CN103972261B - 有机发光显示器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种有机发光显示器及其制造方法，所述有机发光显示器包括：基底；第一电极，设置在基底上；像素限定层，设置在基底上，以划分像素区域；第一公共层，设置在第一电极上；突起图案，包括设置在第一公共层上并彼此隔开的多个突起；发光层，设置在像素区域中的第一公共层上；以及第二电极，设置在发光层上。

Description

有机发光显示器及其制造方法

本申请参考于2013年2月6日在先提交到韩国知识产权局并适时地被分配的序号为10-2013-0013572的申请“ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME”，将该申请包含于此并且要求该申请的所有权益。

技术领域

本发明涉及有机发光显示器以及制造该有机发光显示器的方法。更具体地，本发明涉及显示均匀的图像的有机发光显示器以及制造该有机发光显示器的方法。

背景技术

平板显示装置被划分成光发射型显示装置和光接收型显示装置。作为光发射型显示装置，使用扁平阴极射线管、等离子体显示面板和电致发光显示装置。液晶显示器用作光接收型显示装置。在它们之中，由于电致发光显示装置具有例如宽视角、优异的对比度和快响应速度等的各种性质，所以电致发光显示器已经作为下一代显示装置受到关注。根据用于形成发光层的材料，电致发光显示装置被划分成无机电致发光显示装置和有机电致发光显示装置。

有机电致发光显示装置是电激发荧光有机化合物以发射光的自发射显示装置，因此，由于与液晶显示器相比，有机电致发光显示装置具有例如低驱动电压、薄厚度、宽视角、快响应速度等的各种性质，因此有机电致发光显示装置已经作为下一代显示装置受到关注。

有机电致发光显示装置包括阳极、阴极和由有机材料形成的发光层。当对阳极和阴极施加正电压和负电压时，从阳极注入的空穴通过空穴传输层被传输到发光层，从阴极注入的电子通过电子传输层被传输到发光层。然后，空穴与电子在发光层复合以产生激子。激子发射当从激发态返回基态时释放的能量作为光。

发明内容

本发明提供了一种能够改善暗点的有机发光显示器。

本发明提供了一种制造有机发光显示器的方法。

本发明的实施例提供了一种有机发光显示器，所述有机发光显示器包括：基底；第一电极，设置在基底上；像素限定层，设置在基底上，以划分像素区域；第一公共层，设置在第一电极上；突起图案，包括设置在第一公共层上并彼此隔开的多个突起；发光层，设置在像素区域中的第一公共层上；以及第二电极，设置在发光层上。

有机发光显示器还包括设置在第一公共层和发光层之间的第二公共层。在这种情况下，第一公共层是空穴注入层，第二公共层是空穴传输层。

有机发光显示器还包括设置在第一电极和第一公共层之间的第二公共层。在这种情况下，第一公共层是空穴传输层，第二公共层是空穴注入层。

设置复数的像素区域，各个像素区域是红色像素区域、绿色像素区域或者蓝色像素区域，发光层在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中分别发射红光、绿光和蓝光。设置在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的突起图案具有不同的形状或者不同的密度。另外，有机发光显示器可以包括设置在发光层和第二电极之间的电子注入层或者电子传输层中的至少一个。

本发明的实施例提供了一种制造有机发光显示器的方法。通过以下步骤来制造有机发光显示器：在基底上形成第一电极；在第一电极上形成像素限定层以限定像素区域；在第一电极上形成第一公共层；在第一公共层上形成包括彼此隔开的多个突起的突起图案；在像素区域中的第一共电极上形成发光层；以及在发光层上形成第二电极。

通过喷墨法形成发光层。

通过在第一公共层上形成光敏有机层并使用掩模将光选择性地照射到光敏有机层上来形成突起图案。

根据以上的描述，由于发光层形成为在像素区域的整个区域中具有均匀的厚度，所以防止或者减少暗点。因此，改善了在各个像素中显示的图像的均一性，使得延长了各个像素的寿命。另外，可以防止颜色在彼此相邻的像素之间混合。

