CN114551507A - 电致发光显示装置和头戴式显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了电致发光显示装置和头戴式显示装置。电致发光显示装置包括：第一至第三子像素，第一至第三子像素中的每个子像素包括接触区域和发光区域，每个子像素设置有第一电极，第一电极从各个子像素的发光区域延伸至接触区域；第一反射层，第一反射层设置在第一子像素的发光区域中并且与第一子像素的第一电极电绝缘；第二反射层，第二反射层至少设置在第二子像素的发光区域中；以及第三反射层，第三反射层至少设置在第三子像素的发光区域中。

Description

电致发光显示装置和头戴式显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年11月19日提交的韩国专利申请第10-2020-0155435号的权益，其通过引用结合于此，如同在此完全阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及电致发光显示装置。
背景技术
电致发光显示装置具有其中在阳极电极与阴极电极之间形成发光层的结构，并且是通过使发光层通过两个电极之间的电场发光来显示图像的装置。
发光层可以包括通过使由电子和空穴的结合产生的激子从激发态跃迁到基态而发光的有机材料，或者可以包括诸如量子点的无机材料。
发光层可以被配置成每个子像素发射不同的各个颜色的光，例如，每个子像素红光、绿光和蓝光，或者可以被配置成每个子像素发射相同颜色的光，例如白光。
在相关技术中已经提出了一种通过在每个子像素中实现微腔来提高发光效率的方法。
然而，由于阳极电极或发光层每个子像素具有不同的厚度以实现每个子像素的微腔，所以出现了难以控制工艺的问题。
发明内容
鉴于上述问题做出了本公开内容，并且本公开内容的目的是提供一种电致发光显示装置，该电致发光显示装置易于控制工艺，同时通过实现微腔而提高了发光效率。
根据本公开内容的一个方面，可以通过提供一种电致发光显示装置来实现上述和其他目的，该电致发光显示装置包括：基板，该基板设置有第一子像素、第二子像素和第三子像素；电路元件层，设置在基板上，并且包括设置在第一子像素至第三子像素中的每个子像素中的驱动薄膜晶体管；反射层，设置在电路元件层上方，并且包括设置在第一子像素中的第一反射层、设置在第二子像素中的第二反射层、以及设置在第三子像素中的第三反射层；第一电极，设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个子像素中并且设置在反射层上方，每个子像素中的第一电极经由接触电极与该子像素中的驱动薄膜晶体管电连接；发光层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在发光层上，其中，第一子像素的第一电极通过第一接触电极与第一子像素的驱动薄膜晶体管电连接，并且第一反射层与第一子像素的第一电极和第一接触电极电绝缘。
根据本公开内容的另一个方面，可以通过提供一种电致发光显示装置来实现上述和其他目的，该电致发光显示装置包括：第一至第三子像素，第一至第三子像素中的每个子像素包括接触区域和发光区域，每个子像素设置有第一电极，第一电极从各个子像素的发光区域延伸至接触区域；第一反射层，第一反射层设置在第一子像素的发光区域中并且与第一子像素的第一电极电绝缘；第二反射层，第二反射层至少设置在第二子像素的发光区域中；以及第三反射层，第三反射层至少设置在第三子像素的发光区域中。
除了如上所述的本公开内容的效果，本领域技术人员将从本公开内容的以下描述中清楚地理解本公开内容的其他目的和特征。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他目的、特征和其他优点，其中：
图1是示出根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的电路示意图；
图2是示出根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的平面图；
图3是示出根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的沿图2的线A-B截取的截面图；
图4是示出根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置的沿图2的线A-B截取的截面图；
图5是示出根据本公开内容的又一实施方式的电致发光显示装置的沿图2的线A-B截取的截面图；
图6是示出根据本公开内容的又一实施方式的电致发光显示装置的沿图2的线A-B截取的截面图；
图7是示出根据本公开内容的又一实施方式的电致发光显示装置的沿图2的线A-B截取的截面图；
图8是示出根据本发明的又一实施方式的电致发光显示装置、具体地第一子像素的电路元件层的截面图；
图9是示出根据本发明的又一实施方式的电致发光显示装置、具体地第一子像素的电路元件层的截面图；
图10是示出根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置的平面图；
图11是示出图10的线A-B的一个实施方式的截面图；以及
图12A至图12C是示出根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置的视图，并且涉及头戴式显示(head-mounted display，HMD)设备。
具体实施方式
现在将详细参考本公开内容的示例性实施方式，其示例在附图中示出。在所有附图中，将尽可能使用相同的附图标记指代相同或相似的部件。
通过以下参照附图描述的实施方式，将阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开内容的范围。此外，本公开内容仅由权利要求的范围限定。
在附图中公开的用于描述本公开内容的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例，因此，本公开内容不限于所示出的细节。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，当确定相关的已知功能或配置的详细描述不必要地使本公开内容的要点模糊时，将省略该详细描述。
尽管没有明确的描述，但是在解释元件时，该元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部件之间的位置关系被描述为“在......上”、“在......上方”、“在......下”以及“靠近”时，可以在两个部件之间设置一个或更多个其它部件，除非使用了“刚好(just)”或“直接”。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在......之后”、“随后”、“接着”以及“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用了“刚好”或“直接”。
应该理解，虽然术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应当受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在没有脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
如本领域技术人员可以充分理解的，本公开内容的各个实施方式的特征可以部分地或全部地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地实施或者可以以相互依赖的关系一起实施。
在下文中，将结合附图详细描述本公开内容的优选实施方式。
