CN108122929A - 具有两个电极之间的多个绝缘层的显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种具有两个电极之间的多个绝缘层的显示装置及其制造方法。显示装置包括：下基板；在下基板上方的第一覆盖层，该第一覆盖层包括第一接触孔；在下基板与第一覆盖层之间的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括包含与第一接触孔交叠的端部的漏电极，漏电极的端部包括底切区域；薄膜晶体管与第一覆盖层之间的下钝化层，该下钝化层部分地露出漏电极的端部的侧表面；以及在第一覆盖层上方的发光结构，发光结构被通过第一接触孔电连接至薄膜晶体管。

Description

具有两个电极之间的多个绝缘层的显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年11月30日提交的韩国申请第10-2016-0161609号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开内容涉及具有两个电极之间的多个绝缘层的显示装置及其制造方法。
背景技术
通常，电子器具例如监视器、电视机、膝上型计算机以及数字相机可以包括显示装置以实现图像。例如，显示装置可以包括液晶显示装置和有机发光显示装置。
显示装置可以包括多个像素区域。像素区域中的每一个可以显示与相邻像素区域不同的颜色。例如，显示装置可以包括实现蓝色的蓝色像素区域、实现红色的红色像素区域、实现绿色的绿色像素区域以及实现白色的白色像素区域。
显示装置可以包括各种信号线和用于独立地驱动每个像素区域的薄膜晶体管。在显示装置中，信号线和薄膜晶体管可以被堆叠以改善每个像素区域的集成。例如，在显示装置中，布置在不同层中的两个电极可以通过穿透多个绝缘层的接触孔被连接。
然而，在显示装置中，布置在上绝缘层处的接触孔的面积可能大于布置在上绝缘层的下方的下绝缘层处的接触孔的面积。因此，在显示装置中，每英寸像素(PPI)或者像素密度可能会由于穿透堆叠的绝缘层的接触孔的面积而降低。
发明内容
因此，本公开内容涉及具有两个电极之间的多个绝缘层的显示装置及其制造方法，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
本公开内容的一个方面提供了一种其中接触孔穿透多个绝缘层以电连接布置在不同层上的两个电极的显示装置。
本公开内容的另一方面提供了一种具有在不降低像素密度例如每英寸的像素数量的情况下被堆叠的薄膜晶体管和信号线的显示装置。
本公开内容的另一方面提供了一种具有用于布置在不同层中的两个电极的接触孔的减小的面积的显示装置。
另外的特征和方面将在下面的描述中阐述，并且一部分将从下面的描述中清楚，或者可以通过本文中提供的发明构思的实践而得到。本发明构思的其他特征和方面可以通过所撰写的说明书或者由此推导出的内容、其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现如具体地和广泛地描述的本发明构思的这些和其他方面，提供了一种显示装置，包括：下基板；在下基板上方的第一覆盖层，该第一覆盖层包括第一接触孔；在下基板与第一覆盖层之间的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括包含与第一接触孔交叠的端部的漏电极，漏电极的端部包括底切区域；在薄膜晶体管与第一覆盖层之间的下钝化层，该下钝化层部分地露出漏电极的端部的侧表面；以及在第一覆盖层上方的发光结构，该发光结构被通过第一接触孔电连接至薄膜晶体管。
在另一方面，提供了一种显示装置，包括：下基板；在下基板上方的辅助电极；在辅助电极上方的上覆盖层，该上覆盖层包括露出辅助电极的通孔；以及在上覆盖层上方的堤部绝缘层，该堤部绝缘层包括与所述辅助电极交叠的堤部接触孔，堤部接触孔包括通孔的内侧上的侧表面，其中，堤部接触孔的侧表面的平面形状是凹凸形状。
在另一方面，提供了一种制造显示装置的方法，该方法包括：设置下基板；在下基板上方设置第一覆盖层，设置第一覆盖层包括设置第一接触孔；在下基板与第一覆盖层之间设置薄膜晶体管，设置薄膜晶体管包括设置包含与第一接触孔交叠的端部的漏电极，漏电极的端部包括底切区域；在薄膜晶体管与第一覆盖层之间设置下钝化层，下钝化层部分地露出漏电极的端部的侧表面；以及在第一覆盖层上方设置发光结构，发光结构被通过第一接触孔电连接至薄膜晶体管。
通过察看以下附图和详细描述，其他系统、方法、特征和优点对于本领域的技术人员将是或将变得明显。意在使所有这些另外的系统、方法、特征和优点包括在本说明书的范围内，在本公开内容的范围内，并且由所附权利要求保护。这部分的所有不应当被视为对这些权利要求的限制。下面结合本公开内容的实施方式讨论其他方面和优点。应当理解的是，本公开内容的前述一般描述和下面的详细描述二者均是示例和说明性的，并且意在提供对所要求保护的本公开内容的进一步说明。
附图说明
被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入在本申请中并且构成本申请的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开内容的各种原理。
图1是示出根据本公开内容的示例实施方式的显示装置的视图。
图2是图1的区域P的放大的视图。
图3和图4是分别示出根据本公开内容的另一示例实施方式的显示装置的视图。
图5A至图5J是顺序地示出根据本公开内容的示例实施方式的制造显示装置的方法的操作的视图。
贯穿附图和说明书，除非另外描述，否则相同的附图标记应当被理解成指代相同的元件、特征和结构。为了清楚、说明和方便，这些元件的相对尺寸和描述可以被放大。
具体实施方式
现在将详细参阅本公开内容的一些实施方式，其示例可以在附图中示出。在以下描述中，当与本文档有关的公知功能或配置的详细描述被确定成不必要地使本发明构思的主旨模糊时，将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的进程是示例；然而，步骤和/或操作的顺序不限于本文中所阐述的顺序，并且除了必须以特定次序发生的步骤和/或操作之外，可以如本领域已知的那样改变步骤和/或操作的顺序。相同的附图标记始终表示相同的元件。在下面的说明中使用的各个元件的名称仅是为了方便撰写本说明书而选择的，并且因此可以与实际产品中使用的名称不同。
在实施方式的描述中，当结构被描述为定位于另一结构“上方(on)或上面(above)”或者“下方(under)或下面(below)”时，该描述应该被解释为包括结构彼此接触的情况以及结构之间布置有第三结构的情况。
图1是示出根据本公开内容的示例实施方式的显示装置的视图。图2是图1的区域P的放大视图。图3和图4是分别示出根据本公开内容的另一示例实施方式的显示装置的视图。
参照图1和图2，根据本公开内容的示例实施方式的显示装置可以包括：下基板100、薄膜晶体管200、下钝化层120、下覆盖层130、连接电极310、上覆盖层140以及发光结构500。例如，根据本公开内容的示例实施方式的显示装置可以是自发光显示装置。
下基板100可以支撑薄膜晶体管200和发光结构500。下基板100可以包括绝缘材料。下基板100可以包括透明材料。例如，下基板100可以包括玻璃或塑料。
薄膜晶体管200可以被布置在下基板100上。例如，薄膜晶体管200可以包括：半导体图案210、栅极绝缘层220、栅电极230、层间绝缘层240、源电极250以及漏电极260。
半导体图案210可以被布置成靠近下基板100。半导体图案210可以包括半导体材料。例如，半导体图案210可以包括非晶硅或者多晶硅。半导体图案210可以包括氧化物半导体材料。例如，半导体图案可以包括铟镓锌氧化物(IGZO)。
半导体图案210可以包括源极区域、漏极区域以及沟道区域。沟道区域可以被布置在源极区域与漏极区域之间。沟道区域的电导率可以比源极区域和漏极区域的电导率低。例如，源极区域和漏极区域可以包括导电杂质。
薄膜晶体管200的半导体图案210可以与下基板100直接接触。在另一示例中，缓冲层可以在下基板100与薄膜晶体管200之间。缓冲层可以包括绝缘材料。例如，缓冲层可以包括硅氧化物。
栅极绝缘层220可以被布置在半导体图案210上。栅极绝缘层220可以包括绝缘材料。例如，栅极绝缘层220可以包括硅氧化物和/或硅氮化物。栅极绝缘层220可以包括高K材料。例如，栅极绝缘层220可以包括铪氧化物(HfO)或钛氧化物(TiO)。栅极绝缘层220可以具有多层结构。
栅电极230可以被布置在栅极绝缘层220上。栅电极230可以与半导体图案210的沟道区域交叠。栅电极230可以通过栅极绝缘层220与半导体图案210绝缘。例如，栅极绝缘层220可以包括与栅电极230垂直对准的侧表面。栅极绝缘层220的侧表面可以与栅电极230的侧表面连续。
栅电极230可以包括导电材料。例如，栅电极230可以包括金属例如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)和/或钨(W)。栅电极230可以具有多层结构。
层间绝缘层240可以被布置在半导体图案210和栅电极230上方。层间绝缘层240可以延伸超出半导体图案210。半导体图案210和栅电极230可以被层间绝缘层240覆盖。
层间绝缘层240可以包括绝缘材料。例如，层间绝缘层240可以包括硅氧化物。
源电极250可以被布置在层间绝缘层240上。源电极250可以被电连接至半导体图案210的源极区域。例如，层间绝缘层240可以包括露出半导体图案210的源极区域的接触孔。
源电极250可以具有多层结构。例如，源电极250可以包括可以被顺序地堆叠的下源电极251、中间源电极252以及上源电极253。下源极电极251、中间源电极252以及上源电极253可以包括导电材料。例如，下源电极251、中间源电极252以及上源电极253可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)和/或钨(W)。中间源电极252可以具有比下源电极251和上源电极253的电导率高的电导率。上源电极253可以包括与下源电极251的材料相同的材料。
漏电极260可以被布置在层间绝缘层240上。漏电极260可以与源电极250间隔开。漏电极260可以被电连接至半导体图案210的漏极区域。例如，层间绝缘层240可以包括露出半导体图案210的漏极区域的接触孔。
漏电极260可以具有多层结构。漏电极260的结构可以与源电极250的结构相同。例如，漏电极260可以包括被顺序地堆叠的下漏电极261、中间漏电极262以及上漏电极263。下漏电极261、中间漏电极262以及上漏电极263可以包括导电材料。例如，下漏电极261、中间漏电极262以及上漏电极263可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)和/或钨(W)。中间漏电极262可以具有比下漏电极261和上漏电极263的电导率高的电导率。上漏电极263可以包括与下漏电极261的材料相同的材料。
