CN108022936A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置，其中在将发光器件连接至像素电路的工艺中花费的时间被缩短。所述显示装置包括：包括凹部的薄膜晶体管(TFT)阵列基板；和位于所述凹部中的发光器件，所述发光器件包括第一电极和第二电极，其中所述发光器件包括第一部分和与所述第一部分相对的第二部分，所述第一部分包括所述第一电极和所述第二电极，并且其中所述第一部分设置为比所述第二部分更远离所述凹部的底表面。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年10月28日提交的韩国专利申请No.10-2016-0141670的权益，在此援引该专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种显示装置，尤其涉及一种发光二极管显示装置。
背景技术
除电视(TV)和监视器的显示屏以外，显示装置还被广泛用作笔记本电脑、平板电脑、智能电话、便携式显示装置和便携式信息装置的显示屏。
液晶显示(LCD)装置和有机发光显示(OLED)装置通过使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件来显示图像。因为LCD装置不能自发光，所以LCD装置通过使用从设置在液晶显示面板下方的背光单元发射的光来显示图像。因为LCD装置包括背光单元，所以LCD装置的设计受到限制，并且亮度和响应时间减少。因为OLED装置包括有机材料，所以OLED装置易受水分影响，导致可靠性和寿命的降低。
近来，正在进行对包括微型发光器件的发光二极管显示装置的研究和开发。发光二极管显示装置具有较高的图像质量和较高的可靠性，因而作为下一代显示装置吸引了很多关注。
然而，在相关技术的发光二极管显示装置中，在将微型发光器件转移到TFT阵列基板上的工艺中，加热或冷却用于使用导电粘合剂将发光器件接合至像素电路的基板花费太多的时间，由于这个原因，生产率下降。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的显示装置。
本发明的一个方面旨在提供一种显示装置，其中在将发光器件连接至像素电路的工艺中花费的时间被缩短。
在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的解释对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，提供了一种显示装置，包括：包括凹部的薄膜晶体管(TFT)阵列基板；和位于所述凹部中的发光器件，所述发光器件包括第一电极和第二电极，其中所述发光器件包括第一部分和与所述第一部分相对的第二部分，所述第一部分包括所述第一电极和所述第二电极，并且其中所述第一部分设置为比所述第二部分更远离所述凹部的底表面。
按照本发明的另一方面，提供了一种显示装置，包括：包括凹部的薄膜晶体管(TFT)阵列基板；和位于所述凹部中的发光器件，所述发光器件包括第一电极和第二电极，其中从所述发光器件发射的光穿过所述第一电极和所述第二电极的每一个并且输出到外部。
按照本发明的又一方面，提供了一种显示装置，包括：多个像素，每个像素包括设置在基板上的驱动薄膜晶体管；覆盖所述像素的平坦化层；位于所述平坦化层中的凹部；以及发光器件，其中所述发光器件容纳到位于相应像素的发光区域中的凹部中。
所述薄膜晶体管阵列基板可进一步包括平坦化层，所述平坦化层包括所述凹部，并且所述凹部可从所述平坦化层的顶表面凹入地设置。
根据本发明的像素可包括像素电路，所述像素电路包括被所述平坦化层覆盖的驱动薄膜晶体管。所述像素电路可包括：像素电极图案，所述像素电极图案通过设置在所述平坦化层中的第一接触孔电连接至所述驱动薄膜晶体管，并且电连接至所述发光器件的第一电极；和公共电极图案，所述公共电极图案电连接至所述发光器件的第二电极。
应当理解，本发明前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并且并入本申请构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是用于描述根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置的构造的示图；
图2是用于描述图1中所示的像素的构造的电路图；
图3是用于描述图2中所示的驱动TFT和发光器件的连接结构的剖面图；
图4是用于描述图3中所示的发光器件的剖面图；以及
图5到7是用于描述根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置的剖面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的示例性实施方式进行描述，附图中图解了这些实施方式的一些例子。尽可能地将在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。
将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特征以及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。
为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的要素。在下面的描述中，当确定对相关已知技术的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。
在本申请中使用“包括”、“具有”和“包含”进行描述的情况下，可添加其它部分，除非使用了“仅”。
在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。
在描述位置关系时，例如，当两部分之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”时，可在这两部分之间设置一个或多个其它部分，除非使用了“正好”或“直接”。
在描述时间关系时，例如当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。
将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但这些要素不应被这些术语限制。这些术语仅仅是用来彼此区分要素。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一要素可能被称为第二要素，相似地，第二要素可能被称为第一要素。
第一水平轴方向、第二水平轴方向和垂直轴方向不应当仅解释为之间关系是严格垂直的几何关系，而是在本发明的要素功能性地操作的范围内，其可指具有更宽的方向性。
术语“至少一个”应当理解为包括相关所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义是指选自第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个项目的所有项目的组合以及第一项目、第二项目或第三项目
所属领域技术人员能够充分理解到，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者以相互依赖的关系共同实施。
下文中，将参照附图详细描述根据本发明的显示装置例如发光二极管显示装置的示例性实施方式。在本申请中，在每幅图中为要素添加参考标记时，应当注意，对于要素来说尽可能使用在其它图中已用来表示相似要素的相似参考标记。在下面的描述中，当确定对相关的已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。
图1是用于描述根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置的构造的示图，图2是用于描述图1中所示的像素的构造的电路图。
参照图1和2，根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置可包括第一基板110、多个发光器件130和第二基板150。
第一基板110可以是薄膜晶体管(TFT)阵列基板并且可由玻璃、塑料材料等形成。根据一实施方式的第一基板110可包括显示区域(或有效区域)AA和非显示区域(或无效区域)IA。
显示区域AA可设置在第一基板110的除边缘以外的其它部分中。显示区域AA可定义为其中设置用于显示图像的像素阵列的区域。
非显示区域IA可设置在除设置于基板100上的显示区域AA以外的其它部分中并且可定义为围绕显示区域AA的第一基板110的边缘。非显示区域IA可以是显示区域AA外部的外周部分，与显示区域AA不同，非显示区域IA不能显示图像，此外，非显示区域IA可定义为其中设置用于驱动像素阵列的线和电路的区域。例如，非显示区域IA可包括：第一非显示区域，第一非显示区域定义在显示区域AA的上侧外部的外周部分中；第二非显示区域，第二非显示区域定义在显示区域AA的下侧外部的外周部分中；第三非显示区域，第三非显示区域定义在显示区域AA的左侧外部的外周部分中；和第四非显示区域，第四非显示区域定义在显示区域AA的右侧外部的外周部分中。
根据一实施方式的第一基板110可包括多条栅极线GL、多条数据线DL、多条驱动电源线PL、多条公共电源线CL和多个像素SP。
多条栅极线GL可设置在第一基板110上，可沿第一基板110的第一水平轴方向X进行长度延伸，可沿第二水平轴方向Y排列，并且可彼此间隔开某一间隔。在此，第一水平轴方向X可定义为与第一基板110的长边长度方向平行的方向，第二水平轴方向Y可定义为与第一基板110的短边长度方向平行的方向。可选择地，第一水平轴方向X和第二水平轴方向Y的每一个可定义为与此相反的方向。
多条数据线DL可设置在第一基板110上以与多条栅极线GL交叉，可沿第一基板110的第二水平轴方向Y进行长度延伸，可沿第一水平轴方向X排列，并且可彼此间隔开某一间隔。
多条驱动电源线PL可与多条数据线DL平行地设置在第一基板110上并且可与多条数据线DL一起形成。多条驱动电源线PL的每一条可将从外部提供的像素驱动电力提供至相邻的像素SP。
多条驱动电源线PL可共同地连接至一条第一驱动电源公共线，所述一条第一驱动电源公共线与栅极线GL平行地设置在第一基板110的第一非显示区域中。所述一条第一驱动电源公共线可将从外部提供的像素驱动电力分配至多条驱动电源线PL。第一驱动电源公共线可设置在与栅极线GL相同的层上，与多条数据线DL的每一条电断开，并且通过通孔电连接至多条驱动电源线PL的每一条的端部。
此外，可给多条驱动电源线PL的每一条的一端和另一端提供像素驱动电力。为此，多条驱动电源线PL的每一条的一端可连接至设置在第一基板110的第一非显示区域中的一条第一驱动电源公共线，并且多条驱动电源线PL的每一条的另一端可连接至设置在第一基板110的第二非显示区域中的一条第二驱动电源公共线。在这种情形中，根据本发明一实施方式，像素驱动电力可通过第一驱动电源公共线和第二驱动电源公共线施加至多条驱动电源线PL的每一条的上端和下端，由此将由于多条驱动电源线PL的每一条的基于位置的线电阻而在多条驱动电源线PL的每一条中发生的像素驱动电力的压降最小化。
第一驱动电源公共线和第二驱动电源公共线可设置在与多条栅极线GL相同的层上并且可通过通孔电连接至多条驱动电源线PL的每一条的端部。
多条公共电源线CL可与多条栅极线GL平行排列在第一基板110上并且可与多条栅极线GL一起形成。多条公共电源线CL的每一条可将外部提供的公共电力提供至相邻的像素SP。多条公共电源线CL的每一条可被单独地从面板驱动器190提供公共电力。在这种情形中，面板驱动器190可单独地控制提供至多条公共电源线CL的每一条的公共电力的电压电平，以补偿发光器件130的电特性和/或下述驱动TFT的电特性变化。
此外，多条公共电源线CL可共同地连接至设置在第一基板110的第三非显示区域和第四非显示区域中的至少一个中的公共电力供给线。公共电力供给线可将从外部提供的公共电力分配至多条公共电源线CL。公共电力供给线可设置在与数据线DL相同的层上，与多条栅极线GL的每一条电断开，并且通过通孔电连接至多条公共电源线CL的每一条的端部。
多个像素SP可分别设置在通过栅极线GL和数据线DL的交叉部分限定的多个像素区域中。多个像素SP的每一个可以是与实际发光的最小单元对应的区域，并且多个像素SP的每一个可定义为子像素。至少三个相邻的像素SP可构成用于显示色彩的一个单位像素。例如，一个单位像素可包括彼此相邻的红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且可进一步包括用于提高亮度的白色像素。在图2中，为了便于描述，仅图解了一个像素SP。
多个像素SP的每一个可包括像素电路PC和凹部116。
像素电路PC可设置在相应像素SP中限定的电路区域中并且可连接至与之相邻的栅极线GL、数据线DL和驱动电源线PL。像素电路PC可基于通过驱动电源线PL提供的像素驱动电力，根据响应于通过栅极线GL提供的扫描脉冲而通过数据线DL提供的数据信号来控制发光器件130中流动的电流。根据一实施方式的像素电路PC可包括开关TFT T1、驱动TFT T2和电容器Cst。
开关TFT T1可包括连接至栅极线GL的栅极电极、连接至数据线DL的第一电极、以及连接至驱动TFT T2的栅极电极N1的第二电极。在此，根据电流的方向，开关TFT T1的第一电极和第二电极的每一个可以是源极电极或漏极电极。开关TFT T1可根据通过栅极线GL提供的扫描脉冲而导通并且可将通过数据线DL提供的数据信号提供至驱动TFT T2。
驱动TFT T2可被通过开关TFT T1提供的电压和/或电容器Cst的电压导通，以控制从驱动电源线PL流到发光器件130的电流的量。为此，根据一实施方式的驱动TFT T2可包括连接至开关TFT T1的第二电极N1的栅极电极、连接至驱动电源线PL的漏极电极、以及连接至发光器件130的源极电极。驱动TFT T2可根据通过开关TFT T1提供的数据信号控制从驱动电源线PL流到发光器件130的数据电流，由此使发光器件130发射具有与数据信号成比例的亮度的光。
电容器Cst可设置在驱动TFT T2的栅极电极N1与源极电极之间的交叠区域中，可存储与提供至驱动TFT T2的栅极电极的数据信号对应的电压，并且可利用存储的电压导通驱动TFT T2。
凹部116可设置在像素SP中限定的发光区域中并且可容纳发光器件130。在此，像素SP的发光区域可定义为在相应像素区域中除其中设置有像素电路PC的电路区域以外的其它区域。
根据一实施方式的凹部116可从设置在第一基板110上以覆盖像素电路PC的平坦化层(或钝化层)凹入地设置。例如，凹部116可具有距平坦化层的顶表面具有某一深度的凹槽形状或杯形状。凹部116可凹入地设置在平坦化层中并且可容纳发光器件130，由此将由于发光器件130的厚度(或深度)导致的显示装置的厚度增加最小化。
多个发光器件130的每一个可容纳到设置在多个像素SP之中的相应像素SP中的凹部116中。多个发光器件130的每一个可连接至相应像素SP的像素电路PC，因而可发射具有与从像素电路PC(即，驱动TFT T2)流到公共电源线CL的电流成比例的亮度的光。根据一实施方式的多个发光器件130的每一个可以是发射红色光、绿色光、蓝色光和白色光之一的发光二极管器件或发光二极管芯片，例如，多个发光器件130的每一个可以是微型发光二极管芯片。在此，微型发光二极管芯片可具有1μm到100μm的尺度，但不限于此。在其它实施方式中，微型发光二极管芯片可具有一尺寸，该尺寸小于在相应像素区域中除被像素电路PC占据的区域以外的发光区域的尺寸。
根据一实施方式的多个发光器件130各自可包括：第一电极，第一电极通过第一接触孔CH1连接至驱动TFT T2的源极电极；第二电极，第二电极通过第二接触孔CH2连接至公共电源线CL；以及设置在第一电极与第二电极之间的发光层。多个发光器件130的每一个可容纳到凹部116中并且可在朝向凹部116的上部的方向上被暴露而不被凹部116覆盖。就是说，多个发光器件130的每一个可包括其中设置第一电极和第二电极的第一部分以及与第一部分相对的第二部分，并且多个发光器件13的每一个可容纳到凹部116中，使得第一部分设置为比第二部分相对更远离凹部116的底表面116a(见图3)并且第一部分邻近图像显示表面。下面将描述每个发光器件130的结构。
第二基板150可设置成覆盖第一基板110，第二基板150可定义为滤色器阵列基板、对向基板或封装基板。第二基板150可通过围绕第一基板110的显示区域AA的密封剂对向接合至第一基板110。
此外，根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置可进一步包括扫描驱动电路170和面板驱动器190。
扫描驱动电路170可根据从面板驱动器190输入的栅极控制信号产生扫描脉冲并可将扫描脉冲提供至栅极线GL。扫描驱动电路170可通过与形成每个像素SP中设置的TFT的工艺相同的工艺内置到第一基板110的第三非显示区域中。例如，扫描驱动电路170可相对于显示区域AA来说设置在左侧和/或右侧非显示区域中，但不限于此。在其它实施方式中，扫描驱动电路170可设置在能够将扫描脉冲提供至栅极线GL的任意非显示区域中。
任选地，扫描驱动电路170可被制造为驱动集成电路(IC)类型。在这种情形中，根据一实施方式的扫描驱动电路170可安装在第一基板110的第三和/或第四非显示区域中，从而以一一对应的关系连接至多条栅极线。根据另一实施方式，扫描驱动电路170可安装在栅极柔性电路膜上，在这种情形中，栅极柔性电路膜可附接在设置于第一基板110的第三和/或第四非显示区域中的栅极焊盘部上，由此扫描驱动电路170可通过栅极柔性电路膜和栅极焊盘部以一一对应的关系连接至多条栅极线GL。
面板驱动器190可连接至设置在第一基板110的第一非显示区域中的焊盘部并且可在显示区域AA上显示与从显示驱动系统提供的图像数据对应的图像。根据一实施方式的面板驱动器190可包括多个数据柔性电路膜191、多个数据驱动IC 193、印刷电路板(PCB)195、时序控制器197和电源电路199。
多个数据柔性电路膜191的每一个可通过膜附接工艺附接在第一基板110的焊盘部上。
多个数据驱动IC 193的每一个可独立地安装在多个数据柔性电路膜191中的相应数据柔性电路膜上。数据驱动IC 193可接收从时序控制器197提供的像素数据和数据控制信号，根据数据控制信号按像素将像素数据转换为模拟数据电压，并且将模拟数据电压分别提供至数据线DL。
PCB 195可连接至多个数据柔性电路膜191。PCB 195可支撑时序控制器197和电源电路199并且可在面板驱动器190的元件之间传输信号和电力。
时序控制器197可安装在PCB 195上并且可通过设置在PCB 195上的用户连接器接收从显示驱动系统提供的图像数据和时序同步信号。时序控制器197可基于时序同步信号，根据显示区域AA的像素布置结构排列图像数据，以产生像素数据，并且可将产生的像素数据提供至数据驱动IC 193。此外，时序控制器197可基于时序同步信号产生数据控制信号和栅极控制信号并且可控制数据驱动IC 193和扫描驱动电路170的每一个的驱动时序。
电源电路199可安装在PCB 195上并且可通过使用从外部接收的输入电力产生用于在显示区域AA上显示图像所需的各种电压，以将每个电压提供至相应元件。
此外，面板驱动器190可进一步包括连接至PCB 195的控制板。在这种情形中，时序控制器197和电源电路199可安装在控制板上而不是安装在PCB 195上。因此，PCB 195可仅执行在多个数据柔性电路膜191与控制板之间传输信号和电力的功能。
在根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置中，因为每个发光器件130容纳到设置在相应像素SP的发光区域中的凹部116中，所以在对发光器件130执行的转移工艺中防止发生转移到像素SP上的发光器件130的错位，并且提高了发光器件130的对准精度。特别是，在根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置中，因为每个发光器件130的电极与凹部116的底表面116a间隔较大并且电极通过接触孔CH1和CH2连接至像素电路PC，所以简化了将发光器件130和像素电路PC连接的连接工艺，并且缩短了在将发光器件130和像素电路PC连接时花费的工艺时间。