图1是示出根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的电路示意图。
从图1中注意到，根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置包括扫描线SCAN、高电压电力线VDD、低电压电力线VSS、数据线DATA、感测线SENSE、驱动薄膜晶体管T1、感测薄膜晶体管T2、开关薄膜晶体管T3、电容器C以及有机发光二极管OLED。
扫描线SCAN将栅极信号提供至感测薄膜晶体管T2的栅电极G2和开关薄膜晶体管T3的栅电极G3。
高电压电力线VDD向驱动薄膜晶体管T1的漏电极D1提供高电压电源。
低电压电力线VSS向有机发光二极管OLED的第二电极(例如，阴极)提供低电压电源。
数据线DATA将数据信号提供至开关薄膜晶体管T3的源电极S3。
感测线SENSE连接至感测薄膜晶体管T2的源电极S2。
驱动薄膜晶体管T1根据从开关薄膜晶体管T3提供的数据电压被切换，以根据由高电压电力线VDD提供的高电压电源产生数据电流，并将产生的数据电流提供至有机发光二极管OLED。
感测薄膜晶体管T2旨在感测驱动薄膜晶体管T1的阈值电压差，该阈值电压差导致画面质量下降。可以在感测模式下感测阈值电压差。感测薄膜晶体管T2响应于从扫描线SCAN提供的栅极信号将驱动薄膜晶体管T1的电压提供至感测线SENSE。
开关薄膜晶体管T3根据提供至扫描线SCAN的栅极信号被切换，以将从数据线DATA提供的数据电压提供至驱动薄膜晶体管T1。开关薄膜晶体管T3的漏电极D3连接至驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1。示出了感测薄膜晶体管T2和开关薄膜晶体管T3连接至同一条扫描线SCAN，但不限于连接至同一条扫描线SCAN。感测薄膜晶体管T2和开关薄膜晶体管T3可以连接至其各自的彼此不同的扫描线SCAN。
电容器C将提供至驱动薄膜晶体管T1的数据电压保持一帧。电容器C包括电连接至驱动薄膜晶体管T1的源电极S1的第一电容器电极C1和电连接至驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1的第二电容器电极C2。视情况而定，第一电容器电极C1可以电连接至驱动薄膜晶体管T1的漏电极D1，并且这种情况可以等同地应用于以下所有实施方式。
有机发光二极管OLED根据从驱动薄膜晶体管T1提供的数据电流发射预定光。有机发光二极管OLED包括阳极、阴极以及设置在阳极与阴极之间的发光层。有机发光二极管OLED的阳极连接至驱动薄膜晶体管T1的源电极S1，并且有机发光二极管OLED的阴极连接至低电压电力线VSS。
图2是示出根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的平面图。在图2中仅示出了三个子像素。
如从图2中注意到的，根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置包括基板100、第一电极310、320和330、接触电极410、420和430以及堤部600。
多个子像素P1、P2和P3形成在基板100上。
多个子像素P1、P2和P3设置有多个发光区域EA1、EA2和EA3以及多个接触区域CA1、CA2和CA3。
详细地，在第一子像素P1中设置有第一发光区域EA1和第一接触区域CA1，在第二子像素P2中设置有第二发光区域EA2和第二接触区域CA2，以及在第三子像素P3中设置有第三发光区域EA3和第三接触区域CA3。
多个发光区域EA1、EA2和EA3由堤部600限定。详细地，未被堤部600覆盖而暴露的区域成为多个发光区域EA1、EA2和EA3。第一发光区域EA1可以包括红色发光区域，第二发光区域EA2可以包括绿色发光区域，并且第三发光区域EA3可以包括蓝色发光区域，但是不限于此。
可以在堤部600覆盖的区域中设置多个接触区域CA1、CA2和CA3。因此，可以将多个接触区域CA1、CA2和CA3设置在多个发光区域EA1、EA2和EA3的一侧的外侧。例如，可以将第一接触区域CA1设置在第一发光区域EA1的上侧的外侧，可以将第二接触区域CA2设置在第二发光区域EA2的上侧的外侧，并且可以将第三接触区域CA3设置在第三发光区域EA3的上侧的外侧，但是不限于此。接触区域CA1、CA2和CA3的位置可以以各种方式改变。
多个接触区域CA1、CA2和CA3分别设有多个接触孔CH11和CH12、CH21和CH22以及CH31和CH32，从而产生了台阶差。因此，如果多个接触区域CA1、CA2和CA3在没有被堤部600覆盖的情况下部分地暴露，而与多个发光区域EA1、EA2和EA3部分地交叠，则可能出现发光区域EA1、EA2和EA3由于台阶差而无法均匀发光的问题。因此，在本公开内容的一个实施方式中，多个接触区域CA1、CA2和CA3可以被堤部600覆盖，从而多个接触区域CA1、CA2和CA3可以形成为不与多个发光区域EA1、EA2和EA3交叠。然而，多个接触区域CA1、CA2和CA3不限于以上实施方式。即，多个接触区域CA1、CA2和CA3的至少一部分可以不被堤部覆盖，从而多个接触区域CA1、CA2和CA3的至少一部分可以形成为与多个发光区域EA1、EA2和EA3交叠。
第一电极310、320和330被形成为每个子像素P1、P2和P3被图案化。即，一个第一电极310形成在第一子像素P1中，另一个第一电极320形成在第二子像素P2中，另一个第一电极330形成在第三子像素P3中。第一电极310、320和330可以用作电致发光显示装置的阳极。
第一子像素P1的第一电极310从第一发光区域EA1延伸至第一接触区域CA1，并且第一电极310的未被堤部600覆盖而暴露的部分成为第一发光区域EA1。第一子像素P1的第一电极310在第一接触区域CA1中与第一接触电极410连接。
第二子像素P2的第一电极320从第二发光区域EA2延伸至第二接触区域CA2，并且第一电极320的未被堤部600覆盖而暴露的部分成为第二发光区域EA2。第二子像素P2的第一电极320在第二接触区域CA2中与第二接触电极420连接。
第三子像素P3的第一电极330从第三发光区域EA3延伸至第三接触区域CA3，并且第一电极330的未被堤部600覆盖而暴露的部分成为第三发光区域EA3。第三子像素P3的第一电极330在第三接触区域CA3中与第三接触电极430连接。
接触电极410、420和430分别设置在接触区域CA1、CA2和CA3中。详细地，第一接触电极410设置在第一接触区域CA1中，第二接触电极420设置在第二接触区域CA2中，并且第三接触电极430设置在第三接触区域CA3中。
第一接触电极410在第一接触区域CA1中与第一子像素P1的第一电极310交叠的同时与第一电极310连接。如图所示，第一接触电极410的左右宽度大于第一电极310的左右宽度，但不限于此。即，第一接触电极410的左右宽度可以等于或小于第一电极310的左右宽度。
第二接触电极420在第二接触区域CA2中与第二子像素P2的第一电极320交叠的同时与第一电极320连接。如图所示，第二接触电极420的左右宽度大于第一电极320的左右宽度，但不限于此。即，第二接触电极420的左右宽度可以等于或小于第一电极320的左右宽度。
第三接触电极430在第三接触区域CA3中与第三子像素P3的第一电极330交叠的同时与第一电极330连接。如图所示，第三接触电极430的左右宽度大于第一电极330的左右宽度，但不限于此。即，第三接触电极430的左右宽度可以等于或小于第一电极330的左右宽度。
图3是示出根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的截面图，并且对应于图2的线A-B的截面。
如从图3中注意到的，根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置包括基板100、电路元件层200、第一电极310、320和330、反射层315、325和335、导电层327和337、接触电极410、420和430、层间电介质层510和520、堤部600、发光层700、第二电极800、密封层850和滤色器层900。
基板100可以由但不限于玻璃或塑料制成。基板100可以由诸如硅晶片的半导体材料制成。基板100可以由透明材料或不透明材料制成。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3设置在基板100上。第一子像素P1可以设置成发射红光，第二子像素P2可以设置成发射绿光，并且第三子像素P3可以设置成发射蓝光。子像素不限于上述情况，并且它们的布置顺序可以以各种方式改变。
根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置被设置成其中光向上发射的顶部发光，因此可以将不透明材料以及透明材料用作基板100的材料。
电路元件层200形成在基板100上。
对于子像素P1、P2和P3中的每一个，在电路元件层200中设置有包括图1中描述的扫描线SCAN、高电压电力线VDD、低电压电力线VSS、数据线DATA、感测线SENSE、驱动薄膜晶体管T1、感测薄膜晶体管T2、开关薄膜晶体管T3和电容器C的电路元件。
第一电极310、320和330、反射层315、325和335以及接触电极410、420和430被形成为对于子像素P1、P2和P3中的每一个在电路元件层200上被图案化。第一电极310、第一反射层315和第一接触电极410形成在第一子像素P1中，另一个第一电极320、第二反射层325和第二接触电极420形成在第二子像素P2中，并且另一个第一电极330、第三反射层335和第三接触电极430形成在第三子像素P3中。
在第一子像素P1中，第一电极310从第一发光区域EA1延伸至第一接触区域CA1。设置在第一子像素P1中的第一接触电极410包括第一下接触电极411、第一中心接触电极412和第一上接触电极413，并且第一下接触电极411、第一中心接触电极412和第一上接触电极413形成在第一接触区域CA1中。
第一下接触电极411设置在电路元件层200上，并且电连接至设置在第一子像素P1中的驱动薄膜晶体管T1。第一中心接触电极412设置在第一层间电介质层510上，并且通过第一层间电介质层510的设置在第一子像素P1中的第一接触孔CH11连接至第一下接触电极411。第一上接触电极413设置在第二层间电介质层520上，并且通过第二层间电介质层520的设置在第一子像素P1中的第二接触孔CH12连接至第一中心接触电极412。第一电极310设置在第二层间电介质层520和第一上接触电极413上。尽管未示出，但是第一电极310可以通过设置在单独的层间电介质层中的接触孔与第一上接触电极413连接。
第一反射层315以与第一下接触电极411相同的方式设置在电路元件层200上的第一发光区域EA1中。第一反射层315在与第一下接触电极411间隔开的同时与第一下接触电极411电绝缘。因此，第一反射层315与第一电极310电绝缘。在第一子像素P1的第一发光区域EA1中，第一层间电介质层510和第二层间电介质层520被设置在第一反射层315与第一电极310之间。
第一反射层315可以用作用于实现微腔的反射层，并且还可以用作设置在电路元件层200中的各种电路元件的线路或电极。即，第一反射层315可以由设置在作为导电层的电路元件层200中的各种电路元件的线路或电极制成，或者可以电连接至线路或电极。
设置在第二子像素P2中的第一电极320从第二发光区域EA2延伸至第二接触区域CA2。设置在第二子像素P2中的第二接触电极420包括第二下接触电极421和第二上接触电极423，并且第二下接触电极421和第二上接触电极423形成在第二接触区域CA2中。第二反射层325从第二发光区域EA2延伸至第二接触区域CA2。
第二下接触电极421设置在电路元件层200上，并且电连接至设置在第二子像素P2中的驱动薄膜晶体管T1。第二反射层325设置在第一层间电介质层510上，并且通过第一层间电介质层510的设置在第二子像素P2中的第一接触孔CH21连接至第二下接触电极421。第二上接触电极423设置在第二层间电介质层520上，并且通过第二层间电介质层520的设置在第二子像素P2中的第二接触孔CH22连接至第二反射层325。第一电极320设置在第二层间电介质层520和第二上接触电极423上。尽管未示出，但是第一电极320可以通过设置在单独的层间电介质层中的接触孔与第二上接触电极423连接。
第二反射层325与第二下接触电极421和第二上接触电极423连接，因此与第一电极320电连接。第二反射层325用作用于实现微腔的反射层。在第二子像素P2的第二发光区域EA2中，第二层间电介质层520设置在第二反射层325与第一电极320之间。
设置在第三子像素P3中的第一电极330从第三发光区域EA3延伸至第三接触区域CA3。设置在第三子像素P3中的第三接触电极430包括第三下接触电极431和第三上接触电极432，并且第三下接触电极431和第三上接触电极432形成在第三接触区域CA3中。第三反射层335从第三发光区域EA3延伸至第三接触区域CA3。
第三下接触电极431设置在电路元件层200上，并且电连接至设置在第三子像素P3中的驱动薄膜晶体管T1。第三上接触电极432设置在第一层间电介质层510上，并且通过第一层间电介质层510的设置在第三子像素P3中的第一接触孔CH31连接至第三下接触电极431。第三反射层335设置在第二层间电介质层520上，并且通过第二层间电介质层520的设置在第三子像素P3中的第二接触孔CH32连接至第三上接触电极432。第一电极330设置在第三反射层335上。尽管未示出，但是第一电极330可以通过设置在单独的层间电介质层中的接触孔与第三反射层335连接。
第三反射层335在与第一电极330的下表面接触的同时与第一电极330电连接。第三反射层335用作用于实现微腔的反射层。在第三子像素P3的第三发光区域EA3中，在第三反射层335与第一电极330之间未设置层间电介质层。
如上所述，根据本公开内容的一个实施方式，由于在第一子像素P1中第一反射层315与第一电极310之间的距离、在第二子像素P2中第二反射层325与第一电极320之间的距离、以及在第三子像素P3中第三反射层335与第一电极330之间的距离被彼此不同地配置，因此可以获得微腔特性。在这种情况下，第一电极310、320和330可以由透明电极或半透明电极制成，并且可以用作第一至第三子像素P1、P2和P3的阳极。
在本公开内容中，反射层是用于反射入射光的层，透明电极是用于透射入射光的电极，并且半透明电极是用于透射入射光的一部分并且反射入射光的另一部分的电极。考虑到透明度，透明度按反射层、半透明电极和透明电极的顺序增大，并且考虑到反射率，反射率按透明电极、半透明电极和反射层的顺序增大。
导电层327和337包括设置在第二子像素P2中的第一导电层327和设置在第三子像素P3中的第二导电层337。
第一导电层327设置在电路元件层200上的第二发光区域EA2中。第一导电层327在与第二下接触电极421间隔开的同时与第二下接触电极421电绝缘。因此，第一导电层327与第二反射层325和第一电极320电绝缘。第一导电层327可以用作设置在电路元件层200中的各种电路元件的线路或电极。即，第一导电层327可以由设置在电路元件层200中的各种电路元件的线路或电极组成，或者可以电连接至该线路或电极。
第二导电层337设置在电路元件层200上的第三发光区域EA3中。第二导电层337在与第三下接触电极431间隔开的同时与第三下接触电极431电绝缘。因此，第二导电层337与第三反射层335和第一电极330电绝缘。第二导电层337可以用作设置在电路元件层200中的各种电路元件的线路或电极。即，第二导电层337可以由设置在电路元件层200中的各种电路元件的线路或电极组成，或者可以电连接至该线路或电极。
根据本公开内容的一个实施方式，第一反射层315以及导电层327和337被图案化以分别与子像素P1、P2和P3中的第一电极310、320和330绝缘，由此有利的是第一反射层315以及导电层327和337可以用作设置在电路元件层200中的各种电路元件的线路或电极。
布置在同一层上的第一子像素P1的第一反射层315和第一下接触电极411、第二子像素P2的第一导电层327和第二下接触电极421、以及第三子像素P3的第二导电层337和第三下接触电极431由相同的材料形成并且通过相同的工艺图案化。
布置在同一层上的第一子像素P1的第一中心接触电极412、第二子像素P2的第二反射层325和第三子像素P3的第三上接触电极432由相同的材料形成并通过相同的工艺图案化。
布置在同一层上的第一子像素P1的第一上接触电极413、第二子像素P2的第二上接触电极423和第三子像素P3的第三反射层335由相同的材料形成并通过相同的工艺图案化。
布置在同一层上的第一子像素P1的第一电极310、第二子像素P2的第一电极320和第三子像素P3的第一电极330由相同的材料形成并且通过相同的工艺图案化。
在本公开内容中，设置在同一层上的多个元件可以由相同的材料形成并且可以通过相同的工艺图案化。
堤部600可以形成在第二层间电介质层520上以覆盖第一电极310、320和330的端部，从而可以解决由于电流集中到第一电极310、320和330的端部而导致发光效率降低的问题。
堤部600以矩阵结构形成在多个子像素P1、P2和P3之间的每个边界中，并且分别限定多个子像素P1、P2和P3中的发光区域EA1、EA2和EA3。即，在各个子像素P1、P2和P3中，第一电极310、320和330的没有堤部600而暴露的暴露区域成为发光区域EA1、EA2和EA3。
在这种情况下，堤部600可以形成为与其中形成有接触电极410、420和430的接触区域CA1、CA2和CA3交叠。因此，其每一个具有台阶差的接触区域CA1、CA2和CA3可以不与发光区域EA1、EA2和EA3交叠。
尽管堤部600可以由相对薄的无机绝缘膜制成，但是堤部600也可以由相对厚的有机绝缘膜制成。
发光层700形成在第一电极310、320和330上。发光层700甚至可以形成在堤部600上。即，发光层700形成在子像素P1、P2和P3中的每个子像素和子像素间的每个边界区域中而没有被断开。
发光层700可以被设置成发射白(W)光。为此，发光层700可以包括发射不同颜色的光的多个堆叠部。例如，发光层700可以包括发射蓝光的第一堆叠部、发射黄绿色光的第二堆叠部、以及设置在第一堆叠部与第二堆叠部之间的电荷产生层CGL，或者可以包括发射蓝光的第一堆叠部、发射绿光的第二堆叠部、发射红光的第三堆叠部、设置在第一堆叠部与第二堆叠部之间的第一电荷产生层、以及设置在第二堆叠部与第三堆叠部之间的第二电荷产生层。每个堆叠部可以包括以预定顺序沉积的空穴传输层、有机发光层和电子传输层。可以以本领域中已知的各种类型来修改发光层700的该配置。
第二电极800形成在发光层700上。第二电极800可以用作电致发光显示装置的阴极。第二电极800以与发光层700相同的方式形成在子像素P1、P2和P3中的每个子像素和子像素间的每个边界区域中而没有被断开。即，第二电极800甚至可以形成在堤部600的上方。
第二电极800可以由半透明电极组成，因此对于子像素P1、P2和P3中的每个子像素可以获得微腔效应。即，光的反射和再反射在作为半透明电极的第二电极800与反射层315、325和335之间重复，从而可以获得微腔效应。
密封层850形成在第二电极800上以防止外部的水渗透到发光层700中。密封层850可以由但不限于无机绝缘材料或交替沉积的无机绝缘材料和有机绝缘材料的沉积结构制成。
滤色器层900形成在密封层850上。滤色器层900形成为面对各个子像素P1、P2和P3中的发光区域EA1、EA2和EA3。滤色器层900可以包括但不限于设置在第一子像素P1中的红色滤色器、设置在第二子像素P2中的绿色滤色器、和设置在第三子像素P3中的蓝色滤色器。尽管未示出，但是可以在滤色器层900之间的边界中另外形成黑矩阵，以防止光泄漏到除发光区域EA1、EA2和EA3之外的区域。
图4是示出根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置的截面图，并且对应于图2的线A-B的截面。除了在第三子像素P3中另外设置了第三导电层339之外，图4的电致发光显示装置与图3的电致发光显示装置相同。因此，相同的附图标记被赋予相同的元件，并且在下文中将仅描述不同的元件。
如从图4所注意到的，第三导电层339被设置在第三子像素P3的第一层间电介质层510上。第三导电层339由与第三上接触电极432相同的材料形成在与第三上接触电极432相同的层上，并且通过与第三上接触电极432相同的工艺图案化。
第三导电层339设置在第三发光区域EA3中。第三导电层339在与第三上接触电极432间隔开的同时与第三上接触电极432电绝缘。因此，第三导电层339与第三反射层335和第一电极330电绝缘。另外，第三导电层339与第二导电层337电绝缘。
如上所述，根据本公开内容的另一实施方式，第三导电层339与第三反射层335、第一电极330和第二导电层337电绝缘，由此有利的是第三导电层339可以与第二导电层337单独地用作设置在电路元件层200中的各种电路元件的线路或电极。
图5是示出根据本公开内容的又一实施方式的电致发光显示装置的截面图，并且对应于图2的线A-B的截面。除了设置在第三子像素P3中的第三导电层339与第二导电层337电连接之外，图5的电致发光显示装置与图4的电致发光显示装置相同。因此，相同的附图标记被赋予相同的元件，并且在下文中将仅描述不同的元件。
如从图5注意的，第三导电层339通过设置在第一层间电介质层510中的第三接触孔CH33与第二导电层337电连接。
因此，根据本公开内容的又一实施方式，由于第三导电层339与第二导电层337电连接，因此第三导电层339和第二导电层337可以用作设置在电路元件层200中的各种电路元件的线路或电极，由此可以提高线路或电极的导电性。
图6是示出根据本公开内容的又一实施方式的电致发光显示装置的截面图，并且对应于图2的线A-B的截面。除了修改了第二子像素P2之外，图6的电致发光显示装置与图3的电致发光显示装置相同。因此，相同的附图标记被赋予相同的元件，并且在下文中将仅描述不同的元件。
如从图6注意到，第二反射层325和第二中心接触电极422在第一层间电介质层510上彼此间隔开的同时彼此电绝缘。
第二反射层325形成在第二发光区域EA2中，并且第二中心接触电极422形成在第二接触区域CA2中。
参照图6，第二接触电极420包括第二下接触电极421、第二中心接触电极422和第二上接触电极423。第二下接触电极421设置在电路元件层200上，并且电连接至设置在第二子像素P2中的驱动薄膜晶体管T1。第二中心接触电极422设置在第一层间电介质层510上，并且通过第一层间电介质层510的设置在第二子像素P2中的第一接触孔CH21连接至第二下接触电极421。第二上接触电极423设置在第二层间电介质层520上，并且通过第二层间电介质层520的设置在第二子像素P2中的第二接触孔CH22连接至第二中心接触电极422。
第二反射层325与第二接触电极420和第一电极320电绝缘。另外，第二反射层325与第一导电层327电绝缘。
如上所述，根据本公开内容的又一个实施方式，第二反射层325与第二接触电极420、第一电极320和第一导电层327电绝缘，由此有利的是第二反射层325可以与第一导电层327单独地用作设置在电路元件层200中的各种电路元件的线路或电极。
