CN110473890A - 发光设备及包括发光设备的显示设备 - Google Patents

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CN110473890A CN201810435551.9A CN201810435551A CN110473890A CN 110473890 A CN110473890 A CN 110473890A CN 201810435551 A CN201810435551 A CN 201810435551A CN 110473890 A CN110473890 A CN 110473890A
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Abstract

公开了发光设备及包括发光设备的显示设备，所述发光设备包括基板、发光元件、一个或多个分隔壁、第一反射电极、第二反射电极、第一接触电极、绝缘层和第二接触电极，其中：发光元件位于基板上，发光元件具有布置在纵向方向上的第一端部部分和第二端部部分；一个或多个分隔壁设置在基板上，一个或多个分隔壁与发光元件间隔开；第一反射电极与发光元件的第一端部部分相邻；第二反射电极与发光元件的第二端部部分相邻；第一接触电极连接至第一反射电极和发光元件的第一端部部分；绝缘层位于第一接触电极上，绝缘层具有将发光元件的第二端部部分和第二反射电极暴露于外部的开口；第二接触电极位于绝缘层上。

Description

发光设备及包括发光设备的显示设备
技术领域
本公开涉及发光设备及包括发光设备的显示设备。
背景技术
发光二极管(在下文中，称为“LED”)在恶劣的环境条件下表现出相对优异的耐用性，并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。最近，已经积极开展了将LED应用于各种发光设备的研究。
作为研究的一部分，已经开发了通过使用其中生长有无机晶体结构(例如，基于氮化物的半导体)的结构来制造在微米尺度或纳米尺度级别上为小的超小型杆状LED的技术。例如，杆状LED可以以可形成自发光显示面板的像素等的小尺寸进行制造。
在背景技术部分中公开的以上信息用于加强对本发明构思的背景技术的理解，并且因此，其可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的一些示例性实施方式的方面包括能够改善发光效率的发光设备以及包括发光设备的显示设备。
根据本发明的一些示例性实施方式，发光设备包括基板、发光元件、一个或多个分隔壁、第一反射电极、第二反射电极、第一接触电极、绝缘层和第二接触电极，其中：发光元件位于基板上，发光元件具有布置在纵向方向上的第一端部部分和第二端部部分；一个或多个分隔壁设置在基板上，一个或多个分隔壁与发光元件间隔开；第一反射电极与发光元件的第一端部部分相邻；第二反射电极与发光元件的第二端部部分相邻；第一接触电极连接至第一反射电极和发光元件的第一端部部分；绝缘层位于第一接触电极上，绝缘层具有将发光元件的第二端部部分和第二反射电极暴露于外部的开口；第二接触电极位于绝缘层上，第二接触电极通过所述开口连接至第二反射电极和发光元件的第二端部部分。
根据一些示例性实施方式，第一反射电极和第二反射电极中的任何一个位于分隔壁上。
根据一些示例性实施方式，第一反射电极和第二反射电极以及分隔壁包括不同的材料。
根据一些示例性实施方式，分隔壁包括绝缘材料，以及第一反射电极和第二反射电极包括导电材料。
根据一些示例性实施方式，当在平面上观察时，第一接触电极与第一反射电极重叠，以及第二接触电极与第二反射电极重叠。
根据一些示例性实施方式，发光元件是成形为具有微米尺度或纳米尺度的圆柱体或多棱柱的发光二极管。
根据一些示例性实施方式，发光元件包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，其中，第一导电半导体层中掺杂有第一导电掺杂剂，第二导电半导体层中掺杂有第二导电掺杂剂，有源层设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间。
根据一些示例性实施方式，第一接触电极和第二接触电极中的任何一个包括逸出功小于4.1eV的导电材料，以及第一接触电极和第二接触电极中的另一个包括逸出功大于7.5eV的导电材料。
根据一些示例性实施方式，第一反射电极和第二反射电极中的每个位于分隔壁上。
根据一些示例性实施方式，发光设备还包括位于基板与发光元件之间的支撑构件。
根据一些示例性实施方式，支撑构件包括绝缘材料。
根据一些示例性实施方式，发光设备还包括位于发光元件的外周表面上的绝缘膜。
根据本发明的一些示例性实施方式，显示设备包括基板、像素和发光设备，其中：基板包括像素区域；像素位于像素区域中并且具有一个或多个薄膜晶体管；发光设备位于所述一个或多个薄膜晶体管上并且连接至所述一个或多个薄膜晶体管中的至少一个，其中，发光设备包括多个发光元件、一个或多个分隔壁、第一反射电极、第二反射电极、第一接触电极、绝缘层和第二接触电极，其中，多个发光元件位于基板上，多个发光元件各自具有布置在纵向方向上的第一端部部分和第二端部部分；一个或多个分隔壁与多个发光元件中的每个间隔开；第一反射电极与每个发光元件的第一端部部分相邻；第二反射电极与每个发光元件的第二端部部分相邻；第一接触电极连接至第一反射电极和第一端部部分；绝缘层位于第一接触电极上并且具有将第二端部部分和第二反射电极暴露于外部的开口；第二接触电极位于绝缘层上，并且通过所述开口连接至第二反射电极和第二端部部分，以及第一反射电极和第二反射电极中的任何一个连接至所述一个或多个薄膜晶体管中的所述至少一个。
根据一些示例性实施方式，第一反射电极和第二反射电极中的任何一个位于分隔壁上。
根据一些示例性实施方式，第一反射电极和第二反射电极以及分隔壁包括不同的材料。
根据一些示例性实施方式，分隔壁包括绝缘材料，以及第一反射电极和第二反射电极包括导电材料。
根据一些示例性实施方式，当在平面上观察时，第一接触电极与第一反射电极重叠，以及第二接触电极与第二反射电极重叠。
根据一些示例性实施方式，多个发光元件中的每个是成形为具有微米尺度或纳米尺度的圆柱体或多棱柱的发光二极管。
根据一些示例性实施方式，第一接触电极和第二接触电极中的任何一个包括逸出功小于4.1eV的导电材料，以及第一接触电极和第二接触电极中的另一个包括逸出功大于7.5eV的导电材料。
根据一些示例性实施方式，第一反射电极和第二反射电极中的每个位于分隔壁上。
根据本发明的一些示例性实施方式，可提供能够改善发光效率的发光设备。
此外，根据本发明的一些示例性实施方式，可提供包括所述发光设备的显示设备。
附图说明
现在将参考附图在下文中更全面地描述本发明的一些示例性实施方式的方面；然而，它们可以以不同的形式体现，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。更确切地说，提供这些实施方式使得本公开将是更彻底和更完整的，并且将向本领域技术人员更充分地传达示例性实施方式的范围。
在附图中，为了说明的清晰，尺寸可能被夸大。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，其可以是所述两个元件之间唯一的元件，或者还可存在一个或多个中间元件。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。
图1是示出根据本发明的一些示例性实施方式的杆状发光二极管的立体图。
图2是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的示图。
图3A至图3E是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的电路图，并且具体地，图3A至图3E是示出形成无源发光显示面板的像素的示例的电路图。
图4A至图4C是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的电路图，并且具体地，图4A至图4C是示出形成有源发光显示面板的像素的示例的电路图。
图5是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的俯视图。
图6是沿着图5的线I-I'截取的剖视图。
图7至图14是顺序地示出制造图6中所示的发光设备的方法的剖视图。
图15是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的示图，并且图15是沿着图5的线I-I'截取的剖视图。
图16是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的示图，并且图16是沿着图5的线I-I'截取的剖视图。
图17是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的俯视图。
图18是沿着图17的线II-II'截取的剖视图。
图19至图27是顺序地示出制造图18中所示的发光设备的方法的剖视图。
具体实施方式
本公开可被不同地修改并且具有多种形式，使得一些示例性实施方式将在附图中示出并且在文中进行详细地描述。然而，应理解的是，本公开不限于特定的实施方式，而是包括本公开的精神和技术范围内所包括的所有变化、等同或替代。
在各个附图的描述中，相似的附图标记指代相似的元件。在附图中，为了使本公开清楚，与实际的尺寸相比，结构的尺寸被放大地示出。术语“第一”、“第二”等可用于描述多种组成元件，但组成元件不应受所述术语限制。所述术语仅用于区别一个组成元件与另一组成元件。例如，在不背离本公开的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件也可称为第一元件。除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的，单数形式也旨在包括复数形式。
在本公开中，应理解的是，术语“包括(include)”或“具有(have)”表示说明书中描述的特征、数目、步骤、操作、组件、部分或其组合的存在，但是不预先排除一个或多个其它特征、数目、步骤、操作、组件、部分或组合的存在或添加的可能性。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，其可直接在所述另一元件上，或者还可存在中间元件。此外，在本公开中，当层、膜、区域、板等的一部分形成在另一部分上时，形成所述部分的方向不仅限于向上方向，并且包括侧向方向或向下方向。相反地，将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“之下”时，其可直接在另一元件之下，或者还可存在中间元件。
