CN112335045A - 显示面板及使用该显示面板的大屏显示设备 - Google Patents
显示面板及使用该显示面板的大屏显示设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112335045A CN112335045A CN201980043639.9A CN201980043639A CN112335045A CN 112335045 A CN112335045 A CN 112335045A CN 201980043639 A CN201980043639 A CN 201980043639A CN 112335045 A CN112335045 A CN 112335045A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display panel
- thin film
- film transistor
- tft substrate
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
提供一种显示面板。根据实施例的所述显示面板包括:薄膜晶体管玻璃基板;多个微型发光二极管(LED),布置在所述薄膜晶体管玻璃基板的一个表面上;以及多个侧布线,形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的边缘处,以将所述薄膜晶体管玻璃基板的所述一个表面电连接到与所述一个表面相对的表面。
Description
技术领域
与在此公开的内容一致的装置和方法涉及一种显示面板及使用该显示面板的大屏显示设备,更具体地,涉及一种用于通过在TFT基板的边缘处布置侧布线结构以将驱动电路的结合区域移动到TFT基板的后表面来实现无边框面板的显示面板,以及使用该显示面板的大屏显示设备。
背景技术
显示设备在以像素为基础或以子像素为基础操作的同时显示各种颜色,并且其操作由每个像素或子像素薄膜晶体管(TFT)控制。多个TFT可设置在柔性基板、玻璃基板或塑料基板上,柔性基板、玻璃基板或塑料基板通常可被称为TFT基板。
这样的TFT基板已用于驱动显示器,诸如柔性装置、小型可穿戴装置(例如,可穿戴手表等)、大型TV等。为了驱动TFT基板,TFT基板连接到外部电路(诸如外部IC)以向TFT基板或驱动电路(例如,驱动IC)施加电流。通常,TFT基板和每个电路可通过玻璃上芯片(COG)结合或玻璃上膜(FOG)结合连接。对于这些连接,需要在TFT基板的边缘处设置具有特定区域的边框区域。
发明内容
技术问题
最近,已稳步地进行了对用于去除或减小边框区域以使显示面板的显示区域(例如,有效区域)最大化的无边框技术的学习和研究,例如,在美国专利公开号US9367094(公开日期:2016年6月14日)中公开的显示面板。目前,无边框显示面板已应用于诸如智能电话的小型显示设备或者诸如显示板的大型显示设备。
技术方案
提供了一种通过在TFT基板的边缘处布置侧布线结构以将驱动电路的结合区域移动到TFT基板的后表面来实现无边框面板的显示面板,以及使用该显示面板的大屏显示设备。
此外,提供了一种使用μ-LED的显示设备以及使用该显示设备的大屏显示设备,所述显示设备通过在将多个μ-LED安装在TFT基板上时,在μ-LED安装表面的外侧上布置将TFT基板连接到驱动电路的侧布线来提供具有增大的μ-LED安装密度的显示面板。
此外,提供了一种显示设备以及使用该显示设备的大屏显示设备,在通过连接多个无边框显示面板制造的大屏显示器(LFD)的情况下,提供了一种用于通过将彼此相邻的显示面板的最外像素之间的节距保持为与单个显示器的节距相同来防止显示面板之间预先出现接缝的显示面板。
根据本公开的一个方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括:薄膜晶体管玻璃基板;多个微型发光二极管(LED),布置在所述薄膜晶体管玻璃基板的一个表面上;以及多个侧布线,形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的边缘处,以将所述薄膜晶体管玻璃基板的所述一个表面电连接到与所述一个表面相对的表面。
所述显示面板可包括所述多个侧布线中的每个侧布线,所述多个侧布线中的每个侧布线连接到所述薄膜晶体管玻璃基板的所述一个表面、侧端表面和与所述一个表面相对的所述表面。
所述显示面板可包括所述多个侧布线中的每个侧布线的两个端部,所述多个侧布线中的每个侧布线的两个端部分别电连接到形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘处的第一连接焊盘和第二连接焊盘。
所述显示面板可包括所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘,所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘与虚设区域对应,所述虚设区域不包括在所述薄膜晶体管玻璃基板上布置有所述多个微型LED的有效区域。
所述显示面板可包括所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘,所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘为从所述薄膜晶体管玻璃基板的最外部分至所述有效区域的区域。
所述显示面板可包括以预定间隔形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的侧端表面上的所述多个侧布线。
所述显示面板可包括设置在形成于所述薄膜晶体管玻璃基板的所述侧端表面上的多个槽上的所述多个侧布线。
所述显示面板可包括设置在所述薄膜晶体管玻璃基板的侧端表面上的所述多个侧布线。
所述显示面板可包括从所述薄膜晶体管玻璃基板的所述侧端表面向内形成的所述多个侧布线。
所述显示面板可包括所述多个侧布线中的每个侧布线的两个端部,所述多个侧布线中的每个侧布线的两个端部分别电连接到形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘处的第一连接焊盘和第二连接焊盘。
所述显示面板可包括每个侧布线的两个端部,每个侧布线的两个端部覆盖所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘。
所述显示面板可包括用于覆盖所述多个侧布线的保护层,所述保护层形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘处。
所述显示面板可包括利用绝缘材料形成的所述保护层。
根据本公开的另一方面,提供一种通过连接多个显示面板而制造的大屏显示设备,所述多个显示面板中的每个显示面板包括:薄膜晶体管玻璃基板;多个微型发光二极管(LED),布置在所述薄膜晶体管玻璃基板的一个表面上;以及多个侧布线,形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的边缘处,以将所述薄膜晶体管玻璃基板的所述一个表面电连接到与所述一个表面相对的表面,其中,三个微型LED构成一个像素,设置在所述多个显示面板中的每个显示面板中的多个像素以第一节距布置,并且所述多个显示面板的像素之中相邻的显示面板的像素以与所述第一节距相等的第二节距布置。
所述显示面板可包括形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的侧端表面上的所述多个侧布线,使得所述多个侧布线不从所述薄膜晶体管玻璃基板的所述侧端表面突出。
所述显示面板可包括形成为更靠近所述薄膜晶体管玻璃基板的侧端表面的第一连接焊盘和第二连接焊盘。
根据本公开的特定实施例的以上和其他方面、特征和优点,用于将TFT基板的前表面电连接到TFT基板的后表面的布线可形成在TFT基板的边缘处。因此,TFT基板的虚设区域可被最小化以容易地实现无边框显示面板。
当通过连接多个无边框显示面板来实现大屏显示设备时,显示面板之间的连接部分处的接缝可不明显,从而改善了显示质量。
附图说明
通过以下结合附图的描述,本公开的特定实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显,其中:
图1A是示出根据实施例的显示面板的主视图;
图1B是解释根据实施例的显示面板的框图;
图2是根据实施例的沿着图1A中所示的线A-A截取的剖面图;
图3是示出根据实施例的通过经由喷墨法在TFT基板的边缘上施加导电金属材料来形成侧布线的工艺的示意图;
图4是示出根据实施例的通过经由冲压法在TFT基板的边缘上施加导电金属材料来形成侧布线的工艺的示意图;
图5是示出根据实施例的通过经由丝网印刷法在TFT基板的边缘上施加导电金属材料来形成侧布线的工艺的示意图;
图6是示出根据实施例的通过经由金属沉积法在TFT基板的边缘上施加导电金属材料来形成侧布线的工艺的示意图;
图7A是示出根据实施例的粘合构件的俯视图;
图7B是示出根据实施例的没有形成多个侧布线的TFT基板的示意图;
图7C是示出根据实施例的经由粘合法在TFT基板的边缘部分上形成侧布线的工艺的示意图;
图7D是示出根据实施例的去除胶带的工艺的示意图;
图8A是示出根据实施例的形成在TFT基板的边缘部分上的导电层的示意图;
图8B是示出根据实施例的形成在导电层上的掩模构件的示意图;
图8C是示出根据实施例的形成有多个侧布线的TFT基板的边缘部分的示意图;
图9A是示出根据本公开的另一实施例的显示面板的主视图;
图9B是示出根据本公开的又一实施例的显示面板的主视图;
图9C是示出根据本公开的又一实施例的显示面板的主视图;
图10是示出根据实施例的通过连接多个显示面板形成的大屏显示设备的前视图;
图11是示出根据实施例的图10中所示的B部分的放大图;
图12是示出根据实施例的堆叠在侧布线上以保护形成在TFT基板的边缘上的侧布线的保护层的剖面图;
图13是示出根据另一实施例的显示面板的主视图;
图14是根据实施例的沿着图13中所示的线C-C截取的剖面图;
图15、图16、图17和图18是顺序示出根据实施例的显示面板的制造工艺的示图;
图19是示出根据另一实施例的通过连接多个显示面板形成的大屏显示设备的主视图;
图20是示出根据实施例的图19中所示的D部分的放大图;
图21是示出根据又一实施例的显示面板的主视图;以及
图22是沿着图21中所示的线E-E截取的剖面图。
具体实施方式
本公开中描述的实施例可省略相关已知功能或组件的详细描述,以防止任何模糊主题的的描述。另外,将省略对相同组件的冗余描述。
此外,考虑到便于描述,可给出或混合本公开中使用的组成元件的后缀“部分”,并且可不具有特定含义或可具有区分自身的作用。
本申请中使用的术语仅用于描述特定实施例,并不旨在限制本公开。除非上下文另有明确说明,否则本公开中的单数形式也旨在包括复数形式。
单数表述也可包括复数含义,只要其在上下文中不包括不同的含义即可。在本公开中,诸如“包括”和“具有”的术语可被解释为在本公开中指定的特征、数字、操作、元件、组件或它们的组合,而不排除添加其他的特征、数字、操作、元件、组件或它们的组合中的一个或更多个的存在或可能性。
诸如“第一”和“第二”的术语可用于修饰各种元件,而不管顺序和/或重要性如何。这些术语可用于将组件与其他组件区分开的目的。
当元件(例如,第一组成元件)被称为“可操作地或通信地结合到”或“连接到”另一元件(例如,第二组成元件)时,应当理解的是,每个组成元件可直接连接或经由另一组成元件(例如,第三组成元件)间接连接。然而,当元件被称为“直接结合到”或“直接连接到”另一元件时,应当理解的是,可不存在介于它们之间的其他组成元件(例如,第三组成元件)。
根据实施例的显示面板可在TFT玻璃基板的边缘处形成侧布线,并且将设置在TFT基板的前表面上的多个发光元件电连接到设置在TFT基板的后表面上的电路。TFT基板可包括玻璃基板、柔性基板或塑料基板,并且形成在基板的一个表面上的多个TFT可称为背板(backplane)。在此可出于描述的目的使用玻璃基板(在下文中,被称为“TFT基板”)。
TFT基板的边缘可以是TFT基板的最外侧。TFT基板的边缘可包括从TFT基板的最外侧到可显示图像的有效区域的虚设区域。因此,虚设区域可包括TFT基板的侧端表面、TFT基板的与侧端表面相邻的前表面的一部分以及后表面。
发光元件可以是微型发光二极管(μ-LED),在这种情况下,每个μ-LED可包括红(R)颜色子像素、绿(G)颜色子像素和蓝(B)颜色子像素。单个像素可包括R、G和B三个子像素,并且TFT基板的每个TFT可在子像素的基础上形成。
μ-LED本身可发光,并且可不包括背光单元、液晶层、偏振器以及可布置在其顶层上的非常薄的玻璃层。因此,μ-LED可以以比有机发光二极管(OLED)薄的厚度形成。
μ-LED可使用无机材料,因此不会发生老化现象。因此,μ-LED的发光效率可以是使用有机材料的OLED的三倍并且功耗为OLED的一半。因此,当安装有μ-LED的显示面板应用于智能电话时,用户可在明亮的空间中清楚地看到智能电话的屏幕,并且电池可运行更长时间。
μ-LED可通过辊传送法(roller transfer method)安装在具有曲率的基板上,并且元件可附着到可像橡胶一样拉伸的基板。这样,可制造可自由变形的透明显示器。这意味着对实际安装μ-LED的基板没有限制。
μ-LED可被制造为小于100μm的超小尺寸,并且当其应用于诸如智能手表等的可穿戴设备时,可实现超高分辨率。可实现超高分辨率的μ-LED的转变时间(完全改变颜色所花费的时间)可以是纳秒。例如,当μ-LED应用于虚拟现实视图器(VR headset)或增强现实视图器(AR headset)时,可显著改善图像质量。
设置在TFT基板的边缘上的侧布线可将设置在TFT基板的前表面上的第一连接焊盘电连接到设置在TFT基板的后表面上的第二连接焊盘。侧布线可沿着TFT基板的前表面、侧端表面和后表面形成,并且其一端可电连接到第一连接焊盘,其另一端可电连接到第二连接焊盘。侧布线的一部分可形成在TFT基板的侧端表面上,并从TFT基板的侧端表面突出侧布线的厚度。
形成在TFT基板的边缘处的侧布线可沿着从TFT基板的侧端表面到TFT基板的内侧的方向形成,以不从TFT基板的侧端表面突出。穿过TFT基板的侧端表面的侧布线的一部分可形成在设置于TFT基板的侧端表面上的槽中。侧布线的一部分可完全填充槽,或者可沿着槽的内周表面以预定厚度涂覆。当侧布线的一部分完全填充槽时,侧布线的一部分的表面可位于TFT基板的侧端表面的相同表面上。另外,当沿着槽的内周表面以预定厚度涂覆侧布线的一部分时,侧布线的一部分的表面可向内定位到TFT基板而不是TFT基板的侧端表面。
如上所述,根据以上实施例的显示面板可通过使TFT基板的前区域上的虚设区域最小化并使有效区域最大化来实现无边框显示面板。
在具体化无边框显示面板的结构中,可减小虚设区域,并且可相对地增大有效区域。因此,可增大用于单元显示面板的μ-LED的安装密度。
当连接多个无边框显示面板时,可提供能够使有效区域最大化的大屏显示设备(LFD)。在这种情况下,显示面板可形成为通过使虚设区域最小化来将彼此相邻的显示面板的像素之间的节距保持为与单个显示面板中的像素之间的节距相同。因此,可防止在显示面板之间的连接部分中出现接缝。
在下文中,将参照附图描述本公开的各种实施例。
图1A是示出根据实施例的显示面板的主视图,图1B是示出根据实施例的显示面板的框图,图2是沿着图1A中所示的线A-A截取的剖面图。
根据实施例的显示面板100可包括:TFT基板110,在其中可形成多个像素驱动电路137;多个像素130,布置在TFT基板的前表面上;面板驱动器150,用于生成控制信号并将生成的控制信号提供给形成在TFT基板上的每个像素驱动电路137;侧布线170,形成在TFT基板110的边缘处以将像素驱动电路137电连接到面板驱动器150。
参照图1A、图1B和图2,可在TFT基板110上形成在水平方向上设置的用于控制布置在TFT基板的前表面111上的多个像素130的多个数据信号线,以及沿着竖直方向设置的多个门信号线。
TFT基板的前表面111可包括:有效区域(AA),通过多个像素130在其中显示图像;以及虚设区域(DA),不包括有效区域。虚设区域DA可与TFT基板110的边缘对应,在本公开中,虚设区域和TFT基板110的边缘可被认为是相同的。
参照图1A,多个像素130可以以矩阵形式布置在TFT基板110的前表面上。每个像素130可包括分别与红色、绿色和蓝色对应的三个子像素R 131、G 132和B 133。子像素131、132和133中的每个可包括发射子像素的颜色的光的微型发光二极管(μ-LED)。在本公开中,子像素和μ-LED可被认为是相同的。
R子像素131、G子像素132和B子像素133可以以矩阵形式布置在多个像素130中的一个中,或者顺序布置。然而,R子像素131、G子像素132和B子像素133的布置不限于此。该布置可在像素130的单元中变化。每个像素130可包括用于驱动与R子像素131、G子像素132和B子像素133中的每个对应的μ-LED的像素驱动电路。
一个像素130可包括分别用于驱动每个R子像素131、G子像素132和B子像素133的三个像素驱动电路137。
面板驱动器150可以以玻璃上芯片(COG)结合法或玻璃上膜(FOG)结合法连接到TFT基板110。面板驱动器150可驱动多个像素驱动电路137并控制电连接到多个像素驱动电路137的多个μ-LED 131、132和133的发光。面板驱动器150可通过第一驱动器151和第二驱动器153逐行控制多个像素驱动电路。
第一驱动器131可针对每帧逐行生成用于顺序控制形成在TFT基板的前表面111上的多条水平线的控制信号,并且将生成的控制信号发送到连接到该线的像素驱动电路。
第一驱动器131也可被称为门驱动器。
第二驱动器153可针对每帧逐行生成用于顺序控制形成在TFT基板的前表面111上的多条竖直线的控制信号,并且将生成的控制信号发送到连接到该线的像素驱动电路137。
另外,第二驱动器153可被称为数据驱动器。
侧布线170可沿着TFT基板110的边缘间隔地设置为多个。侧布线170可将形成在TFT基板的前表面111上的第一连接焊盘121电连接到形成在TFT基板的后表面113上的第二连接焊盘123。第一连接焊盘121可沿着TFT基板的前表面111的上侧和TFT基板的前表面111的左侧以预定距离设置为多个。沿着TFT基板的前表面111的上侧布置的多个第一连接焊盘121可电连接到门信号线,沿着TFT基板的前表面111的左侧布置的多个第一连接焊盘121可电连接到数据信号线。
侧布线170的一端可电连接到前焊盘,另一端可电连接到后焊盘,使得TFT基板的前表面111的第一连接焊盘121和TFT基板的后表面113的第二连接焊盘123可彼此电连接。
参照图2,侧布线170可包括:第一部分171,位于TFT基板的前表面111上且在TFT基板110的边缘处;第二部分172,形成在TFT基板的侧端表面112上;以及第三部分173,形成在TFT基板的后表面113上。在这种情况下,因为第二部分172设置在TFT基板的侧端表面112上,所以侧布线170可从侧端表面112突出侧布线170的厚度。
为了防止侧布线170的从TFT基板的侧端表面112突出的第二部分172断开,还可在侧布线170上堆叠附加保护层180(见图12)。保护层180的厚度可等于或小于侧布线170的厚度。
参照图3至图6,可通过各种工艺在TFT基板110的边缘处形成侧布线170。为了便于解释,在图3至图6中将省略布置在TFT基板110上的多个像素130。
图3是示出通过经由喷墨法在TFT基板的边缘上施加导电金属材料来形成侧布线的工艺的示意图。
参照图3,侧布线可形成为使用喷墨法将油墨形式的导电金属材料170a喷涂在TFT基板110的边缘上。导电金属材料170a可顺序施加到TFT基板110的前表面、侧端表面和后表面以形成侧布线。
图4是示出通过经由冲压法在TFT基板的边缘上施加导电金属材料来形成侧布线的工艺的示意图。
参照图4,可通过可移动构件182将膏形式的导电金属材料170b施加在TFT基板110的边缘上。例如,导电金属材料170b可顺序施加到TFT基板110的前表面、侧端表面和后表面以形成侧布线。
图5是示出通过经由丝网印刷法在TFT基板的边缘上施加导电金属材料来形成侧布线的工艺的示意图。
参照图5,掩模184可设置在TFT基板110上,使得形成在掩模中的排放孔185可与TFT基板110的形成侧布线的边缘对应。设置在掩模184的上表面上的膏形式的导电金属材料170c可被推到刮刀183以通过排放孔185施加到TFT基板110的边缘。导电金属材料170c可顺序施加到TFT基板110的边缘的前表面、侧端表面和后表面。
图6是示出通过经由金属沉积法在TFT基板的边缘上施加导电金属材料来形成侧布线的工艺的示意图。
侧布线170可通过金属沉积法(例如,溅射沉积法)形成在TFT基板110的边缘上。可在TFT基板110上形成使用胶带或液态树脂的掩模186和187,并且可沉积导电金属材料,从而可暴露TFT基板110的边缘。根据金属沉积设备,导电金属材料可同时沉积在TFT基板110的前表面、侧端表面和后表面上,或者可顺序沉积在每个表面上。
在下文中,参照图7A、图7B、图7C和图7D,将描述根据本公开的实施例的用于形成侧布线470的粘合法。
图7A是示出粘合构件的主视图,图7B是示出没有形成多个侧布线的TFT基板的示意图,图7C是示出经由粘合法在TFT基板的边缘部分上形成侧布线的工艺的示意图,图7D是示出去除胶带的工艺的示意图。
参照图7A和图7B,粘合构件400可包括胶带410和形成在胶带410上的多个导电构件470。
胶带410可利用可结合到设置在胶带410的一个表面上的多个导电构件470的材料形成。另外,胶带410可利用在施加热时失去粘附性的材料形成。
因此,当热被施加到胶带410时,多个导电构件470可容易地与胶带410分离。
多个导电构件470(或侧布线)可利用导电材料形成。另外,当导电构件470附着到TFT基板110的边缘部分时,导电构件470可形成将第一连接焊盘121电连接到第二连接焊盘123的侧布线。
导电构件470可以是粘附到TFT基板110的边缘部分之前的状态,侧布线170可以是粘附到TFT基板110的边缘部分之后的状态。
导电构件470中的每个可以是正方形或者具有第一宽度W1和第一长度L1的矩形形状。
第一宽度W1可与第一连接焊盘121的第二宽度W2对应。例如,导电构件470的第一宽度W1可基于电连接并物理连接到导电构件470的第一连接焊盘121的第二宽度W2来确定。
具体地,第一宽度W1可大于或等于第二宽度W2。导电构件470可覆盖第一连接焊盘121并局部地围绕第一连接焊盘121。
另外,导电构件470的第一宽度W1可基于第二连接焊盘123和第一连接焊盘121的宽度来确定。
第一长度L1可以是用于将第一连接焊盘121连接到第二连接焊盘123同时围绕TFT基板110的边缘部分的长度。
例如,第一长度L1可以是从第一连接焊盘121到第二连接焊盘123的包括TFT基板的前表面111、侧端表面112和后表面113的距离。
另外,多个导电构件470可布置为在胶带410上彼此间隔开第一间隔D1。第一间隔D1可以是多个导电构件470的中心线之间的距离,并且可与第二间隔D2对应,第二间隔D2是多个第一连接焊盘121的中心线之间的距离。
因此,一个导电构件470可将一个第一连接焊盘121连接到设置在该一个第一连接焊盘121的相对侧上的一个第二连接焊盘123。
参照图7C,粘合构件400可结合到TFT基板110的边缘部分。一个导电构件470可接触设置在TFT基板的前表面111上的一个第一连接焊盘121、TFT基板的侧端表面112、TFT基板的后表面113和第二连接焊盘123。
因此,第一连接焊盘121和第二连接焊盘123可电连接。
当粘合构件结合到TFT基板110的边缘部分时,可对粘合构件400施加热压缩(P)。因此,多个导电构件470可结合并固定到TFT基板110的边缘部分。
换句话说,多个导电构件470可结合到TFT基板110的边缘部分以形成多个侧布线。
参照图7D,可从多个导电构件470去除胶带410。
参照图8A、图8B和图8C,将描述根据实施例的用于形成侧布线570的蚀刻法。
图8A是示出形成在TFT基板的边缘部分上的导电层的示意图,图8B是示出形成在导电层上的掩模构件的示意图,图8C是示出形成有多个侧布线的TFT基板的边缘部分的示意图。
参照图8A,可沿着TFT基板110的边缘部分形成导电层560。导电层560可结合到第一连接焊盘121、TFT基板的前表面111、TFT基板的侧端表面112、TFT基板的后表面113和第二连接焊盘123。
参照图8B,掩模构件550可以以预定间隔形成在TFT基板110的边缘部分处,并与设置有多个第一连接焊盘121和多个第二连接焊盘123的位置对应。
掩模构件550可保护设置在形成有掩模构件550的区域上的导电层560在蚀刻导电层560的工艺中不被蚀刻。
掩模构件550可与将要形成多个侧布线570的形状对应。例如,掩模构件550的第三宽度W3可与将要形成多个侧布线570的宽度对应。
第三宽度W3可大于或等于第一连接焊盘121的第二宽度W2。掩模构件550可局部地覆盖第一连接焊盘121。
掩模构件550的第三宽度W3可基于第二连接焊盘123的宽度和第一连接焊盘121的宽度来确定。
参照图8B,可执行导电层560的蚀刻工艺。蚀刻可包括湿法蚀刻和干法蚀刻。
例如,可不蚀刻设置在形成有掩模构件550的区域中的导电层560,并且可蚀刻设置在没有形成掩模构件550的区域中的导电层560。
因此,参照图8C,多个侧布线570可形成为与设置有第一连接焊盘121和第二连接焊盘123的位置对应。
多个侧布线570可将第一连接焊盘121电连接并物理连接到第二连接焊盘123。
参照图9A、图9B和图9C,将描述根据本公开的另一实施例的显示面板101、102和103。
图9A是示出根据本公开的另一实施例的显示面板的主视图,图9B是示出根据本公开的又一实施例的显示面板的主视图,图9C是示出根据本公开的又一实施例的显示面板的主视图。
多个侧布线170可形成在TFT基板110的四个侧面之中的两个或更多个侧面上,并且形成有多个侧布线170的两个侧面可以是不同的。
例如,在TFT基板110的四个侧面中的一个侧面上,可设置用于接收第一驱动器131的信号的第一连接焊盘121和第二连接焊盘123,并且在TFT基板110的四个侧面中的另一侧面上,可设置用于接收第二驱动器153的信号的第一连接焊盘121和第二连接焊盘123。
换句话说,为了驱动多个像素130,在TFT基板110的四个侧面中的一个侧面上,可形成用于传输门信号的侧布线170,并且在TFT基板110的四个侧面中的另一侧面上,可设置用于传输数据信号的侧布线170。
例如,参照图9A,多个侧布线170以及通过多个侧布线170连接的第一连接焊盘121和第二连接焊盘123可形成在TFT基板110的上侧或下侧。
参照图9B,多个侧布线170以及通过多个侧布线170连接的第一连接焊盘121和第二连接焊盘123可形成在TFT基板110的左侧或右侧。
参照图9C,与图1A中所示的显示面板100的矩形形状的TFT基板110不同,包括在显示模块103中的TFT基板110'可具有正方形形状。
例如,TFT基板110'的四个边的长度可相同。具体地,上侧的第三长度L3和左侧的第四长度L4可相同。
因此,通过顺序地布置正方形形状的显示模块103的TFT基板110',可实现各种尺寸的高亮度和高色调显示屏。
图10是示出根据实施例的通过连接多个显示面板形成的大屏显示设备的主视图,图11是示出图10中所示的B部分的放大图。
参照图10,根据实施例,可通过连接多个无边框显示面板100形成大屏显示设备190。
参照图11,彼此相邻设置的第一显示面板100a和第二显示面板100b的像素可以以相同的节距P1、P2和P3设置。具体地,第一显示面板100a的像素130a和与第一显示面板100a相邻的第二显示面板100b的像素130b的节距P3可与第二显示面板100b的像素130b的节距P1和P2相同。
为了使每个显示面板的像素的节距与第一显示面板100a的像素130a和第二显示面板100b的像素130b中的每个的节距相等,可适当地调整第一显示面板100a的像素130a的一端与第二显示面板100b的像素的一端之间的距离(L)。
由于连接构件的厚度,可在彼此相邻的第一显示面板100a与第二显示面板100b之间形成预定间隙(G),然而,每个像素可具有相同的节距。因为与大屏显示设备190的尺寸相比,预定间隙(G)是微小的,所以当观看在大屏显示设备190上显示的图像时,难以用肉眼看到由于显示面板的连接部分中的间隙(G)而形成的接缝。因此,通过连接多个无边框显示面板100形成的大屏显示设备190可被实现为单个显示面板。
描述了多个侧布线170形成在如图1中所示的TFT基板110的上侧和左侧,但不限于此。多个侧布线170可形成在TFT基板110的四个侧面中的一个或更多个侧面上。
例如,多个侧布线170可形成在TFT基板110的上侧或下侧,形成在TFT基板110的上侧和右侧,或者形成在TFT基板110的左侧和右侧。多个侧布线170可形成在TFT基板110的四个侧面中的任意一个侧面上,或者形成在TFT基板110的四个侧面中的三个侧面上。
图12是示出堆叠在侧布线上以保护形成在TFT基板的边缘上的侧布线的保护层的截面图。
另外,当通过连接多个显示面板制造大屏显示设备,并且可在TFT基板110的四个侧面中的一个或更多个侧面上形成多个侧布线170时,彼此相邻的显示面板的侧布线可根据多个侧布线的形成位置而短路。例如,当多个侧布线连接形成在TFT基板110的上侧和下侧的多个显示面板时,在竖直方向上彼此相邻的显示面板的侧布线可能短路。
为了防止短路现象,参照图12,可优选地形成覆盖多个侧布线170的保护层180。保护层180可执行绝缘功能和保护功能,以防止多个侧布线170由于从外部施加到多个侧布线170的物理力和冲击而损坏。
参照图12,保护层180可完全覆盖侧布线170的第二部分172,并且分别局部地覆盖第一部分171和第三部分173的一部分,但不限于此,也可覆盖第一部分171、第二部分172和第三部分173的整个区域。可通过参照图15、图16、图17和图18的用于形成侧布线170的各种方法(诸如喷墨法、冲压法、沉积法等)形成保护层180。
参照图13和图14,将描述显示面板200的结构。在描述显示面板200时,将省略对与显示面板100相同的组件的描述,并且将描述侧布线170的不同实施例。
图13是示出根据另一实施例的显示面板的主视图,图14是沿着图13中所示的线C-C截取的剖面图。
参照图13,在显示面板200中,可在TFT基板210的前表面上以矩阵形式形成多个像素230,并且可在TFT基板210的边缘处形成多个侧布线270。
侧布线270可具有距离内侧与TFT基板210的侧端表面基本相同的厚度,使得侧布线270不从TFT基板210的侧端表面突出。
参照图14,形成有侧布线270的槽211a可设置在TFT基板210的侧端表面上,使得侧布线270可不从TFT基板210的侧端表面突出。在这种情况下,电连接到侧布线270的第一连接焊盘221和第二连接焊盘223可形成在TFT基板210的前表面或后表面上。
第一连接焊盘221和第二连接焊盘223可形成在TFT基板210的边缘处,以在侧布线270形成在TFT基板210上之后覆盖侧布线270的两个端部,从而能够与侧布线270电连接。
侧布线270可不从TFT基板210的侧端表面突出,因此可防止侧布线270在搬运或处理TFT基板210时断开。
根据本公开的另一实施例的显示面板200,侧布线270可插设到槽211a中,并且通过直接连接第一连接焊盘221和第二连接焊盘233,TFT基板210的虚设区域DA1可小于如图2中所示的TFT基板110的虚设区域DA。
在TFT基板210的边缘处用于形成侧布线270的工艺将按顺序在图15至图18中示出。然而,形成侧布线270的工艺不限于此。
图15、图16、图17和图18是顺序示出根据另一实施例的显示面板的制造工艺的示图。
参照图15,可提供能够制造多个TFT基板的大尺寸玻璃260。
因为可通过光刻工艺在多个虚拟划分的区域中形成晶体管、门信号线、数据信号线等,所以玻璃260可用作TFT基板。
可制造多个孔211以与多个虚拟划分的区域对应。
参照图16,可将导电金属材料施加到多个孔211中的每个孔。导电金属材料可完全填充多个孔211中的每个孔。
在将所有导电金属材料施加到多个孔211之后,可沿着玻璃260的虚拟第一切割线240形成多个备用TFT基板261。
参照图17,可沿着虚拟第二切割线241二次切割每个备用TFT基板261的边缘。第二切割线241的一部分可设置为穿过每个孔211的中心。因此,因为超微小尺寸的孔211可通过第二次切割被切成两半,所以第二次切割可比第一次切割更精确地执行。
参照图18,孔211可通过第二次切割形成为半圆形槽211a。因此,可通过诸如转印(transfer)技术等的各种工艺将多个μ-LED安装在TFT基板210上。
图19是示出根据另一实施例的通过连接多个显示面板形成的大屏显示设备的主视图,图20是示出图19中所示的D部分的放大图。
参照图19,例如,可通过连接多个显示面板200a和200b来形成大屏显示设备290。大屏显示设备290可在TFT基板的边缘处形成为使得多个侧布线270可不从TFT基板的侧端表面突出。参照图20,可通过形成多个侧布线270使得它们不从TFT基板的侧端表面突出来去除彼此相邻的显示面板200a和200b之间的间隙G。
图21是示出根据又一实施例的显示面板的主视图,图22是沿着图21中所示的线E-E截取的剖面图。
参照图21,根据又一实施例的显示面板300可具有与根据本公开的另一实施例的显示面板200相同的结构,但是侧布线370的厚度和形状可不同地形成。
侧布线370可被施加为在显示面板300的槽311a的内周表面中具有预定的厚度。为了形成侧布线370,可将导电金属材料施加到每个孔的内周表面并具有不完全填充玻璃260的孔211的预定厚度(见图15),并且可执行第二次切割。
因此,侧布线370可形成为具有如图21中所示的近似弧形形状,并且侧布线370的一部分的表面可从TFT基板310的侧端表面向内设置,如图22中所示。
参照图22,第一连接焊盘321和第二连接焊盘323可在TFT基板310的边缘的前表面和后表面处电连接到侧布线370的每个端部。如图21中所示,示出了第一连接焊盘321和第二连接焊盘323的一部分连接到侧布线370的两个端部的一部分,但不限于此。第一连接焊盘321和第二连接焊盘323可以以大的截面面积与导线370的两个端部接触。与图21中所示的位置相比,第一连接焊盘321和第二连接焊盘323可形成为更靠近TFT基板310的侧端表面。
在根据又一实施例的显示面板300中,TFT基板310的虚设区域DA2可具有比TFT基板110的虚设区域DA减小的区域,因此可增大TFT基板110的有效区域AA。
描述了在显示面板200和300中多个侧布线270和370形成在TFT基板210和320的上侧和左侧上,如图13和图21中所示,但不限于此。多个侧布线270和370可形成在TFT基板210和310的四个侧面中的一个或更多个侧面上。
当通过连接多个显示面板来制造大屏显示设备时,可形成用于覆盖多个侧布线270和370的保护层。因此,可保护多个侧布线270和370不短路,短路可能由于从外部施加到多个侧布线270和370的物理力和冲击而在相邻显示面板的多个侧布线270和370之间发生。
根据本公开的各种实施例,用于电连接TFT基板的前表面和后表面的布线可形成在TFT基板的边缘处,以使TFT基板的虚设区域最小化。因此,无边框显示面板可有效地利用显示面板的区域。
当通过连接多个无边框显示面板来形成大屏显示设备时,可不在连接显示面板的部分上出现接缝,因此可改善显示质量。
根据各种实施例的组件(例如,模块或程序)中的每个可包括单个实体或多个实体,并且可省略上述子组件中的一些子组件,或者还可在各种实施例中包括其他组件。可选地或附加地,一些组件可集成到一个实体中,以执行在集成之前由每个组件执行的相同或相似的功能。根据各种实施例,可顺序地、并行地、重复地或启发式地执行由模块、程序或其他组件执行的操作,或者可以以不同的顺序执行或省略至少一些操作,或者还可添加另一功能。
尽管已经示出并描述了实施例,但本领域技术人员将理解的是,在不脱离本公开的原理和精神的情况下,可对这些实施例进行改变。因此,本公开的范围可不被解释为限于所描述的实施例。
Claims (14)
1.一种显示面板,包括:
薄膜晶体管玻璃基板;
多个微型发光二极管(LED),布置在所述薄膜晶体管玻璃基板的一个表面上;以及
多个侧布线,形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的边缘处,以将所述薄膜晶体管玻璃基板的所述一个表面电连接到与所述一个表面相对的表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个侧布线中的每个侧布线连接到所述薄膜晶体管玻璃基板的所述一个表面、侧端表面和与所述一个表面相对的所述表面。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述多个侧布线中的每个侧布线的两个端部分别电连接到形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘处的第一连接焊盘和第二连接焊盘。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘与虚设区域对应,所述虚设区域不包括在所述薄膜晶体管玻璃基板上布置有所述多个微型LED的有效区域。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘为从所述薄膜晶体管玻璃基板的最外部分至所述有效区域的区域。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个侧布线以预定间隔形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的侧端表面上。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述多个侧布线设置在形成于所述薄膜晶体管玻璃基板的所述侧端表面上的多个槽上。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个侧布线设置在所述薄膜晶体管玻璃基板的侧端表面上。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其中,所述多个侧布线从所述薄膜晶体管玻璃基板的所述侧端表面向内形成。
10.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述多个侧布线中的每个侧布线的两个端部分别电连接到形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘处的第一连接焊盘和第二连接焊盘。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其中,每个侧布线的两个端部覆盖所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其中,用于覆盖所述多个侧布线的保护层形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的所述边缘处。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其中,所述保护层利用绝缘材料形成。
14.一种通过连接多个显示面板而制造的大屏显示设备,其中,所述多个显示面板中的每个显示面板包括:
薄膜晶体管玻璃基板;
多个微型发光二极管(LED),布置在所述薄膜晶体管玻璃基板的一个表面上;以及
多个侧布线,形成在所述薄膜晶体管玻璃基板的边缘处,以将所述薄膜晶体管玻璃基板的所述一个表面电连接到与所述一个表面相对的表面,
其中,三个微型LED构成一个像素,
其中,设置在所述多个显示面板中的每个显示面板中的多个像素以第一节距布置,并且
其中,所述多个显示面板的像素之中相邻的显示面板的像素以与所述第一节距相等的第二节距布置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20180077668 | 2018-07-04 | ||
KR10-2018-0077668 | 2018-07-04 | ||
KR10-2019-0075904 | 2019-06-25 | ||
KR1020190075904A KR102151099B1 (ko) | 2018-07-04 | 2019-06-25 | 디스플레이 패널 및 이를 이용한 대형 디스플레이 장치 |
PCT/KR2019/008230 WO2020009501A1 (en) | 2018-07-04 | 2019-07-04 | Display panel and large format display apparatus using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112335045A true CN112335045A (zh) | 2021-02-05 |
Family
ID=69153034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980043639.9A Pending CN112335045A (zh) | 2018-07-04 | 2019-07-04 | 显示面板及使用该显示面板的大屏显示设备 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3782191A4 (zh) |
KR (1) | KR102151099B1 (zh) |
CN (1) | CN112335045A (zh) |
TW (1) | TWI829715B (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210111529A (ko) * | 2020-03-03 | 2021-09-13 | 삼성전자주식회사 | 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈 제조 방법 |
TWI804720B (zh) * | 2020-03-27 | 2023-06-11 | 南韓商太特思股份有限公司 | Led顯示模組及其顯示器 |
WO2021210698A1 (ko) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치와 그의 제조 방법, 및 그를 이용한 멀티 스크린 디스플레이 장치 |
KR102542344B1 (ko) * | 2020-05-08 | 2023-06-13 | 삼성전자주식회사 | 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 |
WO2021225341A1 (ko) * | 2020-05-08 | 2021-11-11 | 삼성전자주식회사 | 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 |
TWI742681B (zh) * | 2020-05-21 | 2021-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
CN111951697B (zh) | 2020-08-10 | 2022-02-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 拼接显示屏 |
TWI737520B (zh) * | 2020-08-14 | 2021-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
CN113644085B (zh) * | 2020-08-14 | 2023-06-02 | 友达光电股份有限公司 | 电子装置及电子装置的制造方法 |
KR20220039448A (ko) * | 2020-09-22 | 2022-03-29 | 삼성전자주식회사 | 측면 배선을 구비한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 |
KR20220054034A (ko) * | 2020-10-23 | 2022-05-02 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 |
KR102328078B1 (ko) | 2021-04-13 | 2021-11-18 | 주식회사 에이맵플러스 | 디스플레이 패널, 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
TWI832687B (zh) * | 2023-01-30 | 2024-02-11 | 友達光電股份有限公司 | 側面電路結構及其製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010106637A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Ohbayashi Corp | 階段 |
US20150029684A1 (en) * | 2013-07-25 | 2015-01-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Flat panel display apparatus and method for manufacturing the same |
US20150282293A1 (en) * | 2014-02-07 | 2015-10-01 | Google Technology Holdings LLC | Display, display assembly and device |
JP2015175969A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 日本放送協会 | タイル型ディスプレイ及びその作製方法 |
US20170148374A1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-05-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and tiled display apparatus |
CN107710885A (zh) * | 2015-06-30 | 2018-02-16 | 苹果公司 | 具有软输入‑输出部件的电子设备 |
CN108022936A (zh) * | 2016-10-28 | 2018-05-11 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6456354B2 (en) * | 1999-08-06 | 2002-09-24 | Rainbow Displays, Inc. | Design features optimized for tiled flat-panel displays |
WO2010106637A1 (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | パイオニア株式会社 | 有機elモジュールおよびその製造方法 |
JP5577965B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2014-08-27 | ソニー株式会社 | 半導体装置、および、その製造方法、電子機器 |
US9029880B2 (en) * | 2012-12-10 | 2015-05-12 | LuxVue Technology Corporation | Active matrix display panel with ground tie lines |
KR20150110910A (ko) * | 2014-03-21 | 2015-10-05 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법 |
US10026721B2 (en) * | 2015-06-30 | 2018-07-17 | Apple Inc. | Electronic devices with soft input-output components |
KR20180071657A (ko) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치와 이를 포함하는 멀티 스크린 표시 장치 |
KR102515399B1 (ko) * | 2017-12-12 | 2023-03-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 배선 필름 및 그를 포함한 표시 장치 |
-
2019
- 2019-06-25 KR KR1020190075904A patent/KR102151099B1/ko active IP Right Grant
- 2019-07-03 TW TW108123469A patent/TWI829715B/zh active
- 2019-07-04 EP EP19829907.5A patent/EP3782191A4/en active Pending
- 2019-07-04 CN CN201980043639.9A patent/CN112335045A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010106637A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Ohbayashi Corp | 階段 |
US20150029684A1 (en) * | 2013-07-25 | 2015-01-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Flat panel display apparatus and method for manufacturing the same |
US20150282293A1 (en) * | 2014-02-07 | 2015-10-01 | Google Technology Holdings LLC | Display, display assembly and device |
JP2015175969A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 日本放送協会 | タイル型ディスプレイ及びその作製方法 |
CN107710885A (zh) * | 2015-06-30 | 2018-02-16 | 苹果公司 | 具有软输入‑输出部件的电子设备 |
US20170148374A1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-05-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and tiled display apparatus |
CN108022936A (zh) * | 2016-10-28 | 2018-05-11 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202006448A (zh) | 2020-02-01 |
KR20200004751A (ko) | 2020-01-14 |
EP3782191A1 (en) | 2021-02-24 |
TWI829715B (zh) | 2024-01-21 |
EP3782191A4 (en) | 2021-06-16 |
KR102151099B1 (ko) | 2020-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112335045A (zh) | 显示面板及使用该显示面板的大屏显示设备 | |
US11107841B2 (en) | Display panel and large format display apparatus using the same | |
KR101307260B1 (ko) | 라인 온 글라스형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US9142153B2 (en) | Two side display device and manufacturing method thereof | |
US11967671B2 (en) | Display panel and large display device using same | |
KR101885806B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
EP2978286B1 (en) | Display device | |
EP3009884B1 (en) | Flat panel display with narrow bezel area | |
US9897846B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US20190198802A1 (en) | Display apparatus | |
CN112424676A (zh) | 显示面板 | |
US9431471B2 (en) | Display panel and display device having the same | |
KR101644055B1 (ko) | 외곽영역이 최소화된 액정표시장치 | |
KR20170036942A (ko) | 연성 필름, 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
US20120325536A1 (en) | Display device and method for fabricating same | |
KR20150111545A (ko) | 표시 장치 | |
US10685990B2 (en) | Display panel and display device | |
KR20130022802A (ko) | 액정표시장치 | |
KR20120030732A (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20200053720A (ko) | 표시장치 | |
KR102078993B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 | |
US11388820B2 (en) | Driving circuit board and display apparatus | |
US20230217619A1 (en) | Display Panel and a Manufacturing Method Thereof | |
EP4163973A1 (en) | Display apparatus and method for producing same | |
KR20180025523A (ko) | 표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |