CN107463034B - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种显示设备及其制造方法能够增强开关元件、颜色转换层和像素电极的布置条件并且能够增加像素的开口率。所述显示设备包括：第一基板；第一基板上的开关元件和颜色转换层；与颜色转换层重叠并连接到开关元件的偏振图案；以及与偏振图案重叠并连接到偏振图案的像素电极。

Description

显示设备及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年6月3日提交到韩国知识产权局(KIPO)的韩国专利申请第10-2016-0069608号的优先权，其公开内容通过引用被整体合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种显示设备及其制造方法，更具体地，涉及一种能够增强开关元件、颜色转换层和像素电极的布置条件并且能够增加像素的开口率的显示设备及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(LCD)设备是近来已得到广泛应用的平板显示器(FPD)的一种。LCD设备包括两个基板，该两个基板分别包括形成于其上的两个电极和插入于这两个电极之间的液晶层。在向两个电极施加电压时，液晶层的液晶分子被重新布置，使得透射光的量可以在LCD设备中被调节。LCD设备包括多个像素，并且像素的开口率通常与像素的透明区域和整个像素区域之间的比率相关。当透明区域比率变大时，光会更有效地穿透。因此，像素的开口率可以直接影响到背光的利用率，并且可以确定LCD设备的面板亮度。

发明内容

本发明的示例性实施例可致力于一种能够增强开关元件、颜色转换层和像素电极的布置条件并且能够增加像素的开口率的显示设备、以及制造显示设备的方法。

根据本发明的示例性实施例，显示设备包括：第一基板；开关元件和颜色转换层，在第一基板上；偏振图案，与颜色转换层重叠并连接到开关元件；以及像素电极，与偏振图案重叠并连接到偏振图案。

显示设备可进一步包括：滤色器，在颜色转换层和第一基板之间。

显示设备可进一步包括：封盖层，在开关元件上并且在滤色器和颜色转换层中的至少一个上。

显示设备可进一步包括：平坦化层，在开关元件和颜色转换层上。

平坦化层可以用第一接触孔和凹槽来限定，第一接触孔对应于开关元件和偏振图案之间的连接部分而被限定，凹槽在偏振图案和另一偏振图案之间被限定。

第一接触孔的深度可以大于凹槽的深度。

显示设备可进一步包括：钝化层，在偏振图案和像素电极之间。

钝化层可以用第二接触孔和对应于凹槽而被限定的孔来限定，第二接触孔对应于偏振图案而被限定。

偏振图案可以通过第一接触孔连接到开关元件，并且像素电极可以通过第二接触孔连接到偏振图案。

偏振图案可以包括彼此间隔开的多个偏振线。

可以在相邻的偏振线之间设置有空气层。

多个偏振线中的至少一个可以连接到开关元件。

显示设备可进一步包括：第二基板；以及液晶层，在第一基板和第二基板之间。

开关元件、颜色转换层、偏振图案和像素电极可以设置在第一基板和液晶层之间。

显示设备可进一步包括：偏振板，该偏振板具有透射轴，该透射轴具有与偏振图案的透射轴的方向不同的方向。第二基板可以设置在液晶层和偏光板之间。

显示设备可进一步包括：遮光层，与开关元件重叠。

显示设备可进一步包括：柱状间隔件，在遮光层上。

遮光层和柱状间隔件可以是一体的。

根据本发明的示例性实施例，一种制造显示设备的方法包括：在第一基板上形成开关元件；在第一基板上形成颜色转换层；在开关元件和颜色转换层上形成平坦化层；在平坦化层上限定第一接触孔，第一接触孔使开关元件的漏电极露出；在平坦化层上形成偏振图案，偏振图案通过第一接触孔连接到开关元件的漏电极；在偏振图案上形成钝化层；在钝化层上形成第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案，第二光致抗蚀剂图案具有小于第一光致抗蚀剂图案的厚度的厚度；通过干法蚀刻方法来去除通过第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案而露出的钝化层的第一部分，以使偏振图案的第一部分露出；去除第二光致抗蚀剂图案以使钝化层的第二部分露出，并且保持第一光致抗蚀剂图案的一部分以形成残留的光致抗蚀剂图案；通过湿法蚀刻方法来去除通过残留的光致抗蚀剂图案而露出的偏振图案的第一部分，以使平坦化层的第一部分露出；通过干法蚀刻方法来去除通过残留的光致抗蚀剂图案而露出的钝化层的第二部分，以使偏振图案的第二部分露出；去除残留的光致抗蚀剂图案；以及在钝化层上形成像素电极，像素电极连接到偏振图案的第二部分。

通过在去除钝化层的第二部分以使偏振图案的第二部分露出中的干法蚀刻，可进一步在平坦化层的第一部分中限定凹槽。

所述方法可进一步包括：在颜色转换层和第一基板之间形成滤色器。

所述方法可进一步包括：在开关元件上并且在滤色器和颜色转换层中的至少一个上形成封盖层。

所述方法进一步包括：在第二基板的一个表面上形成公共电极，以及在第一基板和第二基板底之间形成液晶层。

所述方法可进一步包括：在第二基板的另一表面上形成偏振板，该偏振板具有透射轴，该透射轴具有与偏振图案的透射轴的方向不同的方向；以及将背光单元设置在第二基板的下方以面对偏振板。

根据本发明的示例性实施例，一种显示设备包括：第一基板；液晶层，设置在第一基板和第二基板之间；开关元件、颜色转换层、偏振图案和像素电极，设置在第一基板上，并插入在第一基板和液晶层之间；以及公共电极，设置在第二基板上，并插入在液晶层和第二基板之间。

偏振图案可以与颜色转换层重叠，并可通过第一接触孔连接到开关元件，并且像素电极可以与偏振图案重叠，并可通过第二接触孔连接到偏振图案。

像素电极可以延伸以与数据线重叠。

显示设备可进一步包括：滤色器，设置在颜色转换层和第一基板之间。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明示例性实施例，对本发明的更完整的理解将变得更加明显，其中：

图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示设备的平面图；

图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图；

图3是示出根据本发明的示例性实施例的多个像素的平面图；

图4是示出根据本发明的示例性实施例的多个像素的平面图；

图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G、图5H、图5I、图5J、图5K、图5L、图5M、图5N、图5O、图5P、图5Q、图5R、图5S和图5T是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示设备的工艺的剖视图；

图6是示出根据本发明的示例性实施例的图5J的偏振图案的平面图；并且

图7是沿图1的线I-I'截取的剖视图。

由于图1至图7中的描绘旨在说明的目的，因此附图中的元件不一定按比例绘制。例如，为了清楚起见，一些元件可能被放大或夸大。此外，还可以省略存在于实际产品中的许多元件。

具体实施方式

本发明的特征以及实现它们的方法将根据以下参照附图来详细描述的本发明的示例性实施例而变得清晰。然而，本发明可以以许多不同的形式来体现，并且不应被解释为受限于本文所阐述的具体示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开将是彻底且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。本发明仅由权利要求的范围来限定。因此，为了防止本发明被模糊地解释，在本发明的示例性实施例中并未详细描述公知的组成元件、操作及技术。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。

当一个层、区域或板被称为在另一层、区域或板“上”时，它可以直接在另一层、区域或板上，或者可以在它们之间存在中间层、中间区域或中间板。相反，当一个层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“上”时，它们之间可能不存在中间层、中间区域或中间板。此外，当一个层、区域或板被称为在另一层、区域或板的“下面”时，它可以直接在另一层、区域或板的下面，或者它们之间可以存在中间层、中间区域或中间板。相反，当一个层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板的下面时，在它们之间可能不存在中间层、中间区域或中间板。

为了便于描述，可以在本文中使用空间相对术语“下面”、“下方”、“较少”、“上面”、“上方”等来描述如图所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将会理解，除了附图中所示的方位之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用或操作中的不同方位。例如，在图中所示的设备被翻转的情况下，被放置于另一设备的“下面”或“下方”的设备现在可以被放置在另一设备的“上面”。因此，说明性术语“下面”可以包括在下部位置和上部位置两者。设备还可以在其他方向上定向，因此取决于方位可以不同地解释空间相对术语。

在整个说明书中，当一个元件被称为“连接”到另一元件时，该元件“直接连接”到该另一元件、或者“电连接”到该另一元件，其中，在它们之间插入有一个或多个中间元件。还将理解，当在本说明书中使用时，术语“包含”和/或“包括”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或组的存在，但是并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或者添加。

将会理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可被用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅被用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，在不脱离本文的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以被同样地称呼。

考虑到成问题的测量和与特定量的测量相关联的误差(即测量系统的限制)，本文所使用的“约”或“近似”包括在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内的规定的值和平均数。例如，“约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或者在规定的值的±30％、20％、10％、5％之内。

除非另有定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将进一步理解，诸如在常用词典中所定义的那些术语应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义相一致的含义，并且将不以理想化或过度正式的意义来解释，除非在本说明书中明确定义。

在下文中，将参考图1至图7来详细描述显示设备以及制造显示设备的方法的示例性实施例。

图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示设备的平面图，并且图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。

如图1和图2所示，在本发明的示例性实施例中，显示设备包括多个像素PX和背光单元444。

如图1和图2所示，像素PX包括：上基板301(以下称为第一基板)、开关元件TFT、栅极绝缘层311、滤色器354、颜色转换层195、钝化层320、封盖层391、平坦化层356、偏振图案700、像素电极PE、遮光层376、下基板302(以下称为第二基板)、公共电极330、偏振板381、以及液晶层333。

在将彼此面对的第一基板301的表面和第二基板302的表面分别定义为对应基板的内表面，并且将与内表面相对的表面分别定义为对应基板的外表面的情况下，上述的偏振板381可以设置在第二基板302的外表面上。偏振板381可以具有透射轴，该透射轴具有与偏振图案700的透射轴的方向不同的方向。例如，偏振图案700的透射轴垂直于偏振板381的透射轴，并且上述的透射轴中的一个与数据线DL平行。

第二基板302设置在第一基板301和背光单元444之间。换言之，在本发明的示例性实施例中，背光单元444可以被设置为与第二基板302的外表面相面对。在这样的示例性实施例中，上述的偏振板381设置在第二基板302和背光单元444之间。在本发明的示例性实施例中，背光单元444可以被设置为与第一基板301的外表面相面对。在这样的示例性实施例中，第一基板301设置在背光单元444和第二基板302之间。

像素PX连接到栅极线GL和数据线DL。例如，像素PX通过开关元件TFT连接到栅极线GL和数据线DL。

开关元件TFT包括半导体层321、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。栅电极GE连接到栅极线GL，源电极SE连接到数据线DL，并且漏电极DE连接到偏振图案700。开关元件TFT可以是薄膜晶体管(“TFT”)。

栅电极GE和栅极线GL设置在第一基板301上。

如图1所示，栅电极GE可以具有从栅极线GL朝向像素电极PE突出的形状。栅电极GE和栅极线GL可以是一体的。

栅电极GE可以包括例如铝(Al)或铝合金、银(Ag)或银合金、铜(Cu)或铜合金、钼(Mo)或钼合金、或它们的组合，或者由铝(Al)或铝合金、银(Ag)或银合金、铜(Cu)或铜合金、钼(Mo)或钼合金、或它们的组合来形成。在本发明的示例性实施例中，栅电极GE可以包括例如铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的一种，或者由铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的一种来形成。在本发明的示例性实施例中，栅电极GE可以具有包括至少两个导电层的多层结构，该至少两个导电层具有彼此不同的物理性质。

栅极线GL的端部可以连接到另一层或外部驱动电路。栅极线GL的端部可以具有比栅极线GL的另一部分的平坦区域更大的平坦区域。栅极线GL可以包括与栅电极GE的材料和结构基本上相同的材料和结构(例如，多层结构)。可以通过基本上相同的工艺来同时提供栅极线GL和栅电极GE。

如图2所示，根据本发明的示例性实施例，栅极绝缘层311设置在第一基板301、栅电极GE和栅极线GL上。在这样的示例性实施例中，栅极绝缘层311可以设置在包括栅电极GE和栅极线GL的第一基板301的整个表面上。

栅极绝缘层311可以包括例如氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)，或者由氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)来形成。栅极绝缘层311可以具有包括至少两个绝缘层的多层结构，该至少两个绝缘层具有不同的物理性质。

如图2所示，半导体层321设置在栅极绝缘层311上。如图1和图2所示，半导体层321与栅电极GE的至少一部分重叠。

半导体层321可以包括例如非晶硅、多晶硅等。此外，半导体层321可以包括多晶硅和/或诸如例如铟镓锌氧化物(IGZO)或铟锌锡氧化物(IZTO)的氧化物半导体，或者由多晶硅和/或氧化物半导体来形成。

源电极SE设置在栅极绝缘层311和半导体层321上。源电极SE与半导体层321和栅电极GE重叠。如图1所示，源电极SE可以具有从数据线DL朝向栅电极GE突出的形状。源电极SE和数据线DL可以是一体的。源电极SE可以是数据线DL的一部分。

源电极SE可以包括诸如例如钼、铬、钽、钛、其合金或它们的组合的难熔金属或者由这种难熔金属来形成。源电极SE可以具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。多层结构的示例可以包括：包含铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层结构；以及包含钼(合金)下层、铝(合金)中层和钼(合金)上层的三层结构。在本发明的示例性实施例中，源电极SE可以包括除上述的材料之外的任何适当的金属和/或导体，或者由这种金属和/或导体来形成。

如图2所示，数据线DL设置在栅极绝缘层311上。数据线DL的端部可以连接到另一层或外部驱动电路。数据线DL的端部可以具有比数据线DL的另一部分的平坦区域更大的平坦区域。数据线DL可以包括与源电极SE的材料和结构基本上相同的材料和结构(例如，多层结构)。可以通过基本上相同的工艺来同时提供数据线DL和源电极SE。

数据线DL与栅极线GL交叉。数据线DL的与栅极线GL交叉的一部分可以具有比数据线DL的另一部分的线宽更小的线宽，并且栅极线GL的与数据线DL交叉的一部分可以具有比栅极线GL的另一部分的线宽更小的线宽。因此，可以降低数据线DL与栅极线GL之间的寄生电容。

漏电极DE设置在栅极绝缘层311和半导体层321上，并且以预定距离与源电极SE间隔开。漏电极DE与半导体层321和栅电极GE重叠。开关元件TFT的沟道区位于漏电极DE和源电极SE之间。开关元件TFT的沟道区是半导体层321的一部分。

在本发明的示例性实施例中，漏电极DE连接到偏振图案700。漏电极DE通过偏振图案700连接到像素电极PE。在这样的示例性实施例中，漏电极DE和偏振图案700通过第一接触孔951彼此电连接。第一接触孔951作为开关元件TFT和偏振图案700之间的连接部分在平坦化层356中被限定。

漏电极DE可以包括与源电极SE材料和结构基本上相同的材料和结构(例如，多层结构)。可以通过基本上相同的工艺来同时提供漏电极DE和源电极SE。

开关元件TFT还可以包括第一欧姆接触层321a和第二欧姆接触层321b。

第一欧姆接触层321a设置在半导体层321和源电极SE之间，并且可以降低半导体层321和源电极SE之间的界面电阻。

第一欧姆接触层321a可以包括硅化物或以高浓度掺杂有n型杂质离子(例如，磷(P)或磷化氢(PH₃))的n+氢化非晶硅。

第二欧姆接触层321b设置在半导体层321和漏电极DE之间，并且可以降低半导体层321和漏电极DE之间的界面电阻。第二欧姆接触层321b可以包括与上述的第一欧姆接触层321a的材料和结构基本上相同的材料和结构(例如，多层结构)。可以通过基本上相同的工艺来同时提供第二欧姆接触层321b和第一欧姆接触层321a。

在本发明的示例性实施例中，半导体层321还可以设置在栅极绝缘层311和源电极SE之间。此外，半导体层321还可以设置在栅极绝缘层311和漏电极DE之间。在这样的示例性实施例中，栅极绝缘层311和源电极SE之间的半导体层被定义为第一附加半导体层，并且栅极绝缘层311和漏电极DE之间的半导体层被定义为第二附加半导体层。在这样的示例性实施例中，上述的第一欧姆接触层321a还可以设置在第一附加半导体层和源电极SE之间，并且上述的第二欧姆接触层321b还可以设置在第二附加半导体层和漏电极DE之间。

在本发明的示例性实施例中，半导体层321还可以设置在栅极绝缘层311和数据线DL之间。在这样的示例性实施例中，栅极绝缘层311和数据线DL之间的半导体层被定义为第三附加半导体层。在这样的示例性实施例中，上述的第一欧姆接触层321a还可以设置在第三附加半导体层和数据线DL之间。

在本发明的示例性实施例中，滤色器354垂直地设置在栅极绝缘层311上。滤色器354设置为在平面图中与像素PX的发光区域111对应的区域。在这样的示例性实施例中，滤色器354的一部分可以从发光区域111进一步向外延伸到遮光区域。例如，滤色器354的边缘部分可以设置在遮光区域中。滤色器354的在遮光区域中的边缘部分可以垂直地与漏电极DE重叠。在本发明的示例性实施例中，可以省略滤色器354。

相邻的滤色器以预定距离彼此间隔开，并且设置在栅极绝缘层311上。例如，如图2所示，一个像素的滤色器354和与该像素相邻的另一像素的滤色器354可以以预定距离彼此间隔开。

颜色转换层195垂直地设置在滤色器354上，并且设置为在平面图中与发光区域111对应的区域。可以通过基本上相同的掩模工艺来设置颜色转换层195和滤色器354。因此，在平面图中，颜色转换层195和滤色器354可以具有基本上相同的形状。

颜色转换层195转换从背光单元444发射的光L的颜色。为此，颜色转换层195转换从背光单元444发射的光L的波长。例如，颜色转换层195可以包括量子点粒子。此外，颜色转换层195还可以包括硫化物基金属、硅(Si)基金属和氮化物基金属中的至少一种(或它们的任何组合)。

量子点粒子转换光的波长以发射所期望的光。例如，从颜色转换层195发射的光的波长可以取决于在颜色转换层195中所使用的量子点粒子的尺寸而变化。换言之，基于对量子点粒子的直径的选择，从颜色转换层195发射的光的颜色可以相应地变化。

量子点粒子可以具有在约2纳米(nm)至约10nm范围内的直径。通常，在量子点粒子具有相对较小的直径的情况下，可以减小所发射的光的波长以产生基于蓝色的光。此外，随着量子点粒子的尺寸增大，可以相应地增大所发射的光的波长以发射基于红色的光。例如，具有约10nm的直径的量子点粒子可以发射红光，具有约7nm的直径的量子点粒子可以发射绿光，并且具有约5nm的直径的量子点粒子可以发射蓝光。

量子点粒子可以具有包括内核和围绕该内核的外壳的双重结构。例如，包括CdSe/ZnS的量子点粒子包括包含CdSe的内核和包含ZnS的外壳。

在本发明的示例性实施例中，颜色转换层195可以包括量子棒粒子而代替量子点粒子。

在本发明的示例性实施例中，多个像素PX可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。在这样的示例性实施例中，红色像素的颜色转换层(以下称为红色转换层)将从背光单元444提供的白光转换成红光，绿色像素的颜色转换层(以下称为绿色转换层)将从背光单元444提供的白光转换成绿光，并且蓝色像素的颜色转换层(以下称为蓝色转换层)将从背光单元444提供的白光转换成蓝光。

在本发明的示例性实施例中，在从背光单元444发射蓝光的情况下，蓝色像素可以包括光透射层而代替颜色转换层和滤色器。光透射层使从背光单元444提供的蓝光完整地透射，而没有颜色(或波长)上的实质性改变。光透射层可以包括例如透明光致抗蚀剂。在本发明的示例性实施例中，光透射层还可以包括光散射剂。光散射剂可以包括二氧化钛(TiO₂)。

如上所述，当从背光单元444发射蓝光时，红色转换层可以将蓝光转换成红光，并且绿色转换层可以将蓝光转换成绿光。

滤色器354可以包括例如红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。红色滤色器设置在红色转换层和栅极绝缘层311之间，绿色滤色器设置在绿色转换层和栅极绝缘层311之间，蓝色滤色器设置在蓝色转换层和栅极绝缘层311之间。在本发明的示例性实施例中，当从背光单元444发射蓝光时，可以省略蓝色滤色器。换言之，蓝色滤色器可以由上述的光透射层来代替。

从背光单元444发射的光L穿过颜色转换层195而到达滤色器354，并且上述的滤色器354增强已经穿过颜色转换层195的光的传播平直度。

在本发明的示例性实施例中，还可以在颜色转换层195和滤色器354之间设置蓝色截止滤色器(blue-cut filter)。当从背光单元444提供的光L是蓝光时，使用蓝色截止滤色器。蓝色截止滤色器设置在红色转换层和红色滤色器之间。此外，蓝色截止滤色器设置在绿色转换层和绿色滤色器之间。蓝色截止滤色器阻挡已经穿过红色转换层而不被转变成红光的蓝光、以及已经穿过绿色转换层而不被转变成绿光的蓝光。然而，在蓝色转换层和蓝色滤色器之间不存在蓝色截止滤色器。蓝色截止滤色器可以具有高于颜色转换层的折射率且低于滤色器的折射率的折射率。蓝色截止滤色器可以使用空气层。

封盖层391防止由滤色器354产生的不需要的材料的扩散。如图2所示，根据本发明的示例性实施例，封盖层391设置在数据线DL、源电极SE、漏电极DE、半导体层321的沟道区、栅极绝缘层311和颜色转换层195上。在这样的示例性实施例中，封盖层391可以设置在包括数据线DL、源电极SE、漏电极DE、半导体层321的沟道区、栅极绝缘层311和颜色转换层195的第一基板301的整个表面上。此外，封盖层391设置在相邻的滤色器354之间。此外，封盖层391设置在相邻的颜色转换层195之间。封盖层391用在漏电极DE上所限定的孔(以下称为第一孔)来限定。封盖层391可以包括氮化硅或氧化硅。在本发明的示例性实施例中，可以省略封盖层391。

如图2所示，平坦化层356设置在封盖层391上。此外，平坦化层356设置在相邻的滤色器354之间。此外，平坦化层356设置在相邻的颜色转换层195之间。平坦化层356与开关元件TFT和颜色转换层195重叠。平坦化层356用第一孔上方的孔(以下称为第二孔)来限定。第二孔可以大于第一孔。例如，第二孔的直径可以大于第一孔的直径。此外，如图2所示，平坦化层356可以用第一凹槽981和第二凹槽982来限定。第一凹槽981对应于开关元件TFT而限定。第二凹槽982对应于栅极线GL而限定。第二凹槽982沿着栅极线GL而限定。第一凹槽981的深度可以与第二凹槽982的深度基本上相同。第一接触孔951的深度可以大于第一凹槽981和第二凹槽982的深度。平坦化层356可以包括具有低介电常数的有机层。

偏振图案700使从背光单元444发射的已经穿过偏振板381和液晶层333的光偏振。如图2所示，根据本发明的示例性实施例，偏振图案700设置在平坦化层356上。在这样的示例性实施例中，偏振图案700设置在平坦化层356的除了第一凹槽981和第二凹槽982之外的一部分上。换言之，偏振图案700在第一凹槽981和第二凹槽982中不存在。与开关元件TFT对应的第一凹槽981位于当前像素的偏振图案700和相邻像素的另一偏振图案之间。第二凹槽982沿着栅极线GL而限定，并且可以将当前像素的包括在偏振图案700中的偏振线750与相邻像素的另一偏振线分开。偏振图案700通过第一接触孔951连接到开关元件TFT。例如，偏振图案700通过第一接触孔951连接到开关元件TFT的漏电极DE。

第一接触孔951包括封盖层391的第一孔和平坦化层356的第二孔。漏电极DE的一部分通过第一接触孔951而露出。在本发明的示例性实施例中，第二孔可以大于第一孔。在这样的示例性实施例中，偏振图案700和像素电极PE中的每个在第一接触孔951的内壁处可以包括多个弯曲部分。因此，偏振图案700和像素电极PE可以在具有较大深度的第一接触孔951中不被损坏。例如，可以防止偏振图案700和像素电极PE被切断。

偏振图案700可以通过冲压或压印的方法而转印到平坦化层356。偏振图案700可以是线栅偏振器(wire grid polarizer)。偏振图案700可以包括诸如铝的金属材料。

如图1所示，偏振图案700可以包括多个偏振线750。偏振线750中的每个基本上平行于数据线DL。此外，偏振线750彼此平行。

偏振线750以预定距离彼此间隔开。两个相邻的偏振线750之间的间隙(以下称为第一间隙)可以与另外两个相邻的偏振线750之间的间隙(以下称为第二间隙)基本上相同。在本发明的示例性实施例中，第一间隙可以不同于第二间隙。此外，偏振线750中的一个偏振线和偏振线750中的与偏振线750中的这个偏振线的左侧相邻的另一个偏振线之间的间隙(以下称为第三间隙)，可以与偏振线750中的这个偏振线和偏振线750中的与偏振线750中的这个偏振线的右侧相邻的另一个偏振线750之间的间隙(以下称为第四间隙)基本上相同。在本发明的示例性实施例中，第三间隙可以不同于第四间隙。相邻的偏振线750之间的间隙小于可见光线的波长(约400nm至约800nm)。例如，相邻的偏振线750之间的间隙可以大于0且小于约40nm。

多个偏振线750中的至少一个可以连接到开关元件TFT。例如，如图1所示，偏振线750中的与漏电极DE重叠的一个可以通过第一接触孔951连接到漏电极DE。

在本发明的示例性实施例中，偏振图案700可以与前一栅极线GL'重叠。例如，偏振图案700的多个偏振线750中的至少一个可以与前一栅极线GL'重叠。在单个帧时段中，可以在栅极线GL被驱动之前驱动前一栅极线GL'。

钝化层320设置在偏振图案700上。在相邻的偏振线750之间不存在钝化层320。也就是说，偏振线750彼此间隔开以纳米为单位的所测量的非常小的间隙，并因此在相邻的偏振线750之间不存在钝化层320。因此，钝化层320的一部分面向平坦化层356而在它们之间没有插入偏振线750。通过由彼此相邻的偏振线750、平坦化层356和钝化层320围绕而被限定的孔909可以用空气来填充。此外，钝化层320可以用第二接触孔952来限定。偏振图案700的一部分通过第二接触孔952而露出。

在本发明的示例性实施例中，钝化层320可以包括无机绝缘材料，诸如例如氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)，并且在这样的示例性实施例中，可以使用具有感光性并具有约4.0的介电常数的无机绝缘材料。在本发明的示例性实施例中，钝化层320可以具有包括下部无机层和上部有机层的双层结构。

如图1所示，第一接触孔951和第二接触孔952可以被定位为与一个偏振线750重叠，但是可替代地，第一接触孔951和第二接触孔952可以被分别定位为与不同的偏振线重叠。

像素电极PE垂直地设置在钝化层320上。像素电极PE设置为在平面图中与发光区域111对应的区域。像素电极PE的一部分从发光区域111向外延伸到遮光区域。例如，像素电极PE的边缘部分设置在遮光区域中。像素电极PE通过第二接触孔952连接到偏振图案700。换言之，像素电极PE在遮光区域中通过第二接触孔952连接到偏振图案700。像素电极PE与偏振图案700重叠。例如，像素电极PE可以与至少一个偏振线750重叠。

如图1所示，像素电极PE可以与前一栅极线GL'重叠。可以在像素电极PE和前一栅极线GL'之间形成存储电容器。

在本发明的示例性实施例中，像素电极PE可以包括透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。在这样的示例性实施例中，例如，ITO可以包括多晶材料或单晶材料，并且IZO可以包括多晶材料或单晶材料。可替代地，IZO可以包括非晶形材料。

遮光层376阻挡光朝向除了发光区域111之外的区域(即遮光区域)发射。为此，遮光层376设置在遮光区域中。例如，如图2所示，遮光层376对应于遮光区域而设置在平坦化层356、钝化层320和像素电极PE上。

如图2所示，柱状间隔件472设置在遮光层376上。例如，柱状间隔件472可以设置在遮光层376上以与开关元件TFT重叠。柱状间隔件472和遮光层376可以是一体的。柱状间隔件472和遮光层376可以通过基本上相同的工艺来同时提供。柱状间隔件472可用于保持第一基板301和第二基板302之间的空间。

第一对准层可以设置在遮光层376、柱状间隔件472和像素电极PE上。第一对准层可以是摩擦对准层或未摩擦对准层。

公共电极330设置在第二基板302上。公共电极330可以设置在第二基板302的整个表面上。公共电极330和像素电极PE可以包括基本上相同的材料或由基本上相同的材料来形成。在本发明的示例性实施例中，当像素电极PE包括IZO时，公共电极330可以包括ITO。

第二对准层可以设置在公共电极330上。第二对准层可以是摩擦对准层或未摩擦对准层。

液晶层333设置在第一基板301和第二基板302之间。然后可以将设置在第二基板302上的公共电极330插入到液晶层333和第二基板302之间。例如，液晶层333设置在第一基板301上的第一对准层和第二基板302上的第二对准层之间。开关元件TFT和像素电极PE可以驱动液晶层333的液晶分子。

液晶层333可以包括具有正介电各向异性的向列型液晶材料。液晶层333的液晶分子可以具有其长轴排列为与第一基板301和第二基板302中的一个平行的结构，并且该方向从第一对准层的摩擦方向到第二基板302成螺旋形地扭转大约90度。

在本发明的示例性实施例中，液晶层333可以包括垂面液晶材料，而不是向列型液晶材料。在这样的示例性实施例中，第一对准层可以是垂面对准层或包括光反应性材料的对准层。此外，第二对准层可以是垂面对准层或使用光聚合材料的光对准层。

在本发明的示例性实施例中，液晶层333可以包括具有负介电各向异性的液晶分子，而不是向列型液晶材料。

偏振板381使从背光单元444发射的光L偏振。偏振板381设置在背光单元444和第二基板302之间。

在本发明的示例性实施例中，上述的开关元件TFT、滤色器354、颜色转换层195、偏振图案700、像素电极PE、遮光层376和柱状间隔件472设置在第一基板301上。换言之，开关元件TFT、滤色器354、颜色转换层195、偏振图案700、像素电极PE、遮光层376和柱状间隔件472设置在第一基板301和液晶层333之间。在这样的示例性实施例中，由于开关元件TFT、颜色转换层195和偏振图案700设置在同一基板(即第一基板301)上，因此开关元件TFT、颜色转换层195和偏振图案700之间的对准条件相对优异。此外，由于开关元件TFT、颜色转换层195和像素电极PE设置在同一基板(即第一基板301)上，因此像素电极PE与数据线DL之间的距离可以由于颜色转换层195而增加。因此，可以防止像素电极PE与数据线DL之间的耦合现象。因此，如图1所示，像素电极PE可以进一步延伸到数据线DL上。也就是说，像素电极PE可以与数据线DL重叠。因此，可以增加像素PX的开口率。

图3是示出根据本发明的示例性实施例的多个像素的平面图。

图3示出四个相邻像素PX1、PX2、PX3和PX4。第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4中的每个可以具有与图1的像素PX的配置基本上相同的配置。在本发明的示例性实施例中，在图3中没有描述第三像素PX3和第四像素PX4的部分。

像素PX1、PX2、PX3和PX4的相应偏振图案700彼此互不连接。例如，与第一像素PX1的像素电极PE重叠的偏振图案700未连接到与第二像素PX2的像素电极重叠的偏振图案。此外，与第一像素PX1的像素电极PE重叠的偏振图案未连接到与第三像素PX3的像素电极重叠的偏振图案。

包括在单个像素中的相邻偏振线之间的距离小于分别包括在相邻像素中的偏振线之间的距离。例如，当与第一像素PX1的像素电极PE重叠的两个相邻的偏振线750之间的距离被定义为距离d1，并且第一像素PX1的偏振线750和与其相邻的第二像素PX2的偏振线750之间的距离被定义为距离d2时，距离d1小于距离d2。

图4是示出根据本发明的示例性实施例的多个像素的平面图。

如图4所示，LCD设备还可以包括屏蔽线707。

屏蔽线707设置在平坦化层356上以与数据线DL重叠。屏蔽线707与数据线DL重叠并且沿着数据线DL而设置。多个屏蔽线可以设置在单个数据线上。与单个数据线重叠的多个屏蔽线以距离d1彼此间隔开。

屏蔽线707和偏振图案700设置在基本上同一层上。屏蔽线707和上述的偏振图案700可以包括基本上相同的材料，并且可以通过基本上相同的工艺来提供。也就是说，类似于偏振图案700，屏蔽线707可以通过冲压或压印的方法而转印到平坦化层356。屏蔽线可以包括金属材料，或者可以包括不透明导电材料。

屏蔽线707可以接收公共电压。屏蔽线707防止在数据线DL与像素电极PE之间形成电场。此外，接收相同的公共电压的屏蔽线707和公共电极330是等电位的，使得透过屏蔽线707和公共电极330之间的液晶层333的光被阻挡。因此，可以在与数据线DL对应的部分中防止漏光。此外，由于屏蔽线707可以代替数据线DL上的遮光层376的一部分，因此当设置了屏蔽线707时，可以去除数据线DL上的遮光层376的该部分。因此，当设置了屏蔽线707时，可以进一步增加像素PX的开口率。

图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G、图5H、图5I、图5J、图5K、图5L、图5M、图5N、图5O、图5P、图5Q、图5R、图5S和图5T是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示设备的工艺的剖视图，并且图6是示出图5J的偏振图案的平面图。

首先，在第一基板301的整个表面上沉积栅极金属层。栅极金属层可以通过诸如溅射的物理气相沉积(PVD)方法来沉积。

随后，如图5A所示，通过光刻工艺对栅极金属层进行图案化，使得栅极线GL和栅电极GE形成在第一基板301上。

可以通过使用蚀刻溶液的湿法蚀刻方法来去除栅极金属层。

栅极金属层可以包括在上述的栅极线GL中所包括的材料，或者由这种材料来形成。

随后，如图5B所示，在包括栅极线GL和栅电极GE的第一基板301的整个表面上沉积栅极绝缘层311。栅极绝缘层311可以通过化学气相沉积(CVD)方法来沉积。

栅极绝缘层311可以包括在上述的栅极绝缘层311中所包括的材料，或者由这种材料来形成。

随后，在包括栅极绝缘层311的第一基板301的整个表面上顺序地沉积半导体材料和杂质半导体材料。半导体材料和杂质半导体材料可以通过化学气相沉积(CVD)方法来沉积。

半导体材料可以包括在上述的半导体层321中所包括的材料，或者由这种材料来形成。

杂质半导体材料可以包括在上述的第一欧姆接触层321a和第二欧姆接触层321b中所包括的材料，或者由这种材料来形成。

随后，如图5C所示，通过光刻工艺对半导体材料和杂质半导体材料进行图案化，使得与栅电极GE重叠的半导体层321形成在栅极绝缘层311上并且杂质半导体图案841形成在半导体层321上。

可以通过使用蚀刻气体的干法蚀刻方法来去除半导体材料和杂质半导体材料。

随后，在包括半导体层321和杂质半导体图案841的第一基板301的整个表面上沉积源极金属层。

可以使用在上述的源电极SE中所包括的材料来制造源极金属层。

随后，如图5D所示，通过光刻工艺对源极金属层进行图案化，使得与栅极线GL交叉的数据线DL形成在栅极绝缘层311上并且与半导体层321的相对侧重叠的源电极SE和漏电极DE形成在杂质半导体图案841上。

随后，在源电极SE和漏电极DE被用作掩模的状态下，通过蚀刻工艺对杂质半导体图案841进行图案化，并且如图5E所示，形成第一欧姆接触层321a和第二欧姆接触层321b。第一欧姆接触层321a形成在源电极SE和半导体层321之间，并且第二欧姆接触层321b形成在漏电极DE和半导体层321之间。

在本发明的示例性实施例中，在对上述的杂质半导体图案841所进行的蚀刻工艺中，去除了杂质半导体图案841下方的半导体层321的一部分。因此，与沟道区对应的半导体层321的一部分的厚度被减小。

随后，在包括开关元件TFT和栅极绝缘层311的第一基板301的整个表面上形成感光有机材料。随后，在感光有机材料上形成颜色转换材料。

随后，如图5F所示，通过光刻工艺对感光有机材料和颜色转换材料进行图案化，使得滤色器354和颜色转换层195形成。在本发明的示例性实施例中，依次形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。类似地，依次形成红色转换层、绿色转换层和蓝色转换层。例如，在包括开关元件TFT和栅极绝缘层311的第一基板301的整个表面上形成蓝色感光有机材料和蓝色转换材料，然后通过第一光刻工艺对蓝色感光有机材料和蓝色转换材料进行图案化，使得蓝色滤色器354和蓝色转换层195被制造。随后，在包括蓝色滤色器354和蓝色转换层195的第一基板301的整个表面上形成红色感光有机材料和红色转换材料，并且随后通过第二光刻工艺对红色感光有机材料和红色转换材料进行图案化，使得红色滤色器354'和红色转换层195'被制造。随后，在包括蓝色滤色器354、蓝色转换层195、红色滤色器354'和红色转换层195'的第一基板301的整个表面上形成绿色感光有机材料和绿色转换材料，然后通过第三光刻工艺对绿色感光有机材料和绿色转换材料进行图案化，使得绿色滤色器354”和绿色转换层195”被制造。

在本发明的示例性实施例中，当使用发射蓝光的背光单元444时，可以使用光透射层来代替上述的蓝色滤色器354和蓝色转换层195。光透射层可以使用透明感光材料来制造。

随后，如图5G所示，在包括颜色转换层195、开关元件TFT和栅极绝缘层311的第一基板301的整个表面上沉积封盖层391。

封盖层391可以包括与在上述的封盖层391中所包括的材料基本上相同的材料。

随后，如图5H所示，在包括封盖层391的第一基板301的整个表面上形成平坦化层356。

随后，如图5I所示，通过光刻工艺以选择性的方式去除平坦化层356和封盖层391，使得第一接触孔951被限定为使漏电极DE露出。

随后，如图5J所示，在平坦化层356上形成偏振图案700。偏振图案700可以通过冲压或压印的方法转印到平坦化层356。偏振图案700与颜色转换层195和开关元件TFT重叠。也就是说，如图6所示，像素的相应偏振图案700形成在平坦化层356上并彼此连接。

随后，如图5K所示，在包括偏振图案700和平坦化层356的第一基板301的整个表面上形成钝化层320。偏振线750彼此间隔开以纳米为单位的所测量非常小的间隙，因此钝化层320在相邻的偏振线750之间不存在。通过由彼此相邻的偏振线750、平坦化层356和钝化层320包围而被限定的孔909可以用空气来填充。

随后，如图5L所示，在钝化层320上形成光致抗蚀剂PR。光致抗蚀剂PR涂覆在包括钝化层320的第一基板301的整个表面上。

随后，在光致抗蚀剂PR上方设置掩模M。在本发明的示例性实施例中，掩模M包括使光透射的透射区域TA、使光被遮挡的遮光区域BA、以及使光部分透射的半透射区域HTA。半透射区域HTA可以包括多个狭缝或半透明层。在这样的示例性实施例中，半透射区域HTA的透光率低于透射区域TA的透光率。例如，半透射区域HTA的透光率可以是透射区域TA的透光率的约1/2倍。

随后，诸如紫外光的光通过掩模M选择性地照射到光致抗蚀剂PR，使得光致抗蚀剂PR被曝光。如图5M所示，当曝光后的光致抗蚀剂PR被显影时，在钝化层320上形成具有彼此不同的厚度的第一光致抗蚀剂图案PP1和第二光致抗蚀剂图案PP2。第二光致抗蚀剂图案PP2具有小于第一光致抗蚀剂图案PP1的厚度的厚度。例如，第二光致抗蚀剂图案PP2的厚度可以是第一光致抗蚀剂图案PP1的厚度的约1/2倍。在本发明的示例性实施例中，图5M所示的掩模M有助于对第一光致抗蚀剂图案PP1和第二光致抗蚀剂图案PP2的位置进行描述，并且在执行图5M所示的显影之前去除掩模M。

第一光致抗蚀剂图案PP1设置在与掩模M的遮光区域BA对应的钝化层320上以用于图案化，并且第二光致抗蚀剂图案PP2设置在与掩模M的半透射区域HTA对应的钝化层320上。第二光致抗蚀剂图案PP2对应于用第二接触孔952限定的区域而设置。

随后，在第一光致抗蚀剂图案PP1和第二光致抗蚀剂图案PP2被用作掩模的状态下，根据本发明的示例性实施例对钝化层320进行蚀刻。换言之，钝化层320的通过第一光致抗蚀剂图案PP1和第二光致抗蚀剂图案PP2而露出的一部分被蚀刻。在这样的示例性实施例中，如图5N所示，将钝化层320的对应于开关元件TFT而设置的一部分和钝化层320的对应于栅极线GL而设置的一部分去除。通过干法蚀刻方法来去除钝化层320。由于去除了钝化层320的一部分，因此偏振线750的对应于开关元件TFT而设置的一部分和偏振线750的对应于栅极线GL而设置的一部分被露出。

随后，如图5O所示，执行抛光工艺。在本发明的示例性实施例中，在抛光工艺中，第一光致抗蚀剂图案PP1的厚度和第二光致抗蚀剂图案PP2的厚度以基本上相同的程度减小。在这样的示例性实施例中，执行抛光工艺，直到去除具有相对较小厚度的第二光致抗蚀剂图案PP2为止。也就是说，当去除了第二光致抗蚀剂图案PP2时，抛光工艺结束。

当去除了第二光致抗蚀剂图案PP2时，第二光致抗蚀剂图案PP2下面的钝化层320的一部分被露出。在本发明的示例性实施例中，通过抛光工艺去除了第一光致抗蚀剂图案PP1的一部分，因此第一光致抗蚀剂图案PP1的厚度减小。在下文中，在抛光工艺之后保留的第一光致抗蚀剂图案PP1被定义为第三光致抗蚀剂图案PP3。

随后，在第三光致抗蚀剂图案PP3被用作掩模的状态下，根据本发明的示例性实施例对偏振图案700进行蚀刻。换言之，对偏振图案700的通过第三光致抗蚀剂图案PP3而露出的一部分进行蚀刻。以湿法蚀刻方法来去除偏振图案700。在这样的示例性实施例中，如图5P所示，将偏振线750的对应于开关元件TFT而设置的一部分和偏振线750的对应于栅极线GL而设置的一部分去除。当去除了偏振图案700的一部分时，平坦化层356的对应于开关元件TFT而设置的一部分和平坦化层356的对应于栅极线GL而设置的一部分被露出。此外，通过对偏振图案700所进行的蚀刻工艺，偏振图案700针对每个像素被分离。也就是说，彼此相邻的其间具有栅极线GL的像素中的相应偏振图案700彼此分离。

随后，在第三光致抗蚀剂图案PP3被用作掩模的状态下，根据本发明的示例性实施例对钝化层320进行蚀刻。对钝化层320的通过第三光致抗蚀剂图案PP3而露出的一部分进行蚀刻。通过干法蚀刻方法来去除钝化层320。在这样的示例性实施例中，当对钝化层320进行蚀刻时，平坦化层356也被蚀刻。也就是说，钝化层320和平坦化层356都通过干法蚀刻方法被去除。在这样的示例性实施例中，如图5Q所示，第二接触孔952被限定在钝化层320中并且与偏振图案700重叠。偏振图案700的在第二接触孔952下方的一部分通过第二接触孔952而露出。此外，通过干法蚀刻，第一凹槽981和第二凹槽982被限定在平坦化层356中。第一凹槽981对应于开关元件TFT而被限定，并且第二凹槽982对应于栅极线GL而被限定。第一凹槽981被限定在当前像素的偏振图案700和相邻像素的另一偏振图案之间。彼此相邻的其间具有栅极线GL的像素中的相应偏振图案700通过第二凹槽982被彼此分离。

随后，如图5R所示，将第三光致抗蚀剂图案PP3去除。可以使用萃取溶液(stripsolution)来去除第三光致抗蚀剂图案PP3。萃取溶液可以包括碳酸亚乙酯。

随后，在包括钝化层320和平坦化层356的第一基板301的整个表面上沉积透明金属层。

透明金属层可以包括与在上述的像素电极PE中所包括的材料基本上相同的材料。

随后，如图5S所示，通过光刻工艺对透明金属层进行图案化，使得像素电极PE被形成。像素电极PE通过第二接触孔952连接到偏振图案700。

随后，遮光层376和柱状间隔件472形成在遮光区域中。遮光层376在遮光区域中设置在平坦化层356的一部分、钝化层320的一部分以及像素电极PE的一部分上。可以同时提供遮光层376和柱状间隔件472，或者可替代地，可以通过不同的工艺来单独提供遮光层376。

在本发明的示例性实施例中，遮光层376可以如上所述设置在第一基板301上，并且柱状间隔件472可以设置在第二基板302而不是第一基板301上。在这样的示例性实施例中，例如，柱状间隔件472可以设置在公共电极330上。

在本发明的示例性实施例中，遮光层376和柱状间隔件472可以设置在第二基板302而不是第一基板301上。在这样的示例性实施例中，例如，遮光层376可以设置在第二基板302和公共电极330之间，并且柱状间隔件472可以设置在公共电极330上。换言之，柱状间隔件472可以设置在公共电极330和第一基板301之间。

在本发明的示例性实施例中，遮光层376可以设置在第二基板302而不是第一基板301上，并且柱状间隔件472可以如上所述设置在第一基板301上。在这样的示例性实施例中，例如，遮光层376设置在第二基板302和公共电极330之间。

随后，在遮光层376、柱状间隔件472和像素电极PE上形成第一对准层。

随后，在第二基板302的内壁上形成公共电极330。公共电极330设置在第二基板302的内壁的整个表面上。

随后，在公共电极330上形成第二对准层。

随后，在第一基板301和第二基板302之间形成液晶层333。液晶层333设置在第一基板301的第一对准层和第二基板302的第二对准层之间。第一基板301和第二基板302可以通过密封剂彼此接合。

随后，在第二基板302的外表面上形成偏振板381。

随后，将面向偏振板381的背光单元444设置在第二基板302的下方。

图7是沿图1的线I-I'截取的剖视图。

如图7所示，遮光层376和柱状间隔件472可以通过单独的工艺来提供。也就是说，在形成遮光层376之后，可以通过单独的工艺在遮光层376上形成柱状间隔件472。

如上所述，根据本发明的一个或多个示例性实施例，显示设备以及制造显示设备的方法可以提供以下效果。

首先，开关元件、颜色转换层和偏振图案设置在基本上同一基板上，因此开关元件、颜色转换层和偏振图案的布置条件可以是优异的。第二，由于开关元件、颜色转换层和偏振图案设置在基本上同一基板上，因此可以增大像素电极和数据线之间的距离。因此，可以防止像素电极和数据线之间的耦合现象，使得像素电极可以进一步延伸到数据线上。因此，可以增加像素的开口率。

虽然已经参考本发明的具体示例性实施例来示出和描述了本发明，但是将对于本领域普通技术人员而言显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式上和细节上的各种改变。

Claims (28)

1.一种显示设备，包括：

第一基板，包括发光区域和遮光区域；

开关元件和颜色转换层，在所述第一基板上；

偏振图案，与所述颜色转换层重叠并连接到所述开关元件；以及

像素电极，与所述偏振图案重叠并仅在所述遮光区域中连接到所述偏振图案。

2.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：

滤色器，在所述颜色转换层和所述第一基板之间。

3.根据权利要求2所述的显示设备，进一步包括：

封盖层，在所述开关元件上并且在所述滤色器和所述颜色转换层中的至少一个上。

4.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：

平坦化层，在所述开关元件和所述颜色转换层上。

5.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：

第二基板；以及

液晶层，在所述第一基板和所述第二基板之间。

6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，

所述开关元件、所述颜色转换层、所述偏振图案和所述像素电极设置在所述第一基板和所述液晶层之间。

7.根据权利要求5所述的显示设备，进一步包括：

偏振板，所述偏振板具有透射轴，所述透射轴具有与所述偏振图案的透射轴的方向不同的方向，其中所述第二基板设置在所述液晶层和所述偏振板之间。

8.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：

遮光层，与所述开关元件重叠。

9.根据权利要求8所述的显示设备，进一步包括：

柱状间隔件，在所述遮光层上。

10.根据权利要求9所述的显示设备，其中

所述遮光层和所述柱状间隔件是一体的。

11.一种显示设备，包括：

第一基板；

开关元件和颜色转换层，在所述第一基板上；

偏振图案，与所述颜色转换层重叠并连接到所述开关元件；

像素电极，与所述偏振图案重叠并连接到所述偏振图案；以及

平坦化层，在所述开关元件和所述颜色转换层上，

其中，所述平坦化层用第一接触孔和凹槽来限定，

所述第一接触孔对应于所述开关元件与所述偏振图案之间的连接部分而被限定，并且

所述凹槽在所述偏振图案和另一偏振图案之间被限定。

12.根据权利要求11所述的显示设备，其中

所述第一接触孔的深度大于所述凹槽的深度。

13.根据权利要求11所述的显示设备，进一步包括：

钝化层，在所述偏振图案和所述像素电极之间。

14.根据权利要求13所述的显示设备，其中

所述钝化层用第二接触孔和对应于所述凹槽而被限定的孔来限定，

所述第二接触孔对应于所述偏振图案而被限定。

15.根据权利要求14所述的显示设备，其中

所述偏振图案通过所述第一接触孔连接到所述开关元件，并且

所述像素电极通过所述第二接触孔连接到所述偏振图案。

16.根据权利要求13所述的显示设备，其中

所述偏振图案包括彼此间隔开的多个偏振线。

17.根据权利要求16所述的显示设备，其中

在所述多个偏振线中的相邻偏振线之间设置有空气层。

18.根据权利要求16所述的显示设备，其中

所述多个偏振线中的至少一个连接到所述开关元件。

19.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：

在第一基板上形成开关元件；

在所述第一基板上形成颜色转换层；

在所述开关元件和所述颜色转换层上形成平坦化层；

在所述平坦化层上限定第一接触孔，所述第一接触孔使所述开关元件的漏电极露出；

在所述平坦化层上形成偏振图案，所述偏振图案通过所述第一接触孔连接到所述开关元件的所述漏电极；

在所述偏振图案上形成钝化层；

在所述钝化层上形成第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案，所述第二光致抗蚀剂图案具有小于所述第一光致抗蚀剂图案的厚度的厚度；

通过干法蚀刻方法来去除所述钝化层的通过所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案而露出的第一部分，以使所述偏振图案的第一部分露出；

去除所述第二光致抗蚀剂图案以使所述钝化层的第二部分露出，并且保持所述第一光致抗蚀剂图案的一部分以形成残留的光致抗蚀剂图案；

通过湿法蚀刻方法来去除所述偏振图案的通过所述残留的光致抗蚀剂图案而露出的所述第一部分，以使所述平坦化层的第一部分露出；

通过干法蚀刻方法来去除所述钝化层的通过所述残留的光致抗蚀剂图案而露出的所述第二部分，以使所述偏振图案的第二部分露出；

去除所述残留的光致抗蚀剂图案；以及

在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极连接到所述偏振图案的所述第二部分。

20.根据权利要求19所述的方法，其中

通过在去除所述钝化层的所述第二部分以使所述偏振图案的所述第二部分露出中的干法蚀刻，进一步在所述平坦化层的所述第一部分中限定凹槽。

21.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：

在所述颜色转换层和所述第一基板之间形成滤色器。

22.根据权利要求21所述的方法，进一步包括：

在所述开关元件上并且在所述滤色器和所述颜色转换层中的至少一个上形成封盖层。

23.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：

在第二基板的一个表面上形成公共电极；以及

在所述第一基板和所述第二基板之间形成液晶层。

24.根据权利要求23所述的方法，进一步包括：

在所述第二基板的另一表面上形成偏振板，所述偏振板具有透射轴，所述透射轴具有与所述偏振图案的透射轴的方向不同的方向；以及

将背光单元设置在所述第二基板的下方以面对所述偏振板。

25.一种显示设备，包括：

第一基板，包括发光区域和遮光区域；

液晶层，设置在所述第一基板和第二基板之间；

开关元件、颜色转换层、偏振图案和像素电极，设置在所述第一基板上，并插入在所述第一基板和所述液晶层之间；以及

公共电极，设置在所述第二基板上，并插入在所述液晶层和所述第二基板之间，

其中，所述像素电极仅在所述遮光区域中连接到所述偏振图案。

26.根据权利要求25所述的显示设备，其中

所述偏振图案与所述颜色转换层重叠，并通过第一接触孔连接到所述开关元件，并且所述像素电极与所述偏振图案重叠，并通过第二接触孔连接到所述偏振图案。

27.根据权利要求25所述的显示设备，其中

所述像素电极延伸以与数据线重叠。

28.根据权利要求25所述的显示设备，进一步包括：

滤色器，设置在所述颜色转换层和所述第一基板之间。

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