KR20220096851A - 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 복수의 서브 화소 및 복수의 서브 화소 각각의 일측에 구비된 복수의 컨택부가 구비된 기판, 기판 상에 구비된 절연층, 절연층 상에서 복수의 서브 화소 각각 및 복수의 컨택부 각각에 구비된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 구비된 펜스, 절연층, 펜스 및 제 1 전극 상에 구비된 발광층, 발광층 상에 구비된 제 2 전극, 제 2 전극 상에 구비된 충진층, 펜스와 절연층에 구비된 트렌치를 포함하고, 트렌치는 서로 이웃한 컨택부 사이에 구비된 제 1 트렌치 및 서로 이웃한 서브 화소 사이에 구비된 제 2 트렌치를 포함하고, 발광층은 제 2 트렌치 내에서 공극을 구비하고, 공극은 충진층을 구성하는 물질과 동일한 충진물로 채워진, 표시 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP, Plasma Display Panel), 유기 발광 표시 장치(OLED, Organic Light Emitting Display)와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.
표시장치들 중에서 유기 발광 표시 장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 유기발광 표시장치는 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다.
한편, 종래에는 유기 발광 표시 장치의 복수의 화소에서, 이웃한 화소 사이에 측면 누설 전류(LLC: Lateral Leakage Current)가 흐르며 표시 품질이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명은 측면 누설 전류의 발생을 방지하면서, 안정적으로 봉지층을 구비할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 복수의 서브 화소 및 복수의 서브 화소 각각의 일측에 구비된 복수의 컨택부가 구비된 기판, 기판 상에 구비된 절연층, 절연층 상에서 복수의 서브 화소 각각 및 복수의 컨택부 각각에 구비된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 구비된 펜스, 절연층, 펜스 및 제 1 전극 상에 구비된 발광층, 발광층 상에 구비된 제 2 전극, 제 2 전극 상에 구비된 충진층, 펜스와 절연층에 구비된 트렌치를 포함하고, 트렌치는 서로 이웃한 컨택부 사이에 구비된 제 1 트렌치 및 서로 이웃한 서브 화소 사이에 구비된 제 2 트렌치를 포함하고, 발광층은 제 2 트렌치 내에서 공극을 구비하고, 공극은 충진층을 구성하는 물질과 동일한 충진물로 채워진, 표시 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 복수의 서브 화소가 구비된 기판, 기판 상에서 복수의 서브 화소 각각에 구비된 제 1 전극, 제1 전극 상에 구비된 발광층, 발광층 상에 구비된 제 2 전극, 제 2 전극 상에 구비된 충진층 및 복수의 서브 화소 사이에 구비된 트렌치를 포함하고, 트렌치는 제 1 폭을 가진 제 1 트렌치 및 제 1 폭보다 좁은 제 2 폭을 가진 제 2 트렌치를 포함하고, 발광층의 일 부분은 제 1 트렌치 내에서는 연속되어 있고 제 2 트렌치 내에서는 단절된, 표시 장치
본 발명에 따르면, 발광층의 내부 및 상부에 충진층을 형성함으로써, 측면 누설 전류의 발생을 방지하면서, 안정적인 봉지층을 구비할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 표시 장치의 일 예를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 영역의 일 예를 보여주는 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II' 영역의 일 예를 보여주는 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 1의 III-III' 영역의 일 예를 보여주는 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 표시 장치의 형성 과정을 보여주는 단면도들이다.
도 6은 본 발명에 따른 표시 장치의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 표시 장치의 화소 구조의 다른 예를 보여주는 평면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 출원의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.
도 2는 도 1의 I-I' 영역의 일 예를 보여주는 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1의 II-II' 영역의 일 예를 보여주는 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 1의 III-III' 영역의 일 예를 보여주는 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 표시 장치의 형성 과정을 보여주는 단면도들이다.
도 6은 본 발명에 따른 표시 장치의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 표시 장치의 화소 구조의 다른 예를 보여주는 평면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 출원의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 표시 장치의 일 예를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치는 광을 방출하는 제 1 내지 제 3 서브 화소(P1-P3), 제 1 내지 제 3 서브 화소(P1-P3) 각각의 일측에 구비된 제 1 내지 제 3 컨택부(C1-C3) 및 각 서브 화소(P1-P3) 사이의 경계 영역을 포함하여 이루어질 수 있다. 제 1 서브 화소(P1)는 제 1 색상의 광을 방출하고, 제 2 서브 화소(P2)는 제 2 색상의 광을 방출하고, 제 3 서브 화소(P3)는 제 3 색상의 광을 방출할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제 1 컨택부(C1)는 제 1 서브 화소(P1) 내의 제 1 전극(예로서 애노드 전극)이 구동 박막 트랜지스터의 소스 또는 드레인 전극과 연결되는 부분이고, 제 2 컨택부(C2)는 제 2 서브 화소(P2) 내의 제 1 전극(예로서 애노드 전극)이 구동 박막 트랜지스터의 소스 또는 드레인 전극과 연결되는 부분이고, 제 3 컨택부(C3)는 제 3 서브 화소(P3) 내의 제 1 전극(예로서 애노드 전극)이 구동 박막 트랜지스터의 소스 또는 드레인 전극과 연결되는 부분이다. 또한, 이웃한 두 컨택부(C1-C3)의 사이 및 이웃한 두 서브 화소(P1-P3)의 사이에 트렌치(T)가 구비될 수 있다. 이 때, 이웃한 두 컨택부(C1-C3)의 사이에 구비된 트렌치(T)의 폭은 이웃한 두 서브 화소(P1-P3) 사이에 구비된 트렌치(T)의 폭보다 클 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I' 영역의 일 예를 보여주는 표시 장치의 개략적인 단면도이며, 제 1 컨택부(C1), 제 2 컨택부(C2) 및 제 1 컨택부(C1)와 제 2 컨택부(C2) 사이의 경계 영역을 도시하고 있다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(100), 회로 소자층(200), 절연층(300), 펜스(F), 제 1 전극(410), 발광층(420), 제 2 전극(430) 및 충진층(500)을 포함하여 이루어진다.
