CN110854150A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：像素电路；绝缘层，覆盖像素电路；第一分隔部分，设置在绝缘层上并在第一方向上延伸；第二分隔部分，在与第一方向交叉的第二方向上与第一分隔部分分隔开，并且在第一方向上延伸；多个连接分隔部分，设置在第一分隔部分和第二分隔部分之间，其中，多个连接分隔部分中的每个在第二方向上延伸；第一电极，设置在第一分隔部分上并电连接到像素电路；第二电极，设置在第二分隔部分上；以及发光元件，设置在多个连接分隔部分之间并电连接到第一电极和第二电极。

Description

显示装置及其制造方法
本申请要求于2018年8月21日提交的第10-2018-0097411号韩国专利申请的优先权，以及由其产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
在这里的公开涉及一种能够改善可靠性和制造产量的显示装置以及一种制造其的方法。
背景技术
显示装置可以包括发光元件。发光元件可以电连接到电极，并且可以通过施加到电极的电压发光。发光元件可以直接形成在电极上，或者与电极分离地形成的发光元件可以连接到电极。
发明内容
在显示装置中，当发光元件分离地形成，并然后连接到电极时，可以期望将发光元件与电极对准。如果发光元件没有与电极规律地对准，则发光元件会不发光。
公开可以提供一种具有改善的可靠性和制造产量的显示装置以及一种制造显示装置的方法。
在发明的实施例中，一种显示装置可以包括：像素电路；绝缘层，覆盖像素电路；第一分隔部分，设置在绝缘层上并在第一方向上延伸；第二分隔部分，在与第一方向中交叉的第二方向上与第一分隔部分分隔开并在第一方向上延伸；多个连接分隔部分，设置在第一分隔部分和第二分隔部分之间，其中，多个连接分隔部分中的每个在第二方向上延伸；第一电极，设置在第一分隔部分上并电连接到像素电路；第二电极，设置在第二分隔部分上；以及发光元件，设置在多个连接分隔部分之间并电连接到第一电极和第二电极。
在实施例中，当在平面图中观看时，发光元件可以被第一分隔部分、第二分隔部分和多个连接分隔部分围绕。
在实施例中，第一分隔部分、第二分隔部分和多个连接分隔部分可以包括彼此相同的材料。
在实施例中，第一电极可以在第一方向上延伸并且可以覆盖第一分隔部分，第二电极可以在第一方向上延伸并且可以覆盖第二分隔部分。在这样的实施例中，当在平面图中观看时，与多个连接分隔部分相邻的区域中的第一电极和第二电极之间的在第二方向上的第一距离可以等于与多个连接分隔部分叠置的区域中的第一电极和第二电极之间的在第二方向上的第二距离。
在实施例中，第一电极可以包括在第一方向上延伸的第一延伸电极部分，以及在朝着第二电极的方向上从第一延伸电极部分突出的第一突出电极部分。在这样的实施例中，第二电极可以包括在第一方向上延伸的第二延伸电极部分，以及在朝着第一电极的方向上从第二延伸电极部分突出的第二突出电极部分。
在实施例中，当在平面图中观看时，可以在多个连接分隔部分之间设置第一突出电极部分，并且当在平面图中观看时，可以在多个连接分隔部分之间设置第二突出电极部分。
在实施例中，当在平面图中观看时，第一突出电极部分和第二突出电极部分之间的在第二方向上的第一距离可以小于第一延伸电极部分和第二延伸电极部分之间的在第二方向上的第二距离。
在实施例中，第一分隔部分和第二分隔部分中的每个可以具有第一厚度，多个连接分隔部分中的每个可以具有第二厚度，第一厚度可以等于第二厚度。
在实施例中，第一分隔部分和第二分隔部分中的每个可以具有第一厚度，多个连接分隔部分中的每个可以具有第二厚度，第一厚度可以大于第二厚度。
在实施例中，当在与第一方向平行的剖视图中观看时，多个连接分隔部分中的每个可以具有梯形的形状。
在实施例中，当在与第一方向平行的剖视图中观看时，多个连接分隔部分中的每个的最外表面可以具有曲率。
在实施例中，多个连接分隔部分可以在第一方向上彼此分隔开。在这样的实施例中，第一分隔部分、第二分隔部分和多个连接分隔部分可以彼此连接以构成单个单体。
在发明的实施例中，一种制造显示装置的方法可以包括下述步骤：在基体层上设置像素电路；设置覆盖像素电路的绝缘层；在绝缘层上设置初始绝缘层；使初始绝缘层图案化以形成第一分隔部分、第二分隔部分和多个连接分隔部分；设置覆盖第一分隔部分的第一电极；设置覆盖第二分隔部分的第二电极；在第一电极和第二电极之间以及多个连接分隔部分之间设置发光元件；以及对准发光元件。
在实施例中，使初始绝缘层图案化的步骤可以包括在初始绝缘层上方设置掩模，并且使用掩模使初始绝缘层曝光和显影，以形成第一分隔部分、第二分隔部分和多个连接分隔部分。
在实施例中，掩模可以包括光阻挡部分和光透射部分。在这样的实施例中，在初始绝缘层上方设置掩模的步骤可以包括以这样的方式设置掩模：在设置掩模时使得光阻挡部分可以设置为与其中将形成第一分隔部分、第二分隔部分和多个连接分隔部分的区域叠置。
在实施例中，掩模可以包括光阻挡部分、光透射部分和光半透射部分。在这样的实施例中，在初始绝缘层上方设置掩模的步骤可以包括以这样的方式设置掩模：在设置掩模时使得光阻挡部分可以设置为与其中将形成第一分隔部分、第二分隔部分的区域叠置，并且光半透射部分可以设置为与其中将形成多个连接分隔部分的区域叠置。
在发明的实施例中，一种显示装置可以包括：第一分隔部分，在第一方向上延伸；第二分隔部分，在与第一方向交叉的第二方向上与第一分隔部分分隔开并在第一方向上延伸；第一电极，设置在第一分隔部分上；第二电极，设置在第二分隔部分上；第一连接分隔部分，设置在第一分隔部分和第二分隔部分之间；第二连接分隔部分，设置在第一分隔部分和第二分隔部分之间，并且与第一连接分隔部分在第一方向上分隔开；以及发光元件，设置在由第一分隔部分和第二分隔部分以及第一连接分隔部分和第二连接分隔部分限定的空间中，并且电连接到第一电极和第二电极。
在实施例中，第一电极和第二电极可以在第一方向上延伸，并且可以在第二方向上彼此分隔开。在这样的实施例中，第一电极和第二电极之间的在第二方向上的分隔距离可以根据位置而不同。
在实施例中，当在平面图中观看时，与第一连接分隔部分或第二连接分隔部分叠置的区域中的分隔距离可以大于第一连接分隔部分和第二连接分隔部分之间的区域中的分隔距离。
在实施例中，第一电极可以包括在第一方向上延伸的第一延伸电极部分，以及在朝着第二电极的方向上从第一延伸电极部分突出的第一突出电极部分。在这样的实施例中，第二电极可以包括在第一方向上延伸的第二延伸电极部分，以及在朝着第一电极的方向上从第二延伸电极部分突出的第二突出电极部分。在这样的实施例中，第一突出电极部分和第二突出电极部分可以设置在第一连接分隔部分和第二连接分隔部分之间的区域中。
附图说明
通过下面结合附图对示例性实施例的描述，发明的这些和/或其它特征将变得明显并且更容易理解，在附图中：
图1是示出根据发明的实施例的显示装置的透视图；
图2是示出根据发明的实施例的显示装置的框图；
图3是根据发明的实施例的像素的等效电路图；
图4A是示出根据发明的实施例的发光元件的剖视图；
图4B是示出根据发明的可选的实施例的发光元件的剖视图；
图4C是示出根据发明的另一可选的实施例的发光元件的剖视图；
图4D是示出根据发明的另一可选的实施例的发光元件的剖视图；
图5是示出根据发明的实施例的显示面板的剖视图；
图6是示出根据发明的实施例的显示面板的某些组件的平面图；
图7A是沿图6的线I-I'截取的剖视图；
图7B是沿图6的线II-II'截取的剖视图；
图8是示出根据发明的可选的实施例的显示面板的某些组件的平面图；
图9A是沿图8的线III-III'截取的剖视图；
图9B是沿图8的线IV-IV'截取的剖视图；
图10是示出图7B中示出的部分的可选的实施例的剖视图；
图11A是沿图8的线V-V'截取的剖视图；
图11B是示出图11A中示出的部分的可选的实施例的剖视图；
图12A、图12B、图12C和图12D是示出形成第一分隔部分、第二分隔部分和多个连接分隔部分的工艺的实施例的示意图；
图13A、图13B和图13C是示出形成第一分隔部分、第二分隔部分和多个连接分隔部分的工艺的可选的实施例的示意图；以及
图14是示出根据发明的实施例的对准发光元件的工艺的剖视图。
具体实施方式
现在将参照示出了各种实施例的附图在下文中更充分地描述发明。然而，发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被解释为限于这里阐述的实施例。相反地，提供这些实施例使得公开将是彻底的和完整的，并且将充分地将发明的范围传达给本领域技术人员。同样的附图标记始终指同样的元件。
将理解的是，当诸如层、区域或基底的元件被称为“在”另一个元件“上”时，它可以直接在所述另一个元件上，或者可以存在中间元件。相反，术语“直接”意思是不存在中间元件。
在这里使用的术语仅是为了描述特定的实施例的目的，而不意图是限制性的。除非上下文另外清楚地指示，否则如在这里所使用的，单数形式“一个”、“一种(者)”和“所述(该)”意图包括包含“至少一个”的复数形式。“或”意思是“和/或”。“至少A和B”意思是“A和/或B”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何组合和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”或者“包括”时，列举存在陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或者添加一个或更多个其他的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
为了易于描述，可以在这里使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”和“上面的”等的空间相对术语来描述如在附图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包括除了在附图中描绘的方位之外的装置在使用的或者操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，那么被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为在所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(旋转90度或者在其他方位)并相应地解释在这里使用的空间相对描述符。
将理解的是，虽然在这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该被这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离在这里的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
考虑到测量问题以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如在这里所使用的“大约”或“近似”包括所述值，并且意思是在如本领域的普通技术人员所确定的具体值的可接受的偏差范围内。
在这里参照作为理想化的示例性示图的剖视图和/或平面图来描述示例性实施例。在附图中，为了清楚，夸大了层和区域的厚度。因此，将预期例如由于制造技术和/或制造公差导致的示图的形状的变化。因此，示例性实施例不应该被解释为限于在这里示出的区域的形状，而是包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，示出为矩形的蚀刻区域将典型地具有圆形或弯曲的特征。因此，在附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图限制示例性实施例的范围。
除非另有定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属的领域的技术人员通常理解的术语相同的含义。而且，诸如在常用的字典中定义的术语的术语应该被解释为具有与相关领域的上下文中的含义一致的含义，除非术语以理想或过于形式的意义来解释，否则它们在此被明确定义。
在下文中，将参照附图详细描述发明的示例性实施例。
图1是示出根据发明的实施例的显示装置的透视图。
参照图1，显示装置DD的实施例可以通过其中限定的显示区域DA来显示图像。在实施例中，如图1中所示，显示区域DA设置在由第一方向DR1和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2限定的平面中。然而，发明的实施例不限于此。在可选的实施例中，显示装置DD的显示区域可以设置在曲面中。
显示装置DD的厚度方向可以由第三方向DR3来指示。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向可以是相对的概念，并且可以改变成其他的方向。在这里使用的从句“当在平面图中观看时”可以意思是从句“当从在第三方向DR3上的平面图观看时”。另外，术语“厚度方向”可以意思是第三方向DR3。
在图1中，示出了显示装置DD是电视的实施例。在其他实施例中，显示装置DD可以是大型的电子装置(例如，监视器和外部广告牌)或者小型和中型的电子装置(例如，个人电脑、笔记本电脑、个人数字助理(“PDA”)、汽车导航单元、游戏控制台、智能电话、平板电脑以及照相机)。然而，这些仅仅是示例性的，在不脱离发明的精神和范围的情况下，显示装置也可以应用到其他的电子装置。
图2是示出根据发明的实施例的显示装置的框图。
参照图2，显示装置DD的实施例可以包括显示面板DP、信号控制器(或者时序控制器)TC、数据驱动器DDV以及扫描驱动器GDV。信号控制器TC、数据驱动器DDV和扫描驱动器GDV中的每个可以包括电路。
显示面板DP可以是包括微型发光元件的微型发光元件显示面板。在一个实施例中，例如，显示面板DP可以是微发光二极管(微LED)显示面板。
显示面板DP可以包括多条数据线DL1至DLm、多条扫描线SL1至SLn以及多个像素PX。
多条数据线DL1至DLm可以在第一方向DR1上延伸，并且可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上布置。多条扫描线SL1至SLn可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上布置。
像素PX中的每个可以包括发光元件和电连接到发光元件的像素电路。像素电路可以包括多个晶体管。第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS可以被提供到像素PX中的每个。
当在平面图中观看时，像素PX可以规律地布置在显示面板DP上。像素PX中的每个可以显示原色中的一种或者混合颜色中的一种。原色可以包括红色、绿色和蓝色，混合颜色可以包括诸如黄色、蓝绿色、品红色以及白色的各种颜色。然而，通过像素PX显示的颜色不限于此。
