TWI743599B - 電致發光顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

揭示了一種電致發光顯示裝置。電致發光顯示裝置包含基板、第一電極、發射層、第二電極、封裝層以及第一半透射層，該基板包含第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一電極在基板上第一子像素至第三子像素的每一個中，發射層在第一電極上，第二電極在發射層上，封裝層包含第二電極上提供的第一封裝層和在第一封裝層上提供的第二封裝層，以及第一半透射層在第一封裝層和第二封裝層之間提供，並且第一半透射層與第一子像素的第一電極重疊。

Description

電致發光顯示裝置
本發明宣稱2018年12月7日提交的韓國專利申請號10-2018-0156567的權益，該申請案通過引用結合於本文，如同在本文完全闡述一樣。
本發明涉及一種電致發光顯示裝置。
電致發光顯示裝置以在陽極和陰極之間提供發射層且發射層通過在上述兩個電極之間產生的電場發光的方式提供，從而顯示圖像。
發射層可以由有機材料形成，當通過電子和電洞的結合產生激子時發光，並且激子從激發態下降到基態，或者可以由如量子點的無機材料形成。
在現有技術的情況下，陽極電極由反射電極形成，且陰極電極由半透射電極形成，由此，通過陽極電極和陰極電極之間的光的重複反射和再反射獲得微腔效應。
然而，為了獲得微腔效應，必須優化陽極電極和陰極電極之間的距離，即發射層的厚度必須優化。在這種情況下，提供有機發光層以在發光層中電荷平衡能夠被優化的位置處發射預定顏色光，這方面存在限制。
也就是說，在現有技術的情況下，難以優化微腔效應和電荷平衡。
因此，本發明涉及提供一種電致發光顯示裝置，其基本上消除了由於現有技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。
本發明的一個方面旨在提供一種電致發光顯示裝置，其能夠優化微腔效應和電荷平衡。
本發明的其他優點和特徵將部分地在下面的描述中闡述，並且部分地對於本領域普通技術人員在研究下文後將變得顯而易見，或者可以從本發明的實踐中獲知。本發明的目的和其他優點可以通過書面描述及其申請專利範圍以及圖式中特別指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些和其他優點並且根據本發明的目的，如本文所體現和廣泛描述的，提供了一種電致發光顯示裝置，包含基板、第一電極、發射層、第二電極、封裝層以及第一半透射層，該基板包含第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一電極在基板上第一子像素至第三子像素的每一個中，發射層在第一電極上，第二電極在發射層上，封裝層包含第二電極上提供的第一封裝層和在第一封裝層上提供的第二封裝層，以及第一半透射層在第一封裝層和第二封裝層之間提供，並且第一半透射層與第一子像素的第一電極重疊。
在本發明的另一方面，提供了一種電致發光顯示裝置，包含基板、第一反射電極、第二反射電極、第三反射電極、發射層、透明電極、多個封裝層、第一半透射層、第二半透射層以及第三半透射層，該基板包含第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一反射電極在該基板上的該第一子像素中提供、第二反射電極在該基板上的該第二子像素中提供，第三反射電極在該基板上的該第三子像素中提供，發射層在該第一反射電極，該第二反射電極及該第三反射電極上提供，透明電極在該發射層上提供，多個封裝層在該透明電極上提供，第一半透射層在該些封裝層中任意兩個之間提供且該第一半透射層與該第一反射電極重疊，第二半透射層在該些封裝層中任意兩個之間提供且該第二半透射層與該第二反射電極重疊，以及第三半透射層在該些封裝層中任意兩個之間提供且該第三半透射層與該第三反射電極重疊。
根據本發明的一個實施例，微腔效應可以通過第一電極的反射電極和第二電極上的半透射層之間的重複反射和再反射來獲得，由此可以通過適當調整在第一電極和第二電極之間提供的發射層的厚度、第二電極的厚度，以及在第二電極和半透射層之間提供的封裝層的厚度來獲得微腔效應。除了發射層的厚度之外，還可以通過調整第二電極的厚度和封裝層的厚度來獲得微腔效應。因此，它有助於提供配置成在最佳位置發射預定顏色光的有機發光層，從而能夠優化發光層中的電荷平衡。
應理解，本發明的前述一般描述和以下詳細描述都是示例性和解釋性的，並且旨在提供對要求保護的本發明的進一步說明。
現在將詳細參考本發明的示例性實施例，其示例在圖式中示出。只要有可能，在整個圖式中將使用相同的圖式標記來表示相同或相似的部分。
通過以下參考圖式描述的實施例，將闡明本發明的優點和特徵及其實現方法。然而，本發明可以以不同的形式實施，並且不應該被解釋為限於這裡闡述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使本發明徹底和完整，並且將本發明的範圍完全傳達給本領域技術人員。此外，本發明僅由申請專利範圍的範圍限定。
用於描述本發明的實施例的圖式中公開的形狀、尺寸、比率、角度和數量僅僅是示例，因此，本發明不限於所示出的細節。相同的圖式標記始終表示相同的元件。在以下描述中，當確定相關已知功能或配置的詳細描述不必要地模糊本發明的重點時，將省略詳細描述。
在構造元件時，該元件被解釋為包含誤差範圍，儘管沒有明確的描述。
在描述位置關係時，例如，當兩個部分之間的位置關係被描述為'上~'、'之上~'、'下~'和'隨後~'時，除非使用“剛好”或“直接”，否則可以在兩個部分之間設置一個或多個其他部分。
在描述時間關係時，例如，當時間順序被描述為“後〜”、“後續〜”、“下一個”和“之前〜”時，除非使用“剛好”或“直接”，可以包含不連續的情況。
應當理解，儘管這裡可以使用術語“第一”、“第二”等來描述各種元件，但是這些元件不應受這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個元件與另一個元件。例如，第一元件可以被稱為第二元件，並且類似地，第二元件可以被稱為第一元件，而不脫離本發明的範圍。