图3是用于描述图2中所示的驱动TFT和发光器件的连接结构的剖面图，图4是用于描述图3中所示的发光器件的剖面图。
下面将连同图2一起参照图3和4描述第一基板110、发光器件130和第二基板150的每一个的示例。
根据本发明一实施方式的第一基板110可包括：包括驱动TFT T2的像素电路PC、覆盖像素电路PC的平坦化层、以及凹部116。
驱动TFT T2可包括栅极电极GE、半导体层SCL、欧姆接触层OCL、源极电极SE和漏极电极DE。
栅极电极GE可与栅极线GL一起形成在第一基板110上。栅极电极GE可被栅极绝缘层112覆盖。
栅极绝缘层112可由包括无机材料的单层或多层形成并且可由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)等形成。
半导体层SCL可以以预定图案(或岛)形式设置在栅极绝缘层112上并与栅极电极GE交叠。半导体层SCL可由包括非晶硅、多晶硅、氧化物和有机材料之一的半导体材料形成，但不限于此。
欧姆接触层OCL可以以预定图案(或岛)形式设置在半导体层SCL上。在此，欧姆接触层OCL用于半导体层SCL与源极电极SE和漏极电极DE之间的欧姆接触并且可被省略。
源极电极SE可形成在欧姆接触层OCL的一侧上以与半导体层SCL的一侧交叠。源极电极SE可与数据线DL和驱动电源线PL一起形成。
漏极电极DE可形成在欧姆接触层OCL的另一侧上以与半导体层SCL的另一侧交叠并且漏极电极DE可与源极电极SE间隔开。漏极电极DE可与源极电极SE一起形成并且可从相邻的驱动电源线PL分支或突出。
此外，构成像素电路PC的开关TFT T1可以以与驱动TFT T2相同的结构形成。在这种情形中，开关TFT T1的栅极电极可从栅极线GL分支或突出，开关TFT T1的第一电极可从数据线DL分支或突出，并且开关TFT T1的第二电极可通过设置在栅极绝缘层112中的通孔连接至驱动TFT T2的栅极电极GE。
像素电路PC可被层间绝缘层114覆盖。层间绝缘层114可设置在整个第一基板110上方，以覆盖包括驱动TFT T2的像素电路PC。根据一实施方式的层间绝缘层114可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料或者诸如苯并环丁烯或光学压克力(photo acryl)之类的有机材料形成。可不设置层间绝缘层114。
平坦化层(或钝化层)115可设置在整个第一基板110上方以覆盖层间绝缘层114。平坦化层115可保护包括驱动TFT T2的像素电路PC并且可在层间绝缘层114上提供平坦表面。根据一实施方式的平坦化层115可由诸如苯并环丁烯或光学压克力之类的有机材料形成，特别是，为了工艺的简便，可由光学压克力形成。
凹部116可设置在像素SP中限定的发光区域中并且可容纳发光器件130。在此，像素SP的发光区域可定义为在像素区域中除其中设置有像素电路PC的电路区域以外的其它区域。
根据一实施方式的凹部116可从设置在第一基板110上以覆盖像素电路PC的平坦化层115凹入地设置。在这种情形中，凹部116可从平坦化层115的顶部115a凹入地设置为具有与发光器件130的厚度(或总高度)对应的深度。在此，为了具有基于发光器件130的厚度而设定的深度，可通过去除与像素SP的发光区域交叠的平坦化层115的一部分、平坦化层115的整个部分、平坦化层115的整个部分和层间绝缘层114的一部分、或者平坦化层115和层间绝缘层114以及栅极绝缘层112的整个部分来形成凹部116的底表面116a。例如，凹部116可设置为距平坦化层115的顶部115a具有2μm到6μm的深度。凹部116可具有底表面116a的尺寸比发光器件130的第二部分130b宽的杯形状。
根据一实施方式的凹部116可包括设置在凹部116的底表面116a与平坦化层115的顶表面115a之间的倾斜表面，倾斜表面可允许从发光器件130发射的光朝向凹部116的前方行进。
根据一实施方式的发光器件130可容纳到设置在像素SP中的凹部116中并且可连接至像素电路PC。发光器件130可包括第一部分130a和与第一部分130a相对的第二部分130b，第一部分130a包括连接至像素电路PC的第一电极E1和第二电极E2。在这种情形中，发光器件130的第一部分130a可设置为比第二部分130b相对更远离凹部116的底表面116a。就是说，在发光器件130中，设置在第一部分130a中的第一电极E1和第二电极E2可在凹部116中设置成面对第二基板150而不是设置成面对凹部116的内部，即凹部116的底表面116a。在此，发光器件130的第一部分130a可具有比第二部分130b小的尺寸，在这种情形中，发光器件130可具有梯形形状的剖面。
根据一实施方式的发光器件130可包括发光层EL、第一电极E1和第二电极E2。
发光层EL可基于在第一电极E1与第二电极E2之间流动的电流，根据电子和空穴的重组而发光。根据一实施方式的发光层EL可包括第一半导体层131、有源层133和第二半导体层135。
第一半导体层131可给有源层133提供电子。根据一实施方式的第一半导体层131可由基于n-GaN的半导体材料形成，基于n-GaN的半导体材料的示例可包括GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等。在此，硅(Si)、锗(Ge)、硒(Se)、碲(Te)或碳(C)可用作用于掺杂第一半导体层131的杂质。
有源层133可设置在第一半导体层131的一侧上。有源层133可具有多量子阱(MQW)结构，多量子阱结构包括阱层(well layer)和带隙比阱层高的势垒层(barrier layer)。根据一实施方式的有源层133可具有InGaN/GaN等的MQW结构。
第二半导体层135可设置在有源层133上并且可给有源层133提供空穴。根据一实施方式的第二半导体层135可由基于p-GaN的半导体材料形成，基于p-GaN的半导体材料的示例可包括GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等。在此，镁(Mg)、锌(Zn)或铍(Be)可用作用于掺杂第二半导体层135的杂质。
此外，第一半导体层131、有源层133和第二半导体层135可设置为按顺序堆叠在半导体基板上的结构。在此，半导体基板可包括蓝宝石(sapphire)基板或硅基板中包含的半导体材料。半导体基板可用作用于生长第一半导体层131、有源层133和第二半导体层135的每一个的生长半导体基板(growth semiconductor substrate)，然后半导体基板可通过基板分离工艺从第一半导体层131分离。在此，基板分离工艺可以是激光剥离工艺或化学剥离工艺。因此，因为从发光器件130去除生长半导体基板，所以发光器件130具有较薄的厚度，因而可容纳到设置在像素SP中的凹部116中。
第一电极E1可设置在第二半导体层135上。第一电极E1可连接至驱动TFT T2的源极电极SE。
第二电极E2可设置在第一半导体层131的另一侧上并且可与有源层133和第二半导体层135电断开。第二电极E2可连接至公共电源线CL。
根据一实施方式的第一电极E1和第二电极E2的每一个可由透明导电材料形成，透明导电材料的示例可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。然而，本实施方式不限于此。在其它实施方式中，第一电极E1和第二电极E2的每一个可由包括诸如金(Au)、钨(W)、铂(Pt)、铱(Ir)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)及其合金之类的金属材料中的一种或多种材料的材料形成。
发光器件130可基于在第一电极E1与第二电极E2之间流动的电流，根据电子和空穴的重组而发光。在这种情形中，从发光器件130发射的光可穿过第一电极E1和第二电极E2并可输出到外部，由此显示图像。换句话说，从发光器件130发射的光可穿过第一电极E1和第二电极E2并且可在与朝向凹部116的底表面116a的第一方向相反的第二方向上输出，由此显示图像。
根据本发明一实施方式的多个像素SP的每一个可进一步包括像素电极图案AE和公共电极图案CE。
像素电极图案AE可将驱动TFT T2的源极电极SE电连接至发光器件130的第一电极E1。根据一实施方式的像素电极图案AE可通过设置在平坦化层115中的第一接触孔CH1直接连接至驱动TFT T2的源极电极SE并且可连接至发光器件130的第一电极E1。
公共电极图案CE可将公共电源线CL电连接至发光器件130的第二电极E2。根据一实施方式的公共电极图案CE可通过设置在平坦化层115中的第二接触孔CH2连接至公共电源线CL并且可直接连接至发光器件130的第二电极E2。
像素电极图案AE和公共电极图案CE的每一个可由透明导电材料形成。透明导电材料的示例可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，但本实施方式不限于此。
可通过在包括第一接触孔CH1和第二接触孔CH2的平坦化层115上沉积透明导电材料层的工艺以及经由光刻工艺和蚀刻工艺将透明导电材料层选择性地图案化的图案化工艺，形成像素电极图案AE和公共电极图案CE。因此，在本发明中，因为发光器件130的第一电极E1和第二电极E2通过沉积工艺和图案化工艺同时连接至像素电路PC，所以与相关技术相比，相当大地缩短了在将发光器件130连接至像素电路PC时花费的工艺时间，因而提高了发光二极管显示装置的生产率。
此外，发光器件130的第一电极E1和第二电极E2可不同地形成台阶，在这种情形中，第一电极E1和第二电极E2之一可设置在与平坦化层115的顶部115a相同的平面上。在这种情形中，设置在凹部116中的发光器件130的第一电极E1和第二电极E2中的至少一个可相对于平坦化层115的顶部115a来说产生小于2μm的台阶。就是说，如果平坦化层115的顶部115a的台阶高度超过2μm，则在将发光器件130的第一电极E1和第二电极E2连接至像素电极图案AE和公共电极图案CE的线连接工艺中，由于平坦化层115的顶部115a与第一电极E1和第二电极E2之间的台阶覆盖率，像素电极图案AE和公共电极图案CE可能被短路。为了防止短路，如果像素电极图案AE和公共电极图案CE的每一个的厚度设定为相对较厚，则由于像素电极图案AE和公共电极图案CE的每一个的厚度增加，制造成本增加。
根据本发明一实施方式的第一基板110可进一步包括将发光器件130固定至凹部116的粘合剂层120。
粘合剂层120可设置在凹部116的底表面116a与发光器件130之间并且可将发光器件130贴附在凹部116的底表面116a上。例如，粘合剂层120可涂布在发光器件130的第二部分130b(即，第一半导体层131的后表面)上，因而在将发光器件130转移到凹部116上的转移工艺中，粘合剂层120可粘附至凹部116的底表面116a。作为另一示例，粘合剂层120可点滴到凹部116的底表面116a上并且通过在针对发光器件130执行的转移工艺中施加至此的压力而分散在凹部116中，因而可粘附至发光器件130的第二部分130b(即，第一半导体层131的后表面)。因此，可通过粘合剂层120对转移到凹部116上的发光器件130进行初次位置固定。因此，根据本发明一实施方式，可在将发光器件130简单贴附在凹部116的底表面116a上的方法中执行发光器件130的转移工艺(transfer process)，因而缩短了执行发光器件130的转移工艺时花费的转移工艺时间。
根据本发明一实施方式的第一基板110可进一步包括围绕位于凹部116中的发光器件130的外围的填充物117。
填充物117可填充到其中贴附有发光器件130的凹部116的外围空间中。根据一实施方式的填充物117可包括热固化树脂或光固化树脂。填充物117可填充到凹部116的外围空间中，然后可被固化，因而可去除凹部116的内部空气间隙并且可将凹部116的外围空间顶部平坦化。此外，填充物117可对通过粘合剂层120进行了初次位置固定的发光器件130的位置进行二次固定。
填充物117可支撑像素电极图案AE和公共电极图案CE并且可防止像素电极图案AE通过凹部116的外围空间电接触有源层133的侧表面和/或第一半导体层131的侧表面。因此，像素电极图案AE和公共电极图案CE可形成在填充物117以及包括第一接触孔CH1和第二接触孔CH2的平坦化层115上，可直接接触填充物117的顶表面，并且可电连接至发光器件130的各个第一电极E1和第二电极E2。
因此，在本发明一实施方式中，因为填充物117形成在凹部116的外围空间中，所以平坦化层115的顶部115a与凹部116的外围空间之间的台阶高度被最小化，因而防止了电连接至发光器件130的各个第一电极E1和第二电极E2的像素电极图案AE和公共电极图案CE由于平坦化层115的顶部115a与凹部116的外围空间之间的台阶高度而被短路。
此外，由于凹部116的倾斜表面，更多的填充物117能够填充到发光器件130的外围空间中，由此更好地固定发光器件130。
根据本发明一实施方式的第一基板110可进一步包括反射层111，反射层111设置在凹部116下方并与发光器件130交叠。
反射层111可设置在凹部116的底表面116a与第一基板110之间以与发光器件130交叠。根据一实施方式的反射层111可由与驱动TFT T2的栅极电极GE相同的材料形成并且可设置在与栅极电极GE相同的层上。反射层111可向着第二基板150反射从发光器件130入射的光。因此，根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置可具有顶部发光结构。
任选地，反射层111可由与驱动TFT T2的源极/漏极电极SE/DE相同的材料形成并且可设置在与源极/漏极电极SE/DE相同的层上。
第二基板150可设置成覆盖第一基板110的除焊盘部以外的其它部分，由此保护设置在第一基板110上的像素阵列。第二基板150可定义为滤色器阵列基板、对向基板或封装基板。例如，第二基板150可由透明玻璃材料、透明塑料材料等形成。
根据一实施方式的第二基板150可包括黑矩阵151。
黑矩阵151可限定与设置在第一基板110上的每个像素SP的发光区域交叠的开口区域。就是说，黑矩阵151可设置在第二基板150的整个区域中的、除与每个像素SP的发光区域交叠的开口区域以外的遮光区域中，由此防止相邻开口区域之间的颜色混合。根据一实施方式的黑矩阵151可包括：多个第一遮光图案，多个第一遮光图案覆盖多条栅极线GL、多条公共电源线CL和每个像素SP的像素电路PC；多个第二遮光图案，多个第二遮光图案覆盖多条数据线DL和多条驱动电源线PL；以及第三遮光图案，第三遮光图案覆盖第二基板150的边缘。在此，第一到第三遮光图案可设置在同一层上，因而黑矩阵151可具有网格形式。
此外，第二基板150可进一步包括设置在由黑矩阵151限定的开口区域中的光提取层152。光提取层152可由透明材料形成并且可向外部提取从发光器件130发射的光。与发光器件130面对的光提取层152的相对表面可具有透镜形式，用于增加从发光器件130发射的光的线性。光提取层152可将设置在第二基板150上的开口区域与黑矩阵151的顶部之间的台阶高度最小化。
在设置于每个像素SP中的发光器件130发射白色光的情形中，代替光提取层152，第二基板150可包括设置在开口区域中的滤色器层152。
滤色器层152可包括与多个像素SP中定义的各个颜色对应的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。滤色器层152可仅透过从相应像素SP发射的白色光中的、具有与相应像素SP对应的颜色的波长的光。
任选地，黑矩阵151和滤色器层152可设置在第一基板110上。在这种情形中，第一基板110可具有TFT上滤色器(COT)结构。
根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置可进一步包括覆盖层140，覆盖层140覆盖包括像素SP和发光器件130的第一基板110的顶部。
覆盖层140可设置在第一基板110与第二基板150之间，以覆盖像素SP和发光器件130。就是说，覆盖层140可涂布在包括像素SP和发光器件130的第一基板110的顶部上，由此保护设置在第一基板110上的像素SP和发光器件130。
根据一实施方式的覆盖层140可由热固化树脂和/或光固化树脂形成。覆盖层140可以以液态直接涂布在第一基板110的顶部上，然后可通过使用热和/或光的固化工艺固化。在这种情形中，可在将第二基板150接合至涂布在第一基板110的顶部上的覆盖层140的工艺之后执行针对覆盖层140的固化工艺。在将第二基板150接合至第一基板110的工艺中覆盖层140可缓冲第二基板150的压力。
任选地，设置在第二基板150上的黑矩阵151和滤色器层152可设置在覆盖层140上。
图5是用于描述根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置的剖面图，其图解了通过改变图1到3中所示的发光二极管显示装置中的黑矩阵和滤色器层的位置而实现的发光二极管显示装置。因此，下文中，将仅描述黑矩阵、滤色器层和与之相关的元件。
参照图5，在根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置中，黑矩阵151可直接设置在第一基板110上并且可限定与多个像素SP的每一个的发光区域交叠的开口区域。此外，黑矩阵151从根本上防止相邻像素SP之间的颜色混合，因而降低了显示装置的黑色亮度，由此能够使显示装置实现真正的黑色。为此，根据一实施方式的黑矩阵151可直接形成在除预定开口区域之外的第一基板110上并且可限定每个像素SP的开口区域。更详细地说，除黑矩阵151直接形成在平坦化层115的顶部115a、像素电极图案AE和公共电极图案CE上之外，根据一实施方式的黑矩阵151与图3中所示的黑矩阵相同。
根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置可进一步包括设置在由黑矩阵151限定的开口区域中的光提取层152。光提取层152可由透明材料形成。光提取层152可直接形成在与每个像素SP的开口区域交叠的像素电极图案AE和公共电极图案CE上，由此向外提取从发光器件130发射的光。此外，光提取层152将开口区域与黑矩阵151的顶部之间的台阶高度最小化。
根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置可代替光提取层152而包括设置在开口区域中的滤色器层152。在这种情形中，设置在每个像素SP中的发光器件130可发射白色光。
滤色器层152可包括与多个像素SP中定义的各个颜色对应的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。滤色器层152可仅透过从相应像素SP发射的白色光中的、具有与相应像素SP对应的颜色的波长的光。
根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置可进一步包括覆盖层160，覆盖层160覆盖黑矩阵151和滤色器层152(或光提取层)。覆盖层160保护黑矩阵151和滤色器层152并且保护设置在第一基板110上的像素SP和发光器件130。
根据一实施方式的覆盖层160可由热固化树脂和/或光固化树脂形成。覆盖层160可以以液态直接涂布在第一基板110的顶部上，然后可通过使用热和/或光的固化工艺固化。
在其它实施方式中，覆盖层160可由透明玻璃材料、透明塑料材料等形成。
在根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置中，因为黑矩阵151设置在第一基板110上，所以降低了黑色亮度，因而实现真正的黑色。
图6是用于描述根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置的剖面图，其图解了通过修改图1到4中所示的发光二极管显示装置的粘合剂层而实现的发光二极管显示装置。因此，下文中，将仅描述粘合剂层和与之相关的元件。
参照图6，根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置的粘合剂层120可涂布在平坦化层115的顶部115a以及凹部116的侧表面和底表面116a上。就是说，粘合剂层120可设置成完全覆盖除设置在平坦化层115中的第一接触孔CH1和第二接触孔CH2以外的平坦化层115的其它部分。
根据一实施方式的粘合剂层120可在其中设置有凹部116的平坦化层115的整个顶部115a上涂布成某一厚度。涂布在其中要设置第一接触孔CH1和第二接触孔CH2的平坦化层115的顶部115a上的部分粘合剂层120可在形成第一接触孔CH1和第二接触孔CH2时被去除。因此，粘合剂层120可设置成完全覆盖除设置在平坦化层115中的第一接触孔CH1和第二接触孔CH2以外的平坦化层115的其它部分，因而根据本实施方式，与图1到4的实施方式相比，缩短了形成粘合剂层120时花费的工艺时间。
在本实施方式中，发光器件130的第二部分130b(见图4)可耦接至涂布在凹部116的底表面116a上的粘合剂层120，并且像素电极图案AE和公共电极图案CE可耦接至涂布在平坦化层115的顶部115a上的粘合剂层120。
在本实施方式中，粘合剂层120可设置在平坦化层115的整个顶部115a上，因而除根据本实施方式的覆盖层140设置成覆盖粘合剂层120、像素电极图案AE和公共电极图案CE外，根据本实施方式的覆盖层140与图3中所示的覆盖层相同。
图7用于描述根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置的剖面图，其图解了通过改变图6中所示的发光二极管显示装置中的黑矩阵和滤色器层的位置而实现的发光二极管显示装置。因此，下文中，将仅描述黑矩阵、滤色器层和与之相关的元件。
参照图7，在根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置中，黑矩阵151可直接设置在第一基板110上并且可限定与多个像素SP的每一个的发光区域交叠的开口区域。此外，黑矩阵151从根本上防止相邻像素SP之间的颜色混合，因而降低了显示装置的黑色亮度，由此能够使显示装置实现真正的黑色。为此，根据一实施方式的黑矩阵151可直接形成在除预定开口区域之外的第一基板110上并且可限定每个像素SP的开口区域。更详细地说，除黑矩阵151直接形成在粘合剂层120的顶部、像素电极图案AE和公共电极图案CE上外，根据一实施方式的黑矩阵151与图6中所示的黑矩阵相同。
根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置可进一步包括设置在由黑矩阵151限定的开口区域中的光提取层152。光提取层152可由透明材料形成。光提取层152可直接形成在与每个像素SP的开口区域交叠的像素电极图案AE和公共电极图案CE上，由此向外提取从发光器件130发射的光。此外，光提取层152将开口区域与黑矩阵151的顶部之间的台阶高度最小化。
根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置可代替光提取层152而包括设置在开口区域中的滤色器层152。在这种情形中，设置在每个像素SP中的发光器件130可发射白色光。
滤色器层152可包括与多个像素SP中定义的各个颜色对应的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。滤色器层152可仅透过从相应像素SP发射的白色光中的、具有与相应像素SP对应的颜色的波长的光。
根据本发明一实施方式的发光二极管显示装置可进一步包括覆盖层160，覆盖层160覆盖黑矩阵151和滤色器层152(或光提取层)。
根据一实施方式的覆盖层160可由热固化树脂和/或光固化树脂形成。覆盖层160可以以液态直接涂布在第一基板110的顶部上，然后可通过使用热和/或光的固化工艺固化。
在其它实施方式中，覆盖层160可由透明玻璃材料、透明塑料材料等形成。
根据本发明的实施方式，一种显示装置可包括：包括凹部的薄膜晶体管(TFT)阵列基板；和位于所述凹部中的发光器件，所述发光器件包括第一电极和第二电极，其中所述发光器件包括第一部分和与所述第一部分相对的第二部分，所述第一部分包括所述第一电极和所述第二电极，并且其中所述第一部分设置为比所述第二部分更远离所述凹部的底表面。
根据本发明的实施方式，所述发光器件的第二部分可设置在所述第一部分与所述凹部的底表面之间。
根据本发明的实施方式，所述发光器件的第二部分可面对所述凹部的底表面。
根据本发明的实施方式，所述薄膜晶体管阵列基板还可包括平坦化层，所述平坦化层包括所述凹部，并且其中所述凹部从所述平坦化层的顶表面凹入地设置。
根据本发明的实施方式，所述凹部可包括设置在所述凹部的底表面与所述平坦化层的顶表面之间的倾斜表面。
根据本发明的实施方式，所述显示装置还可包括：像素电极图案，所述像素电极图案沉积在所述平坦化层的顶表面上并且直接电连接至所述发光器件的第一电极；和公共电极图案，所述公共电极图案沉积在所述平坦化层的顶表面上并且直接电连接至所述发光器件的第二电极。
根据本发明的实施方式，所述薄膜晶体管阵列基板还可包括像素，所述像素包括所述凹部和所述发光器件，并且其中所述像素包括：被所述平坦化层覆盖的驱动薄膜晶体管；像素电极图案，所述像素电极图案通过设置在所述平坦化层中的第一接触孔电连接至所述驱动薄膜晶体管，并且直接电连接至所述发光器件的第一电极；和公共电极图案，所述公共电极图案直接电连接至所述发光器件的第二电极。
根据本发明的实施方式，所述薄膜晶体管阵列基板还可包括：驱动电源线，所述驱动电源线电连接至所述驱动薄膜晶体管并且被所述平坦化层覆盖；和公共电源线，所述公共电源线电连接至所述公共电极图案并且被所述平坦化层覆盖，其中所述公共电极图案通过设置在所述平坦化层中的第二接触孔电连接至所述公共电源线，并且直接电连接至所述发光器件的第二电极。
根据本发明的实施方式，所述薄膜晶体管阵列基板还可包括填充物，所述填充物填充到位于所述凹部中的发光器件的外周部分中。
根据本发明的实施方式，所述填充物可直接接触所述像素电极图案和所述公共电极图案。
根据本发明的实施方式，所述发光器件可包括：第一半导体层，所述第一半导体层面对所述凹部的底表面；位于所述第一半导体层的一侧上的有源层；和位于所述有源层上的第二半导体层，所述第一电极设置在所述第二半导体层上并且连接至所述像素电极图案，并且所述第二电极设置在所述第一半导体层的另一侧上并且连接至所述公共电极图案。
根据本发明的实施方式，所述薄膜晶体管阵列基板还可包括位于所述发光器件与所述凹部的底表面之间的粘合剂层。
根据本发明的实施方式，所述薄膜晶体管阵列基板还可包括粘合剂层，所述粘合剂层涂布在所述平坦化层的顶表面、以及所述凹部的底表面和侧表面上，所述发光器件的第二部分耦接至涂布在所述凹部的底表面上的粘合剂层，并且所述像素电极图案和所述公共电极图案耦接至涂布在所述平坦化层的顶表面上的粘合剂层。
根据本发明的实施方式，所述显示装置还可包括：位于所述粘合剂层、所述像素电极图案和所述公共电极图案上的黑矩阵，所述黑矩阵限定与所述发光器件交叠的开口区域；和位于所述开口区域中的滤色器层，所述滤色器层覆盖所述发光器件。
根据本发明的实施方式，所述显示装置还可包括覆盖所述黑矩阵和所述滤色器层的覆盖层。
根据本发明的实施方式，所述发光器件的第一电极和第二电极可不同地形成台阶，并且所述第一电极和所述第二电极的其中之一可设置在与所述平坦化层的顶部相同的平面上。
根据本发明的实施方式，所述第一部分可具有比所述第二部分小的尺寸。
根据本发明的实施方式，一种显示装置可包括：包括凹部的薄膜晶体管(TFT)阵列基板；和位于所述凹部中的发光器件，所述发光器件包括第一电极和第二电极，其中从所述发光器件发射的光穿过所述第一电极和所述第二电极的每一个并且输出到外部。
根据本发明的实施方式，从所述发光器件发射的光可穿过所述第一电极和所述第二电极的每一个并且在与朝向所述凹部的底表面的第一方向相反的第二方向上输出。
根据本发明的实施方式，所述薄膜晶体管阵列基板还可包括：包括所述凹部的平坦化层；被所述平坦化层覆盖的驱动薄膜晶体管；像素电极图案，所述像素电极图案沉积在所述平坦化层的顶表面上，电连接至所述驱动薄膜晶体管，并且直接电连接至所述发光器件的第一电极；和公共电极图案，所述公共电极图案沉积在所述平坦化层的顶表面上并且直接电连接至所述发光器件的第二电极。
根据本发明的实施方式，所述显示装置还可包括覆盖所述薄膜晶体管阵列基板的对向基板。
根据本发明的实施方式，所述对向基板可包括：黑矩阵，所述黑矩阵限定与所述发光器件交叠的开口区域；和位于所述开口区域中的滤色器层。
根据本发明的实施方式，所述薄膜晶体管阵列基板还可包括位于所述凹部的下方的反射层，所述反射层与所述发光器件交叠。
根据本发明的实施方式，所述显示装置还可包括接合至所述薄膜晶体管阵列基板的对向基板，其中所述对向基板可包括：黑矩阵，所述黑矩阵限定与所述发光器件交叠的开口区域；和：设置在由所述黑矩阵限定的开口区域中的光提取层。
根据本发明的实施方式，所述光提取层的与所述发光器件面对的相对表面可具有透镜形式。
根据本发明的实施方式，一种显示装置可包括：多个像素，每个像素包括设置在基板上的驱动薄膜晶体管；覆盖所述像素的平坦化层；位于所述平坦化层中的凹部；以及发光器件，其中所述发光器件容纳到位于相应像素的发光区域中的凹部中。
根据本发明的实施方式，所述显示装置还可包括覆盖所述基板的对向基板，所述发光器件包括第一电极和第二电极，其中设置在所述凹部中的第一电极和第二电极设置成面对所述对向基板而不是面对所述凹部的底表面。
如上所述，根据本发明的实施方式，相当大地缩短了在将发光器件连接至像素电路的工艺中花费的时间，因而提高了显示装置的生产率。
在不背离本发明的精神或范围的情况下，能够在本发明中进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说将是显而易见的。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
包括凹部的薄膜晶体管(TFT)阵列基板；和
位于所述凹部中的发光器件，所述发光器件包括第一电极和第二电极，
其中所述发光器件包括第一部分和与所述第一部分相对的第二部分，所述第一部分包括所述第一电极和所述第二电极，并且
其中所述第一部分设置为比所述第二部分更远离所述凹部的底表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述发光器件的第二部分设置在所述第一部分与所述凹部的底表面之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述发光器件的第二部分面对所述凹部的底表面。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括平坦化层，所述平坦化层包括所述凹部，并且
其中所述凹部从所述平坦化层的顶表面凹入地设置。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述凹部包括设置在所述凹部的底表面与所述平坦化层的顶表面之间的倾斜表面。
6.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：
像素电极图案，所述像素电极图案沉积在所述平坦化层的顶表面上并且直接电连接至所述发光器件的第一电极；和
公共电极图案，所述公共电极图案沉积在所述平坦化层的顶表面上并且直接电连接至所述发光器件的第二电极。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括像素，所述像素包括所述凹部和所述发光器件，并且
其中所述像素包括：
被所述平坦化层覆盖的驱动薄膜晶体管；
像素电极图案，所述像素电极图案通过设置在所述平坦化层中的第一接触孔电连接至所述驱动薄膜晶体管，并且直接电连接至所述发光器件的第一电极；和
公共电极图案，所述公共电极图案直接电连接至所述发光器件的第二电极。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括：
驱动电源线，所述驱动电源线电连接至所述驱动薄膜晶体管并且被所述平坦化层覆盖；和
公共电源线，所述公共电源线电连接至所述公共电极图案并且被所述平坦化层覆盖，
其中所述公共电极图案通过设置在所述平坦化层中的第二接触孔电连接至所述公共电源线，并且直接电连接至所述发光器件的第二电极。
9.一种显示装置，包括：
包括凹部的薄膜晶体管(TFT)阵列基板；和
位于所述凹部中的发光器件，所述发光器件包括第一电极和第二电极，
其中从所述发光器件发射的光穿过所述第一电极和所述第二电极的每一个并且输出到外部。
10.一种显示装置，包括：
多个像素，每个像素包括设置在基板上的驱动薄膜晶体管；
覆盖所述像素的平坦化层；
位于所述平坦化层中的凹部；以及
发光器件，其中所述发光器件容纳到位于相应像素的发光区域中的凹部中。
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