CN111276090A - 显示装置及制造该显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示装置及一种制造该显示装置的方法，所述显示装置包括：像素电路，设置在基体层上；绝缘层，设置在基体层上且覆盖像素电路；第一电极，设置在绝缘层上；第二电极，设置在绝缘层上，第二电极与第一电极在第一方向上分隔开；发光元件，设置在第一电极与第二电极之间；连接电极，将第一电极与发光元件连接，并且将第二电极与发光元件连接；第一辅助绝缘层，设置在发光元件上；以及第二辅助绝缘层，设置在第一辅助绝缘层上。第二辅助绝缘层包括与第一辅助绝缘层叠置的第一绝缘部分以及从第一绝缘部分向外设置并且不与第一辅助绝缘层叠置的第二绝缘部分。

Description

显示装置及制造该显示装置的方法
本申请要求于2018年12月4日提交的第10-2018-0154438号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的而通过引用包含于此，如同在此充分阐述的一样。
技术领域
发明的示例性实施例总体上涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种具有发光元件的显示装置及一种制造该显示装置的方法。
背景技术
发光二极管(在下文中，发光元件)具有各种技术优点，诸如在严苛环境中的良好的耐久性、足够长的寿命期限和良好的亮度性质。最近，正在积极地进行许多研究以将发光元件应用于各种发光装置。
例如，由生长无机晶体结构(例如，氮化物基半导体材料)而获得的结构被用于制造非常小的(例如，微米级或纳米级的)棒状发光元件。作为示例，棒状发光元件可以被制造为足够小以用作自发光显示面板的像素。
以成本有效的方式来制造现代显示装置所需的大量这样的微米级或纳米级发光元件产生了许多技术挑战。
本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的原理和示例性实施方式构造的包括多个非常小的发光元件的显示装置和根据发明的原理和示例性实施方式的制造该显示装置的方法提供了改善的可靠性和减少的制造时间和/或成本。例如，根据发明的原理和示例性实施例，可以通过同一沉积工艺来同时形成连接电极的将发光元件连接到第一电极和第二电极的部分。
发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述是明显的，或者可以通过发明构思的实践来获知。
根据一个或更多个实施例构造的显示装置包括：基体层；像素电路，设置在基体层上；绝缘层，设置在基体层上且覆盖像素电路；第一电极，电连接到像素电路，并且设置在绝缘层上；第二电极，电连接到像素电路，并且设置在绝缘层上，第二电极与第一电极在第一方向上分隔开；发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，并且电连接到第一电极和第二电极；连接电极，将第一电极与发光元件连接，并且将第二电极与发光元件连接；第一辅助绝缘层，设置在发光元件上；以及第二辅助绝缘层，设置在第一辅助绝缘层上，第一辅助绝缘层设置在第二辅助绝缘层与发光元件之间，其中，第二辅助绝缘层包括与第一辅助绝缘层叠置(重叠)的第一绝缘部分以及从第一绝缘部分向外设置并且不与第一辅助绝缘层叠置的第二绝缘部分。
第一辅助绝缘层的宽度可以比第二辅助绝缘层的宽度小。
第二辅助绝缘层的宽度可以比发光元件的宽度小，第一辅助绝缘层可以全部与第二辅助绝缘层叠置，第二辅助绝缘层可以全部与发光元件叠置。
第一辅助绝缘层可以包括SiOx，第二辅助绝缘层可以包括SiNx。
当在基体层的厚度方向上测量时，使第一绝缘部分与发光元件分离的距离可以基本上等于使第二绝缘部分与发光元件分离的距离。
连接电极可以包括：虚设连接电极，设置在第二辅助绝缘层上；第一连接电极，将第一电极与发光元件连接；以及第二连接电极，将第二电极与发光元件连接，第一连接电极与第二连接电极彼此分隔开，其中，虚设连接电极可以与第一连接电极和第二连接电极分隔开。
第一连接电极与第二连接电极可以利用置于其间的第一辅助绝缘层彼此分隔开，虚设连接电极、第一连接电极和第二连接电极可以包括相同的导电材料。
当在基体层的厚度方向上测量时，使第二辅助绝缘层与设置在发光元件上的第一连接电极分离的距离可以基本上等于使第二辅助绝缘层与设置在发光元件上的第二连接电极分离的距离。
虚设连接电极可以覆盖第二辅助绝缘层的至少三个相交的表面。
虚设连接电极可以与发光元件叠置。
显示装置还可以包括：第一间隔壁，设置在第一电极与绝缘层之间；以及第二间隔壁，设置在第二电极与绝缘层之间，其中，发光元件可以设置在第一间隔壁与第二间隔壁之间。
第一电极可以包括电连接到像素电路并且包括反射材料的第一反射电极以及覆盖第一反射电极的第一盖电极，并且第二电极可以包括接收电力电压并且包括反射材料的第二反射电极以及覆盖第二反射电极的第二盖电极。
显示装置还可以包括：第三辅助绝缘层，设置在发光元件和绝缘层上，其中，第三辅助绝缘层的一部分可以在基体层的厚度方向上凹进。
根据另一实施例构造的显示装置包括：基体层；像素电路，设置在基体层上；绝缘层，设置在基体层上以覆盖像素电路；第一电极，电连接到像素电路，并且设置在绝缘层上；第二电极，电连接到像素电路，并且设置在绝缘层上，第二电极与第一电极在第一方向上分隔开；发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，并且电连接到第一电极和第二电极；第一辅助绝缘层，设置在发光元件上；第二辅助绝缘层，设置在第一辅助绝缘层上，第一辅助绝缘层设置在第二辅助绝缘层与发光元件之间；以及连接电极，包括设置在第二辅助绝缘层上的虚设连接电极、连接第一电极与发光元件的第一连接电极以及连接第二电极与发光元件的第二连接电极，第二连接电极与第一连接电极分隔开。
虚设连接电极可以与第一连接电极和第二连接电极分隔开，并且基本上设置在第二辅助绝缘层之上，其中，虚设连接电极、第一连接电极和第二连接电极可以包括相同的导电材料。
第一辅助绝缘层的宽度可以比第二辅助绝缘层的宽度小，第二辅助绝缘层的宽度可以比发光元件的宽度小。
根据一个或更多个示例性实施例的制造显示装置的方法包括以下步骤：在基体层上形成像素电路；在基体层上形成绝缘层以覆盖像素电路；在绝缘层上形成彼此分隔开的第一电极和第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光元件；在绝缘层上形成覆盖发光元件的第一辅助层；在第一辅助层上形成第二辅助层；在第二辅助层上形成与发光元件叠置的光致抗蚀剂图案；使用第一气体去除第二辅助层的被光致抗蚀剂图案暴露的部分以形成第二辅助绝缘层；使用第二气体去除第一辅助层的被第二辅助绝缘层暴露的部分以形成第一辅助绝缘层；以及沉积导电材料以同时形成将第一电极与发光元件连接的第一连接电极、将第二电极与发光元件连接的第二连接电极以及设置在第二辅助绝缘层上的虚设连接电极。
第一辅助绝缘层的蚀刻速率可以比第二辅助绝缘层的蚀刻速率高。
第一连接电极和第二连接电极可以通过第一辅助绝缘层与虚设连接电极分隔开。
所述方法还可以包括形成第一间隔壁和第二间隔壁的步骤，第一间隔壁与第二间隔壁彼此分隔开且使发光元件置于其间。
将理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述两者都是示例性的和解释性的，并且意图提供对要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思，附图被包括以提供对发明的进一步的理解，并且并入本说明书中且构成本说明书的一部分。
图1是根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的透视图。
图2A是根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的框图。
图2B是图2A的显示装置的代表性像素的示例性实施例的等效电路图。
图3是图2A的显示装置的显示模块的示例性实施例的剖视图。
图4A是图2A的显示面板的电极和发光元件的示例性实施例的平面图。
图4B是图2A的显示面板的电极和发光元件的另一示例性实施例的平面图。
图5是图2A的显示面板的示例性实施例的一部分的剖视图。
图6是图5的区域“AA”的放大剖视图。
图7A至图7D是图6的发光元件的示例性实施例的剖视图。
图8A至图8H是示出根据发明的原理制造显示面板的工艺的一些步骤的显示面板的示例性实施例的一部分的剖视图。
应当注意的是，这些图意图示出某些示例实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特性并对下面提供的书面描述进行补充。然而，这些图不是按比例的，不会精确地反映任何给出的实施例的精确结构或性能特性，并且不应当被解释为限定或限制由示例实施例包含的值的范围或性质。例如，为了清晰起见，可以缩小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位。相似或相同的附图标号在各种图中的使用意图表示相似或相同的元件或特征的存在。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻的理解。如这里使用的，“实施例”和“实施方式”是作为采用在这里公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例的可互换的词语。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下来实践各种示例性实施例。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种示例性实施例不必要地混淆。此外，各种示例性实施例可以不同，但不必是排他的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的具体形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实施。
除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实施发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，可以将各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或统一地称作“元件”)另外地组合、分离、互换和/或重新布置。
通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用来使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或者直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以以更广泛的含义来解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(者/种)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(者/种)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(者/种)或更多个(者/种)的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应当受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
出于描述的目的，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，从而来描述如附图中示出的一个元件与另一(另一些)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，如此相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不是意图作为限制。如这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，术语“包含”和/或“包括”用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如这里所使用的，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似术语而不是用作程度术语，并且如此用于解释本领域普通技术人员将会识别出的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
这里参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。如此，将预料到由例如制造技术和/或公差所导致的图示的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例不应当一定被解释为局限于区域的特定的示出形状，而是要包括由例如制造所导致的形状的偏差。以这种方式，在附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不必意图成为限制。
除非另有定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。术语(诸如通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应当以理想化或过于形式化的含义来解释，除非这里明确如此定义。
图1是根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的透视图。图2A是根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的框图。图2B是图2A的显示装置的代表性像素的示例性实施例的等效电路图。
参照图1，显示装置DD可以通过显示区域DA来显示图像。图1示出了其中显示区域DA设置为与第一方向DR1和与第一方向DR1相交的第二方向DR2基本上平行的示例。然而，在示例性实施例中，显示装置DD的显示区域DA可以设置在弯曲的表面上。在示例性实施例中，显示装置DD还可以包括与显示区域DA相邻的非显示区域，非显示区域不会被用来显示图像。非显示区域可以设置为与显示区域DA的区域相邻，或者可以包围显示区域DA。
显示装置DD的厚度方向将被称作第三方向DR3。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3所表示的方向可以是相对的概念，在示例性实施例中，这些方向可以被改变为表示其它方向。在说明书中，表述“当在平面图中观看时”或“在平面图中”可以用来描述在第三方向DR3上观看到的物体的形状。厚度方向可以是第三方向DR3。
图1示出了其中显示装置DD是电视机的示例。然而，显示装置DD可以用于大型电子装置(例如，监视器和户外广告板)或中小型电子装置(例如，个人电脑、笔记本电脑、个人数码助理、汽车导航系统、游戏机、智能电话、平板电脑和相机)。然而，应当理解的是，这些仅仅是示例，与发明构思一致，其它电子装置可以用来实现示例性实施例。
参照图2A，显示装置DD可以包括显示面板DP、信号控制电路TC、数据驱动电路DDV和扫描驱动电路GDV。信号控制电路TC、数据驱动电路DDV和扫描驱动电路GDV中的每个可以包括多个电路。
根据示例性实施例，显示面板DP可以是包括微发光元件的微发光元件显示面板。例如，显示面板DP可以是微LED显示面板。将参照图4A、图4B和图5来更详细地描述包括微发光元件的显示面板DP的结构。
显示面板DP可以包括多条数据线DL1-DLm、多条扫描线SL1-SLn和多个像素PX。
数据线DL1-DLm可以在第二方向DR2上延伸，并且可以布置在与第二方向DR2相交的第一方向DR1上。扫描线SL1-SLn可以在第一方向DR1上延伸，并且可以布置在第二方向DR2上。
像素PX中的每个可以包括将被称作发光元件的微发光元件和电连接到发光元件的像素电路。像素电路可以包括多个晶体管。第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS可以提供到像素PX中的每个。
像素PX可以以规律的方式或用特定的布置规则布置在显示面板DP的表面上。像素PX中的每个可以显示原色中的一种或混合色中的一种。原色可以包括红色、绿色和蓝色，混合色可以包括诸如黄色、青色、品红色和白色的各种颜色。然而，可以由像素PX显示的颜色不限于以上颜色。
详细地，像素PX中的每个或者至少一个可以具有图2B的等效电路图。像素PX可以连接到多条信号线。在图2B中示例性地示出了信号线中的一些(例如，扫描线SL、数据线DL、第一电力线PL1和第二电力线PL2)。然而，像素PX的示例性实施例不限于这个示例，像素PX还可以连接到各种其它信号线。
像素PX可以包括发光元件ED、第一电极E1、第二电极E2和像素电路PXC。像素电路PXC可以包括第一薄膜晶体管TR1、电容器CAP和第二薄膜晶体管TR2。然而，这只是示例，构成像素电路PXC的薄膜晶体管和电容器的数量不限于图2B中所示的数量。例如，在另一示例性实施例中，像素电路PXC可以包括多个薄膜晶体管和多个电容器。
第一薄膜晶体管TR1可以是被构造为控制像素PX的导通/截止操作的开关晶体管。响应于通过扫描线SL传输的扫描信号，第一薄膜晶体管TR1可以传输或阻挡通过数据线DL传输的数据信号。
电容器CAP可以连接到第一薄膜晶体管TR1和第一电力线PL1。电容器CAP可以用来储存电荷，电容器CAP中储存的电荷的量可以由通过第一薄膜晶体管TR1传输的数据信号与施加到第一电力线PL1的第一电力电压ELVDD之间的电压差来确定。
第二薄膜晶体管TR2可以连接到第一薄膜晶体管TR1、电容器CAP和发光元件ED。第二薄膜晶体管TR2可以根据电容器CAP中储存的电荷的量来控制流经发光元件ED的驱动电流。第二薄膜晶体管TR2的导通时间可以根据电容器CAP中储存的电荷的量来确定。
在示例性实施例中，第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2可以是p型晶体管，但是像素PX的示例性实施例不限于这个示例。在另一示例性实施例中，第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2可以是n型晶体管或p型晶体管。在其它示例性实施例中，第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2中的至少一个可以是n型薄膜晶体管，而另一个可以是p型薄膜晶体管。
发光元件ED可以连接到第二薄膜晶体管TR2和第二电力线PL2。例如，发光元件ED可以连接到第一电极E1和第二电极E2，第一电极E1电连接到第二薄膜晶体管TR2，第二电极E2连接到第二电力线PL2。第一电极E1可以电连接到像素电路PXC，第二电极E2可以通过第二电力线PL2来接收第二电力电压ELVSS。
发光元件ED可以发光，这里，发射的光的强度可以由通过第二薄膜晶体管TR2传递的电力信号与通过第二电力线PL2接收的第二电力电压ELVSS之间的电压差来确定。
根据示例性实施例，发光元件ED可以是微LED器件。微LED器件可以是其长度在从几纳米至几百微米的范围的LED元件。然而，微LED器件的长度不限于以上示例或具体范围。
在图2B中示出了其中发光元件ED单独连接在第二薄膜晶体管TR2与第二电力线PL2之间的示例，但是，在示例性实施例中，可以设置多个发光元件ED。多个发光元件ED可以彼此并联连接。
返回参照图2A，信号控制电路TC可以接收从外部提供的图像数据RGB。信号控制电路TC可以将图像数据RGB转换成适于显示面板DP的操作的图像数据R'G'B'，并且然后可以将转换后的图像数据R'G'B'输出到数据驱动电路DDV。
信号控制电路TC可以接收从外部提供的控制信号CS。控制信号CS可以包括垂直同步信号、水平同步信号、主时钟信号和数据使能信号等。信号控制电路TC可以将第一控制信号CONT1提供到数据驱动电路DDV，并且可以将第二控制信号CONT2提供到扫描驱动电路GDV。第一控制信号CONT1可以是用于控制数据驱动电路DDV的信号，第二控制信号CONT2可以是用于控制扫描驱动电路GDV的信号。
数据驱动电路DDV可以响应于来自信号控制电路TC的第一控制信号CONT1驱动数据线DL1-DLm。数据驱动电路DDV可以实施为单独的集成电路，并且可以电连接到显示面板DP的侧面区域。在示例性实施例中，数据驱动电路DDV可以直接安装在显示面板DP上。此外，数据驱动电路DDV可以以单个芯片的形式设置，或者可以包括多个芯片。
扫描驱动电路GDV可以集成在显示面板DP的特定区域上。例如，扫描驱动电路GDV可以包括通过与用于像素PX的像素电路的工艺相同的工艺(例如，通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺)形成的多个薄膜晶体管。在示例性实施例中，扫描驱动电路GDV可以实施为单独的集成电路芯片，并且可以电连接到显示面板DP的一部分。
扫描驱动电路GDV可以响应于来自信号控制电路TC的第二控制信号CONT2来驱动扫描线SL1-SLn。在扫描线SL1-SLn中的一条被施加有栅极导通电压的同时，连接到其的像素的行中的每个像素的开关晶体管可以被导通。这里，数据驱动电路DDV可以将数据驱动信号提供到数据线DL1-DLm。提供到数据线DL1-DLm的数据驱动信号可以通过导通的开关晶体管分别施加到相应的像素。数据驱动信号可以是与图像数据的灰阶级(gradation level)对应的模拟电压。
图3是图2A的显示装置的显示模块的示例性实施例的剖视图。图3中所示的显示装置DD可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的输入感测单元ISU(或触摸感测单元)。显示面板DP和输入感测单元ISU被示出为包括在显示模块DM中。在示例性实施例中，输入感测单元ISU可以被包括在显示模块DM中，或者可以省略输入感测单元ISU。
详细地，参照图3，显示面板DP可以包括第一基体层BL1、电路层COL、显示元件层EDL和第二基体层BL2。显示面板DP可以包括显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA。显示面板DP的显示区域DP-DA可以对应于参照图1描述的显示装置DD的显示区域DA。此外，非显示区域DP-NDA可以与显示区域DP-DA的侧部相邻，或者可以包围显示区域DP-DA。在示例性实施例中，可以省略非显示区域DP-NDA。
第一基体层BL1可以支撑显示面板DP的元件和输入感测单元ISU，并且可以包括柔性材料。例如，第一基体层BL1可以包括塑料基底、玻璃基底或由有机/无机复合材料制成的基底。可选择地，第一基体层BL1可以具有包括多个绝缘层的堆叠结构。塑料基底可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯树脂、乙烯基树脂、环氧树脂、氨基甲酸乙酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和苝树脂中的至少一种。
电路层COL可以包括多个绝缘层、多个导电层和一个半导体层。电路层COL的多个导电层可以包括信号线和/或像素的像素电路。
显示元件层EDL可以与显示区域DP-DA叠置，并且可以设置在电路层COL上。显示元件层EDL可以包括发光元件(例如，微发光元件)。然而，显示面板DP的示例性实施例不限于此，根据显示面板DP的种类，显示元件层EDL可以包括有机发光二极管、无机发光二极管或有机-无机混合发光二极管。
第二基体层BL2可以将显示元件层EDL密封。作为示例，第二基体层BL2可以与显示区域DP-DA和非显示区域DP-NDA中的每个叠置，或者可以不与非显示区域DP-NDA叠置。
在示例性实施例中，第二基体层BL2可以是封装基底。第二基体层BL2可以保护显示元件层EDL免受诸如湿气、氧和灰尘颗粒的污染物的影响。第二基体层BL2可以通过密封构件SLP结合到第一基体层BL1。密封构件SLP可以包括玻璃料。然而，示例性实施例不限于这个示例，可以将各种材料用于密封构件SLP。
输入感测单元ISU可以与显示区域DP-DA叠置，并且可以设置在第二基体层BL2上。输入感测单元ISU可以直接设置在第二基体层BL2上。在说明书中，表述“元件A直接设置在元件B上”意为在元件A与元件B之间没有设置粘合层/粘合构件。
输入感测单元ISU可以以电容感测方式来感测外部输入。外部输入可以以各种形式提供。例如，外部输入可以包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的部位(例如，手或手指)、手写笔、光、热或压力。除了这样的由用户的手引起的触摸型事件之外，外部输入可以是非触摸型事件(例如，靠近输入感测单元ISU的悬停事件)。
示例性实施例不限于输入感测单元ISU的特定感测方法，在示例性实施例中，输入感测单元ISU可以以电磁感应方式或压力感测方式来感测外部输入。在另一示例性实施例中，输入感测单元ISU可以被单独地制造然后可以通过粘合层附着到显示面板DP，或者可以省略输入感测单元ISU。
同时，图3示出了其中输入感测单元ISU通过连续的工艺直接形成在第二基体层BL2上的示例，但是显示模块DM的示例性实施例不限于这个示例。例如，粘合构件可以设置在输入感测单元ISU与第二基体层BL2之间，在这种情况下，输入感测单元ISU和第二基体层BL2可以通过粘合构件彼此附着。
图4A是图2A的显示面板的电极和发光元件的示例性实施例的平面图。图4B是图2A的显示面板的电极和发光元件的另一示例性实施例的平面图。为了减小附图的复杂性并提供对示例性实施例的更好的理解，在图4A和图4B中示出了图2B的像素PX的一些元件(例如，发光元件ED、第一电极E1和第二电极E2)，并且在图4A和图4B中省略了其它元件。
参照图4A，每个像素PX可以包括发光元件ED、第一电极E1和第二电极E2。如图4A中所示，显示面板可以包括并联连接的多个发光元件ED以形成图2B的发光元件。作为示例，图4A示出了布置为形成三列的多个发光元件ED。
第一电极E1可以包括：第一子电极E1a，在第一方向DR1上延伸；以及多个第一分支电极E1b，在第二方向DR2上从第一子电极E1a向上伸出。第一分支电极E1b可以在第一方向DR1上彼此分隔开。
第二电极E2可以包括：第二子电极E2a，在第一方向DR1上延伸；以及多个第二分支电极E2b，在第二方向DR2上从第二子电极E2a向下伸出。第二分支电极E2b可以在第一方向DR1上彼此分隔开。
第一子电极E1a和第二子电极E2a可以在第二方向DR2上彼此分隔开，并且可以彼此面对。此外，在第一子电极E1a与第二子电极E2a之间，第一分支电极E1b和第二分支电极E2b可以交替地布置在第一方向DR1上，并且可以在第一方向DR1上彼此分隔开。
当在平面图中观看时，发光元件ED可以设置于在第一方向DR1上彼此面对的第一分支电极E1b与第二分支电极E2b之间。发光元件ED可以在第一方向DR1上延伸，并且可以布置在第二方向DR2上。此外，发光元件ED可以在第二方向DR2上彼此分隔开。
当在平面图中观看时，发光元件ED可以不与第一电极E1和第二电极E2叠置，并且不接触第一电极E1和第二电极E2。换言之，发光元件ED可以不直接连接到第一电极E1和第二电极E2。
根据示例性实施例，发光元件ED可以经由连接电极CNE电连接到第一电极E1和第二电极E2。当在平面图中观看时，连接电极CNE可以与第一分支电极E1b、第二分支电极E2b和发光元件ED叠置。特别地，每列中的发光元件ED可以全部与连接电极CNE叠置。
详细地，连接电极CNE可以包括第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和虚设连接电极CNEd。虚设连接电极CNEd可以设置在第一连接电极CNE1与第二连接电极CNE2之间。
在图4A的示例性实施例中，第一连接电极CNE1可以电连接到设置在一个两列的组中的多个发光元件ED。第二连接电极CNE2可以电连接到设置在另一个两列的组中的多个发光元件ED。例如，第一连接电极CNE1可以电连接到第一列中的发光元件ED的一端和第二列中的发光元件ED的一端。第二连接电极CNE2可以电连接到第二列中的发光元件ED的相对端和第三列中的发光元件ED的一端。
每个发光元件ED可以通过第一连接电极CNE1连接到第一电极E1，并且可以通过第二连接电极CNE2连接到第二电极E2。在示例性实施例中，虚设连接电极CNEd可以与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2电断开。换言之，虚设连接电极CNEd可以与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个分隔开。结果，虚设连接电极CNEd可以与第一电极E1和第二电极E2电断开。
根据示例性实施例，可以通过单次沉积工艺来形成图4A中所示的连接电极CNE。例如，可以通过执行一次沉积工艺来形成包括第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和虚设连接电极CNEd的连接电极CNE。由于通过单次沉积工艺来形成连接电极CNE，所以可以能够减少制造显示装置DD的工艺的时间和成本。将在下面的制造方法的描述中更详细地描述形成连接电极CNE的工艺。
除了连接电极CNEa的结构上的区别之外，图4B的像素可以具有与图4A的像素基本上相同的结构。因此，将主要参照图4B描述连接电极CNEa的结构，将省略其它元件的描述以避免冗余。
参照图4B，多个连接电极CNEa可以设置在第一子电极E1a与第二子电极E2a之间，为减小附图的复杂性，在图4B中仅示例性地示出三个连接电极CNEa。多个连接电极CNEa可以在第一方向DR1上彼此分隔开。连接电极CNEa中的每个可以包括第一连接电极CNE1a、第二连接电极CNE2a和虚设连接电极CNEda。当在平面图中观看时，虚设连接电极CNEda可以设置在第一连接电极CNE1a与第二连接电极CNE2a之间。
在图4B的示例性实施例中，作为多个第一连接电极CNE1a中的一个并设置在第一区域上的第一连接电极CNE1a可以电连接到第一列中的发光元件ED的一端，作为多个第二连接电极CNE2a中的一个并设置在第一区域上的第二连接电极CNE2a可以电连接到第一列中的发光元件ED的相对端。这里，第一区域可以是包括第一连接电极CNE1a中的与第一列中的发光元件ED连接的一个和第二连接电极CNE2a中的与第一列中的发光元件ED连接的一个的区域。
第一列中的每个发光元件ED可以通过第一连接电极CNE1a连接到第二电极E2，并且可以通过第二连接电极CNE2a连接到第一电极E1。连接电极CNEa的虚设连接电极CNEda可以与第一电极E1和第二电极E2电断开。此外，连接电极CNEa的虚设连接电极CNEda可以与第一连接电极CNE1a和第二连接电极CNE2a电断开。
此外，作为多个第一连接电极CNE1a中的一个并设置在第二区域上的第一连接电极可以电连接到与第一列相邻的第二列中的发光元件ED的一端，作为多个第二连接电极CNE2a中的一个并设置在第二区域上的第二连接电极可以电连接到第二列中的发光元件ED的相对端。这里，第二区域可以是包括第一连接电极CNE1a中的与第二列中的发光元件ED连接的另一个和第二连接电极CNE2a中的与第二列中的发光元件ED连接的另一个的区域。
在这种情况下，第二列中的每个发光元件ED可以通过第一连接电极CNE1a连接到第一电极E1，并且可以通过第二连接电极CNE2a连接到第二电极E2。
此外，作为多个第一连接电极CNE1a中的一个并设置在第三区域上的第一连接电极可以电连接到与第一列相邻的第三列中的发光元件ED的一端，作为多个第二连接电极CNE2a中的一个并设置在第三区域上的第二连接电极可以电连接到第三列中的发光元件ED的相对端。这里，第三区域可以是包括第一连接电极CNE1a中的与第三列中的发光元件ED连接的又一个和第二连接电极CNE2a中的与第三列中的发光元件ED连接的又一个的区域。第一区域可以设置在第二区域与第三区域之间，发光元件ED的第一列可以设置在发光元件ED的第二列和第三列之间。
在这种情况下，第三列中的每个发光元件ED可以通过第一连接电极CNE1a连接到第一电极E1，并且可以通过第二连接电极CNE2a连接到第二电极E2。
图4A和图4B示出了包括在每个像素中的第一电极E1、第二电极E2、发光元件ED和连接电极CNE或CNEa中的每者的示例结构，但是示例性实施例不限于这个示例。换言之，可以不同地改变第一电极E1、第二电极E2和发光元件ED的结构。例如，图4A和图4B示出了其中设置有两个第一分支电极E1b和两个第二分支电极E2b的示例，但是在另一示例性实施例中，第二分支电极E2b可以单独地设置在一对第一分支电极E1b之间。可选择地，第一分支电极E1b可以单独地设置在一对第二分支电极E2b之间。