本發明的各種實施例的特徵可以部分地或整體地彼此耦合或組合，並且如本領域技術人員可以充分理解的，可以彼此不同地相互操作並且技術上被驅動。本發明的實施例可以彼此獨立地執行，或者可以以相互依賴的關係一起執行。
在下文中，將參考圖式詳細描述本發明的示例性實施例。
圖1是示出根據本發明的一個實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。
如圖1所示，根據本發明一個實施例的電致發光顯示裝置包含基板100、電路裝置層200、第一電極310、320和330、堤層400、發射層500、第二電極600、封裝層710和720、半透射層810、820和830，以及彩色濾光層910、920和930。
基板100可以由玻璃或塑料形成，但不限於這些材料。基板100可以由如矽晶片的半導體材料形成。基板100可以由透明材料或不透明材料形成。在基板100上，有第一子像素（P1）、第二子像素（P2）和第三子像素（P3）。第一子像素（P1）發出紅色（R）光、第二子像素（P2）發出綠色（G）光，以及第三子像素（P3）發出藍色（B）光，但不限於這種結構。例如，可以以各種方式改變相應子像素（P1、P2、P3）的排列順序。
根據本發明的一個實施例的電致發光顯示裝置可以以頂部發射型形成，其中發射的光向上前進，但不限於這種類型。如果電致發光顯示裝置以頂部發射型形成，則基板100可以由不透明材料以及透明材料形成。
電路裝置層200設置在基板100上。
在電路裝置層200中，由每個子像素（P1、P2、P3）提供包含各種訊號線、薄膜電晶體和電容器的電路裝置。訊號線可以包含閘極線、資料線、電源線和參考線，並且薄膜電晶體可以包含開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體和感測薄膜電晶體。
通過提供給閘極線的閘極訊號切換開關薄膜電晶體，並且開關薄膜電晶體將從資料線提供的資料電壓提供給驅動薄膜電晶體。
通過從開關薄膜電晶體提供的資料電壓來切換驅動薄膜電晶體，且驅動薄膜電晶體從電源線提供的電源產生資料電流，並將資料電流提供給第一電極310、320和330。
感測薄膜電晶體感測驅動薄膜電晶體中的閾值電壓的偏差，偏差導致圖像質量的劣化。響應於從閘極線或附加感測線提供的感測控制訊號，感測薄膜電晶體將驅動薄膜電晶體的電流提供給參考線。
電容器將提供給驅動薄膜電晶體的資料電壓保持一個幀週期，並且電容器與驅動薄膜電晶體的每個閘極端子和源極端子連接。
第一電極310、320和330與設置在電路裝置層200中的驅動薄膜電晶體連接。詳細地，第一電極310、320和330通過設置在電路裝置層200中的接觸孔與驅動薄膜電晶體的源極端子或汲極端子連接。
可以通過電路裝置層200上的每個子像素（P1、P2、P3）來圖案化第一電極310、320和330。第一電極310形成在第一子像素（P1）中，另一個第一電極320形成在第二子像素（P2）中，並且另一個第一電極330形成在第三子像素（P3）中。
第一子像素（P1）的第一電極310包含第一反射電極311和第一透明電極312。第一透明電極312設置在第一反射電極311的上表面上，由此，第一反射電極311和第一透明電極312彼此電性連接。第一反射電極311向上反射從第一子像素（P1）的發射層500發射的光，並且第一透明電極312可以作為用於在第一子像素（P1）中產生電洞的陽極。
第二子像素（P2）的第一電極320包含第二反射電極321和第二透明電極322。第二透明電極322設置在第二反射電極321的上表面上，由此，第二反射電極321和第二透明電極322彼此電性連接。第二反射電極321向上反射從第二子像素（P2）的發射層500發射的光，並且第二透明電極322可以作為用於在第二子像素（P2）中產生電洞的陽極。
第三子像素（P3）的第一電極330包含第三反射電極331和第三透明電極332。第三透明電極332設置在第三反射電極331的上表面上，由此，第三反射電極331和第三透明電極332彼此電性連接。第三反射電極331向上反射從第三子像素（P3）的發射層500發射的光，並且第三透明電極332可以作為用於在第三子像素（P3）中產生電洞的陽極。
堤層400被配置為覆蓋電路裝置層200上的第一電極310、320和330的末端。因此，可以防止電流集中到第一電極310、320和330的末端，從而防止發光效率的惡化。
堤層400在每個子像素（P1、P2、P3）之間的邊界中形成為矩陣構造，並且被配置為在每個單個子像素（P1、P2、P3）中限定發射區域。也就是說，第一電極310、320和330的暴露區域在沒有被每個子像素（P1、P2、P3）中的堤層400覆蓋的情況下暴露，而成為發射區域。
堤層400包含與每個子像素（P1、P2、P3）接觸的側表面410，以及從側表面410延伸的上表面420。在這種情況下，設置堤層400，使得側表面410相對於基板100的上表面以預定角度（θ）傾斜，且從每個子像素（P1、P2、P3）的發射層500發出的光在側表面410上折射，由此，可以防止從每個子像素（P1、P2、P3）的發射層500發出的光在相鄰的子像素（P1、P2、P3）之間混合在一起。
在這種情況下，為了使從每個子像素（P1、P2、P3）的發射層500發射的光容易在堤層400的側表面410上折射，優選地堤層400的折射率小於發射層500的折射率。另外，堤層400的側表面410與基板100的上表面之間的角度（θ）優選在30°至80°的範圍內。
另外，如箭頭的展開圖所示，可以在堤層400的側表面410中另外設置反射層450。在這種情況下，從每個子像素（P1、P2、P3）的發射層500發射的光在反射層450上折射，並且防止與相鄰子像素（P1、P2、P3）之間的相鄰子像素的光混合，從而提高電致發光顯示裝置的亮度。雖然未示出，但是反射層450可以延伸到堤層400的上表面420。
發射層500形成在第一電極310、320和330上。發射層500可以形成在堤層400上。也就是說，發射層500可以形成在每個子像素（P1、P2、P3）和子像素（P1、P2、P3）之間的邊界地區中。
發射層500可以配置為發射白色（W）光。為此，發射層500可包含配置成發射不同顏色光的多個堆疊層。
例如，發射層500包含配置成發射第一彩色光的第一堆疊、配置成發射第二彩色光的第二堆疊，以及設置在第一堆疊和第二堆疊之間的電荷產生層（CGL）。第一堆疊可以形成在通過依序沉積電洞注入層、電洞傳輸層、藍色有機發光層和電子傳輸層而獲得的沉積結構中，它們依次設置在第一電極310、320和330上，但不限於此結構。第二堆疊可以形成在通過依序沉積電洞傳輸層、黃綠色有機發光層、電子傳輸層和電子注入層獲得的沉積結構中，它們依次設置在電荷產生層（CGL）上，但不限於這種結構。
如果需要，發射層500可包含配置成發射藍色光的第一堆疊、配置成發射綠色光的第二堆疊、配置成發射紅色光的第三堆疊、設置在第一堆疊和第二堆疊之間的第一電荷產生層，以及設置在第二堆疊和第三堆疊之間的第二電荷產生層。
第二電極600形成在發射層500上。第二電極600可以用作電致發光顯示裝置的陰極。以與發射層500相同的方式，第二電極600可以形成在每個子像素（P1、P2、P3）中，並且在子像素（P1、P2、P3）之間形成邊界地區。也就是說，第二電極600可以形成在堤層400上方。
由於根據本發明的一個實施例的電致發光顯示裝置可以以頂部發射型形成，第二電極600可以由透明電極形成，該透明電極能夠向上傳輸從發射層500發射的光。
封裝層710和720形成在第二電極600上，從而防止外部濕氣滲透到發射層500中。
封裝層710和720包含形成在第二電極600的上表面上的第一封裝層710，以及形成在第一封裝層710的上表面上的第二封裝層720。第一封裝層710和第二封裝層720中的每一個可以由無機絕緣材料形成，但不是必須的。第一封裝層710和第二封裝層720中的每一個可以由有機絕緣材料形成。
半透射層810、820和830設置在第一封裝層710和第二封裝層720之間。在與半透射層810、820和830重疊的區域中，第一封裝層710的上表面與半透射層810、820和830的下表面接觸，且第二封裝層720的下表面與半透射層810、820和830的上表面接觸。而且，在不與半透射層810、820和830重疊的區域中，第一封裝層710的上表面與第二封裝層720的下表面接觸。
半透射層810、820和830包含在第一子像素（P1）中圖案化的第一半透射層810、在第二子像素（P2）中圖案化的第二半透射層820，以及在第三子像素（P3）中圖案化的第三半透射層830。第一半透射層810與第一子像素（P1）的第一電極310重疊、第二半透射層820與第二子像素（P2）的第一電極320重疊，且第三半透射層830與第三子像素（P3）的第一電極330重疊。
半透射層810、820和830可以由能夠部分透射一些光並反射剩餘光的材料形成。半透射層810、820和830可以通過每個單獨的子像素（P1、P2、P3）實現微腔效應。也就是說，可以通過半透射層810、820和830與第一電極310、320和330的反射電極311、321和331之間的光的重複反射和再反射來獲得微腔效應。詳細地，在第一子像素（P1）中的第一半透射層810和第一反射電極311之間重複光的反射和再反射、在第二子像素（P2）中的第二半透射層820和第二反射電極321之間重複光的反射和再反射，並且在第三子像素（P3）中的第三半透射層830和第三反射電極331之間重複光的反射和再反射。
通常，在現有技術的情況下，第二電極600由半透射材料形成，由此，可以通過第一電極310、320和330的反射電極311、321和331與第二電極600之間的光的重複反射和再反射來獲得微腔效應。
在這種情況下，為了獲得微腔效應，必須適當地調整第二電極600與第一電極310、320和330的反射電極311、321和331之間的間隔。為此，必須適當地設定發射層500的整體厚度。然而，如果僅考慮微腔效應來設定發射層500的整個厚度，為了優化電荷平衡以提高激子形成效率，對於發射層500中藍色或黃色有機發光層的最佳位置會有所限制。
同時，根據本發明的一個實施例，通過半透射層810、820和830與第一電極310、320和330的反射電極311、321和331之間的光的重複反射和再反射來獲得微腔效應。因此，除了設置發射層500的整個厚度之外，還可以通過適當地設置第一封裝層710的厚度和第二電極600的厚度來獲得微腔效應。
因此，根據本發明的一個實施例，發射層500的整體厚度可以設定為在發射層500中在能夠優化電荷平衡並進一步提高激子形成效率的位置處提供藍色或黃綠色有機發光層，並且考慮到發射層500的預設整體厚度，可以最佳地設置第二電極600的厚度和第一封裝層710的厚度，以實現微腔效應。
結果，在現有技術的情況下，難以改善微腔效應和激子形成效率。同時，根據本發明的一個實施例，另外提供半透射層810、820和830，使得可以改善微腔效應和激子形成效率。
同時，以固定間隔提供第一半透射層810、第二半透射層820和第三半透射層830。特別是，第一半透射層810、第二半透射層820和第三半透射層830在與堤層400重疊的子像素（P1、P2、P3）之間的邊界區域中彼此分開。也就是說，第一半透射層810、第二半透射層820和第三半透射層830沒有形成在子像素（P1、P2、P3）之間的邊界地區中。
因此，第一半透射層810、第二半透射層820和第三半透射層830在子像素（P1、P2、P3）之間的邊界地區彼此分開，因此可以防止從每個子像素（P1、P2、P3）的發射層500發出的光反射在子像素（P1、P2、P3）之間的邊界地區上並防止從每個子像素（P1、P2、P3）的發射層500發出的光前進到相鄰的子像素（P1、P2、P3），從而減少在子像素（P1、P2、P3）之間的有色光混合相關的問題。
為了防止子像素（P1、P2、P3）之間的顏色混合，優選地，第一半透射層810、第二半透射層820和第三半透射層830不與堤層400的上表面420重疊，但不是必須的。如果第一半透射層810、第二半透射層820和第三半透射層830不與堤層400的上表面420重疊，第一封裝層710的上表面在與堤層400的上表面420重疊的區域中與第二封裝層720的下表面接觸。
提供半透射層810、820和830以實現微腔效應，並且半透射層810、820和830不用作用於發射層500的光發射的電極。因此，半透射層810、820和830可以由非導電材料形成，但不是必須的。半透射層810、820和830可以由導電材料形成。
彩色濾光層910、920和930形成在封裝層710和720上。特別地，彩色濾光層910、920和930形成在第二封裝層720的上表面上。彩色濾光層910、920和930可以包含在第一子像素（P1）中提供的第一彩色濾光層910、在第二子像素（P2）中提供的第二彩色濾光層920，以及在第三子像素（P3）中提供的第三彩色濾光層930。
第一彩色濾光層910與第一半透射層810重疊、第二彩色濾光層920與第二半透射層820重疊，且第三彩色濾光層930與第三半透射層830重疊。第一彩色濾光層910由紅色（R）彩色濾光層形成、第二彩色濾光層920由綠色（G）彩色濾光層形成，且第三彩色濾光層930由藍色（B）彩色濾光層形成，
圖2是示出根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。除了不包含半透射層810、820和830以及封裝層710、720、730和740的結構之外，圖2的電致發光顯示裝置與圖1的電致發光顯示裝置相同。因此，在所有圖式中將使用相同的圖式標記來表示相同或相似的部分，並且將僅描述不同的結構如下。
如圖2所示，封裝層710、720、730和740包含形成在第二電極600上的第一封裝層710、形成在第一封裝層710上的第二封裝層720、形成在第二封裝層720上的第三封裝層730，以及形成在第三封裝層730上的第四封裝層740。
半透射層810、820和830包含在第一子像素（P1）中圖案化的第一半透射層810、在第二子像素（P2）中圖案化的第二半透射層820，以及在第三子像素（P3）中圖案化的第三半透射層830。
第一半透射層810形成在第三封裝層730和第四封裝層740之間、第二半透射層820形成在第二封裝層720和第三封裝層730之間，以及第三半透射層830形成在第一封裝層710和第二封裝層720之間。
因此，在與第一半透射層810重疊的區域中，第一封裝層710的上表面與第二封裝層720的下表面接觸、第二封裝層720的上表面與第三封裝層730的下表面接觸、第三封裝層730的上表面與第一半透射層810的下表面接觸，且第四封裝層740的下表面與第一半透射層810的上表面接觸。
此外，在與第二半透射層820重疊的區域中，第一封裝層710的上表面與第二封裝層720的下表面接觸、第二封裝層720的上表面與第一半透射層810的下表面接觸、第三封裝層730的下表面與第一半透射層810的上表面接觸，且第三封裝層730的上表面與第四封裝層740的下表面接觸。
此外，在與第三半透射層830重疊的區域中，第一封裝層710的上表面與第一半透射層810的下表面接觸、第二封裝層720的下表面與第一半透射層810的上表面接觸、第二封裝層720的上表面與第三封裝層730的下表面接觸，且第三封裝層730的上表面與第四封裝層740的下表面接觸。
此外，在不與半透射層810、820和830重疊的區域中，第一封裝層710的上表面與第二封裝層720的下表面接觸、第二封裝層720的上表面與第三封裝層730的下表面接觸，且第三封裝層730的上表面與第四封裝層740的下表面接觸。
因此，根據本發明的另一實施例，第一半透射層810、第二半透射層820和第三半透射層830形成在不同的層中，因此定位在不同的高度，由此，第一半透射層810與第一反射電極311之間的第一距離（D1）、第二半透射層820和第二反射電極321之間的第二距離（D2），以及第三半透射層830和第三反射電極331之間的第三距離（D3）彼此不同。因此，可以通過每個單個子像素（P1、P2、P3）實現微腔效應。
詳細地，當在半透射層810、820和830與反射電極311、321和331之間重複光的反射和再反射時，若半透射層810、820和830與反射電極311、321和331之間的距離變為具有預定波長的光的半波長（λ/2）的整數倍，相長干涉發生，從而提高光的外部提取效率。因此，為了提高具有預定波長的光的外部提取效率，半透射層810、820和830與反射電極311、321和331之間的距離必須由每個子像素（P1、P2、P3）不同地設定，因此半透射層810、820和830與反射電極311、321和331之間的距離變為具有預定波長的光的半波長（λ/2）的整數倍。
根據本發明的另一實施例，第一半透射層810、第二半透射層820和第三半透射層830位於不同的高度，由此，第一半透射層810與第一反射電極311之間的第一距離（D1）、第二半透射層820與第二反射電極321之間的第二距離（D2），以及第三半透射層830和第三反射電極331之間的第三距離（D3）彼此不同。在這種情況下，第一封裝層710的厚度、第二封裝層720的厚度和第三封裝層730的厚度被適當地設定，因此，第一距離（D1）、第二距離（D2）和第三距離（D3）被設置為每個子像素（P1、P2、P3）的光的半波長（λ/2）的整數倍。
例如，第一半透射層810和第一反射電極311之間的第一距離（D1）在第一子像素（P1）中是最大的，第一子像素（P1）被配置為發射具有長波長的紅色（R）光，且第三半透射層830與第三反射電極331之間的第三距離（D3）在第三子像素（P3）中最小，第三子像素（P3）被配置為發射具有短波長的藍色（B）光。然而，因為具有預定波長的光的半波長（λ/2）的整數倍可以被每個子像素（P1、P2、P3）改變為一倍、兩倍或三倍，在用於發射具有長波長的紅色（R）光的第一子像素（P1）中的第一距離（D1）不需要是最大的。
圖3是示出根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。除了不包含反射電極311、321和331的結構之外，圖3的電致發光顯示裝置與圖1的電致發光顯示裝置相同。因此，在所有圖式中將使用相同的圖式標記來表示相同或相似的部分，並且將僅描述不同的結構如下。
如圖3所示，第一反射電極311具有第一厚度（t1）、第二反射電極321具有第二厚度（t2），且第三反射電極331具有第三厚度（t3）。在這種情況下，第一厚度（t1）、第二厚度（t2）和第三厚度（t3）可以彼此不同。例如，第一厚度（t1）是最大的，第二厚度（t2）是居中的，第三厚度（t3）是最小的。
因此，第一反射電極311與第一半透射層810之間的第一距離（D1）、第二反射電極321與第二半透射層820之間的第二距離（D2），以及第三反射電極331和第三半透射層830之間的第三距離（D3）可以彼此不同，由此可以通過每個單獨的子像素（P1、P2、P3）獲得微腔效應，如上面的圖2中所述。
同時，儘管未示出，圖3的結構中的半透射層810、820和830的結構以及封裝層710和720的結構可以將其改變為與在圖2的結構中的半透射層810、820和830以及封裝層710、720、730和740的那些相同。
圖4是示出根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。除了不包含反射電極311、321和331的結構以及透明電極312、322和332的結構之外，圖4的電致發光顯示裝置與圖1的電致發光顯示裝置相同。因此，在所有圖式中將使用相同的圖式標記來表示相同或相似的部分，並且將僅描述不同的結構如下。
如圖4所示，在第一子像素（P1）的區域中，在電路裝置層200上形成第一反射電極311、在第一反射電極311上形成第一絕緣夾層351、在第一絕緣夾層351上形成第二絕緣夾層352、在第二絕緣夾層352上形成第三絕緣夾層353，以及在第三絕緣夾層353上形成第一透明電極312。第一透明電極312可以經由設置在第一絕緣夾層351、第二絕緣夾層352和第三絕緣夾層353中的接觸孔與第一反射電極311電性連接。然而，第一透明電極312可以與設置在電路裝置層200中的驅動薄膜電晶體的源極端子或汲極端子直接連接，而不與第一反射電極311電性連接。
在第二子像素（P2）的區域中，第一絕緣夾層351形成在電路裝置層200上、第二反射電極321形成在第一絕緣夾層351上、第二絕緣夾層352形成在第二反射電極321上、第三絕緣夾層353形成在第二絕緣夾層352上，以及第二透明電極322形成在第三絕緣夾層353上。第二透明電極322可以經由設置在第二絕緣夾層352和第三絕緣夾層353中的接觸孔與第二反射電極321電性連接。然而，第二透明電極322可以與設置在電路裝置層200中的驅動薄膜電晶體的源極端子或汲極端子直接連接，而不與第二反射電極321電性連接。
在第三子像素（P3）的區域中，第一絕緣夾層351形成在電路裝置層200上、第二絕緣夾層352形成在第一絕緣夾層351上、第三反射電極331形成在第二絕緣夾層352上、第三絕緣夾層353形成在第三反射電極331上，以及第三透明電極332形成在第三絕緣夾層353上。第三透明電極332可以經由設置在第三絕緣夾層353中的接觸孔與第三反射電極331電性連接。然而，第三透明電極332可以與設置在電路裝置層200中的驅動薄膜電晶體的源極端子或汲極端子直接連接，而不與第三反射電極331電性連接。
因此，根據本發明的另一實施例，第一反射電極311、第二反射電極321和第三反射電極331形成在不同的層中，因此位於不同的高度，使得第一反射電極311與第一半透射層810之間的第一距離（D1）、第二反射電極321與第二半透射層820之間的第二距離（D2），以及第三反射電極331和第三半透射層830之間的第三距離（D3）可以彼此不同，由此可以通過每個單個子像素（P1、P2、P3）獲得微腔效應。
同時，儘管未示出，但是在圖4的結構中，半透射層810、820和830的結構以及封裝層710和720的結構可以將其分別改變為在圖2中與半透射層810、820和830以及封裝層710、720、730和740的那些結構相同。
圖5是示出根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。除了不包含反射電極311、321和331的結構以及透明電極312、322和332的結構之外，圖5的電致發光顯示裝置與圖1的電致發光顯示裝置相同。因此，在所有圖式中將使用相同的圖式標記來表示相同或相似的部分，並且將僅描述不同的結構如下
如圖5所示，在第一子像素（P1）的區域中，在電路裝置層200上形成第一反射電極311、在第一反射電極311上形成第一絕緣夾層351、在第一絕緣夾層351上形成第一連接電極371、在第一連接電極371上形成第二絕緣夾層352、在第二絕緣夾層352上形成第三絕緣夾層353，並且在第三絕緣夾層353上形成第一透明電極312。第一連接電極371可以通過設置在第一絕緣夾層351中的接觸孔與第一反射電極311電性連接，且第一透明電極312通過設置在第二絕緣夾層352和第三絕緣夾層353中的接觸孔與第一連接電極371連接。然而，第一透明電極312可以直接與電路裝置層200中提供的驅動薄膜電晶體的源極端子或汲極端子連接而沒有通過第一連接電極371與第一反射電極311電性連接。在這種情況下，省略第一連接電極371。
在第二子像素（P2）的區域中，在電路裝置層200上形成第二反射電極321、在第二反射電極321上形成第一絕緣夾層351、在第一絕緣夾層351上形成第二連接電極372、在第二連接電極372上形成第二絕緣夾層352，以及在第二絕緣夾層352上形成第二透明電極322。第二連接電極372通過設置在第一絕緣夾層351中的接觸孔與第二反射電極321連接，且第二透明電極322通過設置在第二絕緣夾層352中的接觸孔與第二連接電極372連接。然而，第二透明電極322可以與電路裝置層200中提供的驅動薄膜電晶體的源極端子或汲極端子直接連接而沒有通過第二連接電極372與第二反射電極321電性連接。在這種情況下，省略第二連接電極372。
在第三子像素（P3）的區域中，在電路裝置層200上形成第三反射電極331、在第三反射電極331上形成第一絕緣夾層351、在第一絕緣夾層351上形成第三連接電極373，以及在第三連接電極373上形成第三透明電極332。第三連接電極373通過設置在第一絕緣夾層351中的接觸孔與第三反射電極331連接，且第三透明電極332直接形成在第三連接電極373的上表面上。然而，第三透明電極332可以經由設置在第一絕緣夾層351中的接觸孔與第三反射電極331直接連接。在這種情況下，可以省略第三連接電極373。而且，第三透明電極332可以與電路裝置層200中提供的驅動薄膜電晶體的源極端子或汲極端子直接連接而沒有與第三反射電極331電性連接。在這種情況下，省略第三連接電極373。
在第一子像素（P1）中提供的第二絕緣夾層352和在第二子像素（P2）中提供的第二絕緣夾層352彼此間隔開，且在第一子像素（P1）中設置的第二絕緣夾層352和第二子像素（P2）中設置的第二絕緣夾層352之間的間隔空間中可以設置堤層400。第二絕緣夾層352可以不在第三子像素（P3）中提供。而且，第三絕緣夾層353可以不在第二子像素（P2）和第三子像素（P3）中提供。
因此，根據本發明的另一實施例，第一透明電極312、第二透明電極322和第三透明電極332形成在不同的層中，因此位於不同的高度，使得第一反射電極311與第一半透射層810之間的第一距離（D1）、第二反射電極321與第二半透射層820之間的第二距離（D2），以及第三反射電極331和第三半透射層830之間的第三距離（D3）可以彼此不同，由此，可以容易地通過每個單個子像素（P1、P2、P3）獲得微腔效應。
同時，儘管未示出，但是在圖5的結構中，半透射層810、820和830的結構以及封裝層710和720的結構可以將其分別改變為與在圖2中的半透射層810、820和830以及封裝層710、720、730和740的那些結構相同。
圖6是示出根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。在圖6所示的電致發光顯示裝置的子像素（P1、P2、P3）之間的邊界處另外提供溝（T），因此，圖6中所示的電致發光顯示裝置與圖1中所示的電致發光顯示裝置不同。因此，在所有圖式中將使用相同的圖式標記來表示相同或相似的部分，並且將僅描述不同的結構如下。
如圖6所示，在子像素（P1、P2、P3）之間的邊界中提供溝（T）。溝（T）可以設置在堤層400和電路裝置層200中。也就是說，溝（T）可以設置在電路裝置層200的上部的一些區域中(例如，平坦化層)，且同時穿過堤層400。但是，它不限於這種結構。溝（T）可以設置在堤層400的上部的一些區域中，而不穿過堤層400。
根據本發明的另一實施例，溝（T）設置在子像素（P1、P2、P3）之間的邊界中，由此可以在溝（T）中形成發射層500。因此，在相鄰子像素（P1、P2、P3）之間形成長電流路徑，從而減少在相鄰子像素（P1、P2、P3）之間產生漏電流。也就是說，假設子像素（P1、P2、P3）之間的間隔變得緊湊以實現高解析度，如果子像素（P1、P2、P3）中的任何一個內的發射層500發光，則相應的發射層500的電荷可以被轉移到相鄰的另一個子像素（P1、P2、P3）的另一個發射層500，由此可能存在漏電流。
因此，根據本發明的另一實施例，溝（T）形成在子像素（P1、P2、P3）之間的邊界處，並且發射層500形成在溝（T）中，使得電阻由於在相鄰子像素（P1、P2、P3）之間形成的長電流路徑而增加，從而減少漏電流的發生。
特別地，發射層500可以包含第一堆疊510、第二堆疊530和設置在第一堆疊510和第二堆疊530之間的電荷產生層520。
第一堆疊510可以形成在溝（T）的內側表面上，並且可以形成在溝（T）的內下表面上。在這種情況下，形成在溝（T）的內側表面上的第一堆疊510的一些區域與形成在溝（T）的內下表面上的第一堆疊510的一些區域斷開。在溝（T）內的一個側表面(更具體地說，在溝（T）內的左側表面)上形成的第一堆疊的一些區域不與在溝（T）內的另一側表面(更具體地說，在溝（T）內的右側表面)上形成的第一堆疊的一些區域連接。因此，電荷不會在具有第一堆疊510之間插入有溝（T）的子像素（P1、P2、P3）之間傳遞。
此外，電荷產生層520可以形成在溝（T）的內側表面處的第一堆疊510上。在這種情況下，在溝（T）的一個內側表面(更具體地說，在溝（T）內的左側表面)上形成的電荷產生層520的一些區域不與形成在溝（T）的另一個內側表面(更具體地說，在溝（T）內的右側表面)上的電荷產生層520的一些區域連接。因此，電荷不會在具有電荷產生層520之間插入有溝（T）的子像素（P1、P2、P3）之間傳遞。
此外，第二堆疊530可以連接地設置在相鄰的子像素（P1、P2、P3）之間，其中子像素（P1、P2、P3）具有溝（T）插入在電荷產生層520之間。因此，電荷在具有第二堆疊530之間插入有溝（T）的子像素（P1、P2、P3）之間傳遞，但不限於此結構。通過適當地調整溝（T）的形狀和發射層500的沉積過程，第二堆疊530可以相鄰的子像素（P1、P2、P3）之間斷開地提供，其中第一溝（T1）插入第二堆疊530之間。特別地，第二堆疊530的下部的與電荷產生層520相鄰的一些區域可以在子像素（P1、P2、P3）之間的邊界地區中斷開地設置。
電荷產生層520的電導率高於第一堆疊510和第二堆疊530中的每一個的電導率。特別地，電荷產生層520的N型電荷產生層可包含金屬材料，因此，電荷產生層520的導電率高於第一堆疊510和第二堆疊530中的每一個的導電率。因此，彼此相鄰的子像素（P1、P2、P3）之間的電荷轉移通常通過電荷產生層520進行，並且通過第二堆疊530的電荷轉移是無關緊要的。
因此，根據本發明的另一實施例，當在溝（T）內部形成發射層500時，發射層500的一些被斷開地提供，特別地，第一堆疊510和電荷產生層520是斷開連接的，因此，可以減少在彼此相鄰設置的子像素（P1、P2、P3）之間的電荷轉移，從而防止漏電流。
圖7A至圖7C示出了根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置，其涉及頭戴式顯示器（HMD）裝置。圖7A是示意性透視圖，圖7B是虛擬實境（VR）結構的示意性平面圖，且圖7C是擴增實境（AR）結構的示意性橫截面圖。
如圖7A所示，根據本發明的頭戴式顯示器（HMD）裝置包含收容箱10和頭戴式帶30。
可以在收容箱10的內接收顯示裝置、透鏡陣列和目鏡。
頭戴式帶30固定到收容箱10。在圖式中，頭戴式帶30被配置為圍繞使用者頭部中的上表面和兩個側表面，但不限於該結構。例如，提供頭戴式帶以將頭戴式顯示器（HMD）裝置固定到使用者的頭部，頭戴式帶可以由眼鏡框架形狀或頭盔形結構代替。
如圖7B所示，根據本發明的虛擬實境（VR）結構的頭戴式顯示器（HMD）裝置包含左眼顯示裝置12、右眼顯示裝置11、透鏡陣列13、左眼目鏡20a和右眼目鏡20b。
左眼顯示裝置12、右眼顯示裝置11、透鏡陣列13、左眼目鏡20a和右眼目鏡20b被接收在上述收容箱10中。
可以在左眼顯示裝置12和右眼顯示裝置11上顯示相同的圖像。在這種情況下，使用者可以觀看二維（2D）圖像。如果在左眼顯示裝置12上顯示左眼的圖像，並且在右眼顯示裝置11上顯示右眼的圖像，使用者可以觀看三維（3D）圖像。左眼顯示裝置12和右眼顯示裝置11中的每一個可以由根據本發明的實施例的前述顯示裝置形成。在這種情況下，在根據本發明的實施例的上述顯示裝置中，上部對應於用於顯示圖像的表面，例如，彩色濾光層910、920和930面對透鏡陣列13。
透鏡陣列13可以設置在左眼目鏡20a和左眼顯示裝置12之間，同時與左眼目鏡20a和左眼顯示裝置12彼此分開。也就是說，透鏡陣列13可以位於左眼目鏡20a的前部和左眼顯示裝置12的後部。而且，透鏡陣列13可以設置在右眼目鏡20b和右眼顯示裝置11之間，同時與右眼目鏡20b和右眼顯示裝置11中的每一個分開。也就是說，透鏡陣列13可以位於右眼目鏡20b的前部和右眼顯示裝置11的後部。
透鏡陣列13可以是微透鏡陣列。透鏡陣列13可以由針孔陣列代替。由於透鏡陣列13，顯示在左眼顯示裝置12或右眼顯示裝置11上的圖像可以由使用者擴展和感知。
使用者的左眼（LE）可以位於左眼目鏡20a處，並且使用者的右眼（RE）可以位於右眼目鏡20b處。
如圖7C所示，根據本發明的擴增實境（AR）結構的頭戴式顯示器（HMD）裝置包含左眼顯示裝置12、透鏡陣列13、左眼目鏡20a、透射反射部14和傳輸窗口15。圖7C僅示出了左眼結構，以便於說明。右眼結構在結構上與左眼結構相同。
左眼顯示裝置12、透鏡陣列13、左眼目鏡20a、透射反射部14和傳輸窗口15被接收在上述收容箱10中。
左眼顯示裝置12可設置在透射反射部14的一側，例如，透射反射部14的上側而不覆蓋傳輸窗口15。因此，在通過傳輸窗口15看到的環境背景未被左眼顯示裝置12覆蓋的條件下，可以向透射反射部14提供圖像。
左眼顯示裝置12可以由根據本發明實施例的前述各種電致發光顯示裝置形成。在這種情況下，在根據本發明的實施例的上述各種電致發光顯示裝置中，上部對應於用於顯示圖像的表面，例如，彩色濾光層910、920和930面對透射反射部14。
透鏡陣列13可以設置在左眼目鏡20a和透射反射部14之間。
使用者的左眼位於左眼目鏡20a處。
透射反射部14設置在透鏡陣列13和傳輸窗口15之間。透射反射部14可以包含反射表面14a，透射反射部14部分地透射一些光，並且還反射剩餘的光。反射表面14a被配置為將顯示在左眼顯示裝置12上的圖像朝向透鏡陣列13引導。因此，使用者可以通過傳輸窗口15與周圍背景一起觀看在左眼顯示裝置12上顯示的圖像。也就是說，使用者可以觀看由覆蓋有環境真實背景的虛擬圖像獲得的一個圖像，從而實現擴增實境（AR）。
傳輸窗口15設置在透射反射部14的前面。
在本發明的上述實施例中，發射層500被配置為發射白色光，但不是必需的。發射層500可以被配置為通過每個子像素（P1、P2、P3）發射不同顏色的光。
對於本領域技術人員顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以在本發明中進行各種修改和變化。因此，本發明旨在覆蓋本發明的修改和變化，只要它們落入所附申請專利範圍和等效的範圍內。
10:收容箱 11:右眼顯示裝置 12:左眼顯示裝置 13:透鏡陣列 14:透射反射部 14a:反射表面 15:傳輸窗口 20a:左眼目鏡 20b:右眼目鏡 30:頭戴式帶 100:基板 200:電路裝置層 310、320、330:第一電極 312、322、332:透明電極 311、321、331:反射電極 311:第一反射電極 312:第一透明電極 321:第二反射電極 322:第二透明電極 331:第三反射電極 332:第三透明電極 351:第一絕緣夾層 352:第二絕緣夾層 353:第三絕緣夾層 371:第一連接電極 372:第二連接電極 373:第三連接電極 400:堤層 410:側表面 420:上表面 450:反射層 500:發射層 510:第一堆疊 520:電荷產生層 530:第二堆疊 600:第二電極 710、720:封裝層 710:第一封裝層 720:第二封裝層 730:第三封裝層 740:第四封裝層 810、820、830:半透射層 810:第一半透射層 820:第二半透射層 830:第三半透射層 910、920、930:彩色濾光層 910:第一彩色濾光層 920:第二彩色濾光層 930:第三彩色濾光層
圖式被包括以提供對本公開的進一步理解，並且被併入並構成本發明的一部分，圖式示出了本發明的實施例，並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在圖式中: 圖1是示出根據本發明的一個實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。 圖2是示出根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。 圖3是示出根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。 圖4是示出根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。 圖5是示出根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。 圖6是示出根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置的示意性橫截面圖。 圖7A至圖7C示出了根據本發明另一實施例的電致發光顯示裝置，其涉及頭戴式顯示器（HMD）裝置。
100:基板
200:電路裝置層
310、320、330:第一電極
311:第一反射電極
312:第一透明電極
321:第二反射電極
322:第二透明電極
331:第三反射電極
332:第三透明電極
400:堤層
410:側表面
420:上表面
450:反射層
500:發射層
600:第二電極
710:第一封裝層
720:第二封裝層
810:第一半透射層
820:第二半透射層
830:第三半透射層
910:第一彩色濾光層
920:第二彩色濾光層
930:第三彩色濾光層

Claims (21)

  1. 一種電致發光顯示裝置，包含：一基板，包含一第一子像素、一第二子像素，和一第三子像素；多個第一電極，分別在該基板上的該第一子像素至該第三子像素的每一個中提供；一發射層，在該第一電極上；一第二電極，在該發射層上；一封裝層，包含在該第二電極上提供的一第一封裝層，和在該第一封裝層上提供的一第二封裝層；以及一第一半透射層，在該第一封裝層與該第二封裝層之間以直接接觸的方式提供，並且該第一半透射層與該第一子像素的該第一電極重疊。
  2. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，其中該第一子像素的該第一電極包含一第一反射電極和在該第一反射電極上提供的一第一透明電極，且該第二電極包含一透明電極。
  3. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，其中該第一封裝層和該第二封裝層在該第一子像素與該第二子像素之間的一邊界地區相互接觸。
  4. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，更包含一堤層，提供在該第一子像素與該第二子像素之間的一邊界地區，並配置該堤層為覆蓋該第一電極的一周邊，其中該第一半透射層不設置在與該堤層的一上表面重疊的一區域中。
  5. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，更包含一堤層，提供在該第一子像素與該第二子像素之間的一邊界地區，並配置該堤層為覆蓋該第一電極的一周邊，其中該堤層的一側表面傾斜，以使該堤層的該側表面與該基板的一上表面之間的一角度在30°至80°的範圍內。
  6. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，更包含一堤層，提供在該第一子像素與該第二子像素之間的一邊界地區，並配置該堤層為覆蓋該第一電極的一周邊，其中在該堤層的一側表面中另外設置一反射層。
  7. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，更包含在該第一子像素、該第二子像素和該第三子像素之間的一邊界地區中提供一堤層，其中一溝設置在該堤層內，並且該發射層的至少一些區域斷開地設置在該溝內。
  8. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，更包含與該基板間隔開的一透鏡陣列，以及用於接收該基板及其透鏡陣列的一收容箱。
  9. 如請求項1所述之電致發光顯示裝置，更包含與該第二子像素的該第一電極重疊並在該第二電極上提供的一第二半透射層，以及與該第三子像素的該第一電極重疊並在該第二電極上提供的一第三半透射層。
  10. 如請求項9所述之電致發光顯示裝置，其中該第二半透射層和該第三半透射層設置在該第一封裝層和該第二封裝層之間。
  11. 如請求項9所述之電致發光顯示裝置，其中該第二半透射層和該第三半透射層設置在與該第一半透射層不同的位置。
  12. 如請求項9所述之電致發光顯示裝置，其中該第一子像素的該第一電極包含一第一反射電極，該第二子像素的該第一電極包含一第二反射電極，以及該第三子像素的該第一電極包含一第三反射電極，以及該第一反射電極與該第一半透射層之間的一第一距離、該第二反射電極與該第二半透射層之間的一第二距離，以及該第三反射電極與該三半透射層的一第三距離彼此不同。
  13. 如請求項12所述之電致發光顯示裝置，其中該封裝層更包含在該第二封裝層上提供的一第三封裝層，以及在該第三封裝層上提供的一第四封裝層，該第二半透射層在該第二封裝層與該第三封裝層之間提供，以及該第三半透射層在該第三封裝層與該第四封裝層之間提供。
  14. 如請求項12所述之電致發光顯示裝置，其中該第一子像素的該第一電極另外包含在該第一反射電極上提供的一第一透明電極，該第二子像素的該第一電極另外包含在該第二反射電極上提供的一第二透明電極，該第三子像素的該第一電極另外包含在該第三反射電極上提供的一第三透明電極，以及該第一透明電極的厚度、該第二透明電極的厚度和該第三透明電極的厚度彼此不同。
  15. 如請求項12所述之電致發光顯示裝置，其中該第一反射電極、該第二反射電極和該第三反射電極設置在不同的層中。
  16. 如請求項12所述之電致發光顯示裝置，其中該第一子像素的該第一電極另外包含在該第一反射電極上提供的一第一透明電極，該第二子像素的該第一電極另外包含在該第二反射電極上提供的一第二透明電極，該第三子像素的該第一電極另外包含在該第三反射電極上提供的一第三透明電極，以及該第一透明電極、該第二透明電極和該第三透明電極設置在不同的層中。
  17. 一種電致發光顯示裝置，包含：一基板，包含一第一子像素、一第二子像素，和一第三子像素；一第一反射電極，在該基板上的該第一子像素中提供；一第二反射電極，在該基板上的該第二子像素中提供；一第三反射電極，在該基板上的該第三子像素中提供；一發射層，在該第一反射電極、該第二反射電極及該第三反射電極上提供；一透明電極，在該發射層上提供；多個封裝層，在該透明電極上提供；一第一半透射層，在該些封裝層中的任意兩個之間以直接接觸的方式提供，且該第一半透射層與該第一反射電極重疊；一第二半透射層，在該些封裝層中的任意兩個之間以直接接觸的方式提供，且該第二半透射層與該第二反射電極重疊；以及一第三半透射層，在該些封裝層中的任意兩個之間以直接接觸的方式提供，且該第三半透射層與該第三反射電極重疊。
  18. 如請求項17所述之電致發光顯示裝置，其中該第一反射電極和該第一半透射層被配置成使得從該發射層發射的光在該第一反射電極和該第一半透射層之間重複地反射和再反射。
  19. 如請求項17所述之電致發光顯示裝置，其中該些封裝層在該第一子像素、該第二子像素和該第三子像素之間的邊界地區中彼此接觸。
  20. 如請求項17所述之電致發光顯示裝置，其中該第一半透射層、該第二半透射層和該第三半透射層彼此間隔開。
  21. 如請求項17所述之電致發光顯示裝置，其中該第一反射電極與該第一半透射層之間的一第一距離、該第二反射電極與該第二半透射層之間的一第二距離，以及該第三反射電極與該第三半透射層之間的一第三距離彼此不同。
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