CN113130536A - 显示装置 - Google Patents

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金炯洙
金劲旼
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LG Display Co Ltd
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Abstract

公开了一种显示装置，所述显示装置包括：设置有多个像素的基板；电路元件层，所述电路元件层设置在所述基板上并且设置有辅助电极；绝缘层，所述绝缘层设置在所述电路元件层上并且设置有第一沟槽和彼此分隔开的多个连接电极；设置在所述多个连接电极上的栅栏；设置在所述栅栏上的有机发光层；和布置在所述有机发光层上的第二电极，其中所述多个连接电极与所述辅助电极电连接，所述多个连接电极中的至少一个从所述第一沟槽暴露，并且所述第二电极与从所述第一沟槽暴露的连接电极接触。因此，可减小在面板的外部与面板的中央部分之间的亮度差。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示图像的显示装置。
背景技术
随着信息时代的发展，对显示图像的显示装置的各种形式的需求增加。因此，近来已使用各种类型的显示装置，比如液晶显示(LCD)装置、发光显示装置、有机发光显示装置、微型发光显示装置和量子点发光显示(QLED)装置。
对于有机发光显示装置来说，在使用FMM技术形成有机发光层的红色像素、绿色像素和蓝色像素的情况下，可通过掩模荫罩(mask shadow)制造中小尺寸面板，但是由于沉积掩模下垂的问题，难以将这种面板应用于大面积的情况。因此，近来已提出了使用基于光刻胶的光学工艺来形成有机发光层的技术。
同时，设置在有机发光显示装置中的阴极电极作为公共层为所有像素布置，从面板的外部提供至阴极电极的阴极电流由于阴极电极的电阻而朝向面板的中央部分劣化，由此产生如下问题：在面板的外部与面板的中央部分之间发生亮度差。
发明内容
鉴于上述问题提出了本发明，本发明的一个目的是提供一种可减小面板的外部与面板的中央部分之间的亮度差的显示装置。
根据本发明的一个方面，可通过提供一种显示装置实现上述和其他目的，所述显示装置包括：设置有多个像素的基板；电路元件层，所述电路元件层设置在所述基板上并且设置有辅助电极；绝缘层，所述绝缘层设置在所述电路元件层上并且设置有第一沟槽和彼此分隔开的多个连接电极；设置在所述多个连接电极上的栅栏；设置在所述栅栏上的有机发光层；和布置在所述有机发光层上的第二电极，其中所述多个连接电极与所述辅助电极电连接，所述多个连接电极中的至少一个从所述第一沟槽暴露，并且所述第二电极与从所述第一沟槽暴露的连接电极接触。
在根据本发明的显示装置中，由于与辅助电极连接的多个连接电极之中的从沟槽暴露的连接电极被设置为接触第二电极，所以可减小在面板的外部与面板的中央部分之间的亮度差。
除了上述本发明的效果之外，所属领域的技术人员从本发明的下文描述将清楚地理解到本发明的附加目的和特点。
附图说明
将从下面结合附图的详细描述更清楚地理解本发明的上述和其他的目的、特点和其他优点，其中：
图1是图解根据本发明一个实施方式的显示装置的简要平面图；
图2是沿图1中所示的线I-I截取的简要剖面图；
图3是沿图1中所示的线II-II截取的简要剖面图；
图4是图解根据本发明一个实施方式的显示装置的辅助电极的另一示例的简要平面图；
图5是图解根据本发明另一个实施方式的显示装置的简要剖面图；
图6A至图6C是图解根据本发明其他实施方式的显示装置的示图，涉及头戴式显示(HMD)装置。
具体实施方式
将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特点及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。
为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的元件。在下面的描述中，当确定对相关的已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。在本申请中使用“包括”、“具有”和“包含”描述的情况下，可添加另外的部分，除非使用了“仅”。
在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。
在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”时，可在两部分之间布置一个或多个其他部分，除非使用了“正好”或“直接”。
将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但这些要素不应被这些术语限制。这些术语仅仅是用来将要素彼此区分开。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一要素可能被称为第二要素，相似地，第二要素可能被称为第一要素。
在描述本发明的要素时，可使用术语“第一”、“第二”等。这些术语旨在将相应的要素区别于其他要素，相应要素的本质、顺序或数量不受这些术语限制。一要素“连接至”或“结合至”另一要素的表述应当理解为该要素可直接连接或结合至该另一要素，但是也可间接连接或结合至该另一要素，除非另有说明，或者可在相应要素之间插入第三要素。
如所属领域技术人员能够充分理解的，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，并且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者以相互依赖的关系共同实施。
下文中，将参照附图详细描述根据本发明的显示装置的实施方式。在整个附图中将尽可能使用相同的参考标记指代相同或相似的部分。
图1是图解根据本发明一个实施方式的显示装置的简要平面图，图2是沿图1中所示的线I-I截取的简要剖面图，图3是沿图1中所示的线II-II截取的简要剖面图。
参照图1至图3，根据本发明一个实施方式的显示装置1包括：基板2、电路元件层3、辅助电极AE、绝缘层4、多个连接电极M、反射板RP、第一电极5、栅栏(fence)F、沟槽T、有机发光层6、第二电极7、和封装层8。沟槽T可包括第一沟槽T1和第二沟槽T2。根据一个示例的第一沟槽T1可布置在像素P与像素P之间，第二沟槽T2可布置在像素P的第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23之间的边界区域中。
基板2可以是塑料膜、玻璃基板或诸如硅之类的半导体基板。基板2可由透明材料或不透明材料制成。然而，由于根据本发明一个实施方式的显示装置1设置为发射的光向顶部发射的顶部发光方法，因此可使用不透明材料作为基板2的材料。
