CN109300937B - 具有滤色器的显示装置 - Google Patents

具有滤色器的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109300937B
CN109300937B CN201810804476.9A CN201810804476A CN109300937B CN 109300937 B CN109300937 B CN 109300937B CN 201810804476 A CN201810804476 A CN 201810804476A CN 109300937 B CN109300937 B CN 109300937B
Authority
CN
China
Prior art keywords
color
conversion pattern
red
green
pixel region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810804476.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109300937A (zh
Inventor
李承范
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN109300937A publication Critical patent/CN109300937A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109300937B publication Critical patent/CN109300937B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/28—Interference filters
    • G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
    • G02B5/286—Interference filters comprising deposited thin solid films having four or fewer layers, e.g. for achieving a colour effect
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133519—Overcoatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8721—Metallic sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供了一种具有滤色器的显示装置。该显示装置可包括至少一个色彩转换图案，实现与滤色器相同的色彩。该色彩转换图案可由滤色器包围。因此，根据本发明实施方式的显示器，在不增加总体厚度的情况下可对色域进行改善。

Description

具有滤色器的显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，该显示装置包括像素区以利用滤色器来实现色彩。
背景技术
通常，电子装置，例如监视器、电视机、笔记本计算机和数码相机，包括用于显示图像的显示装置。例如，显示装置可以包括液晶显示器和/或有机发光显示器。
显示装置可以包括多个像素区。例如，显示装置可以包括实现红色的红色像素区、实现绿色的绿色像素区、实现蓝色的蓝色像素区和实现白色的白色像素区。
显示装置可以利用滤色器实现特定的色彩。例如，显示装置可以包括设置在红色像素区上的红色滤色器、设置在绿色像素区上的绿色滤色器和设置在蓝色像素区上的蓝色滤色器。
然而，因为滤色器通过吸收或屏蔽特定波长的光以实现相应色彩，所以滤色器可能减弱光的亮度和效率。另外，因为显示装置不包括设置在白色像素区上的滤色器，由于各像素区中实现的色彩之间的特性不同，所以调节光坐标可能困难。
为防止由于滤色器实现的色彩造成的特性下降，显示装置可以在滤色器上层叠色彩转换图案。色彩转换图案可以使用具有比实现相应色彩的波长范围短的波长的光来实现具有相应的色彩的波长范围的光。然而，在显示装置中，由于滤色器和色彩转换图案的层叠，可能增加整体厚度。
发明内容
因此，本发明涉及一种显示装置，其基本上消除了由于相关技术的局限和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种显示装置，其能够在不增加整体厚度的情况下，增加在具有滤色器的像素区域中实现的色彩的特性。
本发明的另一目的是提供一种可以容易地调节色彩坐标的显示装置。
更多本发明的优点、目的和特征部分将于下文中进行描述，也有部分对本领域普通技术人员来说，可通过对下文的研读变得显而易见、或者可以通过本发明的实践了解到。本发明的目的和其他优点可以通过在说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现。
为了实现这些目的和其他优点，根据本发明的目的，如本文中具体化和广泛描述的，提供了一种显示装置，该显示装置包括设置在下基板上的上基板。滤色器设置在下基板和上基板之间，该滤色器包括至少一个通孔。色彩转换图案设置在滤色器的通孔中。
色彩转换图案可以与所述滤色器实现同一种色彩。
滤色器的侧面与色彩转换图案的侧面可以呈锥形。色彩转换图案的侧面可以在与滤色器的侧面相反的方向呈锥形。
滤色器的侧面可以呈锥形。
色彩转换层可以被设置在滤色器和上基板之间，该色彩转换层可以在色彩转换图案和上基板之间延伸。发光结构可以被设置在色彩转换层和上基板之间。该发光结构可以包括依次层叠的下电极、发光层和上电极。涂覆层可以被设置在色彩转换层和发光结构之间。
色彩转换层的厚度可以薄于滤色器的厚度。
色彩转换层可以包括与色彩转换图案相同的材料。
色彩转换图案的厚度可以与滤色器的厚度相同。
在另一实施方式中，一种显示装置包括下基板。该下基板包括白色像素区和第一像素区。白色像素区用于实现白色。第一像素区用于实现非白色。第一滤色器被设置在下基板的第一像素区上。第一滤色器包括至少一个通孔。第一色彩转换图案设置于第一滤色器的通孔中。第二色彩转换图案被设置在下基板的白色像素区。第二色彩转换图案包括与所述第一色彩转换图案相同的材料。
第二色彩转换图案的数目可以与第一色彩转换图案的数目不同。
第二色彩转换图案的侧面可以在与第一色彩转换图案的侧面相同的方向呈锥形。
第二色彩转换图案的厚度可以与第一色彩转换图案的厚度相同。
第二滤色器可以被设置在下基板的第二像素区上。该第二像素区可以实现与白色像素区和第一像素区不同的色彩。第二滤色器可以包括至少一个第二通孔。第三色彩转换图案可以被设置在第二滤色器的第二通孔中。第四色彩转换图案可以被设置在下基板的白色像素区上。
第三色彩转换图案的数目可以与第一色彩转换图案的数目不同。
第四色彩转换图案的数目可以与第二色彩转换图案的数目不同。
在又一实施方式中，一种显示装置包括下基板。该下基板包括红色像素区、绿色像素区、蓝色像素区和白色像素区。红色滤色器和至少一个第一红色转换图案被设置在下基板的红色像素区上。红色滤色器围绕第一红色转换图案。绿色滤色器和至少一个第一绿色转换图案被设置在所述下基板的绿色像素区上。绿色滤色器围绕第一绿色转换图案。蓝色滤色器，设置于下基板的述蓝色像素区。至少一个第二红色转换图案和至少一个第二绿色转换图案被设置在下基板的白色像素区上。
第二红色转换图案的厚度可以厚于第一红色转换图案的厚度。第二绿色转换图案的厚度可以厚于第一绿色转换图案的厚度。
红色转换层可设置于红色滤色器与第一红色转换图案上。绿色转换层可设置于绿色滤色器与第一绿色转换图案上。第二红色转换图案的背向下基板的上表面可以与红色转换层的背向下基板的上表面共面。第二绿色转换图案的背向下基板的上表面可以与绿色转换层的背向下基板的上表面共面。
第二红色转换图案的侧面和第二绿色转换图案的侧面可以在与第一红色转换图案的侧面和第一绿色转换图案的侧面相反的方向呈锥形。
第一红色转换图案的侧面和第一绿色转换图案的侧面可以呈倒锥形。
附图说明
本申请包括附图，以提供本发明的实施方式的进一步理解，附图被并入本申请且构成本申请的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本说明书一起用来解释本发明的实施方式的原理。在附图中：
图1是示意性地示出根据本发明的实施方式的显示装置的视图；
图2A是沿着图1的线I-I'和线II-II'截取的视图；
图2B是沿着图1的线III-III'和线IV-IV'截取的视图；
图3A至5A和图3B至5B是分别示出根据本发明的另一实施方式的显示装置的视图；
图6A至11A和图6B至11B是顺序地示出形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法的视图；
图12A和12B是示出形成根据本发明的实施方式的显示装置的另一种方法的视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明实施方式的上述目的、技术配置和操作效果的细节，并阐明本发明的一些实施方式。在此，提供本发明的这些实施方式，是为了将本发明的技术实质充分地传达给本领域技术人员，因此本发明可以以其他形式体现，并不限于以下所描述的实施方式。
此外，相同或很相似的元件可在整个说明书中使用相同的参考标号指代，并且在示图中，为了方便起见可能夸大层和区域的长度和厚度。应当理解的是，当第一元件被称为在第二元件“上”时，尽管第一元件可以设置在第二元件上以便与第二元件接触，但是第三元件可以插在第一元件和第二元件之间。
这里，诸如“第一”和“第二”的术语可以用来区分任何一个元件和另一个元件。然而，第一元件和第二元件可以根据本领域技术人员的便利而任意命名，而不偏离本发明的技术精神。
本发明说明书中所使用的术语仅用于描述特定的实施方式，并不旨在限制本发明的范围。例如，除非上下文清楚地相反地提到，以单数形式描述的元件旨在包括多个元件。此外，在本发明的说明书中，术语“包括”和“包含”将进一步理解为明确存在的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
除另有定义，此处使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与示例实施方式所属的本领域普通技术人员通常所理解的相同含义。应进一步理解的是，术语，如常用词典中定义的术语，应被解释为与在相关技术领域的上下文中一致的含义，除非明确说明，否则不应以理想化或过于正式的意义来解释。
(实施方式)
图1是根据本发明实施方式的显示装置的示意图。图2A是沿着图1的线I-I'和II-II'截取的视图。图2B是沿着图1的线III-III'和IV-IV'截取的视图。
参照图1、图2A和图2B，根据本发明的实施方式的显示装置可以包括下基板110。下基板110可以包括绝缘材料。下基板110可以包括透明材料。例如，下基板110可以是玻璃或塑料。
下基板110可以包括像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA。每个像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA可以实现与相邻像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA不同的色彩。例如，下基板110可以包括并排设置的红色像素区R-PA、绿色像素区G-PA、蓝色像素区B-PA和白色像素区W-PA。
根据本发明的实施方式的显示装置的描述，每个像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA具有相同的尺寸。然而，根据本发明的另一实施方式的显示装置可以包括具有不同尺寸的像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA。例如，在根据本发明的另一实施方式的显示装置中，红色像素区R-PA的面积和绿色像素区G-PA的面积可以小于蓝色像素区B-PA的面积和白色像素区W-PA的面积。
上基板120可设置在下基板110上。上基板120可以与下基板110的像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA重叠。例如，上基板120可以与下基板110的红色像素区R-PA、绿色像素区G-PA、蓝色像素区B-PA和白色像素区W-PA重叠。
上基板120可以包括与下基板110不同的材料。上基板120可以包括硬度至少为一定水平的材料。例如，上基板120可以包括金属，例如铝(Al)、铁(Fe)和镍(Ni)。
选通线GL、数据线DL和电源线PL1可以设置在下基板110和上基板120之间。例如，选通线GL、数据线DL和电源线PL1可以设置在下基板110的、面向上基板120的上表面上。
选通线GL可以沿某方向延伸。数据线DL可以与选通线GL相交。电源线PL1可以与数据线DL平行。选通线GL、数据线DL和电源线PL1可以设置在相邻像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA之间。例如，像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA可以由选通线GL、数据线DL和电源线PL1限定。选通线GL、数据线DL和电源线PL1可以围绕每个像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA。
每个像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA中可以设置驱动电路。例如，每个像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA的驱动电路可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
第二薄膜晶体管T2可具有与第一薄膜晶体管T1相同的结构。例如，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以分别包括半导体图案210、栅极绝缘层220、栅极230、层间绝缘层240、源极250和漏极260。
半导体图案210可靠近下基板110设置。半导体图案210可以包括半导体材料。例如，半导体图案210可以包括非晶硅或多晶硅。半导体图案210可以是氧化物半导体。例如，半导体图案210可以包括IGZO。
半导体图案210可包括源极区、漏极区和沟道区。沟道区可以设置在源极区和漏极区之间。沟道区的导电率可以低于源极区和漏极区的导电率。例如，源极区和漏极区可以包括导电杂质。
栅极绝缘层220可设置在半导体图案210上。栅极绝缘层220可以部分覆盖半导体图案210的、背向下基底110的上表面。例如，栅极绝缘层220可以与半导体图案210的沟道区重叠。
栅极绝缘层220可包括绝缘材料。例如，栅极绝缘层220可以包括氧化硅和/或氮化硅。栅极绝缘层220可以包括高K材料。例如，栅极绝缘层220可以包括氧化铪(HfO)或氧化钛(TiO)。栅极绝缘层220可以具有多层结构。
栅极230可设置在栅极绝缘层220上。栅极230可以通过栅极绝缘层220与半导体图案210绝缘。例如，栅极230可以与半导体图案210的沟道区重叠。
栅极230可包括导电材料。例如，栅极230可以包括金属，例如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)。
层间绝缘层240可设置在半导体图案210和栅极230上。层间绝缘层240可以延伸到半导体图案210之外。例如，第二薄膜晶体管T2的层间绝缘层240可以联接至第一薄膜晶体管T1的层间绝缘层240。
层间绝缘层240可包括绝缘材料。例如，层间绝缘层240可以包括氧化硅。
源极250和漏极260可以设置在层间绝缘层240上。源极250可以电连接至半导体图案210的源极区。漏极260可以电连接至半导体图案210的漏极区。漏极260可以与源极250隔开。例如，层间绝缘层240可以包括暴露半导体图案210的源极区的接触孔和暴露半导体图案210的漏极区的接触孔。
源极250和漏极260可包括导电材料。例如，源极250和漏极260可以分别包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)的金属。漏极260可以包括与源极250相同的材料。栅极230可以包括与源极250和漏极260不同的材料。
第一薄膜晶体管T1可被选通线GL施加的栅极信号控制。例如，第一薄膜晶体管T1的栅极230可以是选通线GL的一部分。第二薄膜晶体管T2的栅极230可以电连接到第一薄膜晶体管T1。例如，第一薄膜晶体管T1可以根据栅极信号将通过数据线DL施加的数据信号传送到第二薄膜晶体管T2的栅极230。第二薄膜晶体管T2可以根据数据信号产生驱动电流。存储电容器Cst可以将第二薄膜晶体管T2的运算保持一帧。
缓冲层130可设置在下基板110与驱动电路之间。缓冲层130可以延伸至驱动电路之外。例如，缓冲层130可以设置在下基板110和第一薄膜晶体管T1之间，并且可以延伸至下基板110和第二薄膜晶体管T2之间。
缓冲层130可包括绝缘材料。例如，缓冲层130可以包括氧化硅。
复位电力线PL2和复位线RL可以设置在下基板110的上表面上。复位电力线PL2可以与电源线PL1平行。复位线RL可以与选通线GL平行。每个驱动电路可以包括第三薄膜晶体管T3。第三薄膜晶体管T3可以被通过复位线RL施加的复位信号来控制。例如，第三薄膜晶体管T3的栅极可以是复位线RL的一部分。存储电容器Cst可以由第三薄膜晶体管T3复位。例如，第三薄膜晶体管T3可以根据复位信号将存储电容器Cst电连接到复位电力线PL2。
下钝化层140可设置在驱动电路上。下钝化层140可以设置在下基板110和上基板120之间。例如，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以被下钝化层140覆盖。下钝化层140可以防止由于外部冲击和湿气引起的驱动电路的损坏。下钝化层140可以延伸到驱动电路之外。
下钝化层140可包括绝缘材料。例如，下钝化层140可以包括氧化硅和/或氮化硅。下钝化层140可以具有多层结构。
涂覆层150可设置在下钝化层140与上基板120之间。涂覆层150可以消除由驱动电路造成的厚度差。例如，涂覆层150的、面向上基板120的上表面可以是平坦的表面。涂覆层150的上表面可以与下基板110的上表面平行。
涂覆层150可包括绝缘材料。涂覆层150可以包括不同于下钝化层140的材料。例如，涂覆层150可以包括有机绝缘材料。
发光结构300R、300G、300B和300W可以设置在涂覆层150和上基板120之间。发光结构300R、300G、300B和300W可以分别生成实现特定色彩的光。例如，每个发光结构300R、300G、300B和300W可以包括下电极310R、310G、310B和310W、发光层320R、320G、320B和320W、以及上电极330R、330G、330B和330W，下电极、发光层和上电极是依次层叠的。
下电极310R、310G、310B和310W可包括导电材料。下电极310R、310G、310B和310W可以包括透明材料。例如，下部电极310R、310G、310B和310W可以是由ITO和/或IZO形成的透明电极。
发光层320R、320G、320B和320W可以产生具有与电压差相对应的亮度的光，该电压差为下电极310R、310G、310B和310W以及上电极330R、330G、330B和330W之间的电压差。例如，发光层320R、320G、320B和320W可以包括具有发光材料的发光材料层(EML)。发光材料可以是有机材料、无机材料和杂化材料。例如，根据本发明的实施方式的显示装置可以是包括有机材料形成的发光层320R、320G、320B和320W的有机发光显示装置。
为提高发光效能，发光层320R、320G、320B和320W可以具有多层结构。例如，发光层320R、320G、320B和320W可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、选择传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
上电极330R、330G、330B和330W可包括导电材料。上电极330R、330G、330B和330W可以包括与下电极310R、310G、310B和310W不同的材料。例如，上电极330R、330G、330B和330W可以包括具有高反射率的金属。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，由发光层320R、320G、320B和320W产生的光可以发射透过下基板110。
发光结构300R、300G、300B和300W可以与像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA重叠。例如，发光结构300R、300G、300B和300W可以包括与红色像素区R-PA重叠的红色发光结构300R、与绿色像素区G-PA重叠的绿色发光结构300G、与蓝色像素区B-PA重叠的蓝色发光结构300B、以及与白色像素区W-PA重叠的白色发光结构300W。
发光结构300R、300G、300B和300W中的每一个都可以通过设置在相应像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA中的驱动电路来控制。例如，每个发光结构300R、300G、300B和300W的下电极310R、310G、310B和310W可以电连接到设置在相应像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA中的第二薄膜晶体管T2的漏极260。下钝化层140和涂覆层150分别可包括接触孔140h和150h。接触孔140h和150h用以暴露设置在每个像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA中的第二薄膜晶体管T2的漏极260。
每个发光结构300R、300G、300B和300W可不与设置在对应的像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA中的驱动电路重叠。例如，每个发光结构300R、300G、300B和300W的下电极310R、310G、310B和310W可以延伸到相应的驱动电路之外。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，由发光结构300R、300G、300B和300W产生的光可以不被驱动电路阻挡。
可对发光结构300R、300G、300B和300W独立控制。例如，每个发光结构300R、300G、300B和300W的下电极310R、310G、310B和310W可以与相邻发光结构300R、300G、300B和300W的下电极310R、310G、310B和310W绝缘。每个下电极310R、310G、310B和310W可以与相邻的下电极310R、310G、310B和310W隔开。
相邻的下电极310R、310G、310B和310W可通过堤绝缘层160绝缘。例如，相邻的下电极310R、310G、310B和310W之间的空间可以被堤绝缘层160填充。堤绝缘层160可以覆盖每个下电极310R、310G、310B和310W的边缘。例如，堤绝缘层160可以与每个像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA中的驱动电路重叠。
堤绝缘层160可包括绝缘材料。例如，堤绝缘层160可以包括有机绝缘材料。堤绝缘层160可以包括与涂覆层150不同的材料。
各发光结构300R、300G、300B和300W可实现与相邻发光结构300R、300G、300B和300W相同的色彩。例如，红色发光结构300R、绿色发光结构300G、蓝色发光结构300B和白色发光结构300W可实现白色。每个发光结构300R、300G、300B和300W的发光层320R、320G、320B和320W可以连接到相邻发光结构300R、300G、300B和300W的发光层320R、320G、320B和320W。例如，发光结构300R、300G、300B和300W的发光层320R、320G、320B和320W可以延伸至堤绝缘层160上。每个发光结构300R、300G、300B和300W的上电极330R、330G、330B和330W可以沿着相应发光结构300R、300G、300B和300W的发光层320R、320G、320B和320W延伸。例如，每个发光结构300R、300G、300B和300W的上电极330R、330G、330B和330W可以连接至相邻发光结构300R、300G、300B和300W的上电极330R、330G、330B和330W。
滤色器400R、400G和400B可以设置在下基板110和发光结构300R、300G、300B和300W之间。滤色器400R、400G和400B可以通过部分吸收或阻挡由发光结构300R、300G、300B和300W产生的光来实现特定色彩。滤色器400R、400G和400B可与相应的发光结构300R、300G、300B和300W重叠。例如，滤色器400R、400G和400B可以包括设置在下基板110的红色像素区R-PA和红色发光结构300R之间的红色滤色器400R、设置在下基板110的绿色像素区G-PA和绿色发光结构300G之间的绿色滤色器400G、以及设置在下基板110的蓝色像素区B-PA和蓝色发光结构300B之间的蓝色滤色器400B。由于发光结构300R、300G、300B和300W实现白色，所以滤色器400R、400G、400B可以不设置在下基板110的白色像素区W-PA上。
红色滤色器400R可利用红色发光结构300R产生的光实现红色，例如，红色滤色器400R可设置在下钝化层140和涂覆层150之间。由红色滤色器400R引起的厚度差可以通过涂覆层150消除。红色滤色器400R可以与红色发光结构300R的红色下电极310R的被堤绝缘层160暴露的部分重叠。例如，红色滤色器400R可以与下基板110的红色像素区R-PA中的驱动电路隔开。
红色滤色器400R可包括至少一个红色通孔400RH。红色通孔400RH可以通过将红色滤色器400R图案化的工艺形成。例如，红色通孔400RH的侧面可以呈倒锥形。
第一红色转换图案510R可设置在红色滤色器400R的红色通孔400RH中，第一红色转换图案510R可完全填满红色滤色器400R的红色通孔400RH。例如，第一红色转换图案510R的厚度可以与红色滤色器400R的厚度相同，第一红色转换图案510R可以被红色滤色器400R围绕。
通孔400RH可设置于下背板110的红色像素区R-PA的驱动电路之外。例如，第一红色转换图案510R可以与下基板110的红色像素区R-PA中的驱动电路隔开。
第一红色转换图案510R可以与红色发光结构300R重叠，第一红色转换图案510R可以利用红色发光结构300R产生的光实现红色。例如，第一红色转换图案510R可以将由红色发光结构300R产生的波长短于红色的光转换成具有红色波长的光。
根据本发明的实施方式的显示装置可以包括第一红色转换图案510R。该第一红色转换图案510R与下基板110的红色像素区R-PA上的红色滤色器400R并排设置。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，由红色滤色器400R实现的红色和由第一红色转换图案510R实现的红色可以同时发射在下基板110的红色像素区R-PA上。也即，在根据本发明的实施方式的显示装置中，下基板110的红色像素区R-PA中实现的红色的光亮和效能可以有所提升。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以改善红色的色域。
第一红色转换图案510R的侧面可以呈锥形，其倾斜方向可红色通孔400RH的侧面相同。例如，第一红色转换图案510R的侧面的锥向倾斜的方向可以与红色滤色器400R的侧面相反。第一红色转换图案510R的侧面可以呈倒锥形。
第一红色转换图案510R的数目可以与红色滤色器400R的红色通孔400RH的数目相同。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，第一红色转换图案510R的相对面积可以根据红色滤色器400R的红色通孔400RH的数目和大小进行调节。因此，在本发明实施方式的显示装置中，可以很容易地调节下基板110的红色像素区R-PA中实现的红色的特性。
绿色滤色器400G可利用绿色发光结构300G产生的光实现绿色，例如，绿色滤色器400G可设置在下钝化层140和涂覆层150之间。由绿色滤色器400G引起的厚度差可以通过涂覆层150消除。绿色滤色器400G可以与绿色发光结构300G的绿色下电极310G的被堤绝缘层160暴露的部分重叠。例如，绿色滤色器400G可以包括位于下基板110的绿色像素区G-PA中的驱动电路外的部分。
绿色滤色器400G可包括至少一个绿色通孔400GH。绿色通孔400GH可以通过将绿色滤色器400G图案化的工艺来形成。例如，面向绿色通孔400GH的绿色滤色器400G的侧面可以呈正锥形。
第一绿色转换图案510G可设置在绿色滤色器400G的绿色通孔400GH中，第一绿色转换图案510G可完全填满绿色滤色器400G的绿色通孔400GH。例如，第一绿色转换图案510G的厚度可以与绿色滤色器400G的厚度相同，第一绿色转换图案510G可以被绿色滤色器400G围绕。
通孔400GH可设置于下背板110的绿色像素区G-PA的驱动电路之外。例如，第一绿色转换图案510G可以与下基板110的绿色像素区G-PA中的驱动电路隔开。
第一绿色转换图案510G可以与绿色发光结构300G重叠，第一绿色转换图案510G可以利用绿色发光结构300G产生的光实现绿色。例如，第一绿色转换图案510G可以将由绿色发光结构300G产生的波长短于绿色的光转换成具有绿色波长的光。
根据本发明的实施方式的显示装置可以包括第一绿色转换图案510G，该第一绿色转换图案510G与下基板110的绿色像素区G-PA上的绿色滤色器400G并排设置。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，由绿色滤色器400G实现的绿色和由第一绿色转换图案510G实现的绿色可以同时发射在下基板110的绿色像素区G-PA上。即，在根据本发明的实施方式的显示装置中，下基板110的绿色像素区G-PA中实现的绿色的光亮和效能可以有所提升。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以改善绿色的色域。
第一绿色转换图案510G的侧面可以呈锥形，其倾斜方向可与绿色通孔400GH的侧面相同。例如，第一绿色转换图案510G的侧面可以在与绿色滤色器400G的侧面相反的方向呈锥形。第一绿色转换图案510G的侧面可以是呈倒锥形。
第一绿色转换图案510G的数目可以与绿色滤色器400G的绿色通孔400GH的数目相同。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，第一绿色转换图案510G的相对面积可以根据绿色滤色器400G的绿色通孔400GH的数目和大小进行调节。因此，在本发明实施方式的显示装置中，可以很容易地调节下基板110的绿色像素区G-PA中实现的绿色的特性。
绿色转换图案510G的数目可以与红色转换图案510R的数目不同。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以独立调节红色像素区R-PA中实现的红色的特性与绿色像素区域G-PA中实现的绿色的特性。
蓝色滤色器400B可以利用蓝色发光结构300B产生的光来实现蓝色。例如，蓝色滤色器400B可以设置在下钝化层140和涂覆层150之间。由蓝色滤色器400B引起的厚度差可以通过涂覆层150消除。蓝色滤色器400B可以与蓝色发光结构300B的蓝色下电极310B的被堤绝缘层160暴露的部分重叠。例如，蓝色滤色器400B可以包括位于下基板110的蓝色像素区B-PA中的驱动电路外的部分。
至少一个第二红色转换图案520R可以设置在下基板110的白色像素区W-PA上。第二红色转换图案520R可以与白色发光结构300W重叠。第二红色转换图案520R可以包括与第一红色转换图案510R相同的材料。例如，第二红色转换图案520R可以利用白色发光结构300W产生的光实现红色。第二红色转换图案520R可以与位于下基板110的白色像素区W-PA中的驱动电路隔开。
第二红色转换图案520R可以设置在与第一红色转换图案510R相同的层上。例如，第二红色转换图案520R可以设置在下钝化层140和涂覆层150之间。可以利用涂覆层150消除由第二红色转换图案520R引起的厚度差。
第二红色转换图案520R的厚度可以与第一红色转换图案510R的厚度相同。例如，第二红色转换图案520R的、面对上基板120的上表面可以与第一红色转换图案510R的、面对上基板120的上表面共面。
至少一个第二绿色转换图案520G可以设置在下基板110的白色像素区W-PA上。第二绿色转换图案520G可以与白色发光结构300W重叠。第二绿色转换图案520G可以包括与第一绿色转换图案510G相同的材料。例如，第二绿色转换图案520G可以利用白色发光结构300W产生的光实现绿色。第二绿色转换图案520G可以与位于下基板110的白色像素区W-PA中的驱动电路隔开。例如，第二绿色转换图案520G可以与第二红色转换图案520R隔开。
第二绿色转换图案520G可以设置在与第一绿色转换图案510G相同的层上。例如，第二绿色转换图案520G可以设置在下钝化层140和涂覆层150之间。可以利用涂覆层150消除由第二绿色转换图案520G引起的厚度差。
第二绿色转换图案520G的厚度可以与第一绿色转换图案510G的厚度相同。例如，第二绿色转换图案520G的、面对上基板120的上表面可以和第一绿色转换图案510G的、面对上基板120的上表面共面。
根据本发明的实施方式的显示装置包括至少一个第二红色转换图案520R和至少一个第二绿色转换图案520G，该至少一个第二红色转换图案520R和至少第二绿色转换图案520G设置在下基板110的白色像素区W-PA和白色发光结构300W之间。第二红色转换图案520R的数目可以与第一红色转换图案510R的数目不同。第二绿色转换图案520G的数目可以与第一绿色转换图案510G的数目不同。第二绿色转换图案520G的数目可以与第二红色转换图案520R的数目不同。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，下基板110的白色像素区实现的白色的特性，可以通过第二红色转换图案520R的数目和尺寸以及第二绿色转换图案520G的数目和尺寸进行调节。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以很容易地调节色彩坐标。
第二绿色转换图案520G的侧面520GS与第二红色转换图案520R的侧面520RS可以为相同的锥形倾斜方向。例如，第二红色转换图案520R的侧面520RS和第二绿色转换图案520G的侧面520GS可以呈正锥形。第二红色转换图案520R的侧面520RS和第二绿色转换图案520G的侧面520GS可以在与第一红色转换图案510R的侧面和第一绿色转换图案520G的侧面相反的方向呈锥形。
上钝化层170可以设置在发光结构300R、300G、300B和300W以及上基板120之间。上钝化层170可以覆盖发光结构300R、300G、300B和300W。例如，上钝化层170可以沿着每个发光结构300R、300G、300B和300W的上电极330R、330G、330B和330W延伸。
上钝化层170可防止由于外部冲击和湿气引起的发光结构300R、300G、300B和300W的损坏。上钝化层170可以包括绝缘材料。上钝化层170可以具有多层结构。例如，上钝化层170可以具有如下结构：在无机材料形成的无机层之间暴露有机材料形成的有机层。
封装层180可设置在上钝化层170和上基板120之间。上基板120可以通过封装层180联接到下基板110，其中，发光结构300R、300G、300B和300W形成在下基板110中。例如，封装层180可以包括粘合剂材料。
封装层180可以具有多层结构。例如，封装层180可以包括第一封装层181和第二封装层182。第二封装层182可以设置在第一封装层181和上基板120之间。
第一封装层181和第二封装层182可包括可固化材料。例如，第一封装层181和第二封装层182可以包括热固性树脂。第二封装层182可以包括与第一封装层181不同的材料。
封装层180可防止湿气的渗透。例如，第二封装层182可以包括吸湿材料182p，从外部吸收的水分可以由吸湿材料182p收集。第一封装层181可以缓解由于吸湿材料182p的膨胀而产生的压力。
因此，根据本发明的实施方式的显示装置可以包括至少一个与红色像素区R-PA中的红色滤色器400R并排设置的第一红色转换图案510R，以及至少一个与绿色像素区G-PA中的绿色滤色器400G并排设置的第一绿色转换图案510G，从而可以降低由红色滤色器400R和绿色滤色器400G导致的亮度和效率减少，而不增加整体厚度。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以改善在红色像素区R-PA中实现的红色的特性和在绿色像素区G-PA中实现的绿色的特性。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，色域可被改善。
此外，根据本发明的实施方式的显示装置可以包括设置在下基板110的白色像素区W-PA上的至少一个第二红色转换图案520R和至少一个第二绿色转换图案520G。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以根据在非白色像素区R-PA、G-PA和B-PA中实现的非白色的特性来调节在白色像素区W-PA中实现的色彩的特性，其中，在白色像素区W-PA中实现的色彩的特性可以通过调节设置在下基板110的白色像素区W-PA上的色彩转换图案520R和520G的数目来实现。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以容易地调节色彩坐标。
根据本发明实施方式的显示装置的描述，每个第一色彩转换图案510R和510G的上表面与相应的滤色器400R和400G的上表面共面。然而，本发明的另一实施方式可以包括第一色彩转换图案510R和510G，其厚度不同于相应的滤色器400R和400G。例如，在根据本发明的另一实施方式的显示装置中，第一色彩转换图案510R和510G可以部分填充相应的滤色器400R和400G的通孔400RH和400GH。
根据本发明实施方式的显示装置的描述，与上基板120面对的、第一色彩转换图案510R和510G的上表面与涂覆层150直接接触。然而，根据本发明的另一实施方式的显示装置可以包括色彩转换层530R和530G。色彩转换层530R设置在第一色彩转换图案510R以及涂覆层150之间，并且色彩转换层530G设置在第一色彩转换图案510G以及涂覆层150之间。此外，色彩转换层530R延伸至相应的滤色器400R以及涂覆层150之间，并且色彩转换层530G延伸至相应的滤色器400G以及涂覆层150之间，如图3A和3B所示。
色彩转换层530R和530G可以设置在红色像素区R-PA和绿色像素区G-PA上。该红色像素区R-PA和绿色像素区G-PA上设置有第一色彩转换图案510R和510G。例如，色彩转换层530R和530G可以包括与红色滤色器400R重叠的红色转换层530R和与绿色滤色器400G重叠的绿色转换层530G。
红色转换层530R可利用红色发光结构300R产生的光实现红色。红色转换层530R可包括与第一红色转换图案510R相同的材料。例如，第一红色转换图案510R和红色转换层530R之间的界限基本上可以不像其他区域那样加以区分。
红色转换层530R的厚度可以薄于红色滤色器400R的厚度。例如，红色转换层530R的厚度可以薄于第一红色转换图案510R的厚度。在下基板110的白色像素区W-PA上的第二红色转换图案520R可以厚于第一红色转换图案510R。例如，与上基板120面对的、第二红色转换图案520R的上表面可以和与上基板120面对的、红色转换层530R的上表面共面。
绿色转换层530G可利用绿色发光结构300G产生的光实现绿色。绿色转换层530G可包括与第一绿色转换图案510G相同的材料。例如，第一绿色转换图案510G和绿色转换层530G之间的界限基本上可以不像其他区域那样加以区分。
绿色转换层530G的厚度可以薄于绿色滤色器400G的厚度。例如，绿色转换层530G的厚度可以薄于第一绿色转换图案510G的厚度。在下基板110的白色像素区W-PA上的第二绿色转换图案520G可以厚于第一绿色转换图案510G。例如，与上基板120面对的、第二绿色转换图案520G的上表面可以和与上基板120面对的、绿色转换层530G的上表面共面。
因此，在根据本发明的另一实施方式的显示装置中，比滤色器400R、400G和400B更薄的色彩转换层530R和530G可以设置于滤色器400R、400G和400B以及第一色彩转换图案510R和510G之上。因此，在根据本发明的另一实施方式的显示装置中，可以减少增加的整体厚度，并且色域可以得到显著改善。
根据本发明实施方式的显示装置被描述为：第一色彩转换图案510R和510G的侧面以与相应的滤色器400R、400G和400B的侧面相反的方向呈锥形。然而，根据本发明的另一个实施方式的显示装置可以包括第一色彩转换图案510R和510G，其具有以与相应的滤色器400R、400G和400B的侧面相同的方向呈锥形的侧面，如图4A和4B所示。即，在根据本发明的另一实施方式的显示装置中，第一色彩转换图案510R和510G的侧面可以在与下基板110白色像素区W-PA上的第二色彩转换图案520R和520G的侧面相同的方向呈锥形。因此，在根据本发明的另一实施方式的显示装置中，可以提高形成第一色彩转换图案510R和510G的工艺的自由度。
根据本发明的实施方式的显示装置被描述为：滤色器400R、400G和400B、第一色彩转换图案510R和510G、以及第二色彩转换图案520R和520G设置在下基板110和发光结构300R、300G、300B和300W之间。然而，根据本发明的另一实施方式的显示装置可以包括滤色器400R、400G和400B、第一色彩转换图案510R和510G、以及面对下基板110的下表面的上基板120上的第二色彩转换图案520R和520G，如图5A和5B所示。在本发明的另一实施方式的显示装置中，黑底600可以设置在上基板120的下表面上。因此，根据本发明的另一实施方式的显示装置，可以防止由于形成滤色器400R、400G和400B、第一色彩转换图案510R和510G以及第二色彩转换图案520R和520G的工艺而导致的驱动电路的损坏。因此，在根据本发明的另一实施方式的显示装置中，滤色器400R、400G和400B、第一色彩转换图案510R和510G以及第二色彩转换图案520R和520G的形成工艺的自由度可显著提高。
图6A至11A和6B至11B是顺序地示出形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法的视图。参照图1、2A、2B、6A至11A和6B至11B，描述了形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法。首先，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括在下基板110上形成驱动电路的步骤，以及形成覆盖驱动电路的下钝化层140的步骤，如图6A和6B所示。
形成驱动电路的步骤可以包括：制备包括红色像素区R-PA、绿色像素区G-PA、蓝色像素区B-PA和白色像素区W-PA的下基板110的步骤；形成限定像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA的选通线GL、数据线DL和电源线PL1的步骤；以及在下基板110的每个像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA上形成包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst的驱动电路的步骤。
第二薄膜晶体管T2可具有与第一薄膜晶体管T1相同的结构。例如，形成第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的步骤可以包括：形成包括源极区、漏极区和沟道区的半导体图案210的步骤；在半导体图案210上顺序层叠栅极绝缘层220和栅极230的步骤；形成覆盖半导体图案210和栅极230的层间绝缘层240的步骤；以及在层间绝缘层240上形成电连接到半导体图案210的源极区的源极250以及形成电连接到的半导体图案210的漏极区的漏极260的步骤。
选通线GL、数据线DL、电源线PL1和存储电容器Cst可以与第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2同时形成。例如，选通线GL可以与第一/第二薄膜晶体管T1和T2的栅极230同时形成。数据线DL和电源线PL1可以与第一/第二薄膜晶体管T1和T2的源/漏极250和260同时形成。存储电容器Cst可以通过使用构成第一/第二薄膜晶体管T1和T2的导电层来形成。
根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括在下钝化层140上形成滤色器400R、400G和400B的步骤，如7A和7B图所示。
形成滤色器400R、400G和400B的可以包括如下步骤：在下基板110的红色像素区R-PA上形成红色滤色器400R的步骤，在下基板110的绿色像素区G-PA上形成绿色滤色器400G的步骤，在下基板110的蓝色像素区B-PA上形成蓝色滤色器400B的步骤。滤色器400R、400G和400B可以不与驱动电路重叠。例如，可以在对应像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA的驱动电路外形成滤色器400R、400G和400B。
红色滤色器400R可包括至少一个红色通孔400RH。例如，形成红色滤色器400R的步骤可以包括如下步骤：在形成驱动电路的下基板110上形成红色滤色器400R的滤色器材料层的步骤；以及包括在下基板110的红色像素区R-PA通过对滤色器材料层的图案化，形成包括至少一个红色通孔400RH的红色滤色器400R的步骤。
绿色滤色器400G可包括至少一个绿色通孔400GH。例如，形成绿色滤色器400G可以包括如下步骤：在形成驱动电路的下基板110上形成绿色滤色器400G的滤色器材料层的步骤；以及包括在下基板110的绿色像素区G-PA通过对滤色器材料层的图案化，形成包括至少一个绿色通孔400GH的绿色滤色器400G的步骤。
根据本发明的实施方式的显示装置的形成方法可以包括如下步骤：在形成滤色器400R、400G和400B的下基板110上形成红色转换材料层500R，如图8A和8B所示。
红色转换材料层500R可以填充红色滤色器400R的红色通孔400RH和绿色滤色器400G的绿色通孔400GH。例如，红色转换材料层500R的厚度可以比滤色器400R，400G和400B的厚度更厚。
根据本发明实施方式的显示装置的形成方法可包括对红色转换材料层500R进行回蚀的步骤，使得滤色器400R、400G和400B的、背对下背板110的上表面可以暴露在外，如图9A和9B所示。
根据本发明的实施方式形成显示装置的方法可以包括如下步骤：利用红色转换材料层500R形成至少一个第一红色转换图案510R和至少一个第二红色转换图案520R。如图10A和10B所示。
形成第一红色转换图案510R和第二红色转换图案520R可以包括图案化红色转换材料层500R的步骤。例如，形成第一红色转换图案510R和第二红色转换图案520R可以包括如下步骤：形成掩模图案的步骤，该掩模图案包括与红色滤色器400R重叠的第一区域和与红色转换材料层500R上的下基板110的白色像素区W-PA重叠的第二区域；以及去除由掩模图案暴露的红色转换材料层500R的步骤。
第一红色转换图案510R可在红色滤色器400R的红色通孔400RH中形成。第二红色转换图案520R可在下基板110的白色像素区W-PA上形成。因此，在形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法中，第二红色转换图案520R的侧面可以在与第一红色转换图案510R的侧面相反的方向呈锥形。色彩转换图案520R的侧面可以在与红色滤色器400R的侧面在相同的方向呈锥形，例如，第二红色转换图案520R的侧面可以呈正锥形。
根据本发明的实施方式形成显示装置的方法可以包括以下步骤：在形成第一红色转换图案510R和第二色彩转换图案520R的下基板110上形成至少一个第一绿色转换图案510G和至少一个第二绿色转换图案520G。如图11A和11B所示。
第一绿色转换图案510G和第二绿色转换图案520G可以以与第一红色转换图案510R和第二红色转换图案520R相同的方式形成。例如，形成第一绿色转换图案510G和第二绿色转换图案520G可包括如下步骤：形成填充绿色滤色器400G的绿色通孔400GH的绿色转换材料层的步骤、对绿色转换材料层进行蚀刻的步骤，和图案化绿色转换材料层的步骤。
第一绿色转换图案510G可在绿色滤色器400G的绿色通孔400GH中形成。第二绿色转换图案520G可在下基板110的白色像素区W-PA上形成。因此，在根据本发明的实施方式形成显示装置的方法中，第二绿色转换图案520G的侧面可以在与第一绿色转换图案510G的侧面的相反的方向上呈锥形。第二绿色转换图案520G的侧面可以在与第二红色转换图案520R的侧面在相同的方向上呈锥形，例如，第二绿色转换图案520G的侧面可以呈正锥形。第二绿色转换图案520G可以与第二红色转换图案520R隔开。
根据本发明的实施方式形成显示装置的方法可以包括以下步骤：形成覆盖滤色器400R、400G和400B、第一色彩转换图案510R和510G以及第二色彩转换图案520R的涂覆层150的步骤；形成贯穿钝化层140和涂覆层150的接触孔140h和150h的步骤；形成通过接触孔140h和150h、电连接至像素区R-PA、G-PA、B-PA和W-PA对应的驱动电路的发光结构300R、300G、300B和300的步骤；在发光结构300R、300G、300B和300W上形成上钝化层170的步骤；以及使用封装层180附接上基板120的步骤。
因此，形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法可以包括以下步骤：在红色像素区R-PA和绿色像素区G-PA上形成包括至少一个通孔400RH和400GH的滤色器400R和400G的步骤，其中绿色像素区G-PA发射具有相对较长波长的光；以及在通孔400RH和400GH中形成第一色彩转换图案510R和510G的步骤，从而可以改善在红色像素区R-PA和绿色像素区G-PA中实现的色彩的特性而不增加整体厚度。
此外，在形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法中，第二色彩转换图案520R和520G可以与下基板110的白色像素区W-PA上的第一色彩转换图案510R和510G同时形成。从而可以减少增加的形成时长，并且可以容易地调节色彩坐标。
根据本发明的实施方式所述的形成显示装置的方法的描述，在形成第一色彩转换图案510R和510G以及第二色彩转换图案520R和520G之前，对色彩转换材料层500R进行蚀刻，直到暴露滤色器400R、400G和400B的上表面。然而，在根据本发明的另一实施方式形成显示装置的方法中，可以进行色彩转换材料层的蚀刻，以使其具有预定厚度。因此，在根据本发明的另一实施方式形成显示装置的方法中，包括与相应的色彩转换图案510R、510G、520R、520G相同的材料的色彩转换层530R和530G可以形成在相应的滤色器400R、400G和400B上，如图3A和3B所示。
根据本发明的实施方式所述的形成显示装置的方法的描述，在形成滤色器400R、400G和400B之后形成色彩转换图案510R、510G、520R、520G。然而，根据本发明的另一个实施方式的形成显示装置的方法。可以在形成滤色器400R、400G和400B之前形成色彩转换图案510R、510G、520R和520G，如图12A和12B所示。因此，在根据本发明的另一实施方式形成显示装置的方法中，第二色彩转换图案520R和520G的侧面可以形成为以与第一色彩转换图案510R和510G的侧面相同的方向呈锥形，如图4A和4B所示。
因此，根据本发明的实施方式的显示装置可以包括与在像素区上的滤色器并排设置的色彩转换图案。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以改善滤色器所在的像素区的色彩特性。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以容易且有效地调节色彩坐标，并且可以改善色域。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年7月25日申请的韩国专利申请No.10-2017-0094029的权益，该韩国专利申请通过引用方式被并入到本文中，如同其全部在本文中阐述一样。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
上基板，所述上基板位于下基板上；
滤色器，所述滤色器被设置在所述下基板和所述上基板之间，所述滤色器包括至少一个通孔；以及
色彩转换图案，所述色彩转换图案被设置在所述滤色器的所述通孔中，
其中，所述色彩转换图案的下表面被设置在所述滤色器的下表面的外侧，并且
其中，所述色彩转换图案的上表面被设置在所述滤色器的上表面的外侧。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述色彩转换图案与所述滤色器实现同一种色彩。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述滤色器的侧面与所述色彩转换图案的侧面呈锥形，并且
其中，所述色彩转换图案的侧面以与所述滤色器的侧面相反的方向呈锥形。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述滤色器的侧面呈正锥形。
5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
色彩转换层，所述色彩转换层被设置在所述滤色器和所述上基板之间，所述色彩转换层在所述色彩转换图案和所述上基板之间延伸；
发光结构，所述发光结构被设置在所述色彩转换层和所述上基板之间，所述发光结构包括依次层叠的下电极、发光层和上电极；以及
涂覆层，所述涂覆层被设置在所述色彩转换层和所述发光结构之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述色彩转换层的厚度比所述滤色器的厚度薄。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述色彩转换层包括与所述色彩转换图案相同的材料。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述色彩转换图案的厚度与所述滤色器的厚度相同。
9.一种显示装置，所述显示装置包括：
下基板，所述下基板包括实现白色的白色像素区和实现非白色的第一像素区；
第一滤色器，所述第一滤色器被设置在所述下基板的所述第一像素区上，所述第一滤色器包括至少一个第一通孔；
第一色彩转换图案，所述第一色彩转换图案被设置在所述第一滤色器的所述第一通孔中；以及
至少一个第二色彩转换图案，所述至少一个第二色彩转换图案被设置在所述下基板的所述白色像素区上，
其中，所述第二色彩转换图案包括与所述第一色彩转换图案相同的材料，
其中，在所述第一像素区中，所述第一色彩转换图案的下表面被设置在所述第一滤色器的下表面的外侧，并且
其中，在所述第一像素区中，所述第一色彩转换图案的上表面被设置在所述第一滤色器的上表面的外侧。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二色彩转换图案的数目与所述第一色彩转换图案的数目不同。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二色彩转换图案的侧面以与所述第一色彩转换图案的侧面相同的方向呈锥形。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二色彩转换图案具有与所述第一色彩转换图案相同的厚度。
13.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二滤色器，所述第二滤色器被设置在所述下基板的第二像素区上，所述第二滤色器包括至少一个第二通孔；
第三色彩转换图案，所述第三色彩转换图案被设置在所述第二滤色器的所述第二通孔中；以及
至少一个第四色彩转换图案，所述至少一个第四色彩转换图案被设置在所述下基板的所述白色像素区上，
其中，所述第二像素区实现与所述白色像素区和所述第一像素区不同的色彩。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第三色彩转换图案的数目与所述第一色彩转换图案的数目不同。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第四色彩转换图案的数目与所述第二色彩转换图案的数目不同。
16.一种显示装置，所述显示装置包括：
下基板，所述下基板包括红色像素区、绿色像素区、蓝色像素区和白色像素区；
至少一个第一红色转换图案，所述至少一个第一红色转换图案被设置在所述下基板的所述红色像素区上；
红色滤色器，所述红色滤色器被设置在所述下基板的所述红色像素区上，所述红色滤色器围绕所述第一红色转换图案；
至少一个第一绿色转换图案，所述至少一个第一绿色转换图案被设置在所述下基板的所述绿色像素区上；
绿色滤色器，所述绿色滤色器被设置在所述下基板的所述绿色像素区上，所述绿色滤色器围绕所述第一绿色转换图案；
蓝色滤色器，所述蓝色滤色器被设置在所述下基板的所述蓝色像素区上；
至少一个第二红色转换图案，所述至少一个第二红色转换图案被设置在所述下基板的所述白色像素区上；以及
至少一个第二绿色转换图案，所述至少一个第二绿色转换图案被设置在所述下基板的所述白色像素区上，
其中，在所述红色像素区中，所述第一红色转换图案的下表面被设置在所述红色滤色器的下表面的外侧，
其中，在所述红色像素区中，所述第一红色转换图案的上表面被设置在所述红色滤色器的上表面的外侧，
其中，在所述绿色像素区中，所述第一绿色转换图案的下表面被设置在所述绿色滤色器的下表面的外侧，并且
其中，在所述绿色像素区中，所述第一绿色转换图案的上表面被设置在所述绿色滤色器的上表面的外侧。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第二红色转换图案的厚度比所述第一红色转换图案的厚度厚，并且
其中，所述第二绿色转换图案的厚度比所述第一绿色转换图案的厚度厚。
18.根据权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括：
红色转换层，所述红色转换层被设置在所述红色滤色器与所述第一红色转换图案上；
绿色转换层，所述绿色转换层被设置在所述绿色滤色器与所述第一绿色转换图案上，
其中，所述第二红色转换图案的背向所述下基板的上表面与所述红色转换层的背向所述下基板的上表面共面，并且
其中，所述第二绿色转换图案的背向所述下基板的上表面与所述绿色转换层的背向所述下基板的上表面共面。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第二红色转换图案的侧面和所述第二绿色转换图案的侧面以与所述第一红色转换图案的侧面和所述第一绿色转换图案的侧面相反的方向呈锥形。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第一红色转换图案的侧面和所述第一绿色转换图案的侧面呈倒锥形。
CN201810804476.9A 2017-07-25 2018-07-20 具有滤色器的显示装置 Active CN109300937B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0094029 2017-07-25
KR1020170094029A KR102392706B1 (ko) 2017-07-25 2017-07-25 컬러 필터를 포함하는 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109300937A CN109300937A (zh) 2019-02-01
CN109300937B true CN109300937B (zh) 2023-07-18

Family

ID=63364478

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810804476.9A Active CN109300937B (zh) 2017-07-25 2018-07-20 具有滤色器的显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11239284B2 (zh)
KR (1) KR102392706B1 (zh)
CN (1) CN109300937B (zh)
GB (1) GB2565915B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240012462A (ko) * 2021-06-18 2024-01-29 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1602126A (zh) * 2003-09-22 2005-03-30 三星Sdi株式会社 具有调色层的全色有机发光装置
JP2005149811A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
WO2006077808A1 (ja) * 2005-01-18 2006-07-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用カラーフィルタ基板
CN101133684A (zh) * 2005-03-22 2008-02-27 出光兴产株式会社 色变换基板及其制造方法以及发光装置
CN101743782A (zh) * 2007-09-19 2010-06-16 富士电机控股株式会社 色变换滤光片、以及色变换滤光片和有机el显示器的制造方法
CN105319763A (zh) * 2014-07-31 2016-02-10 三星显示有限公司 液晶显示器
WO2016124312A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-11 Merck Patent Gmbh Electro-optical switching element and display device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9470826B2 (en) 2003-02-12 2016-10-18 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Color filter and display panel using same
KR101308203B1 (ko) * 2005-12-14 2013-09-13 샤프 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 디스플레이의 제조 방법
WO2013077106A1 (ja) * 2011-11-24 2013-05-30 シャープ株式会社 色変換基板、表示装置および色変換基板の製造方法
KR102190429B1 (ko) * 2014-07-31 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP2016070949A (ja) 2014-09-26 2016-05-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102437130B1 (ko) * 2015-08-28 2022-08-26 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 색변환 패널의 제조 방법
KR102390450B1 (ko) * 2015-09-02 2022-04-26 삼성디스플레이 주식회사 색변환 기판의 제조 방법
US9989806B2 (en) * 2015-09-10 2018-06-05 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion panel and display device including the same
CN105301827B (zh) 2015-11-13 2019-02-01 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板
KR102333141B1 (ko) * 2016-02-22 2021-11-30 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물 및 이를 사용하여 제조된 색변환층을 포함하는 표시 장치
KR102607407B1 (ko) * 2016-06-03 2023-11-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10228586B2 (en) * 2016-09-28 2019-03-12 Samsung Display Co., Ltd. Color filter and display device including the same
CN106647002B (zh) 2017-01-16 2020-06-02 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制备方法、显示面板
JP7124827B2 (ja) 2017-07-21 2022-08-24 Dic株式会社 インク組成物及びその製造方法、光変換層並びにカラーフィルタ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1602126A (zh) * 2003-09-22 2005-03-30 三星Sdi株式会社 具有调色层的全色有机发光装置
JP2005149811A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
WO2006077808A1 (ja) * 2005-01-18 2006-07-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用カラーフィルタ基板
CN101133684A (zh) * 2005-03-22 2008-02-27 出光兴产株式会社 色变换基板及其制造方法以及发光装置
CN101743782A (zh) * 2007-09-19 2010-06-16 富士电机控股株式会社 色变换滤光片、以及色变换滤光片和有机el显示器的制造方法
CN105319763A (zh) * 2014-07-31 2016-02-10 三星显示有限公司 液晶显示器
WO2016124312A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-11 Merck Patent Gmbh Electro-optical switching element and display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102392706B1 (ko) 2022-04-29
CN109300937A (zh) 2019-02-01
US20190035856A1 (en) 2019-01-31
GB201812117D0 (en) 2018-09-05
GB2565915B (en) 2020-10-14
GB2565915A (en) 2019-02-27
KR20190011462A (ko) 2019-02-07
US11239284B2 (en) 2022-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102455318B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US9245934B2 (en) Organic light-emitting display apparatus having bi-directional light emission and method of manufacturing the same
US11075253B2 (en) Organic light-emitting display device
KR102248641B1 (ko) 유기전계 발광소자
KR101698543B1 (ko) 유기 발광소자 및 그 제조방법
CN108122929A (zh) 具有两个电极之间的多个绝缘层的显示装置及其制造方法
CN109920923B (zh) 有机发光二极管器件及制备方法、显示面板、显示装置
US20090130786A1 (en) Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
CN109599500B (zh) 包括具有高热导率的封装基板的有机发光显示装置
CN108122949B (zh) 具有发光结构的显示设备
CN109428001B (zh) 具有封装层的有机发光显示设备
US20220293711A1 (en) Display substrate and method for manufacturing the same, and display device
KR102658427B1 (ko) 표시 장치
US20160284783A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
US11894506B2 (en) Display apparatus having a pad spaced away from an encapsulating element and a black matrix on the encapsulating element
CN109300937B (zh) 具有滤色器的显示装置
US11171191B2 (en) Display apparatus having a light-emitting device on an over-coat layer, and method of forming the same
CN111244139B (zh) 具有滤色器和遮光元件的显示装置
US20210202672A1 (en) Display Apparatus Having a Connecting Electrode which Crosses a Bending Area
CN109841652B (zh) 具有发光元件和滤色器的显示装置
JP7378454B2 (ja) 有機発光表示装置
US11730016B2 (en) Display apparatus having driving circuit and light emitting device
US9634077B2 (en) Organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices
TWI835233B (zh) 具有氧化物半導體的顯示設備
KR20230053044A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant