CN111326545A - 电致发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种电致发光显示装置。所述电致发光显示装置包括：包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板；基板上的第一子像素至第三子像素中的每一个中的第一电极；第一电极上的发光层；以及发光层上的第二电极，其中第一子像素设置有包括第一子发光区域和第二子发光区域的第一发光区域，并且第一子发光区域被配置成发射第一颜色光和第二颜色光的混合光，其中第二颜色光与第一颜色光不同，并且第二子发光区域被配置成发射第二颜色光。

Description

电致发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年12月13日提交的韩国专利申请第10-2018-0161125号的权益，通过引用将该申请如在本文中完全阐述的那样并入本文。
技术领域
本公开涉及电致发光显示装置，更具体地，涉及被配置成发射白色光的电致发光显示装置。
背景技术
以如下方式设置电致发光显示装置：在阳极电极与阴极电极之间设置发光层，并且发光层通过在上述两个电极之间生成的电场来发光，从而显示图像。
发光层可以由有机材料形成，该有机材料在通过电子和空穴的结合而产生激子并且激子从激发态下降到基态时发光，或者可以由诸如量子点的无机材料形成。
发光层可以通过每个子像素发射不同颜色光，例如，通过每个子像素发射红色光、绿色光或白色光，或者可以通过每个子像素发射相同颜色光，例如通过每个子像素发射白色光。
如果发光层通过每个子像素发射不同颜色光，则需要通过使用预定掩模按每个子像素沉积不同颜色发光层。在这种情况下，对掩模工艺的增加有限制。此外，如果掩模没有精确地对准，则难以按每个子像素精确地沉积发光层。
相反，如果发光层通过每个像素发射相同颜色光，例如，通过每个子像素发射白色光，则不需要被配置成对发光层进行图案化的掩模，由此不会产生由掩模工艺引起的任何问题。
然而，在形成被配置成发射白色光的发光层的方法中，需要按每个子像素对预定的滤色器层进行图案化。因此，当白色光穿过滤色器层时，仅具有预定波长的光被发射，使得光效率劣化。
发明内容
因此，本公开旨在提供电致发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
本公开的一方面旨在提供能够提高光效率的电致发光显示装置。
本公开的附加优点和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员而言在查看以下内容时将变得明显，或者可以从本公开的实践中获知。本公开的目的和其他优点可以通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其他优点并且根据本公开的目的，如本文所体现和广泛描述的，提供了一种电致发光显示装置，包括：包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板；基板上的第一子像素至第三子像素中的每一个中的第一电极；第一电极上的发光层；以及发光层上的第二电极，其中第一子像素设置有包括第一子发光区域和第二子发光区域的第一发光区域，并且第一子发光区域被配置成发射第一颜色光和第二颜色光的混合光，其中第二颜色光与第一颜色光不同，并且第二子发光区域被配置成发射第二颜色光。
在本公开的另外的方面，提供了一种电致发光显示装置，包括：包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板；基板上的第一子像素至第三子像素中的每一个中的第一电极；第一电极上的发光层；以及发光层上的第二电极，其中第一子像素设置有包括第一子发光区域和第二子发光区域的第一发光区域，并且第一子发光区域和第二子发光区域被配置成使得：在第一子发光区域中在第二电极与第一电极之间形成电场，并且在第二子发光区域中在第二电极与第一电极之间不形成电场。
根据本公开的一个实施方式，在第一子像素中设置的第一发光区域包括被配置成仅发射与从第一子像素发射的光相同的光的第二子发光区域，使得可以增加从第一子像素发射的光的量，从而提高光效率。
应当理解，本公开的前述一般描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本申请中且构成本申请的一部分，附图示出本公开的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开的一个实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图；
图2是示出根据本公开的一个实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；
图3是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；
图4是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图；
图5是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；
图6是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；
图7是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图；
图8是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；
图9是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图；
图10是示出根据本公开的一个实施方式的根据N型电荷生成层中的金属掺杂剂浓度的亮度变化的曲线图；
图11是示出本公开的实施方式和比较例中的每一个中的各个波长范围的光强度的曲线图；以及
图12A至图12C示出根据本公开的另外的实施方式的涉及头戴式显示器(HMD)装置的电致发光显示装置。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的示例性实施方式，其示例在附图中示出。尽可能地，在整个附图中将使用相同的附图标记来表示相同或相似的部分。
通过以下参考附图描述的实施方式，将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以以不同形式被实施，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底的和完整的，并且将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。此外，本公开仅由权利要求的范围限定。
用于描述本公开的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数目仅仅是示例，因此，本公开不限于示出的细节。相似的附图标记始终表示相似的元件。在以下描述中，当确定对相关已知功能或配置的详细描述会不必要地模糊本公开的重点时，将省略该详细描述。
在解释元件时，尽管没有明确的描述，元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……旁边”时，除非使用“正好”或“直接”，否则可以在这两个部分之间设置一个或更多个其他部分。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”，“接下来”和“在……之前”时，除非使用“正好”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。
应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以彼此进行各种相互操作且在技术上被驱动，如本领域技术人员可以充分理解的那样。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性实施方式。
图1是示出根据本公开的一个实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
如图1所示，根据本公开的一个实施方式的电致发光显示装置包括：基板100；电路器件层200；第一电极310、320和330；堤部400；发光层500；第二电极600；封装层700；以及滤色器层810、820和830。