图7是示出根据本公开内容的又一实施方式的电致发光显示装置的截面图，并且对应于图2的线A-B的截面。除了设置在第二子像素P2中的第二反射层325与第一导电层327电连接之外，图7的电致发光显示装置与图6的电致发光显示装置相同。因此，相同的附图标记被赋予相同的元件，并且在下文中将仅描述不同的元件。
如从图7注意的，第二反射层325通过设置在第一层间电介质层510中的第三接触孔CH23与第一导电层327电连接。
因此，根据本公开内容的又一实施方式，由于第二反射层325与第一导电层327电连接，因此第二反射层325和第一导电层327可以用作设置在电路元件层200中的各种电路元件的线路或电极，由此可以提高线路或电极的导电性。
尽管未详细示出，但是本公开内容包括以下结构：其中将图4或图5的第三导电层339应用于图6或图7的结构。
图8是示出根据本公开内容的又一实施方式的电致发光显示装置、具体地第一子像素P1的电路元件层200的截面图。
如从图8中注意到，电路元件层200设置在基板100上，并且第一电极310、第一接触电极410、第一反射层315以及层间电介质层510和520设置在电路元件层200上。
基板100可以由半导体材料制成。
由于配置了与图3至图7相同的第一电极310、第一接触电极410、反射层315以及层间电介质层510和520，因此将省略其重复描述。
电路元件层200包括驱动薄膜晶体管T1、感测薄膜晶体管T2、扫描线SCAN、数据线DATA、感测线SENSE、高电压电力线VDD和电容器C。
驱动薄膜晶体管T1包括源电极S1、漏电极D1和栅电极G1。源电极S1和漏电极D1设置在由半导体材料制成的基板100中，并且通过在其间插入第一绝缘层210而将栅电极G1与源电极S1和漏电极D1间隔开。
感测薄膜晶体管T2包括源电极S2、漏电极D2和栅电极G2。源电极S2和漏电极D2设置在由半导体材料制成的基板100中，并且通过在其间插入第一绝缘层210而将栅电极G2与源电极S2和漏电极D2间隔开。
尽管未示出，但是可以以与驱动薄膜晶体管T1或感测薄膜晶体管T2相同的结构来设置开关薄膜晶体管。
第二绝缘层220形成在第一绝缘层210以及栅电极G1和G2上。扫描线SCAN和多个第一连接层M11、M12、M13和M14形成在第二绝缘层220上。此外，多个第一通孔V11、V12、V13、V14、V15和V16形成在第二绝缘层220或第一绝缘层210和第二绝缘层220中。
详细地，一个第一连接层M11通过穿过第一绝缘层210和第二绝缘层220的第一通孔V11与驱动薄膜晶体管T1的漏电极D1电连接，并且另一个第一连接层M12通过穿过第二绝缘层220的第一通孔V12与驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1电连接。又一个第一连接层M13通过穿过第一绝缘层210和第二绝缘层220的第一通孔V13和V14与驱动薄膜晶体管T1的源电极S1和感测薄膜晶体管T2的漏电极D2电连接。扫描线SCAN通过穿过第二绝缘层220的第一通孔V15与感测薄膜晶体管T2的栅电极G2电连接。又一个第一连接层M14通过穿过第一绝缘层210和第二绝缘层220的第一通孔V16与感测薄膜晶体管T2的源电极S2电连接。
第三绝缘层230形成在第二绝缘层220、扫描线SCAN和多个第一连接层M11、M12、M13和M14上。并且，数据线DATA和多个第二连接层M21、M22、M23和M24形成在第三绝缘层230上。此外，多个第二通孔V21、V22、V23、V24和V25形成在第三绝缘层230中。
详细地，一个第二连接层M21通过穿过第三绝缘层230的第二通孔V21与第一连接层M11电连接，另一个第二连接层M22通过穿过第三绝缘层230的第二通孔V22与第一连接层M12电连接，并且又一个第二连接层M23通过穿过第三绝缘层230的第二通孔V23和V24与第一连接层M13电连接。数据线DATA通过未示出的第一通孔、第一连接层和第二通孔与开关薄膜晶体管的源电极电连接。另一个第二连接层M24通过穿过第三绝缘层230的第二通孔V25与第一连接层M14电连接。
第四绝缘层240形成在第三绝缘层230、数据线DATA和多个第二连接层M21、M22、M23和M24上。并且，感测线SENSE和多个第三连接层M31、M32和M33形成在第四绝缘层240上。此外，多个第三通孔V31、V32、V33、V34和V35形成在第四绝缘层240中。
详细地，一个第三连接层M31通过穿过第四绝缘层240的第三通孔V31与第二连接层M21电连接，另一个第三连接层M32通过穿过第四绝缘层240的第三通孔V32与第二连接层M22电连接，并且又一个第三连接层M33通过穿过第四绝缘层240的第三通孔V33和V34与第二连接层M23电连接。感测线SENSE通过穿过第四绝缘层240的第三通孔V35与另一个第二连接层M24电连接。
第五绝缘层250形成在第四绝缘层240、感测线SENSE和多个第三连接层M31、M32和M33上。并且，电容器C的第二电容器电极C2以及多个第四连接层M41和M42形成在第五绝缘层250上。此外，多个第四通孔V41、V42和V43形成在第五绝缘层250中。
详细地，一个第四连接层M41通过穿过第五绝缘层250的第四通孔V41与第三连接层M31电连接。第二电容器电极C2通过穿过第五绝缘层250的第四通孔V42与另一第三连接层M32电连接。另一个第四连接层M42通过穿过第五绝缘层250的第四通孔V43与第三连接层M33电连接。
第六绝缘层260形成在第五绝缘层250、第二电容器电极C2以及多个第四连接层M41和M42上。并且，电容器C的第一电容器电极C1形成在第六绝缘层260上。通过在其间插入第六绝缘层260而使第一电容器电极C1面对第二电容器电极C2。优选地，第六绝缘层260是薄的以增加电容器C的电容。因此，第六绝缘层260可以形成为比其他绝缘层210、220、230、240、250、270和280更薄。
第七绝缘层270形成在第六绝缘层260和第一电容器电极C1上。并且，高电压电力线VDD和链接电极LE形成在第七绝缘层270上。此外，多个第五通孔V51、V52和V53形成在第七绝缘层270或第六绝缘层260和第七绝缘层270中。
详细地，高电压电力线VDD通过穿过第六绝缘层260和第七绝缘层270的第五通孔V51与第四连接层M41电连接。链接电极LE通过穿过第七绝缘层270的第五通孔V52与第一电容器电极C1电连接。另外，链接电极LE通过穿过第六绝缘层260和第七绝缘层270的第五通孔V53与第四连接层M42电连接。
第八绝缘层280形成在第七绝缘层270、高电压电力线VDD和链接电极LE上。并且，第一下接触电极411和第一反射层315形成在第八绝缘层280上。此外，多个第六通孔V61和V62形成在第八绝缘层280中。
第一下接触电极411通过穿过第八绝缘层280的第六通孔V62与链接电极LE电连接。第一反射层315通过穿过第八绝缘层280的第六通孔V61与高电压电力线VDD电连接。
因此，第一下接触电极411通过以预定顺序穿过布置在第一下接触电极411下方的链接电极LE、第四连接层M42、第三连接层M33、第二连接层M23以及第一连接层M13，而与驱动薄膜晶体管T1的源电极S1和感测薄膜晶体管T2的漏电极D2中的每一个电连接。
另外，第一反射层315通过以预定顺序穿过布置在第一反射层315下方的高电压电力线VDD、第四连接层M41、第三连接层M31、第二连接层M21和第一连接层M11，而与驱动薄膜晶体管T1的漏电极D1电连接。
另外，第一电容器电极C1通过以预定顺序穿过布置在第一电容器电极C1上方的链接电极LE，然后穿过布置在第一电容器电极C1下方的第四连接层M42、第三连接层M33、第二连接层M23和第一连接层M13，而与驱动薄膜晶体管T1的源电极S1和感测薄膜晶体管T2的漏电极D2中的每一个电连接。
另外，第二电容器电极C2通过以预定顺序穿过布置在第二电容器电极C2下方的第三连接层M32、第二连接层M22和第一连接层M12，而与驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1电连接。
而且，感测线SENSE通过以预定顺序穿过布置在感测线SENSE下方的第二连接层M24和第一连接层M14而与感测薄膜晶体管T2的源电极S2电连接。
根据本公开内容的又一实施方式，第一反射层315与高电压电力线VDD电连接，由此第一反射层315可以用作高电压电力线VDD的辅助线。视情况而定，第一反射层315可以用作主高电压电力线。
另外，根据本公开内容的又一实施方式，由于扫描线SCAN、数据线DATA、感测线SENSE和高电压电力线VDD形成在其彼此不同的各自的层上，因此可以减小多个子像素P1、P2和P3的尺寸，从而可以实现高分辨率显示的显示器。特别地，尽管可以将数据线DATA设置在扫描线SCAN上方，可以将感测线SENSE设置在数据线DATA上方以及可以将高电压电力线VDD设置在感测线SENSE上方，但是这些线路不限于此。
另外，第一电容器电极C1和第二电容器电极C2可以形成在与扫描线SCAN、数据线DATA、感测线SENSE和高电压电力线VDD不同的层上。然而，视情况而定，扫描线SCAN、数据线DATA、感测线SENSE、第一电容器电极C1、第二电容器电极C2和高电压电力线VDD中的至少两个可以形成在同一层上。
尽管未详细示出，但是电路元件层200可以等同地应用于图3至图7的第二子像素P2和第三子像素P3。
在这种情况下，在第二子像素P2的情况下，第二下接触电极421通过以预定顺序穿过链接电极LE、第四连接层M42、第三连接层M33、第二连接层M23和第一连接层M13，而与驱动薄膜晶体管T1的源电极S1和感测薄膜晶体管T2的漏电极D2中的每一个电连接，并且第一导电层327通过以预定顺序穿过高电压电力线VDD、第四连接层M41、第三连接层M31、第二连接层M21和第一连接层M11，而与驱动薄膜晶体管T1的漏电极D1电连接。
在第三子像素P3的情况下，第三下接触电极431通过以预定顺序穿过链接电极LE、第四连接层M42、第三连接层M33、第二连接层M23和第一连接层M13，而与驱动薄膜晶体管T1的源电极S1和感测薄膜晶体管T2的漏电极D2中的每一个电连接，并且第二导电层337通过以预定顺序穿过高电压电力线VDD、第四连接层M41、第三连接层M31、第二连接层M21和第一连接层M11，而与驱动薄膜晶体管T1的漏电极D1电连接。
图9是示出根据本公开内容的又一实施方式的电致发光显示装置、具体地第一子像素P1的电路元件层200的截面图。图9的电致发光显示装置与图8的电致发光显示装置的不同之处在于省略了链接电极LE和第八绝缘层280。因此，相同的附图标记被赋予相同的元件，并且在下文中将仅描述不同的元件。
参照图8，高电压电力线VDD和链接电极LE形成在第七绝缘层270上，第八绝缘层280形成在高电压电力线VDD和链接电极LE上，并且第一下接触电极411和第一反射层315形成在第八绝缘层280上。
相比，参照图9，第一下接触电极411和第一反射层315形成在第七绝缘层270上。因此，第一下接触电极411通过按预定顺序穿过布置在第一下接触电极411下方的第四连接层M42、第三连接层M33、第二连接层M23和第一连接层M13，而与驱动薄膜晶体管T1的源电极S1和感测薄膜晶体管T2的漏电极D2中的每一个电连接。另外，第一电容器电极C1通过以预定顺序穿过布置在第一电容器电极C1上方的第一下接触电极411，然后穿过布置在第一电容器电极C1下方的第四连接层M42、第三连接层M33、第二连接层M23和第一连接层M13而与驱动薄膜晶体管T1的源电极S1和感测薄膜晶体管T2的漏电极D2中的每一个电连接。
因此，第一电容器电极C1的上表面与设置在第七绝缘层270中的第五通孔V52的下表面接触，并且第一下接触电极411的下表面与设置在第七绝缘层270中的第五通孔V52的上表面接触。
另外，参照图9，高电压电力线VDD设置在与第五绝缘层250上的第二电容器电极C2相同的层上，并且第一反射层315通过设置在第七绝缘层270和第六绝缘层260中的第五通孔V51与布置在其下方的高电压电力线VDD电连接。
因此，第一反射层315通过以预定顺序穿过高电压电力线VDD、第三连接层M31、第二连接层M21和第一连接层M11，而与驱动薄膜晶体管T1的漏电极D1电连接。
以此方式，由于在图9的实施方式中省略了链接电极LE和第八绝缘层280，因此与图8的实施方式相比，有利的是减少了薄膜的沉积工艺的数量和使用掩模的图案化工艺的数量。
图10是示出根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置的平面图。图10的电致发光显示装置与图2的电致发光显示装置的不同之处在于，在多个子像素P1、P2和P3之间的每个边界中另外设置了沟槽T。因此，相同的附图标记被赋予相同的元件，并且在下文中将仅描述不同的元件。
如从图10所注意到的，在多个子像素P1、P2和P3之间的每个边界区域中形成沟槽T。以此方式，根据本公开内容的另一实施方式，由于设置了沟槽T，因此在彼此相邻的子像素P1、P2和P3之间纵向形成电流路径，从而可以减少在彼此相邻的子像素P1、P2、P3之间的漏电流的发生。将通过截面结构对此进行更详细地描述。
图11是示出图10的线A-B的一个实施方式的截面图。图11的电致发光显示装置与图3的电致发光显示装置的不同之处在于，在堤部600和堤部600下方的第二层间电介质层520中另外设置了沟槽T。因此，相同的附图标记被赋予相同的元件，并且在下文中将仅描述不同的元件。尽管未详细示出，但是沟槽T还将应用于本公开内容中图4至图9的结构。
如从图11所注意到的，在多个子像素P1、P2和P3之间的每个边界区域中的堤部600和第二层间电介质层520中形成沟槽T。
以此方式，根据本公开内容的另一实施方式，由于在堤部600和第二层间电介质层520中形成沟槽T，因此发光层700可以形成在沟槽T中。因此，可以在彼此相邻的子像素P1、P2和P3之间形成长电流路径，从而可以减少彼此相邻的子像素P1、P2和P3之间的漏电流的发生。即，在子像素P1、P2和P3之间的间隔紧凑以实现高分辨率的情况下，当子像素P1、P2和P3中的任何一个子像素中的发光层700发光时，相应发光层700中的电荷可以移动到子像素P1、P2和P3中的与其相邻的另一个子像素中的发光层700，从而可能发生漏电流。
因此，在本公开内容的另一实施方式中，由于在多个子像素P1、P2和P3之间的每个边界区域中形成沟槽T，并且在沟槽T中形成发光层700，所以纵向地形成彼此相邻的子像素P1、P2和P3之间的长电流路径以增加电阻，从而可以减少漏电流的发生。
沟槽T可以仅形成在堤部600中。替选地，沟槽T可以延伸至第一层间电介质层510的内部，或延伸至第二层间电介质层520的内部，或延伸至电路元件层200的内部。
参照图11的放大图，发光层700可以包括：第一堆叠部710，其发射第一颜色的光；第二堆叠部730，其发射第二颜色的光；以及电荷产生层720，其设置在第一堆叠部710与第二堆叠部730之间。
第一堆叠部710可以形成在沟槽T内的一侧，也可以形成在沟槽T内的下表面上。在这种情况下，第一堆叠部710的形成在沟槽T内的一侧的部分和第一堆叠部710的形成在沟槽T内的下表面上的部分彼此断开而彼此不连接。因此，第一堆叠部710的形成在沟槽T内的一侧例如左侧的部分以及第一堆叠部710的形成在沟槽T内的另一侧例如右侧的部分彼此断开而彼此不连接。结果，电荷不能通过第一堆叠部710在被布置成通过插入沟槽T而彼此邻接的子像素P1、P2和P3之间移动。
另外，电荷产生层720可以在沟槽T内部的一侧形成在第一堆叠部710上。在这种情况下，电荷产生层720的形成在沟槽T内的一侧例如左侧的部分和电荷产生层720的形成在沟槽T内的另一侧例如右侧的部分彼此断开而彼此不连接。因此，电荷不能通过电荷产生层720在被布置成通过插入沟槽T而彼此邻接的子像素P1、P2和P3之间移动。
另外，第二堆叠部730可以在电荷产生层720上连续地设置在被布置成通过插入沟槽T而彼此邻接的子像素P1、P2和P3之间。因此，电荷可以通过第二堆叠部730在被布置成通过插入沟槽T而彼此邻接的子像素P1、P2和P3之间移动。然而，不限于这种情况，第二堆叠部730可以被配置成通过适当地控制沟槽T的形状和发光层700的沉积工艺，在被布置成通过插入沟槽T而彼此邻接的子像素P1、P2和P3之间不连续地设置。特别地，第二堆叠部730的与电荷产生层720相邻的一些下部可以在子像素P1、P2和P3之间彼此断开。
电荷产生层720的电导率大于第一堆叠部710和第二堆叠部730的电导率。特别地，由于构成电荷产生层720的N型电荷产生层可以包括金属材料，因此N型电荷产生层的电导率大于第一堆叠部710和第二堆叠部730的电导率。因此，电荷主要通过电荷产生层720在被布置成彼此邻接的子像素P1、P2和P3之间移动，并且电荷通过第二堆叠部730的移动量是微不足道的。
根据本公开内容的另一实施方式，当在沟槽T中形成发光层700时，发光层700被设置成在沟槽T中部分地断开。特别地，第一堆叠部710和电荷产生层720被设置成断开，从而可以防止在彼此相邻的子像素P1、P2和P3之间发生漏电流。
图12A至图12C涉及根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置，并且涉及头戴式显示(HMD)设备。图12A是示意性透视图，图12B是虚拟现实(VR)结构的示意性平面图，并且图12C是增强现实(AR)结构的示意性截面图。
如图12A所示，根据本公开内容的HMD设备可以包括容纳壳体10和头戴式带30。
容纳壳体10可以容纳诸如显示设备、透镜阵列和目镜透镜的元件。
头戴式带30可以固定到容纳壳体10。头戴式带30被示出为被设置成围绕用户的两个侧表面的上表面，但是不限于此。头戴式带30可以将HMD设备固定到用户的头部，并且可以由眼镜框式结构或头盔式结构代替。
如图12B所示，根据本公开内容的具有VR结构的HMD设备可以包括左眼显示设备12、右眼显示设备11、透镜阵列13、左眼目镜透镜20a和右眼目镜透镜20b。
左眼显示设备12、右眼显示设备11、透镜阵列13、左眼目镜透镜20a和右眼目镜透镜20b可以容纳在容纳壳体10中。
左眼显示设备12和右眼显示设备11可以显示相同的图像，并且在这种情况下，用户可以观看二维(2D)图像。替选地，左眼显示设备12可以显示左眼图像，并且右眼显示设备11可以显示右眼图像。左眼显示设备12和右眼显示设备11中的每一个可以被配置为如上所述的电致发光显示设备。在这种情况下，与显示图像的表面对应的上部(例如，滤色器层900)可以面对透镜阵列13。
透镜阵列13可以与左眼目镜透镜20a和左眼显示设备12中的每一个间隔开，并且可以设置在左眼目镜透镜20a与左眼显示设备12之间。即，透镜阵列13可以设置在左眼目镜透镜20a的前面以及在左眼显示设备12的后面。另外，透镜阵列13可以与右眼目镜透镜20b和右眼显示设备11中的每一个间隔开，并且可以设置在右眼目镜透镜20b与右眼显示设备11之间。即，透镜阵列13可以设置在右眼目镜透镜20b的前面以及在右眼显示设备11的后面。
透镜阵列13可以是微透镜阵列。透镜阵列13可以由针孔阵列代替。通过使用透镜阵列13，可以将左眼显示设备12或右眼显示设备11显示的图像放大一定倍率，因此，用户可以看到放大的图像。
用户的左眼LE可以位于左眼目镜透镜20a处，并且用户的右眼RE可以位于右眼目镜透镜20b处。
如图12C所示，根据本公开内容的具有AR结构的HMD设备可以包括左眼显示设备12、透镜阵列13、左眼目镜透镜20a、透射反射部14和透射窗15。在图12C中，为了方便起见，仅示出了左眼元件，并且右眼元件可以与左眼元件相同。
左眼显示设备12、透镜阵列13、左眼目镜透镜20a、透射反射部14和透射窗15可以容纳在容纳壳体10中。
左眼显示设备12可以设置在透射反射部14的一侧(例如上侧)而不覆盖透射窗15。因此，左眼显示设备12可以向透射反射部14提供图像，而不覆盖透过透射窗15看到的外部背景。
左眼显示设备12可以被配置为如上所述的电致发光显示设备。在这种情况下，与显示图像的表面对应的上部(例如，滤色器层900)可以面对透射反射部14。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜透镜20a与透射反射部14之间。
用户的左眼可以位于左眼目镜透镜20a处。
透射反射部14可以设置在透镜阵列13与透射窗15之间。透射反射部14可以包括透射一部分光并且反射另一部分光的反射表面14a。反射表面14a可以设置成使得由左眼显示设备12显示的图像行进到透镜阵列13。因此，用户可以通过透射窗15看到所有的外部背景和由左眼显示设备12显示的图像。即，用户可以看到包括真实背景和虚拟图像的一个图像，因此可以实现AR。
透射窗15可以设置在透射反射部14的前面。
根据本公开内容的一个实施方式，由于在第一子像素中设置了第一接触电极，在第二子像素中设置了第二接触电极，并且在第三子像素中设置了第三接触电极，所以可以通过第一至第三接触电极每个子像素容易地实现微腔。
根据本公开内容的一个实施方式，由于第一反射层被图案化成与第一子像素内的第一电极绝缘，因此有利的是，第一反射层可以用作设置在电路元件层中的各种电路元件的线路或电极。
根据本公开内容的一个实施方式，由于第一导电层和第二导电层被图案化成与第二子像素和第三子像素内的第一电极绝缘，因此有利的是，导电层可以用作设置在电路元件层中的各种电路元件的线路或电极。
根据本公开内容的另一实施方式，由于第三导电层被图案化成与第三子像素内的第一电极绝缘，所以有利的是，第三导电层和第二导电层可以用作设置在电路元件层中的各种电路元件的线路或电极。
根据本公开内容的又一个实施方式，由于第二反射层被图案化成与第二子像素内的第一电极绝缘，因此有利的是，第二反射层可以用作设置在电路元件层中的各种电路元件的线路或电极。
根据本公开内容的又一实施方式，由于扫描线、数据线、感测线和高电压电力线VDD形成在它们彼此不同的各自的层上，因此可以减小多个子像素的尺寸，从而可以实现高分辨率的显示器。
对于本领域技术人员明显的是，上述本公开内容不受上述实施方式和附图的限制，并且在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下，可以对本公开内容进行各种替换、修改和变型。因此，本公开内容的范围由所附权利要求限定，并且旨在从权利要求的含义、范围和等同概念得出的所有变型或修改都落入本公开内容的范围内。
可以将上述各种实施方式组合以提供其他实施方式。本说明书中提及的和/或在申请数据表中列出的所有专利、申请和出版物均通过引用全文并入本文。如果需要采用各种专利、申请和出版物的概念以提供其他实施方式，则可以修改实施方式的各方面。
可以根据以上详细描述对实施方式进行这些和其他改变。总体而言，在权利要求书中，所使用的术语不应被解释为将权利要求书限制为说明书和权利要求书中公开的特定实施方式，而应解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求所赋予的等同物的全部范围。

Claims (21)

1.一种电致发光显示装置，包括：
基板，所述基板设置有第一子像素、第二子像素和第三子像素；
电路元件层，所述电路元件层设置在所述基板上，并且包括设置在所述第一子像素至所述第三子像素中的每个子像素中的驱动薄膜晶体管；
反射层，所述反射层设置在所述电路元件层上方，并且包括设置在所述第一子像素中的第一反射层、设置在所述第二子像素中的第二反射层、以及设置在所述第三子像素中的第三反射层；
第一电极，所述第一电极设置在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每个子像素中并且设置在所述反射层上方，每个子像素中的所述第一电极经由接触电极与该子像素中的所述驱动薄膜晶体管电连接；
发光层，所述发光层设置在所述第一电极上；以及
第二电极，所述第二电极设置在所述发光层上，
其中，所述第一子像素的所述第一电极通过第一接触电极与所述第一子像素的所述驱动薄膜晶体管电连接，并且所述第一反射层与所述第一子像素的所述第一电极和所述第一接触电极电绝缘。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述第一反射层和所述第二反射层中的至少一个与设置在所述电路元件层中的线路或电极电连接。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述第一接触电极包括与所述第一子像素的所述驱动薄膜晶体管连接的第一下接触电极、与所述第一子像素的所述第一电极连接的第一上接触电极、以及在所述第一下接触电极与所述第一上接触电极之间连接所述第一下接触电极与所述第一上接触电极的第一中心接触电极，并且所述第一反射层在与所述第一下接触电极相同的层上由与所述第一下接触电极相同的材料制成并且与所述第一下接触电极间隔开。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括设置在所述第二子像素中的所述第二反射层下方的第一导电层，其中，所述第一导电层在与所述第一反射层相同的层上由与所述第一反射层相同的材料制成并且与所述第二子像素的所述第一电极电绝缘。
5.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中，所述第二反射层设置在所述第一导电层与所述第二子像素的所述第一电极之间，并且与所述第二子像素的所述第一电极电连接。
6.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中，所述第二反射层设置在所述第一导电层与所述第二子像素的所述第一电极之间，与所述第二子像素的所述第一电极电绝缘，并且与所述第一导电层电连接。
7.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中，所述第二反射层设置在所述第一导电层与所述第二子像素的所述第一电极之间，与所述第二子像素的所述第一电极电绝缘，并且与所述第一导电层电绝缘。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括第二导电层，所述第二导电层设置在所述第三子像素中的所述第三反射层的下方，其中，所述第二导电层在与所述第一反射层相同的层上由与所述第一反射层相同的材料制成并且与所述第三子像素的所述第一电极电绝缘。
9.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，其中，所述第三反射层设置在所述第二导电层与所述第三子像素的所述第一电极之间，并且与所述第三子像素的所述第一电极电连接。
10.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，还包括第三导电层，所述第三导电层在所述第三子像素中设置在所述第二导电层与所述第三反射层之间，其中，所述第三导电层在与所述第二反射层相同的层上由与所述第二反射层相同的材料制成并且与所述第二导电层、所述第三反射层和所述第三子像素的所述第一电极电绝缘。
11.根据权利要求8所述的电致发光显示装置，还包括第三导电层，所述第三导电层在所述第三子像素中设置在所述第二导电层与所述第三反射层之间，其中，所述第三导电层在与所述第二反射层相同的层上由与所述第二反射层相同的材料制成并且与所述第二导电层电连接。
12.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述电路元件层包括设置在所述第一子像素中的第一电容器电极和高电压电力线，所述第一接触电极与所述第一电容器电极电连接，并且所述第一反射层与所述高电压电力线电连接。
13.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述电路元件层还包括开关薄膜晶体管、感测薄膜晶体管、电连接至所述开关薄膜晶体管的源电极的数据线、电连接至所述感测薄膜晶体管的栅电极的扫描线、电连接至所述感测薄膜晶体管的源电极的感测线、以及电连接至所述驱动薄膜晶体管的漏电极的高电压电力线，并且所述数据线、所述扫描线、所述感测线和所述高电压电力线设置在彼此不同的各自的层上。
14.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括覆盖所述第一电极的端部的堤部，其中，所述堤部在所述第一子像素至第三子像素间的每个边界区域中设置有沟槽，并且所述发光层的一部分在所述沟槽中断开以及所述发光层的另一部分在所述沟槽中连续。
15.一种电致发光显示装置，包括：
第一至第三子像素，所述第一至第三子像素中的每个子像素包括接触区域和发光区域，每个子像素设置有第一电极，所述第一电极从各个子像素的所述发光区域延伸至所述接触区域；
第一反射层，所述第一反射层设置在所述第一子像素的所述发光区域中并且与所述第一子像素的第一电极电绝缘；
第二反射层，所述第二反射层至少设置在所述第二子像素的所述发光区域中；以及
第三反射层，所述第三反射层至少设置在所述第三子像素的所述发光区域中。
16.根据权利要求15所述的电致发光显示装置，还包括：
第一导电层，所述第一导电层设置在所述第二子像素的所述发光区域中并且设置在所述第二反射层的下方；以及
第二导电层，所述第二导电层设置在所述第三子像素的所述发光区域中并设置在所述第三反射层的下方，
其中，所述第一反射层、所述第一导电层和所述第二导电层在同一层上由相同材料制成。
17.根据权利要求16所述的电致发光显示装置，还包括：第一下接触电极，设置在所述第一子像素的所述接触区域中；第二下接触电极，设置在所述第二子像素的所述接触区域中；以及第三下接触电极，设置在所述第三子像素的所述接触区域中，
其中，所述第一下接触电极与所述第一子像素的所述第一电极电连接并与所述第一反射层电绝缘，所述第二下接触电极与所述第二子像素的所述第一电极电连接并与所述第一导电层电绝缘，所述第三下接触电极与所述第三子像素的所述第一电极电连接并与所述第二导电层电绝缘，并且所述第一下接触电极、所述第二下接触电极和所述第三下接触电极在与所述第一反射层相同的层上由与所述第一反射层相同的材料制成。
18.根据权利要求16所述的电致发光显示装置，还包括第三导电层，所述第三导电层设置在所述第三子像素的所述发光区域中并且设置在所述第三反射层与所述第二导电层之间，
其中，所述第三导电层在与所述第二反射层相同的层上由与所述第二反射层相同的材料制成并且与所述第三子像素的所述第一电极电绝缘。
19.根据权利要求18所述的电致发光显示装置，其中，所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层中的至少一个与设置在电路元件层中的线路或电极电连接。
20.根据权利要求15所述的电致发光显示装置，还包括覆盖所述第一电极的端部的堤部，其中，所述堤部在所述第一子像素至第三子像素间的每个边界区域中设置有沟槽，并且设置在所述第一电极上方的发光层的一部分在所述沟槽中断开以及所述发光层的另一部分在所述沟槽中连续。
21.一种头戴式显示设备，包括：
至少一个根据权利要求1至20中的任意一项所述的电致发光显示装置，
与所述至少一个电致发光显示装置间隔开布置的透镜阵列；以及
容纳所述至少一个电致发光显示装置和所述透镜阵列的容纳壳体。
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