上漏电极263可以具有从中间漏电极262延伸至外部方向的尖端区域263t。中间漏电极262的侧表面262s可以被布置成比上漏电极263的尖端区域263t的侧表面263s更靠近半导体图案210的沟道区域。包括尖端区域263t的上漏电极263的端部可以不与中间漏电极262交叠。漏电极260的端部可以包括通过中间漏电极262和上漏电极263的尖端区域263t的底切(under-cut)区域UC。
上漏电极263可以具有相对于中间漏电极262的蚀刻选择性。上漏电极263的蚀刻速率可以与中间漏电极262的蚀刻速率不同。例如，上漏电极263可以包括具有比中间漏电极262的蚀刻速率慢的蚀刻速率的材料。中间漏电极262的侧表面262s可以具有正锥形。上漏电极263的尖端区域263t的侧表面263s可以具有倒锥形。
下漏电极261的蚀刻速率可以比中间漏电极262的蚀刻速率慢。例如，下漏电极261的蚀刻速率可以与上漏电极263的蚀刻速率相同。下漏电极261可以包括与上漏电极263的尖端区域263t交叠的部分。下漏电极261的侧表面261s可以被布置在中间漏电极262的外部。例如，下漏电极261的侧表面261s可以具有正锥形。
薄膜晶体管200可以包括栅电极230与源电极250/漏电极260之间的层间绝缘层240。在另一示例中，薄膜晶体管200可以包括在栅电极230与源电极250/漏电极260之间的栅极绝缘层220和半导体图案210。
下钝化层120可以被布置在薄膜晶体管200上。下钝化层120可以延伸超出源电极250和漏电极260。例如，下钝化层120可以直接与薄膜晶体管200的源电极250/漏电极260的外部上的层间绝缘层240接触。
下钝化层120可以包括绝缘材料。例如，下钝化层120可以包括硅氧化物和/或硅氮化物。下钝化层120可以具有多层结构。
下钝化层120可以被漏电极260的尖端区域263t部分地切除。例如，下钝化层120的与漏电极260的底切区域UC交叠的部分可以与下钝化层120的布置在包括尖端区域263t的漏电极260的端部的外部处的部分间隔开。下漏电极261的侧表面261s和中间漏电极262的侧表面262s可以通过下钝化层120露出。
下覆盖层130可以被布置在下钝化层120上。下覆盖层130可以消除由于薄膜晶体管200而引起的厚度差异。例如，下覆盖层130的上表面可以与下基板100的表面平行。
下覆盖层130可以包括绝缘材料。例如，下覆盖层130可以包括有机绝缘材料。下覆盖层130可以包括可固化材料。例如，下覆盖层130可以包括热固性树脂。
下覆盖层130可以包括与上漏电极263的尖端区域263t的侧表面263s交叠的下接触孔130h。上漏电极263的尖端区域263t的侧表面263s可以被布置成比中间漏电极262的侧表面262s更靠近下接触孔130h的内部。下接触孔130h可以被连接至漏电极260的底切区域UC。例如，下接触孔130h可以露出未被下钝化层120覆盖的下漏电极261的侧表面261s的部分和中间漏电极262的侧表面262s的部分。
连接电极310可以被布置在下覆盖层130上。连接电极310可以延伸至下接触孔130h的内部。连接电极310可以被通过下接触孔130h连接至薄膜晶体管200。例如，连接电极310可以直接与由下钝化层120和下接触孔130h露出的下漏电极261的侧表面261s的部分以及中间漏电极262的侧表面262s的部分接触。
连接电极310可以包括导电材料。例如，连接电极310可以包括金属，例如铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)和/或钨(W)。连接电极310可以具有多层结构。例如，连接电极310可以包括下连接电极311和布置在下连接电极311上的上连接电极312。
薄膜晶体管200上的下钝化层120可以通过漏电极260的底切区域UC部分地露出薄膜晶体管200的漏电极260的侧表面261s、262s以及263s。因此，穿透下钝化层120的接触孔可以不包括薄膜晶体管200的漏电极260和连接电极310，其中，漏电极260和连接电极310可以通过下钝化层120和下覆盖层130被绝缘。即，可以在不考虑接触孔对准的工艺余量的情况下形成穿透下覆盖层130以将连接电极310连接至漏电极260的下接触孔130h。因此，用于连接可以被布置在不同层上的漏电极260与连接电极310的下接触孔130h的尺寸可以减小。
上覆盖层140可以被布置在下覆盖层130和连接电极310上。连接电极310可以被布置在下覆盖层130与上覆盖层140之间。上覆盖层140可以消除由于连接电极310而引起的厚度差异。例如，上覆盖层140的上表面可以与下基板100的表面平行。
上覆盖层140可以包括绝缘材料。例如，上覆盖层140可以包括有机绝缘材料。上覆盖层140可以包括可固化材料。上覆盖层140可以包括与下覆盖层130不同的材料。
上覆盖层140可以包括与连接电极310交叠的上接触孔141h。例如，上覆盖层140的上接触孔141h可以被布置在连接电极310的上表面上。
根据本公开内容的示例实施方式的显示装置还可以包括连接电极310与上覆盖层140之间的连接覆层410。连接覆层410可以降低或者防止连接电极310被后续的处理损坏。例如，连接电极310可以被连接覆层410覆盖。
连接覆层410可以包括导电材料。连接覆层410可以包括具有较低反应性的材料。例如，连接覆层410可以包括透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)和/或氧化铟锌(IZO)。
发光结构500可以实现特定的颜色。例如，发光结构500可以包括可以被顺序地堆叠的下发射电极510、有机发光层520以及上发射电极530。例如，根据本公开内容的示例实施方式的显示装置可以是包括有机发光层520的有机发光显示装置。
发光结构500可以由薄膜晶体管200来控制。例如，发光结构500的下发射电极510可以被电连接至薄膜晶体管200的漏电极260。发光结构500可以被布置在上覆盖层140上方。下发射电极510可以延伸至上覆盖层140的上接触孔141h的内部。下发射电极510可以被通过上接触孔141h和连接电极310连接至漏电极260。
下发射电极510可以包括导电材料。下发射电极510可以包括具有高反射率的材料。例如，下发射电极510可以包括金属，例如铝(Al)和银(Ag)。下发射电极510可以具有多层结构。例如，下发射电极510可以具有其中包括具有高反射率的材料的反射电极可以被布置在包括诸如ITO和/或IZO的透明导电材料的透明电极之间的结构。
有机发光层520可以生成具有与下发射电极510与上发射电极530之间的电压差对应的亮度的光。例如，有机发光层520可以包括具有有机发射材料的发射材料层(EML)。有机发光层520可以具有多层结构例如以增加发光效力。例如，有机发光层520还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)中的至少一个。
根据本公开内容的示例实施方式的显示装置可以被描述为发光结构500可以包括具有有机发射材料的有机发光层520。在另一示例中，发光结构500可以包括具有无机发射材料或混合发射材料的发光层。
上发射电极530可以包括导电材料。上发射电极530可以包括与下发射电极510不同的材料。例如，上发射电极530可以是透明电极。因此，在根据本公开内容的示例实施方式的显示装置中，由有机发光层520产生的光可以通过上发射电极530发射。
根据本公开内容的示例实施方式的显示装置还可以包括用于将相邻像素区域的发光结构500绝缘的堤部绝缘层150。例如，堤部绝缘层150可以覆盖每个发光结构500的下发射电极510的边缘。有机发光层520和上发射电极530可以堆叠在可以被堤部绝缘层150露出的下发射电极510的一部分的表面上。堤部绝缘层150可以包括绝缘材料。例如，堤部绝缘层150可以包括有机绝缘材料，例如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)和/或光丙烯酰基(photo-acryl)。下覆盖层130和上覆盖层140可以包括与堤部绝缘层150的材料不同的材料。
根据本公开内容的示例实施方式的显示装置还可以包括用于减少或者防止由于上发射电极530的电压降而引起的亮度不均匀性的辅助电极320。例如，辅助电极320可以设置在下覆盖层130与上覆盖层140之间。上覆盖层140还可以包括与辅助电极320交叠的通孔142h。辅助电极320可以与连接电极310间隔开。
辅助电极320可以包括导电材料。例如，辅助电极320可以包括金属，诸如铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)和/或钨(W)。辅助电极320的结构可以与连接电极310的结构相同。例如，辅助电极320可以包括下辅助电极321和设置在下辅助电极321上的上辅助电极322。辅助电极320包括与薄膜晶体管200的栅电极230、源电极250以及漏电极260中的一个的材料相同的材料。
根据本公开内容的示例实施方式的显示装置还可以包括在辅助电极320与上覆盖层140之间的辅助覆层420。辅助覆层420可以覆盖辅助电极320。辅助覆层420可以包括导电材料。例如，辅助覆层420可以包括与连接覆层410相同的材料。辅助覆层420可以包括透明导电材料，诸如ITO和/或IZO。
有机发光层520和上发射电极530延伸到堤部绝缘层150上。根据本公开内容的示例实施方式的显示装置还可以包括用于提供上发射电极530可以电连接至辅助电极320的空间的分隔件600。例如，有机发光层520的一部分可以通过分隔件600与有机发光层520的另一部分分离。上发射电极530可以通过由分隔件600分离的有机发光层520的部分之间的空间电连接至辅助电极320。分隔件600的垂直距离可以大于堤部绝缘层150的垂直距离。例如，分隔件600可以包括下分隔件610和设置在下分隔件610上的上分隔件620。下分隔件610和上分隔件620可以包括绝缘材料。例如，下分隔件610可以包括与堤部绝缘层150的材料相同的材料。上分隔件620可以包括与下分隔件610的材料不同的材料。例如，上分隔件620可以包括硅氧化物和/或硅氮化物。
根据本公开内容的示例实施方式的显示装置还可以包括在辅助电极320与堤部绝缘层150之间的中间电极550。例如，中间电极550可以通过上覆盖层140的通孔142h连接至辅助电极320。分隔件600可以与中间电极550交叠。例如，有机发光层520可以通过分隔件600露出中间电极550的一部分。堤部绝缘层150可以覆盖中间电极550的边缘。分隔件600可以设置在堤部绝缘层150之间。上发射电极530可以与中间电极550中的由于分隔件600可能不会形成有机发光层520的一部分相接触。上发射电极530可以通过中间电极550电连接至辅助电极320。中间电极550可以包括导电材料。例如，中间电极550可以包括与下发射电极510的材料相同的材料。中间电极550可以具有多层结构。例如，中间电极550的结构可以与下发射电极510的结构相同。
堤部绝缘层150包括与辅助电极320交叠的堤部接触孔，堤部接触孔包括在通孔142h的内侧上的侧表面，其中，堤部接触孔的侧表面的平面形状是凹凸形状。通孔142h包括与堤部接触孔的具有凹凸平面形状的侧表面邻近的侧表面，以及通孔142h的侧表面的平面形状是平直形状。
根据本公开内容的示例实施方式的显示装置还可以包括与下基板100相对的上基板700。例如，上基板700可以设置在发光结构500上。上基板700可以包括绝缘材料。上基板700可以包括透明材料。例如，上基板700可以包括玻璃或者塑料。
在根据本公开内容的示例实施方式的显示装置中，每个像素区域的发光结构500可以实现相同的颜色。例如，每个像素区域的发光结构500可以包括白色的有机发光层520。根据本公开内容的示例实施方式的显示装置还可以包括在上基板700上的黑矩阵710和滤色器720。因此，在根据本公开内容的示例实施方式的显示装置中，设置有实现相同颜色的发光结构500的每个像素区域可以显示不同的颜色。
根据本公开内容的示例实施方式的显示装置还可以包括填充下基板100与上基板700之间的空间的填充物800。填充物800可以减少或防止发光结构500由于外部影响的损坏。例如，填充物800可以在发光结构500与黑矩阵710之间以及在发光结构500与滤色器720之间延伸。
根据本公开内容的示例实施方式的显示装置可以被描述为发光结构500可以直接接触填充物800。在另一示例中，根据本发明的另一示例实施方式的显示装置还可以包括在发光结构500与填充物800之间的上钝化层。上钝化层可以减少或防止外部湿气渗透到发光结构500中。上钝化层可以具有多层结构。例如，上钝化层可以具有包括无机材料的无机层和包括有机材料的有机层可以堆叠的结构。
因此，在根据本公开内容的示例实施方式的显示装置中，在漏电极260与连接电极310之间的绝缘层中最靠近漏电极260设置的下钝化层120可以不包括接触孔，使得可以减小贯穿可以设置在下钝化层120与连接电极310之间的下覆盖层130的下接触孔130h的面积。因此，在根据本公开内容的示例实施方式的显示装置中，可以增加像素密度，例如每英寸的像素。例如，当根据本公开内容的示例实施方式的显示装置是包括具有发光区域和透明区域的像素区域的透明显示装置时，可以减小每个像素区域的发光区域的面积并且可以增大每个像素区域的透明区域的面积，从而可以改善整体透明度。
根据本公开内容的示例实施方式的显示装置可以被描述为薄膜晶体管200的漏电极260可以具有三层结构。在另一示例中，薄膜晶体管200的漏电极260可以具有各种结构。例如，在根据本发明的另一实施方式的显示装置中，薄膜晶体管200的漏电极260可以包括第一漏电极264和在第一漏电极264上的第二漏电极265，如图3的示例所示。第二漏电极265可以包括延伸到第一漏电极264的外部的区域。因此，在根据本公开内容的示例实施方式的显示装置中，可以有效地减小接触孔的面积。
根据本公开内容的示例实施方式的显示装置可以被描述为薄膜晶体管200可以通过连接电极310电连接至发光结构500的下发射电极510。在另一示例中，发光结构500的下发射电极510可以通过各种方法电连接至薄膜晶体管200。例如，发光结构500的下发射电极510可以通过下覆盖层130的下接触孔130h直接接触薄膜晶体管200，如图4示例所示。因此，可以有效地改善像素密度，例如每英寸的像素。
图5A至图5J是顺序示出根据本公开内容的示例实施方式的制造显示装置的方法的操作的视图。
将参照图1、图2以及图5A至图5J描述根据本公开内容的示例实施方式的制造显示装置的方法。首先，如图5A示例所示，根据本公开内容的示例实施方式的制造显示装置的方法可以包括：在下基板100上形成(或“设置”)半导体图案210的操作，在半导体图案210上形成栅极绝缘层220和栅电极230的操作，在半导体图案210和栅电极230上形成层间绝缘层240的操作，在层间绝缘层240中形成露出半导体图案210的一部分的接触孔的操作，通过层间绝缘层240上的接触孔形成连接至半导体图案210的第一导电材料层201的操作，在第一导电材料层201上形成第二导电材料层202的操作以及在第二导电材料层202上形成第三导电材料层203的操作。
第三导电材料层203可以包括相对于第二导电材料层202具有蚀刻选择性的导电材料。例如，第三导电材料层203可以由具有蚀刻速率比第二导电材料层202的蚀刻速率慢的材料形成。例如，第一导电材料层201可以由具有蚀刻速率比第二导电材料层202的蚀刻速率慢的材料形成。第一导电材料层201可以由与第三导电材料层203的材料相同的材料形成。
如图5B示例所示，方法还可以包括在第三导电材料层203上形成包括半色调区域HT和比半色调区域HT厚的全色调区域FT的掩模图案911和921的操作。掩模图案911和921可以包括与露出半导体图案210的一部分的接触孔交叠的第一掩模图案911以及与露出半导体图案210的另一部分的接触孔交叠的第二掩模图案921。例如，被第一掩模图案911覆盖的半导体图案210的部分可以是半导体图案210的漏极区域。例如，由第二掩模图案921覆盖的半导体图案210的部分可以是半导体图案210的源极区域。栅电极230可以设置在第一掩模图案911与第二掩模图案921之间。半导体图案210与栅电极230交叠的部分可以成为沟道区域。
第一掩模图案911的半色调区域HT可以设置在朝向第二掩模图案921的端部上。第二掩模图案921的半色调区域HT可以设置在朝向第一掩模图案911的端部和与该端部相对的另一端部上。与第二掩模图案921相对的第一掩模图案911的端部可以是第一掩模图案911的全色调区域FT。
可以使用半色调掩模来形成掩模图案911和921的形成操作。例如，掩模图案911和921的半色调区域HT可以是被半色调掩模部分地露出的区域。
如图5C示例所示，方法还可以包括在层间绝缘层240上形成初级源电极250p和初级漏电极260p的操作。形成初级源电极250p和初级漏电极260p的操作可以包括使用掩模图案911和921顺序地蚀刻第三导电材料层203、第二导电材料层202和第一导电材料层201的操作。例如，初级源电极250p可以包括下初级源电极251p、中间初级源电极252p和上初级源电极253p。例如，初级漏电极260p可以包括下初级漏电极261p、中间初级漏电极262p和上初级漏电极263p。
因为第二导电材料层202可以具有比第三导电材料层203快的蚀刻速率，所以可以相对向内设置中间初级源电极252p的侧表面和中间初级漏电极262p的侧表面。例如，上初级漏电极263p可以包括可以延伸至中间初级漏电极262p的外部的第一初级漏极尖端区域911t和第二初级漏极尖端区域912t。上初级漏电极263p的第一初级漏极尖端区域911t可以朝向上初级源电极253p延伸。上初级漏电极263p的第二初级漏极尖端区域912t可以与上初级漏电极263p的第一初级漏极尖端区域911t相对。例如，上初级源电极253p可以包括可以延伸至中间初级源电极252p的外部的第一初级源极尖端区域921t和第二初级源极尖端区域922t。上初级源电极253p的第一初级源极尖端区域921t可以朝向上初级漏电极263p延伸。上初级源电极253p的第二初级源极尖端区域922t可以与上初级源电极253p的第一初级源极尖端区域921t相对。下初级源电极251p和下初级漏电极261p可以每个分别包括设置在中间初级源电极252p和中间初级漏电极262p外部的区域。
下初级源电极251p的侧表面、中间初级源电极252p的侧表面、下初级漏电极261p的侧表面以及中间初级漏电极262p的侧表面可以每个具有正锥形。上初级源电极253p和上初级漏电极263p中的每一个可以具有可以比顶表面蚀刻快的底表面。第一初级源极尖端区域921t的侧表面和第二初级源极尖端区域922t的侧表面可以每个具有倒锥形。第一初级漏极尖端区域911t的侧表面和第二初级漏极尖端区域912t的侧表面可以每个具有倒锥形。
如图5D示例所示，方法还可以包括在初级漏电极260p上形成第三掩模图案912以及在初级源电极250p上形成第四掩模图案922的操作。形成第三掩模图案921和第四掩模图案922的操作可以包括去除第一掩模图案911的半色调区域HT和第二掩模图案921的半色调区域HT的操作。例如，形成第三掩模图案921和第四掩模图案922的操作可以包括灰化掩模图案911和921的操作。
第三掩模图案921可以露出上初级漏电极263p的第一初级漏极尖端区域911t。第三掩模图案921可以覆盖上初级漏电极263p的第二初级漏极尖端区域912t。上初级漏电极263p的第二初级漏极尖端区域912t可以被第三掩模图案921隐藏。第四掩模图案922可以露出上初级源电极253p的第一初级源极尖端区域921t和第二初级源极尖端区域922t。
如图5E示例所示，方法还可以包括在层间绝缘层240上形成源电极250和漏电极260的操作，使得可以完全形成薄膜晶体管200。形成源电极250和漏电极260的操作可以包括去除由第三掩模图案912和第四掩模图案922露出的尖端区域911t、921t和922t的操作。源电极250可以包括可以顺序地堆叠的下源电极251、中间源电极252和上源电极253。源电极250可以连接至半导体图案210的源极区域。漏电极260可以包括可以顺序地堆叠的下漏电极261、中间漏电极262和上漏电极263。漏电极260可以连接至半导体图案210的漏极区域。
通过去除由第三掩模图案912和第四掩模图案922露出的尖端区域911t、921t和922t的操作，设置尖端区域911t、921t和922t的上源电极253和上漏电极263的侧表面可以与中间源电极252的各个侧表面和中间漏电极262的侧表面连续。彼此面对的上源电极253的侧表面和上漏电极263的侧表面可以每个具有正锥形。与上漏电极263相对的上源电极253的侧表面可以具有正锥形。
可以不移除由第四掩模图案912覆盖的第二初级漏极尖端区域912t。漏电极260的上漏电极263可以包括设置在与源电极250相对的端部处的尖端区域263t。漏电极260的尖端区域263t的侧表面可以具有倒锥形。
如图5F示例所示，方法还可以包括去除第三掩模图案912和第四掩模图案922的操作。如图5G示例所示，方法还可以包括在可以形成源电极250和漏电极260的下基板100上形成下钝化层120的操作。