图5是图2A的显示面板的示例性实施例的一部分的剖视图。图6是图5的区域“AA”的放大剖视图。
图5中所示的第一薄膜晶体管TR1、第二薄膜晶体管TR2和接触电极CN可以被包括在图3的电路层COL中，第一电极E1、第二电极E2、第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2、虚设连接电极CNEd和发光元件ED可以被包括在显示元件层EDL中。
参照图5，第一基体层BL1和第二基体层BL2可以设置为彼此面对。例如，第一基体层BL1和第二基体层BL2中的每个可以是硅基底、塑料基底、玻璃基底、绝缘膜或包括多个绝缘层的堆叠件。
缓冲层BFL可以设置在第一基体层BL1上。图2B中所示的第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2可以设置在缓冲层BFL上。
详细地，第一薄膜晶体管TR1可以包括第一控制电极CE1、第一输入电极IE1、第一输出电极OE1和第一半导体图案SP1。第二薄膜晶体管TR2可以包括第二控制电极CE2、第二输入电极IE2、第二输出电极OE2和第二半导体图案SP2。
第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2可以设置在缓冲层BFL上。缓冲层BFL可以对第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2提供改性的表面。在这种情况下，与第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2直接形成在第一基体层BL1上的情况相比，第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2可以对缓冲层BFL具有增大的粘合强度。在示例性实施例中，缓冲层BFL可以是保护第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2中的每个的底表面的阻挡层。在这种情况下，缓冲层BFL可以防止从第一基体层BL1提供或通过第一基体层BL1提供的污染物和/或湿气进入第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2。
第一绝缘层L1可以设置在缓冲层BFL上以覆盖第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2。在说明书中，表述“元件A覆盖元件B”意为元件A设置为包围元件B的表面的一些部分。第一绝缘层L1可以包括无机材料。例如，无机材料可以是氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝，但是发明构思不限于这些示例。
第一控制电极CE1和第二控制电极CE2可以设置在第一绝缘层L1上。第二绝缘层L2可以设置在第一绝缘层L1上以覆盖第一控制电极CE1和第二控制电极CE2。第二绝缘层L2可以包括无机材料。
图2B的电容器CAP可以包括第一盖电极和第二盖电极CPa。例如，第一盖电极可以是从第二控制电极CE2划分出的部分，第二盖电极CPa可以设置在第二绝缘层L2上。
第三绝缘层L3可以设置在第二绝缘层L2上以覆盖第二盖电极CPa。第一输入电极IE1、第一输出电极OE1、第二输入电极IE2和第二输出电极OE2可以设置在第三绝缘层L3上。第一输入电极IE1和第一输出电极OE1可以通过形成为贯穿第一绝缘层L1、第二绝缘层L2和第三绝缘层L3的贯穿孔(penetration hole)连接到第一半导体图案SP1。第二输入电极IE2和第二输出电极OE2可以通过形成为贯穿第一绝缘层L1、第二绝缘层L2和第三绝缘层L3的贯穿孔连接到第二半导体图案SP2。不仅第一输入电极IE1、第一输出电极OE1、第二输入电极IE2和第二输出电极OE2可以设置在第三绝缘层L3上，而且信号线(例如，扫描线或数据线)中的每条的至少一部分也可以设置在第三绝缘层L3上。
第四绝缘层L4可以设置在第三绝缘层L3上以覆盖第一输入电极IE1、第一输出电极OE1、第二输入电极IE2和第二输出电极OE2。第四绝缘层L4可以由单层或多个层组成，第四绝缘层L4可以包括有机材料和/或无机材料。
接触电极CN可以设置在第四绝缘层L4上。不仅接触电极CN可以设置在第四绝缘层L4上，而且信号线(例如，扫描线或数据线)中的每条的至少另一部分也可以设置在第四绝缘层L4上。接触电极CN可以通过形成为贯穿第四绝缘层L4的贯穿孔连接到第二输出电极OE2。
第五绝缘层L5可以设置在第四绝缘层L4上以覆盖接触电极CN。第五绝缘层L5可以包括有机材料。发光元件ED、第一间隔壁BR1和第二间隔壁BR2可以设置在第五绝缘层L5上。第一间隔壁BR1和第二间隔壁BR2可以包括有机材料并且可以在第一方向DR1上彼此分隔开。
第一电极E1可以覆盖第一间隔壁BR1，第二电极E2可以覆盖第二间隔壁BR2。换言之，第一间隔壁BR1可以设置在第一电极E1与第五绝缘层L5之间，第二间隔壁BR2可以设置在第二电极E2与第五绝缘层L5之间。
贯穿孔可以设置在第五绝缘层L5中以使接触电极CN暴露。第一电极E1可以电连接到被暴露的接触电极CN。虽然没有示出，但是第二电极E2可以电连接到图2B的第二电力线PL2。换言之，第二电极E2可以被施加有图2B的第二电力电压ELVSS。
第一电极E1可以包括第一反射电极RFE1和第一盖电极CPE1。第二电极E2可以包括第二反射电极RFE2和第二盖电极CPE2。第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以包括反射材料。第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以具有单层结构或包括多个层的堆叠结构。例如，第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以具有其中顺序地堆叠有氧化铟锡(ITO)层、银(Ag)层和氧化铟锡(ITO)层的堆叠结构。
第一盖电极CPE1可以覆盖第一反射电极RFE1，第二盖电极CPE2可以覆盖第二反射电极RFE2。例如，第一盖电极CPE1和第二盖电极CPE2中的每个可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IGZO)、其混合物和其化合物中的至少一种。
发光元件ED可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间。在第一方向DR1上，发光元件ED可以与第一电极E1和第二电极E2中的每个分隔开。发光元件ED可以通过第一连接电极CNE1电连接到第一电极E1。第一连接电极CNE1可以直接连接到第一电极E1与发光元件ED的第一部分。因此，发光元件ED的第一部分可以通过第一连接电极CNE1接收从第二薄膜晶体管TR2传递的电力信号。
此外，发光元件ED可以通过第二连接电极CNE2电连接到第二电极E2。第二连接电极CNE2可以直接连接到第二电极E2与发光元件ED的第二部分。因此，发光元件ED的第二部分可以通过第二连接电极CNE2接收从图2B的第二电力线PL2传递的第二电力电压ELVSS。
已经描述了其中第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2分别直接连接到第一电极E1和第二电极E2的示例，但是示例性实施例不限于这些示例。例如，如图4B中所示，作为多个第一连接电极CNE1a中的一个并连接到第一发光元件的一端的第一列中的第一连接电极CNE1a可以连接到第二电极E2。在这种情况下，连接到所述第一发光元件的相对端的第二连接电极CNE2a可以连接到第一电极E1。然而，作为多个第一连接电极CNE1a中的一个并连接到与第一发光元件相邻的第二发光元件的一端的第二列中的第一连接电极CNE1a可以连接到第一电极E1。在这种情况下，连接到所述第二发光元件的相对端的第二连接电极CNE2a可以连接到第二电极E2。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以包括导电材料。例如，导电材料可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IGZO)、其混合物和其化合物中的至少一种。然而，发明构思不限于这个示例。例如，导电材料可以是包括例如钼、银、钛、铜、铝的金属材料或其合金。
根据示例性实施例，第一辅助绝缘层LX1可以设置在发光元件ED上，第二辅助绝缘层LX2可以设置在第一辅助绝缘层LX1上。第一辅助绝缘层LX1可以设置在第二辅助绝缘层LX2与发光元件ED之间。虚设连接电极CNEd可以设置在第二辅助绝缘层LX2上。由于如图5中所示，虚设连接电极CNEd与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2电断开，所以第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以不彼此电结合。
详细地，参照图6，当在平行于第一基体层BL1的顶表面的平面图中观看时，发光元件ED可以具有第一宽度，第一辅助绝缘层LX1可以具有第二宽度，第二辅助绝缘层LX2可以具有第三宽度。在示例性实施例中，当在平面图中观看时，第一辅助绝缘层LX1的第二宽度可以比第二辅助绝缘层LX2的第三宽度小。此外，当在平面图中观看时，第二辅助绝缘层LX2的第三宽度可以比发光元件ED的第一宽度小。
如图6中所示，当在第一方向DR1上测量时，发光元件ED的第一宽度可以设置为呈第一长度D1，第一辅助绝缘层LX1的第二宽度可以设置为呈第二长度D2，第二辅助绝缘层LX2的第三宽度可以设置为呈第三长度D3。第二长度D2可以比第三长度D3短，第三长度D3可以比第一长度D1短。
根据上面的描述，当在平面图中观看时，第二辅助绝缘层LX2可以全部与发光元件ED叠置，并且可以部分与第一辅助绝缘层LX1叠置。
根据示例性实施例，在形成第一辅助绝缘层LX1和第二辅助绝缘层LX2之后，可以提供导电沉积材料以形成连接电极CNE。在这种情况下，第一辅助绝缘层LX1可以与第二辅助绝缘层LX2叠置或被第二辅助绝缘层LX2覆盖，因此，沉积材料可以沉积在第一电极E1、第二电极E2、第二辅助绝缘层LX2与发光元件ED的一部分上，但是不沉积在第一辅助绝缘层LX1上。
结果，第一辅助绝缘层LX1和第二辅助绝缘层LX2可以设置有限定底切区域UC(在图5的区域AA中在圆圈区域中示出)的结构。底切区域UC可以是形成在第一辅助绝缘层LX1与第二辅助绝缘层LX2之间并从第二辅助绝缘层LX2的侧表面向内凹进的、由第一辅助绝缘层LX1的侧表面所限定的空的区域。
详细地，当在平面图中观看时，第二辅助绝缘层LX2可以包括：第一绝缘部分LX2a，与第一辅助绝缘层LX1叠置(重叠)；以及第二绝缘部分LX2b，从第一绝缘部分LX2a延伸并设置在第一绝缘部分LX2a周围。在平面图中，第二绝缘部分LX2b可以包围(或围绕)第一辅助绝缘层LX1。第二绝缘部分LX2b可以不与第一辅助绝缘层LX1叠置。虚设连接电极CNEd可以设置在第一绝缘部分LX2a和第二绝缘部分LX2b的基本上全部的上表面之上，并且还可以设置在第二绝缘部分LX2b的侧表面上。换言之，虚设连接电极CNEd可以覆盖第二辅助绝缘层LX2的至少三个相交的表面。
当在第三方向DR3上测量时，第二辅助绝缘层LX2与设置在发光元件ED上的第一连接电极CNE1之间的分离距离SR可以与第二辅助绝缘层LX2与设置在发光元件ED上的第二连接电极CNE2之间的分离距离SR基本上相等。此外，当在第三方向DR3上测量时，第一绝缘部分LX2a与发光元件ED分离的距离可以基本上等于第二绝缘部分LX2b与发光元件ED分离的距离。
虚设连接电极CNEd可以仅设置在第二辅助绝缘层LX2上。
根据示例性实施例，可以通过单次沉积工艺来形成第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和虚设连接电极CNEd。例如，通过执行一次沉积工艺，可以能够在第二辅助绝缘层LX2上形成虚设连接电极CNEd，并且形成分别设置在第一电极E1和第二电极E2上并通过第一辅助绝缘层LX1与虚设连接电极CNEd分离的第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。如此，第一辅助绝缘层LX1和第二辅助绝缘层LX2的堆叠结构可以使虚设连接电极CNEd能够与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2分隔开，因此，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以与虚设连接电极CNEd一起通过同一沉积工艺形成。
返回参照图5，第六绝缘层L6(或绝缘图案)可以设置在发光元件ED上。第六绝缘层L6可以覆盖第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和虚设连接电极CNEd。在示例性实施例中，可以省略第六绝缘层L6。
光阻挡层BM可以设置在第二基体层BL2的面对第一基体层BL1的表面上。开口可以设置在光阻挡层BM中，波长转换部CL可以覆盖开口。被开口暴露的区域可以与像素发光区域PXA对应。
波长转换部CL可以包括发光体。发光体可以吸收从发光元件ED提供的第一光并且可以发射第二光，第二光的颜色或波长被转换为与第一光的颜色或波长不同。发光体可以是例如量子点。第一光可以是蓝光，第二光可以是绿光或红光。然而，示例性实施例不限于这个示例。在示例性实施例中，波长转换部CL可以用滤色器代替。滤色器可以吸收特定波长的光以实现期望的颜色。在示例性实施例中，可以省略波长转换部CL。在这种情况下，发光元件ED可以发射蓝光、绿光或红光。
第七绝缘层L7可以设置在波长转换部CL与第六绝缘层L6之间。例如，其上设置有图2B的像素电路PXC和发光元件ED的第一基体层BL1可以通过第七绝缘层L7结合到其上设置有波长转换部CL和光阻挡层BM的第二基体层BL2。在示例性实施例中，第七绝缘层L7可以是例如光学透明粘合(OCA)膜、光学透明树脂(OCR)或压敏粘合(PSA)膜。
图7A至图7D是图6的发光元件的示例性实施例的剖视图。
参照图7A，发光元件ED可以具有包括圆柱型形状或多棱柱型形状的各种形状。
发光元件ED可以包括n型半导体层SCN、p型半导体层SCP和活性层AL。活性层AL可以设置在n型半导体层SCN与p型半导体层SCP之间。
n型半导体层SCN可以通过用n型掺杂剂掺杂半导体层来提供，p型半导体层SCP可以通过用p型掺杂剂掺杂半导体层来提供。半导体层可以包括半导体材料，半导体材料可以是例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN中的至少一种，但是示例性实施例不限于这些示例。n型掺杂剂可以是硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硒(Se)和碲(Te)中的至少一种，但是示例性实施例不限于这个示例。P型掺杂剂可以是镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、锶(Sr)和钡(Ba)中的至少一种，但是示例性实施例不限于这些示例。
活性层AL可以形成为具有单量子阱结构、多量子阱结构、量子棒结构和量子点结构中的至少一种。活性层AL可以是通过n型半导体层SCN注入的电子与通过p型半导体层SCP注入的空穴在其中复合的区域。活性层AL可以是发射光的层，光的能量由材料的能带决定。可以根据二极管的种类而不同地改变活性层AL的位置。
n型半导体层SCN可以结合到图5中所示的第一电极E1和第二电极E2中的一个电极，p型半导体层SCP可以结合到第一电极E1和第二电极E2中的另一个电极。
发光元件ED的长度LT可以在从几纳米至几百微米的范围。例如，发光元件ED的长度LT可以在1微米至100微米的范围。
参照图7B，当与图7A的发光元件ED比较时，发光元件EDa还可以包括第一电极层ECL1和第二电极层ECL2。
第一电极层ECL1可以与n型半导体层SCN相邻，第二电极层ECL2可以与p型半导体层SCP相邻。在示例性实施例中，第一电极层ECL1、n型半导体层SCN、活性层AL、p型半导体层SCP和第二电极层ECL2可以顺序地堆叠。
第一电极层ECL1和第二电极层ECL2中的每个可以由金属材料和金属合金中的至少一种形成，或者包括金属材料和金属合金中的至少一种。例如，第一电极层ECL1和第二电极层ECL2中的每个可以由从钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铂(Pt)、钒(V)、钨(W)、铅(Pb)、铜(Cu)、铑(Rh)和铱(Ir)中选择的金属材料或包含所述金属元素中的至少一种的合金形成。第一电极层ECL1和第二电极层ECL2可以包括相同的材料，但是在示例性实施例中，第一电极层ECL1和第二电极层ECL2可以包括彼此不同的材料。
参照图7C，当与图7A的发光元件ED比较时，发光元件EDb还可以包括绝缘层IL。例如，发光元件EDb可以是核壳结构。
绝缘层IL可以覆盖n型半导体层SCN、p型半导体层SCP和活性层AL并且可以保护n型半导体层SCN的外表面、p型半导体层SCP的外表面和活性层AL的外表面。在示例性实施例中，绝缘层IL可以局部地设置为覆盖活性层AL，但是不覆盖n型半导体层SCN和p型半导体层SCP。
参照图7D，当与图7B的发光元件EDa比较时，发光元件EDc还可以包括绝缘层ILa。
绝缘层ILa可以覆盖n型半导体层SCN、p型半导体层SCP和活性层AL，但是不覆盖第一电极层ECL1和第二电极层ECL2。然而，在示例性实施例中，绝缘层ILa可以覆盖第一电极层ECL1和第二电极层ECL2的至少一部分，或者可以覆盖第一电极层ECL1和第二电极层ECL2两者。
图8A至图8H是示出根据发明的原理制造显示面板的工艺的一些步骤的显示面板的示例性实施例的一部分的剖视图。为了简洁的描述，将由相似或相同的标号来表示之前参照图5描述的元件而不重复其重复的描述。特别地，将参照图8A至图8H更详细地描述使用单次沉积工艺来形成第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和虚设连接电极CNEd的方法。
首先，如图8A中所示，可以在第一基体层BL1上形成图2B的像素电路PXC，然后，可以形成第五绝缘层L5以覆盖像素电路PXC。虽然没有示出该工艺，但是可以在形成像素电路PXC的工艺期间形成第一绝缘层L1、第二绝缘层L2、第三绝缘层L3和第四绝缘层L4。
参照图8A，可以在第五绝缘层L5上设置第一电极E1和第二电极E2。在示例性实施例中，可以在第一电极E1与第五绝缘层L5之间设置第一间隔壁BR1，并且第一间隔壁BR1可以被第一电极E1覆盖。可以在第二电极E2与第五绝缘层L5之间设置第二间隔壁BR2，并且第二间隔壁BR2可以被第二电极E2覆盖。
参照图8B，可以在第五绝缘层L5上形成辅助绝缘层Lcy以覆盖第一电极E1和第二电极E2。如图8B中所示，在于第五绝缘层L5上形成辅助绝缘层Lcy之后，可以部分去除辅助绝缘层Lcy的设置在第一间隔壁BR1与第二间隔壁BR2之间的一部分。例如，可以使辅助绝缘层Lcy的所述部分在第三方向DR3上凹进。结果，辅助绝缘层Lcy具有凹进部分HO。
在形成发光元件ED的情况下，发光元件ED可以通过辅助绝缘层Lcy与第一电极E1和第二电极E2电断开。辅助绝缘层Lcy可以使发光元件ED能够被有效地且/或高效地布置在形成有凹进部分HO的期望位置中。然而，示例性实施例不限于这个示例，在示例性实施例中，可以省略辅助绝缘层Lcy。在这种情况下，可以在第五绝缘层L5上直接形成发光元件ED。
参照图8C，可以在凹进部分HO上提供包含发光元件ED的溶剂(例如，油墨或浆料)。溶剂可以是在室温下或通过热能够挥发的物质。可以将电力施加到第一电极E1和第二电极E2以在第一电极E1与第二电极E2之间形成电场。由于电场，使得可以在发光元件ED中诱导出偶极，并且可以通过介电泳力使发光元件ED在第一电极E1与第二电极E2之间对齐。
在示例性实施例中，可以将图8C的辅助绝缘层Lcy的除了在第一电极E1与第二电极E2之间的部分以外的部分图案化或者去除。结果，可以在第一电极E1与第二电极E2之间形成使第一电极E1和第二电极E2暴露的辅助绝缘层Lc。辅助绝缘层Lc的至少一部分可以设置在发光元件ED与第五绝缘层L5之间。
参照图8D，可以在辅助绝缘层Lc上形成第一辅助层LX1y以覆盖第一电极E1、第二电极E2和发光元件ED。可以在第一辅助层LX1y上形成第二辅助层LX2y。
参照图8E，可以在第二辅助层LX2y上形成光致抗蚀剂图案OLP以与发光元件ED叠置。可以通过形成正性光致抗蚀剂层或负性光致抗蚀剂层并且将正性光致抗蚀剂层或负性光致抗蚀剂层图案化来形成光致抗蚀剂图案OLP。例如，光致抗蚀剂图案OLP可以形成为覆盖第二辅助层LX2y的与发光元件ED叠置的部分并且形成为使第二辅助层LX2y的其它部分暴露。
根据示例性实施例，形成光致抗蚀剂图案OLP之后，可以通过例如第一蚀刻气体ET1来去除第二辅助层LX2y的被暴露的部分。
参照图8F，作为使用第一蚀刻气体ET1来去除第二辅助层LX2y的结果，可以形成第二辅助绝缘层LX2以具有图6中所示的结构。由于通过去除第二辅助层LX2y的一部分来形成第二辅助绝缘层LX2，所以第一辅助层LX1y可以被暴露到外部。换言之，第一辅助层LX1y的一部分可以被第二辅助绝缘层LX2覆盖，第一辅助层LX1y的剩余部分可以被暴露到外部。
根据示例性实施例，可以通过例如第二蚀刻气体ET2来去除第一辅助层LX1y的被暴露到外部的剩余部分。在示例性实施例中，第二蚀刻气体ET2可以是与第一蚀刻气体ET1基本上相同的物质。
参照图8G，在通过第二蚀刻气体ET2去除第一辅助层LX1y的剩余部分的情况下，可以形成第一辅助绝缘层LX1以具有图6中所示的结构。此后，可以去除光致抗蚀剂图案OLP。
根据示例性实施例，可以以相对于第二辅助绝缘层LX2的蚀刻选择性来选择性地蚀刻第一辅助层LX1y。例如，可以以比第二辅助层LX2y的速率高的速率来蚀刻第一辅助层LX1y。在示例性实施例中，可以由不同的材料来形成第一辅助层LX1y和第二辅助层LX2y，在这种情况下，可以更容易实现第一辅助层LX1y与第二辅助层LX2y之间的蚀刻速率的差异。
根据示例性实施例，第一辅助绝缘层LX1可以包括SiOx，第二辅助绝缘层LX2可以包括SiNx。在通过相同的蚀刻气体(例如，含氟气体)来蚀刻第一辅助层LX1y和第二辅助层LX2y的情况下，第一辅助层LX1y的蚀刻速率可以比第二辅助层LX2y的蚀刻速率高。
然而，示例性实施例不限于第一辅助绝缘层LX1和第二辅助绝缘层LX2的特定材料。换言之，可以将能够实现第一辅助绝缘层LX1与第二辅助绝缘层LX2之间的蚀刻速率的足够大差异的各种材料用作用于第一辅助绝缘层LX1和第二辅助绝缘层LX2的材料。
因此，如图8G中所示，第一辅助绝缘层LX1和第二辅助绝缘层LX2可以形成为限定底切形状的区域。例如，第一辅助绝缘层LX1可以全部与第二辅助绝缘层LX2叠置且/或全部被第二辅助绝缘层LX2覆盖，第一辅助绝缘层LX1可以形成为具有比第二辅助绝缘层LX2的宽度小的宽度。
参照图8H，可以同时形成第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和虚设连接电极CNEd。这里，可以形成第一连接电极CNE1以将第一电极E1与发光元件ED连接，可以形成第二连接电极CNE2以将第二电极E2与发光元件ED连接，并且可以在第二辅助绝缘层LX2上设置虚设连接电极CNEd。
例如，可以在第一电极E1、第二电极E2、发光元件ED和第二辅助绝缘层LX2上形成导电层。在示例性实施例中，导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或银(Ag)的导电材料。
根据示例性实施例，第一辅助绝缘层LX1可以全部与第二辅助绝缘层LX2叠置且/或全部被第二辅助绝缘层LX2覆盖。导电材料由于第二辅助绝缘层LX2而不会沉积在第一辅助绝缘层LX1上。因此，可以将导电层用作：虚设连接电极CNEd，设置在第二辅助绝缘层LX2上；第一连接电极CNE1，沉积在发光元件ED的一部分和第一电极E1上；以及第二连接电极CNE2，沉积在发光元件ED的另一部分和第二电极E2上。
特别地，虚设连接电极CNEd可以通过第一辅助绝缘层LX1与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2电分离。因此，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2也可以彼此电分离。
根据示例性实施例，可以通过单次沉积工艺同时形成将第一电极连接到发光元件的第一连接电极以及将第二电极与发光元件连接的第二连接电极。
因此，可以能够减少制造显示装置的工艺中的时间和成本。
尽管这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是通过该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于权利要求以及如对本领域普通技术人员将明显的各种明显的修改和等同布置的更广泛的范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体层；
像素电路，设置在所述基体层上；
绝缘层，设置在所述基体层上且覆盖所述像素电路；
第一电极，电连接到所述像素电路，并且设置在所述绝缘层上；
第二电极，电连接到所述像素电路，并且设置在所述绝缘层上，所述第二电极与所述第一电极在第一方向上分隔开；
发光元件，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且电连接到所述第一电极和所述第二电极；
连接电极，连接所述第一电极与所述发光元件，并且连接所述第二电极与所述发光元件；
第一辅助绝缘层，设置在所述发光元件上；以及
第二辅助绝缘层，设置在所述第一辅助绝缘层上，所述第一辅助绝缘层设置在所述第二辅助绝缘层与所述发光元件之间，
其中，所述第二辅助绝缘层包括与所述第一辅助绝缘层叠置的第一绝缘部分以及从所述第一绝缘部分向外设置并且不与所述第一辅助绝缘层叠置的第二绝缘部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一辅助绝缘层的宽度比所述第二辅助绝缘层的宽度小。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二辅助绝缘层的所述宽度比所述发光元件的宽度小，
所述第一辅助绝缘层全部与所述第二辅助绝缘层叠置，并且
所述第二辅助绝缘层全部与所述发光元件叠置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一辅助绝缘层包括SiOx，并且所述第二辅助绝缘层包括SiNx。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在所述基体层的厚度方向上测量时，所述第一绝缘部分与所述发光元件分离的距离等于所述第二绝缘部分与所述发光元件分离的距离。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接电极包括：
虚设连接电极，设置在所述第二辅助绝缘层上；
第一连接电极，将所述第一电极与所述发光元件连接；以及
第二连接电极，将所述第二电极与所述发光元件连接，所述第一连接电极与所述第二连接电极彼此分隔开，
其中，所述虚设连接电极与所述第一连接电极和所述第二连接电极分隔开。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极利用置于所述第一连接电极与所述第二连接电极之间的所述第一辅助绝缘层彼此分隔开，并且
其中，所述虚设连接电极、所述第一连接电极和所述第二连接电极包括相同的导电材料。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，当在所述基体层的厚度方向上测量时，所述第二辅助绝缘层与设置在所述发光元件上的所述第一连接电极分离的距离等于所述第二辅助绝缘层与设置在所述发光元件上的所述第二连接电极分离的距离。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述虚设连接电极覆盖所述第二辅助绝缘层的至少三个相交的表面。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接电极与所述发光元件叠置。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一间隔壁，设置在所述第一电极与所述绝缘层之间；以及
第二间隔壁，设置在所述第二电极与所述绝缘层之间，
其中，所述发光元件设置在所述第一间隔壁与所述第二间隔壁之间。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极包括：第一反射电极，电连接到所述像素电路并且包括反射材料；以及第一盖电极，覆盖所述第一反射电极；并且
所述第二电极包括：第二反射电极，接收电力电压并且包括反射材料；以及第二盖电极，覆盖所述第二反射电极。
13.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：第三辅助绝缘层，设置在所述发光元件和所述绝缘层上，
其中，所述第三辅助绝缘层的一部分在所述基体层的厚度方向上凹进。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体层；
像素电路，设置在所述基体层上；
绝缘层，设置在所述基体层上以覆盖所述像素电路；
第一电极，电连接到所述像素电路，并且设置在所述绝缘层上；
第二电极，电连接到所述像素电路，并且设置在所述绝缘层上，所述第二电极与所述第一电极在第一方向上分隔开；
发光元件，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且电连接到所述第一电极和所述第二电极；
第一辅助绝缘层，设置在所述发光元件上；
第二辅助绝缘层，设置在所述第一辅助绝缘层上，所述第一辅助绝缘层设置在所述第二辅助绝缘层与所述发光元件之间；以及
连接电极，包括设置在所述第二辅助绝缘层上的虚设连接电极、连接所述第一电极与所述发光元件的第一连接电极以及连接所述第二电极与所述发光元件的第二连接电极，所述第二连接电极与所述第一连接电极分隔开。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述虚设连接电极与所述第一连接电极和所述第二连接电极分隔开，并且设置在所述第二辅助绝缘层之上，并且
其中，所述虚设连接电极、所述第一连接电极和所述第二连接电极包括相同的导电材料。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一辅助绝缘层的宽度比所述第二辅助绝缘层的宽度小，所述第二辅助绝缘层的所述宽度比所述发光元件的宽度小。
17.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在基体层上形成像素电路；
在所述基体层上形成绝缘层以覆盖所述像素电路；
在所述绝缘层上形成彼此分隔开的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的发光元件；
在所述绝缘层上形成覆盖所述发光元件的第一辅助层；
在所述第一辅助层上形成第二辅助层；
在所述第二辅助层上形成与所述发光元件叠置的光致抗蚀剂图案；
利用第一气体去除所述第二辅助层的被所述光致抗蚀剂图案暴露的部分以形成第二辅助绝缘层；
利用第二气体去除所述第一辅助层的被所述第二辅助绝缘层暴露的部分以形成第一辅助绝缘层；以及
沉积导电材料以同时形成连接所述第一电极与所述发光元件的第一连接电极、连接所述第二电极与所述发光元件的第二连接电极以及设置在所述第二辅助绝缘层上的虚设连接电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一辅助绝缘层的蚀刻速率比所述第二辅助绝缘层的蚀刻速率高。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极通过所述第一辅助绝缘层与所述虚设连接电极分隔开。
20.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括形成第一间隔壁和第二间隔壁的步骤，所述第一间隔壁与所述第二间隔壁彼此分隔开并且使所述发光元件置于所述第一间隔壁与所述第二间隔壁之间。
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