TWI832687B - 側面電路結構及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種側面電路結構，包括第一基板、第一電路結構、第一側面走線、第一絕緣膠結構、第二側面走線、第一軟性電路板以及第二軟性電路板。第一電路結構位於第一基板的第一面上。第一側面走線從第一基板的第一面上之第一電路結構沿著第一基板的側面延伸至第一基板的第二面。第一絕緣膠結構位於第一側面走線之上，且自第一基板的第一面之上延伸至第一基板的側面之上。第一絕緣膠結構位於第一側面走線與第二側面走線之間。第一軟性電路板電性連接至第一側面走線。第二軟性電路板電性連接至第二側面走線。
Description
本發明是有關於一種側面電路結構及其製造方法。
為了因應市場的需求，越來越多廠商致力於發展窄邊框甚至無邊框的顯示面板。一般而言，為了減小顯示面板之邊框區的面積，會將晶片或薄膜覆晶封裝結構設置於顯示面板的背面或側面。舉例來說，透過軟性電路板連接位於顯示面板的正面之接墊，接著再將軟性電路板彎折至顯示面板的背面。然而，由於軟性電路板本身的厚度較厚，且軟性電路板難以完全貼合顯示面板的側面，導致顯示面板的邊框區的面積難以進一步縮小。
本發明提供一種側面電路結構，能有效的利用基板側面的空間進行側面走線的佈線。
本發明的至少一實施例提供一種側面電路結構。側面電路結構包括第一基板、第一電路結構、第一側面走線、第一絕緣
膠結構、第二側面走線、第一軟性電路板以及第二軟性電路板。第一基板具有第一面、相反於第一面的第二面以及側面。第一電路結構位於第一基板的第一面上。第一側面走線從第一基板的第一面上之第一電路結構沿著第一基板的側面延伸至第一基板的第二面。第一絕緣膠結構位於第一側面走線之上，且自第一基板的第一面之上延伸至第一基板的側面之上。第一絕緣膠結構位於第一側面走線與第二側面走線之間。第一軟性電路板電性連接至第一側面走線。第二軟性電路板電性連接至第二側面走線。
本發明的至少一實施例提供一種側面電路結構的製造方法，包括以下步驟。提供第一基板以及第一電路結構，其中第一基板具有第一面、相反於第一面的第二面以及側面，且第一電路結構位於第一基板的第一面上。形成第一側面走線於第一電路結構上，其中第一側面走線從第一電路結構上沿著第一基板的側面延伸至第一基板的第二面之上。形成第一絕緣膠結構於第一側面走線之上，且第一絕緣膠結構自第一基板的第一面之上延伸至第一基板的側面之上。形成第二側面走線於第一絕緣膠結構上，其中第一絕緣膠結構位於第一側面走線與第二側面走線之間。將第一軟性電路板電性連接至第一側面走線。將第二軟性電路板電性連接至第二側面走線。
10,20,30,40,50,60,70,80,90,10A:側面電路結構
110:第一基板
110a,410a:第一面
110b,410b:第二面
110c,320c,330c,410c:側面
120:第一電路結構
122,422:訊號線
124,424:絕緣層
126,426:接墊
128,428:接墊
130:發光元件
140:封裝層
210:第一側面走線
220:第一保護層
230:第一延伸線路
232,532:電連接結構
240:第一覆蓋層
242,302:凹槽
300:第一絕緣膠結構
300A:第二絕緣膠結構
310:第一絕緣膠層
310’:第一膠材層
320:第二絕緣膠層
320’:第二膠材層
330:第三絕緣膠層
330’:第三膠材層
330b:底面
410:第二基板
420:第二電路結構
420a:第三電路結構
510:第二側面走線
520:第二保護層
530:第二延伸線路
540:第二覆蓋層
600,700,900:薄膜覆晶封裝結構
610,710,910:引腳
620:第一軟性電路板
720:第二軟性電路板
810:第三側面走線
820:第三覆蓋層
920:第三軟性電路板
D1:第一方向
圖1是本發明的一實施例的一種側面電路結構的剖面示意圖。
圖2A至圖2J是圖1的側面電路結構的製造方法的剖面示意圖。
圖3是本發明的一實施例的一種側面電路結構的剖面示意圖。
圖4是本發明的一實施例的一種側面電路結構的剖面示意圖。
圖5是本發明的一實施例的一種側面電路結構的剖面示意圖。
圖6A是本發明的一實施例的一種側面電路結構的仰視示意圖。
圖6B是沿著圖6A的線A-A’的剖面示意圖。
圖6C是沿著圖6A的線B-B’的剖面示意圖。
圖7A是本發明的一實施例的一種側面電路結構的仰視示意圖。
圖7B是沿著圖7A的線A-A’的剖面示意圖。
圖8A是本發明的一實施例的一種側面電路結構的仰視示意圖。
圖8B是沿著圖8A的線B-B’的剖面示意圖。
圖9A是本發明的一實施例的一種側面電路結構的仰視示意圖。
圖9B是沿著圖9A的線A-A’的剖面示意圖。
圖10是本發明的一實施例的一種側面電路結構的剖面示意圖。
圖11是本發明的一實施例的一種側面電路結構的剖面示意圖。
圖1是本發明的一實施例的一種側面電路結構10的剖面示意圖。請參考圖1，側面電路結構10包括第一基板110、第一電路結構120、第一側面走線210、第一絕緣膠結構300、第二側面走線510、第一軟性電路板620以及第二軟性電路板720。在本
實施例中，側面電路結構10還包括發光元件130、封裝層140、第二基板410、第二電路結構420、第一保護層220、第二保護層520、第一延伸線路230、第一覆蓋層240、第二延伸線路530以及第二覆蓋層540。
第一基板110具有第一面110a、相反於第一面110a的第二面110b以及側面110c。在一些實施例中，側面110c與第一面110a之間以及側面110c與第二面110b之間可選擇地包括斜面或圓角。在一些實施例中，基板110例如為硬質基板(rigid substrate)，且其材質可為玻璃、石英、有機聚合物或不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料)或是其他可適用的材料。然而，本發明不以此為限，在其它實施例中，第一基板110也可以是可撓式基板(flexible substrate)或是可拉伸基板。舉例來說，可撓式基板以及可拉伸基板的材料包括聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚酯(polyester，PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚胺酯(polyurethane PU)或其他合適的材料。
第一電路結構120位於第一基板110的第一面110a上。第一電路結構120包括多層導電層與多層絕緣層。舉例來說，第
一電路結構120包括訊號線122、絕緣層124、接墊126與接墊128。在本實施例中，絕緣層124位於訊號線122上，且接墊126與接墊128位於絕緣層124上。在此必須說明的是，第一電路結構120中的導電結構與絕緣層可以依照實際需求而進行調整。
發光元件130設置於第一基板110的第一面110a之上。在一些實施例中，發光元件130接合至第一電路結構120的接墊126。發光元件130例如為迷你發光二極體、微型發光二極體或其他類型的發光二極體。封裝層140位於第一電路結構120之上，且覆蓋發光元件130。
第一側面走線210從第一基板110的第一面110a上之第一電路結構120沿著第一基板110的側面110c延伸至第一基板110的第二面110b。在本實施例中，第一側面走線210接觸第一電路結構120的接墊128，並從接墊128沿著第一基板110的側面110c延伸至第一基板110的第二面110b之上。在一些實施例中，第一側面走線210包括單層或多層結構。在一些實施例中，第一側面走線210的材料包括金屬、導電膠或其他合適的導電材料。
可選擇地設置第一保護層220於第一側面走線210上。第一保護層220覆蓋部分的第一側面走線210。在第一基板110的第二面110b之上的另一部分第一側面走線210未被第一保護層220所覆蓋。
可選擇地設置第一延伸線路230於第一基板110的第二面110b上。第一延伸線路230電性連接至第一側面走線210。在
本實施例中，第一延伸線路230部分覆蓋第一側面走線210，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一側面走線210部分覆蓋第一延伸線路230。換句話說，第一延伸線路230與第一側面走線210的形成順序可以依照實際需求而進行調整。
第一覆蓋層240位於第一延伸線路230上，且部分覆蓋第一延伸線路230。在本實施例中，第一覆蓋層240接觸第一保護層220。
第一絕緣膠結構300位於第一側面走線210之上，且自第一基板110的第一面110a之上延伸至第一基板110的側面100c。在本實施例中，第一絕緣膠結構300沿著第一基板110的側面110c延伸至第一基板110的第二面100b。第一保護層220位於第一絕緣膠結構300與第一側面走線210之間。
在本實施例中，第一絕緣膠結構300包括依序連接的第一絕緣膠層310、第二絕緣膠層320以及第三絕緣膠層330。第一絕緣膠層310位於第一基板110以及第二基板410之間。第二絕緣膠層320連接第一絕緣膠層310，且位於第一基板110的側面110c之上。第三絕緣膠層330連接第二絕緣膠層320，且位於第一基板110的第二面110b之上。在本實施例中，第一絕緣膠層310、第二絕緣膠層320以及第三絕緣膠層330包括固化的膠材。在一些實施例中，第一絕緣膠層310、第二絕緣膠層320以及第三絕緣膠層330包括相同或不同的材料。在一些實施例中，第一絕緣膠層310的材料包括固化的封裝膠、光阻、框膠、填縫膠或其
組合，第二絕緣膠層320與第三絕緣膠層330的材料包括固化的玻璃膠、封裝膠、框膠、填縫膠或其組合。
第二基板410重疊於第一基板110。第二基板410具有第一面410a、相反於第一面410a的第二面410b以及側面410c，其中第二基板410的第二面410b朝向第一基板110的第一面110a。第二基板410與第一基板110包括相同或不同的材料。第二基板410例如為硬質基板，且其材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是其他可適用的材料。然而，本發明不以此為限，在其它實施例中，第二基板410也可以是可撓式基板或是可拉伸基板。
第二電路結構420位於第二基板410上。在本實施例中，二電路結構420位於第二基板410的第二面410b上。在圖1中，僅繪出第二電路結構420為單一層導電層，但本發明不以此為限。在此必須說明的是，第二電路結構420中的導電結構可以依照實際需求而進行調整。具體地說，第二電路結構420可以包括單層或多層的導電層以及單層或多層絕緣層。在一些實施例中，第二電路結構420上包括光感測器(未繪出)、觸控感測器、電流感測器、太陽能元件、發光元件或其他電子元件。
第一絕緣膠結構300中的第一絕緣膠層310用於固定第一基板110與第二基板410。在一些實施例中，部分第一延伸線路230以及部分第一覆蓋層240位於第一基板110與第一絕緣膠結構300之間，且部分第二電路結構420位於第一絕緣膠層310與第二基板410之間。
第二側面走線510位於第一絕緣膠結構300上。第二側面走線510從第一絕緣膠結構300延伸至第二基板410的側面410c上或第一面410a上。在本實施例中，第二側面走線510從第二基板410的側面410c上延伸至第一絕緣膠結構300上。在本實施例中，第二側面走線510還從第二電路結構420沿著第二絕緣膠層320的側面320c的延伸至第三絕緣膠層330的側面330c上。第一絕緣膠結構300位於第一側面走線210與第二側面走線510之間。在本實施例中，第二側面走線510還延伸至第三絕緣膠層330的底面330b。在本實施例中，第二側面走線510接觸第二電路結構420，並從第二電路結構420延伸至第一基板110的第二面110b之上。在一些實施例中，第二側面走線510包括單層或多層結構。在一些實施例中，第二側面走線510的材料包括金屬、導電膠或其他合適的導電材料。
可選擇地設置第二保護層520於第二側面走線510上。第二側面走線510位於第一絕緣膠結構300與第二保護層520之間。第二保護層520部分覆蓋的第二側面走線510。在第一基板110的第二面110b之上的另一部分第二側面走線510未被第二保護層520所覆蓋。在一些實施例中，第一保護層220與第二保護層520的材料包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、固化的封裝膠、絕緣膠、光阻、填縫膠或其他合適的材料。
可選擇地設置第二延伸線路530於第一基板110的第二面110b之上。第二延伸線路530位於第一絕緣膠結構300上。第
二延伸線路530電性連接至第二側面走線510。在本實施例中，第二延伸線路530部分覆蓋第二側面走線510，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第二側面走線510部分覆蓋第二延伸線路530。換句話說，第二延伸線路530與第二側面走線510的形成順序可以依照實際需求而進行調整。
第二覆蓋層540位於第二延伸線路530上，且部分覆蓋第二延伸線路530。在本實施例中，第二覆蓋層540接觸第二保護層520。在一些實施例中，第一覆蓋層240與第二覆蓋層540的材料包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、固化的封裝膠、絕緣膠、光阻、填縫膠或其他合適的材料。
第一軟性電路板620電性連接至第一側面走線210。舉例來說，薄膜覆晶封裝結構600包括第一軟性電路板620以及位於第一軟性電路板620上的引腳610。引腳610透過導電連接結構232而接合至第一延伸線路230，其中導電連接結構232例如為銲料、導電膠或其他合適的材料。第一延伸線路230電性連接第一軟性電路板620與第一側面走線210。第一側面走線210與第一延伸線路230電性連接第一電路結構120至第一軟性電路板620。
第二軟性電路板720電性連接至第二側面走線510。舉例來說，薄膜覆晶封裝結構700包括第二軟性電路板720以及位於第二軟性電路板720上的引腳710。引腳710透過導電連接結構532而接合至第二延伸線路530，其中導電連接結構532例如為銲料、導電膠或其他合適的材料。第二延伸線路530電性連接第二
軟性電路板720與第二側面走線510。第二側面走線510電性連接第二電路結構420至第二軟性電路板720。
在本實施例中，第一軟性電路板620與第一延伸線路230的接合處以及第二軟性電路板720與第二延伸線路530的接合處皆位於第一基板110的第二面110b之上，藉此更有效的利用第一基板110的第二面110b的空間。
圖2A至圖2J是圖1的側面電路結構的製造方法的剖面示意圖。請參考圖2A，提供第一基板110以及第一電路結構120。第一電路結構120位於第一基板110的第一面110a上。
提供多個發光元件130於第一電路結構120上。在一些實施例中，先於生長基板上(未繪出)形成多個發光元件130，接著再透過一次或多次的巨量轉移製程將發光元件130轉移至第一電路結構120上。
形成封裝層140於發光元件130上。在一些實施例中，形成封裝層140的方法包括模封、貼合或其他合適的方式。
形成第一側面走線210於第一基板110的側面110c上。在本實施例中，形成第一側面走線210於第一電路結構120上，第一側面走線210從第一電路結構120上沿著第一基板110的側面110c延伸至第一基板110的第二面110b之上。在一些實施例中，形成第一側面走線210的方法包括轉印、網印、塗佈、濺鍍、電鍍、噴墨印刷、雷射雕刻或其他合適的方式。
形成第一保護層220於第一側面走線210上。在一些實
施例中，先形成完全覆蓋第一側面走線210的第一保護層220，接著再透過蝕刻、顯影或雷射雕刻製程移除部分的第一保護層220，以使位於第一基板110的第二面110b之上的部分第一側面走線210得以被暴露出來。
請參考圖2B，形成第一延伸線路230於第一基板110的第二面110b之上，且第一側面走線210電性連接至第一延伸線路230。在一些實施例中，形成第一延伸線路230的方法包括轉印、網印、塗佈、濺鍍、電鍍、噴墨印刷、雷射雕刻或其他合適的方式。在一些實施例中，可以利用相同或不同的方式形成第一側面走線210與第一延伸線路230。
形成第一覆蓋層240於第一延伸線路230上。在一些實施例中，形成第一覆蓋層240的方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、轉印、網印、塗佈、噴墨印刷、雷射雕刻或其他合適的方式。
請參考圖2C至圖2F，形成第一絕緣膠結構300於第一側面走線210與第一延伸線路230之上，且第一絕緣膠結構300形成於第一保護層220上。第一絕緣膠結構300自第一基板110的第一面110a之上延伸至第一基板110的側面110c之上以及第二面110b之上。
請先參考圖2C，形成第一膠材層310’於第一基板110的第一面110a之上。在本實施例中，形成第一膠材層310’於第一保護層220上。在一些實施例中，形成第一膠材層310’的方法包括
轉印、網印、塗佈、噴墨印刷或其他合適的方法。
請參考圖2D，將第二基板410以及位於第二基板410上的第二電路結構420黏接至第一膠材層310’上。固化第一膠材層310’以形成第一絕緣膠層310，其中第一膠材層310’的固化可以透過光固化或熱固化來進行。由於第一膠材層310’用於將第二基板410黏接至第一基板110，因此，選用黏性較大的材料做為第一膠材層310’。在一些實施例中，第一膠材層310’的材料包括封裝膠、框膠、填縫膠或其組合。
請參考圖2D與圖2E，形成第二膠材層320’第一絕緣膠層310上。第二膠材層320’位於第一基板110的側面110c之上。形成第三膠材層330’於第一基板110的該第二面110b。在本實施例中，形成第二膠材層320’與第三膠材層330’於第一保護層220上，其中成第三膠材層330’還從第一保護層220延伸至第一覆蓋層240上。在一些實施例中，形成第二膠材層320’與第三膠材層330’的方法包括轉印、網印、塗佈、噴墨印刷、或其他合適的方法。
在本實施例中，分別形成第二膠材層320’與第三膠材層330’，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第二膠材層320’與第三膠材層330’是在同一道程序中形成，且第二膠材層320’與第三膠材層330’可以視為一體。
請參考圖2F，固化第二膠材層320’與第三膠材層330’以形成第二絕緣膠層320以及第三絕緣膠層330，其中第二膠材層
320’與第三膠材層330’的固化可以透過光固化或熱固化來進行。在一些實施例中，第二膠材層320’與第三膠材層330’的材料包括、玻璃膠、封裝膠、框膠、填縫膠或其組合。
同時研磨固化的第二膠材層(即第二絕緣膠層320)以及第二基板410。在本實施例中，固化的第三膠材層(即第三絕緣膠層330)也同時被研磨。在一些實施例中，第二絕緣膠層320的側面320c、第三絕緣膠層330的側面330c與第二基板410的側面410c對齊。
請參考圖2G與圖2H，形成第二側面走線510於第一絕緣膠結構300上。在本實施例中，形成第二側面走線510於固化的第二膠材層(即第二絕緣膠層320)、固化的第三膠材層(即第三絕緣膠層330)以及第二基板410上。在一些實施例中，形成第二側面走線510的方法包括轉印、網印、塗佈、濺鍍、電鍍、噴墨印刷、雷射雕刻，或其他合適的方式。
形成第二保護層520於第二側面走線510上。在一些實施例中，先形成完全覆蓋第二側面走線510的第二保護層520(如圖2G所示)，接著再透過蝕刻、顯影或雷射雕刻製程移除部分的第二保護層520，以使第一基板110的第二面110b之上的部分第二側面走線510得以被暴露出來(如圖2H所示)。
請參考圖2I，形成第二延伸線路530於第一絕緣膠結構300上，且第二側面走線510電性連接至第二延伸線路530。在一些實施例中，形成第二延伸線路530的方法包括轉印、網印、塗
佈、濺鍍、電鍍、噴墨印刷、雷射雕刻，或其他合適的方式。在一些實施例中，可以利用相同或不同的方式形成第二側面走線510與第二延伸線路530。
形成第二覆蓋層540於第二延伸線路530上。在一些實施例中，形成第二覆蓋層540的方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、轉印、網印、塗佈、噴墨印刷、雷射雕刻或其他合適的方式。
請參考圖2J，蝕刻第一覆蓋層240與第二覆蓋層540，藉此暴露出部分第一延伸線路230以及部分第二延伸線路530。
請回到圖1，將第一軟性電路板620電性連接至第一側面走線210。將第二軟性電路板720電性連接至第二側面走線510。
基於上述，透過第一絕緣膠結構300的設置，可以有效的利用第一基板110的側面110c之上的布線空間，使第一電路結構120與第二電路結構420得以透過位於不同膜層的第一側面走線210與第二側面走線510來電性連接至第一軟性電路板620與第二軟性電路板720。此外，通過第一絕緣膠結構300的設置，除了可以減少第一側面走線210與第二側面走線510短路的機率，還能降低第一側面走線210與第二側面走線510之間的寄生電容。
圖3是本發明的一實施例的一種側面電路結構20的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的
說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖3的側面電路結構20與圖1的側面電路結構10的主要差異在於：側面電路結構20的第二軟性電路板720設置於第一基板110的側面110c之上，其中第二軟性電路板720與第二側面走線510的接合處位於第一基板110的側面110c之上。此外，在側面電路結構20中，薄膜覆晶封裝結構700的引腳710接合至第二側面走線510，因此可以省略第二延伸線路與第二覆蓋層。在本實施例中，第二側面走線510沒有延伸至第三絕緣膠層330上，且第三絕緣膠層330可以被省略。
圖4是本發明的一實施例的一種側面電路結構30的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖4的側面電路結構30與圖1的側面電路結構10的主要差異在於：在側面電路結構30中，第二電路結構420、發光元件130以及封裝層140位於第二基板410的第一面410a之上。在其他實施例中，第二電路結構420、發光元件130以及封裝層140位於第二基板410的第二面410b之下。
第二電路結構420包括多層導電層與多層絕緣層。舉例來說，第二電路結構420包括訊號線422、絕緣層424、接墊426與接墊428。在本實施例中，絕緣層424位於訊號線422上，且接
墊426與接墊428位於絕緣層424上。在此必須說明的是，第二電路結構420中的導電結構與絕緣層可以依照實際需求而進行調整。
發光元件130設置於第二基板410的第一面410a之上。在一些實施例中，發光元件130接合至第二電路結構420的接墊426。封裝層140位於第二電路結構420之上，且覆蓋發光元件130。
第二側面走線510從第二基板410的第一面410a上之第二電路結構420沿著第二基板410的側面410c、第二絕緣膠層320的側面320c以及第三絕緣膠層330的側面330c延伸至第三絕緣膠層330的底面330b。部分第二側面走線510位於第一基板110的第二面110b之上。在本實施例中，第二側面走線510接觸第二電路結構420的接墊428。
在一些實施例中，第一電路結構120上包括光感測器(未繪出)、觸控感測器、電流感測器、太陽能元件、發光元件或其他電子元件。
圖5是本發明的一實施例的一種側面電路結構40的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖5的側面電路結構40與圖4的側面電路結構30的主要差異在於：側面電路結構40的第二軟性電路板720設置於第一
基板110的側面110c之上，其中第二軟性電路板720與第二側面走線510的接合處位於第一基板110的側面110c之上。
圖6A是本發明的一實施例的一種側面電路結構50的仰視示意圖。圖6B是沿著圖6A的線A-A’的剖面示意圖。圖6C是沿著圖6A的線B-B’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6A至圖6C的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖6A至圖6C，薄膜覆晶封裝結構600的第一軟性電路板與薄膜覆晶封裝結構700的第二軟性電路板在第一方向D1上交錯排列，其中第一方向D1平行於第一基板110的側面110c。在本實施例中，多個薄膜覆晶封裝結構600在第一方向D1上排成一排，且多個薄膜覆晶封裝結構700在第一方向D1上排成另一排。
圖7A是本發明的一實施例的一種側面電路結構60的仰視示意圖。圖7B是沿著圖7A的線A-A’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖7A至圖7B的實施例沿用圖6A至圖6C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖7A與圖7B，在本實施例中，第一絕緣膠結構
300包括凹槽302，且第一覆蓋層240包括凹槽242。凹槽302重疊於凹槽242，且凹槽302與凹槽242皆位於第一基板110的第二面110b上。薄膜覆晶封裝結構600的第一軟性電路板位於凹槽302中。
圖8A是本發明的一實施例的一種側面電路結構70的仰視示意圖。圖8B是沿著圖8A的線B-B’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖8A至圖8B的實施例沿用圖7A至圖7B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖8A與圖8B，在本實施例中，薄膜覆晶封裝結構700的引腳710接合至第二側面走線510，因此可以省略第二延伸線路與第二覆蓋層。
圖9A是本發明的一實施例的一種側面電路結構80的仰視示意圖。圖9B是沿著圖9A的線A-A’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖9A至圖9B的實施例沿用圖8A至圖8B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖9A與圖9B，在本實施例中，除了薄膜覆晶封裝結構700的引腳710接合至第二側面走線510之外，薄膜覆晶封裝結構600的引腳610接合至第一側面走線210，藉此省略延伸
線路與覆蓋層。
圖10是本發明的一實施例的一種側面電路結構90的剖面視示意圖。在此必須說明的是，圖10的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖10，在本實施例中，側面電路結構90的第一絕緣膠結構300直接接觸第一側面走線210與第一延伸線路230。換句話說，沒有於第一側面走線210與第一延伸線路230上形成第一保護層與第一覆蓋層。
圖11是本發明的一實施例的一種側面電路結構10A的剖面視示意圖。在此必須說明的是，圖11的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖11，在本實施例中，側面電路結構10A更包括第二絕緣膠結構300A、第三側面走線810、第三覆蓋層820以及薄膜覆晶封裝結構900。
第二絕緣膠結構300A位於第一基板110的側面110c以及第二基板410的側面410c之上，且第二側面走線510以及第二覆蓋層520位於第一絕緣膠結構300與第二絕緣膠結構300A之間。第三側面走線810位於第二絕緣膠結構300A上，且第二絕緣
膠結構300A位於第二側面走線510與第三側面走線810之間。第三覆蓋層820位於第三側面走線810上。
薄膜覆晶封裝結構900接合至第三側面走線810。舉例來說，薄膜覆晶封裝結構900包括第三軟性電路板920以及位於第三軟性電路板920上的引腳910。引腳910透過導電連接結構832而接合至第三側面走線810，其中導電連接結構832例如為銲料、導電膠或其他合適的材料。第三側面走線810將位於第二基板410的第一面410a之上的第三電路結構420a電性連接至薄膜覆晶封裝結構900。
10:側面電路結構
110:第一基板
110a,410a:第一面
110b,410b:第二面
110c,320c,330c,410c:側面
120:第一電路結構
122:訊號線
124:絕緣層
126:接墊
128:接墊
130:發光元件
140:封裝層
210:第一側面走線
220:第一保護層
230:第一延伸線路
232,532:電連接結構
240:第一覆蓋層
300:第一絕緣膠結構
310:第一絕緣膠層
320:第二絕緣膠層
330:第三絕緣膠層
330b:底面
410:第二基板
420:第二電路結構
510:第二側面走線
520:第二保護層
530:第二延伸線路
540:第二覆蓋層
600,700:薄膜覆晶封裝結構
610,710:引腳
620:第一軟性電路板
720:第二軟性電路板
Claims (16)
- 一種側面電路結構，包括：一第一基板以及一第二基板，各自具有一第一面、相反於該第一面的一第二面以及一側面；一第一電路結構，位於該第一基板的該第一面上；一第二電路結構，位於該第二基板上；一第一側面走線，從該第一基板的該第一面上之該第一電路結構沿著該第一基板的該側面延伸至該第一基板的該第二面；一第一絕緣膠結構，位於該第一側面走線之上，且自該第一基板的該第一面之上延伸至該第一基板的該側面之上；一第二側面走線，其中該第一絕緣膠結構位於該第一側面走線與該第二側面走線之間；一第一軟性電路板，電性連接至該第一側面走線；以及一第二軟性電路板，電性連接至該第二側面走線，其中該第二側面走線電性連接該第二電路結構至該第二軟性電路板。
- 如請求項1所述的側面電路結構，其中該第一絕緣膠結構包括：一第一絕緣膠層，位於該第一基板以及該第二基板之間；以及一第二絕緣膠層，連接該第一絕緣膠層，且位於該第一基板的該側面之上，其中該第一絕緣膠層與該第二絕緣膠層包括固化的膠材。
- 如請求項2所述的側面電路結構，其中該第二絕緣膠層的側面與該第二基板的側面對齊。
- 如請求項2所述的側面電路結構，其中該第一絕緣膠層的材料包括固化的封裝膠、光阻、框膠、填縫膠或其組合，該第二絕緣膠層的材料包括固化的玻璃膠、封裝膠、框膠、填縫膠或其組合。
- 如請求項2所述的側面電路結構，其中該第一絕緣膠結構更包括一第三絕緣膠層，該第三絕緣膠層連接該第二絕緣膠層，且位於該第一基板的該第二面之上，其中該第三絕緣膠層包括固化的膠材。
- 如請求項1所述的側面電路結構，更包括：一第一延伸線路，位於該第一基板的該第二面之上，且電性連接該第一軟性電路板與該第一側面走線；以及一第二延伸線路，位於該第一絕緣膠結構上，且電性連接該第二軟性電路板與該第二側面走線。
- 如請求項1所述的側面電路結構，其中該第二側面走線從該第一絕緣膠結構延伸至該第二基板的該側面上或該第一面上。
- 如請求項1所述的側面電路結構，其中該第一絕緣膠結構包括一凹槽，該凹槽位於該第一基板的該第二面上，且該第一軟性電路板位於該凹槽中。
- 如請求項1所述的側面電路結構，其中該第二軟性電路板與該第二側面走線的接合處位於該第一基板的該側面之上或該第一基板的該第二面之上。
- 如請求項1所述的側面電路結構，更包括：一第二絕緣膠結構，其中該第二側面走線位於該第一絕緣膠結構與該第二絕緣膠結構之間；以及一第三側面走線，其中該第二絕緣膠結構位於該第二側面走線與該第三側面走線之間。
- 如請求項1所述的側面電路結構，更包括：一第一保護層，位於該第一絕緣膠結構與該第一側面走線之間；以及一第二保護層，該第二側面走線位於該第一絕緣膠結構與該第二保護層之間。
- 一種側面電路結構的製造方法，包括：提供一第一基板以及一第一電路結構，其中該第一基板具有一第一面、相反於該第一面的一第二面以及一側面，且該第一電路結構位於該第一基板的該第一面上；形成一第一側面走線於該第一電路結構上，其中該第一側面走線從該第一電路結構上沿著該第一基板的該側面延伸至該第一基板的該第二面之上；形成一第一絕緣膠結構於該第一側面走線之上，且該第一絕緣膠結構自該第一基板的該第一面之上延伸至該第一基板的該側 面之上，其中形成該第一絕緣膠結構的方法包括：形成一第一膠材層於該第一基板的該第一面之上；固化該第一膠材層；形成一第二膠材層於該第一基板的該側面之上；固化該第二膠材層；以及研磨固化的該第二膠材層；在固化該第一膠材層之前，將一第二基板以及位於該第二基板上的一第二電路結構黏接至該第一膠材層上；同時研磨固化的該第二膠材層以及該第二基板；形成一第二側面走線於固化的該第二膠材層以及該第二基板上，其中該第一絕緣膠結構位於該第一側面走線與該第二側面走線之間；將一第一軟性電路板電性連接至該第一側面走線；以及將一第二軟性電路板電性連接至該第二側面走線。
- 如請求項12所述的側面電路結構的製造方法，其中形成該第一絕緣膠結構的方法更包括：形成一第三膠材層於該第一基板的該第二面之上；以及固化該第三膠材層。
- 如請求項12所述的側面電路結構的製造方法，更包括：形成一第一延伸線路於該第一基板的該第二面之上，且該第一側面走線電性連接至該第一延伸線路；以及 形成該第一絕緣膠結構於該第一側面走線與該第一延伸線路之上。
- 如請求項12所述的側面電路結構的製造方法，更包括：形成一第二延伸線路於該第一絕緣膠結構上，其中該第二延伸線路位於該第一基板的該第二面之上，且該第二側面走線電性連接至該第二延伸線路。
- 如請求項12所述的側面電路結構的製造方法，更包括：形成一第一保護層於該第一側面走線上，且該第一絕緣膠結構形成於該第一保護層上；以及形成一第二保護層於該第二側面走線上。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW202006448A (zh) * | 2018-07-04 | 2020-02-01 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 顯示面板以及使用其的大型顯示裝置 |
| US20200303608A1 (en) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | Tetos Co., Ltd. | Led display module |
-
2023
- 2023-01-30 TW TW112102967A patent/TWI832687B/zh active
- 2023-05-31 CN CN202310637576.8A patent/CN116528463A/zh active Pending
- 2023-07-05 US US18/346,866 patent/US20240260174A1/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW202006448A (zh) * | 2018-07-04 | 2020-02-01 | 南韓商三星電子股份有限公司 | 顯示面板以及使用其的大型顯示裝置 |
| US20200303608A1 (en) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | Tetos Co., Ltd. | Led display module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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