기판(100)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 발광된 광이 상부 쪽으로 방출되는 소위 상부 발광(Top emission) 방식으로 이루어질 수 있다. 따라서, 기판(100)의 재료로는 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수 있다.
회로 소자층(200)은 기판(100) 상에 형성되어 있다.
회로 소자층(200)에는 각종 신호 배선들, 박막 트랜지스터, 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 구비되어 있다. 신호 배선들은 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 및 기준 배선을 포함하여 이루어질 수 있고, 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터 및 센싱 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어질 수 있다.
스위칭 박막 트랜지스터는 게이트 배선에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 데이터 배선으로부터 공급되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 역할을 한다.
구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 전원 배선에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 제 1 전극(410)에 공급하는 역할을 한다.
센싱 박막 트랜지스터는 화질 저하의 원인이 되는 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 센싱하는 역할을 하는 것으로서, 게이트 배선 또는 별도의 센싱 배선에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 구동 박막 트랜지스터의 전류를 기준 배선으로 공급한다.
커패시터는 구동 박막 트랜지스터에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 역할을 하는 것으로서, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 단자 및 소스 단자에 각각 연결된다.
절연층(300)은 회로 소자층(200) 상에 구비된다. 절연층(300)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다. 또는, 절연층(300)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물 등의 무기막으로 형성될 수도 있다.
두 개의 컨택부(C1, C2) 사이의 경계 영역에서, 절연층(300)에는 제 1 트렌치(T1)가 구비된다. 제 1 트렌치(T1)는 펜스(F)를 관통하고, 절연층(300)을 관통하지 않고 절연층(300) 내부의 소정 영역까지 연장될 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 제 1 트렌치(T1)는 펜스(F)와 절연층(300)을 관통하고 그 아래의 회로 소자층(200) 내부의 소정 영역까지 연장될 수도 있다.
제 1 전극(410)은 절연층(300) 상에 구비된다. 제 1 전극(410)은 각각 서브 화소 별로 패턴 형성되어 있으며 도시된 바와 같이 컨택부(C1, C2)까지 연장되어 있다. 구체적으로 도시하지는 않았지만, 제 1 전극(410)은 각각의 컨택부(C1, C2)에서 회로 소자층(200)에 구비된 구동 박막 트랜지스터의 소스 또는 드레인 전극과 연결된다. 제 1 전극(410)은 표시 장치의 양극(Anode)으로 기능할 수 있다.
제 1 전극(410)은 금속 물질로 이루어지며, 예를 들어, 알루미늄 (Al), 은(Ag), 구리 (Cu), 마그네슘 (Mg), 몰리브덴 (Mo), 및 티타늄(Ti) 중의 금속 물질 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다.
펜스(F)는 제 1 전극(410)상에 형성되며, 특히 제 1 전극(410)의 끝단을 덮도록 형성되어 제 2 전극(410)의 끝단에서 전류가 집중되는 것을 방지한다. 펜스(F)는 제 1 트렌치(T1)를 구비하면서 컨택부(C1, C2) 및 인접한 컨택부(C1, C2) 사이의 경계 영역 일부에 형성된다.
발광층(420)은 절연층(300), 및 펜스(F) 상에 형성된다. 즉, 발광층(420)은 두 개의 컨택부(C1, C2)와 두 개의 컨택부(C1, C2) 사이의 경계 영역에 모두 형성된다.
발광층(420)은 백색(W) 광을 발광하도록 구비될 수 있다. 이를 위해, 발광층(420)은 서로 상이한 색상의 광을 발광하는 복수의 스택(stack)을 포함하여 이루어질 수 있다. 구체적으로, 발광층(420)은 제 1 스택(421), 제 2 스택(423), 및 제 1 스택(421)과 제 2 스택(423) 사이에 구비된 전하 생성층(Charge generation layer; CGL)(422)을 포함하여 이루어질 수 있다.
제 1 스택(421)은 차례로 적층된 정공 주입층, 제 1 정공 수송층, 제 1 유기발광층, 및 제 1 전자 수송층을 포함하여 이루어지고, 제 2 스택(423)은 차례로 적층된 제 2 정공 수송층, 제 2 유기발광층, 제 2 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하여 이루어지고, 전하 생성층(422)은 제 1 스택(421)에 전자를 공급하는 N형 전하 생성층 및 제 2 스택(423)에 정공을 공급하는 P형 전하 생성층을 포함하여 이루어질 수 있다.
발광층(420)은 제 1 트렌치(T1) 내부의 하면 및 측면에 형성된다. 발광층(420)이 제 1 트렌치(T1) 내부에 형성될 때, 제 1 스택(421), 전하 생성층(422) 및 제 2 스택(423) 각각의 층은 연속되도록 형성될 수 있다. 다만, 제 1 트렌치(T1)와 중첩되는 영역의 발광층(420)의 두께는 제 1 트렌치(T1)와 중첩되지 않는 영역의 발광층(420)의 두께보다 작을 수 있다. 제 1 트렌치(T1)와 중첩되는 영역에서 발광층(420)은 제 1 트렌치(T1)의 내부를 따라 연속되면서 오목한 형상을 가질 수 있다.
제 2 전극(430)은 발광층(420) 상에 구비된다. 제 2 전극(430)은 표시 장치의 음극(Cathode)으로 기능할 수 있다. 제 2 전극(430)은 발광층(420)과 마찬가지로 두 개의 컨택부(C1, C2)와 두 개의 컨택부(C1, C2) 사이의 경계 영역에 모두 형성된다. 또한, 제 1 트렌치(T1)에서 제 2 전극(430)은 발광층(420)의 상면을 따라 형성되므로, 제 1 트렌치(T1)와 중첩되는 영역에서 제 2 전극(430)은 제1 트렌치(T1)의 내부를 따라 연속되면서 오목한 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 상부 발광 방식으로 이루어지기 때문에, 제 2 전극(430)은 발광층(420)에서 발광된 광을 상부 쪽으로 투과시키기 위해서, 인듐주석산화물 (ITO) 또는 인듐아연산화물(IZO)과 같은 투명한 금속물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 제 2 전극(430)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.
충진층(500)은 제 2 전극(430) 상에 구비된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 상부 발광 형식으로 이루어지기 때문에, 충진층(500)은 발광층(420)에서 발광된 광을 상부쪽으로 투과시키기 위하여, 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 충진층(500)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기물로 이루어질 수 있다.