附图说明

通过参考当结合附图时考虑的以下详细描述，本发明的上述和其他优点将变得更加明显，在附图中：

图1是示出了根据本发明的示例性实施例的有机发光显示器的电路图；

图2是示出了图1中示出的像素的平面图；

图3是沿着图2的I-I'线截取的剖视图；

图4是示出了图3中示出的基底、像素限定层和像素的剖视图；

图5A至5E是示出了根据本发明的示例性实施例的制造有机发光显示器的方法的剖视图；

图6至图8是示出了根据本发明的另一个示例性实施例的有机发光显示器的剖视图。

具体实施方式

将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接或结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。相同的标号始终表示相同的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。

将理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称作第二元件、组件、区域、层或部分。

为了便于描述，在这里可使用空间相对术语，如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”、“上”等，来描述如在图中所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因而，示例性术语“在…下方”可包括“在…上方”和“在…下方”两种方位。所述装置可被另外定位（旋转90度或者在其它方位），并对在这里使用的空间相对描述符做出相应的解释。

这里使用的术语仅为了描述特定实施例的目的，而不意图限制本发明。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

除非另有定义，否则这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语（诸如在通用字典中定义的术语）应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思一致的意思，而将不以理想的或者过于正式的含义来解释它们。

在下文中，将参照附图详细地解释本发明。

图1是示出了根据本发明的示例性实施例的有机发光显示器的电路图，图2是示出了图1中示出的像素的平面图，图3是沿着图2的I-I'线截取的剖视图，图4是示出了图3中示出的基底、像素限定层和像素的剖视图。

根据本示例性实施例的有机发光显示器包括至少一个像素PXL以显示图像。像素PXL设置为复数，并且像素PXL以矩阵的形式布置。这里，像素PXL均具有矩形形状，但是像素PXL不限于矩形形状。另外，像素PXL可以具有不同的面积。例如，根据像素PXL的颜色，它们可以具有不同的面积或不同的形状。

像素PXL包括线部件、连接到线部件的薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的有机发光装置EL和电容器Cst，线部件构造为包括栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL，。

栅极线GL沿着预定的方向延伸，数据线DL沿着与栅极线GL延伸的方向不同的方向延伸。驱动电压线DVL沿着与数据线DL相同的方向延伸。栅极线GL向薄膜晶体管施加扫描信号，数据线DL向薄膜晶体管施加数据信号，驱动电压线DVL向薄膜晶体管施加驱动电压。

薄膜晶体管包括：驱动薄膜晶体管TR2，控制有机发光器件EL；开关薄膜晶体管TR1，切换驱动薄膜晶体管TR2。在本示例性实施例中，一个像素PXL包括两个薄膜晶体管TR1和TR2，但是它不应该限制于此。即，一个像素PXL包括薄膜晶体管和电容器，或者至少三个薄膜晶体管和至少两个电容器。

开关薄膜晶体管TR1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第一栅电极GE1连接到栅极线GL，第一源电极SE1连接到数据线DL。第一漏极DE1连接到驱动薄膜晶体管TR2的栅电极，例如，第二栅电极GE2。开关薄膜晶体管TR1响应于通过栅极线GL提供的扫描信号将通过数据线DL提供的数据信号施加给驱动薄膜晶体管TR2。

驱动薄膜晶体管TR2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第二栅电极GE2连接到开关薄膜晶体管TR1，第二源电极SE2连接到驱动电压线DVL，第二漏电极DE2连接到有机发光器件EL。

有机发光装置EL包括发光层EML、第一电极EL1和面对第一电极EL1的第二电极EL2，发光层EML插入在第一电极EL1和第二电极EL2之间。第一电极EL1连接到驱动薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2。第二电极EL2施加以共电压，发光层EML根据驱动薄膜晶体管TR2的输出信号而发射光，由此显示期望的图像。

电容器Cst连接在驱动薄膜晶体管TR2的第二栅电极GE2和第二源电极SE2之间，并利用输入到驱动薄膜晶体管TR2的第二栅电极GE2的数据信号充电。

在下文中，将根据有机发光显示器的元件的堆叠顺序来描述有机发光显示器。

有机发光显示器包括由玻璃、塑料或者晶体形成的绝缘基底SUB，薄膜晶体管和有机发光装置设置在绝缘基底SUB上。

缓冲层BFL设置在基底SUB上。缓冲层BFL防止杂质扩散到开关薄膜晶体管TR1和驱动薄膜晶体管TR2。缓冲层BFL可以包括氮化硅（SiN_x）、氧化硅（SiO_x）和氮氧化硅（SiO_xN_y），并且可以根据基底SUB的材料和工艺条件省略缓冲层BFL。

第一半导体层SM1和第二半导体层SM2设置在缓冲层BFL上。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2由半导体材料形成，并分别用作开关薄膜晶体管TR1和驱动薄膜晶体管TR2的有源层。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2均包括源极区域SA、漏极区域DA和设置在源极区域SA和漏极区域DA之间的沟道区域DA。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2由无机半导体材料或者有机半导体材料形成。源极区域SA和漏极区域DA用n型或p型杂质掺杂。

栅极绝缘层GI设置在第一半导体层SM1和第二半导体层SM2上。

第一栅电极GE1和第二栅电极GE2设置在栅极绝缘层GI上。第一栅电极GE1和第二栅电极GE2形成为覆盖分别与第一半导体层SM1和第二半导体层SM2的沟道区域CA相对应的区域。

中间绝缘层IL设置在第一栅电极GE1和第二栅电极GE2上，以覆盖第一栅电极GE1和第二栅电极GE2。

第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2设置在中间绝缘层IL上。第一源电极SE1和第一漏电极DE1分别通过穿过栅极绝缘层GI和中间绝缘层IL形成的接触孔与第一半导体层SM1的源极区域SA和漏极区域DA接触。第二源电极SE2和第二漏电极DE2分别通过穿过栅极绝缘层GI和中间绝缘层IL形成的接触孔与第二半导体层SM2的源极区域SA和漏极区域DA接触。

同时，第二栅电极GE2的一部分和驱动电压线DVL的一部分分别对应于第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2，以与设置在第二栅电极GE2的一部分和驱动电压线DVL的一部分之间的中间绝缘层IL合作形成电容器Cst。

钝化层PL设置在第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2上。钝化层PL保护开关薄膜晶体管TR1和驱动薄膜晶体管TR2，钝化层PL用作平坦化层以将开关薄膜晶体管TR1和驱动薄膜晶体管TR2平坦化。

第一电极EL1设置在钝化层PL上作为有机发光装置EL的阳极。第一电极EL1通过穿过钝化层PL形成的接触孔IH2连接到驱动薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2。第一电极EL1可以用作阴极，然而，在本示例性实施例中，第一电极EL1将被描述为阳极。

第一电极EL1可以由具有较高的逸出功的材料形成。在向基底SUB的向下的方向提供图像的情况下，第一电极EL1可以由诸如氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟锡锌（ITZO）等的透明导电层形成。在向基底SUB的向上的方向提供图像的情况下，第一电极EL1可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等的金属反射层和诸如ITO、IZO、ZnO、ITZO等的透明导电层形成。

像素限定层PDL设置在其上形成有第一电极EL1的基底SUB上，以将像素区域PA划分成分别对应于像素PXL的多个区域。像素限定层PDL从基底SUB沿着像素的外周突起以暴露第一电极EL1的上表面。

发光层EML设置在由像素限定层PDL围绕的像素区域PA中，第二电极EL2设置在发光层EML上。

这里，下公共层设置在第一电极EL1和发光层EML之间，上公共层设置在发光层EML和第二电极EL2之间。下公共层和上公共层用作载体传输层并应用于各个像素。下公共层包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL，上公共层包括电子注入层EIL和电子传输层ETL。在第一电极EL1是阳极的情况下，下公共层、上公共层和发光层EML按照空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL、电子注入层EIL和第二电极EL2的顺序堆叠在第一电极EL1上。

在本示例性实施例中，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL或者电子注入层EIL中的至少一个层取决于发光层EML的材料和发光性质。这里，将描述制备下公共层的空穴注入层HIL的情况作为代表性示例。

空穴注入层HIL包括具有金属复合物的导电聚合物。空穴注入层HIL可以包括铜酞菁的酞菁化合物、m-MTDATA[4,4',4''-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺]、NPB（N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺）、TDATA、2-TNATA、Pani/DBSA（聚苯胺/十二烷基苯磺酸）、PEDOT/PSS（聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)）、Pani/CSA（聚苯胺/樟脑磺酸）或PANI/PSS（聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)），但空穴注入层HIL不限于此。

突起图案PP设置在空穴注入层HIL上。突起图案PP包括形成在空穴注入层HIL上并且彼此隔开的多个突起。突起具有从空穴注入层HIL的上表面突起的柱形状，但是不应不限于此。当以平面图观看时，每个突起具有各种形状，例如圆形形状、椭圆形状、例如矩形形状的多边形形状等。

突起图案PP包括有机聚合物并且具有与发光层EML的表面能相同或者相似的表面能。在这种情况下，发光层EML与突起图案PP的表面具有亲和性，因此发光层EML被突起图案PP均匀地分散。

突起布置为在一个像素区域PA中以规则的间隔彼此隔开。这是为了使得发光层EML在像素区域PA中具有均匀的厚度。

根据另一个实施例，突起布置在一个像素区域PA中，从而以不同的间隔彼此隔开。例如，位于靠近像素限定层PDL的区域中的单位面积的突起的数量与位于远离像素限定层PDL的区域中的单位面积的突起的数量不同，位于靠近像素限定层PDL的区域中的单位面积的突起的数量小于位于远离像素限定层PDL的区域中的单位面积的突起的数量。因此，当形成发光层EML时，可以防止在位于靠近像素限定层PDL的区域中发光层EML由于发光层EML和像素限定层PDL之间的叠置而厚度增加。

发光层EML可以对应于各个像素包括发射红色、绿色或蓝色的发光材料。分别发射红色、绿色或蓝色的像素分别对应于红色、绿色和蓝色像素区域操作为红色像素R_PXL、绿色像素G_PXL和蓝色像素B_PXL。红色像素R_PXL、绿色像素G_PXL和蓝色像素B_PXL形成一个主像素。然而，在每个像素中发射的光的颜色，即，发射波长，不应该限制于此。像素可以发射其它颜色，例如黄色或洋红色，或者一个像素可以发射白光。

发光层EML可以对应于各个像素包括发射红色、绿色或蓝色的发光材料R_EML、G_EML和B_EML。发光层EML可以由包括主体和掺杂剂的各种发光材料形成。作为掺杂剂，可以使用荧光掺杂剂和磷光掺杂剂。作为主体，可以使用例如Alq₃、CBP（4,4'-N,N'-二咔唑-联苯）、9,10-二(萘-2-基)蒽（ADN）、或DSA（二苯乙烯基亚芳基化合物，distyrylarylene），然而，发光材料不应限于此。

同时，作为红色掺杂剂，可以使用PtOEP、Ir(piq)₃、Btp₂Ir(acac)或DCJTB，但是红色掺杂剂不限于此。

作为绿色掺杂剂，可以使用Ir(ppy)₃（ppy=苯基吡啶）、Ir(ppy)₂(acac)或Ir(mpyp)₃、C545T，但是绿色掺杂剂不限于此。

作为蓝色掺杂剂，可以使用F₂Irpic、(F₂ppy)₂Ir(tmd)、Ir(dfppz)₃、三芴、4,4'-二(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯（DPAVBi）或2,5,8,11-四叔丁基苝（TBP），但是蓝色掺杂剂不限于此。

尽管在图中未示出，但是在发光层EML包括磷光掺杂剂的情况下，空穴阻挡层可以设置在发光层EML上以防止三线态激子或者空穴扩散到电子传输层ETL。

第二电极EL2包括具有低逸出功的材料，例如金属、合金、导电化合物及其混合物。例如，第二电极EL2包括锂（Li）、镁（Mg）、铝（Al）、铝-锂（Al-Li）、钙（Ca）、镁-铟（Mg-In）、镁-银（Mg-Ag）等。

同时，第二电极EL2可以是透射电极或反射电极。当第二电极EL2是透射电极时，第二电极EL2包括上述的透明导电材料。当第二电极EL2是反射电极时，第二电极EL2包括金属反射层。

密封层SL设置在第二电极EL2上以覆盖第二电极EL2。

在下文中，将参照图5A至5E详细描述根据本发明的示例性实施例的制造有机发光显示器的方法。图5A至5E是示出了根据本发明的示例性实施例的制造有机发光显示器的方法的剖视图。为了解释方便，在图5A至图5E中已经省略了有机发光显示器的部分元件，例如，薄膜晶体管，并将主要描述基底SUB、像素限定层PDL和像素。

参照图5A，在基底SUB上形成线部件（未示出）、薄膜晶体管（未示出）、第一电极EL1和像素限定层PDL。通过使用掩模的光刻工艺来形成线部件和薄膜晶体管。通过在其上形成有线部件和薄膜晶体管的基底SUB上沉积导电材料并使用光刻工艺将导电材料图案化来形成第一电极EL1。

通过在其上形成有第一电极EL1的基底SUB上形成光敏有机层，通过使用掩模的光刻法将光敏有机层图案化，并固化图案化的光敏有机层来形成像素限定层PDL。

参照图5B，在其上形成有第一电极EL1和像素限定层PDL的基底SUB上形成空穴注入层HIL。可以通过诸如狭缝涂布法、印刷法、真空沉积法、旋涂法、浇铸法、LB（Langmuir-Blodgett）法等的各种方法来形成空穴注入层HIL。在空穴注入层HIL上形成光敏有机层PR以形成突起图案PP。光敏有机层PR可以是由于曝光而引起光化学反应或催化反应的前驱体。可以通过诸如狭缝涂布法、旋涂法、印刷法等的各种方法来形成光敏有机层PR。

参照图5C，通过掩模MSK将光敏有机层PR暴露于光LT。辐射到光敏有机层PR上的光LT是紫外光，由于光LT而在光敏有机层PR中发生光化学反应或者催化反应，由此形成突起图案PP。

参照图5D，在其上形成有突起图案PP的基底SUB上形成发光层EML。以流体的形式提供发光层EML并通过稍后去除溶剂来形成发光层EML。使用印刷法在基底SUB上形成发光层EML。印刷法包括使用喷嘴的喷墨法和涂布法。在图5D中，通过喷墨法来形成发光层EML。在像素限定层PDL围绕的像素区域PA中以流体的形式提供发光层EML，并通过突起图案PP使发光层EML均匀地分散在像素区域PA中。

这里，尽管在特定的像素区域中设置了用于发光层EML的相对大量的有机发光材料，但是由于突起图案PP阻挡了用于发光层EML的有机发光材料的移动，所以可以防止有机发光材料溢出到其他的像素区域。

参照图5E，在其上形成有发光层EML的基底SUB上形成第二电极EL2，并形成密封剂层SL以覆盖第二电极EL2，以由此制造有机发光显示器。

在具有上述结构的有机发光显示器中，由于在空穴注入层中形成突起图案，所以发光层在像素区域中具有均匀的厚度。具体地，可以防止在位于靠近像素限定层的区域中发光层由于发光层和像素限定层之间的叠置而厚度增加。因此，由于发光层形成为在像素区域的整个区域中具有均匀的厚度，所以可以防止或者减少暗点。因此，改善了在各个像素中显示的图像的均一性，使得延长了各个像素的寿命。

另外，尽管在特定的像素区域中设置了用于发光层的相对大量的有机发光材料，但是可以防止有机发光材料溢出到其他的像素区域。因此，可以防止颜色在彼此相邻的像素之间混合。

图6是示出了根据本发明的另一个示例性实施例的有机发光显示器的剖视图。在图6中，与图4中相同的标号表示相同的元件，因此将省略对相同元件的详细描述。

参照图6，还在空穴注入层HIL和发光层EML之间设置空穴传输层HTL作为下公共层，突起图案PP设置在空穴传输层HTL上。

空穴传输层HTL包括：N-苯基咔唑和聚乙烯咔唑等的咔唑衍生物；或者包括NPB、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-联苯胺（TPD）、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺（α-NPD）、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）等的具有芳香缩合环化合物的胺衍生物。在这些材料中，TCTA传输空穴并防止激子从发光层EML扩散。

可以使用诸如狭缝涂布法、印刷法、真空沉积法、旋涂法、浇铸法、LB法等的各种方法来在空穴注入层HIL上形成空穴传输层HTL。

突起部分PP设置在空穴传输层HTL上。通过与参照图5A至5E描述的方法相同的方法形成突起图案PP。

由于设置在空穴传输层上的突起图案，所以发光层在像素区域的整个区域中具有均匀的厚度，由此可以防止或者减少暗点。因此，改善了在各个像素中显示的图像的均一性，另外，可以防止发光层溢出到相邻的像素区域。

图7是示出了根据本发明的另一个示例性实施例的有机发光显示器的剖视图。

参照图7，突起图案PP设置在空穴注入层HIL上，空穴传输层HTL设置在空穴注入层HIL和发光层EML之间作为下公共层。

通过与以上的示例性实施例中描述的空穴传输层HTL相同的材料和方法来形成空穴传输层HTL。沿着空穴注入层HIL的表面和设置在空穴注入层HIL上的突起图案PP的表面形成空穴传输层HTL，因此空穴传输层HTL的与突起图案PP对应的部分向上突起。

发光层形成在包括突起部分的空穴传输层上并且由于空穴传输层的突起部分而具有均匀的厚度。另外，发光层在像素区域的整个区域中具有均匀的厚度，所以可以防止或减少暗点。因此，改善了在各个像素中显示的图像的均一性，另外，可以防止发光层溢出到相邻的像素区域。

这里，突起图案PP形成在空穴注入层或者空穴传输层上。然而，在其他的情况下，当形成发光层时，可以存在从基底SUB的上表面突起的突起。在突起图案设置在空穴注入层之下（即，设置在第一电极EL1或者第一电极EL1之下的下元件上）的情况下，设置在第一电极EL1上的上元件的表面被平坦化，因此不存在突起部分。

图8是示出了根据本发明的另一个示例性实施例的有机发光显示器的剖视图。

参照图8，还在空穴注入层HIL和发光层EML之间设置空穴传输层HTL作为下公共层，突起图案PP设置在空穴传输层HTL上。另外，还在发光层EML和第二电极EL2之间设置电子注入层EIL和电子传输层ETL。

在本示例性实施例中，突起图案PP可以以相同的形状和数目设置在红色像素R_PXL、绿色像素G_PXL、蓝色像素B_PXL中，但是突起图案PP不限于此。即，突起图案PP在红色像素R_PXL、绿色像素G_PXL、蓝色像素B_PXL中可以以不同的形状和相同的数量设置。分别设置在红色像素R_PXL、绿色像素G_PXL和蓝色像素B_PXL中的红色有机发光材料、绿色有机发光材料和蓝色有机发光材料可以具有彼此不同的粘度和彼此不同的表面张力。因此，尽管红色有机发光材料、绿色有机发光材料和蓝色有机发光材料分别以相同的量设置在红色像素R_PXL、绿色像素G_PXL和蓝色像素B_PXL中，但是发光层EML的厚度根据红色像素R_PXL、绿色像素G_PXL和蓝色像素B_PXL而变得不同。为了防止发光层EML的厚度变得不同，根据红色像素R_PXL、绿色像素G_PXL和蓝色像素B_PXL以不同的形状或者不同的密度来设置突起部分PP，因此与红色像素R_PXL、绿色像素G_PXL和蓝色像素B_PXL无关，发光层EML可以具有均匀的厚度。突起图案PP的形状和和密度取决于红色有机发光材料、绿色有机发光材料和蓝色有机发光材料。例如，设置在红色像素R_PXL中的突起图案PP的数量可以大于设置在绿色像素G_PXL或者蓝色像素B_PXL中的突起图案PP的数量。

电子传输层ETL形成在发光层EML上。电子传输层ETL包括喹啉衍生物（例如，三(8-羟基喹啉)铝（Alq₃））、TAZ、Balq等，但是电子传输层ETL不应限于此。

可以通过使用诸如狭缝涂布法、印刷法、真空沉积法、旋涂法、浇铸法、LB法等的各种方法在发光层EML上形成电子传输层ETL。

电子注入层EIL形成在电子传输层ETL上。电子注入层EIL包括诸如LiF、NaCl、CsF、Li20、BaO等的材料，并且通过使用在与空穴注入层HIL相同的沉积条件下的沉积或涂覆法在电子传输层ETL上形成电子注入层EIL。

在本示例性实施例中，由于设置在空穴传输层上的突起图案，因此发光层在像素区域的整个区域中具有均匀的厚度，由此防止或减少暗点。因此，可以改善在各个像素中显示的图像的均一性。另外，可以防止发光层溢出到相邻的像素区域。

尽管已经描述了本发明的示例性实施例，但是理解的是，本发明不应该限制于这些示例性实施例，而是在要求保护的本发明的精神和范围内，本领域普通技术人员可以做出各种变化和修改。

Claims (10)

1.一种有机发光显示器，所述有机发光显示器包括：

基底；

第一电极，设置在基底上；

像素限定层，设置在基底上，包含至少一个像素区域；

第一公共层，设置在第一电极上；

突起图案，包括多个突起，设置在第一公共层上并彼此隔开；

发光层，设置在像素区域中的第一公共层上；以及

第二电极，设置在发光层上，

其中，突起图案包括有机聚合物并且具有与发光层的表面能相同或者相似的表面能。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示器，所述有机发光显示器还包括设置在第一公共层和发光层之间的第二公共层。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示器，其中，第一公共层是空穴注入层，第二公共层是空穴传输层。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示器，所述有机发光显示器还包括设置在第一电极和第一公共层之间的第二公共层。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示器，其中，第一公共层是空穴传输层，第二公共层是空穴注入层。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，像素限定层被划分成多个所述像素区域。

7.根据权利要求6所述的有机发光显示器，其中，各个像素区域是红色像素区域、绿色像素区域或者蓝色像素区域，发光层在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中分别发射红光、绿光和蓝光。

8.根据权利要求7所述的有机发光显示器，其中，设置在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的每个像素区域中的突起图案分别具有不同的形状或者不同的密度。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示器，所述有机发光显示器还包括设置在发光层和第二电极之间的电子注入层或电子传输层中的至少一个。

10.一种制造有机发光显示器的方法，所述方法包括：

在基底上形成第一电极；

在第一电极上形成像素限定层，像素限定层包含至少一个像素区域；

在第一电极上形成第一公共层；

在第一公共层上形成包括彼此隔开的多个突起的突起图案；

在像素区域中的第一公共层上形成发光层；以及

在发光层上形成第二电极，

其中，突起图案包括有机聚合物并且具有与发光层的表面能相同或者相似的表面能。