CN108269823A - 发光二极管显示装置和使用其的多屏幕显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光二极管显示装置和使用其的多屏幕显示装置，其包括最小化的边框区域。该发光二极管显示装置包括：基板，所述基板包括第一显示区域和围绕所述第一显示区域的第二显示区域；多个第一单位像素，所述多个第一单位像素被设置在所述第一显示区域中，并且各自均包括多个子像素，所述多个子像素各自均包括微发光器件；以及多个第二单位像素，所述多个第二单位像素被设置在与所述基板的边缘交叠的所述第二显示区域中，并且各自均包括多个子像素，并且具有比所述多个第一单位像素中的每一个的尺寸小的尺寸。

Description

发光二极管显示装置和使用其的多屏幕显示装置
技术领域
本公开涉及一种发光二极管显示装置和使用该发光二极管显示装置的多屏幕显示装置。
背景技术
除了用作电视(TV)和监控器的显示屏之外，显示装置还被广泛地用作笔记本计算机、平板计算机、智能电话、便携式显示装置和便携式信息装置的显示屏。
LCD装置和有机发光显示装置通过利用作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)来显示图像。由于LCD装置不能自发光，所以LCD装置通过利用从设置在液晶显示面板下方的背光单元发出的光来显示图像。由于LCD装置包括背光单元，所以LCD装置的设计受到限制，并且亮度和响应时间也被降低。由于有机发光显示装置包括有机材料，所以有机发光显示装置容易受到水的影响，这导致可靠性和寿命的降低。
近来，正在进行对包括微发光器件的发光二极管显示装置的研究和开发。发光二极管显示装置具有高图像质量和高可靠性，并且因此，作为下一代显示装置引起了大量关注。
现有技术的发光二极管显示装置是通过将微发光器件转移到薄膜晶体管(TFT)阵列基板上来制造的，并且由于在微发光器件的转移工艺中所需的转移工艺时间而导致当前转移技术对于具有相对大尺寸的显示装置比对于具有相对小尺寸的面板更有利。
然而，在现有技术的发光二极管显示装置中，用于施加信号的焊盘部被设置在TFT阵列基板的边缘中，并且由于用于覆盖该焊盘部的装置而导致边框区域增大。
而且，在现有技术的发光二极管显示装置被制造成具有较大尺寸的情况下，像素的数量增加，并且为此，微发光器件的转移误差率增大，这导致生产率的降低。为了解决这种问题，近来正在进行对实现大尺寸屏幕并且通过连接具有相对小尺寸的两个或更多个发光二极管显示装置来实现的多屏幕装置的研究和开发。然而，在多屏幕装置中，由于所述两个或更多个发光二极管显示装置中的每一个的边框区域而导致彼此联接的显示装置之间存在接缝(或边界部分)。当在整个画面上显示一幅图像时，边界部分导致整个画面的不连续感，这导致用户的观看浸入度降低。
发明内容
因此，本公开致力于提供一种发光二极管显示装置和使用该发光二极管显示装置的多屏幕显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一种或更多种问题。
本公开的一方面致力于提供一种发光二极管显示装置和使用该发光二极管显示装置的多屏幕显示装置，其包括最小化的边框区域。
本公开的另一方面致力于提供一种多屏幕显示装置，在该多屏幕显示装置中，相邻显示装置之间的边界部分被最小化。
本公开的附加优点和特征将在下面的描述中被部分地阐述，并且在审阅下文后将部分地对本领域普通技术人员变得显而易见或者可以通过本公开的实践习得。通过在所撰写的说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构可以实现并获得本公开的目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点并且根据本公开的目的，如本文中具体实现和广泛描述地，提供了一种发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置包括：基板，所述基板包括第一显示区域和围绕所述第一显示区域的第二显示区域；多个第一单位像素，所述多个第一单位像素被设置在所述第一显示区域中，并且各自均包括多个子像素，所述多个子像素各自均包括微发光器件；以及多个第二单位像素，所述多个第二单位像素被设置在与所述基板的边缘交叠的所述第二显示区域中，并且各自均包括多个子像素，并且具有比所述多个第一单位像素中的每一个的尺寸小的尺寸。
所述多个第一单位像素可以以参考像素间距来布置，并且所述多个第二单位像素中的每一个的中心部分与所述基板的外表面之间的距离可以为所述参考像素间距的一半或更小。
在本公开的另一方面，提供了一种多屏幕显示装置，该多屏幕显示装置包括：多个屏幕模块，所述多个屏幕模块各自均包括发光二极管显示装置；以及多个模块联接构件，所述多个模块联接构件联接所述多个屏幕模块的侧表面，其中，所述发光二极管显示装置包括：基板，所述基板包括第一显示区域和围绕所述第一显示区域的第二显示区域；多个第一单位像素，所述多个第一单位像素被设置在所述第一显示区域中，并且各自均包括多个子像素，所述多个子像素各自均包括微发光器件；以及多个第二单位像素，所述多个第二单位像素被设置在与所述基板的边缘交叠的所述第二显示区域中，并且各自均包括多个子像素，并且具有比所述多个第一单位像素中的每一个的尺寸小的尺寸。
彼此相邻的并且其间具有所述多个模块联接构件中的一个的两个屏幕模块的第二单位像素之间的最大距离可以等于或小于所述第一单位像素的参考像素间距，并且所述参考像素间距可以是两个相邻的第一单位像素的中心部分之间的距离。
要理解的是，本公开的以上简要描述和以下详细描述二者都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所请求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本申请中且构成本申请的一部分，附图例示了本公开的实施方式，并且与本描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1是根据本公开的实施方式的发光二极管显示装置的平面图；
图2是例示图1中所例示的基板的后表面的示图；
图3是用于描述图1中所例示的根据实施方式的单位像素的配置的示图；
图4是用于描述图3中所例示的一个子像素的结构的截面图；
图5是用于描述图4中所例示的微发光器件的结构的截面图；
图6是根据本公开的实施方式的用于描述设置在单位像素中的凹部的平面图；
图7是沿着图6中所例示的线I-I’截取的截面图；
图8和图9是根据本公开的实施方式的用于描述凹部的修改实施方式的示图；
图10是用于描述图2和图7中所例示的发光二极管显示装置的布线(routing)线路的示图；
图11A、图11B和图11C是用于描述图10中所例示的多个第一布线线路的制造方法的示图；
图12和图13是沿着图6中所例示的线I-I’截取的截面图；
图14是根据本公开的实施方式的用于描述多屏幕显示装置的示图；
图15是沿着图14中所例示的线II-II’截取的截面图；以及
图16A和图16B是示出通过现有技术的多屏幕显示装置和通过根据本公开的实施方式的多屏幕显示装置显示的相应图像的示图。
具体实施方式
现在将详细地参照本公开的示例性实施方式，附图中例示了本公开的示例性实施方式的示例。只要可能，遍及附图将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。
将通过下面参照附图描述的实施方式来阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以按照不同的形式来具体实现，并且不应被解释为受限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。而且，本公开仅由权利要求的范围来限定。
附图中公开的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数字仅是示例，并且因此，本公开不限于所例示的细节。相同的附图标记全篇指代相同的元件。在下面的描述中，当相关已知技术的详细描述被确定为使本公开的要点不必要地模糊时，将省略该详细描述。
在使用了本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用了“仅～”，否则可以添加另一部件。除非提到相反情况，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在解释元件时，虽然没有明确的描述，但是元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部件之间的位置关系被描述为“在…上”、“在…上方”、“在…下方”和“挨着～”时，除非使用“刚好”或“直接”，否则可以在这两个部件之间设置一个或更多个其它部件。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在…之后”、“继…之后”、“紧接着”和“在…之前”时，除非使用“刚好”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。
将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅被用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称作第二元件，并且类似地，第二元件可以被称作第一元件。
第一水平轴方向、第二水平轴方向和垂直轴方向不应仅被解释为其之间的关系为垂直的几何关系，而是可以表示在本公开的元件功能性操作的范围内具有更宽的方向性。
术语“至少一个”应被理解为包括一个或更多个相关所列项目的任意和所有的组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个中提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。
如本领域技术人员可以充分理解的，本公开的各个实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或彼此组合，并且可以在技术上彼此进行各种交互操作和被驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地被执行，或者可以按照相互依存关系一起被执行。
以下，将参照附图来详细描述根据本公开的发光二极管显示装置及使用该发光二极管显示装置的多屏幕显示装置的示例性实施方式。在本说明书中，在为各幅图中的元件添加附图标记方面，应注意的是，只要可能，其它附图中已用于表示相同元件的相同附图标记用于元件。在下面的描述中，当相关已知功能或配置的详细描述被确定为使本公开的要点不必要地模糊时，将省略该详细描述。
图1是根据本公开的实施方式的发光二极管显示装置的平面图。图2是例示图1中所例示的基板的后表面的示图。图3是用于描述根据图1中所例示的实施方式的单位像素的配置的示图。
参照图1至图3，根据本公开的实施方式的发光二极管显示装置可以包括基板100、多个第一单位像素UP1以及多个第二单位像素UP2。
基板100可以是薄膜晶体管(TFT)阵列基板，并且可以由玻璃、塑料材料等形成。根据实施方式的基板100可以包括第一显示区域AA1和第二显示区域AA2。
第一显示区域AA1可以被限定为除了基板100的边缘以外的中心区域。
第二显示区域AA2可以被限定成围绕第一显示区域AA1，并且可以与基板100的边缘交叠。
另外，基板100还可以包括围绕第二显示区域AA2的非显示区域IA。非显示区域IA可以被设置在基板100的外表面与第二显示区域AA2之间，可以具有相对非常窄的宽度，并且可以被限定为边框区域。
多个第一单位像素UP1可以被设置在第一显示区域AA1中。在这种情况下，多个第一单位像素UP1可以沿着第一水平轴方向X以预定的第一参考像素间距并且沿着第二水平轴方向Y以预定的第二参考像素间距布置在第一显示区域AA1中。这里，第一水平轴方向X可以与基板100的第一纵向X(例如，基板100的长边长方向)平行，并且第二水平轴方向Y可以与基板100的第二纵向Y(例如，基板100的短边长方向)平行。第一参考像素间距可以被限定为沿着第一水平轴方向X彼此相邻的两个第一单位像素UP1的中心部分之间的距离，并且第二参考像素间距可以被限定为沿着第二水平轴方向Y彼此相邻的两个第一单位像素UP1的中心部分之间的距离。
多个第二单位像素UP2可以被设置在第二显示区域AA2中。在这种情况下，第二单位像素UP2各自均可以具有比各个第一单位像素UP1的尺寸小的尺寸。即，各个第二单位像素UP2的中心部分与基板100的外表面之间的距离可以被设置为各个参考像素间距的一半或更小。
相邻的第一单位像素UP1和第二单位像素UP2可以被设置成具有一个参考像素间距。因此，在根据本实施方式的发光二极管显示装置中，设置在基板100上的多个第一单位像素UP1可以具有相同的尺寸，并且可以以相同的参考像素间距来布置，并且在这种情况下，减小了与基板100的外表面相邻的多个第二单位像素UP2中的每一个的尺寸，从而发光二极管显示装置具有适合于使多屏幕显示装置中的彼此联接的显示装置之间的边界部分最小化的边框宽度。
根据实施方式的基板100可以包括多条像素驱动线和多个子像素SP1、SP2和SP3。
像素驱动线可以被设置在基板100的前表面100a上，并且可以提供多个子像素SP1至SP3中的每一个所需要的信号。根据实施方式的像素驱动线可以包括多条选通线GL、多条数据线DL、多条驱动电力线DPL以及多条公共电力线CPL。
多条选通线GL可以被设置在基板100的前表面100a上，可以沿着基板100的第一水平轴方向X进行长度延伸，可以沿着第二水平轴方向Y布置，并且彼此可以间隔开特定间隔。
多条数据线DL可以设置在基板100的前表面100a上并与多条选通线GL相交，可以沿着基板100的第二水平轴方向Y进行长度延伸，可以沿着第一水平轴方向X布置，并且彼此可以间隔开特定间隔。
多条驱动电力线DPL可以被设置在基板100上并与多条数据线DL平行，并且可以与多条数据线DL一起形成。多条驱动电力线DPL中的每一条可以将从外部提供的像素驱动电力提供给相邻的子像素SP。
多条公共电力线CPL可以被布置在基板100上并与多条选通线GL平行，并且可以与多条选通线GL一起形成。多条公共电力线CPL中的每一条可以将从外部提供的公共电力提供给相邻的子像素SP1至SP3。
多个子像素SP1至SP3可以分别被设置在由选通线GL与数据线DL的相交部分限定的多个子像素区域中。多个子像素SP1至SP3中的每一个可以被限定为与实际发出的光的最小单元对应的区域。
至少三个相邻的子像素SP1至SP3可以配置用于显示颜色的一个单位像素UP。例如，所述一个单位像素UP可以包括沿着第一水平轴方向X彼此相邻的红色子像素SP1、绿色子像素SP2以及蓝色子像素SP3，并且还可以包括用于提高亮度的白色子像素。
被设置成在第一显示区域AA1中彼此相邻的至少三个子像素SP1至SP3可以被限定为第一单位像素UP1，并且被设置成在第二显示区域AA2中彼此相邻的至少三个子像素SP1至SP3可以被限定为第二单位像素UP2。
优选地，一条驱动电力线DPL可以被设置在多个第一单位像素UP1中的每一个中，并且一条驱动电力线DPL可以被设置在多个第二单位像素UP2中的每一个中。在这种情况下，配置各个单位像素UP1和UP2的至少三个子像素SP1至SP3可以共用一条驱动电力线DPL。因此，减少了用于驱动子像素SP1至SP3中的每一个的驱动电力线的数量，并且与所减少的驱动电力线的数量成比例的，单位像素UP1和UP2中的每一个的孔径率增大或者单位像素UP1和UP2中的每一个的尺寸减小。
根据实施方式的多个子像素SP1至SP3各自均可以包括像素电路PC、凹部130和微发光器件150。
像素电路PC可以被设置在各个子像素SP中所限定的电路区域中，并且可以被连接至与像素电路PC相邻的选通线GL、数据线DL和驱动电力线DPL。基于通过驱动电力线DPL提供的像素驱动电力，像素电路PC可以根据响应于通过选通线GL提供的扫描脉冲的通过数据线DL提供的数据信号来控制流到微发光器件150中的电流。根据实施方式的像素电路PC可以包括开关TFT T1、驱动TFT T2以及电容器Cst。
开关TFT T1可以包括连接至选通线GL的栅极、连接至数据线DL的第一电极以及连接至驱动TFT T2的栅极N1的第二电极。这里，根据电流的方向，开关TFT T1的第一电极和第二电极中的每一个可以是源极或漏极。开关TFT T1可以根据通过选通线GL提供的扫描脉冲来导通，并且可以将通过数据线DL提供的数据信号提供给驱动TFT T2。
驱动TFT T2可以根据通过开关TFT T1提供的电压和/或电容器Cst的电压来导通，以控制从驱动电力线DPL流到微发光器件150的电流量。为此，根据实施方式的驱动TFT T2可以包括连接至开关TFT T1的第二电极N1的栅极、连接至驱动电力线DPL的漏极以及连接至微发光器件150的源极。驱动TFT T2可以根据通过开关TFT T1提供的数据信号控制从驱动电力线DPL流到微发光器件150的数据电流，从而使微发光器件150能够发出具有与数据信号成比例的亮度的光。
电容器Cst可以被设置在栅极N1与驱动TFT T2的源极之间的交叠区域中，可以存储与提供给驱动TFT T2的栅极的数据信号对应的电压，并且可以利用所存储的电压导通驱动TFT T2。
可选地，像素电路PC还可以包括用于补偿驱动TFT T2的阈值电压偏移的至少一个补偿TFT，而且，还可以包括至少一个辅助电容器。可以基于TFT和辅助电容器的数量来附加地提供诸如初始化电压的补偿电力给像素电路PC。因此，根据本实施方式的像素电路PC可以通过与有机发光显示装置的各个子像素相同的电流驱动方式来驱动微发光器件150，并且因此，可以被本领域技术人员所知的有机发光显示装置的像素电路代替。
凹部130可以被设置在多个子像素SP1至SP3中的每一个中，并且可以被凹入地设置为用于容纳微发光器件150。在将微发光器件150安装在多个子像素SP1至SP3中的每一个上的工艺中，凹部130防止微发光器件150的偏离，并且提高微发光器件150的对准精度。
微发光器件150可以被安装在设置在多个子像素SP1至SP3中的每一个中的凹部130上。微发光器件150可以被电连接至相应子像素SP的像素电路PC和相应公共电力线CPL，并且因此，可以利用从像素电路PC(即，驱动TFT T2)流到公共电力线CPL的电流发光。根据实施方式的微发光器件150可以是发出红光、绿光、蓝光和白光中的一种的微发光器件或微发光二极管芯片。例如，微发光器件150可以是微发光器件或微发光二极管芯片。这里，微发光二极管芯片可以具有1μm至100μm的大小，但不限于此。在其它的实施方式中，微发光二极管芯片可以具有比除了由相应子像素区域中的像素电路PC所占据的电路区域以外的发光区域的尺寸小的尺寸。
根据本实施方式的发光二极管显示装置还可以包括显示驱动电路。
显示驱动电路可以被设置在基板100的后表面上，并且可以使各个子像素SP的微发光器件150能够发光。根据实施方式的显示驱动电路可以包括多个第一焊盘部PP1、多条第一布线线路RL1、多个第二焊盘部PP2、多条第二布线线路RL2、数据驱动电路210、选通驱动电路230、控制板250以及时序控制器270。
多个第一焊盘部PP1可以被布置在基板100的第一侧后边缘上的特定间隔处。多个第一焊盘部PP1各自均可以包括多个第一焊盘。
多条第一布线线路RL1可以被电连接至基板100的前表面100a上所设置的多条像素驱动线(更具体地，多条数据线DL)的相应端，而且，可以被设置在第一非显示区域IA中以及基板100的第一外表面和基板100的后边缘上，并且可以被电连接至多个第一焊盘部PP1。即，多条第一布线线路RL1可以被设置成围绕基板100的第一外表面，第一布线线路RL1的一端可以以一对一的关系分别被连接至非显示区域IA中的多条数据线DL，并且第一布线线路RL1的另一端可以分别被连接至基板100的后表面100b上所设置的相应第一焊盘部PP1的第一焊盘。这里，基板100的第一非显示区域IA可以是图1中所例示的基板100的下边缘区域。
多个第二焊盘部PP2可以被布置在基板100的第二侧后边缘上的特定间隔处。多个第二焊盘部PP2各自均可以包括多个第二焊盘。
多条第二布线线路RL2可以被电连接至基板100的前表面100a上所设置的多条像素驱动线(更具体地，多条选通线GL)的相应端，而且，可以被设置在第二非显示区域IA中以及基板100的第二外表面和基板100的后边缘上，并且可以被电连接至多个第二焊盘部PP2。即，多条第二布线线路RL2可以被设置成围绕基板100的第二外表面，第二布线线路RL2的一端可以以一对一的关系分别被连接至非显示区域IA中的多条选通线GL，并且第二布线线路RL2的另一端可以分别被连接至基板100的后表面100b上所设置的相应第二焊盘部PP2的第二焊盘。这里，基板100的第二非显示区域IA可以是图1中所例示的基板100的右边缘区域。
数据驱动电路210可以包括多个数据柔性电路膜211和多个数据驱动集成电路(IC)213。
多个数据柔性电路膜211可以通过膜附接工艺按照一对一关系分别被附接至基板100的后表面100b上设置的多个第一焊盘部PP1上。
多个数据驱动IC 213中的每一个可以独立地被安装在多个数据柔性电路膜211中的相应数据柔性电路膜上。数据驱动IC 213可以接收从时序控制器270提供的子像素数据和数据控制信号，根据数据控制信号通过子像素将子像素数据转换成模拟数据电压，并且分别将模拟数据电压提供给数据线DL。
可选地，多个数据驱动IC 213可以被直接安装在基板100的后表面100b上，以便按照一对一关系分别连接至多个第一焊盘部PP1，而不需要安装在数据柔性电路膜211上。这里，多个数据驱动IC 213可以通过基于玻璃上芯片(COG)类型的芯片安装工艺而被安装在基板100的后表面100b上。在这种情况下，可以去除数据柔性电路膜211，并且因此，简化了数据驱动电路210的配置。
选通驱动电路230可以包括多个选通柔性电路膜231和多个选通驱动IC 233。
多个选通柔性电路膜231可以通过膜附接工艺按照一对一关系分别被附接至基板100的后表面100b上设置的多个第二焊盘部PP2上。
多个选通驱动IC 233中的每一个可以独立地被安装在多个选通柔性电路膜231中的相应选通柔性电路膜上。各个选通驱动IC 233都可以基于从时序控制器270提供的选通控制信号生成扫描脉冲，并且可以将所生成的扫描脉冲提供给与预定顺序对应的相应选通线GL。
可选地，多个选通驱动IC 233可以被直接安装在基板100的后表面100b上，以便按照一对一关系分别连接至多个第二焊盘部PP2，而不需要安装在选通柔性电路膜231上。这里，多个选通驱动IC 233可以通过基于COG类型的芯片安装工艺而被安装在基板100的后表面100b上。在这种情况下，可以去除选通柔性电路膜231，并且因此，简化了选通驱动电路230的配置。
控制板250可以被连接至多个数据柔性电路膜211和多个选通柔性电路膜231。例如，控制板250可以通过多根第一信号传输电缆STC1电连接至多个数据柔性电路膜211，并且可以通过多根第二信号传输电缆STC2电连接至多个选通柔性电路膜231。控制板250可以支撑时序控制器270，并且可以在显示驱动电路的元件之间传递信号和电力。
时序控制器270可以被安装在控制板250上，并且可以通过控制板250上设置的用户连接器接收从显示驱动系统提供的图像数据和时序同步信号。时序控制器270可以基于时序同步信号根据第一显示区域AA1和第二显示区域AA2的子像素布置结构来对准图像数据，以生成子像素数据，并且可以将所生成的子像素数据提供给数据驱动IC 213。而且，时序控制器270可以基于时序同步信号生成数据控制信号和选通控制信号，并且可以控制数据驱动IC 213和选通驱动IC 233中的每一个的驱动时序。
可选地，多个数据驱动IC 213、多个选通驱动IC 233和时序控制器270可以被集成为一个集成驱动IC。在这种情况下，所述一个集成驱动IC可以被安装在基板100的后表面100b上，并且多条第一布线线路RL1和多条第二布线线路RL2中的每一条可以被附加地布线在基板100的后表面100b上，并且可以被电连接至设置在集成驱动IC中的相应通道。在这种情况下，可以省略多个第一焊盘部PP1、多个第二焊盘部PP2、多个数据柔性电路膜211以及多个选通柔性电路膜231。
另外，在本实施方式中，基板100的角可以被斜切成具有特定角度或长度，或者可以被圆化成具有特定曲率。因此，在本实施方式中，多条第一布线线路RL1和多条第二布线线路RL2可以很容易的被形成在基板100的角和外表面中而不断开。
在根据本实施方式的发光二极管显示装置中，设置在基板100的第二显示区域AA2中并与基板100的边缘交叠的第二单位像素UP2的尺寸可以被设置为小于设置在基板100的第一显示区域AA1中的第一单位像素UP1的尺寸，并且因此，发光二极管显示装置具有适合于使多屏幕显示装置中彼此联接的显示装置之间的边界部分最小化的边框宽度。即，在根据本实施方式的发光二极管显示装置中，减小了与基板100的外表面相邻的多个第二单位像素UP2中的每一个的尺寸，并且显示驱动电路可以被设置在基板100的后表面上，从而使基板100的边框区域最小化。而且，由于微发光器件150被容纳在子像素SP1至SP3中的每一个中所设置的凹部130中，所以提高了微发光器件150的安装(或转移)工艺中的对准精度，并且因此，提高了生产率。
图4是用于描述图3中所例示的一个子像素的结构的截面图，以及图5是用于描述图4中所例示的微发光器件的结构的截面图。
参照图4、图5和图3，根据本实施方式的发光二极管显示装置的多个子像素SP1至SP3各自均可以包括像素电路PC、钝化层110、凹部130、微发光器件150、平整层160、像素电极PE以及公共电极CE。
首先，在图4中，相对薄地例示了基板100的厚度，但基板100基本上可以具有比设置在基板100上的分层结构的总厚度相对更厚的厚度。
像素电路PC可以包括开关TFT T1、驱动TFT T2以及电容器Cst。像素电路PC如上所述，并且因此，没有提供其详细描述。以下，将描述驱动TFT T2的结构作为示例。
驱动TFT T2可以包括栅极GE、半导体层SCL、欧姆接触层OCL、源极SE以及漏极DE。
栅极GE可以与选通线GL一起被形成在基板100上。栅极GE可以被栅绝缘层103覆盖。栅绝缘层103可以由包括无机材料的单层或多层形成，并且也可以由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等形成。
半导体层SCL可以按照预定图案(或岛)类型被设置在栅绝缘层103上，以与栅极GE交叠。半导体层SCL可以由包括非晶硅、多晶硅、氧化物以及有机材料中的一种的半导体材料形成，但不限于此。
欧姆接触层OCL可以按照预定图案(或岛)类型被设置在半导体层SCL上。这里，欧姆接触层OCL用于半导体层SCL与源极SE和漏极DE之间的欧姆接触，并且可以被省略。
源极SE可以被形成在欧姆接触层OCL的一侧上，以与半导体层SCL的一侧交叠。源极SE可以与数据线DL和驱动电力线DPL一起形成。
漏极DE可以被形成在欧姆接触层OCL的另一侧上，以与半导体层SCL的另一侧交叠，并且可以与源极SE间隔开。漏极DE可以与源极SE一起形成，并且可以从相邻的驱动电力线DPL分支或突出。
另外，配置像素电路PC的开关TFT T1可以按照与驱动TFT T2的结构相同的结构来形成。在这种情况下，开关TFT T1的栅极可以从选通线GL分支或突出，开关TFT T1的第一电极可以从数据线DL分支或突出，并且开关TFT T1的第二电极可以通过设置在栅绝缘层103中的通孔连接至驱动TFT T2的栅极GE。
像素电路PC可以被层间绝缘层105覆盖。层间绝缘层105可以被设置在整个基板100上方以覆盖包括驱动TFT T2的像素电路PC。根据实施方式的层间绝缘层105可以由诸如SiOx或SiNx的无机材料或者诸如苯并环丁烯或感光亚克力的有机材料形成。可以不设置层间绝缘层105。
钝化层110可以被设置在整个基板100上方以覆盖子像素SP(即，像素电路PC)，或者可以被设置在整个基板100上方以覆盖层间绝缘层105。钝化层110可以保护包括驱动TFTT2的像素电路PC，并且可以在层间绝缘层105上提供平坦表面。根据实施方式的钝化层110可以由诸如苯并环丁烯或感光亚克力的有机材料形成，并且具体地，可以由感光亚克力形成，以便于处理。
凹部130可以被设置在子像素SP中所限定的子像素区域的发光区域中，并且可以容纳微发光器件150。根据实施方式的凹部130可以从钝化层110凹入设置以具有特定深度D1。在这种情况下，凹部130可以包括从钝化层110的顶部110a凹入设置的容纳空间以具有与微发光器件150的厚度(或总高度)对应的厚度D1。这里，凹部130的底表面可以通过以下方式来被形成：去除钝化层110的一部分、去除钝化层110的全部、去除钝化层110的全部和层间绝缘层105的一部分、或者去除钝化层110、层间绝缘层105和栅绝缘层103中的每一个的全部，以便具有基于微发光器件150的厚度设置的深度D1。例如，凹部130可以被设置成距离钝化层110的顶部110a具有2μm至6μm的深度。凹部130可以具有宽于微发光器件150的后表面(或底部)的尺寸的凹槽或杯状。
根据实施方式的凹部130可以包括设置在底表面与钝化层110的顶部110a之间的倾斜表面，并且该倾斜表面可以使从微发光器件150发出的光能够朝向凹部130的前面行进。
微发光器件150可以被安装在凹部130上，并且可以被电连接至像素电路PC和公共电力线CPL，并且因此，可以利用从像素电路PC(即，驱动TFT T2)流向公共电力线CPL的电流发光。根据实施方式的微发光器件150可以包括发光层EL、第一电极(或阳极端子)E1和第二电极(或阴极端子)E2。
发光层EL可以根据基于第一电极E1与第二电极E2之间流动的电流的电子和空穴的复合而发光。根据实施方式的发光层EL可以包括第一半导体层151、有源层153和第二半导体层155。
第一半导体层151可以将电子提供给有源层153。根据实施方式的第一半导体层151可以由n-GaN基的半导体材料形成，并且n-GaN基的半导体材料的示例可以包括GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等。这里，硅(Si)、锗(Ge)、硒(Se)、碲(Te)或碳(C)可以用作用于掺杂第一半导体层151的杂质。
有源层153可以被设置在第一半导体层151的一侧上。有源层153可以具有多量子阱(MQW)结构，该MQW结构包括势阱层和其带隙高于阱层的势垒层。根据实施方式的有源层153可以具有InGaN/GaN等的MQW结构。
第二半导体层155可以被设置在有源层153上，并且可以将空穴提供给有源层153。根据实施方式的第二半导体层155可以由p-GaN基半导体材料形成，并且p-GaN基半导体材料可以包括GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等。这里，镁(Mg)、锌(Zn)或铍(Be)可以用作用于掺杂第二半导体层155的杂质。
第一电极E1可以被设置在第二半导体层155上。第一电极E1可以被连接至驱动TFTT2的源极SE。
第二电极E2可以被设置在第一半导体层151的另一侧上，并且可以与有源层153和第二半导体层155电断开。第二电极E2可以被连接至公共电力线CPL。
根据实施方式的第一电极E1和第二电极E2中的每一个可以由包括诸如金(Au)、钨(W)、铂(Pt)、硅(Si)、铱(Ir)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)及其合金的金属材料的一种或更多种材料的材料形成。在其它实施方式中，第一电极E1和第二电极E2中的每一个可以由透明导电材料形成，并且透明导电材料的示例可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。然而，本实施方式不限于此。
另外，第一半导体层151、有源层153和第二半导体层155可以按照依次层叠在半导体基板上的结构来设置。这里，半导体基板可以包括蓝宝石基板或硅基板中所包括的半导体材料。半导体基板可以用作生长第一半导体层151、有源层153和第二半导体层155中的每一个的生长半导体基板，然后，可以通过基板分离工艺而与第一半导体层151分离。这里，基板分离工艺可以是激光剥离工艺或化学剥离工艺。因此，由于从微发光器件150去除了生长半导体基板，所以微发光器件150具有较薄的厚度，并且因此，可以被容纳到设置在各个子像素SP中的凹部130中。
微发光器件150可以根据基于第一电极E1与第二电极E2之间流动的电流的电子和空穴的复合而发光。在这种情况下，从微发光器件150发出的光可以穿过第一电极E1和第二电极E2，并且可以被输出至外部。换句话说，从微发光器件150发出的光可以穿过第一电极E1和第二电极E2，并且可以沿与第一方向相反的第二方向朝向凹部130的底表面输出，从而显示图像。
微发光器件150可以包括第一部分(或前部)FP和与第一部分FP相反的第二部分(或后部)RP，所述第一部分FP包括连接至像素电路PC的第一电极E1和第二电极E2。在这种情况下，第一部分FP可以被设置成比第二部分RP相对更远地远离凹部130的底表面。这里，第一部分FP可以具有比第二部分RP的尺寸小的尺寸，并且在这种情况下，微发光器件150可以具有梯形形状的横截面，所述横截面包括与第一部分FP对应的顶部和与第二部分RP对应的顶部。
平整层160可以被设置在钝化层110上，以覆盖微发光器件150。即，平整层160可以被设置在钝化层110上，以具有使平整层160能够覆盖钝化层110的顶部和容纳有微发光器件150的凹部130中的其它容纳空间的前表面的厚度。
平整层160可以在钝化层110上提供平坦表面。而且，平整层160可以被埋入到容纳有微发光器件150的凹部130的其它容纳空间中，从而固定微发光器件150的位置。
像素电极PE可以将微发光器件150的第一电极E1连接至驱动TFT T2的源极SE，并且可以被限定为阳极。根据实施方式的像素电极PE可以被设置在与微发光器件150的第一电极E1的驱动TFT T2交叠的平整层160的顶部160a上。像素电极PE可以通过设置成穿过层间绝缘层105、钝化层110和平整层160的第一电路接触孔CCH1电连接至驱动TFT T2的源极SE，并且可以通过设置在平整层160中的第一电极接触孔ECH1电连接至微发光器件150的第一电极E1。因此，微发光器件150的第一电极E1可以通过像素电极PE电连接至驱动TFT T2的源极SE。如果发光二极管显示装置具有顶部发光结构，则像素电极PE可以由透明导电材料形成，并且如果发光二极管显示装置具有底部发光结构，则像素电极PE可以由光反射导电材料形成。这里，透明导电材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，但不限于此。光反射导电材料可以是Al、Ag、Au、Pt、Cu等，但不限于此。包括光反射导电材料的像素电极PE可以由包括光反射导电材料的单层或包括层叠的多个单层的多层形成。
公共电极CE可以被电连接至微发光器件150的第二电极E2和公共电力线CPL，并且可以被限定为阴极。公共电极CE可以被设置在与微发光器件150的第二电极E2和公共电力线CPL交叠的平整层160的顶部160a上。这里，公共电极CE可以由与像素电极PE的材料相同的材料形成。
根据实施方式的公共电极CE的一侧可以通过穿过栅绝缘层103、层间绝缘层105、钝化层110和平整层160的第二电路接触孔CCH2电连接至公共电力线CPL。公共电极CE的另一侧可以通过设置在平整层160中以与微发光器件150的第二电极E2交叠的第二电极接触孔ECH2电连接至微发光器件150的第二电极E2。因此，微发光器件150的第二电极E2可以通过公共电极CE电连接至公共电力线CPL。
可以通过利用光刻工艺、蚀刻工艺以及在包括第一电路接触孔CCH1、第二电路接触孔CCH2、第一电极接触孔ECH1和第二电极接触孔ECH2的平整层160上沉积电极材料的沉积工艺的电极构图工艺来同时设置根据实施方式的像素电极PE和公共电极CE。因此，在本实施方式中，由于连接微发光器件150和像素电路PC的公共电极CE和像素电极PE同时形成，所以简化了电极连接工艺，并且大大缩短了连接微发光器件150和像素电路PC的工艺所需要的工艺时间，从而提高了发光二极管显示装置的生产率。
根据本实施方式的发光二极管显示装置还可以包括透明缓冲层170。
透明缓冲层170可以被设置在基板100上，以覆盖设置有像素电极PE和公共电极CE的全部平整层160，并且因此，可以在平整层160上提供平坦表面，从而保护微发光器件150和像素电路PC免受外部影响。因此，像素电极PE和公共电极CE可以被设置在平整层160与透明缓冲层170之间。透明缓冲层170可以是光学透明粘合剂(OCA)或光学透明树脂(OCR)，但不限于此。
根据本实施方式的发光二极管显示装置还可以包括设置在各个子像素SP的发光区域下方的反射层101。
反射层101可以被设置在凹部130的底表面与基板100之间，以与包括微发光器件150的发光区域交叠。根据实施方式的反射层可以由与驱动TFT T2的栅极GE的材料相同的材料形成，并且可以与栅极GE设置在同一层上。反射层101可以朝向微发光器件150的第一部分FP反射从微发光器件150入射的光。因此，根据本实施方式的发光二极管显示装置可以包括反射层101，并且因此，可以具有顶部发光结构。然而，如果根据本实施方式的发光二极管显示装置具有底部发光结构，则可以省略反射层101。
可选地，反射层101可以由与驱动TFT T2的源极SE/漏极DE的材料相同的材料形成，并且可以与源极SE/漏极DE设置在同一层上。
在根据本实施方式的发光二极管显示装置中，安装在各个子像素SP中的微发光器件150可以通过粘合构件120粘附至凹部130的底表面。
粘合构件120可以被设置在各个子像素SP的凹部130与微发光器件150之间，并且可以将微发光器件150粘附在凹部130的底表面上，从而主要固定微发光器件150。
根据实施方式的粘合构件120可以被附接(涂覆)在微发光器件150的第二部分RP(即，第一半导体层151的背表面)上，并且因此，在将微发光器件150安装在凹部130的安装工艺中，粘合构件120可以被附接至各个子像素SP的凹部130。
在其它的实施方式中，粘合构件120可以被点涂在各个子像素SP的凹部130上，并且可以通过在执行微发光器件150的安装工艺中施加到微发光器件150上的压力来展开，并且因此，可以被粘附至微发光器件150的第二部分RP。因此，安装在凹部130上的微发光器件150主要可以通过粘合构件120来固定位置。因此，根据本实施方式，可以按照简单地将微发光器件150安装在凹部130的底表面上的方法来执行微发光器件150的安装工艺，并且因此，缩短了执行微发光器件150的安装工艺所需要的安装工艺时间。
在其它的实施方式中，粘合构件120可以被涂覆在钝化层110的顶部、凹部130的底表面和倾斜表面上。即，粘合构件120可以被设置成完全覆盖钝化层110的前表面中除了接触孔之外的部分。换句话说，粘合构件120可以被设置在钝化层110与平整层160之间，并且可以被设置在钝化层110与微发光器件150之间。在其它的实施方式中，粘合构件120可以被涂覆在其中设置有凹部130的钝化层110的整个顶部110a上以具有特定厚度。涂覆在钝化层110的顶部110a上的粘合构件120中要设置接触孔的一部分可以在形成接触孔时去除。因此，在本实施方式中，紧接在微发光器件150的安装工艺之前，粘合构件120可以被涂覆在钝化层110的整个顶部110a上以具有特定厚度，并且因此，根据本实施方式，缩短了形成粘合构件120所需要的工艺时间。
在本实施方式中，粘合构件120可以被设置在钝化层110的整个顶部110a上，并且因此，根据本实施方式的平整层160被设置成覆盖粘合构件120。
根据实施方式的微发光器件的安装工艺可以包括在各个红色子像素SP1上安装红色微发光器件的工艺、在各个绿色子像素SP2上安装绿色微发光器件的工艺、以及在各个蓝色子像素SP3上安装蓝色微发光器件的工艺，而且，还可以包括在各个白色子像素上安装白色微发光器件的工艺。
根据实施方式的微发光器件的安装工艺可以仅包括在各个子像素上安装白色微发光器件的工艺。在这种情况下，基板100可以包括与各个子像素交叠的滤色器层。滤色器层可以仅传播白光中具有与相应子像素对应的颜色波长的光。
根据实施方式的微发光器件的安装工艺可以仅包括在各个子像素上安装第一颜色微发光器件的工艺。在这种情况下，基板100可以包括波长转换层和与各个子像素交叠的滤色器层。波长转换层可以基于从第一颜色微发光器件入射的一些第一颜色的光来发出第二颜色的光。滤色器层可以基于第一颜色的光和第二颜色的光的组合仅传播白光中具有与相应子像素对应的颜色波长的光。这里，第一颜色可以是蓝色，并且第二颜色可以是黄色。波长转换层可以包括基于一些第一颜色的光而发出第二颜色的光的荧光体或量子点。
图6是根据本公开的实施方式的用于描述单位像素中所设置的凹部的平面图，以及图7是沿着图6中所例示的线I-I’截取的截面图。
参照图6和图7，在本实施方式中，配置多个第一单位像素UP1中的每一个的第一子像素SP1至第三子像素SP3各自均可以包括从钝化层110的顶部凹入设置的凹部130。
首先，在各个第一单位像素UP1中，第二子像素SP2可以被设置在单位像素区域的中部中，第一子像素SP1可以被设置在第二子像素SP2的一侧上，并且第三子像素SP3可以被设置在第二子像素SP2的另一侧上。
设置在第二子像素SP2中的凹部130可以具有平面四边形形状，并且凹部130相对于第一水平轴方向X的中心线CLg2可以与第二子像素SP2的第二中心线CL2相匹配。例如，第二子像素SP2的凹部130可以被设置在第一单位像素UP1的中心部分中。因此，设置在第二子像素SP2中的凹部130的中心部分与基板100的外表面之间的距离L可以被设置为参考像素间距P的一半“P/2”或更小。
设置在第一子像素SP1中的凹部130可以具有平面四边形形状，并且可以被设置成靠近设置在第二子像素SP2中的凹部130。即，设置在第一子像素SP1中的凹部130相对于第一水平轴方向X的中心线CLg1可以被设置在与第一子像素SP1的中心线CL1在朝向第二子像素SP2的方向上间隔开第一距离d1的位置处。
设置在第三子像素SP3中的凹部130可以具有平面四边形形状，并且可以被设置成靠近设置在第二子像素SP2中的凹部130。即，设置在第三子像素SP3中的凹部130相对于第一水平轴方向X的中心线CLg3可以被设置在与第三子像素SP3的中心线CL3在朝向第二子像素SP2的方向上间隔开第二距离d2的位置处。
各个第一单位像素UP1中的第一子像素SP1至第三子像素SP3相对于第一水平轴方向X可以具有相同的宽度Wa。
在各个第一单位像素UP1中，分别设置在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的凹部130可以被设置成集中在第一单位像素UP1的中心部分上。各个第一单位像素UP1可以具有与预定分辨率对应的第一宽度W1，并且多个第一单位像素UP1可以以参考像素间距P来布置。这里，参考像素间距P可以被限定为彼此相邻的两个第一单位像素UP1的中心部分之间相对于第一水平轴方向X和第二水平轴方向Y的距离。换句话说，参考像素间距P可以被限定为设置在彼此相邻的两个第一单位像素UP1中的相同子像素之间相对于第一水平轴方向X的距离。即，参考像素间距P可以被限定为分别设置在两个相邻的第一单位像素UP1的第二子像素SP2中的微发光器件150之间的距离。例如，可以利用红色子像素SP1、绿色子像素SP2和蓝色子像素SP3来配置第一单位像素UP1，并且在这种情况下，参考像素间距P可以是分别设置在相邻的红色子像素SP1中的凹部130(或微发光器件150)之间相对于第一水平轴方向X的距离，分别设置在相邻的绿色子像素SP2中的凹部130(或微发光器件150)之间相对于第一水平轴方向X的距离，或者分别设置在相邻的蓝色子像素SP3中的凹部130(或微发光器件150)之间相对于第一水平轴方向X的距离。
在多个第二单位像素UP2的每一个中，第二子像素SP2可以被设置在单位像素区域的中部中，第一子像素SP1可以被设置在第二子像素SP2的一侧上，并且第三子像素SP3可以被设置在第二子像素SP2的另一侧上并且可以被设置成与基板100的外表面相邻。这里，基板100的外表面可以被限定为垂直于基板100的前表面100a的端部的侧壁，或者可以被限定为基板100中暴露于外部的最外表面。即，基板100的侧壁可以直接暴露于外部，或者可以被诸如布线线路、钝化层等的结构覆盖，并且因此，没有直接暴露于外部。因此，基板100的外表面可以被限定为基板100中暴露于外部的最外表面。
分别设置在各个第二单位像素UP2中的第一子像素SP1至第三子像素SP3中的凹部130与第一单位像素UP1中的凹部相同，并且因此，不提供它们的重复描述。
在各个第二单位像素UP2中，由于第一子像素SP1和第二子像素SP2中的每一个与相应第一单位像素UP1相邻，所以第一子像素SP1和第二子像素SP2中的每一个可以被设置成具有与相应第一单位像素UP1中的各个子像素的宽度相同的宽度Wa。
另一方面，各个第二单位像素UP2的第三子像素SP3可以被设置成具有比第一子像素SP1和第二子像素SP2中的每一个的宽度Wa窄的宽度Wb。具体地，在各个第二单位像素UP2中，凹部130可以被设置成集中在单位像素的中心部分上，并且因此，即使当去除第三子像素SP3中与基板100的非显示区域IA相邻的区域的一部分时，也不影响相应单位像素UP2上显示的图像的质量。因此，第三子像素SP3相对于第一水平轴方向X的宽度Wb可以减小第二距离d2，在所述第二距离d2处，安装在第三子像素SP3上的微发光器件150被设置成相对于第三子像素SP3的中心线CL3靠近第二子像素SP2。在这种情况下，第二单位像素UP2与基板100的外表面之间的最大距离L可以被设置为按其来布置多个第一单位像素UP1的参考像素间距P的一半“P/2”或更小，即，可以被设置为等于或小于参考像素间距P的一半。因此，由于在与基板100的边框区域相邻的第二单位像素UP2中减小了各个第三子像素SP3的尺寸，所以根据本实施方式的发光二极管显示装置具有适合于多屏幕显示装置中彼此连接的显示装置之间的边界部分的边框宽度。
另外，根据本公开的实施方式的发光二极管显示装置还可以包括侧密封构件107。
侧密封构件107可以被设置成覆盖基板100的外表面和透明缓冲层170的侧表面。根据实施方式的侧密封构件107可以由硅基或UV固化基密封剂(或树脂)形成，但考虑到工艺粘性时间，侧密封构件107可以由UV固化基密封剂形成。而且，侧密封构件107可以具有颜色(例如，蓝色、红色、绿色或黑色)，或者可以由用于防止侧光泄漏的着色树脂或遮光树脂形成，而不限于此。侧密封构件107防止在从各个子像素SP的微发光器件150发出的光在从透明缓冲层170的内部到最外表面的方向上行进时的侧光泄漏，并且缓冲外部影响以防止基板100和透明缓冲层170中的每一个的侧表面被外部影响损坏。
图8是根据本公开的实施方式的用于描述凹部的修改实施方式的示图。
参照图8，根据修改实施方式的分别设置在多个单位像素UP1和UP2中的每一个的多个子像素SP1、SP2和SP3中的多个凹部130可以具有相同的形状，并且可以从钝化层110凹入形成，以在相应子像素中分别具有不同的深度D1、D2和D3。
根据实施方式的凹部130可以基于要被设置在相应子像素中的微发光器件150的高度而被设置成具有不同于钝化层110的深度D1至D3，从而按照颜色去除或最小化微发光器件之间的高度偏差(或台阶高度)。
为了实现彩色图像，根据本实施方式的发光二极管显示装置可以包括红色子像素SP1、绿色子像素SP2和蓝色子像素SP3，并且微发光器件150可以按照颜色来设置，并且可以被设置在具有相应颜色的子像素中所设置的凹部130中。在这种情况下，基于颜色的微发光器件150由于制造工艺的工艺误差而可以具有不同的高度(或厚度)。例如，基于颜色的微发光器件150的厚度可以按照红色、绿色和蓝色的顺序来增厚。在这种情况下，凹部130的深度D1至D3可以基于相应微发光器件150的高度而按照红色子像素SP1、绿色子像素SP2和蓝色子像素SP3的顺序来精心设置。
因此，在本实施方式中，设置在各个子像素中的凹部130的深度可以基于要设置在相应子像素中的微发光器件150的高度(或厚度)来不同地设置，并且因此，设置在各个子像素中的基于颜色的微发光器件150的最高表面(例如，第一电极E1的顶部)可以被设置在同一水平线HL上，从而防止由于第一电极接触孔和第二电极接触孔的构图工艺中基于颜色的微发光器件150之间的厚度偏差而发生没有暴露基于颜色的微发光器件150的第一电极(或第二电极)的开口缺陷。而且，在本实施方式中，在顶部发光结构中，通过利用各个子像素中的被设置成具有不同深度D1至D3的凹部130来优化反射层101与各个子像素的基于颜色的微发光器件之间的光学距离，并且因此，提高了反射层101的反射效率，从而最大化了各个微发光器件的光效率。
图9是根据本公开的实施方式的用于描述凹部的修改实施方式的示图。
参照图9，在本实施方式中，分别设置在多个单位像素UP1和UP2中的每一个的多个子像素SP1至SP3中的多个凹部130可以彼此连通而没有边界部分，并且可以包括一个容纳空间。即，多个第一单位像素UP1中的每一个和多个第二单位像素UP2中的每一个均可以仅包括设置在第一子像素SP1至第三子像素SP3整体上方的一个凹部130。
凹部130可以具有相对于单位像素UP1和UP2中的每一个的中心部分或第二子像素SP2的中心线CL2朝向第一子像素SP1和第三子像素SP3延伸的四边形形状。即，凹部130的中心线CLg可以相对于第一水平轴方向X与第二子像素SP2的中心线CL2相匹配。
如上所述，在本实施方式中，由于一个凹部130被设置在单位像素UP1和UP2中，所以防止了与子像素SP1至SP3中的每一个对应的微发光器件150的制造工艺中微发光器件150的偏差，并且提高了微发光器件150的对准精度。
图10是用于描述图2和图7中例示的发光二极管显示装置的布线线路的示图。
参照图10，在根据本实施方式的发光二极管显示装置中，基板100可以包括设置在第一非显示区域IA1中的多个凹槽100c。
基板100的第一非显示区域IA1可以被限定为基板100中与多条数据线DL中的每一条的边缘交叠的下部非显示区域。
多个凹槽100c可以沿着第一水平轴方向X以特定间隔来布置，并且可以在从基板100的外表面到第二显示区域AA2的方向上凹入设置。根据实施方式的多个凹槽100c可以通过基板切割工艺来形成。根据实施方式的基板切割工艺可以通过利用激光划线工艺来切割基板100的边缘中与多条数据线DL之间的空间对应的部分，以形成多个凹槽100c。因此，基板100的外表面可以包括凹入设置的多个凹槽100c和多个突起100p，这些突起100p被设置在多个凹槽100c之间，并且分别与多条数据线DL的端部交叠。
在根据本实施方式的发光二极管显示装置中，多条第一布线线路RL1可以按照一对一的关系通过设置在基板100上的各个突起100p分别连接至设置在基板100的前表面100a上的多条数据线DL。
根据实施方式的多条第二布线线路RL2各自均可以包括侧布线图案SRP和后布线图案RRP。
侧布线图案SRP可以被设置成围绕多个突起100p中的每一个的一半或更少。即，侧布线图案SRP可以被形成为完全围绕多个突起100p中的每一个的近似一半，并且可以利用导电溶液或银浆料通过浸渍工艺来被设置。
后布线图案RRP可以被设置在基板100的后表面100b的边缘中，并且可以被电连接至侧布线图案SRP。而且，后布线图案RRP可以被电连接至基板100的后表面100b上设置的第一焊盘部的第一焊盘。后布线图案RRP可以利用导电浆料(例如，银浆料)通过印刷工艺来被设置。
另外，在根据本实施方式的发光二极管显示装置中，基板100还可以包括设置在与多条选通线的端部交叠的第二非显示区域中的多个凹槽以及设置在这些凹槽之间的多个突起。多条第二布线线路可以按照与上述多个第一布线线路相同的结构和方法分别被设置在多个突起中，并且因此，不再重复它们的详细描述。
图11A至图11C是用于描述图10中例示的多条第一布线线路的制造方法的示图。
将参照图11A至图11C描述根据本实施方式的多条第一布线线路的制造方法。
首先，可以设置包括含有多条数据线DL的多条像素驱动线的基板100。
随后，如图11A所例示，可以通过基板切割工艺来形成多个凹槽100c，以便于使多条数据线DL的端部突出。根据实施方式的基板切割工艺可以通过利用激光划线工艺切割基板100的边缘中与多条数据线DL之间的空间对应的一部分，以形成与多条数据线DL的端部交叠的多个突起100p。
随后，如图11B所例示，可以形成按照一对一关系分别围绕设置在基板100上的多个突起100p的多个侧布线图案SRP。例如，可以通过将各个突起100p的近似一半浸入到导电溶液中并且将所述导电溶液涂覆在多个突起100p中的每一个的前表面、侧表面和后表面上的浸渍工艺来形成多个侧布线图案SRP。通过执行浸渍工艺，可以独立地设置电连接且分别连接至多条数据线DL的多个侧布线图案SRP中的每一个，并且多个侧布线图案SRP中的每一个可以通过设置在基板100上的多个凹槽100c而彼此电分离。这里，导电溶液可以包括导电浆料，例如，银浆料。
随后，如图11C所例示，可以在基板100的后表面100b上形成按照一对一关系分别连接至多个侧布线图案SRP的多个后布线图案RRP，从而提供包括连接至多条数据线DL的端部并且向基板100的外表面和后表面100b延伸的侧布线图案SRP和后布线图案RRP。这里，根据实施方式的多个后布线图案RRP可以利用导电浆料通过印刷工艺来被设置。
另外，在根据本实施方式的发光二极管显示装置中，多条第二布线线路通过与多条第一布线线路的制造方法相同的制造方法来设置，并且因此，不再重复关于其制造方法的描述。
通过利用根据本实施方式的布线线路及其制造方法，简化了在基板100的外表面上形成布线线路的工艺，防止了相邻布线线路之间的电短路，并且可以省略针对基板100的边缘的倒角工艺或圆化工艺。
图12是沿着图6中例示的线I-I’截取的截面图并且例示了滤色器被添加到根据本公开的实施方式的发光二极管显示装置的示例。以下，因此，仅将描述添加到根据本公开的实施方式的发光二极管显示装置的元件。
参照图12和图6，根据本实施方式的发光二极管显示装置还可以包括黑底BM和滤色器层CFL。
首先，设置在多个子像素SP1至SP3中的每一个中的微发光器件150可以发出白光。即，设置在基板100上的所有微发光器件150可以是发出白光的白色微发光器件。
黑底BM可以限定像素SP1至SP3中的每一个的开口区域，并且可以直接被设置在按照一对一关系与像素SP1至SP3中的每一个的微发光器件150交叠的透明缓冲层170的顶部170a上，从而防止相邻的子像素SP1至SP3之间出现颜色混合。黑底BM可以包括光吸收材料。
可选地，黑底BM可以被设置成覆盖透明缓冲层170的侧表面和基板100的外表面。在这种情况下，黑底BM防止在从像素SP1至SP3中的每一个的微发光器件150发出的光在从透明缓冲层170的内部到最外表面的方向上行进时的侧光泄漏。
滤色器层CFL可以直接被形成在与由黑底BM限定的开口区域交叠的透明缓冲层170的顶部170a上，并且可以包括与多个子像素SP1至SP3中限定的各种颜色对应的红色滤色器CF1、绿色滤色器CF2和蓝色滤色器CF3。滤色器层CFL可以仅传播从像素SP1至SP3中的每一个发出的白光中具有与相应子像素SP对应的颜色的波长的光。
另外，根据本实施方式的发光二极管显示装置还可以包括覆盖层190。
覆盖层190可以被设置在基板100上以覆盖黑底BM和滤色器层CFL。根据实施方式的覆盖层190可以由具有相对低折射率的材料形成。例如，覆盖层190可以由LiF、MgF2、CaF2、ScF3等形成，并且可以具有多层结构，所述多层结构具有不同的折射率。覆盖层190可以被设置在基板100上，以覆盖黑底BM和滤色器层CFL，从而保护像素SP1至SP3中的每一个并且有效地向外部输出从像素SP1至SP3中的每一个的微发光器件150发出的光。
可选地，根据本实施方式的发光二极管显示装置还可以包括侧涂层109。
侧涂层109可以被设置成覆盖覆盖层190的外表面。根据实施方式的侧涂层109可以被设置成利用包括黑色基光吸收材料的黑色油墨通过涂覆工艺来覆盖覆盖层190的外表面。而且，侧涂层109可以被附加地设置在基板100的外表面和黑底BM的侧表面上。侧涂层109防止在从像素SP1至SP3中的每一个的微发光器件150发出的光在从覆盖层190的内部到最外表面的方向上行进时的侧光泄漏。
覆盖层190可以被包括玻璃材料或透明塑料材料的透明基板代替，并且在这种情况下，透明基板可以通过利用透明粘合构件而被粘附至黑底BM和滤色器层CFL。而且，黑底BM和滤色器层CFL可以被设置在透明基板上，而不需要直接形成在透明缓冲层170的顶部170a上，并且在这种情况下，包括黑底BM和滤色器层CFL的透明基板可以通过利用透明粘合构件而被粘附至透明缓冲层170的顶部170a。
如上所述，在本实施方式中，由于具有相同颜色的微发光器件分别被安装在子像素SP1至SP3上，所以可以执行微发光器件150的安装工艺，而不需要根据颜色来区分微发光器件150，从而缩短了微发光器件的安装工艺所需要的安装工艺时间。
图13是沿着图6中例示的线I-I’截取的截面图并且例示了波长转换层被添加到图12中所例示的发光二极管显示装置的示例。以下，因此，仅将描述波长转换层及与其相关的元件。
参照图13，在根据本实施方式的发光二极管显示装置中，如果发出除了白色之外的第一颜色的光的微发光器件150被同样地设置在多个子像素SP1至SP3中的每一个中，则波长转换层180可以被设置在透明缓冲层170的顶部上，以通过多个单位像素UP1和UP2实现颜色。即，波长转换层180可以被设置在滤色器层CFL与透明缓冲层170之间。
波长转换层180可以基于从子像素SP1至SP3中的每一个的微发光器件入射的第一颜色的光发出第二颜色的光。即，波长转换层180可以吸收第一颜色的光，并且可以通过二次发射来发出第二颜色的光。这里，第一颜色的光可以是蓝光，并且第二颜色的光可以是黄光。
例如，波长转换层180可以在液体状态下直接被涂覆在透明缓冲层170的顶部170a上，然后，可以通过利用热和/或光的固化工艺来进行固化。作为另一示例，波长转换层180可以以片状形式来制造，并且可以直接被粘附至透明缓冲层170的顶部170a。
根据实施方式的波长转换层180可以包括荧光体或量子点。
根据实施方式的荧光体可以是由蓝光激发以发出黄光的黄色荧光体，并且例如，可以是钇铝石榴石(YAG)基材料。
根据实施方式的量子点可以由蓝光激发以发出黄光，并且可以具有用于发出具有黄色波长的光的尺寸，并且例如，可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、GaAs、GaP、GaAs-P、Ga-Sb、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。
从根据本实施方式的波长转换层180重新发出的并且照射在覆盖层190上的第二颜色的光可以与照射在第二基板500上而没有从波长转换层180重新发出的第一颜色的光组合，并且因此，可以被转换为白光。白光可以由与子像素SP1至SP3中的每一个交叠的滤色器过滤，并且因此，可以作为与子像素SP1至SP3中的每一个对应的颜色光而被发射。
除了黑底BM和滤色器层CFL被设置在波长转换层180的顶部170a上之外，黑底BM和滤色器层CFL与图12中的相同，并且因此，不再重复它们的详细描述。
如上所述，在本实施方式中，由于具有相同颜色的微发光器件150分别被安装在子像素SP1至SP3上，可以执行微发光器件150的安装工艺，而不需要根据颜色来区分微发光器件，从而缩短了微发光器件的安装工艺所需要的安装工艺时间。
覆盖层190可以被包括玻璃材料或透明塑料材料的透明基板代替，并且在这种情况下，透明基板可以通过利用透明粘合构件而被粘附至波长转换层180。而且，波长转换层180可以被设置在透明基板上，而不需要直接形成在透明缓冲层170的顶部170a上，并且在这种情况下，透明基板可以通过利用透明粘合构件而被粘附至透明缓冲层170的顶部170a。
图14是用于描述根据本公开的实施方式的多屏幕显示装置的示图，以及图15是沿着图14中例示的线II-II’截取的截面图。
参照图14、图15和图7，根据本实施方式的多屏幕显示装置可以包括多个屏幕模块500-1、500-2、500-3和500-4以及外壳600。
多个屏幕模块500-1至500-4可以按照N×M形式(其中，N为等于或大于2的正整数，以及M是等于或大于2的正整数)来布置，以分别显示各幅图像或独立地显示一幅图像。多个屏幕模块500-1至500-4各自均可以包括图1至图13中所例示的根据本公开的实施方式的发光二极管显示装置，并且不提供关于发光二极管显示装置的重复描述。
根据实施方式的多个屏幕模块500-1至500-4的侧表面可以通过设置在基板100的外表面上的模块联接构件700彼此联接。模块联接构件700可以联接以方格形式布置的多个屏幕模块500-1至500-4中的两个相邻屏幕模块的侧表面，从而实现多屏幕显示装置。根据实施方式的模块联接构件700可以由能够实现相对较薄厚度的粘合剂或双面胶带形成，以使多个屏幕模块500-1至500-4中的两个相邻屏幕模块之间的空间最小化。
在多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个中，第二单位像素UP2与基板100的外表面之间的最大距离L可以是按其布置多个第一单位像素UP1的参考像素间距P的一半“P/2”或更小。因此，其侧表面是利用两个相邻的屏幕模块之间的模块联接构件700来彼此联接的两个相邻的屏幕模块的第二单位像素UP2之间的最大距离可以等于或小于参考像素间距P。换句话说，两个相邻的屏幕模块的第二单位像素UP2之间的像素间距可以等于或小于按其布置分别设置在多个屏幕模块500-1至500-4中的第一单位像素UP1的参考像素间距P。因此，在本实施方式中，出现由屏幕模块500-1至500-4的两个相邻屏幕模块之间的边界部分造成的黑暗部分的区域被最小化或去除，并且因此，整个画面的不连续感被最小化的图像可以被显示。
外壳600可以支撑多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个的后边缘，并且可以覆盖多个屏幕模块500-1至500-4的后表面。根据实施方式的外壳600可以包括覆盖多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个的后表面的外壳板610以及被设置成垂直于外壳板610并且支撑多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个的后边缘的外壳侧壁630。
根据实施方式的外壳板610可以被配置为覆盖多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个的整个后表面的一个主体。
根据实施方式的外壳板610可以被配置为具有多个隔板，以与多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个的后表面交叠。
外壳侧壁630可以被安装为垂直于与多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个的后边缘交叠的外壳板610的顶部，并且可以独立地支撑多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个的后边缘。在这种情况下，外壳侧壁630可以通过模块支撑构件650来支撑多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个的后边缘。这里，模块支撑构件650可以是弹性构件、泡沫垫、双面胶带等。
另外，外壳600可以包括含有外壳板610和外壳侧壁630的多个模块外壳。多个模块外壳中的每一个可以独立地支撑多个屏幕模块500-1至500-4的后边缘，并且可以覆盖多个屏幕模块500-1至500-4的后表面。在这种情况下，外壳600可以包括设置在多个模块外壳之间的外壳联接构件800。外壳联接构件800可以被嵌入到相邻模块外壳之间的空间中，并且可以通过诸如螺栓、螺钉等的紧固构件固定至相邻模块外壳中的每一个的外壳板610。
另外，根据本实施方式的多屏幕显示装置还可以包括集成控制板900和安装在集成控制板900上的图像信号生成器910。
集成控制板900可以被设置在由外壳600在多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个的后表面上提供的容纳空间中。集成控制板900可以通过至少一根信号电缆930连接至多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个的控制板250。
图像信号生成器910可以被安装在集成控制板900上。图像信号生成器910可以接收从外部主机驱动系统提供的原始图像信号，并且可以基于所接收的原始图像信号生成与分别要通过多个屏幕模块500-1至500-4的显示装置显示的各幅图像对应的基于模块的输入图像信号。即，图像信号生成器910可以接收所有关于多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个的包括第一显示区域AA1和第二显示区域AA2的分辨率信息，根据关于各个模块的分辨率信息划分原始图像信号以生成基于模块的输入图像信号，并且将基于模块的输入图像信号提供给多个屏幕模块500-1至500-4中的相应屏幕模块。因此，多个屏幕模块500-1至500-4中的每一个可以基于从图像信号生成器提供的输入图像信号显示与基于模块的面板图像数据对应的基于模块的图像。
如上所述，由于根据本实施方式的多屏幕显示装置包括配置有根据本公开的实施方式的发光二极管显示装置的屏幕模块500-1至500-4，所以出现由屏幕模块500-1至500-4中的两个相邻屏幕模块之间的边界部分造成的黑暗部分的区域被最小化或消除，并且因此，整个画面的不连续感被最小化的图像可以被显示。
图16A和图16B是示出通过现有技术的多屏幕显示装置和根据本公开的实施方式的多屏幕显示装置显示的相应图像的示图。
首先，参照图16A，在现有技术的多屏幕显示装置中，由于图像仅被显示在多个显示装置中的每一个的显示区域AA上，所以可以看出由于基于多个显示装置中的每一个的前壳体的边框区域BA而导致彼此联接的显示装置之间的边界部分中出现了黑暗部分，并且在整个画面中显示了由边界部分的黑暗部分造成的不连续图像。
另一方面，参照图16B，在根据本公开的实施方式的多屏幕显示装置中，由于其侧表面彼此联接的两个相邻屏幕模块的第二单位像素之间的像素间距等于或小于第一单位像素的参考像素间距，所以可以看出多个屏幕模块之间的边界部分造成的黑暗部分的区域被最小化或消除，并且因此，显示了整个画面的不连续感被最小化的图像。
因此，即使在多个屏幕模块的侧表面以方格的形式彼此联接的情况下，根据本公开的实施方式的多屏幕显示装置可以显示整个画面的不连续感被最小化的一幅图像，从而提高了用户对大尺寸画面上显示的图像的观看浸入度。
如上所述，根据本公开的实施方式，提供了一种发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置具有适合于使多屏幕显示装置中彼此联接的显示装置之间的边界部分最小化的边框宽度，并且提高了微发光器件的安装(或转移)工艺中的对准精度和生产率。
而且，根据本公开的实施方式，即使在多个屏幕模块的侧表面以方格形式彼此联接的情况下，也显示整个画面的不连续感被最小化的一幅图像，从而提高了用户对大尺寸画面上显示的图像的观看浸入度。
对于本领域技术人员而言，将显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开进行各种修改和变型。因此，本公开旨在涵盖本公开的修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月30日提交的韩国专利申请No.10-2016-0184458的权益，将其通过引用结合于此，如同在此充分阐述一般。

Claims (19)

1.一种发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置包括：
基板，所述基板包括第一显示区域和围绕所述第一显示区域的第二显示区域；
多个第一单位像素，所述多个第一单位像素位于所述第一显示区域中，所述多个第一单位像素各自均包括多个子像素，所述多个子像素各自均包括微发光器件；以及
多个第二单位像素，所述多个第二单位像素位于与所述基板的边缘交叠的所述第二显示区域中，所述多个第二单位像素各自均包括多个子像素并且具有比所述多个第一单位像素中的每一个的尺寸小的尺寸。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其中，
所述多个第一单位像素以参考像素间距来布置，并且
所述多个第二单位像素中的每一个的中心部分与所述基板的外表面之间的距离为所述参考像素间距的一半或更小。
3.根据权利要求2所述的发光二极管显示装置，其中，相邻的第一单位像素和第二单位像素以参考像素间距来布置。
4.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其中，
所述多个第一单位像素各自均包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，
所述多个第二单位像素各自均包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且
所述多个第二单位像素中的每一个的第三子像素与所述基板的外表面相邻，并且所述多个第二单位像素中的每一个的第三子像素具有比相邻的第二子像素的尺寸小的尺寸。
5.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其中，
所述多个第一单位像素各自均包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，
所述多个第二单位像素各自均包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且
所述多个第一单位像素和所述多个第二单位像素中的每一个的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素各自均包括：
像素电路，所述像素电路包括驱动薄膜晶体管TFT；
钝化层，所述钝化层覆盖所述像素电路；
凹部，所述凹部位于所述钝化层上，所述凹部容纳包括第一电极和第二电极的所述微发光器件；
像素电极，所述像素电极将所述驱动TFT电连接至所述微发光器件的所述第一电极；以及
公共电极，所述公共电极被连接至所述微发光器件的所述第二电极。
6.根据权利要求5所述的发光二极管显示装置，其中，
所述第二子像素的凹部被设置在包括所述第二子像素的相应单位像素的中心部分中；
所述第一子像素的凹部被设置成相对于所述第一子像素的中心部分更靠近所述第二子像素的凹部；
所述第三子像素的凹部被设置成相对于所述第三子像素的中心部分更靠近所述第二子像素的凹部。
7.根据权利要求5所述的发光二极管显示装置，其中，所述多个第一单位像素以参考像素间距来布置，并且，在所述多个第二单位像素中的每一个中，所述多个第二单位像素中的每一个的凹部的中心部分与所述基板的外表面之间的距离为所述参考像素间距的一半或更小。
8.根据权利要求5所述的发光二极管显示装置，其中，分别设置在所述第一子像素、第二子像素和所述第三子像素中的凹部具有不同的深度。
9.根据权利要求5所述的发光二极管显示装置，其中，分别设置在所述第一子像素、第二子像素和所述第三子像素中的凹部包括彼此连通的一个容纳空间。
10.根据权利要求5所述的发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置还包括：
平整层，所述平整层覆盖所述钝化层和容纳在所述凹部中的所述微发光器件；以及
透明缓冲层，所述透明缓冲层覆盖所述平整层，
其中，所述像素电极和所述公共电极中的每一个被设置在所述平整层与所述透明缓冲层之间。
11.根据权利要求10所述的发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置还包括：
侧密封构件，所述侧密封构件覆盖所述基板的外表面和所述透明缓冲层的侧表面。
12.根据权利要求10所述的发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置还包括：
滤色器，所述滤色器位于所述透明缓冲层上，所述滤色器与容纳在所述凹部中的所述微发光器件交叠，
其中，所述微发光器件发白光。
13.根据权利要求12所述的发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置还包括：
波长转换层，所述波长转换层位于所述透明缓冲层与所述滤色器之间，
其中，所述波长转换层包括荧光体或量子点。
14.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置还包括显示驱动电路，所述显示驱动电路包括：
多条像素驱动线，所述多条像素驱动线位于所述基板上，所述多条像素驱动线包括限定多个子像素区域的多条选通线和多条数据线；
多条布线线路，所述多条布线线路位于所述基板的外表面和所述基板的后表面上，所述多条布线线路被连接至所述多条像素驱动线；
焊盘部，所述焊盘部包括设置在所述多条布线线路中的每一条上的焊盘；以及
驱动电路，所述驱动电路被连接至所述焊盘部。
15.根据权利要求14所述的发光二极管显示装置，其中，
所述基板包括从所述外表面凹入设置的多个凹槽和位于所述多个凹槽之间的多个突起，所述多个突起与所述多条像素驱动线的端部交叠，并且
所述多条布线线路各自均包括：
侧布线图案，所述侧布线图案被电连接至所述多条像素驱动线中的每一条的端部，所述侧布线图案围绕所述多个突起中的每一个的一部分；以及
后布线图案，所述后布线图案被设置在所述基板的所述后表面上，并且被电连接至所述侧布线图案和所述焊盘部。
16.根据权利要求14所述的发光二极管显示装置，其中，所述显示驱动电路被设置在所述基板的后表面上。
17.一种多屏幕显示装置，该多屏幕显示装置包括：
多个屏幕模块；以及
多个模块联接构件，所述多个模块联接构件联接所述多个屏幕模块的侧表面，
其中，所述多个屏幕模块各自均包括权利要求1至16中的一项中的所述发光二极管显示装置。
18.根据权利要求17所述的多屏幕显示装置，其中，
彼此相邻的并且彼此之间具有所述多个模块联接构件中的一个的两个屏幕模块的第二单位像素之间的最大距离等于或小于所述第一单位像素的参考像素间距，并且
所述参考像素间距是两个相邻的第一单位像素的中心部分之间的距离。
19.根据权利要求17所述的多屏幕显示装置，其中，所述多个模块联接构件各自均包括粘合剂或双面胶带。
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