基板2上可设置有多个像素P。像素P是发射包括白色光在内的各种颜色的光的区域，从多个像素P发射的各种颜色的光可组合以形成一个图像。如图1中所示，多个像素P可布置成彼此分隔开预定间隔，多个第一沟槽T1可布置在各个像素P之间。
像素P可包括布置在基板2上的第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23。根据一个示例的第二子像素22可布置成与第一子像素21的一侧相邻。根据一个示例的第三子像素23可布置成与第二子像素22的一侧相邻。因此，第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23可顺序地布置在基板2上。
第一子像素21可设置成发射红色(R)光，第二子像素22可设置成发射绿色(G)光，第三子像素23可设置成发射蓝色(B)光，但这些子像素不限于此示例，可发射包括白色光在内的各种颜色的光。此外，子像素21、22和23的布置顺序可以以各种方式改变。
第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23的每一个可设置成包括反射板RP、第一电极5、有机发光层6和第二电极7。第二沟槽T2可设置在第一子像素21与第二子像素22之间的边界区域以及第二子像素22与第三子像素23之间的边界区域中。
电路元件层3布置在基板2的一个表面上。
按每一个子像素21、22和23，在电路元件层3中设置有包括多个薄膜晶体管31、32和33，各种信号线和电容器的电路元件。信号线可包括栅极线、数据线、电源线和基准线，薄膜晶体管31、32和33可包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和感测薄膜晶体管。可通过栅极线、基准线或基准电压线、电源线和数据线的交叉结构限定子像素21、22和23。
开关薄膜晶体管根据提供至栅极线的栅极信号进行开关并且用于将从数据线提供的数据电压提供至驱动薄膜晶体管。
驱动薄膜晶体管根据从开关薄膜晶体管提供的数据电压进行开关，以根据从电源线提供的电源产生数据电流并且用于将产生的数据电流提供至第一电极5。
感测薄膜晶体管用于感测驱动薄膜晶体管的阈值电压偏差(阈值电压偏差是图像劣化的原因)，并且响应于从栅极线或单独的感测线提供的感测控制信号将驱动薄膜晶体管的电流提供至基准线。
电容器用于将提供至驱动薄膜晶体管的数据电压保持一帧，电容器连接至驱动薄膜晶体管的栅极端和源极端的每一个。
参照图3，第一薄膜晶体管31、第二薄膜晶体管32和第三薄膜晶体管33针对子像素21、22和23的每一个来说分离地布置在电路元件层3中。
根据一个示例的第一薄膜晶体管31可连接至布置在第一子像素21上的第一子电极51，以施加用于发射与第一子像素21对应的颜色的光的驱动电压。
根据一个示例的第二薄膜晶体管32可连接至布置在第二子像素22上的第二子电极52，以施加用于发射与第二子像素22对应的颜色的光的驱动电压。
根据一个示例的第三薄膜晶体管33可连接至布置在第三子像素23上的第三子电极53，以施加用于发射与第三子像素23对应的颜色的光的驱动电压。
当来自栅极线的栅极信号利用薄膜晶体管31、32和33的每一个输入第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23的每一个时，根据一个示例的第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23的每一个根据数据线的数据电压向有机发光层提供预定电流。由此，第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23的每一个的有机发光层可根据预定电流发射具有预定亮度的光。在电路元件层3中可设置有辅助电极AE(图2中所示)。
辅助电极AE是为了防止发生第二电极7的压降。辅助电极AE可由金属材料制成。辅助电极AE可通过多个连接电极M中的至少一个连接至第二电极7并且将从电压供给部(未示出)提供的电压施加至布置在基板2的中央的第二电极7。电压供给部可布置在基板2的外侧(或布置在基板的边缘)并因此可与辅助电极AE接触。
根据一个示例的辅助电极AE可布置在像素P与像素P之间并且将从电压供给部(未示出)施加的阴极电压施加至第二电极7。因此，根据本发明一个实施方式的显示装置可通过防止远离基板2外侧的、位于基板2的中央的阴极电压下降来防止在基板2的外侧与基板2的中央之间发生亮度差。
如图2中所示，辅助电极AE可布置在电路元件层3的上表面上，但不限于此。就是说，辅助电极AE可布置在电路元件层3的内部。当辅助电极AE布置在电路元件层3的上表面上时，辅助电极AE可通过单独的接触电极电连接至设置在绝缘层4中的连接电极M。当辅助电极AE布置在电路元件层3的内部时，辅助电极AE可通过布置在设置于电路元件层3中的接触孔中的接触电极以及设置在绝缘层4中的接触孔连接至连接电极M。就是说，辅助电极AE可电连接至连接电极M并且将从电压供给部提供的阴极电压施加(或传送)至连接电极M。
绝缘层4设置在电路元件层3的上表面上。
绝缘层4可布置在第一电极5与电路元件层3之间。反射板RP和多个连接电极M可布置在绝缘层4的内部或外部。
反射板RP可布置在与第一至第三子像素21、22和23对应的位置，以提高红色光、绿色光和蓝色光的光提取效率。更详细地说，反射板RP旨在将从子像素21、22和23的每一个的有机发光层6发射的光朝向第二电极7反射。如图3中所示，反射板RP可包括布置成与第一子电极51交叠的第一反射板RP1、布置成与第二子电极52交叠的第二反射板RP2和布置成与第三子电极53交叠的第三反射板RP3。第一至第三反射板RP1、RP2和RP3可由Ag或包括Ag的金属材料制成。第一至第三反射板RP1、RP2和RP3可通过分离的接触电极分别连接至第一至第三薄膜晶体管31、32和33以及第一至第三子电极51、52和53，由此从第一至第三薄膜晶体管31、32和33的每一个提供的驱动电压可施加(或传送)至第一至第三子电极51、52和53的每一个。
第一反射板RP1、第二反射板RP2和第三反射板RP3可分别形成为具有等于或大于第一子电极51、第二子电极52和第三子电极53的宽度的宽度，由此可阻挡从有机发光层6发射的光朝向基板2传播。
多个连接电极M中的至少一个可布置成邻接第一沟槽T1(或布置成暴露于第一沟槽T1)。就是说，多个连接电极M可像第一沟槽T1一样布置在像素P与像素P之间。因此，多个连接电极M不布置在第一至第三子像素21、22和23的内部。多个连接电极M可通过分离的接触电极与辅助电极AE电连接。
多个连接电极M旨在将从辅助电极AE施加(或传送)的阴极电压施加(或传送)至第二电极7。多个连接电极M可设置在绝缘层4中。根据一个示例的连接电极M可布置在绝缘层4的内部和绝缘层4的上表面上。多个连接电极M可布置成在上下方向上彼此分隔开。在这种情况下，上下方向是布置栅栏F和基板2的方向，其中朝向栅栏F的方向可以是上方向，朝向基板2的方向可以是下方向。当第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23的布置方向是第一方向时，上下方向可指与第一方向正交的第二方向。因此，如图2中所示，多个连接电极M可布置成在从绝缘层的内部朝向绝缘层4的上表面的方向上彼此分隔开。
