CN108122949A - 具有发光结构的显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种具有发光结构的显示设备，该显示设备在单个子像素区上包括两个发光结构。在显示设备中，两个发光结构朝向相应子像素区的中心倾斜。

Description

具有发光结构的显示设备
本申请要求于2016年11月30日提交的韩国专利申请第10-2016-0162334号的优先权，该申请在此通过引用并入本文，如同在本文中被完全阐述。
技术领域
本公开内容涉及包括发光结构的显示设备，发光结构生成实现特定颜色的光。
背景技术
诸如监视器、TV、膝上型计算机和数字摄像装置之类的电子电器包括用于实现图像的显示设备。例如，显示设备可以包括液晶显示设备或有机发光显示设备。
显示设备可以包括子像素区。相邻的子像素区可以实现彼此不同的颜色。例如，显示设备可以包括显示红颜色的红子像素区、显示蓝颜色的蓝子像素区、显示绿颜色的绿子像素区和显示白颜色的白子像素区。
可以在显示设备的每个子像素区上设置生成实现特定颜色的光的发光结构。例如，发光结构可以包括依次堆叠的下电极、发光层和上电极。
在显示设备中，由于成形处理所生成的颗粒，发光结构的上电极可能部分地连接至下电极。例如，制造显示设备的方法可以包括修复处理，修复处理是去除发光结构的下电极与上电极之间的接触区域的处理。
然而，由于通过修复处理去除了下电极和/或上电极的区域起暗点的作用，因此可能减小显示设备的发射区。更具体地，在包括相对小的开放区的高分辨率显示设备中，由于暗点减小了发射区，颜色的清晰度可能降低。
发明内容
因此，本公开内容涉及具有发光结构的显示设备，该显示设备基本上消除了由于相关技术的限制和缺点所导致的一个或更多个问题。
本公开内容的一个目的是提供一种可以防止因修复处理而减小发射区的显示设备。
本公开内容的另一目的是提供一种不论因修复处理而造成的暗点如何都足以保护发射区的显示设备。
另外的优点、目的和特征的一部分将在下面的描述中阐述，而一部分对本领域普通技术人员而言在阅读以下描述后将变得明显，或者可以从所公开原理的实践中学习到。通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构可以实现和得到所述目的和其他优点。
如在本文中体现和广泛描述的那样，为了实现这些目的和其他优点，并且根据本公开内容的目的，提供了一种包括下基板的显示设备。下基板包括用于产生特定颜色的子像素区。在下基板的子像素区上设置有第一发光结构和第二发光结构。第一发光结构和第二发光结构相对于下基板倾斜。第一发光结构由依次堆叠的第一下电极、第一发光层和第一上电极限定。第二发光结构由依次堆叠的第二下电极、第二发光层和第二上电极限定，第二下电极与第一下电极间隔开。相对于下基板的子像素区，第二发光结构的至少一部分与第一发光结构的至少一部分在相对的方向上倾斜。
下基板与第一下电极的上表面之间的距离朝向子像素区的中心减小，以及下基板与第二下电极的上表面之间的距离可以朝向子像素区的中心减小。
在下基板与第一发光结构之间可以设置薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括连接至第一下电极和第二下电极的漏电极。
在薄膜晶体管上可以设置下钝化层。下钝化层可以覆盖薄膜晶体管。下钝化层可以包括第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔和第二接触孔分别暴露出漏电极。第一下电极和第二下电极可以与下钝化层直接接触。
第二发光层可以包括与第一发光层相同的材料。
第二发光层可以连接至第一发光层。第二上电极可以连接至第一上电极。
在第一发光结构上可以设置颜色过滤器。颜色过滤器可以延伸至第二发光结构上。
第一堤状绝缘层可以覆盖第一下电极的一个边缘以及第二堤状绝缘层可以覆盖第一下电极的另一边缘。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种显示设备，该显示设备包括下基板上的第一倾斜绝缘层和下基板上的第二倾斜绝缘层。第一倾斜绝缘层包括正性渐缩的第一倾斜侧面。第二倾斜绝缘层包括正性渐缩的第二倾斜侧面。第二倾斜绝缘层与第一倾斜绝缘层相邻。在第一倾斜侧面上设置有第一发光结构。第一发光结构由依次堆叠的第一下电极、第一发光层和第一上电极限定。在第二倾斜侧面上设置有第二发光结构。第二发光结构连同第一发光结构形成阱。第二发光结构由依次堆叠的第二下电极、第二发光层和第二上电极限定，第二下电极与第一下电极间隔开。在第一发光结构和第二发光结构上设置有颜色过滤器。
阱的宽度朝向下基板减小。
可以在与下基板相对的上基板上设置黑矩阵。黑矩阵可以与阱上方的颜色过滤器的侧面接触。
黑矩阵的侧面可以是负性渐缩的。
黑矩阵的竖直厚度可以大于颜色过滤器的竖直厚度。
可以在黑矩阵的侧面上设置反射图案。
颜色过滤器可以位于阱中。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种显示设备，该显示设备包括：下基板，其包括用于产生特定颜色的子像素区；薄膜晶体管，其位于下基板的在子像素区内的上表面上；第一下电极；第二下电极；以及发光层，其位于第一下电极和第二下电极上。第一下电极和第二下电极耦接至薄膜晶体管(TFT)。第一下电极相对于下基板在第一方向上倾斜，并且第二下电极相对于下基板在相对的方向上倾斜。
第一下电极的上表面和第二下电极的上表面可以是对称的。
发光层包括第一段和第二段，第一段位于第一下电极上并且在与第一下电极相同的方向上倾斜，第二段位于第二下电极上并且在与第二下电极相同的方向上倾斜。发光层中更靠近子像素区的中心的部分比发光层中更靠近子像素区的边缘的部分更靠近下基板的上表面。
在一些实施方式中，显示设备还包括在TFT与第一下电极之间的绝缘体。第一下电极位于绝缘体的上表面上。绝缘体的上表面在与第一下电极相同的方向上倾斜。
显示设备还包括第一堤状绝缘层和第二堤状绝缘层，第一堤状绝缘层覆盖第一下电极的一个边缘，第二堤状绝缘层覆盖第一下电极的另一边缘。
第一堤状绝缘层可以比第二堤状绝缘层更靠近下基板的上表面。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且附图被并入本申请并构成本申请的一部分，附图示出了本发明的一个或多个实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示意性地示出根据实施方式的显示设备的视图；
图2是图1中的区域P的放大图；
图3至图6、图8和图9是分别示出根据各种实施方式的显示设备的各种示例的视图；
图7是图6中的区域R的放大图。
具体实施方式
在下文中，通过参照示出各种实施方式的附图的以下详细描述将更清楚地理解涉及本公开内容的实施方式的上述目的、技术配置和操作效果的细节。此处，提供各种实施方式以使得能够将本公开内容的技术精神令人满意地传递给本领域技术人员，因此本发明可以以其他形式来实现并且不限于以下所描述的实施方式。
此外，在整个说明书中，可以用相同的附图标记来表示相同或相似的元件，并且在附图中，为了方便起见，可以将层和区域的长度和厚度放大。应当理解，当第一元件被称为位于第二元件“上”时，尽管可以将第一元件设置在第二元件上以便与第二元件接触，但是第三元件可以介于第一元件与第二元件之间。
文中，可以使用术语例如“第一”和“第二”来将任何一个元件与另一个元件区分开。然而，在不脱离本公开内容的技术精神的情况下，可以根据本领域技术人员的方便，任意地命名第一元件和第二元件。
本公开内容的说明书中所使用的术语仅用于描述特定的实施方式，并不意图限制本公开内容的范围。例如，除非上下文另有明确地指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件。此外，在本公开内容的说明书中，还应当理解的是术语“包括(comprise)”和“包含(include)”指定存在所述特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。
除非另有限定，否则本文所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例性实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，除非本文明确地这样限定，否则诸如在通常使用的字典中定义的术语应被解释为具有与其在相关技术的背景下的含义一致的含义，而不应以理想化的或过于形式化的意义来解释。
如在本文中使用的，发射区是指发射光的发光结构的总表面面积。
图1是示意性地示出根据实施方式的显示设备的视图。图2是区域P的放大图，区域P是根据图1的实施方式的显示设备的单个子像素区。
参照图1和图2，显示设备包括下基板100、薄膜晶体管200、下钝化层110、倾斜绝缘层120、发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W以及颜色过滤器400R、颜色过滤器400B和颜色过滤器400G。
下基板100可以支承倾斜绝缘层120、薄膜晶体管200以及发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W。下基板100可以包括绝缘材料。下基板100可以包括透明材料。例如，下基板100可以包括玻璃或塑料。
下基板100可以包括子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA(统称为“发射区”)以及非发射区NEA。可以将非发射区NEA设置在子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA与子像素区WEA之间。可以通过非发射区NEA将子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA分隔开。
下基板100的子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA可以实现彼此不同的颜色。例如，下基板100可以包括实现红颜色的红子像素区REA、实现蓝颜色的蓝子像素区BEA、实现绿颜色的绿子像素区GEA和实现白颜色的白子像素区WEA。
在下基板100上可以设置薄膜晶体管200。例如，薄膜晶体管200中的每个薄膜晶体管可以包括半导体图案210、栅极绝缘层220、栅电极230、层间绝缘层240、源电极250和漏电极260。
半导体图案210可以被设置成靠近下基板100。半导体图案210可以包括半导体材料。例如，半导体图案210可以包括非晶硅或多晶硅。半导体图案210可以包括氧化物半导体材料。例如，半导体图案210可以包括IGZO。
半导体图案210可以包括源区、漏区和沟道区。可以将沟道区设置在源区与漏区之间。沟道区的导电性可以小于源区的导电性和漏区的导电性。例如，源区和漏区可以包括导电性杂质。
显示设备被描述成使得下基板100与薄膜晶体管200的半导体图案210直接接触。然而，根据另一实施方式的显示设备可以在下基板100和薄膜晶体管200之间包括缓冲层。缓冲层可以包括绝缘材料。例如，缓冲层可以包括氧化硅。
栅绝缘层220可以设置在半导体图案210上。栅极绝缘层220可以包括绝缘材料。例如，栅极绝缘层220可以包括氧化硅和/或氮化硅。栅极绝缘层220可以包括高K材料。例如，栅极绝缘层220可以包括氧化铪(HfO)或氧化钛(TiO)。栅极绝缘层可以是多层结构。
栅电极230可以设置在栅极绝缘层220上。栅电极230可以与半导体图案210的沟道区交叠。栅电极230可以通过栅极绝缘层220与半导体图案210绝缘。例如，栅极绝缘层220可以包括与栅电极230竖直对准的侧面。栅极绝缘层220的侧面可以与栅电极230的侧面相连续。
栅电极230可以包括导电材料。例如，栅电极230可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)的金属。
层间绝缘层240可以设置在半导体图案210和栅电极230上。层间绝缘层240可以延伸至半导体图案210的外侧。层间绝缘层240可以覆盖半导体图案210和栅电极230。
层间绝缘层240可以包括绝缘材料。例如，层间绝缘层240可以包括氧化硅。
源电极250可以设置在层间绝缘层240上。源电极250可以电连接至半导体图案210的源区。例如，层间绝缘层240可以包括接触孔，该接触孔暴露出半导体图案210的源区。
源电极250可以包括导电材料。例如，源电极250可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)和钨(W)的金属。源电极250可以是多层结构。
漏电极260可以设置在层间绝缘层240上。漏电极260可以与源电极250间隔开。漏电极260可以电连接至半导体图案210的漏区。例如，层间绝缘层240可以包括接触孔，该接触孔暴露出半导体图案210的漏区。
漏电极260可以包括导电材料。漏电极260可以包括与源电极250相同的材料。例如，漏电极260可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)和钨(W)的金属。漏电极260的结构可以与源电极250的结构相同。例如，漏电极260可以是多层结构。
显示设备被描述成使得在每个薄膜晶体管200中将半导体图案210设置在下基板100与栅电极230之间。然而，根据另一实施方式的显示设备可以包括将栅电极230设置在下基板100与半导体图案210之间的薄膜晶体管200。
在薄膜晶体管200上可以设置下钝化层110。下钝化层110可以延伸至源电极250和漏电极260的外侧。例如，下钝化层110可以与薄膜晶体管200的源电极250和漏电极260的外侧上的层间绝缘层240直接接触。
下钝化层110可以包括绝缘材料。例如，下钝化层110可以包括氧化硅和/或氮化硅。下钝化层110可以是多层结构。
下钝化层110可以包括第一接触孔111H和第二接触孔112H。第一接触孔111H和第二接触孔112H可以与薄膜晶体管200的漏电极260交叠。第二接触孔112H可以与第一接触孔111H间隔开。漏电极260可以包括由下钝化层110的第一接触孔111H暴露的第一区域以及由下钝化层110的第二接触孔112H暴露的第二区域。漏电极260的第二区域可以与漏电极260的第一区域间隔开。
在下钝化层110上可以设置倾斜绝缘层120。倾斜绝缘层120可以彼此间隔开。例如，可以将下钝化层110的第一接触孔111H和第二接触孔112H设置在相邻的倾斜绝缘层120之间。薄膜晶体管200的漏电极260可以包括与倾斜绝缘层120交叠的部分和与倾斜绝缘层120不交叠的部分。
倾斜绝缘层120中的每个倾斜绝缘层可以包括第一倾斜侧面121S和第二倾斜侧面122S。第一倾斜侧面121S和第二倾斜侧面122S可以相对于下基板100倾斜。例如，第一倾斜侧面121S和第二倾斜侧面122S可以是正性渐缩的(positively tapered)。倾斜绝缘层120中的每个倾斜绝缘层的上表面的水平距离可以小于相应倾斜绝缘层120的下表面的水平距离。在一些实施方式中，一个第一倾斜侧面和相邻的第二倾斜侧面形成阱。
第二倾斜侧面122S可以与第一倾斜侧面121S相对。例如，倾斜绝缘层120中的每个倾斜绝缘层的第一倾斜侧面121S可以面向相邻的倾斜绝缘层120的第二倾斜侧面122S。例如，倾斜绝缘层120的第二倾斜侧面122S可以分别面向相邻的倾斜绝缘层120的第一倾斜侧面121S。
倾斜绝缘层120的上表面可以与下基板100的非发射区NEA交叠。倾斜绝缘层120中的每个倾斜绝缘层的第一倾斜侧面121S和第二倾斜侧面122S可以延伸至下基板100的子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA上。倾斜绝缘层120中的每个倾斜绝缘层的第一倾斜侧面121S和第二倾斜侧面122S可以与下基板100的子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA交叠。
相邻的倾斜绝缘层120可以在下基板100的子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA的中心处间隔开。例如，下基板100与第一倾斜侧面121S之间的竖直距离以及下基板100与第二倾斜侧面122S之间的竖直距离可以朝向相应的子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA的中心减小。可以将下钝化层110的第一接触孔111H和第二接触孔112H设置成靠近子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA的中心。
倾斜绝缘层120可以包括绝缘材料。例如，倾斜绝缘层120可以包括有机绝缘材料。倾斜绝缘层120可以包括可固化材料。例如，倾斜绝缘层120可以包括热固性树脂。
在下基板100的子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA上可以设置发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W。发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W中的每个发光结构可以与下基板100的相应子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA交叠。例如，发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W可以包括与下基板100的红子像素区REA交叠的红发光结构300R、与下基板100的蓝子像素区BEA交叠的蓝发光结构300B、与下基板100的绿子像素区GEA交叠的绿发光结构300G和与下基板100的白子像素区WEA交叠的白发光结构300W。
在倾斜绝缘层120的第一倾斜侧面121S和第二倾斜侧面122S上可以设置发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W。例如，发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W中的每个发光结构可以包括位于倾斜绝缘层120的第一倾斜侧面121S上的第一发光结构301R、第一发光结构301B、第一发光结构301G和第一发光结构301W以及位于倾斜绝缘层120的第二倾斜侧面122S上的第二发光结构302R、第二发光结构302B、第二发光结构302G和第二发光结构302W，第一发光结构301R、第一发光结构301B、第一发光结构301G和第一发光结构301W与相应的子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA交叠，第二发光结构302R、第二发光结构302B、第二发光结构302G和第二发光结构302W与相应的子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA交叠。可以将发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W的第二发光结构302R、第二发光结构302B、第二发光结构302G和第二发光结构302W设置在与相应的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W的第一发光结构301R、第一发光结构301B、第一发光结构301G和第一发光结构301W不同的倾斜绝缘层120上。例如，第一发光结构301R、第一发光结构301B、第一发光结构301G和第一发光结构301W与面向第一发光结构301R、第一发光结构301B、第一发光结构301G和第一发光结构301W的第二发光结构302R、第二发光结构302B、第二发光结构302G和第二发光结构302W之间的水平距离可以远离下基板100而增加。在一些实施方式中，子像素区中的第一发光结构与第二发光结构形成阱。
发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W可以分别生成用于实现特定颜色的光。红发光结构300R的第一发光结构301R可以包括依次堆叠的第一下电极311、第一发光层321和第一上电极331。蓝发光结构300B的第一发光结构301B、绿发光结构300G的第一发光结构301G和白发光结构300W的第一发光结构301W可以具有与红发光结构300R的第一发光结构301R相同的结构。红发光结构300R的第二发光结构302R可以包括依次堆叠的第二下电极312、第二发光层322和第二上电极332。蓝发光结构300B的第二发光结构302B、绿发光结构300G的第二发光结构302G和白发光结构300W的第二发光结构302W可以具有与红发光结构300R的第二发光结构302R相同的结构。
在显示设备中，可以将在每个子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA中相对于下基板100倾斜的两个发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W对称地设置。因此，在显示设备中，通过每个子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA中的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W所生成的光可以被聚焦。因此，在显示设备中，可以提高可视性和发射效率。此外，在显示设备中，由于倾斜定位的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W，使得可以相对于下基板100的表面在对角线方向上发射光，因此可以增大发射区。
发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W中的每个发光结构的第一发光结构301R、第一发光结构301B、第一发光结构301G和第一发光结构301W以及第二发光结构302R、第二发光结构302B、第二发光结构302G和第二发光结构302W可以由被设置在相应的子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA中的薄膜晶体管200控制。例如，红发光结构300R的第一发光结构301R的第一下电极311和第二发光结构302R的第二下电极312可以连接至被设置在相应的红子像素区REA中的薄膜晶体管200的漏电极260。红发光结构300R的第一下电极311可以通过下钝化层110的第一接触孔111H连接至相应的漏电极260。红发光结构300R的第二下电极312可以通过下钝化层110的第二接触孔112H连接至相应的漏电极260。红发光结构300R的第一下电极311和第二下电极312可以与下钝化层110直接接触。
第二发光结构302R、第二发光结构302B、第二发光结构302G和第二发光结构302W的第二下电极312可以与第一发光结构301R、第一发光结构301B、第一发光结构301G和第一发光结构301W的第一下电极311间隔开。例如，第一下电极311和第二下电极312可以在第一接触孔111H与第二接触孔112H之间间隔开。因此，在显示设备中，当第一下电极311或第二下电极312因修复处理而变得不可用时，相应的子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA的发射区可以通过包括可用的下电极311或下电极312的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W而得以维持。具体地，当第一下电极311或第二下电极312中的一个由于缺陷或修复处理而被切断时，由可用的发光结构生成的光可以从不可用的下电极311或下电极312反射，从而使得整个子像素区能够由可用的发光结构照亮。
第一下电极311和第二下电极312可以包括导电材料。第一下电极311和第二下电极312可以包括高反射材料。例如，第一下电极311和第二下电极312可以包括诸如铝(Al)和银(Ag)的金属。第二下电极312可以包括与第一下电极311相同的材料。第一下电极311可以是多层结构。例如，第一下电极311可以是以下结构：在具有透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明电极之间包括具有高反射材料的反射电极。第二下电极312的结构可以与第一下电极311的结构相同。例如，第二下电极312可以是多层结构。
第一发光层321可以生成光，光的亮度对应于第一下电极311与第一上电极331之间的电压差。第二发光层322可以生成光，光的亮度对应于第二下电极312与第二上电极332之间的电压差。例如，第一发光层321和第二发光层322可以包括具有发射材料的发射材料层(EML)。发射材料可以是有机材料、无机材料或混合材料。例如，显示设备可以是包括有机发光层的有机发光显示设备。
第一发光层321和第二发光层322可以是多层结构以增大发光效率。例如，第一发光层321和第二发光层322还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
第二发光层322可以包括与第一发光层321相同的材料。例如，第二发光层322可以连接至第一发光层321。在下钝化层110上分隔开的第一下电极311与第二下电极312之间的空间可以由第一发光层321和第二发光层322来填充。
在显示设备中，每个子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA上的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W可以显示相同的颜色。例如，显示设备可以包括显示白颜色的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W。在显示设备中，发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W的第二发光层322可以与相应的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W的第一发光层321耦接。
第一上电极331和第二上电极332可以包括导电材料。第一上电极331和第二上电极332可以包括分别与第一下电极311和第二下电极312不同的材料。例如，第一上电极331和第二上电极332可以是透明电极。因此，在显示设备中，由第一发光层321和第二发光层322生成的光可以通过第一上电极331和第二上电极332发射。
第一上电极331和第二上电极332可以沿着第一发光层321和第二发光层322延伸。例如，发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W的第二上电极332可以连接至相应的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W的第一上电极331。
颜色过滤器400R、颜色过滤器400B和颜色过滤器400G可以将通过发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W所生成的光转换成特定颜色。颜色过滤器400R、颜色过滤器400B和颜色过滤器400G可以与相应的子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA交叠。例如，颜色过滤器400R、颜色过滤器400B和颜色过滤器400G可以包括与红子像素区REA交叠的红颜色过滤器400R、与蓝子像素区BEA交叠的蓝颜色过滤器400B和与绿子像素区GEA交叠的绿颜色过滤器400G。
可以将颜色过滤器400R、颜色过滤器400B和颜色过滤器400G设置在每个发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W的第一发光结构301R、第一发光结构301B、第一发光结构301G和第一发光结构301W与第二发光结构302R、第二发光结构302B、第二发光结构302G和第二发光结构302W之间的空间中。例如，红颜色过滤器400R可以填充红发光结构300R的第一发光结构301R与第二发光结构302R之间的空间。因此，在显示设备中，可以减少光泄漏。
显示设备还可以包括位于发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W上的上钝化层130。可以减少由于水分渗透和冲击而导致的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W的损坏。上钝化层130可以包括绝缘材料。例如，上钝化层130可以包括氧化硅和/或氮化硅。上钝化层130可以是多层结构。
显示设备还可以包括位于上钝化层130上的上基板500。上基板500可以与下基板100相对。上基板500可以包括绝缘材料。上基板500可以包括透明材料。例如，上基板500可以包括玻璃或塑料。
在上基板500上可以设置黑矩阵610。黑矩阵610可以与下基板100的非发射区NEA交叠。黑矩阵610的下表面可以面向倾斜绝缘层120的上表面。
显示设备还可以包括填充下基板100与上基板500之间的空间的填充物700。填充物700可以防止发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W由于外部冲击而导致的损坏。例如，填充物700可以在发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W与黑矩阵610之间延伸。
因此，在显示设备中，可以将位于单个子像素区上的发光结构分隔成相对于下基板倾斜设置的第一发光结构和第二发光结构。此外，在显示设备中，可以将由第一发光结构生成的光和由第二发光结构生成的光对称地设置，使得由单个子像素区上的两个发光结构生成的光可以在相应的子像素区上聚焦。因此，在显示设备中，可以防止因修复处理而造成的发射区的减小，并且可以提高发射效率。
显示设备被描述成使得颜色过滤器400R、颜色过滤器400B和颜色过滤器400G填充每个发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W的第一发光结构301R、第一发光结构301B、第一发光结构301G和第一发光结构301W与第二发光结构302R、第二发光结构302B、第二发光结构302G和第二发光结构302W之间的空间。然而，如图3所示，根据另一实施方式的显示设备可以在上基板500的黑矩阵610之间包括颜色过滤器620R、颜色过滤器620B和颜色过滤器620G。在根据另一实施方式的显示设备中，黑矩阵610的竖直厚度可以大于颜色过滤器620R、颜色过滤器620B和颜色过滤器620G的竖直厚度。因此，在根据另一实施方式的显示设备中，可以防止由于颜色过滤器620R、颜色过滤器602B和颜色过滤器620G的成形处理而导致的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W的损坏，并且可以有效地减少光泄漏。
根据另一实施方式的显示设备被描述成黑矩阵的侧面可以是正性渐缩的。然而，如图4所示，根据又一实施方式的显示设备可以包括具有负性渐缩的(negativelytapered)侧面的黑矩阵610。此外，根据又一实施方式的显示设备还可以包括位于黑矩阵的负性渐缩的侧面上的反射图案630。因此，在根据又一实施方式的显示设备中，朝向黑矩阵行进的光可以通过反射图案在外部方向上发射。因此，在根据又一实施方式的显示设备中，可以减少光泄漏，并且可以有效地提高发射效率。
显示设备被描述成使得在下钝化层110上设置倾斜绝缘层120。然而，如图5所示，根据另一实施方式的显示设备可以包括依次堆叠在下钝化层110上的外涂(over-coat)层140和倾斜绝缘层150。外涂层140的上表面可以与下基板100的表面平行。外涂层140可以延伸至倾斜绝缘层150的外侧。例如，外涂层140可以包括分别暴露出薄膜晶体管200的一部分的第一穿透孔141H和第二穿透孔142H。
显示设备被描述成使得第一下电极311的边缘与第二下电极312的边缘被第一发光层321和第二发光层322覆盖。然而，如图6和图7所示，根据另一实施方式的显示设备可以包括第一堤状(bank)绝缘层810和第二堤状绝缘层820，第一堤状绝缘层810覆盖靠近下钝化层110设置的第一下电极311和第二下电极312的端部，第二堤状绝缘层820覆盖位于倾斜绝缘层120的上表面上的第一下电极311和第二下电极312的端部。因此，在根据另一实施方式的显示设备中，第二下电极312可以与相邻的第一下电极311足够绝缘。
显示设备被描述成使得暴露出相应薄膜晶体管200的漏电极的下钝化层110的第一接触孔111H与第二接触孔112设置在相邻的倾斜绝缘层120之间。然而，如图8所示，根据另一实施方式的显示设备可以包括包含与倾斜绝缘层120交叠的第一接触孔111H和第二接触孔112H的下钝化层110。在根据另一实施方式的显示设备中，倾斜绝缘层120可以包括与第一接触孔111H竖直对准的第一通孔121H以及与第二接触孔112H竖直对准的第二通孔122H。因此，在显示设备中，可以增加下钝化层110的第一接触孔111H和第二接触孔112H的位置的自由度。
显示设备被描述成使得发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W显示相同的颜色，以及子像素区REA、子像素区BEA、子像素区GEA和子像素区WEA中的每个子像素区使用颜色过滤器400R、颜色过滤器400B和颜色过滤器400G实现相应的颜色。然而，如图9所示，根据另一实施方式的显示设备可以包括分别具有与相邻的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W分隔开的发光层的发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W。例如，发光结构300R、发光结构300B、发光结构300G和发光结构300W中的每个发光结构可以显示彼此不同的颜色。因此，显示设备可以不使用颜色过滤器。
显示设备可以包括被设置在单个子像素区上并且相对于下基板倾斜的两个发光结构，以聚焦由两个发光结构发射的光。因此，在显示设备中，当位于单个子像素区上的发光结构中的一个发光结构包括由于修复处理而导致的暗点或变得不可用时，可以不减小单个子像素区的发射区。因此，在显示设备中，可以提高发射效率。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
下基板，所述下基板包括用于产生特定颜色的子像素区；
第一发光结构，所述第一发光结构位于所述下基板的子像素区上，所述第一发光结构相对于所述下基板倾斜，所述第一发光结构由依次堆叠的第一下电极、第一发光层和第一上电极限定；以及
第二发光结构，所述第二发光结构位于所述下基板的子像素区上，所述第二发光结构相对于所述下基板倾斜，所述第二发光结构由依次堆叠的第二下电极、第二发光层和第二上电极限定，
其中，相对于所述下基板的子像素区，所述第二发光结构的至少一部分与所述第一发光结构的至少一部分在相对的方向上倾斜。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述下基板与所述第一下电极的上表面之间的距离朝向所述子像素区的中心减小，以及所述下基板与所述第二下电极的上表面之间的距离朝向所述子像素区的中心减小。
3.根据权利要求1所述的显示设备，还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述下基板与所述第一发光结构之间，
其中，所述薄膜晶体管包括电连接至所述第一下电极和所述第二下电极的漏电极。
4.根据权利要求3所述的显示设备，还包括下钝化层，所述下钝化层覆盖所述薄膜晶体管，所述下钝化层包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔分别暴露出所述漏电极，以及
其中，所述第一下电极和所述第二下电极与所述下钝化层直接接触。
5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第二发光层包括与所述第一发光层相同的材料。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第二发光层连接至所述第一发光层，以及其中，所述第二上电极连接至所述第一上电极。
7.根据权利要求5所述的显示设备，还包括颜色过滤器，所述颜色过滤器位于所述第一发光结构上，所述颜色过滤器延伸至所述第二发光结构上。
8.根据权利要求1所述的显示设备，还包括第一堤状绝缘层和第二堤状绝缘层，所述第一堤状绝缘层覆盖所述第一下电极的一个边缘，所述第二堤状绝缘层覆盖所述第一下电极的另一边缘。
9.一种显示设备，包括：
第一倾斜绝缘层，所述第一倾斜绝缘层位于下基板上，包括正性渐缩的第一倾斜侧面；
第二倾斜绝缘层，所述第二倾斜绝缘层位于所述下基板上，包括正性渐缩的第二倾斜侧面，所述第二倾斜绝缘层与所述第一倾斜绝缘层相邻；
第一发光结构，所述第一发光结构位于所述第一倾斜侧面上，所述第一发光结构由依次堆叠的第一下电极、第一发光层和第一上电极限定；以及
第二发光结构，所述第二发光结构位于所述第二倾斜侧面上，所述第二发光结构连同所述第一发光结构形成阱，所述第二发光结构由依次堆叠的第二下电极、第二发光层和第二上电极限定，所述第二下电极与所述第一下电极间隔开。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述阱的宽度朝向所述下基板减小。
11.根据权利要求9所述的显示设备，还包括黑矩阵，所述黑矩阵位于与所述下基板相对的上基板上，所述黑矩阵与所述阱上方的颜色过滤器的侧面接触，
其中，所述黑矩阵的侧面是负性渐缩的。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述黑矩阵的竖直厚度大于所述颜色过滤器的竖直厚度。
13.根据权利要求11所述的显示设备，还包括反射图案，所述反射图案位于所述黑矩阵的侧面上。
14.根据权利要求9所述的显示设备，其中，颜色过滤器位于所述阱中。
15.一种显示设备，包括：
下基板，所述下基板包括用于产生特定颜色的子像素区；
薄膜晶体管TFT，所述薄膜晶体管位于所述下基板的在所述子像素区内的上表面上；
第一下电极，所述第一下电极耦接至所述TFT，所述第一下电极的上表面的至少一部分相对于所述下基板在一个方向上倾斜；
第二下电极，所述第二下电极耦接至所述TFT，所述第二下电极的上表面的至少一部分与所述第一下电极的上表面在相对的方向上倾斜；以及
发光层，所述发光层位于所述第一下电极和所述第二下电极上，用于响应于经由所述第一下电极和所述第二下电极从所述TFT向所述发光层提供电流而发射光。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第一下电极的上表面和所述第二下电极的上表面对称。
17.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述发光层包括第一段和第二段，所述第一段位于所述第一下电极上并且在与所述第一下电极相同的方向上倾斜，所述第二段位于所述第二下电极上并且在与所述第二下电极相同的方向上倾斜，
其中，所述发光层中更靠近所述子像素区的中心的部分比所述发光层中更靠近所述子像素区的边缘的部分更靠近所述下基板的上表面。
18.根据权利要求15所述的显示设备，还包括：
绝缘体，所述绝缘体位于所述TFT与所述第一下电极之间，所述第一下电极位于所述绝缘体的上表面上，所述绝缘体的上表面在与所述第一下电极相同的方向上倾斜。
19.根据权利要求15所述的显示设备，还包括第一堤状绝缘层和第二堤状绝缘层，所述第一堤状绝缘层覆盖所述第一下电极的一个边缘，所述第二堤状绝缘层覆盖所述第一下电极的另一边缘。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述第一堤状绝缘层比所述第二堤状绝缘层更靠近所述下基板的上表面。
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