또한, 충진층(500)은 제 1 트렌치(T1)의 내부 공간을 채우도록 형성된다. 즉, 충진층(500)은 제 2 전극(430)의 오목한 영역의 적어도 일부를 채우도록 형성된다. 이에 따라, 제 1 트렌치(T1)와 중첩되는 제 2 전극(430)의 영역과 제 1 트렌치(T1)와 중첩되지 않는 제 2 전극(430)의 영역 사이의 단차의 크기보다 제 1 트렌치(T1)와 중첩되는 충진층(500)의 영역과 제 1 트렌치(T1)와 중첩되지 않는 충진층(500)의 영역 사이의 단차의 크기가 작을 수 있다.
도 3은 도 1의 II-II' 영역의 일 예를 보여주는 표시 장치의 개략적인 단면도이며, 제 1 서브 화소(P1), 제 2 서브 화소(P2) 및 제 1 서브 화소(P1)와 제 2 서브 화소(P2) 사이의 경계 영역을 도시하고 있다.
도 3에 도시된 기판(100) 및 회로 소자층(200)은 전술한 도 2에 따른 표시장치의 기판(100) 및 회로 소자층(200)과 동일한 구조로 이루어지므로, 이에 대한 기술은 생략하기로 한다.
제 1 서브 화소(P1)와 제 2 서브 화소(P2) 사이의 경계 영역에서, 절연층(300)에는 제 2 트렌치(T2)가 구비된다. 제 2 트렌치(T2)는 펜스(F)를 관통하고 절연층(300)을 관통하지 않고 절연층(300) 내부의 소정 영역까지 연장될 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 제 2 트렌치(T2)는 펜스(F)와 절연층(300)을 관통하고 그 아래의 회로 소자층(200) 내부의 소정 영역까지 연장될 수도 있다. 또한, 제 2 트렌치(T2)의 폭(w2)은 전술한 도 2의 제 1 트렌치(T1)의 폭(w1)보다 작도록 형성될 수 있다.
펜스(F)는 두 개의 서브 화소(P1, P2) 사이의 경계 영역에서 매트릭스 구조로 형성되며 각각의 서브 화소(P1, P2)에 구비된 제1 전극(410)의 양 끝단을 덮도록 형성될 수 있다. 그에 따라, 펜스(F)에 의해 가려지지 않고 노출된 제1 전극(410)의 노출 영역이 발광 영역이 된다.
또한, 펜스(F)는 제 1 전극(410)의 끝단의 상면 일부와 측면을 덮도록 형성됨으로써, 제 1 전극(410)의 끝단에 전류가 집중되어 발광효율이 저하되는 문제가 방지될 수 있다. 또한, 펜스(F)는 무기 절연막으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 유기 절연막으로 이루어질 수도 있다.
발광층(420)은 절연층(300), 펜스(F) 및 제 1 전극(410) 상에 형성된다. 즉, 발광층(420)은 두 개의 서브 화소(P1, P2)와 두 개의 서브 화소(P1, P2) 사이의 경계 영역에 모두 형성된다.
전술한 바와 같이, 발광층(420)은 제 1 스택(421), 전하 생성층(422) 및 제 2 스택(423)을 포함하여 이루어질 수 있다.
발광층(420)은 제 2 트렌치(T2)의 내부 및 상부에 형성된다. 발광층(420)이 제 2 트렌치(T2) 내부에 형성될 때, 발광층(420)의 적어도 일부가 단절됨으로써, 인접하는 서브 화소(P1, P2) 사이에서 누설전류 발생이 방지될 수 있다.
제 1 스택(421)은 제 2 트렌치(T2) 내부의 측면 및 하면에 형성될 수 있다. 이 때, 제 1 스택(421)의 적어도 일부분은 제 2 트렌치(T2) 내에서 연속되지 않고 단절될 수 있다. 예로서, 제 1 스택(421)을 구성하는 정공 주입층, 제1 정공 수송층, 제1 유기발광층, 및 제1 전자 수송층 중 적어도 하나의 층은 제 2 트렌치(T2) 내에서 단절될 수 있다. 제 1 스택(421)의 일부분은 제 2 트렌치(T2) 내에서 연속될 수도 있다. 예로서, 제 1 스택(421)을 구성하는 정공 주입층, 제1 정공 수송층, 제1 유기발광층, 및 제1 전자 수송층 중 일부 층은 제 2 트렌치(T2)의 측면과 하면에서 연속되도록 형성될 수 있다.
전하 생성층(422)은 제 1 스택(421) 상에 구비된다. 이 때, 전하 생성층(422)은 제 2 트렌치(T2)의 내부 또는 제 2 트렌치(T2)와 중첩되는 영역에서 단절될 수 있다. 이에 따라, 제 2 트렌치(T2)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2) 사이에서는 전하 생성층(422)을 통해 전하가 이동할 수 없다.
제 2 스택(423)은 전하 생성층(422) 상에 형성될 수 있다. 이 때, 제 2 스택(423)의 적어도 일부분은 제 2 트렌치(T2)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2) 사이에서 연속되지 않고 단절될 수 있다. 예로서, 제 2 스택(423)을 구성하는 제 2 정공 수송층, 제 2 유기발광층, 및 제 2 전자 수송층 중 적어도 하나의 층은 전하 생성층(422) 상에서 단절될 수 있다. 또한, 제 2 스택의 일부분은 제 2 트렌치(T2)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2) 사이에서 연속될 수도 있다. 예로서, 제 2 스택(423)을 구성하는 제 2 정공 수송층, 제 2 유기발광층, 및 제 2 전자 수송층 중 일부 층은 전하 생성층(422) 상에서 연속되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제 2 트렌치(T2)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2) 사이에서는 제 2 스택(423)을 통해 전하가 이동할 수 있다.
이 때, 제 2 트렌치(T2) 영역과 중첩되는 제 2 스택(423)의 두께는 제 2 트렌치(T2) 영역과 중첩되지 않는 제 2 스택(423)의 두께보다 작을 수 있다. 구체적으로, 제 2 스택(423)이 제 2 트렌치(T2)를 사이에 두고 이격된 좌측과 우측 전하 생성층(422)의 상면 각각에서 서로 이격된 상태로 증착되다가 접촉되므로, 제 2 스택(423)의 하면의 일부는 제 2 트렌치(T2)의 위쪽에서 단절될 수도 있다. 예로서, 제2 스택(423)을 구성하는 제 2 정공 수송층, 제 2 유기발광층, 및 제2 전자 수송층 중 적어도 하나의 층은 제 2 트렌치(T2)와 중첩되는 영역에서 단절될 수도 있다.
발광층(420)의 내부의 공극(G)에는 충진층이 충진되어 있다. 구체적으로, 공극(G) 및 충진층은 제 2 트렌치(T2) 내부에 구비되어, 제 2 트렌치(T2)의 위쪽까지 연장될 수 있다. 이 때, 공극(G) 및 충진층의 끝단은 전하 생성층(422)보다 높은 위치에 형성됨으로써, 공극(G) 및 충진층에 의해 전하 생성층(422)이 제 2 트렌치(T2) 상에서 단절될 수 있다.
제 2 전극(430)은 제 2 스택(423) 상에 구비되며, 충진층(500)은 제 2 전극(430) 상에 구비된다. 또한, 제 2 전극(430) 상에 구비된 충진층(500)은 공극(G)에 충진된 충진층과 동일한 물질로 이루어진다.
도 4는 도 1의 III-III' 영역의 일 예를 보여주는 표시 장치의 개략적인 단면도이며, 인접한 컨택부(C2, C3) 사이의 영역 및 인접한 서브 화소(P2, P3) 사이의 트렌치 영역(T1, T2)을 도시하고 있다.
도 4에 도시된 기판(100) 및 회로 소자층(200)은 전술한 도 2에 따른 표시장치의 기판(100) 및 회로 소자층(200)과 동일한 구조로 이루어지므로, 이에 대한 기술은 생략하기로 한다.
절연층(300)은 회로 소자층(200) 상에 구비되며, 도 4에서는 제 1 및 제 2 트렌치(T1, T2)의 하면을 이루는 절연층(300)이 도시되어 있다. 따라서, 도 4의 절연층(330)의 두께는 전술한 도 2 및 도 3의 절연층(300)의 두께보다 상대적으로 얇게 도시되었다. 제 1 트렌치(T1)와 제 2 트렌치(T2)는 연결되고, 제 1 트렌치(T1) 영역에는 개구부(550)가 구비되며, 제 2 트렌치(T2) 영역에는 개구부(550)가 구비되지 않는다.
제 1 트렌치(T1) 내부의 하면에는 제 1 스택(421), 전하 생성층(422) 및 제 2 스택(423), 제 2 전극(430)이 구비될 수 있다. 이는 전술한 도 2에서 제1 트렌치(T1)의 중앙부의 단면에 해당한다.
제 2 트렌치(T2)의 내부의 공극(G)에는 충진층(500)이 구비되며, 제 2 트렌치(T2) 내부의 하면, 구체적으로 공극(G)에 구비된 충진층(500)의 아래쪽에는 제 1 스택(421)이 구비되며, 공극(G)에 구비된 충진층(500)의 위쪽에는 제 2 스택(423)이 구비될 수 있고, 공극(G) 및 충진층(500)에 의해 전하 생성층(422)은 단절되므로, 전하 생성층(422)은 도 4에서는 도시되지 않는다. 이는 전술한 도 3에서 제2 트렌치(T2)의 중앙부의 단면에 해당한다.
제 1 트렌치(T1)의 폭(w1)이 제 2 트렌치(T2)의 폭(w2)보다 크도록 형성되므로, 제 1 스택(421)을 증착하는 과정에서, 제 1 트렌치(T1)의 내부에 제 1 스택(421) 물질이 더 용이하게 증착될 수 있으므로, 제 1 트렌치(T1)의 하면에 구비된 제 1 스택(421)의 두께가 제 2 트렌치(T2)의 하면에 구비된 제 1 스택(421)의 두께보다 더 클 수 있다.
개구부(550)를 통해 유입된 충진층(500)은 제 1 트렌치(T1)의 내부 영역을 모두 채우면서, 제 2 트렌치(T2)에 의한 공극(G)의 내부로 확장되어, 제 2 트렌치(T2)의 내부 공간을 모두 채우도록 형성된다. 이 때, 충진층(500)이 유입된 공극(G)의 부피는 충진층(500)이 형성되기 전의 공극(G)의 부피보다 클 수 있다. 즉, 충진층(500)이 유입되면서 공극(G)의 크기가 확대될 수 있다.
제 1 트렌치(T1) 내부에 구비된 충진층(500)은 제 2 트렌치(T2)와 중첩된 영역에 접하는 제 1 스택(421) 및 제 2 스택(422)과 접하고, 공극(G)을 채우는 충진물은 제 1 트렌치(T1) 내부에 구비된 제 1 스택(421), 전하 생성층(422) 및 제 2 스택(423)과 접할 수 있다.
도시하지는 않았으나, 제 2 전극(430) 상에는 봉지층 및 컬러 필터가 구비될 수 있다.
결론적으로, 본 발명은 상대적으로 넓은 폭을 가진 제 1 트렌치(T1)를 인접한 컨택부(C1-C3) 사이에 구비하고 상대적으로 좁은 폭을 가진 제 2 트렌치(T2)를 인접한 서브 화소(P1-P3) 사이에 구비함으로써, 제 1 트렌치(T1) 영역에 개구부(550)가 형성되도록 하고 제 2 트렌치(T2) 영역에 공극(G)이 형성되도록 하고 있다. 이 때, 제 1 트렌치(T1) 영역의 개구부(550)를 통해 충진층(500)을 유입하여, 유입된 충진층(500)이 제 2 트렌치(T2) 영역의 공극(G)의 내부 공간을 채우며 공극(G)의 부피를 증가시켜, 전하 생성층(422)을 단절시킴으로써, 인접한 서브 화소(P1-P3) 사이의 경계 영역에서 흐르는 누설 전류의 발생을 안정적으로 방지할 수 있다. 구체적으로, 전하 생성층(422)는 제 1 스택(421) 및 제 2 스택(423)에 비하여 도전성이 크다. 특히, 전하 생성층(422)을 구성하는 N형 전하 생성층은 금속 물질을 포함하여 이루어질 수 있기 때문에, 제 1 스택(421) 및 제 2 스택(423)에 비하여 도전성이 크다. 즉, 서로 인접하게 배치된 서브 화소(P1, P2) 사이에서의 전하의 이동은 주로 전하 생성층(422)을 통해 이루어지고, 제 2 스택(423)을 통해서 이루어지는 전하의 이동량은 미미하다. 따라서, 전하 생성층(422)을 제 2 트렌치(T2) 내부에서 단절되도록 형성함으로써, 서로 인접하게 배치된 서브 화소(P1-P3) 사이에서의 전하의 이동을 줄여서 누설전류 발생을 방지할 수 있다. 또한, 공극(G)의 팽창으로, 제 2 트렌치(T2)와 중첩되는 영역의 발광층(420) 및 제 2 전극(430)의 상면의 단차가 감소되어, 제 2 전극(430) 상에 봉지층을 안정적으로 증착시킬 수 있다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 표시 장치의 형성 과정을 보여주는 단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 기판(100) 상에 회로 소자층(200)이 형성되고, 회로 소자층(200) 상에 절연층(300)이 형성되고, 절연층(300) 상에 제 1 전극(410)이 형성되며, 제1 전극(410) 상에 펜스(F)가 형성되고, 펜스(F) 및 절연층(300)에 제 1 및 제 2 트렌치(T1, T2)가 형성된다. 제 1 트렌치(T1)는 제 1 및 제 2 컨택부(C1, C2) 사이의 영역에서 펜스(F) 및 절연층(300)을 식각하여 형성되고, 제 2 트렌치(T2)는 제 1 및 제 2 서브 화소(P1, P2) 사이의 영역에서 펜스(F) 및 절연층(300)을 식각하여 형성된다. 이 때, 전술한 바와 같이, 제 1 트렌치(T1)의 폭(w1)은 제 2 트렌치(T2)의 폭(w2)보다 크도록 형성된다.
도 5b를 참조하면, 절연층(300), 펜스(F) 및 제 1 전극(410) 상에 발광층(420)이 형성된다. 즉, 절연층(300), 펜스(F) 및 제 1 전극(410) 상에 제 1 스택(421), 전하생성층(422) 및 제 2 스택(423)을 순차적으로 증착하여 발광층(420)을 형성할 수 있다. 그리고, 발광층(420) 상에 제 2 전극(430)이 형성된다.
이 때, 발광층(420)은 제 1 트렌치(T1) 내부의 측면 및 하면을 덮으며 형성될 수 있으며, 제 1 트렌치(T1)와 중첩되는 발광층(420)의 영역은 오목한 형상을 가지며 개구부(550)가 구비될 수 있다. 또한, 제 1 트렌치(T1) 내부에서 제 1 스택(421), 전하생성층(422) 및 제 2 스택(423)은 각각 연속되도록 형성될 수 있다.
그리고, 발광층(420)은 제 2 트렌치(T1)의 내부의 측면 및 하면을 덮으며 형성될 수 있다. 제 2 트렌치(T2)의 폭(w2)은 제 1 트렌치(T1)의 폭(w1)보다 작으므로, 제2 트렌치(T2) 내에서 제 1 스택(421)이 균일하게 증착되지 않아, 제 1 스택(421)의 적어도 일부분은 제 2 트렌치(T2) 내에서 연속되지 않고 단절될 수도 있고, 경우에 따라 제 1 스택(421)의 일 부분은 제 2 트렌치(T2) 내에서 연속될 수도 있다. 또한, 전하생성층(422)이 제 2 트렌치(T2)의 내부 또는 제2 트렌치(T2) 위에서 연속되지 않고 단절될 수도 있다. 또한, 제 2 스택(423)은 제2 트렌치(T2) 위에서 연속될 수 있지만, 제2 스택(423)의 일부는 제 2 트렌치(T2) 위에서 단절될 수 있다. 이에 따라, 제 2 트렌치(T2)와 중첩되는 영역의 발광층(420)의 내부에는 공극(G)이 형성된다.
도 5c를 참조하면, 제 2 전극(430) 상에 충진층(500)이 형성된다. 구체적으로, 증착 챔버의 압력 차이 또는 모세관 현상에 의해, 개구부(550)을 통해 유입된 충진물은 제 1 트렌치(T1)의 내부를 채우고, 제 2 트렌치(T2)로 이동하여 공극(G)의 내부 공간을 채울 수 있다. 제 1 및 제 2 트렌치(T)의 내부 공간이 충진물로 채워지면, 제 2 전극(430) 상에도 충진물이 구비되며, 제 2 전극(430)을 덮도록 충진층(500)이 형성된다. 또한, 제 1 및 제 2 트렌치(T1, T2)와 중첩된 영역의 충진층(500)은 오목한 형상을 가질 수 있으며, 제 2 트렌치(T2)의 폭(w2)은 제 1 트렌치(T1)의 폭(w1)보다 작으므로, 제 2 트렌치(T2)의 오목한 형상의 폭이 더 좁을 수 있다.
도 5d를 참조하면, 공극(G)의 내부와 외부의 압력 차이 또는 경화 공정에 따른 발광층(420)과 충진층(500)의 밀도 차이에 의해, 공극(G)의 내부 공간을 채우는 충진층(500)의 부피가 증가하게 된다. 공극(G)은 제 2 트렌치(T2)의 측면에 둘러싸여 있으므로, 수평 방향보다 수직 방향으로 더욱 팽창하여 공극(G)의 높이가 증가할 수 있다. 이에 따라, 공극(G)의 끝단이 전하 생성층(422)보다 높은 위치에 형성됨으로써, 제 2 트렌치(T2) 상에서 전하생성층(422)을 완전히 단락시킬 수 있다. 또한, 제 2 스택(423)의 하면의 일부분도 단락될 수 있다. 예를 들어, 제 2 스택(423)을 구성하는 제 2 정공 수송층, 제 2 유기발광층, 및 제2 전자 수송층 중 적어도 하나의 층은 제 2 트렌치(T2)와 중첩되는 영역에서 단절될 수도 있다. 또한, 공극(G)이 팽창하며, 공극(G) 상에 형성된 제 2 스택(423), 제 2 전극(430) 및 충진층(500)을 수직 방향으로 밀어내며, 제 2 트렌치(T2)와 중첩된 영역의 충진층(500)의 단차를 보상할 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 표시 장치의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 또 다른 예에 따른 표시 장치는 제 1 내지 제 3 서브 화소(P1, P2, P3) 및 이웃하는 서브 화소 사이의 경계 영역을 도시하고 있다.
절연층(300)은 제 1 내지 제 4 절연층(310, 320, 330, 340)을 포함할 수 있다. 제 1 반사 전극(610)은 제 1 서브 화소 영역(P1)에서 제 1 절연층(310)의 상면에 구비되고, 제 2 반사 전극(620)은 제 2 서브 화소 영역(P2)에서 제 2 절연층(320)의 상면에 구비되고, 제 3 반사 전극(630)은 제 3 서브 화소 영역(P3)에서 제 3 절연층(330)의 상면에 구비될 수 있다. 또한, 제 4 절연층(340)은 제 3 반사 전극(630)을 덮도록 형성될 수 있다.
제 1 내지 제 3 반사 전극(610, 620, 630)은 은(Ag) 또는 은(Ag)을 포함하는 금속 물질로 이루어지며, 발광층(420)에서 방출된 빛을 제2 전극(430) 방향으로 반사시킨다.
또한, 제 1 반사 전극(610)과 제 2 전극(430)까지의 거리는 제 2 반사 전극(620)과 제 2 전극(430)까지의 거리보다 크고, 제 2 반사 전극(620)과 제 2 전극(430)까지의 거리는 제 3 반사 전극(630)과 제 2 전극(430)까지의 거리보다 클 수 있다. 이와 같이, 제 1 내지 제 3 반사 전극(610, 620, 630)과 제 2 전극(430)까지의 거리를 상이하게 형성함으로써, 마이크로 캐비티 특성을 이용하여 서로 다른 색의 광을 추출할 수 있다.
구체적으로, 제 1 내지 제 3 반사 전극(610, 620, 630)과 제 2 전극(430)까지의 거리가 길수록 장파장의 광 추출 효율이 향상될 수 있기 때문에 제 1 반사 전극(610)과 제 2 전극(430)에서 적색 광의 광 추출효율이 향상될 수 있고, 제 1 내지 제 3 반사 전극(610, 620, 630)과 제 2 전극(430)까지의 거리가 짧을수록 단파장의 광 추출 효율이 향상될 수 있기 때문에 제 3 반사 전극(630)과 제 2 전극(430) 사이에서 청색 광의 광추출 효율이 향상될 수 있다. 또한, 제 2 반사 전극(620)과 제 2 전극(430)까지의 거리는 제 1 반사 전극(610)과 제 2 전극(430)까지의 거리보다 짧고 제 3 반사 전극(630)과 제 2 전극(430)까지의 거리보다 길게 구비되므로, 녹색 광의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
이에 따라, 제 1 서브 화소(P1)에서는 적색 광의 광 추출 효율이 향상되어 적색 광이 방출되고, 제 2 서브 화소(P2)에서는 녹색 광의 광 추출 효율이 향상되어 녹색 광이 방출되고, 제 3 서브 화소(P3)에서는 청색 광의 광 추출 효율이 향상되어 청색 광이 방출될 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 표시 장치의 화소 구조의 다른 예를 보여주는 평면도이다.
도 7a를 참조하면, 표시 장치는 제 3 컨택부(C3)와 인접한 제 4 컨택부(C4) 및 제 3 서브 화소(P3)와 인접한 제 4 서브 화소(P4)를 추가적으로 더 구비할 수 있다. 제 3 서브 화소(P3)와 제 4 서브 화소(P4) 사이의 경계 영역에도 트렌치(T)가 구비된다.
도 7b를 참조하면, 제 1 내지 제 4 서브 화소(P1-P4) 및 제 1 및 제 4 컨택부(C1-C4)가 제 1 및 제 2 트렌치(T1, T2)로 둘러싸인 구조를 개시할 수 있다. 즉, 제 1 서브 화소(P1)는 제 2 서브 화소(P2) 및 제 4 서브 화소(P4)와 인접하며, 제 1 서브 화소(P1)와 제 2 서브 화소(P2) 사이의 경계 영역 및 제 1 서브 화소(P1)와 제 4 서브 화소(P4) 사이의 경계 영역에는 제 2 트렌치(T2)가 구비된다. 또한, 제 2 서브 화소(P2)는 제 1 서브 화소(P1) 및 제 3 서브 화소(P3)와 인접하며, 제 2 서브 화소(P2)와 제 1 서브 화소(P1) 사이의 경계 영역 및 제 2 서브 화소(P2)와 제 3 서브 화소(P3) 사이의 경계 영역에는 제 2 트렌치(T2)가 구비된다. 또한, 제 3 서브 화소(P3)는 제 2 서브 화소(P2) 및 제 4 서브 화소(P4)와 인접하며, 제 3 서브 화소(P3)와 제 2 서브 화소(P2) 사이의 경계 영역 및 제 3 서브 화소(P3)와 제 4 서브 화소(P4) 사이의 경계 영역에는 제 2 트렌치(T2)가 구비된다. 제 1 내지 제 4 서브 화소(P1-P4)의 모서리 영역에 제 1 내지 제 4 컨택부(C1-C4)가 구비되며, 서로 인접한 컨택부(C1-C4) 사이에도 제 2 트렌치(T2)가 구비된다. 또한, 하나의 화소가 제 1 내지 제 4 서브 화소(P1-P4) 및 제 1 내지 제 4 컨택부(C1-C4)를 포함하도록 구성될 때, 제 1 트렌치(T1)는 화소의 각 모서리에 구비되고, 제 2 트렌치(T2)는 제 1 트렌치(T1)를 연결하며 화소를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 또한, 제 1 트렌치(T1)의 폭은 제 2 트렌치(T2)의 폭보다 클 수 있다.
도 8a 내지 도 8c는 본 출원의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.
도 8a를 참조하면, 본 출원에 따른 헤드 장착형 표시 장치는 수납 케이스(10), 및 헤드 장착 밴드(12)를 포함하여 이루어진다.
수납 케이스(10)는 내부에 표시 장치, 렌즈 어레이, 및 접안 렌즈 등을 수납하고 있다. 헤드 장착 밴드(12)는 수납 케이스(10)에 고정된다.
헤드 장착 밴드(12)는 사용자의 머리 상면과 양 측면들을 둘러쌀 수 있도록 형성된 것을 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 헤드 장착 밴드(12)는 사용자의 머리에 헤드 장착형 디스플레이를 고정하기 위한 것으로, 안경테 형태 또는 헬멧 형태의 구조물로 대체될 수 있다.
도 8b에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 VR(Virtual Reality) 구조의 헤드 장착형 표시장치(1)는 좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b), 렌즈 어레이(11), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b) 를 포함할 수 있다.
좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b), 렌즈 어레이(11), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)는 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다.
좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b)는 동일한 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 2D 영상을 시청할 수 있다. 또는, 좌안용 표시장치(2a)는 좌안 영상을 표시하고 우안용 표시 장치(2b)는 우안 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 입체 영상을 시청할 수 있다. 상기 좌안용 표시 장치(2a)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 각각은 전술한 도 1 내지 도 5에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b) 각각은 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display)일 수 있다.
좌안용 표시 장치(2a) 및 우안용 표시 장치(2b) 각각은 복수의 서브 화소, 회로 소자층(200), 절연층(300), 제 1 전극(410), 발광층(420) 및 제 2 전극(430)을 포함할 수 있으며, 각 서브 화소에서 발광하는 광의 색을 다양한 방식으로 조합하여서 다양한 영상들을 표시할 수 있다.
렌즈 어레이(11)는 좌안 접안 렌즈(20a)와 좌안용 표시 장치(2a) 각각과 이격되면서 좌안 접안 렌즈(20a)와 좌안용 표시장치(2a) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 렌즈 어레이(11)는 좌안 접안 렌즈(20a)의 전방 및 좌안용 표시 장치(2a)의 후방에 위치할 수 있다. 또한, 렌즈 어레이(11)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 각각과 이격되면서 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 상기 렌즈 어레이(11)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)의 전방 및 상기 우안용 표시 장치(2b)의 후방에 위치할 수 있다.
렌즈 어레이(11)는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)일 수 있다. 렌즈 어레이(11)는 핀홀 어레이(Pin Hole Array)로 대체될 수 있다. 렌즈 어레이(11)로 인해 좌안용 표시 장치(2a) 또는 우안용 표시 장치(2b)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다.
좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안(LE)이 위치하고, 우안 접안렌즈(20b)에는 사용자의 우안(RE)이 위치할 수 있다.
도 8c에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 AR(Augmented Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(2a), 렌즈 어레이(11), 좌안 접안렌즈(20a), 투과 반사부(13), 및 투과창(14)을 포함하여 이루어진다. 도 8c에는 편의상 좌안쪽 구성만을 도시하였으며, 우안쪽 구성도 좌안쪽 구성과 동일하다.
좌안용 표시 장치(2a), 렌즈 어레이(11), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(13), 및 투과창(14)은 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다.
좌안용 표시 장치(2a)는 상기 투과창(14)을 가리지 않으면서 투과 반사부(13)의 일측, 예를 들어, 상측에 배치될 수 있다. 이에 따라, 좌안용 표시 장치(2a)가 투과창(14)을 통해 보이는 외부 배경을 가리지 않으면서 투과 반사부(13)에 영상을 제공할 수 있다.
좌안용 표시 장치(2a)는 전술한 도 1 내지 도 4에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 4에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분이 투과 반사부(13)와 마주하게 된다.
렌즈 어레이(11)는 좌안 접안 렌즈(20a)와 투과 반사부(13) 사이에 구비될 수 있다.
좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안이 위치한다.
투과 반사부(13)는 렌즈 어레이(11)와 투과창(14) 사이에 배치된다. 투과 반사부(13)는 광의 일부를 투과시키고, 광의 다른 일부를 반사시키는 반사면(13a)을 포함할 수 있다. 반사면(13a)은 좌안용 표시 장치(2a)에 표시된 영상이 렌즈 어레이(11)로 진행하도록 형성된다. 따라서, 사용자는 상기 투과창(14)을 통해서 외부의 배경과 좌안용 표시 장치(2a)에 의해 표시되는 영상을 모두 볼 수 있다. 즉, 사용자는 현실의 배경과 가상의 영상을 겹쳐 하나의 영상으로 볼 수 있으므로, 증강현실(Augmented Reality,AR)이 구현될 수 있다.
투과창(14)은 투과 반사부(13)의 전방에 배치되어 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판
200: 회로 소자층
300: 절연층 310: 제 1 절연층
320: 제 2 절연층 330: 제 3 절연층
340: 제 4 절연층 410: 제 1 전극
420: 발광층 421: 제 1 스택
422: 전하 생성층 423: 제 2 스택
430: 제 2 전극 500: 충진층
550: 개구부 610: 제 1 반사 전극
620: 제 2 반사 전극 630: 제 3 반사 전극
F: 펜스 T: 트렌치
G: 공극 P: 서브 화소
C: 컨택부
300: 절연층 310: 제 1 절연층
320: 제 2 절연층 330: 제 3 절연층
340: 제 4 절연층 410: 제 1 전극
420: 발광층 421: 제 1 스택
422: 전하 생성층 423: 제 2 스택
430: 제 2 전극 500: 충진층
550: 개구부 610: 제 1 반사 전극
620: 제 2 반사 전극 630: 제 3 반사 전극
F: 펜스 T: 트렌치
G: 공극 P: 서브 화소
C: 컨택부
Claims (17)
- 복수의 서브 화소 및 상기 복수의 서브 화소 각각의 일측에 구비된 복수의 컨택부가 구비된 기판;
상기 기판 상에 구비된 절연층;
상기 절연층 상에서 상기 복수의 서브 화소 각각 및 상기 복수의 컨택부 각각에 구비된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 구비된 펜스;
상기 절연층, 상기 펜스 및 상기 제 1 전극 상에 구비된 발광층;
상기 발광층 상에 구비된 제 2 전극;
상기 제 2 전극 상에 구비된 충진층; 및
상기 펜스와 상기 절연층에 구비된 트렌치를 포함하고,
상기 트렌치는 서로 이웃한 상기 컨택부 사이에 구비된 제 1 트렌치 및 서로 이웃한 상기 서브 화소 사이에 구비된 제 2 트렌치를 포함하고,
상기 발광층은 상기 제 2 트렌치 내에서 공극을 구비하고, 상기 공극은 상기 충진층을 구성하는 물질과 동일한 충진물로 채워진 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 트렌치의 폭은 상기 제 2 트렌치의 폭보다 큰, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 트렌치와 상기 제 2 트렌치는 서로 연결된, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전극은 상기 제 1 트렌치의 내부를 따라 연속되면서 오목한 형상을 가지며,
상기 충진층은 상기 제 2 전극의 오목한 영역의 적어도 일부를 채우는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 트렌치 내부에 구비된 상기 발광층은 차례로 적층된 제 1 스택, 전하 생성층 및 제 2 스택을 포함하며,
상기 제 1 트렌치 내부에서, 상기 제 1 스택, 상기 전하 생성층 및 상기 제 2 스택 각각의 층은 연결되는, 표시 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 공극을 채우는 충진물은 상기 제 1 트렌치 내부에 구비된 상기 제 1 스택, 상기 전하 생성층 및 상기 제 2 스택과 접하는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 트렌치와 중첩된 영역에 구비된 상기 발광층은 제 1 스택, 전하 생성층 및 제 2 스택을 포함하며,
상기 전하 생성층은 상기 제 2 트렌치 내에서 단절된, 표시 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 트렌치 내부에 구비된 충진층은 상기 제 2 트렌치와 중첩된 영역에 접하는 상기 전하 생성층 및 상기 제 2 스택과 접하는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 절연층 내부에 제 1 내지 제 3 반사 전극을 더 포함하는, 표시 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 복수의 화소는 제 1 내지 제 3 서브 화소를 포함하고,
상기 절연층은 제 1 내지 제 3 절연층이 상기 회로 소자층 상에 순차적으로 적층되어 이루어지며,
상기 제 1 반사 전극은 상기 제 1 서브 화소 영역에서, 상기 제 1 절연층 상에 구비되고,
상기 제 2 반사 전극은 상기 제 2 서브 화소 영역에서, 상기 제 2 절연층 상에 구비되고,
상기 제 3 반사 전극은 상기 제 3 서브 화소 영역에서, 상기 제 3 절연층 상에 구비된, 표시 장치. - 복수의 서브 화소가 구비된 기판;
상기 기판 상에서 상기 복수의 서브 화소 각각에 구비된 제 1 전극;
상기 제1 전극 상에 구비된 발광층;
상기 발광층 상에 구비된 제 2 전극;
상기 제 2 전극 상에 구비된 충진층; 및
상기 복수의 서브 화소 사이에 구비된 트렌치를 포함하고,
상기 트렌치는 제 1 폭을 가진 제 1 트렌치 및 상기 제 1 폭보다 좁은 제 2 폭을 가진 제 2 트렌치를 포함하고,
상기 발광층의 일 부분은 상기 제 1 트렌치 내에서는 연속되어 있고 상기 제 2 트렌치 내에서는 단절된, 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 발광층의 일 부분은 전하 생성층을 포함하는, 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 발광층은 상기 제 2 트렌치 내에서 공극을 구비하고, 상기 공극에는 상기 충진층을 구성하는 물질과 동일한 충진물이 채워져 있는, 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 발광층은 상기 제 1 트렌치 내에서 공극을 구비하지 않는, 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 트렌치는 제 1 서브 화소에 구비된 제 1 전극 및 제 2 서브 화소에 구비된 제 1 전극 사이에 구비되고, 상기 제 1 트렌치는 상기 제 1 서브 화소의 일측에 구비된 제 1 컨택부 및 상기 제 2 서브 화소의 일측에 구비된 제 2 컨택부 사이에 구비된, 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
복수의 서브 화소는 제 1 내지 제 4 서브 화소를 포함하고,
상기 제 1 서브 화소는 상기 제 2 서브 화소 및 상기 제 4 서브 화소와 인접하고,
상기 제 2 서브 화소는 상기 제 1 서브 화소 및 상기 제 3 서브 화소와 인접하고,
상기 제 3 서브 화소는 상기 제 2 서브 화소 및 상기 제 4 서브 화소와 인접하고,
상기 제 1 내지 제 4 서브 화소의 모서리 영역 각각에는 제 1 내지 제 4 컨택부가 구비되며,
상기 제 1 트렌치는 상기 제 1 내지 제 4 컨택부의 중심에 구비되고
상기 제 2 트렌치는 인접한 상기 두 서브 화소의 사이의 영역 및 인접한 상기 컨택부 사이의 영역에 구비되는, 표시 장치. - 제 16 항에 있어서,
하나의 화소는 상기 제 1 내지 제 4 서브 화소를 포함하며,
상기 제 1 트렌치는 상기 화소의 모서리에 구비되고,
상기 제 2 트렌치는 상기 제 1 트렌치를 연결하며, 상기 화소를 둘러싸도록 구비된, 표시 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200189671A KR20220096851A (ko) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 표시 장치 |
| US17/561,211 US11895892B2 (en) | 2020-12-31 | 2021-12-23 | Display apparatus including void of light emitting layer |
| CN202111599317.8A CN114695772A (zh) | 2020-12-31 | 2021-12-24 | 显示设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200189671A KR20220096851A (ko) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR20220096851A true KR20220096851A (ko) | 2022-07-07 |
Family
ID=82119092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200189671A KR20220096851A (ko) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 표시 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11895892B2 (ko) |
| KR (1) | KR20220096851A (ko) |
| CN (1) | CN114695772A (ko) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200082491A (ko) | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
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2020
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2021
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- 2021-12-24 CN CN202111599317.8A patent/CN114695772A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114695772A (zh) | 2022-07-01 |
| US11895892B2 (en) | 2024-02-06 |
| US20220208889A1 (en) | 2022-06-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination |