KR102607407B1 - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102607407B1
KR102607407B1 KR1020160069608A KR20160069608A KR102607407B1 KR 102607407 B1 KR102607407 B1 KR 102607407B1 KR 1020160069608 A KR1020160069608 A KR 1020160069608A KR 20160069608 A KR20160069608 A KR 20160069608A KR 102607407 B1 KR102607407 B1 KR 102607407B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polarization
layer
substrate
display device
pattern
Prior art date
Application number
KR1020160069608A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170137994A (ko
Inventor
추승진
김영민
백승진
박해일
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160069608A priority Critical patent/KR102607407B1/ko
Priority to US15/475,969 priority patent/US10698276B2/en
Priority to EP17174354.5A priority patent/EP3252526A1/en
Priority to CN201710412691.XA priority patent/CN107463034B/zh
Publication of KR20170137994A publication Critical patent/KR20170137994A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102607407B1 publication Critical patent/KR102607407B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133357—Planarisation layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133548—Wire-grid polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/13356—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors characterised by the placement of the optical elements
    • G02F1/133565—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors characterised by the placement of the optical elements inside the LC elements, i.e. between the cell substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light

Abstract

본 발명은 스위칭 소자, 색 변환층 및 화소 전극 간의 정렬 상태를 향상시킬 수 있으며, 화소의 개구율을 증가시킬 수 있는 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 제 1 기판; 제 1 기판 상에 위치하는 스위칭 소자 및 색 변환층; 색 변환층과 중첩하며 스위칭 소자에 연결된 편광 패턴; 및 편광 패턴과 중첩하며 편광 패턴에 연결된 화소 전극을 포함한다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 스위칭 소자, 색 변환층 및 화소 전극 간의 정렬 상태를 향상시킬 수 있으며, 화소의 개구율을 증가시킬 수 있는 표시 장치 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(flat panel display, FPD) 중 하나로서 전극이 형성되어 있는 2개의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층을 포함한다.
액정 표시 장치는 두 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
본 발명은 스위칭 소자, 색 변환층 및 화소 전극 간의 정렬 상태를 향상시킬 수 있으며, 화소의 개구율을 증가시킬 수 있는 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는, 출광 영역 및 차광 영역을 포함하는 제 1 기판;
제 1 기판 상에 위치하는 스위칭 소자 및 색 변환층; 색 변환층과 중첩하며, 일부가 스위칭 소자에 연결된 편광 패턴; 및 편광 패턴과 중첩하며, 상기 스위칭 소자에 연결된 편광 패턴의 일부에 차광 영역에서만 연결된 화소 전극을 포함한다.
표시 장치는 색 변환층과 기판 사이에 위치한 컬러 필터를 더 포함한다.
표시 장치는 스위칭 소자 및 컬러 필터 상에 위치한 캡핑층을 더 포함한다.
표시 장치는 스위칭 소자 및 색 변환층 상에 위치한 평탄화막을 더 포함한다.
평탄화막은, 스위칭 소자와 편광 패턴 간의 연결부에 대응되게 위치한 제 1 콘택홀; 및 편광 패턴과 다른 편광 패턴 사이에 위치한 홈을 갖는다.
제 1 콘택홀의 깊이는 홈의 깊이보다 더 깊다.
표시 장치는 편광 패턴과 화소 전극 사이의 보호막을 더 포함한다.
보호막은, 편광 패턴에 대응되게 위치한 제 2 콘택홀; 및 홈에 대응되게 위치한 홀을 갖는다.
편광 패턴의 일부는 제 1 콘택홀을 통해 스위칭 소자에 연결되며, 화소 전극은 제 2 콘택홀을 통해 편광 패턴의 일부에 연결된다.
편광 패턴은 서로 이격된 복수의 편광 라인들을 포함한다.
인접한 편광 라인들 사이에 공기층이 위치한다.
복수의 편광 라인들 중 적어도 하나는 스위칭 소자에 연결된다.
표시 장치는 제 2 기판; 및 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 액정층을 더 포함한다.
스위칭 소자, 색 변환층, 편광 패턴 및 화소 전극은 제 1 기판과 액정층 사이에 위치한다.
표시 장치는 편광 패턴과 다른 방향의 투과축을 갖는 편광판을 더 포함하며, 제 2 기판은 액정층과 편광판 사이에 위치한다.
표시 장치는 스위칭 소자를 중첩하는 차광층을 더 포함한다.
표시 장치는 차광층 상에 위치한 컬럼 스페이서를 더 포함한다.
차광층과 컬럼 스페이서는 일체로 이루어진다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 제 1 기판 상에 스위칭 소자를 형성하는 단계; 제 1 기판 상에 색 변환층을 형성하는 단계; 스위칭 소자 및 색 변환층 상에 평탄화막을 형성하는 단계; 평탄화막에 스위칭 소자의 드레인 전극을 노출시키는 제 1 콘택홀을 형성하는 단계; 평탄화막 상에, 일부가 제 1 콘택홀을 통해 드레인 전극에 연결되는 편광 패턴을 형성하는 단계; 편광 패턴 상에 보호막을 형성하는 단계; 보호막 상에 제 1 포토레지스트 패턴 및 제 1 포토레지스트 패턴보다 더 작은 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 제 1 포토레지스트 패턴 및 제 2 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 보호막의 제 1 부분을 건식 식각으로 제거하여 편광 패턴의 제 1 부분을 노출시키는 단계; 제 2 포토레지스트 패턴을 제거하여 보호막의 제 2 부분을 노출시키고, 제 1 포토레지스트 패턴의 일부를 잔존시켜 잔류 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 잔류 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 편광 패턴의 제 1 부분을 습식 식각으로 제거하여 평탄화막을 노출시키는 단계; 잔류 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 보호막의 제 2 부분을 건식 식각으로 제거하여 편광 패턴의 제 2 부분을 노출시키는 단계; 잔류 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 보호막 상에, 스위칭 소자에 연결된 편광 패턴의 제 2 부분의 일부와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
편광 패턴의 제 2 부분을 노출시키는 건식 식각에 의해 평탄화막에 홈이 더 형성된다.
표시 장치의 제조 방법은 색 변환층과 제 1 기판 사이에 컬러 필터를 형성하는 단계를 더 포함한다.
표시 장치의 제조 방법은 스위칭 소자 및 컬러 필터 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
표시 장치의 제조 방법은 제 2 기판의 일측 면 상에 공통 전극을 형성하는 단계; 및 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
표시 장치의 제조 방법은 제 2 기판의 타측 면 상에, 편광 패턴과 다른 방향의 투과축을 갖는 편광판을 형성하는 단계; 및 편광판을 마주보게 제 2 기판의 하부에 백라이트 유닛을 위치시키는 단계를 더 포함한다.
본 발명에 따른 표시 장치 및 이의 제조 방법은 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, 스위칭 소자, 색 변환층 및 편광 패턴이 동일한 기판 상에 위치하므로, 스위칭 소자, 색 변환층 및 편광 패턴 간의 정렬 상태가 우수하다.
둘째, 스위칭 소자, 색 변환층 및 화소 전극이 동일한 기판에 위치하므로, 화소 전극과 데이터 라인 사이의 거리가 멀어질 수 있다. 그러므로, 화소 전극과 데이터 라인 간의 커플링 현상이 방지될 수 있다. 이에 따라, 화소 전극은 데이터 라인의 상부로 더 연장될 수 있다. 따라서, 화소의 개구율이 증가할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I`의 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 복수의 화소들에 대한 평면도이다.
도 4는 복수의 화소들에 대한 다른 평면도이다.
도 5a 내지 도 5t는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 6은 도 5j의 편광 패턴에 대한 평면도이다.
도 7은 도 1의 I-I`의 선을 따라 자른 다른 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 그에 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 7을 참조로 본 발명에 따른 표시 장치 및 이의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I`의 선을 따라 자른 단면도이다.
본 발명의 표시 장치는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 화소(PX)들 및 백라이트 유닛(444)을 포함한다.
화소(PX)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상부 기판(301; 이하, 제 1 기판), 스위칭 소자(TFT), 게이트 절연막(311), 컬러 필터(354), 색 변환층(195), 캡핑층(391), 평탄화막(356), 편광 패턴(700), 보호막(320), 화소 전극(PE), 차광층(376), 하부 기판(302; 이하, 제 2 기판), 공통 전극(330), 편광판(381) 및 액정층(333)을 포함한다.
제 1 기판(301)과 제 2 기판(302)의 마주보는 면들을 각각 해당 기판의 내측면으로 정의하고, 내측면들의 반대편에 위치한 면들을 각각 해당 기판의 외측면으로 정의할 때, 전술된 편광판(381)은 제 2 기판(302)의 외측면 상에 위치할 수 있다. 편광 패턴(700)의 투과축과 편광판(381)의 투과축은 직교하는 바, 이들 중 하나의 투과축은 데이터 라인(DL)에 평행하게 배열된다.
제 2 기판(302)은 제 1 기판(301)과 백라이트 유닛(444) 사이에 위치한다. 한편, 다시 말하여, 백라이트 유닛(444)은 제 2 기판(302)의 외측면을 바라보게 위치할 수 있다. 이와 같은 경우, 전술된 편광판(381)은 제 2 기판(302)과 백라이트 유닛(444) 사이에 위치한다. 한편, 도시되지 않았지만, 백라이트 유닛(444)은 제 1 기판(301)의 외측면을 바라보게 위치할 수도 있다. 이와 같은 경우, 제 1 기판(301)은 백라이트 유닛(444)과 제 2 기판(302) 사이에 위치한다.
화소(PX)는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)에 연결된다. 예를 들어, 화소(PX)는 스위칭 소자(TFT)를 통해 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)에 연결된다.
스위칭 소자(TFT)는 반도체층(321), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 게이트 전극(GE)은 게이트 라인(GL)에 연결되며, 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)에 연결되며, 드레인 전극(DE)은 편광 패턴(700)에 연결된다.
스위칭 소자(TFT)는 박막 트랜지스터(thin film transistor)일 수 있다.
게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(GL)은 제 1 기판(301) 상에 위치한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(GE)은 게이트 라인(GL)으로부터 화소 전극(PE)을 향해 돌출된 형상을 가질 수 있다. 게이트 전극(GE)은 게이트 라인(GL)과 일체로 이루어질 수 있다.
게이트 전극(GE)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금과 같은 알루미늄 계열의 금속, 또는 은(Ag)이나 은 합금과 같은 은 계열의 금속, 또는 구리(Cu)나 구리 합금과 같은 구리 계열의 금속, 또는 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금과 같은 몰리브덴 계열의 금속으로 만들어질 수 있다. 또는, 이 게이트 전극(GE)은, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 한편, 게이트 전극(GE)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
도시되지 않았지만, 게이트 라인(GL)의 끝 부분은 다른 층 또는 외부 구동회로와 접속될 수 있다. 게이트 라인(GL)의 끝 부분은 이 게이트 라인(GL)의 다른 부분보다 더 큰 면적을 가질 수 있다. 게이트 라인(GL)은 게이트 전극(GE)과 동일한 물질 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
게이트 절연막(311)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(301), 게이트 전극(GE), 게이트 라인(GL) 상에 위치한다. 이때, 게이트 절연막(311)은 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(GL)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면(全面)에 위치할 수 있다.
게이트 절연막(311)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx) 등으로 만들어질 수 있다. 게이트 절연막(311)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층들을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다.
반도체층(321)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(311) 상에 위치한다. 반도체층(321)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(GE)의 적어도 일부와 중첩한다.
반도체층(321)은 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어질 수 있다. 또한, 반도체층(321)은 다결정 규소 및 IGZO(Indium-Galuim-Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)와 같은 산화물 반도체 중 어느 하나로 만들어질 수 있다.
소스 전극(SE)은 게이트 절연막(311) 및 반도체층(321) 상에 위치한다. 소스 전극(SE)은 반도체층(321) 및 게이트 전극(GE)과 중첩한다. 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)으로부터 게이트 전극(GE)을 향해 돌출된 형상을 가질 수 있다. 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)과 일체로 이루어질 수 있다. 도시되지 않았지만, 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)의 일부일 수도 있다.
소스 전극(SE)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어질 수 있다. 소스 전극(SE)은 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴(또는 몰리브덴 합금) 하부막과 알루미늄 (또는 알루미늄 합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (또는 몰리브덴 합금) 하부막과 알루미늄 (또는 알루미늄 합금) 중간막과 몰리브덴 (또는 몰리브덴 합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 한편, 소스 전극(SE)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
데이터 라인(DL)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(311) 상에 위치한다. 도시되지 않았지만, 데이터 라인(DL)의 끝 부분은 다른 층 또는 외부 구동회로와 접속될 수 있다. 데이터 라인(DL)의 끝 부분은 이 데이터 라인(DL)의 다른 부분보다 더 큰 면적을 가질 수 있다. 데이터 라인(DL)은 소스 전극(SE)과 동일한 물질 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 데이터 라인(DL) 및 소스 전극(SE)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
데이터 라인(DL)은 게이트 라인(GL)과 교차한다. 데이터 라인(DL)과 게이트 라인(GL)이 교차하는 곳에서 데이터 라인(DL)은 이의 다른 부분보다 더 작은 선폭을 가질 수 있으며, 그 교차 부분에서 게이트 라인(GL)은 이의 다른 부분보다 더 작은 선폭을 가질 수 있다. 이에 따라, 데이터 라인(DL)과 게이트 라인(GL) 간의 기생 커패시턴스의 크기가 줄어들 수 있다.
드레인 전극(DE)은 소스 전극(SE)으로부터 소정 간격 이격되어 게이트 절연막(311) 및 반도체층(321) 상에 위치한다. 드레인 전극(DE)은 반도체층(321) 및 게이트 전극(GE)과 중첩한다. 드레인 전극(DE)과 소스 전극(SE) 사이에 스위칭 소자(TFT)의 채널 영역이 위치한다.
드레인 전극(DE)은 편광 패턴(700)에 연결된다. 예를 들어, 편광 패턴(700)은 이격되어 배치되는 복수의 편광 라인(750)을 포함하고, 드레인 전극(DE)은 편광 라인(750) 중 어느 하나와 연결될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 드레인 전극(DE)과 연결된 편광 패턴(700)의 편광 라인(750) 중 어느 하나를 통해 화소 전극(PE)에 연결된다. 이때, 드레인 전극(DE)과 편광 패턴(700)은 제 1 콘택홀(951)을 통해 전기적으로 연결된다.
드레인 전극(DE)은 전술된 소스 전극(SE)과 동일한 물질 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 드레인 전극(DE)과 소스 전극(SE)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
스위칭 소자(TFT)는 제 1 저항성 접촉층(321a) 및 제 2 저항성 접촉층(321b)을 더 포함할 수 있다.
제 1 저항성 접촉층(321a)은 반도체층(321)과 소스 전극(SE) 사이에 위치한다. 제 1 저항성 접촉층(321a)은 반도체층(321)과 소스 전극(SE) 간의 계면 저항을 낮춘다.
제 1 저항성 접촉층(321a)은 인(phosphorus) 또는 인화 수소(PH3)와 같은 n형 불순물 이온이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소와 같은 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다.
제 2 저항성 접촉층(321b)은 반도체층(321)과 드레인 전극(DE) 사이에 위치한다. 제 2 저항성 접촉층(321b)은 반도체층(321)과 드레인 전극(DE) 간의 계면 저항을 낮춘다. 제 2 저항성 접촉층(321b)은 전술된 제 1 저항성 접촉층(321a)과 동일한 물질 및 구조(다중막 구조)를 가질 수 있다. 제 2 저항성 접촉층(321b)과 제 1 저항성 접촉층(321a)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
도시되지 않았지만, 반도체층(321)은 게이트 절연막(311)과 소스 전극(SE) 사이에 더 위치할 수 있다. 또한, 반도체층(321)은 게이트 절연막(311)과 드레인 전극(DE) 사이에 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 절연막(311)과 소스 전극(SE) 사이에 위치한 반도체층을 제 1 추가 반도체층으로 정의하고, 게이트 절연막(311)과 드레인 전극(DE) 사이에 위치한 반도체층을 제 2 추가 반도체층으로 정의한다. 이때, 전술된 제 1 저항성 접촉층(321a)은 제 1 추가 반도체층과 소스 전극(SE) 사이에 더 위치할 수 있으며, 전술된 제 2 저항성 접촉층(321b)은 제 2 추가 반도체층과 드레인 전극(DE) 사이에 더 위치할 수 있다.
또한, 도시되지 않았지만, 반도체층(321)은 게이트 절연막(311)과 데이터 라인(DL) 사이에 더 위치할 수 있다. 여기서, 게이트 절연막(311)과 데이터 라인(DL) 사이에 위치한 반도체층을 제 3 추가 반도체층으로 정의한다. 이때, 전술된 제 1 저항성 접촉층(321a)은 제 3 추가 반도체층과 데이터 라인(DL1) 사이에 더 위치할 수 있다.
컬러 필터(354)는 수직적으로 게이트 절연막(311) 상에 위치한다. 컬러 필터(354)는 평면적으로 화소(PX)의 출광 영역(111)에 대응되게 위치한다. 이때, 컬러 필터(354)의 일부는 출광 영역(111)의 외부로 더 연장되어 차광 영역에 위치할 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터(354)의 가장자리는 차광 영역에 위치할 수 있다. 차광 영역에 위치한 컬러 필터(354)의 가장자리는 수직적으로 드레인 전극(DE)과 중첩할 수 있다. 한편, 컬러 필터(354)는 생략될 수 있다.
인접한 컬러 필터들은 소정 간격 이격되어 게이트 절연막(311) 상에 위치한다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 한 화소의 컬러 필터(354)와 그 화소에 인접한 다른 화소의 컬러 필터(354`)는 소정 간격 떨어져 위치할 수 있다.
색 변환층(195)은 수직적으로 컬러 필터(354) 상에 위치한다. 색 변환층(195)은 평면적으로 출광 영역(111)에 대응되게 위치한다. 색 변환층(195)은 컬러 필터(354)와 동일한 마스크 공정으로 제조될 수 있다. 따라서, 평면적으로 색 변환층(195)과 컬러 필터(354)는 실질적으로 동일한 형상을 갖는다.
색 변환층(195)은 백라이트 유닛(444)으로부터 출광된 광(L)의 색상을 변환한다. 이를 위해, 색 변환층(195)은 그 백라이트 유닛(444)으로부터 출광된 광(L)의 파장을 변환시킨다. 색 변환층(195)은, 예를 들어, 양자 점(Quantum dot) 입자를 포함할 수 있다. 또한, 이 색 변환층(195)은 황화물(Sulfide), 규소(Si) 및 질화물(Nitride) 계열의 금속 원소 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
양자 점 입자는 광의 파장을 변환하여 원하는 특정 광을 방출한다. 양자 점 입자의 크기에 따라 색 변환층(195)으로부터 방출되는 광의 파장이 달라진다. 다시 말하여, 양자 점의 직경에 따라 색 변환층(195)으로부터 방출되는 광의 색상이 달라진다.
양자 점 입자는 2nm 이상 내지 10nm 이하의 직경을 가질 수 있다. 양자 점 입자가 작은 직경을 가지면 방출되는 빛의 파장이 짧아져 청색 계열의 광이 발생되며, 양자 점의 크기가 커지면 방출되는 빛의 파장이 길어져 적색 계열의 광이 발생된다. 예를 들어, 10nm의 직경을 갖는 양자 점 입자는 적색광을 방출하며, 7nm의 직경을 갖는 양자 점 입자는 녹색광을 방출하며, 그리고 5nm의 직경을 갖는 양자 점 입자는 청색광을 방출할 수 있다.
양자 점 입자는 내부 코어와 내부 코어를 감싸는 외부 쉘(shell)로 이루어진 이중 구조로 형성될 수 있다. 구체적으로 CdSe/ZnS 물질로 이루어진 양자 점 입자는 CdSe로 이루어진 내부 코어(core)와 ZnS로 이루어진 외부 쉘을 포함한다.
이와 달리, 색 변환층(195)은 전술된 양자 점 입자 대신 양자 막대(quantum rod) 입자를 포함할 수도 있다.
복수의 화소(PX)들은 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소를 포함할 수 있는 바, 적색 화소의 색 변환층(이하, 적색 변환층)은 백라이트 유닛(444)으로부터의 백색광을 적색광으로 변환하며, 녹색 화소의 색 변환층(이하, 녹색 변환층)은 백라이트 유닛(444)으로부터의 백색광을 녹색광으로 변환하며, 청색 화소의 색 변환층(이하, 청색 변환층)은 백라이트 유닛(444)으로부터의 백색광을 청색광으로 변환한다.
한편, 백라이트 유닛(444)으로부터 청색광이 출광될 때, 청색 화소는 색 변환층 및 컬러 필터 대신 광투과층을 포함할 수 있다. 광투과층은 백라이트 유닛(444)으로부터 청색광을 실질적인 색상(또는 파장) 변화 없이 그대로 출사한다. 이 광투과층은, 예를 들어, 투명 감광제(transparent photoresist)를 포함할 수 있다. 한편, 광투과층은 광산란제를 더 포함할 수도 있다. 광산란제로서 이산화티타늄(TiO2)이 사용될 수 있다.
전술된 바와 같이 백라이트 유닛(444)으로부터 청색광이 출광될 때, 적색 변환층은 그 청색광을 적색광으로 변환할 수 있으며, 녹색 변환층은 그 청색광을 녹색으로 변환할 수 있다.
컬러 필터(354)는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 청색 컬러 필터를 포함할 수 있다. 적색 컬러 필터는 적색 변환층과 게이트 절연막(311) 사이에 위치하며, 녹색 컬러 필터는 녹색 변환층과 게이트 절연막(311) 사이에 위치하며, 청색 컬러 필터는 청색 변환층과 게이트 절연막(311) 사이에 위치한다. 한편, 백라이트 유닛(444)으로부터 청색광이 출광될 때, 청색 컬러 필터는 생략될 수 있다. 즉, 청색 컬러 필터는 전술된 광투과층으로 대체될 수 있다.
백라이트 유닛(444)으로부터의 광(L)은 색 변환층(195)을 통과하여 컬러 필터(354)에 도달하는 바, 전술된 컬러 필터(354)는 색 변환층(195)을 통과한 광의 직진성을 향상시킨다.
한편, 도시되지 않았지만, 색 변환층(195)과 컬러 필터(354) 사이에 블루컷(blue cut) 필터가 더 위치할 수 있다. 블루컷 필터는 백라이트 유닛(444)으로부터의 광(L))이 청색광일 경우 사용된다. 블루컷 필터는 적색 변환층과 적색 컬러 필터 사이에 위치한다. 또한, 블루컷 필터는 녹색 변환층과 녹색 컬러 필터 사이에 위치한다. 블루컷 필터는 적색 변환층으로부터 적색으로 변환되지 않고 통과하는 청색광 및 녹색 변환층으로부터 적색으로 변환되지 않고 통과하는 청색광을 차단한다. 그러나, 블루컷 필터는 청색 변환층과 청색 컬러 필터 사이에는 위치하지 않는다. 블루컷 필터는 색 변환층보다 더 크고 컬러 필터보다 더 작은 굴절률을 가질 수 있다. 블루컷 필터로서 공기층이 사용될 수 있다.
캡핑층(391)은 컬러 필터(354)로부터 발생된 불순물의 확산을 차단한다. 캡핑층(391)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 반도체층(321)의 채널 영역, 게이트 절연막(311) 및 색 변환층(195) 상에 위치한다. 이때, 캡핑층(391)은 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 반도체층(321)의 채널 영역, 게이트 절연막(311) 및 색 변환층(195)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면(全面)에 위치할 수 있다. 또한, 캡핑층(391)은 인접한 컬러 필터(354)들 사이에도 위치한다. 또한, 캡핍층(391)은 인접한 색 변환층(195)들 사이에도 위치한다. 캡핑층(391)은 드레인 전극(DE) 상에 위치한 홀(이하, 제 1 홀)을 갖는다. 캡핑층(391)은 질화 실리콘 또는 산화 실리콘 등으로 이루어질 수 있다. 한편, 캡핑층(391)은 생략될 수 있다.
평탄화막(356)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 캡핑층(391) 상에 위치한다. 또한, 평탄화막(356)은 인접한 컬러 필터(354)들 사이에도 위치한다. 또한, 평탄화막(356)은 인접한 색 변환층(195)들 사이에도 위치한다. 평탄화막(356)은 스위칭 소자(TFT) 및 색 변환층(195)과 중첩한다. 평탄화막(356)은 제 1 홀 상에 위치한 홀(이하, 제 2 홀)을 갖는다. 제 2 홀은 제 1 홀보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 제 2 홀의 직경은 제 1 홀의 직경보다 더 클 수 있다. 또한, 평탄화막(356)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 홈(981) 및 제 2 홈(982)을 가질 수 있다. 제 1 홈(981)은 스위칭 소자(TFT)에 대응되게 위치한다. 제 2 홈(982)은 게이트 라인(GL)에 대응되게 위치한다. 제 2 홈(982)은 게이트 라인(GL)을 따라 위치한다. 평탄화막(356)은 낮은 유전 상수를 갖는 유기막으로 이루어질 수 있다.
편광 패턴(700)은 백라이트 유닛(444)으로부터 출광되어 편광판(381) 및 액정층(333)을 통과한 광을 편광한다. 편광 패턴(700)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 평탄화막(356) 상에 위치한다. 이때, 편광 패턴(700)은 제 1 홈(981) 및 제 2 홈(982)을 제외한 평탄화막(356)의 나머지 부분 상에 위치한다. 다시 말하여, 편광 패턴(700)은 제 1 및 제 2 홈(981, 982)에 위치하지 않는다. 편광 패턴(700)은 제 1 콘택홀(951)을 통해 스위칭 소자(TFT)에 연결된다. 구체적으로, 편광 패턴(700)은 이격되어 배치되는 복수의 편광 라인(750)을 포함하고, 드레인 전극(DE)은 편광 라인(750) 중 어느 하나와 연결될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 드레인 전극(DE)과 연결된 편광 패턴(700)의 편광 라인(750) 중 어느 하나를을 통해 화소 전극(PE)에 연결된다. 이때, 스위칭 소자(TFT)의 드레인 전극(DE)과 편광 패턴(700)은 제 1 콘택홀(951)을 통해 전기적으로 연결된다.
제 1 콘택홀(951)은 전술된 캡핑층(391)의 제 1 홀 및 평탄화막(356)의 제 2 홀을 포함한다. 제 1 콘택홀(951)을 통해 드레인 전극(DE)의 일부가 노출된다. 도시되지 않았지만, 제 2 홀은 제 1 홀보다 더 클 수 있다. 이와 같은 경우 제 1 콘택홀(951)의 내벽에 위치한 편광 패턴(700) 및 화소 전극(PE)은 각각 복수의 만곡부들을 가질 수 있다. 이에 따라 깊은 깊이를 갖는 콘택홀(950)내에서 편광 패턴(700) 및 화소 전극(PE)의 손상이 방지될 수 있다. 예를 들어, 편광 패턴(700) 및 화소 전극(PE)의 절단 등이 방지될 수 있다.
편광 패턴(700)은 스템핑(stamping) 방식 또는 임프린팅(imprinting) 방식으로 평탄화막(356) 상에 전사될 수 있다. 편광 패턴(700)은 와이어 그리드 편광판(wire grid polarizer)일 수 있다. 편광 패턴(700)은 알루미늄과 같은 금속 재질을 포함할 수 있다.
편광 패턴(700)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 편광 라인(750)들을 포함할 수 있다. 각 편광 라인(750)은 실질적으로 데이터 라인(DL)에 평행하다. 또한, 각 편광 라인(750)은 서로 평행하다.
각 편광 라인(750)은 서로 소정 간격 이격되어 있다. 인접한 어느 2개의 편광 라인(750)들 간의 간격(이하, 제 1 간격)은 인접한 다른 2개의 편광 라인(750)들 간의 간격(이하, 제 2 간격)과 동일할 수 있다. 이와 달리, 제 1 간격은 제 2 간격과 다를 수 있다. 또한, 어느 하나의 편광 라인(750)과 이의 좌측에 인접한 다른 편광 라인(750) 간의 간격(이하, 제 3 간격)은 그 하나의 편광 라인(750)과 이의 우측에 인접한 또 다른 편광 라인(750) 간의 간격(이하, 제 4 간격)과 동일할 수 있다. 이와 달리, 제 3 간격은 제 4 간격과 다를 수 있다. 인접한 편광 라인(750)들 간의 간격은 가시광의 파장(400nm 내지 800nm)보다 더 작다. 예를 들어, 인접한 편광 라인(750)들의 간격은 0보다 크고 40nm(nano meter)보다 작을 수 있다.
복수의 편광 라인(750)들 중 적어도 하나는 스위칭 소자(TFT)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 드레인 전극(DE)과 중첩하는 하나의 편광 라인(750)은 제 1 콘택홀(951)을 통해 드레인 전극(DE)에 연결될 수 있다.
한편, 도시되지 않았지만, 편광 패턴(700)은 전단 게이트 라인(GL`)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 편광 패턴(700)의 복수의 편광 라인(750)들 중 적어도 하나는 전단 게이트 라인(GL`)과 중첩할 수 있다. 한 프레임 기간 중 전단 게이트 라인(GL`)은 게이트 라인(GL)보다 더 먼저 구동된다.
보호막(320)은 편광 패턴(700) 상에 위치한다. 인접한 편광 라인(750)들 사이에는 보호막(320)이 위치하지 않는다. 즉, 편광 라인(750)들은 나노 미터 단위의 상당히 작은 간격으로 이격되어 있어서 인접한 편광 라인(750)들 사이에는 보호막(320)이 위치하지 않는다. 이에 따라, 보호막(320)의 일부는 평탄화막(356)을 마주본다. 서로 인접한 편광 라인(750)들, 평탄화막(356) 및 보호막(320)에 의해 둘러싸여 정의된 홀(909)은 공기로 채워질 수 있다. 또한, 보호막(320)은 제 2 콘택홀(952)을 갖는다. 제 2 콘택홀(952)에 의해 편광 패턴(700)의 일부가 노출된다.
보호막(320)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx)와 같은 무기 절연물로 만들어질 수 있는 바, 이와 같은 경우 그 무기 절연물질로서 감광성(photosensitivity)을 가지며 유전 상수(dielectric constant)가 약 4.0인 것이 사용될 수 있다. 이와 달리, 보호막(320)은 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수도 있다.
삭제
화소 전극(PE)은 수직적으로 보호막(320) 상에 위치한다. 화소 전극(PE)은 평면적으로 출광 영역(111)에 대응되게 위치한다. 화소 전극(PE)의 일부는 출광 영역(111)의 외부로 연장되어 차광 영역에 위치한다. 예를 들어, 화소 전극(PE)의 가장자리는 차광 영역에 위치한다. 화소 전극(PE)은 제 2 콘택홀(952)을 통해 편광 패턴(700)에 연결된다. 다시 말하여, 화소 전극(PE)은 차광 영역에서 제 2 콘택홀(952)을 통해 편광 패턴(700)에 연결된다. 화소 전극(PE)은 편광 패턴(700)과 중첩한다. 예를 들어, 화소 전극(PE)은 적어도 하나의 편광 라인(750)을 중첩할 수 있다.
화소 전극(PE)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 전단 게이트 라인(GL`)과 중첩할 수 있다. 화소 전극(PE)과 전단 게이트 라인(GL`) 사이에 스토리지 커패시터(storage capacitor)가 형성된다.
화소 전극(PE)은 ITO(Indium tin oxide) 또는 IZO(Indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수 있다. 이때, ITO는 다결정 또는 단결정의 물질일 수 있다. IZO 역시 다결정 또는 단결정의 물질일 수 있다. 이와 달리, IZO는 비정질(amorphous) 물질일 수 있다.
차광층(376)은 출광 영역(111)을 제외한 영역(즉, 차광 영역)에서 광이 출광되는 것을 차단한다. 이를 위해, 차광층(376)은 차광 영역에 위치한다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 차광층(376)은 차광 영역에 대응되게 평탄화막(356), 보호막(320) 및 화소 전극(PE) 상에 위치한다.
컬럼 스페이서(472)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 차광층(376) 상에 위치한다. 예를 들어, 컬럼 스페이서(472)는 스위칭 소자(TFT)를 중첩하게 차광층(376) 상에 위치할 수 있다. 컬럼 스페이서(472)는 차광층(376)과 일체로 이루어질 수 있다. 컬럼 스페이서(472)와 차광층(376)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
도시되지 않았지만, 차광층(376), 컬럼 스페이서(472) 및 화소 전극(PE) 상에 제 1 배향막이 위치할 수 있다. 제 1 배향막은 러빙(rubbing)된 배향막일 수도 있고, 러빙되지 않은 배향막일 수도 있다.
공통 전극(330)은 제 2 기판(302) 상에 위치한다. 공통 전극(330)은 제 2 기판의 전면(全面)에 위치할 수 있다. 공통 전극(330)은 화소 전극(PE)과 동일한 물질로 만들어질 수 있다. 한편, 화소 전극(PE)이 IZO 물질로 제조될 때, 공통 전극(330)은 ITO로 제조될 수 있다.
도시되지 않았지만, 공통 전극(330) 상에 제 2 배향막이 위치할 수 있다. 제 2 배향막은 러빙된 배향막일 수도 있고, 러빙되지 않은 배향막일 수도 있다.
액정층(333)은 제 1 기판(301)과 제 2 기판(302) 사이에 위치한다. 구체적으로, 액정층(333)은 제 1 기판(301) 상의 제 1 배향막과 제 2 기판(302) 상의 제 2 배향막 사이에 위치한다.
액정층(333)은 양의 유전율 이방성을 가지는 네마틱(nematic) 액정 물질을 포함할 수 있다. 액정층(333)의 액정 분자는 그 장축 방향이 제 1 기판(301) 및 제 2 기판(302) 중 어느 하나에 평행하게 배열되어 있고, 그 방향이 제 1 배향막의 러빙 방향으로부터 제 2 기판(302)에 이르기까지 나선상으로 90도 비틀린 구조를 가질 수 있다.
또는, 네마틱 액정 물질 대신, 액정층(333)은 수직 배향된 액정 물질들을 포함할 수도 있다. 이와 같은 경우, 제 1 배향막은 수직 배향막일 수도 있고, 광반응 물질을 포함하는 배향막일 수도 있다. 그리고, 제 2 배향막은 수직 배향막일 수도 있고, 광중합 물질을 이용하여 광배향된 배향막일 수 있다.
한편, 네마틱 액정 물질 대신, 액정층(333)은 음의 유전율 이방성을 갖는 액정 분자를 포함할 수 있다.
편광판(381)은 백라이트 유닛(444)으로부터 출광된 광(L)을 편광한다. 편광판(381)은 백라이트 유닛(444)과 제 2 기판(302) 사이에 위치한다.
전술된 스위칭 소자(TFT), 컬러 필터(354), 색 변환층(195), 편광 패턴(700), 화소 전극(PE), 차광층(376) 및 컬럼 스페이서(472)는 제 1 기판(301) 상에 위치한다. 다시 말하여, 스위칭 소자(TFT), 컬러 필터(354), 색 변환층(195), 편광 패턴(700), 화소 전극(PE), 차광층(376) 및 컬럼 스페이서(472)는 제 1 기판(301)과 액정층(333) 사이에 위치한다. 여기서, 스위칭 소자(TFT), 색 변환층(195) 및 편광 패턴(700)이 동일한 기판, 즉 제 1 기판(301) 상에 위치하므로, 스위칭 소자(TFT), 색 변환층(195) 및 편광 패턴(700) 간의 정렬 상태가 우수하다. 또한, 스위칭 소자(TFT), 색 변환층(195) 및 화소 전극(PE)이 동일한 기판, 즉 제 1 기판(301) 상에 위치하는 바, 이때 색 변환층(195)에 의해 화소 전극(PE)과 데이터 라인(DL) 사이의 거리가 멀어질 수 있다. 그러므로, 화소 전극(PE)과 데이터 라인(DL) 간의 커플링 현상이 방지될 수 있다. 이에 따라, 도 1에 도시된 바와 같이, 화소 전극(PE)은 데이터 라인(DL)의 상부로 더 연장될 수 있다. 즉, 화소 전극(PE)은 데이터 라인(DL)과 중첩할 수 있다. 따라서, 화소(PX)의 개구율이 증가할 수 있다.
도 3은 복수의 화소들에 대한 평면도이다.
도 3에는 인접한 4개의 화소들(PX1, PX2, PX3, PX4)이 도시되어 있다. 제 1 내지 제 4 화소들(PX1 내지 PX4) 각각은 전술된 도 1의 화소(PX)와 동일한 구성을 가질 수 있다. 한편, 도 3에서 제 3 및 제 4 화소(PX3, PX4)의 일부는 도시되지 않았다.
각 화소(PX1 내지 PX4)의 편광 패턴(700)은 서로 연결되지 않는다. 예를 들어, 제 1 화소(PX1)의 화소 전극(PE)과 중첩된 편광 패턴(750)과 제 2 화소(PX2)의 화소 전극과 중첩된 편광 패턴은 연결되지 않는다. 또한, 제 1 화소(PX1)의 화소 전극(PE)과 중첩된 편광 패턴과 제 3 화소(PX3)의 화소 전극과 중첩된 편광 패턴은 연결되지 않는다.
하나의 화소에 포함된 인접 편광 라인들 간의 간격은 인접 화소들 간의 편광 라인들 간의 간격보다 더 작다. 예를 들어, 제 1 화소(PX1)의 화소 전극(PE)에 의해 중첩되며 서로 인접한 2개의 편광 라인(700)들 간의 간격을 d1로 정의하고, 제 1 화소(PX1)의 편광 라인(700)과 이에 인접한 제 2 화소(PX2)의 편광 라인(700) 간의 간격을 d2로 정의할 때, d1은 d2보다 더 작다.
도 4는 복수의 화소들에 대한 다른 평면도이다.
본 발명의 액정 표시 장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 차폐 라인(707)을 더 포함할 수 있다.
차폐 라인(707)은 데이터 라인(DL)과 중첩하게 평탄화막(356) 상에 위치한다. 차폐 라인(707)은 데이터 라인(DL)과 중첩하며 그 데이터 라인(DL)을 따라 위치한다. 도시되지 않았지만, 하나의 데이터 라인 상에는 복수의 차폐 라인들이 위치할 수 있다. 하나의 데이터 라인과 중첩하는 복수의 차폐 라인들 간은 d1만큼 이격되어 있다.
차폐 라인(707)은 편광 패턴(700)과 동일층 상에 위치한다. 차폐 라인(707)은 전술된 편광 패턴(700)과 동일한 물질로 동일한 공정으로 제조될 수 있다. 즉, 차례 라인(707)은 편광 패턴(700)과 같이 스템핑(stamping) 방식 또는 임프린팅(imprinting) 방식으로 평탄화막(356) 상에 전사될 수 있다.
차폐 라인(707)은 공통 전압을 공급받을 수 있다. 차폐 라인(707)은 데이터 라인(DL)과 화소 전극(PE) 간에 전계가 형성되는 것을 방지한다. 또한, 동일한 공통 전압을 공급받는 차폐 라인(707)과 공통 전극(330) 간에 등전위가 형성되므로, 차폐 라인(707)과 공통 전극(330) 사이에 위치한 액정층(333)을 통과한 광은 차단된다. 따라서, 데이터 라인(DL)에 대응되는 부분에서의 빛샘이 방지된다. 게다가, 차폐 라인(707)은 데이터 라인(DL) 상의 차광층(376) 부분을 대신할 수 있으므로, 이러한 차폐 라인(707)이 사용될 경우 데이터 라인(DL) 상의 차광층(376) 부분은 제거될 수 있다. 그러므로, 차폐 라인(707)이 사용될 경우 화소(PX)의 개구율이 더욱 증가할 수 있다.
도 5a 내지 도 5t는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이고, 도 6은 도 5j의 편광 패턴에 대한 평면도이다.
먼저, 도시되지 않았지만, 제 1 기판(301)의 전면(全面)에 게이트 금속층이 증착된다. 게이트 금속층은 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리 기상 증착(physical vapor deposition: PVD) 방식으로 증착될 수 있다.
이후 포토리쏘그라피(photolithography) 공정에 의해 전술된 게이트 금속층이 패터닝됨으로써, 도 5a에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(GL), 게이트 전극(GE)이 제 1 기판(301) 상에 형성된다.
게이트 금속층은 식각액을 이용한 습식 식각(wet-etch) 방식으로 제거될 수 있다.
게이트 금속층은 전술된 게이트 라인(GL)의 제조에 사용되는 물질로 제조될 수 있다.
이이서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 게이트 절연막(311)이 증착된다. 게이트 절연막(311)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD) 방식으로 증착될 수 있다.
게이트 절연막(311)은 전술된 게이트 절연막(311)의 제조에 사용되는 물질로 제조될 수 있다.
다음으로, 도시되지 않았지만, 게이트 절연막(311)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 반도체 물질 및 불순물 반도체 물질이 차례로 증착된다. 반도체 물질 및 불순물 반도체 물질은 화학 기상 증착(chemical vapor depostion: CVD) 방식으로 증착될 수 있다.
반도체 물질은 전술된 반도체층(321)의 제조에 사용되는 물질로 이루어질 수 있다.
불순물 반도체 물질은 전술된 제 1 및 제 2 저항성 접촉층(321a, 321b)의 제조에 사용되는 물질로 이루어질 수 있다.
이후, 포토리쏘그라피 공정에 의해 반도체 물질 및 불순물 반도체 물질이 패터닝됨으로써, 도 5c에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(GE)을 중첩하는 반도체층(321)이 게이트 절연막(311) 상에 형성되고, 제 1 불순물 반도체 패턴(841)이 반도체층(321) 상에 형성된다.
반도체 물질 및 불순물 반도체 물질은 식각 가스를 이용한 건식 식각(dry-etch) 방식으로 제거될 수 있다.
이후, 도시되지 않았지만, 반도체층(321) 및 불순물 반도체 패턴(841)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 소스 금속층이 증착된다.
소스 금속층은 전술된 데이터 라인(DL)의 제조에 사용되는 물질로 제조될 수 있다.
다음으로, 포토리쏘그라피 공정에 의해 소스 금속층이 패터닝됨으로써, 도 5d에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(GL)과 교차하는 데이터 라인(DL)이 게이트 절연막(311) 상에 형성되고, 반도체층(321)의 양측을 중첩하는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 불순물 반도체 패턴(841) 상에 형성된다.
이어서, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 마스크로 사용된 상태에서, 식각 공정에 의해 불순물 반도체 패턴(841) 패터닝됨으로써, 도 5e에 도시된 바와 같이, 제 1 저항성 접촉층(321a) 및 제 2 저항성 접촉층(321b)이 형성된다. 제 1 저항성 접촉층(321a)은 소스 전극(SE)과 반도체층(321) 사이에 형성되며, 제 2 저항성 접촉층(321b)은 드레인 전극(DE)과 반도체층(321) 사이에 형성된다.
한편, 전술된 불순물 반도체 패턴(841)에 대한 식각 공정시, 그 불순물 반도체 패턴(841)의 하부에 위치한 반도체층(321)의 일부가 제거된다. 이에 따라, 반도체층(321)의 채널 영역에 해당하는 부분의 두께가 감소된다.
이어서, 도시되지 않았지만, 스위칭 소자(TFT) 및 게이트 절연막(311)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 감광성 유기 물질이 형성되고, 이어서 그 감광성 유기 물질 상에 색 변환 물질이 형성된다.
이후, 포토리쏘그라피 공정에 의해 감광성 유기 물질 및 색 변환 물질이 패터닝됨으로써, 도 5f에 도시된 바와 같이, 컬러 필터(354) 및 색 변환층(195)이 형성된다. 이때, 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터 및 청색 컬러 필터는 순차적으로 형성된다. 마찬가지로, 적색 변환층, 녹색 변환층 및 청색 변환층도 순차적으로 형성된다. 예를 들어, 스위칭 소자(TFT) 및 게이트 절연막(311)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 청색 감광성 유기 물질 및 청색 변환 물질이 형성된 후 이 물질들이 제 1 포토리쏘그라피 공정에 의해 패터닝되어 청색 컬러 필터(354) 및 청색 변환층(195)이 제조된다. 이어서, 청색 컬러 필터(354) 및 청색 변환층(195)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 적색 감광성 유기 물질 및 적색 변환 물질이 형성된 후 이 물질들이 제 2 포토리쏘그라피 공정에 의해 패터닝되어 적색 컬러 필터(354`) 및 적색 변환층(195`)이 제조된다. 다음으로, 청색 컬러 필터(354), 청색 변환층(195), 적색 컬러 필터(354`) 및 적색 변환층(195`)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 녹색 감광성 유기 물질 및 녹색 변환 물질이 형성된 후 이 물질들이 제 3 포토리쏘그라피 공정에 의해 패터닝되어 녹색 컬러 필터(354``) 및 녹색 변환층(195``)이 제조된다.
한편, 청색광을 출광하는 백라이트 유닛(444)이 사용될 때, 전술된 청색 컬러 필터(354) 및 청색 변환층(195) 대신 광투과층이 사용될 수 있다. 광투광층은 투명 감광제로 제조될 수 있다.
이어서, 도 5g에 도시된 바와 같이, 색 변환층(195), 스위칭 소자(TFT) 및 게이트 절연막(311)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 캡핑층(391)이 증착된다.
캡핑층(391)은 전술된 캡핑층(391)의 제조에 사용되는 물질로 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 5h에 도시된 바와 같이, 캡핑층(391)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 평탄화막(356)이 형성된다.
이어서, 포토리쏘그라피 공정에 의해 평탄화막(356) 및 캡핑층(391)이 선택적으로 제거됨으로써, 도 5i에 도시된 바와 같이, 드레인 전극(DE)을 노출시키는 제 1 콘택홀(951)이 형성된다.
이후, 도 5j에 도시된 바와 같이, 평탄화막(356) 상에 편광 패턴(700)이 형성된다. 편광 패턴(700)은 스템핑 방식 또는 임프린팅 방식으로 평탄화막(356) 상에 전사될 수 있다. 편광 패턴(700)은 색 변환층(195) 및 스위칭 소자(TFT)와 중첩한다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 각 화소의 편광 패턴(700)은 서로 연결된 상태로 평탄화막(356) 상에 형성된다.
다음으로, 도 5k에 도시된 바와 같이, 편광 패턴(700) 및 평탄화막(356)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 보호막(320)이 형성된다. 편광 라인(750)들은 나노 미터 단위의 상당히 작은 간격으로 이격되어 있어서 인접한 편광 라인(750)들 사이에는 보호막(320)이 형성되지 않는다. 서로 인접한 편광 라인(750)들, 평탄화막(356) 및 보호막(320)에 의해 정의된 홀(909)은 공기로 채워질 수 있다.
이어서, 도 5l에 도시된 바와 같이, 보호막(320) 상에 포토레지스트(PR)가 형성된다. 포토레지스트(PR)는 보호막(320)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 도포된다.
다음으로, 마스크(M)가 포토레지스트(PR) 상에 배치된다. 마스크(M)는 광이 투과되는 투과 영역(TA), 광이 차단되는 차단 영역(BA), 그리고 광이 부분적으로 투과되는 반투과 영역(HTA)을 포함한다. 반투과 영역(HTA)은 다수의 슬릿 또는 반투명막을 포함할 수 있다. 이때, 반투과 영역(HTA)의 광 투과도는 투과 영역(TA)의 광 투과도보다 더 낮다. 예를 들어, 반투과 영역(HA)의 광 투과도는 투과 영역(TA)의 광 투과도의 약 1/2배일 수 있다.
이어서, 자외선과 같은 광이 마스크(M)를 통해 포토레지스트(PR)에 선택적으로 조사되어 포토레지스트(PR)가 노광된다. 노광된 포토레지스트(PR)가 현상되면, 도 5m에 도시된 바와 같이, 서로 다른 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴(PP1) 및 제 2 포토레지스트 패턴(PP2)이 보호막(320) 상에 형성된다. 제 2 포토레지스트 패턴(PP2)은 제 1 포토레지스트 패턴(PP1)보다 더 작은 두께를 갖는다. 예를 들어, 제 2 포토레지스트 패턴(PP2)의 두께는 제 1 포토레지스트 패턴(PP1)의 두께의 1/2배일 수 있다. 한편, 도 5m에서의 마스크(M)는 포토레지스트 패턴들(PP1, PP2)의 위치에 대한 설명의 편의를 위해 도시된 것으로, 도 5m에 도시된 현상 공정이 수행되기에 앞서 마스크(M)는 미리 제거된다.
제 1 포토레지스트 패턴(PP1)은 패턴용 마스크(M)의 차단 영역(BA)에 대응하는 보호막(320) 상에 위치하며, 제 2 포토레지스트 패턴(PP2)은 마스크(M)의 반투과 영역(HTA)에 대응하는 보호막(320) 상에 위치한다. 제 2 포토레지스트 패턴(PP2)은 제 2 콘택홀(952)이 형성될 부분에 대응되게 위치한다.
다음으로, 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴들(PP1, PP2)이 마스크로 사용된 상태에서, 보호막(320)이 식각된다. 다시 말하여, 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴들(PP1, PP2)에 의해 노출된 보호막(320) 부분이 식각된다. 그러면, 도 5n에 도시된 바와 같이, 스위칭 소자(TFT)에 대응되게 위치한 보호막(320) 부분 및 게이트 라인(GL)에 대응되게 위치한 보호막(320) 부분이 제거된다. 보호막(320)은 건식 식각으로 제거된다. 이 보호막(320) 부분들이 제거됨에 따라, 스위칭 소자(TFT)에 대응되게 위치한 편광 라인(750)들의 일부 및 게이트 라인(GL)에 대응되게 위치한 편광 라인(750)들의 일부가 노출된다.
다음으로, 도 5o에 도시된 바와 같이, 애슁(ashing) 공정이 수행된다. 애슁 공정시 제 1 포토레지스트 패턴(PP1)의 두께와 제 2 포토레지스트 패턴(PP2)의 두께는 동일한 수준으로 감소된다. 이때, 이 애슁 공정은 상대적으로 더 작은 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(PP2)이 제거될 때까지 수행된다. 즉, 제 2 포토레지스트 패턴(PP2)이 제거되는 시점에 애슁 공정이 종료된다.
제 2 포토레지스트 패턴(PP2)이 제거됨에 따라 그 하부에 위치한 보호막(320) 부분이 노출된다. 한편, 이 애슁 공정에 의해 제 1 포토레지스트 패턴(PP1)의 일부가 제거되는 바, 이에 따라 제 1 포토레지스트 패턴(PP1)의 두께가 감소한다. 이하, 애슁 공정 후 남은 제 1 포토레지스트 패턴(PP1)을 제 3 포토레지스트 패턴(PP3)으로 정의한다.
이후, 제 3 포토레지스트 패턴(PP3)이 마스크로 사용된 상태에서, 편광 패턴(700)이 식각된다. 다시 말하여, 제 3 포토레지스트 패턴(PP3)에 의해 노출된 편광 패턴(700) 부분이 식각된다. 편광 패턴(700)은 습식 식각으로 제거된다. 그러면, 도 5p에 도시된 바와 같이, 스위칭 소자(TFT)에 대응되게 위치한 편광 라인(750)들의 일부분 및 게이트 라인(GL)에 대응되게 위치한 편광 라인(750)들의 일부분이 제거된다. 이 편광 패턴(700)의 일부가 제거됨에 따라, 스위칭 소자(TFT)에 대응되게 위치한 평탄화막(356) 부분 및 게이트 라인(GL)에 대응되게 위치한 평탄화막(356) 부분이 노출된다. 또한, 위와 같은 편광 패턴(700)에 대한 식각 공정에 의해 편광 패턴(700)이 화소별로 분리된다. 즉, 게이트 라인(GL)을 사이에 두고 인접한 화소들 간의 편광 패턴(700)이 서로 분리된다.
다음으로, 전술된 제 3 포토레지스트 패턴(PP3)이 마스크로 사용된 상태에서, 보호막(320)이 식각된다. 전술된 제 3 포토레지스트 패턴(PP3)에 의해 노출된 보호막(320) 부분 식각된다. 보호막(320)은 건식 식각으로 제거된다. 여기서, 보호막(320)이 식각되면서 평탄화막(356)도 함께 식각된다. 즉, 보호막(320)과 평탄화막(356)은 건식 식각에 의해 함께 제거된다. 그러면, 도 5q에 도시된 바와 같이, 보호막(320)에 제 2 콘택홀(952)이 형성된다. 제 2 콘택홀(952)에 의해 그 하부의 편광 패턴(700) 부분이 노출된다. 또한, 위 건식 식각에 의해, 평탄화막(356)에 제 1 홈(981) 및 제 2 홈(982)이 형성된다. 제 1 홈(981)은 스위칭 소자(TFT)에 대응되게 위치하며, 제 2 홈(982)은 게이트 라인(GL)에 대응되게 위치한다.
다음으로, 도 5r에 도시된 바와 같이, 제 3 포토레지스트 패턴(PP3)이 제거된다. 제 3 포토레지스트 패턴(PP3)은 스트립(strip) 용액에 의해 제거될 수 있다. 스트립 용액은 에틸렌 카보네이트(Ethylene Carbonate)를 포함할 수 있다.
이후, 도시되지 않았지만, 보호막(320) 및 평탄화막(356)을 포함한 제 1 기판(301)의 전면에 투명 금속층이 증착된다.
투명 금속층은 전술된 화소 전극(PE)의 제조에 사용되는 물질로 이루어질 수 있다.
다음으로, 포토리쏘그라피 공정에 의해 투명 금속층이 패터닝됨으로써, 도 5s에 도시된 바와 같이, 화소 전극(PE)이 형성된다. 화소 전극(PE)은 제 2 콘택홀(952)을 통해 편광 패턴(700)에 연결된다.
이어서, 차광 영역에 차광층(376) 및 컬럼 스페이서(472)가 형성된다. 차광층(376)은 차광 영역에 위치한 평탄화막(356) 부분, 보호막(320) 부분 및 화소 전극(PE) 부분 상에 위치한다. 차광층(376)과 컬럼 스페이서(472)는 동시에 만들어질 수도 있고, 이와 달리 서로 다른 별개의 공정으로 따로 만들어질 수도 있다.
한편, 도시되지 않았지만, 차광층(376)은 전술된 바와 같이 제 1 기판(301) 상에 위치하고, 컬럼 스페이서(472)는 제 1 기판(301) 대신 제 2 기판(302) 상에 위치할 수 있다. 이와 같은 경우, 예를 들어, 컬럼 스페이서(472)는 공통 전극(330) 상에 위치할 수 있다.
또한, 도시되지 않았지만, 차광층(376) 및 컬럼 스페이서(472)는 제 1 기판(301) 대신 제 2 기판(302) 상에 위치할 수 있다. 이와 같은 경우, 예를 들어, 차광층(376)은 제 2 기판(302)과 공통 전극(330) 사이에 위치하며, 컬럼 스페이서(472)는 그 공통 전극(330) 상에 위치할 수 있다. 다시 말하여, 컬럼 스페이서(472)는 그 공통 전극(330)과 제 1 기판(301) 사이에 위치할 수 있다.
또한, 도시되지 않았지만, 차광층(376)은 제 1 기판(301) 대신 제 2 기판(302) 상에 위치하고, 컬럼 스페이서(472)는 전술된 바와 같이 제 1 기판(301) 상에 위치할 수 있다. 이와 같은 경우, 예를 들어, 차광층(376)은 제 2 기판(302)과 공통 전극(330) 사이에 위치한다.
이후 도시되지 않았지만, 차광층(376), 컬럼 스페이서(472) 및 화소 전극(PE) 상에 제 1 배향막이 형성된다.
다음으로, 제 2 기판(302)의 내측면에 공통 전극(330)이 형성된다. 공통 전극(330)은 제 2 기판(302)의 내측면의 전면에 형성된다.
이어서, 도시되지 않았지만, 공통 전극(330) 상에 제 2 배향막이 형성된다.
이후, 제 1 기판(301)과 제 2 기판(302) 사이에 액정층(333)이 형성된다. 액정층(333)은 제 1 기판(301)의 제 1 배향막과 제 2 기판(302)의 제 2 배향막 사이에 위치한다. 제 1 기판(301)과 제 2 기판(302)은 실런트(sealant)에 의해 합착될 수 있다.
다음으로, 제 2 기판(302)의 외측면에 편광판(381)이 형성된다.
이후, 편광판(381)을 마주보는 백라이트 유닛(444)이 제 2 기판(302)의 하부에 위치한다.
도 7은 도 1의 I-I`의 선을 따라 자른 다른 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 차광층(376)과 컬럼 스페이서(472)는 별도의 공정으로 제조될 수 있다. 즉, 차광층(376)이 먼저 형성된 후, 그 차광층 상에 컬럼 스페이서(472)가 별도의 공정으로 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
DL: 데이터 라인 TFT: 스위칭 소자
301: 제 1 기판 302: 제 2 기판
SE: 소스 전극 DE: 드레인 전극
GE: 게이트 전극 321: 반도체층
321a: 제 1 저항성 접촉층 321b: 제 2 저항성 접촉층
311: 게이트 절연막 320: 보호막
376: 차광층 356: 평탄화막
951: 제 1 콘택홀 952: 제 2 콘택홀
700: 편광 패턴 750: 편광 라인
PE: 화소 전극 472: 컬럼 스페이서
333: 액정층 330: 공통 전극
381: 편광판 444: 백라이트 유닛
L: 광 111: 화소 영역
981: 제 1 홈 982: 제 2 홈
195, 195`: 색 변환층 354: 컬러 필터
391: 캡핑층

Claims (24)

  1. 출광 영역 및 차광 영역을 포함하는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판 상에 위치하는 스위칭 소자 및 색 변환층;
    상기 색 변환층과 중첩하며, 서로 이격된 복수의 편광 라인을 포함하는 편광 패턴; 및
    상기 편광 패턴과 중첩하는 화소 전극을 포함하고,
    상기 스위칭 소자는 상기 복수의 편광 라인 중 제1 편광 라인과 연결되며,
    상기 화소 전극은 상기 제1 편광 라인과 상기 차광 영역에서만 연결되는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 색 변환층과 상기 제1 기판 사이에 위치한 컬러 필터를 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자 및 상기 컬러 필터 상에 위치한 캡핑층을 더 포함하는 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자 및 상기 색 변환층 상에 위치한 평탄화막을 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 평탄화막은,
    상기 스위칭 소자와 상기 편광 패턴 간의 연결부에 대응되게 위치한 제 1 콘택홀; 및
    상기 편광 패턴과 다른 편광 패턴 사이에 위치한 홈을 갖는 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 콘택홀의 깊이는 상기 홈의 깊이보다 더 깊은 표시 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 편광 패턴과 상기 화소 전극 사이의 보호막을 더 포함하는 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 보호막은,
    상기 편광 패턴에 대응되게 위치한 제 2 콘택홀; 및
    상기 홈에 대응되게 위치한 홀을 갖는 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 편광 라인은 상기 제 1 콘택홀을 통해 상기 스위칭 소자에 연결되며, 상기 화소 전극은 상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 제1 편광 라인에 연결된 표시 장치.
  10. 삭제
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 인접한 편광 라인들 사이에 공기층이 위치하는 표시 장치.
  12. 삭제
  13. 제 1 항에 있어서,
    제 2 기판; 및
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 액정층을 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자, 상기 색 변환층, 상기 편광 패턴 및 상기 화소 전극은 상기 제 1 기판과 상기 액정층 사이에 위치한 표시 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 편광 패턴과 다른 방향의 투과축을 갖는 편광판을 더 포함하며, 상기 제 2 기판은 상기 액정층과 상기 편광판 사이에 위치한 표시 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자를 중첩하는 차광층을 더 포함하는 표시 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 차광층 상에 위치한 컬럼 스페이서를 더 포함하는 표시 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 차광층과 컬럼 스페이서는 일체로 이루어진 표시 장치.
  19. 제 1 기판 상에 스위칭 소자를 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판 상에 색 변환층을 형성하는 단계;
    상기 스위칭 소자 및 상기 색 변환층 상에 평탄화막을 형성하는 단계;
    상기 평탄화막에 상기 스위칭 소자의 드레인 전극을 노출시키는 제 1 콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 평탄화막 상에, 서로 이격된 복수의 편광 라인을 포함하는 편광 패턴을 형성하는 단계 - 상기 복수의 편광 라인 중 제1 편광 라인은 상기 제1 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 연결됨 -;
    상기 편광 패턴 상에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막 상에 제 1 포토레지스트 패턴 및 상기 제 1 포토레지스트 패턴보다 더 작은 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제 1 포토레지스트 패턴 및 상기 제 2 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 상기 보호막의 제 1 부분을 건식 식각으로 제거하여 편광 패턴의 제 1 부분을 노출시키는 단계;
    상기 제 2 포토레지스트 패턴을 제거하여 상기 보호막의 제 2 부분을 노출시키고, 상기 제 1 포토레지스트 패턴의 일부를 잔존시켜 잔류 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 잔류 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 상기 편광 패턴의 제 1 부분을 습식 식각으로 제거하여 평탄화막을 노출시키는 단계;
    상기 잔류 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 보호막의 제 2 부분을 건식 식각으로 제거하여 상기 제1 편광 라인의 일부를 노출시키는 단계;
    상기 잔류 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및
    상기 보호막 상에, 상기 스위칭 소자에 연결된 상기 제1 편광 라인의 일부와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 편광 패턴의 제 2 부분을 노출시키는 건식 식각에 의해 상기 평탄화막에 홈이 더 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 색 변환층과 상기 제 1 기판 사이에 컬러 필터를 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자 및 상기 컬러 필터 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제 19 항에 있어서,
    제 2 기판의 일측 면 상에 공통 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 2 기판의 타측 면 상에, 상기 편광 패턴과 다른 방향의 투과축을 갖는 편광판을 형성하는 단계; 및
    상기 편광판을 마주보게 상기 제 2 기판의 하부에 백라이트 유닛을 위치시키는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.












KR1020160069608A 2016-06-03 2016-06-03 표시 장치 및 이의 제조 방법 KR102607407B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160069608A KR102607407B1 (ko) 2016-06-03 2016-06-03 표시 장치 및 이의 제조 방법
US15/475,969 US10698276B2 (en) 2016-06-03 2017-03-31 Display device and method for fabricating the same
EP17174354.5A EP3252526A1 (en) 2016-06-03 2017-06-02 Display device and method for fabricating the same
CN201710412691.XA CN107463034B (zh) 2016-06-03 2017-06-05 显示设备及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160069608A KR102607407B1 (ko) 2016-06-03 2016-06-03 표시 장치 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170137994A KR20170137994A (ko) 2017-12-14
KR102607407B1 true KR102607407B1 (ko) 2023-11-28

Family

ID=59009590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160069608A KR102607407B1 (ko) 2016-06-03 2016-06-03 표시 장치 및 이의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10698276B2 (ko)
EP (1) EP3252526A1 (ko)
KR (1) KR102607407B1 (ko)
CN (1) CN107463034B (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102603079B1 (ko) * 2016-07-29 2023-11-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102392706B1 (ko) * 2017-07-25 2022-04-29 엘지디스플레이 주식회사 컬러 필터를 포함하는 디스플레이 장치
KR102521100B1 (ko) * 2018-01-08 2023-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102617876B1 (ko) * 2018-02-01 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102577603B1 (ko) * 2018-02-07 2023-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시패널, 표시패널의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시장치
KR20190123379A (ko) * 2018-04-23 2019-11-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
CN110632783B (zh) * 2018-06-22 2021-05-18 深圳Tcl新技术有限公司 一种量子点液晶面板及其制造方法
KR20200021577A (ko) * 2018-08-20 2020-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110703502A (zh) * 2019-11-19 2020-01-17 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN215183965U (zh) * 2020-08-03 2021-12-14 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN113917731B (zh) * 2020-10-12 2023-07-25 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN112433414A (zh) 2020-12-01 2021-03-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
US11966544B2 (en) * 2022-07-29 2024-04-23 Apple Inc. Data line shielding for electronic device displays with touch sensors

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020149733A1 (en) 1997-05-29 2002-10-17 Lyu Jae-Jin Liquid crystal display device having wide viewing angle and improved contrast ratio
US20060061519A1 (en) 2004-09-17 2006-03-23 Fisher Arthur D Microdisplay
JP2007017762A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Seiko Epson Corp ワイヤーグリッド偏光子の製造方法、液晶装置、プロジェクタ
US20120194764A1 (en) * 2009-11-11 2012-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100660811B1 (ko) * 1999-12-31 2006-12-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치용 배선 형성방법
US20070154818A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Wintek Corporation Integrated color filter
KR20080001504A (ko) * 2006-06-29 2008-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
US7787057B2 (en) * 2006-08-22 2010-08-31 Rgb Systems, Inc. Method and apparatus for DC restoration using feedback
KR20090063761A (ko) * 2007-12-14 2009-06-18 삼성전자주식회사 표시 장치
JP4640446B2 (ja) * 2008-05-26 2011-03-02 ソニー株式会社 液晶装置、カラーフィルタ基板及びアレイ基板
KR101094298B1 (ko) 2009-08-18 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101639976B1 (ko) 2009-12-02 2016-07-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시모듈
KR101785642B1 (ko) * 2010-11-05 2017-10-16 엘지이노텍 주식회사 컬러필터 및 이를 이용한 디스플레이 장치
US8587751B2 (en) 2011-02-14 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Display panel and display apparatus having the same
KR101929252B1 (ko) * 2011-12-09 2019-03-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20130105770A (ko) 2012-03-15 2013-09-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR20150009862A (ko) * 2013-07-17 2015-01-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN103412435B (zh) * 2013-07-24 2015-11-25 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示屏及显示装置
CN103730472B (zh) * 2013-12-25 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR20150107965A (ko) 2014-03-14 2015-09-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시장치 및 그 제조방법
KR20160028263A (ko) 2014-09-03 2016-03-11 삼성전자주식회사 디스플레이장치
CN104330915B (zh) * 2014-11-07 2017-06-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
KR20160069628A (ko) * 2014-12-08 2016-06-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102363676B1 (ko) * 2015-04-16 2022-02-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
CN104991377B (zh) * 2015-08-03 2018-01-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶显示面板及显示装置
KR20170143054A (ko) * 2016-06-17 2017-12-29 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020149733A1 (en) 1997-05-29 2002-10-17 Lyu Jae-Jin Liquid crystal display device having wide viewing angle and improved contrast ratio
US20060061519A1 (en) 2004-09-17 2006-03-23 Fisher Arthur D Microdisplay
JP2007017762A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Seiko Epson Corp ワイヤーグリッド偏光子の製造方法、液晶装置、プロジェクタ
US20120194764A1 (en) * 2009-11-11 2012-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
EP3252526A1 (en) 2017-12-06
KR20170137994A (ko) 2017-12-14
CN107463034A (zh) 2017-12-12
US20170351149A1 (en) 2017-12-07
US10698276B2 (en) 2020-06-30
CN107463034B (zh) 2021-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102607407B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10061162B2 (en) Method for fabricating the liquid crystal display device having a seal insertion groove and a plurality of anti-spreading grooves
US8927993B2 (en) Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display and method of manufacturing the same
US9123598B2 (en) Method of fabricating array substrate of liquid crystal display device
CN106200090B (zh) 显示面板及其制造方法
US11221520B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR102633265B1 (ko) 표시 장치
KR102503756B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US20170363915A1 (en) Liquid crystal display device
KR20100040571A (ko) 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20170117261A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20160069022A (ko) 와이어 그리드 편광자, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조방법
US9470829B2 (en) Polarizing plate, TFT substrate including the polarizing plate, and method of manufacturing the polarizing plate
KR20160014835A (ko) 와이어 그리드 편광자 및 이의 제조방법
KR20170087568A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102431348B1 (ko) 표시 장치
KR102027526B1 (ko) 씨오티 구조의 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR20140013522A (ko) 박막트랜지스터, 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20180027717A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102188065B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR101820532B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR101260666B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판과 그 제조방법 및 액정 표시장치와 그 제조방법
KR20180064613A (ko) 표시 장치
KR102661122B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20080034634A (ko) 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 이를 구비하는액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant