TWI453917B - 顯示裝置、電子機器及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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Description

顯示裝置、電子機器及顯示裝置之製造方法
本發明係關於電晶體、顯示裝置、電子機器及電晶體之製造方法。
近年來，作為繼液晶顯示裝置(LCD)之後的下一代顯示裝置，已進行一種具備有發光元件型顯示面板之顯示裝置的研究開發，其中該顯示面板係將有機電致發光元件(Organic Electro-Luminescence)(以下，簡記為「有機EL元件」)等自發光元件予以二維排列。(參照專利文獻一　日本公開專利公報特開平08-330600號公報)。
有機EL元件，係具備：陽極電極、陰極電極、以及形成在這些一對電極間且具有例如發光層、電洞注入層等的有機EL層(發光機能層)。有機EL元件係藉由在發光層因電洞與電子再結合所產生之能量而發光。
在顯示裝置係具備有用以驅動此種有機EL元件之複數個n通道型FET(Field Effect Transistor：場效電晶體)。
然而，此種電晶體中，有時會發生源極電極/汲極電極等之對準偏移。
第13圖(a)、(b)係表示此種電晶體的截面圖，電晶體係藉由基板81、閘極電極82、閘極絕緣膜83、i－Si膜84、BL(阻隔層)絕緣膜85、n+ －Si膜86、汲極側之SD(汲極/源極)電極87d、源極側之SD電極87s、以及保護絕緣膜88所構成。
第13圖(a)係表示以閘極電極82為中心，SD電極87d,87s偏移至汲極側而積層在BL絕緣膜85上的情況。亦即，表示在Ls1＜Ld1的情況(Ls1係SD電極87s與BL絕緣膜85重疊之長度，Ld1則為SD電極87d與BL絕緣膜85重疊之長度)。
第13圖(b)係表示以閘極電極82為中心，SD電極87d,87s偏移至源極側而積層在BL絕緣膜85上的情況。亦即，表示在Ls2＞Ld2的情況(Ls2：SD電極87s與BL絕緣膜85重疊之長度，Ld2：SD電極87d與BL絕緣膜85重疊之長度)。
在對源極電極施加源極電位Vs=0V，對汲極電極施加汲極電位Vd=10V，對閘極電極施加如第14圖(a)、(b)所示之閘極－源極間電壓Vg的情況下，在第13圖(a)所示的情況與在第13圖(b)所示的情況中，特性會產生變動。此外，第14圖(a)及第14圖(b)中，汲極電流Id之刻度係不同。
如該第14圖(a)、(b)所示，此特性之變動尤其對導通電流會造成影響。當此導通電流變動時，對有機EL元件之光量亦會產生影響。
本發明係有鑒於此種以往之問題點而構成，目的在於提供一種可降低特性變動的電晶體、顯示裝置、電子機器及電晶體之製造方法。
為了達成此目的，本發明之第1觀點的電晶體，具備：半導體膜，係形成在基板上部；阻隔膜，係形成在該半導體膜上且從該基板側起具有第一絕緣膜、電場遮蔽膜、及第二絕緣膜之三層；以及汲極電極及源極電極，係在該阻隔膜上相對向形成；該電場遮蔽膜係以透過該第二絕緣膜而至少與該汲極電極之一部分重疊於層方向的方式形成。
該電場遮蔽膜亦能以該汲極電極及該源極電極與該電場遮蔽膜各別重疊於層方向的方式形成。
亦可在該電場遮蔽膜與該汲極電極及該源極電極各別之間，形成電氣接合該汲極電極及該源極電極與該半導體膜的雜質半導體膜；該電場遮蔽膜亦可遮蔽在該汲極電極及該源極電極與該雜質半導體膜所形成的電場。
該電場遮蔽膜亦能以具備透光性之導電材料形成。
該電場遮蔽膜亦可設定為預先所設定之範圍的電壓。
亦可進一步具備閘極電極；該電場遮蔽膜亦可與該閘極電極連接。
該第一絕緣膜與該第二絕緣膜亦能以同一材料形成。
一種顯示元件，具備：前述電晶體；以及發光元件，係具備畫素電極、對向電極、及在該畫素電極與該對向電極之間所具備的發光層；該電晶體亦可與該畫素電極連接。
一種顯示元件，具備：發光元件，係具備畫素電極、對向電極、及在該畫素電極與該對向電極之間所具備的發光層；驅動電晶體，係用以驅動該發光元件；以及開關電晶體，係用以選擇該發光元件；該驅動電晶體亦可為前述電晶體。
該電場遮蔽膜亦能以與畫素電極相同之材料形成。
一種電子機器，亦可具備前述顯示裝置。
為了達成此目的，本發明之第2觀點之電晶體之製造方法，具備：在形成於基板上部之半導體膜上，形成具有第一絕緣膜、電場遮蔽膜、及第二絕緣膜之三層之阻隔膜的步驟；以及在該第二絕緣膜上形成導電性膜，將所形成之該導電膜，以透過該第二絕緣膜而與該電場遮蔽膜重疊的方式圖案化，而形成汲極電極及源極電極的步驟。
該形成汲極電極及源極電極之步驟，亦可為在該第二絕緣膜上，形成與該半導體膜進行電氣接合的接觸膜之後，再形成該汲極電極及源極電極的步驟。
亦可進一步在形成該阻隔膜之步驟之前，具備在基板上形成閘極電極的步驟；在該形成阻隔膜之步驟，亦可連接該電場遮蔽膜與閘極電極。
一種顯示裝置之製造方法，亦可進一步具備形成發光元件之步驟，其中該發光元件具備有畫素電極、對向電極、及在該畫素電極與該對向電極之間所具備的發光層；亦可藉由將成為該畫素電極之導電膜圖案化，而與在該形成阻隔膜之步驟中的該電場遮蔽膜一起，將在該形成發光元件之步驟中的該畫素電極予以形成。
亦可在該形成阻隔膜之步驟中，將該第一絕緣膜形成圖案之後，藉由具備透光性之導電材料，將該電場遮蔽膜與該畫素電極一起形成圖案，最後將該第二絕緣膜形成圖案。
 [本發明之較佳實施例]
以下，參照圖式說明具備有本發明之實施形態之電晶體之顯示裝置、電子機器及電晶體之製造方法。
(實施形態1)
顯示裝置1係組裝於如第1圖所示之數位相機、如第2圖所示之電腦、及如第3圖所示之行動電話等的電子機器。
數位相機200，如第1圖(a)及(b)所示，係具備：透鏡部201、操作部202、顯示部203、以及檢像器204。在此顯示部203使用有顯示裝置1。
第2圖所示之電腦210，係具備：顯示部211、及操作部212，在此顯示部211使用有顯示裝置1。
第3圖所示之行動電話220，係具備：顯示部221、操作部222、受話部223、及送話部224，在此顯示部221使用有顯示裝置1。
此種顯示裝置1，如第4圖所示，係藉由TFT面板11、顯示信號生成電路12、系統控制器13、選擇驅動器14、電源驅動器15、及資料驅動器16所構成。
TFT面板11係具備有複數個畫素電路11(i,j)(i=1～m，j=1～n，m、n：自然數)。
各畫素電路11(i,j)係分別與圖像之1個畫素對應的顯示畫素且行列配置。各畫素電路11(i,j)，如第5圖所示，係具備：有機EL元件E、驅動電晶體T1、開關電晶體T2、及電容器Cs。此處，驅動電晶體T1、開關電晶體T2、及電容器Cs係構成畫素驅動電路DC。
有機EL元件E係一種電流控制型發光元件(顯示元件)，其係利用因注入於有機化合物之電子與電洞的再結合所產生之激子而發光之現象而發光，以與所供給之電流之電流值對應的輝度發光。
畫素驅動電路DC中之驅動電晶體T1、開關電晶體T2皆係由n通道型FET所構成的TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)。
驅動電晶體T1係有機EL元件E之驅動用電晶體，其汲極係連接於陽極線La(j)，源極則連接於有機EL元件E之陽極電極。
開關電晶體T2係具有作為選擇有機EL元件E之開關之功能的電晶體，其汲極係連接於資料線Ld(i)，源極係連接於驅動電晶體T1之閘極，閘極則連接於選擇線Ls(j)。
電容器Cs係用以保持驅動電晶體T1之閘極－源極間電壓，連接於驅動電晶體T1之閘極－源極間。
此外，在紅(R)、藍(B)、綠(G)之3色的情況下，顯示裝置1係依各色分別具備此種畫素電路11(i,j)。
又，畫素電路11(i,j)亦可為具備有3個電晶體者。
顯示信號生成電路12，例如係從外部獲得複合影像信號、如成分影像信號的影像信號Image之供給，再從所供給之影像信號Image取得如輝度信號的顯示資料Pic、同步信號Sync。顯示信號生成電路12係將所取得之顯示資料Pic、同步信號Sync供給至系統控制器13。
系統控制器13係根據從顯示信號生成電路12所供給之顯示資料Pic、同步信號Sync，控制顯示資料Pic之修正處理、寫入動作、及發光動作。
顯示資料Pic之修正處理係一種生成階度信號的處理，該階度信號係根據各畫素電路11(i,j)之驅動電晶體T1的閾值電壓Vth或電流放大率β之值來修正從顯示信號生成電路12所供給之顯示資料Pic。
又，寫入動作係一種寫入與生成於各畫素電路11(i,j)之電容器Cs之階度信號對應之電壓的動作，發光動作則為一種將與保持在電容器Cs之電壓對應的電流供給至有機EL元件E，以使有機EL元件E發光的動作。
由於系統控制器13係進行此種控制，因此生成各種控制信號供給至選擇驅動器14、電源驅動器15、及資料驅動器16，且對資料驅動器16供給所生成之階度信號。
選擇驅動器14，係一種依序選擇TFT面板11之行的驅動器，例如藉由移位暫存器所構成。選擇驅動器14係分別透過選擇線Ls(j)(j=1～n)連接於各畫素電路11(i,j)之驅動電晶體T1、開關電晶體T2的閘極。
選擇驅動器14，係根據從系統控制器13所供給之控制信號，依序對第1行之畫素電路11(1,1)～11(m,1)…第n行之畫素電路11(1,n)～11(m,n)輸出Hi位準的選擇信號Vselect(j)，藉此依序選擇TFT面板11之行。
電源驅動器15係一種對陽極線La(1)～La(n)分別輸出電壓VL或VH之信號Vsource(1)～Vsource(n)的驅動器。
電壓VL係設定為負電壓或有機EL元件E之陰極電壓的接地電位。電壓VH係能使各畫素電路11(i,j)之有機EL元件E發光的正電壓，例如設定為+15V。然而，此電壓VL～VH，在進行階度控制的情況下，則非固定電壓而為可變。
電源驅動器15係分別透過陽極線La(j)(j=1～n)連接於各畫素電路11(i,j)之驅動電晶體T1的汲極。
資料驅動器16，係一種根據從系統控制器13所供給之階度信號，對各資料線Ld(1)～Ld(m)施加電壓信號Sv(1)～Sv(m)的驅動器。
此外，顯示裝置1中，並不侷限於將複數個發光元件固定使用作為一組畫素的構成，亦可採用在複數個邏輯畫素間共有1個發光元件的構成。
例如，1個發光元件係可使用在用以構成5種邏輯畫素。具體而言，1個發光元件係可作為邏輯畫素之中心使用，其餘則作為以位於周邊之畫素為中心之邏輯畫素的一部分使用。以此方式，藉由複數次使用1個發光元件，即可較使一組畫素固定發光的構成更提高解像度。
其次，參照第6圖、第7圖，針對顯示裝置1之畫素電路11(i,j)的構成加以說明。
第6圖係顯示裝置1之畫素電路11(i,j)的俯視圖，第7圖則為該顯示裝置1之畫素電路11(i,j)之VIII-VIII中的截面圖。該顯示裝置1係具備畫素電極(陽極電極)42、發光層45、及對向電極(陰極電極)46。
在各發光畫素之基板31上，係形成有驅動電晶體T1之閘極電極T1g。在與各發光畫素相鄰之基板31上，則形成有沿著列方向延伸的資料線Ld(i)。此外，T1d、T1s係分別為驅動電晶體T1之汲極電極、源極電極，T2g、T2d、T2s則分別為開關電晶體T2之閘極電極、汲極電極、源極電極。
畫素電極42係受電流供給之電極，由具備透光性之導電材料，例如ITO(Indium Tin Oxide)、ZnO等所構成。各畫素電極42係藉由層間絕緣膜47與相鄰之其他發光畫素的畫素電極42絕緣。
層間絕緣膜47係由絕緣性材料，例如氮化矽膜形成，形成在畫素電極42間，以絕緣保護驅動電晶體T1、開關電晶體T2、或選擇線Ls(j)、陽極線La(j)。
在層間絕緣膜47係形成有大致方形之開口部47a，藉由該開口部47a區隔發光畫素之發光區域。再者，在層間絕緣膜47上之隔壁48，係涵蓋複數個發光畫素形成有往主掃描方向X延伸之槽狀開口部48a。
隔壁48係將絕緣材料，例如聚醯亞胺等感光性樹脂硬化而成，形成在層間絕緣膜47上。隔壁48係以將沿著主掃描方向X之複數個發光畫素之畫素電極42彙集開口的方式形成為條紋狀。此外，隔壁48之俯視形狀並不侷限於此，亦可為依各畫素電極42分別具有開口部之格子狀。
在該隔壁48之表面、層間絕緣膜47之表面，亦可施以撥液處理。此處，撥液係指顯現排斥水系溶媒及有機系溶媒中之任一種的性質。
發光層45係發出光之層，形成在畫素電極42上。發光層45係藉由將電壓施加於畫素電極42與對向電極46之間而使光產生。
發光層45係由可發出螢光或磷光之公知高分子發光材料，例如含有聚對伸苯基乙烯(poly(p-phenylene)vinylene)系或聚茀(polyfluorene)系等共軛雙鍵聚合物的發光材料所構成。
此外，顯示裝置1亦可為具備有電洞注入層者。電洞注入層係對發光層45供給電洞之層，設置在畫素電極42與發光層45之間。
電洞注入層係由可輸送/注入電洞(hole)之有機高分子系材料，例如屬導電性聚合物之聚伸乙二氧基噻吩(polyethylene dioxythiophene)(PEDOT)與屬摻雜物之聚苯乙烯磺酸(polystyrene sulfonate)(PSS)所構成。
層間層(interlayer)係用以抑制電洞注入層之電洞注入性而在發光層45內使電子與電洞易於再結合，以提高發光層45之發光效率之層，設置在電洞注入層與發光層45之間。
對向電極46係電流從有機EL元件E流出之電極，就有機EL元件E，有底部放射(bottom emission)型及頂部放射(top emission)型2種，其對向電極46之構造並不相同。
底部放射型之有機EL元件E，係發光層45之光為往圖之下方發出之型者，在底部放射型的情況下，對向電極46係設置在發光層45側，而具有由下層與上層構成之積層構造。下層係由導電材料，例如Li、Mg、Ca、Ba等功函數低之材料所構成，上層則由Al等光反射性導電金屬所構成。
本實施形態中，對向電極46係由跨越複數個發光畫素所形成之單一電極層所構成，例如施加屬接地電位之共通電壓。
頂部放射型之有機EL元件E，係發光層45之光為往圖之上方發出之型者，在頂部放射型的情況下，對向電極46係設置在發光層45側，而具有由光透射性低功函數層與光透射性導電層構成之透明積層構造。
光透射性低功函數層係由10nm左右膜厚之極薄之例如Li、Mg、Ca、Ba等功函數低之材料所構成之層。光透射性導電層係由ITO等所構成之層，具有100nm～200nm左右之膜厚。
第7圖之A部係表示驅動電晶體T1之截面，該驅動電晶體T1，如第8圖所示，係藉由基板31、閘極電極T1g、閘極絕緣膜51、i－Si膜52、阻隔膜58、n+ －Si膜(雜質半導體膜)56、汲極電極T1d、源極電極T1s、以及保護絕緣膜57所構成，阻隔膜58係由BL絕緣膜53、電場遮蔽電極54、以及BL絕緣膜55之三層所構成。此外，第8圖所示之保護絕緣膜57與第7圖所示之層間絕緣膜47係相同之物，此處係以保護絕緣膜57來說明。
本實施形態之驅動電晶體T1與習知不同之點，係該阻隔膜58之構造，而在BL絕緣膜53與BL絕緣膜55之間形成有電場遮蔽電極54之點。
該電場遮蔽電極54係設置成用以遮蔽在其上方之汲極電極T1d、源極電極T1s、及n+ －Si膜56所形成之電場的電極，形成在第6圖之虛線所示的區域。
於該電場遮蔽電極54，最好使用具備透光性之導電材料，例如ITO、ZnO等。作為電場遮蔽電極54之材料，藉由使用與畫素電極42具備同一透光性之導電材料，即能與畫素電極42以同一製程形成。
又，在之後之步驟，在將Cr、Cr合金、Al、Al合金使用於汲極電極T1d或源極電極T1s的情況下，雖可能因ITO之蝕刻液導致汲極電極T1d或源極電極T1s溶解，不過藉由先將ITO圖案化，以同一製程形成電場遮蔽電極54與畫素電極42，之後所形成之汲極電極T1d或源極電極T1s材料便不會暴露於蝕刻劑。
電場遮蔽電極54係設定為信號Vsource(1)～Vsource(n)預先所設定之電壓VL～VH之範圍內的電壓。如第9圖所示，亦可連接電場遮蔽電極54與閘極電極T1g，以防止電場遮蔽電極54變成浮置(floating)電位。在不進行前述階度控制的情況下，電場遮蔽電極54係設定為電壓VL=接地電位。
藉由設置該電場遮蔽電極54，在各驅動電晶體T1，當汲極電極T1d、源極電極T1s及n+ －Si膜56之對準偏移發生變動，導致與i－Si膜52之重疊部分變大的情況下，此部分之電場亦可藉由電場遮蔽電極54予以遮蔽。因此，特性之變動即變小。此外，第6圖所示之開關電晶體T2亦同樣地構成。
其次，針對該驅動電晶體T1之製造方法加以說明。
如第10圖(a)所示，在基板31上形成閘極電極T1g。基板31係由玻璃基板等構成，閘極電極T1g例如係由Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜或AlNdTi合金膜、MoNb合金膜等構成。在閘極電極T1g之形成，係使用濺鍍法、真空蒸鍍法等。在此步驟，亦形成開關電晶體T2之閘極電極T2g及資料線Ld(i)。
下一步驟中，如第10圖(b)所示，在該閘極電極T1g及資料線Ld(i)上，形成閘極絕緣膜51。閘極絕緣膜51之形成，係使用CVD(Chemical Vapor Deposition)法等。
下一步驟中，在閘極絕緣膜51上，形成i－Si膜52。i－Si膜52係並未摻雜任何之本質半導體(intrinsic silicon)，在該i－Si膜52形成通道。
下一步驟中，在i－Si膜52上，形成BL絕緣膜53。BL絕緣膜53係例如由SiN等構成，在BL絕緣膜53之形成，係使用CVD法等。
下一步驟中，如第10圖(c)所示，在BL絕緣膜53上，形成前述電場遮蔽電極54。此外，第7圖所示之畫素電極42亦在此時形成。
下一步驟中，如第11圖(a)所示，以圍繞電場遮蔽電極54之方式形成BL絕緣膜55。BL絕緣膜55亦由與BL絕緣膜53同樣之材料構成，在BL絕緣膜55之形成，係使用CVD法等。
下一步驟中，如第11圖(b)所示，在BL絕緣膜55上，成膜n+ －Si膜56並予以圖案化。該n+ －Si膜56雖因此時之蝕刻，而亦蝕刻到下部之i－Si膜52，不過BL絕緣膜55下之i－Si膜52並未受蝕刻而殘留。
此外，在必需連接閘極電極T1g與汲極電極T1d、源極電極T1s的情況下，此後即形成接觸孔。
下一步驟中，如第11圖(c)所示，在n+ －Si膜56上，形成汲極電極T1d、源極電極T1s。該汲極電極T1d、源極電極T1s例如係由Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜或AlNdTi合金膜、MoNb合金膜等構成。
汲極電極T1d、源極電極T1s係藉由濺鍍法、真空蒸鍍法等將汲極電極T1d、源極電極T1s之材料予以被膜，並利用光微影法藉由以與電場遮蔽膜54重疊於層方向的方式圖案化而形成。
此外，此處，汲極電極T1d及源極電極T1s與電場遮蔽膜54雖係以各別重疊於層方向的方式形成，不過電場遮蔽膜54只要至少與汲極電極T1d重疊於層方向即可。
此外，與此同時，形成陽極線La(j)。此時，驅動電晶體T1之源極電極T1s係以分別與畫素電極42之一部分重疊的方式形成。
下一步驟中，第8圖所示之保護絕緣膜57係以覆蓋全面的方式成膜。該保護絕緣膜57係保護汲極電極T1d、源極電極T1s之膜，例如由矽氮化膜構成。在該保護絕緣膜57之形成，係使用CVD法等。此外，在必需有端子部等的情況下，在此步驟進行開孔等。
以此方式，形成驅動電晶體T1、開關電晶體T2等，即形成第7圖所示之開口部47a。在該開口部47a之形成，係使用光微影法。
下一步驟中，形成第7圖所示之隔壁48。隔壁48係藉由以覆蓋層間絕緣膜47之方式塗佈感光性聚醯亞胺，透過與隔壁48之形狀對應的遮罩進行曝光、顯影並圖案化而形成。此外，該圖案化係以亦形成開口部48a之方式進行。
下一步驟中，在第7圖所示之畫素電極42上，形成發光層45。發光層45之形成，係使用第12圖所示之噴嘴印刷裝置來進行。
該噴嘴印刷裝置概略而言係具備噴嘴頭70，該噴嘴頭70具有連續吐出由有機化合物含有液構成之溶液72的噴嘴，藉由使噴嘴頭70沿著基板31上之塗佈區域移動，而將溶液72塗佈在基板31上之塗佈區域。
又，第12圖(a)係表示僅具有1個噴嘴頭70情況之構成，第12圖(b)則表示具有2個噴嘴頭70情況之構成。此處，第12圖(b)中，雖揭示噴嘴印刷裝置係具有2個噴嘴頭70之情況，不過並不侷限於此，亦可具有3個以上之複數個噴嘴頭70。
在用以形成發光層45之溶液，係含有前述高分子發光材料。在該溶液之溶媒，係使用水系溶媒或四氫萘(tetralin)、四甲基苯(tetramethylbenzene)、三甲苯(mesitylene)、及二甲苯(xylene)等有機溶媒，在溶液(分散液)，高分子發光材料係溶解(或分散)於此有機溶媒。
如第12圖(a)、(b)所示，溶液72係從噴嘴頭70之噴嘴吐出而塗佈在基板31上。噴嘴頭70係一邊將溶液72吐出至隔壁48間，一邊沿著形成隔壁48之方向(在第12圖(a)、(b)中係左右方向)移動。
此外，在對各列連續進行塗佈的情況下，如第12圖(a)、(b)所示，在噴嘴頭70位於基板31外之期間，使基板31往與形成隔壁48之方向正交的方向(在第12圖(a)、(b)中係上下方向)僅移動既定距離。
藉由反覆此動作，溶液72即塗佈於既定之列。此外，在噴嘴頭70位於基板31外之期間，可維持使溶液72吐出之狀態，亦可使吐出暫時停止。
此處，如第12圖(a)所示，在噴嘴印刷裝置僅具有1個噴嘴頭70的情況下，係逐列交替地改變噴嘴頭70之移動方向進行塗佈。
又，如第12圖(b)所示，在噴嘴印刷裝置具有2個噴嘴頭70的情況下，係以每2列交替地改變噴嘴頭70之移動方向進行塗佈。此外，亦可取代使基板31移動，而使噴嘴頭70往與形成隔壁48之方向正交的方向僅移動既定距離。
以此方式，藉由在隔壁48之間流入有機化合物含有液並使溶媒揮發而形成發光層45。形成發光層45，則在其上形成對向電極46，以製造顯示裝置1。
如以上所說明般，根據本實施形態，係在驅動電晶體T1、開關電晶體T2之BL絕緣膜53與BL絕緣膜55之間，設置電場遮蔽電極54。
因此，由於該電場遮蔽電極54遮蔽由汲極電極T1d、源極電極T1s及n+ －Si膜56所產生的電場，因此即使有汲極電極T1d、源極電極T1s及n+ －Si膜56之對準偏移，亦可降低各驅動電晶體T1、開關電晶體T2之特性的變動。
因此，導通電流之變動亦降低，有機EL元件E之光量的變動亦減少。
此外，根據本實施形態，在驅動電晶體T1、開關電晶體T2兩方中，雖在BL絕緣膜53與BL絕緣膜55之間，設置電場遮蔽電極54，不過只要至少僅驅動電晶體T1在BL絕緣膜53與BL絕緣膜55之間，設置電場遮蔽電極54即可。
此係由於開關電晶體T2具有將電壓施加於驅動電晶體T1之閘極電極T1g的功能，因此使導通電流穩定之優點較少之故。
藉由將具有從陽極線La(j)使電流流向有機EL元件E之功能的驅動電晶體T1，作成本實施形態之構造，驅動電晶體T1即幾乎不受對準偏移影響，可使穩定之電流流向有機EL元件E，而可使有機EL元件E以所欲之程度發光。
根據本實施形態，雖使用n型半導體作為半導體膜，不過p型亦可。在p型的情況下，電場遮蔽電極54只要至少與源極電極T1s重疊於層方向即可。此外，在使用p型半導體的情況下，在本實施形態作成n+ －Si膜56之層即成為p- －Si膜。
根據本實施形態，雖舉出由有機EL元件等所構成之顯示裝置，不過亦可為由液晶元件等所構成之顯示裝置。
1．．．顯示裝置
11．．．TFT面板
11(i,j)．．．畫素電路
12．．．顯示信號生成電路
13．．．系統控制器
14．．．選擇驅動器
15．．．電源驅動器
16．．．資料驅動器
31．．．基板
42．．．畫素電極
45．．．發光層
46．．．對向電極
47．．．層間絕緣膜
47a．．．開口部
48．．．隔壁
48a．．．開口部
51．．．閘極絕緣膜
52．．．i－Si膜
53．．．BL絕緣膜
54．．．電場遮蔽電極
55．．．BL絕緣膜
56．．．n+ －Si膜
57．．．保護絕緣膜
58．．．阻隔膜
70．．．噴嘴頭
72．．．溶液
81．．．基板
82．．．閘極電極
83．．．閘極絕緣膜
84．．．i－Si膜
85．．．BL絕緣膜
86．．．n+ －Si膜
87d．．．汲極側之SD(汲極/源極)電極
87s．．．源極側之SD電極
88．．．保護絕緣膜
200．．．數位相機
201．．．透鏡部
202．．．操作部
203．．．顯示部
204．．．檢像器
210．．．電腦
211．．．顯示部
212．．．操作部
220．．．行動電話
221．．．顯示部
222．．．操作部
223．．．受話部
224．．．送話部
E．．．有機EL元件
Cs．．．電容器
Ld1．．．SD電極87d與BL絕緣膜85重疊之長度
Ld2．．．SD電極87d與BL絕緣膜85重疊之長度
Ls1．．．SD電極87s與BL絕緣膜85重疊之長度
Ls2．．．SD電極87s與BL絕緣膜85重疊之長度
T1．．．驅動電晶體
T1d．．．驅動電晶體T1之汲極電極
T1g．．．驅動電晶體T1之閘極電極
T1s．．．驅動電晶體T1之源極電極
T2．．．開關電晶體
T2d．．．開關電晶體T2之汲極電極
T2g．．．開關電晶體T2之閘極電極
T2s．．．開關電晶體T2之源極電極
La(j)．．．陽極線
Ld(i)．．．資料線
Ls(j)．．．選擇線
DC．．．畫素驅動電路
本發明藉由以下詳細之說明及附加圖式，應可更充分地被理解，不過這些全都是供說明用，而非用來限制本發明之範圍。此處：
第1圖(a)(b)係表示組裝有本發明之實施形態之顯示裝置之電子機器(數位相機)的圖。
第2圖係表示組裝有使用塗佈裝置所製造之顯示裝置之電子機器(電腦)的圖。
第3圖係表示組裝有使用塗佈裝置所製造之顯示裝置之電子機器(行動電話)的圖。
第4圖係表示顯示裝置之構成的圖。
第5圖係表示第4圖所示之各畫素電路之構成的電路圖。
第6圖係發光畫素的俯視圖。
第7圖係第6圖所示之VIII-VIII線截面圖。
第8圖係第7圖之A部所示之電晶體的截面圖。
第9圖係電晶體之電場遮蔽電極被連接於閘極電極之發光畫素的俯視圖。
第10圖(a)(b)(c)係表示第8圖所示之電晶體之製造方法的圖(1)。
第11圖(a)(b)(c)係表示第8圖所示之電晶體之製造方法的圖(2)。
第12圖(a)(b)係說明噴嘴印刷法的圖。
第13圖(a)(b)係表示習知之電晶體的截面圖。
第14圖(a)(b)係表示第13圖所示之電晶體之特性的圖表。
31．．．基板
51．．．閘極絕緣膜
52．．．i-Si膜
53．．．BL絕緣膜
54．．．電場遮蔽電極
55．．．BL絕緣膜
56．．．n+ －Si膜
57．．．保護絕緣膜
58．．．阻隔膜
T1d．．．驅動電晶體T1之汲極電極
T1s．．．驅動電晶體T1之源極電極
T1g．．．驅動電晶體T1之閘極電極

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，具備：電流控制型的發光元件；驅動電晶體，係連接於該發光元件向該發光元件供應電流而加以驅動；及開關電晶體，係連接於該驅動電晶體用以選擇該發光元件，該驅動電晶體及該開關電晶體係具備：半導體膜，係形成在基板上部；及阻隔膜，係形成在該半導體膜上且從該基板側起具有第一絕緣膜及第二絕緣膜，該驅動電晶體及該開關電晶體的汲極電極及源極電極，係在該阻隔膜上相對向形成，該驅動電晶體的該阻隔膜係更具有設在該第一絕緣膜和該第二絕緣膜之間的電場遮蔽膜，該電場遮蔽膜係以透過該第二絕緣膜而至少與該汲極電極或該源極電極之一部分重疊於層方向的方式形成，該開關電晶體的該阻隔膜沒有該電場遮蔽膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該電場遮蔽膜係以該驅動電晶體的該汲極電極及該源極電極與該電場遮蔽膜各別重疊於層方向的方式形成。
  3. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中在該電場遮蔽膜與該汲極電極及該源極電極各別之間，形成電氣接合 該汲極電極及該源極電極與該半導體膜的雜質半導體膜；該電場遮蔽膜係遮蔽由該汲極電極及該源極電極與該雜質半導體膜所形成的電場。
  4. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該電場遮蔽膜係以具備透光性之導電材料形成。
  5. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該電場遮蔽膜的電位係設定為接地電位或與該驅動電晶體的該閘極電極、該汲極電極及該源極電極任一者相同電位。
  6. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該電場遮蔽膜係與該驅動電晶體的該閘極電極連接。
  7. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第一絕緣膜與該第二絕緣膜係以同一材料形成。
  8. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該發光元件具備畫素電極、對向電極、及在該畫素電極與該對向電極之間所具備的發光層，該驅動電晶體的該汲極電極與該源極電極其中一者係與該畫素電極連接。
  9. 如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中該電場遮蔽膜係以與畫素電極相同之材料形成。
  10. 一種電子機器，係具備申請專利範圍第1項之顯示裝置。
  11. 一種顯示裝置之製造方法，該顯示裝置具備：電流控制型的發光元件；驅動電晶體，係連接於該發光元件向該 發光元件供應電流而加以驅動；及開關電晶體，係連接於該驅動電晶體用以選擇該發光元件，該顯示裝置之製造方法包含：在形成於基板上部之半導體膜上，形成從該基板起具有第一絕緣膜及第二絕緣膜之阻隔膜的步驟；及在該第二絕緣膜上形成導電膜，將所形成之該導電膜圖案化而形成該驅動電晶體及該開關電晶體的汲極電極及源極電極的步驟，形成該驅動電晶體的該阻隔膜之步驟，係包含在該第一絕緣膜和該第二絕緣膜之間形成電場遮蔽膜之步驟，形成該驅動電晶體的該汲極電極及該源極電極的步驟，係包含將該導電膜以透過該第二絕緣膜而與該電場遮蔽膜重疊的方式圖案化而形成該汲極電極及該源極電極之步驟，形成該開關電晶體的該阻隔膜之步驟，係沒有形成該電場遮蔽膜之步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置之製造方法，其中形成該汲極電極及源極電極之步驟，係在該第二絕緣膜上，形成進行與該半導體膜之電氣接合的接觸膜之後，再形成該汲極電極及源極電極的步驟。
  13. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置之製造方法，其進一步具備在形成該阻隔膜的步驟之前於基板上形成閘極 電極的步驟；在形成該驅動電晶體的該阻隔膜之步驟中，連接該電場遮蔽膜與閘極電極。
  14. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置之製造方法，其進一步具備利用畫素電極、對向電極、及在該畫素電極與該對向電極之間所具備的發光層來形成該發光元件之步驟，藉由將成為該畫素電極之導電膜圖案化，而在形成該驅動電晶體的該阻隔膜之步驟中的該電場遮蔽膜時，一起在形成該發光元件之步驟中形成該畫素電極。
  15. 如申請專利範圍第14項之顯示裝置之製造方法，其中在形成該驅動電晶體的該阻隔膜之步驟中，將該第一絕緣膜形成圖案之後，藉由具備透光性之導電材料，將該電場遮蔽膜與該畫素電極一起形成圖案，最後將該第二絕緣膜形成圖案。
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