JP7008058B2 - 電界発光表示装置 - Google Patents

Description

技術分野１

本発明は、電界発光表示装置に関するものである。

背景技術１

電界発光表示装置は、アノード電極とカソード電極の間に発光層が形成された構造からなり、前記二つの電極間の電界により前記発光層が発光することによって画像を表示する装置である。

前記発光層は、電子と正孔の結合によりエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が生成され、生成されたエキシトンが励起状態（ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）から基底状態（ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に落ちながら発光する有機物からなり得、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）のような無機物からもなり得る。

従来の場合、前記アノード電極に反射電極を用いて、前記カソード電極に半透過電極を用いることにより、前記アノード電極と前記カソード電極の間で光の反射と再反射が繰り返されるようにして、マイクロキャビティ効果を具現した。

しかし、前記マイクロキャビティ効果を具現するためには、前記アノード電極と前記カソード電極の間の距離、すなわち、前記発光層の厚さを最適化する必要があり、この場合、前記発光層内で所定の色の光を発光する有機発光層の位置を電荷バランス（Ｃｈａｒｇｅ Ｂａｌａｎｃｅ）を最適化する位置に設定するには限界がある。

すなわち、従来の場合には、マイクロキャビティ効果と電荷バランスの最適化を同時に実現するのには限界がある。

本発明は、前述した従来の問題点を解決するために考案されたものであり、本発明は、マイクロキャビティ効果と電荷バランスの最適化を同時に実現することができる電界発光表示装置を提供することを目的とする。

前記目的を達成するために、本発明は、第１サブ画素、第２サブ画素、及び第３サブ画素を備えた基板、前記基板上で前記第１～第３サブ画素にそれぞれ備えられた第１電極、前記第１電極上に備えられた発光層、前記発光層上に備えられた第２電極、前記第２電極上に備えられた第１封止層および前記第１封止層上に備えられた第２封止層を含んでなる封止層、および前記第１封止層と前記第２封止層の間に具備され、前記第１サブ画素の第１電極と重畳する第１半透過層を含んでなる電界発光表示装置を提供する。

本発明はまた、第１サブ画素、第２サブ画素、及び第３サブ画素を備えた基板、前記基板上で前記第１サブ画素に備えられた第１反射電極、前記基板上に前記第２サブ画素に備えられた第２反射電極、前記基板上に前記第３サブ画素に備えられた第３反射電極、前記第１反射電極、前記第２反射電極、及び前記第３反射電極上に備えられた発光層、前記発光層上に備えられた透明電極、前記透明電極上に備えられた複数の封止層、前記複数の封止層のうちいずれか二つの封止層の間に具備され、前記第１反射電極と重畳するよう備えた第１半透過層、前記複数の封止層のうちいずれか二つの封止層の間に具備され、前記第２反射電極と重畳するよう備えられた第２半透過層、および前記複数の封止層のうちいずれか二つの封止層の間に具備され、前記第３反射電極と重畳するよう備えられた第３半透過層を含んでなる電界発光表示装置を提供する。

本発明の一実施例によると、第１電極の反射電極と第２電極上の半透過層の間で光の反射と再反射が繰り返され、マイクロキャビティ効果を得ることができるので、第１電極と第２電極間に備えられた発光層の厚さ、前記第２電極の厚さおよび前記第２電極と前記半透過層の間に備えられた封止層の厚さを適切に設定することにより、マイクロキャビティ効果を実現することができる。このように、マイクロキャビティ効果が前記発光層の厚さ以外にも、前記第２電極の厚さおよび封止層の厚さの調節によって具現され得るので、前記発光層内で所定の色の光を発光する有機発光層の位置を電荷バランス（Ｃｈａｒｇｅ Ｂａｌａｎｃｅ）を最適化する位置に、より容易に設定することができる。

本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な断面図である。 本発明の他の実施例による電界発光表示装置の概略的な断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図である。 図７ａ～図７ｃは、本発明のまた他の実施例に係る電界発光表示装置に関するものであり、これはヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置に関するものである。

本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示が完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されているものであり、本発明は、請求項の範疇によって定義されるだけである。

本発明の実施例を説明するための図に開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するにおいて、関連する公知技術に対する詳細な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。本明細書で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合は、「～だけ」が使用されていない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数表現の場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含む。

構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。

位置関係の説明である場合には、例えば、「～の上に」、「～の上部に」、「～の下部に」、「～の隣に」など２つの部分の位置関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもできる。

時間の関係に対する説明である場合には、例えば、「～の後」、「～に続いて」、「～次の」、「～前に」などで時間的前後関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、連続していない場合も含むことができる。

第１、第２などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下に記載されている第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもある。

本発明のいくつかの実施例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例が互いに独立して実施可能であり得、関連の関係で一緒に実施することもできる。

以下、図を参照して、本発明の好ましい実施例について詳細に説明することにする。

図１は、本発明の一実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図である。

図１に示すように、本発明の一実施例による電界発光表示装置は、基板１００、回路素子層２００、第１電極３１０、３２０、３３０、バンク４００、発光層５００、第２電極６００、封止層７１０、７２０、半透過層８１０、８２０、８３０、およびカラーフィルタ層９１０、９２０、９３０を含んでなる。

前記基板１００は、ガラスやプラスチックからなることがありますが、必ずしもそれに限定されるものではなく、シリコンウエハのような半導体物質からなることもできる。前記基板１００は、透明な材料からなることもあり、不透明な材料からなることができる。前記基板１００上に第１サブ画素（Ｐ１）、第２サブ画素（Ｐ２）、及び第３サブ画素（Ｐ３）が備えられている。前記第１サブ画素（Ｐ１）は、赤色光を放出し、前記第２サブ画素（Ｐ２）は、緑色光を放出し、前記第３サブ画素（Ｐ３）は、青色光を放出するように備えられ得るが、必ずしもそれに限定されるものではなく、例えば、それぞれのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）の配列順序は多様に変更され得る。

本発明の一実施例による電界発光表示装置は、発光した光が上部に向かって放出される、いわゆる上部発光（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｉｓｏｎ）方式からなり、したがって、前記基板１００の材料としては、透明な材料だけでなく、不透明な材料を使用することもできる。

前記回路素子層２００は、前記基板１００上に形成されている。

前記回路素子層２００には、各種の信号配線、薄膜トランジスタ、及びコンデンサなどを含む回路素子がサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに備えられている。前記信号配線は、ゲート配線、データ配線、電源配線、および基準配線を含んでなり得、前記薄膜トランジスタは、スイッチング薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタとセンシング薄膜トランジスタを含んでなり得る。

前記スイッチング薄膜トランジスタは、前記ゲート配線に供給されるゲート信号によってスイッチングされ、前記データ配線から供給されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタに供給する役割をする。

前記駆動薄膜トランジスタは、前記スイッチング薄膜トランジスタから供給されるデータ電圧によってスイッチングされ、前記電源配線から供給される電源からのデータ電流を生成して前記第１電極３１０、３２０、３３０に供給する役割をする。

前記センシング薄膜トランジスタは、画質劣化の原因となる前記駆動薄膜トランジスタの閾値電圧の偏差をセンシングする役割をするものであり、前記ゲート配線または別のセンシング配線から供給されるセンシング制御信号に応答して前記駆動薄膜トランジスタの電流を前記基準配線に供給する。

前記コンデンサは、前記駆動薄膜トランジスタに供給されるデータ電圧を一フレーム間、維持する役割をするものであり、前記駆動薄膜トランジスタのゲート端子とソース端子にそれぞれ接続する。

前記第１電極３１０、３２０、３３０は、前記回路素子層２００に備えられた駆動薄膜トランジスターと接続されている。詳細には、前記第１電極３１０、３２０、３３０は、前記回路素子層２００に備えられたコンタクトホールを介して前記駆動薄膜トランジスタのソース端子またはドレイン端子と接続している。

前記第１電極３１０、３２０、３３０は、前記回路素子層２００上でサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとにパターン形成されている。第１サブ画素（Ｐ１）に一つの第１電極３１０が形成され、第２サブ画素（Ｐ２）に他の一つの第１電極３２０が形成され、第３サブ画素（Ｐ３）に、またもう一つの第１電極３３０が形成される。

前記第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０は、第１反射電極３１１および第１透明電極３１２を含んでなる。前記第１透明電極３１２は、前記第１反射電極３１１の上面に形成されていて、したがって、前記第１反射電極３１１と前記第１透明電極３１２は、互いに電気的に接続している。前記第１反射電極３１１は、前記第１サブ画素（Ｐ１）の発光層５００で発光した光を上部に向かって反射する機能をし、前記第１透明電極３１２は、第１サブ画素（Ｐ１）で正孔を生成する陽極として機能することができる。

前記第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０は、第２反射電極３２１および第２透明電極３２２を含んでなる。前記第２透明電極３２２は、前記第２反射電極３２１の上面に形成されていて、したがって、前記第２反射電極３２１と前記第２透明電極３２２は、互いに電気的に接続している。前記第２反射電極３２１は、前記第２サブ画素（Ｐ２）の発光層５００で発光した光を上部に向かって反射する機能をし、前記第２透明電極３２２は、第２サブ画素（Ｐ２）で正孔を生成する陽極として機能することができる。

前記第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０は、第３反射電極３３１および第３透明電極３３２を含んでなる。前記第３透明電極３３２は、前記第３反射電極３３１の上面に形成されていて、したがって、前記第３反射電極３３１と前記第３透明電極３３２は、互いに電気的に接続している。前記第３反射電極３３１は、前記第３サブ画素（Ｐ３）の発光層５００で発光した光を上部に向かって反射する機能をし、前記第３透明電極３３２は、第３サブ画素（Ｐ３）で正孔を生成する陽極として機能することができる。

前記バンク４００は、前記回路素子層２００上で前記第１電極３１０、３２０、３３０の端を覆うように形成され、それによって前記第１電極３１０、３２０、３３０の端に電流が集中して発光効率が低下する問題を回避することができる。

前記バンク４００は、複数のサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界にマトリックス構造で形成され、複数のサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）それぞれに発光領域を定義する。つまり、それぞれのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）で、前記バンク４００が形成されずに露出した前記第１電極３１０、３２０、３３０の露出領域が発光領域となる。

前記バンク４００は、それぞれのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）と接する側面４１０および前記側面４１０から延長される上面４２０を含んでなる。ここで、前記バンク４００の側面４１０は、前記基板１００の上面と所定角（θ）を有するように傾斜して形成されていて、それによって、それぞれのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）の発光層５００で発光した光が、前記バンク４００の側面４１０で屈折して、隣接するサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間で混色が発生することを防止することができる。

ここで、前記それぞれのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）の発光層５００で発光した光が、前記バンク４００の側面４１０で容易に屈折するようにするために、前記バンク４００の屈折率は、前記発光層５００の屈折率よりも小さいことが好ましく、また、前記バンク４００の側面４１０が、前記基板１００の上面とのなす角（θ）は、３０°～８０°の範囲が好ましい。

また、矢印で引き出した拡大図で示すように、前記バンク４００の側面４１０に反射層４５０をさらに含むことができ、この場合、前記各サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）の発光層５００で発光した光が、前記反射層４５０で反射して、隣接するサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間で混色が発生することを防ぐことができ、それと共に電界発光表示装置の輝度も向上させることができる。図に示していないが、前記反射層４５０を、前記バンク４００の上面４２０まで延長することも可能である。

前記発光層５００は、前記第１電極３１０、３２０、３３０上に形成される。前記発光層５００は、前記バンク４００上にも形成することができる。即ち、前記発光層５００は、それぞれのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）および、それらの間の境界領域にも形成される。

前記発光層５００は、白色（Ｗ）光を発光するように備えることができる。そのために、前記発光層５００は、互いに異なる色の光を発光する複数のスタック（ｓｔａｃｋ）を含んでなり得る。

例えば、前記発光層５００は、第１色の光を発光する第１スタック（１ｓｔ Ｓｔａｃｋ）、第２色の光を発光する第２スタック（２ｎｄ Ｓｔａｃｋ）、及び前記第１スタックと第２スタックの間に備えられた電荷生成層（Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ； ＣＧＬ）を含んでなる。前記第１スタック（１ｓｔ Ｓｔａｃｋ）は、前記第１電極３１０、３２０、３３０上に順番に積層された正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、青色の有機発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）、および電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）の積層構造からなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではない。前記第２スタック（２ｎｄ Ｓｔａｃｋ）は、前記電荷生成層（ＣＧＬ）上に順番に積層された正孔輸送層、黄緑色の有機発光層、電子輸送層、および電子注入層の積層構造からなることができるが、必ずしもそれに限定されるものではではない。

場合によっては、前記発光層５００は、青色光を発光する第１スタック（１ｓｔ Ｓｔａｃｋ）、緑色光を発光する第２スタック（２ｎｄ Ｓｔａｃｋ）、赤色光を発光する第３スタック（３ｒｄ Ｓｔａｃｋ）、第１スタックと第２スタック間に備えられた第１電荷生成層、及び前記第２スタックと第３スタック間に備えられた第３電荷生成層を含んでなり得る。

前記第２電極６００は、前記発光層５００上に形成されている。前記第２電極６００は、電界発光表示装置の陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）として機能することができる。前記第２電極６００は、前記発光層５００と同様に、それぞれのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）および、それらの間の境界領域にも形成される。すなわち、前記第２電極６００は、前記バンク４００の上部上にも形成することができる。

本発明の一実施例による電界発光表示装置は、上部発光方式からなるので、前記第２電極６００は、前記発光層５００で発光した光を上部に向かって透過させることができる透明電極からなり得る。

前記封止層７１０、７２０は、前記第２電極６００上に形成されて前記発光層５００に外部の水分が浸透することを防止する役割をする。

前記封止層７１０、７２０は、前記第２電極６００の上面に形成された第１封止層７１０および前記第１封止層７１０の上面に形成された第２封止層７２０を含んでなる。前記第１封止層７１０と前記第２封止層７２０は、それぞれ無機絶縁物からなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではなく、有機絶縁物からなることもある。

前記半透過層８１０、８２０、８３０は、前記第１封止層７１０と前記第２封止層７２０の間に形成されている。したがって、前記半透過層８１０、８２０、８３０と重畳する領域で前記第１封止層７１０の上面は、前記半透過層８１０、８２０、８３０の下面と接して前記第２封止層７２０の下面は、前記半透過層８１０、８２０、８３０の上面と接する。また、前記半透過層８１０、８２０、８３０と重畳しない領域で、前記第１封止層７１０の上面は、前記第２封止層７２０の下面と接する。

前記半透過層８１０、８２０、８３０は、第１サブ画素（Ｐ１）にパターン形成された第１半透過層８１０、第２サブ画素（Ｐ２）にパターン形成された第２半透過層８２０、及び第３サブ画素（Ｐ３）にパターン形成された第３半透過層８３０を含んでなる。前記第１半透過層８１０は、第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０と重畳するように形成され、前記第２半透過層８２０は、第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０と重畳するように形成され、前記第３半透過層８３０は、第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０と重畳するように形成される。

前記半透過層８１０、８２０、８３０は、光の一部は透過して光の残りは反射する物質からなり、このような半透過層８１０、８２０、８３０は、個々のサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとにマイクロキャビティ（Ｍｉｃｒｏ Ｃａｖｉｔｙ）の効果を具現する機能をすることができる。すなわち、前記第１電極３１０、３２０、３３０の反射電極３１１、３２１、３３１と、前記半透過層８１０、８２０、８３０間で光の反射と再反射が繰り返され、マイクロキャビティ効果を得ることができる。詳細には、第１サブ画素（Ｐ１）で第１反射電極３１１と、第１半透過層８１０間で光の反射と再反射が繰り返され、第２サブ画素（Ｐ２）で第２反射電極３２１と第２半透過層８２０間で光の反射と再反射が繰り返され、第３サブ画素（Ｐ３）で第３反射電極３３１と第３半透過層８３０間で光反射と再反射が繰り返される。

一般的に、従来の場合、前記第２電極６００を半透過物質で構成することにより、前記第２電極６００と前記第１電極３１０、３２０、３３０の反射電極３１１、３２１、３３１間で光の反射と再反射が繰り返され、マイクロキャビティ効果を具現することになる。

ここで、前記マイクロキャビティ効果を具現するためには、前記第２電極６００と、前記第１電極３１０、３２０、３３０の反射電極３１１、３２１、３３１間の間隔を適切に調節しなければならず、そのために、前記発光層５００全体の厚さを適切に設定しなければならない。しかし、前記発光層５００の全体の厚さを前記マイクロキャビティ効果だけを考慮して設定するようになると、前記発光層５００内の青色または黄緑色の有機発光層の位置を電荷バランス（Ｃｈａｒｇｅ Ｂａｌａｎｃｅ）を最適化してエキシトン（ｅｘｉｔｏｎ）形成効率を向上させるための最適な位置に設定するには限界がある。

それに対して、本発明の一実施例によれば、前記半透過層８１０、８２０、８３０と、前記第１電極３１０、３２０、３３０の反射電極３１１、３２１、３３１の間で光の反射と再反射が繰り返され、マイクロキャビティ効果を得るため、前記発光層５００の全体の厚さに加えて、前記第２電極６００と前記第１封止層７１０の厚さを適切に設定して前記マイクロキャビティ効果を具現することができる。

したがって、本発明の一実施例によれば、前記発光層５００内の青色または黄緑色の有機発光層の位置が電荷バランス（Ｃｈａｒｇｅ Ｂａｌａｎｃｅ）を最適化してエキシトン（ｅｘｉｔｏｎ）形成効率を向上させるための最適の位置になるように前記発光層５００全体の厚さを設定し、このように設定された前記発光層５００の全体の厚さを考慮して、前記第２電極６００と前記第１封止層７１０の厚さを前記マイクロキャビティ効果具現に最適化するように設定することができる。

結果的に、従来の場合には、マイクロキャビティ効果とエキシトン（ｅｘｉｔｏｎ）形成効率の向上の両方を具現するのに限界があったが、本発明の一実施例によれば、前記半透過層８１０、８２０、８３０をさらに用いることで、マイクロキャビティ効果とエキシトン（ｅｘｉｔｏｎ）形成効率の向上の両方を実現することができる。

一方、前記第１半透過層８１０、前記第２半透過層８２０、及び前記第３半透過層８３０は、所定の間隔で互いに離隔していて、特に、前記バンク４００と、重畳しているサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界部分で互いに離隔している。即ち、前記第１半透過層８１０、前記第２半透過層８２０、及び前記第３半透過層８３０は、前記サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界部分に形成されていない。

このように、前記第１半透過層８１０、前記第２半透過層８２０、及び前記第３半透過層８３０が、前記サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界部分で互いに離隔しているので、それぞれのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）の発光層５００から放出された光が、前記サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界部分で反射して、隣接するサブ画素（Ｐ１、 Ｐ２、Ｐ３）に進入することが減り、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の混色の問題が減少し得る。

前記サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の混色の問題を軽減するために、前記第１半透過層８１０、前記第２半透過層８２０、及び前記第３半透過層８３０は、前記バンク４００の上面４２０と、重畳しないように形成することが好ましいが、必ずしもそれに限定されるものではない。前記第１半透過層８１０、前記第２半透過層８２０、及び前記第３半透過層８３０が、前記バンク４００の上面４２０と重畳しないように形成する場合、前記バンク４００の上面４２０と重畳する領域で前記第１封止層７１０の上面は、前記第２封止層７２０の下面と接する。

前記半透過層８１０、８２０、８３０は、マイクロキャビティの具現のためのものであって、前記発光層５００の発光のための電極として機能しない。したがって、前記半透過層８１０、８２０、８３０は、非導電性物質からなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではなく、導電性物質からもなり得る。

前記カラーフィルタ層９１０、９２０、９３０は、前記封止層７１０、７２０上に形成されている。特に、前記カラーフィルタ層９１０、９２０、９３０は、第２封止層７２０の上面に形成されている。前記カラーフィルタ層９１０、９２０、９３０は、第１サブ画素（Ｐ１）に備えられた第１カラーフィルタ層９１０、第２サブ画素（Ｐ２）に備えられた第２カラーフィルタ層９２０、及び第３サブ画素（Ｐ３）に備えられた第３カラーフィルタ層９３０を含んでなる。

前記第１カラーフィルタ層９１０は、前記第１半透過層８１０と重畳し、前記第２カラーフィルタ層９２０は、前記第２半透過層８２０と重畳し、前記第３カラーフィルタ層９３０は、前記第３半透過層８３０と重畳する。前記第１カラーフィルタ層９１０は、赤色（Ｒ）カラーフィルタ層からなり、前記第２カラーフィルタ層９２０は、緑色（Ｇ）カラーフィルタ層からなり、前記第３カラーフィルタ層９３０は、青色（Ｂ）カラーフィルタ層からなり得る。

図２は、本発明の他の実施例による電界発光表示装置の概略的な断面図であって、これは半透過層８１０、８２０、８３０および封止層７１０、７２０、７３０、７４０の構成を変更したことを除いて前述した図１による電界発光表示装置と同じである。したがって、同一の構成に対して同一の符号を付与し、以下では、異なる構成についてのみ説明することにする。

図２に示すように、封止層７１０、７２０、７３０、７４０は、第２電極６００上に形成された第１封止層７１０、前記第１封止層７１０上に形成された第２封止層７２０、前記第２封止層７２０上に形成された第３封止層７３０、及び前記第３封止層７３０上に形成された第４封止層７４０を含んでなる。

前記半透過層８１０、８２０、８３０は、第１サブ画素（Ｐ１）にパターン形成された第１半透過層８１０、第２サブ画素（Ｐ２）にパターン形成された第２半透過層８２０、及び第３サブ画素（Ｐ３）にパターン形成された第３半透過層８３０を含んでなる。

前記第１半透過層８１０は、前記第３封止層７３０と前記第４封止層７４０の間に形成され、前記第２半透過層８２０は、前記第２封止層７２０と前記第３封止層７３０の間に形成され、前記第３半透過層８３０は、前記第１封止層７１０と前記第２封止層７２０の間に形成されている。

したがって、前記第１半透過層８１０と重畳する領域で、前記第１封止層７１０の上面は前記第２封止層７２０の下面と接し、前記第２封止層７２０の上面は前記第３封止層７３０の下面と接し、前記第３封止層７３０の上面は前記第１半透過層８１０の下面と接し、前記第４封止層７４０の下面は前記第１半透過層８１０の上面と接する。

また、前記第２半透過層８２０と重畳する領域で、前記第１封止層７１０の上面は前記第２封止層７２０の下面と接し、前記第２封止層７２０の上面は前記第１半透過層８１０の下面と接し、前記第３封止層７３０の下面は前記第１半透過層８１０の上面と接し、第３封止層７３０の上面は前記第４封止層７４０の下面と接する。

また、前記第３半透過層８３０と重畳する領域で、前記第１封止層７１０の上面は前記第１半透過層８１０の下面と接し、前記第２封止層７２０の下面は前記第１半透過層８１０の上面と接し、前記第２封止層７２０の上面は前記第３封止層７３０の下面と接し、前記第３封止層７３０の上面は前記第４封止層７４０の下面と接する。

また、前記半透過層８１０、８２０、８３０と重畳しない領域では、前記第１封止層７１０の上面は前記第２封止層７２０の下面と接し、前記第２封止層７２０の上面は前記第３封止層７３０の下面と接し、前記第３封止層７３０の上面は前記第４封止層７４０の下面と接する。

このように、本発明の他の実施例によると、前記第１半透過層８１０、前記第２半透過層８２０、及び前記第３半透過層８３０が互いに異なる層に形成されて互いに異なる高さに位置するので、前記第１半透過層８１０と前記第１反射電極３１１の間の第１距離（Ｄ１）、前記第２半透過層８２０と前記第２反射電極３２１間の第２距離（Ｄ２）、及び前記第３半透過層８３０と前記第３反射電極３３１間の第３距離（Ｄ３）が互いに異なるようになり、それによって、個々のサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに容易にマイクロキャビティ効果を実現することができる。

詳細に説明すると、前記半透過層８１０、８２０、８３０と前記反射電極３１１、３２１、３３１間で光の反射と再反射が繰り返されるにおいて、前記半透過層８１０、８２０、８３０と前記反射電極３１１、３２１、３３１間の距離が、特定の波長の光の半波長（λ／２）の整数倍になると補強干渉が起こり、光の外部抽出効率が向上し得る。したがって、特定の波長の光の外部抽出効率を向上させるためには、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）ごとに、前記半透過層８１０、８２０、８３０と前記反射電極３１１、３２１、３３１間の距離を特定の波長の光の半波長（λ／２）の整数倍になるよう異なって設定しなければならない。

本発明の他の実施例では、前記第１半透過層８１０、前記第２半透過層８２０、及び前記第３半透過層８３０が互いに異なる高さに位置するので、前記第１半透過層８１０と前記第１反射電極３１１間の第１距離（Ｄ１）、第２半透過層８２０と前記第２反射電極３２１間の第２距離（Ｄ２）、前記第３半透過層８３０と前記第３反射電極３３１間の第３距離（Ｄ３）が互いに異なるようになる。ここで、前記第１封止層７１０、前記第２封止層７２０、及び前記第３封止層７３０の厚さを適切に設定することにより、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに光の半波長（λ／２）の整数倍になるように、前記第１距離（Ｄ１）、第２距離（Ｄ２）、及び前記第３距離（Ｄ３）が容易に設定される。

例えば、長波長である赤色（Ｒ）の光を放出する第１サブ画素（Ｐ１）では、前記第１半透過層８１０と前記第１反射電極３１１間の第１距離（Ｄ１）を最も大きく設定し、短波長の青色（Ｂ）の光を放出する第３サブ画素（Ｐ３）では、前記第３半透過層８３０と前記第３反射電極３３１間の第３距離（Ｄ３）最も小さく設定することができる。ただし、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに特定の波長の光の半波長（λ／２）の整数倍を１倍、２倍、または３倍など、多様に変更することができるので、必ず長波長である赤色（Ｒ）の光を放出する第１サブ画素（Ｐ１）での第１距離（Ｄ１）を最も大きく設定しなければならないのではない。

図３は、本発明のまた他の実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図であって、これは反射電極３１１、３２１、３３１の構成を変更したことを除いて前述した図１による電界発光表示装置と同一である。したがって、同一の構成に対して同一の符号を付与し、以下では、異なる構成についてのみ説明することにする。

図３に示すように、第１透明電極３１２は、第１厚さ（ｔ１）を有し、第２透明電極３２２は第２厚さ（ｔ２）を有し、第３透明電極３３２は第３厚さ（ｔ３）を有する。ここで、前記第１厚さ（ｔ１）、第２厚さ（ｔ２）、及び前記第３厚さ（ｔ３）は、すべて異なり得る。例として、第１厚さ（ｔ１）が最も厚く、前記第２厚さ（ｔ２）は中間であり、前記第３厚さ（ｔ３）は最も薄いことがあり得る。

それによって、前記第１半透過層８１０と前記第１反射電極３１１間の第１距離（Ｄ１）、第２半透過層８２０と前記第２反射電極３２１の間の第２距離（Ｄ２）、及び前記第３半透過層８３０と前記第３反射電極３３１間の第３距離（Ｄ３）が互いに異なるようになり、前述した図２に示すように、個々のサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに容易にマイクロキャビティ効果を具現することができる。

一方、図に示していないが、図３の構造で半透過層８１０、８２０、８３０、および封止層７１０、７２０の構成を前述した図２の半透過層８１０、８２０、８３０および封止層７１０、７２０、７３０、７４０の構成に変更することもできる。

図４は、本発明のまた他の実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図であって、これは反射電極３１１、３２１、３３１と透明電極３１２、３２２、３３２の構成を変更したことを除いて、前述した図１による電界発光表示装置と同じである。したがって、同一の構成に対して同一の符号を付与し、以下では、異なる構成についてのみ説明することにする。

図４に示すように、第１サブ画素（Ｐ１）領域の場合において、第１反射電極３１１は、回路素子層２００上に形成されていて、前記第１反射電極３１１上に第１層間絶縁層３５１が形成されていて、前記第１層間絶縁層３５１上に第２層間絶縁層３５２が形成されていて、前記第２層間絶縁層３５２上に第３層間絶縁層３５３が形成されていて、前記第３層間絶縁層３５３上に第１透明電極３１２が形成されている。前記第１透明電極３１２は、前記第１層間絶縁層３５１、前記第２層間絶縁層３５２、及び前記第３層間絶縁層３５３に備えられたコンタクトホールを介して前記第１反射電極３１１と電気的に接続することができる。ただし、前記第１透明電極３１２が前記第１反射電極３１１と電気的に接続せずに、前記回路素子層２００に備えられた駆動薄膜トランジスタのソース端子またはドレイン端子と直接に接続することもできる。

第２サブ画素（Ｐ２）の領域の場合において、前記第１層間絶縁層３５１が、前記回路素子層２００上に形成されていて、前記第１層間絶縁層３５１上に第２反射電極３２１が形成されていて、前記第２反射電極３２１上に第２層間絶縁層３５２が形成されていて、前記第２層間絶縁層３５２上に第３層間絶縁層３５３が形成されていて、前記第３層間絶縁層３５３上に第２透明電極３２２が形成されている。前記第２透明電極３２２は、前記第２層間絶縁層３５２、及び前記第３層間絶縁層３５３に備えられたコンタクトホールを介して前記第２反射電極３２１と電気的に接続することができる。ただし、前記第２透明電極３２２が前記第２反射電極３２１と電気的に接続せずに、前記回路素子層２００に備えられた駆動薄膜トランジスタのソース端子またはドレイン端子と直接に接続することもできる。

第３サブ画素（Ｐ３）領域の場合において、前記第１層間絶縁層３５１が、前記回路素子層２００上に形成されていて、前記第１層間絶縁層３５１上に第２層間絶縁層３５２が形成されていて、前記第２層間絶縁層３５２上に第３反射電極３３１が形成されていて、前記第３反射電極３３１上に第３層間絶縁層３５３が形成されていて、前記第３層間絶縁層３５３上に第３透明電極３３２が形成されている。前記第３透明電極３３２は、前記第３層間絶縁層３５３に備えられたコンタクトホールを介して前記第３反射電極３３１と電気的に接続することができる。ただし、前記第３透明電極３３２が前記第３反射電極３３１と電気的に接続せずに、前記回路素子層２００に備えられた駆動薄膜トランジスタのソース端子またはドレイン端子と直接に接続することもできる。

このように、本発明のまた他の実施例によると、前記第１反射電極３１１、前記第２反射電極３２１、及び前記第３反射電極３３１が互いに異なる層に形成されて、互いに異なる高さに位置するので、前記第１半透過層８１０と前記第１反射電極３１１間の第１距離（Ｄ１）、前記第２半透過層８２０と前記第２反射電極３２１間の第２距離（Ｄ２）、及び前記第３半透過層８３０と前記第３反射電極３３１間の第３距離（Ｄ３）が互いに異なるようになり、それによって、個々のサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに容易にマイクロキャビティ効果を具現することができる。

一方、図に示していないが、図４の構造で半透過層８１０、８２０、８３０、および封止層７１０、７２０の構成を前述した図２の半透過層８１０、８２０、８３０および封止層７１０、７２０、７３０、７４０の構成に変更することもできる。

図５は、本発明のまた他の実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図であって、これは反射電極３１１、３２１、３３１と透明電極３１２、３２２、３３２の構成を変更したことを除いて、前述した図１による電界発光表示装置と同じである。したがって、同一の構成に対して同一の符号を付与し、以下では、異なる構成についてのみ説明することにする。

図５に示すように、第１サブ画素（Ｐ１）領域の場合において、第１反射電極３１１が回路素子層２００上に形成されていて、前記第１反射電極３１１上に第１層間絶縁層３５１が形成されていて、前記第１層間絶縁層３５１上に第１接続電極３７１が形成されていて、前記第１接続電極３７１上に第２層間絶縁層３５２が形成されていて、前記第２層間絶縁層３５２上に第３層間絶縁層３５３が形成されていて、前記第３層間絶縁層３５３上に第１透明電極３１２が形成されている。前記第１接続電極３７１は、前記第１層間絶縁層３５１に形成されたコンタクトホールを介して前記第１反射電極３１１と接続していて、前記第１透明電極３１２は、前記第２層間絶縁層３５２および前記第３層間絶縁層３５３に備えられたコンタクトホールを介して前記第１接続電極３７１と接続している。ただし、前記第１透明電極３１２が前記第１接続電極３７１を介して前記第１反射電極３１１と電気的に接続せずに、前記回路素子層２００に備えられた駆動薄膜トランジスタのソース端子またはドレイン端子と直接に接続することもでき、この場合、前記第１接続電極３７１が省略される。

第２サブ画素（Ｐ２）領域の場合において、第２反射電極３２１が回路素子層２００上に形成されていて、前記第２反射電極３２１上に第１層間絶縁層３５１が形成されていて、前記第１層間絶縁層３５１上に第２接続電極３７２が形成されていて、前記第２接続電極３７２上に第２層間絶縁層３５２が形成されていて、前記第２層間絶縁層３５２上に第２透明電極３２２が形成されている。前記第２接続電極３７２は、前記第１層間絶縁層３５１に形成されたコンタクトホールを介して前記第２反射電極３２１と接続していて、前記第２透明電極３２２は、前記第２層間絶縁層３５２に備えられたコンタクトホールを介して前記第２接続電極３７２と接続している。ただし、前記第２透明電極３２２が前記第２接続電極３７２を介して前記第２反射電極３２１と電気的に接続せずに、前記回路素子層２００に備えられた駆動薄膜トランジスタのソース端子またはドレイン端子と直接に接続することもでき、この場合、前記第２接続電極３７２が省略される。

第３サブ画素（Ｐ３）領域の場合において、第３反射電極３３１が回路素子層２００上に形成されていて、前記第３反射電極３３１上に第１層間絶縁層３５１が形成されていて、前記第１層間絶縁層３５１上に第３接続電極３７３が形成されていて、前記第３接続電極３７３上に第３透明電極３３２が形成されている。前記第３接続電極３７３は、前記第１層間絶縁層３５１に形成されたコンタクトホールを介して前記第３反射電極３３１と接続していて、前記第３透明電極３３２は、前記第３接続電極３７３の上面に直接に形成されている。ただし、前記第３透明電極３３２が前記第１層間絶縁層３５１に形成されたコンタクトホールを介して、前記第３反射電極３３１と直接接続することもでき、この場合、前記第３接続電極３７３は省略することができる。また、前記第３透明電極３３２が前記第３反射電極３３１と電気的に接続せずに、前記回路素子層２００に備えられた駆動薄膜トランジスタのソース端子またはドレイン端子と直接に接続することもでき、この場合、前記第３接続電極３７３は省略される。

前記第１サブ画素（Ｐ１）に備えられた第２層間絶縁層３５２と前記第２サブ画素（Ｐ２）に備えられた第２層間絶縁層３５２は、互いに離隔していて、前記離隔空間には、バンク４００が形成され得る。前記第２層間絶縁層３５２は、前記第３サブ画素（Ｐ３）には備えられないことがあり得る。また、前記第３層間絶縁層３５３は、前記第２サブ画素（Ｐ２）及び前記第３サブ画素（Ｐ３）に備えられないことがあり得る。

このように、本発明のまた他の実施例によると、前記第１透明電極３１２、前記第２透明電極３２２、及び前記第３透明電極３３２が互いに異なる層に形成されて、互いに異なる高さに位置するので、前記第１半透過層８１０と前記第１反射電極３１１間の第１距離（Ｄ１）、第２半透過層８２０と前記第２反射電極３２１間の第２距離（Ｄ２）、及び前記第３半透過層８３０と前記第３反射電極３３１間の第３距離（Ｄ３）が互いに異なるようになり、それによって、個々のサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに容易にマイクロキャビティ効果を具現することができる。

一方、図に示していないが、図５の構造で半透過層８１０、８２０、８３０、および封止層７１０、７２０の構成を前述した図２の半透過層８１０、８２０、８３０および封止層７１０、７２０、７３０、７４０の構成に変更することもできる。

図６は、本発明の他の実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図であって、これはサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界にトレンチ（Ｔ）をさらに備えた点で、前述した図１による電界発光表示装置と異なる。したがって、同一の構成に対して同一の符号を付与し、以下では、異なる構成についてのみ説明することにする。

図６に示すように、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界領域にトレンチ（Ｔ）が形成されている。前記トレンチ（Ｔ）は、バンク４００と回路素子層２００に形成することができる。すなわち、前記トレンチ（Ｔ）は、前記バンク４００を貫通して前記回路素子層２００の上側一部、例として平坦化層まで形成することができる。ただし、必ずしもそれに限定されるものではなく、前記トレンチ（Ｔ）が前記バンク４００を貫通せずに、前記バンク４００の上側の一部に形成することも可能である。

本発明のまた他の実施例によると、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界領域にトレンチ（Ｔ）が形成されているので、発光層５００が、前記トレンチ（Ｔ）内に形成され得る。したがって、隣接するサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間に電流パスが長く形成され、隣接するサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間に漏洩電流が発生することを減らすことができる。つまり、高解像度を実現するために、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の間隔が稠密に構成された場合において、いずれか一つのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）内の発光層５００で発光がなされた場合、その発光層５００内の電荷が隣接する他のサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）内の発光層５００に移動し、漏洩リーク電流が発生する可能性がある。

したがって、本発明のまた他の実施例では、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界にトレンチ（Ｔ）を形成して前記発光層５００を、前記トレンチ（Ｔ）内に形成することにより、隣接するサブ画素（ Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の電流パスを長く形成して抵抗を増加させることで、漏洩電流の発生を低減できるようにしたものである。

特に、前記発光層５００は、第１スタック５１０、第２スタック５３０、及び前記第１スタック５１０と第２スタック５３０の間に備えられた電荷生成層５２０を含んでなり得る。

前記第１スタック５１０は、前記トレンチ（Ｔ）内部の側面に形成され、前記トレンチ（Ｔ）内部の下面にも形成することができる。ここで、前記トレンチ（Ｔ）内部の側面に形成された第１スタック５１０の一部と、前記トレンチ（Ｔ）内部の下面に形成された第１スタック５１０の一部は、相互に接続せず、断絶している。したがって、前記トレンチ（Ｔ）内部の一側面、例として左側の側面に形成された第１スタック５１０の一部と、前記トレンチ（Ｔ）内の他の側面、例として、右側の側面に形成された第１スタック５１０の一部分は、互いに接続せず、断絶している。これにより、前記トレンチ（Ｔ）を挟んで隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間では、前記第１スタック５１０を介して電荷が移動することができない。

また、前記電荷生成層５２０は、前記トレンチ（Ｔ）内部の側面から前記第１スタック５１０上に形成され得る。ここで、前記トレンチ（Ｔ）内部の一側面、例として左側の側面に形成された電荷生成層５２０の一部と、前記トレンチ（Ｔ）内の他の側面は、例として、右側の側面に形成された電荷生成層５２０の一部は、互いに接続せず、断絶している。これにより、前記トレンチ（Ｔ）を挟んで隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間では、前記電荷生成層５２０を介して電荷が移動することができない。

また、前記第２スタック５３０は、前記電荷生成層５２０上で、前記トレンチ（Ｔ）を挟んで隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間で断絶されずに、互いに接続することができる。したがって、前記トレンチ（Ｔ）を挟んで隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間では、前記第２スタック５３０を介して電荷が移動することができる。ただし、必ずしもそれに限定されるものではなく、前記トレンチ（Ｔ）の形状および発光層５００の蒸着工程を適切に調節することにより、前記第２スタック５３０も前記トレンチ（Ｔ）を挟んで隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間で断絶するように構成することもできる。特に、前記電荷生成層５２０と隣接する前記第２スタック５３０下部の一部分だけがサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の領域で断絶され得る。

前記電荷生成層５２０は、前記第１スタック５１０及び前記第２スタック５３０に比べて導電性が高い。特に、前記電荷生成層５２０を構成するＮ型電荷生成層は、金属物質を含んでなり得るので、前記第１スタック５１０及び前記第２スタック５３０に比べて導電性が高い。したがって、互いに隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間での電荷の移動は、主に電荷生成層５２０を介して行われ、前記第２スタック５３０を介して行われる電荷の移動量は微々である。

したがって、本発明のまた他の実施例では、前記発光層５００が、前記トレンチ（Ｔ）内に形成される時、前記トレンチ（Ｔ）内で前記発光層５００の一部が断絶するように構成することにより、特に、前記第１スタック５１０と、前記電荷生成層５２０が断絶するように構成することにより、隣接するサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間に漏洩電流が発生することを防止することができる。

図７ａ～図７ｃは、本発明の他の実施例に係る電界発光表示装置に関するものであり、これはヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置に関するものである。図７ａは概略的な斜視図であり、図７ｂは、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造の概略的な平面図であり、図７ｃは、ＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造の概略的な断面図である。

図７ａから分かるように、本発明に係るヘッドマウント表示装置は、収納ケース１０、とヘッド装着バンド３０を含んでなる。

前記収納ケース１０は、その内部に表示装置、レンズアレイ、および接眼レンズなどの構成を収納している。

前記ヘッド装着バンド３０は、前記収納ケース１０に固定される。前記ヘッド装着バンド３０は、使用者の頭の上面と両側面を囲むように形成された例を示したが、これに限定されない。前記ヘッド装着バンド３０は、使用者の頭にヘッドマウントディスプレイを固定するためのものであり、メガネフレーム形態やヘルメット形態の構造物に代替することができる。

図７ｂから分かるように、本発明に係るＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造のヘッドマウントディスプレイは、左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１、レンズアレイ１３、および左眼接眼レンズ２０ａと右眼接眼レンズ２０ｂを含んでなる。

前記左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１は、前記レンズアレイ１３、及び前記左眼接眼レンズ２０ａと右眼接眼レンズ２０ｂは、前述した収納ケース１０に収納されている。

前記左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１は、同じ映像を表示することができ、この場合、使用者は、２Ｄ映像を視聴することができる。または、前記左眼用表示装置１２は、左眼映像を表示して、前記右眼用表示装置１１は、右眼映像を表示することができ、この場合、使用者は、立体映像を視聴することができる。前記左眼用表示装置１２と前記右眼用表示装置１１のそれぞれは、前述した多様な実施例による電界発光表示装置からなり得る。ここで、前述した多様な実例に係る電界発光表示装置で画像が表示される面、例として、カラーフィルタ層９１０、９２０、９３０が、前記レンズアレイ１３と向き合うことになる。

前記レンズアレイ１３は、前記の左眼接眼レンズ２０ａと前記左眼用表示装置１２のそれぞれと離隔し、前記左眼接眼レンズ２０ａと前記左眼用表示装置１２の間に備えることができる。すなわち、前記レンズアレイ１３は、前記の左眼接眼レンズ２０ａの前方及び前記左眼用表示装置１２の後方に位置することができる。また、前記レンズアレイ１３は、前記右眼接眼レンズ２０ｂと前記右眼用表示装置１１それぞれと離隔し、前記右眼接眼レンズ２０ｂと前記右眼用表示装置１１間に備えることができる。すなわち、前記レンズアレイ１３は、前記右眼接眼レンズ２０ｂの前方及び前記右眼用表示装置１１の後方に位置することができる。

前記レンズアレイ１３は、マイクロレンズアレイ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｅｎｓ Ａｒｒａｙ）であり得る。前記レンズアレイ１３は、ピンホールアレイ（Ｐｉｎ Ｈｏｌｅ Ａｒｒａｙ）に代替することができる。前記レンズアレイ１３により、左眼用表示装置１２または右眼用表示装置１１に表示される映像は、使用者に拡大して見え得る。

前記左眼接眼レンズ２０ａには、使用者の左眼（ＬＥ）が位置し、前記右眼接眼レンズ２０ｂには、使用者の右眼（ＲＥ）が位置することができる。

図７ｃから分かるように、本発明に係るＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造のヘッドマウントディスプレイは、左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ、透過反射部１４、および透過窓１５を含んでなる。図７ｃは便宜上、左内側の構成だけを示し、右内側の構成も左内側の構成と同じである。

前記左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ、透過反射部１４、および透過窓１５は、前述した収納ケース１０に収納される。

前記左眼用表示装置１２は、前記透過窓１５を覆わずに、前記の透過反射部１４の一側、例として上側に位置することができる。これにより、前記左眼用表示装置１２が前記透過窓１５を介して見える外部の背景を遮らずに、前記透過反射部１４に映像を提供することができる。

前記左眼用表示装置１２は、前述した多様な実施例による電界発光表示装置からなり得る。ここで、前述した多様な実例に係る電界発光表示装置で画像が表示される面、例として、カラーフィルタ層９１０、９２０、９３０が、前記透過反射部１４と向き合うことになる。

前記レンズアレイ１３は、前記の左眼接眼レンズ２０ａと前記透過反射部１４間に備えることができる。

前記左眼接眼レンズ２０ａには、使用者の左眼が位置する。

前記透過反射部１４は、前記レンズアレイ１３と前記透過窓１５の間に配置される。前記透過反射部１４は、光の一部を透過させ、光の他の一部を反射させる反射面１４ａを含むことができる。前記反射面１４ａは、前記左眼用表示装置１２に示される映像が、前記レンズアレイ１３に進むように形成される。したがって、使用者は、前記透過窓１５を介して、外部の背景と前記左眼用表示装置１２によって表示される映像の両方を見ることができる。つまり、使用者は現実の背景と仮想の映像を重ねて一つの映像として見ることができるので、拡張現実（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ，ＡＲ）を具現することができる。

前記透過窓１５は、前記透過反射部１４の前方に配置されている。

以上の多様な実施例では、前記発光層５００が白色の光を発光する様子だけを示したが、必ずしもそれに限定されるものではなく、前記発光層５００が、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに異なる色の光を発光するように備えることもできる。

以上、添付した図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例で限定されるわけではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施することができる。したがって、本発明に開示した実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。従って、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

１００：基板
２００：回路素子層
３１０、３２０、３３０：第１電極
３１１、３２１、３３１：第１、第２、第３反射電極
３１２、３２２、３３２：第１、第２、第３透明電極
４００：バンク５００：発光層
６００：第２電極
７１０、７２０、７３０、７４０：第１、第２、第３、第４封止層
８１０、８２０、８３０：第１、第２、第３半透過層
９１０、９２０、９３０：第１、第２、第３カラーフィルタ層

Claims (20)

1. 第１サブ画素、第２サブ画素、および第３サブ画素を備えた基板、
   前記基板上で前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素のそれぞれに備えられた第１電極、
   前記第１電極上に備えられた発光層であって、第１スタック、前記第１スタック上に備えられた第２スタック、および前記第１スタックと前記第２スタックとの間に配された電荷生成層を含む、発光層、
   前記発光層上に備えられた第２電極、
   前記第２電極上に備えられた第１封止層および前記第１封止層上に備えられた第２封止層を含んでなる封止層、
   前記第１封止層と前記第２封止層の間に具備され、前記第１サブ画素の前記第１電極と重畳する第１半透過層、および
   前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素の各々の間の境界領域に備えられたバンク
   を含み、
   前記バンクは、前記バンクの上面から内部に延びるトレンチが備えられており、
   前記第１スタックは、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素に亘って連続せずに、前記トレンチ内部の側面に形成された前記第１スタックの一部が前記トレンチ内部の下面に形成された前記第１のスタックの一部から断絶するように、前記トレンチ内で断絶しており、前記電荷生成層は、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素に亘って連続せずに、前記トレンチ内で断絶しており、前記第２スタックは、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素に亘って連続して設けられている、電界発光表示装置。
2. 前記第１サブ画素の前記第１電極が、第１反射電極および前記第１反射電極上に備えられた第１透明電極を含んでなり、前記第２電極は、透明電極からなる請求項１に記載の電界発光表示装置。
3. 前記第１サブ画素と前記第２サブ画素間の境界領域で前記第１封止層と前記第２封止層とが、互いに接している請求項１または２に記載の電界発光表示装置。
4. 前記第１半透過層が、前記バンクの前記上面と重畳する領域には備えられない請求項１から３のいずれか一項に記載の電界発光表示装置。
5. 前記バンクの側面が、前記基板の上面と３０°～８０°の範囲の角度を有しながら傾いている請求項１から３のいずれか一項に記載の電界発光表示装置。
6. 前記バンクの側面に反射層が備えられている請求項１から３のいずれか一項に記載の電界発光表示装置。
7. 前記第２サブ画素の前記第１電極と重畳し、前記第２電極上に備えられた第２半透過層、および前記第３サブ画素の前記第１電極と重畳し、前記第２電極上に備えられた第３半透過層をさらに含んでなる請求項１から６のいずれか一項に記載の電界発光表示装置。
8. 前記第２半透過層と前記第３半透過層が、前記第１封止層と前記第２封止層の間に備えられている請求項７に記載の電界発光表示装置。
9. 前記第２半透過層と前記第３半透過層が、前記第１半透過層と異なる位置に備えられている請求項７に記載の電界発光表示装置。
10. 前記第１サブ画素の前記第１電極が、第１反射電極を含み、前記第２サブ画素の前記第１電極は、第２反射電極を含み、前記第３サブ画素の前記第１電極は、第３反射電極を含み、
    前記第１反射電極から前記第１半透過層までの第１距離、前記第２反射電極から前記第２半透過層までの第２距離、および前記第３反射電極から前記第３半透過層までの第３距離が、互いに異なる請求項７に記載の電界発光表示装置。
11. 前記封止層が、前記第２封止層上に備えられた第３封止層および前記第３封止層上に備えられた第４封止層をさらに含み、
    前記第２半透過層は、前記第２封止層と前記第３封止層の間に設置されていて、
    前記第３半透過層は、前記第３封止層と前記第４封止層の間に備えられている請求項１０に記載の電界発光表示装置。
12. 前記第１サブ画素の前記第１電極が、前記第１反射電極上に備えられた第１透明電極をさらに含み、前記第２サブ画素の前記第１電極は、前記第２反射電極上に備えられた第２透明電極をさらに含み、前記第３サブ画素の前記第１電極は、前記第３反射電極上に備えられた第３透明電極をさらに含み、
    前記第１透明電極の厚さ、前記第２透明電極の厚さ、および前記第３透明電極の厚さは、互いに異なる請求項１０に記載の電界発光表示装置。
13. 前記第１反射電極、前記第２反射電極、および前記第３反射電極が、互いに異なる高さの異なる層に形成されている請求項１０に記載の電界発光表示装置。
14. 前記第１サブ画素の前記第１電極が、前記第１反射電極上に備えられた第１透明電極をさらに含み、前記第２サブ画素の前記第１電極は、前記第２反射電極上に備えられた第２透明電極をさらに含み、前記第３サブ画素の前記第１電極は、前記第３反射電極上に備えられた第３透明電極をさらに含み、
    前記第１透明電極、前記第２透明電極、および前記第３透明電極は、互いに異なる高さの異なる層に形成されている請求項１０に記載の電界発光表示装置。
15. 第１サブ画素、第２サブ画素、および第３サブ画素を備えた基板、
    前記基板上で前記第１サブ画素に備えられた第１反射電極、
    前記基板上で前記第２サブ画素に備えられた第２反射電極、
    前記基板上で前記第３サブ画素に備えられた第３反射電極、
    前記第１反射電極、前記第２反射電極、および前記第３反射電極上に備えられた発光層であって、第１スタック、前記第１スタック上に備えられた第２スタック、および前記第１スタックと前記第２スタックとの間に配された電荷生成層を含む、発光層、
    前記発光層上に備えられた透明電極、
    前記透明電極上に備えられた複数の封止層、
    前記複数の封止層のうちいずれか二つの封止層の間に具備され、前記第１反射電極と重畳するよう備えられた第１半透過層、
    前記複数の封止層のうちいずれか二つの封止層の間に具備され、前記第２反射電極と重畳するよう備えられた第２半透過層、
    前記複数の封止層のうちいずれか二つの封止層の間に具備され、前記第３反射電極と重畳するよう備えられた第３半透過層、および
    前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素の各々の間の境界領域に備えられたバンク
    を含み、
    前記バンクは、前記バンクの上面から内部に延びるトレンチが備えられており、
    前記第１スタックは、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素に亘って連続せずに、前記トレンチ内部の側面に形成された前記第１スタックの一部が前記トレンチ内部の下面に形成された前記第１のスタックの一部から断絶するように、前記トレンチ内で断絶しており、前記電荷生成層は、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素に亘って連続せずに、前記トレンチ内で断絶しており、前記第２スタックは、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素に亘って連続して設けられている、電界発光表示装置。
16. 前記発光層で発光した光が、前記第１反射電極と前記第１半透過層の間で反射と再反射を繰り返す請求項１５に記載の電界発光表示装置。
17. 前記複数の封止層が、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素間の境界領域で互いに接している請求項１５または１６に記載の電界発光表示装置。
18. 前記第１半透過層、前記第２半透過層、および前記第３半透過層が、互いに離隔している請求項１５から１７のいずれか一項に記載の電界発光表示装置。
19. 前記第１反射電極から前記第１半透過層までの第１距離、前記第２反射電極から前記第２半透過層までの第２距離、および前記第３反射電極から前記第３半透過層までの第３距離が、互いに異なる請求項１５から１８のいずれか一項に記載の電界発光表示装置。
20. 前記基板と離隔したレンズアレイ、および前記基板と前記レンズアレイを収納する収納ケースをさらに含んでなる請求項１から１９のいずれか一項に記載の電界発光表示装置。

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