることを特徴とする発光表示装置。
12. 複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素が第１及び第２のサブピクセルを有すると共に、各サブピクセルは第１の電極、第１の発光層、第２の電極、第２の発光層、第３の電極、第３の発光層、第４の電極の順の積層構造を有し、
    前記第１の発光層、前記第２の発光層、前記第３の発光層は、順方向に電圧をかけたときに電流が流れ発光する層であって且つ前記電流の流れる方向が同方向であり、
    各画素における発光は、第１の発光期間と第２の発光期間に分割して行われる発光表示装置であって、
    前記第１のサブピクセルの第３の電極に信号電流を流す第１の駆動トランジスタと、
    前記第１のサブピクセルの第１の電極に信号電流を流す第２の駆動トランジスタと、
    前記第２のサブピクセルの第２の電極に信号電流を流す第３の駆動トランジスタと、
    前記第１のサブピクセルの第２の電極及び第４の電極と、前記第２のサブピクセルの第１及び第３の電極とに共通に接続された電源配線と、
    前記電源配線に印加する電圧を第１の電圧と第２の電圧とに切り替える第１のスイッチと、
    前記第１のサブピクセルの第１の電極と前記第２のサブピクセルの第４の電極との間に設けられた第２のスイッチと、
    前記第２のサブピクセルの第４の電極と前記電源配線との間に設けられた第３のスイッチと、
    を有し、
    前記第１の発光期間において、
    前記第１乃至第３の駆動トランジスタによりそれぞれ信号電流を流すべく第３の電圧が加えられ、前記第１のスイッチの切り替えにより前記電源配線に前記第１の電圧が印加され、前記第３のスイッチが導通状態とされ、前記第２のスイッチが非導通状態とされ、
    前記第１の電圧は、前記第１のサブピクセルで、第１の発光層が順方向にバイアスされ且つ第３の発光層が順方向にバイアスされ、前記第２のサブピクセルで、第２の発光層が順方向にバイアスされるような電圧であり、
    前記第２の発光期間において、
    前記第１乃至第３の駆動トランジスタによりそれぞれ信号電流を流すべく前記第３の電圧が加えられ、前記第１のスイッチの切り替えにより前記電源配線に前記第２の電圧が印加され、前記第３のスイッチが非導通状態とされ、前記第２のスイッチが導通状態とされ、
    前記第２の電圧は、前記第１のサブピクセルで第２の発光層が順方向にバイアスされ、前記第２のサブピクセルで、第１の発光層が順方向にバイアスされ且つ第３の発光層が順方向にバイアスされるような電圧であることを特徴とする発光表示装置。
13. 複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素が第１及び第２のサブピクセルを有すると共に、各サブピクセルは第１の電極、第１の発光層、第２の電極、第２の発光層、第３の電極、第３の発光層、第４の電極、第４の発光層、第５の電極の順に積層されてなり、
    前記第１の発光層、前記第２の発光層、前記第３の発光層及び前記第４の発光層は、順方向に電圧をかけたときに電流が流れ発光する層であって且つ前記電流の流れる方向が同方向であり、
    各画素における発光は、第１の発光期間と第２の発光期間に分割して行われる発光表示装置であって、
    前記第１のサブピクセルの第４の電極に信号電流を流す第１の駆動トランジスタと、
    前記第１のサブピクセルの第２の電極に信号電流を流す第２の駆動トランジスタと、
    前記第２のサブピクセルの第３の電極に信号電流を流す第３の駆動トランジスタと、
    前記第２のサブピクセルの第１の電極に信号電流を流す第４の駆動トランジスタと、
    前記第１のサブピクセルの第１の電極、第３の電極及び第５の電極と、前記第２のサブピクセルの第２及び第４の電極とに共通に接続された電源配線と、
    前記電源配線に印加する電圧を第１の電圧と第２の電圧とに切り替える第１のスイッチと、
    前記第２のサブピクセルの第１の電極と第５の電極との間に設けられた第２のスイッチと、
    前記第２のサブピクセルの第５の電極と前記電源配線との間に設けられた第３のスイッチと、
    を有し、
    前記第１の発光期間において、
    前記第１乃至第４の駆動トランジスタによりそれぞれ信号電流を流すべく電圧が加えられ、前記第１のスイッチの切り替えにより前記電源配線に前記第１の電圧が印加され、前記第３のスイッチが導通状態とされ、前記第２のスイッチが非導通状態とされ、
    前記第１の電圧は、前記第１のサブピクセルで、第２の発光層が順方向にバイアスされ且つ第４の発光層が順方向にバイアスされ、前記第２のサブピクセルで、第１の発光層が順方向にバイアスされ且つ第３の発光層が順方向にバイアスされるような電圧であり、
    前記第２の発光期間において、
    前記第１乃至第４の駆動トランジスタによりそれぞれ信号電流を流すべく電圧が加えられ、前記第１のスイッチの切り替えにより前記電源配線に前記第２の電圧が印加され、前記第３のスイッチが非導通状態とされ、前記第２のスイッチが導通状態とされ、
    前記第２の電圧は、前記第１のサブピクセルで、第１の発光層が順方向にバイアスされ且つ第３の発光層が順方向にバイアスされ、前記第２のサブピクセルで、第２の発光層が順方向にバイアスされ且つ第４の発光層が順方向にバイアスされるような電圧であることを特徴とする発光表示装置。
14. 複数の画素がマトリクス状に配置され、各画素が少なくとも２つのサブピクセルを有すると共に、各サブピクセルは少なくとも３種類の発光色が異なる発光素子を積層して構成された発光表示装置の駆動方法において、
    各画素における発光を、少なくとも２つ以上の発光期間に分割し、各画素内における同一のサブピクセルにおいては発光期間毎に発光させる発光色を異ならせると共に、各発光期間において画素内のサブピクセル間での発光色の組み合わせを同じとするように、前記画素の発光素子に電圧を印加することを特徴とする発光表示装置の駆動方法。