在下文中，将参考本公开的示例性实施方式和相关附图描述根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备。
图1是示出根据本发明的一些示例性实施方式的杆状发光二极管的立体图。在图1中，示出了圆柱形和杆状发光二极管(LED)LD，但本公开不限于此。
参考图1，根据本发明的一些示例性实施方式的杆状LED LD可包括第一导电半导体层11和第二导电半导体层13以及插置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的有源层12。例如，杆状LED LD可以以层叠结构实施，其中，第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13顺序地层叠。
根据本发明的一些示例性实施方式，杆状LED LD可设置成在某一方向(例如，预定方向)上延伸的杆形状。当假设杆状LED LD的延伸方向是纵向方向时，杆状LED LD可在延伸方向上具有第一端部部分和第二端部部分。在本发明的一些示例性实施方式中，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可设置在第一端部部分EP1处，以及第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可设置在第二端部部分EP2处。
在本发明的一些示例性实施方式中，如图1中所示，杆状LED LD可设置成圆柱形形状。然而，“杆形状”可包括在纵向方向上延长(即，长宽比大于1)的杆状形状或棒状形状(诸如，圆柱体和多棱柱(polyprism))。例如，杆状LED LD的长度可大于杆状LED LD的直径。
杆状LED LD可制造成小的以具有在例如微米尺度或纳米尺度的级别上的直径和/或长度。然而，根据本发明的一些示例性实施方式的杆状LED LD的尺寸不限于此，并且杆状LED LD的尺寸还可改变以符合杆状LED LD所应用至的发光设备的特性条件或要求条件。
第一导电半导体层11可包括例如至少一个n-型半导体层。例如，第一导电半导体层11可包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料，并且可包括其中掺杂有第一导电掺杂剂(诸如，Si、Ge和Sn)的半导体层。第一导电半导体层11的材料不限于此，并且第一导电半导体层11可由与以上提到的材料不同的多种材料形成。
有源层12可形成在第一导电半导体层11上，并且可以以单个量子阱结构或多个量子阱结构形成。根据本发明的一些示例性实施方式，掺杂有导电掺杂剂的镀层还可形成在有源层12的上部部分和/或下部部分中。例如，可用AlGaN层或InAlGaN层来实施所述镀层。此外，诸如AlGaN和AlInGaN的材料可用作有源层12。当具有电压(例如，预定电压)或更大电压的电场施加到杆状LED LD时，电子和空穴对在有源层12中结合，使得杆状LED LD发射光。
第二导电半导体层13可设置在有源层12上，并且可包括具有与第一导电半导体层11的半导体层不同类型的半导体层。例如，第二导电半导体层13可包括至少一个p-型半导体层。例如，第二导电半导体层13可包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料，并且可包括其中掺杂有第二导电掺杂剂(诸如，Mg)的半导体层。第二导电半导体层13的材料不限于此，并且第二导电半导体层13可由与以上提到的材料不同的多种材料形成。
根据本发明的一些示例性实施方式，除了以上提到的第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13之外，杆状LED LD还可在每个层的上部部分和/或下部部分中包括另一荧光层、有源层、半导体层和/或电极层。此外，杆状LED LD还可包括绝缘膜14。然而，根据本发明的一些示例性实施方式，绝缘膜14还可被省略，并且还可设置成覆盖第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13的一部分。例如，绝缘膜14设置于除了杆状LED LD的两个端部部分之外的部分，使得还可暴露杆状LED LD的两个端部部分。
为了便于描述，图1示出了去除了绝缘膜14的一部分的状态，并且杆状LED LD的圆柱体的侧表面可由绝缘膜14完全地包围。
绝缘膜14可设置成包围第一导电半导体层11、有源层12和/或第二导电半导体层13的外周界表面中的至少一部分。例如，绝缘膜14可设置成至少包围有源层12的外周界表面。根据本发明的一些示例性实施方式，绝缘膜14可包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可包括从由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2组成的组中选择的一种或多种绝缘材料，但不限于此，并且可使用具有绝缘性质的多种材料。
在本发明的一些示例性实施方式中，绝缘膜14本身可由疏水材料形成，或者由疏水材料形成的疏水膜还可进一步设置在绝缘膜14上。疏水材料可以是显示出疏水性的包括氟的材料。疏水材料可以以自组装单分子层(SAM)的形式应用于杆状LED LD，并且在此情况下可包括十八烷基三氯硅烷、氟代烷基三氯硅烷和全氟烷基三乙氧基硅烷。此外，疏水材料可以是商品化的含氟材料(诸如TeflonTM或CytopTM)或与商品化的含氟材料对应的材料。
当将绝缘膜14设置到杆状LED LD时，可防止有源层12与第一电极和/或第二电极(未示出)短路。此外，因为形成绝缘膜14，所以可最小化杆状LED LD的表面的缺陷，从而改善杆状LED LD的寿命和效率。此外，当多个杆状LED LD紧密地设置时，绝缘膜14可防止在杆状LED LD之间可产生的不期望的短路。
杆状LED LD可用作多种发光设备的发光源。例如，杆状LED LD可用作照明设备或自发光显示设备。
图2是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的示图。根据本发明的一些示例性实施方式，图2示出了作为使用杆状LED LD的发光设备的示例的发光显示设备，但根据本公开的发光设备不限于发光显示设备。作为一个示例，发光设备还可以是另一种形式的发光设备，诸如照明设备。
参考图2，根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备可包括时序控制器110、扫描驱动器120、数据驱动器130和发光单元140。如示例性实施方式，当发光设备是发光显示设备时，发光单元140可意指实施在显示面板上的整个像素区域。
时序控制器110可从外部(例如，传输图像数据的系统)接收驱动发光单元140所需的多种控制信号和图像数据。时序控制器110重组所接收的图像数据并且将重组的图像数据传输到数据驱动器130。此外，时序控制器110产生驱动扫描驱动器120和数据驱动器130所需的扫描控制信号和数据控制信号，并且将所产生的扫描控制信号和数据控制信号分别传输到扫描驱动器120和数据驱动器130。
扫描驱动器120从时序控制器110接收扫描控制信号，以及响应于所接收的扫描控制信号而产生扫描信号。由扫描驱动器120产生的扫描信号可通过扫描线S1至Sn供应到单元发射区域(未示出)(例如，其中设置有像素PXL的像素区域)。
数据驱动器130可从时序控制器110接收数据控制信号和图像数据，以及响应于所接收的数据控制信号和图像数据而产生数据信号。由数据驱动器130产生的数据信号可输出到数据线D1至Dm。输出到数据线D1至Dm的数据信号可输入到由扫描信号选择的水平像素线的单元发射区域。
发光单元140可包括连接至扫描线S1至Sn和数据线D1至Dm的多个单元发射区域。在本发明的一些示例性实施方式中，单元发射区域可意指单独的像素PXL。
单元发射区域中的每个可包括如图1中所示的一个或多个杆状LED LD。作为示例，单元发射区域中的每个可包括一个或多个第一颜色杆状LED LD、一个或多个第二颜色杆状LED LD和/或一个或多个第三颜色杆状LED LD。当从扫描线S1至Sn供应扫描信号时，单元发射区域响应于从数据线D1至Dm输入的数据信号而选择性地发射光。例如，单元发射区域中的每个在每个帧周期期间发射具有与所接收的数据信号对应的亮度的光。接收与黑色亮度对应的数据信号的单元发射区域在相应的帧周期期间不发射光以显示黑色。与此同时，当发光单元140是有源发光显示面板的像素单元时，发光单元140除了接收扫描信号和数据信号之外，还可接收第一像素电源和第二像素电源(在图4A至图4C中分别用附图标记“ELVDD”和附图标记“ELVSS”表示)，并且可被驱动。
图3A至图3E是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的电路图，并且具体地，图3A至图3E是示出形成无源发光显示面板的像素的示例的电路图。在图3A至图3E中，单元发射区域可包括第i水平像素线(i是自然数)中的第j像素(j是自然数)。作为与图3A至图3E中示出的像素有关的非限制性示例，像素可以是红色像素、绿色像素、蓝色像素和白色像素中的一个。
参考图3A，像素PXL包括连接在扫描线Si与数据线Dj之间的杆状LED LD。根据本发明的一些示例性实施方式，杆状LED LD的第一电极(例如，阳极电极)可连接至扫描线Si，以及杆状LED LD的第二电极(例如，阴极电极)可连接至数据线Dj。当在第一电极与第二电极之间施加等于或大于阈值电压的电压时，杆状LED LD发射具有与施加的电压的大小对应的亮度的光。换言之，可通过调节施加到扫描线Si的扫描信号的电压和/或施加到数据线Dj的数据信号的电压来控制像素PXL的发射。
参考图3B，根据本发明的一些示例性实施方式，像素PXL可包括并联连接的两个或更多个杆状LED LD。在此情况下，像素PXL的亮度可与多个杆状LED LD的明亮度的总和对应。如上所述，当像素PXL包括多个杆状LED LD(具体地，大量杆状LED LD)时，即使杆状LEDLD中的一些具有缺陷，也可以防止所述缺陷引起像素本身的缺陷。
参考图3C，根据本发明的一些示例性实施方式，可改变设置在像素PXL中的杆状LED LD的连接方向。例如，杆状LED LD的第一电极(阳极电极)可连接至数据线Dj，以及杆状LED LD的第二电极(阴极电极)可连接至扫描线Si。在图3A的示例性实施方式和图3C的示例性实施方式中，施加在扫描线Si与数据线Dj之间的电压的方向可彼此相反。
参考图3D，根据本发明的一些示例性实施方式，根据图3C的示例性实施方式的像素PXL还可包括并联连接的两个或更多个杆状LED LD。
参考图3E，根据本发明的一些示例性实施方式，像素PXL可包括在不同的方向上连接的多个杆状LED LD。作为一个示例，像素PXL可包括第一电极(阳极电极)连接至扫描线Si且第二电极(阴极电极)连接至数据线Dj的至少一个杆状LED LD以及第一电极(阳极电极)连接至数据线Dj且第二电极(阴极电极)连接至扫描线Si的至少一个杆状LED LD。
根据本发明的一些示例性实施方式，像素PXL可以是直流驱动的或交流驱动的。当图3E中的像素PXL是交流驱动的时，在正向方向上连接的杆状LED LD可发射光，并且在反向方向上连接的杆状LED LD可不发射光。与此同时，当图3E中的像素PXL是直流驱动的时，根据施加的电压的方向在正向方向上连接的杆状LED LD发射光。换言之，在交流驱动期间，图3E的像素PXL中所包括的杆状LED LD可根据电压方向交替地发射光。
图4A至图4C是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的电路图，并且具体地，图4A至图4C是示出形成有源发光显示面板的像素的示例的电路图。在图4A至图4C中，相同的附图标记指代与图3A至图3E的组成元件相同的或类似的组成元件，并且将省略其详细描述。在本发明的一些示例性实施方式中，单元发射区域可包括一个像素PXL。
参考图4A，像素PXL包括一个或多个杆状LED LD以及连接至所述一个或多个杆状LED LD的像素电路144。
杆状LED LD的第一电极(例如，阳极电极)经由像素电路144连接至第一像素电源ELVDD，以及杆状LED LD的第二电极(例如，阴极电极)连接至第二像素电源ELVSS。第一像素电源ELVDD和第二像素电源ELVSS可具有不同的电位。例如，第二像素电源ELVSS可具有比第一像素电源ELVDD的电位低杆状LED LD的阈值电压或更高电压的电位。杆状LED LD中的每个发射具有与由像素电路144控制的驱动电流对应的亮度的光。
此外，图4A示出了其中像素PXL包括仅一个杆状LED LD的示例性实施方式，但本发明的实施方式不限于此。例如，像素PXL可包括并联连接的多个杆状LED LD。
根据本发明的一些示例性实施方式，像素电路144包括第一晶体管M1和第二晶体管M2以及存储电容器Cst。然而，像素电路144的结构不限于图4A中示出的示例性实施方式。
第一晶体管(开关晶体管)M1的第一电极连接至数据线Dj，以及第一晶体管M1的第二电极连接至第一节点N1。在本文中，第一晶体管M1的第一电极和第二电极是不同的电极，并且例如，当第一电极是源电极时，第二电极可以是漏电极。此外，第一晶体管M1的栅电极连接至扫描线Si。当从扫描线Si供应具有可使第一晶体管M1导通的电压(例如，低电压)的扫描信号时，第一晶体管M1导通，以将数据线Dj和第一节点N1电连接。在此情况下，相应帧的数据信号被供应到数据线Dj，并且因此所述数据信号被传输到第一节点N1。传输到第一节点N1的数据信号被充电至存储电容器Cst中。
第二晶体管(驱动晶体管)M2的第一电极连接至第一像素电源ELVDD，以及第二晶体管M2的第二电极连接至杆状LED LD的第一电极。此外，第二晶体管M2的栅电极连接至第一节点N1。第二晶体管M2响应于第一节点N1的电压来控制供应到杆状LED LD的驱动电流的量。
存储电容器Cst的一个电极连接至第一像素电源ELVDD，以及存储电容器Cst的另一电极连接至第一节点N1。存储电容器Cst充有与供应到第一节点N1的数据信号对应的电压，并且维持充电电压直到下一帧的数据信号被供应。
为了便于描述，图4A示出了具有相对简单结构的像素电路144，像素电路144包括用于将数据信号传输到像素PXL的内侧的第一晶体管M1、用于存储数据信号的存储电容器Cst以及用于向杆状LED LD供应与数据信号对应的驱动电流的第二晶体管M2。然而，本公开不限于此，并且像素电路144的结构可被不同地修改和实施。例如，像素电路144还可通常包括一个或多个晶体管元件(诸如，用于补偿第二晶体管M2的阈值电压的晶体管元件、用于初始化第一节点N1的晶体管元件和/或用于控制杆状LED LD的发射时间的晶体管元件)或其它电路元件(诸如，用于升高第一节点N1的电压的升压电容器)。
此外，图4A示出了像素电路144中所包括的所有晶体管(例如，第一晶体管M1和第二晶体管M2)被示出为p-型，但本公开不限于此。换言之，像素电路144中所包括的第一晶体管M1和第二晶体管M2中的至少一个还可改变成n-型晶体管。
参考图4B，根据本发明的一些示例性实施方式，第一晶体管M1和第二晶体管M2可实施为n-型晶体管。除了由晶体管的类型的改变而导致一些元件的连接位置的改变之外，图4B中示出的像素电路144的配置或操作与图4A中示出的像素电路144的配置或操作类似。因此，为了简洁，将省略对类似的配置或操作的一些描述。
参考图4C，根据本发明的一些示例性实施方式，像素PXL可包括在不同方向上连接的多个杆状LED LD。在此情况下，像素PXL可以是直流驱动的或交流驱动的。这已在上文参考图3E进行了描述，所以将省略其详细描述。
图5是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的俯视图，以及图6是沿着图5的线I-I'截取的剖视图。图5和图6示出了适用于作为一种发光设备的发光显示面板的像素，但本公开不限于此。此外，图5示出了其中单元发射区域中包括一个杆状LED的示例性实施方式，但本公开不限于此。例如，可在单元发射区域中设置多个杆状LED。
此外，为了便于说明，图5示出了其中杆状LED在水平方向上对准的情况，但杆状LED的布置不限于此。例如，杆状LED还可在第一反射电极与第二反射电极之间的对角线方向上对准。
此外，在图5中，单元发射区域可以是包括一个像素PXL的像素区域。
参考图5和图6，根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备可包括一个或多个像素PXL。每个像素PXL可包括基板SUB、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、杆状LED LD、第一反射电极REL1和第二反射电极REL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
基板SUB可以以多种板形状设置。基板SUB可具有近似的四边形形状，特别是矩形形状。然而，基板SUB的形状不限于此，并且基板SUB可具有多种形状。例如，基板SUB可以以多种形状设置，诸如，具有包括直边的闭合形状的多边形、包括弯曲边的圆形和椭圆形以及包括由直线和曲线形成的边的半圆形和半椭圆形。在本发明的一些示例性实施方式中，当基板SUB具有直边时，每种形状的拐角中的至少一部分可具有曲线。例如，当基板SUB具有矩形形状时，其中相邻的直边相交的部分可用具有曲率(例如，预定曲率)的曲线代替。换言之，在矩形形状的顶点部分中，两个相邻的端部可连接至两个相邻的直边并且可由具有曲率(例如，预定曲率)的弯曲边形成。曲率可根据位置来不同地设置。例如，曲率可根据曲线的开始位置、曲线的长度等而变化。
基板SUB可由绝缘材料(诸如，玻璃、有机聚合物和晶体)形成。此外，基板SUB可由具有柔性的材料形成以便能够弯曲或能够折叠，并且可具有多层结构或单层结构。
例如，基板SUB可包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，基板SUB的材料可进行不同地改变。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可设置成在基板SUB上彼此间隔开。在本发明的一些示例性实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可设置成在基板SUB上以杆状LEDLD的长度或更长的长度彼此间隔开。
如图6中所示，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可具有梯形形状，所述梯形形状具有与基板SUB接触的一个表面SF1、与所述一个表面SF1相对并且在第一方向DR1上具有比所述一个表面SF1的宽度小的宽度的上表面SF2以及连接所述一个表面SF1和上表面SF2的两个侧表面SF3。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的两个侧表面SF3可具有具备角度(例如，预定角度)的倾角。
在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中，两个侧表面SF3的倾斜度可在使从杆状LEDLD的两个端部部分发射的光的正面效率改善的范围内不同地变化。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以是包括无机材料或有机材料的绝缘材料，但不限于此。
在本发明的一些示例性实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可设置在基板SUB上的相同的平面上，并且可具有相同的高度。
第一反射电极REL1可设置在第一分隔壁PW1上，以及第二反射电极REL2可设置在第二分隔壁PW2上。第一反射电极REL1和第二反射电极REL2比第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2薄，使得第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可设置成与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的形状对应。因此，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2中的每个可具有与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的侧表面SF3的倾斜度对应的倾斜度。
当在平面上观察时，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可设置成在基板SUB上彼此间隔开。在本发明的一些示例性实施方式中，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可在基板SUB上设置成以杆状LED LD的长度或更长的长度彼此间隔开，但不限于此。例如，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可在基板SUB上设置成以比杆状LED LD的长度短的距离彼此间隔开，以分别与杆状LED LD的两个端部部分重叠。这将在下文参考图16进行描述。
在本发明的一些示例性实施方式中，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可设置在基板SUB上的相同的平面上，并且可具有相同的高度。当第一反射电极REL1和第二反射电极REL2具有相同的高度时，杆状LED LD可更稳定地定位在第一反射电极REL1和第二反射电极REL2上。
在本发明的一些示例性实施方式中，为了便于描述，示出了第一反射电极REL1和第二反射电极REL2设置在其上设置有第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的基板SUB上，但本公开不限于此。例如，还可在第一反射电极REL1和第二反射电极REL2与基板SUB之间设置用无源矩阵或有源矩阵驱动发光设备的元件。例如，当用有源矩阵驱动发光设备时，信号线、绝缘层和/或薄膜晶体管可设置在第一反射电极REL1和第二反射电极REL2与基板SUB之间。信号线可包括扫描线和数据线，以及薄膜晶体管可连接至信号线并且可包括栅电极、半导体图案、源电极和漏电极。源电极和漏电极中的任何一个可连接至第一反射电极REL1和第二反射电极REL2当中的任何一个反射电极，以及数据线的数据信号可通过薄膜晶体管施加到所述一个反射电极。此处，信号线、绝缘层和/或薄膜晶体管可通常以各种数目并且以各种形状设置。这将在下文参考图17和图18进行描述。
第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可由导电材料形成。导电材料可包括金属(诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr及其合金)、导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO))以及导电聚合物(诸如，PEDOT)等。此外，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可由单个层形成，但不限于此，并且可由其中层叠有金属、合金、导电氧化物和导电聚合物之中的两种或更多种材料的多个层形成。
此处，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的材料不限于以上提到的材料。例如，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可由具有均匀反射率的导电材料形成，使得从杆状LED LD的两个端部部分发射的光在图像所显示的方向(例如，正面方向)上移动。此外，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可由与第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的材料不同的材料形成。
第一反射电极REL1可通过接触孔H连接至第一电极线S，并且可接收施加到第一电极线S的电压。第二反射电极REL2可从第二电极线D延伸并连接至第二电极线D，并且可接收施加到第二电极线D的电压。因此，可在第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间形成电场。
杆状LED LD可在基板SUB上设置在第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间。杆状LED LD的自对准可由第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间形成的电场引起。此处，杆状LED LD可设置成在第一方向DR1上延伸的杆形状。
杆状LED LD可包括第一导电半导体层11和第二导电半导体层13(参见图1)以及插置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的有源层12(参见图1)。
杆状LED LD可具有沿着第一方向DR1的第一端部部分EP1和第二端部部分EP2。第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可设置在第一端部部分EP1处，以及第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可设置在第二端部部分EP2处。
用于将第一反射电极REL1和杆状LED LD的第一端部部分EP1稳定地电连接和/或物理连接的第一接触电极CNE1可设置在第一反射电极REL1上。
第一接触电极CNE1可与第一反射电极REL1的上部部分欧姆接触。第一接触电极CNE1可由透明导电材料(诸如，ITO、IZO和ITZO)形成，以允许从杆状LED LD发射的光穿过，但不限于此。例如，第一接触电极CNE1可由包括Al、Ti、Cr等的导电材料形成，所述导电材料的逸出功小于约4.1eV。
当在平面上观察时，第一接触电极CNE1可覆盖第一反射电极REL1并且与第一反射电极REL1重叠。此外，第一接触电极CNE1可与杆状LED LD的第一端部部分EP1部分地重叠。
用于将第二反射电极REL2和杆状LED LD的第二端部部分EP2稳定地电连接和/或物理连接的第二接触电极CNE2可设置在第二反射电极REL2上。
第二接触电极CNE2可与第二反射电极REL2的上部部分欧姆接触。第二接触电极CNE2可由与第一接触电极CNE1的材料相同的材料形成，但不限于此。例如，第二接触电极CNE2可由包括Ni、ITO等的导电材料形成，所述导电材料的逸出功大于约7.5eV。
当在平面上观察时，第二接触电极CNE2可覆盖第二反射电极REL2并且与第二反射电极REL2重叠。此外，第二接触电极CNE2可与杆状LED LD的第二端部部分EP2部分地重叠。
在下文中，根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的结构将参考图5和图6来根据层叠顺序进行描述。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可设置在基板SUB上。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可设置成在基板SUB上彼此间隔开。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可由绝缘材料形成。
第一反射电极REL1可设置在第一分隔壁PW1上，以及第二反射电极REL2可设置在第二分隔壁PW2上。第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中相应的分隔壁上设置在相同的平面上，并且可具有与相应的分隔壁的高度相同的高度。此外，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可由相同的材料形成。第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可设置成在基板SUB上彼此间隔开。
杆状LED LD可在第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间对准。杆状LED LD的自对准可由第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间形成的电场引起。杆状LED LD可在基板SUB上设置成使得杆状LED LD的两个端部部分(即，第一端部部分EP1和第二端部部分EP2)与第一反射电极REL1和第二反射电极REL2不重叠。
覆盖杆状LED LD的上表面的一部分的第一钝化层PSV1可设置在杆状LED LD上。因此，杆状LED LD的第一端部部分EP1和第二端部部分EP2可暴露于外部。此处，第一钝化层PSV1可包括无机绝缘材料和有机绝缘材料当中的任何一种绝缘材料。
第一接触电极CNE1可设置在其上设置有第一钝化层PSV1的基板SUB上。第一接触电极CNE1可覆盖第一反射电极REL1并且可连接至第一反射电极REL1。此外，当在平面上观察时，第一接触电极CNE1可与杆状LED LD的第一端部部分EP1重叠，并且可连接至杆状LEDLD的第一端部部分EP1。因此，杆状LED LD的第一端部部分EP1和第一反射电极REL1可通过第一接触电极CNE1电连接和/或物理连接。
第二钝化层PSV2可设置在其上设置有第一接触电极CNE1的基板SUB上。第二钝化层PSV2可在基板SUB上设置成覆盖第一接触电极CNE1和第一钝化层PSV1。此外，第二钝化层PSV2可包括用于将杆状LED LD的第二端部部分EP2和第二反射电极REL2暴露于外部的开口。此处，第二钝化层PSV2可由与第一钝化层PSV1的材料相同的材料形成，但不限于此。
第二接触电极CNE2可设置在其上设置有第二钝化层PSV2的基板SUB上。第二接触电极CNE2可覆盖第二反射电极REL2并且可连接至第二反射电极REL2。此外，当在平面上观察时，第二接触电极CNE2可与杆状LED LD的第二端部部分EP2重叠，并且可连接至杆状LEDLD的第二端部部分EP2。因此，杆状LED LD的第二端部部分EP2和第二反射电极REL2可通过第二接触电极CNE2电连接和/或物理连接。
如上所述，第二接触电极CNE2设置在第一接触电极CNE1上，使得第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可设置在不同的层上。在此情况下，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个可形成为包括不同的材料。例如，第一接触电极CNE1可由包括Al、Ti、Cr等的导电材料形成，所述导电材料的逸出功小于约4.1eV，以供杆状LED LD的第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的任何一个与第一反射电极REL1之间的欧姆接触。第二接触电极CNE2可由包括Ni、ITO等的导电材料形成，所述导电材料的逸出功大于约7.5eV，以供杆状LED LD的第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个与第二反射电极REL2之间的欧姆接触。.
第三钝化层PSV3可设置在其上设置有第二接触电极CNE2的基板SUB上。第三钝化层PSV3可防止氧气和湿气渗透到杆状LED LD中。第三钝化层PSV3可包括无机层。无机层可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆和氧化锡中的至少一种。
如上所述，在根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可由绝缘材料形成，这使得与导电材料相比第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的厚度和倾斜度能够相对容易地调节。在此情况下，可通过调节第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的高度和倾斜度来容易地改变设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的上表面SF2和侧表面SF3上的第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的高度和倾斜度。因此，可以容易地调节第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的高度和倾斜度，从而改善杆状LED LD的正面发光效率。例如，在当第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的倾斜度为约45°至50°时杆状LED LD的正面发光效率为最佳的情况下，可通过调节第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的高度和倾斜度来容易地调节第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的高度和倾斜度。
在现有的发光设备中，从杆状LED LD的两个端部部分发射的光通过第一反射电极REL1和第二反射电极REL2在正面方向上移动，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2具有某一级别(例如，预定级别)或更高级别的高度和倾斜度并且由单种金属材料形成。因为第一反射电极REL1和第二反射电极REL2具有所述级别(例如，预定级别)或更高级别的高度和倾斜度并且由单种金属材料形成，所以可能不容易改变第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的高度和倾斜度以改善杆状LED LD的正面发光效率。
在此方面，在本发明的一些示例性实施方式中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可设置在第一反射电极REL1和第二反射电极REL2下方以分别与第一反射电极REL1和第二反射电极REL2对应，并且可通过调节第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的高度和倾斜度来容易地调节第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的高度和倾斜度。因此，可改善杆状LEDLD的正面发光效率。
此外，在根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备中，可通过容易地调节第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的高度和倾斜度而使杆状LED LD在期望的方向上对准。因此，可使杆状LED LD的对准缺陷最小化。
此外，在根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可设置在不同的层上，并且可形成为包括不同的材料。在此情况下，与其中第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2设置在相同的层上且形成为包括相同的材料的一般的发光设备相比，可确保精细图案工艺的工艺裕度。此处，精细图案工艺可意指执行图案化以使得设置在基板SUB上的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以间距(例如，预定间距)彼此间隔开的工艺。
此外，在根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2形成为包括不同的材料以将第一反射电极REL1和第二反射电极REL2与杆状LED LD快速地电连接和/或物理连接，从而进一步改善杆状LED LD的发光效率。
图7至图14是顺序地示出制造图6中所示的发光设备的方法的剖视图。
参考图6和图7，可在基板SUB上形成第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可在基板SUB上彼此间隔开。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中的每个可具有梯形形状，所述梯形形状包括与基板SUB接触的一个表面SF1、与所述一个表面SF1相对的上表面SF2以及连接所述一个表面SF1和上表面SF2的两个侧表面SF3。此处，上表面SF2在基板SUB的第一方向DR1(参见图5)上的宽度可小于所述一个表面SF1在第一方向DR1上的宽度。此外，两个侧表面SF3可具有具备角度(例如，预定角度)的倾斜度。第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可设置在相同的平面上，并且可具有相同的高度。
参考图6和图8，可在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上形成第一反射电极REL1和第二反射电极REL2。可在第一分隔壁PW1上形成第一反射电极REL1，以及可在第二分隔壁PW2上形成第二反射电极REL2。第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可以以间距(例如，预定间距)彼此间隔开。第一反射电极REL1可与第一分隔壁PW1的形状对应，以及第二反射电极REL2可与第二分隔壁PW2的形状对应。因此，第一反射电极REL1可具有与第一分隔壁PW1的倾斜度对应的倾斜度，以及第二反射电极REL2可具有与第二分隔壁PW2的倾斜度对应的倾斜度。
参考图6和图9，在其上设置有第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的基板SUB上注入杆状LED LD并使杆状LED LD对准。可通过使用喷墨印刷方法等来注入杆状LED LD，但本发明的实施方式不限于此。在通过使用喷墨印刷方法等注入杆状LED LD之后(或者在与注入杆状LED LD相同的时间处)，可通过第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间形成的电场来引起杆状LED LD的自对准。因此，可将杆状LED LD设置在第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间。此处，杆状LED LD的两个端部部分(即，第一端部部分EP1和第二端部部分EP2)可与第一反射电极REL1和第二反射电极REL2不重叠。
参考图6和图10，将绝缘材料层施加到其上设置有杆状LED LD的基板SUB的正表面上，可通过使用掩模工艺等来形成覆盖杆状LED LD的上表面的一部分的第一钝化层PSV1。此处，可图案化第一钝化层PSV1以暴露杆状LED LD的第一端部部分EP1和第二端部部分EP2，但不限于此。例如，可通过掩模工艺来图案化第一钝化层PSV1以暴露杆状LED LD的第一端部部分EP1，并且随后，可与通过后续工艺形成的第二钝化层PSV2一起图案化以暴露杆状LED LD的第二端部部分EP2。
参考图6和图11，可在其上设置有第一钝化层PSV1的基板SUB上形成第一接触电极CNE1。第一接触电极CNE1可覆盖第一反射电极REL1并且可连接至第一反射电极REL1。此外，第一接触电极CNE1可覆盖杆状LED LD的第一端部部分EP1。第一接触电极CNE1可将第一反射电极REL1和杆状LED LD的第一端部部分EP1电连接和/或物理连接。
参考图6和图12，将绝缘材料层施加到其上设置有第一接触电极CNE1的基板SUB的正表面上，并且随后可通过使用掩模工艺等来形成覆盖第一接触电极CNE1和第一钝化层PSV1的第二钝化层PSV2。第一钝化层PSV1和第二钝化层PSV2可形成为包括相同的绝缘材料，但不限于此。此处，第二钝化层PSV2可包括用于将杆状LED LD的第二端部部分EP2和第二反射电极REL2暴露于外部的开口。
参考图6和图13，可在其上设置有第二钝化层PSV2的基板SUB上形成第二接触电极CNE2。第二接触电极CNE2可覆盖第二反射电极REL2并且可连接至第二反射电极REL2。此外，第二接触电极CNE2可覆盖杆状LED LD的第二端部部分EP2。第二接触电极CNE2可将第二反射电极REL2和杆状LED LD的第二端部部分EP2电连接和/或物理连接。
参考图6和图14，可在其上设置有第二接触电极CNE2的基板SUB上形成第三钝化层PSV3。第三钝化层PSV3可覆盖第二钝化层PSV2和第二接触电极CNE2，以防止氧气和湿气渗透到杆状LED LD中。
图15是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的示图，并且图15是沿着图5的线I-I'截取的剖视图。在本发明的一些示例性实施方式中，为了避免重复描述，将主要描述与示例性实施方式的内容不同的内容。未在本示例性实施方式中具体描述的部分遵循以上提到的示例性实施方式的部分，以及相同的附图标记指代相同的元件，并且相似的附图标记指代相似的元件。在图5和图15中，单元发射区域可以是包括一个像素PXL的像素区域。
参考图5和图15，根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备可包括一个或多个像素PXL。每个像素PXL可包括基板SUB、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、杆状LED LD、第一反射电极REL1和第二反射电极REL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可设置成在基板SUB上以间距(例如，预定间距)彼此间隔开，并且可形成为包括绝缘材料，这使得能够相对容易地调节第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的厚度和倾斜度。
第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可分别设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中相应的分隔壁上。例如，第一反射电极REL1可设置在第一分隔壁PW1上，以及第二反射电极REL2可设置在第二分隔壁PW2上。
杆状LED LD可在基板SUB上设置在第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间。杆状LED LD可包括第一导电半导体层11和第二导电半导体层13(参见，例如图1)以及插置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的有源层12(参见，例如图1)。
此处，杆状LED LD的外周表面可由绝缘膜IL覆盖。绝缘膜IL可以是用于防止当杆状LED LD的有源层12与第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2接触时可产生电短路的元件。在本发明的一些示例性实施方式中，示出了绝缘膜IL包围杆状LED LD的外周表面中除了第一端部部分EP1和第二端部部分EP2之外的剩余部分，但本公开不限于此。例如，绝缘膜IL可覆盖杆状LED LD的包括第一端部部分EP1和第二端部部分EP2的整个外周表面，以防止杆状LED LD的耐用性劣化。绝缘膜IL可包括从由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2组成的组中选择的一种或多种绝缘材料，但不限于此，并且可使用具有绝缘性质的多种材料。
第一钝化层PSV1可设置在外周表面由绝缘膜IL覆盖的杆状LED LD上。第一钝化层PSV1可覆盖绝缘膜IL的一部分和杆状LED LD的一部分。
第一接触电极CNE1可设置在其上设置有第一钝化层PSV1的基板SUB上。第一接触电极CNE1可覆盖第一反射电极REL1并且可连接至第一反射电极REL1。此外，第一接触电极CNE1可与杆状LED LD的第一端部部分EP1重叠，并且可连接至杆状LED LD的第一端部部分EP1。
第二钝化层PSV2可设置在其上设置有第一接触电极CNE1的基板SUB上。
第二接触电极CNE2可设置在其上设置有第二钝化层PSV2的基板SUB上。第二接触电极CNE2可覆盖第二反射电极REL2并且可连接至第二反射电极REL2。此外，第二接触电极CNE2可与杆状LED LD的第二端部部分EP2重叠，并且可连接至杆状LED LD的第二端部部分EP2。
第三钝化层PSV3可设置在其上设置有第二接触电极CNE2的基板SUB上。
图16是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的示图，并且图16是沿着图5的线I-I'截取的剖视图。在本发明的一些示例性实施方式中，为了避免重复描述，将主要描述与示例性实施方式的内容不同的内容。未在本示例性实施方式中具体描述的部分遵循以上提到的示例性实施方式的部分，以及相同的附图标记指代相同的元件，并且相似的附图标记指代相似的元件。在图5和图16中，单元发射区域可以是包括一个像素PXL的像素区域。
参考图5和图16，根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备可包括一个或多个像素PXL。每个像素PXL可包括基板SUB、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2、杆状LED LD、第一反射电极REL1和第二反射电极REL2以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。此外，像素PXL还可包括设置在基板SUB与杆状LED LD之间的支撑构件SM。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可设置成在基板SUB上以间距(例如，预定间距)彼此间隔开，并且可形成为包括绝缘材料，这使得能够相对容易地调节第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的厚度和倾斜度。
第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可分别设置在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2中相应的分隔壁上。例如，第一反射电极REL1可设置在第一分隔壁PW1上，以及第二反射电极REL2可设置在第二分隔壁PW2上。
当在平面上观察时，第一反射电极REL1和第二反射电极REL2可设置在基板SUB上，同时以比杆状LED LD的距离短的距离彼此间隔开，以分别与杆状LED LD的两个端部部分重叠。换言之，当在平面上观察时，第一反射电极REL1可设置在第一分隔壁PW1上以与杆状LEDLD的两个端部部分当中的第一端部部分EP1重叠。此外，当在平面上观察时，第二反射电极REL2可设置在第二分隔壁PW2上以与和第一端部部分EP1相对的第二端部部分EP2重叠。因此，杆状LED LD的第一端部部分EP1可设置在第一反射电极REL1上，以及杆状LED LD的第二端部部分EP2可设置在第二反射电极REL2上。
支撑构件SM可设置在杆状LED LD与基板SUB之间。例如，支撑构件SM可设置在基板SUB上以填充基板SUB与杆状LED LD之间的竖直空间。支撑构件SM稳定地支撑杆状LED LD，从而防止在第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间对准的杆状LED LD偏离。支撑构件SM可包括绝缘材料。在本发明的一些示例性实施方式中，支撑构件SM可具有与第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的高度相同的高度，但不限于此。例如，支撑构件SM还可具有与第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的高度不同的高度。
杆状LED LD可在支撑构件SM上对准。在此情况下，杆状LED LD的第一端部部分EP1可与第一反射电极REL1对应，杆状LED LD的第二端部部分EP2可与第二反射电极REL2对应，以及杆状LED LD中除了第一端部部分EP1和第二端部部分EP2之外的剩余部分可与支撑构件SM对应。
第一钝化层PSV1可设置在杆状LED LD上。第一钝化层PSV1可覆盖杆状LED LD的一部分。
第一接触电极CNE1可设置在其上设置有第一钝化层PSV1的基板SUB上。第一接触电极CNE1可设置在第一反射电极REL1和杆状LED LD的第一端部部分EP1上，并且将第一反射电极REL1和杆状LED LD的第一端部部分EP1电连接和/或物理连接。
第二钝化层PSV2可设置在其上设置有第一接触电极CNE1的基板SUB上。
第二接触电极CNE2可设置在其上设置有第二钝化层PSV2的基板SUB上。第二接触电极CNE2可设置在第二反射电极REL2和杆状LED LD的第二端部部分EP2上，并且将第二反射电极REL2和杆状LED LD的第二端部部分EP2电连接和/或物理连接。
第三钝化层PSV3可设置在其上设置有第二接触电极CNE2的基板SUB上。
图17是示出根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的单元发射区域的俯视图，以及图18是沿着图17的线II-II'截取的剖视图。
图17和图18示出了适用于作为一种发光设备的发光显示面板的像素，但本公开不限于此。此外，图17示出了其中单元发射区域中包括多个杆状LED的示例性实施方式，但本公开不限于此。例如，可在单元发射区域中设置一个杆状LED。
此外，为了便于说明，图17示出了其中多个杆状LED在水平方向上对准的情况，但多个杆状LED的布置不限于此。例如，多个杆状LED还可在第一反射电极与第二反射电极之间的对角线方向上对准。
此外，在图17中，为了便于说明，省略了连接至多个杆状LED的薄膜晶体管和连接至薄膜晶体管的信号线的图示。
在本发明的一些示例性实施方式中，为了避免重复描述，将主要描述与示例性实施方式的内容不同的内容。未在本示例性实施方式中具体描述的部分遵循以上提到的示例性实施方式的部分，以及相同的附图标记指代相同的元件，并且相似的附图标记指代相似的元件。在图17中，单元发射区域可以是包括一个像素PXL的像素区域，所述像素PXL包括第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3。
参考图17和图18，根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备可包括一个或多个像素PXL。每个像素PXL可包括第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3。
第一子像素SPXL1可包括基板SUB、第一杆状LED LD1、设置在基板SUB与第一杆状LED LD1之间的电路元件单元以及第一反射电极REL1和第二反射电极REL2。
第二子像素SPXL2可包括基板SUB、第二杆状LED LD2、设置在基板SUB与第二杆状LED LD2之间的电路元件单元以及第一反射电极REL1和第二反射电极REL2。
第三子像素SPXL3可包括基板SUB、第三杆状LED LD3、设置在基板SUB与第三杆状LED LD3之间的电路元件单元以及第一反射电极REL1和第二反射电极REL2。
设置在第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3中的每个中的电路元件单元可包括第一晶体管T1和第二晶体管T2以及设置在基板SUB上的存储电容器Cst。
第一晶体管T1可以是用于将数据信号传送到第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3中相应的子像素中的开关晶体管，以及第二晶体管T2可以是用于将与数据信号对应的驱动电流供应到第一杆状LED LD1、第二杆状LED LD2和第三杆状LED LD3中相应的杆状LED的驱动晶体管。存储电容器Cst可充有与数据信号对应的电压，并且可维持充电电压直到下一帧的数据信号被供应。
第一杆状LED LD1、第二杆状LED LD2和第三杆状LED LD3中的每个可以是发射不同颜色的光的发光二极管。例如，第一杆状LED LD1可以是发射红光的红色发光二极管，第二杆状LED LD2可以是发射绿光的绿色发光二极管，以及第三杆状LED LD3可以是发射蓝光的蓝色发光二极管。
第一杆状LED LD1的两个端部部分当中的第一端部部分EP1可连接至第一反射电极REL1，所述第一反射电极REL1连接至在基板SUB的第一方向DR1上延伸的第一电极线SL。第一杆状LED LD1的两个端部部分当中的第二端部部分EP2可连接至第二反射电极REL2，所述第二反射电极REL2连接至在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的第一-第二电极线DL1。
第二杆状LED LD2的两个端部部分当中的第一端部部分EP1可连接至第一反射电极REL1，所述第一反射电极REL1连接至第一电极线SL。第二杆状LED LD2的两个端部部分当中的第二端部部分EP2可连接至第二反射电极REL2，所述第二反射电极REL2连接至在第二方向DR2上延伸的第二-第二电极线DL2。
第三杆状LED LD3的两个端部部分当中的第一端部部分EP1可连接至第一反射电极REL1，所述第一反射电极REL1连接至第一电极线SL。第三杆状LED LD3的两个端部部分当中的第二端部部分EP2可连接至第二反射电极REL2，所述第二反射电极REL2连接至在第二方向DR2上延伸的第三-第二电极线DL3。
在本发明的一些示例性实施方式中，除了第一子像素SPXL1的第一杆状LED LD1之外，第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3可以以与第一子像素SPXL1相同的形式设置。因此，对第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3的描述将用对第一子像素SPXL1的描述代替。
第一子像素SPXL1还可包括分隔壁PW以及第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
分隔壁PW可在基板SUB上设置成多个并且可彼此间隔开。如图18中所示，分隔壁PW可具有梯形形状，所述梯形形状包括与基板SUB接触的一个表面SF1、与所述一个表面SF1相对的上表面SF2以及连接所述一个表面SF1和上表面SF2的两个侧表面SF3。
第一反射电极REL1可设置在分隔壁PW上。第一反射电极REL1可设置成与分隔壁PW的形状对应。因此，第一反射电极REL1可具有与相应的分隔壁PW的倾斜度相同的或类似的倾斜度。
第一反射电极REL1和分隔壁PW可由不同的材料形成。例如，第一反射电极REL1可由导电材料形成，以及分隔壁PW可由绝缘材料形成。此处，第二反射电极REL2可包括与第一反射电极REL1的材料相同的材料。
第一反射电极REL1可通过第一接触孔CH1连接至第一电极线SL，并且可接收施加到第一电极线SL的电压。第二反射电极REL2可从第一-第二电极线DL1延伸并连接至第一-第二电极线DL1，并且可接收施加到第一-第二电极线DL1的电压。因此，可在第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间形成电场。
当在平面上观察时，连接至第一电极线SL的第一反射电极REL1可分支到第二反射电极REL2的左侧和右侧。因此，第二反射电极REL2与分支的第一反射电极REL1可交替地设置在基板SUB上。具体地，当在平面上观察时，第二反射电极REL2可设置在分支的第一反射电极REL1之间。在此情况下，可在第二反射电极REL2与分支到第二反射电极REL2的左侧的第一反射电极REL1之间形成电场。此外，可在第二反射电极REL2与分支到第二反射电极REL2的右侧的第一反射电极REL1之间形成电场。为了便于描述，在下文中，分支到第二反射电极REL2左侧的第一反射电极REL1将被称为第一-第一反射电极REL1，以及分支到第二反射电极REL2右侧的第一反射电极REL1将被称为第二-第一反射电极REL1。
第一杆状LED LD1可在基板SUB上设置在第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间。具体地，第一杆状LED LD1可设置在第一-第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间以及第二反射电极REL2与第二-第一反射电极REL1之间。为了便于描述，设置在第一-第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间的第一杆状LED LD1将被称为第一-第一杆状LEDLD1，以及设置在第二反射电极REL2与第二-第一反射电极REL1之间的第一杆状LED LD1将被称为第二-第一杆状LED LD1。第一-第一杆状LED LD1的自对准可通过第一-第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间形成的电场引起。第二-第一杆状LED LD1的自对准可通过第二-第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间形成的电场引起。此处，第二-第一杆状LED LD1的两个端部部分(即，第一端部部分EP1和第二端部部分EP2)可设置成与第一-第一杆状LED LD1的两个端部部分(即，第一端部部分EP1和第二端部部分EP2)相对。换言之，第一-第一杆状LED LD1的第二端部部分EP2和第二-第一杆状LED LD1的第二端部部分EP2可设置在基板SUB上，同时彼此面对。
用于将第一-第一杆状LED LD1的第一端部部分EP1和第一-第一反射电极REL1电连接和/或物理连接的第一接触电极CNE1可设置在第一-第一反射电极REL1上。此外，用于将第二-第一反射电极REL1和第二-第一杆状LED LD1的第一端部部分EP1稳定地电连接和/或物理连接的第一接触电极CNE1可设置在第二-第一反射电极REL1上。当在平面上观察时，第一接触电极CNE1可分别覆盖第一-第一反射电极REL1和第二-第一反射电极REL1，并且分别与第一-第一反射电极REL1和第二-第一反射电极REL1重叠。此外，第一接触电极CNE1可与第一-第一杆状LED LD1和第二-第一杆状LED LD1中的每个的第一端部部分EP1重叠。
用于将第二反射电极REL2与第一-第一杆状LED LD1和第二-第一杆状LED LD1中的每个的第二端部部分EP2稳定地电连接和/或物理连接的第二接触电极CNE2可设置在第二反射电极REL2上。当在平面上观察时，第二接触电极CNE2可覆盖第二反射电极REL2并且与第二反射电极REL2重叠。此外，第二接触电极CNE2可与第一-第一杆状LED LD1和第二-第一杆状LED LD1中的每个的第二端部部分EP2重叠。
在下文中，根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备的结构将参考图17和图18根据层叠顺序进行描述。
缓冲层BFL可设置在基板SUB上。缓冲层BFL可防止杂质从基板SUB扩散，并且可改善基板SUB的平坦程度。缓冲层BFL可由单个层设置成，但还可由包括两个或更多个层的多个层设置成。缓冲层BFL可以是由无机材料形成的无机绝缘层。
第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个中所包括的半导体图案SA可设置在缓冲层BFL上。半导体图案SA可包括源极区域、漏极区域和设置在源极区域与漏极区域之间的沟道区域。
栅极绝缘层GI可设置在其上设置有半导体图案SA的基板SUB上。
第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个中所包括的栅电极GE可设置在栅极绝缘层GI上。此外，第一电极线SL可设置在栅极绝缘层GI上。此处，栅电极GE可连接至施加有扫描信号的扫描线。
第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2可设置在其上设置有栅电极GE等的基板SUB上。
第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每个中所包括的第一电极EL1和第二电极EL2可设置在第二层间绝缘层ILD2上。此外，桥接图案BRP可设置在第二层间绝缘层ILD2上。
第一电极EL1和第二电极EL2是不同的电极，并且例如，当第一电极EL1是漏电极时，第二电极EL2可以是源电极。在此情况下，第二晶体管T2的第一电极EL1可连接至第二反射电极REL2。
桥接图案BRP可通过第一接触孔CH1连接至第一电极线SL，所述第一接触孔CH1顺序地穿过第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2。
绝缘层INS可设置在其上设置有桥接图案BRP等的基板SUB上。绝缘层INS可以是包括有机材料的有机绝缘材料。
分隔壁PW可设置在绝缘层INS上。分隔壁PW可设置在绝缘层INS上，同时以间距(例如，预定间距)彼此间隔开。此外，限定发光设备的单元发射区域的像素限定层PDL可设置在绝缘层INS上。像素限定层PDL和分隔壁PW可由相同的绝缘材料形成，并且可设置在相同的层上。
第一-第一反射电极REL1和第二-第一反射电极REL1以及第二反射电极REL2可设置在其上设置有分隔壁PW的基板SUB上。因此，第一-第一反射电极REL1和第二-第一反射电极REL1以及第二反射电极REL2可设置在基板SUB上，同时以间距(例如，预定间距)彼此间隔开。例如，当在平面上观察时，第二反射电极REL2可设置在第一-第一反射电极REL1与第二-第一反射电极REL1之间。
此处，第一-第一反射电极REL1可通过穿过绝缘层INS的第二接触孔CH2连接至桥接图案BRP。因此，第一-第一反射电极REL1可通过桥接图案BRP以及第一接触孔CH1和第二接触孔CH2连接至第一电极线SL。因此，施加到第一电极线SL的电压可施加到第一-第一反射电极REL1。第二-第一反射电极REL1从第一-第一反射电极REL1分支，使得施加到第一电极线SL的电压也可施加到第二-第一反射电极REL1。
第二反射电极REL2可通过绝缘层INS的将第二晶体管T2的第一电极EL1暴露的开口连接至第二晶体管T2的第一电极EL1。此外，第二反射电极REL2可从第一-第二电极线DL1延伸以连接至第一-第二电极线DL1。最后，施加到第二晶体管T2的第一电极EL1的电压可施加到第一-第二电极线DL1和第二反射电极REL2。
第一-第一杆状LED LD1可在第一-第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间对准。此外，第二-第一杆状LED LD1可在第二-第一反射电极REL1与第二反射电极REL2之间对准。
覆盖第一-第一杆状LED LD1和第二-第一杆状LED LD1中的每个的上表面的一部分的第一钝化层PSV1可设置在第一-第一杆状LED LD1和第二-第一杆状LED LD1上。因此，第一-第一杆状LED LD1和第二-第一杆状LED LD1中的每个的第一端部部分EP1和第二端部部分EP2可暴露于外部。
第一接触电极CNE1可设置在其上设置有第一钝化层PSV1的基板SUB上。第一接触电极CNE1可覆盖第一-第一反射电极REL1和第二-第一反射电极REL1，并且可连接至相应的第一反射电极REL1。此外，第一接触电极CNE1可覆盖第一-第一杆状LED LD1和第二-第一杆状LED LD1中的每个的第一端部部分EP1。第一接触电极CNE1可将第一-第一反射电极REL1和第一-第一杆状LED LD1的第一端部部分EP1电连接和/或物理连接。此外，第一接触电极CNE1可将第二-第一反射电极REL1和第二-第一杆状LED LD1的第一端部部分EP1电连接和/或物理连接。
第二钝化层PSV2可设置在其上设置有第一接触电极CNE1的基板SUB上。
第二接触电极CNE2可设置在其上设置有第二钝化层PSV2的基板SUB上。第二接触电极CNE2可覆盖第二反射电极REL2并且可连接至第二反射电极REL2。此外，第二接触电极CNE2可覆盖第一-第一杆状LED LD1和第二-第一杆状LED LD1中的每个的第二端部部分EP2。第二接触电极CNE2可将第二反射电极REL2的一侧和第一-第一杆状LED LD1的第二端部部分EP2电连接和/或物理连接。此外，第二接触电极CNE2可将第二反射电极REL2的另一侧和第二-第一杆状LED LD1的第二端部部分EP2电连接和/或物理连接。
第三钝化层PSV3可设置在其上设置有第二接触电极CNE2的基板SUB上。第三钝化层PSV3可覆盖第二钝化层PSV2和第二接触电极CNE2，以防止氧气和湿气渗透到第一杆状LED LD1中。
如上所述，在根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备中，可通过在第一-第一反射电极REL1和第二-第一反射电极REL1下方设置分隔壁PW并调节分隔壁PW的高度和倾斜度来容易地调节第一-第一反射电极REL1和第二-第一反射电极REL1的高度和倾斜度。因此，可改善第一-第一杆状LED LD1和第二-第一杆状LED LD1的正面发光效率。
此外，在根据本发明的一些示例性实施方式的发光设备中，可通过容易地调节第一-第一反射电极REL1和第二-第一反射电极REL1的高度和倾斜度而使第一-第一杆状LEDLD1和第二-第一杆状LED LD1在期望的方向上对准。因此，可使第一-第一杆状LED LD1和第二-第一杆状LED LD1的对准缺陷最小化。
图19至图27是顺序地示出制造图18中所示的发光设备的方法的剖视图。
参考图18和图19，可在基板SUB上形成第一晶体管T1和第二晶体管T2以及桥接图案BRP。可在第一晶体管T1和第二晶体管T2以及桥接图案BRP上形成绝缘层INS，所述绝缘层INS包括暴露桥接图案BRP的一部分的第二接触孔CH2和暴露第二晶体管T2的第一电极EL1的一部分的开口。
参考图18和图20，可在其上形成有桥接图案BRP等的基板SUB上形成分隔壁PW和像素限定层PDL。分隔壁PW和像素限定层PDL可以以间距(例如，预定间距)在基板SUB上彼此间隔开。分隔壁PW可具有梯形形状，所述梯形形状包括与基板SUB接触的一个表面SF1、与所述一个表面SF1相对的上表面SF2以及连接所述一个表面SF1和上表面SF2的两个侧表面SF3，并且设置的分隔壁PW的数目是两个或更多个。
参考图18和图21，可在其上形成有分隔壁PW等的基板SUB上形成第一反射电极REL1和第二反射电极REL2。第一反射电极REL1可形成在分隔壁PW上并且可通过第二接触孔CH2连接至桥接图案BRP。第二反射电极REL2可通过绝缘层INS的开口连接至第二晶体管T2的第一电极EL1。如图17中所示，第一反射电极REL1可分支并且设置在第二反射电极REL2的左侧处和右侧处。第一反射电极REL1可具有与分隔壁PW的倾斜度对应的倾角。
参考图18和图22，可在其上设置有第一反射电极REL1和第二反射电极REL2的基板SUB上使第一杆状LED LD1对准。可在第二反射电极REL2与设置在第二反射电极REL2的左侧处的第一反射电极REL1之间使第一杆状LED LD1对准。此外，可在第二反射电极REL2与设置在第二反射电极REL2的右侧处的第一反射电极REL1之间使第一杆状LED LD1对准。
参考图18和图23，将绝缘材料层施加到设置有第一杆状LED LD1的基板SUB的正表面上，并且随后，可通过使用掩模工艺等来形成覆盖像素限定层PDL以及第一杆状LED LD1的上表面的一部分和第二端部部分EP2的绝缘图案PSV1'。此处，第一杆状LED LD1的第一端部部分EP1可暴露于外部。
参考图18和图24，可在形成有绝缘图案PSV1'的基板SUB上形成第一接触电极CNE1。第一接触电极CNE1可覆盖第一反射电极REL1并且可连接至第一反射电极REL1。此外，第一接触电极CNE1可覆盖第一杆状LED LD1的第一端部部分EP1。第一接触电极CNE1可将第一反射电极REL1和第一杆状LED LD1的第一端部部分EP1电连接和/或物理连接。
参考图18和图25，将绝缘材料层施加到其上形成有第一接触电极CNE1的基板SUB的正表面上，并且随后可通过使用掩模工艺等来形成暴露第二反射电极REL2和第一杆状LED LD1的第二端部部分EP2的第二钝化层PSV2。此处，图24中示出的绝缘图案PSV1'可通过掩模工艺在相同的时间处图案化以成为暴露第一杆状LED LD1的第二端部部分EP2和第二反射电极REL2的第一钝化层PSV1。
参考图18和26，可在其上形成有第二钝化层PSV2的基板SUB上形成第二接触电极CNE2。第二接触电极CNE2可覆盖第二反射电极REL2并且可连接至第二反射电极REL2。此外，第二接触电极CNE2可覆盖第一杆状LED LD1的第二端部部分EP2。第二接触电极CNE2可将第二反射电极REL2和第一杆状LED LD1的第二端部部分EP2电连接和/或物理连接。
参考图18和图27，可在其上设置有第二接触电极CNE2的基板SUB上形成第三钝化层PSV3。第三钝化层PSV3可覆盖第二钝化层PSV2和第二接触电极CNE2，以防止氧气和湿气渗透到第一杆状LED LD1中。
根据本发明的实施方式的发光设备可应用于多种显示设备。显示设备可包括以上提到的包括像素区域的基板SUB、位于像素区域中并且具有一个或多个薄膜晶体管的像素PXL以及上述示例性实施方式中的任何一种发光设备。例如，发光设备可应用于电视机、笔记本电脑、移动电话、智能电话、智能平板(PD)、便携式多媒体播放器(PDP)、个人数字助理(PDA)、导航设备、多种可穿戴设备(诸如，智能手表)等。
虽然本发明的一些示例性实施方式的方面已经参考一些示例性实施方式进行了描述，但是本领域技术人员可理解，在不背离所附权利要求及其等同中所描述的本公开的精神和领域的范围内可对本公开进行各种修改和改变。
因此，本发明的技术范围不限于本说明书的详细描述中所描述的内容，而是应当由权利要求及其等同限定。

Claims (20)

1.发光设备，包括：
基板；
发光元件，位于所述基板上，所述发光元件具有布置在纵向方向上的第一端部部分和第二端部部分；
一个或多个分隔壁，设置在所述基板上，所述一个或多个分隔壁与所述发光元件间隔开；
第一反射电极，与所述发光元件的所述第一端部部分相邻；
第二反射电极，与所述发光元件的所述第二端部部分相邻；
第一接触电极，连接至所述第一反射电极和所述发光元件的所述第一端部部分；
绝缘层，位于所述第一接触电极上，所述绝缘层具有将所述发光元件的所述第二端部部分和所述第二反射电极暴露于外部的开口；以及
第二接触电极，位于所述绝缘层上，所述第二接触电极通过所述开口连接至所述第二反射电极和所述发光元件的所述第二端部部分。
2.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一反射电极和所述第二反射电极中的任何一个位于所述分隔壁上。
3.根据权利要求2所述的发光设备，其中，所述第一反射电极和所述第二反射电极以及所述分隔壁包括不同的材料。
4.根据权利要求3所述的发光设备，其中，所述分隔壁包括绝缘材料，以及所述第一反射电极和所述第二反射电极包括导电材料。
5.根据权利要求1所述的发光设备，其中，当在平面上观察时，所述第一接触电极与所述第一反射电极重叠，以及所述第二接触电极与所述第二反射电极重叠。
6.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述发光元件是成形为具有微米尺度或纳米尺度的圆柱体或多棱柱的发光二极管。
7.根据权利要求6所述的发光设备，其中，所述发光元件包括：
第一导电半导体层，所述第一导电半导体层中掺杂有第一导电掺杂剂；
第二导电半导体层，所述第二导电半导体层中掺杂有第二导电掺杂剂；以及
有源层，设置在所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间。
8.根据权利要求7所述的发光设备，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极中的任何一个包括逸出功小于4.1eV的导电材料，以及所述第一接触电极和所述第二接触电极中的另一个包括逸出功大于7.5eV的导电材料。
9.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述第一反射电极和所述第二反射电极中的每个位于所述分隔壁上。
10.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：
支撑构件，位于所述基板与所述发光元件之间。
11.根据权利要求10所述的发光设备，其中，所述支撑构件包括绝缘材料。
12.根据权利要求1所述的发光设备，还包括：
绝缘膜，位于所述发光元件的外周表面上。
13.显示设备，包括：
基板，包括像素区域；
像素，位于所述像素区域中并且具有一个或多个薄膜晶体管；以及
发光设备，位于所述一个或多个薄膜晶体管上并且连接至所述一个或多个薄膜晶体管中的至少一个，
其中，所述发光设备包括：
多个发光元件，位于所述基板上，所述多个发光元件各自具有布置在纵向方向上的第一端部部分和第二端部部分；
一个或多个分隔壁，与所述多个发光元件中的每个间隔开；
第一反射电极，与所述多个发光元件中的每个发光元件的所述第一端部部分相邻；
第二反射电极，与所述多个发光元件中的每个发光元件的所述第二端部部分相邻；
第一接触电极，连接至所述第一反射电极和所述第一端部部分；
绝缘层，位于所述第一接触电极上，并且具有将所述第二端部部分和所述第二反射电极暴露于外部的开口；以及
第二接触电极，位于所述绝缘层上并且通过所述开口连接至所述第二反射电极和所述第二端部部分，以及
所述第一反射电极和所述第二反射电极中的任何一个连接至所述一个或多个薄膜晶体管中的所述至少一个。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述第一反射电极和所述第二反射电极中的任何一个位于所述分隔壁上。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第一反射电极和所述第二反射电极以及所述分隔壁包括不同的材料。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述分隔壁包括绝缘材料，以及所述第一反射电极和所述第二反射电极包括导电材料。
17.根据权利要求13所述的显示设备，其中，当在平面上观察时，所述第一接触电极与所述第一反射电极重叠，以及所述第二接触电极与所述第二反射电极重叠。
18.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述多个发光元件中的每个是成形为具有微米尺度或纳米尺度的圆柱体或多棱柱的发光二极管。
19.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极中的任何一个包括逸出功小于4.1eV的导电材料，以及所述第一接触电极和所述第二接触电极中的另一个包括逸出功大于7.5eV的导电材料。
20.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述第一反射电极和所述第二反射电极中的每个位于所述分隔壁上。
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