KR102542344B1 - 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

디스플레이 모듈이 개시된다. 디스플레이 모듈은 글라스 기판과, 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode)와, 글라스 기판의 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드와, 글라스 기판의 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드와, 일단부가 대응하는 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 대응하는 제2 접속 패드를 완전히 덮는 다수의 측면 배선을 포함하고, 측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는다.

Description

측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법{DISPLAY MODULE HAVING GLASS SUBSTRATE FORMED SIDE WIRINGS AND MANUFACTURING METHOD AS THE SAME}
본 개시는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
자발광 디스플레이 소자는 컬러 필터 및 백 라이트 없이 영상을 표시하는 것으로, 스스로 빛을 내는 LED 무기 자발광 소자를 이용할 수 있다.
디스플레이 모듈은 LED 무기 자발광 소자로 이루어진 픽셀 또는 서브 픽셀 단위로 동작이 되면서 다양한 색을 표현하고 있으며, 각각의 픽셀 또는 서브 픽셀은 TFT(Thin Film Transistor)에 의해 동작이 제어된다. 복수의 TFT는 연성 가능한 기판, 글라스 기판 또는 플라스틱 기판에 배열되며, 이를 TFT 기판이라고 한다.
이와 같은 TFT 기판은 플렉서블(flexible) 디바이스 및 웨어러블 디바이스(예를 들면, Wearable Watch 등)와 같은 소형에서부터 수십 인치에 이르는 대형 TV에 적용되어 디스플레이를 구동하는 기판으로써 활용되고 있다. TFT 기판을 구동하기 위해서는 TFT 기판에 전류를 인가할 수 있는 외부 회로(External IC) 또는 구동 회로(Driver IC)와 연결한다. 일반적으로 TFT 기판과 각 회로는 COG(Chip on Glass) 본딩이나 FOG(Film on Glass) 본딩 등을 통해 연결된다. 이러한 연결을 위해서는 TFT 기판의 가장자리에 일정한 면적을 가지는 영역 즉, 베젤 영역(bezel area)이 확보되어야 한다.
최근 들어 TFT 기판을 채용한 디스플레이 패널에서 영상이 표시되는 영역인 액티브 영역(Active area)을 최대화할 수 있도록 베젤 영역을 최소화하는 베젤 리스(bezel-less) 기술에 대한 연구 및 개발이 진행되고 있다.
본 개시의 목적은 글라스 기판에 형성된 측면 배선의 단선율을 최소화할 수 있는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 개시의 다른 목적은 글라스 기판에 형성된 측면 배선을 외부 충격으로부터 보호할 수 있는 구조를 포함하는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 개시의 또 다른 목적은 측면 배선이 글라스 기판 상의 접촉 면적을 최대한 넓혀 글라스 기판에 안정적으로 결합될 수 있는 디스플레이 모듈을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 개시는, 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면(rear surface)에 상기 TFT층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치되며, 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하는 글라스 기판; 상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode); 상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제1 금속 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드; 상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제2 금속 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및 일단부가 대응하는 상기 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 대응하는 제2 접속 패드를 완전히 덮는 다수의 측면 배선;을 포함하고, 측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는 디스플레이 모듈을 제공한다.
상기 절연층은 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 유기 절연막 또는 무기 절연막일 수 있다.
상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드에 간격을 두고 인접하게 배치될 수 있다.
상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드의 일부를 덮을 수 있다.
상기 제1 접속 패드는 상기 제1 금속 배선 상에 형성되고, 상기 제2 접속 패드는 상기 제2 금속 배선 상에 형성될 수 있다.
상기 글라스 기판은 상기 제2 에지 존에 요철이 형성되고, 상기 요철 상에 순차적으로 적층된 상기 제1 금속 배선, 상기 제1 접속 패드 및 상기 측면 배선의 일단부는 요철 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 접속 패드는 요철이 형성되고, 상기 요철 상에 적층되는 상기 측면 배선의 일단부는 요철 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 접속 패드는 레이저 공정 또는 에칭 공정에 의해 형성된 요철을 형성하고, 상기 측면 배선은 금속 증착 공정을 통해 상기 글라스 기판에 형성하여 상기 요철 상에 형성된 상기 측면 배선의 일부는 요철 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 접속 패드 상에 절연 재질의 비아 구조가 형성되고, 상기 비아 구조 상에 형성된 상기 측면 배선의 일부는 요철 형상을 가지며 상기 제1 접속 패드와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 글라스 기판은 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하며, 상기 다수의 측면 배선은 일정한 간격을 두고 배치되고, 각 측면 배선은 상기 제1 에지 존의 형성된 제1 부분의 폭이 상기 제2 에지 존에 형성된 제2 부분의 폭 및 상기 제3 에지 존에 형성된 제3 부분의 폭보다 클 수 있다.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 상기 제2 및 제3 부분의 각각의 폭 보다 작을 수 있다.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제2 부분 사이의 간격 및 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제3 부분 사이의 간격보다 작을 수 있다.
상기 측면 배선의 제1 부분은 상기 제2 부분에 연결되는 지점부터 제2 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간과, 상기 제3 부분에 연결되는 지점부터 제3 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간을 포함할 수 있다.
상기 측면 배선의 제1 부분은 양측의 확장되는 구간 사이에 일정한 폭으로 형성되는 구간을 포함할 수 있다.
상기 글라스 기판은 상기 제1 및 제2 에지 존 사이에 형성된 제1 챔퍼면과, 상기 제1 및 제3 에지 존 사이에 형성된 제2 챔퍼면을 더 포함할 수 있다.
상기 측면 배선은 상기 제2 에지 존, 상기 제1 챔퍼면, 상기 제1 에지 존, 상기 제2 챔퍼면 및 상기 제3 에지 존을 따라 이어지도록 형성될 수 있다.
상기 글라스 기판의 제1 에지 존에는 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 면상 거리를 증가시키는 트렌치가 형성될 수 있다.
상기 글라스 기판은 상기 트렌치를 따라 결합된 절연 부재를 더 포함하며, 상기 절연 부재는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 측면 배선의 제1 부분보다 더 높게 돌출될 수 있다.
상기 글라스 기판은 상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 개시는 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면(rear surface)에 상기 TFT층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치되며, 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하는 글라스 기판; 상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode); 상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제1 금속 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드; 상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 다수의 제2 금속 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및 상기 다수의 제1 접속 패드 및 상기 다수의 제2 접속 패드를 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선;을 포함하고, 하나의 측면 배선은 일단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제2 접속 패드를 완전히 덮고, 상기 하나의 측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는 디스플레이 모듈을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
또한, 본 개시는 전면에 TFT 층이 마련되고 적어도 하나의 에지 영역을 포함하는 글라스 기판을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮도록 형성되며 상기 글라스 기판의 측면에 인접한 상기 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부는 요철 형상으로 덮는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 측면과 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에서 상기 마스크층에 의해 덮이지 않은 영역에 박막 도전층을 형성하는 단계; 상기 박막 도전층의 일부를 제거하여 일정한 간격을 유지하는 다수의 측면 배선을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭을 상기 마스크의 요철 형상에 의해 형성되는 측면 배선의 제2 및 제3 부분의 폭보다 크게 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
상기 박막 도전층에서 제거한 부분의 폭에 따라 상기 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭이 결정될 수 있다.
상기 박막 도전층은 스퍼터링에 의해 상기 글라스 기판에 증착 형성하고, 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 박막 도전층의 일부는 레이저 트리밍에 의해 제거될 수 있다.
상기 글라스 기판의 측면에 형성된 박막 도전층의 일부가 제거되는 부분에 트렌치를 형성할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 트렌치에 절연 부재를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 절연 부재는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 측면 배선의 제1 부분보다 더 높게 돌출 형성할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 글라스 기판의 전면과 측면이 만나 형성되는 모서리를 가공하여 제1 챔퍼면을 형성하는 단계; 및 상기 글라스 기판의 후면과 측면이 만나 형성되는 모서리를 가공하여 제2 챔퍼면을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 개시는, 전면에 TFT 층이 마련되고 적어도 하나의 에지 영역을 포함하는 글라스 기판을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮도록 형성되며 상기 글라스 기판의 측면에 인접한 상기 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부는 요철 형상으로 덮는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 측면에 간격을 두고 미세 마스크 라인을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 측면과 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에서 상기 마스크층에 의해 덮이지 않은 영역에 박막 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층 및 상기 미세 마스크 라인을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭을 상기 마스크의 요철 형상에 의해 형성되는 측면 배선의 제2 및 제3 부분의 폭보다 크게 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 상기 미세 마스크 라인의 폭에 의해 결정될 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 TFT 층에 배열된 픽셀을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 글라스 기판의 측면을 따라 다수의 측면 배선이 간격을 두고 형성된 예를 나타낸 도면으로, 글라스 기판의 전면의 일부를 확대하여 나타낸 사시도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 글라스 기판의 후면의 일부를 확대하여 사시도이다.
도 5 및 도 6은 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 일부를 나타낸 확대도들이다.
도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 8은 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정을 나타낸 흐름도이다.
도 9 내지 도 16은 측면 배선을 형성하는 공정을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 17은 글라스 기판의 측면에 형성된 트렌치에 절연 부재를 결합한 예를 나타낸 사시도이다.
도 18은 글라스 기판의 측면에 보호층을 형성한 예를 나타낸 평면도이다.
도 19는 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정의 다른 예를 나타낸 흐름도이다.
도 20은 측면 배선이 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 절연층의 일부까지 덮는 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 21은 인접한 측면 배선들이 각각 대응하는 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이다.
도 22는 도 21에 표시된 A-A선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 23은 하나의 측면 배선이 인접하게 배치된 다수의 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이다.
도 24는 글라스 기판에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 25는 금속 배선에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 26는 접속 패드에 다수의 요홈을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 27은 도 26에 도시된 접속 패드를 나타낸 사시도이다.
도 28은 접속 패드에 다수의 돌기를 형성한 예를 나타낸 사시도이다.
도 29는 접속 패드 상부에 형성된 유기 절연막에 다수의 비아 홀을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 30은 측면 배선 상에 레이저 빔을 조사한 용접 영역을 나타낸 평면도이다.
도 31은 접속 패드의 일부가 절연층에 의해 덮이고 측면 배선이 접속 패드 및 절연층의 에지부를 함께 덮은 예를 나타낸 평면도이다.
도 32는 도 31에 표시된 B-B선을 따라 나타낸 단면도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기재된 실시 예는 다양하게 변형될 수 있다. 특정한 실시 예가 도면에서 묘사되고 상세한 설명에서 자세하게 설명될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면에 개시된 특정한 실시 예는 다양한 실시 예를 쉽게 이해하도록 하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 첨부된 도면에 개시된 특정 실시 예에 의해 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상술한 용어에 의해 한정되지는 않는다. 상술한 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 개시에서, '동일하다'는 표현은 완전하게 일치하는 것뿐만 아니라, 가공 오차 범위를 감안한 정도의 상이함을 포함한다는 것을 의미한다.
그 밖에도, 본 개시를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그에 대한 상세한 설명은 축약하거나 생략한다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 마이크로 발광 다이오드(마이크로LED 또는 μLED) 디스플레이 패널일 수 있다. 디스플레이 모듈은 평판 디스플레이 패널 중 하나로 각각 100 마이크로미터 이하인 복수의 무기 발광 다이오드(inorganic LED)로 구성되어 있다. 백 라이트가 필요한 액정 디스플레이(LCD) 패널에 비해 마이크로LED 디스플레이 모듈은 더 나은 대비, 응답 시간 및 에너지 효율을 제공한다. 유기발광 다이오드(organic LED)와 무기 발광 소자인 마이크로 LED는 모두 에너지 효율이 좋지만 마이크로 LED는 OLED보다 밝기, 발광 효율, 수명이 길다. 마이크로 LED는 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다. 마이크로 LED는 빠른 반응속도, 낮은 전력, 높은 휘도를 가지고 있다. 구체적으로, 마이크로 LED는 기존 LCD(liquid crystal display) 또는 OLED(Organic Light Emitting Diode)에 비해 전기를 광자로 변환시키는 효율이 더 높다. 즉, 기존 LCD 또는 OLED 디스플레이에 비해 "와트당 밝기"가 더 높다. 이에 따라 마이크로 LED는 기존의 LED(가로, 세로, 높이가 각각 100㎛를 초과한다) 또는 OLED에 비해 약 절반 정도의 에너지로도 동일한 밝기를 낼 수 있게 된다. 이외에도 마이크로 LED는 높은 해상도, 우수한 색상, 명암 및 밝기 구현이 가능하여, 넓은 범위의 색상을 정확하게 표현할 수 있으며, 햇빛이 밝은 야외에서도 선명한 화면을 구현할 수 있다. 그리고 마이크로 LED는 번인(burn in) 현상에 강하고 발열이 적어 변형 없이 긴 수명이 보장된다.
본 개시에서, 마이크로 LED는 애노드 및 캐소드 전극이 동일한 제1 면에 형성되고 발광면이 상기 전극들이 형성된 제1 면의 반대 측에 위치한 제2 면에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판은 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 회로가 형성된 TFT 층이 배치되고, 후면에 TFT 회로를 구동하기 위한 구동 회로가 배치될 수 있다. TFT 회로는 TFT 층에 배치된 다수의 픽셀을 구동할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 전면은 활성 영역과 비활성 영역으로 구분될 수 있다. 활성 영역은 글라스 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역에 해당할 수 있고, 비활성 영역은 글라스 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역을 제외한 영역일 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 최외곽일 수 있다. 또한 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 회로가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역일 수 있다. 또한 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 측면과 이 측면에 인접한 글라스 기판의 전면 일부와 글라스 기판의 후면 일부를 포함할 수 있다. 글라스 기판은 사각형(quadrangle type)으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 글라스 기판은 직사각형(rectangle) 또는 정사각형(square)으로 형성될 수 있다. 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 4변 중 적어도 하나의 변을 포함할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 에지 영역에는 다수의 측면 배선이 일정한 간격을 두고 형성될 수 있다. 다수의 측면 배선은 일단부가 글라스 기판의 전면에 포함되는 에지 영역에 형성된 다수의 제1 접속 패드와 전기적으로 연결될 수 있고, 타단부가 글라스 기판의 후면에 포함되는 에지 영역에 형성된 다수의 제2 접속 패드와 전기적으로 연결될 수 있다. 다수의 제1 접속 패드는 배선을 통해 글라스 기판의 전면에 배치된 TFT 회로와 연결될 수 있고, 다수의 제2 접속 패드는 배선을 통해 글라스 기판의 후면에 배치된 구동 회로와 연결될 수 있다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 다수의 측면 배선을 형성함에 따라 TFT 기판의 전면에서 비활성 영역을 최소화하고 활성 영역을 최대화함으로써 베젤 리스화 할 수 있고 디스플레이 모듈에 대한 마이크로 LED의 실장 조밀도가 증가될 수 있다. 이와 같이 베젤 리스화를 구현하는 디스플레이 모듈은 다수를 연결하는 경우 활성 영역을 최대화할 수 있는 대형 디스플레이(LFD) 장치를 제공할 수 있다. 이 경우 각 디스플레이 모듈은 비활성 영역을 최소화함에 따라 서로 인접한 디스플레이 모듈의 각 픽셀들 간의 피치를 단일 디스플레이 모듈 내의 각 픽셀들 간의 피치와 동일하게 유지하도록 형성할 수 있다. 이에 따라 각 디스플레이 모듈 사이의 연결부분에서 심(seam)이 나타나는 것을 방지할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 비활성화 영역에 포함된 에지 영역에 있는 모서리는 챔퍼(chamfer) 가공되어 소정 각도를 가지는 챔퍼면이 형성될 수 있다. 챔퍼면은 글라스 기판의 전면과 측면 사이의 모서리와, 글라스 기판의 후면과 측면 사이의 모서리에 형성될 수 있다. 이러한 챔퍼면은 레이저 가공에 의해 측면 배선을 형성할 때, 레이저 빔의 조사 구간을 글라스 기판의 전면 및 후면으로부터 소정 간격 멀어지도록 하여 글라스 기판의 전면 및 후면에 실장된 각종 소자나 회로가 레이저 빔에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판에 마련된 에지 영역이 글라스 기판의 4변에 중 2곳에만 다수의 측면 배선이 형성되는 것으로 설명하지만, 이제 제한되지 않고 필요에 따라 4변 중 1곳에만 다수의 측면 배선이 형성되나 3곳 이상에 형성될 수도 있다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 다수의 LED가 실장되고 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 포함한다. 이와 같은 디스플레이 모듈은 단일 단위로 웨어러블 기기(wearable device), 포터블 기기(portable device), 핸드헬드 기기(handheld device) 및 각종 디스플레이가 필요가 전자 제품이나 전장에 설치되어 적용될 수 있으며, 매트릭스 타입으로 복수의 조립 배치를 통해 PC(personal computer)용 모니터, 고해상도 TV 및 사이니지(signage)(또는, 디지털 사이니지(digital signage)), 전광판(electronic display) 등과 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 개시의 일 실시 예에 따른 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈을 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 TFT 층 상에 배열된 픽셀을 나타낸 개략도이고, 도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 3을 참조하면, 본 개시에 따른 디스플레이 모듈(1)은 TFT 기판(11)을 포함할 수 있다.
디스플레이 모듈(1)은 TFT 기판(11) 상에 배열된 다수의 마이크로 LED(20)를 포함할 수 있다. 다수의 마이크로 LED는 단일 픽셀을 이루는 서브 픽셀일 수 있다. 본 개시에서 마이크로 LED와 서브 픽셀은 같은 의미로서 사용한다.
TFT 기판(11)은 글라스 기판(12)과, 글라스 기판(12)의 전면에 TFT(Thin Film Transistor) 회로가 포함된 TFT 층(13)과, TFT 층(13)의 TFT 회로와 글라스 기판(12)의 후면 배치된 회로들(미도시)을 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선(30)을 포함할 수 있다. TFT 기판(11)은 전면에 영상을 표현하는 활성 영역(active area)(11a)과 영상을 표현할 수 없는 비활성 영역(dummy area)(11b)을 포함한다.
활성 영역(11a)은 다수의 픽셀이 각각 배열되는 다수의 픽셀 영역(13)으로 구획될 수 있다. 다수의 픽셀 영역(13)은 다양한 형태로 구획될 수 있으며, 일 예로서 매트릭스 형태로 구획될 수 있다. 각 픽셀 영역(13)은 다수의 서브 픽셀인 다색 마이크로 LED들이 실장되는 서브 픽셀 영역(15)과, 각 서브 픽셀을 구동하기 위한 픽셀 회로 영역(16)을 포함할 수 있다.
다수의 마이크로 LED(20)는 TFT 층(11b)의 픽셀 회로 영역(16)에 전사되며, 각 마이크로 LED의 전극 패드들은 TFT 층(11b)에 형성된 전극 패드들(17a, 17b)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 공통 전극 패드(17b)는 나란히 배열된 3개의 마이크로 LED(20)의 배열을 고려하여 직선 형태로 형성될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(1)의 픽셀 구동 방식은 AM(Active Matrix) 구동 방식 또는 PM(Passive Matrix) 구동 방식일 수 있다. 디스플레이 모듈(1)은 AM 구동 방식 또는 PM 구동 방식에 따라 각 마이크로 LED가 전기적으로 접속되는 배선의 패턴을 형성할 수 있다.
비활성 영역(11b)은 글라스 기판(12)의 에지 영역(edge area)에 포함될 수 있으며, 다수의 제1 접속 패드(18a)가 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 다수의 제1 접속 패드(18a)는 각각 배선(18b)을 통해 각 서브 픽셀과 전기적으로 연결될 수 있다.
비활성 영역(11b)에 형성되는 제1 접속 패드(18a)의 개수는 글라스 기판에 구현되는 픽셀의 개수에 따라 달라질 수 있고, 활성 영역(11a)에 배치된 TFT 회로의 구동 방식에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 활성 영역(11a)에 배치된 TFT 회로가 가로 라인 및 세로 라인으로 다수의 픽셀을 구동하는 PM(Passive Matrix) 구동 방식인 경우에 비해 각 픽셀을 개별적으로 구동하는 AM(Active Matrix) 구동 방식이 더 많은 배선과 접속 패드가 필요할 수 있다.
도 3에서는 편의상 단위 픽셀에 포함되는 3개의 서브 픽셀인 마이크로 LED들(20) 중 2개의 서브 픽셀들만 표시한다.
디스플레이 모듈(1)은 다수의 마이크로 LED(20)가 각각 블랙 매트릭스(41)에 의해 구획될 수 있으며, 다수의 마이크로 LED(20)와 블랙 매트릭스(41)를 함께 보호하기 위한 투명 커버층(43)을 구비할 수 있다. 이 경우, 투명 커버층(36)의 일면에는 터치 스크린 패널(미도시)이 적층하여 배치될 수도 있다.
다수의 마이크로 LED(20)는 무기 발광물질로 이루어지고, 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다.
다수의 마이크로 LED(20)는 소정의 두께를 가지며 폭과 길이가 동일한 정사각형이거나, 폭과 길이가 상이한 직사각형으로 이루어질 수 있다. 이와 같은 마이크로 LED는 Real HDR(High Dynamic Range) 구현이 가능하고 OLED 대비 휘도 및 블랙 표현력 향상 및 높은 명암비를 제공할 수 있다. 마이크로 LED의 크기는 100㎛이하이거나 바람직하게는 30㎛ 이하일 수 있다.
다수의 마이크로 LED(20)는 애노드 및 캐소드 전극이 동일 면에 형성되고 발광면이 상기 전극들 반대편에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 수 있다.
도 4a는 본 개시의 일 실시 예에 따른 TFT 기판의 측면을 따라 다수의 측면 배선이 간격을 두고 형성된 예를 나타낸 일부 확대 사시도이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 TFT 기판의 후면을 보여주는 일부 확대 사시도이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 개시에서, 글라스 기판(12) 에지 영역은 글라스 기판(12)의 각 면에 위치하는 다수의 에지 존(edge zone)을 포함하는 것으로 정의할 수 있다.
구체적으로, 글라스 기판(12)의 측면(SS) 전체에 대응하는 제1 에지 존과, 글라스 기판(12)의 측면(SS)에 인접한 글라스 기판의 전면(front surface)(FS) 일부에 대응하는 제2 에지 존과, 글라스 기판(12)의 측면(SS)에 인접한 글라스 기판(12)의 후면(rear surface)(RF) 일부에 대응하는 제3 에지 존을 포함할 수 있다.
이 경우, 제2 에지 존은 글라스 기판의 측면(SS)과 전면(FS) 사이에 챔퍼 가공된 제1 챔퍼면(CS1)을 포함할 수 있고, 제3 에지 존은 글라스 기판의 측면(SS)과 후면(RS) 사이에 챔퍼 가공된 제2 챔퍼면(CS2)을 포함할 수 있다.
측면 배선(30)은 제2 에지 존에 형성된 제1 접속 패드(18a)와 제3 에지 존에 형성된 제2 접속 패드(19a)를 전기적으로 연결할 수 있다.
제1 접속 패드(18a)는 제2 에지 존을 따라 일정한 간격을 두고 다수 형성될 수 있다. 제1 접속 패드(18a)는 일부가 TFT 층(13)에 마련된 배선(18b)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 배선(18b)은 TFT 층(13)의 게이트 신호 배선 또는 데이터 신호 배선일 수 있다.
제2 접속 패드(19a)는 제3 에지 존을 따라 일정한 간격을 두고 다수 형성될 수 있다. 제2 접속 패드(19a)는 측면 배선(30)을 통해 제1 접속 패드(18a)와 연결되고, 배선(19b)을 통해 글라스 기판의 후면(RS)에 형성된 구동회로와 배선(19b)을 통해 연결될 수 있다.
측면 배선(30)은 일단이 제1 접속 패드(18a)에 전기적으로 연결되고 타단이 제2 접속 패드(19a)에 전기적으로 연결될 수 있다.
측면 배선(30)은 제1 에지 존에 형성된 제1 부분(31)과, 제2 에지 존에 형성된 제2 부분(32)과, 제3 에지 존에 형성된 제3 부분(33)으로 이루어질 수 있다. 제1, 제2 및 제3 부분(31, 32, 33)은 연속적으로 이어지게 형성된다.
미세한 폭을 가지는 측면 배선(30)은 글라스 기판(12)을 가공하거나 운반 시 외부 충격에 의해 단선될 수 있다. 특히, 제1 에지 존에 형성된 측면 배선의 제1 부분(31)은 주변 구조물(예를 들면, 공정에 사용되는 장비 등)에 충돌하는 경우 긁히거나 찍히는 경우 쉽게 단선될 수 있다.
이를 방지하기 위해, 측면 배선의 제1 부분(31)은 폭(W1)을 최대한 넓게 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 측면 배선(30)은 인접한 다른 측면 배선의 제1 부분과 단락(short)되지 않을 정도 간격(G1)을 유지하는 것이 바람직하다.
측면 배선의 제2 및 제3 부분(32, 33)의 폭은 서로 동일하게 형성될 수 있으며, 동일한 부재번호 W2를 부여한다. 여기서, 제2 및 제3 부분(32, 33)의 폭(W2)이 동일하다는 것은 측면 배선의 형성 시 발생하는 오차 범위를 감안한 것이며 완전하게 동일하다는 의미로만 해석되지 않는다.
측면 배선의 제1 부분(31)은 측면 배선의 제2 및 제3 부분(32, 33)의 폭(W2)보다 크게 형성될 수 있다.
또한, 인접한 측면 배선의 제1 부분(31)들 사이의 제1 간격(G1)은 인접한 측면 배선의 제2 부분(32)들 사이의 제2 간격(G2)보다 작고 측면 배선의 제3 부분(32)들 사이의 제3 간격(G3)보다 작다. 한편, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)은 하기 수학식 1을 만족할 수 있다.
(수학식 1)
W1=W2+G2-G1
이 경우, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)은 하기 수학식 2와 같은 범위 내에 있을 수 있다.
(수학식 2)
W2+G2-G1max ≤ W1< W2+G2-G1min
여기서, G1의 최대값인 G1max과 G1의 최소값인 G1min은 하기 표 1에 나타낸 각 예시에 대응할 수 있다. 하지만 표 1은 G1의 범위에 대한 몇가지 예시를 나타내는 것이며, G1의 범위가 표 1에 한정될 필요는 없다.
G1의 범위
예시 1 0 < G1 ≤ 5
예시 2 5 < G1 ≤ 10
예시 3 10 < G1 ≤ 20
예시 4 20 < G1 ≤ 50
예시 5 50 < G1 ≤ 100
또한, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)은 하기 수학식 3을 만족할 수 있고, 측면 배선의 제1 부분(31)의 폭(W1)의 범위는 하기 수학식 4를 만족할 수 있다.
(수학식 3)
W1=W2+G3-G1
(수학식 4)
W2+G3-G1max ≤ W1< W2+G3-G1min
도 5 및 도 6은 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 일부를 나타낸 확대도들이다.
도 5를 참조하면, 측면 배선의 제1 부분(31)은 제2 부분(32)에 연결되는 지점부터 제2 부분(32)으로부터 멀어지는 소정 거리(d1)까지 원호 형상(31a)을 이루면서 점진적으로 확장되는 구간을 포함할 수 있다. 마찬가지로 측면 배선의 제1 부분(31)은 제3 부분(33)에 연결되는 지점부터 제3 부분(33)으로부터 멀어지는 소정 거리까지 원호 형상을 이루면서 점진적으로 확장되는 구간을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 부분(31)은 양측의 확장되는 구간 사이에는 일정한 폭으로 형성되는 구간을 포함할 수 있다.
측면 배선의 제1 부분(31)은 원호 형상(31a)은 후술하는 마스크(70)를 글라스 기판(12)에 형성하는 마스킹 공정에서 글라스 기판의 측면(SS) 일부를 덮는 경우 형성될 수 있다.
측면 배선의 제1 부분(31)의 원호 형상(31a)은 후술하는 레이저 가공에 의해 측면 배선을 형성할 때 레이저 빔이 제1 챔퍼면(CS1)까지 침범하지 않고 글라스 기판의 측면(SS) 내에서만 가공할 수 있도록 유도할 수 있다. 이에 따라, 레이저 가공 시 글라스 기판의 제1 챔퍼면(CS1)에 레이저 빔이 주변 구조물로 반사됨에 따라 발생할 수 있는 각종 문제를 미연에 방지할 수 있다.
도 6을 참조하면, 측면 배선의 제1 부분(31)은 제2 부분(32)에 연결되는 지점부터 제2 부분(32)으로 멀어지는 소정 거리(d2)까지 직선 형상(31b)을 이루면서 점진적으로 확장될 수도 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 개략적으로 설명한다.
도 7은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
먼저, 글라스 기판(12)에 TFT 층(13)을 형성하여 TFT 기판을 제작한다(S1). TFT 층(13)은 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) TFT, a-Si TFT, Oxide TFT 중 어느 하나일 수 있다. 이 경우, TFT 층(13)은 글라스 기판(12)의 일면에 일체로 형성될 수 있다.
한편, TFT 층(13)은 박막 필름 형태로 글라스 기판(12)과 별도 제작하여 라미네이팅과 같은 코팅 공정을 통해 글라스 기판(12)의 일면에 견고하게 부착될 수도 있다.
글라스 기판(12)에 측면 배선이 형성될 에지 영역을 그라인딩하여 평탄화 처리한다(S2). 이는 글라스 기판의 에지 영역에 형성되는 측면 배선이 글라스 기판(12)으로부터 박리되지 않고 견고하게 형성될 수 있도록 하기 위함이다.
평탄화 처리 시, 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 제1 및 제2 에지 존의 경계가 되는 모서리와 제1 및 제3 에지 존의 경계가 되는 모서리를 챔퍼링하여 제1 및 제2 챔퍼면(CS1, CS2)을 형성한다.
제1 및 제2 챔퍼면(CS1, CS2)은 레이저 가공에 의해 측면 배선을 형성할 때, 레이저 빔의 조사 구간을 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)으로부터 소정 간격 멀어지도록 하여 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)에 실장된 각종 소자나 회로가 레이저 빔에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다.
글라스 기판(12)의 에지 영역에 측면 배선(30)을 형성한다. 측면 배선(30)은 다양한 방식에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면, 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스크린 인쇄 방식, 스프레이 방식 또는 스퍼터링에 의한 금속 증착 방식을 통해 글라스 기판의 에지 영역에 도전성 금속 물질을 도포하여 측면 배선(30)을 형성할 수 있다.
이 경우, 측면 배선(30)은 글라스 기판의 에지 영역에 일정한 간격을 두고 동일한 형상으로 형성된다. 측면 배선(30)은 제1 에지 존에 형성된 제1 부분(31)이 제2 및 제3 에지 존에 형성된 제2 및 제3 부분(32, 33)보다 더 넓은 폭으로 형성될 수 있다.
글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성한 후, 전사용 기판에 배열된 다수의 마이크로 LED를 타겟 기판인 TFT 기판의 TFT 층에 전사한다(S4).
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(1)은 상기 과정을 통해 제작될 수 있다. 이하에서는 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 방법을 순차적으로 설명한다.
도 8은 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정을 나타낸 흐름도이고, 도 9 내지 도 16은 측면 배선을 형성하는 각 공정을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 9를 참조하면, 에지 영역(제1, 제2 및 제3 에지 존)이 평탄화 처리된 글라스 기판(12)을 준비한다.
이어서, 도 10과 같이, 글라스 기판(12)의 에지 영역에 측면 배선(30)이 형성될 부분을 제외한 글라스 기판(12)의 전면(FS) 및 후면(RS)을 덮는 마스크층(70)을 형성한다(S11).
마스크층(70)은 글라스 기판의 전면(FS)으로부터 제1 챔버면(CS1)까지 돌출된 다수의 돌기부(73)를 구비할 수 있다. 이 경우, 각 돌기부(73)는 글라스 기판의 측면(SS)의 일부까지 소정 거리만큼 연장된 단부(74)를 포함할 수 있다.
또한 다수의 돌기부(73) 사이의 요입부(75)는 제1 접속 패드(18a)의 일부를 덮는다. 이 경우, 요입부(75)에 의해 덮이지 않은 제1 접속 패드(18a)의 나머지 부분은 박막 도전층(80)에 의해 덮이면서 박막 도전층(80)과 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 접속 패드(19a) 역시 제1 접속 패드(18a)와 마찬가지로 요입부(75)에 의해 덮이지 않은 제2 접속 패드(19a)의 나머지 부분은 박막 도전층(80)에 의해 덮이면서 박막 도전층(80)과 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다.
다수의 돌기부(73)는 일정한 간격(G3)을 두고 배치되는데, 이는 이후에 형성될 측면 배선의 제2 부분(32)의 폭(W2, 도 4 참조)을 고려한 것이다. 즉, 각 돌기부들(73) 간의 간격(G3)은 각 측면 배선의 제2 부분(32)의 폭(W2)과 동일하다.
마스크층(70)은 스크린 프린팅 공정, 테이핑 공정, 노광/현상 공정 중 어느 하나의 공정을 통해 형성할 수 있다.
예를 들어, 마스크층(70)을 스크린 프린트 공정에 의해 형성하는 경우, 도 11과 같이 스크린(60)을 글라스 기판(12)의 전면(FS)에 소정 간격을 두고 배치한다.
이어서, 스크린(60) 상에 마스크층(70)의 재료가 되는 페이스트(paste)를 바른 후, 스퀴즈(squeegee)(67)를 글라스 기판의 측면(SS)보다 조금 벗어난 위치로부터 글라스 기판의 전면(FS) 측으로 이동하면서 문지르면 페이스트가 스크린(60)에 형성된 패턴(61)을 통과하여 스크린(60) 하측에 배치된 글라스 기판(12)에 마스크층(70)이 프린트된다.
글라스 기판의 전면(FS)에 마스크층(70)을 형성한 후, 동일한 스크린 프린팅 공정을 통해 글라스 기판의 후면(SS)에도 마스크층(70)을 형성한다.
도 12를 참조하면, 스크린(60)에 형성된 패턴(61)은 마스크층(70)의 다수의 돌출부(73)를 형성하기 위해 다수의 요철 패턴(63)이 구비된다. 다수의 요철 패턴(63)은 돌출부와 요입부가 교대로 반복적으로 형성된다.
스크린(60)을 글라스 기판의 전면에 대하여 소정 간격으로 이격 배치할 때, 다수의 요철 패턴(63)의 돌출부의 선단(64)은 대략 글라스 기판의 측면(SS)에 대응하는 위치에 배치되고, 요입부의 선단(65)은 제1 접속 패드(18a) 상에 배치될 수 있다. 글라스 기판(12)의 에지 영역의 제1 에지 존에는 다수의 요철 패턴(63)에 의해 마스크층의 다수의 돌기부(73)가 형성될 수 있다.
글라스 기판의 전면(FS)에서 제1 에지 존을 제외한 나머지 영역은 패턴(61)의 크기에 따라 마스크층(70)에 의해 전체가 덮이거나 일부만 덮일 수 있다. 이는 마스크층(70)이 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮는 넓이는 후공정에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 마스크층(70)을 형성한 후, 측면 배선을 형성하기 위해 스퍼터링과 같이 도전성 박막을 증착하는 경우 측면 배선을 형성하기 위한 영역만 남기고 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS) 전체를 마스크층(70)으로 덮는 것이 바람직하다. 또는 후공정이 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스크린 인쇄 방식 중 하나로 진행되는 경우 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)에서 제1 에지 존에 인접한 영역까지 마스크층(70)을 형성할 수 있다.
글라스 기판의 전면(FS)과 후면(RS)에 마스크층(70)을 형성할 때, 마스크층(70)의 다수의 돌기부(73)의 선단(74)이 글라스 기판의 측면(SS)으로 넘어가도록 형성할 수 있다. 이는 글라스 기판의 측면(SS)의 박막 도전층(90) 가공 시 글라스 기판의 전면(FS) 및 후면(RS)에 가해질 수 있는 데미지를 미연에 방지할 수 있다. 또한, 후술하는 레이저 트리밍 가공 영역을 축소함에 따라 레이저 트리밍 시간과 공수를 단축시킬 수 있는 이점이 있다.
도 13을 참조하면, 마스크층(70)을 형성한 후, 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 마스크층(70)에 의해 덮이지 않은 부분에 측면 배선을 위한 박막 도전층(80)을 형성한다(S12).
박막 도전층(80)은 스퍼터링 방식에 의해 글라스 기판(12)의 에지 영역에 증착 형성될 수 있다. 본 개시에서는 스퍼터링 방식에 의해 박막 도전층(80)을 형성하는 것으로 설명하지만 이에 제한되지 않고 전술한 바와 같이 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스크린 인쇄 방식, 스프레이 방식 중 하나에 의해 형성될 수도 있다.
박막 도전층(80)을 형성한 후, 레이저 트리밍을 통해 박막 도전층(80)에 조사하여 박막 도전층의 일부를 제거함으로써 측면 배선을 형성한다(S13).
구체적으로, 레이저 빔(91)은 박막 도전층(90)에서 각 측면 배선(30)의 경계가 되는 미리 설정된 가상의 라인을 따라 조사된다. 이에 따라, 도 14와 같이, 레이저 빔에 의해 박막 도전층(80)의 일부가 트리밍 되면서 각 측면 배선(30)이 일정한 간격(G1)을 두고 형성될 수 있다. 이와 같이 인접한 측면 배선(30) 간 간격(G1)은 레이저 빔의 포커싱 깊이에 따라 조절될 수 있다.
이때, 인접한 측면 배선(30) 사이에는 레이저 빔에 의해 박막 도전층(90)이 트리밍되면서 도 15와 같이 글라스 기판의 측면(SS)에 소정 깊이의 트렌치(93)가 형성될 수 있다.
트렌치(93)의 깊이는 레이저 빔의 포커싱 조절을 통해 정해질 수 있다. 따라서 레이저 빔의 포커싱 조절에 의해 트렌치(93)가 형성되지 않고 인접한 측면 배선들(30)의 경계가 되는 부분의 박막 도전층만 제거될 수도 있다.
글라스 기판의 측면(SS)에 형성된 트렌치(93)는 인접한 측면 배선들 사이의 면상 거리를 넓혀 줌에 따라, 레이져 트리밍에서의 리데포지션(Re-deposition)이나 다른 이물질에 의한 단락을 방지할 수 있다. 또한, 이물질이 글라스 기판의 측면(SS)에 흡착하는 경우, 공기 분사나 다른 물리적인 세척을 통해 이물질을 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 글라스 기판의 측면(SS)에 절연 보호 필름 등을 부착하여 이물질이 기판에 흡착하는 것을 원천적으로 차단하는 것도 가능하다. 또한, 글라스 기판(12)과 측면 배선(30) 간 열팽창계수 차이에 의한 내구도 감소를 완충할 수 있어 디스플레이 모듈(1)의 내구성을 향상에 기여할 수 있다.
레이저 트리밍 공정 후, 도 16과 같이 글라스 기판(12)으로부터 마스크층(70)을 제거함으로써 측면 배선 공정을 완료할 수 있다(S14). 또한, 레이저 트리밍 공정과 마스크층 제거 공정은 그 순서를 바꾸어 진행할 수도 있다.
한편, 본 개시에서는 상기 박막 도전층을 증착 공정을 통해 형성하는 것으로 설명하지만 이에 한정되지 않는데, 예를 들어 박막 도전층은 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스프레이 방식, 스크린 인쇄 방식 중 하나를 통해 형성하는 경우, Au, Ag, Cu 기반의 전도성 잉크의 도포에 의해 글라스 기판의 에지 영역에 형성될 수 있다.
도 17은 글라스 기판의 측면에 형성된 트렌치에 절연 부재를 형성한 예를 나타낸 사시도이고, 도 18은 글라스 기판의 측면에 보호층을 형성한 예를 나타낸 평면도이다.
도 17을 참조하면, 측면 배선(30)을 외부 충격으로부터 보호하기 위해, 각 트렌치(93)에 절연 부재(100)를 형성할 수 있다. 절연 부재(100)의 길이는 적어도 트렌치(93)의 길이와 같거나 더 길게 형성할 수 있다.
절연 부재(100)는 미세 디스펜싱 공정 등에 의해 트렌치(93)이 도포될 수 있다. 이 경우, 절연 부재(100)는 글라스 기판의 측면(SS) 및 측면 배선(30)보다 더 돌출되도록 형성하는 것이 바람직하다.
측면 배선의 제1 부분(31)은 글라스 기판의 측면(SS)과 절연 부재(100) 사이에 형성되는 단차에 의해 절연 부재(100)보다 상대적으로 더 낮 안쪽으로 위치하게 된다. 이에 따라, 글라스 기판(12)에 가해지는 외부의 충격으로부터 측면 배선(30)을 효과적으로 보호할 수 있어 디스플레이 모듈(1)의 내구성 향상을 도모할 수 있다.
도 18을 참조하면, 측면 배선(30)을 보호하기 위한 추가 조치로서 글라스 기판의 측면(SS)을 덮는 보호층(110)을 형성할 수 있다. 보호층(110)은 절연 물질로 이루어질 수 있다.
이 경우, 다수의 절연 부재(100)는 보호층(110)과 접촉할 수 있는 면적을 증가시키는 것은 물론 글라스 기판의 측면(SS)으로부터 돌출되는 구조를 제공함에 따라, 글라스 기판의 측면(SS)과 보호층(110) 간의 접합력을 향상시킬 수 있다.
또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 보호층(110)은 트렌치(93)에 절연 부재(100)가 형성되지 않은 상태에서 글라스 기판의 측면(SS) 전체를 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 보호층(110)은 일부가 트렌치(93)에 인입됨에 따라 글라스 기판의 측면(SS)과 접촉 면적이 증가하여 글라스 기판의 측면(SS)과의 접합력을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기에서는 측면 배선을 형성하는 방법을 설명함에 있어 레이저 트리밍 가공을 도입한 것을 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 이하에서 설명하는 다른 방법으로 측면 배선을 형성하는 것도 물론 가능하다.
도 19는 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하는 공정의 다른 예를 나타낸 흐름도이다.
먼저, 전술한 측면 배선 방법과 동일하게 마스크층(70)을 글라스 기판(12)에 형성한다(S21).
마스크층(70)을 형성한 후, 글라스 기판의 측면(SS)에 각 측면 배선(30)의 경계가 되는 미리 설정된 가상의 라인을 따라 다수의 미세 마스크 라인(미도시)을 일정한 간격을 두고 디스펜싱 한다(S22).
이 경우, 미세 마스크 라인의 폭이 인접한 측면 배선들(30) 간의 간격(G1)이 될 수 있다.
미세 마스크 라인을 형성한 후, 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 마스크층(70)에 의해 덮이지 않은 부분에 측면 배선을 위한 박막 도전층(80)을 형성한다(S23).
이 경우, 박막 도전층(80)은 글라스 기판(12)의 에지 영역에서 마스크층(70)에 의해 덮이지 않은 부분을 덮으면서 동시에 다수의 미세 마스크 라인도 함께 덮는다.
박막 도전층(80)은 스퍼터링 방식에 의해 글라스 기판(12)의 에지 영역에 증착 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 잉크 젯 방식, 스탬핑 방식, 스프레이 방식, 스크린 인쇄 방식 중 하나에 의해 형성될 수도 있다.
박막 도전층(80)을 형성한 후, 마스크층(70) 및 미세 마스크 라인을 함께 제거한다(S24).
이 경우, 미세 마스크 라인을 덮고 있던 박막 도전층(80)의 일부는 미세 마스크 라인과 함께 글라스 기판의 측면(SS)으로부터 제거되면서 인접한 측면 배선(30)이 일정한 간격(G1)을 두고 형성된다.
도 20은 측면 배선이 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 절연층의 일부까지 덮는 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 20을 참조하면, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제1 접속 패드(240) 및 글라스 기판(212)의 전면에 형성된 제1 절연층(227)의 일부를 덮는다. 여기서, 제1 절연층(227)의 일부는 제1 접속 패드(240)에 인접한 제1 절연층(227)의 에지부 일 수 있다.
제1 접속 패드(240)는 상면에 제1 접속 패드(240)의 산화를 방지하기 위해 박막의 산화 방지막(미도시)이 형성될 수 있다. 이 경우, 산화 방지막의 상면에는 측면 배선의 제2 부분(232)이 형성될 수 있으며, 제1 접속 패드(240)와 측면 배선의 제2 부분(232) 간의 전기적인 접속이 가능한 정도의 두께로 형성될 수 있다.
제1 접속 패드(240)의 둘레에는 무기 절연막(243)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 접속 패드(240)는 둘레 부분을 따라 무기 절연막(243)에 의해 절연될 수 있다.
글라스 기판(212)의 전면에 형성된 제1 절연층(227)은 유기 절연막 또는 무기 절연막으로 형성되거나 무기 절연막과 유기 절연막이 적층된 구조일 수 있다. 제1 절연층(227)의 에지부는 제1 접속 패드(240)와 소정 간격으로 이격될 수 있다.
측면 배선의 제2 부분(232)은 2개 영역(232a, 232b)으로 구분할 수 있다. 제1 영역(232a)은 측면 배선의 제1 부분(231)으로부터 연장되며 글라스 기판의 제1 챔퍼면(CS11)을 덮고 연속해서 제1 접속 패드(240)를 완전히 덮는 영역일 수 있다. 제2 영역(232b)은 제1 영역(232a)으로부터 연장되며 제1 접속 패드(240)에 인접한 제1 절연층(227)의 에지부를 덮는 영역일 수 있다.
이와 같이, 측면 배선의 제2 부분(232)이 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮는 경우, 측면 배선의 제2 부분(232) 제1 접속 패드(240)까지만 덮는 경우에 비해 더 넓은 접촉 면적을 확보할 수 있다. 이에 따라, 측면 배선의 제2 부분(232)이 글라스 기판(212)으로부터 박리되지 않고 안정적으로 글라스 기판(212)에 결합된 상태를 유지할 수 있다.
측면 배선의 제3 부분(233)은 전술한 측면 배선의 제2 부분(232)과 마찬가지로 글라스 기판(212)의 후면에 형성된 제2 절연층(228)의 에지부를 덮을 수 있다.
제2 접속 패드(250)의 상면에는 제2 접속 패드(245)의 산화를 방지하기 위해 박막의 산화 방지막(미도시)이 형성될 수 있다. 이 경우, 산화 방지막은 제2 접속 패드(250)와 측면 배선의 제3 부분(233) 간의 전기적인 접속이 가능한 정도의 두께로 형성될 수 있다.
제2 접속 패드(250)의 둘레에는 무기 절연막(253)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 접속 패드(250)는 둘레 부분을 따라 무기 절연막(253)에 의해 절연될 수 있다.
글라스 기판(212)의 후면에 형성된 제2 절연층(228)은 유기 절연막 또는 무기 절연막으로 형성되거나 무기 절연막과 유기 절연막이 적층된 구조일 수 있다. 제2 절연층(228)의 에지부는 제2 접속 패드(250)와 소정 간격으로 이격될 수 있다.
측면 배선의 제3 부분(233)은 2개 영역(233a, 233b)으로 구분할 수 있다. 제1 영역(233a)은 측면 배선의 제1 부분(231)으로부터 연장되며 글라스 기판의 제2 챔퍼면(CS12)을 덮고 연속해서 제2 접속 패드(250)를 완전히 덮는 영역일 수 있다. 제2 영역(233b)은 제1 영역(233a)으로부터 연장되며 제2 접속 패드(250)에 인접한 제2 절연층(228)의 에지부를 덮는 영역일 수 있다.
이와 같이, 측면 배선의 제3 부분(233)이 제2 절연층(228)의 에지부까지 덮는 경우, 측면 배선의 제3 부분(233) 제2 접속 패드(250)까지만 덮는 경우에 비해 더 넓은 접촉 면적을 확보할 수 있다. 이에 따라, 측면 배선의 제3 부분(233)이 글라스 기판(212)으로부터 박리되지 않고 안정적으로 글라스 기판(212)에 결합된 상태를 유지할 수 있다.
도 20과 같이, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮고 제3 부분(233)이 제2 절연층(228)의 에지부까지 덮는 것으로 설명하였으나, 이에 한정될 필요는 없다. 예를 들면, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮고 제3 부분(233)이 제2 접속 패드(240)까지만 덮도록 구성될 수 있다. 또한, 측면 배선(230)은 제2 부분(232)이 제2 접속 패드(250)까지만 덮고 제3 부분(233)이 제2 절연층(228)의 에지부까지 덮도록 구성될 수 있다.
도 20에서 미설명부호 SS10은 측면 배선의 제1 부분(231)이 결합되는 글라스 기판(212)의 측면을 가리킨다.
도 21은 인접한 측면 배선들이 각각 대응하는 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이고, 도 22는 도 21에 표시된 A-A선을 따라 나타낸 단면도이다.
본 개시에서, 서로 인접하게 배치된 측면 배선들은 양단부(제2 부분 및 제3 부분)가 각각 하나의 접속 패드에 대응하여 연결될 수 있다.
도 21 및 도 22를 참조하면, 제1 측면 배선의 제2 부분(232-1)은 하나의 제1 접속 패드(240-1) 상에 적층 형성되고, 제1 측면 배선의 제2 부분(232-1)에 인접하게 배치된 다른 제1 측면 배선의 제2 부분(232-2)은 하나의 다른 제1 접속 패드(240-1) 상에 적층 형성될 수 있다.
이 경우, 제1 접속 패드들(240-1, 240-2)에 인접한 제1 절연층(227)의 에지부는 측면 배선의 제2 부분들(232-1, 232-2)에 의해 덮일 수 있다. 제1 접속 패드들(240-1, 240-2)을 각각 둘러싸는 무기 절연막(243-1, 243-2) 역시 측면 배선의 제2 부분들(232-1, 232-2)에 의해 덮일 수 있다.
제1 절연층(227)의 에지부에는 제1 접속 패드들(240-1, 240-2) 사이에 위치하는 돌출부들(227a)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 절연층(227)의 일부를 이루는 돌출부들(227a) 역시 측면 배선의 제2 부분들(232-2, 232-3)에 의해 덮일 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 측면 배선의 제3 부분들 역시 측면 배선의 제2 부분들(232-1, 232-2)과 유사하게 각각 제2 접속 패드와 함께 글라스 기판의 후면에 형성된 제2 절연층의 에지부까지 덮을 수 있다.
도 23은 하나의 측면 배선이 인접하게 배치된 다수의 접속 패드를 덮는 예를 나타낸 평면도이다.
적어도 2 이상의 제1 접속 패드가 단일 신호를 전송하는 경우, 측면 배선은 상기 적어도 2 이상의 제1 접속 패드를 모두 덮을 수 있다.
도 23을 참조하면, 하나의 측면 배선의 제2 부분(237)은 다수의 제1 접속 패드(240-1, 240-2, 240-3)를 한꺼번에 덮을 수 있다. 또한, 측면 배선의 제2 부분(237)은 제1 절연층(227)의 에지부까지 덮을 수 있다.
이 경우, 단일 신호를 전송하는 다수의 제1 접속 패드(240-1, 240-2, 240-3)는 서로 인접하게 배열될 수 있다.
측면 배선의 제2 부분(237)은 하나의 제1 접속 패드만을 덮는 경우보다 접촉 면적을 더 넓힐 수 있으므로, 측면 배선이 글라스 기판에 더욱 견고하게 결합될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분 역시 제2 부분과 유사하게 단일 신호를 전송하는 서로 인접한 다수의 제2 접속 패드를 한꺼번에 덮을 수 있다. 또한, 측면 배선의 제2 부분은 글라스 기판의 후면에 형성된 제2 절연층의 에지부까지 덮을 수 있다.
이하에서는, 본 개시에서 접속 패드와 측면 배선 간 결합력을 요철 구조에 의해 더욱 견고하게 유지할 수 있는 실시 예들을 설명한다.
도 24는 글라스 기판에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 24를 참조하면, 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)을 글라스 기판(1212)에 형성하기 전에 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)이 각각 배치될 글라스 기판(1212)의 전면 일부 영역에 미세한 요철(1212a)을 형성한다. 글라스 기판(1212a)의 전면 일부 영역에 형성된 미세한 요철(1212a)은 에칭 공정을 통해 형성될 수 있다. 이 경우, 에칭제는 예를 들면 불산을 사용할 수 있다.
글라스 기판(1212)에 요철(1212a)을 형성한 후, 요철(1212a) 상에 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)을 형성한다. 이 경우, 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)은 스퍼터링과 같은 금속 증착 공정을 통해 요철(1212a) 상에 형성될 수 있다.
제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)은 박막으로 형성됨에 따라, 요철(1212a)의 프로파일을 따라 증착 형성되므로 글라스 기판의 요철(1212a)과 유사한 요철 구조를 가질 수 있다.
이어서, 글라스 기판(1212)에 금속 증착 공정을 통해 측면 배선을 형성할 수 있다. 이 경우, 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2)은 각각 요철 구조를 가지는 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 상에 증착 형성됨에 따라 자연스럽게 요철 구조를 가진 상태로 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 상에 결합될 수 있다.
이에 따라, 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2)은 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2)과 요철 결합되므로, 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2)과 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 간 접촉 면적은 증가할 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분들과 이에 대응하는 제2 접속 패드들 역시 전술한 측면 배선의 제2 부분들(1232-1, 1232-2) 및 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.
이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(1212)에 결합될 수 있다.
도 24에서 미설명부호 1227a는 제1 절연층의 돌출부들이다.
도 25는 금속 배선에 요철을 형성한 후 접속 패드 및 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 25를 참조하면, 요철을 형성하지 않은 글라스 기판(2212)에 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2)을 형성한 후, 레이저 공정을 통해 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2) 상에 미세한 요철 구조를 형성한다.
이어서, 글라스 기판(2212)에 금속 증착 공정을 통해 측면 배선을 형성할 수 있다. 이 경우, 측면 배선의 제2 부분들(2232-1, 2232-2)은 각각 요철 구조를 가지는 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2)의 표면을 따라 증착 형성되므로 제1 접속 패드들(1240-1, 1240-2) 상에 요철 결합될 수 있다. 이에 따라, 측면 배선의 제2 부분들(2232-1, 2232-2)과 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2) 간 접촉 면적은 증가할 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분들과 이에 대응하는 제2 접속 패드들 역시 전술한 측면 배선의 제2 부분들(2232-1, 2232-2) 및 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.
이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(2212)에 결합될 수 있다.
도 25에서 미설명부호 2227a는 제1 절연층의 돌출부들이고, 2243-1 및 2243-2는 제1 접속 패드들(2240-1, 2240-2)을 각각 둘러싸는 무기 절연막이다.
도 26는 접속 패드에 다수의 요홈을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이고, 도 27은 도 26에 도시된 접속 패드를 나타낸 사시도이고, 도 28은 접속 패드에 다수의 돌기를 형성한 예를 나타낸 사시도이다.
도 26 및 도 27을 참조하면, 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)은 각각 상면에 에칭 공정을 통해 일정한 형상의 요홈들(GV1, GV2, GV3)이 형성될 수 있다.
요홈들(GV1, GV2, GV3)은 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)의 면적에 따라 적어도 2 이상 형성될 수 있다. 또한, 요홈들(GV1, GV2, GV3)은 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)의 길이 방향을 따라 1열로 배열되지만, 이에 제한될 필요는 없으며, 지그재그 방향 또는 불규칙한 배열을 이룰 수 있다.
이에 따라, 측면 배선의 제2 부분들(3232-1, 3232-2)은 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2) 상에 증착 형성되면, 도 26과 같이 요홈들(GV1, GV2, GV3)에 의해 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)과 요철 결합을 이룰 수 있다.
이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(3212)에 결합될 수 있다.
측면 배선의 제2 부분들(3232-1, 3232-2)은 전술한 요홈들(GV1, GV2, GV3)이 아닌 돌기들을 통해 대응하는 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)과 요철 결합을 할 수도 있다.
예를 들면, 도 28과 같이 제1 접속 패드(3240-1a)는 상면에 소정 높이로 돌기들(P1, P2, P3)이 형성될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 제2 접속 패드들 역시 전술한 요홈들(GV1, GV2, GV3) 또는 돌기들(P1, P2, P3)을 형성할 수 있다. 이 경우, 제2 접속 패드들에 증착 형성되는 측면 배선의 제3 부분들은 제2 접속 패드들과 요철 결합을 이룰 수 있다.
도 26에서 미설명부호 3227a는 제1 절연층의 돌출부이고, 3243-1 및 3243-2는 제1 접속 패드들(3240-1, 3240-2)을 각각 둘러싸는 무기 절연막이다.
도 29는 접속 패드 상부에 형성된 유기 절연막에 다수의 비아 홀을 형성한 후 측면 배선을 형성한 예를 나타낸 단면도이다.
도 29를 참조하면, 제1 접속 패드(4240)를 완전히 덮도록 제1 접속 패드(4240) 상에 무기 절연막(4243)을 소정 두께로 형성한 후, 에칭 공정을 통해 무기 절연막(4243)에 비아홀들(4245)을 형성할 수 있다.
제1 접속 패드(4240)는 비아홀들(4245)에 대응하는 영역이 무기 절연막(4243)의 의해 가려지지 않고 노출된다. 이 상태에서 금속 증착 공정을 통해 글라스 기판(4212)에 측면 배선을 형성하면, 측면 배선의 제2 부분(4232)은 무기 절연막(4243)에 소정 두께로 형성에 형성될 수 있다.
이 경우, 측면 배선의 제2 부분(4232)은 비아홀들(4245)을 통해 제1 접속 패드(4240)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 요철 결합에 의해 측면 배선은 더욱 견고하게 글라스 기판(4212)에 결합될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분과 이에 대응하는 제2 접속 패드 역시 전술한 측면 배선의 제2 부분(4232) 및 제1 접속 패드들(4240) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.
도 29에서 미설명부호 4227a는 제1 절연층의 돌출부들이다.
도 30은 측면 배선 상에 레이저 빔을 조사한 용접 영역을 나타낸 평면도이다.
도 30을 참조하면, 측면 배선의 제2 부분(5242)이 제1 접속 패드(5240) 및 제1 절연층(5227)의 에지부를 덮은 상태에서, 측면 배선의 제2 부분(5242)과 제1 접속 패드(5240)가 중첩되는 영역에 레이저 빔을 조사하여 용접부(5500)를 형성할 수 있다.
용접부(5500)는 전술한 도 25와 같이 측면 배선의 제2 부분(5242)과 제1 접속 패드(5240)에 요철 구조가 형성될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 측면 배선의 제3 부분과 이에 대응하는 제2 접속 패드의 중첩되는 부분에 용접부(5500)를 형성하면, 측면 배선의 제3 부분과 이에 대응하는 제2 접속 패드는 전술한 측면 배선의 제2 부분(5232) 및 제1 접속 패드들(5240) 간 요철 결합과 동일 또는 유사한 결합 상태를 이룰 수 있다.
도 30에서 미설명부호 5227a는 제1 절연층의 돌출부들이다.
도 31은 접속 패드의 일부가 절연층에 의해 덮이고 측면 배선이 접속 패드 및 절연층의 에지부를 함께 덮은 예를 나타낸 평면도이고, 도 32는 도 31에 표시된 B-B선을 따라 나타낸 단면도이다.
제1 절연층(6227)은 경우에 따라서, 제1 접속 패드(6240)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 도 31과 같이 제1 접속 패드(6240)는 제1 접속 패드(6240)의 에지부에 의해 일부분이 덮이고 나머지 부분이 노출될 수 있다.
도 31 및 도 32를 참조하면, 측면 배선의 제2 부분(6232)은 제1 접속 패드(6240)와 제1 절연층(6227)의 에지부를 함께 덮을 수 있다. 측면 배선의 제2 부분(6232)의 중앙은 제1 접속 패드(6240)와 전기적으로 연결되고 양측은 제1 절연층(7227)의 돌기부들(6227a)을 덮을 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 글라스 기판(6212)의 후면에 형성되는 제2 절연층은 제2 접속 패드의 일부를 덮을 수 있다. 이 경우, 측면 배선의 제3 부분은 이에 대응하는 제2 접속 패드와 제2 절연층의 에지부를 함께 덮을 수 있다.
이러한 구조에 의해 측면 배선의 제2 및 제3 부분은 글라스 기판에 접촉되는 면적이 증가함에 따라 글라스 기판에 더 견고하게 결합될 수 있다.
이상에서는 본 개시의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 개시는 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 개시의 요지를 벗어남이 없이 본 개시에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 개시의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되서는 안될 것이다.
12: 글라스 기판
13: TFT 층
18a, 240, 1240, 2240, 3240, 4240, 5240, 6240: 제1 접속 패드
19a, 250: 제2 접속 패드
20: 마이크로 LED
30, 230: 측면 배선
31, 231: 측면 배선의 제1 부분
32, 232, 1232, 2232, 3232, 4232, 5232, 6232: 측면 배선의 제2 부분
33, 233: 측면 배선의 제3 부분
40: 절연 부재
50: 보호층
227, 1227, 2227, 3227, 4227, 5227, 6227제1 절연층
228: 제2 절연층
FS: 글라스 기판의 전면
RS: 글라스 기판의 후면
SS: 글라스 기판의 측면
CS1: 제1 챔퍼면
CS2: 제2 챔퍼면
GV1, GV2, GV3: 요홈
P1, P2, P3: 돌기부

Claims (29)

  1. 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면(rear surface)에 상기 TFT층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치되며, 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하는 글라스 기판;
    상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode);
    상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드;
    상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및
    일단부가 대응하는 상기 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 대응하는 제2 접속 패드를 완전히 덮는 다수의 측면 배선;을 포함하고,
    측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮고,
    상기 제1 접속 패드는 레이저 공정 또는 에칭 공정에 의해 형성된 요철을 형성하고,
    상기 측면 배선은 증착 공정을 통해 상기 글라스 기판에 형성하여 상기 요철 상에 형성된 상기 측면 배선의 일부는 요철 형상을 가지는, 디스플레이 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 유기 절연막 또는 무기 절연막인, 디스플레이 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드에 간격을 두고 인접하게 배치된, 디스플레이 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제1 접속 패드 또는 상기 제2 접속 패드의 일부를 덮는, 디스플레이 모듈.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면(rear surface)에 상기 TFT층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치되며, 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하는 글라스 기판;
    상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode);
    상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드;
    상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및
    일단부가 대응하는 상기 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 대응하는 제2 접속 패드를 완전히 덮는 다수의 측면 배선;을 포함하고,
    측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮고,
    상기 글라스 기판은 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하며,
    상기 다수의 측면 배선은 일정한 간격을 두고 배치되고,
    각 측면 배선은 상기 제1 에지 존의 형성된 제1 부분의 폭이 상기 제2 에지 존에 형성된 제2 부분의 폭 및 상기 제3 에지 존에 형성된 제3 부분의 폭보다 큰 디스플레이 모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 상기 제2 및 제3 부분의 각각의 폭 보다 작은 디스플레이 모듈.
  11. 제9항에 있어서,
    서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제2 부분 사이의 간격 및 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제3 부분 사이의 간격보다 작은 디스플레이 모듈.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 측면 배선의 제1 부분은 상기 제2 부분에 연결되는 지점부터 제2 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간과, 상기 제3 부분에 연결되는 지점부터 제3 부분으로부터 멀어지는 일정한 거리까지 점진적으로 확장되는 구간을 포함하는 디스플레이 모듈.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 측면 배선의 제1 부분은 양측의 확장되는 구간 사이에 일정한 폭으로 형성되는 구간을 포함하는 디스플레이 모듈.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 글라스 기판은 상기 제1 및 제2 에지 존 사이에 형성된 제1 챔퍼면과, 상기 제1 및 제3 에지 존 사이에 형성된 제2 챔퍼면을 더 포함하는 디스플레이 모듈.
  15. ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제14항에 있어서,
    상기 측면 배선은 상기 제2 에지 존, 상기 제1 챔퍼면, 상기 제1 에지 존, 상기 제2 챔퍼면 및 상기 제3 에지 존을 따라 이어지도록 형성된 디스플레이 모듈.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 글라스 기판의 제1 에지 존에는 서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 면상 거리를 증가시키는 트렌치가 형성된 디스플레이 모듈.
  17. ◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제16항에 있어서,
    상기 글라스 기판은 상기 트렌치를 따라 결합된 절연 부재를 더 포함하며,
    상기 절연 부재는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 측면 배선의 제1 부분보다 더 높게 돌출된 디스플레이 모듈.
  18. ◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제17항에 있어서,
    상기 글라스 기판은 상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 더 포함한 디스플레이 모듈.
  19. 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면(rear surface)에 상기 TFT층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치되며, 측면에 대응하는 제1 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 전면 일부에 대응하는 제2 에지 존과 상기 측면에 인접한 상기 후면 일부에 대응하는 제3 에지 존으로 이루어지는 에지 영역을 포함하는 글라스 기판;
    상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode);
    상기 제2 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드;
    상기 제3 에지 존에 간격을 두고 배치되며 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및
    상기 다수의 제1 접속 패드 및 상기 다수의 제2 접속 패드를 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선;을 포함하고,
    하나의 측면 배선은 일단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제1 접속 패드를 완전히 덮고 타단부가 서로 인접하게 배열된 2 이상의 제2 접속 패드를 완전히 덮고,
    상기 하나의 측면 배선의 일단부 및 타단부 중 적어도 어느 하나가 상기 글라스 기판에 형성된 절연층의 일부를 덮는, 디스플레이 모듈.
  20. 전면에 TFT 층이 마련되고 적어도 하나의 에지 영역을 포함하는 글라스 기판을 형성하는 단계;
    상기 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮도록 형성되며 상기 글라스 기판의 측면에 인접한 상기 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부는 요철 형상으로 덮는 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 글라스 기판의 측면과 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에서 상기 마스크층에 의해 덮이지 않은 영역에 박막 도전층을 형성하는 단계;
    상기 박막 도전층의 일부를 제거하여 일정한 간격을 유지하는 다수의 측면 배선을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크층을 제거하는 단계;를 포함하며,
    상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭을 상기 마스크의 요철 형상에 의해 형성되는 측면 배선의 제2 및 제3 부분의 폭보다 크게 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 박막 도전층에서 제거한 부분의 폭에 따라 상기 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭이 결정되는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 박막 도전층은 스퍼터링에 의해 상기 글라스 기판에 증착 형성하고,
    상기 글라스 기판의 측면에 형성된 박막 도전층의 일부는 레이저 트리밍에 의해 제거되는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 글라스 기판의 측면에 형성된 박막 도전층의 일부가 제거되는 부분에 트렌치를 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 트렌치에 절연 부재를 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 절연 부재는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 측면 배선의 제1 부분보다 더 높게 돌출 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  26. ◈청구항 26은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제25항에 있어서,
    상기 글라스 기판의 측면 전체를 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  27. ◈청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제20항에 있어서,
    상기 글라스 기판의 전면과 측면이 만나 형성되는 모서리를 가공하여 제1 챔퍼면을 형성하는 단계; 및
    상기 글라스 기판의 후면과 측면이 만나 형성되는 모서리를 가공하여 제2 챔퍼면을 형성하는 단계;를 더 포함하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  28. 전면에 TFT 층이 마련되고 적어도 하나의 에지 영역을 포함하는 글라스 기판을 형성하는 단계;
    상기 글라스 기판의 전면 및 후면을 덮도록 형성되며 상기 글라스 기판의 측면에 인접한 상기 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부는 요철 형상으로 덮는 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 글라스 기판의 측면에 간격을 두고 미세 마스크 라인을 형성하는 단계;
    상기 글라스 기판의 측면과 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에서 상기 마스크층에 의해 덮이지 않은 영역에 박막 도전층을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크층 및 상기 미세 마스크 라인을 제거하는 단계;를 포함하며,
    상기 글라스 기판의 측면에 형성된 측면 배선의 제1 부분의 폭을 상기 마스크의 요철 형상에 의해 형성되는 측면 배선의 제2 및 제3 부분의 폭보다 크게 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    서로 인접한 상기 측면 배선들의 제1 부분 사이의 간격은 상기 미세 마스크 라인의 폭에 의해 결정되는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
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