CN111162093A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：像素电路；第一绝缘层，覆盖像素电路；第一电极，设置在第一绝缘层上；第二电极，设置在第一绝缘层上同时与第一电极间隔开；第二绝缘层，覆盖第一电极、第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的第一绝缘层；以及发光元件，在第二绝缘层上电连接到第一电极和第二电极并且设置在第一电极与第二电极之间。这里，第二绝缘层包括与第一电极叠置的第一区域、与第二电极叠置的第二区域和设置在第一电极与第二电极之间的止动区域，并且止动区域具有与第一区域和第二区域中的每个的厚度不同的厚度。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
本申请要求于2018年11月8日提交的第10-2018-0136730号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
这里的本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括微型发光元件的显示装置。
背景技术
作为发光元件的一种类型的发光二极管(LED)具有高的光转换效率、低功耗、长寿命，并且是环保的。因此，发光元件用于诸如信号灯、移动电话、车辆前灯、室外广告牌、LCD背光单元(BLU)和室内外灯的各种领域。
为了在灯或显示器中使用发光元件，发光元件必须连接到能够向其施加电力的电极。另外，已经以各种方式研究了与使用目的、由电极占用的空间的减小以及制造方法有关的发光元件与电极之间的布置关系。
发光元件与电极之间的布置关系可以分为在电极上直接生长发光元件的方法和单独地独立生长发光元件然后在电极上布置生长的发光元件的方法。在后一种方法中，在常规的发光元件的情况下，三维发光元件可以竖立并且连接到电极。然而，在纳米单元中的微型发光元件的情况下，微型发光元件难以竖立。
发明内容
本公开提供了能够在两个电极之间容易地对准微型发光元件的显示装置。
本公开还提供了能够在两个电极之间容易地对准微型发光元件的制造显示装置的方法。
发明构思的示例性实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：像素电路；第一绝缘层，覆盖像素电路；第一电极，设置在第一绝缘层上；第二电极，设置在第一绝缘层上，同时与第一电极间隔开；第二绝缘层，覆盖第一电极、第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的第一绝缘层；以及发光元件，在第二绝缘层上电连接到第一电极和第二电极，并且设置在第一电极与第二电极之间。这里，第二绝缘层包括与第一电极叠置的第一区域、与第二电极叠置的第二区域和设置在第一电极与第二电极之间的止动区域，并且止动区域具有与第一区域和第二区域中的每个的厚度不同的厚度。
在示例性实施例中，止动区域可以具有小于第一区域和第二区域中的每个的最小厚度的最小厚度。
在实施例中，止动区域可以具有在第一方向上的宽度，该宽度等于或大于发光元件在第一方向上的长度。
在示例性实施例中，第一区域和第二区域中的每个的最小厚度与止动区域的最小厚度之间的差可以是大约
Figure BDA0002263656340000021
或更大。
在示例性实施例中，第一区域和第二区域中的每个可以具有大约
Figure BDA0002263656340000022
的最小厚度，并且止动区域可以具有大约
Figure BDA0002263656340000023
的最小厚度。
在示例性实施例中，止动区域的侧部中的至少一个可以包括具有彼此不同的倾斜度的多个倾斜表面。
在示例性实施例中，止动区域还可以包括平坦表面，并且所述多个倾斜表面可以包括从平坦表面延伸的第一倾斜表面和从第一倾斜表面延伸的第二倾斜表面。
在示例性实施例中，第一倾斜表面与第二倾斜表面之间的角度可以是大约100°或更大且大约135°或更小。
在示例性实施例中，发光元件可以具有设置在第一倾斜表面与第二倾斜表面在其处相交的边界上的端部。
在示例性实施例中，发光元件可以不与止动区域的平坦表面的至少一部分接触。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括：第一分隔件，设置在第一绝缘层与第一电极之间；以及第二分隔件，设置在第二绝缘层和第二电极之间，并且发光元件可以设置在第一分隔件与第二分隔件之间。
在发明构思的示例性实施例中，一种制造显示装置的方法包括下述步骤：在绝缘表面上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成导电层；通过图案化导电层形成第一电极和第二电极；形成覆盖第一电极、第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的第一绝缘层的第二绝缘层；在第二绝缘层上形成光致抗蚀剂图案；通过去除第二绝缘层的从光致抗蚀剂图案暴露的一部分来形成止动区域；在止动区域上提供发光元件；以及对准发光元件。这里，止动区域设置在第一电极与第二电极之间。
在示例性实施例中，形成止动区域的步骤可以包括干法蚀刻第二绝缘层的在止动区域的厚度方向上的一部分。
在示例性实施例中，第二绝缘层可以包括与第一电极叠置的第一区域、与第二电极叠置的第二区域和止动区域，并且止动区域具有与第一区域和第二区域中的每个的厚度不同的厚度。
在示例性实施例中，止动区域可以包括第一侧部和第二侧部，第一侧部可以具有具备彼此不同的倾斜度的第一倾斜表面和第二倾斜表面，第二侧部可以具有具备彼此不同的倾斜度的第三倾斜表面和第四倾斜表面。
在示例性实施例中，对准发光元件的步骤可以包括下述步骤：向第一电极和第二电极供应电压；以及向第一外部电极和第二外部电极供应电压。
在示例性实施例中，向第一外部电极和第二外部电极供应电压的步骤可以包括下述步骤：向设置在绝缘表面下方的第一外部电极和第二外部电极供应电压；以及移动第一外部电极和第二外部电极。
在示例性实施例中，移动第一外部电极和第二外部电极的步骤可以包括以重复的方式移动第一外部电极和第二外部电极，直到发光元件的第一端部设置在第一倾斜表面与第二倾斜表面在其处相交的边界上并且发光元件的第二端部设置在第三倾斜表面与第四倾斜表面在其处相交的边界上。
在示例性实施例中，向第一外部电极和第二外部电极供应电压的步骤可以包括：在绝缘表面上将第一外部电极和第二外部电极中的每个布置在与发光元件间隔预定距离的位置处；以及向第一外部电极和第二外部电极供应交流电压。
在示例性实施例中，向第一外部电极和第二外部电极供应电压的步骤可以包括：将第一外部电极布置在沿第一方向距第一电极间隔预定距离的位置处，并且将第二外部电极布置在沿与第一方向相反的第二方向距第二电极间隔预定距离的位置处；以及向第一外部电极和第二外部电极供应交流电压。
附图说明
附图被包括以提供对发明构思的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理。在附图中：
图1是根据发明构思的实施例的显示装置的框图；
图2是根据发明构思的实施例的像素的等效电路图；
图3A是示出根据发明构思的实施例的显示装置的平面图；
图3B是示出根据发明构思的实施例的显示装置的剖视图；
图4A是示出根据发明构思的实施例的发光元件的剖视图；
图4B是示出根据发明构思的实施例的发光元件的剖视图；
图4C是示出根据发明构思的实施例的发光元件的剖视图；
图4D是示出根据发明构思的实施例的发光元件的剖视图；
图5是示出图3B的一部分的放大剖视图；
图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F、图6G、图6H、图6I、图6J、图6K和图6L是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的工艺的一部分的视图；
图7A、图7B、图7C和图7D是用于解释对准发光元件的方法的视图；
图8是用于解释对准发光元件的方法的视图；
图9是用于解释对准发光元件的方法的视图；
图10是示出图6I中的显示装置的一部分的透视图；
图11是示出图6I中的显示装置的一部分的透视图；
图12A是示出显示装置的一部分的透视图；
图12B是示出图12A中的显示装置的剖视图；以及
图13是用于解释根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的流程图。
具体实施方式
在本说明书中，将理解的是，当一个组件(或区域、层、部分)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一个组件时，它可以直接设置在所述另一个组件上、连接到/结合到所述另一个组件，或者也可以存在中间的第三组件。
同样的附图标记始终表示同样的元件。另外，在附图中，为了清楚地说明，夸大组件的厚度、比例和尺寸。
术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何组合和所有组合。
将理解的是，尽管这里使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。例如，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，在一个实施例中被称为第一元件的元件在另一实施例中可以被称为第二元件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
另外，“在……下面”、“在……下方”、“在……上方”和“上面的”等用于解释附图中所示的组件的关联。术语可以是相对概念，并且基于附图中表示的方向来描述。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本领域技术人员通常理解的含义一致的含义。在通用词典中被定义的术语应该被解释为具有与相关技术的上下文中的含义相同的含义，并且除非在描述中明确定义，否则术语不被理想地或过度地解释为具有形式化的含义。
“包括”或“包含”的含义表明属性、固定数目、步骤、操作、元件、组件或它们的组合，但不排除其它属性、固定数目、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。
在下文中，将参照附图描述发明构思的实施例。
图1是根据发明构思的实施例的显示装置的框图。
参照图1，显示装置100可以包括显示面板110、时序控制器120、扫描驱动器130、数据驱动器140和电压发生器150。
显示面板110可以包括多条数据线DL1至DLm、多条扫描线SL1至SLn和多个像素PX11至PXnm。
多条扫描线SL1至SLn可以均在第一方向DR1上延伸并且在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上顺序地布置。多条数据线DL1至DLm可以均在第二方向DR2上延伸并且在第一方向DR1上顺序地布置。
像素PX11至PXnm中的每个可以连接到多条扫描线SL1至SLn中的对应扫描线和多条数据线DL1至DLm中的对应数据线。像素PX11至PXnm可以根据预定规则布置在显示面板110的平面上。像素PX11至PXnm中的每个可以显示原色中的一种颜色或混合颜色。原色可以包括红色、绿色和蓝色，混合颜色可以包括诸如黄色、青色、品红色和白色的各种颜色。在实施例中，像素PX11至PXnm中的每个可以包括微型发光元件。
时序控制器120接收输入图像信号RGB和控制信号CS，并且输出第一控制信号CONT1、图像数据信号RGB'和第二控制信号CONT2。第一控制信号CONT1和图像数据信号RGB'可以被提供给数据驱动器140，并且第二控制信号CONT2可以被提供给扫描驱动器130。
扫描驱动器130从时序控制器120接收第二控制信号CONT2。扫描驱动器130生成多个扫描信号，并且将多个扫描信号顺序地输出到多条扫描线SL1至SLn。扫描驱动器130可以包括通过与显示面板110的像素PX11至PXnm相同的工艺(例如，低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺)提供的多个薄膜晶体管。另外，扫描驱动器130可以实现为独立的集成电路芯片并且电连接到显示面板110的一侧。
数据驱动器140从时序控制器120接收第一控制信号CONT1和图像数据信号RGB'。数据驱动器140将图像数据信号RGB'转换为数据信号，并且将数据信号输出到多条数据线DL1至DLm。数据信号是对应于图像数据信号RGB'的灰度值的模拟电压。
电压发生器150产生第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS可以被提供给显示面板110的多个像素PX11至PXnm。尽管图1中的电压发生器150仅产生第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS，但是电压发生器150还可以产生被提供给多个像素PX11至PXnm的初始化电压和对于数据驱动器140的操作是必要的的电源电压。另外，电压发生器150还可以产生对于扫描驱动器130的操作是必要的的栅极时钟信号。
图2是根据发明构思的实施例的像素的等效电路图。尽管图2仅示出图1中的多个像素PX11至PXnm中的连接到第i扫描线SLi和第j数据线DLj的像素PXij，其它像素中的每个可以包括与像素PXij的电路构造相同的电路构造。
参照图2，像素PXij连接到第i扫描线SLi、第j数据线DLj、第一电源线PL1和第二电源线PL2。根据发明构思的实施例的像素PXij可以另外连接到各种信号线。然而，发明构思不限于此。
像素PXij可以包括发光元件ED、第一电极E1、第二电极E2和像素电路PXC。像素电路PXC可以包括开关晶体管TR1、驱动晶体管TR2和电容器C1。开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2中的每个可以实现为薄膜晶体管。在另一实施例中，像素电路PXC可以包括更高数量的开关晶体管和电容器。在发明构思的另一实施例中，像素电路PXC可以包括七个薄膜晶体管和一个电容器。
开关晶体管TR1可以响应于通过扫描线SLi传输的扫描信号，将通过数据线DLj传输的数据信号传输到驱动晶体管TR2。
电容器C1充入与从开关晶体管TR1传输的数据信号与施加到第一电源线PL1的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电荷量。
驱动晶体管TR2响应于储存在电容器C1中的电荷量来控制流过发光元件ED的驱动电流。驱动晶体管TR2的导通时间可以根据电容器C1中所充入的电荷量来确定。
在该实施例中，开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2中的每个可以实现为P型薄膜晶体管。在另一实施例中，开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2中的每个可以实现为N型薄膜晶体管。另外，在另一实施例中，开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2中的一个可以是N型薄膜晶体管，而它们中的另一个可以是P型薄膜晶体管。
发光元件ED可以与连接到驱动晶体管TR2的第一电极E1和连接到第二电源线PL2的第二电极E2连接。第二电极E2可以通过第二电源线PL2接收第二电源电压ELVSS。
发光元件ED可以通过对应于通过驱动晶体管TR2传输的信号与通过第二电源线PL2接收的第二电源电压ELVSS之间的差的电压来发光。
发光元件ED可以是微型发光二极管(LED)元件。微型LED元件可以具有大约几纳米至几百微米的长度。然而，尽管示例性地描述了微型LED元件的长度，但是发明构思不限于上述的微型LED元件的长度的数值范围。
尽管在图2中示例性地示出了包括一个发光元件ED的一个像素PXij，但是发明构思不限于此。例如，发光元件ED可以设置为多个。多个发光元件ED可以彼此并联连接。
图3A是示出根据发明构思的实施例的显示面板的平面图。图3B是沿图3A中的显示面板的线I-I'截取的剖视图。在图3A和图3B中，示出了对应于一个像素的区域，并且未示出一些组件。
参照图3A和图3B，第一基体层BL1和第二基体层BL2可以彼此面对。第一基体层BL1和第二基体层BL2中的每个可以是包括硅基底、塑料基底、玻璃基底、绝缘膜或多个绝缘层的层叠结构。
缓冲层BFL可以设置在第一基体层BL1上。开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2可以设置在缓冲层BFL上。
开关晶体管TR1可以包括半导体图案11、栅电极12、漏电极13和源电极14。驱动晶体管TR2可以包括半导体图案21、栅电极22、漏电极23和源电极24。
半导体图案11和半导体图案21可以设置在缓冲层BFL上。缓冲层BFL可以为半导体图案11和半导体图案21提供改性的表面。在这种情况下，半导体图案11和半导体图案21可以具有比当半导体图案11和半导体图案21直接设置在第一基体层BL1上时更大的与缓冲层BFL的粘合力。另外，缓冲层BFL可以是用于保护半导体图案11和半导体图案21中的每个的底表面的阻挡层。在这种情况下，缓冲层BFL可以阻挡从第一基体层BL1产生或通过第一基体层BL1引入的污染物或湿气渗透到半导体图案11和半导体图案21。
第一绝缘层L1可以设置在缓冲层BFL上以覆盖半导体图案11和半导体图案21。第一绝缘层L1可以包括无机材料。无机材料可以包括例如氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝。然而，发明构思不限于此。
栅电极12和栅电极22可以设置在第一绝缘层L1上。第二绝缘层L2可以设置在第一绝缘层L1上以覆盖栅电极12和栅电极22。第二绝缘层L2可以包括无机材料。
电容器C1(参照图2)可以包括第一盖电极(未示出)和第二盖电极CPa。例如，第一盖电极可以从栅电极22分支，并且第二盖电极CPa可以设置在第二绝缘层L2上。
第三绝缘层L3设置在第二绝缘层L2上以覆盖第二盖电极CPa。源电极14、漏电极13、源电极24、漏电极23和第一连接线CNL1可以设置在第三绝缘层L3上。源电极14和漏电极13可以通过穿过第一绝缘层L1、第二绝缘层L2和第三绝缘层L3的通孔连接到半导体图案11。源电极24和漏电极23可以通过穿过第一绝缘层L1、第二绝缘层L2和第三绝缘层L3的通孔连接到半导体图案21。第一连接线CNL1可以通过穿过第二绝缘层L2和第三绝缘层L3的通孔连接到第二电源线PL2。除了源电极14、漏电极13、源电极24和漏电极23之外，信号线(例如，扫描线或数据线中的每条的一部分)可以设置在第三绝缘层L3上。
第四绝缘层L4可以设置在第三绝缘层L3上以覆盖源电极14、漏电极13、源电极24和漏电极23。第四绝缘层L4可以包括单层或多层。第四绝缘层L4可以包括有机材料和/或无机材料。
连接电极CNE和第二连接线CNL2可以设置在第四绝缘层L4上。除了连接电极CNE和第二连接线CNL2之外，信号线(例如，扫描线或数据线中的每条的至少另一部分)可以设置在第四绝缘层L4上。连接电极CNE可以连接到漏电极23。第二连接线CNL2可以通过第一连接线CNL1连接到第二电源线PL2。
第五绝缘层L5可以设置在第四绝缘层L4上以覆盖连接电极CNE和第二连接线CNL2。第五绝缘层L5可以包括有机材料。第五绝缘层L5覆盖设置在其下方的像素电路PXC(参照图2)。
第一分隔件BR1和第二分隔件BR2设置在第五绝缘层L5上。第一分隔件BR1和第二分隔件BR2可以在第一方向DR1上彼此间隔开。例如，第一分隔件BR1和第二分隔件BR2中的每个可以包括有机材料。
第一电极E1可以覆盖第一分隔件BR1，并且第二电极E2可以覆盖第二分隔件BR2。即，第一分隔件BR1可以设置在第一电极E1与第五绝缘层L5之间，并且第二分隔件BR2可以设置在第二电极E2与第五绝缘层L5之间。
通孔可以被限定在第五绝缘层L5中，并且连接电极CNE可以由通孔暴露。第一电极E1可以电连接到暴露的连接电极CNE。另外，通孔可以被限定在第五绝缘层L5中，并且第二连接线CNL2可以由通孔暴露。第二电极E2可以通过第二连接线CNL2连接到第二电源线PL2。即，第二电源电压ELVSS(参照图2)可以被提供给第二电极E2。用于减小与外围区域的台阶部分的辅助层SPL可以设置在第二电源线PL2下方。辅助层SPL不是主要组件，因此可以被省略。
第一电极E1可以包括第一反射电极RFE1和第一盖电极CPE1，第二电极E2可以包括第二反射电极RFE2和第二盖电极CPE2。
第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以包括反射材料。第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以具有单层结构或其中层叠多个层的结构。例如，第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2中的每个可以具有其中顺序地层叠氧化铟锡(ITO)、银(Ag)和氧化铟锡(ITO)的结构。
第一盖电极CPE1可以覆盖第一反射电极RFE1，第二盖电极CPE2可以覆盖第二反射电极RFE2。例如，第一盖电极CPE1和第二盖电极CPE2中的每个可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)和它们的混合物/化合物中的至少一种。
在平面上，第六绝缘层L6设置在第一电极E1与第二电极E2之间的第五绝缘层L5上。第六绝缘层L6可以覆盖第一电极E1的一部分和第二电极E2的一部分。
发光元件ED设置在第六绝缘层L6上。发光元件ED可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间。发光元件ED可以电连接到第一电极E1和第二电极E2。
参照图3A，示出了第一电极E1和第二电极E2。第一电极E1和第二电极E2中的每个可以在第二方向DR2上延伸，并且第一电极E1和第二电极E2可以在第一方向DR1上彼此间隔开。尽管在图3A中示例性地示出了第一电极E1和第二电极E2，但发明构思不限于此。只要第一电极E1和第二电极E2彼此间隔开，则第一电极E1和第二电极E2中的每个可以具有各种其它形状的结构。
在平面上，发光元件ED可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间，同时不与第一电极E1和第二电极E2叠置。发光元件ED可以设置为多个，并且多个发光元件可以彼此并联连接。发光元件ED可以通过第一连接电极CNE1电连接到第一电极E1，并且通过第二连接电极CNE2电连接到第二电极E2。
参照图3B，第七绝缘层L7(或绝缘图案)可以设置在发光元件ED上。第七绝缘层L7可以覆盖发光元件ED的顶表面的至少一部分。
第二连接电极CNE2可以设置在发光元件ED和第二电极E2上。第八绝缘层L8可以设置在第二连接电极CNE2上。第一连接电极CNE1可以设置在发光元件ED和第一电极E1上。尽管发光元件ED具有大约几百微米或更小的长度，但是由于第八绝缘层L8，第二连接电极CNE2和第一连接电极CNE1可以彼此不接触。然而，发明构思不限于此。在发明构思的另一实施例中，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以通过相同的工艺同时形成。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每个可以包括导电材料。例如，导电材料可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)和它们的混合物/化合物中的至少一种。然而，发明构思不限于此。例如，导电材料可以是金属材料，例如，钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。
第九绝缘层L9可以设置在第一连接电极CNE1和第八绝缘层L8上。第九绝缘层L9可以是封装层。
遮光部分BM可以设置在第二基体层BL2的面对第一基体层BL1的一个表面上。开口可以被限定在遮光部分BM中，并且波长转换部分CL可以覆盖开口。由开口暴露的区域可以对应于像素发光区域PXA。
波长转换部分CL可以包括发光材料。例如，发光材料可以吸收从发光元件ED提供的第一光并且转换第一光的波长，从而发射具有不同于第一光的颜色的颜色的第二光。发光材料可以是例如量子点。第一光可以是蓝光，第二光可以是绿光或红光。然而，发明构思不限于此。在发明构思的另一实施例中，波长转换部分CL可以由滤色器代替。滤色器可以通过吸收具有特定波长的光来实现颜色。在发明构思的另一实施例中，可以省略波长转换部分CL。在这种情况下，发光元件ED可以发射蓝光、绿光或红光。
第十绝缘层L10可以设置在波长转换部分CL与第九绝缘层L9之间。例如，其上设置有像素电路PXC(参照图2)和发光元件ED的第一基体层BL1和其上设置有波长转换部分CL和遮光部分BM的第二基体层BL2可以通过第十绝缘层L10彼此结合。例如，第十绝缘层L10可以是光学透明粘合膜、光学透明树脂或压敏粘合膜。然而，发明构思不限于此。在发明构思的另一实施例中，可以省略第十绝缘层L10。
图4A是示出根据发明构思的实施例的发光元件的剖视图。
参照图4A，发光元件ED可以具有诸如圆柱体形状或多边柱体形状的各种形状。
发光元件ED可以包括N型半导体层SCN、P型半导体层SCP和活性层AL。活性层AL可以设置在N型半导体层SCN与P型半导体层SCP之间。
N型半导体层SCN可以通过在半导体层中掺杂N型掺杂剂来提供，并且P型半导体层SCP可以通过在半导体层中掺杂P型掺杂剂来提供。半导体层可以包括半导体材料，例如，GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN或AlInN。N型掺杂剂可以是硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硒(Se)、碲(Te)或它们的组合。然而，发明构思不限于此。P型掺杂剂可以是镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)或它们的组合。然而，发明构思不限于此。
活性层AL可以具有单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。活性层AL可以是其中穿过N型半导体层SCN注入的电子和穿过P型半导体层SCP注入的空穴彼此重新结合的区域。活性层AL可以是发射具有由活性层AL的材料的能带确定的能量的光的层。活性层AL可以设置在根据二极管的种类确定的各种位置上。
N型半导体层SCN可以连接到第一电极E1(参照图3B)和第二电极E2(参见照图3B)中的一个，P型半导体层SCP可以连接到第一电极E1和第二电极E2中的另一个。
发光元件ED可以是微型发光二极管(LED)。发光元件ED可以具有几纳米至几百微米的长度LT。例如，发光元件ED可以具有大约1μm至大约100μm的长度LT。
图4B是示出根据发明构思的实施例的发光元件的剖视图。
参照图4B，与图4A中的发光元件ED相比，发光元件EDa还可以包括第一电极层ECL1和第二电极层ECL2。
第一电极层ECL1可以与N型半导体层SCN相邻设置，第二电极层ECL2可以与P型半导体层SCP相邻设置。例如，第一电极层ECL1、N型半导体层SCN、活性层AL、P型半导体层SCP和第二电极层ECL2可以顺序地层叠。
第一电极层ECL1和第二电极层ECL2中的每个可以由金属或它们的合金制成。例如，第一电极层ECL1和第二电极层ECL2中的每个可以由选自于由钼(Mo)、铬(Cr)、镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铂(Pt)、钒(V)、钨(W)、铅(Pd)、铜(Cu)、铑(Rh)和铱(Ir)组成的组中的一种或它们的合金制成。第一电极层ECL1和第二电极层ECL2可以包括彼此相同的材料或彼此不同的材料。
图4C是示出根据发明构思的实施例的发光元件的剖视图。
参照图4C，与图4A中的发光元件ED相比，发光元件EDb还可以包括绝缘层IL。例如，发光元件EDb可以具有核壳结构。
绝缘层IL可以覆盖N型半导体层SCN、P型半导体层SCP和活性层AL，以保护N型半导体层SCN、P型半导体层SCP和活性层AL中的每个的外表面。在发明构思的另一实施例中，绝缘层IL可以仅覆盖活性层AL。
图4D是示出根据发明构思的实施例的发光元件的剖视图。
参照图4D，与图4B中的发光元件EDa相比，发光元件EDc还可以包括绝缘层ILa。
绝缘层ILa可以覆盖N型半导体层SCN、P型半导体层SCP和活性层AL，并且可以不覆盖第一电极层ECL1和第二电极层ECL2。然而，在发明构思的另一实施例中，绝缘层ILa可以覆盖第一电极层ECL1和第二电极层ECL2中的每个的至少一部分或第一电极层ECL1和第二电极层ECL2的全部。
图5是示出图3B的一部分的放大剖视图。
参照图5，在设置第一电极E1和第二电极E2之后设置第六绝缘层L6。当从第三方向DR3观看时，第六绝缘层L6包括与第一电极E1叠置的第一区域A1、与第二电极E2叠置的第二区域A2、以及设置在第一区域A1与第二区域A2之间的第三区域A3。在实施例中，第三区域A3可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间。在该实施例中，第三区域A3可以被称为用于发光元件ED的对准的止动区域(stopper area)。
止动区域A3可以具有在第一方向DR1上的宽度，该宽度等于或大于发光元件ED在第一方向DR1上的长度。例如，当发光元件ED具有大约3.5μm的长度LT1时，止动区域A3可以在第一方向DR1上具有大约3.5μm或更大的宽度。因此，当从平面观看时，发光元件ED可以设置在第六绝缘层L6的止动区域A3中，并且在被设置在止动区域A3中的同时可以对准为使得发光元件ED的长度LT1平行于第一电极E1和第二电极E2沿其彼此间隔开的方向。
止动区域A3具有在第三方向DR3上的宽度，即，第三厚度t3，并且第三厚度t3不同于第一区域A1的第一厚度t1和第二区域A2的第二厚度t2中的每个。第一厚度t1、第二厚度t2和第三厚度t3可以分别表示第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3的最小厚度。换言之，第六绝缘层L6的厚度可以表示第六绝缘层L6的基本彼此平行的底表面与顶表面之间的距离。因为厚度由于制造工艺的限制而会不完全均匀并且由于层的弯曲而会存在相对厚的部分，所以这里使用最小厚度的术语。
在该实施例中，第一区域A1的第一厚度t1与第二区域A2的第二厚度t2基本相同。然而，发明构思不限于此。在另一实施例中，第一区域A1的第一厚度t1可以与第二区域A2的第二厚度t2不同。
另外，在该实施例中，止动区域A3的第三厚度t3可以小于第一区域A1的第一厚度t1和第二区域A2的第二厚度t2中的每个。例如，第一区域A1的第一厚度t1和第二区域A2的第二厚度t2中的每个可以是大约
Figure BDA0002263656340000141
并且止动区域A3的第三厚度t3可以是大约
Figure BDA0002263656340000142
在实施例中，第一厚度t1与第三厚度t3之间的差(t1-t3)可以是大约
Figure BDA0002263656340000143
或更大。
止动区域A3具有包括第一倾斜部分SP1、第二倾斜部分SP2和平坦表面FL的顶表面。第一倾斜部分SP1可以设置在止动区域A3的朝向第一电极E1的一侧处，第二倾斜部分SP2可以设置在止动区域A3的朝向第二电极E2的一侧处。
第一倾斜部分SP1包括第一倾斜表面SLP1和第二倾斜表面SLP2。第一倾斜表面SLP1可以相对于平坦表面FL具有第一倾斜度，第二倾斜表面SLP2可以相对于平坦表面FL具有第二倾斜度。在实施例中，第一倾斜表面SLP1与第二倾斜表面SLP2之间的第一角度θ1可以是大约100°或更大且大约135°或更小。
第二倾斜部分SP2包括第三倾斜表面SLP3和第四倾斜表面SLP4。第三倾斜表面SLP3可以相对于平坦表面FL具有第三倾斜度，第四倾斜表面SLP4可以相对于平坦表面FL具有第四倾斜度。在实施例中，第三倾斜表面SLP3与第四倾斜表面SLP4之间的第二角度θ2可以是大约100°或更大且大约135°或更小。在该实施例中，第一角度θ1和第二角度θ2可以彼此基本相同。
发光元件ED可以具有第一端部和第二端部，所述第一端部设置在第一倾斜部分SP1的第一倾斜表面SLP1和第二倾斜表面SLP2在其处彼此相交的边界上，所述第二端部设置在第二倾斜部分SP2的第三倾斜表面SLP3和第四倾斜表面SLP4在其处彼此相交的边界上。即，在剖面中，发光元件ED的至少一部分可以设置在第六绝缘层L6的平坦表面FL上。在该实施例中，发光元件ED可以不接触第六绝缘层L6的平坦表面FL。发光元件ED与平坦表面FL之间的间隔距离d1可以根据第一倾斜表面SLP1和第三倾斜表面SLP3中的每个的长度和倾斜度而变化。在另一实施例中，发光元件ED可以接触第六绝缘层L6的平坦表面FL的一部分。另外，当从平面观看时，发光元件ED可以不接触第一电极E1和第二电极E2。
根据发明构思的实施例，由于止动区域A3设置在第一电极E1与第二电极E2之间，所以发光元件ED可以被容纳在止动区域A3中。因此，可以进一步容易地对准发光元件ED。
第二倾斜表面SLP2和第四倾斜表面SLP4中的每个可以垂直于平坦表面FL。第二倾斜表面SLP2和第四倾斜表面SLP4中的每个可以具有与在垂直于发光元件ED的长度LT1的方向上的最大厚度相同的长度。例如，当发光元件ED具有圆柱体形状时，发光元件ED可以具有对应于发光元件ED的直径的厚度。
图6A至图6L是示出根据发明构思的实施例的制造显示装置的工艺的一部分的视图。图6A至图6L是示出制造图3B中的显示面板的工艺的一部分的视图。关于与参照图3B所描述的那些组件相同的组件的描述将被省略。
参照图6A，制备第一基体层BL1。尽管未单独示出，但在制造工艺中，可以在工作基板上(未示出)设置第一基体层BL1。在制造显示面板之后可以去除工作基板。
可以在第一基体层BL1上形成包括开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2的像素电路PXC(参照图2)。开关晶体管TR1可以包括半导体图案11、栅电极12、漏电极13和源电极14。驱动晶体管TR2可以包括半导体图案21、栅电极22、漏电极23和源电极24。
可以在像素电路PXC上形成第五绝缘层L5。第五绝缘层L5可以包括有机材料。第五绝缘层L5可以提供平面化的表面。在第五绝缘层L5上形成第一分隔件BR1和第二分隔件BR2。
参照图6B，在第五绝缘层L5上形成覆盖第一分隔件BR1和第二分隔件BR2的第一导电层CDL1。第一导电层CDL1可以包括多个导电层。例如，第一导电层CDL1可以通过顺序层叠氧化铟锡(ITO)、银(Ag)和氧化铟锡(ITO)来形成。
参照图6C，在第一导电层CDL1上形成第一光致抗蚀剂图案OLP1。第一光致抗蚀剂图案OLP1可以通过形成正性光致抗蚀剂层或负性光致抗蚀剂层，然后对其图案化来形成。例如，图案化可以包括曝光工艺和显影工艺。
参照图6C和图6D，去除第一导电层CDL1的从第一光致抗蚀剂图案OLP1暴露的一部分。例如，第一导电层CDL1的所述一部分可以通过湿法蚀刻第一导电层CDL1的一部分来去除。
当去除第一导电层CDL1的一部分时，形成第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2。形成第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2，然后去除第一光致抗蚀剂图案OLP1。
参照图6E，形成覆盖第一反射电极RFE1和第二反射电极RFE2的第二导电层CDL2。第二导电层CDL2可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)和它们的混合物/化合物中的至少一种。
参照图6F和图6G，在第二导电层CDL2上形成第二光致抗蚀剂图案OLP2。第二光致抗蚀剂图案OLP2可以通过形成正性光致抗蚀剂层或负性光致抗蚀剂层，然后对其图案化来形成。例如，图案化可以包括曝光工艺和显影工艺。
去除第二导电层CDL2的从第二光致抗蚀剂图案OLP2暴露的一部分。例如，第二导电层CDL2的所述一部分可以通过湿法蚀刻第二导电层CDL2的一部分来去除。当去除第二导电层CDL2的一部分时，形成第一盖电极CPE1和第二盖电极CPE2。
参照图6H，去除第二光致抗蚀剂图案OLP2，然后形成覆盖第一盖电极CPE1和第二盖电极CPE2的第六绝缘层L6-B。第六绝缘层L6-B可以包括无机材料。例如，第六绝缘层L6-B可以由氮化硅制成。在该实施例中，第六绝缘层L6-B可以具有大约
Figure BDA0002263656340000161
的厚度。
在第六绝缘层L6-B上形成第三光致抗蚀剂图案OLP3。第三光致抗蚀剂图案OLP3可以通过形成正性光致抗蚀剂层或负性光致抗蚀剂层，然后对其图案化来形成。例如，图案化可以包括曝光工艺和显影工艺。
去除第六绝缘层L6-B的从第三光致抗蚀剂图案OLP3暴露的一部分。例如，第六绝缘层L6-B的所述一部分可以通过湿法蚀刻或干法蚀刻第六绝缘层L6-B的一部分来去除。
参照图6I，去除第三光致抗蚀剂图案OLP3，然后在第六绝缘层L6-B上形成止动区域A3。止动区域A3的第三厚度t3和倾斜表面SP1至SP4中的每个的倾斜度可以通过改变第六绝缘层L6-B的蚀刻程度来确定。为了改变蚀刻程度，可以使用半色调掩模或多个掩模。然而，发明构思不限于上述的用于改变蚀刻程度的方法。作为止动区域A3的最小厚度的第三厚度t3可以是大约
Figure BDA0002263656340000162
参照图6J和图6K，可以在第一电极E1与第二电极E2之间的止动区域A3上施用包含发光元件ED的溶液30。溶液30的溶剂31可以包括丙酮、水、异丙醇(IPA)和甲苯中的至少一种。然而，发明构思不限于此。例如，溶剂31可以包括均具有挥发性的各种材料。
向第一电极E1和第二电极E2施加电力以在其间形成电场。可以通过电场对发光元件ED诱导偶极性，并且可以通过电泳力在第一电极E1与第二电极E2之间对准发光元件ED。另外，发光元件ED还可以通过止动区域A3的第一倾斜部分SP1和第二倾斜部分SP2便利地位于第一电极E1与第二电极E2之间。因此，发光元件ED的对准程度可以进一步提高。
参照图6L，在发光元件ED上形成第七绝缘层L7，并且图案化第六绝缘层L6-B。例如，通过去除第六绝缘层L6-B的设置在第一电极E1和第二电极E2上的一部分来形成第六绝缘层L6。此后，依次形成第二连接电极CNE2、第八绝缘层L8、第一连接电极CNE1和第九绝缘层L9。
图7A至图7D是用于解释对准发光元件的方法的视图。
参照图7A，通过在第一电极E1与第二电极E2之间施加第一电压V1，可以在第一电极E1与第二电极E2之间形成电场EF1。第一电压V1可以是由图1中的电压发生器150产生的电压或从外部电源提供的电压。第一电压V1是具有预定幅值和频率的交流电压。在该实施例中，第一电压V1可以是大约±20V和大约100kHz的交流电压。
在另一实施例中，第一电压V1可以是直流电压。当第一电压V1是直流电压时，由于具有相反极性的电压被重复地施加到第一电极E1和第二电极E2，可以实现具有预定幅值和频率的电力。
当第一电压V1施加到第一电极E1和第二电极E2时，可以由于施加到第一电极E1和第二电极E2的电极性而产生电位差以形成电场。当在不均匀电场EF1下对发光元件ED诱导偶极性时，发光元件ED可以通过介电泳(DEP)力而在电力的倾斜度沿其更大或更小的方向上接收力。如上所述，当第一电压V1被供应给第一电极E1和第二电极E2时，可以在期望的位置处对准发光元件ED。然而，当发光元件ED被设置为偏向第一电极E1和第二电极E2中的一个时，仅通过由第一电压V1形成的电场不会在期望位置处对准发光元件ED。
参照图7B，可以通过向第一外部电极E11和第二外部电极E12施加第二电压V2而在第一外部电极E11与第二外部电极E12之间形成电场EF2。尽管为了便于描述而提供了第一外部电极E11和第二外部电极E12中的每个的形状以及第一外部电极E11与第二外部电极E12之间的电场EF2的形状，但是它们中的每个的形状和尺寸可以各种地改变。
在该实施例中，第一外部电极E11在第一方向DR1上与第二外部电极E12间隔预定距离。第一外部电极E11和第二外部电极E12中的每个在与第三方向DR3相反的方向上与第五绝缘层L5间隔预定距离。可以考虑适于对准发光元件ED的电场EF2的方向和强度来确定第一外部电极E11与第二外部电极E12之间的间隔距离以及在与第三方向DR3相反的方向上距第五绝缘层L5的间隔距离。例如，可以在绝缘表面下方设置第一外部电极E11和第二外部电极E12。绝缘表面可以表示例如第五绝缘层L5的底表面。
在该实施例中，第二电压V2可以是大约±40V和大约100kHz的交流电压。当向第一外部电极E11和第二外部电极E12施加高电压时，发光元件ED的对准程度可以提高。
参照图7C，当将第一电压V1施加到第一电极E1和第二电极E2时，可以同时将第二电压V2施加到第一外部电极E11和第二外部电极E12。在该实施例中，第一电压V1可以是大约±20V和大约100kHz的交流电压，第二电压V2可以是大约±20V和大约100kHz的交流电压。
另外，在另一实施例中，可以通过将第一电压V1施加到第一电极E1和第二电极E2而首次对准发光元件ED，并且通过将第二电压V2施加到第一外部电极E11和第二外部电极E12而第二次对准发光元件ED。
参照图7D，第一外部电极E11和第二外部电极E12中的每个的位置可以移动。例如，当发光元件ED被设置为偏向第二电极E2时，第一外部电极E11和第二外部电极E12中的每个的位置从位于第二电极E2周边移动到位于第一电极E1周边，即，在与第一方向DR1相反的方向上移动。当第一外部电极E11和第二外部电极E12中的每个的位置移动时，保持第二电压V2的供应。因此，随着由第一外部电极E11和第二外部电极E12形成的电场从电场EF2移动到电场EF3，发光元件ED可以沿着电场的移动方向移动。因此，发光元件ED的对准程度可以提高。另外，发光元件ED还可以通过第六绝缘层L6-B的第一倾斜部分SP1至第四倾斜部分SP4便利地位于第一电极E1与第二电极E2之间。因此，发光元件ED的对准程度可以进一步提高。
另外，在另一实施例中，可以通过将第一电压V1施加到第一电极E1和第二电极E2而首次对准发光元件ED，通过将第二电压V2施加到第一外部电极E11和第二外部电极E12而第二次对准发光元件ED，并且通过在预定方向上移动第一外部电极E11和第二外部电极E12然后将第二电压V2施加到第一外部电极E11和第二外部电极E12而第三次对准发光元件ED。然而，发明构思不限于上述的第一对准至第三对准顺序。例如，对准顺序可以各种地改变，并且第一对准至第三对准可以重复若干次。例如，可以通过将第二电压V2施加到第一外部电极E11和第二外部电极E12而首次对准发光元件ED，然后通过将第一电压V1施加到第一电极E1和第二电极E2而第二次对准发光元件ED。
图8是用于解释对准发光元件的方法的视图。
参照图8，通过向第一外部电极E21和第二外部电极E22施加第三电压V3，可以在第一外部电极E21与第二外部电极E22之间形成电场EF4。在该实施例中，第一外部电极E21在第一方向DR1上与第二外部电极E22间隔预定距离。第一外部电极E21和第二外部电极E22中的每个在第三方向DR3上与第五绝缘层L5间隔预定距离。可以考虑适于对准发光元件ED的电场EF4的方向和强度来确定第一外部电极E21和第二外部电极E22之间的间隔距离以及在第三方向DR3上距第五绝缘层L5的间隔距离。例如，可以在绝缘表面上设置第一外部电极E21和第二外部电极E22。绝缘表面可以表示例如第五绝缘层L5的底表面。
在该实施例中，第三电压V3可以是大约±40V和大约100kHz的交流电压。当向第一外部电极E21和第二外部电极E22施加高电压时，发光元件ED的对准程度可以提高。
尽管在附图中未示出，但是与图7C中的对准方法相似，当第一电压V1施加到第一电极E1和第二电极E2时，第三电压V3可以同时施加到第一外部电极E21和第二外部电极E22。在该实施例中，第一电压V1可以是大约±20V和大约100kHz的交流电压，第三电压V3可以是大约±20V和大约100kHz的交流电压。
图9是用于解释对准发光元件的方法的视图。
参照图9，通过向第一外部电极E31和第二外部电极E32施加第四电压V4，可以在第一外部电极E31与第二外部电极E32之间形成电场EF5。在该实施例中，第一外部电极E31在与第一方向相反的方向上与第一电极E1间隔预定距离，第二外部电极E32在第一方向DR1上与第二电极E2间隔预定距离。在实施例中，可以在图1中的显示面板110的左侧和右侧处分别设置第一外部电极E31和第二外部电极E32。
在该实施例中，第四电压V4可以是大约±40V和大约100kHz的交流电压。当向第一外部电极E31和第二外部电极E32施加高电压时，发光元件ED的对准程度可以提高。另外，第一外部电极E31和第二外部电极E32可以在第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3上移动，使得发光元件ED在第一电极E1与第二电极E2之间对准。
尽管在附图中未示出，但是与图7C中的对准方法相似，当第一电压V1施加到第一电极E1和第二电极E2时，第四电压V4可以同时施加到第一外部电极E31和第二外部电极E32。在该实施例中，第一电压V1可以是大约±20V和大约100kHz的交流电压，第四电压V4可以是大约±40V和大约100kHz的交流电压。
图10是示出图6I中的显示装置的一部分的透视图。
尽管在图10中仅示出第五绝缘层L5、第一电极E1、第二电极E2和第六绝缘层L6-B，但是开关晶体管TR1、驱动晶体管TR2和电容器C1还可以设置在第五绝缘层L5下方。
参照图10，止动区域A3可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间。止动区域A3在第二方向DR2上延伸。如图3A中所示，至少一个发光元件ED可以设置在止动区域A3上。
根据发明构思的实施例，由于止动区域A3设置在第一电极E1与第二电极E2之间，所以发光元件ED可以被容纳在止动区域A3中。因此，发光元件ED可以进一步容易地对准。
图11是示出图6I中的显示装置的一部分的透视图。
尽管在图11中仅示出第五绝缘层L5、第一电极E1、第二电极E2和第六绝缘层L6-B，但是开关晶体管TR1、驱动晶体管TR2和电容器C1也可以设置在第五绝缘层L5下方。
参照图11，止动槽HM可以被限定在第六绝缘层L6-B中。止动槽HM可以具有矩形形状，该矩形形状具有第一方向DR1上的第一长度H1和第二方向DR2上的第二长度H2。止动槽HM的第一长度H1可以等于图6I中的止动区域A3的宽度。至少一个发光元件ED可以设置在止动槽HM中。
由于止动槽HM包括第二方向DR2上的倾斜表面SLP5和SLP6以及第一方向DR1上的倾斜表面SLP5和SLP6，所以发光元件ED可以容易地被容纳在止动区域A3中。因此，发光元件ED可以进一步容易地对准。
图12A是示出显示装置的一部分的透视图。
参照图12A，止动区域A3可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间。止动区域A3在第二方向DR2上延伸。由第六绝缘层L6-B形成的支撑部分SM可以设置在止动区域A3的中心部分上。
支撑部分SM可以由第六绝缘层L6-B形成，该第六绝缘层L6-B通过形成在与第六绝缘层L6-B上的第三光致抗蚀剂图案OLP3相同的层中的光致抗蚀剂图案(未示出)未被去除。
图12B是示出图12A中的显示装置的剖视图。
参照图12B，支撑部分SM可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间的止动区域A3上。支撑部分SM可以在第一方向DR1上与第一电极E1和第二电极E2中的每个间隔预定距离。支撑部分SM可以支撑以下面的工艺布置的发光元件ED。
图13是用于解释根据发明构思的实施例的制造显示装置的方法的流程图。
尽管为了便于描述而参照图6A至图6L、图7A至图7D描述了图13中的制造显示装置的方法，但是发明构思不限于此。
首先，参照图6A和图13，在第一基体层BL1上形成开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2。在操作S200中，在开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2上形成第五绝缘层L5。
参照图6G和图13，在操作S210中，在第五绝缘层L5上形成第一电极E1和第二电极E2。
参照图6H和图13，在操作S220中，形成覆盖第一电极E1和第二电极E2的第六绝缘层L6-B。第六绝缘层L6-B可以具有大约
Figure BDA0002263656340000211
的厚度。
在操作S230中，在第六绝缘层L6-B上形成第三光致抗蚀剂图案OLP3。在操作S240中，可以去除第六绝缘层L6-B的从第三光致抗蚀剂图案OLP3暴露的一部分。
参照图6J和图13，在操作S250中，可以将包含发光元件ED的溶液30施用在第一电极E1与第二电极E2之间的止动区域A3上。
参照图6K、图7A和图13，通过在第一电极E1与第二电极E2之间施加第一电压V1，在第一电极E1和第二电极E2之间形成电场EF1。在操作S260中，可以通过电场EF1对发光元件ED诱导偶极性，并且可以通过电泳力在第一电极E1与第二电极E2之间对准发光元件ED。
参照图7B和图13，通过将第二电压V2施加到第一外部电极E11和第二外部电极E12，可以在第一外部电极E11与第二外部电极E12之间形成电场EF2。在操作S270中，可以通过电场EF2在第一电极E1和第二电极E2之间对准发光元件ED。
在操作S280中，确定发光元件ED的在第一电极E1与第二电极E2之间的期望位置处的对准是否完成。
在操作S290中，当发光元件ED的在第一电极E1和第二电极E2之间的对准如图7C中所示未完成时，第一外部电极E11和第二外部电极E12中的每个的位置如图7D中所示移动。
可以重复执行操作S270至操作S290的对准操作，直到完成发光元件ED的对准。
具有上述的构造的显示装置将设置在第一电极和第二电极上的绝缘层形成为具有止动形状，使得微型发光元件容易对准。通过微型发光元件的对准程度的提高，显示装置可以具有提高的可靠性。另外，由于通过使用由外部电极形成的电场来对准微型发光元件，所以微型发光元件可以进一步容易地对准。因此，显示装置的可靠性可以提高。
尽管已经描述了本发明构思的示例性实施例，但是理解的是，本发明构思不应该受限于这些示例性实施例，而是可以在如下文中所要求保护的本发明构思的精神和范围内由本领域普通技术人员进行各种改变和修改。因此，发明构思的实际保护范围应由所附权利要求的技术范围来确定。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
像素电路；
第一绝缘层，覆盖所述像素电路；
第一电极，设置在所述第一绝缘层上；
第二电极，设置在所述第一绝缘层上，同时与所述第一电极间隔开；
第二绝缘层，覆盖所述第一电极、所述第二电极和设置在所述第一电极与所述第二电极之间的所述第一绝缘层；以及
发光元件，在所述第二绝缘层上电连接到所述第一电极和所述第二电极，并且设置在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，所述第二绝缘层包括与所述第一电极叠置的第一区域、与所述第二电极叠置的第二区域和设置在所述第一电极与所述第二电极之间的止动区域，并且所述止动区域具有与所述第一区域和所述第二区域中的每个的厚度不同的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述止动区域具有小于所述第一区域和所述第二区域中的每个的最小厚度的最小厚度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述止动区域具有在第一方向上的宽度，所述宽度等于或大于所述发光元件在所述第一方向上的长度。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一区域和所述第二区域中的每个的最小厚度与所述止动区域的最小厚度之间的差为
Figure FDA0002263656330000011
或更大。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一区域和所述第二区域中的每个具有
Figure FDA0002263656330000012
的最小厚度，并且所述止动区域具有
Figure FDA0002263656330000013
的最小厚度。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述止动区域的侧部中的至少一个包括具有彼此不同的倾斜度的多个倾斜表面。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述止动区域还包括平坦表面，并且所述多个倾斜表面包括从所述平坦表面延伸的第一倾斜表面和从所述第一倾斜表面延伸的第二倾斜表面。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一倾斜表面与所述第二倾斜表面之间的角度为100°或更大且135°或更小。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述发光元件具有设置在所述第一倾斜表面与所述第二倾斜表面在其处相交的边界上的端部。
10.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在绝缘表面上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成导电层；
通过图案化所述导电层形成第一电极和第二电极；
形成覆盖所述第一电极、所述第二电极和设置在所述第一电极与所述第二电极之间的所述第一绝缘层的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成光致抗蚀剂图案；
通过去除所述第二绝缘层的从所述光致抗蚀剂图案暴露的一部分来形成止动区域；
在所述止动区域上提供发光元件；以及
对准所述发光元件，
其中，所述止动区域设置在所述第一电极与所述第二电极之间。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11810829B2 (en) 2020-06-08 2023-11-07 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for inspecting light emitting elements, method of inspecting light emitting elements using the apparatus, and method of manufacturing display device using the apparatus

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200040352A (ko) * 2018-10-08 2020-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20200052044A (ko) * 2018-11-06 2020-05-14 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
WO2020246857A1 (ko) * 2019-06-05 2020-12-10 한양대학교 에리카산학협력단 마이크로 led 디스플레이 및 그 제조 방법
KR20210035362A (ko) * 2019-09-23 2021-04-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210124564A (ko) * 2020-04-03 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210145049A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210145030A (ko) * 2020-05-22 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220019196A (ko) 2020-08-07 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220046739A (ko) * 2020-10-07 2022-04-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220053714A (ko) * 2020-10-22 2022-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220113602A (ko) * 2021-02-05 2022-08-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101820275B1 (ko) 2013-03-15 2018-01-19 애플 인크. 리던던시 스킴을 갖춘 발광 다이오드 디스플레이 및 통합 결함 검출 테스트를 갖는 발광 다이오드 디스플레이를 제작하는 방법
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US9773761B2 (en) 2013-07-09 2017-09-26 Psi Co., Ltd Ultra-small LED electrode assembly and method for manufacturing same
KR102608419B1 (ko) * 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR102633079B1 (ko) * 2016-10-28 2024-02-01 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
KR102587215B1 (ko) * 2016-12-21 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11810829B2 (en) 2020-06-08 2023-11-07 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for inspecting light emitting elements, method of inspecting light emitting elements using the apparatus, and method of manufacturing display device using the apparatus

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