基板100可以由玻璃或塑料形成，但不限于这些材料。基板100可以由诸如硅晶片的半导体材料形成。基板100可以由透明材料或不透明材料形成。在基板100上，存在第一子像素(P1)、在第一子像素(P1)的一侧设置的第二子像素(P2)、以及在第一子像素(P1)的另一侧设置的第三子像素(P3)。第一子像素(P1)发射蓝色(B)光，第二子像素(P2)发射红色(R)光，并且第三子像素(P3)发射绿色(G)光，但不限于该结构。例如，可以以各种方式改变各个子像素(P1、P2、P3)的布置顺序。
根据本公开的一个实施方式的电致发光显示装置可以以其中发射的光向上行进的顶部发光型形成，但不限于这种类型。如果电致发光显示装置以顶部发光型形成，则基板100可以由不透明材料以及透明材料形成。
电路器件层200设置在基板100上。
在电路器件层200中，按每个子像素(P1、P2、P3)提供包括各种信号线、薄膜晶体管和电容器的电路器件。信号线可以包括栅极线、数据线、电力线和参考线，并且薄膜晶体管可以包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和感测薄膜晶体管。
通过供应给栅极线的栅极信号来切换开关薄膜晶体管，并且开关薄膜晶体管向驱动薄膜晶体管供应从数据线供应的数据电压。
通过从开关薄膜晶体管供应的数据电压来切换驱动薄膜晶体管，并且驱动薄膜晶体管从电力线供应的电源来生成数据电流，并且向第一电极310、320和330供应数据电流。
感测薄膜晶体管感测驱动薄膜晶体管中的阈值电压的偏差，该阈值电压的偏差引起图像质量的劣化。响应于从栅极线或附加感测线供应的感测控制信号，感测薄膜晶体管向参考线供应驱动薄膜晶体管的电流。
电容器将供应给驱动薄膜晶体管的数据电压保持一个帧周期，并且电容器与驱动薄膜晶体管的栅极端子和源极端子中的每一个连接。
尽管没有详细示出，但是电路器件层200中可以另外包括钝化层和平坦化层。在信号线、薄膜晶体管和电容器上形成钝化层，从而保护上述信号线、薄膜晶体管和电容器。平坦化层形成在钝化层上，从而使基板100的表面平坦化。
第一电极310、320和330设置在电路器件层200上，并且按每个子像素(P1、P2、P3)图案化。第一电极中的一个第一电极310形成在第一子像素(P1)中，另一第一电极320形成在第二子像素(P2)中，并且又一第一电极330形成在第三子像素(P3)中。第一电极310、320和330与电路器件层200中的按每个子像素(P1、P2、P3)提供的驱动薄膜晶体管的源极端子或漏极端子连接。
第一子像素(P1)的第一电极310包括第一子电极311和第二子电极312。第一子电极311设置在第一子像素(P1)的一侧，第二子电极312设置在第一子像素(P1)的另一侧，并且第一子电极311和第二子电极312被设置成彼此间隔预定的间隔。
同时，第二子像素(P2)的第一电极320与第二子像素(P2)形成为一体，并且第三子像素(P3)的第一电极330与第三子像素(P3)形成为一体。
根据本公开的一个实施方式的电致发光显示装置以顶部发光型形成。为此，第一电极310、320和330可以向上反射从发光层500发射的光。在这种情况下，第一电极310、320和330可以以双层结构形成，该双层结构包括用于反射光的反射电极以及设置在反射电极上并且被配置成向发光层500供应空穴的透明电极。透明电极可以形成在反射电极的上表面上，或者可以形成在反射电极上方，其间插入有绝缘层。透明电极和反射电极可以彼此电连接或不电连接。如果透明电极和反射电极彼此不电连接，则透明电极可以与驱动薄膜晶体管的源极端子或漏极端子电连接。
堤部400被配置成覆盖电路器件层200上的第一电极310、320和330的两个端部。因此，可以防止电流集中到第一电极310、320和330的端部，从而防止发光效率的劣化。
堤部400在多个子像素(P1、P2、P3)中的每一个之间的边界中形成为矩阵配置，并且被配置成在每个单独的子像素(P1、P2、P3)中限定发光区域(EA11、EA12、EA2、EA3)。也就是说，第一电极310、320和330的暴露区域成为发光区域(EA11、EA12、EA2、EA3)，该暴露区域在没有被每个子像素(P1、P2、P3)中的堤部400覆盖的情况下被暴露。
发光区域(EA11、EA12、EA2、EA3)可以包括在第一子像素(P1)中设置的第一发光区域(EA11、EA12)、在第二子像素(P2)中设置的第二发光区域(EA2)、以及在第三子像素(P3)中设置的第三发光区域(EA3)。
第一发光区域(EA11、EA12)包括第一子发光区域(EA11)和第二子发光区域(EA12)。第一子发光区域(EA11)与第一子电极311和第二子电极312交叠，并且第二子发光区域(EA12)与第一子电极311和第二子电极312之间的间隔区域交叠。
在第一子电极311的区域中，在第一子电极311与第二电极600之间形成电场，由此包括在发光层500中的第一堆叠体510和第二堆叠体530两者均发光。根据本公开的一个实施方式，从发光层500的第一堆叠体510发射黄绿色(YG)光，并且从发光层500的第二堆叠体530发射蓝色(B)光。因此，可以从第一子电极311的区域发射黄绿色(YG)光和蓝色(B)光的混合光。
此外，在第二子电极312的区域中，在第二子电极312与第二电极600之间形成电场，由此发光层500的第一堆叠体510和第二堆叠体530两者均发光。因此，可以从第二子电极312的区域发射黄绿色(YG)光和蓝色(B)光的混合光。
因此，在与第一子电极311的区域和第二子电极312的区域交叠的第一子发光区域(EA11)中，可以发射通过混合从第一堆叠体510发射的黄绿色(YG)光和从第二堆叠体530发射的蓝色(B)光而获得的混合光。
同时，在第一子电极311与第二子电极312之间的间隔区域中，不设置第一电极310，使得在第一电极310与第二电极600之间不形成电场。然而，在第一子发光区域(EA11)的发光层500内部的电荷生成层520中流动的电流流入第一子电极311与第二子电极312之间的间隔区域，由此可以在第一子电极311与第二子电极312之间的间隔区域中在电荷生成层520与第二电极600之间生成电场。因此，可以在第一子电极311与第二子电极312之间的间隔区域中从发光层500的第二堆叠体530发射蓝色(B)光。
因此，在与第一子电极311和第二子电极312之间的间隔区域交叠的第二子发光区域(EA12)中，从第二堆叠体520发射蓝色(B)光。
因此，根据本公开的一个实施方式，在第一子像素(P1)中设置的第一发光区域(EA11、EA12)包括第一子发光区域(EA11)，第一子发光区域(EA11)被配置成发射与从第一子像素(P1)发射的光相同的光，例如蓝色(B)光，以及与从第一子像素(P1)发射的光不同的光，例如黄绿色(YG)光，并且第一发光区域(EA11、EA12)还包括第二子发光区域(EA12)，第二子发光区域(EA12)被配置成仅发射与从第一子像素(P1)发射的光相同的光，例如，蓝色(B)光。因此，可以增加从第一子像素(P1)发射的光的量，从而提高光效率。
换句话说，根据本公开的一个实施方式，在第一子像素(P1)中设置的第一发光区域(EA11、EA12)包括被配置成仅发射蓝色(B)光的第二子发光区域(EA12)。因此，与所有第一发光区域(EA11、EA12)均发射蓝色(B)光和黄绿色(YG)光的情况相比，可以提高光效率和颜色纯度。也就是说，第一子发光区域(EA11)使得黄绿色(YG)的第一堆叠体510和蓝色(B)的第二堆叠体530两者在预定电压处同时发光，然而，第二子发光区域(EA12)使得蓝色(B)的第二堆叠体530在同一预定电压处发光，从而第二子发光区域(EA12)中的蓝色(B)光的发光效率相对高于第一子发光区域(EA11)中的蓝色(B)光的发光效率。
此外，在第二子发光区域(EA12)中，在第一电极310与第二电极600之间没有形成电场，并且在电荷生成层520与第二电极600之间形成电场，由此降低驱动电压，从而提高功率效率。
同时，第二发光区域(EA2)与第二子像素(P2)的第一电极320交叠，并且在第二发光区域(EA2)中在第一电极320与第二电极600之间生成电场，由此，发光层500的第一堆叠体510和第二堆叠体530两者均发光。因此，可以从第二发光区域(EA2)发射从第一堆叠体510发射的黄绿色(YG)光和从第二堆叠体520发射的蓝色(B)光。
此外，第三发光区域(EA3)与第三子像素(P3)的第一电极330交叠，并且在第三发光区域(EA3)中在第一电极330与第二电极600之间生成电场，由此，发光层500的第一堆叠体510和第二堆叠体530两者均发光。因此，可以从第三发光区域(EA3)发射从第一堆叠体510发射的黄绿色(YG)光和从第二堆叠体520发射的蓝色(B)光。
同时，根据本公开的一个实施方式，在子像素(P1、P2、P3)之间的边界中形成第一沟槽(T1)。详细地，第一沟槽(T1)可以形成在堤部400和堤部400下方的电路器件层200中。也就是说，第一沟槽(T1)可以形成在例如平坦化层的电路器件层200的上部的一些区域中，同时穿过堤部400，但不限于该结构。第一沟槽(T1)可以形成在堤部400的上部的一些区域中而不穿过堤部400。
第一沟槽(T1)形成在子像素(P1、P2、P3)之间的边界中，使得发光层500可以形成在第一沟槽(T1)内部。因此，在相邻子像素(P1、P2、P3)之间形成长电流路径，从而减小在相邻子像素(P1、P2、P3)之间生成的漏电流。也就是说，假设子像素(P1、P2、P3)之间的间隔变得紧凑以便实现高分辨率，如果子像素(P1、P2、P3)中的任何一个内部的发光层500发光，则相应的发光层500的电荷可以转移到相邻的其他子像素(P1、P2、P3)的其他发光层500，由此可能发生漏电流。
因此，根据本公开的一个实施方式，第一沟槽(T1)形成在子像素(P1、P2、P3)之间的边界中，并且发光层500形成在第一沟槽(T1)中，使得电阻由于在相邻子像素(P1、P2、P3)之间形成的长电流路径而增加，从而减少漏电流的发生。
发光层500形成在第一电极310、320和330上。发光层500可以形成在堤部400上。也就是说，发光层500形成在多个子像素(P1、P2、P3)中的每一个之间的边界中。此外，发光层500在与第二子发光区域(EA12)交叠的区域中形成在电路器件层200的上表面上，由此发光层500面对第一子电极311的一个侧表面和第二子电极312的一个侧表面。
发光层500被配置成发射白色(W)光。为此，发光层500可以包括被配置成发射不同颜色光的多个堆叠体。详细地，发光层500可以包括第一堆叠体510、第二堆叠体530和在第一堆叠体510与第二堆叠体530之间设置的电荷生成层(CGL)520。
发光层500形成在第一沟槽(T1)内部，并且还形成在第一沟槽(T1)上方。如上所述，由于发光层500形成在第一沟槽(T1)内部，相邻子像素(P1、P2、P3)之间的电流路径变长，使得电阻增加，从而减少漏电流的发生。
特别地，第一堆叠体510可以形成在第一沟槽(T1)的内侧表面上，并且可以形成在第一沟槽(T1)的内下表面上。在这种情况下，形成在第一沟槽(T1)的内侧表面上的第一堆叠体510的一些区域与形成在第一沟槽(T1)的内下表面上的第一堆叠体510的一些区域断开。因此，在第一沟槽(T1)内部的一个侧表面上、更具体地、在第一沟槽(T1)内部的左侧表面上形成的第一堆叠体510的一些区域不与在第一沟槽(T1)内部的另一侧表面上、更具体地、在第一沟槽(T1)内部的右侧表面上形成的第一堆叠体510的一些区域连接。因此，电荷不通过第一堆叠体510在其间置入有第一沟槽(T1)的子像素(P1、P2、P3)之间转移。
此外，电荷生成层520可以形成在与第一沟槽(T1)交叠的区域中的第一堆叠体510上。在这种情况下，形成在第一沟槽(T1)的一侧、更具体地、形成在第一沟槽(T1)的左侧的电荷生成层520的一些区域不与形成在第一沟槽(T1)的另一侧、更具体地、形成在第一沟槽(T1)的右侧的电荷生成层520的一些区域连接。因此，电荷不通过电荷生成层520在其间置入有第一沟槽(T1)的子像素(P1、P2、P3)之间转移。
此外，第二堆叠体530可以连接地设置在其间置入有第一沟槽(T1)的相邻子像素(P1、P2、P3)之间，同时设置在电荷生成层520上。因此，电荷通过第二堆叠体530在其间置入有第一沟槽(T1)的子像素(P1、P2、P3)之间转移，但不限于该结构。通过适当地调节第一沟槽(T1)的形状和发光层500的沉积工艺，第二堆叠体530可以断开地设置在其间置入有第一沟槽(T1)的相邻子像素(P1、P2、P3)之间。特别地，第二堆叠体530的与电荷生成层520相邻的下部的一些区域可以断开地设置在子像素(P1、P2、P3)之间的区域中。如图所示，第二堆叠体530可以在与第一沟槽(T1)对应的区域中具有凹槽形截面结构。
电荷生成层520的电导率高于第一堆叠体510和第二堆叠体530中的每一个的电导率。特别地，电荷生成层520的N型电荷生成层可以包括金属材料，由此电荷生成层520的电导率高于第一堆叠体510和第二堆叠体530中的每一个的电导率。因此，通常通过电荷生成层520实现彼此相邻的子像素(P1、P2、P3)之间的电荷转移，并且通过第二堆叠体530的电荷转移是不重要的。
因此，根据本公开的一个实施方式，当发光层500形成在第一沟槽(T1)内部时，发光层500中的一些被断开地设置，特别地，第一堆叠体510和电荷生成层520被断开地设置，使得可以减少在彼此相邻设置的子像素(P1、P2、P3)之间的电荷转移，从而防止漏电流。
同时，如上所述，为了使得在第一子发光区域(EA11)的发光层500中包括的电荷生成层520中流动的电流流入第一子电极311与第二子电极312之间的间隔区域，电荷生成层520，更具体地，N型电荷生成层具有良好的导电性。为此，优选地，包含在N型电荷生成层中的诸如锂(Li)的掺杂剂的浓度按重量计算为10％或大于10％。此外，如果掺杂剂的浓度按重量计算大于15％，则难以执行电荷生成层520的原始功能。优选地，掺杂剂的浓度按重量计算为15％或小于15％。
第二电极600形成在发光层500上。第二电极600可以用作电致发光显示装置的阴极。以与发光层500相同的方式，第二电极600形成在子像素(P1、P2、P3)中的每一个中，并且还形成在子像素(P1、P2、P3)之间的边界中。由于第二堆叠体530在与第一沟槽(T1)对应的区域中以凹槽形截面结构形成，在第二堆叠体530上形成的第二电极600在与第一沟槽(T1)对应的区域中以与第二堆叠体530的凹槽形截面结构对应的截面结构形成。
根据本公开的一个实施方式的电致发光显示装置以顶部发光型形成，由此第二电极600可以包括能够向上透射从发光层500发射的光的透明导电材料。此外，第二电极600可以由半透明电极形成，使得可以按每个子像素(P1、P2、P3)获得微腔效应。如果第二电极600由半透明电极形成，则可以通过第二电极600与第一电极310、320和330之间的光的重复反射和再反射来获得微腔效应，从而提高光效率。
封装层700形成在第二电极600上，从而防止外部湿气渗透到发光层500中。封装层700可以以无机绝缘材料的单层结构形成，或者以通过交替沉积无机绝缘材料和有机绝缘材料而获得的沉积结构形成，但不限于这些结构。
滤色器层810、820和830形成在封装层700上。滤色器层810、820和830可以包括在第一子像素(P1)中设置的第一滤色器层810、在第二子像素(P2)中设置的第二滤色器层820、以及在第三子像素(P3)中设置的第三滤色器层830。
第一滤色器层810由蓝色(B)滤色器形成，第二滤色器层820由红色(R)滤色器形成，并且第三滤色器层830由绿色(G)滤色器形成。因此，仅来自从第一发光区域(EA11、EA12)发射的蓝色(B)光和黄绿色(YG)光的具有蓝色(B)波长的光穿过第一滤色器层810，仅来自从第二发光区域(EA2)发射的蓝色(B)光和黄绿色(YG)光的具有红色(R)波长的光穿过第二滤色器层820，并且仅来自从第三发光区域(EA3)发射的蓝色(B)光和黄绿色(YG)光的具有绿色(G)波长的光穿过第三滤色器层830。
同时，尽管没有示出，但是可以在滤色器层810、820和830中的每一个滤色器之间附加地设置黑矩阵，从而防止光在子像素(P1、P2、P3)之间的边界区域中泄漏。
在以上附图中，从第一堆叠体510发射黄绿色(YG)光，并且从第二堆叠体520发射蓝色(B)光，但不限于该结构。可以从第一堆叠体510发射蓝色(B)光，并且可以从第二堆叠体520发射黄绿色(YG)光。在这种情况下，可以从第一子像素(P1)发射绿色(G)光或红色(R)光。
图2是示出根据本公开的一个实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图。为了便于说明，仅示出在基板100上设置的第一电极310、320和330、堤部400和第一沟槽(T1)。在下文中，其他平面图仅示出在基板100上设置的第一电极310、320和330、堤部400和第一沟槽(T1)。
如图2所示，第一子像素(P1)、第二子像素(P2)和第三子像素(P3)设置在基板100上。第一发光区域(EA11、EA12)设置在第一子像素(P1)中，第二发光区域(EA2)设置在第二子像素(P2)中，并且第三发光区域(EA3)设置在第三子像素(P3)中。
此外，第一电极310、320和330按每个子像素(P1、P2、P3)在基板100上单独地被图案化。
在第一子像素(P1)中设置的第一电极310包括第一子电极311和第二子电极312。第一子电极311和第二子电极312被设置成彼此间隔开预定的间隔，并且在第二子发光区域(EA12)置入其间的情况下彼此分离。在这种情况下，需要同时向第一子电极311和第二子电极312施加相同的电流信号。因此，第一子电极311和第二子电极312与第一子像素(P1)中的驱动薄膜晶体管的源极端子或漏极端子连接。
第一子电极311和第二子电极312与第一子发光区域(EA11)交叠，并且第一子电极311与第二子电极312之间的间隔区域与第二子发光区域(EA12)交叠。第一子发光区域(EA11)对应于第一子电极311和第二子电极312的区域中的不与堤部400交叠的一些区域，并且第二子发光区域(EA12)对应于第一子电极311与第二子电极312之间的间隔区域中的不与堤部400交叠的一些区域。
在第二子像素(P2)中设置的第一电极320与第二发光区域(EA2)交叠，并且在第三子像素(P3)中设置的第一电极330与第三发光区域(EA3)交叠。第二发光区域(EA2)对应于第一电极320的区域中的不与堤部400交叠的一些区域。第三发光区域(EA3)对应于第一电极330的区域中的不与堤部400交叠的一些区域。
堤部400形成在除第一发光区域(EA11、EA12)、第二发光区域(EA2)和第三发光区域(EA3)之外的剩余区域中。
堤部400被设置成覆盖第一电极310、320和330的外周。详细地，堤部400被设置成覆盖第一子像素(P1)的第一子电极311的上侧、下侧和左侧，但是不覆盖第一子像素(P1)的第一子电极311的右侧，并且堤部400被设置成覆盖第一子像素的第二子电极312的上侧、下侧和右侧(P1)，但不覆盖第一子像素(P1)的第二子电极312的左侧，从而限定第一子发光区域(EA11)和第二子发光区域(EA12)。
此外，堤部400被设置成覆盖第二子像素(P2)的第一电极320的上侧、下侧、左侧和右侧，从而限定第二发光区域(EA2)。此外，堤部400被设置成覆盖第三子像素(P3)的第一电极330的上侧、下侧、左侧和右侧，从而限定第三发光区域(EA3)。
堤部400设置有在第一子像素(P1)与第二子像素(P2)之间的边界中以及在第二子像素(P2)与第三子像素(P3)之间的边界中设置的第一沟槽(T1)。
第一沟槽(T1)沿着子像素(P1、P2、P3)之间的边界以直线结构形成。也就是说，第一沟槽(T1)沿着上下方向以连续的直线结构形成。尽管没有示出，但是包括子像素(P1、P2、P3)的单位像素可以沿上下方向布置，其中第一沟槽(T1)可以设置在单位像素中的每一个之间的边界中。在这种情况下，第一沟槽(T1)可以设置为网状配置。
图3是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图。在图3的电致发光显示装置中附加地设置第三子电极313，由此图3的电致发光显示装置与图2的电致发光显示装置不同。因此，在下文中，仅不同部分将如下详细描述。
参照图3，在第一子像素(P1)中设置的第一电极310包括第一子电极311、第二子电极312和第三子电极313。
第一子电极311和第二子电极312彼此不分离，并且通过使用第三子电极313彼此连接。也就是说，第三子电极313与第一子电极311和第二子电极312中的每一个连接。第三子电极313与第一子电极311和第二子电极312中的每一个的下端连接，并且也与第一子电极311和第二子电极312中的每一个的上端连接，但不限于该结构。第三子电极313可以与第一子电极311和第二子电极312中的每一个中的下端和上端中的任一者连接。
如上所述，第一子电极311、第二子电极312和第三子电极313彼此连接。因此，即使第一子电极311、第二子电极312和第三子电极313中的任一个与第一子像素(P1)中的驱动薄膜晶体管的源极端子或漏极端子连接，也可以同时向第一子电极311、第二子电极312和第三子电极313施加相同的电流信号。
第一子电极311、第二子电极312和第三子电极313与第一子发光区域(EA11)以及第一子电极311与第二子电极312之间的间隔区域交叠，更具体地，由第一子电极311、第二子电极312和第三子电极313围绕的区域与第二子发光区域(EA12)交叠。
也就是说，设置有子电极311、312和313的区域与第一子发光区域(EA11)交叠，并且不设置有子电极311、312和313的区域与第二子发光区域(EA12)交叠。
堤部400被设置成覆盖第一子电极311的上侧、下侧和左侧，覆盖第二子电极312的上侧、下侧和右侧，覆盖与第一子电极311和第二子电极312中的每一个的下端连接的第三子电极313的下侧，并且覆盖与第一子电极311和第二子电极312中的每一个的上端连接的第三子电极313的上侧，从而限定第一子发光区域(EA11)和第二子发光区域(EA12)。
图4是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。在图4的电致发光显示装置的第一子像素(P1)中附加地设置第二沟槽(T2)，由此图4的电致发光显示装置与图1的电致发光显示装置不同。因此，在下文中，仅不同部分将如下详细描述。
参照图4，在第一子像素(P1)中设置第二沟槽(T2)。第二沟槽(T2)可以设置在电路器件层200中。详细地，第二沟槽(T2)可以设置在例如平坦化层的电路器件层200的上部的一些区域中。
由于第二沟槽(T2)设置在第一子像素(P1)中，发光层500可以设置在第二沟槽(T2)中。发光层500可以设置在第二沟槽(T2)内部，也设置在第二沟槽(T2)上方。
发光层500的第一堆叠体510可以形成在第二沟槽(T2)的内侧表面上，并且可以形成在第二沟槽(T2)的内下表面上。在这种情况下，形成在第二沟槽(T2)的内侧表面上的第一堆叠体510的一些区域与形成在第二沟槽(T2)的内下表面上的第一堆叠体510的一些区域断开。因此，在第二沟槽(T2)内部的一个侧表面上、更具体地、在第二沟槽(T2)内部的左侧表面上形成的一些区域不与在第二沟槽(T2)内部的另一侧表面上、更具体地、在第二沟槽(T2)内部的右侧表面上形成的第一堆叠体510的一些区域连接。因此，电荷不通过第一堆叠体510在彼此相邻地设置并且其间置入有第二沟槽(T2)的第一子发光区域(EA11)与第二子发光区域(EA12)之间转移。
发光层500的电荷生成层520可以在与第二沟槽(T2)交叠的区域中形成在第一堆叠体510上。在这种情况下，电荷生成层520可以连接地设置在彼此相邻设置并且其间置入有第二沟槽(T2)的第一子发光区域(EA11)与第二子发光区域(EA12)之间。因此，电荷可以通过电荷生成层520在彼此相邻设置并且其间置入有第二沟槽(T2)的第一子发光区域(EA11)与第二子发光区域(EA12)之间转移。
此外，第二堆叠体530可以形成在电荷生成层520上，并且可以连接地设置在彼此相邻设置并且其间置入有第二沟槽(T2)的第一子发光区域(EA11)与第二子发光区域(EA12)之间。因此，电荷可以通过第二堆叠体530在彼此相邻设置并且其间置入有第二沟槽(T2)的第一子发光区域(EA11)与第二子发光区域(EA12)之间转移。
因此，根据本公开的另外的实施方式，电荷通过电荷生成层520和第二堆叠体530在彼此相邻设置并且其间置入有第二沟槽(T2)的第一子发光区域(EA11)与第二子发光区域(EA12)之间转移，然而，电荷不通过第一堆叠体510在彼此相邻设置并且其间置入有第二沟槽(T2)的第一子发光区域(EA11)与第二子发光区域(EA12)之间转移。因此，在第二子发光区域(EA12)中，更具体地，在第二沟槽(T2)的区域中，通过电荷生成层520与第二电极600之间形成的电场，从第二堆叠体520发射蓝色(B)光，并且不从第一堆叠体510发射黄绿色(YG)光。
如上所述，在图1所示的实施方式的情况下，由于第一电极310不设置在第二子发光区域(EA12)中，所以在第二子发光区域(EA12)中，在电荷生成层520与第二电极600之间形成电场，由此仅从第二堆叠体520发射蓝色(B)光。然而，在图1所示的实施方式的情况下，电荷通过第一堆叠体510在第一子发光区域(EA11)与第二子发光区域(EA12)之间转移，由此在第二子发光区域(EA12)中可能从第一堆叠体510部分地发射黄绿色(YG)光。
同时，在图4所示的实施方式的情况下，由于第二沟槽(T2)附加地设置在与第一子发光区域(EA11)接触的第二子发光区域(EA12)中，电荷不通过第一堆叠体510在第一子发光区域(EA11)与第二子发光区域(EA12)之间转移，由此可以防止从第二子发光区域(EA12)的第一堆叠体510部分地发射黄绿色(YG)光。
此外，在图4所示的实施方式的情况下，由于第二沟槽(T2)，第二堆叠体520的发光区域可以增加，从而提高亮度。
两个第二沟槽(T2)可以分别设置在与第一子发光区域(EA11)接触的第二子发光区域(EA12)中。详细地，第二沟槽(T2)中的具有第二宽度(W2)的一个第二沟槽可以从第一子电极311的一个端部朝向第二子发光区域(EA12)延伸，并且第二沟槽(T2)中的具有第二宽度(W2)的另一个第二沟槽可以从面对第一子电极311的一个端部的第二子电极312的一个端部朝向第二子发光区域(EA12)延伸。第二沟槽(T2)中的一个第二沟槽的一个端部可以与第一子电极311的一个端部对应，并且第二沟槽(T2)中的另一个第二沟槽的一个端部可以与第二子电极312的一个端部对应。由于设置两个第二沟槽(T2)，可以防止从第二子发光区域(EA12)发射第一堆叠体510的黄绿色(YG)光。
同时，电荷生成层520可以断开地设置在子像素(P1、P2、P3)之间的边界中设置的第一沟槽(T1)的区域中，然而，电荷生成层520可以连接地设置在与第一子发光区域(EA11)接触的第二子发光区域(EA12)中设置的第二沟槽(T2)的区域中。为此，第一沟槽(T1)的第一宽度(W1)可以相对大于第二沟槽(T2)的第二宽度(W2)。也就是说，假设第一堆叠体510、电荷生成层520和第二堆叠体530沉积在沟槽(T1、T2)的区域中，当沟槽(T1、T2)的宽度(W1、W2)变大时，第一堆叠体510、电荷生成层520和第二堆叠体520的断开可能性变高，并且当沟槽(T1、T2)的宽度(W1、W2)变小时，第一堆叠体510、电荷生成层520和第二堆叠体520的断开可能性变低。
因此，第一沟槽(T1)的第一宽度(W1)相对大于第二沟槽(T2)的第二宽度(W2)，以便在第一沟槽(T1)的区域中断开地设置电荷生成层520，并且第二沟槽(T2)的第二宽度(W2)相对小于第一沟槽(T1)的第一宽度(W1)，以便在第二沟槽(T2)的区域中连接地设置电荷生成层520。
图5是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图。第二沟槽(T2)附加地设置在图5的电致发光显示装置的第一子像素(P1)中，由此图5的电致发光显示装置与图2的电致发光显示装置不同。因此，在下文中，仅不同部分将如下详细描述。
如图5所示，第二沟槽(T2)设置在第一子像素(P1)中。第二沟槽(T2)中的一个在与第一子电极311的一个端部接触的同时沿着上下方向以连续的直线形状形成，并且第二沟槽(T2)中的另一个在与面对第一子电极311的一个端部的第二子电极312的一个端部接触的同时沿着上下方向以连续的直线形状形成。
两个第二沟槽(T2)彼此间隔开，同时彼此平行。
图6是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图。第二沟槽(T2)附加地设置在图6的电致发光显示装置的第一子像素(P1)中，由此图6的电致发光显示装置与图3的电致发光显示装置不同。因此，在下文中，仅不同部分将如下详细描述。
如图6所示，第二沟槽(T2)设置在第一子像素(P1)中。第二沟槽(T2)中的一个在与第一子电极311的一个端部接触的同时沿上下方向延伸，并且第二沟槽(T2)中的另一个在与面对第一子电极311的一个端部的第二子电极312的一个端部接触的同时沿上下方向延伸。两个第二沟槽(T2)彼此间隔开，同时彼此平行。
第二沟槽(T2)的下端和上端与第三子电极313接触，由此不同于上述图5的情况，第二沟槽(T2)不以连续的直线形状形成。同时，尽管没有示出，但是第二沟槽(T2)在与第三子电极313的一个端部接触的情况下被附加地设置，由此第二沟槽(T2)可以以矩形形状形成，以围绕第二子发光区域(EA12)的外周。
图7是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
如图7所示，根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置包括基板100、电路器件层200、第一电极310、320和330、堤部400、电荷防止层450、发光层500、第二电极600、封装层700和滤色器层810、820和830。
图7的电致发光显示装置中的基板100、电路器件层200、堤部400、发光层500、第二电极600、封装层700和滤色器层810、820和830与图1中的那些部件相同，因此将省略对相同部件的详细描述，并且仅不同部分将如下详细描述。
第一电极310、320和330可以包括在第一子像素(P1)中图案化的一个第一电极310、在第二子像素(P2)中图案化的另一第一电极320、以及在第三子像素(P3)中图案化的又一第一电极330。在这种情况下，第一子像素(P1)的第一电极310与第一子像素(P1)形成为一体，第二子像素(P2)的第一电极320与第二子像素(P2)形成为一体，并且第三子像素(P3)的第一电极330与第三子像素(P3)形成为一体。
电荷防止层450形成在第一子像素(P1)的第一电极310上，更具体地，在与第一电极310的上表面接触的情况下被设置，从而防止第一电极310与第二电极600之间的电场。也就是说，电荷防止层450防止在第一电极310中生成的例如空穴的电荷被转移到上侧。换句话说，电荷防止层450形成在第一电极310与发光层500之间，更具体地，形成在第一电极310与发光层500的第一堆叠体510之间，使得可以防止在第一电极310中生成的空穴转移到第一堆叠体510。
电荷防止层450不形成在第一电极310的第一区域上，而是形成在第一电极310的第二区域上。也就是说，电荷防止层450不与第一电极310的第一区域交叠，然而，电荷防止层450与第一电极310的第二区域交叠。
第一电极310的第二区域对应于在没有被堤部400覆盖的情况下暴露的区域中的与电荷防止层450交叠的区域。第一电极310的第二区域对应于第一发光区域(EA11、EA12)中的第二子发光区域(EA12)。
第一电极310的第一区域对应于在没有被堤部400覆盖的情况下暴露的区域中的不与电荷防止层450交叠的区域。第一电极310的第一区域对应于第一发光区域(EA11、EA12)中的第一子发光区域(EA11)。
由于在与第一电极310的第一区域对应的第一子发光区域(EA11)中没有设置电荷防止层450，在第一电极310与第二电极600之间形成电场，由此发光层500的第一堆叠体510和第二堆叠体530两者均发光。根据本公开的一个实施方式，从发光层500的第一堆叠体510发射黄绿色(YG)光，并且从发光层500的第二堆叠体530发射蓝色(B)光。因此，可以从与第一电极310的第一区域对应的第一子发光区域(EA11)发射黄绿色(YG)光和蓝色(B)光两者。
同时，在与第一电极310的第二区域对应的第二子发光区域(EA12)中，通过电荷防止层450防止电荷转移，使得在第一电极310与第二电极之间不形成电场。然而，在第一子发光区域(EA11)的发光层500内的电荷生成层520中流动的电流流入第二子发光区域(EA12)，由此可以在与第一电极310的第二区域对应的第二子发光区域(EA12)中，在电荷生成层520与第二电极600之间生成电场，因此，可以从发光层500的第二堆叠体530发射蓝色(B)光。因此，可以在与第一电极310的第二区域对应的第二子发光区域(EA12)中，从第二堆叠体520发射蓝色(B)光。
根据本公开的另外的实施方式，在第一子像素(P1)中设置的第一发光区域(EA11、EA12)包括第一子发光区域(EA11)，第一子发光区域(EA11)被配置成发射与从第一子像素(P1)发射的光相同的光，例如蓝色(B)光，以及与从第一子像素(P1)发射的光不同的光，例如黄绿色(YG)光，并且第一发光区域(EA11、EA12)还包括第二子发光区域(EA12)，第二子发光区域(EA12)被配置成仅发射与从第一子像素(P1)发射的光相同的光，例如，蓝色(B)光。因此，可以增加从第一子像素(P1)发射的光的量，从而提高光效率。
换句话说，根据本公开的另外的实施方式，在第一子像素(P1)中设置的第一发光区域(EA11、EA12)包括被配置成仅发射蓝色(B)光的第二子发光区域(EA12)。因此，与所有第一发光区域(EA11、EA12)均发射蓝色(B)光和黄绿色(YG)光的情况相比，可以提高光效率和颜色纯度。
电荷防止层450可以由与堤部400的材料相同的材料形成，并且电荷防止层450可以与堤部400一起利用同一工艺被图案化。因此，电荷防止层450的高度可以与堤部400的高度相同，但不是必然的。
图8是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图。
如图8所示，第一子像素(P1)、第二子像素(P2)和第三子像素(P3)设置在基板100上，并且第一电极310、320和330在每个单独的子像素(P1、P2、P3)中被图案化。
堤部400被配置成覆盖第一电极310、320和330的外周，并且发光区域(EA11、EA12、E2、E3)设置在第一电极310、320和330的没有被堤部400覆盖的区域中。
详细地，第一发光区域(EA11、EA12)设置在第一子像素(P1)中，第二发光区域(EA2)设置在第二子像素(P2)中，并且第三发光区域(EA3)设置在第三子像素(P3)中。
此外，电荷防止层450在与第一子像素(P1)的第一电极310交叠的情况下被设置。电荷防止层450可以形成在第一电极310的中心，但不限于该结构。
第一子发光区域(EA11)设置在第一电极310的没有被堤部400覆盖的区域中的不与电荷防止层450交叠的一些区域中，并且第二子发光区域(EA12)设置在第一电极310的没有被堤部400覆盖的区域中的与电荷防止层450交叠的一些区域中。
由于电荷防止层450形成在第一电极310的中心，第一子发光区域(EA11)被设置成围绕第二子发光区域(EA12)的外周，但不限于该结构。
同时，第二发光区域(EA2)与第二子像素(P2)的第一电极320的区域中的不与堤部400交叠的一些区域对应，并且第三发光区域(EA3)与第三子像素(P3)的第一电极330的区域中的不与堤部400交叠的一些区域对应。
此外，堤部400设置有在第一子像素(P1)与第二子像素(P2)之间的边界中以及在第二子像素(P2)与第三子像素(P3)之间的边界中设置的第一沟槽(T1)。
图9是示出根据本公开的另外的实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。除在图9的电致发光显示装置中设置多个电荷防止层450之外，图9的电致发光显示装置在结构上与图7的电致发光显示装置相同，在图7中，由此仅不同部分将如下详细描述。
参照上面的图7，在第一电极310与发光层500之间设置一个形成为一体的电荷防止层450。同时，在图9的情况下，多个电荷防止层450可以设置在第一电极310与发光层500之间。多个电荷防止层450以固定间隔设置，其中多个电荷防止层450可以均匀地或不均匀地布置。
在图9的情况下，多个电荷防止层450以固定间隔设置，由此与多个电荷防止层450交叠的多个第二子发光区域(EA12)以固定间隔设置，并且每个第一子发光区域(EA11)设置在多个第二子发光区域(EA12)中的每一个之间。
图10是示出根据本公开的一个实施方式的根据N型电荷生成层中的金属掺杂剂的浓度的亮度变化的曲线图。图10是示出图9的电致发光显示装置的第一子像素(P1)中的亮度变化的曲线图。在图10中，水平方向表示第一子像素(P1)的位置，并且垂直方向表示归一化亮度。
如图10所示，如果N型电荷生成层中的金属掺杂剂的浓度按重量计算为2％(2wt％)和4％(4wt％)，则亮度偏差根据第一子像素(P1)的位置而相对增加。同时，如果N型电荷生成层中的金属掺杂剂的浓度按重量计算为10％(10wt％)，则亮度偏差根据第一子像素(P1)的位置而相对减小。
因此，优选地，N型电荷生成层中的金属掺杂剂的浓度按重量计算为10％或大于10％，以便提高第一子像素(P1)的亮度。
图11是示出根据比较例的电致发光显示装置和根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的各个波长范围的光强度的曲线图。图11的本公开的实施方式示出图9的电致发光显示装置中的第一子像素(P1)的各个波长范围的光强度，并且图11的比较例示出通过从图9的电致发光显示装置去除电荷防止层450而获得的电致发光显示装置中的第一子像素(P1)的各个波长范围的光强度。
如图11所示，在比较例的情况下，第一子像素(P1)中的黄绿色(YG)的第一堆叠体510和蓝色(B)的第二堆叠体520两者均发光，由此在580nm的中间波长范围中示出相对高的光强度。同时，在本公开的实施方式的情况下，在第一子像素(P1)中设置仅在蓝色(B)的第二堆叠体520中生成光发射的第二子发光区域(EA12)，由此在580nm的中间波长范围中示出相对低的光强度。
因此，与比较例相比，本公开的实施方式示出从用于蓝色(B)的第一子像素(P1)发射的短波长范围内的光的量相对高于从用于蓝色(B)的第一子像素(P1)发射的中间波长范围内的光的量，使得可以提高从根据本公开的实施方式的电致发光显示装置发射的光的颜色纯度。特别地，根据实验结果，比较例示出从第一子像素(P1)发射的光具有与0.149对应的“x”和与0.056对应的“y”的颜色坐标，并且本公开的实施方式示出从第一子像素(P1)发射的光具有与0.144对应的“x”和与0.042对应的“y”的颜色坐标。因此，与比较例中的光的颜色纯度相比，本公开的实施方式中的光的颜色纯度提高。
图12A至图12C示出根据本公开的另外的实施方式的涉及头戴式显示器(HMD)装置的电致发光显示装置。图12A是示意性透视图，图12B是虚拟现实(VR)结构的示意性平面图，并且图12C是增强现实(AR)结构的示意性截面图。
如图12A所示，根据本公开的头戴式显示器(HMD)装置包括容纳壳体10和头部佩戴带30。
显示装置、透镜阵列和目镜可以容纳在容纳壳体10的内部。
头部佩戴带30固定到容纳壳体10。在附图中，头部佩戴带30被配置成围绕用户头部的上表面和两个侧表面，但不限于该结构。例如，头部佩戴带被设置成将头戴式显示器(HMD)装置固定到用户的头部，其可以由眼镜框形状或头盔形结构代替。
如图12B所示，根据本公开的虚拟现实(VR)结构的头戴式显示器(HMD)装置包括左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b。
左眼显示装置12、右眼显示装置11、透镜阵列13、以及左眼目镜20a和右眼目镜20b容纳在上述容纳壳体10中。
可以在左眼显示装置12和右眼显示装置11上显示相同的图像。在这种情况下，用户可以观看二维(2D)图像。如果在左眼显示装置12上显示用于左眼的图像，并且在右眼显示装置11上显示用于右眼的图像，则用户可以观看三维(3D)图像。左眼显示装置12和右眼显示装置11中的每一个可以由图1至图9所示的上述电致发光显示装置形成。在这种情况下，图1至图9中的与用于显示图像的表面对应的上部，例如，滤色器层810、820和830面对透镜阵列13。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a与左眼显示装置12之间，同时与左眼目镜20a和左眼显示装置12中的每一个间隔开。也就是说，透镜阵列13可以位于左眼目镜20a的前面和左眼显示装置12的后面。此外，透镜阵列13可以设置在右眼目镜20b与右眼显示装置11之间，同时与右眼目镜20b和右眼显示装置11中的每一个间隔开。也就是说，透镜阵列13可以位于右眼目镜20b的前面和右眼显示装置11的后面。
透镜阵列13可以是微透镜阵列。透镜阵列13可以由针孔阵列代替。由于透镜阵列13，在左眼显示装置12或右眼显示装置11上显示的图像可以被扩展并且被用户感知。
用户的左眼(LE)可以位于左眼目镜20a处，并且用户的右眼(RE)可以位于右眼目镜20b处。
如图12C所示，根据本公开的增强现实(AR)结构的头戴式显示器(HMD)装置包括左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部14和透射窗15。为了便于说明，图12C仅示出左眼结构。右眼结构在结构上与左眼结构相同。
左眼显示装置12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部14和透射窗15容纳在上述容纳壳体10中。
左眼显示装置12可以设置在透射反射部14的一侧，例如，在不覆盖透射窗15的情况下，设置在透射反射部14的上侧。因此，可以在通过透射窗15看到的周围背景没有被左眼显示装置12覆盖的条件下向透射反射部14提供图像。
左眼显示装置12可以由图1至图9所示的电致发光显示装置形成。在这种情况下，图1至图9中的与用于显示图像的表面对应的上部，例如，滤色器层810、820和830面对透射反射部14。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a与透射反射部14之间。
用户的左眼位于左眼目镜20a处。
透射反射部14设置在透镜阵列13与透射窗15之间。透射反射部14可以包括部分地使一些光透射并且还反射剩余光的反射表面14a。反射表面14a被配置成将在左眼显示装置12上显示的图像朝向透镜阵列13引导。因此，用户可以观看在左眼显示装置12上显示的图像以及通过透射窗15的周围背景。也就是说，用户可以观看通过与周围真实背景叠加的虚拟图像获得的一个图像，从而实现增强现实(AR)。
透射窗15设置在透射反射部14的前面。
从以上内容可见，本申请所公开的技术内容包括但不限于如下：
方案1.一种电致发光显示装置，包括：
包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板；
在所述基板上的所述第一子像素至所述第三子像素的每一个中的第一电极；
所述第一电极上的发光层；以及
所述发光层上的第二电极，
其中，所述第一子像素设置有包括第一子发光区域和第二子发光区域的第一发光区域，并且
所述第一子发光区域被配置成发射第一颜色光和第二颜色光的混合光，其中所述第二颜色光与所述第一颜色光不同，并且所述第二子发光区域被配置成发射所述第二颜色光。
方案2.根据方案1所述的电致发光显示装置，
其中所述发光层包括被配置成发射所述第一颜色光的第一堆叠体、被配置成发射所述第二颜色光的第二堆叠体、以及在所述第一堆叠体与所述第二堆叠体之间设置的电荷生成层，并且
所述第一子发光区域被配置成从所述第一堆叠体和所述第二堆叠体发射光，并且所述第二子发光区域被配置成从所述第二堆叠体发射光。
方案3.根据方案2所述的电致发光显示装置，其中所述第一子发光区域和所述第二子发光区域被配置成使得在所述第一子发光区域的电荷生成层中流动的电流转移到所述第二子发光区域的电荷生成层，并且在所述第二子发光区域中，在所述第二电极与所述电荷生成层之间形成电场。
方案4.根据方案3所述的电致发光显示装置，其中所述电荷生成层包括被配置成转移所述电流的N型电荷生成层，并且所述N型电荷生成层包括按重量计算占比为10％至15％的掺杂剂。
方案5.根据方案1所述的电致发光显示装置，
其中，在所述第一子像素中设置的所述第一电极包括彼此间隔开的第一子电极和第二子电极，并且
所述第一子电极和所述第二子电极与所述第一子发光区域交叠，并且所述第一子电极与所述第二子电极之间的间隔区域与所述第二子发光区域交叠。
方案6.根据方案5所述的电致发光显示装置，其中所述第一子电极和所述第二子电极相对于所述第二子发光区域的中心彼此分离。
方案7.根据方案5所述的电致发光显示装置，其中在所述第一子像素中设置的所述第一电极包括被配置成将所述第一子电极和所述第二子电极彼此连接的附加的第三子电极，并且所述第三子电极与所述第一子发光区域交叠。
方案8.根据方案5所述的电致发光显示装置，还包括在所述第一电极下方的电路器件层以及在所述第二子发光区域的电路器件层中设置的沟槽，其中所述发光层设置在所述沟槽中。
方案9.根据方案8所述的电致发光显示装置，
其中，所述发光层包括被配置成发射所述第一颜色光的第一堆叠体、被配置成发射所述第二颜色光的第二堆叠体、以及在所述第一堆叠体与所述第二堆叠体之间设置的电荷生成层，并且
所述第一堆叠体断开地设置在所述沟槽中，并且所述电荷生成层和所述第二堆叠体连接地设置在与所述沟槽交叠的区域中。
方案10.根据方案8所述的电致发光显示装置，其中所述沟槽包括与所述第一子电极的一个端部接触的一个沟槽以及与所述第二子电极的一个端部接触的另一沟槽。
方案11.根据方案1所述的电致发光显示装置，还包括设置在所述第一子像素的所述第一电极与所述发光层之间并且被配置成防止在所述第一电极中生成的电荷转移到所述发光层的电荷防止层，
其中，所述第一子发光区域不与所述电荷防止层交叠，并且所述第二子发光区域与所述电荷防止层交叠。
方案12.根据方案11所述的电致发光显示装置，其中多个电荷防止层在彼此间隔开的情况下设置在所述第一电极上。
方案13.根据方案11所述的电致发光显示装置，还包括被配置成覆盖所述第一电极的外周的堤部，
其中，所述电荷防止层由与所述堤部的材料相同的材料形成，并且以与所述堤部的高度相同的高度设置。
方案14.根据方案1所述的电致发光显示装置，其中所述第一颜色光与从所述第一子像素发射的光不同，并且所述第二颜色光与从所述第一子像素发射的光相同。
方案15.一种电致发光显示装置，包括：
包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板；
在所述基板上的所述第一子像素至所述第三子像素的每一个中的第一电极；
所述第一电极上的发光层；以及
所述发光层上的第二电极，
其中，所述第一子像素设置有包括第一子发光区域和第二子发光区域的第一发光区域，并且
所述第一子发光区域和所述第二子发光区域被配置成使得在所述第一子发光区域中在所述第二电极与所述第一电极之间形成电场，并且在所述第二子发光区域中在所述第二电极与所述第一电极之间不形成电场。
方案16.根据方案15所述的电致发光显示装置，
其中，所述发光层包括被配置成发射第一颜色光的第一堆叠体、被配置成发射第二颜色光的第二堆叠体、以及在所述第一堆叠体与所述第二堆叠体之间设置的电荷生成层，并且
在所述第二子发光区域中，在所述第二电极与所述电荷生成层之间形成电场。
方案17.根据方案15所述的电致发光显示装置，其中所述第一电极设置在所述第一子发光区域中，并且所述第一电极不设置在所述第二子发光区域中。
方案18.根据方案15所述的电致发光显示装置，还包括电荷防止层，所述电荷防止层设置在所述第二子发光区域中且在所述第一子像素的所述第一电极与所述发光层之间，并且所述电荷防止层被配置成防止在所述第一电极中生成的电荷转移到所述发光层，
其中，所述电荷防止层不设置在所述第一子发光区域中。
方案19.根据方案1或15所述的电致发光显示装置，还包括在所述第一子像素至所述第三子像素中的每一个之间的边界中设置的沟槽，
其中，所述发光层中的至少一些断开地设置在与所述沟槽交叠的区域中。
方案20.根据方案1或15所述的电致发光显示装置，还包括与所述基板间隔开的透镜阵列以及被配置成容纳所述基板和所述透镜阵列的容纳壳体。
对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中做出各种修改和变化。因此，本公开旨在覆盖本公开的修改和变化，只要这些修改和变化落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。

Claims (10)

1.一种电致发光显示装置，包括：
包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板；
在所述基板上的所述第一子像素至所述第三子像素的每一个中的第一电极；
所述第一电极上的发光层；以及
所述发光层上的第二电极，
其中，所述第一子像素设置有包括第一子发光区域和第二子发光区域的第一发光区域，并且
所述第一子发光区域被配置成发射第一颜色光和第二颜色光的混合光，其中所述第二颜色光与所述第一颜色光不同，并且所述第二子发光区域被配置成发射所述第二颜色光。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，
其中所述发光层包括被配置成发射所述第一颜色光的第一堆叠体、被配置成发射所述第二颜色光的第二堆叠体、以及在所述第一堆叠体与所述第二堆叠体之间设置的电荷生成层，并且
所述第一子发光区域被配置成从所述第一堆叠体和所述第二堆叠体发射光，并且所述第二子发光区域被配置成从所述第二堆叠体发射光。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，其中所述第一子发光区域和所述第二子发光区域被配置成使得在所述第一子发光区域的电荷生成层中流动的电流转移到所述第二子发光区域的电荷生成层，并且在所述第二子发光区域中，在所述第二电极与所述电荷生成层之间形成电场。
4.根据权利要求3所述的电致发光显示装置，其中所述电荷生成层包括被配置成转移所述电流的N型电荷生成层，并且所述N型电荷生成层包括按重量计算占比为10％至15％的掺杂剂。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，
其中，在所述第一子像素中设置的所述第一电极包括彼此间隔开的第一子电极和第二子电极，并且
所述第一子电极和所述第二子电极与所述第一子发光区域交叠，并且所述第一子电极与所述第二子电极之间的间隔区域与所述第二子发光区域交叠。
6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置，其中所述第一子电极和所述第二子电极相对于所述第二子发光区域的中心彼此分离。
7.根据权利要求5所述的电致发光显示装置，其中在所述第一子像素中设置的所述第一电极包括被配置成将所述第一子电极和所述第二子电极彼此连接的附加的第三子电极，并且所述第三子电极与所述第一子发光区域交叠。
8.一种电致发光显示装置，包括：
包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板；
在所述基板上的所述第一子像素至所述第三子像素的每一个中的第一电极；
所述第一电极上的发光层；以及
所述发光层上的第二电极，
其中，所述第一子像素设置有包括第一子发光区域和第二子发光区域的第一发光区域，并且
所述第一子发光区域和所述第二子发光区域被配置成使得在所述第一子发光区域中在所述第二电极与所述第一电极之间形成电场，并且在所述第二子发光区域中在所述第二电极与所述第一电极之间不形成电场。
9.根据权利要求1或8所述的电致发光显示装置，还包括在所述第一子像素至所述第三子像素中的每一个之间的边界中设置的沟槽，
其中，所述发光层中的至少一些断开地设置在与所述沟槽交叠的区域中。
10.根据权利要求1或8所述的电致发光显示装置，还包括与所述基板间隔开的透镜阵列以及被配置成容纳所述基板和所述透镜阵列的容纳壳体。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202236665A (zh) * 2021-03-11 2022-09-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置以及顯示裝置的製造方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050139834A1 (en) * 2003-12-31 2005-06-30 Jac-Yong Park Organic electroluminescent device and fabricating method thereof
CN102856507A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 三星显示有限公司 发光结构、包括发光结构的显示装置及其制造方法
CN103050630A (zh) * 2011-12-05 2013-04-17 友达光电股份有限公司 电激发光显示面板的画素结构
CN103477713A (zh) * 2011-03-31 2013-12-25 夏普株式会社 显示用基板、有机电致发光显示装置和它们的制造方法
CN103779470A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其制造方法
CN104037193A (zh) * 2013-03-04 2014-09-10 索尼公司 显示器及其制造方法、显示驱动方法以及电子设备
KR20140117119A (ko) * 2013-03-26 2014-10-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN104518001A (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
US20150221710A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-06 Sony Corporation Display device and electronic apparatus
CN104904030A (zh) * 2013-01-04 2015-09-09 乐金显示有限公司 Oled微腔结构及其制造方法
US20160276421A1 (en) * 2015-03-17 2016-09-22 Japan Display Inc. Display device
US20160343782A1 (en) * 2015-05-22 2016-11-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Transflective oled display
WO2018090630A1 (zh) * 2016-11-16 2018-05-24 京东方科技集团股份有限公司 像素排列结构、有机电致发光器件、显示装置、掩模板
CN108269833A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 乐金显示有限公司 有机发光显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110108812A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Shiro Sumita Organic el device
WO2015141143A1 (ja) * 2014-03-20 2015-09-24 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル、それを備えた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR102373896B1 (ko) * 2015-05-23 2022-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102585535B1 (ko) 2016-06-30 2023-10-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
US10903282B2 (en) * 2017-09-29 2021-01-26 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN108565352B (zh) * 2018-04-19 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050139834A1 (en) * 2003-12-31 2005-06-30 Jac-Yong Park Organic electroluminescent device and fabricating method thereof
CN103477713A (zh) * 2011-03-31 2013-12-25 夏普株式会社 显示用基板、有机电致发光显示装置和它们的制造方法
CN102856507A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 三星显示有限公司 发光结构、包括发光结构的显示装置及其制造方法
CN103050630A (zh) * 2011-12-05 2013-04-17 友达光电股份有限公司 电激发光显示面板的画素结构
CN103779470A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其制造方法
CN104904030A (zh) * 2013-01-04 2015-09-09 乐金显示有限公司 Oled微腔结构及其制造方法
CN104037193A (zh) * 2013-03-04 2014-09-10 索尼公司 显示器及其制造方法、显示驱动方法以及电子设备
KR20140117119A (ko) * 2013-03-26 2014-10-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN104518001A (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
US20150221710A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-06 Sony Corporation Display device and electronic apparatus
US20160276421A1 (en) * 2015-03-17 2016-09-22 Japan Display Inc. Display device
US20160343782A1 (en) * 2015-05-22 2016-11-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Transflective oled display
WO2018090630A1 (zh) * 2016-11-16 2018-05-24 京东方科技集团股份有限公司 像素排列结构、有机电致发光器件、显示装置、掩模板
CN108269833A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 乐金显示有限公司 有机发光显示装置

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