KR20210084876A - 표시장치 - Google Patents

Abstract

본 출원의 일 예에 따른 표시장치는, 복수개의 서브 화소를 구비한 기판, 기판 상에서 서브 화소들 사이에 구비된 트렌치를 포함하는 절연층, 절연층 상에서 서브 화소 별로 구비된 제1 전극, 제1 전극의 가장자리를 둘러싸면서 서브 화소 별로 구비된 펜스, 제1 전극 및 절연층 상에 구비된 유기발광층, 및 유기발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하고, 제1 전극은 펜스에 의해 둘러싸이는 제1 영역과 제1 영역을 제외한 제2 영역을 포함하며, 제1 영역은 상기 제2 영역보다 두껍게 구비됨으로써, 전류 패스를 길게함과 동시에 제1 영역의 투과율을 감소시켜서 누설 전류에 의한 색 순도 저하를 방지할 수 있다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}

본 출원은 영상을 표시하는 표시장치에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치, 발광 표시장치, 유기 발광 표시장치, 마이크로 발광 표시장치, 양자점 발광 표시장치 등과 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.

유기 발광 표시장치는 유기발광층의 적색, 녹색, 청색 서브 화소 형성 시, FMM 기술을 이용할 경우 증착 마스크의 처짐에 대한 문제로 마스크 쉐도우에 의해 중소형 패널 제작이 가능하나, 대면적 적용은 어렵다. 따라서, 대면적에 적용 가능하도록 서브 화소에 공통적으로 백색 유기발광층을 형성하는 기술이 최근 각광받고 있으나, 고해상도를 구현하기 위해서 서브 화소 사이의 간격을 조밀하게 구성하게 되면, 어느 하나의 서브 화소 내의 발광층에서 발광이 이루어진 경우 그 발광층 내의 전하가 인접하는 다른 서브 화소 내의 발광층으로 이동하여 누설전류가 발생하고 그로 인해서 인접하는 서브 화소의 색이 발광하는 서브 화소의 색과 혼합되어서 발광하는 서브 화소의 색 순도가 저하되는 문제가 있다.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 출원은 누설 전류로 인한 색 순도 저하를 방지할 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.

본 출원의 일 예에 따른 표시장치는 복수개의 서브 화소를 구비한 기판, 기판 상에서 서브 화소들 사이에 구비된 트렌치를 포함하는 절연층, 절연층 상에서 서브 화소 별로 구비된 제1 전극, 제1 전극의 가장자리를 둘러싸면서 서브 화소 별로 구비된 펜스, 제1 전극 및 절연층 상에 구비된 유기발광층, 및 유기발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하고, 제1 전극은 펜스에 의해 둘러싸이는 제1 영역과 제1 영역을 제외한 제2 영역을 포함하며, 제1 영역은 상기 제2 영역보다 두껍게 구비될 수 있다.

본 출원에 따른 표시장치는 인접하는 서브 화소 사이에 트렌치를 구비하고 제1 전극의 제1 영역의 두께를 제1 전극의 제2 영역의 두께보다 두껍게 구비함으로써, 전류 패스를 길게함과 동시에 제1 영역의 투과율을 감소시켜서 누설 전류에 의한 색 순도 저하를 방지할 수 있다.

위에서 언급된 본 출원의 효과 외에도, 본 출원의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 선 Ⅰ-Ⅰ의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치의 제1 전극과 펜스를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치와 일반적인 표시장치의 제1 전극의 두께에 따른 파장과 광 세기를 나타낸 개략적인 그래프이다.
도 5는 본 출원의 다른 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 출원의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.

본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 출원의 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 출원 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.

본 출원의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.

본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하에서는 본 출원에 따른 표시장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.

도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 선 Ⅰ-Ⅰ의 개략적인 단면도이며, 도 3은 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치의 제1 전극과 펜스를 나타낸 개략적인 단면도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 기판(2), 회로 소자층(3), 절연층(4), 제1 전극(5), 펜스(6), 유기발광층(7), 제2 전극(8), 봉지층(9), 및 컬러 필터층(10)을 포함한다. 상기 절연층(4)에는 트렌치(T)가 구비될 수 있다. 상기 제1 전극(5)은 제1 영역(A1)과 상기 제1 영역(A1)을 제외한 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 영역(A1)은 상기 제2 영역(A2) 보다 두껍게 구비될 수 있다.

기판(2)은 플라스틱 필름(plastic film), 유리 기판(glass substrate), 또는 실리콘과 같은 반도체 기판일 수 있다. 상기 기판(2)은 투명한 재료로 이루어질 수도 있고 불투명한 재료로 이루어질 수도 있다.

상기 기판(2) 상에는 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23)가 서로 인접하게 배치될 수 있다. 일 예에 따른 제2 서브 화소(22)는 제1 서브 화소(21)의 일측에 인접하게 배치될 수 있다. 일 예에 따른 제3 서브 화소(23)는 상기 제2 서브 화소(22)의 일측에 인접하게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23)는 일 방향으로 상기 기판(2) 상에 순차적으로 배치될 수 있다.

상기 제1 서브 화소(21)는 적색(R) 광을 방출하고, 상기 제2 서브 화소(22)는 녹색(G) 광을 방출하고, 상기 제3 서브 화소(23)는 청색(B) 광을 방출하도록 구비될 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 화이트를 포함한 다양한 색의 광을 발광할 수도 있다. 또한, 각각의 서브 화소들(21, 22, 23)의 배열 순서는 다양하게 변경될 수 있다.

상기 제1 서브 화소(21), 상기 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 각각은 제1 전극(5), 유기발광층(7), 및 제2 전극(8)을 포함하도록 구비될 수 있다.

본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 발광된 광이 상부 쪽으로 방출되는 소위 상부 발광(Top emission) 방식으로 이루어질 경우, 기판(2)의 재료로는 불투명한 재료가 이용될 수 있다. 다른 예로, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 발광된 광이 하부 쪽으로 방출되는 소위 하부 발광(Bottom emission) 방식으로 이루어질 경우, 기판(2)의 재료로는 투명한 재료가 이용될 수 있다.

상기 회로 소자층(3)은 기판(2)의 일면 상에 마련된다.

상기 회로 소자층(3)에는 복수개의 박막 트랜지스터(31, 32, 33), 각종 신호 배선들, 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 서브 화소(21, 22, 23) 별로 구비되어 있다. 상기 신호 배선들은 게이트 라인, 데이터 라인, 전원 라인, 및 기준 라인을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 박막 트랜지스터(31, 32, 33)는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터 및 센싱 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어질 수 있다. 서브 화소들(21, 22, 23)은 게이트 라인들과 기준전압라인들과 전원공급라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의될 수 있다.

상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 게이트 라인에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 라인으로부터 공급되는 데이터 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 역할을 한다.

상기 구동 박막 트랜지스터는 상기 스위칭 박막 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 전원 라인에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 상기 제1 전극(5)에 공급하는 역할을 한다.

상기 센싱 박막 트랜지스터는 화질 저하의 원인이 되는 상기 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 센싱하는 역할을 하는 것으로서, 상기 게이트 라인 또는 별도의 센싱 라인에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터의 전류를 상기 기준 라인으로 공급한다.

상기 커패시터는 상기 구동 박막 트랜지스터에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 역할을 하는 것으로서, 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 단자 및 소스 단자에 각각 연결된다.

제1 트랜지스터(31), 제2 트랜지스터(32), 및 제3 트랜지스터(33)는 회로 소자층(3) 내에 개별 서브 화소(21, 22, 23) 별로 배치된다.

일 예에 따른 제1 트랜지스터(31)는 제1 서브 화소(21) 에 배치되는 제1 서브 전극(5a)에 연결되어서 제1 서브 화소(21)에 해당하는 색의 광을 발광시키기 위한 구동 전압을 인가할 수 있다.

일 예에 따른 제2 트랜지스터(32)는 제2 서브 화소(22) 에 배치되는 제2 서브 전극(5b)에 연결되어서 제2 서브 화소(22)에 해당하는 색의 광을 발광시키기 위한 구동 전압을 인가할 수 있다.

일 예에 따른 제3 트랜지스터(33)는 제3 서브 화소(23) 에 배치되는 제3 서브 전극(5c)에 연결되어서 제3 서브 화소(23)에 해당하는 색의 광을 발광시키기 위한 구동 전압을 인가할 수 있다.

일 예에 따른 제1 서브 화소(21), 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 각각은 각각의 트랜지스터(31, 32, 33)를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 유기발광층에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 상기 제1 서브 화소(21), 상기 제2 서브 화소(22), 및 제3 서브 화소(23) 각각의 유기발광층은 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다.

상기 절연층(4)은 상기 기판(2) 상에 구비될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 절연층(4)은 상기 기판(2) 상에 배치된 회로 소자층(3)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 절연층(4)은 상기 회로 소자층(3)을 보호하면서 기판(2)의 상면을 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 상기 절연층(4)은 유기 절연물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고 무기 절연물로 이루어질 수도 있다.

상기 절연층(4)에는 오목한 구조의 트렌치(T)가 형성되어 있다. 상기 트렌치(T)는 인접하는 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서 유기발광층(7)을 통한 전류 누설 패스의 길이를 길게 하거나 유기발광층(7)의 일부를 단절시켜서 측면 누설 전류 발생을 방지하기 위한 것이다. 상기 트렌치(T)는 상기 절연층(4)에만 형성될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 절연층(4) 아래의 회로 소자층(3) 내부까지 연장되도록 형성될 수 있다. 상기 트렌치(T)는 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계 영역, 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이의 경계 영역에 형성될 수 있다. 즉, 상기 트렌치(T)는 도 1과 같이, 제1 전극(5)의 장변들 사이에만 형성될 수 있다. 도시되지 않았지만, 다른 예로, 상기 트렌치(T)는 제1 전극(5)의 모든 변을 감싸도록 형성될 수도 있다.

상기 제1 전극(5)은 상기 절연층(4) 상에서 서브 화소(21, 22, 23) 별로 패턴 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(5)은 상기 회로 소자층(3)에 구비된 구동 박막 트랜지스터와 연결되어 있다. 상기 제1 전극(5)은 애노드(anode)일 수 있다. 상기 제1 전극(5)은 제1 서브 전극(5a), 제2 서브 전극(5b), 및 제3 서브 전극(5c)을 포함할 수 있다.

제1 서브 전극(5a)은 제1 서브 화소(21)에 구비될 수 있다. 제1 서브 전극(5a)은 절연층(4) 상에 형성될 수 있다. 제1 서브 전극(5a)은 회로 소자층(3)과 절연층(4)을 관통하는 콘택홀을 통해 제1 트랜지스터(31)의 소스 전극에 접속된다.

제2 서브 전극(5b)은 제2 서브 화소(22)에 구비될 수 있다. 제2 서브 전극(5b)은 절연층(4) 상에 형성될 수 있다. 제2 서브 전극(5b)은 회로 소자층(3)과 절연층(4)을 관통하는 콘택홀을 통해 제2 트랜지스터(32)의 소스 전극에 접속된다.

제3 서브 전극(5c)은 제3 서브 화소(23)에 구비될 수 있다. 제3 서브 전극(5c)은 절연층(4) 상에 형성될 수 있다. 제3 서브 전극(5c)은 회로 소자층(3)과 절연층(4)을 관통하는 콘택홀을 통해 제3 트랜지스터(33)의 소스 전극에 접속된다.

여기서, 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33)는 N-type의 TFT일 수 있다.

만약, 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33)가 P-type의 TFT로 구비되는 경우, 상기 제1 내지 제3 서브 전극(5a, 5b, 5c) 각각은 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33) 각각의 드레인 전극에 연결될 수 있다.

즉, 상기 제1 내지 제3 서브 전극(5a, 5b, 5c) 각각은 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(31, 32, 33)의 타입에 따라 소스 전극이나 드레인 전극에 연결될 수 있다.

한편, 상기 제1 전극(5)은 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다.

상기 제1 영역(A1)은 펜스(6)에 의해 둘러싸이는 영역으로 제1 전극(5)의 가장자리 부분일 수 있다. 상기 제1 영역(A1)에 전류가 집중되어 쇼트가 발생되는 것을 방지하기 위해 상기 펜스(6)는 제1 영역(A1)을 둘러싸도록 구비될 수 있다. 상기 제1 영역(A1)은 상기 펜스(6)에 의해 둘러싸이므로 평면 상에서 보았을 때 비발광 영역에 포함될 수 있다.

상기 제2 영역(A2)은 상기 제1 전극(5)에서 상기 제1 영역(A1)을 제외한 영역으로, 펜스(6)에 의해 덮이지 않는 영역일 수 있다. 따라서, 상기 제2 영역(A2)은 평면 상에서 보았을 때 발광 영역에 포함될 수 있다.

본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 상기 제1 영역(A1)을 제2 영역(A2)보다 두껍게 구비함으로서, 인접한 서브 화소 간의 측면 누설 전류로 인한 색 순도 저하를 방지할 수 있다. 서로 다른 두께를 갖는 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)은 아래와 같은 공정을 통해 제조될 수 있다.

먼저, 절연층(4)의 상면에 제1 전극(5)을 300 Å 이상의 두께로 증착한 후 서브 화소(21, 22, 23) 별로 포토 공정, 및 식각 공정을 이용하여 패턴한다.

다음, 제1 전극(5)과 제1 전극(5) 사이에 노출된 절연층(4)을 덮도록 펜스(6)와 포토레지스트(PR)를 전면 증착한 다음, 개구부가 형성된 제1 마스크를 이용하여 노광하고, 현상액 및 에칭가스를 이용하여 식각하여서 펜스(6)가 제1 전극(5)의 가장자리 부분만을 덮도록 형성한다.

다음, 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에 배치된 펜스(6)와 절연층(4)을 일부 식각하여 트렌치(T)를 형성한다. 이와 같은 공정은 개구부가 형성된 제2 마스크를 이용한 노광 공정, 및 에칭가스를 이용한 식각 공정을 통해 이루어질 수 있다. 여기서, 제1 전극(5)의 제2 영역(A2)도 트렌치(T)가 형성될 트렌치(T) 영역과 함께 노광 및 식각됨으로써, 제2 영역(A2)의 두께(T2, 도 3에 도시됨)가 제1 영역(A1)의 두께(T1, 도 3에 도시됨)보다 얇게 형성될 수 있다.

본 출원의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)가 상부 발광 방식으로 이루어질 경우, 제1 전극(5)은 상기 유기발광층(7)에서 발광된 광을 상부쪽으로 반사시키도록 구비될 수 있다. 상기 제1 서브 화소(21)에 배치된 제1 서브 전극(5a), 상기 제2 서브 화소(22)에 배치된 제2 서브 전극(5b), 및 상기 제3 서브 화소(23)에 배치된 제3 서브 전극(5c) 각각은 접착전극(51), 반사전극(52), 및 불투명전극(53)으로 이루어질 수 있다. 상기 접착전극(51), 반사전극(52), 및 불투명전극(53)에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다.

다시 도 2를 참조하면, 펜스(6)는 상기 제1 전극(5)의 가장자리를 둘러싸도록 형성된다. 상기 제1 전극(5)에서 펜스(6)에 가려진 영역이 제1 영역(A1)이고, 상기 펜스(6)에 의해 가려지지 않고 노출된 영역이 제2 영역(A2)이다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)은 비발광 영역이고, 상기 제2 영역(A2)은 발광 영역일 수 있다. 결과적으로, 상기 펜스(6)에 의해서 발광 영역이 정의될 수 있다.

상기 펜스(6)는 상기 절연층(4) 상에서 상기 제1 전극(5)의 가장자리를 둘러싸면서 덮도록 형성된다. 이에 따라, 도 2와 같이 펜스(6)는 각 서브 화소(21, 22, 23) 각각에 배치된 제1 서브 전극(5a), 제2 서브 전극(5b), 및 제3 서브 전극(5c) 각각의 양 끝단을 가릴 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 펜스(6)는 상기 제1 서브 전극(5a), 제2 서브 전극(5b), 및 제3 서브 전극(5c) 각각의 양 끝단에서 상기 제1 서브 전극(5a), 제2 서브 전극(5b), 및 제3 서브 전극(5c) 각각의 상면 일부와 측면, 및 절연층(4)의 일부를 덮도록 형성되며, 그에 따라 상기 제1 서브 전극(5a), 제2 서브 전극(5b), 및 제3 서브 전극(5c)의 끝단에 전류가 집중되어 발광효율이 저하되는 문제가 방지될 수 있다.

다른 예로, 펜스(6)는 제1 서브 전극(5a), 제2 서브 전극(5b), 및 제3 서브 전극(5c) 각각의 양 끝단에서 상기 제1 서브 전극(5a), 제2 서브 전극(5b), 및 제3 서브 전극(5c) 각각의 상면 일부와 측면만을 덮도록 구비될 수도 있다. 상기 펜스(6)는 무기 절연막으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 펜스(6)는 제1 펜스영역(61), 제2 펜스영역(62), 및 제3 펜스영역(63)을 포함할 수 있다.

상기 유기발광층(7)은 상기 제1 전극(5) 및 상기 절연층(4) 상에 형성된다. 상기 유기발광층(7)은 상기 펜스(6) 상에도 형성되며 복수의 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에도 형성된다.

상기 유기발광층(7)은 백색(W) 광을 발광하도록 구비될 수 있다. 이를 위해서, 상기 유기발광층(7)은 서로 상이한 색상의 광을 발광하는 복수의 스택(stack)을 포함하여 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상기 유기발광층(7)은 제1 스택(71), 제2 스택(73), 및 상기 제1 스택(71)과 제2 스택(73) 사이에 구비된 전하 생성층(Charge generation layer; CGL)(72)을 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 유기발광층(7)은 상기 트렌치(T) 내부 및 상기 트렌치(T) 위쪽에 형성된다. 본 출원의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광층(7)의 일부가 상기 트렌치(T) 내부에 형성됨으로써, 인접하는 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 전류 패스가 길게 형성되어 저항이 증가됨으로써 누설전류 발생이 줄어들 수 있다.

특히, 도 2에서 화살표로 확대된 도면을 참조하면, 상기 제1 스택(71)은 상기 트렌치(T) 내부의 측면에 형성되며 상기 트렌치(T) 내부의 하면에도 형성될 수 있다. 이때, 상기 트렌치(T) 내부의 측면에 형성된 제1 스택(71)의 일 부분과 상기 트렌치(T) 내부의 하면에 형성된 제1 스택(71)의 일 부분은 서로 연결되지 않고 단절되어 있다. 따라서, 상기 트렌치(T) 내부의 일 측면, 예로서 좌측 측면에 형성된 제1 스택(71)의 일 부분과 상기 트렌치(T) 내부의 다른 측면, 예로서 우측 측면에 형성된 제1 스택(71)의 일 부분은 서로 연결되지 않고 단절되어 있다. 이에 따라, 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서는 상기 제1 스택(71)을 통해 전하가 이동할 수는 없다.

또한, 상기 전하 생성층(72)은 상기 트렌치(T) 내부의 측면에서 상기 제1 스택(71) 상에 형성될 수 있다. 이때, 상기 트렌치(T) 내부의 일 측면, 예로서 좌측 측면에 형성된 전하 생성층(72)의 일 부분과 상기 트렌치(T) 내부의 다른 측면, 예로서 우측 측면에 형성된 전하 생성층(72)의 일 부분은 서로 연결되지 않고 단절되어 있다. 이에 따라, 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서는 상기 전하 생성층(72)을 통해 전하가 이동할 수는 없다. 그러나, 트렌치(T)까지 형성된 전하 생성층(72)을 따라 누설 전류가 흐를 수 있으므로 전하 생성층(72)과 제2 전극(8) 사이에 배치된 유기발광층(7)의 제2 스택(73)에서 발광이 일어날 수 있다. 그리고, 트렌치(T)에서 제1 스택(71) 및 전하생성층(72) 중 적어도 하나가 단절되지 않고 연결될 경우, 발광되는 서브 화소와 인접한 서브 화소에서 측면 누설 전류로 인해 광이 발광되어서 발광되는 서브 화소의 광의 색 순도를 저하시킬 수 있다.

그러나, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 서브 화소 별로 배치되는 제1 전극(5)의 가장자리 부분 즉, 제1 영역(A1)의 두께를 제2 영역(A2)의 두께보다 두껍게 구비함으로써, 누설 전류에 따라 인접한 서브 화소에서 발광한 광이 제1 전극(5)의 제1 영역(A1)을 잘 투과하지 못하도록 하여서 발광이 이루어지는 서브 화소에서 발광한 광의 색 순도가 저하되는 것을 방지할 수 있다.

한편, 상기 제2 스택(73)은 상기 전하 생성층(72) 상에서 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서 단절되지 않고 서로 연결될 수 있다. 따라서, 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서는 상기 제2 스택(73)을 통해 전하가 이동할 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 트렌치(T)의 형상 및 유기발광층(7)의 증착 공정을 적절히 조절함으로써, 상기 제2 스택(73)도 상기 트렌치(T)를 사이에 두고 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서 단절되도록 구성할 수도 있다.

한편, 상기 전하 생성층(72)은 상기 제1 스택(71) 및 상기 제2 스택(73)에 비하여 도전성이 크다. 특히, 상기 전하 생성층(72)을 구성하는 N형 전하 생성층은 금속 물질을 포함하여 이루어질 수 있기 때문에, 상기 제1 스택(71) 및 상기 제2 스택(73)에 비하여 도전성이 크다. 따라서, 서로 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서의 전하의 이동은 주로 전하 생성층(72)을 통해 이루어지고, 상기 제2 스택(73)을 통해서 이루어지는 전하의 이동량을 미미하다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따르면, 상기 전하 생성층(72)을 상기 트렌치(T) 내부에서 단절되도록 구성함으로써 서로 인접하게 배치된 서브 화소(21, 22, 23) 사이에서의 전하의 이동을 줄여서 누설전류 발생을 방지할 수 있다.

본 출원의 일 실시예에 따르면, 상기 트렌치(T)가 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계 영역, 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이의 경계 영역에 형성되어 있다. 따라서, 상기 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계 영역, 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이의 경계 영역에서는 상기 트렌치(T)로 인해 상기 유기발광층(7)의 적어도 일부, 특히, 전하 생성층(72)이 단절되어 있기 때문에, 상기 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이에서는 누설전류 발생이 방지될 수 있다.

결과적으로, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 각 서브 화소(21, 22, 23) 별로 배치된 제1 전극(5)의 가장자리 부분인 제1 영역(A1)이 제2 영역(A2)보다 두껍게 구비됨으로써, 측면 누설 전류에 의해 인접한 서브 화소에서 발광이 이루어지더라도 측면 누설 전류에 의해 발광한 광이 제1 영역(A1)을 잘 투과하지 못하도록 하여서 발광이 이루어지는 서브 화소의 색 순도 저하를 방지할 수 있고, 각 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에 트렌치(T)를 구비함으로써, 유기발광층(7)의 전류 패스를 길게하거나 유기발광층(7)의 일부를 단절시켜서 측면 누설 전류 발생을 방지할 수 있다.

다시 도 2를 참조하면, 상기 제2 전극(8)은 상기 유기발광층(7) 상에 형성되어 있다. 상기 제2 전극(8)은 본 출원의 표시 장치(1)의 음극(Cathode)으로 기능할 수 있다. 상기 제2 전극(8)은 상기 유기발광층(7)과 마찬가지로 각각의 서브 화소(21, 22, 23) 및 그들 사이에도 형성된다.

본 출원의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 상부 발광 방식으로 이루어지기 때문에, 상기 제2 전극(8)은 상기 유기발광층(7)에서 발광된 광을 상부쪽으로 투과시키기 위해서 투명한 도전물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(8)은 반투명 전극으로 이루어질 수도 있으며 그에 따라 서브 화소(21, 22, 23) 별로 마이크로 캐버티(Micro Cavity) 효과를 얻을 수 있다. 상기 제2 전극(8)이 반투명 전극으로 이루어진 경우, 상기 제2 전극(8)과 상기 제1 전극(5)의 반사전극(52) 사이에서 광의 반사와 재반사가 반복되면서 마이크로 캐버티 효과를 얻을 수 있어 광효율이 향상될 수 있다.

상기 봉지층(9)은 상기 제2 전극(8) 상에 형성될 수 있다. 상기 봉지층(9)은 유기발광층(7), 및 제2 전극(8)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지층(9)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.

예를 들어, 봉지층(9)은 제1 무기막, 유기막, 및 제2 무기막을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기막은 제2 전극(8)을 덮도록 형성된다. 유기막은 제1 무기막을 덮도록 형성된다. 유기막은 이물들(particles)이 제1 무기막을 뚫고 유기발광층(7), 및 제2 전극(8)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 길이로 형성되는 것이 바람직하다. 제2 무기막은 유기막을 덮도록 형성된다.

상기 컬러 필터층(10)은 상기 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23) 각각에 구비되어서 각 서브 화소(21, 22, 23)의 유기발광층(7)에서 발광하는 광에서 특정 색상을 차단하기 위한 것이다. 예컨대, 제1 서브 화소(21)에 구비된 제1 컬러 필터(101)는 적색(R) 광을 제외한 나머지 색깔의 광을 차단하도록 구비될 수 있다. 이 경우, 제1 컬러 필터(101)는 적색 컬러 필터로 구비될 수 있다. 제2 서브 화소(22)에 구비된 제2 컬러 필터(102)는 녹색(G) 광을 제외한 나머지 색깔의 광을 차단하도록 구비될 수 있다. 이 경우, 제2 컬러 필터(102)는 녹색 컬러 필터로 구비될 수 있다. 제3 서브 화소(23)에 구비된 제3 컬러 필터(103)는 청색(B) 광을 제외한 나머지 색깔의 광을 차단하도록 구비될 수 있다. 이 경우, 제3 컬러 필터(103)는 청색 컬러 필터로 구비될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되지 않으며 제1 컬러 필터(101)가 녹색 컬러 필터로 구비되고, 제2 컬러 필터(102)가 적색 컬러 필터로 구비될 수도 있다. 상기 제1 내지 제3 서브 화소(21, 22, 23) 각각에 구비된 제1 내지 제3 컬러 필터(101, 102, 103)는 각 서브 화소의 크기와 동일한 크기로 구비될 수 있다.

도 2에는 편의상 세 개의 서브 화소(21, 22, 23)에서 제1 전극(5), 제1 내지 제3 펜스(61, 62, 63), 유기발광층(7), 제2 전극(8), 봉지층(9), 및 컬러 필터층(10)만을 간략하게 도시하였다.

도 3에서 알 수 있듯이, 제1 전극(5), 펜스(6), 유기발광층(7), 제2 전극(8), 봉지층(9), 및 컬러 필터층(10)이 차례로 적층되어 있다.

상기 제1 전극(5)은 서브 화소(21, 22, 23) 별로 패턴 형성되어 있다. 상기 제1 전극(5)은 펜스(6)에 의해 가려지는 제1 영역(A1), 및 펜스(6)에 가려지지 않는 제2 영역(A2)으로 구비될 수 있다. 여기서, 상기 제1 영역(A1)은 제2 영역(A2)보다 두껍게 구비될 수 있다.

상기 제1 내지 제3 펜스(61, 62, 63) 각각은 각 서브 화소(21, 22, 23) 별로 구비된 제1 전극(5) 각각의 끝단을 가리도록 구비될 수 있다.

상기 유기발광층(7)은 상기 제1 전극(5) 상에 구비된 제1 스택(71), 제2 스택(73), 및 전하 생성층(CGL)(72)을 포함하여 이루어진다.

상기 제1 스택(71)은 상기 제1 전극(5) 상에 구비되며, 정공 주입층(Hole Injecting Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transporting Layer; HTL), 청색(B) 발광층(Emitting Layer; EML(B)), 및 전자 수송층(Electron Transporting Layer; ETL)이 차례로 적층된 구조로 이루어질 수 있다.

상기 제1 스택(71)은 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계 영역, 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이의 경계 영역, 즉, 트렌치(T) 영역에서는 단절되어 있다.

상기 전하 생성층(CGL)(72)은 상기 제1 스택(71) 및 제2 스택(73)에 전하를 공급하는 역할을 한다. 상기 전하 생성층(CGL)(72)은 상기 제1 스택(71)에 전자(electron)를 공급하기 위한 N형 전하 생성층 및 상기 제2 스택(73)에 정공(hole)을 공급하기 위한 P형 전하 생성층을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 N형 전하 생성층은 금속 물질을 도펀트로 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 제2 스택(73)은 상기 제1 스택(71) 상에 구비되며, 정공 수송층(HTL), 황녹색(Yellow Green; YG) 발광층(Emitting Layer; EML(YG)), 전자 수송층(ETL), 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer; EIL)이 차례로 적층된 구조로 이루어질 수 있다.

상기 제2 스택(73)은 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계 영역, 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이의 경계 영역에서 연결되어 있다. 상기 제2 스택(73)은 제1 서브 화소(21)와 제2 서브 화소(22) 사이의 경계 영역, 및 제2 서브 화소(22)와 제3 서브 화소(23) 사이의 경계 영역에서 전부 연결되거나 일부만 연결될 수도 있다.

상기 제2 전극(8)은 상기 유기발광층(7) 상에 형성되어 있고, 상기 봉지층(9)은 상기 제2 전극(8) 상에 형성되어 있고, 상기 컬러 필터층(10)은 상기 봉지층(9) 상에 형성되어 있다. 상기 컬러 필터층(10)은 제1 서브 화소(21)에 구비된 적색(R) 컬러 필터인 제1 컬러 필터(101), 제2 서브 화소(22)에 구비된 녹색(G) 컬러 필터인 제2 컬러 필터(102), 및 제3 서브 화소(23)에 구비된 청색(B) 컬러 필터인 제3 컬러 필터(103)를 포함하여 이루어질 수 있다.

이하에서는, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)가 발광이 이루어져야 하는 서브 화소에서 인접한 서브 화소로 측면 누설 전류가 발생하더라도 인접한 서브 화소의 제1 전극(5)의 가장자리 부분(또는 제1 영역(A1))에서 측면 누설 전류로 인해 발광한 광의 투과율을 저하시켜서 발광이 이루어져야 하는 서브 화소에서 발광한 광의 색 순도 저하를 방지하는 특징에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.

먼저, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 각 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에 배치된 트렌치(T)로 인해 서브 화소 간의 측면 누설 전류를 방지할 수 있으나, 유기발광층(7)의 제1 스택(71) 및 전하생성층(72) 중 적어도 하나가 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에서 단절되지 않고 연결되거나 제2 스택(73)을 통해 측면 누설 전류가 발생하더라도 제1 전극(5)의 제1 영역(A1)의 두께를 제2 영역(A2)보다 두껍게 구비함으로써, 발광이 이루어지는 서브 화소의 색 순도 저하를 방지할 수 있다.

따라서, 각 서브 화소(21, 22, 23)에 배치되는 제1 내지 제3 서브 전극(5a, 5b, 5c) 각각을 보다 구체적으로 살펴보면, 상기 제1 내지 제3 서브 전극(5a, 5b, 5c) 각각은 접착전극(51), 반사전극(52), 및 불투명전극(53)을 포함할 수 있다.

상기 접착전극(51)은 상기 절연층(4)의 상면에 배치될 수 있다. 일 예에 따른 접착전극(51)은 절연층(4)과 반사전극(52) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착전극(51)은 상기 반사전극(52)을 상기 절연층(4)에 접착시키기 위한 것이다. 따라서, 상기 접착전극(51)은 상기 반사전극(52)을 상기 절연층(4)에 접착시킬 수 있는 물질로 구비될 수 있다.

상기 접착전극(51)은 상기 반사전극(52)의 폭과 동일하게 구비될 수 있다. 이에 따라, 상기 접착전극(51)은 상기 반사전극(52)과 상기 절연층(4)의 결합력을 증대시킴으로써, 반사전극(52)이 상기 절연층(4)으로부터 탈락되는 것을 방지할 수 있다.

상기 접착전극(51)은 투명하게 구비되거나 불투명하게 구비될 수 있다. 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 상부 발광 방식으로 구현되고, 상기 접착전극(51)은 상기 반사전극(52)의 아래에 배치되기 때문에 상기 접착전극(51)은 불투명하게 구비될 수 있다.

상기 반사전극(52)은 상기 접착전극(51)의 상면에 배치될 수 있다. 일 예에 따른 반사전극(52)은 접착전극(51)과 불투명전극(53) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사전극(52)은 상기 유기발광층(7)에서 발광한 광 중 기판(2) 쪽으로 향하는 광을 상측(또는 컬러필터층(10))으로 반사시키기 위한 것이다. 따라서, 상기 반사전극(52)은 광을 반사시킬 수 있는 물질로 구비될 수 있다. 예컨대, 상기 반사전극(52)은 알루미늄(Al)으로 구비될 수 있다.

상기 반사전극(52)이 알루미늄(Al)과 같은 금속물질로 이루어질 경우, 스텝 커버리지(Step coverage)가 낮기 때문에 절연층(4) 상에 직접 구비되면, 절연층(4)과 알루미늄 반사전극(52) 간에 결합력이 낮아져서 쉽게 탈락될 수 있다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 상기 반사전극(52)과 절연층(4) 사이에 접착전극(51)을 구비함으로써, 절연층(4)으로부터 반사전극(52)이 쉽게 탈락되는 것을 방지할 수 있다.

상기 반사전극(52)이 상기 절연층(4)으로부터 탈락되지 않으면서 광을 반사시킬 수 있는 물질로 이루어질 경우, 상기 접착전극(51)은 구비되지 않을 수 있다.

상기 불투명전극(53)은 상기 반사전극(52)의 상면에 배치될 수 있다. 일 예에 따른 불투명전극(53)은 반사전극(52)과 유기발광층(7) 사이에 배치될 수 있다. 상기 불투명전극(53)은 상기 제2 전극(8)과 전계를 형성하기 위한 것으로, 금속물질로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 불투명전극(53)은 얇게 형성되더라도 불투명하게 구비될 수 밖에 없다.

상기 불투명전극(53)이 얇게 구비되는 이유는, 상기 불투명전극(53)의 아래에는 유기발광층(7)에서 발광한 광 중 기판(2) 쪽으로 향하는 광을 컬러필터층(10) 쪽으로 반사시키기 위한 반사전극(52)이 배치되기 때문에 불투명전극(53)의 투과율을 향상시켜야 발광효율이 향상될 수 있기 때문이다. 따라서, 상기 불투명전극(53)은 서브 화소 별로 얇게 구비될 수 밖에 없다.

그런데, 유기발광층이 백색 광을 발광하도록 구비된 일반적인 표시장치의 경우, 인접한 서브 화소 간에 발생하는 측면 누설 전류로 인해 발광되지 않아야 될 서브 화소의 유기발광층(7)에서 발광한 광이 제1 전극(5)의 가장자리 부분에서 투과되어서 발광되는 서브 화소의 색 순도를 저하시키는 문제가 있다.

따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 불투명전극(53)의 가장자리 부분의 투과율을 감소시켜서 발광되는 서브 화소의 색 순도 저하를 방지할 수 있다.

보다 구체적으로, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 불투명전극(53)이 질화 티타늄(TiN)으로 구비될 수 있다. 상기 질화 티타늄(TiN)은 제2 전극(8)과 전계를 형성할 수 있는 물질로, ITO와 같은 투명전극에 비해 투과도가 낮다. 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 ITO와 같은 투명전극에 비해 투과도가 낮은 질화 티타늄(TiN)으로 불투명전극(53)을 구비하고, 상기 불투명전극(53)의 가장자리 부분의 두께를 중앙 부분보다 더 두껍게 구비함으로써, 불투명전극(53)의 가장자리의 투과도를 감소시켜서 측면 누설 전류로 인한 색 순도 저하를 방지할 수 있다.

상기 불투명전극(53)은 제1 불투명영역(531)과 제2 불투명영역(532)을 포함할 수 있다.

상기 제1 불투명영역(531)은 상기 불투명전극(53)에서 상기 제1 영역(A1)에 배치된 영역이다. 상기 제2 불투명영역(532)은 상기 불투명전극(53)에서 상기 제2 영역(A2)에 배치된 영역이다. 전술한 바와 같이, 상기 제1 영역(A1)은 제1 전극(5)의 가장자리 부분이기 때문에 인접한 서브 화소와 가장 가깝게 배치되는 부분이다. 또한, 상기 제1 영역(A1)은 측면 누설 전류로 인해 인접한 서브 화소에서 발광이 이루어지면, 발광이 이루어져야 하는 서브 화소의 색 순도를 저하시키는 부분이다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 상기 제1 불투명영역(531)의 두께(T1, 도 3에 도시됨)를 제2 불투명영역(532)의 두께(T2, 도 3에 도시됨)보다 두껍게 구비함으로써, 인접하면서 발광되지 않아야 하는 서브 화소의 제1 불투명영역(531)의 투과도를 저하시켜서 발광되어야 하는 서브 화소의 색 순도 저하를 방지할 수 있다.

일 예에 따른 제1 불투명영역(531)의 두께(T1)는 100 Å 이상일 수 있다. 제1 불투명영역(531)의 두께(T1)가 100 Å 미만이면, 제1 불투명영역(531)의 투과도 감소율이 적어서 색 순도 개선 효과가 작다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 상기 제1 불투명영역(531)의 두께(T1)가 100 Å 이상으로 구비됨으로써, 제1 불투명영역(531)의 투과도를 충분히 낮추어서 발광되어야 하는 서브 화소의 색 순도를 향상시킬 수 있다. 다만, 제1 불투명영역(531)의 두께(T1)가 무한하게 두꺼워지면 펜스(6)가 제1 불투명영역(531)을 둘러싸지 못해서 쇼트가 발생할 수 있기 때문에 상기 제1 불투명영역(531)의 두께(T1)는 펜스(6)가 제1 불투명영역(531)을 둘러쌀 수 있는 범위 내에서 구비될 수 있다.

한편, 제2 불투명영역(532)은 불투명 전극(53)에서 발광 영역에 배치된 부분이므로, 제1 불투명영역(531)에 비해 얇게 구비될 수 있다. 일 예에 따른 제2 불투명영역(532)의 두께(T2)는 30 Å 이상 50 Å 이하일 수 있다. 제2 불투명영역(532)의 두께(T2)가 30 Å 미만이면, 면저항이 증가되어서 제2 전극(8)과의 전계 형성이 잘 이루어지지 않을 수 있다. 이에 반하여, 제2 불투명영역(532)의 두께(T2)가 50 Å 을 초과하면, 두께가 너무 두꺼워짐에 따라 제2 불투명영역(532)의 투과도가 낮아져서 발광 효율이 감소되는 문제가 있다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 상기 제2 불투명영역(532)의 두께(T1)가 30 Å 이상 50 Å 이하로 구비됨으로써, 제2 전극(8)과의 전계 형성이 충분하게 이루어지게 하면서 발광 효율이 감소되지 않도록 할 수 있다.

다시 도 3을 참조하면, 상기 제1 불투명영역(531)의 폭(W1)은 제2 불투명영역(532)의 폭(W2)보다 좁게 구비될 수 있다. 상기 제1 불투명영역(531)은 비발광 영역이고, 제2 불투명영역(532)은 발광 영역이기 때문에 제2 불투명영역(532)의 폭(W2)이 제1 불투명영역(531)의 폭(W1)보다 넓어야 발광 효율이 향상될 수 있기 때문이다.

일 예에 따른 제1 불투명영역(531)의 폭(W1)은 0.1 um 이상 0.135 이하일 수 있다. 제1 불투명영역(531)의 폭(W1)이 0.1 um 미만이면, 폭이 너무 좁아서 제1 불투명영역(531)을 덮도록 펜스(6)를 형성하기가 어려울 수 있다. 상기 펜스(6)는 제1 전극(5)을 전부 덮도록 증착된 다음 마스크를 이용한 포토 공정, 및 식각공정을 통해 제1 전극(5)의 가장자리 부분만을 덮도록 형성되는데, 제1 불투명영역(531)의 폭(W1)이 너무 좁으면 마스크 제작 및 얼라인 공정이 어려워서 펜스(6)가 제1 불투명영역(531)을 덮지 못할 수 있기 때문이다. 이에 반하여, 제1 불투명영역(531)의 폭(W1)이 0.135 um 를 초과하면 비발광 영역(또는 제1 영역(A1))의 폭이 증가하여 상대적으로 발광 영역(또는 제2 영역(A2))의 폭이 감소되므로 발광 효율이 저하되는 문제가 있다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 상기 제1 불투명영역(531)의 폭(W1)이 0.1 um 이상 0.135 이하로 구비됨으로써, 제1 불투명영역(531)을 덮도록 펜스(6)를 용이하게 형성할 수 있으면서 발광 영역의 크기 감소를 방지하여 발광 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

다시 도 2를 참조하면, 상기 펜스(6)는 제1 펜스영역(61), 제2 펜스영역(62), 및 제3 펜스영역(63)을 포함할 수 있다. 상기 제1 펜스영역(61), 제2 펜스영역(62), 및 상기 제3 펜스 영역(63)은 제1 전극(5)의 가장자리 부분을 덮음으로써, 제1 전극(5)의 가장자리 부분의 전류 집중으로 인해 발광효율이 저하되는 것을 방지하면서 제2 전극(8)과의 쇼트를 방지할 수 있다.

보다 구체적으로, 제1 전극(5)이 절연층(4)의 상면에 배치되기 때문에 제1 전극(5)과 절연층(4) 사이에 단차가 형성되고, 그 위에 유기발광층(7)이 증착되기 때문에 제1 전극(5)과 절연층(4)의 단차 부분에서 유기발광층(7)의 두께가 얇게 형성될 수 있다. 따라서, 펜스(6)가 제1 전극(5)의 가장자리 부분을 덮지 않거나 펜스(6)의 두께가 얇으면 제1 전극(5)의 가장자리 부분과 제2 전극(8) 간의 거리가 가까워져서 쇼트가 발생할 수 있고, 이렇게 되면 전류가 누설되어 발광 효율이 저하될 수 있다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 펜스(6)가 제1 전극(5)의 가장자리 부분을 덮도록 구비됨으로써, 제1 전극(5)의 가장자리 부분의 전류 집중으로 인해 발광효율이 저하되는 것을 방지하면서 제2 전극(8)과의 쇼트를 방지할 수 있다.

상기 제1 펜스영역(61), 제2 펜스영역(62), 및 제3 펜스영역(63)은 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에 트렌치(T)가 형성되기 전에 제1 전극(5)을 덮도록 증착된 다음 마스크를 이용한 포토 공정, 및 식각공정을 통해 제1 전극(5)의 가장자리 부분만을 덮도록 패터닝됨으로써 형성될 수 있다.

상기 제1 펜스영역(61)은 제1 불투명영역(531)의 상면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 펜스영역(61)은 평면에서 보았을 때 제1 불투명영역(531)과 중첩될 수 있다. 상기 제1 펜스영역(61)은 제1 불투명영역(531)의 상면을 덮음으로써 전술한 바와 같이 제1 전극(5)의 가장자리 부분의 전류 집중에 의한 발광 효율 저하를 방지하면서 제2 전극(8)과의 쇼트를 방지할 수 있고, 또한 유기발광층(7)에서 발광하여 반사전극(52)에 반사된 광이 제1 불투명영역(531)을 투과하여 인접한 서브 화소 쪽으로 출사되는 것을 일부 방지할 수 있다.

상기 제1 펜스영역(61)은 제1 불투명영역(531)에 중첩되므로, 제1 펜스영역(61)의 폭(FW1, 도 2에 도시됨)은 제1 불투명영역(531)의 폭(W1, 도 3에 도시됨)과 동일하게 구비될 수 있다. 따라서, 상기 제1 펜스영역(61)의 폭(FW1)은 0.1 um 이상 0.135 이하로 구비될 수 있으며, 이에 따라 제1 펜스영역(61)은 포토 공정과 식각공정을 통해 용이하게 형성될 수 있으면서 발광 영역의 크기 감소를 방지하여 발광 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

상기 제2 펜스영역(62)은 제1 펜스영역(61)에 연결되며 제1 불투명영역(531)의 측면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2 펜스영역(62)은 평면에서 보았을 때 제1 불투명영역(531)과 인접한 절연층(4)에 중첩될 수 있다. 상기 제2 펜스영역(62)은 제1 불투명영역(531)의 측면을 덮음으로써 전술한 바와 같이 제1 전극(5)의 가장자리 부분의 전류 집중에 의한 발광 효율 저하 방지, 및 제2 전극(8)과의 쇼트를 방지할 수 있고, 또한 유기발광층(7)에서 발광하여 반사전극(52)에 반사된 광이 제1 불투명영역(531)을 투과하여 인접한 서브 화소 쪽으로 출사되는 것을 일부 방지할 수 있다.

그리고, 상기 제2 펜스영역(62)은 제1 전극(5)의 가장자리 부분을 덮도록 제1 펜스영역(61), 및 제3 펜스영역(63)과 함께 형성되므로, 제1 불투명영역(531)의 측면뿐만 아니라 반사전극(52)의 측면과 접촉전극(51)의 측면에도 접촉될 수 있다. 또한, 상기 제2 펜스영역(62)의 하면은 상기 절연층(4)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극(5)의 가장자리 부분은 상기 제1 펜스영역(61)과 제2 펜스영역(62)에 의해 덮일 수 있다.

일 예에 따른 제2 펜스영역(62)의 폭(FW2, 도 2에 도시됨)은 300 Å 이상으로 구비될 수 있다. 상기 제2 펜스영역(62)의 폭(FW2)이 300 Å 미만이면, 제2 펜스영역(62)에 의한 절연 특성이 감소되어 제1 전극(5)의 가장자리 부분과 제2 전극(8) 간에 쇼트가 발생할 수 있다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 상기 제2 펜스영역(62)의 폭(FW2)이 300 Å 이상으로 구비됨으로써, 제1 전극(5)의 가장자리 부분과 제2 전극(8) 간의 쇼트 발생을 방지할 수 있다. 다만, 이 경우에도 제2 펜스영역(62)의 폭(FW2)이 무한히 넓어지면 발광 영역의 폭이 감소되어서 발광 효율이 감소되거나 서브 화소 간의 간격이 넓어져서 고해상도로 구현되기 어려우므로, 상기 제2 펜스영역(62)의 폭(FW2)은 300 Å 이상으로 구비되되, 발광 효율이 감소되지 않으면서 서브 화소 간의 간격이 고해상도로 구현될 수 있는 범위 내로 한정될 수 있다.

한편, 제1 펜스영역(61)도 제2 펜스영역(62)과 마찬가지로, 제1 전극(5)의 가장자리 부분을 덮어서 제1 전극(5)의 가장자리 부분과 제2 전극(8) 간의 쇼트를 방지하여야 하므로, 제1 펜스영역(61)의 두께(FT1, 도 2에 도시됨)는 제2 펜스영역(62)의 폭(FW2)과 동일하게 300 Å 이상으로 구비될 수 있다. 다만, 이 경우 제1 펜스영역(61)의 두께(FT1)가 무한히 두꺼워지면 본 표시장치(1)의 전체적인 두께가 증가될 수 있기 때문에, 상기 제1 펜스영역(61)의 두께(FT1)는 300 Å 이상으로 구비되되, 본 표시장치(1)의 두께가 증가되지 않는 범위 내로 한정될 수 있다.

상기 제3 펜스영역(63)은 상기 제2 펜스영역(62)에 연결되며, 상기 절연층(4)의 상면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제3 펜스영역(63)은 평면에서 보았을 때 제1 영역(A1)과 이격되어 있으면서 트렌치(T)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제3 펜스영역(63)은 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에 트렌치(T)를 형성할 때 공정 마진을 확보하기 위한 것이다. 상기 제3 펜스영역(63)이 구비되지 않으면, 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에 트렌치(T) 형성 시 공정 마진이 확보되지 않아서 제2 펜스영역(62)의 폭(FW2)이 300 Å 미만으로 되거나 제1 전극(5)의 측면이 노출되어서 제1 전극(5)과 제2 전극(8) 간에 쇼트가 발생할 수 있다.

일 예에 따른 제3 펜스영역(63)의 폭(FW3, 도 2에 도시됨)은 700 Å 이상 1050 Å 이하로 구비될 수 있다. 제3 펜스영역(63)의 폭(FW3)이 700 Å 미만이면, 폭이 너무 좁아서 트렌치(T)를 형성하기가 어려울 수 있다. 상기 트렌치(T)는 펜스(6)가 패터닝 다음에 추가적인 포토 공정, 및 식각공정을 통해 펜스(6)의 일부와 절연층(4)의 일부를 식각하여서 형성되는데, 제3 펜스영역(63)의 폭(FW3)이 너무 좁으면 마스크 제작 및 얼라인 공정이 어려워서 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에 트렌치(T) 형성이 어렵기 때문이다. 이에 반하여, 제3 펜스영역(63)의 폭(FW3)이 1050 Å 를 초과하면 비발광 영역(또는 제1 영역(A1))의 폭이 증가하여 상대적으로 발광 영역(또는 제2 영역(A2))의 폭이 감소되므로 발광 효율이 저하되는 문제가 있다. 따라서, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 상기 제3 펜스영역(63)의 폭(FW3)이 700 Å 이상 1050 Å 이하로 구비됨으로써, 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에 트렌치(T)를 용이하게 형성할 수 있으면서 발광 영역의 크기 감소를 방지하여 발광 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

도 4는 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치와 일반적인 표시장치의 제1 전극의 두께에 따른 파장과 광 세기를 나타낸 개략적인 그래프이다. 여기서, 제1 전극의 두께는 제1 영역(A1)의 두께를 의미하고, 따라서, 도 4에 도시된 그래프는 제1 영역(A1)에서 컬러 필터층(10)을 통과하여 출사되는 광의 파장과 광 세기를 나타낸 것이다. 도 4에서 가로 축은 파장이고, 세로 축은 광 세기를 나타낸다. 여기서, 굵은 점선으로 구비된 L1은 적색 서브 화소의 제1 전극(5)의 두께가 모두 동일한 경우. 즉, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 두께가 동일한 일반적인 표시장치에서 적색 서브 화소의 제1 영역(A1)에서 적색 컬러필터를 통과하여 출사되는 광의 파장과 광 세기를 나타낸 것이고, 중간 굵기의 점선으로 구비된 L2는 제1 전극(5)의 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 두께가 동일한 일반적인 표시장치에서 녹색 서브 화소의 제1 영역(A1)에서 녹색 컬러필터를 통과하여 출사되는 광의 파장과 광 세기를 나타낸 것이며, 가는 점선으로 구비된 L3는 제1 전극(5)의 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)의 두께가 동일한 일반적인 표시장치에서 청색 서브 화소의 제1 영역(A1)에서 청색 컬러필터를 통과하여 출사되는 광의 파장과 광 세기를 나타낸 것이다.

그리고, 굵은 실선으로 구비된 L4는 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)의 제1 서브 화소(21)의 제1 영역(A1)에서 제1 컬러필터(101)를 통과하여 출사되는 광의 파장과 광 세기를 나타낸 것이고, 중간 굵기의 실선으로 구비된 L5는 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)의 제2 서브 화소(22)의 제1 영역(A1)에서 제2 컬러필터(102)를 통과하여 출사되는 광의 파장과 광 세기를 나타낸 것이며, 가는 실선으로 구비된 L6은 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)의 제3 서브 화소(23)의 제1 영역(A1)에서 제3 컬러필터(103)를 통과하여 출사되는 광의 파장과 광 세기를 나타낸 것이다.

먼저, L1과 L4를 비교하면, L1의 경우 480 nm와 570 nm 파장 사이에서 약 0.048의 피크를 갖는 광 세기, 및 590 nm와 720 nm 파장 사이에서 약 0.057의 피크를 갖는 광 세기를 갖는 반면, L4의 경우에는 480 nm와 780 nm 파장 사이에서 약 0.012의 피크를 갖는 광 세기를 갖는다. 이는, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 제1 서브 화소(21)에 배치된 제1 서브 전극(5a)에서 제1 영역(A1)의 두께가 제2 영역(A2)의 두께보다 두껍게 구비되기 때문에 제1 영역(A1)을 투과하는 광의 투과도가 감소되어서 광 세기가 감소되는 것을 의미할 수 있다. 따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, L4의 피크 광 세기는 L1의 피크 광 세기보다 낮으며, L1의 피크 광 세기보다 약 75%가 감소된 광 세기를 갖는 것을 알 수 있다.

다음, L2와 L5를 비교하면, L2의 경우 510 nm와 670 nm 파장 사이에서 약 0.051의 피크를 갖는 광 세기를 갖는 반면, L5의 경우에는 480 nm와 710 nm 파장 사이에서 약 0.013의 피크를 갖는 광 세기를 갖는다. 이는, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 제2 서브 화소(22)에 배치된 제2 서브 전극(5b)에서 제1 영역(A1)의 두께가 제2 영역(A2)의 두께보다 두껍게 구비되기 때문에 제1 영역(A1)을 투과하는 광의 투과도가 감소되어서 광 세기가 감소되는 것을 의미할 수 있다. 따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, L5의 피크 광 세기는 L2의 피크 광 세기보다 낮으며, L2의 피크 광 세기보다 약 75%가 감소된 광 세기를 갖는 것을 알 수 있다.

다음, L3와 L6을 비교하면, L3의 경우 470 nm와 590 nm 파장 사이에서 약 0.028의 피크를 갖는 광 세기, 및 590 nm와 780 nm 파장 사이에서 약 0.016의 피크를 갖는 광 세기를 갖는 반면, L6의 경우에는 480 nm와 780 nm 파장 사이에서 약 0.008의 피크를 갖는 광 세기를 갖는다. 이는, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 제3 서브 화소(23)에 배치된 제3 서브 전극(5c)에서 제1 영역(A1)의 두께가 제2 영역(A2)의 두께보다 두껍게 구비되기 때문에 제1 영역(A1)을 투과하는 광의 투과도가 감소되어서 광 세기가 감소되는 것을 의미할 수 있다. 따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, L6의 피크 광 세기는 L3의 피크 광 세기보다 낮으며, L3의 피크 광 세기보다 약 50%가 감소된 광 세기를 갖는 것을 알 수 있다.

결과적으로, 본 출원의 일 실시예에 따른 표시장치(1)는 각 서브 화소(21, 22, 23) 별로 배치되는 제1 전극(5)의 가장자리 부분인 제1 영역(A1)의 두께가 발광 영역인 제2 영역(A2)의 두께보다 두껍게 구비됨으로써, 측면 누설 전류로 인해 인접한 서브 화소의 제1 영역(A1) 쪽에서 출사되는 광의 광 세기를 감소시킬 수 있어서 발광이 이루어지는 서브 화소에서 출사되는 광의 색 순도를 향상시킬 수 있다.

도 5는 본 출원의 다른 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 단면도이다.

도 5를 참조하면, 본 출원의 다른 실시예에 따른 표시장치(1)는 제3 펜스영역(63)이 구비되지 않고, 제2 펜스영역(62)이 트렌치(T)에 인접하게 배치된 것을 제외하고, 전술한 도 2에 따른 표시장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

전술한 도 2에 따른 표시장치의 경우, 제3 펜스영역(63)이 제2 펜스영역(62)에 연결되면서 절연층(4)의 상면에 배치되어 있기 때문에, 제3 펜스영역(63)으로 인해 공정 마진이 확보되어서 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 경계 영역에 트렌치(T)를 용이하게 구현할 수 있다.

그에 반하여, 도 5에 따른 표시장치의 경우에는, 제3 펜스영역(63)이 구비되지 않고 제2 펜스영역(62)이 트렌치(T)와 접하도록 배치된다. 이는, 제2 펜스영역(62)의 폭을 도 2에 따른 표시장치에 비해 더 넓게 구비한 다음, 트렌치(T)를 형성함으로써 제2 펜스영역(62)과 트렌치(T)가 서로 인접하도록 형성할 수 있다. 다만, 이 경우에도 상기 제2 펜스영역(62)의 폭은 도 2에 따른 표시장치와 동일하게 300 Å 이상으로 구비되되, 발광 효율이 감소되지 않으면서 서브 화소 간의 간격이 고해상도로 구현될 수 있는 범위 내로 한정될 수 있다. 그리고, 상기 트렌치(T)에서는 유기발광층(7)의 일부가 단절될 수 있다. 예컨대, 상기 유기발광층(7)의 일부는 제1 스택(71) 및 전하생성층(72)일 수 있다.

결과적으로, 본 출원의 다른 실시예에 따른 표시장치(1)는 제3 펜스영역(63)이 구비되지 않고 제2 펜스영역(62)이 트렌치(T)와 접하도록 구비됨으로써, 전술한 도 2에 따른 표시장치에 비해 서브 화소(21, 22, 23) 사이의 간격을 더 줄일 수 있어서 고해상도를 구현할 수 있다.

도 6a 내지 도 6c는 본 출원의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다. 도 6a는 개략적인 사시도이고, 도 6b는 VR(Virtual Reality) 구조의 개략적인 평면도이고, 도 6c는 AR(Augmented Reality) 구조의 개략적인 단면도이다.

도 6a에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 헤드 장착형 표시 장치는 수납 케이스(11), 및 헤드 장착 밴드(13)를 포함하여 이루어진다.

상기 수납 케이스(11)는 그 내부에 표시 장치, 렌즈 어레이, 및 접안 렌즈 등의 구성을 수납하고 있다.

상기 헤드 장착 밴드(13)는 상기 수납 케이스(11)에 고정된다. 상기 헤드 장착 밴드(13)는 사용자의 머리 상면과 양 측면들을 둘러쌀 수 있도록 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 헤드 장착 밴드(13)는 사용자의 머리에 헤드 장착형 디스플레이를 고정하기 위한 것으로, 안경테 형태 또는 헬멧 형태의 구조물로 대체될 수 있다.

도 6b에서 알 수 있듯이, 본 출원에 따른 VR(Virtual Reality) 구조의 헤드 장착형 표시장치(1)는 좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b), 렌즈 어레이(12), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b) 를 포함할 수 있다.

상기 좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b), 상기 렌즈 어레이(12), 및 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)는 전술한 수납 케이스(11)에 수납된다.

좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b)는 동일한 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 2D 영상을 시청할 수 있다. 또는, 좌안용 표시 장치(2a)는 좌안 영상을 표시하고 우안용 표시 장치(2b)는 우안 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 입체 영상을 시청할 수 있다. 상기 좌안용 표시 장치(2a)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 각각은 전술한 도 1 내지 도 5에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 예컨대, 좌안용 표시 장치(2a)와 우안용 표시 장치(2b) 각각은 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display)일 수 있다.

상기 좌안용 표시 장치(2a) 및 우안용 표시 장치(2b) 각각은 복수의 서브 화소, 절연층(4), 제1 전극(5), 펜스(6), 유기발광층(7), 제2 전극(8), 봉지층(9) 및 컬러 필터층(10)을 포함할 수 있으며, 각 서브 화소 영역에서 발광하는 광의 색을 다양한 방식으로 조합하여서 다양한 영상들을 표시할 수 있다.

상기 렌즈 어레이(12)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 좌안용 표시 장치(2a) 각각과 이격되면서 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 좌안용 표시 장치(2a) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 상기 렌즈 어레이(12)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)의 전방 및 상기 좌안용 표시 장치(2a)의 후방에 위치할 수 있다. 또한, 상기 렌즈 어레이(12)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 각각과 이격되면서 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(2b) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 상기 렌즈 어레이(12)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)의 전방 및 상기 우안용 표시 장치(2b)의 후방에 위치할 수 있다.

상기 렌즈 어레이(12)는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)일 수 있다. 렌즈 어레이(12)는 핀홀 어레이(Pin Hole Array)로 대체될 수 있다. 렌즈 어레이(12)로 인해 좌안용 표시 장치(2a) 또는 우안용 표시 장치(2b)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다.

좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안(LE)이 위치하고, 우안 접안 렌즈(20b)에는 사용자의 우안(RE)이 위치할 수 있다.

도 6c에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 AR(Augmented Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(2a), 렌즈 어레이(12), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)을 포함하여 이루어진다. 도 6c에는 편의상 좌안쪽 구성만을 도시하였으며, 우안쪽 구성도 좌안쪽 구성과 동일하다.

상기 좌안용 표시 장치(2a), 렌즈 어레이(12), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)은 전술한 수납 케이스(11)에 수납된다.

상기 좌안용 표시 장치(2a)는 상기 투과창(15)을 가리지 않으면서 상기 투과 반사부(14)의 일측, 예로서 상측에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 상기 좌안용 표시 장치(2a)가 상기 투과창(15)을 통해 보이는 외부 배경을 가리지 않으면서 상기 투과 반사부(14)에 영상을 제공할 수 있다.

상기 좌안용 표시 장치(2a)는 전술한 도 1 내지 도 5에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 5에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 봉지층(9) 또는 컬러 필터층(10)이 상기 투과 반사부(14)와 마주하게 된다.

상기 렌즈 어레이(12)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 투과반사부(13) 사이에 구비될 수 있다.

상기 좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안이 위치한다.

상기 투과 반사부(14)는 상기 렌즈 어레이(12)와 상기 투과창(15) 사이에 배치된다. 상기 투과 반사부(14)는 광의 일부를 투과시키고, 광의 다른 일부를 반사시키는 반사면(14a)을 포함할 수 있다. 상기 반사면(14a)은 상기 좌안용 표시 장치(2a)에 표시된 영상이 상기 렌즈 어레이(12)로 진행하도록 형성된다. 따라서, 사용자는 상기 투과층(14)을 통해서 외부의 배경과 상기 좌안용 표시 장치(2a)에 의해 표시되는 영상을 모두 볼 수 있다. 즉, 사용자는 현실의 배경과 가상의 영상을 겹쳐 하나의 영상으로 볼수 있으므로, 증강현실(Augmented Reality, AR)이 구현될 수 있다.

상기 투과층(14)은 상기 투과 반사부(14)의 전방에 배치되어 있다.

이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

1 : 표시장치
2 : 기판 3 : 회로 소자층
4 : 절연층 5 : 제1 전극
6 : 펜스 7 : 유기발광층
8 : 제2 전극 9 : 봉지층
10 : 컬러 필터층 11 : 수납 케이스
12 : 렌즈 어레이 13 : 헤드 장착 밴드

Claims (15)

1. 복수개의 서브 화소를 구비한 기판;
   상기 기판 상에서 상기 서브 화소들 사이에 구비된 트렌치를 포함하는 절연층;
   상기 절연층 상에서 상기 서브 화소 별로 구비된 제1 전극;
   상기 제1 전극의 가장자리를 둘러싸면서 상기 서브 화소 별로 구비된 펜스;
   상기 제1 전극 및 상기 절연층 상에 구비된 유기발광층; 및
   상기 유기발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하고,
   상기 제1 전극은 상기 펜스에 의해 둘러싸이는 제1 영역과 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역을 포함하며,
   상기 제1 영역은 상기 제2 영역보다 두껍게 구비된 표시장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1 전극은,
   상기 절연층의 상면에 배치되는 접착전극;
   상기 접착전극의 상면에 배치되는 반사전극; 및
   상기 반사전극의 상면에 배치되는 불투명전극을 포함하고,
   상기 불투명전극은 상기 제1 영역에 배치된 제1 불투명영역, 및 상기 제2 영역에 배치된 제2 불투명영역을 포함하는 표시장치.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 불투명전극은 질화 티타늄(TiN)으로 구비된 표시장치.
4. 제 2 항에 있어서,
   상기 제1 불투명영역의 폭은 제2 불투명영역의 폭보다 좁은 표시장치.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 제1 불투명영역의 폭은 0.1 um 이상 0.135 um 이하인 표시장치.
6. 제 2 항에 있어서,
   상기 제1 불투명영역의 두께는 상기 제2 불투명영역의 두께보다 두꺼운 표시장치.
7. 제 6 항에 있어서,
   상기 제1 불투명영역의 두께는 100 Å 이상인 표시장치.
8. 제 6 항에 있어서,
   상기 제2 불투명영역의 두께는 30 Å 이상 50 Å 이하인 표시장치.
9. 제 2 항에 있어서,
   상기 펜스는,
   상기 제1 불투명영역의 상면에 배치되는 제1 펜스영역;
   상기 제1 펜스영역에 연결되며 상기 제1 불투명영역의 측면에 배치되는 제2 펜스영역; 및
   상기 제2 펜스영역에 연결되며 상기 절연층의 상면에 배치되는 제3 펜스영역을 포함하고,
   상기 제2 펜스영역은 상기 반사전극의 측면과 상기 접촉전극의 측면에도 접촉되는 표시장치.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 펜스영역의 폭은 0.1 um 이상 0.135 um 이하인 표시장치.
11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 펜스영역의 두께는 300 Å 이상이며,
    상기 제2 펜스영역의 폭은 300 Å 이상인 표시장치.
12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제3 펜스영역의 폭은 700 Å 이상 1050 Å 이하인 표시장치.
13. 제 9 항에 있어서,
    상기 유기발광층은,
    제1 색상의 광을 발광하는 제1 스택;
    상기 제1 색상과 상이한 제2 색상의 광을 발광하는 제2 스택; 및
    상기 제1 스택과 상기 제2 스택 사이에 구비된 전하 생성층을 포함하고,
    상기 트렌치는 상기 제3 펜스영역과 접하며,
    상기 제1 스택 및 상기 전하 생성층은 상기 트렌치에서 단절되는 표시장치.
14. 제 2 항에 있어서,
    상기 펜스는,
    상기 제1 불투명영역의 상면에 배치되는 제1 펜스영역; 및
    상기 제1 펜스영역에 연결되며 상기 제1 불투명영역의 측면에 배치되는 제2 펜스영역을 포함하고,
    상기 트렌치는 상기 제2 펜스영역와 접하며,
    상기 유기발광층의 일부는 상기 트렌치에서 단절되는 표시장치.
15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판과 이격되는 렌즈 어레이, 및 상기 기판과 상기 렌즈 어레이를 수납하는 수납 케이스를 추가로 포함하는 표시장치.

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