可以通过具有较低台阶覆盖率的工艺形成下钝化层120。例如，形成下钝化层120的操作可以包括热蒸发工艺。下钝化层120可以通过漏电极260的尖端区域263t部分地露出漏电极260的侧表面。例如，下钝化层120可以露出可以与上漏电极263的尖端区域263t交叠的中间漏电极262的侧表面和下漏电极261的侧表面。
如图5H示例所示，方法还可以包括在下钝化层120上形成包括下接触孔130h的下覆盖层130的操作。形成包括下接触孔130h的下覆盖层130的操作可以包括在下钝化层120上形成下覆盖层130的操作，并且可以包括在下覆盖层130中形成与下漏电极263的尖端区域263t的侧表面交叠的下接触孔130h的操作。下钝化层120和下接触孔130h可以露出较靠近上漏电极263的尖端区域263t设置的中间漏电极262的侧表面。
如图5I示例所示，方法还可以包括在下覆盖层130上形成连接电极310、辅助电极320、连接覆层410和辅助覆层420的操作。辅助电极320可以与连接电极310同时形成(例如，以相同的工艺)。例如，形成连接电极310和辅助电极320的操作可以包括在下覆盖层130上顺序地形成下导电材料层和上导电材料层的操作以及图案化可以堆叠的下导电材料层和上导电材料层的操作。可以堆叠的下导电材料层和上导电材料层可以填充下覆盖层130的下接触孔130h。连接电极310可以包括可以填充下覆盖层130的下接触孔130h的下导电材料层的一部分和上导电材料层的一部分。辅助电极320可以与连接电极310间隔开。
辅助覆层420可以与连接覆层410同时形成(例如，以相同的工艺)。例如，形成连接覆层410和辅助覆层420的操作可以包括在连接电极310和辅助电极320上顺序地形成覆材料层的操作，以及图案化覆材料层的操作。连接覆层410可以覆盖连接电极310。辅助覆层420可以覆盖辅助电极410。辅助覆层420可以与连接覆层410间隔开。
如图5J示例所示，方法还可以包括在连接覆层410和辅助覆层420上形成具有上接触孔141h和通孔142h的上覆盖层140的操作，在上覆盖层140上形成通过上接触孔141h电连接至连接电极310的下发射电极510和通过通孔142h电连接至辅助电极320的中间电极550的操作，形成覆盖下发射电极510的边缘和中间电极550的边缘的堤部绝缘层150的操作，以及在由堤部绝缘层150露出的中间电极550的表面上形成分隔件600的操作。形成分隔件600的操作可以包括形成与堤部绝缘层150同时(例如，以相同的工艺)部分地露出中间电极550的表面的下分隔件610的操作，以及在下分隔件610上形成上分隔件620的操作。
如图1和图2的示例所示，方法可以包括在包括堤部绝缘层150和分隔件600的下基板100上顺序地形成有机发光层520和上发射电极530的操作，以便可以完全形成发光结构。有机发光层520可以通过具有较低台阶覆盖率的工艺形成。例如，形成有机发光层520的操作可以包括热蒸发工艺。有机发光层520可以通过分隔件600露出中间电极550的一部分。
上发射电极530可以由具有较高台阶覆盖率的工艺形成。例如，形成上发射电极530的操作可以包括溅射工艺。上发射电极530可以直接接触由有机发光层520露出的中间电极550的部分。
方法可以包括将包括黑矩阵710和滤色器720的上基板700附接至包括发光结构500的下基板100的操作。将下基板100和上基板700接合的操作可以包括在发光结构500与黑矩阵710之间以及在发光结构500与滤色器720之间填充填充物800的操作。
在根据本公开内容的示例实施方式的形成显示装置的方法中，因为薄膜晶体管200的漏电极260的侧表面可以通过在薄膜晶体管200上形成下钝化层120的工艺而部分地露出，可以省略在下钝化层120中形成接触孔的工艺。因此，在根据本公开内容的示例实施方式的形成显示装置的方法中，未被下钝化层120覆盖的漏电极260的侧表面可以通过设置在下钝化层120上的下覆盖层130的下接触孔130h而露出，使得可以简化将连接电极310电连接至通过下钝化层120和下覆盖层130间隔开的漏电极260的接触孔的形成工艺。此外，在根据本公开内容的示例实施方式的形成显示装置的方法中，可以在不考虑对于接触孔的对准的工艺余量的情况下形成下覆盖层130的下接触孔130h，使得下接触孔130h可以形成为具有相对小的尺寸。因此，在根据本公开内容的示例实施方式的形成显示装置的方法中，可以减少工艺成本和工艺时间并且可以增加像素密度，例如每英寸的像素(PPI)。
因此，根据本公开内容的示例实施方式的显示装置可以包括在相对较低地设置的电极的端部处形成底切区域的操作，使得最靠近电极设置的绝缘层可能会被部分切除。因此，在根据示例实施方式的显示装置中，可以省略在堆叠在两个电极之间的绝缘层中的最靠近相对较低地设置的电极的绝缘层中形成接触孔的工艺。也就是说，在根据示例实施方式的显示装置中，可以减少穿透两个电极之间的堆叠的绝缘层的接触孔的面积。因此，在根据示例实施方式的显示装置中，可以改善像素密度，例如每英寸的像素(PPI)。
对于本领域技术人员而言显而易见的是，可以在不脱离本公开内容的技术构思或范围的情况下，在本公开内容中进行各种修改和变化。因此，意图可以是，本公开内容的实施方式覆盖本公开内容的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (17)

1.一种显示装置，包括：
下基板；
在所述下基板上方的第一覆盖层，所述第一覆盖层包括第一接触孔；
在所述下基板与所述第一覆盖层之间的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括包含与所述第一接触孔交叠的端部的漏电极，所述漏电极的端部包括底切区域；
在所述薄膜晶体管与所述第一覆盖层之间的下钝化层，所述下钝化层部分地露出所述漏电极的端部的侧表面；以及
在所述第一覆盖层上方的发光结构，所述发光结构通过所述第一接触孔电连接至所述薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下钝化层包括：
与所述漏电极的底切区域交叠的第一部分；以及
在所述漏电极的端部的外部的第二部分，所述第二部分与所述第一部分间隔开。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述漏电极包括：
第一漏电极；以及
第二漏电极，其被布置在所述第一漏电极与所述下钝化层之间，所述第二漏电极的侧表面比所述第一漏电极的侧表面更靠近所述第一接触孔的中心。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述下钝化层露出所述第一漏电极的侧表面。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二漏电极具有相对于所述第一漏电极的蚀刻选择性。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二漏电极包括具有比所述第一漏电极的材料的蚀刻速度慢的蚀刻速度的材料。
7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
连接在所述第一覆盖层与所述发光结构之间的连接电极，所述连接电极延伸至所述第一接触孔的内部；以及
在所述连接电极与所述发光结构之间的第二覆盖层，所述第二覆盖层包括与所述连接电极交叠的第二接触孔，
其中，所述发光结构通过所述连接电极和所述第二接触孔电连接至所述薄膜晶体管。
8.一种显示装置，包括：
下基板；
在所述下基板上方的辅助电极；
在所述辅助电极上方的上覆盖层，所述上覆盖层包括露出所述辅助电极的通孔；以及
在所述上覆盖层上方的堤部绝缘层，所述堤部绝缘层包括与所述辅助电极交叠的堤部接触孔，所述堤部接触孔包括在所述通孔的内侧上的侧表面，
其中，所述堤部接触孔的所述侧表面的平面形状是凹凸形状。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述通孔包括与所述堤部接触孔的具有凹凸平面形状的侧表面邻近的侧表面；以及
所述通孔的所述侧表面的平面形状是平直形状。
10.根据权利要求8所述的显示装置，还包括：
在所述下基板与所述上覆盖层之间的薄膜晶体管，
其中，所述薄膜晶体管与所述辅助电极间隔开，并且
其中，所述辅助电极包括与所述薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极中的一个的材料相同的材料。
11.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
设置下基板；
在所述下基板上方设置第一覆盖层，设置第一覆盖层包括设置第一接触孔；
在所述下基板与所述第一覆盖层之间设置薄膜晶体管，设置薄膜晶体管包括设置包含与所述第一接触孔交叠的端部的漏电极，所述漏电极的端部包括底切区域；
在所述薄膜晶体管与所述第一覆盖层之间设置下钝化层，所述下钝化层部分地露出所述漏电极的端部的侧表面；以及
在所述第一覆盖层上设置发光结构，所述发光结构通过所述第一接触孔电连接至所述薄膜晶体管。
12.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法，其中，形成所述下钝化层包括：
设置与所述漏电极的底切区域交叠的第一部分；以及
在所述漏电极的端部的外部设置第二部分，所述第二部分与所述第一部分间隔开。
13.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法，其中，设置所述漏电极包括：
设置第一漏电极；以及
设置被布置在所述第一漏电极与所述下钝化层之间的第二漏电极，所述第二漏电极的侧表面比所述第一漏电极的侧表面更靠近所述第一接触孔的中心。
14.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法，其中，所述下钝化层露出所述第一漏电极的侧表面。
15.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法，其中，所述第二漏电极具有相对于所述第一漏电极的蚀刻选择性。
16.根据权利要求15所述的制造显示装置的方法，其中，所述第二漏电极包括具有比所述第一漏电极的材料的蚀刻速度慢的蚀刻速度的材料。
17.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法，还包括：
设置被连接在所述第一覆盖层与所述发光结构之间的连接电极，所述连接电极延伸至所述第一接触孔的内部；以及
在所述连接电极与所述发光结构之间设置第二覆盖层，设置第二覆盖层包括设置与所述连接电极交叠的第二接触孔，
其中，所述发光结构通过所述连接电极和所述第二接触孔电连接至所述薄膜晶体管。
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