TWI668874B - 具有發光結構的顯示裝置 - Google Patents

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TWI668874B TW106140164A TW106140164A TWI668874B TW I668874 B TWI668874 B TW I668874B TW 106140164 A TW106140164 A TW 106140164A TW 106140164 A TW106140164 A TW 106140164A TW I668874 B TWI668874 B TW I668874B
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Abstract

本發明提供一種在單一子像素區域上包括兩個發光結構的顯示裝置，該兩個發光結構朝向對應的子像素區域的中心傾斜。

Description

具有發光結構的顯示裝置
本發明係關於一種包括發光結構的顯示裝置，該發光結構產生實現特定顏色的光。
通常，諸如監視器、電視機、筆記型電腦、以及數位相機的電子裝置包括顯示裝置，以實現影像。例如，該顯示裝置可以包括液晶顯示裝置或有機發光顯示裝置。
該顯示裝置可以包括多個子像素區域，相鄰的子像素區域可以實現彼此不同的顏色，例如，該顯示裝置可以包括：顯示紅色的紅色子像素區域、顯示藍色的藍色子像素區域、顯示綠色的綠色子像素區域、以及顯示白色的白色子像素區域。
產生實現特定顏色的光的發光結構可以設置在顯示裝置的每一個子像素區域上。該發光結構可以包含依次堆疊的下電極、發光層、以及上電極。
在該顯示裝置中，發光結構的上電極由於由形成製程產生的顆粒可以部分地連接到下電極。例如，製造顯示裝置的方法可以包括修復程序，該修復程序是去除發光結構的下電極與上電極之間的接觸區域的製程。
然而，因為藉由修復程序去除下電極及/或上電極的區域作用為暗點，所以顯示裝置的發光區域可能減小。更特別地，在包括相對較小的開口區域的高解析顯示裝置中，藉由減少由於暗點所引起的發光區域，顏色的清晰度可能會降低。
因此，本發明涉及一種具有發光結構的顯示裝置，基本上消除了由於習知技術之限制和缺點所導致的一個或多個問題。
本發明的一個目的是提供一種顯示裝置，其可以藉由修復程序來防止減少發光區域。
本發明的另一個目的是提供一種顯示裝置，其可以藉由修復程序而不管暗點如何，以充分地確保發光區域。
本發明額外的優點、目的、和特點一部分將在以下說明中闡明，一部分可由本技術領域中具有通常知識者於審視以下說明或實施本發明後輕易地了解。本發明的目的和其他優點可以藉由說明書的書面描述、申請專利範圍、以及所附圖式中特定指出的結構而獲得和瞭解。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，如這裡具體且廣泛性的描述，本發明涉及一種顯示裝置，包括一下基板。該下基板包含一子像素區域，用於產生一特定顏色。一第一發光結構和一第二發光結構設置在該下基板的該子像素區域上。該第一發光結構和該第二發光結構相對於該下基板傾斜。該第一發光結構由一第一下電極、一第一發光層、和一第一上電極的一順序堆疊來界定。該第二發光結構由與該第一下電極隔開的一第二下電極、一第二發光層、和一第二上電極的一順序堆疊來界定。該第二發光結構的至少一部分相對於該下基板的該子像素區域在相關於該第一發光結構的至少一部分的一相反方向上傾斜。
在該下基板與該第一下電極的一上表面之間的距離朝向該子像素區域的中心減小，以及在該下基板與該第二下電極的一上表面之間的距離可以朝向該子像素區域的該中心減小。
一薄膜電晶體可以設置在該下基板與該第一發光結構之間。該薄膜電晶體可以包含連接到該第一下電極和該第二下電極的一汲極電極。
一下鈍化層可以設置在該薄膜電晶體上，該下鈍化層可以覆蓋該薄膜電晶體。該下鈍化層可以包含分別暴露該汲極電極的一第一接觸孔和一第二接觸孔。該第一下電極和該第二下電極可以與該下鈍化層直接接觸。
該第二發光層可以包含與該第一發光層相同的材料。
該第二發光層可以連接到該第一發光層。該第二上電極可以連接到該第一上電極。
一彩色濾光片可以設置在該第一發光結構上。該彩色濾光片可以延伸到該第二發光結構上。
一第一堤岸絕緣層可以覆蓋該第一下電極的一個邊緣，以及一第二堤岸絕緣層可以覆蓋該第一下電極的另一個邊緣。
根據本發明的另一態樣，提供一種顯示裝置，包括：在一下基板上的一第一傾斜絕緣層以及在該下基板上的一第二傾斜絕緣層。該第一傾斜絕緣層包含正錐形的一第一傾斜側邊。該第二傾斜絕緣層包含正錐形的一第二傾斜側邊。該第二傾斜絕緣層與該第一傾斜絕緣層相鄰。一第一發光結構設置在該第一傾斜側邊上。該第一發光結構由一第一下電極、一第一發光層、和一第一上電極的一順序堆疊來界定。一第二發光結構設置在該第二傾斜側邊上。該第二發光結構與第一發光結構結合形成一井部。該第二發光結構由與該第一發光結構隔開的一第二下電極、一第二發光層、和一第二上電極的一順序堆疊來界定。一彩色濾光片設置於該第一發光結構和該第二發光結構上。
該井部的寬度朝向該下基板減小。
一黑色矩陣可以設置在與該下基板相對的一上基板上。該黑色矩陣可以與該井部上方的一彩色濾光片的一側接觸。
該黑色矩陣的一側可以是負錐形的。
該黑色矩陣的一垂直厚度可以大於該彩色濾光片的一垂直厚度。
一反射圖案可以設置在該黑色矩陣的一側上。
該彩色濾光片可以在該井部中。
根據本發明的另一態樣，提供一種顯示裝置，包括：一下基板，包含用於產生一特定顏色的一子像素區域；一薄膜電晶體，在該子像素區域內該下基板的一上表面上；一第一下電極；一第二下電極；以及在該第一下電極和該第二下電極上的一發光層。該第一下電極和該第二下電極連接到一薄膜電 晶體(TFT)。該第一下電極相對於該下基板在一第一方向上傾斜，而該第二下電極相對於該下基板在一相反方向上傾斜。
該第一下電極的該上表面和該第二下電極的該上表面可以是對稱的。
該發光層包含：在該第一下電極上的一第一區段，並且在與該第一下電極相同的方向上傾斜；以及在該第二下電極上的一第二區段，並且在與該第二下電極相同的方向上傾斜。靠近該子像素區域的中心的該發光層的一部分比靠近該子像素區域的一邊緣的該發光層的一部分更靠近該下基板的該上表面。
在一些實施例中，該顯示裝置進一步包括在該TFT和該第一下電極之間的一絕緣體。該第一電極位於該絕緣體的一上表面上。該絕緣體的該上表面在與該第一下電極相同的方向上傾斜。
該顯示裝置還包括覆蓋第一下電極的一個邊緣的一第一堤岸絕緣層以及覆蓋該第一下電極的另一個邊緣的一第二堤岸絕緣層。
該第一堤岸絕緣層可以比該第二堤岸絕緣層更靠近該下基板的該上表面。
100‧‧‧下基板
110‧‧‧下鈍化層
111H‧‧‧第一接觸孔
112H‧‧‧第二接觸孔
120‧‧‧傾斜絕緣層
121h‧‧‧第一通孔
121S‧‧‧第一傾斜側邊
122h‧‧‧第二通孔
122S‧‧‧第二傾斜側邊
130‧‧‧上鈍化層
140‧‧‧外覆層
141H‧‧‧第一穿透孔
142H‧‧‧第二穿透孔
150‧‧‧傾斜絕緣層
200‧‧‧薄膜電晶體
210‧‧‧半導體圖案
220‧‧‧閘極絕緣層
230‧‧‧閘極電極
240‧‧‧層間絕緣層
250‧‧‧源極電極
260‧‧‧汲極電極
300B‧‧‧發光結構、藍色發光結構
300G‧‧‧發光結構、綠色發光結構
300R‧‧‧發光結構、紅色發光結構
300W‧‧‧發光結構、白色發光結構
301B‧‧‧第一發光結構
301G‧‧‧第一發光結構
301R‧‧‧第一發光結構
301W‧‧‧第一發光結構
302B‧‧‧第二發光結構
302G‧‧‧第二發光結構
302R‧‧‧第二發光結構
302W‧‧‧第二發光結構
311‧‧‧第一下電極
312‧‧‧第二下電極
321‧‧‧第一發光層
322‧‧‧第二發光層
331‧‧‧第一上電極
332‧‧‧第二上電極
400B‧‧‧彩色濾光片
400G‧‧‧彩色濾光片
400R‧‧‧彩色濾光片
500‧‧‧上基板
610‧‧‧黑色矩陣
620B‧‧‧彩色濾光片
620G‧‧‧彩色濾光片
620R‧‧‧彩色濾光片
630‧‧‧反射圖案
700‧‧‧填充物
810‧‧‧第一堤岸絕緣層
820‧‧‧第二堤岸絕緣層
BEA‧‧‧子像素區域、藍色子像素區域
GEA‧‧‧子像素區域、綠色子像素區域
NEA‧‧‧非發光區域
P、R‧‧‧區域
REA‧‧‧子像素區域、紅色子像素區域
WEA‧‧‧子像素區域、白色子像素區域
本發明附圖被併入以提供對本發明的進一步理解，並且被併入以構成本申請的一部分；以及說明本發明實施例，並且與說明書一起用於解釋本發明原理。在圖式中：圖1係示意性地顯示根據本發明一實施例的顯示裝置的視圖；圖2係圖1中之區域P的放大視圖；圖3至圖6係分別顯示根據本發明各種實施例之顯示裝置的各種示例的視圖；圖7係圖6中之區域R的放大視圖；以及圖8和圖9係分別顯示根據其他實施例之顯示裝置的其他示例的視圖。
在下文中，參考說明本發明實施例的附圖及以下詳細說明，將清楚地理解本發明之上述目的、技術構造、以及操作效果有關的細節。於此，提供本發明實施例，以使本發明的技術要點能夠令人滿意地傳達給本領域具有通常知識者，因此，本發明能夠以其他形式實現，並且不限於以下實施例。
此外，在整個說明書中，相同或非常相似的元件由相同的元件編號繪示，並且在附圖中，為了方便起見，層和區域的長度和厚度可能被誇大。可以理解的是，當第一元件被稱為在第二元件「上」時，縱使第一元件可以設置在第二元件上以與第二元件接觸，第三元件可以插入在第一元件和第二元件之間。
於此，例如「第一」和「第二」這樣的術語可以用於將任何一個元件與另一元件區分開。然而，根據本領域具有通常知識者的方便性，第一元件和第二元件可以任意命名，而不脫離本發明的技術範疇。
本發明的說明書中使用的術語僅僅使用以說明描述特定實施例，並不意圖限制本發明的範圍。例如，以單數形式描述的元件旨在包括多個元件，除非上下文另有明確指示。另外，在本發明的說明書中，將進一步理解，術語「包括」和「包含」是指存在該特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或其組合，但不排除存在或添加一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或組合。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本實施例所屬領域具有通常知識者一般所理解的相同的含義。還將進一步理解，諸如常用詞典中定義的術語，應被解釋為具有與相關領域文本中的含義一致的含義，不應以理想化或過度正式的方式解釋，除非在此明確地如此定義。
如本文所使用的，發光區域是指發光的發光結構的總表面積。
圖1係示意性地顯示根據本發明一實施例的顯示裝置的視圖。圖。圖2是根據圖1實施例之顯示裝置的單一子像素區域的區域P的放大視圖。
參考圖1和圖2，顯示裝置包括：下基板100、薄膜電晶體200、下鈍化層110、傾斜絕緣層120、發光結構300R、300B、300G、和300W、以及彩色濾光片400R、400B、和400G。
下基板100可以支撐傾斜絕緣層120、薄膜電晶體200、和發光結構300R、300B、300G、和300W。下基板100可以包含絕緣材料。下基板100可以包含透明材料，例如，下基板100可以包含玻璃或塑料。
下基板100可以包含子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA(統稱為「發光區域」)以及非發光區域NEA。非發光區域NEA可以設置在子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA之間。子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA可以由非發光區域NEA分開。
下基板100的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA可以實現彼此不同的顏色，例如，下基板100可以包含：實現紅色的紅色子像素區域REA、實現藍色的藍色子像素區域BEA、實現綠色的綠色子像素區域GEA、以及實現白色的白色子像素區域WEA。
薄膜電晶體200可設置在下基板100上，例如，薄膜電晶體200的每一個可以包含：半導體圖案210、閘極絕緣層220、閘極電極230、層間絕緣層240、源極電極250以及、汲極電極260。
半導體圖案210可以設置在下基板100上。半導體圖案210可以包含半導體材料，例如，半導體圖案210可以包含非晶矽或多晶矽。半導體圖案210可以包含氧化物半導體材料，例如，半導體圖案210可以包含氧化銦鎵鋅(IGZO)。
半導體圖案210可以包含源極區域、汲極區域、和通道區域。通道域區可以設置在源極區域與汲極區域之間。通道區域的導電率可以小於源極區域和汲極區域的導電率，例如，源極區域和汲極區域可以包含導電性雜質。
該顯示裝置被描述為其中下基板100與薄膜電晶體200的半導體圖案210直接接觸。然而，根據本發明另一實施例的有機發光顯示裝置可以進一步包括設置在下基板100與薄膜電晶體200之間的緩衝層，緩衝層可以包含絕緣材料，例如，緩衝層可以包含氧化矽。
閘極絕緣層220可以設置在半導體圖案210上。閘極絕緣層220可以包含絕緣材料，例如，閘極絕緣層220可以包含氧化矽及/或氮化矽。閘極絕緣 層220可以包含高K值材料，例如，閘極絕緣層220可以包含氧化鉿(HfO)或氧化鈦(TiO)。閘極絕緣層可以是多層結構。
閘極電極230可以形成在閘極絕緣層220上。閘極電極230可以與半導體圖案210的通道區重疊。閘極電極230可以藉由閘極絕緣層220與半導體圖案210絕緣。例如，閘極絕緣層220可以包含與閘極電極230垂直對齊的一側。閘極絕緣層220的一側可以與閘極電極230的一側連續。
閘極電極230可以包含導電性材料，例如，閘極電極230可以包含諸如鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、和鎢(W)等金屬。
層間絕緣層240可以設置在半導體圖案210和閘極電極230上。層間絕緣層240可以延伸到半導體圖案210的外部。半導體圖案210以及閘極電極230可被層間絕緣層240覆蓋。
層間絕緣層240可以包含絕緣材料，例如，層間絕緣層240可以包含氧化矽。
源極電極250可以設置在層間絕緣層240上。源極電極250可以電性連接至半導體圖案210的源極區域，例如，層間絕緣層240可以包含暴露半導體圖案210的源極區域的接觸孔。
源極電極250可包含導電性材料，例如，源極電極250可以包含諸如鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、銅(Cu)、和鎢(W)的金屬。源極電極250可以是多層結構。
汲極電極260可設置在層間絕緣層240上。汲極電極260可以與源極電極250分開。汲極電極260可以電性連接至半導體圖案210，例如，層間絕緣層240可以包含接觸孔，該接觸孔暴露半導體圖案210的汲極區域。
汲極電極260可以包含導電性材料，汲極電極260可以包含與源極電極250相同的材料，例如，汲極電極260可以包含諸如鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、銅(Cu)、和鎢(W)的金屬。汲極電極260的結構可以與源極電極250的結構相同，例如，汲極電極260可以是多層結構。
該顯示裝置被描述為其中半導體圖案210設置在每一個薄膜電晶體200中的下基板100與閘極電極230之間。然而，根據另一實施例的顯示裝置可以包括薄膜電晶體200，其中閘極電極230設置在下基板100與半導體圖案210之間。
下鈍化層110可以設置在薄膜電晶體200上，下鈍化層110可以延伸至源極電極250和汲極電極260的外部，例如，下鈍化層110可以與在薄膜電晶體200的源極電極250和汲極電極260的外部上的層間絕緣層240直接接觸。
下鈍化層110可以包含絕緣材料，例如，下鈍化層可以包含氧化矽及/或氮化矽。下鈍化層110可以是多層結構。
下鈍化層110可以包含第一接觸孔111H和第二接觸孔112H。第一接觸孔111H和第二接觸孔112H可以與薄膜電晶體200的汲極電極260重疊。第二接觸孔112H可以與第一接觸孔111H隔開。汲極電極260可以包含由下鈍化層110的第一接觸孔111H暴露的第一區域、以及由下鈍化層110的第二接觸孔112H暴露的第二區域。汲極電極260的第二區域可以與汲極電極260的第一區域隔開。
傾斜絕緣層120可以設置在下鈍化層110上，傾斜絕緣層120可以彼此隔開，例如，下鈍化層110的第一接觸孔111H和第二接觸孔112H可以設置在相鄰的傾斜絕緣層120之間。薄膜電晶體200的汲極電極260可以包含與傾斜絕緣層120重疊的部分和不與傾斜絕緣層120重疊的部分。
傾斜絕緣層120的每一個可以包含第一傾斜側邊121S和第二傾斜側邊122S。第一傾斜側邊121S和第二傾斜側邊122S可以相對於下基板100傾斜。例如，第一傾斜側邊121S和第二傾斜側邊122S可以是正錐形的。每一個傾斜絕緣層120的上表面的水平距離可以小於對應傾斜絕緣層120的下表面的水平距離。在一些實施例中，一個第一傾斜側邊和相鄰的第二傾斜側邊形成井部。
第二傾斜側邊122S可以與第一傾斜側邊121S相對。例如，每一個傾斜絕緣層120的第一傾斜側邊121S可以面向相鄰傾斜絕緣層120的第二傾斜側邊122S。例如，傾斜絕緣層120的第二傾斜側邊122S可以分別面對相鄰傾斜絕緣層120的第一傾斜側邊121S。
傾斜絕緣層120的上表面可以與下基板100的非發光區域NEA重疊。每一個傾斜絕緣層120的第一傾斜側邊121S和第二傾斜側邊122S可以延伸到下基板100的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA上。每一個傾斜絕緣層120的第一傾斜側邊121S和第二傾斜側邊122S可以與下基板100的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA重疊。
相鄰的傾斜絕緣層120可以在下基板100的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA的中心處隔開。例如，在下基板100與第一傾斜側邊121S之間的垂直距離和在下基板100與第二傾斜側邊122S之間的垂直距離可以朝向對應的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA的中心減小。下鈍化層110的第一接觸孔111H和第二接觸孔112H可以靠近子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA的中心設置。
傾斜絕緣層120可以包含絕緣材料，例如，傾斜絕緣層120可以包含有機絕緣材料。傾斜絕緣層120可以包含可固化材料，例如，傾斜絕緣層120可以包含熱固性樹脂。
發光結構300R、300B、300G、和300W可以設置在下基板100的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA上。發光結構300R、300B、300G、和300W中的每一個可以與下基板100之對應的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA重疊。例如，發光結構300R、300B、300G、和300W可以包含與下基板100的紅色子像素區域REA重疊的紅色發光結構300R、與下基板100的藍色子像素區域BEA重疊的藍色發光結構300B、與下基板100的綠色子像素區域GEA重疊的綠色發光結構300G、以及與下基板100的白色子像素區域WEA重疊的白色發光結構300W。
發光結構300R、300B、300G、300W可以設置在傾斜絕緣層120的第一傾斜側邊121S和第二傾斜側邊122S上。例如，發光結構300R、300B、300G、和300W中的每一個可以包含：在傾斜絕緣層120的第一傾斜側邊121S上與對應的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA重疊的第一發光結構301R、301B、301G、和301W；以及在傾斜絕緣層120的第二傾斜側邊122S上與對應的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA重疊的第二發光結構302R、302B、302G、和302W。發光結構300R、300B、300G和、300W的第二發光結構302R、302B、302G、和302W可以設置在與對應的發光結構300R、300B、300G、和300W的第一發光結構301R、301B、301G、和301W不同的傾斜絕緣層120上。例如，在第一發光結構301R、301B、301G、和301W與面對第一發光結構301R、301B、301G、和301W的第二發光結構302R、302B、302G、和302W之間的水平距離可以在遠離下基板100的方向上增加。在一些實施例中，在子像素區域中的第一發光結構和第二發光結構形成井部。
發光結構300R、300B、300G、和300W可以分別產生用於實現特定顏色的光。紅色發光結構300R的第一發光結構301R可以包含依次堆疊的第一下電極311、第一發光層321、以及第一上電極331。藍色發光結構300B的第一發光結構301B、綠色發光結構300G的第一發光結構301G、和白色發光結構300W的第一發光結構301W可以具有與紅色發光結構300R的第一發光結構301R相同的結構。紅色發光結構300R的第二發光結構302R可以包含依次堆疊的第二下電極312、第二發光層322、以及第二上電極332。藍色發光結構300B的第二發光結構302B、綠色發光結構300G的第二發光結構302G、和白色發光結構300W的第二發光結構302W可以具有與紅色發光結構300R的第二發光結構302R相同的結構。
在該顯示裝置中，在每一個子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA中相對於下基板100傾斜的兩個發光結構300R、300B、300G、和300W可以對稱地設置。因此，在該顯示裝置中，由每一個子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA的發光結構300R、300B、300G、和300W所產生的光可以被聚焦。因此，在該顯示裝置中，可見度和發光效率可以得到改善。而且，在該顯示裝置中，因為傾斜配置的發光結構300R、300B、300G、和300W，光可以相對於下基板100的表面在對角線方向上發射，所以發光區域可以增加。
發光結構300R、300B、300G、和300W中的每一個的第一發光結構301R、301B、301G、和301W以及第二發光結構302R、302B、302G、和302W可以由設置在對應的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA中的薄膜電晶體200控制。例如，紅色發光結構300R的第一發光結構301R的第一下電極311和第二發光結構302R的第二下電極312可以連接到設置在對應的紅色子像素區域REA中的薄膜電晶體200的汲極電極260。紅色發光結構300R的第一下電極311可以通過 下鈍化層110的第一接觸孔111H連接到對應的汲極電極260。紅色發光結構300R的第二下電極312可以通過下鈍化層110的第二接觸孔112H連接到對應的汲極電極260。紅色發光結構300R的第一下電極311和第二下電極312可以與下鈍化層110直接接觸。
第二發光結構302R、302B、302G、和302W的第二下電極312可以與第一發光結構301R、301B、301G、和301W的第一下電極311隔開。例如，第一下電極311和第二下電極312可以在第一接觸孔111H與第二接觸孔112H之間隔開。因此，在該顯示裝置中，當第一下電極311或第二下電極312藉由修復程序變得不可用時，對應的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA的發光區域可以藉由包含可用的下電極311或312的結構的300R、300B、300G、和300W來維持。具體來說，當第一下電極311或第二下電極312中的一個由於缺陷或修復程序而被切斷時，由可用的發光結構產生的光可能從不可用的下電極311或312反射，從而使得整個子像素區域被可用的發光結構點亮。
第一下電極311和第二下電極312可以包含導電材料。第一下電極311和第二下電極312可以包含高反射性材料，例如，第一下電極311和第二下電極312可以包含諸如鋁(Al)和銀(Ag)的金屬，第二下電極312可以包含與第一下電極311相同的材料。第一下電極311可以是多層結構，例如，第一下電極311可以是包含反射電極的結構，該反射電極具有在具有諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料的透明電極之間的高反射材料。例如，第二下電極312的結構可以與第一下電極311的結構相同。
第一發光層321可以產生光，光的亮度對應於第一下電極311與第一上電極331之間的電壓差。第二發光層322可以產生光，光的亮度對應於第二下電極312與第二上電極332之間的電壓差。例如，第一發光層321和第二發光層322可以包含具有發光材料的發光材料層(EML)。該發光材料可以是有機材料、無機材料、或混合材料。例如，該顯示裝置可以是包括有機發光層的有機發光顯示裝置。
為了提高發光效率，第一發光層321和第二發光層322可以是多層結構，例如，第一發光層321和第二發光層322還可以包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、以及電子注入層(EIL)中的至少一種。
第二發光層322可以包含與第一發光層321相同的材料，例如，第二發光層322可以連接到第一發光層321。在下鈍化層110上分離的第一下電極311與第二下電極312之間的空間可以被第一發光層321和第二發光層322填充。
在該顯示裝置中，在每一個子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA上的發光結構300R、300B、300G、和300W可以顯示相同的顏色。例如，該顯示裝置可以包括顯示白色的發光結構300R、300B、300G、和300W。在該顯示裝置中，發光結構300R、300B、300G、和300W的第二發光層322可以與對應的發光結構300R、300B、300G、和300W的第一發光層321耦合。
第一上電極331和第二上電極332可以包含導電材料。第一上電極331和第二上電極332可以分別包含與第一下電極311和第二下電極312不同的材料。例如，第一上電極331及第二上電極332可以是透明電極。因此，在該顯示裝置中，由第一發光層321和第二發光層322所產生的光可被發射通過第一上電極331和第二上電極332。
第一上電極331和第二上電極332可以沿著第一發光層321和第二發光層322延伸。例如，發光結構300R、300B、300G、和300W的第二上電極332可以連接到對應的發光結構300R、300B、300G、和300W的第一上電極331。
彩色濾光片400R、400B、和400G可以將由發光結構300R、300B、300G、和300W所產生的光轉換成特定顏色。彩色濾光片400R、400B、和400G可以與對應的子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA重疊。例如，彩色濾光片400R、400B、和400G可以包含與紅色子像素區域REA重疊的紅色彩色濾光片400R、與藍色子像素區域BEA重疊的藍色彩色濾光片400B、以及與綠色子像素區域GEA重疊的綠色彩色濾光片400G。
彩色濾光片400R、400B、和400G可以設置在每一個發光結構300R、300B、300G、和300W的第一發光結構301R、301B、301G、和301W與第二發光結構302R、302B、302G、和302W之間的空間中。例如，紅色彩色濾光片400R可以填充紅色發光結構300R的第一發光結構301R與第二發光結構302R之間的空間。因此，在該顯示裝置中，漏光現象可能減少。
該顯示裝置可以進一步包括在發光結構300R、300B、300G、和300W上的上鈍化層130，可以減少由於溼氣滲透和衝擊所導致的發光結構300R、300B、300G、和300W的損壞。上鈍化層130可以包含絕緣材料，例如，上鈍化層130可以包含氧化矽及/或氮化矽。上鈍化層130可以是多層結構。
該顯示裝置還可以包括在上鈍化層130上的上基板500。上基板500可以面對下基板100。上基板500可以包含絕緣材料。上基板500可以包含透明材料。例如，上基板500可以包含玻璃或塑料。
黑色矩陣610可以設置在上基板500上。黑色矩陣610可以與下基板100的非發光區域NEA重疊。黑色矩陣610的下表面可以面向傾斜絕緣層120的上表面。
該顯示裝置可以進一步包括填充下基板100與上基板500之間的空間的填充物700。填充物700可以防止由於外部衝擊而損壞發光結構300R、300B、300G、和300W。例如，填充物700可以在發光結構300R、300B、300G、和300W與黑色矩陣610之間延伸。
因此，在該顯示裝置中，在單一子像素區域上的發光結構可以被分成相對於下基板傾斜設置的第一發光結構和第二發光結構。而且，在該顯示裝置中，第一發光結構和第二發光結構可以對稱設置，使得由單一子像素區域上的兩個發光結構所產生的光可以聚焦在對應的子像素區域。因此，在該顯示裝置中，可以防止因修復程序所致之發光面積的減小，並且可以提高發光效率。
該顯示裝置被描述為其中彩色濾光片400R、400B、和400G填充在每一個發光結構300R、300B、300G、和300W的第一發光結構301R、301B、301G、和301W與第二發光結構302R、302B、302G、和302W之間的空間。然而，根據另一個實施例的顯示裝置可以包括位於上基板500的黑色矩陣610之間的彩色濾光片620R、620B、和620G，如圖3所示。在根據另一實施例的顯示裝置中，黑色矩陣610的垂直厚度可以大於彩色濾光片620R、620B、和620G的垂直厚度。因此，在根據另一個實施例的顯示裝置中，可以防止由於彩色濾光片620R、620B、和620G的形成程序所導致之發光結構300R、300B、300G、和300W的損壞，並且漏光可以是有效地減少。
根據另一實施例的顯示裝置被描述為其中黑色矩陣的一側可以是正錐形的。然而，根據再另一實施例的顯示裝置可以包括具有負錐形的一側的黑色矩陣610，如圖4所示。而且，根據再另一實施例的顯示裝置還可以包括反射圖案630，該反射圖案630在黑色矩陣的負錐形的一側上。因此，在根據再另一實施例的顯示裝置中，朝向黑色矩陣傳播的光可以藉由反射圖案在向外方向上發射。因此，在根據再另一實施例的顯示裝置中，可以減少漏光，並且可以有效地提高發光效率。
該顯示裝置被描述為其中傾斜絕緣層120設置在下鈍化層110上。然而，根據另一實施例的顯示裝置可以包括順序地堆疊在下鈍化層110上的外覆層140和傾斜絕緣層150，如圖5所示。外覆層140的上表面可以與下基板100的表面平行。外覆層140可以延伸到傾斜絕緣層150的外部。例如，外覆層140可以包含分別暴露薄膜電晶體200的一部分的第一穿透孔141H和第二穿透孔142H。
該顯示裝置被描述為其中第一下電極311的邊緣和第二下電極312的邊緣被第一發光層321和第二發光層322覆蓋。然而，根據另一實施例的顯示裝置可以包括覆蓋設置在下鈍化層110附近的第一下電極311和第二下電極312的端部的第一堤岸絕緣層810、以及覆蓋傾斜絕緣層120的上表面的第一下電極311和第二下電極312的端部的第二堤岸絕緣層820，如圖6及圖7所示。因此，在根據另一實施例的顯示裝置中，第二下電極312可以與相鄰的第一下電極311充分絕緣。
該顯示裝置被描述為其中暴露對應薄膜電晶體200的汲極電極的下鈍化層110的第一接觸孔111H和第二接觸孔112H設置在相鄰的傾斜絕緣層120之間。然而，根據另一實施例的顯示裝置可以包括下鈍化層110，該下鈍化層110包含與傾斜絕緣層120重疊的第一接觸孔111H和第二接觸孔112H，如圖8所示。在根據另一實施例的顯示裝置中，傾斜絕緣層120可以包含與第一接觸孔111H垂直對準的第一通孔121h以及與第二接觸孔112H垂直對準的第二通孔122h。因此，在該顯示裝置中，下鈍化層110的第一接觸孔111H和第二接觸孔112H的配置自由度可以增加。
該顯示裝置被描述為其中發光結構300R、300B、300G、和300W顯示相同的顏色，並且每一個子像素區域REA、BEA、GEA、和WEA藉由使用彩色濾光片400R、400B、和400G實現對應的顏色。然而，根據另一個實施例的顯示裝置可以包括分別具有與相鄰的發光結構300R、300B、300G、和300W分離的發光層的發光結構300R、300B、300G、和300W，如圖9所示。例如，發光結構300R、300B、300G、和300W中的每一個可以顯示彼此不同的顏色。因此，該顯示裝置可以不使用彩色濾光片。
該顯示裝置可以包括設置在單一子像素區域上並且相對於下基板傾斜的兩個發光結構，以聚焦由兩個發光結構發射的光。因此，在該顯示裝置中，當單一子像素區域中的一個發光結構由於修復程序而包含暗點或變得不可用時，單一子像素區域的發光區域可能不會減小。因此，在該顯示裝置中，可以提高發光效率。
本申請案主張於2016年11月30日提交的韓國專利申請第10-2016-0162334號的優先權權益，該專利申請藉由在此全部引用併入本申請中。

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包括：一下基板，包含一子像素區域，用於產生一特定顏色；一第一發光結構，在該下基板的該子像素區域上，該第一發光結構相對於該下基板傾斜，該第一發光結構由一第一下電極、一第一發光層、和一第一上電極的一順序堆疊來界定；以及一第二發光結構，在該下基板的該子像素區域上，該第二發光結構相對於該下基板傾斜，該第二發光結構由一第二下電極、一第二發光層、和一第二上電極的一順序堆疊來界定，其中，該第二發光結構的至少一部分相對於該下基板之該子像素區域在相關於該第一發光結構的至少一部分的一相反方向上傾斜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，在該下基板與該第一下電極的一上表面之間的距離朝向該子像素區域的中心減小，以及在該下基板與該第二下電極的一上表面之間的距離朝向該子像素區域的該中心減小。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，進一步包括一薄膜電晶體，在該下基板與該第一發光結構之間，其中，該薄膜電晶體包含一汲極電極，電性連接到該第一下電極和該第二下電極。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，進一步包括一下鈍化層，覆蓋該薄膜電晶體，該下鈍化層包含一第一接觸孔和一第二接觸孔，分別暴露該汲極電極，其中，該第一下電極和該第二下電極與該下鈍化層直接接觸。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中，該第二發光層包含與該第一發光層相同的材料。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中，該第二發光層與該第一發光層連接，以及其中，該第二上電極與該第一上電極連接。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，進一步包括一彩色濾光片，在該第一發光結構上，該彩色濾光片延伸至該第二發光結構上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，進一步包括： 一第一堤岸絕緣層，覆蓋該第一下電極的一邊緣，以及一第二堤岸絕緣層，覆蓋該第一下電極的另一邊緣。
  9. 一種顯示裝置，包括：一第一傾斜絕緣層，在一下基板上，該第一傾斜絕緣層包含正錐形的一第一傾斜側邊；一第二傾斜絕緣層，在該下基板上，該第二傾斜絕緣層包含正錐形的一第二傾斜側邊，該第二傾斜絕緣層與該第一傾斜絕緣層相鄰；一第一發光結構，在該第一傾斜側邊上，該第一發光結構由一第一下電極、一第一發光層、和一第一上電極的一順序堆疊來界定；以及一第二發光結構，在該第二傾斜側邊上，該第二發光結構與第一發光結構一起形成一井部，該第二發光結構由與該第一發光結構隔開的一第二下電極、一第二發光層、和一第二上電極的一順序堆疊來界定。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中，該井部的一寬度朝向該下基板減小。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，進一步包括一黑色矩陣，在與該下基板相對的一上基板上，該黑色矩陣與該井部上方的一彩色濾光片的一側接觸，其中，該黑色矩陣的一側係負錐形的。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中，該黑色矩陣的一垂直厚度大於該彩色濾光片的一垂直厚度。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，進一步包括一反射圖案，在該黑色矩陣的該側上。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中，一彩色濾光片在該井部中。
  15. 一種顯示裝置，包括：一下基板，包含一子像素區域，用於產生一特定顏色；一薄膜電晶體(TFT)，在該子像素區域中的該下基板的一上表面上； 一第一下電極，耦合至該TFT，該第一下電極的一上表面的至少一部分在相對於該下基板的一方向上傾斜；一第二下電極，耦合至該TFT，該第二下電極的一上表面的至少一部分在相對於該第一下電極的該上表面的一相反方向上傾斜；以及一發光層，在該第一下電極和該第二下電極上，用於響應從該TFT經由該第一下電極和該第二下電極至該發光層所提供的電流而發光。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中，該第一下電極的該上表面和該第二下電極的該上表面係對稱的。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中，該發光層包含：一第一區段，在該第一下電極上，並且在與該第一下電極相同的方向上傾斜；以及一第二區段，在該第二下電極上，並且在與該第二下電極相同的方向上傾斜，其中，靠近該子像素區域的中心的該發光層的一部分比靠近該子像素區域的一邊緣的該發光層的一部分更靠近該下基板的該上表面。
  18. 如申請專利範圍第15項之顯示裝置，進一步包括：一絕緣體，在該TFT與該第一下電極之間，該第一下電極在該絕緣體的一上表面上，該絕緣體的該上表面在與該第一下電極相同的方向上傾斜。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，進一步包括：一第一堤岸絕緣層，覆蓋該第一下電極的一個邊緣；以及一第二堤岸絕緣層，覆蓋該第一下電極的另一個邊緣。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之顯示裝置，其中，該第一堤岸絕緣層比該第二堤岸絕緣層更靠近該下基板的該上表面。
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