在实施例中，信号控制器TC可以接收来自外部系统的图像数据RGB。信号控制器TC可以将图像数据RGB转换为适合于显示面板DP的操作的转换后的图像数据R'G'B'，并且可以将转换后的图像数据R'G'B'输出或者提供到数据驱动器DDV。
在这样的实施例中，信号控制器TC可以接收来自外部系统的控制信号CS。控制信号CS可以包括垂直同步信号、水平同步信号、主时钟信号和数据使能信号。信号控制器TC可以将第一控制信号CONT1提供到数据驱动器DDV，并且可以将第二控制信号CONT2提供到扫描驱动器GDV。第一控制信号CONT1可以是用于控制数据驱动器DDV的信号，第二控制信号CONT2可以是用于控制扫描驱动器GDV的信号。
数据驱动器DDV可以响应于从信号控制器TC接收的第一控制信号CONT1而将电信号或者电压提供到多条数据线DL1至DLm。数据驱动器DDV可以实现为独立的集成电路，以电连接到显示面板DP的一侧或者直接安装在显示面板DP上。在一些实施例中，数据驱动器DDV可以实现为单独的芯片或者可以包括多个芯片。
扫描驱动器GDV可以响应于从信号控制器TC接收的第二控制信号CONT2而将电信号提供到扫描线SL1至SLn。扫描驱动器GDV可以集成在显示面板DP的预定区域中。在一个实施例中，例如，扫描驱动器GDV可以包括通过与像素PX的像素电路相同的工艺(例如，低温多晶硅(“LTPS”)工艺或低温多晶氧化物(“LTPO”)工艺)形成的多个薄膜晶体管。可选择地，扫描驱动器GDV可以实现为独立的集成电路芯片，以电连接到显示面板DP的一侧。
当栅极导通电压被施加到多条扫描线SL1至SLn中的一条扫描线时，连接到该条扫描线的一行像素的开关晶体管可以被导通。当数据驱动器DDV将数据驱动信号提供到数据线DL1至DLm时，供应到数据线DL1至DLm的数据驱动信号可以通过导通的开关晶体管被施加到像素。数据驱动信号可以是与图像数据的灰度值对应的模拟电压。
图3是根据发明的实施例的像素的等效电路图。图3示出了图2的多个像素PX中的一个的等效电路图。
参照图3，像素PX的实施例可以电连接到多条信号线。在实施例中，扫描线SL、数据线DL、第一电源线PL1以及第二电源线PL2共同限定信号线。然而，发明的实施例不限于此。在可选的实施例中，像素PX可以另外连接到其它的各种信号线中的至少一种。
像素PX可以包括发光元件ED、第一电极E1、第二电极E2和像素电路PXC。像素电路PXC可以包括第一薄膜晶体管TR1、电容器CAP和第二薄膜晶体管TR2。然而，在像素电路PXC中包括的薄膜晶体管和电容器的数量并不限于图3中的那些。在可选的实施例中，像素电路PXC可以包括七个薄膜晶体管和一个电容器。
第一薄膜晶体管TR1可以是被构造成控制像素PX的导通/截止的开关晶体管。薄膜晶体管TR1可以响应于通过扫描线SL提供的扫描信号来传输或者阻挡通过数据线DL提供的数据信号。
电容器CAP可以连接到第一薄膜晶体管TR1和第一电源线PL1。电容器CAP可以充有电荷或电压，所述电荷或电压与从第一薄膜晶体管TR1传输的数据信号和通过第一电源线PL1提供的第一电源电压ELVDD之间的差对应。
第二薄膜晶体管TR2可以连接到第一薄膜晶体管TR1、电容器CAP和发光元件ED。第二薄膜晶体管TR2可以响应于电容器CAP中储存的电荷量来控制流经发光元件ED的驱动电流。第二薄膜晶体管TR2的导通时间可以根据电容器CAP中储存的电荷量来确定。
在实施例中，所有的第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2可以是N型薄膜晶体管或者P型薄膜晶体管，但是不限于此。可选择地，第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2中的一个可以是N型薄膜晶体管，第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2中的另一个可以是P型薄膜晶体管。
发光元件ED可以连接到第二薄膜晶体管TR2和第二电源线PL2。例如，在一个实施例中，发光元件ED可以连接到第一电极E1和第二电极E2，第一电极E1电连接到第二薄膜晶体管TR2，第二电极E2电连接到第二电源线PL2。第一电极E1可以电连接到像素电路PXC，第二电极E2可以通过第二电源线PL2接收电源电压(例如，第二电源电压ELVSS)。
发光元件ED可以通过电压来发光，该电压与通过第二薄膜晶体管TR2传输的信号和通过第二电源线PL2接收的第二电源电压ELVSS之间的差对应。
发光元件ED可以是微型LED元件。微型LED元件可以是具有几纳米到几百微米的长度的LED元件。然而，微型LED元件的长度不限于该数字范围。
在实施例中，如图3中所示，一个发光元件ED可以连接在第二薄膜晶体管TR2和第二电源线PL2之间，但是不限于此。在可选的实施例中，可以提供多个发光元件ED。多个发光元件ED可以彼此并联连接。
图4A是示出根据发明的实施例的发光元件的剖视图。
发光元件ED可以具有诸如圆柱形和多边柱形的各种形状中的一种。图4A示出发光元件ED的剖面。
参照图4A，发光元件ED的实施例可以包括N型半导体层SCN、P型半导体层SCP和有源层AL。有源层AL可以设置在N型半导体层SCN和P型半导体层SCP之间。
N型半导体层SCN可以通过用N型掺杂剂掺杂半导体层来提供，P型半导体层SCP可以通过用P型掺杂剂掺杂半导体层来提供。半导体层可以包括半导体材料。在一个实施例中，例如，半导体材料可以包括但是不限于GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN或AlInN。在一个实施例中，例如，N型掺杂剂可以包括但是不限于硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硒(Se)、碲(Te)或者它们的任何组合。在一个实施例中，例如，P型掺杂剂可以包括但是不限于镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)或者它们的任何组合。
有源层AL可以具有单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。在有源层AL中，通过N型半导体层SCN注入的电子可以和通过P型半导体层SCP注入的空穴复合。有源层AL可以是被构造为发射具有由材料的本征能带确定的能量的光的层。有源层AL的位置可以根据二极管的种类而不同地改变。
N型半导体层SCN可以连接到第一电极E1和第二电极E2(见图3)中的一个，P型半导体层SCP可以连接到第一电极E1和第二电极E2中的另一个。
发光元件ED的长度LT可以在从几纳米到几百微米的范围内。在一个实施例中，例如，发光元件ED的长度LT可以在从1微米到100微米的范围内。
图4B是示出根据发明的可选的实施例的发光元件的剖视图。
参照图4B，除了发光元件EDa还包括第一电极层ECL1和第二电极层ECL2之外，发光元件EDa的这样的实施例可以与图4A中示出的发光元件ED的实施例基本相同。图4B中示出的相同的或同样的元件已经用与以上用来描述图4A中示出的发光元件ED的实施例相同的附图符号来标示，并且在下文中将省略或者简化其任何重复的详细描述。
第一电极层ECL1可以与N型半导体层SCN相邻，第二电极层ECL2可以与P型半导体层SCP相邻。在一个实施例中，例如，第一电极层ECL1、N型半导体层SCN、有源层AL、P型半导体层SCP以及第二电极层ECL2可以依次布置或者一个在另一个上地堆叠。
第一电极层ECL1和第二电极层ECL2中的每个可以包括金属或金属的合金或者由金属或金属的合金形成。在一个实施例中，例如，第一电极层ECL1和第二电极层ECL2中的每个可以包括钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铂(Pt)、钒(V)、钨(W)、铅(Pb)、钯(Pd)、铜(Cu)、铑(Rh)、铱(Ir)或它们的任何合金或者由钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti))、铂(Pt)、钒(V)、钨(W)、铅(Pb)、钯(Pd)、铜(Cu)、铑(Rh)、铱(Ir)或它们的任何合金形成。第一电极层ECL1和第二电极层ECL2可以包括彼此相同的材料或者彼此不同的材料。
图4C是示出根据发明的另一可选的实施例的发光元件的剖视图。
参照图4C，除了发光元件EDb还包括绝缘层IL之外，发光元件EDb的这样的实施例可以与图4A中示出的发光元件ED的实施例基本相同。在一个实施例中，例如，发光元件EDb可以具有核壳结构。图4C中示出的相同的或同样的元件已经用与以上用来描述图4A中示出的发光元件ED的实施例相同的附图符号来标示，并且在下文中将省略或者简化其任何重复的详细描述。
绝缘层IL可以覆盖N型半导体层SCN、P型半导体层SCP和有源层AL，并且可以保护N型半导体层SCN、P型半导体层SCP和有源层AL的外表面。在可选的实施例中，绝缘层IL可以仅覆盖有源层AL。
图4D是示出根据发明的另一可选的实施例的发光元件的剖视图。
参照图4D，除了发光元件EDc还包括绝缘层ILa之外，发光元件EDc的这样的实施例可以与图4B中示出的发光元件EDa的实施例基本相同。图4D中示出的相同的或同样的元件已经用与以上用来描述图4B中示出的发光元件EDa的实施例相同的附图符号来标示，并且在下文中将省略或者简化其任何重复的详细描述。
在这样的实施例中，绝缘层ILa可以覆盖N型半导体层SCN、P型半导体层SCP和有源层AL，但是可以不覆盖第一电极层ECL1和第二电极层ECL2。在可选的实施例中，绝缘层ILa可以覆盖第一电极层ECL1和第二电极层ECL2中的至少一部分，或者可以完全覆盖第一电极层ECL1和第二电极层ECL2。
图5是示出根据发明的实施例的显示面板的剖视图，图6是示出根据发明的实施例的显示面板的某些组件的平面图。为了使描述和说明容易且方便的目的，图5和图6示出了对应于一个像素的区域，并且在图5和图6中省略了某些组件。
参照图5和图6，在显示面板的实施例中，第一基体层BL1和第二基体层BL2可以设置为彼此相对或彼此面对。第一基体层BL1和第二基体层BL2中的每个可以是硅基底、塑料基底、玻璃基底或绝缘膜，或者可以具有包括多个绝缘层的堆叠结构。
缓冲层BFL可以设置在第一基体层BL1上。第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2可以设置在缓冲层BFL上。
第一薄膜晶体管TR1可以包括第一控制电极CE1、第一输入电极IE1、第一输出电极OE1和第一半导体图案SP1。第二薄膜晶体管TR2可以包括第二控制电极CE2、第二输入电极IE2、第二输出电极OE2和第二半导体图案SP2。
第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2可以设置在缓冲层BFL上。在实施例中，缓冲层BFL可以向第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2提供重整的或改性的表面。在这样的实施例中，与第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2直接形成在第一基体层BL1上的情况相比，可以改善缓冲层BFL与第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2之间的粘合强度。可选择地，缓冲层BFL可以是用于保护第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2的底表面的阻挡层。在这样的实施例中，缓冲层BFL可以禁止或者防止污染物或湿气从第一基体层BL1的内部或穿过第一基体层BL1渗透到第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2。
第一绝缘层L1可以设置在缓冲层BFL上，并且可以覆盖第一半导体图案SP1和第二半导体图案SP2。第一绝缘层L1可以包括无机材料。在一个实施例中，例如，无机材料可以包括但是不限于氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝。
第一控制电极CE1和第二控制电极CE2可以设置在第一绝缘层L1上。第二绝缘层L2可以设置在第一绝缘层L1上，并且可以覆盖第一控制电极CE1和第二控制电极CE2。第二绝缘层L2可以包括无机材料。
电容器CAP(见图3)可以包括第一电容器电极(未示出)和第二电容器电极CPa。在一个实施例中，例如，第一电容器电极可以通过从第二控制电极CE2分支的一部分来限定，并且第二电容器电极CPa可以设置在第二绝缘层L2上。
第三绝缘层L3可以设置在第二绝缘层L2上，并且可以覆盖第二电容器电极CPa。第一输入电极IE1、第一输出电极OE1、第二输入电极IE2和第二输出电极OE2可以设置在第三绝缘层L3上。第一输入电极IE1和第一输出电极OE1可以通过穿过第一绝缘层至第三绝缘层L1、L2和L3限定的通孔而连接到第一半导体图案SP1。第二输入电极IE2和第二输出电极OE2可以通过穿过第一绝缘层至第三绝缘层L1、L2和L3限定的通孔而连接到第二半导体图案SP2。信号线(例如，扫描线或数据线)中的每条的至少一部分和第一输入电极IE1和第一输出电极OE1以及第二输入电极IE2和第二输出电极OE2一样可以设置在第三绝缘层L3上。
第四绝缘层L4可以设置在第三绝缘层L3上，并且可以覆盖第一输入电极IE1、第一输出电极OE1、第二输入电极IE2和第二输出电极OE2。第四绝缘层L4可以具有单层结构或包括多个层的多层结构。第四绝缘层L4可以包括有机材料和/或无机材料。
连接电极CNE可以设置在第四绝缘层L4上。除了连接电极CNE之外，信号线(例如，扫描线或数据线)中的每条的至少另一部分可以设置在第四绝缘层L4上。连接电极CNE可以连接到第二输出电极OE2。
第五绝缘层L5可以设置在第四绝缘层L4上，并且可以覆盖连接电极CNE。第五绝缘层L5可以包括有机材料。第五绝缘层L5可以覆盖设置在其下面的像素电路PXC(见图3)，并且可以具有平坦的顶表面。
第一分隔部分BR1、第二分隔部分BR2以及多个连接分隔部分CBR可以设置在第五绝缘层L5上。第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2中的每个可以在第一方向DR1上延伸。第二分隔部分BR2可以在第二方向DR2上与第一分隔部分BR1分隔开。连接分隔部分CBR可以设置在第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2之间。连接分隔部分CBR中的每个可以在第二方向DR2上延伸。连接分隔部分CBR可以在第一方向DR1上彼此分隔开，并且可以在第一方向DR1上布置。第一分隔部分BR1、第二分隔部分BR2和连接分隔部分CBR可以包括彼此相同的材料。在一个实施例中，例如，第一分隔部分BR1、第二分隔部分BR2和连接分隔部分CBR中的每个可以包括有机材料。第一分隔部分BR1、第二分隔部分BR2和多个连接分隔部分CBR可以彼此连接以构成单个单体。
第一电极E1可以设置在第一分隔部分BR1上，第二电极E2可以设置在第二分隔部分BR2上。第一电极E1可以在第一方向DR1上延伸，并且可以覆盖第一分隔部分BR1。第二电极E2可以在第一方向DR1上延伸，并且可以覆盖第二分隔部分BR2。在这样的实施例中，第一分隔部分BR1可以设置在第一电极E1和第五绝缘层L5之间，第二分隔部分BR2可以设置在第二电极E2和第五绝缘层L5之间。
通孔可以限定在第五绝缘层L5中，连接电极CNE的一部分可以通过通孔而被暴露。第一电极E1可以电连接到连接电极CNE的暴露部分。即使在附图中未示出，第二电极E2也可以电连接到第二电源线PL2(见图3)。在这样的实施例中，第二电源电压ELVSS(见图3)可以被提供到第二电极E2。
第一电极E1可以包括第一反射电极RFE1和第一盖电极CPE1，第二电极E2可以包括第二反射电极RFE2和第二盖电极CPE2。
第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以包括反射材料。第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以具有单层结构或多层结构。在一个实施例中，例如，第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以具有其中一个在另一个上依次堆叠的氧化铟锡(“ITO”)层、银(“Ag”)层和氧化铟锡(“ITO”)层的结构。
第一盖电极CPE1可以遮盖或覆盖第一反射电极RFE1，第二盖电极CPE2可以遮盖或覆盖第二反射电极RFE2。在一个实施例中，例如，第一盖电极CPE1和第二盖电极CPE2中的每个可以包括IZO、ITO、氧化铟镓(“IGO”)、氧化铟锌镓(“IGZO”)中和它们的任何混合物/化合物中的至少一种。
发光元件ED可以设置在第五绝缘层L5上。发光元件ED可以设置为多个，并且多个发光元件ED可以彼此并联连接。即使在附图中未示出，绝缘图案(未示出)也可以设置在第五绝缘层L5和发光元件ED之间。发光元件ED可以电连接到第一电极E1和第二电极E2。发光元件ED可以设置在多个连接分隔部分CBR之间。在一个实施例中，例如，当在平面图中观看时，发光元件ED可以被第一分隔部分BR1、第二分隔部分BR2以及多个连接分隔部分CBR围绕。
在实施例中，如图5中所示，发光元件ED的一部分设置在第一电极E1上，发光元件ED的另一部分设置在第二电极E2上。然而，发明的实施例不限于此。在可选的实施例中，发光元件ED可以设置在第一电极E1和第二电极E2之间。在一个实施例中，例如，发光元件ED的长度可以小于第一电极E1和第二电极E2之间的距离。在实施例中，当在平面图中观看时，发光元件ED可以不与第一电极E1和第二电极E2叠置。
第六绝缘层(或绝缘图案)L6可以设置在发光元件ED上。第六绝缘层L6可以覆盖发光元件ED的顶表面的至少一部分。
发光元件ED可以通过第一连接电极CNE1电连接到第一电极E1，并且可以通过第二连接电极CNE2电连接到第二电极E2。
第二连接电极CNE2可以设置在发光元件ED和第二电极E2上。第七绝缘层L7可以设置在第二连接电极CNE2上。第一连接电极CNE1可以设置在发光元件ED和第一电极E1上。即使发光元件ED的长度是几百微米或者更小，也由于第七绝缘层L7而使得第二连接电极CNE2和第一连接电极CNE1可以彼此不直接接触。然而，发明的实施例不限于此。在可选的实施例中，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以通过相同的工艺同时形成。在这样的实施例中，可以省略第七绝缘层L7。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以包括导电材料。在一个实施例中，例如，导电材料可以包括IZO、ITO、IGO、IGZO或者它们的任何混合物/化合物中的至少一种。然而，发明的实施例不限于此。在一个可选的实施例中，例如，导电材料可以是金属材料，金属材料可以包括例如钼、银、钛、铜、铝或它们的任何合金。
第八绝缘层L8可以设置在第一连接电极CNE1和第七绝缘层L7上。第八绝缘层L8可以是封装层。
光阻挡层BM可以设置在第二基体层BL2的一个表面上，第二基体层BL2的该表面面对第一基体层BL1。开口可以限定在光阻挡层BM中，并且可以设置波长转换部分CL来覆盖该开口。通过开口暴露的区域可以与像素发光区域PXA对应。
波长转换部分CL可以包括发光体或光致发光材料。在一个实施例中，例如，发光体可以吸收从发光元件ED提供的第一光，并且可以将第一光的波长转换为具有与第一光的颜色不同的颜色的第二光的波长。在这样的实施例中，发光体可以将第一光转换成第二光，并且可以发射第二光。例如，发光体可以是量子点。第一光可以是蓝光，第二光可以是绿光或红光。然而，发明的实施例不限于此。在可选的实施例中，波长转换部分CL可以用滤色器代替。滤色器可以吸收特定波长的光来实现特定的颜色。在另一可选的实施例中，可以省略波长转换部分CL。在这样的实施例中，发光元件ED可以发射蓝光、绿光或红光。
第九绝缘层L9可以设置在波长转换部分CL和第八绝缘层L8之间。在一个实施例中，例如，通过第九绝缘层L9，其上设置有像素电路PXC(见图3)和发光元件ED的第一基体层BL1可以结合到其上设置有波长转换部分CL和光阻挡层BM的第二基体层BL2。在一个实施例中，例如，第九绝缘层L9可以包括光学透明粘合剂膜、光学透明树脂或压敏粘合剂膜。然而，发明的实施例不限于此。在另一实施例中，可以省略第九绝缘层L9。
图7A是沿图6的线I-I'截取的剖视图，图7B是沿图6的线II-II'截取的剖视图。
图7A可以是与连接分隔部分CBR相邻的区域的剖视图。换言之，图7A可以是其中在平面图中没有设置连接分隔部分CBR的区域(例如，在平面图中没有与连接分隔部分CBR叠置的区域)的剖视图。图7B可以是与连接分隔部分CBR叠置的区域的剖视图。换言之，图7B可以是其中在平面图中设置连接分隔部分CBR的区域的剖视图。
图7A中示出了在第一电极E1和第二电极E2之间的第一距离LT1，图7B中示出了在第一电极E1和第二电极E2之间的第二距离LT2。第一距离LT1和第二距离LT2中的每个可以是当在平面图中观看时(例如，当在第三方向DR3上观看时)在第一电极E1和第二电极E2之间测量的距离。在一个实施例中，例如，第一距离LT1和第二距离LT2中的每个可以是在第二方向DR2上的距离。在实施例中，第一距离LT1和第二距离LT2可以彼此相等。
第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2中的每个可以具有第一厚度TK1，连接分隔部分CBR中的每个可以具有第二厚度TK2。第一厚度TK1可以是第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2中的每个的最大厚度，第二厚度TK2可以是连接分隔部分CBR中的每个的最大厚度。在实施例中，第一厚度TK1和第二厚度TK2可以彼此相等。
可以限定通过第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2以及多个连接分隔部分CBR中的彼此相邻的第一连接分隔部分CBR1和第二连接分隔部分CBR2围绕的空间SPA。当在平面图中观看时，发光元件ED可以设置在空间SPA中。根据发明的实施例，发光元件ED的布置位置可以通过空间SPA来确定。
图8是示出根据发明的可选的实施例的显示面板的某些组件的平面图。图9A是沿图8的线III-III'截取的剖视图。图9B是沿图8的线IV-IV'截取的剖视图。
参照图8、图9A和图9B，在显示面板的实施例中，第一电极E1a可以包括在第一方向DR1上延伸的第一延伸电极部分E1e和从第一延伸电极部分E1e突出的第一突出电极部分E1p。第二电极E2a可以包括在第一方向DR1上延伸的第二延伸电极部分E2e和从第二延伸电极部分E2e突出的第二突出电极部分E2p。第一突出电极部分E1p可以在朝着第二电极E2a的方向上从第一延伸电极部分E1e突出，第二突出电极部分E2p可以在朝着第一电极E1a的方向上从第二延伸电极部分E2e突出。
在实施例中，当在平面图中观看时，第一突出电极部分E1p和第二突出电极部分E2p可以设置在彼此相邻的连接分隔部分CBR之间。在这样的实施例中，当在平面图中观看时，第一突出电极部分E1p和第二突出电极部分E2p可以与由第一连接分隔部分CBR1和第二连接分隔部分CBR2以及第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2围绕的空间SPA叠置。
图9A中示出了在第一电极E1a和第二电极E2a之间的第一距离LT1a，图9B中示出了在第一电极E1a和第二电极E2a之间的第二距离LT2a。第一距离LT1a和第二距离LT2a中的每个可以是当在平面图中观看时(例如，当在第三方向DR3上观看时)在第一电极E1a和第二电极E2a之间测量的距离。在一个实施例中，例如，第一距离LT1a和第二距离LT2a中的每个可以是在第二方向DR2上的距离。
第一距离LT1a可以对应于第一突出电极部分E1p和第二突出电极E2p之间的最小距离，第二距离LT2a可以对应于第一延伸电极部分E1e和第二延伸电极部分E2e之间的最小距离。在实施例中，第一距离LT1a可以小于第二距离LT2a。
根据发明的实施例，如上所述，在其中设置了发光元件ED的区域中的第一电极E1a和第二电极E2a之间的第一距离LT1a可以小于在其中没有设置发光元件ED的区域中的第一电极E1a和第二电极E2a之间的第二距离LT2a。
图10是示出图7B中示出的部分的替代物的剖视图。
参照图10，第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2中的每个可以具有第一厚度TK1a，连接分隔部分CBRa中的每个可以具有第二厚度TK2a。第一厚度TK1a可以是第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2中的每个的最大厚度，第二厚度TK2a可以是连接分隔部分CBRa中的每个的最大厚度。在实施例中，第一厚度TK1a可以比第二厚度TK2a大。
图11A是沿图8的线V-V'截取的剖视图。
参照图8和图11A，连接分隔部分CBR中的每个的剖面CBS1可以具有梯形的形状。剖面CBS1可以是与第一方向DR1和第三方向DR3平行的平面。
图11B是示出图11A中示出的部分的可选的实施例的剖视图。
参照图8和图11B，当在平行于第一方向DR1和第三方向DR3的剖视图中观看时，连接分隔部分CBR中的每个的最外表面可以具有曲率。在一个实施例中，例如，连接分隔部分CBR中的每个的剖面CBS2可以具有凸透镜形状。在连接分隔部分CBR具有圆形形状的这样的实施例中，在对准发光元件ED的工艺中，设置在连接分隔部分CBR上的发光元件ED可以被有效地导入连接分隔部分CBR之间的空间。
图12A至图12D是示出形成第一分隔部分、第二分隔部分和多个连接分隔部分的工艺的实施例的示意图。
参照图12A，可以准备第一基体层BL1。即使在附图中未示出，也可以在制造工艺中将第一基体层BL1设置在工作基底(未示出)上。在制造了显示面板后，可以去除工作基底。
可以在第一基体层BL1上设置或者形成包括第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2的像素电路PXC(见图3)。可以设置或者形成第五绝缘层L5以覆盖像素电路PXC。第五绝缘层L5可以包括有机材料。第五绝缘层L5可以提供平坦的顶表面。
可以在第五绝缘层L5上设置或者形成初始绝缘层BBR。初始绝缘层BBR可以包括有机材料。
参照图12A和图12B，在形成初始绝缘层BBR后，可以在初始绝缘层BBR上方设置掩模MK。掩模MK可以是包括光透射部分TP和光阻挡部分BP的二元掩模。
初始绝缘层BBR可以是正性光致抗蚀剂层或负性光致抗蚀剂层。在下文中，为了便于描述，将详细描述初始绝缘层BBR是正性光致抗蚀剂层的实施例。
在这样的实施例中，光阻挡部分BP可以设置为与其中将形成第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2(见图12C和图12D)以及连接分隔部分CBR(见图12D)的区域叠置。光透射部分TP可以与除了该区域之外的剩下的区域叠置。在初始绝缘层BBR上方设置掩模MK后，可以辐射光。
参照图12C和图12D，可以使初始绝缘层BBR(见图12A)图案化以形成第一分隔部分BR1、第二分隔部分BR2和连接分隔部分CBR。图案化工艺可以包括曝光工艺和显影工艺。第一分隔部分BR1、第二分隔部分BR2和连接分隔部分CBR可以通过相同的工艺同时形成。
图13A至图13C是示出形成第一分隔部分、第二分隔部分和多个连接分隔部分的工艺的可选的实施例的示意图。
参照图13A至图13C，在形成初始绝缘层BBR后，可以在初始绝缘层BBR上方设置掩模MKa。掩模MKa可以是包括光透射部分TP、光半透射部分HTP和光阻挡部分BP的半色调掩模。
光阻挡部分BP可以设置为与其中将形成第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2的第一区域叠置，并且光半透射部分HTP可以被设置以与其中将形成连接分隔部分CBRa的第二区域叠置。光透射部分TP可以与除了第一区域和第二区域之外的剩下的区域叠置。
可以使初始绝缘层BBR图案化以形成第一分隔部分BR1、第二分隔部分BR2以及连接分隔部分CBRa。连接分隔部分CBRa在厚度方向上的部分可以被去除，因此连接分隔部分CBRa的厚度可以小于第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2的厚度。结果，在设置发光元件ED的工艺中，可以增加在第一分隔部分BR1和第二分隔部分BR2之间设置发光元件ED(见图5)的可能性。
图14是示出根据发明的实施例的对准发光元件的工艺的剖视图。
参照图8和图14，可以形成覆盖第一分隔部分BR1的第一电极E1a和覆盖第二分隔部分BR2的第二电极E2a。
包括发光元件ED的溶液和溶剂可以提供到第一电极E1a和第二电极E2a上。溶剂可以是能够在室温下或者通过加热蒸发的材料。溶液可以是可以包括发光元件ED的墨水或浆糊。发光元件ED可以设置在限定在第一分隔部分BR1、第二分隔部分BR2和连接分隔部分CBR之中的空间中。根据发明的实施例，发光元件ED的布置位置可以通过连接分隔部分CBR来控制。
可以将电功率施加到第一电极E1a和第二电极E2a以在第一电极E1a和第二电极E2a之间形成电场。通过电场可以在发光元件ED中引起双极性，可以通过电泳力在第一电极E1a和第二电极E2a上对准发光元件ED。根据发明的实施例，在其中设置了发光元件ED的区域中的第一电极E1a和第二电极E2a之间的距离可以小于在其中没有设置发光元件ED的区域中的第一电极E1a和第二电极E2a之间的距离。结果，可以增加发生在发光元件ED处的电泳力，因此可以有效地对准发光元件ED。
根据发明的实施例，发光元件ED的布置位置可以通过连接分隔部分CBR来控制，并且发光元件ED可以通过第一突出电极部分E1p和第二突出电极部分E2p来有效地对准。因此，可以增加发光元件ED的有效对准概率。结果，可以改善产品的产量和产品的可靠性。
根据发明的实施例，显示装置可以包括连接第一分隔部分和第二分隔部分的多个连接分隔部分，并且发光元件可以设置在由多个连接分隔部分、第一分隔部分和第二分隔部分限定的空间中。另外，第一电极可以包括第一延伸电极部分和第一突出电极部分，第二电极可以包括第二延伸电极部分和第二突出电极部分。第一突出电极部分和第二突出电极部分可以设置在多个连接分隔部分之间的空间中。发光元件的布置方向和布置位置可以通过多个连接分隔部分以及第一突出电极部分和第二突出电极部分来控制。因此，可以改善显示装置的制造产量和可靠性。
虽然已经参照示例实施例描述了发明，但是对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离发明的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应该理解的是，以上实施例不是限制性的而是说明性的。因此，发明的范围由权利要求及其等同物的最宽泛的可允许解释来确定，并且不应受前述描述的约束或限制。

Claims (16)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
像素电路；
绝缘层，覆盖所述像素电路；
第一分隔部分，设置在所述绝缘层上并在第一方向上延伸；
第二分隔部分，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一分隔部分分隔开，并且在所述第一方向上延伸；
多个连接分隔部分，设置在所述第一分隔部分和所述第二分隔部分之间，其中，所述多个连接分隔部分中的每个在所述第二方向上延伸；
第一电极，设置在所述第一分隔部分上并电连接到所述像素电路；
第二电极，设置在所述第二分隔部分上；以及
发光元件，设置在所述多个连接分隔部分之间并电连接到所述第一电极和所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在平面图中观看时，所述发光元件被所述第一分隔部分、所述第二分隔部分以及所述多个连接分隔部分围绕。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一分隔部分、所述第二分隔部分以及所述多个连接分隔部分包括彼此相同的材料。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一电极在所述第一方向上延伸并覆盖所述第一分隔部分，
所述第二电极在所述第一方向上延伸并覆盖所述第二分隔部分，并且
当在所述平面图中观看时，与所述多个连接分隔部分相邻的区域中的所述第一电极和所述第二电极之间的在所述第二方向上的第一距离等于与所述多个连接分隔部分叠置的区域中的所述第一电极和所述第二电极之间的在所述第二方向上的第二距离。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一电极包括：第一延伸电极部分，在所述第一方向上延伸；以及第一突出电极部分，在朝着所述第二电极的方向上从所述第一延伸电极部分突出，并且
所述第二电极包括：第二延伸电极部分，在所述第一方向上延伸；以及第二突出电极部分，在朝着所述第一电极的方向上从所述第二延伸电极部分突出。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
当在所述平面图中观看时，所述第一突出电极部分设置在所述多个连接分隔部分之间，并且
当在所述平面图中观看时，所述第二突出电极部分设置在所述多个连接分隔部分之间。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，当在所述平面图中观看时，所述第一突出电极部分和所述第二突出电极部分之间的在所述第二方向上的第一距离小于所述第一延伸电极部分和所述第二延伸电极部分之间的在所述第二方向上的第二距离。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一分隔部分和所述第二分隔部分中的每个具有第一厚度，
所述多个连接分隔部分中的每个具有第二厚度，并且
所述第一厚度等于所述第二厚度。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一分隔部分和所述第二分隔部分中的每个具有第一厚度，
所述多个连接分隔部分中的每个具有第二厚度，并且
所述第一厚度大于所述第二厚度。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在与所述第一方向平行的剖视图中观看时，所述多个连接分隔部分中的每个具有梯形的形状。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在与所述第一方向平行的剖视图中观看时，所述多个连接分隔部分中的每个的最外表面具有曲率。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个连接分隔部分在所述第一方向上彼此分隔开，以及
所述第一分隔部分、所述第二分隔部分和所述多个连接分隔部分彼此连接以构成单个单体。
13.一种制造显示装置的方法，所述方法包括下述步骤：
在基体层上设置像素电路；
设置覆盖所述像素电路的绝缘层；
在所述绝缘层上设置初始绝缘层；
使所述初始绝缘层图案化以形成第一分隔部分、第二分隔部分以及多个连接分隔部分；
设置覆盖所述第一分隔部分的第一电极；
设置覆盖所述第二分隔部分的第二电极；
在所述第一电极和所述第二电极之间以及所述多个连接分隔部分之间设置发光元件；以及
对准所述发光元件。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，使所述初始绝缘层图案化的步骤包括：
在所述初始绝缘层上方设置掩模；以及
使用所述掩模使所述初始绝缘层曝光并显影，以形成所述第一分隔部分、所述第二分隔部分以及所述多个连接分隔部分。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，
所述掩模包括光阻挡部分和光透射部分，并且
在所述初始绝缘层上方设置所述掩模的步骤包括以这样的方式设置所述掩模：使得所述光阻挡部分设置为与其中将形成所述第一分隔部分和所述第二分隔部分以及所述多个连接分隔部分的区域叠置。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，
所述掩模包括光阻挡部分、光透射部分和光半透射部分，并且
在所述初始绝缘层上方设置所述掩模的步骤包括以这样的方式设置所述掩模：使得所述光阻挡部分设置为与其中将形成所述第一分隔部分和所述第二分隔部分的区域叠置，并且所述光半透射部分设置为与其中将形成所述多个连接分隔部分的区域叠置。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102645630B1 (ko) 2018-11-06 2024-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR20200138479A (ko) * 2019-05-29 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210132271A (ko) * 2020-04-24 2021-11-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210141827A (ko) * 2020-05-13 2021-11-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220037044A (ko) * 2020-09-16 2022-03-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220037017A (ko) * 2020-09-16 2022-03-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220126843A (ko) * 2021-03-09 2022-09-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220135287A (ko) * 2021-03-29 2022-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230013669A (ko) * 2021-07-15 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130015436A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20130027623A1 (en) * 2010-03-12 2013-01-31 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device manufacturing method, light-emitting device, lighting device, backlight, liquid-crystal panel, display device, display device manufacturing method, display device drive method and liquid-crystal display device
KR20180046491A (ko) * 2016-10-28 2018-05-09 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
US20180175009A1 (en) * 2016-12-21 2018-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device and display device including the same
US20180188606A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6780696B1 (en) * 2000-09-12 2004-08-24 Alien Technology Corporation Method and apparatus for self-assembly of functional blocks on a substrate facilitated by electrode pairs
KR101552670B1 (ko) 2012-10-18 2015-09-11 일진엘이디(주) 발광 영역 분리 트렌치를 갖는 전류 분산 효과가 우수한 고휘도 반도체 발광소자
KR101713818B1 (ko) 2014-11-18 2017-03-10 피에스아이 주식회사 초소형 led 소자를 포함하는 전극어셈블리 및 그 제조방법
KR101817798B1 (ko) 2016-04-08 2018-02-21 광주과학기술원 나노구조체를 구비하는 초발광 다이오드 및 그 제조방법
KR102699567B1 (ko) * 2016-07-11 2024-08-29 삼성디스플레이 주식회사 초소형 발광 소자를 포함하는 픽셀 구조체, 표시장치 및 그 제조방법
KR102574603B1 (ko) 2016-07-15 2023-09-07 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
KR101828214B1 (ko) 2017-07-18 2018-02-09 성균관대학교산학협력단 무기나노입자 구조체, 이를 포함하는 박막, 광학 부재, 발광 소자 및 양자점디스플레이 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130027623A1 (en) * 2010-03-12 2013-01-31 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device manufacturing method, light-emitting device, lighting device, backlight, liquid-crystal panel, display device, display device manufacturing method, display device drive method and liquid-crystal display device
US20130015436A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20180046491A (ko) * 2016-10-28 2018-05-09 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
CN108022936A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 乐金显示有限公司 显示装置
US20180175009A1 (en) * 2016-12-21 2018-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device and display device including the same
US20180188606A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device

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Publication number Publication date
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