多个连接电极M的每一个的宽度可设置成比布置在子像素中的反射板RP的宽度窄。当多个连接电极M的每一个的宽度等于或大于反射板RP的宽度时，被施加(或传送)阴极电压的连接电极M变得过于靠近布置在子像素中的第一电极5，由此可发生短路。因此，多个连接电极M的每一个的宽度可设置成比布置在子像素中的反射板RP的宽度窄。就是说，反射板RP的宽度可设置为比多个连接电极M的每一个的宽度宽。
同时，多个连接电极M可包括第一连接电极M1、第二连接电极M2和第三连接电极M3。第一连接电极M1可布置在绝缘层4的内部。第三连接电极M3可布置在绝缘层4的上表面上。第二连接电极M2可布置在绝缘层4的内部，以位于第一连接电极M1与第三连接电极M3之间。因此，如图2中所示，第一连接电极M1、第二连接电极M2和第三连接电极M3可在彼此分隔开的同时在上下方向上布置成一条线。
第一连接电极M1、第二连接电极M2和第三连接电极M3彼此分隔开的原因是：第一连接电极M1、第二连接电极M2和第三连接电极M3的每一个由与同一层上的第一反射板RP1、第二反射板RP2和第三反射板RP3的每一个相同的材料形成。
首先，第一至第三反射板RP1、RP2和RP3旨在反射光，因此可由金属材料制成，第一至第三连接电极M1、M2和M3旨在施加阴极电压，因此可由金属材料制成。因而，第一至第三反射板RP1、RP2和RP3与第一至第三连接电极M1、M2和M3可由相同的材料制成。尽管描述了第一至第三反射板RP1、RP2和RP3与第一至第三连接电极M1、M2和M3由金属材料制成，但不限于金属材料，第一至第三反射板RP1、RP2和RP3与第一至第三连接电极M1、M2和M3可由可施加电压且同时反射光的其他材料制成。
然后，如图3中所示，第一反射板RP1可布置在绝缘层4的内部，第三反射板RP3可布置在绝缘层4的上表面上，并且第二反射板RP2可布置在绝缘层4的内部以位于第一反射板RP1与第三反射板RP3之间。就是说，基于图3，第一反射板RP1与第二电极7分隔开的第一距离SD1可比第二反射板RP2与第二电极7分隔开的第二距离SD2长，并且第二距离SD2可比第三反射板RP3与第二电极7分隔开的第三距离SD3长。第一距离SD1、第二距离SD2和第三距离SD3按适当的顺序变短的原因是为了通过利用微腔特性提取不同颜色的光。
微腔特性是指：当第一至第三反射板RP1、RP2和RP3与第二电极7之间的距离达到从子像素21、22和23的每一个发射的光的半波长λ/2的整数倍时发生增强干涉，从而放大光，并且当反复发生反射和再反射时，光的放大级别连续增加，从而提高光的外部提取效率。由于根据本发明一个实施方式的显示装置1设置为具有微腔特性，因此第二电极7可包括半透明电极。
同时，由于当反射板RP与第二电极7之间的分隔距离变长时，可提高长波长的光提取效率，因此可以以第一距离SD1提高红色光的光提取效率。由于当反射板RP与第二电极7之间的分隔距离变短时，可提高短波长的光提取效率，因此可以以第三距离SD3提高蓝色光的光提取效率。由于第二距离SD2短于第一距离SD1并且长于第三距离SD3，因此可提高绿色光的光提取效率。
由于第一反射板RP1的上表面与第二电极7的下表面分隔开的第一距离SD1，可提高红色光的光提取效率，由此可从第一子像素21发射红色光。由于第二反射板RP2的上表面与第二电极7的下表面分隔开的第二距离SD2，可提高绿色光的光提取效率，由此可从第二子像素22发射绿色光。由于第三反射板RP3的上表面与第二电极7的下表面分隔开的第三距离SD3，可提高蓝色光的光提取效率，由此可从第三子像素23发射蓝色光。
因而，由于可利用微腔特性提高按照每个第一至第三子像素21、22和23的不同颜色的光提取效率，根据本发明一个实施方式的显示装置1可设置成在没有滤色器的情况下按照第一至第三子像素21、22和23的每一个发射不同颜色的光。
为了获得如上所述的微腔效应，第一反射板RP1布置在绝缘层4的内部，第三反射板RP3布置在绝缘层4的上表面上，并且第二反射板RP2布置在绝缘层4的内部以位于第一反射板RP1与第三反射板RP3之间。因此，与第一反射板RP1同时形成的第一连接电极M1可布置在绝缘层4的内部，与第三反射板RP3同时形成的第三连接电极M3可布置在绝缘层4的上表面上，并且与第二反射板RP2同时形成的第二连接电极M2可布置在绝缘层4的内部以位于第一连接电极M1与第三连接电极M3之间。因此，第一连接电极M1、第二连接电极M2和第三连接电极M3可布置成彼此分隔开预定间隔。例如，第一连接电极M1与第二连接电极M2之间的分隔间隔以及第二连接电极M2与第三连接电极M3之间的分隔间隔的每一个可设为
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或更小。结果，第一连接电极M1、第二连接电极M2和第三连接电极M3可由与第一反射板RP1、第二反射板RP2和第三反射板RP3相同的材料形成在相同的层上，不同之处在于第一连接电极M1、第二连接电极M2和第三连接电极M3布置在像素P与像素P之间并且分别设置为具有比第一反射板RP1、第二反射板RP2和第三反射板RP3的每一个的宽度短的宽度。
同时，绝缘层4可包括第一绝缘层41、第二绝缘层42、第三绝缘层43和第四绝缘层44。
第一反射板RP1和第一连接电极M1可布置在第一绝缘层41的上表面上，第二反射板RP2和第二连接电极M2可布置在第而绝缘层42的上表面上，并且第三反射板RP3和第三连接电极M3可布置在第三绝缘层43的上表面上。第三反射板RP3和第三连接电极M3的侧面可与第四绝缘层44接触。
第一至第三反射板RP1、RP2和RP3以及第一至第三连接电极M1、M2和M3的制造工艺如下。
首先，在电路元件层3的上表面上完全沉积第一绝缘层41。
接着，在第一绝缘层41的上表面上完全沉积构成第一反射板RP1和第一连接电极M1的金属材料，然后通过光学工艺(photo process)和蚀刻工艺进行图案化，以与第一子像素21对应地形成第一反射板RP1，并且通过图案化形成第一连接电极M1，第一连接电极M1布置在像素P与像素P之间且同时具有比第一反射板RP1的宽度小的宽度。
然后，完全沉积第二绝缘层42，以覆盖第一反射板RP1、第一连接电极M1和第一绝缘层41的上表面。
接着，在第二绝缘层42的上表面上完全沉积构成第二反射板RP2和第二连接电极M2的金属材料，然后通过光学工艺和蚀刻工艺进行图案化，以与第二子像素22对应地形成第二反射板RP2，并且通过图案化形成第二连接电极M2，第二连接电极M2布置在像素P与像素P之间且同时具有比第二反射板RP2的宽度小的宽度。
然后，完全沉积第三绝缘层43，以覆盖第二反射板RP2、第二连接电极M2和第二绝缘层42的上表面。
接着，在第三绝缘层43的上表面上完全沉积构成第三反射板RP3和第三连接电极M3的金属材料，然后通过光学工艺和蚀刻工艺进行图案化，以与第三子像素23对应地形成第三反射板RP3，并且通过图案化形成第三连接电极M3，第三连接电极M3布置在像素P与像素P之间且同时具有比第三反射板RP3的宽度小的宽度。
然后，完全沉积第四绝缘层44，以覆盖第三反射板RP3、第三连接电极M3和第三绝缘层43的上表面。可对整个表面执行蚀刻工艺，直到第三反射板RP3的上表面和第三连接电极M3的上表面暴露出来为止，由此第四绝缘层44可设置成与第三反射板RP3和第三连接电极M3的侧面接触。
通过前述制造工艺，可在绝缘层4的内部形成第一反射板RP1和第二反射板RP2以及第一连接电极M1和第二连接电极M2，并且可在绝缘层4的上表面上形成第三反射板RP3和第三连接电极M3。
尽管在前述制造工艺中省略了制造用于将薄膜晶体管31、32和33，第一电极5和反射板RP彼此连接的接触电极以及用于将辅助电极AE与连接电极M1、M2和M3连接的接触电极的工艺，但可通过光学工艺和蚀刻工艺在绝缘层4中形成接触电极。
再次参照图1和图2，第一沟槽T1旨在通过多个连接电极M使第二电极7与辅助电极AE接触。第一沟槽T1可布置在多个像素P之间。第一沟槽T1可设置成小于像素P的分隔间隔并因此布置成与像素P分隔开预定距离。当第一沟槽T1大于像素P的分隔间隔时，发光区域的尺寸相对变小，由此整体发光效率会劣化。
第一沟槽T1可以以下述方式形成：按照每个子像素21、22和23在第四绝缘层44上形成第一电极5之后，完全沉积栅栏F，以覆盖第一电极5和第四绝缘层44的未被第一电极5覆盖的上表面，然后通过光学工艺和蚀刻工艺进行图案化来部分地去除布置在像素P与像素P之间的栅栏F、多个连接电极M和绝缘层4的每一个。因此，可从第一沟槽T1的内侧暴露上下布置的第一连接电极M1、第二连接电极M2和第三连接电极M3的侧面。
同时，由于用于形成第一沟槽T1的蚀刻工艺从上到下执行，因此布置在上侧的第三连接电极M3的去除面积可大于布置在下侧的第一连接电极M1的去除面积。由于这可等同地适用于绝缘层4，因此如图2中所示，第一沟槽T1的侧面可形成为倾斜的，并且第一沟槽T1的宽度可从上到下变窄。
在形成第一沟槽T1之后在整个表面上沉积有机发光层6。有机发光层6可在覆盖栅栏F的上表面的同时插入到第一沟槽T1中，由此部分地覆盖第一沟槽T1的侧面。因此，有机发光层6可部分地或完全覆盖布置在第一沟槽T1的最上侧的第三连接电极M3的侧面，并且第二连接电极M2的侧面和第一连接电极M1的侧面中的至少一个侧面可暴露于外部。第一连接电极M1的侧面、第二连接电极M2的侧面和第三链接电极M3的侧面中的暴露于外部的至少一个侧面与在后续工艺期间沉积的第二电极7接触，由此通过辅助电极AE和多个连接电极M施加的阴极电压可施加至布置在基板2的中央的第二电极7。
再次参照图2，由于第一沟槽T1的宽度W1，有机发光层6可从第一沟槽T1断开。有机发光层6的第一叠层61、电荷生成层62和第二叠层63中的至少一部分可形成在第一沟槽T1的下表面(或底部)上。
如上所述，由于有机发光层6从第一沟槽T1断开，因此如图2中所示，在后续工艺期间沉积的第二电极7可插入到第一沟槽T1中，并且因此可与从第一沟槽T1的侧面暴露的连接电极M接触。第二电极7可设置成覆盖形成在第一沟槽T1的下表面(或底部)上的有机发光层6，并且因此可在基板2上设置为没有断开的公共层。
尽管图2示出了栅栏F布置在第三连接电极M3的上表面上，但第一电极5可布置在第三连接电极M3与栅栏F之间。然而，在这种情况下，此第一电极5可断开而不与布置在子像素21、22和23中的第一电极5连接。这是因为，当布置在第三连接电极M3与栅栏F之间的第一电极5与布置在像素21、22和23中的第一电极5连接时，提供至连接电极M的阴极电压和按每一子像素21、22和23提供的阳极电压会短路。因此，当在第一沟槽T1附近布置第一电极5时，此第一电极5可设置成与布置在像素21、22和23中的第一电极5断开。
因而，根据本发明一个实施方式的显示装置1可通过在像素P与像素P之间形成第一沟槽T1并且使从第一沟槽T1暴露的连接电极M与第二电极7接触，防止发生阴极压降并且容易地将阴极电压施加至基板2的中央，由此可减小在基板2的外侧与基板2的中央之间的亮度差。
同时，根据本发明一个实施方式的显示装置1可通过一起形成第一沟槽T1和第二沟槽T2减少制造工艺的数量。如图1中所示，第一沟槽T1和第二沟槽T2设置成彼此连接，由此可防止在子像素21、22和23之间发生侧向漏电流，并且可防止发生第二电极的阴极压降。根据一个示例的第一沟槽T1可布置在四个子像素之间，如图1中所示。
参照图3，第一电极5形成在绝缘层4或反射板RP上。根据一个示例的第一电极5可布置在反射板RP与第二电极7之间。在这种情况下，第一电极5可由能够在反射板RP与第二电极7之间透射光的诸如ITO之类的透明材料形成。第一电极5可以是阳极。第一电极5可包括第一子电极51、第二子电极52和第三子电极53。
第一子电极51可设置在第一子像素21中。第一子电极51可布置在绝缘层4上。第一子电极51通过接触电极连接至第一薄膜晶体管31的源极电极，此接触电极设置在部分地暴露布置于绝缘层4内部的第一反射板RP1的接触孔中以及形成在电路元件层3的一部分中的接触孔中。
第二子电极52可设置在第二子像素22中。第二子电极52可布置在绝缘层4上。第二子电极52通过接触电极连接至第二薄膜晶体管32的源极电极，此接触电极设置在部分地暴露布置于绝缘层4内部且位于第一反射板RP1上方的第二反射板RP2的接触孔中以及形成在电路元件层3的一部分中的接触孔中。
第三子电极53可设置在第三子像素23中。第三子电极53可形成在第三反射板RP3上。第三反射板RP3可布置在绝缘层4的上表面上以位于第二反射板RP2上方。第三子电极53通过接触电极连接至第三薄膜晶体管33的源极电极，此接触电极设置在穿过第三反射板RP3和布置在第三反射板RP3的下表面上的绝缘层4的接触孔中以及形成在电路元件层3的一部分中的接触孔中。
在这种情况下，第一至第三薄膜晶体管31、32和33可以是N型TFT。
当第一至第三薄膜晶体管31、32和33设置为P型TFT时，第一至第三子电极51、52和53的每一个可连接至第一至第三薄膜晶体管31、32和33的每一个的漏极电极。
就是说，第一至第三子电极51、52和53的每一个可根据第一至第三薄膜晶体管31、32和33的类型而连接至源极电极或漏极电极。
根据本发明一个实施方式的显示装置1以顶部发光方法设置，并且第一至第三子电极51、52和53的每一个可由由透明导电材料形成的透明电极制成。这是因为在第一至第三子电极51、52和53的下部布置有第一至第三反射板RP1、RP2和RP3，用于将从有机发光层6发射的、向下部传播的光朝向第二电极7反射。
设置在第一子像素21中的第一反射板RP1、设置在第二子像素22中的第二反射板RP2和设置在第三子像素23中的第三反射板RP3可由相同材料形成为具有相同的厚度。
再次参照图3，栅栏F可设置成覆盖第一电极5的边缘。更详细地说，栅栏F可设置成覆盖第一子电极51的侧面以及第一子电极51的上表面的一部分，覆盖第二子电极52的侧面以及第二子电极52的上表面的一部分，并且覆盖第三子电极53的侧面以及第三子电极53的上表面的一部分。因此，栅栏F可将第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23彼此分开。
栅栏F用于限定子像素，即，发光部分。此外，由于形成有栅栏F的区域不发光，因此此区域可定义为非发光部分。栅栏F可由压克力树脂(acryl resin)、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的任意一种或多种形成。有机发光层6形成在第一电极5和栅栏F上。
第二沟槽T2可布置在位于第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23彼此相邻的部分中的栅栏F之间。就是说，第二沟槽T2可设置在第一子像素21与第二子像素22之间的边界区域以及第二子像素22与第三子像素23之间的边界区域中。第二沟槽T2可形成在第一电极5的长边之间，如图1中所示。
第二沟槽T2以凹陷结构形成在绝缘层4中。第二沟槽T2用于通过在相邻子像素21、22和23之间使经由有机发光层6的电流路径的长度较长或者部分地断开有机发光层6来防止发生侧向漏电流。第二沟槽T2可形成在绝缘层中，但不限于此。第二沟槽T2可形成为延伸至位于绝缘层4下方的电路元件层3的内部。与第一沟槽T1相同，第二沟槽T2的侧面可形成为倾斜的。
有机发光层6形成在第一电极5上。有机发光层6还形成在栅栏F上并且还形成在布置于多个子像素21、22和23之间的边界区域中的绝缘层4上。
有机发光层6可设置为发射白色(W)光。为此，有机发光层6可包括发射不同颜色的光的多个叠层。详细地说，有机发光层6可包括第一叠层61、第二叠层63和设置在第一叠层61与第二叠层63之间的电荷生成层(CGL)62。
第一叠层61设置在第一电极5上，并且可由按适当顺序沉积的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、蓝色(B)发光层EML(B)和电子传输层ETL的沉积结构形成。
电荷生成层(CGL)62用于向第一叠层61和第二叠层63提供电荷。电荷生成层(CGL)62可包括用于向第一叠层61提供电子的N型电荷生成层和用于向第二叠层63提供空穴的P型电荷生成层。N型电荷生成层可包括金属材料作为掺杂剂。
第二叠层63设置在第一叠层61上，并且可由按适当顺序沉积的空穴传输层HTL、黄绿色(YG)发光层EML(YG)、电子传输层ETL和电子注入层EIL的沉积结构形成。
有机发光层6还形成在第二沟槽T2的内部和上方。根据本发明的一个实施方式，由于有机发光层6部分地形成在第二沟槽T2的内部，因此在相邻子像素21、22和23之间形成较长的电流路径，由此电阻可增加，因此可减少漏电流的发生。
特别是，参照图3中由箭头放大的部分，第一叠层61形成在第二沟槽T2内部的侧面，并且还可形成在第二沟槽T2内部的下表面上。此时，第一叠层61中的形成在第二沟槽T2内部的侧面的部分以及第一叠层61中的形成在第二沟槽T2内部的下表面上的部分彼此断开而没有彼此连接。因此，第二沟槽T2内部的一个侧面，例如，第一叠层61中的形成在左侧面的部分与第二沟槽T2内部的另一个侧面，例如，第一叠层61中的形成在右侧面的部分彼此断开而没有彼此连接。因此，通过插入第二沟槽T2，电荷不能通过第一叠层61在布置成彼此邻接的子像素21、22和23之间移动。
此外，电荷生成层62可形成在第二沟槽T2内部的侧面处的第一叠层61上。此时，第二沟槽T2内部的一个侧面，例如，电荷生成层62中的形成在左侧面的部分与第二沟槽T2内部的另一个侧面，例如，电荷生成层62中的形成在右侧面的部分彼此断开而没有彼此连接。因此，通过插入第二沟槽T2，电荷不能通过电荷生成层62在布置成彼此邻接的子像素21、22和23之间移动。
第二叠层63可设置在电荷生成层62上。此外，通过插入第二沟槽T2，第二叠层63可设置成在布置成彼此邻接的子像素21、22和23之间彼此连接而没有彼此断开。因此，通过插入第二沟槽T2，电荷能够通过第二叠层63在布置成彼此邻接的子像素21、22和23之间移动。然而，不限于此示例，可适当控制第二沟槽T2的形状和有机发光层6的沉积工艺，由此通过插入第二沟槽T2，第二叠层63可设置成在布置成彼此邻接的子像素21、22和23之间断开。
另外，电荷生成层62具有大于第一叠层61和第二叠层63的导电性。具体地，由于构成电荷生成层62的N型电荷生成层可包括金属材料，因此N型电荷生成层具有大于第一叠层61和第二叠层63的导电性。因此，电荷主要通过电荷生成层62在布置成彼此邻接的子像素21、22和23之间移动，电荷通过第二叠层63的移动量是不显著的。因此，根据本发明的一个实施方式，电荷生成层62设置成在第二沟槽T2的内部断开，由此可减少电荷在布置成彼此邻接的子像素21、22和23之间的移动，以防止发生漏电流。因而，有机发光层6的仅一部分可在第二沟槽T2中断开。由于有机发光层6的其他部分不从第二沟槽T2断开，因此如图3中所示，第二电极7可布置在第二叠层63上方而不插入到第二沟槽T2中。
第二电极7可用作本发明的显示装置1的阴极。以与有机发光层6相同的方式，第二电极7形成在子像素21、22和23的每一个中以及子像素21、22和23之间。第二电极7还形成在像素P与像素P之间。因而，第二电极7作为公共层位于基板2的整个表面上。第二电极7连接至布置在基板2外部的电压供给部并且从电压供给部向第二电极7提供阴极电压，由此可在多个像素P的每一个拥有的子像素21、22和23中形成电场。
由于根据本发明一个实施方式的显示装置1以顶部发光方法设置并且具有微腔结构，因此第二电极7可由半透明电极制成，因此可按每个子像素21、22和23获得基于微腔的光提取效果。
简言之，如图3中所示，第二电极7可布置在有机发光层6的上方而没有插入到第二沟槽T2中。这是因为，有机发光层6的仅一部分从布置在第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23之间的边界区域中的第二沟槽T2断开。就是说，如图3中所示，由于第二叠层63甚至在第一至第三子像素21、22和23之间的边界区域中连接，因此第二电极7没有插入到第二沟槽T2中。
第二叠层63可在第一至第三子像素21、22和23之间连接的原因是：第二沟槽T2的宽度W2(图3中所示)形成为比第一沟槽T1的宽度W1(图2中所示)窄。第二沟槽T2的宽度W2形成为比第一沟槽T1的宽度W1窄的原因是：第一沟槽T1应当通过将有机发光层6断开使第二电极7布置在第一沟槽T1的内部从而使得第二电极7与多个连接电极M中的至少一个接触，而第二沟槽T2不需要将第二电极7插入到第二沟槽T2中。因此，由于设置有第二沟槽T2的第一至第三子像素21、22和23之间的间隔可比像素P之间的间隔窄，因此可更有利于实现高分辨率。
因而，由于第二电极7应当与辅助电极AE接触以减小在基板2的外侧与基板2的中央之间的亮度差，因此第一沟槽T1应当设置成比第二沟槽T2宽。由于可通过第一沟槽T1避免第二电极7的阴极压降，因此第二沟槽T2不需要以与第一沟槽T1的宽度相同的宽度设置，可设置成比第一沟槽T1窄，由此可减小子像素21、22和23之间的间隔，从而更容易实现高分辨率。
根据一个示例的第一沟槽T1的宽度W1可以是大于等于0.15um(微米)并且小于等于0.2um。当第一沟槽T1的宽度小于0.15um时，有机发光层6未完全断开，由此第二电极7没有插入到第一沟槽T1中，因此第二电极7未与多个连接电极M中的至少一个接触。由于这个原因，朝向基板2的中央发生阴极压降，因此可在基板2的外侧与基板2的中央之间发生亮度差。当第一沟槽T1的宽度超过0.2um时，有机发光层6的一部分覆盖第一沟槽T1的左侧面和右侧面，由此第二电极7可未与多个连接电极M中的至少一个接触。因此，在根据本发明一个实施方式的显示装置1中，第一沟槽T1的宽度W1设为大于等于0.15um并且小于等于0.2um，因此第二电极7插入到第一沟槽T1中，由此第二电极7可与多个连接电极M中的至少一个接触并因此可被施加来自辅助电极AE的阴极电压。
同时，根据一个示例的第一沟槽T1的深度D1(图2中所示)可以是大于等于0.2um并且小于等于0.4um。当第一沟槽T1的深度小于0.2um时，有机发光层6的一部分覆盖暴露于第一沟槽T1的全部多个连接电极M，因此第二电极7可未与多个连接电极M中的至少一个接触。作为另一示例，当第一沟槽T1的深度小于0.2um时，有机发光层6的一部分覆盖第三连接电极M3和第二连接电极M2，并且第一连接电极M1并不从绝缘层4暴露，由此第二电极7可未与多个连接电极M中的至少一个接触。因而，当第一沟槽T1的深度小于0.2um时，第二电极7可未与多个连接电极M中的至少一个接触。当第一沟槽T1的深度D1超过0.4um时，在形成第一沟槽T1时辅助电极AE可被蚀刻，由此辅助电极AE的厚度可变薄或断开。由于这个原因，由于辅助电极AE的电阻增加，因此通过辅助电极AE防止阴极压降的比例可变小或者不能防止发生阴极压降。因此，在根据本发明一个实施方式的显示装置1中，由于第一沟槽T1的深度D1可设为大于等于0.2um并且小于等于0.4um，因此可防止辅助电极AE被损坏并且可从有机发光层6或绝缘层4暴露多个连接电极M中的至少一个，由此第二电极7可与多个连接电极M中的至少一个接触并因此可被施加来自辅助电极AE的阴极电压。
如上所述，由于第二沟槽T2形成为比第一沟槽T1窄，因此第二沟槽T2的深度D2可设置为小于第一沟槽T1的深度D1。
再次参照图3，封装层8可形成在第二电极7上。封装层8用于防止氧气或水分渗透到有机发光层6和第二电极7中。为此，封装层8可包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。
例如，封装层8可包括第一无机膜、有机膜和第二无机膜。在这种情况下，第一无机膜形成为覆盖第二电极7。有机膜形成为覆盖第一无机膜。优选的是，有机膜以足够长的长度形成，以防止颗粒通过穿过第一无机膜渗透到有机发光层6和第二电极7中。第二无机膜形成为覆盖有机膜。
图4是图解根据本发明一个实施方式的显示装置的辅助电极的另一示例的简要平面图。
参照图4，辅助电极AE的一部分可设置成与像素P交叠。就是说，由于辅助电极AE设置成比图1的辅助电极宽，因此辅助电极AE的一侧可与像素P交叠并且辅助电极AE的另一侧可与和上述像素P相邻的另一像素P交叠。因此，如图4中所示，辅助电极AE可包括与布置在上侧的像素P交叠的第一交叠区域OA1、以及与布置在下侧的像素交叠的第二交叠区域OA2。
更详细地说，基于图4布置在上侧的像素P可包括第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23，第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23各自可包括第一子电极51、第二子电极52和第三子电极53。基于图4布置在下侧的像素P可包括第四子像素24、第五子像素25和第六子像素26，第四子像素24、第五子像素25和第六子像素26各自可包括第四子电极54、第五子电极55和第六子电极56。相对于布置在上侧的像素P，基于图4布置在下侧的像素P可以是位于与第一方向和第二方向的每一个垂直的第三方向上的像素P。
辅助电极AE的一侧可与从第一子像素21向第四子像素24布置的栅栏F、以及和栅栏F交叠的第一子电极51交叠。在这种情况下，辅助电极AE的一侧还可与和栅栏F交叠的第一反射板RP1交叠。
此外，辅助电极AE的一侧可与从第二子像素22向第五子像素25布置的栅栏F、以及和栅栏F交叠的第二子电极52交叠。在这种情况下，辅助电极AE的一侧还可与和栅栏F交叠的第二反射板RP2交叠。
此外，辅助电极AE的一侧可与从第三子像素23向第六子像素26布置的栅栏F、以及和栅栏F交叠的第三子电极53交叠。在这种情况下，辅助电极AE的一侧还可与和栅栏F交叠的第三反射板RP3交叠。
同时，辅助电极AE的另一侧可与从第四子像素24向第一子像素21布置的栅栏F、以及和栅栏F交叠的第四子电极54交叠。在这种情况下，辅助电极AE的另一侧还可与和栅栏F交叠的第四反射板(未示出)交叠。
此外，辅助电极AE的另一侧可与从第五子像素25向第二子像素22布置的栅栏F、以及和栅栏F交叠的第五子电极55交叠。在这种情况下，辅助电极AE的另一侧还可与和栅栏F交叠的第五反射板(未示出)交叠。
此外，辅助电极AE的另一侧可与从第六子像素26向第三子像素23布置的栅栏F、以及和栅栏F交叠的第六子电极56交叠。在这种情况下，辅助电极AE的另一侧还可与和栅栏F交叠的第六反射板(未示出)交叠。
然而，不限于这种情况，辅助电极AE的一侧可与第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23的发光区域的一部分交叠，并且辅助电极AE的另一侧可与第四子像素24、第五子像素25和第六子像素26的发光区域的一部分交叠。
由于辅助电极AE布置在绝缘层4下方，因此即使辅助电极AE与像素P交叠，辅助电极AE也不会干扰观看图像的用户。由于当辅助电极AE的宽度变宽时辅助电极AE的电阻值更低，因此阴极电压可更容易施加至位于基板2的中央的第二电极7。
辅助电极AE可设置成布置在多个像素P之中或者两个像素P之间。当辅助电极AE布置在多个像素P之中时，就是说，当每个像素P以1:1或1:2与辅助电极AE匹配时，阴极电压通过辅助电极AE施加至每个像素P，由此可更加减小在基板2的外侧与基板2的中央之间的亮度差。另一方面，当辅助电极AE设置成布置在两个像素P之间时，就是说，当两个像素P共用一个辅助电极AE时，与辅助电极AE布置在像素P之中的情况下相比阴极电压可能不会更容易施加至每个像素P，但是像素P之间的未布置辅助电极AE的间隔可减小，由此可有利于实现高分辨率。
图5是图解沿与图1的II-II线方向相同的方向截取的根据本发明另一个实施方式的显示装置的简要剖面图。
参照图5，根据本发明另一个实施方式的显示装置1与基于图3的显示装置基本相同，不同之处在于在第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23的每一个的封装层8上设置有滤色器层9。因此，将对相同的元件给予相同的参考标记，并且下文中将主要描述不同元件。
在基于图3的显示装置的情况下，由于第二电极7与反射板RP之间的分隔距离在第一至第三子像素21、22和23的每一个处都变化，因此从第一子像素21发射红色光，从第二子像素22发射绿色光，并且从第三子像素23发射蓝色光。就是说，基于图3的显示装置通过利用微腔效应提高按每一个第一至第三子像素21、22和23的不同颜色的光提取效率。
另一方面，在图5的根据另一个实施方式的显示装置的情况下，在封装层8上布置滤色器层9，由此可解决从子像素21、22和23的每一个发射的光的颜色视角的问题。更详细地说，由于基于图3的显示装置设置成在没有滤色器的情况下通过利用微腔结构按每一个子像素21、22和23发射不同颜色的光，因此按每一个子像素在垂直方向上第二电极7与反射板RP之间的距离形成为与在对角线方向上第二电极7与反射板RP之间的距离不同。例如，在从第一子像素21到反射板RP的上表面的垂直方向上第二电极7与第一反射板RP1之间的距离SD1比在不是与反射板RP的上表面垂直的方向的倾斜方向上第二电极7与第一反射板RP1之间的距离短。因此，位于垂直方向上的用户可观看到红色，而位于倾斜方向上的用户可观看到其他颜色而不是红色。因而，在基于图3的显示装置的情况下，可能发生颜色视角的问题：根据用户观看子像素的位置，即视角，用户可看到不同的颜色。
然而，在图5的根据另一个实施方式的显示装置的情况下，在封装层8上设置滤色器层9，由此可解决颜色视角的问题。图5的根据另一个实施方式的显示装置的滤色器层9可包括设置成对应于第一子像素21的第一滤色器91、设置成对应于第二子像素22的第二滤色器92和设置成对应于第三子像素23的第三滤色器93。
第一滤色器91过滤其他颜色的光，以仅发射红色(R)光，第一滤色器91可以是红色滤色器。由于第一滤色器91以与第一子像素21对应的尺寸设置并且仅发射来自第一子像素21的光提取效率通过微腔效应得到提高的红色(R)光，因此即使如上所述视角发生变化，也可通过第一滤色器91过滤其他颜色的光，由此用户可仅观看到红色光。
第二滤色器92过滤其他颜色的光，以仅发射绿色(G)光，第二滤色器92可以是绿色滤色器。由于第二滤色器92以与第二子像素22对应的尺寸设置并且仅发射来自第二子像素22的光提取效率通过微腔效应得到提高的绿色(G)光，因此即使如上所述视角发生变化，也可通过第二滤色器92过滤其他颜色的光，由此用户可仅观看到绿色光。
第三滤色器93过滤其他颜色的光，以仅发射蓝色(B)光，第三滤色器93可以是蓝色滤色器。由于第三滤色器93以与第三子像素23对应的尺寸设置并且仅发射来自第三子像素23的光提取效率通过微腔效应得到提高的蓝色(B)光，因此即使如上所述视角发生变化，也可通过第三滤色器93过滤其他颜色的光，由此用户可仅观看到蓝色光。
因而，在根据本发明另一个实施方式的显示装置1中，由于在第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23的每一个的封装层8上设置有滤色器层9，因此滤色器层9屏蔽由于基于视角导致的第二电极7与反射板RP之间的距离差异而发射的其他颜色的光。
图6A至图6C是图解根据本发明其他实施方式的显示装置的示图，涉及头戴式显示(HMD)装置。图6A是简要透视图，图6B是虚拟现实(VR)结构的简要平面图，图6C是增强现实(AR)结构的简要剖面图。
从图6A可知，根据本发明的头戴式显示装置包括容纳壳体(storage case)10和头戴式带子(head mounted band)12。
容纳壳体10在其中容纳诸如显示装置、透镜阵列和目镜之类的元件。
头戴式带子12固定至容纳壳体10。头戴式带子12形成为围绕用户头部的上表面和两侧，但不限于此示例。头戴式带子12用于将头戴式显示装置固定至用户的头部，头戴式带子12可用眼镜架形状或头盔形状的结构代替。
从图6B可知，根据本发明的虚拟现实(VR)结构的头戴式显示装置可包括左眼显示装置2a、右眼显示装置2b、透镜阵列11、左眼目镜20a和右眼目镜20b。
左眼显示装置2a、右眼显示装置2b、透镜阵列11、左眼目镜20a和右眼目镜20b容纳在上述容纳壳体10中。
左眼显示装置2a和右眼显示装置2b可显示相同的图像，在这种情况下，用户可观看2D图像。可选地，左眼显示装置2a可显示左眼图像并且右眼显示装置2b可显示右眼图像，在这种情况下，用户可观看3D图像。左眼显示装置2a和右眼显示装置2b的每一个可由上述根据图1至图5的显示装置构成。例如，左眼显示装置2a和右眼显示装置2b的每一个可以是有机发光显示装置。
左眼显示装置2a和右眼显示装置2b的每一个可包括多个子像素、电路元件层3、绝缘层4、辅助电极AE、沟槽T、反射板RP、第一电极5、栅栏F、有机发光层6、第二电极7和封装层8，并且可通过以各种方式组合从每个子像素发射的光的颜色来显示各种图像。
透镜阵列11可通过与左眼目镜20a和左眼显示装置2a的每一个分隔开而设置在左眼目镜20a与左眼显示装置2a之间。就是说，透镜阵列11可布置在左眼目镜20a前方且在左眼显示装置2a后方。此外，透镜阵列11可通过与右眼目镜20b和右眼显示装置2b的每一个分隔开而设置在右眼目镜20b与右眼显示装置2b之间。就是说，透镜阵列11可布置在右眼目镜20b前方且在右眼显示装置2b后方。
透镜阵列11可以是微透镜阵列。透镜阵列11可用针孔阵列代替。由于透镜阵列11，用户可放大地观看显示在左眼显示装置2a或右眼显示装置2b上的图像。
用户的左眼LE可布置在左眼目镜20a中，并且用户的右眼RE可布置在右眼目镜20b中。
从图6C可知，根据本发明的AR结构的头戴式显示装置包括左眼显示装置2a、透镜阵列11、左眼目镜20a、透反射部13和透射窗14。尽管为了方便起见在图6C中仅显示了用于左眼的结构，但用于右眼的结构与用于左眼的结构相同。
左眼显示装置2a、透镜阵列11、左眼目镜20a、透反射部13和透射窗14容纳在前述容纳壳体10中。
左眼显示装置2a可布置在透反射部13的一侧，例如布置在上侧，而不覆盖透射窗14。因此，左眼显示装置2a可在不覆盖通过透射窗14观看的外部背景的情况下向透射反射部13提供图像。
左眼显示装置2a可由上述根据图1至图5的有机发光显示装置构成。在这种情况下，在图1至图5中与显示图像的表面对应的顶部，例如，封装层8或滤色器层9面向透反射部13。
透镜阵列11可设置在左眼目镜20a与透反射部13之间。
用户的左眼布置在左眼目镜20a中。
透反射部13布置在透镜阵列11与透射窗14之间。透反射部13可包括透射光的一部分并反射光的其他部分的反射表面13a。反射表面13a形成为使得显示在左眼显示装置2a上的图像传播至透镜阵列11。因此，用户可观看显示在左眼显示装置2a上的图像并且经过透射窗14可观看外部背景。就是说，由于通过将现实中的背景与虚拟图像交叠，用户可观看到一个图像，因此可实现增强现实(AR)。
透射窗14布置在透反射部13的前方。
对于所属领域的技术人员显而易见的是，上述本发明不受上述实施方式和附图的限制，在不背离本发明的精神或范围的情况下，可在本发明中作出各种替换、修改和变化。因此，本发明的范围由所附权利要求书限定，从权利要求书的含义、范围和等同概念得到的所有变形或修改都旨在落入本发明的范围内。

Claims (22)

1.一种显示装置，包括：
设置有多个像素的基板；
电路元件层，所述电路元件层设置在所述基板上并且设置有辅助电极；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述电路元件层上并且设置有第一沟槽和彼此分隔开的多个连接电极；
设置在所述多个连接电极上的栅栏；
设置在所述栅栏上的有机发光层；和
布置在所述有机发光层上的第二电极，
其中所述多个连接电极与所述辅助电极电连接，
所述多个连接电极中的至少一个从所述第一沟槽暴露，并且
所述第二电极与从所述第一沟槽暴露的连接电极接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一沟槽布置在所述多个像素之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述有机发光层从所述第一沟槽断开。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二电极插入到所述第一沟槽中。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一沟槽具有大于等于0.15um并且小于等于0.2um的宽度。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一沟槽具有大于等于0.2um并且小于等于0.4um的深度。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述辅助电极的一部分与所述多个像素的每一个交叠。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个像素的每一个包括：
设置在所述基板上的第一子像素、第二子像素和第三子像素；
按照所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每一个，设置在所述电路元件层中的薄膜晶体管；
反射板，所述反射板与所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每一个对应地布置在所述绝缘层的内部或外部；和
第一电极，所述第一电极设置在所述绝缘层或所述反射板上并且包括设置在所述第一子像素中的第一子电极、设置在所述第二子像素中的第二子电极和设置在所述第三子像素中的第三子电极，
其中所述栅栏覆盖所述第一电极的边缘，
所述有机发光层布置在所述第一电极和所述栅栏上，
在位于所述第一子像素中的反射板的上表面与所述第二电极的下表面之间的距离比在位于所述第二子像素中的反射板的上表面与所述第二电极的下表面之间的距离长，并且
在位于所述第二子像素中的反射板的上表面与所述第二电极的下表面之间的距离比在位于所述第三子像素中的反射板的上表面与所述第二电极的下表面之间的距离长。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述反射板的宽度比所述多个连接电极的每一个的宽度宽。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述反射板包括布置成与所述第一子电极交叠的第一反射板、布置成与所述第二子电极交叠的第二反射板、和布置成与所述第三子电极交叠的第三反射板，
所述第一反射板布置在所述绝缘层的内部，
所述第三反射板布置在所述绝缘层的上表面上，并且
所述第二反射板布置在所述绝缘层的内部并位于所述第一反射板与所述第三反射板之间。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述多个连接电极包括：
布置在所述绝缘层的内部的第一连接电极；
布置在所述绝缘层的上表面上的第三连接电极；和
布置在所述绝缘层的内部并位于所述第一连接电极与所述第三连接电极之间的第二连接电极，并且
所述第一连接电极、所述第二连接电极、所述第三连接电极、所述第一反射板、所述第二反射板和所述第三反射板由相同的材料制成。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述第一子像素设置成发射红色光，所述第二子像素设置成发射绿色光，并且所述第三子像素设置成发射蓝色光。
13.根据权利要求8所述的显示装置，还包括设置在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素之间的边界区域中的第二沟槽，其中所述第二沟槽的宽度比所述第一沟槽的宽度窄。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述有机发光层从所述第二沟槽部分地断开。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述第二电极未插入到所述第二沟槽中。
16.根据权利要求8所述的显示装置，还包括：
布置在所述第二电极上的封装层；和
布置在所述封装层上的滤色器层，
其中所述滤色器层包括对应于所述第一子像素设置的第一滤色器、对应于所述第二子像素设置的第二滤色器、和对应于所述第三子像素设置的第三滤色器。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的显示装置，还包括与所述基板分隔开的透镜阵列、以及容纳所述基板和所述透镜阵列的容纳壳体。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中第一沟槽的侧面为倾斜的，并且所述第一沟槽的宽度从上到下变窄。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二电极包括半透明电极。
20.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽设置成彼此连接。
21.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述有机发光层包括第一叠层、第二叠层和设置在所述第一叠层与所述第二叠层之间的电荷生成层，其中所述第一叠层设置在所述第二沟槽的内部的侧面以及所述第二沟槽的内部的下表面上，所述第二叠层设置成在彼此邻接的子像素之间彼此连接而没有彼此断开，所述电荷生成层设置成在所述第二沟槽的内部断开。
22.一种头戴式显示装置，包括容纳壳体以及固定至所述容纳壳体的头戴式带子，其中在所述容纳壳体中容纳有根据权利要求1至21中任一项所述的显示装置。
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